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JP2596960B2 - 接続構造 - Google Patents

接続構造

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JP2596960B2
JP2596960B2 JP63054537A JP5453788A JP2596960B2 JP 2596960 B2 JP2596960 B2 JP 2596960B2 JP 63054537 A JP63054537 A JP 63054537A JP 5453788 A JP5453788 A JP 5453788A JP 2596960 B2 JP2596960 B2 JP 2596960B2
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JP
Japan
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substrate
conductive particles
electrode
adhesive layer
adhesive
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JPH01227444A (ja
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康伸 田草
浩司 松原
孝 貫井
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
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Priority to US07/319,290 priority patent/US4963002A/en
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    • H01L2224/13638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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    • H01L2224/14—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
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    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16238—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bonding area protruding from the surface of the item
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    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
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    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
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    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83855—Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H01L2224/83871—Visible light curing
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    • H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92—Specific sequence of method steps
    • H01L2224/921—Connecting a surface with connectors of different types
    • H01L2224/9211—Parallel connecting processes
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    • H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
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    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体チップなどのような回路基板を、各
種表示装置の表示パネルを構成する基板などの回路基板
に接続するためなどに有利に実施することができる接続
構造に関する。
従来の技術 第11図は、典型的な先行技術の断面図である。近年、
電子機器一般において、製品の軽量小形化が活発に行わ
れている。たとえばフラットディスプレイなどと称され
る液晶表示板等を、携帯用テレビ受像機、文章作成機、
あるいは車載用表示装置などに用いることによって、こ
れらの小形化および薄形化を図ることができる。そこ
で、これらの表示装置の回路基板と、その回路基板に接
続される半導体チップなどとの接続は、製品の外形寸法
を制約し、軽量化、薄形化および小形化をより一層促進
する上で極めて重要な意味を有している。
このような製品の軽量化、薄形化および小形化を図る
ための先行技術は、特開昭60-238817、特公昭58-38768
および特公昭58-38769に開示されている導電性接着剤を
利用した実装構造がある。これらの先行技術は、第11図
に示されるように、たとえばシリコンから成る本体１の
一表面に、保護層２とアルミニウムまたはアルミニウム
−シリコンなどから成る配線層３とが形成され、配線層
３には金または金メッキされた銅などから成る電極４が
形成されて電子部品５が構成される。電極４は、その厚
みがたとえば20〜60μｍ程度である。
また電子部品５は、たとえば大規模集積回路（LSI）
などの半導体素子である。透明ガラスなどから成るもう
一方の本体６の一表面には、配線層７が形成されて液晶
表示板などの回路基板８が構成されている。配線層７
は、その厚みがたとえば1000〜2000Å程度の金属酸化物
透明薄膜（略称ITO）から成っている。電子部品５と回
路基板８とは、電極４の表面4aと配線層７の表面7aとの
間に、導電性接着剤９を介在して電気的に接続される。
この導電性接着剤９は、たとえば銀系ペーストが用いら
れている。
このような先行技術では、フォトリソグラフやメッキ
などの工程を経て配線層３上に突出した電極４を設ける
必要があるため、材料費および製造費が高価となってし
まい、経済性が悪いという問題がある。また突出した電
極４の高さのバラツキによって安定した接続状態が得ら
れず接続不良を生じることがある。
第12図は、他の先行技術の断面図である。なお、上述
の先行技術と対応する部分には、同一の参照符を付す。
前記電極４が形成されていない電子部品５と回路基板８
とは、配線層3,7の各表面3a,7aの間に、導電性接着剤９
を介在して接続されている。
このような先行技術では、第13図に示されるように、
導電性接着剤９が軟質のペースト状であるため、電子部
品５と回路基板８との接続時に、僅かな圧力の不均衡に
よってペースト状の接着剤９が過度に押し広げられてし
まい、これによって配線層３および配線層７の隣接する
配線が不所望に接続されてしまい、したがって短絡して
電子部品５または回路基板８が破損してしまう恐れがあ
る。
また、電子部品５と回路基板８との熱膨張率の違いに
よって高温や低温となったときには、接続部に剪断歪が
生じ、それとともに剪断応力が発生する。この剪断応力
が大きいと接着剤９の剥離や破断に致る場合がある。第
14図はこの一例として電子部品５よりも回路基板８の膨
張率が大きく、しかも高温にさらされた場合の変形状態
を示している。この状態において、接着剤９の高さl2が
低いほど、剪断歪がより顕著になることはよく知られて
いる。したがってペースト状の接着剤９が過度に押し潰
されるような状態が生じるこのような接続構造では、信
頼性の高い接続を長期にわたって維持することはできな
い。
第15図は、特開昭57-95640および特開昭57-106057な
どに開示される半田を利用したさらに他の先行技術の断
面図である。配線層３の表面には、銅、ニッケル、クロ
ムあるいはチタンなどの金属または合金材料から成る金
属多層膜10が形成されている。また、回路基板８の一表
面に形成された配線層７上には、半田層11に対してぬれ
性を向上するために、ニッケルなどの金属材料から成る
被覆層12が形成されている。このようにして、電子部品
５は、回路基板８に半田層11を介して電気的および機械
的に接続される。
このような先行技術では、半田にぬれ性を有する被覆
層12、金属多層膜10および半田層11を形成する必要があ
り、材料費および製造費が高価となり、経済性が悪いと
いう問題がある。また半田層11を溶融するために、接着
剤よりも高温で加熱を行わなければならず、したがって
このような加熱された半田層11の熱によって電子部品５
および回路基板８に熱影響を与えないように接続を行う
ためには、接続作業が複雑となって、接続作業に手間を
要してしまう。したがって作業性、生産性が悪いという
問題がある。
第16図は、日経マイクロデバイス1987年６月号第69頁
に開示されている異方導電性接着剤を利用したさらに他
の先行技術の断面図である。前述した第11図および第13
図示の先行技術では、導電性接着剤９を用いて、電子部
品５と回路基板８とを接続する構成であったけれども、
この先行技術では異方導電性接着剤14が用いられる。こ
のような先行技術によってもまた、第11図示の先行技術
で述べたように、突起状の電極４を設けなければならな
いため、材料費および製造費が高価となってしまうとい
う問題がある。
発明が解決しようとする課題 本発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、製造工
程が簡略化され、材料および製造コストを低減し、軽量
化、薄形化および小形化を図ることができ、なおかつ信
頼性の高い接続を行うことができるようにした接続構造
を提供することである。
課題を解決するための手段 本発明は、対向する面にそれぞれ電極が形成される第
１基板および第２基板と、該第１基板の電極上に配置さ
れる導電性粒子と、を設けた接続構造において、前記第
１基板の電極上に設けられた電気絶縁性の第１接着剤層
によって、前記導電性粒子を前記第１基板の電極上のみ
に配置して、前記導電性粒子の一端を前記第１基板の電
極に当接保持し、前記第１基板と前記第２基板との間に
形成された電気絶縁性の第２接着剤層によって、前記導
電性粒子の他端が前記第２基板の電極と接続された状態
で前記第１基板と前記第２基板を接着保持されることを
特徴とする。
また本発明は、対向する面にそれぞれ電極が形成され
る第１基板および第２基板と、該第１基板の電極上に配
置される導電性粒子と、を設けた接続構造において、前
記第１基板の電極上にのみ選択的に設けられた導電性の
第１接着剤層によって、前記導電性粒子の一端を該第１
接着剤層に当接保持し、前記第１基板の電極上にのみ導
電性粒子が配置され、前記第１基板と前記第２基板との
間に形成された電気絶縁性の第２接着剤層によって、前
記導電性粒子の他端が前記第２基板の電極と接続された
状態で前記第１基板と前記第２基板が接着保持されるこ
とを特徴とする。
また本発明の前記導電性粒子は、金属めっきされたプ
ラスチックビーズであることを特徴とする。
作用 本発明に従えば、第２基板の電極に接触する導電性粒
子の端部を、容易に所望の仮想平面上に位置するように
構成することができるので、第１基板および第２基板の
間隔を所望の値で均一に保って接続することが可能にな
る。したがって、前記先行技術に関連して述べたよう
に、導電性接着剤が不所望に押拡げられ、隣接する配線
を短絡するおそれがなく、接続時のショートなどによる
破損を防止することができる。しかも半田に対するぬれ
性を有する材料を設ける必要がなく、材料および製造コ
ストを増大させることはない。
また温度の変化が生じた場合には、第１基板および第
２基板の間隔を大きく取ることができ、さらに第２基板
の電極と導電性粒子の端部は滑りを生じることができる
ので、第１基板および第２基板の熱膨張率の違いに起因
する剪断応力を低減することができ、信頼性の高い接続
状態を維持することができる。
実施例 第１図は、本発明の一実施例の断面図である。第１基
板である大規模集積回路（LSI）などの電子部品20は、
シリコンあるいはガリウムヒ素などのウエハ上に拡散層
が形成され、これによって多数のトランジスタやダイオ
ードなどが構成されて、論理演算などを行う機能を有し
ており、液晶表示装置などの表示パネルに接続される場
合には、通常、表示駆動を行う機能を有している。この
電子部品20は本体21と、本体21の最上層に形成された電
極22と、たとえばSiN、PSG（ガラス）、SiO2あるいはポ
リイミドなどの保護膜23とを含む。電極22はたとえばア
ルミニウム−シリコン、ニッケル、チタンおよびタング
ステンなどから成っている。
また液晶表示板などの回路基板29は、たとえばソーダ
ガラスなどから成る本体24と、この本体24の一表面に形
成された配線層25とを含む。配線層25はたとえば金属酸
化物透明薄膜（略称ITO）またはニッケルでめっきされ
たITOであって、通常厚みが1000〜2000Å程度である。
電子部品20と回路基板29とは、電極22の表面22aと配
線層25の表面25aとが所望する間隔１となるように、
第１接着剤層26および第２接着剤層27を介して接続され
る。第１接着剤層26は、たとえば銀系ペーストである。
また第２接着剤層27としては、たとえば嫌気性接着
剤、熱硬化性接着剤、光硬化性接着剤など各種接着剤を
使用することができる。回路基板29の本体24がガラスな
どの光透過材料である場合には、第２接着剤層27は高速
接合可能で、残留応力の少ない光硬化性接着剤を使用す
るのが好ましい。
第１接着剤層26と第２接着剤層27との境界には、導電
性粒子28が位置している。この導電性粒子28は、たとえ
ば粒径約５〜30μｍのニッケルでめっきされたプラスチ
ックビーズ、あるいはたとえば最大径60μｍの銀粒子な
どであって導電性を有する第１接着剤層26によって１つ
の接続部当り１個以上接着されている。この導電性粒子
28はその一部のみが第１接着剤層26に埋め込まれ、残余
の部分は第２接着剤層27に接しており、その一端部は第
２接着剤層27を貫通して配線層25の表面25aに接してい
る。導電性粒子28の他端部は、電極22の表面22aと直接
接していてもよいし、導電性を有する第１接着剤層26を
介して電極22と電気的に接続されていてもよい。
第１図示の構造は、耐湿性向上などのために構造全体
を保護樹脂などでモールドしたり、機械的に保護するよ
うに構成することもできる。また導電性粒子28として金
属めっきされたプラスチックビーズを用いた場合には、
導電性粒子28の配線層表面25aと接する面における高さ
のばらつきを、プラスチックの弾性変形によって吸収す
ることができ、常に配線層表面25aと面接触を保持でき
るので安定な接続状態を得ることができる。
第２図は、第１図示した接続構造の製造工程を説明す
るための図である。以下、第２図に従って本実施例の製
造工程例を説明する。予め保護膜23および電極22の形成
されている電子部品20の電極22の表面22aには、導電性
を有する接着剤が印刷法、あるいは転写法などによって
塗布され、第１接着剤層26が形成される。このときの状
態は第２図（１）に示されている。このとき、保護膜23
上には導電性の接着剤は塗布されない。
この後、導電性粒子28を上記第１接着剤層26にその一
部のみが埋没した状態で付着させる。導電性粒子28の付
着方法としては、導電性粒子28を吹き付けてもよいし、
後述する方法を用いることもできる。このとき導電性粒
子28の第２図（２）下方に位置する端部は、仮想平面P1
上に位置するように付着させる。
この後第２図（２）で示される状態で第１接着剤層26
を硬化させる。この際、導電性粒子28の表面に平坦な面
を有する部材を軽く当てたまま前記第１接着剤層26を硬
化させることによって、導電性粒子28と第１接着剤層26
との接続抵抗を小さくすることができ、なおかつ導電性
粒子28の配線層表面25aに接する端部の高さのばらつき
を解消することができる。
第２図（３）に示されるように、回路基板29の接続さ
れる面には非導電性の接着剤をスピンコート、スプレ
ー、はけ塗り、ポッティングあるいはスクリーン印刷な
どの方法によって塗布し、第２接着剤層27を形成する。
上述した工程によって第２図（２）に示されるように
導電性粒子28が付着され、第１接着剤層26が硬化された
電子部品20と、第２図（３）に示されるように第２接着
剤層27が形成された回路基板29とは、位置合せされ、加
圧力30を加え接触される。このときの状態は、第２図
（４）に示される。この状態で第２接着剤層27を光照射
あるいは加熱等により硬化させることによつて、第１図
示した接続構造が得られる。前述したように、接続構造
全体を保護するために、この後に必要に応じて樹脂モー
ルドなどを行うようにしてもよい。
第１図示の接続構造は、ホトリソグラフやメッキなど
の工程によって突起電極を形成する必要がないので、材
料および製造コストを増大させることなく、電子部品20
を回路基板29に直接接続することが可能となる。また第
３図示されるように、第１図示の接続構造を加熱状態に
おいた場合に、回路基板29と電子部品20との熱膨張率の
相違によって、対応する電極22および配線層25との間に
位置ずれが生じる。第３図において常温時の外形は仮想
線33で示される。
本実施例においてはこのような位置ずれに対して導電
性粒子28は、配線層25との接触状態は保持されたまま接
触点34において滑りを生じ、温度変化に起因する破損を
解消することができる。したがって、温度サイクル試験
などに対しても接続抵抗が増大することもなく、高い信
頼性の接続状態を示す。
また導電性粒子28と配線層25との接触によって電気的
な接続が達成されるので、半田を用いた接続構造のよう
に親半田性の金属層を介在する必要がなく、材料コスト
および製造コストを低減することができる。さらに電子
部品20と回路基板29との間には、第２接着剤層27が充填
されており、電子部品20と回路基板29との表面はこれに
よって保護される。したがって別途に封止樹脂または機
械的保護を行うことなく、シーリング効果が得られる。
第４図は、本発明の他の実施例である接続構造を示す
断面図である。前述したように、回路基板29はガラスな
どの本体24上に配線層25が形成されている。本実施例に
おいては、この配線層25が形成されている領域におい
て、配線層25の表面25aには導電性を有する第１接着剤
層26が形成される。この第１接着剤層26には前述した方
法と同様にして導電性粒子28が付着される。このとき、
導電性粒子28の一端部は直接配線層25の表面25aに接触
していてもよいし、第１接着剤層26を介して配線層25に
電気的に接続されていてもよい。
一方、電子部品20の表面には電気絶縁性の第２接着剤
層27が形成され、このような電子部品20と回路基板29と
が位置合わせされ、加圧された状態で第２接着剤層27が
硬化される。このとき導電性粒子28の端部は、電極表面
22aに接触する。このようにして電子部品20と回路基板2
9とが機械的に保持され、また電子部品20の電極22と、
この電極22に対応する回路基板29の配線層25とが電気的
に接続される。
第４図示の接続構造においても、前述した第１図示の
接続構造と同様の効果が得られる。第１図および第４図
示した実施例において、電子部品20側または回路基板29
側のいずれか一方に導電性粒子28を付着させておき、電
子部品20と回路基板29とを接続する場合について説明し
たけれども、電子部品20側と回路基板29側との双方に導
電性粒子28を付着させるように構成することもできる。
第５図は、本発明の他の実施例である接続構造を示す
断面図である。本実施例では、第１図示した実施例にお
いて第１接着剤層26に相当する接着剤として、非導電性
の第１接着剤層26cを使用している。非導電性の第１接
着剤26cを使用する場合には、導電性粒子28の一端は電
極22の表面22aに接触し、他端は配線層25の表面25aに接
触していなければならない。このような場合には、電極
表面22aと配線層表面25aとの間隔１は、導電性粒子28
の定常状態の粒径よりわずかに小さい。導電性粒子28を
並べるには、第６図に示すように、導電性粒子28の粒径
より僅かに大きい深さＡの溝を有する溝付定板36に一定
量の導電性粒子28を堆積し、その後均し治具35を一方向
に移動しながら粒子を並べる方法などを用いればよい。
また他の導電性粒子28の並べ方としては、第７図示され
るような定板37に一定量の導電性粒子28を堆積し、定板
37に振動を加える方法などがある。
このようにして定板37などの上に並べられた導電性粒
子28に、第１接着剤層26が塗布された電子部品20を、第
７図上方から押し当てこれによって導電性粒子28が第１
接着剤層26に付着される。
第１接着剤層26cの形成されていない領域においても
静電気などの作用によって導電性粒子28が付着する場合
には、電子部品20の第１接着剤層26cが形成されている
面を下方に向けて振動を加えて振り落とす方法、窒素ガ
スの吹き付けなどによって浄化する方法、あるいは液体
によって洗浄する方法などによって、上記不要な導電性
粒子28を除去することができる。このような不要な導電
性粒子28の除去は、第１接着剤層26cを硬化した後に行
ってもよい。上述した導電性粒子28の付着方法は、全て
の実施例において用いることができる。
第８図は、本発明のさらに他の実施例である接続構造
を示す断面図である。第８図示の接続構造は、第４図示
した接続構造において、第１接着剤として非導電性の接
着剤を用いて第１接着剤層26cを形成したものである。
第８図示の接続構造において、第１接着剤層26cは回路
基板29の配線層25の表面25a上に形成される。また非導
電性の第２接着剤層27は電子部品20の電極22が形成され
ている表面上に形成される。このような接続構造におい
ても、導電性粒子28の一端部は電極22の表面22aに接触
し、その他端部は回路基板29の配線層25の表面25aに接
触する必要がある。
第５図および第８図示した接続構造において、非導電
性の第１接着剤層26cと非導電性の第２接着剤層27とは
たとえば同一材料であってもよい。また第１接着剤層26
cは粘着剤であってもよい。
第９図は、本発明のまた他の実施例である接続構造を
示す断面図である。第９図示の接続構造製造において
は、第10図に示されるように電子部品の電極22が形成さ
れている面に、非導電性の光硬化性接着剤から成る第１
接着剤層26dが形成される。この接着剤層26dにマスク32
を介して矢符31で示されるように光を照射し、これによ
って保護膜23が形成されている領域における接着剤層26
bを硬化する。この後、前述した方法によって導電性粒
子28を付着し、第２接着剤層の形成された回路基板29と
加圧状態で樹脂硬化し接続することによって、第９図示
の接続構造が得られる。
このような接続構造においても導電性粒子28の一端部
は電子部品20の電極22の表面22aに接触しており、導電
性粒子28の他端部は回路基板29の配線層25の表面25aに
接触している。したがって電極22と配線層25とは導電性
粒子28を介して電気的に接続されている。電極22の電子
部品20と回路基板29とは、介在する第１接着剤層26dお
よび第２接着剤層27によって機械的に保持される。
上述した実施例において、導電性粒子28の電極表面22
aまたは配線層表面25aに接触する端部は、従来技術に関
連して述べたホトリゾグラフまたはメッキなどによって
形成される電極に比較して、容易に正確な仮想平面上に
形成することができる。したがって各接続部分において
安定した接続状態を得ることができる。また本実施例の
ように電子部品20と回路基板29とのいずれか一方に導電
性粒子28の一部分である突起部を形成し、第１接着剤層
を硬化させているので、所望の間隔１を均一に保持す
ることができ、しかも材料コストを低減することができ
る。
上述した実施例において、第２接着剤層は電子部品20
または回路基板29のいずれかの表面の所望の領域に選択
的に形成するようにしてもよい。なお、この場合、導電
性粒子28の存在する位置に対応して、しいて第２接着剤
層を形成する必要はない。
発明の効果 以上説明したように本発明によれば、第１基板および
第２基板の間隔を所望の値に均一に保った状態で、コス
トを増大させることなく接続することが可能になる。し
かも先行技術に関連して述べたような隣接する配線間の
短絡のおそれがなく、また温度差によって第１および第
２基板の熱膨張率の違いから生じる剪断による問題を解
消し、信頼性の高い接続状態を保持するきことができ
る。特に本発明によれば、隣接する電極間の電気的ショ
ートを考慮する必要がなく、隣接する電極間の間隙を可
及的に小さくすることができ、したがって全体として高
密度実装が可能となる。しかも電極間隙では、導電性粒
子の介在がなく、接着剤のみで接着されるので接着強度
が強くなり、信頼性に優れた接続構造が実現される。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は第１図示
の実施例の製造工程を説明するための断面図、第３図は
第１図示の実施例の温度変化による状態の変化を説明す
るための断面図、第４図は本発明の他の実施例の断面
図、第５図は本発明のさらに他の実施例の断面図、第６
図は導電性粒子28の並べ方の一例を説明するための断面
図、第７図は導電性粒子28の付着方法を説明するための
断面図、第８図は本発明のさらにまた他の実施例の断面
図、第９図は本発明のまた他の実施例の断面図、第10図
は第９図示した実施例の製造工程を説明するための断面
図、第11図〜第16図は先行技術の断面図である。 1,21……（電子部品）本体、2,23……保護膜、3,7,25…
…配線層、４……電極、5,20……電子部品、6,24……
（回路基板）本体、8,29……回路基板、９……導電性接
着剤、10……金属多層膜、11……半田層、12……被覆
層、14……異方導電性接着剤、22……電極、26,26c……
第１接着剤層、27……第２接着剤層、28……導電性粒子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 貫井 孝 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−207025（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−136639（ＪＰ，Ａ) 実開 昭62−37939（ＪＰ，Ｕ)

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】対向する面にそれぞれ電極が形成される第
    １基板および第２基板と、該第１基板の電極上に配置さ
    れる導電性粒子と、を設けた接続構造において、 前記第１基板の電極上に設けられた電気絶縁性の第１接
    着剤層によって、前記導電性粒子を前記第１基板の電極
    上のみに配置して、前記導電性粒子の一端を前記第１基
    板の電極に当接保持し、 前記第１基板と前記第２基板との間に形成された電気絶
    縁性の第２接着剤層によって、前記導電性粒子の他端が
    前記第２基板の電極と接続された状態で前記第１基板と
    前記第２基板を接着保持されることを特徴とする接続構
    造。
  2. 【請求項２】対向する面にそれぞれ電極が形成される第
    １基板および第２基板と、該第１基板の電極上に配置さ
    れる導電性粒子と、を設けた接続構造において、 前記第１基板の電極上にのみ選択的に設けられた導電性
    の第１接着剤層によって、前記導電性粒子の一端を該第
    １接着剤層に当接保持し、前記第１基板の電極上にのみ
    導電性粒子が配置され、 前記第１基板と前記第２基板との間に形成された電気絶
    縁性の第２接着剤層によって、前記導電性粒子の他端が
    前記第２基板の電極と接続された状態で前記第１基板と
    前記第２基板が接着保持されることを特徴とする接続構
    造。
  3. 【請求項３】前記導電性粒子は、金属めっきされたプラ
    スチックビーズであることを特徴とする請求項１または
    ２記載の接続構造。
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