JP2746494B2 - レジスト除去方法 - Google Patents
レジスト除去方法Info
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はレジスト除去方法に関
し、特にドライエッチングの際マスクとして用いたレジ
スト層を除去する方法に関するものである。
し、特にドライエッチングの際マスクとして用いたレジ
スト層を除去する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は例えば従来の半導体装置の製造方
法におけるレジスト除去工程を説明するための断面図で
ある。図において、３は下地基板４上に形成され、ドラ
イエッチングによりパターニングされた被エッチング
膜、１は該被エッチング膜３のエッチングの際マスクと
して用いたレジスト層で、その表面部分１ａはドライエ
ッチング時の化学反応により変質して変質部分１ａがで
きている。また上記レジスト層１及び被エッチング膜３
の側面には堆積膜２が形成されているが、この堆積膜２
はレジストが分解した成分や被エッチング膜，エッチン
グガス等から生じた成分あるいはこれらの反応生成物が
堆積してできたものである。また１ｂは上記レジスト層
１の変質部分１ａ内側のレジスト未変質部分である。
法におけるレジスト除去工程を説明するための断面図で
ある。図において、３は下地基板４上に形成され、ドラ
イエッチングによりパターニングされた被エッチング
膜、１は該被エッチング膜３のエッチングの際マスクと
して用いたレジスト層で、その表面部分１ａはドライエ
ッチング時の化学反応により変質して変質部分１ａがで
きている。また上記レジスト層１及び被エッチング膜３
の側面には堆積膜２が形成されているが、この堆積膜２
はレジストが分解した成分や被エッチング膜，エッチン
グガス等から生じた成分あるいはこれらの反応生成物が
堆積してできたものである。また１ｂは上記レジスト層
１の変質部分１ａ内側のレジスト未変質部分である。
【０００３】次に製造方法について説明する。下地基板
４上に被エッチング膜３を形成した後、該エッチング膜
３上にレジスト膜を形成し、これをリソグラフィ工程に
よってパターニングして所望パターンのレジスト層２を
形成する。その後、該レジスト層２をマスクとして塩素
系またはフッ素系ガス、あるいはこれらの混合ガスを用
いて上記被エッチング膜３を選択的にエッチングする。
この時使用するエッチング装置としては、ＲＩＥ装置や
マグネトロン装置等がある。
４上に被エッチング膜３を形成した後、該エッチング膜
３上にレジスト膜を形成し、これをリソグラフィ工程に
よってパターニングして所望パターンのレジスト層２を
形成する。その後、該レジスト層２をマスクとして塩素
系またはフッ素系ガス、あるいはこれらの混合ガスを用
いて上記被エッチング膜３を選択的にエッチングする。
この時使用するエッチング装置としては、ＲＩＥ装置や
マグネトロン装置等がある。
【０００４】以下にＡｌ（Ｓｉ）Ｃｕ膜（膜厚０．３〜
２．０μｍ）等のＡｌ合金をマグネトロンＲＩＥにより
エッチングする場合のエッチング条件を示す。 ガス：ＢＣｌ3 ，Ｃｌ2 ，ＳｉＣｌ4 ，ＢＢｒ3 ，ＣＦ
4 等 ガス流量：２０〜２００ｓｃｃｍ 圧力：１０〜４００ｍＴ ＲＦパワー：１００〜４００Ｗ 磁界：０〜１４０Ｇａｕｓｓ エッチング時間：３０〜３００ｓｅｃ ガス組成：ＳｉＣｌ4 ／Ｃｌ2 ／ＣＦ4 ＝20〜80／20〜
80／ 5〜20ｓｃｃｍ
２．０μｍ）等のＡｌ合金をマグネトロンＲＩＥにより
エッチングする場合のエッチング条件を示す。 ガス：ＢＣｌ3 ，Ｃｌ2 ，ＳｉＣｌ4 ，ＢＢｒ3 ，ＣＦ
4 等 ガス流量：２０〜２００ｓｃｃｍ 圧力：１０〜４００ｍＴ ＲＦパワー：１００〜４００Ｗ 磁界：０〜１４０Ｇａｕｓｓ エッチング時間：３０〜３００ｓｅｃ ガス組成：ＳｉＣｌ4 ／Ｃｌ2 ／ＣＦ4 ＝20〜80／20〜
80／ 5〜20ｓｃｃｍ
【０００５】このようなエッチングを行うと、図２(a)
に示すように、エッチングガスを含むプラズマからの照
射物や解離物、例えばイオン，ラジカル等のエッチング
反応によって生じた反応生成物等により、上記レジスト
層１の上面部が変質して変質部分１ａができたり、レジ
スト層１及び被エッチング膜３の側面に上記反応生成物
等が付着して堆積膜２ができたりする。
に示すように、エッチングガスを含むプラズマからの照
射物や解離物、例えばイオン，ラジカル等のエッチング
反応によって生じた反応生成物等により、上記レジスト
層１の上面部が変質して変質部分１ａができたり、レジ
スト層１及び被エッチング膜３の側面に上記反応生成物
等が付着して堆積膜２ができたりする。
【０００６】その後以下に示すようなアッシング条件で
レジスト層１をアッシング処理して除去する。 ガス：Ｏ2 マイクロ波パワー：５００〜１５００Ｗ ガス流量：１０００〜５０００ｓｃｃｍ 圧力：０．１〜１０Ｔｏｒｒ アッシング時間：３０〜１２０ｓｅｃ／ｗａｆｅｒ
レジスト層１をアッシング処理して除去する。 ガス：Ｏ2 マイクロ波パワー：５００〜１５００Ｗ ガス流量：１０００〜５０００ｓｃｃｍ 圧力：０．１〜１０Ｔｏｒｒ アッシング時間：３０〜１２０ｓｅｃ／ｗａｆｅｒ
【０００７】このアッシングの際、レジスト層１は上記
エッチング工程で生じたレジスト変質部分１ａや反応生
成物の堆積膜２等を一部残留したまま濃縮することとな
る。この結果、不揮発のレジスト残渣５ａ，５ｂを残し
てしまう。パターニングされた被エッチング膜３の上面
には糸状の不揮発性のレジスト表面残渣５ａが残り、上
記被エッチング膜３の側壁には、不揮発性のレジスト側
壁残渣５ｂが残る（図２(b) ）。
エッチング工程で生じたレジスト変質部分１ａや反応生
成物の堆積膜２等を一部残留したまま濃縮することとな
る。この結果、不揮発のレジスト残渣５ａ，５ｂを残し
てしまう。パターニングされた被エッチング膜３の上面
には糸状の不揮発性のレジスト表面残渣５ａが残り、上
記被エッチング膜３の側壁には、不揮発性のレジスト側
壁残渣５ｂが残る（図２(b) ）。
【０００８】その後上記Ｏ2 プラズマ等のアッシングで
除去しきれなかったレジスト残渣をウェットエッチング
等により処理するが、上記被エッチング膜３の表面や側
面には図２(c) に示すようにレジスト表面残渣５ａやレ
ジスト側面残渣５ｂの一部が除去されず残ってしまう。
除去しきれなかったレジスト残渣をウェットエッチング
等により処理するが、上記被エッチング膜３の表面や側
面には図２(c) に示すようにレジスト表面残渣５ａやレ
ジスト側面残渣５ｂの一部が除去されず残ってしまう。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】このように従来の半導
体装置の製造方法におけるレジスト除去方法では、ドラ
イエッチング後Ｏ2 プラズマを用いてアッシング処理を
行った場合、上記レジスト層１は、エッチングの際生じ
たレジスト変質部分１ａや反応生成物の堆積膜２が除去
されないまま、その未変質部分１ｂのみがアッシングさ
れることとなって、最終的に濃縮されて、レジスト残渣
５ａ，５ｂとなる。このため続いてウェットエッチ処理
を行っても上記レジスト残渣５ａ，５ｂは完全に除去で
きないという問題点があった。
体装置の製造方法におけるレジスト除去方法では、ドラ
イエッチング後Ｏ2 プラズマを用いてアッシング処理を
行った場合、上記レジスト層１は、エッチングの際生じ
たレジスト変質部分１ａや反応生成物の堆積膜２が除去
されないまま、その未変質部分１ｂのみがアッシングさ
れることとなって、最終的に濃縮されて、レジスト残渣
５ａ，５ｂとなる。このため続いてウェットエッチ処理
を行っても上記レジスト残渣５ａ，５ｂは完全に除去で
きないという問題点があった。
【００１０】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、ドライエッチング時マスクとし
て用いたレジスト層を、レジスト残渣を発生することな
く除去することができ、しかもエッチングガスの残留物
による腐食に対するマージンを確保することもできる半
導体装置の製造方法を得ることを目的とする。
ためになされたもので、ドライエッチング時マスクとし
て用いたレジスト層を、レジスト残渣を発生することな
く除去することができ、しかもエッチングガスの残留物
による腐食に対するマージンを確保することもできる半
導体装置の製造方法を得ることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明に係るレジスト
の除去方法は、ドライエッチング後に、該エッチングの
際マスクとして用いたレジスト層を除去する工程とし
て、上記ドライエッチングの際の化学反応により変質し
た上記レジスト層表面の変質部分、及び上記ドライエッ
チングの際の反応生成物が上記レジスト層や被エッチン
グ膜表面に堆積して生成された堆積膜を所定の処理条件
の下で除去する変質部分及び堆積膜除去工程と、その後
上記レジスト層の未変質部分を上記処理条件とは異なる
処理条件の下で除去する未変質部分除去工程とを含み、
上記変質部分及び堆積膜除去工程における除去処理前又
は除去処理後、あるいは上記未変質部分除去工程におけ
る除去処理後に、真空中で加熱処理を行って、ドライエ
ッチングの際のエッチングガスを含む残留成分を蒸発さ
せるものである。
の除去方法は、ドライエッチング後に、該エッチングの
際マスクとして用いたレジスト層を除去する工程とし
て、上記ドライエッチングの際の化学反応により変質し
た上記レジスト層表面の変質部分、及び上記ドライエッ
チングの際の反応生成物が上記レジスト層や被エッチン
グ膜表面に堆積して生成された堆積膜を所定の処理条件
の下で除去する変質部分及び堆積膜除去工程と、その後
上記レジスト層の未変質部分を上記処理条件とは異なる
処理条件の下で除去する未変質部分除去工程とを含み、
上記変質部分及び堆積膜除去工程における除去処理前又
は除去処理後、あるいは上記未変質部分除去工程におけ
る除去処理後に、真空中で加熱処理を行って、ドライエ
ッチングの際のエッチングガスを含む残留成分を蒸発さ
せるものである。
【００１２】またこの発明は上記レジスト除去方法にお
いて、上記変質部分及び堆積膜除去工程では、上記レジ
スト層表面の変質部分及び堆積膜をフッ素系ガスを微量
添加したＯ2 プラズマによりアッシング処理し、上記未
変質部分除去工程では、上記レジスト層の未変質部分に
湿式処理を、もしくはＯ2 プラズマを用いてアッシング
処理を施すものである。
いて、上記変質部分及び堆積膜除去工程では、上記レジ
スト層表面の変質部分及び堆積膜をフッ素系ガスを微量
添加したＯ2 プラズマによりアッシング処理し、上記未
変質部分除去工程では、上記レジスト層の未変質部分に
湿式処理を、もしくはＯ2 プラズマを用いてアッシング
処理を施すものである。
【００１３】
【００１４】
【作用】この発明においては、ドライエッチング後にエ
ッチングマスクとしてのレジスト層を除去する際、上記
ドライエッチングの際の化学反応により変質した上記レ
ジスト層表面の変質部分、及び上記ドライエッチングの
際の反応生成物が上記レジスト層や被エッチング膜表面
に堆積して生成された堆積膜を予め除去するようにした
から、エッチング中に生じたレジストの残渣原因となる
残留物をレジストの除去処理前に除去して、レジストの
除去処理工程でのレジスト残渣の発生を低減できる。ま
た上記レジスト層の変質部分や堆積膜を除去する工程の
前、又は該工程の後に、あるいは上記レジスト層の未変
質部分を除去する工程の後に、真空中での加熱処理によ
り、ドライエッチングの際のエッチングガスを含む残留
成分を蒸発させるので、被エッチング膜がアルミ合金で
ある場合、腐食の原因である塩素の残留成分が低減さ
れ、該被エッチング膜での腐食の発生を抑えることがで
きる。
ッチングマスクとしてのレジスト層を除去する際、上記
ドライエッチングの際の化学反応により変質した上記レ
ジスト層表面の変質部分、及び上記ドライエッチングの
際の反応生成物が上記レジスト層や被エッチング膜表面
に堆積して生成された堆積膜を予め除去するようにした
から、エッチング中に生じたレジストの残渣原因となる
残留物をレジストの除去処理前に除去して、レジストの
除去処理工程でのレジスト残渣の発生を低減できる。ま
た上記レジスト層の変質部分や堆積膜を除去する工程の
前、又は該工程の後に、あるいは上記レジスト層の未変
質部分を除去する工程の後に、真空中での加熱処理によ
り、ドライエッチングの際のエッチングガスを含む残留
成分を蒸発させるので、被エッチング膜がアルミ合金で
ある場合、腐食の原因である塩素の残留成分が低減さ
れ、該被エッチング膜での腐食の発生を抑えることがで
きる。
【００１５】
【００１６】
【実施例】以下この発明の実施例について説明する。な
お、説明の都合上、まず最初に本発明の実施例の参考と
なる参考例について説明する。図１はこの発明の実施例
の参考となる参考例によるレジスト除去方法のプロセス
フローを示す図であり、図において、３は下地基板４上
にＡｌＳｉＣｕやＡｌＳｉ，ＡｌＣｕといったアルミ合
金層を形成し、これをドライエッチングによりパターニ
ングして形成された被エッチング膜、１は上記ドライエ
ッチングの際マスクとして用いたレジスト層、１ａは該
レジスト層１の表面部分がエッチング時の化学反応によ
り変質してできた変質部分、２は上記レジスト層１及び
被エッチング膜３の側面に上記エッチングの際の反応生
成物が堆積してできた堆積層である。
お、説明の都合上、まず最初に本発明の実施例の参考と
なる参考例について説明する。図１はこの発明の実施例
の参考となる参考例によるレジスト除去方法のプロセス
フローを示す図であり、図において、３は下地基板４上
にＡｌＳｉＣｕやＡｌＳｉ，ＡｌＣｕといったアルミ合
金層を形成し、これをドライエッチングによりパターニ
ングして形成された被エッチング膜、１は上記ドライエ
ッチングの際マスクとして用いたレジスト層、１ａは該
レジスト層１の表面部分がエッチング時の化学反応によ
り変質してできた変質部分、２は上記レジスト層１及び
被エッチング膜３の側面に上記エッチングの際の反応生
成物が堆積してできた堆積層である。
【００１７】次に製造方法について説明する。従来の方
法と同様、下地基板４上にアルミ合金層を形成した後、
該アルミ合金層上にリソグラフィ工程によって所定パタ
ーンのレジスト層１を形成し、該レジスト層１をマスク
として上記アルミ合金層を選択的にエッチングして被エ
ッチング膜３を形成する（図１(a) ）。この時のエッチ
ング条件を以下に示す。
法と同様、下地基板４上にアルミ合金層を形成した後、
該アルミ合金層上にリソグラフィ工程によって所定パタ
ーンのレジスト層１を形成し、該レジスト層１をマスク
として上記アルミ合金層を選択的にエッチングして被エ
ッチング膜３を形成する（図１(a) ）。この時のエッチ
ング条件を以下に示す。
【００１８】エッチングガス：ＢＣｌ3 ，Ｃｌ2 ，Ｓｉ
Ｃｌ2 ，ＢＢｒ3 ，ＣＦ4 等 ガス流量：２０〜２００ｓｃｃｍ 圧力：１０〜４００ｍＴ ＲＦパワー：１００〜４００Ｗ 磁界：０〜１４０Ｇａｕｓｓ
Ｃｌ2 ，ＢＢｒ3 ，ＣＦ4 等 ガス流量：２０〜２００ｓｃｃｍ 圧力：１０〜４００ｍＴ ＲＦパワー：１００〜４００Ｗ 磁界：０〜１４０Ｇａｕｓｓ
【００１９】ここでエッチング装置としては、例えばＲ
ＩＥ装置，マグネトロンＲＩＥ装置等を用いる。エッチ
ング後は、図１(a) に示すように、エッチング時の化学
反応によりレジスト層表面に変質部分１０ができたり、
エッチングガスを含むプラズマからの照射物や解離物，
つまりイオン，ラジカル等から生成された反応生成物等
により、上記レジスト層１及び被エッチング膜３の側面
に堆積膜２が生成されたりする。
ＩＥ装置，マグネトロンＲＩＥ装置等を用いる。エッチ
ング後は、図１(a) に示すように、エッチング時の化学
反応によりレジスト層表面に変質部分１０ができたり、
エッチングガスを含むプラズマからの照射物や解離物，
つまりイオン，ラジカル等から生成された反応生成物等
により、上記レジスト層１及び被エッチング膜３の側面
に堆積膜２が生成されたりする。
【００２０】次に上記レジストの変質部分１ａ及び堆積
膜２を例えばダウンフロー型のアッシャーを用いてＦ系
ガス微量添加のＯ2 プラズマによりアッシングする（図
１(b) ）。この時のアッシング条件を以下に示す。 ガス：Ｏ2 ／ＣＦ4 ガス組成：Ｏ2 ／ＣＦ4 ＝１０００〜４０００／１０〜
１０００ｓｃｃｍ マイクロ波パワー：５００〜１５００Ｗ ガス圧力：数〜１０Ｔｏｒｒ アッシング時間：２０〜４０ｓｅｃ
膜２を例えばダウンフロー型のアッシャーを用いてＦ系
ガス微量添加のＯ2 プラズマによりアッシングする（図
１(b) ）。この時のアッシング条件を以下に示す。 ガス：Ｏ2 ／ＣＦ4 ガス組成：Ｏ2 ／ＣＦ4 ＝１０００〜４０００／１０〜
１０００ｓｃｃｍ マイクロ波パワー：５００〜１５００Ｗ ガス圧力：数〜１０Ｔｏｒｒ アッシング時間：２０〜４０ｓｅｃ
【００２１】上記のようにＦ系ガスを微量添加すること
により、レジスト層表面の変質部分１ａや堆積物２が除
去される。
により、レジスト層表面の変質部分１ａや堆積物２が除
去される。
【００２２】次にレジスト層１の未変質部分１ｂをアッ
シングする（図１(c) ）。この時のアッシングは、例え
ばダウンフロー型のアッシャーを用いて以下の条件で行
う。
シングする（図１(c) ）。この時のアッシングは、例え
ばダウンフロー型のアッシャーを用いて以下の条件で行
う。
【００２３】ガス：Ｏ2 ガス流量：Ｏ2 ＝１０００〜５０００ｓｃｃｍ マイクロ波パワー：５００〜１５００Ｗ アッシング時間：２０〜３０ｓｅｃ
【００２４】このように上記参考例では、被エッチング
膜３のドライエッチング時マスクとして用いたレジスト
層１を除去する際、まず上記レジスト層１の表面の変質
部分１ａ及び被エッチング膜３やレジスト層１の側面の
堆積膜２をＦ系ガス微量添加のＯ2 プラズマによりアッ
シングし、その後上記レジスト層１の未変質部分１ｂを
Ｏ2 プラズマによりアッシングするようにしたので、エ
ッチング中に生じたレジストの残渣原因である残留物を
除去することができ、これによりレジスト層１を完全に
除去できる。
膜３のドライエッチング時マスクとして用いたレジスト
層１を除去する際、まず上記レジスト層１の表面の変質
部分１ａ及び被エッチング膜３やレジスト層１の側面の
堆積膜２をＦ系ガス微量添加のＯ2 プラズマによりアッ
シングし、その後上記レジスト層１の未変質部分１ｂを
Ｏ2 プラズマによりアッシングするようにしたので、エ
ッチング中に生じたレジストの残渣原因である残留物を
除去することができ、これによりレジスト層１を完全に
除去できる。
【００２５】図３はこの発明の一実施例によるレジスト
除去方法のプロセスフローを示す図であり、この実施例
は、上記Ｆ系ガス微量添加のＯ2 プラズマによるアッシ
ング処理によって除去しきれなかった残留物を蒸発させ
る工程を有する点が上記参考例と異なっている。
除去方法のプロセスフローを示す図であり、この実施例
は、上記Ｆ系ガス微量添加のＯ2 プラズマによるアッシ
ング処理によって除去しきれなかった残留物を蒸発させ
る工程を有する点が上記参考例と異なっている。
【００２６】すなわち、上記参考例と同様にして下地基
板４上のアルミ合金層をレジスト層をマスクとしてパタ
ーニングして被エッチング膜３を形成した後（図１(a)
）、上記レジスト層１表面の変質部分１ａや該レジス
ト層１及び被エッチング膜３の側面の堆積膜２をダウン
フロー型のアッシャーを用いてＦ系ガス微量添加のＯ2
プラズマでアッシング除去する（図３(b) ）。ここでの
アッシング条件は以下に示すように上記参考例と同一で
ある。
板４上のアルミ合金層をレジスト層をマスクとしてパタ
ーニングして被エッチング膜３を形成した後（図１(a)
）、上記レジスト層１表面の変質部分１ａや該レジス
ト層１及び被エッチング膜３の側面の堆積膜２をダウン
フロー型のアッシャーを用いてＦ系ガス微量添加のＯ2
プラズマでアッシング除去する（図３(b) ）。ここでの
アッシング条件は以下に示すように上記参考例と同一で
ある。
【００２７】ガス：Ｏ2 ／ＣＦ4 ガス組成： O /CF4 ＝1000〜4000/10 〜1000ｓｃｃｍ マイクロ波パワー：５００〜１５００Ｗ ガス圧力：数〜１０Ｔｏｒｒ アッシング時間：２０〜４０ｓｅｃ
【００２８】次に、上記レジスト層１及び被エッチング
膜３を真空中で加熱して、上記アッシング工程で除去し
きれなかった、エッチング処理の際の残留物６を蒸発さ
せる（図３(c) ）。この時の加熱条件を以下に示す。
膜３を真空中で加熱して、上記アッシング工程で除去し
きれなかった、エッチング処理の際の残留物６を蒸発さ
せる（図３(c) ）。この時の加熱条件を以下に示す。
【００２９】ガス：Ｎｏｎｅ Ｇａｓ 圧力：〜１Ｔｏｒｒ マイクロ波パワー：０Ｗ 基板温度：〜４００℃ これにより、エッチング後、ウェハに残留する塩素成分
等が低減され、腐食の発生が抑えられる。
等が低減され、腐食の発生が抑えられる。
【００３０】その後上記参考例と同様レジスト層１の未
変質部分１ｂをダウンフロー型のアッシャーを用いてア
ッシングしてレジスト層１を完全に除去する。この時の
アッシング条件を以下に示す。
変質部分１ｂをダウンフロー型のアッシャーを用いてア
ッシングしてレジスト層１を完全に除去する。この時の
アッシング条件を以下に示す。
【００３１】ガス：Ｏ2 ガス組成：Ｏ2 ＝１０００〜５０００ｓｃｃｍ μ波：５００〜１５００Ｗ アッシング時間：２０〜ｓｅｃ
【００３２】このように本実施例では、ドライエッチン
グ時マスクとして用いたレジスト層１の変質部分１ａや
該レジスト層１や被エッチング膜３の側面の堆積膜２を
Ｆ系ガス微量添加のＯ2 にプラズマでアッシング除去し
た後、上記レジスト層１及び被エッチング膜３を真空中
で加熱して、上記アッシング処理により除去しきれなか
った残留物６を蒸発させるようにしたので、上記参考例
の効果に加えて、被エッチング膜３のドライエッチング
後ウェハに残留する塩素成分等が低減されることとな
り、該被エッチング膜３での腐食の発生を抑えることが
できる。
グ時マスクとして用いたレジスト層１の変質部分１ａや
該レジスト層１や被エッチング膜３の側面の堆積膜２を
Ｆ系ガス微量添加のＯ2 にプラズマでアッシング除去し
た後、上記レジスト層１及び被エッチング膜３を真空中
で加熱して、上記アッシング処理により除去しきれなか
った残留物６を蒸発させるようにしたので、上記参考例
の効果に加えて、被エッチング膜３のドライエッチング
後ウェハに残留する塩素成分等が低減されることとな
り、該被エッチング膜３での腐食の発生を抑えることが
できる。
【００３３】なお、上記実施例では、レジスト層１及び
被エッチング膜３の加熱は上記レジストの変質部分１ａ
及び堆積膜２の除去後直ちに行っているが、上記加熱
は、レジスト変質部分１ａ及び堆積膜３の除去前であっ
ても、上記レジスト層１の未変質部分１ｂの除去後であ
ってもよい。
被エッチング膜３の加熱は上記レジストの変質部分１ａ
及び堆積膜２の除去後直ちに行っているが、上記加熱
は、レジスト変質部分１ａ及び堆積膜３の除去前であっ
ても、上記レジスト層１の未変質部分１ｂの除去後であ
ってもよい。
【００３４】また、上記実施例では、レジスト層１の未
変質部分１ｂの除去工程においてＯ2 プラズマによるア
ッシングを用いたが、これはウェットエッチングを用い
てレジスト除去を行ってもよく、上記実施例と同様の効
果が得られる。
変質部分１ｂの除去工程においてＯ2 プラズマによるア
ッシングを用いたが、これはウェットエッチングを用い
てレジスト除去を行ってもよく、上記実施例と同様の効
果が得られる。
【００３５】また、上記実施例では、被エッチング膜が
アルミ合金の場合について説明したが、上記被エッチン
グ膜はＷ，ＷＳｉ，Ｄｏｐｅｄ─Ｐｏｌｙ−Ｓｉ，Ｔｉ
Ｎ，ＴｉＳｉ2 等であってもよい。
アルミ合金の場合について説明したが、上記被エッチン
グ膜はＷ，ＷＳｉ，Ｄｏｐｅｄ─Ｐｏｌｙ−Ｓｉ，Ｔｉ
Ｎ，ＴｉＳｉ2 等であってもよい。
【００３６】
【発明の効果】以上のようにこの発明に係るレジスト除
去方法によれば、ドライエッチング後にエッチングマス
クとしてのレジスト層を除去する際、上記ドライエッチ
ングの際の化学反応により変質した上記レジスト層表面
の変質部分、及び上記ドライエッチングの際反応生成物
が上記レジスト層や被エッチング膜表面に堆積してでき
た堆積膜を予め除去し、加えて真空中での加熱処理によ
りドライエッチングの際のエッチングガスを含む残留成
分を蒸発させるようにしたので、エッチング中に生じた
レジストの残渣原因となる残留物を、上記レジスト層の
除去処理を行う前に除去して、レジスト残渣の発生を低
減できるとともに、被エッチング膜がアルミ合金である
場合、腐食の原因である塩素の残留分が低減され、該被
エッチング膜での腐食の発生を抑えることができる効果
がある。
去方法によれば、ドライエッチング後にエッチングマス
クとしてのレジスト層を除去する際、上記ドライエッチ
ングの際の化学反応により変質した上記レジスト層表面
の変質部分、及び上記ドライエッチングの際反応生成物
が上記レジスト層や被エッチング膜表面に堆積してでき
た堆積膜を予め除去し、加えて真空中での加熱処理によ
りドライエッチングの際のエッチングガスを含む残留成
分を蒸発させるようにしたので、エッチング中に生じた
レジストの残渣原因となる残留物を、上記レジスト層の
除去処理を行う前に除去して、レジスト残渣の発生を低
減できるとともに、被エッチング膜がアルミ合金である
場合、腐食の原因である塩素の残留分が低減され、該被
エッチング膜での腐食の発生を抑えることができる効果
がある。
【００３７】
【図１】この発明の実施例の参考となる参考例によるレ
ジスト除去方法を説明するためのプロセスフローを示す
図である。
ジスト除去方法を説明するためのプロセスフローを示す
図である。
【図２】従来のレジスト除去方法のプロセスフローを示
す図である。
す図である。
【図３】この発明の一実施例によるレジスト除去方法を
説明するためのプロセスフローを示す図である。
説明するためのプロセスフローを示す図である。
１ レジスト層 １ａ レジスト変質部分 １ｂ レジスト未変質部分 ２ 堆積膜 ３ 被エッチング膜 ４ 下地基板 ６ 加熱によって蒸発する物質
Claims (4)
- 【請求項１】 ドライエッチング時マスクとして用いた
レジスト層を除去するレジスト除去方法において、 上記エッチング時化学反応により変質した上記レジスト
層表面の変質部分、及び上記エッチング時反応生成物が
上記レジスト層及び下地層上に堆積して生成された堆積
膜を所定の処理条件の下で除去する変質部分及び堆積膜
除去工程と、 その後、上記レジスト層の未変質部分を上記処理条件と
は異なる処理条件の下で除去する未変質部分除去工程と
を含み、 上記変質部分及び堆積膜除去工程における除去処理前又
は除去処理後、あるいは上記未変質部分除去工程におけ
る除去処理後に、真空中で加熱処理を行って、ドライエ
ッチングの際のエッチングガスを含む残留成分を蒸発さ
せることを特徴とするレジスト除去方法。 - 【請求項２】 上記変質部分及び堆積膜除去工程は、上
記レジスト層表面の変質部分及び堆積膜をフッ素系ガス
を微量添加したＯ2 プラズマによりアッシングする工程
であることを特徴とする請求項１記載のレジスト除去方
法。 - 【請求項３】 上記フッ素系ガスは、ＣＦ4 ，ＳＦ6 ，
ＮＦ3 及びＣＨＦ3のいずれか、またはそれらの混合ガ
スであることを特徴とする請求項２記載のレジスト除去
方法。 - 【請求項４】 上記未変質部分除去工程は、上記レジス
ト層の未変質部分に湿式処理、もしくはＯ2 プラズマを
用いるアッシング処理を施す工程であることを特徴とす
る請求項１記載のレジスト除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3351988A JP2746494B2 (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | レジスト除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3351988A JP2746494B2 (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | レジスト除去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05165225A JPH05165225A (ja) | 1993-07-02 |
| JP2746494B2 true JP2746494B2 (ja) | 1998-05-06 |
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ID=18421007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3351988A Expired - Fee Related JP2746494B2 (ja) | 1991-12-13 | 1991-12-13 | レジスト除去方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP2746494B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4683685B2 (ja) * | 2000-01-17 | 2011-05-18 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法、フラッシュメモリの製造方法、およびスタティックランダムアクセスメモリの製造方法 |
| JP2012119539A (ja) * | 2010-12-01 | 2012-06-21 | Ulvac Japan Ltd | ラジカルクリーニング方法及びラジカルクリーニング装置 |
| JP6519364B2 (ja) * | 2015-07-06 | 2019-05-29 | 株式会社デンソー | 金属パターンの製造方法 |
Family Cites Families (1)
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|---|---|---|---|---|
| JP2624347B2 (ja) * | 1990-01-31 | 1997-06-25 | 松下電子工業株式会社 | レジストの除去方法および除去装置 |
-
1991
- 1991-12-13 JP JP3351988A patent/JP2746494B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH05165225A (ja) | 1993-07-02 |
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