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JP2705530B2 - プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 - Google Patents

プラズマディスプレイパネル及びその製造方法

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JP2705530B2
JP2705530B2 JP5220745A JP22074593A JP2705530B2 JP 2705530 B2 JP2705530 B2 JP 2705530B2 JP 5220745 A JP5220745 A JP 5220745A JP 22074593 A JP22074593 A JP 22074593A JP 2705530 B2 JP2705530 B2 JP 2705530B2
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transparent conductive
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film
paste
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立樹 太田
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    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/10—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
    • H01J11/12—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma with main electrodes provided on both sides of the discharge space
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  • Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はプラズマディスプレイパ
ネルに関し、特に高輝度，高精細なプラズマディスプレ
イパネルに関する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマディスプレイパネルや液晶ディ
スプレイパネル等のフラットディスプレイパネルの発光
効率を高める上で、その光取り出し効率を上げることは
重要なポイントであるため、多くのフラットディスプレ
イパネルで透明導電膜を用いた電極が利用されている。
しかし透明導電膜はそのほとんどが高抵抗であり、特に
プラズマディスプレイパネルで高精細な電極を長く引き
回すような場合には単独の電極としての利用は困難であ
り、多くの場合は低抵抗な物質をその一部に積層し電極
抵抗を下げるという使い方がされている。この積層され
た低抵抗物質は一般にバス電極と呼ばれている。
【０００３】この従来のバス電極は、まず、図３（ａ）
に示すように、ガラス基板１上に酸化スズを主成分とし
ＣＶＤ法にて成膜し所定のパターンの透明導電膜２を形
成した後、後工程の第１の誘電体層形成時の浮き上りを
防止するため低抵抗な金属例えばＡｌ薄膜をスパッタ法
等の薄膜形成法にて形成し、薄膜バス電極６が形成され
る。
【０００４】その後、図３（ｂ）に示すように、低融点
ガラスを主成分とするペーストをスクリーン印刷法を用
いて厚膜印刷し焼成することにより厚膜の第１の誘電体
層４が形成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この従来の透明導電膜
にバス電極を積層した電極を用いたプラズマディスプレ
イパネルで、積層した電極が誘電体層で被覆されている
構造をとろうとする場合に、バス電極と誘電体層を量産
性が高く、大面積化が容易で、低コストな厚膜ペースト
を用いた方法で形成すると、誘電体層の焼成時に低融点
ガラスが軟化流動してバス電極と透明導電膜との間に侵
食し、図４に示すように、透明導電膜２から厚膜バス電
極３が剥離して浮き上ったようになり、厚膜バス電極３
としての機能を果たせなくなる。このため薄膜形成法を
利用せざるを得ず、高輝度高精細化，大面積化，量産
化，低コスト化を実現する上での問題点となっていた。
【０００６】本発明の目的は、簡易な手法で透明導電膜
上に剥離することのない厚膜バス電極を形成することに
より、高輝度高精細化，大面積化，量産化，低コスト化
が可能なプラズマディスプレイパネルを提供することに
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の発明は、
可視光透過性のガラス基板と、このガラス基板上に形成
された透明導電膜と、この透明導電膜上に配置され厚膜
導電ペーストにて形成された電極と、この電極と前記透
明導電膜とを被覆する誘電体層とを備えたプラズマディ
スプレイパネルにおいて、前記誘電体層が少くとも低融
点ガラスを主成分とする厚膜ペーストにて形成された第
１の誘電体層と、この第１の誘電体層よりも低軟化点の
低融点ガラスを主成分とする厚膜ペーストにて形成さ
れ、少くとも軟化して平滑な表面層になるような温度で
焼成された第２の誘電体層とを有する。本発明の第２の
発明は、可視光透過性のガラス基板と、このガラス基板
上に形成された透明導電膜と、この透明導電膜上に配置
され厚膜導電ペーストにて形成された電極と、この電極
と前記透明導電膜とを被覆する誘電体層とを備えたプラ
ズマディスプレイパネルにおいて、前記誘電体層が低融
点ガラスを主成分とする厚膜ペーストを用いて２回の工
程に分けて形成され、軟化して前記透明導電膜と前記電
極との間に侵食しない温度で焼成された第１の誘電体層
と、この第１の誘電体層上で軟化流動して平滑な表面層
を形成する温度で焼成された第２の誘電体層とを有す
る。
【０００８】または、可視光透過性のガラス基板上に透
明導電膜を形成する工程と、この透明導電膜上に厚膜導
電ペーストからなる電極を形成する工程と、低融点ガラ
スを主成分とする厚膜ペーストからなる第１の誘電体層
を形成する工程と、この第１の誘電体層よりも低軟化点
の低融点ガラスを主成分とする厚膜ペーストからなる第
２の誘電体層を形成し、軟化し平滑な表面層となるよう
な温度で焼成する工程とを有することを特徴とするプラ
ズマディスプレイパネルの製造方法である。または、可
視光透過性のガラス基板上に透明導電膜を形成する工程
と、この透明導電膜上に厚膜導電ペーストからなる電極
を形成する工程と、低融点ガラスを主成分とする厚膜ペ
ーストからなる第１の誘電体層を形成し、軟化し前記透
明導電膜と前記電極との間に侵食をおこさない温度で焼
成する工程と、低融点ガラスを主成分とする厚膜ペース
トからなる第２の誘電体膜を形成し、軟化流動して平滑
な表面層を形成する温度で焼成する工程とを有すること
を特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法で
ある。
【０００９】
【作用】透明導電膜上に設けた厚膜導電ペーストによる
電極を誘電体層で被覆した際の電極の浮遊を抑えること
ができるため、コストのかかる薄膜プロセスを使用する
こと無しに大型高精細プラズマディスプレイパネルの高
輝度，低コスト，量産化を実現できる。
【００１０】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
【００１１】図１（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施
例を説明する工程順に示した断面図である。本発明の第
１の実施例は、まず、図１（ａ）に示すように、ガラス
基板１上に所望のパターンに形成された透明導電膜２
と、透明導電膜２に積層された厚膜バス電極３を形成す
る。透明導電膜２はＣＶＤ法で成膜した酸化スズ膜、い
わゆるネサを用いている。また厚膜バス電極３は銀を主
成分とする５５０℃で焼成するタイプの銀ペーストをス
クリーン印刷法で形成したものを使用した。次に、図１
（ｂ）に示すように、第１の誘電体層４を透明導電膜１
及び厚膜バス電極３とを被覆するように形成する。ここ
では軟化点約５２０℃の低融点ガラスを主成分とする厚
膜ペーストをスクリーン印刷法を用いて形成し、１２０
℃で仮焼成を行った。次に、図１（ｃ）に示すように、
その上に軟化点約４８０℃の低融点ガラスを主成分とす
る第２の誘電体層５を形成し１２０℃で仮焼成した。最
後に、図１（ｄ）に示すように、６００℃で焼成して、
透明導電膜２と厚膜バス電極３の積層電極を表面層が平
滑な誘電体層で被覆した基板を得た。次に、もう一枚の
別の基板と（以下図示せず）この基板とを適当な間隙を
保持するようにして封着し、内部に放電可能な希ガス、
たとえばＨｅ−Ｘｅの混合ガス等を封入し気密封止す
る。透明電極２と厚膜バス電極３の積層電極の隣り合っ
た２本間に互いに位相の異なるＡＣパルス電圧を印加す
ることで放電を生じさせ、表示発光を得る。
【００１２】本実施例の構造で形成した誘電体層では印
刷ペーストを取り替えるだけの比較的簡易な手法で、透
明電極上に形成した厚膜バス電極３が剥離することがな
いパネル作製が可能となるので、コストの掛かる薄膜法
をほとんど用いることなく、高輝度高精細なプラズマデ
ィスプレイパネルの製造が可能になる。
【００１３】また、本実施例の構造で形成した誘電体層
では、誘電体層を１層形成毎に焼成することも可能であ
り、その場合には１回当りの誘電体層焼成膜厚を薄くで
きるため、誘電体層の厚さを厚くしても発泡量を少なく
抑えることが可能になる効果がある。
【００１４】なお、本実施例では２層構造の誘電体層と
したが、もちろん必要があれば３層以上の構造を取るこ
とは可能であり、その効果は同様である。
【００１５】図２（ａ）〜（ｅ）は本発明の第２の実施
例を説明する工程順に示した断面図である。本発明の第
２の実施例は、まず、図２（ａ）に示すように、ガラス
基板１上に所望のパターンに形成された透明導電膜２
と、透明導電膜２に積層された厚膜バス電極３を形成す
る。透明導電膜２はＣＶＤ法で成膜した酸化スズ膜いわ
ゆるネサを用いている。また厚膜バス電極３は、銀を主
成分とする５５０℃で焼成するタイプの銀ペーストをス
クリーン印刷法で形成して使用した。次に、図２（ｂ）
に示すように、第１の誘電体層４を透明導電膜２及び厚
膜バス電極３とを被覆するように形成する。ここでは軟
化点約４８０℃の低融点ガラスを主成分とする厚膜ペー
ストをスクリーン印刷法を用いて形成し、図２（ｃ）に
示すように、５００℃で焼成した。ここでバス電極３が
剥離しない理由は、焼成温度と低融点ガラスの軟化点と
の差が約２０℃と小さいため、厚膜ペーストを流動させ
るまでには到らないからである。次に、図２（ｄ）に示
すように、その上に同じく軟化点約４８０℃の低融点ガ
ラスを主成分とする第２の誘電体層５を形成した。最後
に、図２（ｅ）に示すように、６００℃で焼成し、軟化
流動して表面が平滑な誘電体層で被覆された透明導電膜
２と厚膜バス電極３の積層電極を形成した基板を得た。
次に、もう一枚の別の基板と（以下図示せず）この基板
とを適当な間隙を保持するようにして封着し、内部に放
電可能な希ガス、たとえばＨｅ−Ｘｅの混合ガス等を封
入し気密封止する。透明電極２と厚膜バス電極３の積層
電極の隣り合った２本間に互いに位相の異なるＡＣパル
ス電圧を印加することで放電を生じさせ、表示発光を得
る。
【００１６】本実施例で形成した誘電体層では第１の誘
電体層に使うペーストに対する制約が少ないために、従
来からのプロセスを大きく変更すること無く導入が可能
だという利点がある。
【００１７】また、本実施例で形成した誘電体層では、
１回当りの誘電体層焼成膜厚が薄いため、誘電体層の厚
さを厚くしても発泡量を少なく抑えることが可能になる
効果がある。
【００１８】なお、第１の誘電体層４を十分に軟化流動
する温度である約５８０℃で焼成した場合には、厚膜バ
ス電極３は透明導電膜２から剥離してしまい、本方法の
効果が十分にあることが確認できた。
【００１９】また、本実施例では２回に分けた場合で示
したが、３回以上に分けて形成しても効果に何ら変わり
が無いことはもちろんである。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明の第１の発明
の構成で形成した誘電体層では、印刷ペーストを取り替
えるだけの比較的簡易な手法で、透明電極上に形成した
厚膜バス電極が剥離することがなくパネル製作が可能と
なるので、コストの掛かる薄膜法を用いることなく、高
輝度高精細なプラズマディスプレイパネルの製造が容易
になるという利点がある。
【００２１】また、本発明の第２の発明の構成で形成し
た誘電体層では第１の誘電体層に使うペーストに対する
制約が少ないために、従来からのプロセスを大きく変更
すること無く導入が可能だという利点がある。
【００２２】また、本発明の第２の発明の構成で形成し
た誘電体層では、１回当りの誘電体層焼成膜厚が薄くで
きるため、誘電体層の厚さを厚くしても発泡量を少なく
抑えることが可能になり、輝度低下を防ぎ、特性が均一
化できるという効果がある。また、第１の発明の構成で
形成する場合も誘電体層を２回に分けて焼成することは
可能であり、同様の効果があることは明らかである。
【００２３】なお本発明では、透明導電膜として主にネ
サ膜を例として示したが、ＩＴＯ，ＺｎＯ等の他の透明
導電膜であっても同様の効果があることは言うまでもな
い。また厚膜導電膜についても厚膜銀ペースト以外の例
えばニッケルペーストや、銀パラジウムペーストを用い
たペースト等であっても良いことも同様である。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施例の製造
方法を説明する工程順に示した断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）は本発明の第２の実施例の製造
方法を説明する工程順に示した断面図である。
【図３】（ａ），（ｂ）は従来のプラズマディスプレイ
パネルの製造方法の一例を説明する工程順に示した断面
図である。
【図４】従来の厚膜バス電極の浮き上りの一例を示す誘
電体層の断面図である。
【符号の説明】
１ ガラス基板 ２ 透明導電膜 ３ 厚膜バス電極 ４ 第１の誘電体層 ５ 第２の誘電体層 ６ 薄膜バス電極

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 可視光透過性のガラス基板と、このガラ
    ス基板上に形成された透明導電膜と、この透明導電膜上
    に配置され厚膜導電ペーストにて形成された電極と、こ
    の電極と前記透明導電膜とを被覆する誘電体層とを備え
    たプラズマディスプレイパネルにおいて、前記誘電体層
    が少くとも低融点ガラスを主成分とする厚膜ペーストに
    て形成された第１の誘電体層と、この第１の誘電体層よ
    りも低軟化点の低融点ガラスを主成分とする厚膜ペース
    トにて形成され、少くとも軟化して平滑な表面層になる
    ような温度で焼成された第２の誘電体層とを有すること
    を特徴とするプラズマディスプレイパネル。
  2. 【請求項２】 可視光透過性のガラス基板と、このガラ
    ス基板上に形成された透明導電膜と、この透明導電膜上
    に配置され厚膜導電ペーストにて形成された電極と、こ
    の電極と前記透明導電膜とを被覆する誘電体層とを備え
    たプラズマディスプレイパネルにおいて、前記誘電体層
    が低融点ガラスを主成分とする厚膜ペーストを用いて２
    回の工程に分けて形成され、軟化して前記透明導電膜と
    前記電極との間に侵食しない温度で焼成された第１の誘
    電体層と、この第１の誘電体層上で軟化流動して平滑な
    表面層を形成する温度で焼成された第２の誘電体層とを
    有することを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
  3. 【請求項３】 可視光透過性のガラス基板上に透明導電
    膜を形成する工程と、この透明導電膜上に厚膜導電ペー
    ストからなる電極を形成する工程と、低融点ガラスを主
    成分とする厚膜ペーストからなる第１の誘電体層を形成
    する工程と、この第１の誘電体層よりも低軟化点の低融
    点ガラスを主成分とする厚膜ペーストからなる第２の誘
    電体層を形成し、軟化して平滑な表面層になるような温
    度で焼成する工程とを有することを特徴とするプラズマ
    ディスプレイパネルの製造方法。
  4. 【請求項４】 可視光透過性のガラス基板上に透明導電
    膜を形成する工程と、この透明導電膜上に厚膜導電ペー
    ストからなる電極を形成する工程と、低融点ガラスを主
    成分とする厚膜ペーストからなる第１の誘電体層を形成
    し、軟化し前記透明導電膜と前記電極との間に侵食をお
    こさない温度で焼成する工程と、低融点ガラスを主成分
    とする厚膜ペーストからなる第２の誘電体膜を形成し、
    軟化流動して平滑な表面層を形成する温度で焼成する工
    程とを有することを特徴とするプラズマディスプレイパ
    ネルの製造方法。
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