JP2545983B2 - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
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- JP2545983B2 JP2545983B2 JP1157222A JP15722289A JP2545983B2 JP 2545983 B2 JP2545983 B2 JP 2545983B2 JP 1157222 A JP1157222 A JP 1157222A JP 15722289 A JP15722289 A JP 15722289A JP 2545983 B2 JP2545983 B2 JP 2545983B2
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- surface acoustic
- acoustic wave
- electrode
- film
- wave device
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、水晶基板の表面にアルミニウム膜の電極を
設けた弾性表面波装置に関する。
設けた弾性表面波装置に関する。
［背景技術］ 近年、弾性表面波（以下、SAWと称する場合があ
る。）を用いたフィルタや共振子、発振子等の弾性表面
波装置が広く用いられるようになっている。
る。）を用いたフィルタや共振子、発振子等の弾性表面
波装置が広く用いられるようになっている。
これら弾性表面波装置は、一般に、圧電性を有する基
板の表面上にインターディジタル電極（すだれ状電極）
や金属ストリップのグレーティング電極等が形成されて
いる。この電極金属としては、一般に、アルミニウムが
用いられているが、その理由は、フォトリソグラフィが
容易であることと、比重が小さくて電極負荷質量効果が
少なく、導電率が高いなどの特徴のためである。
板の表面上にインターディジタル電極（すだれ状電極）
や金属ストリップのグレーティング電極等が形成されて
いる。この電極金属としては、一般に、アルミニウムが
用いられているが、その理由は、フォトリソグラフィが
容易であることと、比重が小さくて電極負荷質量効果が
少なく、導電率が高いなどの特徴のためである。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、このようなSAWフィルターやSAW共振子
等に高電圧レベルの信号を印加すると、弾性表面波によ
ってアルミニウム電極が強い応力を受け、マイグレーシ
ョンを起こすことがわかった。これは応力によるマイグ
レーションであるので、ストレスマイグレーションと言
われている。これが発生すると、電気的短絡や挿入損失
の増加、共振子のＱの低下などが起こる。そして、この
ストレスマイグレーションは高周波になる程発生し易い
ので、弾性表面波装置の高周波化にあたり、大きな問題
となっていた。
等に高電圧レベルの信号を印加すると、弾性表面波によ
ってアルミニウム電極が強い応力を受け、マイグレーシ
ョンを起こすことがわかった。これは応力によるマイグ
レーションであるので、ストレスマイグレーションと言
われている。これが発生すると、電気的短絡や挿入損失
の増加、共振子のＱの低下などが起こる。そして、この
ストレスマイグレーションは高周波になる程発生し易い
ので、弾性表面波装置の高周波化にあたり、大きな問題
となっていた。
これに対する従来の対策としては、エレクトロマイグ
レーションの場合と同様に、電極材料のアルミニウムに
微量のCu,Ti,Ni,Mg,Pdなどを添加することにより、耐ス
トレスマイグレーション特性の改善を図っているが、そ
の特性改善はまだ不十分であった。
レーションの場合と同様に、電極材料のアルミニウムに
微量のCu,Ti,Ni,Mg,Pdなどを添加することにより、耐ス
トレスマイグレーション特性の改善を図っているが、そ
の特性改善はまだ不十分であった。
そこで、本発明の発明者らは、このストレスマイグレ
ーションの原因をさらに追及した。その研究結果によれ
ば、電子ビーム蒸着やスパッタ等により形成されている
従来のアルミニウム電極は、結晶学的には一定方向に配
向しておらず、アモルファス的な多結晶膜であり、その
ため粒界拡散によるストレスマイグレーションに対して
弱い性質を示すと考えられた。
ーションの原因をさらに追及した。その研究結果によれ
ば、電子ビーム蒸着やスパッタ等により形成されている
従来のアルミニウム電極は、結晶学的には一定方向に配
向しておらず、アモルファス的な多結晶膜であり、その
ため粒界拡散によるストレスマイグレーションに対して
弱い性質を示すと考えられた。
しかして、本発明は上記従来例の欠点と発明者らの到
達した知見に基づいてなされたものであり、その目的と
するところは耐ストレスマイグレーション特性に優れた
アルミニウム電極を備えた弾性表面波装置を提供するこ
とにある。
達した知見に基づいてなされたものであり、その目的と
するところは耐ストレスマイグレーション特性に優れた
アルミニウム電極を備えた弾性表面波装置を提供するこ
とにある。
［課題を解決するための手段］ このため、本発明の弾性表面波装置は、回転角が25゜
回転Ｙカットから39゜回転Ｙカットの範囲にある回転Ｙ
カット水晶基板の上に、（311）配向膜となるように結
晶方位的に一定方向に配向したアルミニウム膜によって
マイグレーション防止機能をもつ電極を形成したことを
特徴としている。
回転Ｙカットから39゜回転Ｙカットの範囲にある回転Ｙ
カット水晶基板の上に、（311）配向膜となるように結
晶方位的に一定方向に配向したアルミニウム膜によって
マイグレーション防止機能をもつ電極を形成したことを
特徴としている。
さらに、アルミニウム膜には、Cu,Ti,Ni,Mg,Pd等の耐
マイグレーション特性に優れた添加物を微量添加するの
が効果的であり、その添加量としては0.1wt％〜10wt％
の範囲で用いるのが適当である。
マイグレーション特性に優れた添加物を微量添加するの
が効果的であり、その添加量としては0.1wt％〜10wt％
の範囲で用いるのが適当である。
［作用］ 上述のように、従来のアルミニウム電極は、結晶方位
的に一定方向に配向していないアモルファス的な多結晶
膜であり、このためストレスマイグレーションに対して
弱かった。
的に一定方向に配向していないアモルファス的な多結晶
膜であり、このためストレスマイグレーションに対して
弱かった。
これに対し、本発明の弾性表面波装置にあっては、回
転角が25゜回転Ｙカットから39゜回転Ｙカットの範囲に
ある回転Ｙカット水晶基板の上に、（311）配向膜とな
るように結晶方位的に一定方向に配向したアルミニウム
膜を形成している。25゜から39゜回転Ｙカット水晶基板
とアルミニウム膜の（311）面とは結晶格子的に整合し
ているので、一定方位に結晶軸配向したアルミニウム膜
を容易に結晶成長させることができる。このような結晶
学的に一定方位に配向したアルミニウム電極は、単結晶
膜に近い性質を示すと考えられ、粒界拡散によるストレ
スマイグレーションに対して非常に強くなる。
転角が25゜回転Ｙカットから39゜回転Ｙカットの範囲に
ある回転Ｙカット水晶基板の上に、（311）配向膜とな
るように結晶方位的に一定方向に配向したアルミニウム
膜を形成している。25゜から39゜回転Ｙカット水晶基板
とアルミニウム膜の（311）面とは結晶格子的に整合し
ているので、一定方位に結晶軸配向したアルミニウム膜
を容易に結晶成長させることができる。このような結晶
学的に一定方位に配向したアルミニウム電極は、単結晶
膜に近い性質を示すと考えられ、粒界拡散によるストレ
スマイグレーションに対して非常に強くなる。
したがって、本発明の弾性表面波装置によれば、スト
レスマイグレーションの発生を抑制でき、ストレスマイ
グレーションによる電気的短絡や挿入損失を低減でき、
共振子のＱを良好に維持することができる。特に、従
来、ストレスマイグレーションは高周波になるほど顕著
であったので、本発明によれば弾性表面波装置の高周波
特性を良好にすることができる。さらに、高レベルの信
号を印加した場合にもストレスマイグレーションの発生
を抑制できるので、信号レベルの大きな回路でも使用可
能となり、また製品寿命も長くなる。
レスマイグレーションの発生を抑制でき、ストレスマイ
グレーションによる電気的短絡や挿入損失を低減でき、
共振子のＱを良好に維持することができる。特に、従
来、ストレスマイグレーションは高周波になるほど顕著
であったので、本発明によれば弾性表面波装置の高周波
特性を良好にすることができる。さらに、高レベルの信
号を印加した場合にもストレスマイグレーションの発生
を抑制できるので、信号レベルの大きな回路でも使用可
能となり、また製品寿命も長くなる。
［実施例］ 以下、本発明の実施例を添付図に基づいて詳述する。
第１図に示すものは、２ポート弾性表面波共振子３で
あり、圧電基板１の表面に２つのインターディジタル電
極2aを設け、この電極2aの両側にグレーティング電極2b
（反射器）を設けてあり、インターディジタル電極2aか
らはリード端子４が引き出されている。この２ポートSA
W共振子３を一実施例とし、製造順序に従って次に説明
する。
あり、圧電基板１の表面に２つのインターディジタル電
極2aを設け、この電極2aの両側にグレーティング電極2b
（反射器）を設けてあり、インターディジタル電極2aか
らはリード端子４が引き出されている。この２ポートSA
W共振子３を一実施例とし、製造順序に従って次に説明
する。
圧電基板１としては、鏡面研磨された33.5゜回転Ｙカ
ット水晶基板を用い、この圧電基板１の表面に、電子ビ
ーム蒸着でその蒸着速度及び基板温度を適当に制御して
アルミニウム膜を約1000Åの膜厚に形成した。
ット水晶基板を用い、この圧電基板１の表面に、電子ビ
ーム蒸着でその蒸着速度及び基板温度を適当に制御して
アルミニウム膜を約1000Åの膜厚に形成した。
たとえば、蒸着速度及び基板温度は、従来10Å／秒、
＋160℃で蒸着していたのを、発明者らの実験した範囲
では、40Å／秒、＋80℃と高速、低温で蒸着することに
より（311）配向膜が得られた。このアルミニウム膜の
（311）面がエピタキシャル成長していることをRHEED
（反射高速電子線回折）法により確認した（第５図
（ａ）にこのRHEED写真を示す。第５図（ｂ）は第５図
（ａ）の写真の説明図であり、イが電子ビーム、ロの領
域内に見えるもが反射光である。）。従来の蒸着条件の
もとでは、アルミニウム膜のエピタキシャル成長は見ら
れず、ランダム配向（アモルファス）になっている（第
６図（ａ）にこのRHEED写真を示す。第６図（ｂ）は第
６図（ａ）の写真の説明図で、ハが電子ビーム、ニの領
域内に見えるものが反射光である。）。
＋160℃で蒸着していたのを、発明者らの実験した範囲
では、40Å／秒、＋80℃と高速、低温で蒸着することに
より（311）配向膜が得られた。このアルミニウム膜の
（311）面がエピタキシャル成長していることをRHEED
（反射高速電子線回折）法により確認した（第５図
（ａ）にこのRHEED写真を示す。第５図（ｂ）は第５図
（ａ）の写真の説明図であり、イが電子ビーム、ロの領
域内に見えるもが反射光である。）。従来の蒸着条件の
もとでは、アルミニウム膜のエピタキシャル成長は見ら
れず、ランダム配向（アモルファス）になっている（第
６図（ａ）にこのRHEED写真を示す。第６図（ｂ）は第
６図（ａ）の写真の説明図で、ハが電子ビーム、ニの領
域内に見えるものが反射光である。）。
このアルミニウム膜をフォトリソグラフィによって加
工し、圧電基板１の表面に２つのインターディジタル電
極2aとグレーティング電極2bを形成し、上記のような２
ポートSAW共振子３を作製した。
工し、圧電基板１の表面に２つのインターディジタル電
極2aとグレーティング電極2bを形成し、上記のような２
ポートSAW共振子３を作製した。
このようにして実際に作製されたSAW共振子３におい
ては、弾性表面波の波長は約4.7μｍ（電極指幅約1.17
μｍ）、開口長は約100波長、インターディジタル電極
は各々50対、金属ストリップによるグレーティング電極
は各々300本である。この２ポートSAW共振子の50Ω系伝
送特性は、第２図のようになった。第２図に示されてい
るように、ピーク周波数は約674MHzであり、挿入損失は
約6dBであった。これは、従来のアモルファスアルミニ
ウム電極の場合とほとんど同様の特性である。
ては、弾性表面波の波長は約4.7μｍ（電極指幅約1.17
μｍ）、開口長は約100波長、インターディジタル電極
は各々50対、金属ストリップによるグレーティング電極
は各々300本である。この２ポートSAW共振子の50Ω系伝
送特性は、第２図のようになった。第２図に示されてい
るように、ピーク周波数は約674MHzであり、挿入損失は
約6dBであった。これは、従来のアモルファスアルミニ
ウム電極の場合とほとんど同様の特性である。
ここで、耐電力特性（耐ストレスマイグレーション特
性）を評価するため、第３図のようなシステムを用い
た。これは、発振器５の出力にパワーアンプ６を接続し
て発振器５の出力信号を電力増幅し、パワーアンプ６の
出力をSAW共振子３に印加させるようにしてある。一
方、SAW共振子３の出力Ｐ（ｔ）はパワーメータ７に入
力されてレベル測定される。また、パワーメータ７の出
力はコンピュータ８を介して発振器５へフィードバック
されており、発振器５の周波数をコントロールして印加
信号の周波数が常に伝送特性のピーク周波数となるよう
にしている。また、SAW共振子３は、恒温槽９に納めら
れており、周囲温度を85℃と高くして加速劣化させられ
た。
性）を評価するため、第３図のようなシステムを用い
た。これは、発振器５の出力にパワーアンプ６を接続し
て発振器５の出力信号を電力増幅し、パワーアンプ６の
出力をSAW共振子３に印加させるようにしてある。一
方、SAW共振子３の出力Ｐ（ｔ）はパワーメータ７に入
力されてレベル測定される。また、パワーメータ７の出
力はコンピュータ８を介して発振器５へフィードバック
されており、発振器５の周波数をコントロールして印加
信号の周波数が常に伝送特性のピーク周波数となるよう
にしている。また、SAW共振子３は、恒温槽９に納めら
れており、周囲温度を85℃と高くして加速劣化させられ
た。
しかして、パワーアンプ６の出力を1W（50Ω系）と
し、初期の出力レベルＰ（ｔ）＝P0を測定しておき、あ
る時間ｔ経過後の出力Ｐ（ｔ）が、 Ｐ（ｔ）≦P0−1.0（dB） となった時をそのSAW共振子３の寿命tdとした。これ
は、一般にＰ（ｔ）のカーブは、第４図のようになるの
で、1dBの低下で寿命tdの推定を行えば適当と考えたた
めである。
し、初期の出力レベルＰ（ｔ）＝P0を測定しておき、あ
る時間ｔ経過後の出力Ｐ（ｔ）が、 Ｐ（ｔ）≦P0−1.0（dB） となった時をそのSAW共振子３の寿命tdとした。これ
は、一般にＰ（ｔ）のカーブは、第４図のようになるの
で、1dBの低下で寿命tdの推定を行えば適当と考えたた
めである。
評価した各試料A,B,C,Dは、下記に示す４種の電極金
属を用いて、同一カット角水晶基板上に同一形状の電極
を形成したものである。
属を用いて、同一カット角水晶基板上に同一形状の電極
を形成したものである。
A:ランダム配向の純Al電極 B:（ランダム配向のAl＋1wt％Cu）電極 C:エピタキシャル純Al電極 D:（エピタキシャルAl＋1wt％Cu）電極 A,Bは通常のSAW共振子であり、Ｂは耐ストレスマイグ
レーション対策として電極金属にCuを添加されている。
C,Dは本発明に係るSAW共振子であり、Ｄも電極金属にCu
を添加されている。
レーション対策として電極金属にCuを添加されている。
C,Dは本発明に係るSAW共振子であり、Ｄも電極金属にCu
を添加されている。
実験の結果、各試料の寿命tdは、それぞれ A:5分以下 B:約150分 C:900分以上 D:8,000分以上（2.5Wの場合） となった。
試料A,Bを比較すると、Cuの添加により30倍以上の長
寿命化が達成されているが、アルミニウム膜をエピタキ
シャル化することで、さらにその６倍以上の効果が出て
いる。すなわち、純アルミニウムの電極を用いた試料A,
C同士の比較では、実に180倍以上の長寿命となってい
る。
寿命化が達成されているが、アルミニウム膜をエピタキ
シャル化することで、さらにその６倍以上の効果が出て
いる。すなわち、純アルミニウムの電極を用いた試料A,
C同士の比較では、実に180倍以上の長寿命となってい
る。
次に、耐マイグレーション特性の改善に効果のあるCu
を1wt％添加したAlエピタキシャル膜で電極を形成され
た試料Ｄの場合には、パワーアンプから2.5Wの出力を印
加して寿命測定を行ったところ、8,000分以上の寿命が
得られた。ここで、2.5Wの出力を印加したのは、1Wでは
寿命が長過ぎ、実験を行う上で不適当であったためであ
る。よって、Cuを添加した場合には、純Alエピタキシャ
ル膜よりも更に大電力において長寿命となっている。一
般に、電力による加速係数は３〜４乗であると言われて
いるので、2.5Wの場合の加速係数は1Wの場合の15〜39
（≒2.53〜2.54）倍となり、2.5Wの出力に対する8,000
分以上の寿命は1Wに換算すると120,000〜312,000分以上
の寿命に相当する。
を1wt％添加したAlエピタキシャル膜で電極を形成され
た試料Ｄの場合には、パワーアンプから2.5Wの出力を印
加して寿命測定を行ったところ、8,000分以上の寿命が
得られた。ここで、2.5Wの出力を印加したのは、1Wでは
寿命が長過ぎ、実験を行う上で不適当であったためであ
る。よって、Cuを添加した場合には、純Alエピタキシャ
ル膜よりも更に大電力において長寿命となっている。一
般に、電力による加速係数は３〜４乗であると言われて
いるので、2.5Wの場合の加速係数は1Wの場合の15〜39
（≒2.53〜2.54）倍となり、2.5Wの出力に対する8,000
分以上の寿命は1Wに換算すると120,000〜312,000分以上
の寿命に相当する。
このように、Alエピタキシャル膜にCuを添加した場合
には、純Alエピタキシャル膜の場合と比較して130〜340
倍の長寿命を達成しているが、Ti,Ni,Mg,Pd等のマイグ
レーション対策用と言われているCu以外の添加物を用い
た場合も同様に長寿命化の効果がある。上記各添加物の
添加量は、少な過ぎると効果がないので、通常0.1wt％
以上必要であり、また多過ぎるとアルミニウム膜の抵抗
率が増大するので、通常10wt％以下が望ましい。したが
って、Cu,Ti,Ni,Mg,Pd等の添加物の添加量としては、0.
1wt％〜10wt％の範囲が好適である。
には、純Alエピタキシャル膜の場合と比較して130〜340
倍の長寿命を達成しているが、Ti,Ni,Mg,Pd等のマイグ
レーション対策用と言われているCu以外の添加物を用い
た場合も同様に長寿命化の効果がある。上記各添加物の
添加量は、少な過ぎると効果がないので、通常0.1wt％
以上必要であり、また多過ぎるとアルミニウム膜の抵抗
率が増大するので、通常10wt％以下が望ましい。したが
って、Cu,Ti,Ni,Mg,Pd等の添加物の添加量としては、0.
1wt％〜10wt％の範囲が好適である。
また、アルミニウム配向膜の下地として、その配向を
妨げない程度の極く薄いTi膜やCr膜などを設けてもよ
い。
妨げない程度の極く薄いTi膜やCr膜などを設けてもよ
い。
なお、Alエピタキシャル膜は、25゜から39゜回転Ｙカ
ットの範囲の水晶基板で（311）配向となったが、それ
以外のカット角でも配向する可能性はある。一般に、エ
ピタキシャル成長するためには、基板とAl薄膜との結晶
格子の整合が必要であるところ、回転Ｙカット水晶基板
とAl薄膜との場合には、約30゜回転Ｙカット水晶基板と
Alエピタキシャル膜の（311）面とが結晶格子的に整合
しているので、25゜から39゜回転Ｙカット水晶基板では
Al薄膜の（311）面がエピタキシャル成長したものであ
る。
ットの範囲の水晶基板で（311）配向となったが、それ
以外のカット角でも配向する可能性はある。一般に、エ
ピタキシャル成長するためには、基板とAl薄膜との結晶
格子の整合が必要であるところ、回転Ｙカット水晶基板
とAl薄膜との場合には、約30゜回転Ｙカット水晶基板と
Alエピタキシャル膜の（311）面とが結晶格子的に整合
しているので、25゜から39゜回転Ｙカット水晶基板では
Al薄膜の（311）面がエピタキシャル成長したものであ
る。
なお、上記実施例では、２ポートSAW共振子で説明し
たが、他に１ポートSAW共振子、SAWフィルタ等にも適用
できるのは当然である。また、反射器のないものでも差
し支えない。
たが、他に１ポートSAW共振子、SAWフィルタ等にも適用
できるのは当然である。また、反射器のないものでも差
し支えない。
［発明の効果］ 上述のように、本発明によれば、アルミニウム電極の
耐ストレスマイグレーション特性を向上させることがで
きる。特に、高レベルの信号を印加した場合にも、スト
レスマイグレーションが発生するのを抑制することがで
きる。
耐ストレスマイグレーション特性を向上させることがで
きる。特に、高レベルの信号を印加した場合にも、スト
レスマイグレーションが発生するのを抑制することがで
きる。
こうして耐ストレスマイグレーション特性が向上する
ことにより、電気的短絡や挿入損失の劣化を低減でき、
また共振子のＱを良好に維持できる。さらに、高周波特
性も良好にできる。また、信号レベルの大きい回路（例
えば送信段）で使用できるようになる。さらに、一定信
号のレベルにおける寿命も長くなり、高信頼性が得られ
る。
ことにより、電気的短絡や挿入損失の劣化を低減でき、
また共振子のＱを良好に維持できる。さらに、高周波特
性も良好にできる。また、信号レベルの大きい回路（例
えば送信段）で使用できるようになる。さらに、一定信
号のレベルにおける寿命も長くなり、高信頼性が得られ
る。
【図面の簡単な説明】 第１図は２ポート弾性表面波共振子の概略平面図、第２
図は同上の50Ω系伝送特性、第３図は耐ストレスマイグ
レーション評価システムの概略図、第４図は耐ストレス
マイグレーション特性による寿命判定を示すカーブ、第
５図（ａ）（ｂ）は本発明の回転Ｙカット水晶基板の上
のAlエピタキシャル膜のRHEED写真及びその説明図、第
６図（ａ）（ｂ）は通常のアルミニウム電極のRHEED写
真及びその説明図である。 １……圧電基板 2a……インターディジタル電極 2b……グレーティング電極
図は同上の50Ω系伝送特性、第３図は耐ストレスマイグ
レーション評価システムの概略図、第４図は耐ストレス
マイグレーション特性による寿命判定を示すカーブ、第
５図（ａ）（ｂ）は本発明の回転Ｙカット水晶基板の上
のAlエピタキシャル膜のRHEED写真及びその説明図、第
６図（ａ）（ｂ）は通常のアルミニウム電極のRHEED写
真及びその説明図である。 １……圧電基板 2a……インターディジタル電極 2b……グレーティング電極
Claims (3)
- 【請求項１】回転角が25゜回転Ｙカットから39゜回転Ｙ
カットの範囲にある回転Ｙカット水晶基板の上に、（31
1）配向膜となるように結晶方位的に一定方向に配向し
たアルミニウム膜によってマイグレーション防止機能を
もつ電極を形成したことを特徴とする弾性表面波装置 - 【請求項２】前記アルミニウム膜にCu,Ti,Ni,Mg,Pd等の
耐マイグレーション特性に優れた添加物を微量添加した
ことを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波装置。 - 【請求項３】前記添加物の添加量が0.1wt％〜10wt％で
あることを特徴とする請求項２に記載の弾性表面波装
置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/508,837 US5162690A (en) | 1989-04-14 | 1990-04-12 | Surface acoustic wave device |
| KR1019900005108A KR930007796B1 (ko) | 1989-04-14 | 1990-04-13 | 탄성 표면파 장치 |
| CN 90102098 CN1016032B (zh) | 1989-04-14 | 1990-04-14 | 弹性表面波装置 |
| DE69028003T DE69028003T2 (de) | 1989-04-14 | 1990-04-17 | Akustische Oberflächenwellenanordnung |
| EP90304117A EP0392879B1 (en) | 1989-04-14 | 1990-04-17 | Surface acoustic wave device |
| CA002014675A CA2014675C (en) | 1989-04-14 | 1990-04-17 | Surface acoustic wave device |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9616689 | 1989-04-14 | ||
| JP1-96166 | 1989-04-14 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0348511A JPH0348511A (ja) | 1991-03-01 |
| JP2545983B2 true JP2545983B2 (ja) | 1996-10-23 |
Family
ID=14157752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1157222A Expired - Fee Related JP2545983B2 (ja) | 1989-04-14 | 1989-06-20 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2545983B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6339277B1 (en) | 1998-10-16 | 2002-01-15 | Seiko Epson Corporation | Surface acoustic wave device |
| US6903488B2 (en) | 2001-09-21 | 2005-06-07 | Tdk Corporation | SAW device and manufacturing method |
| US7102461B2 (en) | 2003-07-28 | 2006-09-05 | Tdk Corporation | Surface acoustic wave element, surface acoustic wave device, surface acoustic wave duplexer, and method of manufacturing surface acoustic wave element |
| US7352114B2 (en) | 2003-07-17 | 2008-04-01 | Tdk Corporation | Surface acoustic wave element, surface acoustic wave device, surface acoustic wave duplexer, and method of manufacturing surface acoustic wave element |
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