JP2868131B2 - 電子部品用基板の製造方法 - Google Patents
電子部品用基板の製造方法Info
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- JP2868131B2 JP2868131B2 JP2105741A JP10574190A JP2868131B2 JP 2868131 B2 JP2868131 B2 JP 2868131B2 JP 2105741 A JP2105741 A JP 2105741A JP 10574190 A JP10574190 A JP 10574190A JP 2868131 B2 JP2868131 B2 JP 2868131B2
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C10/00—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
- C03C10/0018—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and monovalent metal oxide as main constituents
- C03C10/0027—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing SiO2, Al2O3 and monovalent metal oxide as main constituents containing SiO2, Al2O3, Li2O as main constituents
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は電子部品用基板とその製造方法に関するもの
である。
である。
［従来技術］ 従来より磁気センサ等の電子部品を作製する方法の一
つとして、あらかじめ磁性材料上に非磁性層を備えた基
板を作製し、これにパターンを形成した後、所定の大き
さに切断する方法がある。このような電子部品用基板の
非磁性層は、素子と磁性材料との磁路を遮断するために
形成され、その材質としては、一般にガラスや結晶化ガ
ラスが使用されている。
つとして、あらかじめ磁性材料上に非磁性層を備えた基
板を作製し、これにパターンを形成した後、所定の大き
さに切断する方法がある。このような電子部品用基板の
非磁性層は、素子と磁性材料との磁路を遮断するために
形成され、その材質としては、一般にガラスや結晶化ガ
ラスが使用されている。
磁性材料上に非磁性層を形成するには、磁性材料の表
面にガラス粉末をペースト化したものを、スクリーン印
刷した後、焼成することによって非磁性層を形成する方
法や本出願人の出願に係る特願平１−171578号に示され
ている方法、すなわち一旦、加圧しながら熱処理するこ
とにより他部材との接着が可能、いわゆる熱圧着が可能
な結晶化ガラスを所定の寸法形状に加工し、その一面を
磁性材料に熱圧着して両者を接着した後、該結晶化ガラ
ス板を所定の厚さに研磨する方法がある。
面にガラス粉末をペースト化したものを、スクリーン印
刷した後、焼成することによって非磁性層を形成する方
法や本出願人の出願に係る特願平１−171578号に示され
ている方法、すなわち一旦、加圧しながら熱処理するこ
とにより他部材との接着が可能、いわゆる熱圧着が可能
な結晶化ガラスを所定の寸法形状に加工し、その一面を
磁性材料に熱圧着して両者を接着した後、該結晶化ガラ
ス板を所定の厚さに研磨する方法がある。
［発明が解決しようとする問題点］ しかしながら前者のガラス粉末を用いる方法は、磁性
材料上に形成された非磁性層の表面が凹凸状を呈してい
るため、研磨することによってその表面を平滑にする必
要があるが、ガラス内に泡が存在するため、研磨すると
表面にピンホールと呼ばれる小さな穴が発生して欠陥部
品になるという問題が生じる。さらに磁気センサ等では
非磁性層を所定の厚みにすることが要求され、具体的に
は100〜300μｍの厚みにすることが要求されるが、この
方法によって形成される非磁性層の厚みは精々10〜30μ
ｍに限定される。
材料上に形成された非磁性層の表面が凹凸状を呈してい
るため、研磨することによってその表面を平滑にする必
要があるが、ガラス内に泡が存在するため、研磨すると
表面にピンホールと呼ばれる小さな穴が発生して欠陥部
品になるという問題が生じる。さらに磁気センサ等では
非磁性層を所定の厚みにすることが要求され、具体的に
は100〜300μｍの厚みにすることが要求されるが、この
方法によって形成される非磁性層の厚みは精々10〜30μ
ｍに限定される。
また後者の方法は、ピンホールを発生することなく、
所定の厚みを有する非磁性層を備えた電子部品用基板を
製造することが可能であるが、磁性材料の一面にのみ非
磁性材料を接着するため、反りが発生し易いという問題
がある。
所定の厚みを有する非磁性層を備えた電子部品用基板を
製造することが可能であるが、磁性材料の一面にのみ非
磁性材料を接着するため、反りが発生し易いという問題
がある。
すなわちこのような基板は、一般に50mm×50mm×0.5m
mの大面積で、薄い形状を有しており、それを構成する
磁性材料と非磁性材料との熱膨張係数を近似させても接
着時に高温下に置かれるために歪みが生じ、その結果30
μｍ以上の大きな反りが発生し易い。この用途の基板
は、後でその表面に電極が設けられるが、30μｍ以上の
反りが発生すると、電極を設ける前のフォトマスクを用
い、露光する工程においてパターンのずれを発生させ、
製品の歩留りを悪くする。
mの大面積で、薄い形状を有しており、それを構成する
磁性材料と非磁性材料との熱膨張係数を近似させても接
着時に高温下に置かれるために歪みが生じ、その結果30
μｍ以上の大きな反りが発生し易い。この用途の基板
は、後でその表面に電極が設けられるが、30μｍ以上の
反りが発生すると、電極を設ける前のフォトマスクを用
い、露光する工程においてパターンのずれを発生させ、
製品の歩留りを悪くする。
本発明は上記事情に鑑みなされたもので、所定の厚み
の非磁性層を磁性材料上に形成することができ、しかも
非磁性層の形成後にピンホールを発生することなく、さ
らに基板の反りが殆どない電子部品用基板とその製造方
法を提供することを目的とするものである。
の非磁性層を磁性材料上に形成することができ、しかも
非磁性層の形成後にピンホールを発生することなく、さ
らに基板の反りが殆どない電子部品用基板とその製造方
法を提供することを目的とするものである。
［問題点を解決するための手段］ 本発明の電子部品用基板の製造方法は、加圧しながら
熱処理することにより他部材との接着が可能な結晶化ガ
ラスを所定の寸法形状に加工する工程、該結晶化ガラス
を板状の磁性材料の両面に配置した後、加圧しながら熱
処理することにより接着する工程、該結晶化ガラスの表
面を各々研磨して所定の肉厚にする工程からなることを
特徴とする。
熱処理することにより他部材との接着が可能な結晶化ガ
ラスを所定の寸法形状に加工する工程、該結晶化ガラス
を板状の磁性材料の両面に配置した後、加圧しながら熱
処理することにより接着する工程、該結晶化ガラスの表
面を各々研磨して所定の肉厚にする工程からなることを
特徴とする。
また本発明の電子部品用基板は、加圧しながら熱処理
することにより他部材との接着が可能な一対の結晶化ガ
ラスが、板状の磁性材料の両面に熱圧着されてなること
を特徴とする。
することにより他部材との接着が可能な一対の結晶化ガ
ラスが、板状の磁性材料の両面に熱圧着されてなること
を特徴とする。
本発明において用いる結晶化ガラスは重量百分率でSi
O2 60〜85％、Li2O 6〜15％、K2O 1〜７％、Na2O 0.1〜
７％、K2O＋Na2O 2〜14％、P2O5 0.1〜５％、Al2O3 1〜
10％、PbO 0〜15％、ZrO2 0〜10％からなり、ガラスマ
トリックス相が全容量の20〜60％を占め、残りが結晶相
であることを特徴とする。この結晶化ガラスは、磁性材
料を接触関係に置いた後、加圧しながら熱処理すること
により、表面部のガラスマトリックス相に接着作用を付
与せしめることが可能なものであるが、軟化点以上の温
度で熱処理すると形状変化をおこすため好ましくない。
O2 60〜85％、Li2O 6〜15％、K2O 1〜７％、Na2O 0.1〜
７％、K2O＋Na2O 2〜14％、P2O5 0.1〜５％、Al2O3 1〜
10％、PbO 0〜15％、ZrO2 0〜10％からなり、ガラスマ
トリックス相が全容量の20〜60％を占め、残りが結晶相
であることを特徴とする。この結晶化ガラスは、磁性材
料を接触関係に置いた後、加圧しながら熱処理すること
により、表面部のガラスマトリックス相に接着作用を付
与せしめることが可能なものであるが、軟化点以上の温
度で熱処理すると形状変化をおこすため好ましくない。
また磁性材料には、酸化物磁性材料と金属磁性材料が
あり、酸化物磁性材料としてはフェライト、金属磁性材
料としては磁鉄鋼が代表的である。
あり、酸化物磁性材料としてはフェライト、金属磁性材
料としては磁鉄鋼が代表的である。
［作用］ 先記した成分及び含有量からなる結晶化ガラスは、主
結晶相としてLi2O・2SiO2を析出するため形状変化を起
こしにくく、一方ガラスマトリックス相は、SiO2が少な
く、且つK2O,Na2O等のアルカリ成分が多いため熱を受け
るとガラスマトリックス相が溶けて接着性を示す特性を
有している。この結晶化ガラスを磁性材料の両面に配置
した後、加圧しながら軟化点以下の温度で熱処理すると
形状変化を起こすことなく、結晶化ガラスの表面部のガ
ラスマトリックス相が薄膜状に溶けて磁性材料との接触
界面を被い、これによって結晶化ガラス、すなわち非磁
性材料が磁性材料に強固に接着する。
結晶相としてLi2O・2SiO2を析出するため形状変化を起
こしにくく、一方ガラスマトリックス相は、SiO2が少な
く、且つK2O,Na2O等のアルカリ成分が多いため熱を受け
るとガラスマトリックス相が溶けて接着性を示す特性を
有している。この結晶化ガラスを磁性材料の両面に配置
した後、加圧しながら軟化点以下の温度で熱処理すると
形状変化を起こすことなく、結晶化ガラスの表面部のガ
ラスマトリックス相が薄膜状に溶けて磁性材料との接触
界面を被い、これによって結晶化ガラス、すなわち非磁
性材料が磁性材料に強固に接着する。
本発明においては磁磁性材料である２個の結晶化ガラ
スが磁性材料の両面に熱圧着によって接着されており、
磁性材料の両面で発生する歪みの大きさがほぼ同等とな
るため、反りが発生し難い。また熱圧着後に各結晶化ガ
ラスの外表面を研磨するので、結晶化ガラスの厚みを薄
くしても割れることがない。しかも各結晶化ガラスの肉
厚が同じになるように研磨すると、歪みが釣り合うた
め、反りを10μｍ以内に管理することが可能である。
スが磁性材料の両面に熱圧着によって接着されており、
磁性材料の両面で発生する歪みの大きさがほぼ同等とな
るため、反りが発生し難い。また熱圧着後に各結晶化ガ
ラスの外表面を研磨するので、結晶化ガラスの厚みを薄
くしても割れることがない。しかも各結晶化ガラスの肉
厚が同じになるように研磨すると、歪みが釣り合うた
め、反りを10μｍ以内に管理することが可能である。
また一般に結晶化ガラスは、泡が少ないためピンホー
ルが発生せず、化学的耐久性も良好であるため、基板の
後工程における酸処理にも耐え、且つ上記組成を有する
本発明の結晶化ガラスは、80〜150×10-7/℃の熱膨張係
数を有するため磁性材料のそれに合わすことが可能であ
る。
ルが発生せず、化学的耐久性も良好であるため、基板の
後工程における酸処理にも耐え、且つ上記組成を有する
本発明の結晶化ガラスは、80〜150×10-7/℃の熱膨張係
数を有するため磁性材料のそれに合わすことが可能であ
る。
［実施例］ 以下本発明を実施例に基づいて説明する。
重量百分率でSiO2 75％、Li2O 8％、K2O 5％、Na2O 3
％、Al2O3 6％、P2O5 3％のガラス組成になるようにガ
ラス原料を調合し、白金るつぼを用いて約1450℃で溶融
した後、カーボン鋳型に流し込んで成形し、これを徐冷
炉に入れ室温まで炉冷することによって結晶化可能なガ
ラス成形体を得た。その後、このガラス成形体を電気炉
に入れ、120℃／時の昇温速度で約550℃まで加熱して１
時間保持し、次いで40℃／時の昇温速度で約800℃まで
加熱して２時間保持した後室温まで炉冷した。これによ
ってLi2O・SiO2結晶を析出し、ガラスマトリックス相が
約25容量％を占め熱膨張係数が約120×10-7/℃、屈伏点
が約730℃の結晶化ガラス成形体が得られた。
％、Al2O3 6％、P2O5 3％のガラス組成になるようにガ
ラス原料を調合し、白金るつぼを用いて約1450℃で溶融
した後、カーボン鋳型に流し込んで成形し、これを徐冷
炉に入れ室温まで炉冷することによって結晶化可能なガ
ラス成形体を得た。その後、このガラス成形体を電気炉
に入れ、120℃／時の昇温速度で約550℃まで加熱して１
時間保持し、次いで40℃／時の昇温速度で約800℃まで
加熱して２時間保持した後室温まで炉冷した。これによ
ってLi2O・SiO2結晶を析出し、ガラスマトリックス相が
約25容量％を占め熱膨張係数が約120×10-7/℃、屈伏点
が約730℃の結晶化ガラス成形体が得られた。
次にこの結晶化ガラス成形体から50mm×50mm×0.3mm
の寸法に加工した２個の板状結晶化ガラスを作製し、こ
れらの間に50mm×50mm×0.3mmの寸法を有し、表面を鏡
面研磨した熱膨張係数が約118×10-7/℃の板状フェライ
トが接するようにして載置し、さらにその上に約2Kg/cm
2の圧力になるように荷重をかけ、それを電気炉中にセ
ットし、フェライトの酸化防止のためN2ガス雰囲気中に
おいて常温から600℃／時の昇温速度で約710℃まで加熱
し、この温度に１時間保持した後、常温まで炉冷するこ
とによって各板状結晶化ガラスにフェライトを接着し
た。その後、各板状結晶化ガラスの両面を研磨して0.1m
mの肉厚の結晶化ガラスからなる非磁性層を備えた肉厚
0.5mmの基板を作製した。
の寸法に加工した２個の板状結晶化ガラスを作製し、こ
れらの間に50mm×50mm×0.3mmの寸法を有し、表面を鏡
面研磨した熱膨張係数が約118×10-7/℃の板状フェライ
トが接するようにして載置し、さらにその上に約2Kg/cm
2の圧力になるように荷重をかけ、それを電気炉中にセ
ットし、フェライトの酸化防止のためN2ガス雰囲気中に
おいて常温から600℃／時の昇温速度で約710℃まで加熱
し、この温度に１時間保持した後、常温まで炉冷するこ
とによって各板状結晶化ガラスにフェライトを接着し
た。その後、各板状結晶化ガラスの両面を研磨して0.1m
mの肉厚の結晶化ガラスからなる非磁性層を備えた肉厚
0.5mmの基板を作製した。
上記のようにして作製した基板の平坦度を光学式平坦
度測定器によって測定したところ、10μｍ以下であっ
た。またこの基板をダイヤモンドカッターを用いて4.0m
m×4.0mm×0.5mmの寸法に切断し、その切断面を観察し
たところ、フェライトと結晶化ガラスは精度良く強固に
接着しており、結晶化ガラスの表面にピンホールは認め
られなかった。
度測定器によって測定したところ、10μｍ以下であっ
た。またこの基板をダイヤモンドカッターを用いて4.0m
m×4.0mm×0.5mmの寸法に切断し、その切断面を観察し
たところ、フェライトと結晶化ガラスは精度良く強固に
接着しており、結晶化ガラスの表面にピンホールは認め
られなかった。
［発明の効果］ 以上のように本発明の電子部品用基板は、磁性材料の
両側に結晶化ガラスが接着されているため、反りが生じ
難い。しかも結晶化ガラス表面にピンホールがないた
め、磁気センサ等の大型で薄肉の電子部品用基板として
好適である。
両側に結晶化ガラスが接着されているため、反りが生じ
難い。しかも結晶化ガラス表面にピンホールがないた
め、磁気センサ等の大型で薄肉の電子部品用基板として
好適である。
また本発明の電子部品用基板の製造方法によると、所
定の厚みの非磁性層を磁性材料上に形成することがで
き、しかも非磁性層の表面にピンホールを発生すること
なく、さらに基板の反りを小さく抑えることができるの
で、磁気センサに用いられる基板をはじめとして磁性材
料と非磁性材料からなる各種の電子部品用基板を製造す
るのに好適である。
定の厚みの非磁性層を磁性材料上に形成することがで
き、しかも非磁性層の表面にピンホールを発生すること
なく、さらに基板の反りを小さく抑えることができるの
で、磁気センサに用いられる基板をはじめとして磁性材
料と非磁性材料からなる各種の電子部品用基板を製造す
るのに好適である。
Claims (4)
- 【請求項１】加圧しながら熱処理することにより他部材
との接着が可能な結晶化ガラスを所定の寸法形状に加工
する工程、該結晶化ガラスを板状の磁性材料の両面に配
置した後、加圧しながら熱処理することにより接着する
工程、該結晶化ガラスの表面を各々研磨して所定の肉厚
にする工程からなることを特徴とする電子部品用基板の
製造方法。 - 【請求項２】結晶化ガラスが、重量百分率でSiO2 60〜8
5％、Li2O 6〜15％、K2O 1〜７％、Na2O 0.1〜７％、K2
O＋Na2O 2〜14％、P2O5 0.1〜５％、Al2O3 1〜10％、Pb
O 0〜15％、ZrO2 0〜10％からなり、ガラスマトリック
ス相が全容量の20〜60％を占め、残りが結晶相であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第一項記載の電子部品用
基板の製造方法。 - 【請求項３】加圧しながら熱処理することにより他部材
との接着が可能な一対の結晶化ガラスが、板状の磁性材
料の両面に熱圧着されてなることを特徴とする電子部品
用基板。 - 【請求項４】結晶化ガラスが、重量百分率でSiO2 60〜8
5％、Li2O 6〜15％、K2O 1〜７％、Na2O 0.1〜７％、K2
O＋Na2O 2〜14％、P2O5 0.1〜５％、Al2O3 1〜10％、Pb
O 0〜15％、ZrO2 0〜10％からなり、ガラスマトリック
ス相が全容量の20〜60％を占め、残りが結晶相であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第三項記載の電子部品用
基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2105741A JP2868131B2 (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 電子部品用基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2105741A JP2868131B2 (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 電子部品用基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH046130A JPH046130A (ja) | 1992-01-10 |
| JP2868131B2 true JP2868131B2 (ja) | 1999-03-10 |
Family
ID=14415695
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2105741A Expired - Lifetime JP2868131B2 (ja) | 1990-04-20 | 1990-04-20 | 電子部品用基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2868131B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0825775B2 (ja) * | 1990-10-04 | 1996-03-13 | 東芝硝子株式会社 | 磁気ディスク用結晶化ガラス基板 |
| JP4907763B2 (ja) * | 2000-11-24 | 2012-04-04 | 矢崎総業株式会社 | 平型シールドハーネス及び平型シールドハーネスの製造方法 |
| JP4907772B2 (ja) * | 2001-01-29 | 2012-04-04 | 矢崎総業株式会社 | シールドハーネス及び該シールドハーネスの製造方法 |
| JP5270306B2 (ja) * | 2008-11-10 | 2013-08-21 | 太平洋セメント株式会社 | セラミックス接合体及びその製造方法 |
-
1990
- 1990-04-20 JP JP2105741A patent/JP2868131B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH046130A (ja) | 1992-01-10 |
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