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JP2616565B2 - 電子部品組立体 - Google Patents

電子部品組立体

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JP2616565B2
JP2616565B2 JP6216853A JP21685394A JP2616565B2 JP 2616565 B2 JP2616565 B2 JP 2616565B2 JP 6216853 A JP6216853 A JP 6216853A JP 21685394 A JP21685394 A JP 21685394A JP 2616565 B2 JP2616565 B2 JP 2616565B2
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semiconductor chip
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は大規模集積回路チップ
（以下ＬＳＩチップ）等の半導体チップを実装する電子
部品組立体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のフリップチップ方式の一例は昭和
６３年１２月２４日株式会社トリケップスから発行され
た刊行物「先端高密度表面実装技術」（以下文献１）に
示されている。この文献１の第３２頁記載の図１６
（４）にははんだ接続のフリップチップ方式が示され、
図１６（５）には導電ペースト接着のフリップチップ方
式が示されている。また同文献１の第３３頁記載によれ
ば「この方式はチップの任意の位置から電極が取り出せ
る点で基板導体との最短距離の接続が可能になり、高密
度化、高速化を必要とするＩＣチップの実装に適してい
る」しかしＩＣ「チップをフェイスダウンで基板に実装
するので、チップと基板の熱膨張係数差が直接バンプに
歪を与え、信頼性に影響を及ぼす。特に図１６（４）の
はんだバンプ構造ではその影響が大きい。そこで基板の
熱膨張係数Ｓｉチップに合わせる工夫のほか、図１８に
示すようにはんだバンプを多段構造にしたり、バンプ形
状を球状から鼓状にして半田バンプにかかる歪を軽減す
る等の検討も行なわれている」また、同文献１２５８頁
には「バンプを樹脂で補強する構成」も提案されてい
る。
【０００３】このＩＣチップ等半導体チップが高密度集
積化するに従ってゲート密度も高くなり、さらに高速化
するに従って半導体チップからの発熱量は大きくなる。
そこで従来の技術では半導体チップの上面からのみ放熱
板やヒートシンクなどの冷却モジュールを設けて熱を放
散していた。
【０００４】テープオートメイティッドボンディング
（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ：Ｔ
ＡＢ）技術の一例は、１９９４年２月（株）工業調査会
から発行され（株）ハイブリッドマイクロエレクトロニ
クス協会により編集された刊行物「エレクトロニクス実
装技術基礎講座＜第１巻＞総論」（文献２）に示されて
いる。文献２第２６１頁の記載によればＴＡＢ「技術の
基本プロセスは、」「ＩＬＢとＯＬＢからなる。」「Ｉ
ＬＢはバンプを介してＬＳＩチップ電極とキャリアテー
プのリードとを接合する工程であり、またＯＬＢはキャ
リアテープから打ち抜いたリード付きＬＳＩを他の基板
に接続する工程である。」文献２第２６２頁の記載で
は、「ＩＬＢ」（Ｉｎｎｅｒ Ｌｅａｄ Ｂｏｎｄｉｎ
ｄ）「は、大別すると、」「４つに分けることができ
る。（ａ）は最も一般的なもので、広く実用化されてい
る。まず、チップ側にＡｕバンプを形成し、キャリアテ
ープから延在するインナーリードとの間で接合を図るも
のである。インナーリードとの間での接合メカニズム
は、ＳｎメッキされたＣｕリードとＡｕ−Ｓｕ共晶反応
かまたはＣｕリードにメッキされたＡｕとの間でＡｕ−
Ａｕ固相拡散反応に基づく、」「次に、（ｂ）タイプで
あるが、いわゆる転写バンプと称されるもので、まず、
バンプ形成用の仮基板にＡｕバンプを形成しておいて、
ＡｕメッキまたはＳｎメッキしたテープのリードを位置
合わせし、加熱・加圧によりリード側に転写する。次
に、ＬＳＩ電極（主としてＡｌ）とのＡｕ−Ａｌ固相拡
散接合を行う。」同文献２の記載では「次に、（ｃ）の
方式であるが、これはＢ−ＴＡＢ技術と称される。テー
プから延在するリードの片面を部分的にハーフエッチン
グすることにより先端部に突起を設け、ＮｉおよびＡｕ
メッキを施し、バンプとして機能させるものである。」
「（ｂ）の方式は、１９９２年発表された‘マイクロ・
プレス・バンプ’方式で、今までの通念を変え、マイク
ロ金型システムによってメカニカルにリード先端部に凸
を設け、バンプとするものである。」「ＩＬＢは、シン
グルポイントボンディングにより超音波エネルギーを与
え、ＬＳＩのＡｌパッドとの接合を図る。フォトプロセ
スを排したシンプルなバンプ形成法が特徴で、低コスト
化を目指すものである。」
【発明が解決しようとする課題】半導体チップをフェイ
スダウンで実装する従来のフリップチップＬＳＩ実装構
造における最大の問題点は、熱が発生し常温の状態に戻
る際に、ＬＳＩチップと回路基板の熱膨張係数の相違に
よりバンプに内部応力が発生し、この応力がバンプや下
地の絶縁層よりも大きくなるとバンプや絶縁層などにク
ラックが入ったり、導体リード配線の剥離が起こること
である。
【０００５】消費電力の大きなＬＳＩチップの組込み要
求に応じて、放熱性の良否が信頼性の上でも重要になっ
ている。フリップチップ実装の場合、ＬＳＩチップが回
路基板とは密着せず空間に浮いて実装されているため、
ＬＳＩチップ自体の放熱性が非常に悪く信頼性に欠ける
という欠点がある。
【０００６】高密度集積化に伴いＬＳＩチップも多電極
化している。テープキャリアパッケージにおいて、接続
するインナー・リード・ボンディングやアウター・リー
ド・ボンディングのリードピッチが限界に近づいてお
り、リード部がテープキャリアの周辺部から外側に伸び
ている。このため、ＬＳＩチップ実装面積がフリップチ
ップ実装面積と比較して大きくなるという欠点がある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の電子部品
組立体は、電極を有する半導体チップと、回路基板と、
前記半導体チップと前記回路基板との間に前記半導体チ
ップの熱膨張係数と前記回路基板の熱膨張係数との中間
の熱膨張係数を有しかつ高熱伝導率を有する材料で形成
されるキャリア基板と、このキャリア基板および前記半
導体チップを接着する熱伝導性接着剤と、前記回路基板
と前記キャリア基板との間に設けられたバンプとを含
む。
【０００８】本発明の他の目的は生産性を向上するよう
にした電子部品組立体を提供することにある。
【０００９】本発明の他の目的は熱膨張係数差によるバ
ンプ適応力を低減するようにした電子部品組立体を提供
することにある。
【００１０】本発明の他の目的は高熱伝導部材を用いる
ことにより放熱効果を向上するようにした電子部品組立
体を提供することにある。
【００１１】本発明の他の目的はリードボンディングの
リードピッチを向上するようにした電子部品組立体を提
供することにある。
【００１２】本発明の他の目的は実装密度を向上するよ
うにした電子部品組立体を提供することにある。
【００１３】本発明の他の目的は薄膜実装を可能にする
ようにした電子部品組立体を提供することにある。
【００１４】本発明の他の目的は電気的特性を向上する
ようにした電子部品組立体を提供することにある。
【００１５】本発明の他の目的はノイズ対策を施すよう
にした電子部品組立体を提供することにある。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の電子部品
組立体は、電極を有する半導体チップと、回路基板と、
前記半導体チップと前記回路基板との間に前記半導体チ
ップの熱膨張係数と前記回路基板の熱膨張係数との中間
の熱膨張係数を有しかつ高熱伝導率を有する材料で形成
されるキャリア基板と、このキャリア基板および前記半
導体チップを接着する熱伝導性接着剤と、前記回路基板
と前記キャリア基板との間に格子状に設けられたバンプ
とを含む。
【００１７】本発明の第２の電子部品の組立体は、前記
第１の電子部品組立体において前記キャリア基板と前記
バンプとの間に絶縁性樹脂テープを介することを特徴と
する。
【００１８】本発明の第３の電子部品組立体は、前記第
２の電子部品組立体における前記絶縁性樹脂テープの前
記キャリア基板対抗面とは異なる面に前記バンプを格子
状に配置し前記バンプと電気的に接続される導体を充填
するスルーホールを前記絶縁性樹脂テープに設け、この
スルーホール内の導体と電気的に接続されるリードを前
記絶縁性樹脂テープと前記キャリア基板との間に設け該
リードと前記半導体チップの電極とを前記スルーホール
内の導体を介して電気的に接続することを特徴とする。
【００１９】本発明の第４の電子部品組立体は、電極を
有する半導体チップと、この半導体チップの電極面に一
面が接着されたポッティング樹脂と、このポッティング
樹脂の他面に一面が接着された絶縁性樹脂テープと、こ
の絶縁性樹脂テープの他面に形成され絶縁性樹脂テープ
のスルーホールを介して前記半導体チップの電極と電気
的に接続されるパッドとを含む。
【００２０】
【実施例】次に本発明の一実施例について図面を参照し
て詳細に説明する。
【００２１】図１（Ａ）および（Ｂ）を参照すると、本
発明の第１の実施例は、電子回路面１ａを有する半導体
チップの一例であるＬＳＩチップ１、このＬＳＩチップ
１の電子回路面１ａに灌布された熱伝導性接着剤２、こ
の熱伝導性接着剤２を介してＬＳＩチップ１と接着され
る本発明の特徴の１つであるキャリア基板３、ＬＳＩ１
の電子回路面１ａに形成されたＬＳＩ電極６ａ、このＬ
ＳＩ電極６ａに接続されたリード５、このリード５に接
続されキャリア基板３上に形成されたキャリア基板電極
６ｃ、このキャリア基板電極６ｃと接続されこのキャリ
ア基板電極６ｃと同じ面に形成されたリード配線１２、
およびこのリード配線１２に接続されリード配線１２と
同じ面に形成されたはんだバンプ９を含む。
【００２２】本発明の第１の実施例は、ＬＳＩ１および
リード５を保護する目的でリード５、ＬＳＩ電極６ａお
よびキャリア基板電極６ｃがポッディング樹脂１０によ
り覆われる。
【００２３】本発明の第１の実施例は回路基板１１上に
形成される。回路基板１１の材料としてはガラスエポキ
シの複合材を主体とするプリント基板やアルミナ（Ａｌ
2 Ｏ3 ）を主体とするセラミック基板がある。
【００２４】本発明の第１の実施例の特徴の１つである
キャリア基板３の材料としては、熱膨張係数がＬＳＩ１
と回路基板１１との中間にあり、高熱伝導率を有する材
料が望ましい。例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）炭
化ケイ素（ＳｉＣ）、または酸化ベリウム（ＢｅＯ）が
あげられる。ＬＳＩ１の材料をシリコン（Ｓｉ）とし回
路基板１１の材料をガラスエポキシとする。シリコンＳ
ｉの熱膨張係数が３．６×１０-6／℃であり、ガラスエ
ポキシの熱膨張係数は１６×１０-6／℃である。窒化ア
ルミニウム（ＡｌＮ）炭化ケイ素（ＳｉＣ）、または酸
化ベリウム（ＢｅＯ）の熱膨張係数は４．２×１０-6／
℃、４．２×１０-6／℃、または７．５×１０-6／℃で
ある。キャリア基板３のある面には、周辺に配置された
キャリア基板電極６Ｃ、リード配線１２、格子状に設け
られたＬＳＩ電極６ａおよびはんだバンプ９が形成さ
れ、これらは電気的に接続されている。キャリア基板電
極６ＣとＬＳＩ電極６ａとは、ワイヤボンディング方式
によるリード５で接続されている。このリード５は例え
ば金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）または銅（Ｃｕ）
を材料とする。なお、リード５、ＬＳＩ電極６ａ、およ
びキャリア基板電極６ｃは、ＬＳＩ１およびリード５を
保護する目的でポッティング樹脂１０により覆われてい
る。ＬＳＩ１の裏面には電子回路が搭載され、この電子
回路を保護するようにおおうように層（図示せず）が形
成されている。この層の材料としては二酸化ケイ素（Ｓ
ｉＯ2 ）、この二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）とシリコン酸
化窒化膜（ＳｉＯＮ）、または窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ
4 ）を使用することができる。この保護層を用いない変
形例として電子回路をおおうようにして後述する熱伝導
性接着剤２が形成される。いま、この保護層とキャリア
基板３との間に熱伝導性接着剤が介在する例について説
明する。この熱伝導性接着剤２は絶縁性エポキシ接着剤
である。この材料としては銀エポキシの他、この銀の代
りに窒化ホウ素（ＢＮ）、アルミナ（Ａｉ2 Ｏ3 ）、窒
化アルミニウム（ＡｌＮ）が適している。
【００２５】この熱伝導性接着剤２およびキャリア基板
３の放熱性の高さについて以下説明する。熱伝導性接着
剤の材料である銀エポキシの熱伝導率は１．５６ｗ／
ｍ．ｋであるが窒化ホウ素（ＢＮ）エポキシの熱伝導率
は５ｗ／ｍ．ｋであり窒化アルミニウム（ＡｌＮ）エポ
キシの熱伝導率も５ｗ／ｍ．ｋである。一方、キャリア
基板の窒化アルミニウム（ＡｌＮ）の熱伝導率は１５０
〜２５０ｗ／ｍ．ｋであり、酸化ベリウム（ＢｅＯ）の
熱伝導率は２５０ｗ／ｍ．ｋであり、炭化ケイ素（Ｓｉ
Ｃ）の熱伝導率は２７０ｗ／ｍ．ｋである。
【００２６】このように熱伝導性接着剤２およびキャリ
ア基板３の放熱性は高いため、ＬＳＩ１の放熱効果を高
めることができる。
【００２７】なお、各種材料の熱膨張係数および熱伝導
率は以下の通りである。
【００２８】
【表１】
【００２９】本発明の第１の実施例はＬＳＩ１のＬＳＩ
電子回路面１ａからの有効な放熱効果をもたらすことが
でき、回路基板１１との熱膨張係数の整合がとれるた
め、熱膨張によるバンプ応力による歪みを低減すること
ができる。
【００３０】本発明の第１の実施例はフリップチップ実
装方式を採用したキャリア基板３を用いることにより薄
型で高密度の実装が可能であり、最短結線による電気特
性の向上やノイズ対策を施せる。
【００３１】次に本発明の第２の実施例について図面を
参照して詳細に説明する。
【００３２】図２（Ａ）および（Ｂ）を参照すると、本
発明の第２の実施例のＬＳＩチップ１、熱伝導接着剤
２、キャリア基板３、リードおよび電極パッド６は第１
の実施例の対応する構成要素と同じである。第２の実施
例の特徴の１つは、キャリア基板３の下面にリード５を
介してポリイミドテープ４が形成されている。キャリア
基板３の材料を炭化ケイ素（ＳｉＣ）、アルミナ（Ａｌ
2 Ｌ3 ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、または酸化ベ
リウム（Ｂe Ｏ）とすれば、各熱膨張係数は、４．２×
１０-6／℃、６．５×１０-6／℃、４．２×１０-6／
℃、または７．５×１０-6／℃となる。なおポリイミド
の熱膨張係数は１１×１０-6／℃である。ＬＳＩ１の材
料をシリコン（Ｓｉ）とすれば、シリコンの熱膨張係数
は３．６×１０-6／℃である。一方、回路基板１１の材
料をガラスエポキシとすると、ガラスエポキシの熱膨張
係数は１６×１０-6／℃である。この両者の熱膨張係数
の差を緩和するため、本発明の第２の実施例は、ＬＳＩ
１と回路基板１１との間にキャリア基板３とポリイミド
テープ４との二重構造を介在させている。本発明のリー
ド５は、第１の実施例で採用されたワイヤボンディング
方式の代りにリード５上の金（Ａｕ）バンプ７とＬＳＩ
１のＬＳＩ電極６ａと位置合わせしたあと一括接続する
転写バンプ方式、リード５の片面を部分的にハーフエッ
チングすることにより先端部に突起を設けニッケルおよ
び金メッキを施しバンプとして機能させるバンプ−テー
プオートメイティッドボンディング（Ｂａｍｐｔ−Ｔａ
ｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）（Ｂ−Ｔ
ＡＢ）方式、またはマイクロ金型システムによって機械
的にリード５の先端部に凸部を設けバンプとするマイク
ロプレスバンプ方式により形成される。
【００３３】本発明の第２の実施例の特徴の１つである
ポリイミドテープ４にはスルーホール８が形成され、キ
ャリア基板３と反対側の面に少なくともそのスルーホー
ル８の直下の位置を含み格子状にバンプ形成電極６ｂお
よびはんだバンプ９が形成されている。
【００３４】電極パッドであるバンプ形成電極６ｂはス
ルーホール８内の導体部、リード５、金（Ａｕ）バンプ
７を介してＬＳＩ１上の電極パッド６ａと電気的に接続
される。特にリード先端に形成された金（Ａｕ）バンプ
７とＬＳＩ１上の対応したアルミニウム（Ａｌ）で形成
されたＬＳＩ電極６ａは金（Ａｕ）とアルミニウム（Ａ
ｌ）との共晶合金により電気的に接続される。
【００３５】なおポリイミドテープ４の同じ面に形成さ
れたバンプ形成電極６ａおよびはんだバンプ９も電気的
に接続されている。
【００３６】リード部５およびＬＳＩ電極６ａは第１の
実施例と同様に、ＬＳＩ１およびリード部５を保護する
ためポッティング樹脂で覆われている。
【００３７】本発明の第２の実施例では、キャリア基板
（熱膨張係数４．２−７．２５×１０-6／℃）およびポ
リイミド（熱膨張係数１１×１０-6／℃）の二重構造で
ＬＳＩ（熱膨張係数３．６×１０-6／℃）と回路基板
（熱膨張係数１６×１０×１０-6／℃）との熱膨張係数
との差を緩和できるという効果がある。
【００３８】また、本発明の第２の実施例では、従来の
ＴＡＢテープに応用してきたリール・ツウ・リール方式
を利用できるため、連続的に処理でき高生産性を維持で
きる。
【００３９】さらに、この実施例では、ＬＳＩ１の電子
回路の下部面にバンプ９が形成されているため、高密度
実装を可能にできる。
【００４０】本発明の第２の実施例では、転写バンプ方
式、Ｂ−ＴＡＢおよびマイクロバンププレス方式を活用
することにより、歩留まりおよび生産性を向上させるこ
とができる。
【００４１】次に本発明の第３の実施例および第４の実
施例について図面を参照して詳細に説明する。
【００４２】図３（Ａ）および（Ｂ）を参照すると、本
発明の第３の実施例の特徴は、キャリア基板３の下部面
および外周部面にリード５を施したポリイミドテープ４
を設け、リード５の先端に接合された金（Ａｕ）バンプ
７を、内部および外周部のポリイミドテープ４からＬＳ
Ｉ電極６ａに交互に接続していることにある。
【００４３】この金（Ａｕ）バンプ７の形成は、第２の
実施例でも用いられた転写バンプ、Ｂ−ＴＡＢまたはマ
イクロバンプのいずれかの方式で行なわれる。
【００４４】キャリア基板３の下部にあたるポリイミド
テープ４上およびその外周面のポリイミドテープ４上に
は格子状に電極６ａおよびはんだバンプ９が形成されて
いる。これら電極６ｂおよびはんだバンプ９はポリイミ
ドテープ４内のスルーホール８内の導体リード５、金
（Ａｕ）バンプ７、およびＬＳＩ電極６ａを介してＬＳ
Ｉ１１に電気的に接続されている。
【００４５】図４（Ａ）および（Ｂ）を参照すると、本
発明の第４の実施例の特徴は、リード５を、ポリイミド
テープ４の外周に伸ばした実装構造にある。
【００４６】一方、図３（Ａ）および（Ｂ）に示される
第３の実施例は、リード５をポリイミドテープ４の外周
には伸ばさない場合の実装構造にある。
【００４７】これら第３の実施例および第４の実施例を
従来のＴＡＢ実装方式と比較すると以下の効果がある。
【００４８】すなわち、従来のＴＡＢ実装方式を採用し
たＬＳＩ実装構造では外周部に出したリード５の下部の
みにバンプが形成され、ＬＳＩの下部面にはバンプは形
成されていなかった。これに対し、本発明の特徴は、Ｌ
ＳＩ直下のポリイミドテープ４の下部面に格子状にバン
プ９を設けるフリップチップ実装としたことで高密度実
装が可能である。
【００４９】さらに本発明の第３の実施例および第４の
実施例を従来のＴＡＢテープと比較すると以下の効果が
ある。従来のＴＡＢテープを利用したＬＳＩ実装構造で
は、ＬＳＩ直下にデバイスホールを設けていたためＬＳ
Ｉ１下部面にバンプを形成することはできなかった。
【００５０】一方、本発明の特徴は、ＬＳＩの下部面に
ポリイミドテープ４を形成することによりバンプ９を形
成することができる。このため、内部リードボンディン
グの接続リードピッチは２倍に拡大し、内部リードボン
ディングの接続信頼性も向上する。
【００５１】次に、本発明の第５の実施例について図面
を参照して詳細に説明する。図５（Ａ）および（Ｂ）を
参照すると、本発明の第５の実施例の特徴は、格子状に
ＬＳＩ電極６ａを備えたＬＳＩ１、上面に格子状に設け
られたキャリア基板電極６ｃおよび金（Ａｕ）バンプ７
と中間にスルーホール８と下面にこのスルーホール８を
中の導体を介して上面のキャリア基板電極６ｃと対応し
たバンプ形成電極６ｂおよびはんだバンプ９を有するキ
ャリア基板３、およびＬＳＩ１とキャリア基板３とを接
着しかつキャリア基板電極６ｃおよび金バンプ７とＬＳ
Ｉ電極６ｃとを電気的に接続する熱伝導性接着剤２を含
むことにある。ＬＳＩ１およびキャリア基板３は、熱伝
導性接着剤２で熱圧着されるフリップチップ実装構造で
ある。ＬＳＩ１、キャリア基板３および熱伝導性接着剤
２の材料は、本発明の第１および第２の実施例の材料と
同じである。
【００５２】次に、本発明の第６の実施例について図面
を参照して詳細に説明する。
【００５３】図６（Ａ）および（Ｂ）を参照すると、本
発明の第６の実施例の特徴は、第４の実施例における熱
伝導性接着剤２およびキャリア基板３の代りにポッティ
ング樹脂１０がＬＳＩ１とポリイミドテープ４との間に
介在する。はんだバンプ９およびバンプ形成電極６ｂは
スルーホール８内の導体、ポリイミド上の電極６ｃ、リ
ード５、および金（Ａｕ）バンプ７を介してＬＳＩ電極
６ａに接続される。
【００５４】
【発明の効果】本発明は、ＬＳＩ１と回路基板１１、接
続用バンプ９との間に回路基板の熱膨張係数に合わせた
材料を設けることにより、バンプにかかる内部ストレス
の歪みを低減する効果を有する。
【００５５】本発明は、また、キャリア基板材料として
高熱伝導部材を使用していれば、ＬＳＩ１の背面のみな
らず、ＬＳＩのリード配線面からも効率よく冷却できる
という効果がある。
【００５６】本発明は、さらに、通常のボンディングワ
イヤ方式に用いられる電極部がＬＳＩの周辺部に並べて
形成してある半導体ＬＳＩチップをそのまま使用できる
ため、ＬＳＩにバンプを直接設ける必要がない。
【００５７】本発明の、バンプＴＡＢ方式などを応用す
ることによりバンプ形成が容易になり生産性が向上する
いう効果がある。
【００５８】本発明はリードを交互に行う構造を採用す
ることにより、内部リードボンディングのリードは２倍
になり、信頼性が増加するとともに製造しやすくなると
いう効果がある。
【００５９】本発明は電極面を下にしたフェイスダウン
方式で実装する構造を採用することにより実装密度の向
上をもたらし、薄型実装もできる。
【００６０】さらに本発明はエリアバンプ化による多ピ
ン化、最短結線による電気特性の向上、ノイズ対策もも
たらすことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（Ａ）は、本発明の第１の実施例の下面を示す
図である。（Ｂ）は、（Ａ）のａ−ａ’の断面を示す図
である。
【図２】（Ａ）は、本発明の第２の実施例の下面を示す
図である。（Ｂ）は、（Ａ）のａ−ａ’の断面を示す図
である。
【図３】（Ａ）は、本発明の第３の実施例の下面を示す
図である。（Ｂ）は、（Ａ）のａ−ａ’の断面を示す図
である。
【図４】（Ａ）は、本発明の第４の実施例の下面を示す
図である。（Ｂ）は、（Ａ）のａ−ａ’の断面を示す図
である。
【図５】（Ａ）は、本発明の第５の実施例の下面を示す
図である。（Ｂ）は、（Ａ）のａ−ａ’の断面を示す図
である。
【図６】（Ａ）は、本発明の第６の実施例の下面を示す
図である。（Ｂ）は、（Ａ）のａ−ａ’の断面を示す図
である。
【符号の説明】
１ ＬＳＩチップ ２ 熱伝導性接着剤 ３ キャリア基板 ４ ポリイミドテープ ５ リード ６ 電極パッド ６ａ ＬＳＩ電極 ６ｂ バンプ形成電極 ６ｃ ポリイミド上電極 ７ 金バンプ ８ スルーホール ９ はんだバンプ １０ ポッティング樹脂 １１ 回路基板

Claims (10)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 電極を有する半導体チップと、 回路基板と、 前記半導体チップと前記回路基板との間に前記半導体チ
    ップの熱膨張係数と前記回路基板の熱膨張係数との中間
    の熱膨張係数を有しかつ高熱伝導率を有する材料で形成
    されるキャリア基板と、 このキャリア基板および前記半導体チップを接着する熱
    伝導性接着剤と、 前記回路基板と前記キャリア基板との間に格子状に設け
    られたバンプとを含むことを特徴とする電子部品組立
    体。
  2. 【請求項２】 前記キャリア基板の前記回路基板に対抗
    する面に設けられた配線を含み、 前記バンプが配線および前記回路基板の間を電気的に接
    続することを特徴とする請求項１記載の電子部品組立
    体。
  3. 【請求項３】 電極を有する半導体チップと、 回路基板と、 前記半導体チップと前記回路基板との間に前記半導体チ
    ップの熱膨張係数と前記回路基板の熱膨張係数との中間
    の熱膨張係数を有しかつ高熱伝導率を有する材料で形成
    されるキャリア基板と、 このキャリア基板および前記半導体チップを接着する熱
    伝導性接着剤と、 前記キャリア基板と前記回路基板との間に設けられた絶
    縁性樹脂テープと、 この絶縁性樹脂テープと前記回路基板との間に設けられ
    前記回路基板に電気的に接続されるバンプとを含むこと
    を特徴とする電子部品組立体。
  4. 【請求項４】 前記キャリア基板と前記絶縁性樹脂テー
    プとの間に設けらた配線と、 前記絶縁性樹脂テープに設けられたスルーホールとをさ
    らに含み、 前記バンプのうちの少なくとも１つは前記スルーホール
    を介して前記配線と電気的に接続されていることを特徴
    とする請求項３記載の電子部品組立体。
  5. 【請求項５】 前記バンプが格子状に配置されているこ
    とを特徴とする請求項３記載の電子部品組立体。
  6. 【請求項６】 電極を有する半導体チップと、 回路基板と、 前記半導体チップと前記回路基板との間に前記半導体チ
    ップの熱膨張係数と前記回路基板の熱膨張係数との中間
    の熱膨張係数を有しかつ高熱伝導率を有する材料で形成
    されるキャリア基板と、 このキャリア基板および前記半導体チップを接着する熱
    伝導性接着剤と、 前記キャリア基板と前記回路基板との間に設けられ、前
    記半導体チップの周辺に位置する周辺部と前記半導体チ
    ップの下に位置し上面が前記半導体チップに対抗する中
    央部と前記周辺部および前記中央部の間に設けられた開
    口部とを含む絶縁性樹脂テープと、 この絶縁性樹脂テープと前記回路基板との間に設けられ
    前記回路基板に電気的に接続されるバンプとを含むこと
    を特徴とする電子部品組立体。
  7. 【請求項７】 前記キャリア基板と前記絶縁性樹脂テー
    プの前記中央部との間に設けられ、前記開口部上に延出
    して前記半導体チップの電極と接続された第１のリード
    と、 前記絶縁性樹脂テープの前記周辺部上に設けられ、前記
    開口部上に延出して前記半導体チップの電極と接続され
    る第２のリードとをさらに含むことを特徴とする請求項
    ６記載の電子部品組立体。
  8. 【請求項８】 前記第１のリードと前記第２のリードと
    が前記半導体チップの電極に交互に接続されていること
    を特徴とする請求項７記載の電子部品組立体。
  9. 【請求項９】 前記第２のリードを前記絶縁性樹脂テー
    プの外部に延出させたことを特徴とする請求項７記載の
    電子部品組立体。
  10. 【請求項１０】 電極を有する半導体チップと、 回路基板と、 前記半導体チップと前記回路基板との間に設けられたポ
    ッティング樹脂と、 このポッティング樹脂と前記回路基板との間に設けられ
    た絶縁性樹脂テープと、 この絶縁性樹脂テープと前記回路基板との間に設けられ
    前記回路基板に電気的に接続されるバンプとを含むこと
    を特徴とする電子部品組立体。
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