JP2781655B2 - 方向性結合器型半導体光スイッチ - Google Patents
方向性結合器型半導体光スイッチInfo
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- JP2781655B2 JP2781655B2 JP2312047A JP31204790A JP2781655B2 JP 2781655 B2 JP2781655 B2 JP 2781655B2 JP 2312047 A JP2312047 A JP 2312047A JP 31204790 A JP31204790 A JP 31204790A JP 2781655 B2 JP2781655 B2 JP 2781655B2
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- Japan
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- undoped
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- cladding layer
- optical switch
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、従来の光通信システムや光変換システム等
に於て重要なエレメントとなる半導体光スイッチ、特に
方向性結合器型半導体光スイッチに関する。
に於て重要なエレメントとなる半導体光スイッチ、特に
方向性結合器型半導体光スイッチに関する。
光スイッチは将来の高速通信システム、光交換システ
ム等のキーエレメントの一つと考えられ、各所で研究開
発が活発化してきている。光スイッチとしては、LiNbO3
の誘電体を用いたものと、GaAsやInP等の半導体を用い
たものとがあるが、光アンプ等の他の光素子やFET等の
電子回路との集積化が可能で、小型化、多チャンネル化
も容易な半導体光スイッチへの期待が近年高まりつつあ
る。このような半導体光スイッチとしては、上記適用分
野から考えて、高速動作、低電圧動作、低消費電力、低
損失動作、高集積の容易性等が要求される。この要求を
満す半導体光スイッチに、第３図（断面図）に示すGaAs
/AlGaAs系の方向性結合型半導体光スイッチがある。
ム等のキーエレメントの一つと考えられ、各所で研究開
発が活発化してきている。光スイッチとしては、LiNbO3
の誘電体を用いたものと、GaAsやInP等の半導体を用い
たものとがあるが、光アンプ等の他の光素子やFET等の
電子回路との集積化が可能で、小型化、多チャンネル化
も容易な半導体光スイッチへの期待が近年高まりつつあ
る。このような半導体光スイッチとしては、上記適用分
野から考えて、高速動作、低電圧動作、低消費電力、低
損失動作、高集積の容易性等が要求される。この要求を
満す半導体光スイッチに、第３図（断面図）に示すGaAs
/AlGaAs系の方向性結合型半導体光スイッチがある。
第３図の半導体光スイッチは、図に示す如く、GaAs基
板の上に、ｎ型AlGaAs第１クラッド層２、アンドープGa
Asガイド層４、２本の互いに近接したストライプ状凸部
を有するアンドープAlGaAs第２クラッド層５、２本の互
いに近接したストライプ状のｐ型AlGaAs第２クラッド層
６、２本の近接したストライプ状ｐ型GaAsキャップ層７
が積層した構造になっている。
板の上に、ｎ型AlGaAs第１クラッド層２、アンドープGa
Asガイド層４、２本の互いに近接したストライプ状凸部
を有するアンドープAlGaAs第２クラッド層５、２本の互
いに近接したストライプ状のｐ型AlGaAs第２クラッド層
６、２本の近接したストライプ状ｐ型GaAsキャップ層７
が積層した構造になっている。
GaAs/AlGaAsを材料とし、電気光学効果を利用した方
向性結合器型光スイッチは、低損失、低消費電力、高速
動作が可能、波長依存性が小さい、微細加工プロセスが
確立しており高集積化に向く等の利点を有し、光交換用
マトリクス光スイッチ等への適用が期待されている。し
かしながらこのような方向性結合器型半導体光スイッチ
は、フリーキャリア吸収等の吸収損失が生じるために、
伝搬損失が大きくなってしまうという問題点があり、高
速通信システム、光交換システム等に利用するには適さ
なかった。
向性結合器型光スイッチは、低損失、低消費電力、高速
動作が可能、波長依存性が小さい、微細加工プロセスが
確立しており高集積化に向く等の利点を有し、光交換用
マトリクス光スイッチ等への適用が期待されている。し
かしながらこのような方向性結合器型半導体光スイッチ
は、フリーキャリア吸収等の吸収損失が生じるために、
伝搬損失が大きくなってしまうという問題点があり、高
速通信システム、光交換システム等に利用するには適さ
なかった。
上述の問題点を解決するために、本発明による方向性
結合器型半導体光スイッチは、導電型半導体基板上に、
第１導電型第１クラッド層が積層され、前記第１導電型
第１クラッド層上にアンドープ第１クラッド層が積層さ
れ、前記アンドープ第１クラッド層上にアンドープガイ
ド層が積層され、前記アンドープガイド層上にアンドー
プ第２クラッド層が積層され、前記アンドープ第２クラ
ッド層上に第２導電型第２クラッド層が形成され、前記
第２導電型第２クラッド層上に第２導電型キャップ層が
積層され、前記第２導電型キャップ層、第２導電型第２
クラッド層、及びアンドープ第２クラッド層の一部がエ
ッチングにより除去されて形成された２本の近接したリ
ブ型光導波路から構成されていることを特徴とする。
結合器型半導体光スイッチは、導電型半導体基板上に、
第１導電型第１クラッド層が積層され、前記第１導電型
第１クラッド層上にアンドープ第１クラッド層が積層さ
れ、前記アンドープ第１クラッド層上にアンドープガイ
ド層が積層され、前記アンドープガイド層上にアンドー
プ第２クラッド層が積層され、前記アンドープ第２クラ
ッド層上に第２導電型第２クラッド層が形成され、前記
第２導電型第２クラッド層上に第２導電型キャップ層が
積層され、前記第２導電型キャップ層、第２導電型第２
クラッド層、及びアンドープ第２クラッド層の一部がエ
ッチングにより除去されて形成された２本の近接したリ
ブ型光導波路から構成されていることを特徴とする。
電気光学効果を利用した方向性結合器型半導体光スイ
ッチの場合、アンドープ光ガイド層中に電界を印加する
ことによる屈折率変化を利用してスイッチング動作させ
るので、クラッド層は通常ｐ型半導体およびｎ型半導体
としてpin構造としている。この場合、不純物を混合し
てクラッド層をｐ型あるいはｎ型化するので、導波光の
一部がｐ型若しくはｎ型半導体層中にしみ出している場
合、フリーキャリア吸収等の吸収損失が生じてしまう。
第３図に示すような従来の構造では、フリーキャリア吸
収等の吸収損失が大きく生じてしまい、方向性結合器型
半導体光スイッチの伝搬損失が大きくなってしまう。
ッチの場合、アンドープ光ガイド層中に電界を印加する
ことによる屈折率変化を利用してスイッチング動作させ
るので、クラッド層は通常ｐ型半導体およびｎ型半導体
としてpin構造としている。この場合、不純物を混合し
てクラッド層をｐ型あるいはｎ型化するので、導波光の
一部がｐ型若しくはｎ型半導体層中にしみ出している場
合、フリーキャリア吸収等の吸収損失が生じてしまう。
第３図に示すような従来の構造では、フリーキャリア吸
収等の吸収損失が大きく生じてしまい、方向性結合器型
半導体光スイッチの伝搬損失が大きくなってしまう。
これに対して、第２図に示すように、本発明による半
導体光スイッチは、アンドープガイド層４や素子の電気
的分離用途で挿入されるアンドープ第２クラッド層５の
みならず、ｎ型第１クラッド層２とアンドープガイド層
４の間にも第２図の斜線部で示すアンドープ第１クラッ
ド層３を挿入しているので、導波光のフリーキャリア吸
収等による吸収損失は殆ど生じない。また、アンドープ
層へ光が殆ど閉じ込められるので、アンドープ第１クラ
ッド層３を挿入してもスイッチング電圧が大きくなって
しまうことはない。
導体光スイッチは、アンドープガイド層４や素子の電気
的分離用途で挿入されるアンドープ第２クラッド層５の
みならず、ｎ型第１クラッド層２とアンドープガイド層
４の間にも第２図の斜線部で示すアンドープ第１クラッ
ド層３を挿入しているので、導波光のフリーキャリア吸
収等による吸収損失は殆ど生じない。また、アンドープ
層へ光が殆ど閉じ込められるので、アンドープ第１クラ
ッド層３を挿入してもスイッチング電圧が大きくなって
しまうことはない。
以下、図面を参照して本発明を詳細に説明する。
第１図及び第２図は、本発明による半導体スイッチの
一実施例を示す斜視部及び断面図である。
一実施例を示す斜視部及び断面図である。
ｎ型GaAs基板上１に、ｎ型Al0.38Ga0.62As第１クラッ
ド層２が積層され、前記ｎ型Al0.38Ga0.62As第１クラッ
ド層２上にアンドープAl0.38Ga0.62As第１クラッド層３
が積層され、前記アンドープAl0.38Ga0.62As第１クラッ
ド層３上にアンドープGaAsガイド層４が積層され、前記
アンドープGaAsガイド層４上にアンドープAl0.38Ga0.62
As第２クラッド層５が積層され、前記アンドープAl0.38
Ga0.62As第２クラッド層５上にｐ型Al0.38Ga0.62As第２
クラッド層６が形成され、前記ｐ型Al0.38Ga0.62As第２
クラッド層６上にｐ型GaAsキャップ層７が積層され、前
記ｐ型GaAsキャップ層７、ｐ型Al0.38Ga0.62第２クラッ
ド層６、及びアンドープAl0.38Ga0.62第２クラッド層５
の一部がエッチングにより除去されて形成された２本の
近接したリブ型光導波路により方向性結合器型光スイッ
チが構成されている。
ド層２が積層され、前記ｎ型Al0.38Ga0.62As第１クラッ
ド層２上にアンドープAl0.38Ga0.62As第１クラッド層３
が積層され、前記アンドープAl0.38Ga0.62As第１クラッ
ド層３上にアンドープGaAsガイド層４が積層され、前記
アンドープGaAsガイド層４上にアンドープAl0.38Ga0.62
As第２クラッド層５が積層され、前記アンドープAl0.38
Ga0.62As第２クラッド層５上にｐ型Al0.38Ga0.62As第２
クラッド層６が形成され、前記ｐ型Al0.38Ga0.62As第２
クラッド層６上にｐ型GaAsキャップ層７が積層され、前
記ｐ型GaAsキャップ層７、ｐ型Al0.38Ga0.62第２クラッ
ド層６、及びアンドープAl0.38Ga0.62第２クラッド層５
の一部がエッチングにより除去されて形成された２本の
近接したリブ型光導波路により方向性結合器型光スイッ
チが構成されている。
まず第１図に示した半導体光スイッチの製造方法につ
いて簡単に述べる。上記のｎ型Al0.38Ga0.62As第１クラ
ッド層２、アンドープAl0.38Ga0.62As第１クラッド層
３、アンドープGaAsガイド層４、アンドープAl0.38Ga
0.62As第２クラッド層５、ｐ型Al0.38Ga0.62As第２クラ
ッド層６、ｐ型GaAsキャップ層７ともすべて、分子線エ
ピタキシャル成長法（MBE法）を用いて順次積層する。
各層の厚さは、ｎ型Al0.38Ga0.62As第１クラッド層２が
１〜２μｍ程度、アンドープAl0.38Ga0.62As第１クラッ
ド層３が0.2μｍ程度、アンドープGaAsガイド層４が0.3
μｍ程度、アンドープAl0.38Ga0.62As第２クラッド層５
が0.3μｍ程度、ｐ型Al0.38Ga0.62As第２クラッド層６
が0.5μｍ程度、ｐ型GaAsキャップ層７が0.2μｍ程度で
ある。以上のように結晶成長を行なった後、通常のフォ
トリソグラフィ法を用いて近接した２本の導波路形状に
マスクし、反応性イオンビームエッチング法（RIBE法）
を用いて、ｐ型GaAsキャップ層７、ｐ型Al0.38Ga0.62第
２クラッド層６、及びアンドープAl0.38Ga0.62第２クラ
ッド層５の一部を除去し、リブ形状に加工する。導波路
幅２μｍ程度、導波路間隔は２μｍ程度である。
いて簡単に述べる。上記のｎ型Al0.38Ga0.62As第１クラ
ッド層２、アンドープAl0.38Ga0.62As第１クラッド層
３、アンドープGaAsガイド層４、アンドープAl0.38Ga
0.62As第２クラッド層５、ｐ型Al0.38Ga0.62As第２クラ
ッド層６、ｐ型GaAsキャップ層７ともすべて、分子線エ
ピタキシャル成長法（MBE法）を用いて順次積層する。
各層の厚さは、ｎ型Al0.38Ga0.62As第１クラッド層２が
１〜２μｍ程度、アンドープAl0.38Ga0.62As第１クラッ
ド層３が0.2μｍ程度、アンドープGaAsガイド層４が0.3
μｍ程度、アンドープAl0.38Ga0.62As第２クラッド層５
が0.3μｍ程度、ｐ型Al0.38Ga0.62As第２クラッド層６
が0.5μｍ程度、ｐ型GaAsキャップ層７が0.2μｍ程度で
ある。以上のように結晶成長を行なった後、通常のフォ
トリソグラフィ法を用いて近接した２本の導波路形状に
マスクし、反応性イオンビームエッチング法（RIBE法）
を用いて、ｐ型GaAsキャップ層７、ｐ型Al0.38Ga0.62第
２クラッド層６、及びアンドープAl0.38Ga0.62第２クラ
ッド層５の一部を除去し、リブ形状に加工する。導波路
幅２μｍ程度、導波路間隔は２μｍ程度である。
以上が本発明による半導体光スイッチの製造方法の一
例であり、上述の半導体光スイッチの構造において、フ
リーキャリア吸収等の吸収損失を抑制できる原理を以下
に説明する。
例であり、上述の半導体光スイッチの構造において、フ
リーキャリア吸収等の吸収損失を抑制できる原理を以下
に説明する。
一般に、ｐ型及びｎ型半導体による吸収損失αは以下
に示す式で表される。
に示す式で表される。
α＝An・Γｎ・Nn＋Ap・Γｐ・Np ここで、 Γｎ……ｎ型半導体中への光の閉じ込め係数 Γｐ……ｐ型半導体中への光の閉じ込め係数 Nn……ｎ型半導体のキャリア濃度 Np……ｐ型半導体のキャリア濃度 An、Ap……材料系で決まる係数 従って、ΓｎもしくはΓｐを低減することができれ
ば、αを低減することができる。本実施例においてはｎ
型Al0.38Ga0.62As第１クラッド層２とアンドープGaAsガ
イド層４の間にアンドープAl0.38Ga0.62As第１クラッド
層３を挿入した構造であるので、Γｎを大幅に低減する
ことができる。また、アンドープGaAsガイド層４の上に
はアンドープAl0.38Ga0.62As第２クラッド層５が積層さ
れているので、Γｐは元々小さい。従って、第３図に示
した従来構造の場合には吸収損失は2.3dB/cm生じていた
が、本実施例における半導体光スイッチの構造による
と、0.7dB/cm程度に吸収損失を抑える事ができる。しか
も屈折率変化の生じるアンドープ半導体層における光の
閉じ込め係数が、従来の0.8程度から本発明においては
0.95程度と大きくなるので、アンドープAl0.38Ga0.62As
第１クラッド層３を挿入してもスイッチング電圧は大き
くなることは殆どなく、第１図に示した断面構造で方向
性結合器長が3mmの時、波長1.3μｍに対して、光がバー
状態で出力されるスイッチング電圧は従来の同程度のＶ
＝22Vとなる。
ば、αを低減することができる。本実施例においてはｎ
型Al0.38Ga0.62As第１クラッド層２とアンドープGaAsガ
イド層４の間にアンドープAl0.38Ga0.62As第１クラッド
層３を挿入した構造であるので、Γｎを大幅に低減する
ことができる。また、アンドープGaAsガイド層４の上に
はアンドープAl0.38Ga0.62As第２クラッド層５が積層さ
れているので、Γｐは元々小さい。従って、第３図に示
した従来構造の場合には吸収損失は2.3dB/cm生じていた
が、本実施例における半導体光スイッチの構造による
と、0.7dB/cm程度に吸収損失を抑える事ができる。しか
も屈折率変化の生じるアンドープ半導体層における光の
閉じ込め係数が、従来の0.8程度から本発明においては
0.95程度と大きくなるので、アンドープAl0.38Ga0.62As
第１クラッド層３を挿入してもスイッチング電圧は大き
くなることは殆どなく、第１図に示した断面構造で方向
性結合器長が3mmの時、波長1.3μｍに対して、光がバー
状態で出力されるスイッチング電圧は従来の同程度のＶ
＝22Vとなる。
なお、本発明は上記の実施例に限定されるものではな
い。実施例としては、GaAs系の材料を用いたが、これに
限るものではなく、InP等の他の材料でも、光を閉じ込
められる材料系であれば本発明は適用可能である。ま
た、結晶成長法としてMBE法を用いたが、これに限るも
のではなく、例えば有機金属気相成長法（MOCVD法）で
あってもよい。また、エッチングをRIBE法によるドライ
エッチングで行っているが、リブ部が形成されるエッチ
ング方法であれば他の方法でもよく、例えば反応性イオ
ンエッチング法（RIE法）であってもよいし、ウエット
エッチングでもよい。
い。実施例としては、GaAs系の材料を用いたが、これに
限るものではなく、InP等の他の材料でも、光を閉じ込
められる材料系であれば本発明は適用可能である。ま
た、結晶成長法としてMBE法を用いたが、これに限るも
のではなく、例えば有機金属気相成長法（MOCVD法）で
あってもよい。また、エッチングをRIBE法によるドライ
エッチングで行っているが、リブ部が形成されるエッチ
ング方法であれば他の方法でもよく、例えば反応性イオ
ンエッチング法（RIE法）であってもよいし、ウエット
エッチングでもよい。
以上述べたように、本発明では、ガイド層の下にアン
ドープ第１クラッド層を挿入した構造であるので、吸収
損失による伝搬損失を避けることができる。
ドープ第１クラッド層を挿入した構造であるので、吸収
損失による伝搬損失を避けることができる。
第１図は本発明の例であるGaAs/AlGaAs半導体光スイッ
チの構造を示す斜視図である。第２図は本発明による光
スイッチの断面図であり、第３図は従来の構造の断面図
である。 図において、 １……ｎ型GaAs基板上、２……ｎ型Al0.38Ga0.62As第１
クラッド層、３……アンドープAl0.38Ga0.62As第１クラ
ッド層、４……アンドープGaAsガイド層、５……アンド
ープAl0.38Ga0.62As第２クラッド層、６……ｐ型Al0.38
Ga0.62As第２クラッド層、７……ｐ型GaAsキャップ層。
チの構造を示す斜視図である。第２図は本発明による光
スイッチの断面図であり、第３図は従来の構造の断面図
である。 図において、 １……ｎ型GaAs基板上、２……ｎ型Al0.38Ga0.62As第１
クラッド層、３……アンドープAl0.38Ga0.62As第１クラ
ッド層、４……アンドープGaAsガイド層、５……アンド
ープAl0.38Ga0.62As第２クラッド層、６……ｐ型Al0.38
Ga0.62As第２クラッド層、７……ｐ型GaAsキャップ層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−226232（ＪＰ，Ａ) 1989年電子情報通信学会秋季全国大会 第４分冊 Ｐ．４−200笠谷和生、竹 内博昭、尾江邦重”Ｃ−260 ＩｎＰ系 微細導液路における位相変調特性と伝搬 損失の関係"
Claims (1)
- 【請求項１】第１導電型半導体基板上に、第１導電型第
１クラッド層が積層され、前記第１導電型第１クラッド
層上にアンドープ第１クラッド層が積層され、前記アン
ドープ第１クラッド層上にアンドープガイド層が積層さ
れ、前記アンドープガイド層上にアンドープ第２クラッ
ド層が積層され、前記アンドープ第２クラッド層上に第
２導電型第２クラッド層が形成され、前記第２導電型第
２クラッド層上に第２導電型キャップ層が積層され、前
記第２導電型キャップ層、第２導電型第２クラッド層、
及びアンドープ第２クラッド層の一部がエッチングによ
り除去されて形成された２本の近接したリブ型光導波路
から構成されていることを特徴とする方向性結合器型半
導体光スイッチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2312047A JP2781655B2 (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | 方向性結合器型半導体光スイッチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2312047A JP2781655B2 (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | 方向性結合器型半導体光スイッチ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04181916A JPH04181916A (ja) | 1992-06-29 |
| JP2781655B2 true JP2781655B2 (ja) | 1998-07-30 |
Family
ID=18024582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2312047A Expired - Lifetime JP2781655B2 (ja) | 1990-11-16 | 1990-11-16 | 方向性結合器型半導体光スイッチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2781655B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0786624B2 (ja) * | 1989-02-28 | 1995-09-20 | 日本電気株式会社 | 方向性結合器型光スイッチ |
-
1990
- 1990-11-16 JP JP2312047A patent/JP2781655B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| １９８９年電子情報通信学会秋季全国大会 第４分冊 Ｐ．４−２００笠谷和生、竹内博昭、尾江邦重"Ｃ−２６０ ＩｎＰ系微細導液路における位相変調特性と伝搬損失の関係" |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04181916A (ja) | 1992-06-29 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
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