JP2582066B2 - 光機能性デバイス - Google Patents
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- G02F1/065—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on electro-optical organic material in an optical waveguide structure
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- G02F1/3137—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure with intersecting or branching waveguides, e.g. X-switches and Y-junctions
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光導波路型の光機能デバイスに係り、特
に、光通信や光情報処理の分野で用いるのに好適な、有
機非線形光学材料を用いた光機能性デバイスに関する。
に、光通信や光情報処理の分野で用いるのに好適な、有
機非線形光学材料を用いた光機能性デバイスに関する。
近年、非局在のπ電子を有する有機化合物が非常に大
きな非線形光学応答を示すことが、実験、理論の両面か
ら解明され、特に、二次の非線形光学定数に関して、分
子レベルでは、Li Nb O3等の既存の無機結晶に比して、
二桁以上大きい定数を有するものが数多く見出されてき
ており、これの結晶化についての研究が継続されてい
る。
きな非線形光学応答を示すことが、実験、理論の両面か
ら解明され、特に、二次の非線形光学定数に関して、分
子レベルでは、Li Nb O3等の既存の無機結晶に比して、
二桁以上大きい定数を有するものが数多く見出されてき
ており、これの結晶化についての研究が継続されてい
る。
そして、この有機非線形光学結晶は、光変調、光周波
数変調、光双安定、位相共役光学等の応用分野における
新素材として、極めて有望視され、このため、従来から
種々のデバイス化についての提案がなされているが、こ
れまでは、例えば、オプティカル コミュニケーション
ズ 50,第154頁（1984年）（Optical Communications,5
0（1984））およびエー・シー・エス シンポジウム
シリーズ 233 第159頁（1983年）（ACS Symposium S
eies 233,p.153（1983））において論じられているよう
に、マルチ モード導波路形成に関するものであり、基
板上に、幅100μｍ程度の溝を掘り、この中に溶融した
非線形光学材料を満したり、内径２〜10μｍの中空の光
フアイバ中に、同じく溶融状態の材料を毛細管現象を利
用して充填するというものであつた。
数変調、光双安定、位相共役光学等の応用分野における
新素材として、極めて有望視され、このため、従来から
種々のデバイス化についての提案がなされているが、こ
れまでは、例えば、オプティカル コミュニケーション
ズ 50,第154頁（1984年）（Optical Communications,5
0（1984））およびエー・シー・エス シンポジウム
シリーズ 233 第159頁（1983年）（ACS Symposium S
eies 233,p.153（1983））において論じられているよう
に、マルチ モード導波路形成に関するものであり、基
板上に、幅100μｍ程度の溝を掘り、この中に溶融した
非線形光学材料を満したり、内径２〜10μｍの中空の光
フアイバ中に、同じく溶融状態の材料を毛細管現象を利
用して充填するというものであつた。
しかしながら、上記従来技術のうち、まず前者では、
単一モード伝送を可能にするために必要とする、所定の
深さと幅の溝に溶融状態の材料を満すことは、この溝の
径が数μｍと非常に細いため、極めて困難であるという
問題点がある。
単一モード伝送を可能にするために必要とする、所定の
深さと幅の溝に溶融状態の材料を満すことは、この溝の
径が数μｍと非常に細いため、極めて困難であるという
問題点がある。
一方、導波路型の光機能性デバイスでは、多くの場
合、単一モード導波路、および電気光学効果や音響光学
効果などにより導波光を制御するための電極から構成さ
れる。
合、単一モード導波路、および電気光学効果や音響光学
効果などにより導波光を制御するための電極から構成さ
れる。
このため、上記従来技術のうちの後者では、その構造
が繊維状のものとなつているため、電極やその他の光部
品との一体化、すなわち、光集積化が難しいという問題
点がある。
が繊維状のものとなつているため、電極やその他の光部
品との一体化、すなわち、光集積化が難しいという問題
点がある。
本発明の目的は、上記した従来技術の問題点を解決
し、製造が容易で光集積化も容易な有機非線形光学材料
を用いた導波路型の光機能性デバイスの提供にある。
し、製造が容易で光集積化も容易な有機非線形光学材料
を用いた導波路型の光機能性デバイスの提供にある。
上記目的は、少なくとも表面層がシリコンからなる基
板の表面に形成された溝と、該溝の表面に形成された２
酸化シリコン層と、上記溝を塞いで上記基板の表面に形
成した層とを備え、上記溝内に有機非線形光学材料を埋
込んで光導波路とした光機能性デバイスにおいて、上記
層が、上記溝を塞いで上記基板の表面に塗布した上記層
の構成原料を含む液状材料の焼成により形成されている
ようにして達成される。
板の表面に形成された溝と、該溝の表面に形成された２
酸化シリコン層と、上記溝を塞いで上記基板の表面に形
成した層とを備え、上記溝内に有機非線形光学材料を埋
込んで光導波路とした光機能性デバイスにおいて、上記
層が、上記溝を塞いで上記基板の表面に塗布した上記層
の構成原料を含む液状材料の焼成により形成されている
ようにして達成される。
シリコンで作られた基板は、光学的バッファ層となる
２酸化シリコン層の形成を容易にするように働くと共
に、光導波路と同一の基板に、例えば受光素子、集積回
路素子、電極などの素子を簡単に形成できるように働
く、さらには、光ファイバ固定用のＶ字溝の形成をも可
能にするように働く。
２酸化シリコン層の形成を容易にするように働くと共
に、光導波路と同一の基板に、例えば受光素子、集積回
路素子、電極などの素子を簡単に形成できるように働
く、さらには、光ファイバ固定用のＶ字溝の形成をも可
能にするように働く。
また、基板の表面に形成された溝は、毛管現象や真空
吸引により簡単に光導波路を形成するように働く。
吸引により簡単に光導波路を形成するように働く。
従って、製造が容易で、集積化も容易な導波路型の光
機能デバイスを得ることができる。
機能デバイスを得ることができる。
以下、本発明による光機能性デバイスについて、図示
の実施例により詳細に説明する。
の実施例により詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例で、本発明を光機能性デバ
イスの最も基本的な態様である位相変調器として実施し
たもので、図において、１はシリコン基板、２はパイレ
ックスガラス板、３は有機非線形光学材料からなる導波
路、４は電極、５は光フアイバである。
イスの最も基本的な態様である位相変調器として実施し
たもので、図において、１はシリコン基板、２はパイレ
ックスガラス板、３は有機非線形光学材料からなる導波
路、４は電極、５は光フアイバである。
基板１は第１の基板を構成し、その表面に有機非線形
光学材料を充填するための溝が形成されている。そし
て、この溝は、単一モードの伝送を可能にするのに必要
な幅と深さの所定の寸法を有したものとなっている。
光学材料を充填するための溝が形成されている。そし
て、この溝は、単一モードの伝送を可能にするのに必要
な幅と深さの所定の寸法を有したものとなっている。
そして、この基板１の溝が形成されている面に、この
溝を覆うようにして、第２の基板となるパイレックスガ
ラス板２を貼り合わせ、これにより、上記溝により細管
状の空間部を作りだし、しかるのち、毛管現象や真空吸
引により溶融状態にある有機非線形光学材料を、この空
間部に充填させ、有機非線形光学材料の導波路３を形成
する。
溝を覆うようにして、第２の基板となるパイレックスガ
ラス板２を貼り合わせ、これにより、上記溝により細管
状の空間部を作りだし、しかるのち、毛管現象や真空吸
引により溶融状態にある有機非線形光学材料を、この空
間部に充填させ、有機非線形光学材料の導波路３を形成
する。
この導波路３の両端部には、光フアイバ５のコア部が
接続されるが、このとき、光フアイバ５を保持し、か
つ、導波路３と光フアイバ５のコア部の中心との整合が
得られるように、基板１には、上記導波路３の延長軸方
向に延びるＶ字溝が、例えばエッチングによって形成さ
れており、このＶ字溝内に光フアイバ５が配設されるよ
うになっている。
接続されるが、このとき、光フアイバ５を保持し、か
つ、導波路３と光フアイバ５のコア部の中心との整合が
得られるように、基板１には、上記導波路３の延長軸方
向に延びるＶ字溝が、例えばエッチングによって形成さ
れており、このＶ字溝内に光フアイバ５が配設されるよ
うになっている。
また、基板１の表面には、後で詳述するように、導波
路３を挟むようにして電極４が形成されており、これら
の電極４に電圧を印加して導波路３に電界が掛けられる
ようにすると、一次の電気光学効果（ポッケルス効果）
によって導波路３の屈折率が変化し、この導波路３を通
過する光の位相変調を起こし、光変調器として動作す
る。
路３を挟むようにして電極４が形成されており、これら
の電極４に電圧を印加して導波路３に電界が掛けられる
ようにすると、一次の電気光学効果（ポッケルス効果）
によって導波路３の屈折率が変化し、この導波路３を通
過する光の位相変調を起こし、光変調器として動作す
る。
光導波路３に沿った断面構成を第２図に、そして直角
な方向の断面構成を第３図にそれぞれ示す。
な方向の断面構成を第３図にそれぞれ示す。
シリコン基板１はｐ形であり、あらかじめ必要とする
電子回路や他のデバイスが形成されていてもよい。この
場合、第３図に示すように、これらに対する絶縁のた
め、ｐ形層９を有する基板１にｎ形の領域８を形成し、
この領域８の中にｐ＋領域７を形成して電極４となる部
分を構成する。
電子回路や他のデバイスが形成されていてもよい。この
場合、第３図に示すように、これらに対する絶縁のた
め、ｐ形層９を有する基板１にｎ形の領域８を形成し、
この領域８の中にｐ＋領域７を形成して電極４となる部
分を構成する。
ついで、基板１の溝を形成すべき面に反応性スパッタ
エッチングを用いて幅１μｍ、深さ１μｍ、長さ1mmの
溝、即ち、格子を切る。さらに水酸化カリウムなどを用
いたアルカリエッチングによって光フアイバ固定用のＶ
溝を形成する。
エッチングを用いて幅１μｍ、深さ１μｍ、長さ1mmの
溝、即ち、格子を切る。さらに水酸化カリウムなどを用
いたアルカリエッチングによって光フアイバ固定用のＶ
溝を形成する。
ところで、シリコンは高屈折率の物質であるため、こ
の上に直接、導波路３を形成することはできない。そこ
で、シリコンの基板１の表面を熱酸化してSiO2層６を成
長させ、光学的バッファ層とする。なお、このバッファ
層は、導波路３となる溝の中にだけ形成されていればよ
いから、それ以外の部分のSiO2層はエッチングなどによ
り取り除く。
の上に直接、導波路３を形成することはできない。そこ
で、シリコンの基板１の表面を熱酸化してSiO2層６を成
長させ、光学的バッファ層とする。なお、このバッファ
層は、導波路３となる溝の中にだけ形成されていればよ
いから、それ以外の部分のSiO2層はエッチングなどによ
り取り除く。
次に、このようにして溝を設けたシリコン基板１の溝
を有する面を、パイレックスのガラス板、又はパイレッ
クスガラスは表面に蒸着した適当な基板材で覆い、シリ
コン−パイレックスガラスのアノーディックボンディン
グで接着し、貼り合わせ面に上記の溝による中空のチュ
ーブが形成されている、基板１とガラス板２からなる積
層体を作り、その後、この中空のチューブ内に、毛管現
象又は真空吸引により、溶融した有機非線形光学材料を
充填する。
を有する面を、パイレックスのガラス板、又はパイレッ
クスガラスは表面に蒸着した適当な基板材で覆い、シリ
コン−パイレックスガラスのアノーディックボンディン
グで接着し、貼り合わせ面に上記の溝による中空のチュ
ーブが形成されている、基板１とガラス板２からなる積
層体を作り、その後、この中空のチューブ内に、毛管現
象又は真空吸引により、溶融した有機非線形光学材料を
充填する。
このとき、この有機非線形光学材料として、例えばMN
A（２−メチル−４−ニトロアミン）を用いたとする
と、その融点は131℃であり、従って、このときには、
この温度より少し高いが、分解しない程度の温度で充填
してやるようにすればよい。
A（２−メチル−４−ニトロアミン）を用いたとする
と、その融点は131℃であり、従って、このときには、
この温度より少し高いが、分解しない程度の温度で充填
してやるようにすればよい。
次に、このようにして充填された有機非線形光学材料
（MNA）は室温にまで冷却されるが、そうすると、この
材料はランダムな微細結晶となってしまうので、ここで
適当な温度勾配を持った炉の中をゆっくりとした所定の
速度で移動させることにより、大きな単結晶に再結晶化
され、導波路として利用できるようにされる。
（MNA）は室温にまで冷却されるが、そうすると、この
材料はランダムな微細結晶となってしまうので、ここで
適当な温度勾配を持った炉の中をゆっくりとした所定の
速度で移動させることにより、大きな単結晶に再結晶化
され、導波路として利用できるようにされる。
なお、第２図で、５′は光フアイバ５のクラッド層
を、そして、５″はコアを表わす。
を、そして、５″はコアを表わす。
また、Ｐ＋層７の表面にはアルミニウムなどの電極配
線10を設け、接続部とする。
線10を設け、接続部とする。
従って、この実施例によれば、有機非線形光学材料に
よる正確な寸法の導波路１が容易に形成できる。
よる正確な寸法の導波路１が容易に形成できる。
また、上記実施例によれば、基板１としてシリコン基
板を用いているため、有機非線形光学材料を用いた単一
モード導波路と電極やその他の素子を同一基板上に簡単
に形成することができるという効果がある。
板を用いているため、有機非線形光学材料を用いた単一
モード導波路と電極やその他の素子を同一基板上に簡単
に形成することができるという効果がある。
さらに、上記実施例では、本発明を位相変調器に適用
した例について示したが、このような貼り合わせ形式の
実施例としては、その他、分岐干渉形変調器やバランス
ブリッヂ形変調器などとして実施してもよいことは言う
までもない。
した例について示したが、このような貼り合わせ形式の
実施例としては、その他、分岐干渉形変調器やバランス
ブリッヂ形変調器などとして実施してもよいことは言う
までもない。
又、上記実施例における電極に代えてヒータを配設
し、温度制御による位相整合を行ない、これにより高次
高調波を発生させることもできる。つまり、これによれ
ば、光周波数変換素子を得ることができる。
し、温度制御による位相整合を行ない、これにより高次
高調波を発生させることもできる。つまり、これによれ
ば、光周波数変換素子を得ることができる。
ところで、本発明によれば、第４図に示す内部全反射
スイッチや第５図に示す分岐スイッチを得ることもでき
る。しかして、これらのデバイスの場合には、光導波路
と電極とに重畳部分が必要なため、上記した実施例のよ
うな貼り合わせ構造では実現が難かしい。
スイッチや第５図に示す分岐スイッチを得ることもでき
る。しかして、これらのデバイスの場合には、光導波路
と電極とに重畳部分が必要なため、上記した実施例のよ
うな貼り合わせ構造では実現が難かしい。
そこで、このような場合に好適な実施例を第６図およ
び第７図により説明する。
び第７図により説明する。
まず、第６図の実施例では、適当な材質の絶縁基板11
を用い、その表面に、まず電極４を形成し、その上にス
パッタなどにより、光学的バッファ層となるSiO2層６を
設ける。ついで、CVD（ケミカル・ペーパー・デボジッ
ション）により、導波路の深さに相当する厚さにシリコ
ン層12を堆積させ、これにより導波路用の溝を形成す
る。この溝の内面には光学的バッフア層となるSiO2層
６′を熱酸化によって成長させる。その後、シリコン層
12の上にアノーディックボンディングによりパイレック
スのガラス板２を接着し、中空部を形成する。そして、
この中空部の中に、毛管現象又は真空吸引により有機非
線形光学材料の溶融体を充填、固化し、単結晶化して導
波路３とする。
を用い、その表面に、まず電極４を形成し、その上にス
パッタなどにより、光学的バッファ層となるSiO2層６を
設ける。ついで、CVD（ケミカル・ペーパー・デボジッ
ション）により、導波路の深さに相当する厚さにシリコ
ン層12を堆積させ、これにより導波路用の溝を形成す
る。この溝の内面には光学的バッフア層となるSiO2層
６′を熱酸化によって成長させる。その後、シリコン層
12の上にアノーディックボンディングによりパイレック
スのガラス板２を接着し、中空部を形成する。そして、
この中空部の中に、毛管現象又は真空吸引により有機非
線形光学材料の溶融体を充填、固化し、単結晶化して導
波路３とする。
次に、第７図の実施例では、基板１として、第３図の
実施例の場合と同様に、ｐ形層９とｎ領域８、それにｐ
＋領域７を有するシリコン基板を用い、これに溝を切
り、その内面にSiO2層６を設け、さらに配線10を形成す
ると共に、この基板１とは別の、適当な絶縁性基板13を
用意し、この基板13に電極14と、光学的なバッフア層お
よびシリコンに対する接着層として働くパイレックスガ
ラス層２を蒸着により形成したものを用意し、これら２
枚の基板１と13とをアノーディックボンディングにより
積層貼り合わせ、有機非線形光学材料を充填して導波路
３となる中空部を形成するようにしたものである。
実施例の場合と同様に、ｐ形層９とｎ領域８、それにｐ
＋領域７を有するシリコン基板を用い、これに溝を切
り、その内面にSiO2層６を設け、さらに配線10を形成す
ると共に、この基板１とは別の、適当な絶縁性基板13を
用意し、この基板13に電極14と、光学的なバッフア層お
よびシリコンに対する接着層として働くパイレックスガ
ラス層２を蒸着により形成したものを用意し、これら２
枚の基板１と13とをアノーディックボンディングにより
積層貼り合わせ、有機非線形光学材料を充填して導波路
３となる中空部を形成するようにしたものである。
なお、このとき、電極配線10と電極14とは、はんだ15
によって接続されるようにすればよい。
によって接続されるようにすればよい。
従って、これら第６図および第７図の実施例によれ
ば、光導波路と電極とに重なりがある。第４図に示す内
部全反射スイッチや第５図に示す分岐スイッチの場合に
も適用が可能で、有機非線形光学材料を用いた単一モー
ド光導波路と電極や他の電子回路素子との集積化が容易
にでき、光機能性デバイスを構成することができるとい
う効果がある。
ば、光導波路と電極とに重なりがある。第４図に示す内
部全反射スイッチや第５図に示す分岐スイッチの場合に
も適用が可能で、有機非線形光学材料を用いた単一モー
ド光導波路と電極や他の電子回路素子との集積化が容易
にでき、光機能性デバイスを構成することができるとい
う効果がある。
ところで、以上の実施例では、いずれも、２枚の基板
の積載貼り合わせにより光導波路となるべき中空部が形
成されるようにしていたが、このような接着によらず、
一連の半導体プロセスにより中空部が得られるようにし
た本発明の一実施例について、以下に説明する。
の積載貼り合わせにより光導波路となるべき中空部が形
成されるようにしていたが、このような接着によらず、
一連の半導体プロセスにより中空部が得られるようにし
た本発明の一実施例について、以下に説明する。
第８図は本発明の一実施例で、有機非線形光学材料を
充填して光導波路を形成すべき中空部を有する基板が得
られるまでの一連のプロセスを示したもので、まず、同
図（１）に示すように、シリコン基板１を用意し、この
表面に電極４や、その他、必要とする回路素子を形成し
た後、同図（２）を示すように、その上にCVDによりSiO
2層６を設け、ついで、所定の位置に、必要とする光導
波路の幅よりも狭い幅の開口を形成する。
充填して光導波路を形成すべき中空部を有する基板が得
られるまでの一連のプロセスを示したもので、まず、同
図（１）に示すように、シリコン基板１を用意し、この
表面に電極４や、その他、必要とする回路素子を形成し
た後、同図（２）を示すように、その上にCVDによりSiO
2層６を設け、ついで、所定の位置に、必要とする光導
波路の幅よりも狭い幅の開口を形成する。
次に、同図（３）に示すように、開口が形成されてい
るSiO2層６をマスクとして等方性エッチングによりシリ
コン基板１のエッチングを行なう。このとき、基板１の
エッチングは、深さ方向だけではなく、横の方向にも進
行し、これにより、SiO2層６の開口の幅よりも広い幅の
溝が形成される。
るSiO2層６をマスクとして等方性エッチングによりシリ
コン基板１のエッチングを行なう。このとき、基板１の
エッチングは、深さ方向だけではなく、横の方向にも進
行し、これにより、SiO2層６の開口の幅よりも広い幅の
溝が形成される。
そこで、今度は、同図（４）に示すように、基板１を
熱酸化し、この溝の中に光学的バッフア層となるSiO2層
６′を形成させ、ついで、同図（５）に示すように、SO
G（Spin on Glass）を表面に塗布し、これを数百度以上
の所定の温度で焼成し、SOG層16を形成する。なお、SOG
とは、本来はスピンコート技法により形成されたガラス
層を意味する用語であるが、転じてスピンコート技法で
ガラス層を形成するための原材料自体を表わす用語とし
ても使用されているものである。しかして、このとき、
このSOG層16は、開口を塞ぐだけで、その内部には入り
こまないようにすることができるから、結局、基板１に
形成されている溝は、このSOG層16によって蓋をされた
ことになり、ここに中空部が形成されたことになる。
熱酸化し、この溝の中に光学的バッフア層となるSiO2層
６′を形成させ、ついで、同図（５）に示すように、SO
G（Spin on Glass）を表面に塗布し、これを数百度以上
の所定の温度で焼成し、SOG層16を形成する。なお、SOG
とは、本来はスピンコート技法により形成されたガラス
層を意味する用語であるが、転じてスピンコート技法で
ガラス層を形成するための原材料自体を表わす用語とし
ても使用されているものである。しかして、このとき、
このSOG層16は、開口を塞ぐだけで、その内部には入り
こまないようにすることができるから、結局、基板１に
形成されている溝は、このSOG層16によって蓋をされた
ことになり、ここに中空部が形成されたことになる。
従って、以後は、この中空部内に、毛管現象や真空吸
引により、溶融状態にある有機非線形光学材料を充填す
ることにより光導波路を容易に形成することができる。
引により、溶融状態にある有機非線形光学材料を充填す
ることにより光導波路を容易に形成することができる。
〔発明の効果〕 本発明によれば、第１の基板がシリコンで作られてい
るので、光学的バッファ層となる２酸化シリコン層の形
成が容易になると共に、光導波路と同一の基板に、例え
ば受光素子、集積回路素子、電極などの素子を簡単に形
成できる上、さらには、光ファイバ固定用のＶ次溝の形
成をも可能にすることができる。
るので、光学的バッファ層となる２酸化シリコン層の形
成が容易になると共に、光導波路と同一の基板に、例え
ば受光素子、集積回路素子、電極などの素子を簡単に形
成できる上、さらには、光ファイバ固定用のＶ次溝の形
成をも可能にすることができる。
従って、構造や集積化が容易で、充分に小型化され、
低電圧駆動が可能で、しかも高速応答特性の光機能性デ
バイスを容易に提供することができる。
低電圧駆動が可能で、しかも高速応答特性の光機能性デ
バイスを容易に提供することができる。
第１図は本発明による光機能性デバイスの一実施例を示
す斜視図、第２図はその横断面図、第３図は同じくその
縦断面図、第４図および第５図はそれぞれ光機能性デバ
イスの種類を説明する模式図、第６図および第７図はそ
れぞれ本発明の他の一実施例を示す断面図、第８図は本
発明のさらに別の一実施例を示す説明図である。 １……シリコン基板、２……ガラス板、３……有機非線
形光学材料からなる導波路、４……電極、５……光フア
イバ。
す斜視図、第２図はその横断面図、第３図は同じくその
縦断面図、第４図および第５図はそれぞれ光機能性デバ
イスの種類を説明する模式図、第６図および第７図はそ
れぞれ本発明の他の一実施例を示す断面図、第８図は本
発明のさらに別の一実施例を示す説明図である。 １……シリコン基板、２……ガラス板、３……有機非線
形光学材料からなる導波路、４……電極、５……光フア
イバ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−166922（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−188504（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−37505（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】少なくとも表面層がシリコンからなる基板
の表面に形成された溝と、該溝の表面に形成された２酸
化シリコン層と、上記溝を塞いで上記基板の表面に形成
した層とを備え、上記溝内に有機非線形光学材料を埋込
んで光導波路とした光機能性デバイスであって、 上記層が、上記溝を塞いで上記基板の表面に塗布した上
記層の構成原料を含む液状材料の焼成により形成されて
いることを特徴とする光機能性デバイス。 - 【請求項２】特許請求の範囲第１項において、 上記基板が、絶縁板の表面に堆積させたシリコン層によ
って形成されていることを特徴とする光機能性デバイ
ス。 - 【請求項３】特許請求の範囲第１項及び特許請求の範囲
第２項の何れかにおいて、 上記液状材料が、SOGであることを特徴とする光機能性
デバイス。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62062555A JP2582066B2 (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | 光機能性デバイス |
| US07/158,706 US4896930A (en) | 1987-03-19 | 1988-02-22 | Optical functional device of an optical waveguide type |
| KR1019880002005A KR960012166B1 (ko) | 1987-03-19 | 1988-02-26 | 광기능성 장치 |
| DE3809182A DE3809182C2 (de) | 1987-03-19 | 1988-03-18 | Optisches Bauelement mit organischem nicht-linearen Material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62062555A JP2582066B2 (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | 光機能性デバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63229433A JPS63229433A (ja) | 1988-09-26 |
| JP2582066B2 true JP2582066B2 (ja) | 1997-02-19 |
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ID=13203625
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62062555A Expired - Lifetime JP2582066B2 (ja) | 1987-03-19 | 1987-03-19 | 光機能性デバイス |
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| KR (1) | KR960012166B1 (ja) |
| DE (1) | DE3809182C2 (ja) |
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- 1987-03-19 JP JP62062555A patent/JP2582066B2/ja not_active Expired - Lifetime
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1988
- 1988-02-22 US US07/158,706 patent/US4896930A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-02-26 KR KR1019880002005A patent/KR960012166B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1988-03-18 DE DE3809182A patent/DE3809182C2/de not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
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| KR960012166B1 (ko) | 1996-09-16 |
| US4896930A (en) | 1990-01-30 |
| DE3809182C2 (de) | 1994-06-16 |
| KR880011611A (ko) | 1988-10-29 |
| JPS63229433A (ja) | 1988-09-26 |
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