JP2674788B2 - 半導体パッケージの端子ピン - Google Patents
半導体パッケージの端子ピンInfo
- Publication number
- JP2674788B2 JP2674788B2 JP63185804A JP18580488A JP2674788B2 JP 2674788 B2 JP2674788 B2 JP 2674788B2 JP 63185804 A JP63185804 A JP 63185804A JP 18580488 A JP18580488 A JP 18580488A JP 2674788 B2 JP2674788 B2 JP 2674788B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solder
- plating
- pin body
- pin
- semiconductor package
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
本発明は、ピングリッドアレイなど半導体パッケージ
に用いられる端子ピンに関するものである。
に用いられる端子ピンに関するものである。
ピングリッドアレイなどICチップ等の半導体チップ７
を搭載した半導体パッケージは第２図に示すように形成
されている。すなわち、樹脂積層板などの電気絶縁性を
有する基板８の上面の中央にキャビティ用凹所９を形成
すると共に基板８の上面にキャビティ用凹所９を中心と
した放射状に回路（図示省略）を形成し、基板８に形成
したスルーホール10,10…に各回路と電気的に接続され
たスルーホールメッキを施し、スルーホール10に端子ピ
ンＡの基部を挿入して端子ピンＡを基板８の下面に突出
させ、そしてキャビティ用凹所９に半導体チップ７を実
装すると共に半導体チップ７と各回路とをボンディング
することによって、基板８の上面に形成した回路を介し
て半導体チップ７を各端子ピンＡに電気的に接続させる
ようにして作成される。さらに基板８の上面に封止樹脂
を注入して半導体チップ７を封止して仕上げられる。 そしてこのように形成される半導体パッケージは、端
子ピンＡの先部をマザーボード11などのスルーホールや
プラグ等に差し込んで半田付けすることによって、取り
付けがおこなわれるものである。
を搭載した半導体パッケージは第２図に示すように形成
されている。すなわち、樹脂積層板などの電気絶縁性を
有する基板８の上面の中央にキャビティ用凹所９を形成
すると共に基板８の上面にキャビティ用凹所９を中心と
した放射状に回路（図示省略）を形成し、基板８に形成
したスルーホール10,10…に各回路と電気的に接続され
たスルーホールメッキを施し、スルーホール10に端子ピ
ンＡの基部を挿入して端子ピンＡを基板８の下面に突出
させ、そしてキャビティ用凹所９に半導体チップ７を実
装すると共に半導体チップ７と各回路とをボンディング
することによって、基板８の上面に形成した回路を介し
て半導体チップ７を各端子ピンＡに電気的に接続させる
ようにして作成される。さらに基板８の上面に封止樹脂
を注入して半導体チップ７を封止して仕上げられる。 そしてこのように形成される半導体パッケージは、端
子ピンＡの先部をマザーボード11などのスルーホールや
プラグ等に差し込んで半田付けすることによって、取り
付けがおこなわれるものである。
しかしこのものにあって、端子ピンＡの母材金属が酸
化されると半田に対する濡れが悪くなり、マザーボード
11に対する端子ピンＡの半田付け不良が発生するおそれ
がある。このために端子ピンＡの表面を半田メッキで被
覆するなどして端子ピンＡの酸化を防止する試みがなさ
れているが、高温高湿下で保管されるなど端子ピンＡに
高温高湿が作用すると、端子ピンＡに酸化が発生するこ
とを防止することができず、半田濡れ性が低下してしま
うものであった。 本発明は上記の点に鑑みて為されたものであり、高温
高湿が作用しても酸化されることを防止することができ
る半導体パッケージ用端子ピンを提供することを目的と
するものである。
化されると半田に対する濡れが悪くなり、マザーボード
11に対する端子ピンＡの半田付け不良が発生するおそれ
がある。このために端子ピンＡの表面を半田メッキで被
覆するなどして端子ピンＡの酸化を防止する試みがなさ
れているが、高温高湿下で保管されるなど端子ピンＡに
高温高湿が作用すると、端子ピンＡに酸化が発生するこ
とを防止することができず、半田濡れ性が低下してしま
うものであった。 本発明は上記の点に鑑みて為されたものであり、高温
高湿が作用しても酸化されることを防止することができ
る半導体パッケージ用端子ピンを提供することを目的と
するものである。
本発明に係る半導体パッケージの端子ピンは、ピン本
体１をリン青銅で形成し、ピン本体１の表面にNiメッキ
２を施すと共にNiメッキ２の表面を半田で被覆して半田
メッキ３を施し、ピン本体１の少なくとも先端部の半田
メッキ３をSn含有率が80重量％以下の半田で形成して成
ることを特徴とするものである。
体１をリン青銅で形成し、ピン本体１の表面にNiメッキ
２を施すと共にNiメッキ２の表面を半田で被覆して半田
メッキ３を施し、ピン本体１の少なくとも先端部の半田
メッキ３をSn含有率が80重量％以下の半田で形成して成
ることを特徴とするものである。
本発明にあっては、端子ピンＡをこのように形成する
ことによって、高温高湿の状態下においてもピン本体１
（特にその先端部）に酸化が発生することを防止するこ
とができる。
ことによって、高温高湿の状態下においてもピン本体１
（特にその先端部）に酸化が発生することを防止するこ
とができる。
以下本発明を実施例によって詳述する。 端子ピンＡはその上部に鍔12を設けて円柱状に形成さ
れるものであり、その母材となるピン本体１はリン青銅
によって形成してある。ピン本体１を構成する金属とし
てはコバール（フェルニコ）等も用いられるが、本発明
においてはリン青銅を用いることに限定される。そして
ピン本体１の全表面にNiメッキ２を下地メッキとして施
すと共にさらにNiメッキ２の全表面に半田を被覆して半
田メッキ３を施すことによって端子ピンＡを形成するも
のである。下地メッキとしてはCuメッキなどを用いるこ
とも可能であるが、本発明ではNiメッキ２に限定され
る。また、半田メッキ３を構成する半田としては、Sn含
有率が80重量％以下のものを用いるものである。半田は
SnとPbあるいはこれらにさらに微量の金属を含む合金で
あり、Sn含有率を80重量％以下に設定することによって
Pb含有率は20重量％程度以上になる。 このようにピン本体１の材質をリン青銅に形成し、ピ
ン本体１に施したNiメッキ２の上に半田メッキ３を施
し、そして半田メッキ３の半田としてSn含有率が80重量
％以下のものを用いることによって、高温高湿が作用し
てもピン本体１の金属に酸化が生じることを防止するこ
とができるのである。そしてピン本体１に施す半田メッ
キ３の総てをSn含有率が80重量％以下の半田で形成する
ことが望ましいが、ピン本体１の金属が酸化されること
を防止して半田の濡れ性が低下することを防ぐ必要が特
にあるのは、マザーボード11に差し込んで半田付けする
先端部であるので、ピン本体１の先端部（先端から1mm
程度以上の範囲）のみにおいて半田メッキ３の半田をSn
含有率が80重量％以下の半田で形成し、他の部分の半田
はSn含有率が80重量％以上の半田で形成するようにして
もよい。 次に本発明を実施例によって例証する。 実施例1,2 ピン本体１をリン青銅で形成し、ピン本体１の表面に
下地メッキとして厚み５μｍのNiメッキ２を施すと共に
この表面にさらに厚み１μｍの半田メッキ３を施して端
子ピンＡを作成した。このとき、半田メッキ３の半田と
しては第１表に示すSnの含有率（残部はPb）のものを用
いた。 このようにして得た端子ピンＡを100℃のスチームを
満たした容器中に８時間放置するスチームエージング処
理し、そしてこの端子ピンＡの先部を280℃の半田浴に
４秒間浸漬する試験をおこない、端子ピンＡの先部の半
田の濡れの状態を目視で観察した。結果を第１表に示
す。第１表において半田濡れ性の良好なものを「○」、
少し悪いものを「△」、悪いものを「×」で表示した。 比較例１ 半田メッキ３の半田として第１表に示すSnの含有率の
ものを用いるようにした他は、上記「実施例1,2」と同
様にした。 比較例２〜４ 下地メッキとしてNiメッキ２のかわりに厚み５μｍの
Cuメッキを施すようにし、さらに半田メッキ３の半田と
して第１表に示すSnの含有率のものを用いるようにした
他は、上記「実施例1,2」と同様にした。 比較例５〜７ ピン本体１としてコバールで形成したものを用い、さ
らに半田メッキ３の半田として第２表に示すSnの含有率
のものを用いるようにした他は、上記「実施例1,2」と
同様にした。 比較例８〜10 ピン本体１としてコバールで形成したものを用い、下
地メッキとしてNiメッキ２のかわりに厚み５μｍのCuメ
ッキを施すようにし、さらに半田メッキ３の半田として
第２表に示すSn含有率のものを用いるようにした他は、
上記「実施例1,2」と同様にした。 第１表及び第２表の結果にみられるように、ピン本体
１をリン青銅で形成し、ピン本体１の表面にNiメッキ２
を施し、Niメッキ２の表面に半田メッキ３を施し、半田
メッキ３をSn含有率が80重量％以下の半田で形成するこ
とによってはじめて、ピン本体１の酸化を防止して半田
濡れ性の低下を防ぐことができることが確認される。
れるものであり、その母材となるピン本体１はリン青銅
によって形成してある。ピン本体１を構成する金属とし
てはコバール（フェルニコ）等も用いられるが、本発明
においてはリン青銅を用いることに限定される。そして
ピン本体１の全表面にNiメッキ２を下地メッキとして施
すと共にさらにNiメッキ２の全表面に半田を被覆して半
田メッキ３を施すことによって端子ピンＡを形成するも
のである。下地メッキとしてはCuメッキなどを用いるこ
とも可能であるが、本発明ではNiメッキ２に限定され
る。また、半田メッキ３を構成する半田としては、Sn含
有率が80重量％以下のものを用いるものである。半田は
SnとPbあるいはこれらにさらに微量の金属を含む合金で
あり、Sn含有率を80重量％以下に設定することによって
Pb含有率は20重量％程度以上になる。 このようにピン本体１の材質をリン青銅に形成し、ピ
ン本体１に施したNiメッキ２の上に半田メッキ３を施
し、そして半田メッキ３の半田としてSn含有率が80重量
％以下のものを用いることによって、高温高湿が作用し
てもピン本体１の金属に酸化が生じることを防止するこ
とができるのである。そしてピン本体１に施す半田メッ
キ３の総てをSn含有率が80重量％以下の半田で形成する
ことが望ましいが、ピン本体１の金属が酸化されること
を防止して半田の濡れ性が低下することを防ぐ必要が特
にあるのは、マザーボード11に差し込んで半田付けする
先端部であるので、ピン本体１の先端部（先端から1mm
程度以上の範囲）のみにおいて半田メッキ３の半田をSn
含有率が80重量％以下の半田で形成し、他の部分の半田
はSn含有率が80重量％以上の半田で形成するようにして
もよい。 次に本発明を実施例によって例証する。 実施例1,2 ピン本体１をリン青銅で形成し、ピン本体１の表面に
下地メッキとして厚み５μｍのNiメッキ２を施すと共に
この表面にさらに厚み１μｍの半田メッキ３を施して端
子ピンＡを作成した。このとき、半田メッキ３の半田と
しては第１表に示すSnの含有率（残部はPb）のものを用
いた。 このようにして得た端子ピンＡを100℃のスチームを
満たした容器中に８時間放置するスチームエージング処
理し、そしてこの端子ピンＡの先部を280℃の半田浴に
４秒間浸漬する試験をおこない、端子ピンＡの先部の半
田の濡れの状態を目視で観察した。結果を第１表に示
す。第１表において半田濡れ性の良好なものを「○」、
少し悪いものを「△」、悪いものを「×」で表示した。 比較例１ 半田メッキ３の半田として第１表に示すSnの含有率の
ものを用いるようにした他は、上記「実施例1,2」と同
様にした。 比較例２〜４ 下地メッキとしてNiメッキ２のかわりに厚み５μｍの
Cuメッキを施すようにし、さらに半田メッキ３の半田と
して第１表に示すSnの含有率のものを用いるようにした
他は、上記「実施例1,2」と同様にした。 比較例５〜７ ピン本体１としてコバールで形成したものを用い、さ
らに半田メッキ３の半田として第２表に示すSnの含有率
のものを用いるようにした他は、上記「実施例1,2」と
同様にした。 比較例８〜10 ピン本体１としてコバールで形成したものを用い、下
地メッキとしてNiメッキ２のかわりに厚み５μｍのCuメ
ッキを施すようにし、さらに半田メッキ３の半田として
第２表に示すSn含有率のものを用いるようにした他は、
上記「実施例1,2」と同様にした。 第１表及び第２表の結果にみられるように、ピン本体
１をリン青銅で形成し、ピン本体１の表面にNiメッキ２
を施し、Niメッキ２の表面に半田メッキ３を施し、半田
メッキ３をSn含有率が80重量％以下の半田で形成するこ
とによってはじめて、ピン本体１の酸化を防止して半田
濡れ性の低下を防ぐことができることが確認される。
上述のように本発明にあっては、ピン本体をリン青銅
で形成し、ピン本体の表面にNiメッキを施すと共にNiメ
ッキの表面を半田で被覆し、ピン本体の少なくとも先端
部を被覆する半田をSn含有率が80重量％以下の半田で形
成するようにしたので、高温高湿の状態下においてもピ
ン本体に酸化が発生することを防止することができ、半
田濡れ性が低下することを防ぐことができるものであ
る。
で形成し、ピン本体の表面にNiメッキを施すと共にNiメ
ッキの表面を半田で被覆し、ピン本体の少なくとも先端
部を被覆する半田をSn含有率が80重量％以下の半田で形
成するようにしたので、高温高湿の状態下においてもピ
ン本体に酸化が発生することを防止することができ、半
田濡れ性が低下することを防ぐことができるものであ
る。
第１図は本発明に係る端子ピンの一部の拡大断面図、第
２図は端子ピンを用いた半導体パッケージの断面図であ
る。 １はピン本体、２はNiメッキ、３は半田メッキである。
２図は端子ピンを用いた半導体パッケージの断面図であ
る。 １はピン本体、２はNiメッキ、３は半田メッキである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 加納 武司 大阪府門真市大字門真1048番地 松下電 工株式会社内 (72)発明者 向井 薫 大阪府門真市大字門真1048番地 松下電 工株式会社内 (56)参考文献 特開 昭58−75861（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】ピン本体をリン青銅で形成し、ピン本体の
表面にNiメッキを施すと共にNiメッキの表面を半田で被
覆し、ピン本体の少なくとも先端部を被覆する半田をSn
含有率が80重量％以下の半田で形成して成ることを特徴
とする半導体パッケージの端子ピン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63185804A JP2674788B2 (ja) | 1988-07-26 | 1988-07-26 | 半導体パッケージの端子ピン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63185804A JP2674788B2 (ja) | 1988-07-26 | 1988-07-26 | 半導体パッケージの端子ピン |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0235762A JPH0235762A (ja) | 1990-02-06 |
| JP2674788B2 true JP2674788B2 (ja) | 1997-11-12 |
Family
ID=16177179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63185804A Expired - Lifetime JP2674788B2 (ja) | 1988-07-26 | 1988-07-26 | 半導体パッケージの端子ピン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2674788B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2967666B2 (ja) * | 1992-12-08 | 1999-10-25 | 株式会社村田製作所 | チップ型電子部品 |
| US6528873B1 (en) * | 1996-01-16 | 2003-03-04 | Texas Instruments Incorporated | Ball grid assembly with solder columns |
| US8864536B2 (en) | 2012-05-03 | 2014-10-21 | International Business Machines Corporation | Implementing hybrid molded solder-embedded pin contacts and connectors |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5875861A (ja) * | 1981-10-30 | 1983-05-07 | Fuji Denka:Kk | 回路素子気密パツケ−ジ用リ−ド線及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-07-26 JP JP63185804A patent/JP2674788B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0235762A (ja) | 1990-02-06 |
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