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JP2699433B2 - 投影型露光装置及び投影露光方法 - Google Patents

投影型露光装置及び投影露光方法

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JP2699433B2
JP2699433B2 JP63201078A JP20107888A JP2699433B2 JP 2699433 B2 JP2699433 B2 JP 2699433B2 JP 63201078 A JP63201078 A JP 63201078A JP 20107888 A JP20107888 A JP 20107888A JP 2699433 B2 JP2699433 B2 JP 2699433B2
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reticle
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projection optical
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雅臣 亀山
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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、投影型露光装置、特にその投影光学系の開
口絞り径を可変にした露光装置に関する。
〔従来の技術〕
従来、LSIや超LSI等の極微細パターンからなる半導体
素子の製造に縮小投影型露光装置が使用されており、よ
り一層微細なパターンを転写するために多大の努力が続
けられている。このようなパターンの微細化に対応する
ために、露光光の短波長化と共に、投影光学径の開口数
（以下、NAと略称する。）の増大が図られてきており、
NA＝0.5を越える投影光学系も実現されてきている。
そして、このように大きなNAを有する投影光学系を用
いた実際の投影露光においては、照明条件を最適化する
ことが重要となっている。このために、投影光学系のNA
に対する照明光学系のNAの比に相当する所謂σ値の調節
によって、所定のパターンについての解像力とコントラ
ストとの適切なバランスを得るように両光学系のNAを調
整することが、例えば実開昭61−151号公報等により知
られている。また、NAが増大すればするほど焦点深度が
浅くなるため、レチクル上の微細パターンをウンハ上に
露光転写する時の焦点整合条件が極めて厳しくなり、わ
ずかの焦点変動があってもパターンの転写が正確になさ
れないという問題があった。このため、投影光学系のNA
を適宜変えることが提案されており、一般には微細なパ
ターンの露光焼付に際して、投影光学系のNAを大きくす
ると限界解像力が良くなる反面焦点深度が浅くなり、逆
にNAを小さくすると限界解像力が悪化する反面焦点深度
が深くなることが知られている。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、上記の如き従来の装置においては、投
影光学系の最適なNAの値は、投影しようとする所定の微
細パターンに対して種々の実験や試し露光等により実験
的或いは経験的に選定することが必要であるために、多
大の労力と時間を要し、多種類の露光パターンを次々に
投影露光する場合には、製造工程上無視できない負担と
なってきている。
本発明は、上述の如き欠点を解消して、所定のパター
ンに対して投影光学系の適切なNAを簡単に求めることが
でき、最適な投影露光状態を容易に設定して、一層微細
化しつつあるパターンの転写を迅速且つ正確に行い得る
投影型露光装置を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕 本発明は、第１図に例示される如き所定の微細パター
ンを有するレチクルを照明するための照明光学系と、該
レチクル上のパターンをウエハ面上に投影するための投
影光学系と、該投影光学系の開口絞りの口径を可変とす
る絞り手段とを有する投影型露光装置において、レチク
ル上の微細パターンで発生する回折光のうちの大きな回
折角の回折光、すなわち該パターンの像形成に必須でな
い高次の回折光を除くように投影光学系の絞り開口を制
限する構成としたものである。具体的には、レチクル上
の最小パターンに対応する情報を取り入れるための最小
パターン情報受け入れ手段と、該最小パターン情報受け
入れ手段からの情報に応じて該最小パターンによって発
生する高次回折光を除去し得る絞り径に前記投影光学系
の可変絞り手段の口径を制御するための絞り制御手段を
設けたものである。
このような構成において、最小パターン情報受け入れ
手段は前記最小パターンの線幅の情報を受け入れ、絞り
制御手段は前記最小パターンの線幅の情報に基づいて該
最小パターンにより前記照明光学系から供給される照明
光の２次以上の高次回折光の回折角に対応する絞り開口
の口径を求め、該開口系よりも小さな口径に絞り手段を
制御する構成とすることが好ましい。さらに、絞り制御
手段は、最小パターンにおいて発生する１次回折光の角
度と、照明光学系のレチクルに対する照明光束の開き角
度との和の角度に対応する口径と略同一の口径に、絞り
手段の口径を制御するように構成することが望ましい。
〔作 用〕
上記の如き本発明の基本構成によれば、レチクル上の
所定の微細パターンにおいて発生する高次回折光を除
き、０次及び１次の回折光のみによって該微細パターン
の投影転写を行うため、焦点深度を比較的大きく維持す
ることが可能である。
即ち、レチクル上のパターンにおいて発生する高次回
折光は１次回折光に比較すると、回折角度が大きいた
め、ウエハ上へも大きな角度をもって集光する。このた
め、ウエハの位置が焦点位置から外れている場合に生ず
るボケの程度は、１次回折光よりも高次回折光により著
しくなる。この結果、焦点整合状態においては、高次回
折光の寄与により像の鮮明度は高まるものの、焦点外れ
の状態においては高次回折光の存在のために像の鮮明度
が急激に劣化することになり、焦点深度を実質的に浅く
することになっている。一方、一般の投影型露光装置に
よる露光工程では、ウエハ上に塗布されるフォトレジス
トの感光特性を示すγ（ガンマ）値は、通常1.5以上で
あるため、０次光と１次回折光との光のみによってフォ
トレジストを感光させることによって十分な解像を得る
ことが可能である。
従って、レチクル上の微細パターンで発生する高次回
折光が投影光学系の入射瞳（開口絞りのレチクル側から
みた像）の周辺部に入射する性質を利用して、開口絞り
の開口径を高次回折光を遮断して０次光と１次回折光の
みを通過させて微細パターンの投影に寄与するように構
成することによって、実質的焦点深度を高めつつ実用上
十分な解像を得ることが可能である。そして、投影光学
系の開口絞りの口径を、照明光学系のNAと１次回折光の
角度との和に対応する口径の大きさとすることによっ
て、照明光学系のNAに対応する照明光束の０次光と１次
回折光とを総てウエハ上での結像に寄与させることがで
きる。
ここで、回折光についての説明を加えるに、半導体素
子の製造に用いられるレチクル上のパターンは、一般的
には、ラインとスペースとの幅が等しい1:1ライン・ア
ンド・スペースのパターンとみることができる。レチク
ル上のパターンが1:1ライン・アンド・スペースのパタ
ーンであるとすると、このパターンからのｎ次回折光の
回折角θは、照明光の波長をλとして、 sinθ＝ｎλ/2d （１） の関係を満たす。ここで、ｄはライン及びスペースの幅
であり、ｎは回折次数であり、ｎ＝1,3,5,…である。
尚、その他の周期パターンでは、2dの代わりにパターン
のピッチｐを用いて表され、ｎ＝2,4,6,…の方向にも回
折光が発生する。
理想的な1:1ライン・アンド・スペースパターンの場
合の回折光の強度分布は、第２図に示す如く、０次の
他、１次、３次、５次の奇数次のみとなり、偶数次の回
折光は発生しない。そして、図示のとおり０次と１次の
回折光の強度が際立って大きく０次光と１次光とが支配
的である。実際の1:1ライン・アンド・スペースパター
ンの場合には、パターン数が有限なため第２図ほど明確
な強度分布とはならず、各次回折角の中間にも弱い回折
光が発生するが、０次、１次回折光に比べてその強度は
極めて小さいため、本発明の如く２次以上の高次回折光
を遮光しても、実質的光量の不足を来す恐れはない。
また、孤立線や矩形の孤立穴などの孤立パターンの場
合には、回折角θ方向の回折光強度は、パターン幅を
ｄ、光の波長をλとして、次のように表される。
但し、ｋは定数であり である。
そして、上記（１）式の1:1ライン・アンド・スペー
スパターンの回折次数を用いて表せば、 となり、第３図の如き強度分布特性を有する。すなわ
ち、孤立パターンからは、上記1:1ライン・アンド・ス
ペースパターンの回折特性における、０次〜２次及び２
次〜４次，…相当の比較的広い角度範囲に回折光が発生
する。そして、このような孤立パターンの場合にも、1:
1ライン・アンド・スペースパターンにおける、０次〜
１次に相当する回折角範囲の回折光が支配的であり、２
次以上の高次相当回折光を遮光しても、実質的光量を不
足をきたす恐れはない。
尚、孤立パターンによる回折光強度の分布は、第３図
に示す如くsinc関数で表されており、この強度分布にお
ける低次回折光DL及び高次回折光DHの各成分は、第２図
に示した如きライン・アンド・スペースパターンの場合
の０〜２次、２次〜４次の回折角相当成分に対応する。
従って、上の記述は孤立パターンで発生する回折光のう
ち、sinc関数分布の高次回折光成分を遮光すると言い換
えることができる。
〔実 施 例〕
以下、本発明を図示した実施例に基づいて説明する。
第１図は本発明による投影型露光装置の一実施例の概
略構成を示す斜視図である。
超高圧水銀灯１から発する短波長光は、楕円鏡２で反
射され、コールドミラー３で反射されて楕円鏡の第２焦
点上に集光される。そして、コリメーターレンズや光束
分布補正用のコーン状プリズム等からなる集光光学系４
を通過し、フライアイレンズ群からなる如きインテグレ
ータ部材５によって、照明系絞り６の位置に実質的面光
源を形成する。絞り６の位置の実質的光源からの光束
は、リレーレンズ８、ミラー９及びコンデンサーレンズ
10を介して、破線で示す11′の位置に配置されるレチク
ル11をほぼ均一に照明する。レチクル11上の図示なきパ
ターンは、投影対物レンズ14によってウエハ17上に所定
の倍率で投影され、ウエハ17上のフォトレジストを感光
させ所定の化学処理により、レチクルパターンに対応す
るパターンがウエハ上に転写される。投影対物レンズ14
内には口径可変の開口絞り15が配置されており、その口
径を制御するための絞りアクチュエータ16が図示なき対
物レンズ鏡筒の周囲に設置されている。絞りアクチュエ
ータ16はリニアエンコーダー等の変位検出器を内蔵して
おり、絞り口径に対応する情報を有している。照明光学
系内の開口絞り６と投影対物レンズ内の開口絞り15とは
互いに共役に配置されており、投影対物レンズ内の開口
絞り15上での絞り６の像の大きさの比がσ値に対応す
る。
レチクル11は破線で示した11′の位置に、図示なきレ
チクル搬送機構によって移動設置される。レチクル搬送
機構に沿って、最小パターン情報受け入れ手段としての
バーコードリーダー13が配置されており、レチクル11の
移動中に、レチクル11上の周囲の所定位置に形成された
バーコード12を読み取る。このバーコード12には、レチ
クルの整理番号等の情報にに加えて、そのレチクルに形
成されたパターン中での最小パターンの線幅の情報、例
えば0.7μｍ（ウエハ上）の情報が盛り込まれており、
バーコードリーダー13により、露光に用いるレチクルの
最小パターン幅の情報を読み取る。バーコードリーダー
13からの最小線幅情報は、演算手段としてのCPU18に入
力される。演算手段18では、バーコードリーダー13から
の情報により、露光パターンの最小線幅値0.7μｍの値
から、このパターンから発する１次回折光の回折角θ１
を求め、また照明系絞り６の絞りアクチュエータ７から
照明系のNAに対応するレチクル面上での照明光の開き角
θ０の情報を取り入れる。そして、投影対物レンズの絞
り15の位置で、１次回折光の回折角θ１と照明光の開き
角θ０との和（θ１＋θ０）に対応する開口口径値を求
め、この口径値になるように絞り制御手段16に信号を送
り、絞りアクチュエータ16により絞り15の口径が角度
（θ１＋θ０）に対応する開口口径に設定される。
ここで、照明光の開き角θ０は、照明系絞り６の口径
で決定される照明系のNAsとの間に、 NAs＝sinθ０ （４） の関係がある。また（１）式よりレチクルに角度θ０で
入射した光の１次回折角度θ１は、 を満たすので、（４）式より となり、投影対物レンズの物体側開口数NA0を NA0＝sinθ１ とすれば、１次回折光をすべて結像に寄与させることが
できる。従って、 となるように投影対物レンズの開口絞りを制御すればよ
い。
このようにして、レチクル11が投影露光のための所定
位置に配置されるまでには、投影対物レンズの開口絞り
15がそのレチクルの最小線幅パターンに最適な開口に設
定され、比較的大きな焦点深度を維持しつつ微細パター
ンを鮮明に転写することが可能となる。
第４図（Ａ）及び（Ｂ）は投影対物レンズによる結像
の様子を示す光線図であり、レチクル上の最も微細なパ
ターンが1:1ライン・アンド・スペースパターンである
場合を示している。図では、理解し易くするために、投
影対物レンズのが入射瞳と射出瞳との位置が瞳Ｐとして
一致し、瞳倍率も等倍であるものとして示した。
図示の如く、照明光学系から開き角θ０で照明される
1:1ライン・アンド・スペースパターンからの各回折光
が投影対物レンズの収斂作用によってウエハ17上に集光
される。レチクル11の1:1ライン・アンド・スペースパ
ターンからの１次回折光D+1,D-1はそれぞれ光軸に対し
て中心角度θ１で投影対物レンズの瞳Ｐ面上に達し、ウ
エハ17上に集光される。２次の回折光は第３図に示した
とおり、存在しない。３次の回折光D+3,D-3はそれぞれ
光軸に対して中心角度θ３で投影対物レンズの瞳Ｐ面上
に達し、ウエハ17上に集光される。
第４図（Ｂ）は、第４図（Ａ）に示される如き回折光
の結像状態において、第１図に示した如き構成によって
投影対物レンズの絞り15の口径を適切に制御した結果の
状態を示している。すなわち、３次の回折光D+3,D-3は
絞りによって遮光されるため、ウエハ17上での微細パタ
ーンの結像に寄与する光束は、０次回折光D0と１次回折
光D+1,D-1のみとなっている。図では瞳Ｐ面上での絞り
像の開口径ΦＰの中を、０次回折光D0と１次回折光D+1,
D-1が通過する。尚、絞り像の開口径ΦＰは投影対物レ
ンズの開口数NA0に対応しており、実際の開口絞りの口
径Φとは、開口絞りに対する入射瞳（レチクル側瞳）の
像倍率をβとするとき、ΦＰ＝βΦの関係にある。
いま、レチクル上の最も微細なパターンの線幅を8.0
μｍとし、露光波長λ＝435.8nmによって照明系のNAをN
As＝0.05とするとき、投影対物レンズのレチクル側開口
数は、（５）式により、0.077となる。
第５図（Ａ）（Ｂ）は、レチクル上の最も微細なパタ
ーンが孤立線からなる孤立パターンである場合の結像光
線の様子を示す光線図である。この場合にも、第５図
（Ａ）に示すとおり、照明光学系から開き角θ０で照明
される孤立パターンからの各回折光が投影対物レンズの
収斂作用によってウエハ17上に集光される。レチクル11
の孤立パターンからの第３図の如きsinc関数分布での低
次回折光DLは投影対物レンズの瞳Ｐ面上に達し、ウエハ
17上に集光される。また、sinc関数分布での高次の回折
光D+H,D-Hはそれぞれ光軸に対して中心角度θ１で投影
対物レンズの瞳Ｐ面上に達し、ウエハ17上に集光され
る。この孤立パターンの場合には第３図に示した如く、
ｎ＝2,4の回折光強度はほぼ零とみなせ、それを除く範
囲にわたって連続的に回折光が分布している。
第５図（Ｂ）は、第５図（Ａ）に示される如き孤立パ
ターンからの回折光の結像状態において、投影対物レン
ズの絞り15の口径を適切に制御した結果の状態を示して
いる。すなわち、高次の回折光D+H,D-Hは絞りによって
遮光されるため、ウエハ17上での微細パターンの結像に
寄与する光束は、低次回折光DLのみとなっている。図で
は瞳Ｐ面上での絞り像の開口径ΦＰの中を、低次回折光
DLのみが通過する。
この孤立線の線幅が前記ライン・アンド・スペースパ
ターンの線幅と同一であるとすれば、同一の照明系NAと
同一の露光光の場合には、投影対物レンズの開口数は、
第４図（Ｂ）の場合と同様に0.077とすることが適正で
ある。そして、このような絞りによって高次回折光を除
去したとしても、投影のための光量の損失は前述したと
おり実質的には問題ない程度である。
尚、図示した上記の説明では、回折光を生ずるパター
ンがいずれも光軸上に位置する場合としたが、これは理
解を容易とするためであり、光軸外に微細パターンが存
在する場合でも瞳Ｐ面上では回折光の分布はほぼ同様で
あるため、上記の説明は一般性を失うものではない。
ところで、上記実施例においては、投影対物レンズの
開口絞り径を、レチクル上の最小パターンにおいて発生
する１次回折光の角度と照明光学系のレチクルに対する
照明光束の開き角度との和の角度に対応する口径と略同
一に制御する構成としたが、第２図や第４図（Ａ）に例
示されるごとき回折光の分布状態からすれば、１次回折
光の回折角度を求める代わりに、高次回折光として３次
回折光の回折角を求め、この３次回折角に対応する口径
よりもやや小さい口径に開口絞り15の口径を制御するよ
うに構成することも可能である。
また、第１図に示した実施例の構成において、照明光
学系の開口絞り６の口径を絞りアクチュエータ７によっ
て可変にすることができる。この場合、演算手段18にお
いて照明系開口絞り６の開口口径の値に対応して変化す
る照明系のNAの値を求め、投影対物レンズの開口絞り15
の口径を上記（５）式によって最適に調整することが好
ましい。
尚、本実施例では最小パターン情報受け入れ手段とし
てバーコードリーダーを用いたが、これに限らず例えば
レーザ光を照射してその回折光を検出することによって
最小パターン幅を自動的に検出する装置とすることも可
能であり、マニュアルで最小パターンの線幅値を直接演
算手段に入力するための最小線幅入力手段として構成す
ることも可能である。
また、例えば本願と同一出願人による特開昭59−9403
2号公報に開示されるように、ウエハステージ上に移動
可能なスリットとその透過光を受光する光電検出器とを
設けて、レチクルを所定の露光位置に配置した状態にお
いて、露光と同一の照明状態で照明してステージ上のレ
チクルパターン像の幅を計測することによって、レチク
ルパターンの最小線幅を求める構成とすることも可能で
ある。これとは逆に、ステージ上からスリットをレチク
ル側に投影して照明光学系内の光分割器を介して、レチ
クルパターンに対してステージスリットを移動させてレ
チクルパターンの幅を光電検出する構成とすることも可
能である。このように投影対物レンズそのものを介して
ステージスリットによりレチクルパターンの線幅計測を
行う際に、投影対物レンズの絞り径を適宜変化させて計
測することによって、そのレチクルパターンについての
最適な開口数を求めることも可能であり、このような手
段も前記演算手段が包含し得るものである。
第６図（Ａ）はこのような投影対物レンズそのものを
介してステージスリットによりレチクルパターンの線幅
計測を行うに好適なレチクルの概要を示す斜視図であ
る。矩形の有効パターン領域PAは所定幅の遮光帯SLで囲
まれており、遮光帯SLの外側の３個所にはレチクル11の
アライメントのためのマークRMx,RMy,RMθが設けられて
いる。例えば、マークRMxの近傍にはパターン領域PA内
に形成された最小線幅と同一幅の参照パターンTPx,TPy
が設けられている。参照パターンTPxは、ｙ方向に伸び
た直線状パターンの集合体であり、参照パターンTPy
は、ｘ方向に伸びた直線状パターンの集合体である。例
えば、参照パターンTPxは第６図（Ｂ）に拡大して示さ
れるように、暗部の孤立線P1と1:1ライン・アンド・ス
ペースパターンP2及び明部の孤立線P3とで構成されてい
る。このようなレチクル上の参照パターンのステージ上
での像を前述した如くステージスリットで走査すること
とすれば、各参照パターンの線幅を直接計測することが
可能となる。この際、照明光学系内に配置されている図
示なき視野絞り（レチクルブラインド）の開口形状を遮
光帯SLよりも拡げて参照パターンTPx,TPyをも照明する
こととするのが好ましい。このような構成によれば、種
々のパターンが混在するレチクルにおいて、参照パター
ンとして代表的なパターンを設けておけるので、そのレ
チクルの露光に最適な投影対物レンズの開口数を迅速か
つ的確に選定することが可能である。
〔発明の効果〕
以上の如き本発明によれば、レチクル上の所定のパタ
ーンに対して投影光学系の適切なNAを簡単に求めること
ができ、最適な投影露光状態を容易に設定することがで
きる。従って、一層微細化しつつあるパターンの転写を
迅速且つ正確に行い得る投影型露光装置が実現でき、超
LSI等の高集積半導体素子の製造に大きく寄与し得るも
のである。
尚、本発明は例示した水銀灯を光源とする投影型露光
装置に限らず、レーザを光源とする投影型露光装置にお
いても同様に有効であり、レーザを光源とする場合に
は、照明光学系内の開口絞りの位置において実質的面光
源を形成するためのインテグレータやビーム操作手段等
を設けて、上記実施例と同様にパーシャルコヒーレント
な照明状態とすることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による実施例の構成を示す概略斜視図、
第２図はレチクルのパターンが理想的な1:1ライン・ア
ンド・スペースパターンである場合の回折光の強度分布
を示す図、第３図はレチクルのパターンが孤立パターン
である場合の回折光の強度分布を示す図、第４図（Ａ）
（Ｂ）はレチクル上のパターンが1:1ライン・アンド・
スペースパターンである場合の結像光線の様子を示す説
明図であり（Ａ）は投影対物レンズの絞りを制御しない
状態を示し（Ｂ）は本発明に基づいて投影対物レンズの
絞りを適切に制御した場合を示し、第５図（Ａ）（Ｂ）
はレチクル上のパターンが孤立パターンである場合の結
像光線の様子を示す説明図であり（Ａ）は投影対物レン
ズの絞りを制御しない状態を示し（Ｂ）は本発明に基づ
いて投影対物レンズの絞りを適切に制御した場合を示
し、第６図（Ａ）はレチクルパターンの線幅計測を行う
に好適なレチクルの概要を示す斜視図、第６図（Ｂ）は
レチクル上に設けられた参照パターンを示す拡大斜視図
である。 〔主要部分の符号の説明〕 １……光源（照明光学系） ６……照明光学系内の開口絞り（照明光学系） ８……リレーレンズ（照明光学系） 10……コンデンサーレンズ照明光学系 11……レチクル,17……ウエハ 13……最小パターン情報受け入れ手段（バーコードリー
ダー） 14……投影光学系（投影対物レンズ） 15……投影光学系内の開口絞り 16……絞りアクチュエータ（絞り制御手段） 18……演算手段（絞り制御手段）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 亀山 雅臣 東京都品川区西大井１丁目６番３号 株 式会社ニコン大井製作所内 (72)発明者 蛭川 茂 東京都品川区西大井１丁目６番３号 株 式会社ニコン大井製作所内 (72)発明者 中村 信一 東京都品川区西大井１丁目６番３号 株 式会社ニコン大井製作所内

Claims (15)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】レチクルを照明するための照明光学系と、
    該レチクル上のパターンを基板上に投影するための投影
    光学系と、該投影光学系の開口数を可変とする開口絞り
    とを有する投影型露光装置において、 前記レチクル上のパターン情報を得るためのパターン情
    報受け入れ手段と、該パターン情報受け入れ手段からの
    パターン情報に応じて、前記投影光学系の開口絞りを制
    御する絞り制御手段とを有することを特徴とする投影型
    露光装置。
  2. 【請求項２】前記パターン情報受け入れ手段は、前記パ
    ターンの線幅の情報を得ることを特徴とする特許請求の
    範囲第１項記載の投影型露光装置。
  3. 【請求項３】前記絞り制御手段は、前記レチクル上のパ
    ターンから発生する回折光のうち、２次以上の高次回折
    光を除去するように前記開口絞りを制御することを特徴
    とする特許請求の範囲第１項に記載の投影型露光装置。
  4. 【請求項４】前記照明光学系は前記レチクルに対する照
    明光束の開き角度を制御するための開口絞りを有し、前
    記絞り制御手段は前記投影光学系の開口絞りとともに前
    記照明光学系の開口絞りを制御することを特徴とする特
    許請求の範囲第１項記載の投影型露光装置。
  5. 【請求項５】前記絞り制御手段は、前記レチクルに対す
    る照明光束の開き角度に基づいて前記開口絞りを制御す
    ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の投影型
    露光装置。
  6. 【請求項６】レチクルのパターンを投影光学系を介して
    基板上に投影する投影露光方法において、 前記パターンから発生する回折光のうち、２次以上の高
    次回折光を除去するように前記投影光学系の開口絞りを
    調整し、 該調整後の投影光学系により前記レチクルのパターンを
    前記基板上に投影することを特徴とする投影露光方法。
  7. 【請求項７】前記レチクルのパターンの線幅に応じて前
    記開口絞りを調整することを特徴とする特許請求の範囲
    第６項記載の投影露光方法。
  8. 【請求項８】照明光学系からの照明光で照明されたレチ
    クルのパターンの像を投影光学系を介して基板上に投影
    する投影露光方法において、 前記レチクルのパターンの情報を入力し、 該入力されたパターンの情報に基づいて前記投影光学系
    の開口絞りを調整し、該調整後の投影光学系により前記
    レチクルのパターン像を前記基板上に投影することを特
    徴とする投影露光方法。
  9. 【請求項９】前記レチクルのパターンの情報は、前記パ
    ターンの線幅情報であることを特徴とする特許請求の範
    囲第８項に記載の投影露光方法。
  10. 【請求項１０】前記レチクルのパターン情報を入力する
    工程は、前記レチクルの搬送中に前記レチクルの一部に
    設けられたバーコードを読み取ることを特徴とする特許
    請求の範囲第８項に記載の投影露光方法。
  11. 【請求項１１】前記レチクルのパターン情報を入力する
    工程は、前記レチクルのパターンの線幅を計測すること
    を特徴とする特許請求の範囲第８項に記載の投影露光方
    法。
  12. 【請求項１２】レチクルのパターンの像を投影光学系を
    介して基板上に投影する投影露光方法において、 前記レチクルに照射される照明光の開き角と前記レチク
    ルのパターンから発生する回折光の回折角とに基づい
    て、前記投影光学系の開口絞りを調整し、 該調整後の投影光学系により前記レチクルのパターンを
    前記基板上に投影することを特徴とする投影露光方法。
  13. 【請求項１３】レチクルのパターンの像を投影光学系を
    介して基板上に投影する投影露光方法において、 前記パターンから発生する回折光のうち該パターンの像
    形成に必須でない回折光を除くように、前記レチクルの
    パターンの最小線幅に応じて、前記投影光学系の開口絞
    りを調整し、 該調整後の投影光学系により前記レチクルのパターンを
    前記基板上に投影することを特徴とする投影露光方法。
  14. 【請求項１４】レチクルのパターンの像を投影光学系を
    介して基板上に投影する投影露光方法において、 前記レチクルのパターンから発生する回折光のうち該パ
    ターンの像形成に必須でない回折光を除くように、前記
    レチクルのパターンから発生する回折光の前記投影光学
    系の瞳面上での分布に応じて、前記投影光学系の開口絞
    りを調整し、 該調整後の投影光学系により前記レチクルのパターンを
    前記基板上に投影することを特徴とする投影露光方法。
  15. 【請求項１５】照明光学系からの照明光で照明されたレ
    チクルのパターンの像を投影光学系を介して基板上に投
    影する投影露光方法において、 前記レチクルのパターンに関する情報と前記照明光学系
    の開口絞りに関する情報とに基づいて前記投影光学系の
    開口絞りを調整し、 該調整後の投影光学系により前記レチクルのパターンを
    前記基板上に投影することを特徴とする投影露光方法。
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