Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

JP2534317B2 - Semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device

Info

Publication number
JP2534317B2
JP2534317B2 JP63105679A JP10567988A JP2534317B2 JP 2534317 B2 JP2534317 B2 JP 2534317B2 JP 63105679 A JP63105679 A JP 63105679A JP 10567988 A JP10567988 A JP 10567988A JP 2534317 B2 JP2534317 B2 JP 2534317B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
epoxy resin
component
resin composition
semiconductor device
reliability
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP63105679A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH01276652A (en
Inventor
雅人 清水
和夫 伊香
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Priority to JP63105679A priority Critical patent/JP2534317B2/en
Publication of JPH01276652A publication Critical patent/JPH01276652A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2534317B2 publication Critical patent/JP2534317B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Sealing Material Composition (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、信頼性の優れた半導体装置に関するもの
である。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a highly reliable semiconductor device.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

トランジスタ,IC,LSI等の半導体素子は、通常セラミ
ツクパツケージもしくはプラスチツクパツケージ等によ
り封止され、半導体装置化されている。上記セラミツク
パツケージは、構成材料そのものが耐熱性を有し、耐透
湿性にも優れているため、温度、湿度に対して強く、信
頼性の高い封止が可能である。しかしながら、構成材料
が比較的高価なものであることと、量産性に劣る欠点が
あるため、最近では上記プラスチツクパツケージを用い
た樹脂封止が主流になつている。この種の樹脂封止に
は、従来からエポキシ樹脂組成物が使用されており、良
好な成績を収めている。
Semiconductor elements such as transistors, ICs, and LSIs are usually sealed with a ceramic package or a plastic package to form a semiconductor device. In the above ceramic package, the constituent material itself has heat resistance and excellent moisture permeation resistance, so that it is resistant to temperature and humidity and can be sealed with high reliability. However, since the constituent materials are relatively expensive and the mass productivity is inferior, the resin sealing using the plastic package has recently become the mainstream. An epoxy resin composition has been conventionally used for this type of resin encapsulation, and has achieved good results.

上記エポキシ樹脂組成物としては、特に、エポキシ樹
脂と、硬化剤としてのノボラツク型フエノール樹脂と、
硬化促進剤および無機質充填剤としてのシリカ粉等の組
織系で構成されるものが、封止作業性(特にトランスフ
アー成形作業時の成形性)等に優れたものとして賞用さ
れている。
As the epoxy resin composition, in particular, an epoxy resin, and a novolak type phenol resin as a curing agent,
A material composed of a system such as a silica powder as a curing accelerator and an inorganic filler is praised for its excellent sealing workability (particularly, moldability during transfer molding work).

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problems to be solved by the invention]

しかしながら、最近では、半導体分野の技術革新によ
つて集積度の向上とともに素子サイズの大形化,配線の
微細化が進み、これに伴つて封止材料に対してより以上
の信頼性(得られる半導体装置の内部応力,耐湿信頼
性,耐衝撃信頼性,耐熱信頼性等)の向上が要望されて
おり、上記のエポキシ樹脂組成物で半導体素子をモール
ドすると、従来殆ど問題にされていなかつた樹脂の応力
により、樹脂クラツクの発生や、パツシベーシヨン膜お
よび素子自体にクラツクを生じたり、アルミ配線にずれ
等を生じるということがわかつてきた。これは、素子自
体の寸法が大きくなるほど顕著に現れる。したがつて、
今日では、この対策として、素子等に加わる応力の小さ
い樹脂(低応力樹脂)の開発が大きな課題となつてい
る。この目的達成の方法として、エポキシ樹脂やフエノ
ール樹脂自体を可撓化したり、可塑剤を添加することが
考えられる。しかし、このようにすることは、フエノー
ル樹脂を硬化剤とするエポキシ樹脂組成物では硬化樹脂
のガラス転移点が降下し高温電気特性が低下するため信
頼性の点で問題がある。また、合成ゴム等を添加して素
子に加わる応力を小さくし、低応力化を図ることも考え
られるが、合成ゴムを添加することによつて、封止樹脂
の、半導体素子およびリードフレームに対する密着性が
低下し、耐湿性が悪くなり、信頼性が低下するという問
題が生じる。
However, recently, technological innovation in the semiconductor field has led to an increase in the degree of integration as well as an increase in the size of elements and miniaturization of wirings. Improvement of internal stress, moisture resistance reliability, impact resistance reliability, heat resistance reliability, etc.) of a semiconductor device has been demanded. When a semiconductor element is molded with the above epoxy resin composition, a resin which has hardly been a problem in the past has been obtained. It has been known that the stress causes a resin crack, a crack on the passivation film and the element itself, and a shift in the aluminum wiring. This becomes more remarkable as the size of the element itself increases. Therefore,
Nowadays, as a countermeasure against this, the development of a resin (low-stress resin) with a small stress applied to an element or the like is a major issue. As a method for achieving this purpose, it is considered that the epoxy resin or the phenol resin itself is made flexible or a plasticizer is added. However, doing so has a problem in reliability since the glass transition point of the cured resin is lowered and the high temperature electrical characteristics are lowered in the epoxy resin composition using the phenol resin as a curing agent. It is also possible to reduce the stress applied to the element by adding synthetic rubber etc. to reduce the stress, but by adding synthetic rubber, the sealing resin can be adhered to the semiconductor element and the lead frame. However, there is a problem that the reliability is deteriorated, the moisture resistance is deteriorated, and the reliability is deteriorated.

この発明は、このような事情に鑑みなされたもので、
他の信頼性を低下させることなく内部応力特性に優れた
半導体装置の提供をその目的とする。
The present invention has been made in view of such circumstances,
It is an object of the present invention to provide a semiconductor device having excellent internal stress characteristics without deteriorating other reliability.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

上記の目的を達成するため、この発明の半導体装置
は、下記の(A)〜(C)成分を含有するエポキシ樹脂
組成物を用いて半導体素子を封止するという構成をと
る。
In order to achieve the above object, the semiconductor device of the present invention has a structure in which a semiconductor element is sealed with an epoxy resin composition containing the following components (A) to (C).

(A)エポキシ樹脂。(A) Epoxy resin.

(B)ノボラツク型フエノール樹脂。(B) Novolac-type phenol resin.

(C)下記の一般式(I)で表わされるオルガノポリシ
ロキサン。
(C) An organopolysiloxane represented by the following general formula (I).

〔作用〕 すなわち、本発明者らは、他の信頼性(耐湿信頼性,
耐衝撃信頼性,耐熱信頼性等)を損なうことなく封止樹
脂の低応力化を実現させることを目的として一連の研究
を重ねた。その結果、上記特性のオルガノポリシロキサ
ンを用いると、他の信頼性を損なうことなく封止樹脂の
低応力化が得られることを見出しこの発明に到達した。
[Operation] That is, the present inventors have confirmed that other reliability (moisture resistance reliability,
A series of studies have been conducted with the aim of realizing a stress reduction of the encapsulating resin without impairing the impact resistance and heat resistance). As a result, they have found that the use of the organopolysiloxane having the above-mentioned characteristics makes it possible to reduce the stress of the sealing resin without impairing other reliability, and has reached the present invention.

この発明に用いるエポキシ樹脂組成物は、エポキシ樹
脂(A成分)とノボラツク型フエノール樹脂(B成分)
と特定のオルガノポリシロキサン(C成分)等とを用い
て得られるもであつて、通常、粉末状もしくはそれを打
錠したタブレツト状になつている。
The epoxy resin composition used in the present invention comprises an epoxy resin (component A) and a novolak type phenol resin (component B).
And a specific organopolysiloxane (C component) and the like, and is usually in the form of powder or a tablet formed by compressing it.

上記A成分となるエポキシ樹脂は、特に制限するもの
ではなく、クレゾールノボラツク型,フエノールノボラ
ツク型やビスフエノールA型等、従来から半導体装置の
封止樹脂として用いられている各種のエポキシ樹脂があ
げられる。これらの樹脂のなかでも、融点が室温を超え
ており、室温下では固形状もしくは高粘度の溶液状を呈
するものを用いることが好結果をもたらす。また、ノボ
ラツク型エポキシ樹脂としては、通常、エポキシ当量16
0〜250,軟化点50〜130℃のものが用いられ、クレゾール
ノボラツク型エポキシ樹脂としては、エポキシ当量180
〜210,軟化点160〜110℃のものが一般に用いられる。
The epoxy resin as the component A is not particularly limited, and various epoxy resins such as cresol novolak type, phenol novolak type, and bisphenol A type that have been conventionally used as sealing resins for semiconductor devices can be used. can give. Among these resins, those having a melting point over room temperature and exhibiting a solid state or a high-viscosity solution state at room temperature bring about good results. Further, as a novolak type epoxy resin, an epoxy equivalent of 16 is usually used.
A cresol novolak type epoxy resin having an epoxy equivalent of 180 is used.
Those having a softening point of ~ 210 and a softening point of 160 to 110 ° C are generally used.

上記A成分のエポキシ樹脂とともに用いられる、B成
分のノボラツク型フエノール樹脂は、上記エポキシ樹脂
の硬化剤として作用するものであり、フエノールノボラ
ツク,o−クレゾールノボラツク,m−クレゾールノボラツ
ク,p−クレゾールノボラツク,o−エチルフエノールノボ
ラツク,m−エチルフエノールノボラツク,p−エチルフエ
ノールノボラツク等が好適に用いられる。これらノボラ
ツク樹脂は、軟化点が50〜110℃,水酸基当量が100〜15
0のものを用いることが好ましい。
The novolak-type phenol resin of the B component used together with the epoxy resin of the A component acts as a curing agent for the epoxy resin, and includes phenol novolak, o-cresol novolak, m-cresol novolak, p- Cresol novolak, o-ethylphenol novolak, m-ethylphenol novolak, p-ethylphenol novolak and the like are preferably used. These novolak resins have a softening point of 50 to 110 ° C and a hydroxyl equivalent of 100 to 15
It is preferable to use 0.

上記A成分のエポキシ樹脂,B成分のノボラツク型フエ
ノール樹脂とともに用いられる、C成分のオルガノポリ
シロキサンは、前記一般式(I)で表されるポリシロキ
サン骨格を有するものが用いられ、シロキサン結合部に
フエニル基またはアルアルキル基が結合されているのが
特徴である。なお、上記オルガノポリシロキサンのなか
でも、特に、2価の有機基であるR2が炭素数2〜10のア
ルキレン基やフエニレン基、または炭素数7〜15のアラ
ルキレン基である化合物を用いることが好ましい。この
ようなオルガノポリシロキサンは、分子量が500〜40000
のものを用いることが好ましく、特に好適なのは分子量
5000〜30000のものである。すなわち、分子量が500未満
では封止樹脂の低応力効果が不充分であり、40000を超
えると上記A成分のエポキシ樹脂との反応性が悪くなる
という傾向がみられるからである。
As the organopolysiloxane of the C component used together with the epoxy resin of the A component and the novolak type phenol resin of the B component, those having the polysiloxane skeleton represented by the general formula (I) are used, and the siloxane bond part is The feature is that a phenyl group or an aralkyl group is bonded. In addition, among the above organopolysiloxanes, it is particularly preferable to use a compound in which R 2 which is a divalent organic group is an alkylene group having 2 to 10 carbon atoms, a phenylene group, or an aralkylene group having 7 to 15 carbon atoms. preferable. Such an organopolysiloxane has a molecular weight of 500 to 40,000.
It is preferable to use one having a molecular weight of
It is from 5,000 to 30,000. That is, if the molecular weight is less than 500, the low stress effect of the encapsulating resin is insufficient, and if it exceeds 40,000, the reactivity with the epoxy resin of the component A tends to deteriorate.

上記C成分はエポキシ樹脂組成物硬化体中での分散性
がよいため、従来のものに比べて硬化体が機械的強度の
ばらつきの極めて小さいものとなり、かつ低応力のもの
となる。
Since the C component has good dispersibility in the cured product of the epoxy resin composition, the cured product has extremely small variation in mechanical strength as compared with the conventional one, and has low stress.

なお、この発明では、上記A成分,B成分,C成分以外に
必要に応じて硬化促進剤,無機質充填剤,離型剤等を用
いることができる。
In the present invention, a curing accelerator, an inorganic filler, a release agent and the like can be used in addition to the above-mentioned components A, B and C, if necessary.

上記硬化促進剤としては、フエノール硬化エポキシ樹
脂における硬化反応の触媒となるものは全て用いること
ができ、例えば、三級アミン類,イミダゾール類,リン
化合物等をあげることができる。
As the above-mentioned curing accelerator, any one that serves as a catalyst for the curing reaction in the phenol-cured epoxy resin can be used, and examples thereof include tertiary amines, imidazoles, phosphorus compounds and the like.

上記充填剤としては、シリカ,アルミナ,炭酸カルシ
ウム,石英ガラス,珪石,タルク,クレー,酸化ジルコ
ニウム,ケイ酸ジルコニウム,酸化ベリリウム等の粉末
を用いることができる。
As the filler, powders of silica, alumina, calcium carbonate, quartz glass, silica stone, talc, clay, zirconium oxide, zirconium silicate, beryllium oxide and the like can be used.

上記離型剤としては、従来公知のステアリン酸,パル
チミン酸等の長鎖カルボン酸、ステアリン酸亜鉛,ステ
アリン酸カルシウム等の長鎖カルボン酸の金属塩、カル
バナワツクス,モンタンワツクス等のワツクス類等を用
いることができる。
As the release agent, conventionally known long-chain carboxylic acids such as stearic acid and palmitic acid, metal salts of long-chain carboxylic acids such as zinc stearate and calcium stearate, waxes such as carbanawax and montan wax are used. be able to.

さらに、カツプリング剤,難燃剤,着色剤等の通常用
いられる添加剤も添加することができる。
Further, commonly used additives such as coupling agents, flame retardants, coloring agents and the like can be added.

この発明に用いるエポキシ樹脂組成物は、上記原料を
用い、例えばつぎのようにして製造することができる。
すなわち、まず、エポキシ樹脂(A成分),ノボラツク
型フエノール樹脂(B成分),特定のオルガノポリシロ
キサン(C成分)および無機質充填剤ならびにその他の
添加剤を適宜配合し、この配合物をミキシングロール機
等の混練機にかけて加熱状態で混練して半硬化状の樹脂
組成物とし、これを室温に冷却したのち公知の手段によ
つて粉砕し、必要に応じて打錠するという一連の工程に
より目的とするエポキシ樹脂組成物を得ることができ
る。また、特定のオルガノポリシロキサン(C成分)と
エポキシ樹脂(A成分)を予め公知の方法、倒えば溶融
混合または溶媒中で加熱することにより上記2成分を反
応させ、この反応生成物と他の原料を用い前記と同様の
製法に従つて、エポキシ樹脂組成物を得ることもでき
る。
The epoxy resin composition used in the present invention can be manufactured using the above-mentioned raw materials, for example, as follows.
That is, first, an epoxy resin (component A), a novolak type phenol resin (component B), a specific organopolysiloxane (component C), an inorganic filler and other additives are appropriately mixed, and this mixture is mixed with a mixing roll machine. A kneading machine such as a kneader to knead in a heated state to obtain a semi-cured resin composition, which is cooled to room temperature and then crushed by a known means, and a series of steps of tableting as necessary to achieve the purpose. It is possible to obtain an epoxy resin composition. Further, the specific organopolysiloxane (component C) and the epoxy resin (component A) are reacted in advance by a known method, for example, by melting or heating in a solvent to cause the above two components to react with each other, and the reaction product and other components. An epoxy resin composition can be obtained by using the raw materials and following the same production method as above.

このとき、上記オルガノポリシロキサン(C成分)の
配合量は、エポキシ樹脂100重量部(以下「部」と略
す)に対して3〜40部用いることが、得られる樹脂硬化
物の低応力性の点から好ましく、また、上記無機質充填
剤の配合量は、エポキシ樹脂組成物全体に対して、30〜
90重量%にすることが好ましい。
At this time, the compounding amount of the organopolysiloxane (C component) is 3 to 40 parts with respect to 100 parts by weight of the epoxy resin (hereinafter abbreviated as “part”) so that the obtained resin cured product has low stress From the point of view, the content of the inorganic filler is 30 to 30 with respect to the entire epoxy resin composition.
It is preferably 90% by weight.

このようなエポキシ樹脂組成物を用いての半導体素子
の封止は特に限定するものでなく、通常の方法、例えば
トランスフアー成形等の公知のモールド方法により行う
ことができる。
The encapsulation of the semiconductor element using such an epoxy resin composition is not particularly limited, and can be performed by an ordinary method, for example, a known molding method such as transfer molding.

このようにして得られる半導体装置は、低応力性に優
れ、かつ高い信頼度を示す。これは上記C成分中のオル
ガノポリシロキサンから誘導されるSi−O−Si結合部分
が、硬化樹脂の分子骨格中に導入されており、しかも上
記オルガノポリシロキサンのエポキシ樹脂中への分散性
が優れているため、エポキシ樹脂組成物硬化体からなる
封止樹脂の機械的強度のばらつきが小さくなるためと考
えられる。
The semiconductor device thus obtained has excellent low stress properties and high reliability. This is because the Si-O-Si bond portion derived from the organopolysiloxane in the C component is introduced into the molecular skeleton of the cured resin, and the dispersibility of the organopolysiloxane in the epoxy resin is excellent. Therefore, it is considered that variations in the mechanical strength of the sealing resin made of the cured epoxy resin composition are reduced.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上のように、この発明の半導体装置は、特定のオル
ガノポリシロキサン(C成分)を含む特殊なエポキシ樹
脂組成物を用いて封止されており、その封止プラスチツ
クパツケージが、従来のエポキシ樹脂組成物製のものと
は異なるため、内部応力が小さく信頼度の高いものであ
る。特に、上記特殊なエポキシ樹脂組成物による封止に
より、超LSI等の封止に充分対応でき、素子サイズが16m
m2以上、素子上のAl配線の幅が2μm以下の特殊な半導
体装置において、上記のような高信頼度が得られるよう
になるのであり、これが大きな特徴である。
As described above, the semiconductor device of the present invention is sealed by using a special epoxy resin composition containing a specific organopolysiloxane (C component), and the sealing plastic package has a conventional epoxy resin composition. Since it is different from a product, it has low internal stress and high reliability. In particular, the encapsulation with the above-mentioned special epoxy resin composition is sufficient for encapsulation of VLSI, etc., and the element size is 16 m.
In a special semiconductor device in which the width of Al wiring on the element is 2 μm or less and m 2 or more, the high reliability as described above can be obtained, which is a major feature.

つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。 Next, examples will be described together with comparative examples.

〔実施例1〜6、比較例1〕 後記の第1表に示すようなオルガノポリシロキサンを
用意した。つぎに、後記の第2表に示す割合の原料を用
い、これらの原料をミキシングロール機(ロール温度10
0℃)で10分間溶融混練を行い冷却粉砕し、目的とする
粉末状のエポキシ樹脂組成物を得た。
[Examples 1 to 6 and Comparative Example 1] Organopolysiloxanes shown in Table 1 below were prepared. Next, the raw materials in the proportions shown in Table 2 below are used, and these raw materials are mixed in a mixing roll machine (roll temperature 10
The mixture was melt-kneaded at 0 ° C. for 10 minutes, cooled and pulverized to obtain the target powdery epoxy resin composition.

〔比較例2〕 下記の第3表に示す原料を用いた。それ以外は実施例
1〜6と同様にして粉末状のエポキシ樹脂組成物を得
た。
Comparative Example 2 The raw materials shown in Table 3 below were used. Otherwise in the same manner as in Examples 1 to 6, powdery epoxy resin compositions were obtained.

以上の実施例および比較例によつて得られた粉末状の
エポキシ樹脂組成物を用い、半導体素子をトランスフア
ー成形でモールドすることにより半導体装置を得た。こ
のようにして得られた半導体装置について、曲げ弾性
率,曲げ強度,−50℃/5分〜150℃/5分の温度サイクル
テスト(以下「TCTテスト」と略す)等の測定を行つ
た。その結果を後記の第4表に示した。なお、ガラス転
移温度(Tg)は、粘弾性性質のTanδのピークの温度を
示した。
A semiconductor device was obtained by molding a semiconductor element by transfer molding using the powdery epoxy resin composition obtained in the above Examples and Comparative Examples. The semiconductor device thus obtained was subjected to measurements such as bending elastic modulus, bending strength, and a temperature cycle test (hereinafter abbreviated as “TCT test”) of −50 ° C./5 minutes to 150 ° C./5 minutes. The results are shown in Table 4 below. The glass transition temperature (Tg) is the temperature of the Tan δ peak of the viscoelastic property.

第4表の結果から、実施例品は封止樹脂の曲げ弾性率
が小さく(軟らかく)て内部応力が小さく、しかも曲げ
強度が比較例に比べてそれほど低下していず、またガラ
ス転移温度の低下も殆どみられずTCTテストの結果から
も明らかなように高度な信頼性を備えていることがわか
る。
From the results shown in Table 4, the products of Examples had a small flexural modulus (soft) of the encapsulating resin and a small internal stress, and the flexural strength did not decrease so much as compared with the Comparative Example, and the glass transition temperature decreased. It can be seen that it has a high degree of reliability as can be seen from the results of the TCT test.

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】下記の(A)〜(C)成分を含有するエポ
キシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導
体装置。 (A)エポキシ樹脂。 (B)ノボラツク型フエノール樹脂。 (C)下記の一般式(I)で表されるオルガノポリシロ
キサン。
1. A semiconductor device obtained by encapsulating a semiconductor element with an epoxy resin composition containing the following components (A) to (C). (A) Epoxy resin. (B) Novolak type phenolic resin. (C) An organopolysiloxane represented by the following general formula (I).
JP63105679A 1988-04-27 1988-04-27 Semiconductor device Expired - Lifetime JP2534317B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63105679A JP2534317B2 (en) 1988-04-27 1988-04-27 Semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63105679A JP2534317B2 (en) 1988-04-27 1988-04-27 Semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH01276652A JPH01276652A (en) 1989-11-07
JP2534317B2 true JP2534317B2 (en) 1996-09-11

Family

ID=14414112

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63105679A Expired - Lifetime JP2534317B2 (en) 1988-04-27 1988-04-27 Semiconductor device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2534317B2 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
JPH01276652A (en) 1989-11-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100997606B1 (en) Epoxy resin composition and semiconductor device
JPS62254454A (en) Semiconductor device
JPS62254453A (en) Semiconductor device
JPH03411B2 (en)
JP2534317B2 (en) Semiconductor device
JP3581192B2 (en) Epoxy resin composition and resin-encapsulated semiconductor device
JP2002194064A (en) Resin composition for encapsulating semiconductor and semiconductor device using the same
JP3206317B2 (en) Method for producing epoxy resin composition and epoxy resin composition
JP2001158852A (en) Epoxy resin composition and semiconductor device
JP2003155393A (en) Epoxy resin composition and semiconductor device
JP2744500B2 (en) Resin composition
JPH03210325A (en) Semiconductor sealing epoxy resin molding material
JPH0764918B2 (en) Semiconductor device
JPH0776258B2 (en) Semiconductor device
JP2938811B2 (en) Semiconductor device manufacturing method
JPS63299149A (en) Semiconductor device
JP2991847B2 (en) Resin composition for semiconductor encapsulation
JP2859640B2 (en) Semiconductor device
JP2823634B2 (en) Resin composition
JP3478380B2 (en) Epoxy resin composition and semiconductor device
JP2986900B2 (en) Resin composition
JP3129477B2 (en) Resin composition
JP2002121264A (en) Epoxy resin composition and semiconductor device
JPH06240111A (en) Epoxy resin composition for sealing electronic part
JPS63114244A (en) Semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term