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JP2519970B2 - Method for manufacturing mask for ROM-type optical recording card, method for manufacturing ROM-type optical recording card, inspection method therefor, mask inspection apparatus, and inspection apparatus for ROM-type optical recording card - Google Patents

Method for manufacturing mask for ROM-type optical recording card, method for manufacturing ROM-type optical recording card, inspection method therefor, mask inspection apparatus, and inspection apparatus for ROM-type optical recording card

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JP2519970B2
JP2519970B2 JP63090953A JP9095388A JP2519970B2 JP 2519970 B2 JP2519970 B2 JP 2519970B2 JP 63090953 A JP63090953 A JP 63090953A JP 9095388 A JP9095388 A JP 9095388A JP 2519970 B2 JP2519970 B2 JP 2519970B2
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JP
Japan
Prior art keywords
mask
optical recording
pattern
card
recording card
Prior art date
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JP63090953A
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Japanese (ja)
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Inventor
洋一 福島
実 藤田
裕二 柿沼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyodo Printing Co Ltd
Original Assignee
Kyodo Printing Co Ltd
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Publication date
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Priority to EP89904616A priority patent/EP0409987B1/en
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は光記録媒体、特にROM型光記録カードを製
造する場合に使用するマスクの製造方法等に関するもの
である。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method of manufacturing a mask used for manufacturing an optical recording medium, particularly a ROM type optical recording card.

近年、IDカードやキャッシュカードやバンクカードと
して各種の情報を記録したカードが普及して来ている
が、この発明のマスクはその様なROM型光記録カードに
使用するものである。
In recent years, cards recording various information such as ID cards, cash cards, and bank cards have become widespread, and the mask of the present invention is used for such a ROM type optical recording card.

[従来の技術] この種のカードには個人データや発行会社のデータ等
の各種の情報を記録する必要があり、初期の段階におい
ては、そのような情報を可視的な文字や記号で記録して
おり、また、後期の段階においては磁気を使用した電気
信号で記録しているが、偽造・改ざんの防止や情報量の
増加に対応する必要がある。
[Prior Art] It is necessary to record various information such as personal data and data of the issuing company on this kind of card, and at the initial stage, such information is recorded with visible characters or symbols. Also, in the latter stage, it is recorded by an electric signal using magnetism, but it is necessary to cope with the prevention of forgery and falsification and the increase in the amount of information.

そのために、近年、レーザ技術を応用した光記録カー
ドが開発されて来ている。この光記録カードは光学反射
面を持つ情報記録媒体(光記録媒体)を備えるもので、
光学反射面にはデータピットを形成し、そのデータピッ
トの光学反射率の差によってレーザによりデータピット
を検出し、情報を読み取るように構成したものである。
Therefore, in recent years, an optical recording card applying a laser technique has been developed. This optical recording card has an information recording medium (optical recording medium) having an optical reflection surface,
Data pits are formed on the optical reflection surface, and the data pits are detected by the laser based on the difference in optical reflectance of the data pits, and the information is read.

ところで、光記録媒体ではデータを表現するデータピ
ットパターンと、そのデータの書込み、読み取り時にト
ラッキングを行うためのトラック案内溝や、各トラック
の各々のセクターの位置、使用状況等を示すアドレス部
分を示すプリフォーマッティングパターンが必要であ
り、これらのプリフォーマッティングパターン及びデー
タピットパターンは、光記録媒体に予め書込み及び消去
不可能な形で形成されている。
By the way, in an optical recording medium, a data pit pattern expressing data, a track guide groove for performing tracking at the time of writing and reading the data, an address portion indicating a position of each sector of each track, a usage state, and the like are shown. A pre-formatting pattern is required, and these pre-formatting pattern and data pit pattern are formed in advance on the optical recording medium in a form that cannot be written and erased.

光記録媒体のデータの読み出し手段の一つとして、反
射光の強度を比較することによって行う方法がある。そ
して、それに適した光記録媒体を製造する技術の一つと
して、写真蝕刻技術を応用しプリフォーマッティングパ
ターン及びデータピットパターンをマスクに加工してお
き、プリフォーマッティングパターン及びデータピット
パターンを反射性金属等のパターンにして反射率の高低
を形成する方法がある。マスクの種類としては基準とな
るマザーマスクから実際の光記録媒体を工場で生産する
場合に使用するワーキングマスクまで各種のマスクがあ
るが、それらのマスクを製作する場合に採用されている
従来のホトマスク作製工程は第17図に示すとおりであ
る。
As one of the data reading means of the optical recording medium, there is a method of comparing the intensities of reflected light. Then, as one of the techniques for manufacturing an optical recording medium suitable for it, a photo-etching technique is applied to process the pre-formatting pattern and the data pit pattern as a mask, and the pre-formatting pattern and the data pit pattern are made of a reflective metal or the like. There is a method of forming high and low reflectance by forming the pattern. There are various types of masks, from a standard mother mask to a working mask used when an actual optical recording medium is produced in a factory. Conventional photomasks used when manufacturing these masks. The manufacturing process is as shown in FIG.

すなわち、光記録媒体の仕様を記載した仕様書111に
基づいてアートワーク112により原版を作成し、その原
版を縮小カメラ113により縮小してエマルジョンタイプ
若しくはハードタイプのレチクル(中間マスク)114を
作成する。
That is, an original is created by an artwork 112 based on a specification 111 that describes the specifications of an optical recording medium, and the original is reduced by a reduction camera 113 to create an emulsion-type or hard-type reticle (intermediate mask) 114. .

このレチクル(中間マスク)114をフォトリピータ115
によりレチクル(中間マスク)114に描かれた10倍から
5倍原図を1/10或いは1/5に縮小しながら殖版してマス
タマスク120を作成する。このマスタマスク120をプリン
トしてワーキングマスク116を得る。
This reticle (intermediate mask) 114 is used as a photo repeater 115.
Thus, the master mask 120 is created by stenciling the original drawing from 10 times to 5 times drawn on the reticle (intermediate mask) 114 while reducing it to 1/10 or 1/5. The master mask 120 is printed to obtain the working mask 116.

或いは、仕様書111に基づいてCAD入力117を行って磁
気テープ118を作成し、これを入力媒体としてパターン
ジェネレータ121により高解像力乾板(HRP)上に自動的
に可変矩形を高速かつ高精度に露光することにより、レ
チクル114を作成し、以下前述の工程を経てワーキング
マスク116を得る。
Alternatively, CAD input 117 is performed based on the specifications 111 to create a magnetic tape 118, and the pattern generator 121 is used as an input medium to automatically expose a variable rectangle on a high resolution dry plate (HRP) at high speed and with high accuracy. By doing so, the reticle 114 is created, and the working mask 116 is obtained through the above-described steps.

また磁気テープ118を入力媒体として電子ビーム露光
装置122によりマスタマスク115を作成し、以下前述の工
程を経てワーキングマスク116を得る。
Further, the master mask 115 is created by the electron beam exposure device 122 using the magnetic tape 118 as an input medium, and the working mask 116 is obtained through the above-described steps.

[発明が解決しようとする課題] ROM型光記録媒体は蓄えるべき情報の内容が異なれば
それぞれに対応する必要がある。従って、ROM型光記録
媒体を製造する場合にはカード仕様(各種類のカードに
対応したソフト)ごとに個々のピットパターンをもつも
のを製造する必要があり、従来はカード仕様(各種類の
カードに対応したソフト)ごとに高価なマザーマスクを
作成していたため、ROM型光記録媒体のマザーマスクは
高価なものになっている。また、従来、このROM型光記
録媒体のマスクを製造する場合は、露光手段として電子
ビームまたはパターンジェネレータ等を使用している
が、情報量が多い場合には、データ処理時間や露光時間
が長くなり、またマザーマスクの検査工程にも多大の時
間を必要としマスクの価格を高価にする一因となってい
る。更にアートワークによる方法は作業が極めて煩雑で
ある。
[Problems to be Solved by the Invention] If the content of information to be stored in the ROM type optical recording medium is different, it is necessary to deal with each. Therefore, when manufacturing a ROM-type optical recording medium, it is necessary to manufacture those having an individual pit pattern for each card specification (software corresponding to each type of card). (Compatible with software), because an expensive mother mask was created for each, the mother mask of the ROM type optical recording medium has become expensive. Further, conventionally, when manufacturing a mask of this ROM type optical recording medium, an electron beam or a pattern generator or the like is used as the exposure means, but when the amount of information is large, the data processing time and the exposure time are long. In addition, the inspection process of the mother mask requires a lot of time, which is one of the reasons for increasing the price of the mask. Furthermore, the method using artwork is extremely complicated.

この発明は上記の如き事情に鑑みてなされたものであ
って、書込み可能型光記録カード用の読取り書込み装置
によってデータを処理することができ、かつ安価である
ROM型光記録媒体を製造する場合に適したマスクを製造
する方法を提供することを目的とするものである。
The present invention has been made in view of the above circumstances and is capable of processing data by a read / write device for a writable optical recording card and is inexpensive.
An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a mask suitable for manufacturing a ROM type optical recording medium.

[課題を解決するための手段] このために、第1の発明のROM型光記録カード用ワー
キングマスクの作製方法は、データ入りROM型光記録カ
ード用のワーキングマスクの作製方法であって、プリフ
ォーマッティングパターンをもつマザーマスクを作成す
るマザーマスク作製工程と、前記プリフォーマッティン
グパターンを転写してあるマスタマスク基材に前記プリ
フォーマッティングパターンから制御記号を得てレーザ
照射によりデータピットパターンを形成してマスタマス
クを作製するマスタマスク作製工程と、前記マスタマス
クから前記プリフォーマッティングパターンと前記デー
タピットパターンを転写したワーキングマスクを作製す
るワーキングマスク作製工程とを含むことを特徴として
いる。
[Means for Solving the Problems] Therefore, a method for producing a working mask for a ROM-type optical recording card according to the first aspect of the present invention is a method for producing a working mask for a ROM-type optical recording card containing data. A mother mask manufacturing step of forming a mother mask having a formatting pattern, and obtaining a control symbol from the pre-formatting pattern on a master mask substrate on which the pre-formatting pattern is transferred, and forming a data pit pattern by laser irradiation to form a master. The method is characterized by including a master mask manufacturing step of manufacturing a mask and a working mask manufacturing step of manufacturing a working mask in which the pre-formatting pattern and the data pit pattern are transferred from the master mask.

また、第2の発明のROM型光記録カード用マザーマス
クの作製方法は、ROM型光記録カード用のマザーマスク
の作製方法であって、ハードマスクブランクスに電子ビ
ーム用レジストをコーティングするレジストコーティン
グ工程と、次に前記電子ビーム用レジストにプリフォー
マッティングパターンの形状に従って電子ビームを照射
する露光工程と、次に前記電子ビーム用レジストを現像
する現像工程と、次に前記ハードマスクブランクスをエ
ッチングするエッチング工程と、次に前記ハードマスク
ブランクスから前記電子ビーム用レジストを除去するリ
ムーブ工程とを含むことを特徴としている。
A method for producing a mother mask for a ROM-type optical recording card of the second invention is a method for producing a mother mask for a ROM-type optical recording card, which is a resist coating step of coating a hard mask blanks with an electron beam resist. An exposure step of irradiating the electron beam resist with an electron beam according to the shape of a pre-formatting pattern, a developing step of developing the electron beam resist, and an etching step of etching the hard mask blanks. And a removing step of removing the electron beam resist from the hard mask blanks.

また、第3の発明のROM型光記録カード用マザーマス
クの作製方法は、ROM型光記録カード用のマザーマスク
の作製方法であって、ハードマスクブランクスにフォト
レジストをコーティングするレジストコーティング工程
と、次に前記フォトレジストにプリフォーマッティング
パターンの形状に従って光を照射する露光工程と、次に
前記フォトレジストを現像する現像工程と、次に前記ハ
ードマスクブランクスをエッチングするエッチング工程
と、次に前記ハードマスクブランクスから前記フォトレ
ジストを除去するリムーブ工程とを含むことを特徴とし
ている。
A method for producing a mother mask for a ROM-type optical recording card of the third invention is a method for producing a mother mask for a ROM-type optical recording card, which comprises a resist coating step of coating a hard mask blanks with a photoresist, Next, an exposure step of irradiating the photoresist with light according to the shape of a pre-formatting pattern, a developing step of developing the photoresist, an etching step of etching the hard mask blanks, and then the hard mask. And a removing step of removing the photoresist from the blanks.

また、第4の発明のROM型光記録カード用マザーマス
クの作製方法は、ROM型光記録カード用のマザーマスク
の作製方法であって、一方で高解像度写真乾板にプリフ
ォーマッティングパターンの形状に従って光を照射する
露光工程と、次に前記高解像度写真乾板を現像・定着し
てエマルジョンマスクを作成する現像工程と、を含み、
他方で、ハードマスクブランクスにフォトレジストをコ
ーティングするレジストコーティング工程と、次に前記
フォトレジストに前記エマルジョンマスクを密着して露
光する露光工程と、次に前記フォトレジストを現像する
現像工程と、次に前記ハードマスクブランクスをエッチ
ングするエッチング工程と、次に前記ハードマスクブラ
ンクスから前記フォトレジストを除去するリムーブ工程
とを含むことを特徴としている。
The method for producing a mother mask for a ROM-type optical recording card according to a fourth aspect of the present invention is a method for producing a mother mask for a ROM-type optical recording card, in which a high-resolution photographic plate is shaped according to the shape of a pre-formatting pattern. And an exposure step of irradiating the high-resolution photographic plate, and a developing step of developing and fixing the high-resolution photographic plate to form an emulsion mask,
On the other hand, a resist coating step of coating the hard mask blanks with a photoresist, an exposure step of exposing the emulsion mask to the emulsion mask, and a developing step of developing the photoresist, The method is characterized by including an etching step of etching the hard mask blanks, and then a removing step of removing the photoresist from the hard mask blanks.

また、第5の発明のROM型光記録カード用マザーマス
クの作製方法は、ROM型光記録カード用のマスタマスク
の作製方法であって、基材上に金属膜が形成してあるマ
スタマスクブランクスの前記金属膜上にフォトレジスト
をコーティングするレジストコーティング工程と、プリ
フォーマッティングパターンを持つマザーマスクを前記
フォトレジスト上に重ねて露光する露光工程と、前記フ
ォトレジストを現像する現像工程、前記マスタマスクブ
ランクスの前記金属膜をエッチングするエッチング工程
と、前記金属膜から前記フォトレジストを除去するリム
ーブ工程とを含むことを特徴としている。
A method for producing a mother mask for a ROM-type optical recording card according to a fifth aspect of the present invention is a method for producing a master mask for a ROM-type optical recording card, which is a master mask blank in which a metal film is formed on a base material. A resist coating step of coating a photoresist on the metal film, an exposure step of exposing a mother mask having a pre-formatting pattern over the photoresist, a developing step of developing the photoresist, the master mask blanks And an etching step of etching the metal film, and a removing step of removing the photoresist from the metal film.

また、第6の発明のROM型光記録カード用データ入り
マスタマスクの作製方法は、ROM型光記録カード用のデ
ータピットパターン入りマスタマスクの作製方法であっ
て、表面にプリフォーマッティングパターンを転写して
あるマスタマスク基材の表面に光記録膜を形成する光記
録膜形成工程と、次にプリフォーマッティングパターン
に従ってレーザ照射により前記光記録膜をデータピット
パターンに対応して穿孔する書込み工程と、次に前記マ
スタマスク基材をエッチングするエッチング工程と、次
に前記マスタマスク基材から前記光記録膜を除去するリ
ムーブ工程とを含むことを特徴としている。
The method for producing a master mask with data for ROM type optical recording card of the sixth invention is a method for producing a master mask with data pit pattern for ROM type optical recording card, in which a pre-formatting pattern is transferred onto the surface. An optical recording film forming step of forming an optical recording film on the surface of the master mask substrate, and a writing step of punching the optical recording film corresponding to the data pit pattern by laser irradiation according to a pre-formatting pattern, and The method further includes an etching step of etching the master mask substrate, and a remove step of removing the optical recording film from the master mask substrate.

また、第7の発明の光記録カードの作製方法は、貼合
接着したカード表基材とカード裏基材との間にデータピ
ットパターンを形成してある光記録カードの作製方法で
あって、プリフォーマッティングパターンをもつマザー
マスクを作成するマザーマスク作製工程と、前記プリフ
ォーマッティングパターンを転写してあるマスタマスク
基材に前記プリフォーマッティングパターンから制御信
号を得てレーザ照射によりデータピットパターンを形成
してマスタマスクを作製するマスタマスク作製工程と、
前記マスタマスクから前記プリフォーマッティングパタ
ーンと前記データピットパターンを転写したワーキング
マスクを作製するワーキングマスク作製工程とを含むRO
M型光記録カード用ワーキングマスクの作製方法によっ
て作製した前記ワーキングマスクの前記データピットパ
ターンをエッチングまたはリフトオフにより転写して前
記データピットパターンを形成することを特徴としてい
る。
Further, a method for producing an optical recording card of a seventh invention is a method for producing an optical recording card in which a data pit pattern is formed between a card front substrate and a card back substrate which are bonded and bonded together, A mother mask manufacturing step of creating a mother mask having a pre-formatting pattern, and a control signal is obtained from the pre-formatting pattern on the master mask substrate on which the pre-formatting pattern is transferred to form a data pit pattern by laser irradiation. A master mask manufacturing process for manufacturing a master mask,
RO including a working mask manufacturing process for manufacturing a working mask in which the pre-formatting pattern and the data pit pattern are transferred from the master mask
It is characterized in that the data pit pattern is formed by transferring the data pit pattern of the working mask produced by the method for producing a working mask for an M-type optical recording card by etching or lift-off.

また、第8の発明の光記録カードの作製方法は、貼合
接着したカード表基材とカード裏基材との間にデータピ
ットパターンとホログラムパターンを少なくとも相互の
一部分を重畳させて形成してある光記録カードの作製方
法であって、プリフォーマッティングパターンをもつマ
ザーマスクを作成するマザーマスク作製工程と、前記プ
リフォーマッティングパターンを転写してあるマスタマ
スク基材に前記プリフォーマッティングパターンから制
御記号を得てレーザ照射によりデータピットパターンを
形成してマスタマスクを作製するマスタマスク作製工程
と、前記マスタマスクから前記プリフォーマッティング
パターンと前記データピットパターンを転写したワーキ
ングマスクを作製するワーキングマスク作製工程とを含
むROM型光記録カード用ワーキングマスクの作製方法に
よって作製した前記ワーキングマスクの制御データピッ
トパターンをエッチングまたはリフトオフにより転写し
て前記データピットパターンを形成することを特徴とし
ている。
Further, in the method for manufacturing an optical recording card of the eighth invention, the data pit pattern and the hologram pattern are formed by superposing at least a part of each other between the card front substrate and the card back substrate which are bonded and adhered. A method for producing an optical recording card, comprising a mother mask producing step of producing a mother mask having a pre-formatting pattern, and obtaining a control symbol from the pre-formatting pattern on a master mask substrate on which the pre-formatting pattern is transferred. Master mask forming step of forming a data pit pattern by laser irradiation to form a master mask, and a working mask forming step of forming a working mask in which the pre-formatting pattern and the data pit pattern are transferred from the master mask. ROM type optical recording card The control data pit pattern of the working mask manufactured by the method for manufacturing a working mask is transferred by etching or lift-off is characterized by forming said data pit pattern.

また、第9の発明のマスクの検査方法は、少なくとも
書き込み可能型光記録カードと同じプリフォーマッティ
ングパターンとデータピットパターンを持ったマスクの
検査方法であって、前記プリフォーマッティングパター
ンから得られる制御信号により、書き込み可能型光記録
カードの読み取り書き込み装置を制御して、前記マスク
の前記データピットパターンを読み取り、読み取った前
記データピットパターンとカード仕様に基づいたROMデ
ータ情報をコンピュータにより比較することを特徴とし
ている。
The mask inspecting method of the ninth invention is a mask inspecting method having at least the same pre-formatting pattern and data pit pattern as the writable optical recording card, and is controlled by a control signal obtained from the pre-formatting pattern. Controlling a read / write device of a writable optical recording card to read the data pit pattern of the mask, and comparing the read data pit pattern with ROM data information based on a card specification by a computer. There is.

また、第10の発明のマスクの検査装置は、少なくとも
書き込み可能型光記録カードと同じプリフォーマッティ
ングパターンとデータピットパターンを持ったマスクの
検査装置であって、前記プリフォーマッティングパター
ンから得られる制御信号により、書き込み可能型光記録
カードの読み取り書き込み装置を制御して、前記マスク
の前記データピットパターンを読み取り、読み取った前
記データピットパターンとカード仕様に基づいたROMデ
ータ情報をコンピュータにより比較することを特徴とし
ている。
A mask inspection apparatus according to a tenth aspect of the invention is a mask inspection apparatus having at least the same pre-formatting pattern and data pit pattern as the writable optical recording card, and is controlled by a control signal obtained from the pre-formatting pattern. Controlling a read / write device of a writable optical recording card to read the data pit pattern of the mask, and comparing the read data pit pattern with ROM data information based on a card specification by a computer. There is.

また第11の発明のROM型光記録カードの検査方法は、
少なくとも書き込み可能型光記録カードと同じプリフォ
ーマッティングパターンとデータピットパターンを持っ
たROM型光記録カードの検査方法であって、前記プリフ
ォーマッティングパターンから得られる制御信号によ
り、書き込み可能型光記録カードの読み取り書き込み装
置を制御して、前記ROM型光記録カードの前記データピ
ットパターン読み取り、読み取った前記データピットパ
ターンとカード仕様に基づいたROMデータ情報をコンピ
ュータにより比較することを特徴としている。
The inspection method of the ROM type optical recording card of the eleventh invention is
A method for inspecting a ROM type optical recording card having at least the same pre-formatting pattern and data pit pattern as a writable type optical recording card, wherein the writable type optical recording card is read by a control signal obtained from the pre-formatting pattern. The writing device is controlled to read the data pit pattern of the ROM type optical recording card, and the computer compares the read data pit pattern with the ROM data information based on the card specifications.

また第12の発明のROM型光記録カードの検査装置は、
少なくとも書き込み可能型光記録カードと同じプリフォ
ーマッティングパターンとデータピットパターンを持っ
たROM型光記録カードの検査装置であって、前記プリフ
ォーマッティングパターンから得られる制御信号によ
り、書き込み可能型光記録カードの読み取り書き込み装
置を制御して、前記ROM型光記録カードの前記データピ
ットパターンを読み取り、読み取った前記データピット
パターンとカード使用に基づいたROMデータ情報をコン
ピュータにより比較することを特徴としている。
The inspection device for the ROM type optical recording card of the twelfth invention is
A ROM type optical recording card inspection device having at least the same pre-formatting pattern and data pit pattern as a writable type optical recording card, wherein the writable type optical recording card is read by a control signal obtained from the pre-formatting pattern. The writing device is controlled to read the data pit pattern of the ROM type optical recording card, and the read data pit pattern and ROM data information based on card usage are compared by a computer.

[作用] この発明ではマザーマスクにはプリフォーマッティン
グパターンが形成される。プリフォーマッティングパタ
ーンは電子ブーム照射による描画とエッチングにより、
またはパターンジャネレータによるハードマスクブラン
クスへの描画とエッチングまたはパターンジェネレータ
によるエマルジョンマスクブランクスへの描画とハード
マスクブランクスへの露光及びエッチングによって形成
される。マスタマスクはマザーマスクからプリフォーマ
ッティングパターンが転写されているマスタマスク基材
に、そのプリフォーマッティングパターンから制御信号
を得て情報データのデータピットパターンを書込んで作
製される。
[Operation] In the present invention, a pre-formatting pattern is formed on the mother mask. The pre-formatting pattern is drawn by electron boom irradiation and etching,
Alternatively, it is formed by drawing and etching on the hard mask blanks by a pattern generator or drawing on the emulsion mask blanks by a pattern generator and exposing and etching on the hard mask blanks. The master mask is manufactured by writing a data pit pattern of information data on a master mask base material on which a pre-formatting pattern is transferred from a mother mask and obtaining a control signal from the pre-formatting pattern.

ワーキングマスクはマスタマスクからプリフォーマッ
ティングパターン及び情報データピットパターンを写真
蝕刻によって複製して作成する。光記録カードの光記録
媒体はワーキングマスクからプリフォーマッティングパ
ターン及びデータピットパターンを写真蝕刻によって複
製して作成する。マザーマスク、マスタマスク基材、マ
スタマスク、ワーキングマスク及び光記録カード用の光
記録媒体のそれぞれの作製過程においては、必要に応じ
て検査装置にて検査が加えられるが、この検査は、少な
くとも書き込み可能型光記録カードと同じプリフォーマ
ッティングパターンとデータピットパターンを持ったマ
スク及びROM型光記録カードの検査を、そのプリフォー
マッティングパターンから得られる制御信号により書き
込んだデータピットパターンの情報を読み取り、読み取
った情報とカード仕様(各種類のカードに対応したソフ
ト)に基づいたROM情報データ(外部記憶装置にMTにま
たはFD等の状態で記憶されているデータ)を読み出して
コンピュータ上でビットバイビットで比較し、マスク及
びROM型光記録カードの検査を行う。
The working mask is prepared by copying the pre-formatting pattern and the information data pit pattern from the master mask by photolithography. The optical recording medium of the optical recording card is prepared by copying the pre-formatting pattern and the data pit pattern from the working mask by photolithography. In the manufacturing process of each of the mother mask, the master mask base material, the master mask, the working mask, and the optical recording medium for the optical recording card, an inspection device is inspected as necessary. The inspection of the mask and ROM type optical recording card having the same pre-formatting pattern and data pit pattern as the possible optical recording card was read by reading the information of the data pit pattern written by the control signal obtained from the pre-formatting pattern. Reads ROM information data (data stored in the external storage device in the MT or FD state) based on the information and card specifications (software corresponding to each type of card) and compares it bit by bit on the computer Then, the mask and the ROM type optical recording card are inspected.

[実施例] ROM型光記録媒体を量産する場合には、実際にはワー
クに対して使用されるマスクはワーキングマスクであ
る。
[Example] When mass-producing a ROM type optical recording medium, the mask actually used for the work is a working mask.

そこで第1にまずワーキングマスクの製造方法を第1
図について説明する。
Therefore, firstly, the working mask manufacturing method
The figure will be described.

まず、書込み可能型光記録型式のプリフォーマッティ
ングパターンをハードマスク化したマザーマスクを作成
する(マザーマスク作製工程(第1図(a)))。プリ
フォーマッティングパターンは案内ガイドやトラックナ
ンバーピット等の制御パターン等からなっている。
First, a writable type optical recording type pre-formatting pattern is formed into a hard mask to form a mother mask (mother mask manufacturing step (FIG. 1A)). The pre-formatting pattern consists of guide patterns, control patterns such as track number pits, and the like.

次にマザーマスクのプリフォーマッティングパターン
をガラス等の基板の上に高反射性膜を形成してあるマス
クブランクスの前記高反射性膜にエッチング等により転
写してマスタマスク基材を作製する(マスタマスク基材
作製工程(第1図(b)))。
Next, the pre-formatting pattern of the mother mask is transferred to the highly reflective film of the mask blank having a highly reflective film formed on a substrate such as glass by etching or the like to prepare a master mask substrate (master mask). Substrate production process (FIG. 1 (b))).

次に前記プリフォーマッティングパターンを転写して
あるマスタマスク基材に前記プリフォーマッティングパ
ターンにより制御信号を得てトラッキング、フォーカシ
ングを行いながらエンコードした情報データをレーザ照
射によりデータピットパターンとして描画する(描画工
程(第1図(c)))。
Next, on the master mask substrate on which the pre-formatting pattern is transferred, the control signal is obtained by the pre-formatting pattern, and the encoded information data is drawn as a data pit pattern by laser irradiation while performing tracking and focusing (drawing step ( Fig. 1 (c))).

次にマスタマスク基材を現像エッチング等によりデー
タをパターン化してマスタマスクを作製する(マスタマ
スク作製工程(第1図(d)))。
Next, the master mask base material is patterned by development etching or the like to fabricate a master mask (master mask fabrication step (FIG. 1D)).

次に検査装置にて前記プリフォーマッティングパター
ンにより制御信号を得てトラッキング、フォーカシング
を行い、検査装置により書き込んだデータピットパター
ンの情報を(検出)読み取り、読み取った情報とROM情
報データとをビットバイビットで比較し書き込まれたデ
ータピットパターンの検査を行う。
Next, the inspection device obtains a control signal from the pre-formatting pattern to perform tracking and focusing, reads (detects) the data pit pattern information written by the inspection device, and reads the read information and the ROM information data bit by bit. Then, the written data pit pattern is inspected.

次に前記マスタマスクから前記プリフォーマッティン
グパターンと前記データピットパターンを転写したワー
キングマスクを作製する(ワーキングマスク作製工程
(第1図(e)))。
Next, a working mask is produced by transferring the pre-formatting pattern and the data pit pattern from the master mask (working mask producing step (FIG. 1 (e))).

ワーキングマスクは光記録カードの作製に使用する
(第1図(f))。
The working mask is used for manufacturing an optical recording card (Fig. 1 (f)).

それぞれの工程の最後の段階においては、必要に応じ
て検査工程(g)〜(l)が付加される。検査工程
(g)〜(l)では検査装置にてプリフォーマッティン
グパターンにより制御信号等を得てトラッキング、フォ
ーカシングを行い、検査装置により書き込んだデータピ
ットパターンの情報を(検出)読み取り、読み取った情
報とROM情報データとをビットバイビットで比較し書き
込まれたデータピットパターンの検査を行う。
At the final stage of each step, inspection steps (g) to (l) are added as needed. In the inspection steps (g) to (l), the inspection device obtains a control signal or the like from the pre-formatting pattern to perform tracking and focusing, and the information of the data pit pattern written by the inspection device is (detected) read and read. The written data pit pattern is inspected by comparing the ROM information data bit by bit.

第2にマザーマスクの製作方法を第2図について説明
する。
Secondly, a method for manufacturing a mother mask will be described with reference to FIG.

まずハードマスクブランクス9を用意する。ハードマ
スクブランクスとしてはガラス等の基板11の上に低反射
クローム等の遮光膜12を形成した低反射クロムマスクブ
ランクス、例えばアルバック成膜株式会社製LUCOAT PFL
−5009(s)Lを用いる(第2図(a)))。
First, hard mask blanks 9 are prepared. As the hard mask blank, a low reflection chrome mask blank in which a light shielding film 12 such as a low reflection chrome is formed on a substrate 11 such as glass, for example, LUCOAT PFL manufactured by ULVAC Film Co., Ltd.
−5009 (s) L is used (FIG. 2 (a)).

この他、ハードマスク用ガラス材質としてはソーダラ
イム ブルー(青板ガラス)、ソーダライム ホワイト
(白板ガラス)、低膨脹ガラス、合成石英、が使用可能
であり、膜の材質としては、Crの単層膜、Cr/CrXOyの2
層膜、CrXOy/Cr/CrXOyの3層膜が使用可能である。
In addition, soda lime blue (blue plate glass), soda lime white (white plate glass), low expansion glass, and synthetic quartz can be used as the glass material for the hard mask, and the film material is a Cr single-layer film. , Cr / CrXOy 2
A layer film and a three-layer film of CrXOy / Cr / CrXOy can be used.

電子ビーム用レジスト13をコーティングする(第2図
(b))。具体例としては、東京応化工業株式会社 OE
BRシリーズ ポジレジストOEBR−1030を3000rpmで90sec
スピンコートし、170℃で30minプリベークする。膜厚は
約0.3μmとなる。
The electron beam resist 13 is coated (FIG. 2 (b)). As a specific example, Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. OE
BR series positive resist OEBR-1030 at 3000 rpm for 90 seconds
Spin coat and pre-bake at 170 ° C for 30 minutes. The film thickness is about 0.3 μm.

電子ビーム用レジスト13にはポジ型とネガ型があり、
ポジ型としてはメタクリル樹脂、ポリオレフィンスルフ
ォンと等、ネガ型としてはエポキシ高分子、シリコン樹
脂等がある。
The electron beam resist 13 has a positive type and a negative type,
The positive type includes methacrylic resin and polyolefin sulfone, and the negative type includes epoxy polymer and silicone resin.

次に電子ビームを照射する(第2図(c))。具体例
としては、電子ビーム露光装置 パーキンエルマー社
メービスIII等を用いる(メービスシリーズ)。電子ビ
ームの描画データの入力はCADによる人的手段が一般的
である。また電子ビーム露光装置を直接動作させるよう
にフォーマットにデータを書込んだ磁気テープを作製
し、それによって入力してもよい。ここで入力するデー
タは光記録カード上の案内ガイドやデータトラックナン
バー等のプリフォーマットデータである。
Next, an electron beam is irradiated (FIG. 2 (c)). As a specific example, an electron beam exposure apparatus Perkin Elmer Co., Ltd.
Mavis III etc. are used (Mavis series). Generally, CAD is used to input electron beam drawing data. It is also possible to prepare a magnetic tape in which data is written in the format so that the electron beam exposure apparatus is directly operated, and input by this. The data input here is pre-formatted data such as guides and data track numbers on the optical recording card.

次に電子ビーム用レジスト13を現像する(第2図
(d))。具体例としては、東京応化工業株式会社 OE
BR−1030専用現像液 OEBR−1030DEを25℃に保持し、15min現像する。
Next, the electron beam resist 13 is developed (FIG. 2 (d)). As a specific example, Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. OE
BR-1030 dedicated developer OEBR-1030DE is kept at 25 ℃ and developed for 15 minutes.

次にクロム膜をエッチングする(第2図(e))。具
体例としては、エッチング液、硝酸第2セリウムアンモ
ン240g、過塩素酸(70%)60cc、純水1000ccに50sec浸
漬してエッチングする。
Next, the chromium film is etched (FIG. 2 (e)). As a specific example, etching is performed by immersing in an etching solution, 240 g of ceric ammonium nitrate, 60 cc of perchloric acid (70%), and 1000 cc of pure water for 50 seconds.

製品としては長瀬産業株式会社 クロムエッチャント
Kがある。
As a product, there is Chromium Etchant K, Nagase & Co., Ltd.

最後にレジストを剥離する(第2図(f))。具体例
としては東京応化工業株式会 社剥離液502に100℃、10
min浸漬してレジストをリムーブした後、アセトンとメ
タノールを1:1の容量比に混ぜた溶媒でリンスする。
Finally, the resist is peeled off (FIG. 2 (f)). A specific example is Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. stripper 502 at 100 ° C, 10
After immersing in min to remove the resist, rinse with a solvent in which acetone and methanol are mixed at a volume ratio of 1: 1.

こうしてプリフォーマッティングパターン14及び案内
ガイドを有するマザーマスク2が完成する(第2図
(g))。
In this way, the mother mask 2 having the pre-formatting pattern 14 and the guide is completed (FIG. 2 (g)).

第3に他のマザーマスクの作製方法を第3図について
説明する。
Thirdly, another method for producing a mother mask will be described with reference to FIG.

まずハードマスクブランクス9を用意する(第3図
(a))。ハードマスクブランクスの例としては低反射
クロムマスクブランクス(アルバック成膜株式会社製
LUCOAT PFL−5009(S)L)を用いる。
First, hard mask blanks 9 are prepared (FIG. 3 (a)). As an example of hard mask blanks, low reflection chrome mask blanks (manufactured by ULVAC Coating Co., Ltd.)
LUCOAT PFL-5009 (S) L) is used.

次にフォトレジスト23をスピンコートする(第3図
(b))。フォトレジストの例としてはヘキスト社のポ
ジ型フォトレジストAZ1350/SFを3000rpmで60secスピン
コートしレジスト膜を形成する。85℃で20分間プリベー
クを行い、冷却すると、膜厚は約0.5μmになる。
Next, the photoresist 23 is spin-coated (FIG. 3 (b)). As an example of the photoresist, a positive photoresist AZ1350 / SF manufactured by Hoechst Co. is spin-coated at 3000 rpm for 60 seconds to form a resist film. When prebaked at 85 ° C for 20 minutes and cooled, the film thickness becomes about 0.5 μm.

次にパターンジェネレータにより水銀灯の光24でフォ
トレジストを所望のプリフォーマットパターン通りに露
光する(第3図(c))。
Next, the photoresist is exposed by the light 24 of the mercury lamp by the pattern generator according to the desired preformat pattern (FIG. 3 (c)).

パターンジェネレータにはNSK社のLZ−340を用い、18
0mJ/cm2の条件で1shotづつ矩形を露光する。
NSK LZ-340 is used for the pattern generator, and 18
Rectangles are exposed one shot at a time under the condition of 0 mJ / cm 2 .

プリフォーマットパターンのデータの入力はCADシス
テム等により行い、データの内容は案内ガイドやデータ
・ナンバー等の制御用のデータが主である。
The data of the pre-format pattern is input by a CAD system, etc., and the content of the data is mainly data for control such as guides and data numbers.

次にフォトレジスト23を現像する(第3図(d)。フ
ォトレジストAZ 1350/SFの現像にはAZ 312MIFディベロ
ッパーを純水で1:1の容量比に希釈したものが用いられ
る。約30秒間浸漬した後に、純水で水洗を行う。
Next, the photoresist 23 is developed (FIG. 3 (d). To develop the photoresist AZ 1350 / SF, an AZ 312MIF developer diluted with pure water to a volume ratio of 1: 1 is used. About 30 seconds After immersion, it is washed with pure water.

次にハードマスクブランクス9のクロム膜25をエッチ
ングする(第3図(e))。エッチング液は長瀬産業株
式会社のクロムエチャントKが使用できる。約50秒間の
浸漬でクロムがエッチングされる。その後、純水で水洗
する。
Next, the chromium film 25 of the hard mask blanks 9 is etched (FIG. 3 (e)). Chrome Etchant K from Nagase & Co., Ltd. can be used as the etching solution. Chromium is etched by immersion for about 50 seconds. Then, it is washed with pure water.

次にフォトレジスト23を剥離する(第3図(f))。
フォトレジストAZ 1350/SFにはAZ・シンナーを用いるこ
とができる。約5分間AZ・シンナーに浸漬してレジスト
を溶解した後、別に用意したAZ・シンナーでリンスし、
乾燥させる。
Next, the photoresist 23 is peeled off (FIG. 3 (f)).
AZ thinner can be used for the photoresist AZ 1350 / SF. After immersing the resist in AZ thinner for about 5 minutes to dissolve the resist, rinse it with AZ thinner prepared separately,
dry.

こうして、マザーマスク2が完成する。 Thus, the mother mask 2 is completed.

第4に他のマザーマスクの作製方法を第4図について
説明する。
Fourth, another mother mask manufacturing method will be described with reference to FIG.

まず高解像度写真乾板26を用意する。例としてはコニ
カ HRP UT を用いる(第4図(a))。
First, a high resolution photo plate 26 is prepared. Konica HRP UT is used as an example (Fig. 4 (a)).

次に写真乾板26を光24で露光する(第4図(b))。
写真乾板26の露光機にはNSK社LZ−340を用い、100kVの
キセノンフラッシュにより矩形パターンを露光する。プ
リフォーマットパターンデータに従い1shotづつ露光す
る。
Next, the photographic dry plate 26 is exposed to light 24 (FIG. 4 (b)).
LSK-340, an NSK company, is used as an exposure device for the photo dry plate 26, and a rectangular pattern is exposed by a 100 kV xenon flash. Each shot is exposed according to the preformat pattern data.

次に写真乾板を現像、定着してエマルジョンマスク27
を作製する(第4図(c))。
Next, develop and fix the photographic plate, and then use the emulsion mask 27
Is prepared (FIG. 4 (c)).

現像液 :コニカHRP現像液CDH−100 1:4純水希釈 現像時間:20℃で5分間 水洗 :流水 17℃ 30秒 定着液 :コニカHRP定着液CFL−X 定着時間:20℃で3分間 水洗 :流水 17℃ 10分間 上記の条件で現像・定着を行った後、水切り風乾を十
分に行う。
Developer: Konica HRP developer CDH-100 1: 4 diluted with pure water Development time: 5 minutes at 20 ° C Water wash: Running water 17 ° C 30 seconds Fixer: Konica HRP fixer CFL-X Fixing time: 3 minutes wash at 20 ° C : Running water 17 ° C for 10 minutes After developing and fixing under the above conditions, drain and air dry thoroughly.

次に低反射クロムマスクブランクス9にフォトレジス
ト23の層を形成する(第4図(d))。低反射クロムマ
スクブランクスにはアルバック成膜株式会社製 LUCOAT
PFL−5009(S)Lを用いる。
Next, a layer of photoresist 23 is formed on the low reflection chrome mask blank 9 (FIG. 4 (d)). LUCOAT made by ULVAC Coating Co., Ltd. for low reflection chrome mask blanks
PFL-5009 (S) L is used.

フォトレジストにはシプレイ社マイクロポジット(登
録商標)S1400−17を用いて3000rpmで30秒間の条件でス
ピンコートし、90℃で15分間プリベークすると、約0.5
μmの膜厚になる。
The photoresist was spin-coated using Shipley Microposit (registered trademark) S1400-17 at 3000 rpm for 30 seconds, and prebaked at 90 ° C. for 15 minutes to obtain about 0.5.
The film thickness is μm.

次にエマルジョンマスク27を密着させて、水銀灯の光
を10mJ/cm2露光する(第4図(e))。
Next, the emulsion mask 27 is brought into close contact, and the light of the mercury lamp is exposed at 10 mJ / cm 2 (FIG. 4 (e)).

次にフォトレジスト23を現像する(第4図(f))。
現像液にはジプレイ社マイクロポジット社(登録商標)
ディベロパーMF−312を純水で1:1の容量比に希釈したも
のを用い、30秒間浸漬すると現像できる。その後、純水
で水洗をする。
Next, the photoresist 23 is developed (FIG. 4 (f)).
Developer is Microplay Co., Ltd. (registered trademark)
Developer MF-312 diluted with pure water to a volume ratio of 1: 1 can be used for 30 seconds for development. Then, it is washed with pure water.

次にハードマスクブランクス9のクロム膜25をエッチ
ングする(第4図(g))。エッチング液は長瀬産業株
式会社のクロムエッチャントKを用い、約50秒浸漬する
とクロムがエッチングされ、パターンが形成される。エ
ッチング終了後、水洗を十分行い、水切りする。
Next, the chromium film 25 of the hard mask blanks 9 is etched (FIG. 4 (g)). Chromium etchant K manufactured by Nagase & Co., Ltd. is used as an etching solution. When it is immersed for about 50 seconds, chromium is etched and a pattern is formed. After the etching is finished, it is washed thoroughly with water and drained.

次にフォトレジスタ23を剥離する(第4図(h))。
剥離液には東京応化工業株式会社ストリッパー10お80℃
に加熱し、60秒間浸漬し、純水で良く洗浄した後、乾燥
する。
Next, the photoresistor 23 is peeled off (FIG. 4 (h)).
For stripper, Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Stripper 10 80 ℃
After heating, soak for 60 seconds, wash thoroughly with pure water, and dry.

こうしてマザーマスク2を得る。 Thus, the mother mask 2 is obtained.

第5図にマスタマスク基材の作製方法を第5図につい
て説明する。
A method for producing the master mask substrate will be described with reference to FIG.

まず、表面の清浄なガラス板21を用意する(第5図
(a))。ガラス板としてはハードマスクブランクスに
用いられる青板、白板、低膨脹、合成石英、ガラス等を
用いる。表面平坦度についてはパターン精度等を参考に
して選択する。厚さとしては0.09″または0.05″等が良
い。
First, a glass plate 21 having a clean surface is prepared (FIG. 5 (a)). As the glass plate, blue plate, white plate, low expansion, synthetic quartz, glass, etc. used for hard mask blanks are used. The surface flatness is selected with reference to pattern accuracy and the like. A good thickness is 0.09 "or 0.05".

次にAl、Cr、Ni、Co、Ag、Au、Cu、Ti等の高反射性で
かつ遮光性のある金属16をスパッタリングする(第5図
(b))。膜厚は700Å程度にすると近赤外域で、反射
率はAlが90%以上、Crでは50〜60%程度になる。
Next, a highly reflective and light-shielding metal 16 such as Al, Cr, Ni, Co, Ag, Au, Cu and Ti is sputtered (FIG. 5 (b)). When the film thickness is about 700Å, the reflectance is about 90% or more for Al and about 50 to 60% for Cr in the near infrared region.

スパッタリング装置は初め1×10-5Torrまで減圧し、
Arガスを導入し、1×10-3Torrにした。マグネトロンス
パッタにより、10Å/secの蒸着レートで製膜を行う。以
上の第5図(a)、(b)で示した工程は高反射性でか
つ遮光性のある金属がCrを用いる場合には、市販のクロ
ムハードマスクブランクスで代替することもできる。
The sputtering system first reduced the pressure to 1 × 10 -5 Torr,
Ar gas was introduced to adjust the pressure to 1 × 10 −3 Torr. The film is formed by magnetron sputtering at an evaporation rate of 10Å / sec. When Cr is used as the highly reflective and light-shielding metal, the steps shown in FIGS. 5A and 5B can be replaced with commercially available chromium hard mask blanks.

以下説明は高反射性でかつ遮光性のある金属16の膜厚
が700ÅのCrである場合(Cr反射膜16である場合)につ
いて進める。
The following description will be made on the case where the metal 16 having high reflectivity and light shielding property has a film thickness of Cr of 700Å (the case of the Cr reflective film 16).

次にフォトレジスト23をコーティングする(第5図
(c))。例えば、シプレイ社 マイクロポジット(登
録商標)ポジレジストS1400−17を3000rpmで60secスピ
ンコートし、90℃で15分間乾燥させると約0.5μmのレ
ジスト膜が得られる。
Next, a photoresist 23 is coated (FIG. 5 (c)). For example, Shipley Microposit (registered trademark) positive resist S1400-17 is spin-coated at 3000 rpm for 60 seconds and dried at 90 ° C. for 15 minutes to obtain a resist film of about 0.5 μm.

次に予め準備しておいた書込み可能型光記録カード用
プリフォーマットパターンが作製してあるマスク17を密
着し、高圧水銀灯の光を4mJ/cm2露光する(第5図
(d))。
Next, a mask 17 on which a pre-format pattern for a writable optical recording card, which has been prepared in advance, is adhered, and the light of a high pressure mercury lamp is exposed at 4 mJ / cm 2 (FIG. 5 (d)).

次にレジスト23を現像する(第5図(e))。 Next, the resist 23 is developed (FIG. 5 (e)).

例えば、シプレイ社マイクロポジット(登録商標)ポ
ジレジストS1400−17にはシプレイ社マイクロポジット
(登録商標)MF−312を純水で容量比1:1に希釈した現像
液に約30秒浸漬すると現像できる。
For example, the Shipley Microposit (registered trademark) positive resist S1400-17 can be developed by dipping the Shipley Microposit (registered trademark) MF-312 in a developer diluted with pure water at a volume ratio of 1: 1 for about 30 seconds. .

次にCr反射膜16をエッチングする(第5図(f))。
エッチング液としては長瀬産業株式会社 クロムエッチ
ャントKを用いる。エッチャントを20℃に保持し、60秒
程度浸漬するとクロム膜がエッチングされ、マザーマス
クのプリフォーマットパターンの転写が行われる。
Next, the Cr reflection film 16 is etched (FIG. 5 (f)).
Chromium etchant K, Nagase & Co., Ltd. is used as an etching solution. When the etchant is kept at 20 ° C and immersed for about 60 seconds, the chrome film is etched and the preformat pattern of the mother mask is transferred.

Al膜の場合のエッチャントは H3PO4+CH3COOH+HNO3+H2O(容量比16:2:1:1)を用い
ることができる。
In the case of an Al film, H 3 PO 4 + CH 3 COOH + HNO 3 + H 2 O (capacity ratio 16: 2: 1: 1) can be used as an etchant.

最後にレジスト膜を剥離する(第5図(g))。東京
応化工業株式会社 剥離液−502を100℃に加熱し、5min
浸漬するとレジストが剥離する。その後、アセトンとメ
タノール(容量比で1:1)の溶媒に浸してリンスを行
う。
Finally, the resist film is peeled off (FIG. 5 (g)). Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Heat stripper 502 to 100 ° C for 5 min
The resist peels off when immersed. After that, rinsing is performed by immersing in a solvent of acetone and methanol (volume ratio 1: 1).

こうしてプリフォーマッティングパターンをもつマス
タマスク基材20が完成する。
Thus, the master mask substrate 20 having the pre-formatting pattern is completed.

第6にデータ入りのマスタマスクの作製方法を第6図
について説明する。
Sixth, a method for producing a master mask containing data will be described with reference to FIG.

まず、プリフォーマッティングパターンが形成してあ
るマスタマスク基材20を用意する(第6図(a))。こ
れは予めマスタマスク基材作製の工程(第5図)を経た
ものである。以下はマスクにおける高反射性でかつ遮光
性のある金属からなる反射膜がCrであるとして(Cr反射
膜16の場合)説明を進める。
First, a master mask base material 20 on which a pre-formatting pattern is formed is prepared (FIG. 6 (a)). This has been previously subjected to the step of preparing a master mask substrate (FIG. 5). The following description will be made assuming that the reflective film made of a metal having a high reflective property and a light blocking property in the mask is Cr (in the case of the Cr reflective film 16).

次にCr反射膜16の上に染料と樹脂とからなる光記録膜
31を形成する(第6図(b))。染料は次過程のレーザ
光を良く吸収するものを用いる必要がある。樹脂はエッ
チング工程の酸に耐えるものがよい。これには通常の染
料と樹脂からなる光記録膜のバインダーが利用できる。
染料と樹脂の配合比は染料1に対して、樹脂1以上が酸
に対する耐性が良好である。
Next, an optical recording film composed of a dye and a resin is formed on the Cr reflection film 16.
31 is formed (FIG. 6 (b)). It is necessary to use a dye that absorbs the laser beam in the next process well. The resin should withstand the acid of the etching process. For this purpose, an ordinary binder for an optical recording film composed of dye and resin can be used.
Regarding the compounding ratio of the dye and the resin, with respect to the dye 1, the resin 1 or more has good acid resistance.

例えば、半導体レーザ830nmにおける吸収の大きい染
料 日本化薬株式会社 IR−8201部、太平化学製品株式
会社 ニトロセルロースH1/8 3部、シクロヘキサンノ
ン75部、1,2−ジクロルエタン75部を混合した染料液を
用いる。これを1000rpmで60secスピンコートすると膜厚
が約2600Åになる。波長830nmの光に対しクロム膜の絶
体反射率が52%であると染料膜面(光記録膜31)側から
見たクロム部とガラス部の反射率はそれぞれ17%と5%
になる。このとき、光記録膜31とクロム膜により光の干
渉を生じるので光記録膜31の膜厚を樹脂の種類、染料の
種類、樹脂と染料の割合、反射膜の材質に応じて適当に
選択しないと、染料膜面側から見たクロム部とガラス部
で読取り、書込み光でのコントラストがとれなくなるこ
とがある。
For example, a dye having a large absorption at a semiconductor laser of 830 nm IR-8201 part of Nippon Kayaku Co., Ltd., Taihei Chemical Co., Ltd. Nitrocellulose H1 / 8 3 parts, 75 parts of cyclohexanone, 75 parts of 1,2-dichloroethane are mixed. To use. When this is spin-coated at 1000 rpm for 60 seconds, the film thickness becomes about 2600Å. When the absolute reflectance of the chromium film is 52% for the light of wavelength 830 nm, the reflectance of the chromium portion and the glass portion as viewed from the dye film surface (optical recording film 31) side are 17% and 5%, respectively.
become. At this time, since light interference occurs due to the optical recording film 31 and the chrome film, the film thickness of the optical recording film 31 is not appropriately selected according to the type of resin, the type of dye, the ratio of the resin and the dye, and the material of the reflective film. Then, the chrome portion and the glass portion viewed from the dye film surface side may read and contrast in writing light may not be obtained.

次にマスタマスク基材20に形成してあるプリフォーマ
ッティングパターンを利用して、オートトラッキング、
オートフォーカシング等を行いながら書込み可能型光記
録カードのソフトウェアを用いてエンコードしデータピ
ットの書込みを行う(第6図(c))。
Next, using the pre-formatting pattern formed on the master mask substrate 20, auto tracking,
The data pits are written by encoding using the software of the writable optical recording card while performing autofocusing and the like (FIG. 6 (c)).

前記の染料膜の場合5μmのスポットに830nmの半導
体レーザ光を集光すると、例えば8mWで20μsecのエネル
ギーを照射することにより行うことができる。
In the case of the dye film, when the semiconductor laser light of 830 nm is focused on the spot of 5 μm, it can be performed by irradiating the energy of 20 μsec at 8 mW, for example.

書込んだデータピット32をエッチングする(第6図
(d))。
The written data pit 32 is etched (FIG. 6 (d)).

前工程において書込んだピット部はクロム膜が露出し
ており、他の部分は染料膜に覆われている。従ってエッ
チング液に浸漬すれば染料膜をレジスト膜に代用し、エ
ッチングを行える。
The chromium film is exposed at the pit portion written in the previous step, and the other portion is covered with the dye film. Therefore, if it is dipped in an etching solution, the dye film can be substituted for the resist film to perform etching.

クロムマスクの場合のエッチャントは前掲の硝酸第2
セリウムアンモニウム240g、過塩素酸(70%)60cc、純
水(20±1℃)1000ccに90秒間浸漬してエッチングす
る。
When using a chrome mask, the etchant is nitric acid No. 2 above.
Cerium ammonium 240g, perchloric acid (70%) 60cc, pure water (20 ± 1 ° C) 1000cc is immersed for 90 seconds for etching.

製品としては長瀬産業株式会社 クロムエッチャント
Kがある。
As a product, there is Chromium Etchant K, Nagase & Co., Ltd.

アルミマスクの場合はエッチャントとして、燐酸800c
c、硝酸50cc、酢酸100cc、純水50ccを用いることができ
る。
800c phosphoric acid as an etchant for aluminum masks
c, nitric acid 50cc, acetic acid 100cc, pure water 50cc can be used.

残った光記録膜をリムーブする(第6図(e))。す
なわち、光記録膜として用いる染料膜を溶剤により除去
する。
The remaining optical recording film is removed (FIG. 6 (e)). That is, the dye film used as the optical recording film is removed with a solvent.

実施例の場合、アセトンに浸漬すれば10秒程度で溶解
する。その後、別のアセトンでリンスを行い表面を洗浄
にする。
In the case of the example, if it is immersed in acetone, it dissolves in about 10 seconds. Then, the surface is washed by rinsing with another acetone.

これによってデータピット32及びプリフォーマッティ
ングパターン14を有するデータ入りのマスタマスク33が
完成する(第6図(f))。
As a result, the master mask 33 containing the data pit 32 and the pre-formatting pattern 14 is completed (FIG. 6 (f)).

なお必要に応じてエッチング、リムーブ後に出来上っ
た入力済みのマスタマスク33を検査する(第6図
(g))。
If necessary, the master mask 33 which has been completed after etching and removal is inspected (FIG. 6 (g)).

[効果] この発明のマスクの作製方法において、制御ピット、
情報ピット、案内ガイド等のパターンとデータの読み出
し、書込みの論理構造を書込み可能型光記録カードと同
一にすれば、書込み可能型光記録カード用のリーダー・
ライターをカード検査装置、マスク検査装置として利用
することができるので、カード作製工程及びマスク作製
工程における検査が、別の検査機器を必要とすることな
しに容易に行える。また、書込み可能型光記録カード用
のリーダー・ライターのシステムをデータ描画器として
利用することができる。また、書込み可能型光記録カー
ド用のリーダー・ライターをROM型光記録カード用のリ
ーダーとして利用することができる。この様なことから
データ入りマザーマスクの製造コストを安価にすること
ができ、データ入りマザーマスクの製造工程が簡便にな
り、ひいては光記録カードの多品種小ロット生産の要請
に適合することができる。このように、この発明のマス
クにおいては、ROM型光記録媒体のプリフォーマットパ
ターン及びデータピットパターンの形、大きさ、配列、
論理構造等が書込み可能型光記録カードと共通であるの
で、このマスクを使用して製造されたROM型光記録媒体
は書込み可能型光記録カード用読取り装置で読取ること
ができる。しかも、書込み可能型光記録型式のプリフォ
ーマッティングパターンを利用してROM型光記録媒体カ
ード等の情報入りマスクを簡単かつ安価に作製すること
ができる。しかも製品のロットごとには任意情報データ
入りマスタマスクを作製すればよく、高価なマザーマス
クを製品のロットごとには作製する必要が無いので、光
記録媒体(カード等)を安価に作製することが出来る。
なお、図示はしないが検査装置は、書き込み可能型光記
録カードの書き込み読み取り装置と検査及びROM情報の
書き込み制御装置としてパーソナルコンピュータ及びそ
の外部記憶装置との組み合せにより構成されている。
[Effect] In the mask manufacturing method of the present invention, a control pit,
If the pattern of information pits, guides, etc. and the logical structure for reading and writing data are the same as the writable optical recording card, a reader for writable optical recording card
Since the writer can be used as a card inspection device and a mask inspection device, the inspection in the card manufacturing process and the mask manufacturing process can be easily performed without requiring another inspection device. Also, a reader / writer system for a writable optical recording card can be used as a data drawing device. Further, the reader / writer for the writable optical recording card can be used as the reader for the ROM type optical recording card. As a result, the manufacturing cost of the data-containing mother mask can be reduced, the manufacturing process of the data-containing mother mask can be simplified, and eventually, it is possible to meet the demand for the production of a large variety of optical recording cards in a small lot. . As described above, in the mask of the present invention, the shape, size, arrangement of the preformat pattern and the data pit pattern of the ROM type optical recording medium,
Since the logical structure is the same as that of the writable optical recording card, the ROM type optical recording medium manufactured by using this mask can be read by the writable optical recording card reader. Moreover, it is possible to easily and inexpensively manufacture an information-containing mask for a ROM type optical recording medium card or the like by using a pre-formatting pattern of a writable type optical recording type. Moreover, it is only necessary to manufacture a master mask containing arbitrary information data for each product lot, and it is not necessary to manufacture an expensive mother mask for each product lot, so it is possible to manufacture optical recording media (cards, etc.) at low cost. Can be done.
Although not shown, the inspection device is configured by a combination of a writing / reading device for a writable optical recording card, a personal computer as an inspection and ROM information writing control device, and its external storage device.

[他の実施例] 次にこの発明のワーキングマスク5を使用して製造し
た光記録媒体をもつカードの製造方法について説明す
る。
[Other Embodiments] Next, a method of manufacturing a card having an optical recording medium manufactured using the working mask 5 of the present invention will be described.

第7図、第8図、第9図及び第10図において、41は光
記録カードであり、光記録カード41は2枚のカード基材
すなわちカード表基材42及びカード裏基材43の間におい
て光記録部45を設けている。カード表基材42はポリカー
ボネート、ポリメチルメタクリレート、エポキシのよう
な透明で平滑性の高い樹脂で構成され、またカード裏基
材43は塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリエチレンテ
レフタレートのような樹脂材料で構成されている。
In FIG. 7, FIG. 8, FIG. 9 and FIG. 10, 41 is an optical recording card, and the optical recording card 41 is between two card base materials, that is, a card front base material 42 and a card back base material 43. In the optical recording section 45 is provided. The card front substrate 42 is made of a transparent and highly smooth resin such as polycarbonate, polymethylmethacrylate or epoxy, and the card back substrate 43 is made of a resin material such as vinyl chloride, polycarbonate or polyethylene terephthalate. There is.

この光記録部45を形成するのにこの発明のワーキング
マスク5が使用される。
The working mask 5 of the present invention is used to form the optical recording portion 45.

次に各種の光記録カードの製造方法について説明す
る。
Next, a method of manufacturing various optical recording cards will be described.

まず、カード表基材に直接金属反射膜で情報パターン
を作成し、光記録カード41aを作成する場合の作成方法
を第11図に示す。
First, FIG. 11 shows a method of forming an optical recording card 41a by directly forming an information pattern on a card surface base material with a metal reflection film.

(1)まず、第11図に示すように、厚さ0.40mmのポリカ
ーボネートの透明なカード表基材42を用意する(第11図
(a))。
(1) First, as shown in FIG. 11, a transparent card surface base material 42 of polycarbonate having a thickness of 0.40 mm is prepared (FIG. 11 (a)).

(2)次に、カード表基材42の外面に大日本インキ化学
工業株式会社のアクリル−シリコン樹脂1161を、ロール
コート法により乾燥膜厚が5μm程度になるように塗布
してハードコート層46を形成する(第11図(b))。
(2) Next, an acrylic-silicone resin 1161 manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc. is applied on the outer surface of the card surface base material 42 by a roll coating method so that the dry film thickness becomes about 5 μm, and the hard coat layer 46. Are formed (FIG. 11 (b)).

(3)次に、カード表基材42の内面に大日本インキ化学
工業株式会社のアクリル−シリコン樹脂1161を、ロール
コート法により乾燥膜厚が5000Å程度になるように塗布
してアンカー層47を形成する(第11図(c))。
(3) Next, an acrylic-silicone resin 1161 manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc. is applied to the inner surface of the card surface base material 42 by a roll coating method so that the dry film thickness becomes about 5000 Å, and the anchor layer 47 is formed. It is formed (Fig. 11 (c)).

(4)次に、カード表基材42の光記録部45に対応する部
分に、真空蒸着により、アルミニウム被膜48aを、真空
度2×10-5Torr、蒸着レート20Å/secで1000Å程度の膜
厚になるように形成する(第11図(d))。
(4) Next, an aluminum film 48a is vacuum-deposited on a portion of the card surface base material 42 corresponding to the optical recording portion 45, and a film having a vacuum degree of 2 × 10 −5 Torr and a vapor deposition rate of 20 Å / sec is about 1000 Å. It is formed to be thick (FIG. 11 (d)).

(5)次に、カード表基材42のアルミニウム被膜48a上
にシプレイ社のフォトレジスト、マイクロポジット(登
録商標)S1400−17をスピンナーにて3000rpmで30秒間塗
布を行い、乾燥膜厚5000Å程度の塗膜を得た後、90℃,1
5分間プレベークを行い、レジスト層51を形成する(第1
1図(e))。
(5) Next, a photoresist, Microposit (registered trademark) S1400-17 of Shipley Co., Ltd. is applied on the aluminum coating 48a of the card surface base material 42 by a spinner at 3000 rpm for 30 seconds to obtain a dry film thickness of about 5000 Å. After obtaining the coating film, 90 ℃, 1
Prebaking is performed for 5 minutes to form the resist layer 51 (first
Figure 1 (e)).

(6)次に、所望の光記録パターンが形成してあるワー
キングマスク5をカード表基材42のレジスト層51に密着
し、高圧水銀灯を用い、4mJ/cm2で露光し、光記録パタ
ーン層51bを形成する(第11図(f))。
(6) Next, the working mask 5 on which a desired optical recording pattern is formed is brought into close contact with the resist layer 51 of the card front substrate 42, and exposed at 4 mJ / cm 2 using a high pressure mercury lamp to form an optical recording pattern layer. 51b is formed (FIG. 11 (f)).

(7)次に、カード表基材42のレジスト層51をシプレイ
社の現像液MF−312 1部を純水1部で希釈した現像液
にて30秒間現像し、純水にて、水洗を充分に行い、乾燥
させる(第11図(g))。
(7) Next, the resist layer 51 of the card surface base material 42 is developed for 30 seconds with a developer prepared by diluting 1 part of the developer MF-312 of Shipley Co. with 1 part of pure water, and rinsed with pure water. Perform thoroughly and dry (Fig. 11 (g)).

(8)次に、 燐酸 16部 酢酸 2部 硝酸 1部 純水 1部 を、混合攪拌したエッチング溶液を用いて、カード表基
材42のアルミニウム被膜48aを光記録パターン層51bをマ
スクとして35℃のエッチング溶液に50秒間浸漬し、アル
ミニウム被膜48aのエッチングを行い、アルミニウムパ
ターン48bを形成した後、純水にて水洗いを行い、乾燥
させる(第11図(h))。
(8) Next, 16 parts of phosphoric acid, 2 parts of acetic acid, 1 part of nitric acid, and 1 part of pure water were mixed and stirred, and the aluminum film 48a of the card surface substrate 42 was used as a mask at the optical recording pattern layer 51b at 35 ° C. using an etching solution. The aluminum coating 48a is etched by immersing it in the etching solution for 50 seconds to form an aluminum pattern 48b, followed by washing with pure water and drying (FIG. 11 (h)).

(9)次に、カード表基材42のフォトレジストの剥離性
向上のために100mj/cm2で再露光し、東京応化工業株式
会社の剥離液10を1部用意し純水3部で希釈した溶液に
カード表基材42を1〜2秒浸漬し、光記録パターン層51
bを剥離し、直ちに純水にて水洗いを充分行い、乾燥さ
せる(第11図(i))。
(9) Next, re-exposure is carried out at 100 mj / cm 2 to improve the strippability of the photoresist on the card surface substrate 42, 1 part of the stripping solution 10 from Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. is prepared and diluted with 3 parts of pure water. The card surface base material 42 is dipped in the prepared solution for 1 to 2 seconds to form an optical recording pattern layer 51.
Peel off b, immediately wash thoroughly with pure water and dry (Fig. 11 (i)).

(10)次に、所望のデザインを施した、厚さ0.35mmの塩
化ビニールシートのカード裏基材43に、予めウレタン系
の熱可塑性接着剤からなる接着剤層52を内面側に乾燥膜
厚5μmになるようにロールコート法にて塗布し、カー
ド表基材42とカード裏基材43の内面同士を重ね合わせ、
90℃、15Kg/cm2で10分間熱プレスを行い接着する(第11
図(j))。
(10) Next, on a card backing material 43 of a vinyl chloride sheet having a desired design and a thickness of 0.35 mm, an adhesive layer 52 made of a urethane-based thermoplastic adhesive is previously formed on the inner surface to a dry film thickness. It is applied by a roll coating method so as to have a thickness of 5 μm, and the inner surfaces of the card front base material 42 and the card back base material 43 are overlapped,
Bonding is performed by hot pressing at 90 ℃ and 15Kg / cm 2 for 10 minutes.
Figure (j)).

(11)次に、通常のカード形状にカッティングを行う
(第11図(k))。
(11) Next, cutting is performed in a normal card shape (Fig. 11 (k)).

(12)こうして光記録カード41aが完成する(第11図
(l))。
(12) Thus, the optical recording card 41a is completed (FIG. 11 (l)).

次に、カード表基材にホログラムパターンをスタンピ
ング等により設けた後に直接金属反射膜で情報パターン
を作成し、光記録カード41bを作成する場合の作成方法
を第12図に示す。
Next, FIG. 12 shows a preparation method in the case of forming an optical recording card 41b by directly forming an information pattern by a metal reflection film after providing a hologram pattern on the card front substrate by stamping or the like.

(1)まず、第12図に示すように、厚さ0.40mmのポリカ
ーボネートの透明なカード表基材42を用意する(第12図
(a))。
(1) First, as shown in FIG. 12, a transparent card surface base material 42 of polycarbonate having a thickness of 0.40 mm is prepared (FIG. 12 (a)).

(2)次に、カード表基材42の外面に大日本インキ化学
工業株式会社のアクリル−シリコン樹脂1161を、ロール
コート法により乾燥膜厚が5μm程度になるように塗布
してハードコート層46を形成する(第12図(b))。
(2) Next, an acrylic-silicon resin 1161 manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc. is applied to the outer surface of the card surface base material 42 by a roll coating method so that the dry film thickness is about 5 μm, and the hard coat layer 46 is formed. Are formed (FIG. 12 (b)).

(3)カード表基材42の光記録部形成領域に対応する部
分にホログラムパターン53の形成されている金型をあて
250℃、10Kg/cm2で1分間熱プレスを行いホログラムパ
ターン53をカード表基材42の内面側に形成する(第12図
(c))。
(3) A mold having a hologram pattern 53 is applied to a portion of the card front substrate 42 corresponding to the optical recording portion forming area.
The hologram pattern 53 is formed on the inner surface side of the card front substrate 42 by hot pressing at 250 ° C. and 10 Kg / cm 2 for 1 minute (FIG. 12 (c)).

(4)次に、カード表基材42のホログラムパターン53の
上に、真空蒸着により、アルミニウム被膜48aを、真空
度2×10-5Torr、蒸着レート20Å/secで1000Å程度の膜
厚になるように形成する(第12図(d))。
(4) Next, the aluminum film 48a is vacuum-deposited on the hologram pattern 53 of the card front substrate 42 to a film thickness of about 1000Å at a vacuum degree of 2 × 10 -5 Torr and an evaporation rate of 20Å / sec. (FIG. 12 (d)).

(5)次に、カード表基材42のアルミニウム被膜48a上
にシプレイ社のフォトレジスト、マイクロポジット(登
録商標)S1400−17をスピンナーにて3000rpmで30秒間塗
布を行い、乾燥膜厚5000Å程度の塗布を得た後、90℃,1
5分間プレベークを行い、レジスト層51を形成する(第1
2図(e))。
(5) Next, a photoresist, Microposit (registered trademark) S1400-17 of Shipley Co., Ltd. is applied on the aluminum coating 48a of the card surface base material 42 by a spinner at 3000 rpm for 30 seconds to obtain a dry film thickness of about 5000 Å. After getting the coating, 90 ℃, 1
Prebaking is performed for 5 minutes to form the resist layer 51 (first
2 (e)).

(6)次に、所望の光記録パターンが形成してあるワー
キングマスク5をカード表基材42のレジスト層51に密着
し、高圧水銀灯を用い、4mJ/cm2で露光し、光記録パタ
ーン層51bを形成する(第12図(f))。
(6) Next, the working mask 5 on which a desired optical recording pattern is formed is brought into close contact with the resist layer 51 of the card front substrate 42, and exposed at 4 mJ / cm 2 using a high pressure mercury lamp to form an optical recording pattern layer. 51b is formed (FIG. 12 (f)).

(7)次に、カード表基材42のレジスト層51をシプレイ
社の現像液MF−312 1部を純水1部で希釈した現像液
にて30秒間現像し、純水にて、水洗を充分に行い、乾燥
させる(第12図(g))。
(7) Next, the resist layer 51 of the card surface base material 42 is developed for 30 seconds with a developer prepared by diluting 1 part of the developer MF-312 of Shipley Co. with 1 part of pure water, and rinsed with pure water. Perform thoroughly and dry (Fig. 12 (g)).

(8)次に、 燐酸 16部 酢酸 2部 硝酸 1部 純水 1部 を、混合攪拌したエッチング溶液を用いて、カード表基
材42のアルミニウム被膜48aを光記録パターン層51bをマ
スクとして35℃のエッチング溶液に50秒間浸漬し、アル
ミニウム被膜48aのエッチングを行い、アルミニウムパ
ターン48bを形成した後、純水にて水洗いを行い、乾燥
させる(第12図(h))。
(8) Next, 16 parts of phosphoric acid, 2 parts of acetic acid, 1 part of nitric acid, and 1 part of pure water were mixed and stirred, and the aluminum film 48a of the card surface substrate 42 was used as a mask at the optical recording pattern layer 51b at 35 ° C. using an etching solution. The aluminum coating 48a is etched by immersing it in the etching solution for 50 seconds to form an aluminum pattern 48b, followed by washing with pure water and drying (FIG. 12 (h)).

(9)次に、カード表基材42のフォトレジストの剥離性
向上のために100mJ/cm2で再露光し、東京応化工業株式
会社の剥離液10を1部用意し純水3部で希釈した溶液に
カード表基材42を1〜2秒浸漬し、レジスト層51を剥離
し、直ちに純水にて水洗いを充分行い、乾燥させる(第
12図(i))。
(9) Next, in order to improve the releasability of the photoresist on the card surface base material 42, re-exposure is carried out at 100 mJ / cm 2 , 1 part of the stripping solution 10 from Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. is prepared and diluted with 3 parts of pure water. The card surface base material 42 is dipped in the above solution for 1 to 2 seconds, the resist layer 51 is peeled off, and immediately washed with pure water sufficiently to dry it.
Figure 12 (i)).

(10)次に、所望のデザインを施した、厚さ0.35mmの塩
化ビニールシートのカード裏基材43に、予めウレタン系
の熱可塑性接着剤からなる接着剤層52を内面側に乾燥膜
厚5μmになるようにロールコート法にて塗布し、カー
ド表基材42とカード裏基材43の内面同士を重ね合わせ、
90℃、15Kg/cm2で10分間熱プレスを行い接着する(第12
図(j))。
(10) Next, on a card backing material 43 of a vinyl chloride sheet having a desired design and a thickness of 0.35 mm, an adhesive layer 52 made of a urethane-based thermoplastic adhesive is previously formed on the inner surface to a dry film thickness. It is applied by a roll coating method so as to have a thickness of 5 μm, and the inner surfaces of the card front substrate 42 and the card back substrate 43 are overlapped with each other,
Bonding is performed by hot pressing at 90 ℃ and 15Kg / cm 2 for 10 minutes.
Figure (j)).

(11)次に、通常のカード形状にカッティングを行う
(第12図(k))。
(11) Next, cutting is performed in a normal card shape (Fig. 12 (k)).

(12)こうして光記録カード41bが完成する(第12図
(l))。
(12) Thus, the optical recording card 41b is completed (Fig. 12 (l)).

なお、ホログラムパターンの作成方法としては、この
他にも2P法(ホトポリマー法)にて作成することも可能
である。
As a method of creating the hologram pattern, the 2P method (photopolymer method) can be used in addition to the above.

次に、カード表基材に紫外線及び赤外線に吸収のある
染料で情報パターンを作成した後に直接金属反射膜をパ
ターン化した情報記録層を設けた光記録カード41cを作
成する場合の作成方法を第13図に示す。
Next, a method for creating an optical recording card 41c provided with an information recording layer in which a metal reflective film is directly patterned after forming an information pattern with a dye having absorption of ultraviolet rays and infrared rays on a card surface substrate is described below. Shown in Figure 13.

(1)まず、第13図に示すように、厚さ0.40mmのポリカ
ーボネートの透明なカード表基材42を用意する(第13図
(a))。
(1) First, as shown in FIG. 13, a transparent card surface base material 42 of polycarbonate having a thickness of 0.40 mm is prepared (FIG. 13 (a)).

(2)次に、カード表基材42の外面に大日本インキ化学
工業株式会社のアクリル−シリコン樹脂1161を、ロール
コート法により乾燥膜厚が5μm程度になるように塗布
してハードコート層46を形成する(第13図(b))。
(2) Next, an acrylic-silicon resin 1161 manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc. is applied to the outer surface of the card surface base material 42 by a roll coating method so that the dry film thickness is about 5 μm, and the hard coat layer 46 is formed. Are formed (FIG. 13 (b)).

(3)次に、カード表基材42の内面に大日本インキ化学
工業株式会社のアクリル−シリコン樹脂1161を、ロール
コート法により乾燥膜厚が5000Å程度になるように塗布
してアンカー層47を形成する(第13図(c))。
(3) Next, an acrylic-silicone resin 1161 manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc. is applied to the inner surface of the card surface base material 42 by a roll coating method so that the dry film thickness becomes about 5000 Å, and the anchor layer 47 is formed. It is formed (Fig. 13 (c)).

(4)次に、 日本化薬株式会社の赤外線吸収染料 CY−20 1部 東洋インキ製造株式会社のスクリーンプロセスインキメ
ジウム S8−800 20部 東洋インキ製造株式会社のスクリーンプロセスインキ用
シンナー S718 5部 を、混合したインキでカード表基材42にシルクスクリー
ン印刷によりカード表基材42の光記録部45に対応する部
分に乾燥膜厚2μm程度の所望の光記録層54bを形成す
る(第13図(d))。
(4) Next, Infrared absorption dye CY-20 from Nippon Kayaku Co., Ltd. 1 part Screen process ink medium S8-800 from Toyo Ink Mfg. Co., Ltd. 20 parts 5 parts thinner S718 screen process ink from Toyo Ink Mfg. Co., Ltd. , A desired optical recording layer 54b having a dry film thickness of about 2 μm is formed on the card surface base material 42 by silk screen printing on the card surface base material 42 with the mixed ink (FIG. 13 ( d)).

(5)次に、カード表基材42の光記録層54bの上に、真
空蒸着により、アルミニウム被膜48aを、真空度2×10
-5Torr、蒸着レート20Å/secで1000Å程度の膜厚になる
ように形成する(第13図(e))。
(5) Next, the aluminum film 48a is vacuum-deposited on the optical recording layer 54b of the card surface base material 42 to form a vacuum degree of 2 × 10.
It is formed to have a film thickness of about 1000Å at -5 Torr and an evaporation rate of 20Å / sec (Fig. 13 (e)).

(6)次に、カード表基材42のアルミニウム被膜48a上
にシプレイ社のフォトレジスト、マイクロポジット(登
録商標)S1400−17をスピンナーにて3000rpmで30秒間塗
布を行い、乾燥膜厚5000Å程度の塗膜を得た後、90℃15
分間プレベークを行い、レジスト層51を形成する(第13
図(f))。
(6) Next, on the aluminum coating 48a of the card surface base material 42, a photoresist of Shipley Co., Ltd., Microposit (registered trademark) S1400-17 was applied by a spinner at 3000 rpm for 30 seconds to obtain a dry film thickness of about 5000 Å. After obtaining the coating film, 90 ℃ 15
Prebaking is performed for a minute to form the resist layer 51 (13th
(F)).

(7)次に、所望の光記録パターンが形成してあるワー
キングマスク5をカード表基材42のレジスト層51に密着
し、高圧水銀灯を用い、4mJ/cm2で露光し、光記録パタ
ーン層51bを形成する(第13図(g))。
(7) Next, the working mask 5 on which a desired optical recording pattern is formed is brought into close contact with the resist layer 51 of the card front substrate 42, and exposed at 4 mJ / cm 2 using a high pressure mercury lamp to form an optical recording pattern layer. 51b is formed (FIG. 13 (g)).

(8)次に、カード表基材42のレジスト層51をシプレイ
社の現像液MF−312 1部を純水1部で希釈した現像液
にて30秒間現像し、純水にて、水洗を充分に行い、乾燥
させる(第13図(h))。
(8) Next, the resist layer 51 of the card surface base material 42 is developed for 30 seconds with a developing solution prepared by diluting 1 part of the developer MF-312 of Shipley Co. with 1 part of pure water, and rinsed with pure water. Perform thoroughly and dry (Fig. 13 (h)).

(9)次に、 燐酸 16部 酢酸 2部 硝酸 1部 純水 1部 を、混合攪拌したエッチング溶液を用いて、カード表基
材42のアルミニウム被膜48aを光記録パターン層51bをマ
スクとして35℃のエッチング溶液に50秒間浸漬し、アル
ミニウム被膜48aのエッチングを行い、アルミニウムパ
ターン48bを形成した後、純水にて水洗いを行い、乾燥
させる(第13図(i))。
(9) Next, 16 parts of phosphoric acid, 2 parts of acetic acid, 1 part of nitric acid, and 1 part of pure water were mixed and stirred, and the aluminum coating 48a of the card surface substrate 42 was used as a mask at the optical recording pattern layer 51b at 35 ° C. using an etching solution. After the aluminum coating 48a is etched by immersing it in the etching solution of 50 seconds to form the aluminum pattern 48b, it is washed with pure water and dried (FIG. 13 (i)).

(10)次に、カード表基材42のフォトレジストの剥離性
向上ために100mJ/cm2で再露光し、東京応化工業株式会
社の剥離液10を1部用意し純水3部で希釈した溶液にカ
ード表基材42を1〜2秒浸漬し、レジスト層51を剥離
し、直ちに純水にて水洗いを充分行い、乾燥させる(第
13図(j))。
(10) Next, in order to improve the releasability of the photoresist on the card surface base material 42, re-exposure was carried out at 100 mJ / cm 2 , 1 part of the stripping solution 10 from Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. was prepared and diluted with 3 parts of pure water. The card surface base material 42 is dipped in the solution for 1 to 2 seconds, the resist layer 51 is peeled off, immediately rinsed with pure water sufficiently and dried (first step).
Figure 13 (j)).

(11)次に、所望のデザインを施した、厚さ0.35mmの塩
化ビニールシートのカード裏基材43に、予めウレタン系
の熱可塑性接着剤からなる接着剤層52を内面側に乾燥膜
厚5μmになるようにロールコート法にて塗布し、カー
ド表基材42とカード裏基材43の内面同士を重ね合わせ、
90℃、15kg/cm2で10分間熱プレスを行い接着する(第13
図(k))。
(11) Next, an adhesive layer 52 made of a urethane-based thermoplastic adhesive is preliminarily dried on the inside surface of the card backing substrate 43 of a vinyl chloride sheet having a desired design and a thickness of 0.35 mm to a dry film thickness. It is applied by a roll coating method so as to have a thickness of 5 μm, and the inner surfaces of the card front substrate 42 and the card back substrate 43 are overlapped with each other,
Heat-press at 90 ℃ and 15kg / cm 2 for 10 minutes to bond (No. 13
(Figure (k)).

(12)次に、通常のカード形状にカッティングを行う
(第13図(l))。
(12) Next, cutting is performed in a normal card shape (Fig. 13 (l)).

(13)こうして光記録カード41cが完成する(第13図
(m))。
(13) Thus, the optical recording card 41c is completed (FIG. 13 (m)).

次に、カード表基材に紫外線及び赤外線に吸収のある
染料で情報パターンを作成しホログラムパターンをスタ
ンピング等により設けた後、金属反射膜をパターン化し
た情報記録層を設けた光記録カード41dを作成する場合
の作成方法を第14図に示す。
Next, an optical recording card 41d provided with an information recording layer having a patterned metal reflection film after forming an information pattern on the card surface substrate with a dye having absorption of ultraviolet rays and infrared rays and providing a hologram pattern by stamping or the like. Fig. 14 shows the method of making it.

(1)まず、第14図に示すように、厚さ0.40mmのポリカ
ーボネートの透明なカード表基材42を用意する(第14図
(a))。
(1) First, as shown in FIG. 14, a transparent card surface base material 42 of polycarbonate having a thickness of 0.40 mm is prepared (FIG. 14 (a)).

(2)次に、カード表基材42の表面に大日本インキ化学
工業株式会社のアクリル−シリコン樹脂1161を、ロール
コート法により乾燥膜厚が5μm程度になるように塗布
してハードコート層46を形成する(第14図(b))。
(2) Next, an acrylic-silicon resin 1161 manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc. is applied to the surface of the card surface base material 42 by a roll coating method so that the dry film thickness becomes about 5 μm, and the hard coat layer 46 is formed. Are formed (FIG. 14 (b)).

(3)次に、 日本化薬株式会社の赤外線吸収染料 CY−20 1部 東洋インキ製造株式会社のスクリーンプロセスインキメ
ジウム S8−800 20部 東洋インキ製造株式会社のスクリーンプロセスインキ用
シンナー S718 5部 を混合したインキでカード表基材42にシルクスクリーン
印刷により光記録部45に対応する部分に乾燥膜厚2μm
程度の所望の光記録層54bを形成する(第14図
(c))。
(3) Next, Infrared absorbing dye CY-20 from Nippon Kayaku Co., Ltd. 1 part Toyo Ink Mfg. Co., Ltd. screen process ink medium S8-800 20 parts Toyo Ink Mfg. Co., Ltd. screen process ink thinner S718 5 parts Silk-screen printing on the card surface base material 42 with the mixed ink to dry the film thickness 2 μm on the part corresponding to the optical recording part 45.
A desired optical recording layer 54b is formed (FIG. 14 (c)).

(4)カード表基材42の光記録層54bの上にホログラム
パターン53の形成されている金型をあて250℃、10Kg/cm
2で1分間熱プレスを行いホログラムパターン53をカー
ド表基材42の内面側に形成する(第14図(d))。
(4) A mold having a hologram pattern 53 formed on the optical recording layer 54b of the card surface base material 42 is applied at 250 ° C. and 10 Kg / cm.
A hot press is performed at 2 for 1 minute to form a hologram pattern 53 on the inner surface side of the card front substrate 42 (FIG. 14 (d)).

(5)次に、カード表基材42のホログラムパターン53の
上に、真空蒸着により、アルミニウム被膜48aを、真空
度2×10-5Torr、蒸着レート20Å/secで1000Å程度の膜
厚になるように形成する(第14図(e))。
(5) Next, the aluminum film 48a is vacuum-deposited on the hologram pattern 53 of the card front substrate 42 to a film thickness of about 1000Å at a vacuum degree of 2 × 10 -5 Torr and an evaporation rate of 20Å / sec. As shown in FIG. 14 (e).

(6)次に、カード表基材42のアルミニウム被膜48a上
にシプレイ社のフォトレジスト、マイクロポジット(登
録商標)S1400−17をスピンナーにて3000rpmで30秒間塗
布を行い、乾燥膜厚5000Å程度の塗膜を得た後、90℃15
分間プレベークを行い、レジスト層51を形成する(第14
図(f))。
(6) Next, on the aluminum film 48a of the card surface base material 42, a photoresist of Shipley Co., Ltd., Microposit (registered trademark) S1400-17 was applied by a spinner at 3000 rpm for 30 seconds to obtain a dry film thickness of about 5000 Å. After obtaining the coating film, 90 ℃ 15
Prebaking is performed for a minute to form the resist layer 51 (14th
(F)).

(7)次に、所望の光記録パターンが形成してあるワー
キングマスク5をカード表基材42のレジスト層51に密着
し、高圧水銀灯を用い、4mJ/cm2で露光し、光記録パタ
ーン層51bを形成する(第14図(g))。
(7) Next, the working mask 5 on which a desired optical recording pattern is formed is brought into close contact with the resist layer 51 of the card front substrate 42, and exposed at 4 mJ / cm 2 using a high pressure mercury lamp to form an optical recording pattern layer. 51b is formed (FIG. 14 (g)).

(8)次に、カード表基材42のレジスト層51をシプレイ
社の現像液MF−312 1部を純水1部で希釈した現像液
にて30秒間現像し、純水にて、水洗を充分に行い、乾燥
させる(第14図(h))。
(8) Next, the resist layer 51 of the card surface base material 42 is developed for 30 seconds with a developing solution prepared by diluting 1 part of the developer MF-312 of Shipley Co. with 1 part of pure water, and rinsed with pure water. Perform thoroughly and dry (Fig. 14 (h)).

(9)次に、 燐酸 16部 酢酸 2部 硝酸 1部 純水 1部 を、混合攪拌したエッチング溶液を用いて、カード表基
材42のアルミニウム被膜48aを光記録パターン層51bをマ
スクとして35℃のエッチング溶液に50秒間浸漬し、アル
ミニウム被膜48aのエッチングを行い、アルミニウムパ
ターン48bを形成した後、純水にて水洗いを行い、乾燥
させる(第14図(i))。
(9) Next, 16 parts of phosphoric acid, 2 parts of acetic acid, 1 part of nitric acid, and 1 part of pure water were mixed and stirred, and the aluminum coating 48a of the card surface substrate 42 was used as a mask at the optical recording pattern layer 51b at 35 ° C. using an etching solution. After the aluminum coating 48a is etched by immersing it in the etching solution for 50 seconds to form the aluminum pattern 48b, it is washed with pure water and dried (FIG. 14 (i)).

(10)次に、カード表基材42のフォトレジストの剥離性
向上のために100mJ/cm2で再露光し、東京応化工業株式
会社の剥離液10を1部用意し純水3部で希釈した溶液に
カード表基材42を1〜2秒浸漬し、直ちに純水にて水洗
いを充分行い、乾燥させる(第14図(j))。
(10) Next, in order to improve the strippability of the photoresist on the card surface base material 42, re-exposure is performed at 100 mJ / cm 2 , and 1 part of the stripping solution 10 from Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. is prepared and diluted with 3 parts of pure water. The card surface substrate 42 is dipped in the above solution for 1 to 2 seconds, immediately rinsed with pure water, and dried (FIG. 14 (j)).

(11)次に、所望のデザインを施した、厚さ0.35mmの塩
化ビニールシートのカード裏基材43に、予めウレタン系
の熱可塑性接着剤からなる接着剤層52を内面側に乾燥膜
厚5μmになるようにロールコート法にて塗布し、カー
ド表基材42とカード裏基材43の内面同士を重ね合わせ、
90℃、15Kg/cm2で10分間熱プレスを行い接着する(第14
図(k))。
(11) Next, an adhesive layer 52 made of a urethane-based thermoplastic adhesive is preliminarily dried on the inside surface of the card backing substrate 43 of a vinyl chloride sheet having a desired design and a thickness of 0.35 mm to a dry film thickness. It is applied by a roll coating method so as to have a thickness of 5 μm, and the inner surfaces of the card front substrate 42 and the card back substrate 43 are overlapped with each other,
Bonding is performed by hot pressing at 90 ℃ and 15Kg / cm 2 for 10 minutes.
(Figure (k)).

(12)次に、通常のカード形状にカッティングを行う
(第14図(l))。
(12) Next, cutting is performed in a normal card shape (Fig. 14 (l)).

(13)こうして光記録カード41dが完成する(第14図
(m))。
(13) Thus, the optical recording card 41d is completed (FIG. 14 (m)).

次に、金属反射膜で情報パターンを作成した光記録テ
ープを挟み込んで光記録カード41eを作成する場合の作
成方法を第15図に示す。
Next, FIG. 15 shows a method of making the optical recording card 41e by sandwiching the optical recording tape having the information pattern formed by the metal reflection film.

(1)まず、第15図に示すように、厚さ50μmのPETフ
ィルム55を用意する(第15図(a))。
(1) First, as shown in FIG. 15, a PET film 55 having a thickness of 50 μm is prepared (FIG. 15 (a)).

(2)次に、PETフィルム55上に大日本インキ化学工業
株式会社のアクリル−シリコン樹脂1161を、ロールコー
ト法により乾燥膜厚が5000Å程度になるように塗布して
アンカー層47を形成する(第15図(b))。
(2) Next, an acrylic-silicon resin 1161 manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc. is applied on the PET film 55 by a roll coating method so that the dry film thickness becomes about 5000 Å to form the anchor layer 47 ( Figure 15 (b)).

(3)次に、PETフィルム55の情報記録部形成領域に、
真空蒸着により、アルミニウム被膜48aを、真空度2×1
0-5Torr、蒸着レート20Å/secで1000Å程度の膜厚にな
るように形成する(第15図(c))。
(3) Next, in the information recording area forming area of the PET film 55,
The aluminum film 48a is vacuum-deposited to a vacuum degree of 2 × 1.
It is formed to have a film thickness of about 1000 Å at 0 -5 Torr and an evaporation rate of 20 Å / sec (Fig. 15 (c)).

(4)次に、PETフィルム55のアルミニウム被膜48a上に
シプレイ社のフォトレジスト、マイクロポジット(登録
商標)S1400−17をロールコート法により塗布し30秒間
塗布を行い、乾燥膜厚5000Å程度の塗膜を得た後、90
℃,15分間乾燥を行い、レジスト層51を形成する(第15
図(d))。
(4) Next, on the aluminum film 48a of the PET film 55, a photoresist of Shipley Co., Ltd., Microposit (registered trademark) S1400-17 was applied by a roll coating method and then applied for 30 seconds to give a dry film thickness of about 5000 Å. 90 after getting the membrane
The resist layer 51 is formed by drying for 15 minutes at ℃ (15th
Figure (d)).

(5)次に、所望の光記録パターンが形成してあるワー
キングマスク5をPETフィルム55のレジスト層51に密着
し、高圧水銀灯を用い、4mJ/cm2で露光し、光記録パタ
ーン層51bを形成する(第15図(e))。
(5) Next, the working mask 5 on which a desired optical recording pattern is formed is brought into close contact with the resist layer 51 of the PET film 55 and exposed at 4 mJ / cm 2 using a high pressure mercury lamp to form the optical recording pattern layer 51b. It is formed (Fig. 15 (e)).

(6)次に、PETフィルム55をシプレイ社の現像液MF−3
12 1部を純水1部で希釈した現像液にて30秒間現像
し、純水にて、水洗を充分に行い、乾燥させる(第15図
(f))。
(6) Next, the PET film 55 is applied to the developer MF-3 of Shipley Co.
12 1 part is developed with a developing solution diluted with 1 part of pure water for 30 seconds, washed thoroughly with pure water, and dried (FIG. 15 (f)).

(7)次に、 燐酸 16部 酢酸 2部 硝酸 1部 純水 1部 を、混合攪拌したエッチング溶液を用いて、PETフィル
ム55のアルミニウム被膜48aを光記録パターン層51bをマ
スクとして35℃のエッチング溶液に50秒間浸漬し、アル
ミニウム被膜48aのエッチングを行い、アルミニウムパ
ターン48bを形成した後、純水にて水洗いを行い、乾燥
させる(第15図(g))。
(7) Next, 16 parts of phosphoric acid, 2 parts of acetic acid, 1 part of nitric acid, and 1 part of pure water were mixed and stirred, and the aluminum coating 48a of the PET film 55 was etched at 35 ° C. using the optical recording pattern layer 51b as a mask. After being immersed in the solution for 50 seconds, the aluminum coating 48a is etched to form an aluminum pattern 48b, which is then washed with pure water and dried (FIG. 15 (g)).

(8)次に、PETフィルム55のフォトレジストの剥離性
向上のために100mJ/cm2で再露光し、東京応化工業株式
会社の剥離液10を1部用意し純水3部で希釈した溶液に
PETフィルム55を1〜2秒浸漬し、直ちに純水にて水洗
いを充分行い、乾燥させる(第15図(h))。
(8) Next, in order to improve the releasability of the photoresist of the PET film 55, re-exposure was performed at 100 mJ / cm 2 , and 1 part of the stripping solution 10 from Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. was prepared and diluted with 3 parts of pure water. To
The PET film 55 is dipped for 1 to 2 seconds, immediately washed with pure water, and then dried (FIG. 15 (h)).

(9)次に、厚さ0.40mmのポリカーボネートの透明なカ
ード表基材42を用意する(第15図(i))。
(9) Next, a transparent card surface base material 42 of polycarbonate having a thickness of 0.40 mm is prepared (FIG. 15 (i)).

(10)次に、カード表基材42の表面に大日本インキ化学
工業株式会社のアクリル−シリコン樹脂1161を、ロール
コート法により乾燥膜厚が10μm程度になるように塗布
してハードコート層46を形成する(第15図(j))。
(10) Next, an acrylic-silicon resin 1161 manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc. is applied on the surface of the card surface base material 42 by a roll coating method so that the dry film thickness becomes about 10 μm, and the hard coat layer 46 is formed. Are formed (FIG. 15 (j)).

(11)次に、カード表基材42の内面に予めウレタン系熱
可塑性接着剤からなる接着剤層52bを内面側に乾燥膜厚
5μmになるようにロールコート法にて塗布する(第15
図(k))。
(11) Next, an adhesive layer 52b made of a urethane-based thermoplastic adhesive is applied in advance to the inner surface of the card surface base material 42 by a roll coating method so that the dry film thickness is 5 μm on the inner surface (fifteenth).
(Figure (k)).

(12)PETフィルム55とカード表基材42をアルミニウム
パターン48bを内側にして接着剤層52bで接着する(第15
図(l))。
(12) The PET film 55 and the card front substrate 42 are bonded to each other with the adhesive layer 52b with the aluminum pattern 48b inside (the 15th position).
Figure (l)).

(13)次に、所望のデザインを施した、厚さ0.30mmの塩
化ビニールシートのカード裏基材43に、予めウレタン系
の熱可塑性接着剤からなる接着剤層52を内面側に乾燥膜
厚5μmになるようにロールコート法にて塗布し、カー
ド表基材42とカード裏基材43の内面同士を重ね合わせ、
90℃、15Kg/cm2で10分間熱プレスを行い接着する(第15
図(m))。
(13) Next, an adhesive layer 52 made of a urethane-based thermoplastic adhesive is preliminarily dried on the inner surface of the card backing base material 43 of a 0.30 mm thick vinyl chloride sheet having a desired design. It is applied by a roll coating method so as to have a thickness of 5 μm, and the inner surfaces of the card front substrate 42 and the card back substrate 43 are overlapped with each other,
Bonding is performed by hot pressing at 90 ℃ and 15Kg / cm 2 for 10 minutes.
Figure (m)).

(14)次に、通常のカード形状にカッティングを行う
(第15図(n))。
(14) Next, cutting is performed in a normal card shape (Fig. 15 (n)).

(15)こうして光記録カード41eが完成する(第15図
(o))。
(15) Thus, the optical recording card 41e is completed (FIG. 15 (o)).

次に、金属反射膜で情報パターンを作成した光記録テ
ープを挟み込み、表基材は紫外線及び赤外線に吸収のあ
る染料で情報パターンを作成し光記録カード41fを作成
する場合の作成方法を第16図に示す。
Next, the optical recording tape having an information pattern formed with a metal reflection film is sandwiched, and the front base material is used as an optical recording card 41f to form an information pattern with a dye that absorbs ultraviolet rays and infrared rays. Shown in the figure.

(1)まず、第16図に示すように、厚さ50μmのPETフ
ィルム55を用意する(第16図(a))。
(1) First, as shown in FIG. 16, a PET film 55 having a thickness of 50 μm is prepared (FIG. 16 (a)).

(2)次に、PETフィルム55上に大日本インキ化学工業
株式会社のアクリル−シリコン樹脂1161を、ロールコー
ト法により乾燥膜厚が5000Å程度になるように塗布して
アンカー層47を形成する(第16図(b))。
(2) Next, an acrylic-silicon resin 1161 manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc. is applied on the PET film 55 by a roll coating method so that the dry film thickness becomes about 5000 Å to form the anchor layer 47 ( Figure 16 (b)).

(3)次に、PETフィルム55の情報記録部形成領域に、
真空蒸着により、アルミニウム被膜48aを、真空度2×1
0-5Torr、蒸着レート20Å/secで1000Å程度の膜厚にな
るように形成する(第16図(c))。
(3) Next, in the information recording area forming area of the PET film 55,
The aluminum film 48a is vacuum-deposited to a vacuum degree of 2 × 1.
It is formed to have a film thickness of about 1000 Å at 0 -5 Torr and a vapor deposition rate of 20 Å / sec (Fig. 16 (c)).

(4)次に、PTEフィルム55のアルミニウム被膜48a上に
シプレイ社のフォトレジスト、マイクロポジット(登録
商標)S1400−17をロールコート法により塗布し30秒間
塗布を行い、乾燥膜厚5000Å程度の塗膜を得た後、90
℃,15分間乾燥を行い、レジスト層51を形成する(第16
図(d))。
(4) Next, a photoresist, Microposit (registered trademark) S1400-17, of Shipley Co., was applied on the aluminum coating 48a of the PTE film 55 by a roll coating method and then coated for 30 seconds to give a dry film thickness of about 5000 Å. 90 after getting the membrane
Dry for 15 minutes at ℃, to form a resist layer 51 (16th
Figure (d)).

(5)次に、所望の光記録パターンが形成してあるワー
キングマスク15をPETフィルム55のレジスト層51に密着
し、高圧水銀灯を用い、4mJ/cm2で露光し、光記録パタ
ーン層51bを形成する(第16図(e))。
(5) Next, the working mask 15 on which a desired optical recording pattern is formed is brought into close contact with the resist layer 51 of the PET film 55 and exposed at 4 mJ / cm 2 using a high pressure mercury lamp to form the optical recording pattern layer 51b. It is formed (Fig. 16 (e)).

(6)次に、PETフィルム55をシプレイ社の現像液MF−3
12 1部を純水1部で希釈した現像液にて30秒間現像
し、純水にて、水洗を充分に行い、乾燥させる(第16図
(f))。
(6) Next, the PET film 55 is applied to the developer MF-3 of Shipley Co.
12 1 part is developed with a developing solution diluted with 1 part of pure water for 30 seconds, washed thoroughly with pure water, and dried (FIG. 16 (f)).

(7)次に、 燐酸 16部 酢酸 2部 硝酸 1部 純水 1部 を、混合攪拌したエッチング溶液を用いて、PETフィル
ム55のアルミニウム被膜48aを光記録パターン層516をマ
スクとして35℃のエッチング溶液に50秒間浸漬し、アル
ミニウム被膜48aのエッチングを行い、アルミニウムパ
ターン48bを形成した後、純水にて水洗いを行い、乾燥
させる(第16図(g))。
(7) Next, 16 parts of phosphoric acid, 2 parts of acetic acid, 1 part of nitric acid, and 1 part of pure water were mixed and stirred, and the aluminum film 48a of the PET film 55 was etched at 35 ° C. using the optical recording pattern layer 516 as a mask. The aluminum film 48a is etched by immersing it in the solution for 50 seconds to form an aluminum pattern 48b, followed by washing with pure water and drying (FIG. 16 (g)).

(8)次に、PETフィルム55のフォトレジストの剥離性
向上ために100mJ/cm2で再露光し、東京応化工業株式会
社の剥離液10を1部用紙し純水3部で希釈した溶液にPE
Tフィルム55を1〜2秒浸漬し、直ちに純水にて水洗い
を充分行い、乾燥させる(第16図(h))。
(8) Next, in order to improve the releasability of the photoresist of the PET film 55, re-exposure was carried out at 100 mJ / cm 2 , and 1 part of the stripping solution 10 from Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. was put into a solution diluted with 3 parts of pure water. PE
The T film 55 is dipped for 1 to 2 seconds, immediately rinsed thoroughly with pure water and dried (FIG. 16 (h)).

(9)次に、厚さ0.40mmのポリカーボネートの透明なカ
ード表基材42を用意する(第16図(i))。
(9) Next, a transparent card surface base material 42 of 0.40 mm thick polycarbonate is prepared (FIG. 16 (i)).

(10)次に、カード表基材42の外面に大日本インキ化学
工業株式会社のアクリル−シリコン樹脂1161を、ロール
コート法により乾燥膜厚が10μm程度になるように塗布
してハードコート層46を形成する(第16図(j))。
(10) Next, an acrylic-silicon resin 1161 manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc. is applied to the outer surface of the card surface base material 42 by a roll coating method so that the dry film thickness is about 10 μm, and the hard coat layer 46 is formed. Are formed (FIG. 16 (j)).

(11)次に、 日本化薬株式会社の赤外線吸収染料 CY−20 1部 東洋インキ製造株式会社のスクリーンプロセスインキメ
ジウム S8−800 20部 東洋インキ製造株式会社のスクリーンプロセスインキ用
シンナー S718 5部 を、混合したインキでカード表基材42にシルクスクリー
ン印刷により光記録部45に対応する部分に乾燥膜厚2μ
m程度の所望の光記録パターン層51bを形成する(第16
図(k))。
(11) Next, the infrared absorption dye CY-20 from Nippon Kayaku Co., Ltd. 1 part Toyo Ink Mfg. Co., Ltd. screen process ink medium S8-800 20 parts Toyo Ink Mfg. Co., Ltd. screen process ink thinner S718 5 parts , Dry film thickness 2μ on the part corresponding to the optical recording part 45 by silk screen printing on the card surface base material 42 with the mixed ink
A desired optical recording pattern layer 51b of about m is formed (16th
(Figure (k)).

(12)次に、カード表基材42の内面に予めウレタン系熱
可塑性接着剤からなる接着剤層52bを内面側に乾燥膜厚
5μmになるようにロールコート法にて塗布する(第16
図(l))。
(12) Next, an adhesive layer 52b made of a urethane-based thermoplastic adhesive is applied in advance to the inner surface of the card surface base material 42 by a roll coating method so as to have a dry film thickness of 5 μm on the inner surface (sixteenth).
Figure (l)).

(13)PETフィルム55とカード表基材42をアルミニウム
パターン48bを内側にして接着剤層52bで接着する(第16
図(m))。
(13) The PET film 55 and the card front substrate 42 are bonded to each other with the adhesive layer 52b with the aluminum pattern 48b inside (the 16th).
Figure (m)).

(14)次に、所望のデザインを施した、厚さ0.30mmの塩
化ビニールシートのカード裏基材43に、予めウレタン系
の熱可塑性接着剤からなる接着剤層52を内面側に乾燥膜
厚5μmになるようにロールコート法にて塗布し、カー
ド表基材42とカード裏基材43の内面同士の重ね合わせ、
90℃、15Kg/cm2で10分間熱プレスを行い接着する(第16
図(n))。
(14) Next, a cardboard backing material 43 of a 0.30 mm thick vinyl chloride sheet with a desired design is preliminarily coated with an adhesive layer 52 made of a urethane-based thermoplastic adhesive on the inner surface side to form a dry film thickness. It is applied by a roll coating method so as to have a thickness of 5 μm, and the inner surfaces of the card front substrate 42 and the card back substrate 43 are overlapped with each other,
Heat-press at 90 ℃ and 15Kg / cm 2 for 10 minutes to bond (No. 16
(N)).

(15)次に、通常のカード形状にカッティングを行う
(第16図(o))。
(15) Next, cutting is performed in a normal card shape (Fig. 16 (o)).

(16)こうして光記録カード41fが完成する(第16図
(p))。
(16) Thus, the optical recording card 41f is completed (FIG. 16 (p)).

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図はROM型光記録カード用マスクの作製過程を示す
工程説明図、第2図はマザーマスクの作製過程を示す工
程説明図、第3図はマザーマスクの他の作製過程を示す
工程説明図、第4図はマザーマスクの他の作成過程を示
す工程説明図、第5図はプリフォーマットマスタマスク
の作製過程を示す工程説明図、第6図はデータ入りマス
タマスクの作製過程を示す工程説明図、第7図は光記録
カードの斜視説明図、第8図は光記録カードの側面説明
図、第9図は光記録カードの平面説明図、第10図は第9
図におけるA−A部断面図、第11図は光記録カードの作
製過程を示す工程説明図、第12図は他の光記録カードの
作製過程を示す工程説明図、第13図は他の光記録カード
の作製過程を示す工程説明図、第14図は他の光記録カー
ドの作製過程を示す工程説明図、第15図は他の光記録カ
ードの作製過程を示す工程説明図、第16図は他の光記録
カードの作製過程を示す工程説明図、第17図は光記録カ
ード用のデータ入りワーキングマスクの従来の作製過程
を示す工程説明図である。 2…マザーマスク 5…ワーキングマスク 9…ハードマスクブランクス 11…基板 12…遮光膜 13…電子ビーム用レジスト 14…プリフォーマッティングピットパターン 21…ガラス板 23…フォトレジスト 24…光 25…クロム膜 31…光記録膜 32…データピット 33…データ入りマスタマスク 41,41a,41b,41c,41d,41e,41f…光記録カード 42…カード表基材 43…カード裏基材 45…光記録部 46…ハードコート層 47…アンカー層 48a…アルミニウム被膜 48b…アルミニウムパターン 51…レジスト層 51b…光記録パターン層 52…接着剤層 53…ホログラムパターン 54b…光記録層 55…PETフィルム
FIG. 1 is a process explanatory drawing showing a manufacturing process of a ROM type optical recording card mask, FIG. 2 is a process explanatory drawing showing a manufacturing process of a mother mask, and FIG. 3 is a process explanatory drawing showing another manufacturing process of a mother mask. 4 and 5 are process explanatory diagrams showing another process for producing a mother mask, FIG. 5 is a process explanatory diagram showing a process for producing a pre-format master mask, and FIG. 6 is a process showing a process for producing a master mask containing data. FIG. 7, FIG. 7 is a perspective view of an optical recording card, FIG. 8 is a side view of the optical recording card, FIG. 9 is a plan view of the optical recording card, and FIG.
11 is a sectional view taken along the line AA in FIG. 11, FIG. 11 is a process explanatory view showing a manufacturing process of an optical recording card, FIG. 12 is a process explanatory view showing a manufacturing process of another optical recording card, and FIG. FIG. 14 is a process explanatory view showing a manufacturing process of a recording card, FIG. 14 is a process explanatory view showing a manufacturing process of another optical recording card, FIG. 15 is a process explanatory view showing a manufacturing process of another optical recording card, and FIG. FIG. 17 is a process explanatory view showing a manufacturing process of another optical recording card, and FIG. 17 is a process explanatory view showing a conventional manufacturing process of a data-containing working mask for an optical recording card. 2 ... Mother mask 5 ... Working mask 9 ... Hard mask blanks 11 ... Substrate 12 ... Shading film 13 ... Electron beam resist 14 ... Pre-formatting pit pattern 21 ... Glass plate 23 ... Photo resist 24 ... Light 25 ... Chrome film 31 ... Light Recording film 32 ... Data pit 33 ... Data-containing master mask 41, 41a, 41b, 41c, 41d, 41e, 41f ... Optical recording card 42 ... Card front substrate 43 ... Card back substrate 45 ... Optical recording part 46 ... Hard coat Layer 47 ... Anchor layer 48a ... Aluminum coating 48b ... Aluminum pattern 51 ... Resist layer 51b ... Optical recording pattern layer 52 ... Adhesive layer 53 ... Hologram pattern 54b ... Optical recording layer 55 ... PET film

Claims (14)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】データ入りROM型光記録カード用のワーキ
ングマスクの作製方法であって、プリフォーマッティン
グパターンをもつマザーマスクを作成するマザーマスク
作製工程と、前記プリフォーマッティングパターンを転
写してあるマスタマスク基材に前記プリフォーマッティ
ングパターンから制御記号を得てレーザ照射によりデー
タピットパターンを形成してマスタマスクを作製するマ
スタマスク作製工程と、前記マスタマスクから前記プリ
フォーマッティングパターンと前記データピットパター
ンを転写したワーキングマスクを作製するワーキングマ
スク作製工程とを含むことを特徴とするROM型光記録カ
ード用ワーキングマスクの作製方法
1. A method of manufacturing a working mask for a ROM type optical recording card containing data, comprising a mother mask manufacturing step of forming a mother mask having a pre-formatting pattern, and a master mask having the pre-formatting pattern transferred thereto. A master mask manufacturing step of manufacturing a master mask by forming a data pit pattern by laser irradiation by obtaining a control symbol from the pre-formatting pattern on a substrate, and transferring the pre-formatting pattern and the data pit pattern from the master mask A method for producing a working mask for a ROM type optical recording card, including a working mask producing step for producing a working mask.
【請求項2】ROM型光記録カード用のマザーマスクの作
製方法であって、ハードマスクブランクスに電子ビーム
用レジストをコーティングするレジストコーティング工
程と、次に前記電子ビーム用レジストにプリフォーマッ
ティングパターンの形状に従って電子ビームを照射する
露光工程と、次に前記電子ビーム用レジストを現像する
現像工程と、次に前記ハードマスクブランクスをエッチ
ングするエッチング工程と、次に前記ハードマスクブラ
ンクスから前記電子ビーム用レジストを除去するリムー
ブ工程とを含むことを特徴とするROM型光記録カード用
マザーマスクの作製方法
2. A method for producing a mother mask for a ROM type optical recording card, which comprises a resist coating step of coating a hard mask blank with an electron beam resist, and then a shape of a pre-formatting pattern on the electron beam resist. An exposure step of irradiating an electron beam in accordance with the above, a developing step of developing the electron beam resist next, an etching step of etching the hard mask blanks next, and then an electron beam resist from the hard mask blanks. And a removing step of removing the mother mask for a ROM type optical recording card.
【請求項3】ROM型光記録カード用のマザーマスクの作
製方法であって、ハードマスクブランクスにフォトレジ
ストをコーティングするレジストコーティング工程と、
次に前記フォトレジストにプリフォーマッティングパタ
ーンの形状に従って光を照射する露光工程と、次に前記
フォトレジストを現像する現像工程と、次に前記ハード
マスクブランクスをエッチングするエッチング工程と、
次に前記ハードマスクブランクスから前記フォトレジス
トを除去するリムーブ工程とを含むことを特徴とするRO
M型光記録カード用マザーマスクの作製方法
3. A method of manufacturing a mother mask for a ROM type optical recording card, comprising a resist coating step of coating a hard mask blank with a photoresist.
Next, an exposure step of irradiating the photoresist with light according to the shape of a pre-formatting pattern, a developing step of developing the photoresist next, and an etching step of etching the hard mask blanks next,
Next, a removal step of removing the photoresist from the hard mask blanks is performed.
Method for manufacturing mother mask for M-type optical recording card
【請求項4】ROM型光記録カード用のマザーマスクの作
製方法であって、一方で高解像度写真乾板にプリフォー
マッティングパターンの形状に従って光を照射する露光
工程と、次に前記高解像度写真乾板を現像・定着してエ
マルジョンマスクを作成する現像工程と、を含み、他方
で、ハードマスクブランクスにフォトレジストをコーテ
ィングするレジストコーティング工程と、次に前記フォ
トレジストに前記エマルジョンマスクを密着して露光す
る露光工程と、次に前記フォトレジストを現像する現像
工程と、次に前記ハードマスクブランクスをエッチング
するエッチング工程と、次に前記ハードマスクブランク
スから前記フォトレジストを除去するリムーブ工程とを
含むことを特徴とするROM型光記録カード用マザーマス
クの作製方法
4. A method for producing a mother mask for a ROM type optical recording card, which comprises exposing a high resolution photographic plate to light according to the shape of a pre-formatting pattern, and then exposing the high resolution photographic plate. A developing step of developing and fixing to form an emulsion mask; on the other hand, a resist coating step of coating a hard mask blank with a photoresist; and an exposure step of exposing the emulsion mask to the photoresist and exposing it to light. A step of developing the photoresist, a step of etching the hard mask blanks, and a step of removing the photoresist from the hard mask blanks. Method for manufacturing mother mask for ROM type optical recording card
【請求項5】ROM型光記録カード用のマスタマスクの作
製方法であって、基材上に金属膜が形成してあるマスタ
マスクブランクスの前記金属膜上にフォトレジストをコ
ーティングするレジストコーティング工程と、プリフォ
ーマッティングパターンを持つマザーマスクを前記フォ
トレジスト上に重ねて露光する露光工程と、前記フォト
レジストを現像する現像工程、前記マスタマスクブラン
クスの前記金属膜をエッチングするエッチング工程と、
前記金属膜から前記フォトレジストを除去するリムーブ
工程とを含むことを特徴とするROM型光記録カード用マ
スタマスクの作製方法
5. A method for producing a master mask for a ROM type optical recording card, comprising a resist coating step of coating a photoresist on the metal film of a master mask blank having a metal film formed on a substrate. An exposing step of exposing a mother mask having a pre-formatting pattern on the photoresist by exposure, a developing step of developing the photoresist, an etching step of etching the metal film of the master mask blanks,
And a removing step of removing the photoresist from the metal film. A method for manufacturing a master mask for a ROM type optical recording card, comprising:
【請求項6】ROM型光記録カード用のデータピットパタ
ーン入りマスタマスクの作製方法であって、表面にプリ
フォーマッティングパターンを転写してあるマスタマス
ク基材の表面に光記録膜を形成する光記録膜形成工程
と、次にプリフォーマッティングパターンに従ってレー
ザ照射により前記光記録膜をデータピットパターンに対
応して穿孔する書込み工程と、次に前記マスタマスク基
材をエッチングするエッチング工程と、次に前記マスタ
マスク基材から前記光記録膜を除去するリムーブ工程と
を含むことを特徴とするROM型光記録カード用データ入
りマスタマスクの作製方法
6. A method of manufacturing a master mask containing a data pit pattern for a ROM type optical recording card, wherein an optical recording film is formed on the surface of a master mask base material having a pre-formatting pattern transferred to the surface thereof. A film forming step, then a writing step of perforating the optical recording film by laser irradiation according to a pre-formatting pattern corresponding to a data pit pattern, an etching step of etching the master mask base material, and then a master A method of manufacturing a master mask containing data for a ROM type optical recording card, comprising a removing step of removing the optical recording film from a mask base material.
【請求項7】貼合接着したカード表基材とカード裏基材
との間にデータピットパターンを形成してある光記録カ
ードの作製方法であって、プリフォーマッティングパタ
ーンをもつマザーマスクを作成するマザーマスク作製工
程と、前記プリフォーマッティングパターンを転写して
あるマスタマスク基材に前記プリフォーマッティングパ
ターンから制御記号を得てレーザ照射によりデータピッ
トパターンを形成してマスタマスクを作製するマスタマ
スク作製工程と、前記マスタマスクから前記プリフォー
マッティングパターンと前記データピットパターンを転
写したワーキングマスクを作製するワーキングマスク作
製工程とを含むROM型光記録カード用ワーキングマスク
の作製方法によって作製した前記ワーキングマスクの前
記データピットパターンをエッチングまたはリフトオフ
により転写して前記データピットパターンを形成するこ
とを特徴とする光記録カードの作製方法
7. A method of manufacturing an optical recording card in which a data pit pattern is formed between a card front substrate and a card back substrate which are bonded and bonded together, and a mother mask having a pre-formatting pattern is prepared. A mother mask producing step, and a master mask producing step of producing a master mask by forming a data pit pattern by laser irradiation by obtaining a control symbol from the pre-formatting pattern on the master mask substrate on which the pre-formatting pattern is transferred, and , The data pits of the working mask produced by a method for producing a working mask for a ROM type optical recording card, including a working mask producing step of producing a working mask in which the pre-formatting pattern and the data pit pattern are transferred from the master mask Patta Method for producing an optical recording card of the emissions was transferred by etching or lift-off and forming the data pit pattern
【請求項8】貼合接着したカード表基材とカード裏基材
との間にデータピットパターンとホログラムパターンを
少なくとも相互の一部分を重畳させて形成してある光記
録カードの作製方法であって、プリフォーマッティング
パターンをもつマザーマスクを作成するマザーマスク作
製工程と、前記プリフォーマッティングパターンを転写
してあるマスタマスク基材に前記プリフォーマッティン
グパターンから制御記号を得てレーザ照射によりデータ
ピットパターンを形成してマスタマスクを作製するマス
タマスク作製工程と、前記マスタマスクから前記プリフ
ォーマッティングパターンと前記データピットパターン
を転写したワーキングマスクを作製するワーキングマス
ク作製工程とを含むROM型光記録カード用ワーキングマ
スクの作製方法によって作製した前記ワーキングマスク
の前記データピットパターンをエッチングまたはリフト
オフにより転写して前記データピットパターンを形成す
ることを特徴とする光記録カードの作製方法
8. A method for producing an optical recording card, wherein a data pit pattern and a hologram pattern are formed by overlapping at least a part of each other between a card front substrate and a card back substrate which are bonded and adhered to each other. , A mother mask manufacturing step of creating a mother mask having a pre-formatting pattern, and a control symbol is obtained from the pre-formatting pattern on a master mask substrate on which the pre-formatting pattern is transferred to form a data pit pattern by laser irradiation. Of a working mask for a ROM type optical recording card including a master mask manufacturing step of manufacturing a master mask by using a master mask and a working mask manufacturing step of manufacturing a working mask in which the pre-formatting pattern and the data pit pattern are transferred from the master mask. By the way The method for producing an optical recording card, characterized in that in the data pit pattern in the working mask transferred by etching or lift-off to form the data pit pattern produced Te
【請求項9】少なくとも書き込み可能型光記録カードと
同じプリフォーマッティングパターンとデータピットパ
ターンを持ったマスクの検査方法であって、前記プリフ
ォーマッティングパターンから得られる制御信号によ
り、書き込み可能型光記録カードの読み取り書き込み装
置を制御して、前記マスクの前記データピットパターン
を読み取り、読み取った前記データピットパターンとカ
ード仕様に基づいたROMデータ情報をコンピュータによ
り比較することを特徴とするマスクの検査方法
9. A method of inspecting a mask having at least the same pre-formatting pattern and data pit pattern as a writable optical recording card, wherein a writable optical recording card is controlled by a control signal obtained from the pre-formatting pattern. A method of inspecting a mask, characterized in that the reading / writing device is controlled to read the data pit pattern of the mask, and the read data pit pattern and ROM data information based on a card specification are compared by a computer.
【請求項10】少なくとも書き込み可能型光記録カード
と同じプリフォーマッティングパターンとデータピット
パターンを持ったマスクの検査装置であって、前記プリ
フォーマッティングパターンから得られる制御信号によ
り、書き込み可能型光記録カードの読み取り書き込み装
置を制御して、前記マスクの前記データピットパターン
を読み取り、読み取った前記データピットパターンとカ
ード仕様に基づいたROMデータ情報をコンピュータによ
り比較することを特徴とするマスクの検査装置
10. A mask inspection apparatus having at least the same pre-formatting pattern and data pit pattern as a writable optical recording card, wherein a control signal obtained from the pre-formatting pattern is used to write the writable optical recording card. A mask inspection device characterized by controlling a reading / writing device to read the data pit pattern of the mask and comparing the read data pit pattern with ROM data information based on a card specification by a computer.
【請求項11】前記マスクはROM型光記録カード用マザ
ーマスク、マスタマスク基材、マスタマスク及びワーキ
ングマスクであることを特徴とする請求項第9項記載の
マスク検査方法
11. The mask inspection method according to claim 9, wherein the mask is a mother mask for a ROM type optical recording card, a master mask substrate, a master mask and a working mask.
【請求項12】前記マスクはROM型光記録カード用マザ
ーマスク、マスタマスク基材、マスタマスク及びワーキ
ングマスクであることを特徴とする請求項第10項記載の
マスク検査装置
12. The mask inspection apparatus according to claim 10, wherein the mask is a mother mask for a ROM type optical recording card, a master mask substrate, a master mask and a working mask.
【請求項13】少なくとも書き込み可能型光記録カード
と同じプリフォーマッティングパターンとデータピット
パターンを持ったROM型光記録カードの検査方法であっ
て、前記プリフォーマッティングパターンから得られる
制御信号により、書き込み可能型光記録カードの読み取
り書き込み装置を制御して、前記ROM型光記録カードの
前記データピットパターンを読み取り、読み取った前記
データピットパターンとカード仕様に基づいたROMデー
タ情報をコンピュータにより比較することを特徴とする
ROM型光記録カードの検査方法
13. A method for inspecting a ROM type optical recording card having at least the same pre-formatting pattern and data pit pattern as a writable type optical recording card, wherein the writable type is recorded by a control signal obtained from the pre-formatting pattern. Controlling the read / write device of the optical recording card to read the data pit pattern of the ROM type optical recording card, and comparing the read data pit pattern with ROM data information based on card specifications by a computer. Do
Inspection method for ROM type optical recording card
【請求項14】少なくとも書き込み可能型光記録カード
と同じプリフォーマッティングパターンとデータピット
パターンを持ったROM型光記録カードの検査装置であっ
て、前記プリフォーマッティングパターンから得られる
制御信号により、書き込み可能型光記録カードの読み取
り書き込み装置を制御して、前記ROM型光記録カードの
前記データピットパターンを読み取り、読み取った前記
データピットパターンとカード仕様に基づいたROMデー
タ情報をコンピュータにより比較することを特徴とする
ROM型光記録カードの検査装置
14. An inspection device for a ROM type optical recording card having at least the same pre-formatting pattern and data pit pattern as a writable type optical recording card, wherein the writable type is determined by a control signal obtained from the pre-formatting pattern. Controlling the read / write device of the optical recording card to read the data pit pattern of the ROM type optical recording card, and comparing the read data pit pattern with ROM data information based on card specifications by a computer. Do
Inspection device for ROM type optical recording card
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