JP2682542B2 - メモリカードの製造方法 - Google Patents
メモリカードの製造方法Info
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- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数本の光フアイ
バケーブルを並列に並べ透光領域と遮光領域とを形成
し、所定情報を記録するメモリカードの製造方法に関す
るものである。 【０００２】 【従来の技術】従来の銀行カードやクレジツトカード等
においては、プラスチツクスで形成したカード表面に磁
気ストライプを形成し、ここに各種情報を書込んでい
た。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】しかし、磁気ストライ
プ上に所定情報を書込んでおいても、カードを強い磁界
中に置くと書込まれた情報が破壊され、使用不能になつ
てしまう。また、磁気記録カードは容易に読取り／書込
みが行なえるため、カードの偽造や改竄がなされる危険
性が高かつた。 【０００４】あるいは、以上の欠点に鑑み、実開昭６０
ー１６４０６５号の様に、磁気ストライプに各種情報を
記憶する磁気カードに、外部から容易に判別できないよ
うに例えば１本の光フアイバを埋設し、この埋設された
光フアイバを光が透過することを検出して偽造カードで
ないことを確認したり、あるいは複数本の特性の異なる
光フアイバを埋設してこの光フアイバの特性の相違によ
る光の透過量の相違を検出してカードの種類の判別など
に使用するものがあった。 【０００５】しかしながら、このカードは、いずれの場
合であっても予め用意された光フアイバを単に埋設する
のみであるため、光フアイバを埋設したことに伴う作用
効果は、単にカード中に光を透過する場所があるか否
か、あるいは、透過された光の強度に所定の相違がある
か否かと行った非常に単純且つ硬直的なものにすぎず、
光フアイバを埋設していることが判別されればやはり容
易に偽造されてしまう欠点を有していた。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】本発明は上述の課題を
解決することを目的として成されたもので、容易に情報
の破壊や書換えが行なわれない信頼性の高いカードを提
供するため以下の構成を備える。即ち、光フアイバケー
ブルを必要数並列に並べて接着する接着工程と、前記接
着工程に続き当該接着ケーブル列を所定幅に切断する切
断工程と、前記切断工程に続き光フアイバケーブルの両
端面を研磨する研磨工程と、前記研磨工程に続き光フア
イバケーブル列の所定位置の光フアイバケーブルの一部
を変形させ前記光フアイバケーブルの光透過率を変更す
る変形工程と、前記変形工程に続き光フアイバケーブル
列をコーテイングするコーテイング工程とにより製造さ
れるメモリカードであることを特徴とする。 【０００７】また、光フアイバケーブルを必要数並列に
並べて接着する接着工程と、前記接着工程に続き当該接
着光フアイバケーブル列を所定幅に切断する切断工程
と、前記切断工程に続き光フアイバケーブルの両端面を
研磨する研磨工程と、前記研磨工程に続き光フアイバケ
ーブル列をコーテイングするコーテイング工程と、前記
コーテイング工程によりコーテイングされた光フアイバ
ケーブル列の所定位置の光フアイバケーブルの一部を変
形させ前記光フアイバケーブルの光透過率を変更する変
形工程とにより製造されるメモリカードであることを特
徴とする。 【０００８】 【作用】以上の構成により、光フアイバケーブルを光が
透光するか否かで所定情報を記録しているため、記録情
報の破壊や、カードの偽造や改竄が困難なメモリカード
を提供できる。また、光フアイバケーブルそのものを変
形等して透光／遮光状態としているため、外部からはこ
の設定情報が容易に判別することができず、また、一旦
遮光状態とした後は再び透光状態に戻すことが困難であ
ることより、メモリカードの改竄される可能性をなくす
ことが可能である。 【０００９】 【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明に係
る発明の実施の形態の一例を詳説する。 ［第１の実施の形態］図１は本発明に係る発明の実施の
形態の一例のメモリカードの外観斜視図であり、本実施
の形態においては、メモリカードとしてＲＯＭカードに
適用した場合を例に説明する。本例のＲＯＭカード１０
は、カードの厚さ中心部に横方向に並行に複数の光フア
イバケーブルを並べ、プラスチツクでコーテイングして
カード状に形成している。 【００１０】そして、表面に従来の磁気カードと同様の
磁気ストライプ１５を形成しており、磁気ストライプ部
分には、公知の磁気ヘツドにより所定の情報を書込み／
読出し自在となつている。本実施の形態のＲＯＭカード
１０は、図示の如く１列に並べた光フアイバケーブル１
１の一部を押圧して押し潰し、この部分で光が透過しな
いようにした光フアイバケーブルと、何らの変形を与え
ず、入射光が反対側に透過する光フアイバケーブルとの
組合せにより”０”、”１”の２値化情報を記録するも
のである。 【００１１】そしてカード１０の両側面の光フアイバ面
を鏡面仕上げとし、半導体レーザ又は発光ダイオード等
で構成される発光素子２１よりの出力光は集束レンズ２
２で集束され、光フアイバケーブル１１の直径よりやや
小さい径の光ビームとしてこの光フアイバケーブル１１
の１本毎に入射される。この各光フアイバケーブル１１
に入射されたビーム光は、フアイバケーブルの一部に潰
された箇所がある場合にはそこで遮光され、反対側まで
達しない。一方、このような箇所のない場合には図示の
如く、反対側まで透光する。 【００１２】このため、ビーム光照射部の反対側の光ケ
ーブル面に近接して受光素子３１を配設し、受光素子３
１にこのビーム光が到達するか否かを判断することによ
り任意の情報を記録させ、読出すことができる。なお、
本実施の形態では直径０．３mmの光フアイバケーブルを
用いており、通常のカードで８０００本以上を並列に配
設することができる。更に大容量の記録容量が必要な場
合には例えば直径０．１mmの光フアイバケーブルを用い
ることにより、 約８万本の光フアイバケーブルをカー
ド内に並べることができ、大容量のＲＯＭカードとする
ことができる。 【００１３】次にこのＲＯＭカードの製造方法を図２の
工程フローチヤートを参照して説明する。まず、工程Ｓ
１で所定長さの光フアイバケーブルを記録容量に合せて
カードの長さ以下の必要幅に一列に並べて互いに接着さ
せる。次に工程 Ｓ２でこの光フアイバ列をカードの横
幅に合せた所定長さ毎に切断する。この切断状態を図３
に示す。図３図示の如く、多数の光フアイバ列 １１
ａ、１１ｂ、・・・・に分離する。そして 工程Ｓ３で
この切断した光フアイバケーブルの両端面を研磨し、光
の入射及び出光がスムーズに行なえるよう鏡面仕上げす
る。 【００１４】これによりカードベースが出来たことにな
り、この状態のときに製造すべきカードに記録させる情
報に従つて光を透過させない部分の光フアイバケーブル
の一部を押圧して潰し、光が反対側まで到達しないよう
にする。そして工程Ｓ５でこの情報を記録した光フアイ
バ列の上下両面をプラスチツクスでコーテイングする。 【００１５】なお、上述の工程Ｓ４における情報の記録
は、光フアイバ列の片面をプラスチツクでコーテイング
し、他の面のみを露出、又は容易に変形する程度のコー
テイングを施した状態とし、この状態で上面より針状の
押圧部材で等で押圧して所定位置の光フアイバを押し潰
すようにしてもよい。そして、上面にもプラスチツクで
コーテイングすればよい。 【００１６】一応この工程Ｓ１〜Ｓ５まででＲＯＭカー
ドの製造は終了することになるが、図１の如く、更にカ
ードに強磁性体の帯を塗布し、磁気ストラ イプを形成
して磁気記録を可能とすることができる。即ち、工程Ｓ
６で磁気ストライプを形成するか否かを判別し、磁気ス
トライプを形成しない時には工程Ｓ８に進み、磁気スト
ライプを形成する場合には工程Ｓ７でＲＯＭカードの所
定位置に強磁性体を塗布して磁気ストライプを形成す
る。 【００１７】そして、工程Ｓ８で必要な他の事項をシル
ク印刷その他の方法で印刷し、更に工程Ｓ９で表面に保
護膜を形成して表面を再コーテイングして完成する。工
程Ｓ８では記録内容に対応したカードに固有の情報等を
可視表示すればよい。以上の様にして製造されたＲＯＭ
カードにおいては、通常の環境においては記録内容が破
壊されることもなくなる。 【００１８】この記録情報にパリテイコード等を付加し
ておくことにより、記録内容を改竄することはほとんど
不可能となる。また、記録の最初及び最後に固有のスタ
ートコード及びエンドコードを記録しておくことによ
り、磁気記録部との同期等も取り易くなる。 【００１９】 【００２０】 【００２１】 【００２２】 【００２３】 【００２４】なお、以上の説明においては、光フアイバ
ケーブルをカードの横幅方向に平行に多数配設した構成
を例として説明したが、本発明はこれに限るものではな
く、この光フアイバケーブルをカードの長手方向に平行
に多数配設した構成として、縦に発光素子と受光素子を
設けてもよいことはもちろんである。 【００２５】 【発明の効果】以上説明した様に本発明によれば、固定
データを光フアイバケーブルを介して光ビームが透光す
る部分と遮光しない部分とで表わすことができ、容易に
情報の破壊や書換の行なわれない信頼性の高いメモリカ
ードを提供することができる。また、光フアイバケーブ
ルそのものを変形等して透光／遮光状態としているた
め、外部からはこの設定情報が容易に判別することがで
きず、また、一旦遮光状態とした後は再び透光状態に戻
すことが困難であることより、メモリカードの改竄され
る可能性をなくすことが可能である。
バケーブルを並列に並べ透光領域と遮光領域とを形成
し、所定情報を記録するメモリカードの製造方法に関す
るものである。 【０００２】 【従来の技術】従来の銀行カードやクレジツトカード等
においては、プラスチツクスで形成したカード表面に磁
気ストライプを形成し、ここに各種情報を書込んでい
た。 【０００３】 【発明が解決しようとする課題】しかし、磁気ストライ
プ上に所定情報を書込んでおいても、カードを強い磁界
中に置くと書込まれた情報が破壊され、使用不能になつ
てしまう。また、磁気記録カードは容易に読取り／書込
みが行なえるため、カードの偽造や改竄がなされる危険
性が高かつた。 【０００４】あるいは、以上の欠点に鑑み、実開昭６０
ー１６４０６５号の様に、磁気ストライプに各種情報を
記憶する磁気カードに、外部から容易に判別できないよ
うに例えば１本の光フアイバを埋設し、この埋設された
光フアイバを光が透過することを検出して偽造カードで
ないことを確認したり、あるいは複数本の特性の異なる
光フアイバを埋設してこの光フアイバの特性の相違によ
る光の透過量の相違を検出してカードの種類の判別など
に使用するものがあった。 【０００５】しかしながら、このカードは、いずれの場
合であっても予め用意された光フアイバを単に埋設する
のみであるため、光フアイバを埋設したことに伴う作用
効果は、単にカード中に光を透過する場所があるか否
か、あるいは、透過された光の強度に所定の相違がある
か否かと行った非常に単純且つ硬直的なものにすぎず、
光フアイバを埋設していることが判別されればやはり容
易に偽造されてしまう欠点を有していた。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】本発明は上述の課題を
解決することを目的として成されたもので、容易に情報
の破壊や書換えが行なわれない信頼性の高いカードを提
供するため以下の構成を備える。即ち、光フアイバケー
ブルを必要数並列に並べて接着する接着工程と、前記接
着工程に続き当該接着ケーブル列を所定幅に切断する切
断工程と、前記切断工程に続き光フアイバケーブルの両
端面を研磨する研磨工程と、前記研磨工程に続き光フア
イバケーブル列の所定位置の光フアイバケーブルの一部
を変形させ前記光フアイバケーブルの光透過率を変更す
る変形工程と、前記変形工程に続き光フアイバケーブル
列をコーテイングするコーテイング工程とにより製造さ
れるメモリカードであることを特徴とする。 【０００７】また、光フアイバケーブルを必要数並列に
並べて接着する接着工程と、前記接着工程に続き当該接
着光フアイバケーブル列を所定幅に切断する切断工程
と、前記切断工程に続き光フアイバケーブルの両端面を
研磨する研磨工程と、前記研磨工程に続き光フアイバケ
ーブル列をコーテイングするコーテイング工程と、前記
コーテイング工程によりコーテイングされた光フアイバ
ケーブル列の所定位置の光フアイバケーブルの一部を変
形させ前記光フアイバケーブルの光透過率を変更する変
形工程とにより製造されるメモリカードであることを特
徴とする。 【０００８】 【作用】以上の構成により、光フアイバケーブルを光が
透光するか否かで所定情報を記録しているため、記録情
報の破壊や、カードの偽造や改竄が困難なメモリカード
を提供できる。また、光フアイバケーブルそのものを変
形等して透光／遮光状態としているため、外部からはこ
の設定情報が容易に判別することができず、また、一旦
遮光状態とした後は再び透光状態に戻すことが困難であ
ることより、メモリカードの改竄される可能性をなくす
ことが可能である。 【０００９】 【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明に係
る発明の実施の形態の一例を詳説する。 ［第１の実施の形態］図１は本発明に係る発明の実施の
形態の一例のメモリカードの外観斜視図であり、本実施
の形態においては、メモリカードとしてＲＯＭカードに
適用した場合を例に説明する。本例のＲＯＭカード１０
は、カードの厚さ中心部に横方向に並行に複数の光フア
イバケーブルを並べ、プラスチツクでコーテイングして
カード状に形成している。 【００１０】そして、表面に従来の磁気カードと同様の
磁気ストライプ１５を形成しており、磁気ストライプ部
分には、公知の磁気ヘツドにより所定の情報を書込み／
読出し自在となつている。本実施の形態のＲＯＭカード
１０は、図示の如く１列に並べた光フアイバケーブル１
１の一部を押圧して押し潰し、この部分で光が透過しな
いようにした光フアイバケーブルと、何らの変形を与え
ず、入射光が反対側に透過する光フアイバケーブルとの
組合せにより”０”、”１”の２値化情報を記録するも
のである。 【００１１】そしてカード１０の両側面の光フアイバ面
を鏡面仕上げとし、半導体レーザ又は発光ダイオード等
で構成される発光素子２１よりの出力光は集束レンズ２
２で集束され、光フアイバケーブル１１の直径よりやや
小さい径の光ビームとしてこの光フアイバケーブル１１
の１本毎に入射される。この各光フアイバケーブル１１
に入射されたビーム光は、フアイバケーブルの一部に潰
された箇所がある場合にはそこで遮光され、反対側まで
達しない。一方、このような箇所のない場合には図示の
如く、反対側まで透光する。 【００１２】このため、ビーム光照射部の反対側の光ケ
ーブル面に近接して受光素子３１を配設し、受光素子３
１にこのビーム光が到達するか否かを判断することによ
り任意の情報を記録させ、読出すことができる。なお、
本実施の形態では直径０．３mmの光フアイバケーブルを
用いており、通常のカードで８０００本以上を並列に配
設することができる。更に大容量の記録容量が必要な場
合には例えば直径０．１mmの光フアイバケーブルを用い
ることにより、 約８万本の光フアイバケーブルをカー
ド内に並べることができ、大容量のＲＯＭカードとする
ことができる。 【００１３】次にこのＲＯＭカードの製造方法を図２の
工程フローチヤートを参照して説明する。まず、工程Ｓ
１で所定長さの光フアイバケーブルを記録容量に合せて
カードの長さ以下の必要幅に一列に並べて互いに接着さ
せる。次に工程 Ｓ２でこの光フアイバ列をカードの横
幅に合せた所定長さ毎に切断する。この切断状態を図３
に示す。図３図示の如く、多数の光フアイバ列 １１
ａ、１１ｂ、・・・・に分離する。そして 工程Ｓ３で
この切断した光フアイバケーブルの両端面を研磨し、光
の入射及び出光がスムーズに行なえるよう鏡面仕上げす
る。 【００１４】これによりカードベースが出来たことにな
り、この状態のときに製造すべきカードに記録させる情
報に従つて光を透過させない部分の光フアイバケーブル
の一部を押圧して潰し、光が反対側まで到達しないよう
にする。そして工程Ｓ５でこの情報を記録した光フアイ
バ列の上下両面をプラスチツクスでコーテイングする。 【００１５】なお、上述の工程Ｓ４における情報の記録
は、光フアイバ列の片面をプラスチツクでコーテイング
し、他の面のみを露出、又は容易に変形する程度のコー
テイングを施した状態とし、この状態で上面より針状の
押圧部材で等で押圧して所定位置の光フアイバを押し潰
すようにしてもよい。そして、上面にもプラスチツクで
コーテイングすればよい。 【００１６】一応この工程Ｓ１〜Ｓ５まででＲＯＭカー
ドの製造は終了することになるが、図１の如く、更にカ
ードに強磁性体の帯を塗布し、磁気ストラ イプを形成
して磁気記録を可能とすることができる。即ち、工程Ｓ
６で磁気ストライプを形成するか否かを判別し、磁気ス
トライプを形成しない時には工程Ｓ８に進み、磁気スト
ライプを形成する場合には工程Ｓ７でＲＯＭカードの所
定位置に強磁性体を塗布して磁気ストライプを形成す
る。 【００１７】そして、工程Ｓ８で必要な他の事項をシル
ク印刷その他の方法で印刷し、更に工程Ｓ９で表面に保
護膜を形成して表面を再コーテイングして完成する。工
程Ｓ８では記録内容に対応したカードに固有の情報等を
可視表示すればよい。以上の様にして製造されたＲＯＭ
カードにおいては、通常の環境においては記録内容が破
壊されることもなくなる。 【００１８】この記録情報にパリテイコード等を付加し
ておくことにより、記録内容を改竄することはほとんど
不可能となる。また、記録の最初及び最後に固有のスタ
ートコード及びエンドコードを記録しておくことによ
り、磁気記録部との同期等も取り易くなる。 【００１９】 【００２０】 【００２１】 【００２２】 【００２３】 【００２４】なお、以上の説明においては、光フアイバ
ケーブルをカードの横幅方向に平行に多数配設した構成
を例として説明したが、本発明はこれに限るものではな
く、この光フアイバケーブルをカードの長手方向に平行
に多数配設した構成として、縦に発光素子と受光素子を
設けてもよいことはもちろんである。 【００２５】 【発明の効果】以上説明した様に本発明によれば、固定
データを光フアイバケーブルを介して光ビームが透光す
る部分と遮光しない部分とで表わすことができ、容易に
情報の破壊や書換の行なわれない信頼性の高いメモリカ
ードを提供することができる。また、光フアイバケーブ
ルそのものを変形等して透光／遮光状態としているた
め、外部からはこの設定情報が容易に判別することがで
きず、また、一旦遮光状態とした後は再び透光状態に戻
すことが困難であることより、メモリカードの改竄され
る可能性をなくすことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る発明の実施の形態の一例のメモリ
カードの外観斜視図である。 【図２】本実施の形態のメモリカード製造工程を示すフ
ローチヤートである。 【図３】本実施の形態のメモリカードの光フアイバーケ
ーブル列を切断した状態を示す図である。
カードの外観斜視図である。 【図２】本実施の形態のメモリカード製造工程を示すフ
ローチヤートである。 【図３】本実施の形態のメモリカードの光フアイバーケ
ーブル列を切断した状態を示す図である。
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．光フアイバケーブルを必要数並列に並べて接着する
接着工程と、 前記接着工程に続き当該接着光フアイバケーブル列を所
定幅に切断する切断工程と、 前記切断工程に続き光フアイバケーブルの両端面を研磨
する研磨工程と、 前記研磨工程に続き光フアイバケーブル列の所定位置の
光フアイバケーブルの一部を変形させ前記光フアイバケ
ーブルの光透過率を変更する変形工程と、 前記変形工程に続き光フアイバケーブル列をコーテイン
グするコーテイング工程とより成ることを特徴とするメ
モリカードの製造方法。 ２．前記変形工程は光フアイバケーブルの一部を潰すこ
とにより遮光部を形成することを特徴とする請求項１記
載のメモリカードの製造方法。 ３．前記コーテイング工程に続き表面の所定領域に磁気
ストライプを形成する磁気ストライプ形成工程を備える
ことを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに
記載のメモリカードの製造方法。 ４．光フアイバケーブルを必要数並列に並べて接着する
接着工程と、 前記接着工程に続き当該接着光フアイバケーブル列を所
定幅に切断する切断工程と、 前記切断工程に続き光フアイバケーブルの両端面を研磨
する研磨工程と、 前記研磨工程に続き光フアイバケーブル列をコーテイン
グするコーテイング工程と、 前記コーテイング工程によりコーテイングされた光フア
イバケーブル列の所定位置の光フアイバケーブルの一部
を変形させ前記光フアイバケーブルの光透過率を変更す
る変形工程とより成ることを特徴とするメモリカードの
製造方法。 ５．前記変形手段は、メモリカードの使用状態に応じて
所定位置の光フアイバケーブルの一部を変形させ前記光
フアイバケーブルの光透過率を変更する変形工程とより
成ることを特徴とする請求項４記載のメモリカードの製
造方法。 ６．前記変形工程は光フアイバケーブルの一部を潰すこ
とにより遮光部を形成することを特徴とする請求項４ま
たは請求項５のいずれかに記載のメモリカードの製造方
法。 ７．前記コーテイング工程に続き表面の所定領域に磁気
ストライプを形成する磁気ストライプ形成工程を備える
ことを特徴とする請求項４乃至６のいずれかに記載のメ
モリカードの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8060879A JP2682542B2 (ja) | 1996-03-18 | 1996-03-18 | メモリカードの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8060879A JP2682542B2 (ja) | 1996-03-18 | 1996-03-18 | メモリカードの製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62282256A Division JP2737841B2 (ja) | 1987-11-10 | 1987-11-10 | メモリカード及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08293011A JPH08293011A (ja) | 1996-11-05 |
| JP2682542B2 true JP2682542B2 (ja) | 1997-11-26 |
Family
ID=13155112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8060879A Expired - Lifetime JP2682542B2 (ja) | 1996-03-18 | 1996-03-18 | メモリカードの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2682542B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005057478A1 (ja) * | 2003-12-03 | 2005-06-23 | Hatakensaku Co., Ltd. | 光シート体およびその製造方法、並びに光カードおよび複合メモリカード |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2737841B2 (ja) * | 1987-11-10 | 1998-04-08 | 株式会社 エムパイヤエアポートサービス | メモリカード及びその製造方法 |
-
1996
- 1996-03-18 JP JP8060879A patent/JP2682542B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005057478A1 (ja) * | 2003-12-03 | 2005-06-23 | Hatakensaku Co., Ltd. | 光シート体およびその製造方法、並びに光カードおよび複合メモリカード |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08293011A (ja) | 1996-11-05 |
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