JP2500529B2 - 面型光半導体素子 - Google Patents
面型光半導体素子Info
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- JP2500529B2 JP2500529B2 JP41692890A JP41692890A JP2500529B2 JP 2500529 B2 JP2500529 B2 JP 2500529B2 JP 41692890 A JP41692890 A JP 41692890A JP 41692890 A JP41692890 A JP 41692890A JP 2500529 B2 JP2500529 B2 JP 2500529B2
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- semiconductor
- semiconductor multilayer
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光伝送や光情報処理に用
いられる円筒状垂直キャビティ面発光半導体レーザなど
の面型光半導体素子に関する。
いられる円筒状垂直キャビティ面発光半導体レーザなど
の面型光半導体素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板に垂直な方向に発振する面発
光半導体レーザなどの面型光半導体素子はコンピュータ
間のデータ伝送や、光コンピューティングに欠かせない
キーデバイスとなる。面発光半導体レーザとしては従来
の基板に水平に発振する半導体レーザで、端面に４５°
ミラーを形成し、それによって発振光を垂直方向に折り
曲げて出すものがあるが、ここでいう面発光半導体レー
ザは本当に基板に垂直な方向に光を行き来させて発振さ
せるレーザをいう。
光半導体レーザなどの面型光半導体素子はコンピュータ
間のデータ伝送や、光コンピューティングに欠かせない
キーデバイスとなる。面発光半導体レーザとしては従来
の基板に水平に発振する半導体レーザで、端面に４５°
ミラーを形成し、それによって発振光を垂直方向に折り
曲げて出すものがあるが、ここでいう面発光半導体レー
ザは本当に基板に垂直な方向に光を行き来させて発振さ
せるレーザをいう。
【０００３】この様な従来の面発光半導体レーザとして
は、例えば、エレクトロニクス・レターズ(Electron.Le
tt.)の２５巻、２０号、１９８９年の１３７７〜１３７
８頁に内容が詳述されている。この面発光半導体レーザ
は、円筒状の垂直キャビティを有し、その垂直キャビテ
ィ内において活性層は上下の半導体多層膜によって挟ま
れている。このように円筒状の垂直キャビティを有する
従来の面発光半導体レーザの断面構造を図３に示す。同
図に於いて、１００Å厚のＩｎＧａＡｓ（λ≒９８０ｎ
ｍ）歪量子井戸から成る活性層３２６の上下にはｐ型半
導体多層膜３２５とｎ型半導体多層膜３２７が形成さ
れ、それらがレーザ発振用の反射鏡となって、レーザ発
振が起こる。図３では光がＧａＡｓから成るｎ型半導体
基板３２８を通して、下側に出てくる。ｐ型半導体多層
膜３２５はλ／４厚（λは媒質内波長）から成るｐ−Ａ
ｌＡｓ３１７，３１５，３１３，…と、これもλ／４厚
から成るｐ−ＧａＡｓ３１６，３１４が、１５．５ペア
交互に積層されて形成されている。ｎ型半導体多層膜３
２７は、λ／４厚から成るｎ−ＡｌＡｓ３１８，３２
０，３２２と、これもλ／４厚から成るｎ−ＧａＡｓ３
１９，３２１が２４．５ペア交互に積層されて形成され
ている。３２４はＣｒｌＡｕから成るｐ型電極であり、
通常コンタクトを取るために行うアロイはしていない。
その理由は、９８％近い反射率を有するＡｕをｐ型半導
体多層膜３２５の上につけることで、ｐ型半導体多層膜
の層数を減らせられるからである。共振器長が短い垂直
キャビティ面発光半導体レーザでは、上下の反射鏡の反
射率を９９．９％近くに上げる必要があり、そうしない
としきい値電流が上昇してしまう。半導体多層膜だけ
で、高反射率のミラーを形成しようとすると、全体の層
厚が厚くなり、上下に段差が生じてプロセスが難しくな
る。図３の様に上部にノンアロイのＡｕをつけておけ
ば、それによってｐ型半導体多層膜３２５の層数が減ら
せられ、全体の高さを低く抑えることができる。３３０
はｐ−ＧａＡｓから成る位相補償用の半導体層である。
は、例えば、エレクトロニクス・レターズ(Electron.Le
tt.)の２５巻、２０号、１９８９年の１３７７〜１３７
８頁に内容が詳述されている。この面発光半導体レーザ
は、円筒状の垂直キャビティを有し、その垂直キャビテ
ィ内において活性層は上下の半導体多層膜によって挟ま
れている。このように円筒状の垂直キャビティを有する
従来の面発光半導体レーザの断面構造を図３に示す。同
図に於いて、１００Å厚のＩｎＧａＡｓ（λ≒９８０ｎ
ｍ）歪量子井戸から成る活性層３２６の上下にはｐ型半
導体多層膜３２５とｎ型半導体多層膜３２７が形成さ
れ、それらがレーザ発振用の反射鏡となって、レーザ発
振が起こる。図３では光がＧａＡｓから成るｎ型半導体
基板３２８を通して、下側に出てくる。ｐ型半導体多層
膜３２５はλ／４厚（λは媒質内波長）から成るｐ−Ａ
ｌＡｓ３１７，３１５，３１３，…と、これもλ／４厚
から成るｐ−ＧａＡｓ３１６，３１４が、１５．５ペア
交互に積層されて形成されている。ｎ型半導体多層膜３
２７は、λ／４厚から成るｎ−ＡｌＡｓ３１８，３２
０，３２２と、これもλ／４厚から成るｎ−ＧａＡｓ３
１９，３２１が２４．５ペア交互に積層されて形成され
ている。３２４はＣｒｌＡｕから成るｐ型電極であり、
通常コンタクトを取るために行うアロイはしていない。
その理由は、９８％近い反射率を有するＡｕをｐ型半導
体多層膜３２５の上につけることで、ｐ型半導体多層膜
の層数を減らせられるからである。共振器長が短い垂直
キャビティ面発光半導体レーザでは、上下の反射鏡の反
射率を９９．９％近くに上げる必要があり、そうしない
としきい値電流が上昇してしまう。半導体多層膜だけ
で、高反射率のミラーを形成しようとすると、全体の層
厚が厚くなり、上下に段差が生じてプロセスが難しくな
る。図３の様に上部にノンアロイのＡｕをつけておけ
ば、それによってｐ型半導体多層膜３２５の層数が減ら
せられ、全体の高さを低く抑えることができる。３３０
はｐ−ＧａＡｓから成る位相補償用の半導体層である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図３の従来例に於ける
問題点は反射鏡として作用する半導体多層膜での光吸収
が発振しきい値に影響を及ぼし、しきい値を上昇させる
点にあった。図３ではレーザ光の波長は９８０ｎｍで、
活性層３２６、周囲のクラッド層や半導体多層膜はそれ
よりもバンドギャップ波長の大きい材料で形成されてい
るので、一見してそこでの光吸収は、問題にならないよ
うに思えるが、実際は効く。そこでの光吸収の原因は主
としてフリー・キャリア吸収による。フリー・キャリア
吸収αfc（cm-1）は αfc≒３×１０-18 ｎ＋７×１０-18 ｐ…（１） で表わせられる。（１）式で、ｎ，ｐはそれぞれcm-3単
位で表わした電子と正孔の密度である。図３ではｎ型半
導体多層膜３２７は２４．５ペア、ｐ型半導体多層膜３
２５は１５．５ペア形成されており、厚さにするとそれ
ぞれ約３．６９μｍ，２．２６μｍとなる。そして、キ
ャリア濃度はｐ型半導体多層膜３２５ではＡｌＡｓ，Ｇ
ａＡｓも共に２×１０18cm-3である。また、ｎ型半導体
多層膜３２７も共に２×１０18cm-3であるが、ＡｌＡｓ
の層で実際に活性化して有効に効くキャリア密度はそれ
以下になっている。レーザの発振しきい値Ｉthは光吸収
損失とミラー損失の和で決まり、また微分量子効率ηD
はそれらの比で決まる。図３では光吸収損失とミラー損
失は、同じオーダの値となるように設計されているがη
D を数１０％と実用上で必要な値を得るにはそのことが
必要となる。
問題点は反射鏡として作用する半導体多層膜での光吸収
が発振しきい値に影響を及ぼし、しきい値を上昇させる
点にあった。図３ではレーザ光の波長は９８０ｎｍで、
活性層３２６、周囲のクラッド層や半導体多層膜はそれ
よりもバンドギャップ波長の大きい材料で形成されてい
るので、一見してそこでの光吸収は、問題にならないよ
うに思えるが、実際は効く。そこでの光吸収の原因は主
としてフリー・キャリア吸収による。フリー・キャリア
吸収αfc（cm-1）は αfc≒３×１０-18 ｎ＋７×１０-18 ｐ…（１） で表わせられる。（１）式で、ｎ，ｐはそれぞれcm-3単
位で表わした電子と正孔の密度である。図３ではｎ型半
導体多層膜３２７は２４．５ペア、ｐ型半導体多層膜３
２５は１５．５ペア形成されており、厚さにするとそれ
ぞれ約３．６９μｍ，２．２６μｍとなる。そして、キ
ャリア濃度はｐ型半導体多層膜３２５ではＡｌＡｓ，Ｇ
ａＡｓも共に２×１０18cm-3である。また、ｎ型半導体
多層膜３２７も共に２×１０18cm-3であるが、ＡｌＡｓ
の層で実際に活性化して有効に効くキャリア密度はそれ
以下になっている。レーザの発振しきい値Ｉthは光吸収
損失とミラー損失の和で決まり、また微分量子効率ηD
はそれらの比で決まる。図３では光吸収損失とミラー損
失は、同じオーダの値となるように設計されているがη
D を数１０％と実用上で必要な値を得るにはそのことが
必要となる。
【０００５】したがって、半導体多層膜での光吸収損失
が減らせられれば、反射率を上げる（すなわち層数を増
やす）、ことによってηD を維持したままＩthを下げら
れることになる。ところが、半導体多層膜では層数を増
やして反射率を上げようとすると、そこでの光吸収損失
もこれに比例して増えてしまうという問題があった。
が減らせられれば、反射率を上げる（すなわち層数を増
やす）、ことによってηD を維持したままＩthを下げら
れることになる。ところが、半導体多層膜では層数を増
やして反射率を上げようとすると、そこでの光吸収損失
もこれに比例して増えてしまうという問題があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の面型光半導体素
子は、半導体基板の上に形成され半導体多層膜反射鏡を
下部に有し、第２導電型の多層膜反射鏡を上部に有し、
それらの反射鏡の間にレーザ発振用半導体活性層を有す
る面型光半導体素子に於いて、前記半導体多層膜反射鏡
で前記レーザ発振用半導体活性層に近い側は、前記第２
導電型とは反対の第１導電型とし、また残りはノンドー
プとし、前記半導体多層膜で第１導電型とした部分に通
電用の電極が形成されていることを特徴とする。
子は、半導体基板の上に形成され半導体多層膜反射鏡を
下部に有し、第２導電型の多層膜反射鏡を上部に有し、
それらの反射鏡の間にレーザ発振用半導体活性層を有す
る面型光半導体素子に於いて、前記半導体多層膜反射鏡
で前記レーザ発振用半導体活性層に近い側は、前記第２
導電型とは反対の第１導電型とし、また残りはノンドー
プとし、前記半導体多層膜で第１導電型とした部分に通
電用の電極が形成されていることを特徴とする。
【０００７】
【作用】電流は半導体多層膜の全てを貫通せずに流すよ
うにする。本発明によれば電流経路となる所はドーピン
グして第１導電型とするが、残りはノンドープとするこ
とができる。それによって上下方向に行き来する光に対
して半導体多層膜中での光吸収を小さくでき、低しきい
値化が達成できる。
うにする。本発明によれば電流経路となる所はドーピン
グして第１導電型とするが、残りはノンドープとするこ
とができる。それによって上下方向に行き来する光に対
して半導体多層膜中での光吸収を小さくでき、低しきい
値化が達成できる。
【０００８】
【実施例】図１は本発明の第１の実施例を示す断面図で
ある。１２６はＩｎＧａＡｓ（λ＝０．９８μｍ）から
成る活性層で、それがλ／４厚のｐ−ＡｌＡｓ１１３と
ｐ−ＧａＡｓ１１４から成る１５．５ペアのｐ型半導体
多層膜１２５と、λ／４厚でｎ−ＡｌＡｓ１１７とｎ−
ＧａＡｓ１１８の２ペアの繰り返しから成り、更にその
下にノンドープＡｌＡｓ１１９とノンドープＧａＡｓ１
２０の２２．５ペアの繰り返しから成るｎ型半導体多層
膜１２７とで挟まれている。ｐ−ＡｌＡｓ１１３とｐ−
ＧａＡｓ１１４はＢｅドープでドープ濃度は２×１０18
cm-3である。ｎ−ＡｌＡｓ１１７とｎ−ＧａＡｓ１１８
はＳｉドープで、ドープ濃度は２×１０18cm-3である。
ノンドープ領域１１６はｐ- でキャリア濃度は１×１０
15cm-3である。ＭＢＥ法で半導体層をエピタキシャル成
長しているが、ノンドープ層はｐ- となる。１２４はＣ
ｒ／Ａｕから成るｐ型電極で、ｐ−ＧａＡｓ１３０は位
相補償用に挿入した半導体層である。ｎ型電極１２３と
１２９はＡｕＧｅＮｉ／Ａｕから成り、図１ではメサの
両側に２個ある様に描いてあるがリング状（内径４０μ
ｍφ）の形をしている。また、ｐ型半導体多層膜１２５
とｎ型半導体多層膜１２７の間隔は媒質内波長λの整数
倍にする必要があるが、この実施例ではλとした。メサ
径は３０μｍφでＨＣｌとＨ2 Ｏ2 をベースにしたエッ
チング液を使って、図１の様にｎ−ＧａＡｓ１１８の表
面でエッチングを止めた。ＡｌＡｓとＧａＡｓではエッ
チングの選択がとれ、ＡＬＡｓはＧａＡｓに比べて非常
に速くエッチングされる。ウエハーの色の変化を見てい
れば図１の様な所でエッチングを止めることは極めて容
易にできる。図１の実施例では電流はｐ型電極１２４よ
りｎ−ＡｌＡｓ１１７，ｎ−ＧａＡｓ１１８を通ってｎ
型電極１２３，１２９に流れる。一方、光はｎ型半導体
多層膜１２７の全体を見ることになるが、２４．５ペア
中、２２．５ペアはノンドープ領域１１６となっている
ので、光吸収損失はぐっと減らされることになり、しき
い値電流の低減が可能となった。
ある。１２６はＩｎＧａＡｓ（λ＝０．９８μｍ）から
成る活性層で、それがλ／４厚のｐ−ＡｌＡｓ１１３と
ｐ−ＧａＡｓ１１４から成る１５．５ペアのｐ型半導体
多層膜１２５と、λ／４厚でｎ−ＡｌＡｓ１１７とｎ−
ＧａＡｓ１１８の２ペアの繰り返しから成り、更にその
下にノンドープＡｌＡｓ１１９とノンドープＧａＡｓ１
２０の２２．５ペアの繰り返しから成るｎ型半導体多層
膜１２７とで挟まれている。ｐ−ＡｌＡｓ１１３とｐ−
ＧａＡｓ１１４はＢｅドープでドープ濃度は２×１０18
cm-3である。ｎ−ＡｌＡｓ１１７とｎ−ＧａＡｓ１１８
はＳｉドープで、ドープ濃度は２×１０18cm-3である。
ノンドープ領域１１６はｐ- でキャリア濃度は１×１０
15cm-3である。ＭＢＥ法で半導体層をエピタキシャル成
長しているが、ノンドープ層はｐ- となる。１２４はＣ
ｒ／Ａｕから成るｐ型電極で、ｐ−ＧａＡｓ１３０は位
相補償用に挿入した半導体層である。ｎ型電極１２３と
１２９はＡｕＧｅＮｉ／Ａｕから成り、図１ではメサの
両側に２個ある様に描いてあるがリング状（内径４０μ
ｍφ）の形をしている。また、ｐ型半導体多層膜１２５
とｎ型半導体多層膜１２７の間隔は媒質内波長λの整数
倍にする必要があるが、この実施例ではλとした。メサ
径は３０μｍφでＨＣｌとＨ2 Ｏ2 をベースにしたエッ
チング液を使って、図１の様にｎ−ＧａＡｓ１１８の表
面でエッチングを止めた。ＡｌＡｓとＧａＡｓではエッ
チングの選択がとれ、ＡＬＡｓはＧａＡｓに比べて非常
に速くエッチングされる。ウエハーの色の変化を見てい
れば図１の様な所でエッチングを止めることは極めて容
易にできる。図１の実施例では電流はｐ型電極１２４よ
りｎ−ＡｌＡｓ１１７，ｎ−ＧａＡｓ１１８を通ってｎ
型電極１２３，１２９に流れる。一方、光はｎ型半導体
多層膜１２７の全体を見ることになるが、２４．５ペア
中、２２．５ペアはノンドープ領域１１６となっている
ので、光吸収損失はぐっと減らされることになり、しき
い値電流の低減が可能となった。
【０００９】図２は本発明の第２の実施例を示す断面図
である。垂直共振器型ＶＳＴＥＰとよばれる素子で、ｐ
n ｐn 構造が上下方向に形成されており、高インピーダ
ンスのＯＦＦ状態、低インピーダンスのＯＮ状態と２つ
の安定状態が電流−電圧特性に表われる。この素子は下
方向からの光入射によってスイッチングし、ＯＦＦから
ＯＮになると、レーザ発振し、下方向に光が出る。レー
ザ発振を起こすために、Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓから成る
活性層２０５が内部に形成されている。ｐ型半導体多層
膜２０８とｎ型半導体多層膜２０２は、上下方向に共振
器を形成するための反射鏡として作用する。ｐ型半導体
多層膜２０８は１５．５ペア、ｎ型半導体多層膜２０２
は２４．５ペア形成されている。ｎ型半導体多層膜２０
２の内、２ペアはｎドープ領域２２０（ＳＴ，２×１０
18cm-3）となっており、残りの下部にある２２．５ペア
はノンドープ領域２２１となっている。ＩｎＧａＡｓ活
性層２０５を含むメサの径は３０μｍφでｐ型電極２１
５はＣｒ／Ａｕから成り、ｎ型電極２１６，２１７はＡ
ｕＧｅＮｉ／Ａｕから成る。ｎ型電極２１６，２１７は
実際には図１の場合と同様にリング状をしておりその内
径は４０μｍφであり、ＯＮ状態に於ける発振しきい値
電流の大幅な低減が可能になった。
である。垂直共振器型ＶＳＴＥＰとよばれる素子で、ｐ
n ｐn 構造が上下方向に形成されており、高インピーダ
ンスのＯＦＦ状態、低インピーダンスのＯＮ状態と２つ
の安定状態が電流−電圧特性に表われる。この素子は下
方向からの光入射によってスイッチングし、ＯＦＦから
ＯＮになると、レーザ発振し、下方向に光が出る。レー
ザ発振を起こすために、Ｉｎ0.2 Ｇａ0.8 Ａｓから成る
活性層２０５が内部に形成されている。ｐ型半導体多層
膜２０８とｎ型半導体多層膜２０２は、上下方向に共振
器を形成するための反射鏡として作用する。ｐ型半導体
多層膜２０８は１５．５ペア、ｎ型半導体多層膜２０２
は２４．５ペア形成されている。ｎ型半導体多層膜２０
２の内、２ペアはｎドープ領域２２０（ＳＴ，２×１０
18cm-3）となっており、残りの下部にある２２．５ペア
はノンドープ領域２２１となっている。ＩｎＧａＡｓ活
性層２０５を含むメサの径は３０μｍφでｐ型電極２１
５はＣｒ／Ａｕから成り、ｎ型電極２１６，２１７はＡ
ｕＧｅＮｉ／Ａｕから成る。ｎ型電極２１６，２１７は
実際には図１の場合と同様にリング状をしておりその内
径は４０μｍφであり、ＯＮ状態に於ける発振しきい値
電流の大幅な低減が可能になった。
【００１０】
【発明の効果】以上説明した様に本発明によれば、半導
体多層膜中での光吸収損失を減らし、面方向へのレーザ
発振のしきい値電流を減らすことが可能な面型光半導体
素子が実現できる。
体多層膜中での光吸収損失を減らし、面方向へのレーザ
発振のしきい値電流を減らすことが可能な面型光半導体
素子が実現できる。
【図１】本発明の一実施例を示す断面図。
【図２】本発明の別の実施例を示す断面図。
【図３】従来の面型光半導体素子を示す断面図。
１２８，３２８ ｎ型半導体基板 １２７，２０２，３２７ ｎ型半導体多層膜 １２３，１２９，２１６，２１７，３２３，３２９
ｎ型電極 １２６，３２６ 活性層 １２５，２０８，３２５ ｐ型半導体多層膜 １３０，２１４，３３０ ｐ−ＧａＡｓ １２４，２１５，３２４ ｐ型電極 １１３，２１８，３１３，３１５，３１７ ｐ−Ａｌ
Ａｓ １１４，２１９，３１４，３１６ ｐ−ＧａＡｓ １１７，２２０，３２２，３２０，３１８ ｎ−Ａｌ
Ａｓ １１８，２２１，３２１，３１９ ｎ−ＧａＡｓ １１５，２２０ ｎドープ領域 １１６，２２１ ノンドープ領域 １１９，２２２ ノンドープＡｌＡｓ １２０，２２３ ノンドープＧａＡｓ ２２４ ｎ−ＧａＡｓ基板 ２０３ ｐ−ＧａＡｓ ２０４，２０６ ｉ−ＧａＡｓ ２０５ ＩｎＧａＡｓ活性層 ２０７ ｎ−ＧａＡｓ
ｎ型電極 １２６，３２６ 活性層 １２５，２０８，３２５ ｐ型半導体多層膜 １３０，２１４，３３０ ｐ−ＧａＡｓ １２４，２１５，３２４ ｐ型電極 １１３，２１８，３１３，３１５，３１７ ｐ−Ａｌ
Ａｓ １１４，２１９，３１４，３１６ ｐ−ＧａＡｓ １１７，２２０，３２２，３２０，３１８ ｎ−Ａｌ
Ａｓ １１８，２２１，３２１，３１９ ｎ−ＧａＡｓ １１５，２２０ ｎドープ領域 １１６，２２１ ノンドープ領域 １１９，２２２ ノンドープＡｌＡｓ １２０，２２３ ノンドープＧａＡｓ ２２４ ｎ−ＧａＡｓ基板 ２０３ ｐ−ＧａＡｓ ２０４，２０６ ｉ−ＧａＡｓ ２０５ ＩｎＧａＡｓ活性層 ２０７ ｎ−ＧａＡｓ
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板の上に形成され半導体多層膜
反射鏡を下部に有し、第２導電型の多層膜反射鏡を上部
に有し、それらの反射鏡の間にレーザ発振用半導体活性
層を有する面型光半導体素子に於いて、前記半導体多層
膜反射鏡で、前記レーザ発振用半導体活性層に近い側は
前記第２導電型とは反対の第１導電型とし、また残りは
ノン・ドープとし、前記半導体多層膜で第１導電型とし
た部分に通電用の電極が形成されていることを特徴とす
る面型光半導体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41692890A JP2500529B2 (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 面型光半導体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP41692890A JP2500529B2 (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 面型光半導体素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04234183A JPH04234183A (ja) | 1992-08-21 |
| JP2500529B2 true JP2500529B2 (ja) | 1996-05-29 |
Family
ID=18525103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP41692890A Expired - Lifetime JP2500529B2 (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 面型光半導体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2500529B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2891133B2 (ja) * | 1994-10-24 | 1999-05-17 | 日本電気株式会社 | 面発光レーザ及び面発光レーザアレイ及び光情報処理装置 |
| US7372886B2 (en) * | 2004-06-07 | 2008-05-13 | Avago Technologies Fiber Ip Pte Ltd | High thermal conductivity vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) |
| JP4915197B2 (ja) * | 2006-10-11 | 2012-04-11 | 富士ゼロックス株式会社 | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 |
| JP5169564B2 (ja) * | 2008-07-15 | 2013-03-27 | 住友電気工業株式会社 | 面発光半導体レーザ |
-
1990
- 1990-12-28 JP JP41692890A patent/JP2500529B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04234183A (ja) | 1992-08-21 |
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