JP2024108326A - 電気光学装置、および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】表示品位の低下が抑制された電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置は、第１基板と、前記周辺領域に設けられるシール部材を介して、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、電界に応じて光学的特性が変化する電気光学層と、を備え、前記第１基板および前記第２基板のうちの一方の基板は、積層体と、前記積層体と前記シール部材との間に設けられる第１無機絶縁層と、前記第１無機絶縁層と前記シール部材との間に設けられる第２無機絶縁層とを有し、前記第２無機絶縁層は、前記周辺領域に設けられ、前記第１無機絶縁層から前記シール部材に向かって突出する複数の凸部を有し、前記第１無機絶縁層のエッチングレートは、前記第２無機絶縁層のエッチングレートよりも低い。
【選択図】図５

Description

本発明は、電気光学装置、および電子機器に関する。

プロジェクター等の電子機器には、例えば、画素ごとに光学的特性を変更可能な液晶表示装置等の電気光学装置が用いられる。当該電気光学装置の例として、特許文献１に記載の液晶装置が知られている。

特許文献１に記載の液晶装置は、第１基板と、第２基板と、これら基板に挟持された液晶層と、シール部とを有する。シール部は、表示領域を囲むシール領域に設けられる。第１基板は、積層構造と、積層構造上に設けられた無機配向膜および補助無機絶縁膜とを有する。無機配向膜は、表示領域に設けられ、液晶分子の配向を制御する。補助無機絶縁膜は、シール領域に設けられる突起である。無機配向膜と補助無機絶縁膜とは、積層構造上に設けられた蒸着膜の一部をエッチングすることにより形成される。当該文献の液晶装置では、シール領域に補助無機絶縁膜を設けることで、補助無機絶縁膜と積層構造との段差により外部からの水分等の異物の浸入を低減している。

特開２００７－２４８７４３号公報

しかし、従来の構成では、エッチング深さにバラつきが生じ易い。エッチング深さにバラつきが生じると、第１基板と第２基板との間の距離であるセルギャップに影響が生じてしまう。このため、従来の構成では、表示品位が低下するおそれを充分に抑制することが難しい。

本発明の電気光学装置の一態様は、画像を表示する表示領域と、平面視で前記表示領域の外側に設けられる周辺領域とを有する電気光学装置であって、第１基板と、前記周辺領域に設けられるシール部材を介して、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、電界に応じて光学的特性が変化する電気光学層と、を備え、前記第１基板および前記第２基板のうちの一方の基板は、積層体と、前記積層体と前記シール部材との間に設けられる第１無機絶縁層と、前記第１無機絶縁層と前記シール部材との間に設けられる第２無機絶縁層とを有し、前記第２無機絶縁層は、前記周辺領域に設けられ、前記第１無機絶縁層から前記シール部材に向かって突出する複数の凸部を有し、前記第１無機絶縁層のエッチングレートは、前記第２無機絶縁層のエッチングレートよりも低い。

第１実施形態に係る電気光学装置の平面図である。 図１に示す電気光学装置のＡ－Ａ線の断面図である。 図１の第１基板の電気的な構成を示す等価回路図である。 図２の電気光学装置の一部を拡大した図である。 図４の複数の凸部の平面的な配置を示す図である。 比較例における外部から表示領域への水分の浸入経路を示す図である。 本実施形態における外部から表示領域への水分の浸入経路を示す図である。 第１実施形態における第２基板の製造方法の流れを示す図である。 第１無機絶縁層形成工程を説明するための図である。 第２無機絶縁層形成工程を説明するための図である。 第２無機絶縁層形成工程を説明するための図である。 マイクロトレンチを説明するための図である。 第２実施形態の電気光学装置の一部を示す断面図である。 第３実施形態の電気光学装置の一部を示す断面図である。 第４実施形態の電気光学装置の一部を断面図である。 電子機器の一例であるパーソナルコンピューターを示す斜視図である。 電子機器の一例であるスマートフォンを示す平面図である。 電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。

以下、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態を説明する。なお、図面において各部の寸法または縮尺は実際と適宜に異なり、理解を容易にするために模式的に示す部分もある。また、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られない。

１．電気光学装置
Ａ．第１実施形態
Ａ－１．基本構成
図１は、実施形態に係る電気光学装置１００の平面図である。図２は、図１に示す電気光学装置１００のＡ－Ａ線の断面図である。以下では、説明の便宜上、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を適宜用いて説明する。また、Ｘ軸に沿う一方向をＸ１方向と表記し、Ｘ１方向とは反対の方向をＸ２方向と表記する。同様に、Ｙ軸に沿う一方向をＹ１方向と表記し、Ｙ１方向とは反対の方向をＹ２方向と表記する。Ｚ軸に沿う一方向をＺ１方向と表記し、Ｚ１方向とは反対の方向をＺ２方向と表記する。

また、要素αと要素βとの「電気的な接続」は、要素αと要素βとが直接的に接合されることで導通する構成のほか、要素αと要素βとが他の導電体を介して間接的に導通する構成も含む。また、要素αと要素βとが「噛み合う」とは、要素αと要素βと直接的に接触している構成のほか、要素αと要素βとが他の要素を介して間接的に接触している構成も含む。

図１および図２に示す電気光学装置１００は、アクティブマトリクス駆動方式の透過型の電気光学装置である。図２に示すように、電気光学装置１００は、第１基板２と、第２基板３と、枠状のシール部材４と、液晶層５とを有する。本実施形態では、第２基板３が「一方の基板」に相当し、第１基板２が「他方の基板」に相当する。また、図２に示すように、第１基板２、液晶層５および第２基板３は、この順にＺ１方向に並ぶ。なお、第１基板２、液晶層５および第２基板３の重なる方向であるＺ１方向またはＺ２方向から見ることを「平面視」とする。また、図１に示す電気光学装置１００の平面形状は四角形であるが、四角形以外の多角形または円形であってもよい。

図２に示す電気光学装置１００は透過型であって、第１基板２および第２基板３は、透光性を有する。入射光ＬＬが第２基板３に入射した後、第１基板２から出射される間に変調することにより、画像が表示される。なお、第１基板２に入射した光が第２基板３から出射される間に変調することにより、画像が表示されてもよい。また、「透光性」とは、可視光に対する透過性を意味し、好ましくは可視光の透過率が５０％以上であることをいう。

第１基板２は、第１基部２１と、積層体２０と、第３無機絶縁層２５と、第４無機絶縁層２６と、複数の画素電極２２と、複数のダミー画素電極２２ｄと、周辺電極２３１と、配向膜２９とを有する。第１基部２１、積層体２０、第３無機絶縁層２５、第４無機絶縁層２６、複数の画素電極２２、および配向膜２９は、この順にＺ１方向に積層される。複数の画素電極２２、複数のダミー画素電極２２ｄ、および周辺電極２３１は、同層に配置される。なお、ダミー画素電極２２ｄおよび周辺電極２３１は省略してもよい。

第１基部２１は、透光性および絶縁性を有する平板であり、例えばガラス基板または石英基板で構成される。積層体２０は、詳細な図示はしないが、透光性および絶縁性を有する複数の絶縁膜を含む。各絶縁膜は、無機ケイ素材料を含む。無機ケイ素材料は、例えば酸化ケイ素および酸窒化ケイ素等のケイ素を含む無機化合物である。また、詳細な図示はしないが、積層体２０には、トランジスターおよび各種配線等が設けられる。第３無機絶縁層２５および第４無機絶縁層２６は後で詳述する。

複数の画素電極２２、複数のダミー画素電極２２ｄ、および周辺電極２３１は、積層体２０上に配置される。複数の画素電極２２は、液晶層５に電界を与える。複数のダミー画素電極２２ｄは、表示には寄与しないものの、複数の画素電極２２と同様に駆動制御される。例えば、複数のダミー画素電極２２ｄは、複数の画素電極２２に書き込まれる画像信号のノイズ対策等のために用いられる。複数のダミー画素電極２２ｄは、複数の画素電極２２を平面視で囲む。周辺電極２３１は、液晶層５中のイオン性不純物をトラップするイオントラップ用の電極である。複数の画素電極２２、複数のダミー画素電極２２ｄ、および周辺電極２３１のそれぞれは、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）およびＦＴＯ（Fluorine-doped tin oxide）等の透明導電材料を含む。複数の画素電極２２、複数のダミー画素電極２２ｄ、および周辺電極２３１は、例えば、当該透明導電材料を含む導電膜をエッチングにすることにより一括で形成される。

配向膜２９は、透光性および絶縁性を有する。配向膜２９は、液晶層５に接触しており、液晶層５が有する液晶分子を配向させる。配向膜２９は、複数の画素電極２２、複数のダミー画素電極２２ｄ、および周辺電極２３１を覆うように配置される。配向膜２９の材料は、例えば酸化ケイ素等であり、配向膜２９は例えば斜方蒸着により形成される。

また、図１に示すように、第１基板２には、駆動回路１０と複数の外部端子１３とが配置される。駆動回路１０は、走査線駆動回路１１と信号線駆動回路１２とを含む。複数の外部端子１３の一部は、走査線駆動回路１１または信号線駆動回路１２から引き回される図示省略された配線に接続される。また、複数の外部端子１３は、定電位Ｖｃｏｍが印加させる端子を含む。

図２に示すように、第２基板３は、第１基板２に対向する。第２基板３は、第２基部３１と、積層体３０と、第１無機絶縁層３５と、第２無機絶縁層３６と、対向電極３２と、配向膜３９と、見切り３３とを有する。第２基部３１、積層体３０、第１無機絶縁層３５、対向電極３２、および配向膜３９は、この順にＺ２方向に積層される。

図２に示す第２基部３１は、透光性および絶縁性を有する平板であり、例えばガラス基板または石英基板で構成される。積層体３０は、透光性および絶縁性を有しており、無機ケイ素材料を含む。また、積層体３０には、見切り３３が設けられる。見切り３３は、詳細な図示はしないが、平面視で複数の画素電極２２を囲む遮光性の見切りとして機能する。なお、「遮光性」とは、可視光に対する遮光性を意味し、好ましくは可視光の透過率が５０％未満であることをいい、より好ましくは１０％以下であることをいう。なお、図示はしないが、積層体３０は、例えば、複数のマイクロレンズを有してもよい。第１無機絶縁層３５および第２無機絶縁層３６は、後で詳述する。

対向電極３２は、液晶層５に電界を与える。対向電極３２は、透光性および導電性を有する。対向電極３２は、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯおよびＦＴＯ等の透明導電材料を含む。配向膜３９は、透光性および絶縁性を有する。配向膜３９は、液晶層５に接触しており、液晶層５が有する液晶分子を配向させる。配向膜３９は、対向電極３２上に配置される。配向膜３９の材料は、例えば酸化ケイ素等であり、配向膜３９は例えば斜方蒸着により形成される。

また、図１に示すように、第２基板３には、複数の基板間導通材６が設けられる。複数の基板間導通材６は、第１基板２との第２基板３とを電気的に接続するための導通材である。基板間導通材６は、第１基板２に配置される図示省略された引き回し配線を介して、複数の外部端子１３のうち定電位Ｖｃｏｍが印加させる端子に接続される。よって、対向電極３２には、定電位Ｖｃｏｍが印加させる。

シール部材４は、第１基板２と第２基板３との間に配置される。シール部材４は、例えばエポキシ樹脂等のＵＶ硬化性材料を含む。ＵＶは、ultravioletの略称であり、特に、波長１００ｎｍ以上４００ｎｍ以下の光をいう。また、シール部材４は、ガラス等の無機材料で構成されるギャップ材を含んでもよい。

液晶層５は、第１基板２、第２基板３およびシール部材４によって囲まれる領域内に配置される。液晶層５は、電界に応じて光学的特性が変化する電気光学層である。液晶層５は、正または負の誘電異方性を有する液晶分子を含む。液晶分子の配向は、液晶層５に印加される電圧に応じて変化する。

図１に示すように、電気光学装置１００は、表示領域Ａ１０と周辺領域Ａ２０とを有する。表示領域Ａ１０は、画像が表示される領域である。表示領域Ａ１０には、行列状に配列される複数の画素Ｐが設けられる。複数の画素Ｐに対して複数の画素電極２２が１対１で配置される。前述の対向電極３２は、複数の画素Ｐで共通に設けられる。

周辺領域Ａ２０は、平面視で表示領域Ａ１０の外側に設けられる。周辺領域Ａ２０は、平面視で表示領域Ａ１０を囲む枠状である。周辺領域Ａ２０は、ダミー画素領域Ａ２１と、周辺電極領域Ａ２２と、中間領域Ｓ２３と、シール領域Ａ２４とを含む。これら領域の各平面形状は、枠状である。ダミー画素領域Ａ２１には、複数のダミー画素電極２２ｄが配置される。周辺電極領域Ａ２２には、複数の周辺電極２３１が配置される。中間領域Ｓ２３は、周辺電極領域Ａ２２とシール領域Ａ２４との間の領域である。シール領域Ａ２４には、シール部材４が配置される。したがって、シール部材４は、複数の画素電極２２の外側に設けられる。また、ダミー画素領域Ａ２１、および周辺電極領域Ａ２２には、見切り３３が配置される。また、周辺領域Ａ２０には、走査線駆動回路１１、信号線駆動回路１２および複数の外部端子１３が配置される。

また、電気光学装置１００は、例えば、後述するパーソナルコンピューターおよびスマートフォン等のカラー表示を行う表示装置に適用される。当該表示装置に適用される場合、電気光学装置１００に対してカラーフィルターが適宜用いられる。また、電気光学装置１００は、例えば、後述する投射型のプロジェクターに適用される。この場合、電気光学装置１００は、ライトバルブとして機能する。なお、この場合、電気光学装置１００に対してカラーフィルターが省略される。

Ａ－２．第１基板２の電気的な構成
図３は、図１の第１基板２の電気的な構成を示す等価回路図である。図３に示すように、第１基板２は、複数のトランジスター２４０とｎ本の走査線２４１とｍ本の信号線２４２とｎ本の定電位線２４３とを有する。これらは、図２の積層体２０に配置される。ｎおよびｍはそれぞれ２以上の整数である。また、ｎ本の走査線２４１とｍ本の信号線２４２との各交差に対応してトランジスター２４０が配置される。各トランジスター２４０は、例えばスイッチング素子として機能するＴＦＴ（Thin Film Transistor）である。各トランジスター２４０は、ゲート、ソースおよびドレインを含む。

ｎ本の走査線２４１のそれぞれはＸ１方向に延在し、ｎ本の走査線２４１はＹ１方向に等間隔で並ぶ。ｎ本の走査線２４１のそれぞれは、対応する複数のトランジスター２４０のゲートに電気的に接続される。ｎ本の走査線２４１は、図１に示す走査線駆動回路１１に電気的に接続される。１～ｎ本の走査線２４１には、走査線駆動回路１１から走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎが線順次で供給される。

図３に示すｍ本の信号線２４２のそれぞれはＹ１方向に延在し、ｍ本の信号線２４２はＸ１方向に等間隔で並ぶ。ｍ本の信号線２４２のそれぞれは、対応する複数のトランジスター２４０のソースに電気的に接続される。ｍ本の信号線２４２は、図１に示す信号線駆動回路１２に電気的に接続される。１～ｍ本の信号線２４２には、信号線駆動回路１２から画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、およびＳｍが並行に供給される。

図３に示すｎ本の走査線２４１とｍ本の信号線２４２とは、互いに電気的に絶縁されており、平面視で格子状に配置される。隣り合う２つの走査線２４１と隣り合う２つの信号線２４２とで囲まれる領域が画素Ｐに対応する。画素Ｐごとにトランジスター２４０、画素電極２２および蓄積容量２４が設けられる。画素電極２２は、トランジスター２４０に対して１対１で設けられる。各画素電極２２は、対応するトランジスター２４０のドレインに電気的に接続される。

ｎ本の定電位線２４３のそれぞれはＸ１方向に延在し、ｎ本の定電位線２４３はＹ１方向に等間隔で並ぶ。また、ｎ本の定電位線２４３は、ｎ本の走査線２４１およびｍ本の信号線２４２に対して電気的に絶縁されており、これらに対して間隔をもって配置される。各定電位線２４３には、定電位Ｖｃｏｍが印加される。ｎ本の定電位線２４３のそれぞれは、対応する蓄積容量２４が有する２つの電極のうちの一方に電気的に接続される。各蓄積容量２４は、画素電極２２の電位を保持するための保持容量である。蓄積容量２４は、トランジスター２４０に対して１対１で設けられる。また、各蓄積容量２４が有する２つの電極のうちの他方は、対応する画素電極２２に電気的に接続される。したがって、蓄積容量２４の一方の電極には定電位Ｖｃｏｍが印加され、他方の電極はトランジスター２４０のドレインに電気的に接続される。

走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、およびＧｎが順次アクティブとなり、ｎ本の走査線２４１が順次選択されると、選択される走査線２４１に接続されるトランジスター２４０がオン状態となる。すると、ｍ本の信号線２４２を介して表示すべき階調に応じた大きさの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、およびＳｍの応じた電位が、選択される走査線２４１に対応する画素Ｐの画素電極２２に印加される。これにより、画素電極２２と対向電極３２との間に形成される液晶容量に、表示すべき階調に応じた電圧が印加され、印加される電圧に応じて液晶分子の配向が変化する。また、蓄積容量２４によって、印加される電圧が保持される。このような液晶分子の配向の変化によって光が変調され階調表示が可能となる。

１Ｃ．周辺領域Ａ２０
図４は、図２の電気光学装置１００の一部を拡大した図である。図４には、電気光学装置１００の周辺領域Ａ２０の一部が示されている。図５は、図４の複数の凸部３６１の平面的な配置を示す図である。図５は、第２基板３を見たＺ１方向に図であって、図５では、配向膜３９および対向電極３２の図示が省略される。

図４に示すように、第１基板２は、複数の凹部２０１を有する。各凹部２０１は、第１基板２の液晶層５を向く面に形成される凹みである。複数の凹部２０１は、周辺領域Ａ２０の中間領域Ｓ２３およびシール領域Ａ２４に設けられる。複数の凹部２０１の一部は、平面視でシール部材４に重なり、残りは、平面視で液晶層５に重なる。また、平面図は省略するが、各凹部２０１は、シール部材４の内縁に沿って形成される溝である。本実施形態では、各凹部２０１は、平面視で枠状である。複数の凹部２０１は、互いに離間し、表示領域Ａ１０から外側に向かって並ぶ。なお、本実施形態では、複数の凹部２０１は、等間隔で並ぶが、等間隔で並んでいなくてもよい。

第１基板２は、前述のように、積層体２０、第３無機絶縁層２５、および第４無機絶縁層２６を有する。積層体２０の液晶層５を向く面は、平坦面である。当該平坦面上に第３無機絶縁層２５が配置される。第３無機絶縁層２５は、積層体２０上に設けられており、第３無機絶縁層２５のシール部材４を向く面は、平坦面である。第３無機絶縁層２５は、絶縁性および透光性を有する。第３無機絶縁層２５は、周辺領域Ａ２０に設けられる。

第４無機絶縁層２６は、第３無機絶縁層２５上に配置される。第４無機絶縁層２６は、複数の貫通孔２６１を有する。各貫通孔２６１は、第４無機絶縁層２６の厚さ方向に貫通する孔である。複数の貫通孔２６１は、周辺領域Ａ２０に設けられる。複数の貫通孔２６１は、互いに離間し、表示領域Ａ１０から外側に向かって並ぶ。複数の貫通孔２６１は、複数の凹部２０１に１対１で対応する。各凹部２０１は、対応する１つの貫通孔２６１の内壁面と第３無機絶縁層２５の液晶層５を向く面の一部とで構成される。また、第４無機絶縁層２６は、絶縁性および透光性を有する。また、第４無機絶縁層２６の表示領域Ａ１０に設けられる部分には、複数の画素電極２２、複数のダミー画素電極２２ｄ、および周辺電極２３１が配置される。

第３無機絶縁層２５のエッチングレートは、第４無機絶縁層２６のエッチングレートよりも低い。第３無機絶縁層２５および第４無機絶縁層２６のそれぞれは、例えば、酸化ケイ素または酸窒化ケイ素等の無機ケイ素材料を含む。この場合、第３無機絶縁層２５のフッ素を含むエッチングガスに対するエッチングレートは、第４無機絶縁層２６のフッ素を含むエッチングガスに対するエッチングレートよりも低い。特に、第３無機絶縁層２５は、例えば、酸化ケイ素、および酸窒化ケイ素等の窒素を含む無機ケイ素材料を含むことが好ましい。第４無機絶縁層２６は、例えば、酸化ケイ素、および酸窒化ケイ素等の酸素を含む無機ケイ素材料を含むことが好ましい。かかる材料であることで、上記エッチングレートの関係を満足し易い。なお、第３無機絶縁層２５は、例えば、窒化チタン、およびタングステンナイトライド等の窒化物を含んでもよい。第４無機絶縁層２６の酸素を含む無機ケイ素材料には、ＢＳＧ膜およびＮＳＧ膜等が含まれる。

第２基板３は、前述のように、積層体３０、第１無機絶縁層３５、および第２無機絶縁層３６を有する。積層体３０の液晶層５を向く面は、平坦面である。当該平坦面上に第１無機絶縁層３５が配置される。第１無機絶縁層３５は、積層体３０上に設けられ、第１無機絶縁層３５のシール部材４を向く面は、平坦面である。第１無機絶縁層３５は、絶縁性および透光性を有する。第１無機絶縁層３５は、周辺領域Ａ２０および表示領域Ａ１０に設けられる。また、第２無機絶縁層３６は、第１無機絶縁層３５上に配置される。第２無機絶縁層３６は、絶縁性および透光性を有する。

第１無機絶縁層３５のエッチングレートは、第２無機絶縁層３６のエッチングレートよりも低い。第１無機絶縁層３５および第２無機絶縁層３６のそれぞれは、例えば、酸化ケイ素または酸窒化ケイ素等の無機ケイ素材料を含む。この場合、第１無機絶縁層３５のフッ素を含むエッチングガスに対するエッチングレートは、第２無機絶縁層３６のフッ素を含むエッチングガスに対するエッチングレートよりも低い。特に、第１無機絶縁層３５は、例えば、酸化ケイ素、および酸窒化ケイ素等の窒素を含む無機ケイ素材料を含むことが好ましい。第２無機絶縁層３６は、例えば、酸化ケイ素、および酸窒化ケイ素等の酸素を含む無機ケイ素材料を含むことが好ましい。かかる材料であることで、上記エッチングレートの関係を満足し易い。なお、第１無機絶縁層３５は、例えば、窒化チタン、およびタングステンナイトライド等の窒化物を含んでもよい。第２無機絶縁層３６の酸素を含む無機ケイ素材料には、ＢＳＧ膜およびＮＳＧ膜等が含まれる。

第２無機絶縁層３６は、複数の凸部３６１を有する。複数の凸部３６１は、周辺領域Ａ２０の中間領域Ｓ２３およびシール領域Ａ２４に設けられる。複数の凸部３６１の一部は、平面視でシール部材４に重なり、残りは、平面視で液晶層５に重なる。各凸部３６１は、第１無機絶縁層３５からシール部材４または液晶層５に向かって突出する突起である。第２無機絶縁層３６に複数の貫通孔が形成されることにより、複数の凸部３６１が形成される。

図５に示すように、複数の凸部３６１は、互いに離間し、表示領域Ａ１０から外側に向かって並ぶ。なお、本実施形態では、複数の凸部３６１は、等間隔で並ぶが、等間隔で並んでいなくてもよい。

図４に示すように、各凸部３６１の幅Ｗ２は、各凹部２０１の幅Ｗ１よりも小さい。複数の凹部２０１と複数の凸部３６１とは、１対１で設けられており、１つの凹部２０１内には、対応する１つの凸部３６１が設けられている。このため、複数の凹部２０１と複数の凸部３６１とは、シール部材４または液晶層５を介して互いに噛み合う。別の言い方をすれば、複数の凹部２０１内に複数の凸部３６１に設けられ、複数の凹部２０１と複数の凸部３６１とは互いに対向している。

対向電極３２は、第２無機絶縁層３６上に配置される。対向電極３２の一部は、第２無機絶縁層３６とシール部材４との間に設けられる「透明導電膜」に相当する。当該対向電極３２の一部は、複数の凸部３６１を覆っている。対向電極３２が第２無機絶縁層３６とシール部材４との間に設けられていることで、複数の凸部３６１を対向電極３２で覆うことができる。このため、第２無機絶縁層３６から液晶層５中に不純物が溶出すること抑制することができる。

図６は、比較例における外部から表示領域Ａ１０への水分の浸入経路Ｒｘを示す図である。図７は、本実施形態における外部から表示領域Ａ１０への水分の浸入経路Ｒを示す図である。

図７に示す本実施形態の電気光学装置１００では、複数の凹部２０１と複数の凸部３６１とが噛み合わされている。これに対し、図６に示す比較例の電気光学装置１００ｘは、複数の凹部２０１および複数の凸部３６１を有していない。電気光学装置１００ｘが有する第１基板２ｘの液晶層５を向く面は、周辺領域Ａ２０において平坦である。電気光学装置１００ｘが有する第２基板３ｘの液晶層５を向く面は、周辺領域Ａ２０において平坦である。

図６に示すように、外部の水分は、第１基板２ｘと第２基板３ｘとの間のシール部材４を介して液晶層５に浸入する。比較例では、外部から表示領域Ａ１０への水分の浸入経路Ｒｘは、一直線状である。一方、図７に示すように、本実施形態では、複数の凹部２０１および複数の凸部３６１が設けられていることで、外部から表示領域Ａ１０への水分の浸入経路Ｒは、一直線状ではない。浸入経路Ｒは、浸入経路Ｒｘに比べて長くなっている。

図６および図７から分かるように、複数の凹部２０１と複数の凸部３６１とがシール部材４等を介して噛み合わされることで、２つの平坦面同士がシール部材４を介して接続される場合に比べ、シール部材４の内部における水分の浸入経路Ｒを長くすることができる。このため、シール部材４の内部を介して外部の水分が表示領域Ａ１０に浸入するおそれを抑制することができる。よって、外部の水分が液晶層５の表示領域Ａ１０に浸入するおそれを抑制することができる。この結果、角シミの発生、液晶分子の配向不良、または比抵抗低下による表示ムラが発生するおそれが抑制される。よって、表示品位の低下を抑制することができる。

また、第２無機絶縁層３６は、複数の凸部３６１を有する。第２無機絶縁層３６が複数の凸部３６１を有することで、複数の凸部３６１を有さない場合に比べ、第２基板３とシール部材４との界面における外部から表示領域Ａ１０への水分の浸入経路を長くすることができる。このため、当該界面を介した外部からの水分の浸入を抑制することができる。

さらに、第１基板２は、複数の凹部２０１を有する。第１基板２が複数の凹部２０１を有することで、複数の凹部２０１を有さない場合に比べ、第１基板２とシール部材４との界面における外部から表示領域Ａ１０への水分の浸入経路を長くすることができる。このため、当該界面を介した外部からの水分の浸入を抑制することができる。

また、前述のように、第１無機絶縁層３５のエッチングレートは、第２無機絶縁層３６のエッチングレートよりも低い。このため、エッチングにより複数の凸部３６１を形成する際、第１無機絶縁層３５がエッチングストッパーとして機能する。複数の凸部３６１の形成の際、第１無機絶縁層３５はエッチングにより除去され難い。このため、第２基板３においてエッチング深さにバラつきが生じ難い。過剰エッチングを防止しバラツキを少なくすることができる。よって、第１基板２と第２基板３との間の距離であるセルギャップに影響が生じ難い。それゆえ、表示品位の低下を抑制することができる。

同様に、第３無機絶縁層２５のエッチングレートは、第４無機絶縁層２６のエッチングレートよりも低い。このため、エッチングにより複数の貫通孔２６１を形成する際、第３無機絶縁層２５がエッチングストッパーとして機能する。複数の貫通孔２６１の形成の際、第３無機絶縁層２５はエッチングにより除去され難い。このため、第１基板２においてエッチング深さにバラつきが生じ難い。過剰エッチングを防止しバラツキを少なくすることができる。よって、第１基板２と第２基板３との間の距離であるセルギャップに影響が生じ難い。それゆえ、表示品位の低下を抑制することができる。

また、第２無機絶縁層３６が無機ケイ素材料で形成されることで、図４に示す各凸部３６１の高さＴを大きくすることが容易である。また、第４無機絶縁層２６が無機ケイ素材料で形成されることで、各凹部２０１の深さＤを大きくすることが容易である。各深さＤおよび高さＴを大きくすることで、水分の浸入経路Ｒを長くすることができる。

深さＤおよび高さＴのそれぞれは、特に限定されないが、例えば、２μｍ以上８μｍ以下であることが好ましい。シール部材４の厚み以上であり、かつ、複数の画素電極２２または対向電極３２とこれらよりも下層の各種配線との導通を図るためのコンタクトホールの加工制約により、上記範囲内であることが好ましい。また、深さＤおよび高さＴは、同じであってもよいし、互いに異なっていてもよい。

また、複数の凹部２０１と複数の凸部３６１とが噛み合わされているため、各凹部２０１の幅Ｗ１は、各凸部３６１の幅Ｗ２よりも大きい。幅Ｗ１と幅Ｗ２とを?み合わせた時の片側の隙間はシール部材４を構成する材料、例えばシール部材４に含まれるギャップ材の最大径よりも大きくするのが望ましい。つまり、幅Ｗ１は幅Ｗ２と使用するギャップ材の径×２を足した値以上の大きさであることが望ましい。かかる範囲内であることで、範囲外である場合に比べ、電気光学装置１００の平面積を過度に厚くせず、かつ多くの凹部２０１とより多くの凸部３６１とを設けることができるので水分の浸入経路Ｒを長くすることができる。

また、第１無機絶縁層３５および第３無機絶縁層２５の各厚さは特に限定されないが、例えば、０．１μｍ以上１．０μｍ以下であることが好ましい。かかる範囲内であることで、範囲外である場合に比べ、第１無機絶縁層３５および第３無機絶縁層２５をエッチングストッパーとして好適に用いることができるとともに、第１基板２および第２基板３の各厚さが過度に厚くなることが抑制される。

また、前述のように、複数の凸部３６１は、互いに離間し、平面視でシール部材４に沿って設けられる枠状である。このため、電気光学装置１００の全周において外部の水分が液晶層５に浸入し難い。よって、液晶分子の配向不良等の各種問題が生じ難い。同様に、複数の凹部２０１は、互いに離間し、平面視でシール部材４に沿って設けられる枠状である。このため、電気光学装置１００の全周において外部の水分が液晶層５に浸入し難い。

なお、各凹部２０１および各凸部３６１は枠状でなくてもよい。複数の凹部２０１は例えば点在していてもよい。同様に、複数の凸部３６１は例えば点在していてもよい。

本実施形態では、複数の凸部３６１として５個の凸部３６１が設けられるが、凸部３６１の数は、５に限定されず、２、３、４または６以上でもよい。複数の凹部２０１として５個の凹部２０１が設けられるが、凹部２０１の数は、５に限定されず、２、３、５または６以上でもよい。外部の水分の液晶層５への浸入を抑制する観点から、凸部３６１の数、および凹部２０１の数は出来るだけ多い方がよい。水分の浸入の抑制と製造の容易性の観点から、凸部３６１の数、および凹部２０１の数は、それぞれ、例えば、１０個以上１００個以下であることが特に好ましい。

また、複数の凸部３６１のうちの幾つかの凸部３６１と、複数の凹部２０１のうちの幾つか凹部２０１とが、平面視でシール部材４と重なる。残りの凸部３６１と残りの凹部２０１とは、平面視で液晶層５に重なる。シール部材４と液晶層５の接触位置が複数の凸部３６１および複数の凹部２０１の内側端部よりも外側にあることで、シール部材４から表示領域Ａ１０までの距離を長くすることができる。よって、シール部材４から液晶層５中に溶出する不純物が表示領域Ａ１０に到達することを防ぎ、この結果、シミやムラを抑制することができる。なお、複数の凸部３６１の全て、および複数の凹部２０１の全てが平面視でシール部材４と重なっていてもよい。

また、図４に示す例では、複数の凸部３６１は、平面視で配向膜３９に重なっていないが、重なっていてもよい。複数の凹部２０１は、平面視で配向膜２９に重なっていないが、重なっていてもよい。

１Ｄ．電気光学装置１００の製造方法
図８は、第１実施形態における第２基板３の製造方法の流れを示す図である。以下では、電気光学装置１００のうち第２基板３の製造方法について説明する。

図８に示すように、第２基板３の製造方法は、積層体形成工程Ｓ１１、第１無機絶縁層形成工程Ｓ１２、第２無機絶縁層形成工程Ｓ１３、複数の凸部形成工程Ｓ１４、対向電極形成工程Ｓ１５、および配向膜形成工程Ｓ１６を含む。

積層体形成工程Ｓ１１では、複数の絶縁膜を形成することにより積層体２０が形成される。積層体２０には、例えば、見切り３３およびマイクロレンズが形成される。積層体２０は、公知の方法で形成される。

第１無機絶縁層形成工程Ｓ１２では、積層体２０上に第１無機絶縁層３５を形成する。第１無機絶縁層３５は、例えば、窒素を含む無機ケイ素材料を含む膜を積層体２０上に形成することにより得られる。第１無機絶縁層３５は、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法またはＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法で形成される。

また、第１無機絶縁層３５は、前述のように、周辺領域Ａ２０および表示領域Ａ１０に一様に設けられる。したがって、第１無機絶縁層３５の形成時にマスクを設ける必要がないため、第１無機絶縁層３５の形成が容易である。

図９は、第２無機絶縁層形成工程Ｓ１３を説明するための図である。図９に示すように、第２無機絶縁層形成工程Ｓ１３では、第１無機絶縁層３５上に第２無機絶縁層３６を形成する。第２無機絶縁層３６は、例えば、酸素を含む無機ケイ素材料を含む膜を第１無機絶縁層３５上に形成することにより得られる。第２無機絶縁層３６は、例えば、ＣＶＤ法またはＡＬＤ法で形成される。

また、第１無機絶縁層３５のエッチングレートが第２無機絶縁層３６のエッチングレートよりも小さくなるよう、第１無機絶縁層３５および第２無機絶縁層３６は形成される。例えば、第１無機絶縁層３５および第２無機絶縁層３６が同一材料である場合、第１無機絶縁層３５をＡＬＤ法で形成し、第２無機絶縁層３６をＣＶＤ法で形成することで、第１無機絶縁層３５のエッチングレートを第２無機絶縁層３６のエッチングレートよりも小さくすることができる。また、例えば、第１無機絶縁層３５が酸窒化ケイ素を含み、第２無機絶縁層３６が酸化ケイ素を含むことで、第１無機絶縁層３５のエッチングレートを第２無機絶縁層３６のエッチングレートよりも小さくすることができる。

図１０および図１１のそれぞれは、複数の凸部形成工程Ｓ１４を説明するための図である。図１０に示すように、複数の凸部形成工程Ｓ１４では、まず、第２無機絶縁層３６上にマスクＭ０を配置する。例えば、レジスト材料を第２無機絶縁層３６上に塗布し、露光および現像することで、マスクＭ０が形成される。なお、マスクＭ０は、複数の開口Ｈ０を有する。複数の開口Ｈ０は、複数の凸部３６１に対応する。

第２無機絶縁層３６上にマスクＭ０を形成した後、エッチングを行う。具体的には、ドライエッチングが行われる。エッチングガスの流量およびエッチング時間等の条件は、適宜に調整される。エッチングにより、図１１に示すように、第２無機絶縁層３６に複数の凸部３６１が形成される。第１無機絶縁層３５および第２無機絶縁層３６のそれぞれが無機ケイ素材料を含む場合、エッチングガスとしては、フッ素を含むエッチングガスが用いられる。

前述のように、第１無機絶縁層３５のエッチングレートは、第２無機絶縁層３６のエッチングレートよりも低い。このため、エッチングの際、第１無機絶縁層３５がエッチングストッパーとして機能する。それゆえ、エッチング深さにバラつきが生じ難い。

複数の凸部３６１を形成した後に、マスクＭ０を除去する。例えば、プラズマまたはオゾンによるアッシング処理を施すことにより、マスクＭ０が除去される。これにより、図１１に示すように、複数の凸部３６１が得られる。

前述のように、本実施形態では、第１無機絶縁層３５は、周辺領域Ａ２０および表示領域Ａ１０に一様に設けられている。このため、第２無機絶縁層３６のエッチング後に第１無機絶縁層３５を除去する必要がない。よって、生産性の向上を図ることができる。なお、第１無機絶縁層３５の表示領域Ａ１０に設けられる部分は除去されてもよい。

対向電極形成工程Ｓ１５では、複数の凸部３６１を含む第２無機絶縁層３６上に対向電極３２が形成される。対向電極３２は、公知の方法で形成される。配向膜形成工程Ｓ１６では、対向電極３２上に配向膜３９が形成される。配向膜３９は、公知の方法で形成される。なお、本実施形態では、図４に示すように、配向膜３９は、表示領域Ａ１０に形成されるが、周辺領域Ａ２０にも形成されてもよい。

以上により、第２基板３が形成される。なお、第１基板２の第３無機絶縁層２５は、前述の第１無機絶縁層３５と同様の方法で形成される。また、第１基板２の第４無機絶縁層２６は、前述の第２無機絶縁層３６と同様の方法で形成される。また、前述のように、第３無機絶縁層２５のエッチングレートは、第４無機絶縁層３８のエッチングレートよりも低い。このため、エッチングの際、第３無機絶縁層２５がエッチングストッパーとして機能する。それゆえ、エッチング深さにバラつきが生じ難い。また、第２基板３では、第３無機絶縁層２５は、表示領域Ａ１０に設けられておらず、周辺領域Ａ２０に設けられる。表示領域Ａ１０において各画素電極２２とこれよりも下層に配置される配線とを導通させるためのコンタクトホールの形成時に第３無機絶縁層２５があるとエッチングの阻害要因となってしまう。なお、第２基板３では、当該コンタクトホールを形成しないため、表示領域Ａ１０に第１無機絶縁層３５が設けられていてよい。また、第３無機絶縁層２５が周辺領域Ａ２０に一様に設けられることで、後述の第２実施形態のように第３無機絶縁層２５をパターニングする必要がない。このため、製造上容易である。

図１２は、マイクロトレンチＴ３５を説明するための図である。図１２に示すように、第１無機絶縁層３５が設けられていない場合、複数の凸部３６１の形成時に積層体３０にマイクロトレンチＴ３５が形成されるおそれがある。これに対し、本実施形態の第２基板３は、第１無機絶縁層３５を有する。このため、積層体３０にマイクロトレンチＴ３５が形成されるおそれが抑制される。よって、マイクロトレンチＴ３５が形成されることを想定して積層体３０の厚さを厚くする必要がない。それゆえ、第２基板３の厚さを薄くし易い。この結果、生産性の向上およびコスト負荷の低減を図ることができる。

同様に、第３無機絶縁層２５が設けられることで、積層体２０にマイクロトレンチが形成されるおそれが抑制される。第３無機絶縁層２５にマイクロトレンチが形成されることが抑制される。よって、マイクロトレンチが形成されることを想定して積層体２０の厚さを厚くする必要がない。それゆえ、第１基板２の厚さを薄くし易い。この結果、生産性の向上およびコスト負荷の低減を図ることができる。

以上説明したように、電気光学装置１００によれば、外部の水分が液晶層５に浸入するおそれを抑制することができる。さらに、第１基板２と第２基板３との間の距離であるセルギャップに影響が生じ難い。それゆえ、表示品位の低下を抑制することができる。

Ｂ．第２実施形態
第２実施形態を説明する。なお、以下の各例示において機能が第１実施形態と同様である要素については、第１実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。

図１３は、第２実施形態の電気光学装置１００Ａの一部を示す断面図である。本実施形態の電気光学装置１００Ａは、第２基板３の代わりに第２基板３Ａを有することが第１実施形態の電気光学装置１００と異なる。第２基板３Ａは、第１実施形態の対向電極３２および第１無機絶縁層３５の代わりに対向電極３２Ａおよび第１無機絶縁層３５Ａを有する。

図１３に示す第２基板３Ａは、「一方の基板」に相当する。対向電極３２Ａは、積層体２０と第１無機絶縁層３５との間に配置される「透明導電膜」に相当する。対向電極３２Ａの液晶層５を向く面は、平坦面である。当該平坦面上に、第１無機絶縁層３５が配置される。

対向電極３２Ａが積層体２０と第２無機絶縁層３６との間に配置されているので、対向電極３２Ａは、積層体２０が形成された後、かつ第１無機絶縁層３５を形成する前に形成される。したがって、対向電極３２Ａは、積層体２０が有する平坦な表面上に形成される。このため、対向電極３２Ａの厚さを一様に形成し易い。

また、第１無機絶縁層３５Ａは、複数の絶縁部３５１を有する。複数の絶縁部３５１は、複数の凸部３６１に対応する。本実施形態では、第２無機絶縁層３６のエッチング後に、第１無機絶縁層３５Ａをエッチングすることにより、複数の絶縁部３５１が形成される。このため、複数の凸部３６１と平面視で重なる部分以外には、第１無機絶縁層３５Ａが設けられていない。よって、表示領域Ａ１０には第１無機絶縁層３５Ａが設けられていない。第１無機絶縁層３５Ａが設けられていないことで、第１無機絶縁層３５Ａが設けられている場合に比べ、表示領域Ａ１０における透光性を高めることができる。

以上の電気光学装置１００Ａによっても、電気光学装置１００と同様に、外部の水分が液晶層５に浸入するおそれを抑制することができる。さらに、第１基板２と第２基板３Ａとの間の距離であるセルギャップに影響が生じ難い。それゆえ、表示品位の低下を抑制することができる。

Ｃ．第３実施形態
第３実施形態を説明する。なお、以下の各例示において機能が第１実施形態と同様である要素については、第１実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。

図１４は、第３実施形態の電気光学装置１００Ｂの一部を示す断面図である。本実施形態の電気光学装置１００Ｂは、第１基板２および第２基板３の代わりに第１基板２Ｂおよび第２基板３Ｂを有することが第１実施形態の電気光学装置１００と異なる。第１基板２Ｂは、第1実施形態の第３無機絶縁層２５および第４無機絶縁層２６の代わりに、第１無機絶縁層２７および第２無機絶縁層２８を有する。さらに、第１基板２Ｂは、導電膜２３０を有する。第２基板３Ｂは、第１無機絶縁層３５および第２無機絶縁層３６の代わりに、第３無機絶縁層３７、および第４無機絶縁層３８を有する。また、第２基板３Ｂは、複数の凹部３０１を有する。

図１４に示すように、第１無機絶縁層２７は、積層体３０の液晶層５を向く面上に配置される。第１無機絶縁層２７は、積層体３０上に設けられており、第１無機絶縁層２７のシール部材４を向く面は、平坦面である。第１無機絶縁層２７は、周辺領域Ａ２０に設けられる。第１無機絶縁層２７は、絶縁性および透光性を有する。また、第２無機絶縁層２８は、第１無機絶縁層２７上に配置される。第２無機絶縁層２８は、絶縁性および透光性を有する。

第１無機絶縁層２７のエッチングレートは、第２無機絶縁層２８のエッチングレートよりも低い。第１無機絶縁層２７および第２無機絶縁層２８のそれぞれは、例えば、酸化ケイ素または酸窒化ケイ素等の無機ケイ素材料を含む。この場合、第１無機絶縁層２７のフッ素を含むエッチングガスに対するエッチングレートは、第２無機絶縁層２８のフッ素を含むエッチングガスに対するエッチングレートよりも低い。

第２無機絶縁層２８は、複数の凸部２８１を有する。複数の凸部２８１は、周辺領域Ａ２０のシール領域Ａ２４および中間領域Ａ２３に設けられる。複数の凸部２８１の一部は、平面視でシール部材４に重なり、残りは、平面視で液晶層５に重なる。各凸部２８１は、第１無機絶縁層２７からシール部材４または液晶層５に向かって突出する突起である。第２無機絶縁層２８に複数の貫通孔が形成されることにより、複数の凸部２８１が形成される。また、複数の凸部２８１は、互いに離間し、表示領域Ａ１０から外側に向かって並ぶ。なお、本実施形態では、複数の凸部２８１は、等間隔で並ぶが、等間隔で並んでいなくてもよい。

第２無機絶縁層２８上は、導電膜２３０が設けられる。導電膜２３０は、第２無機絶縁層２８とシール部材４との間に設けられる「透明導電膜」に相当する。導電膜２３０は、複数の凸部２８１を覆っており、導電膜２３０の一部は、第１無機絶縁層２７に接触する。導電膜２３０が第２無機絶縁層３６とシール部材４との間に設けられることで、複数の凸部２８１を導電膜２３０で覆うことができる。このため、第２無機絶縁層２８から液晶層５中に不純物が溶出すること抑制することができる。

導電膜２３０は、ＩＴＯ、ＩＺＯおよびＦＴＯ等の透明導電材料を含む。導電膜２３０は、複数の画素電極２２、複数のダミー画素電極２２ｄおよび複数の周辺電極２３１と同層に設けられる。導電膜２３０、複数の画素電極２２、複数のダミー画素電極２２ｄおよび複数の周辺電極２３１は、例えば、当該透明導電材料を含む導電膜をエッチングすることにより一括で形成される。

第２基板３Ｂは、複数の凹部３０１を有する。各凹部３０１は、第２基板３Ｂの液晶層５を向く面に形成される凹みである。複数の凹部３０１は、周辺領域Ａ２０のシール領域Ａ２４および中間領域Ａ２３に設けられる。複数の凹部３０１は、平面視でシール部材４または液晶層５に重なる。また、各凹部３０１は、シール部材４の内縁に沿って形成される溝である。本実施形態では、各凹部３０１は、枠状である。複数の凹部３０１は、互いに離間し、表示領域Ａ１０から外側に向かって並ぶ。なお、本実施形態では、複数の凹部３０１は、等間隔で並ぶが、等間隔で並んでいなくてもよい。

第３無機絶縁層３７は、積層体３０の液晶層５を向く面上に配置される。第３無機絶縁層３７は、積層体３０上に一様に設けられており、第３無機絶縁層３７の液晶層５を向く面は、平坦面である。第３無機絶縁層３７は、絶縁性および透光性を有する。

第４無機絶縁層３８は、第３無機絶縁層３７上に配置される。第４無機絶縁層３８は、複数の貫通孔３８１を有する。各貫通孔３８１は、第４無機絶縁層３８の厚さ方向に貫通する孔である。複数の貫通孔３８１は、周辺領域Ａ２０に設けられる。また、複数の貫通孔３８１は、互いに離間し、表示領域Ａ１０から外側に向かって並ぶ。複数の貫通孔３８１は、複数の凹部３０１に１対１で対応する。各凹部３０１は、対応する１つの貫通孔３８１の内壁面と第３無機絶縁層３７の液晶層５を向く面の一部とで構成される。また、第４無機絶縁層３８は、絶縁性および透光性を有する。

第３無機絶縁層３７のエッチングレートは、第４無機絶縁層３８のエッチングレートよりも低い。第３無機絶縁層３７および第４無機絶縁層３８のそれぞれは、例えば、酸化ケイ素または酸窒化ケイ素等の無機ケイ素材料を含む。この場合、第３無機絶縁層３７のフッ素に対するエッチングレートは、第４無機絶縁層３８のフッ素に対するエッチングレートよりも低い。

第４無機絶縁層３８上には、対向電極３２が設けられる。本実施形態では、対向電極３２のうちの複数の貫通孔３８１の各内壁面と、対向電極３２のうちの第３無機絶縁層３７に接触する部分とで、複数の凹部３０１が構成される。

各凹部３０１の幅Ｗ１は、前述の各凸部２８１の幅Ｗ２よりも大きい。複数の凹部３０１と複数の凸部２８１とは、１対１で設けられており、１つの凹部３０１内には、対応する１つの凸部２８１が設けられている。よって、複数の凹部３０１と複数の凸部２８１とは、シール部材４または液晶層５等を介して互いに噛み合う。別の言い方をすれば、複数の凹部３０１内に複数の凸部２８１に設けられ、複数の凹部３０１と複数の凸部２８１とは互いに対向している。なお、本実施形態では、複数の凸部２８１と、シール部材４または液晶層５との間には、導電膜２３０が配置される。

複数の凹部３０１と複数の凸部２８１とがシール部材４等を介して噛み合わされることで、２つの平坦面同士がシール部材４を介して接続される場合に比べ、シール部材４の内部における水分の浸入経路を長くすることができる。このため、シール部材４の内部を介して外部の水分が表示領域Ａ１０に浸入するおそれを抑制することができる。よって、外部の水分が液晶層５の表示領域Ａ１０に浸入するおそれを抑制することができる。この結果、角シミの発生、液晶分子の配向不良、または比抵抗低下による表示ムラが発生するおそれが抑制される。よって、表示品位の低下を抑制することができる。

また、第２無機絶縁層２８は、複数の凸部２８１を有する。第２無機絶縁層２８が複数の凸部２８１を有することで、複数の凸部２８１を有さない場合に比べ、第１基板２Ｂとシール部材４との界面における外部から表示領域Ａ１０への水分の浸入経路を長くすることができる。このため、当該界面を介した外部からの水分の浸入を抑制することができる。

さらに、第２基板３Ｂは、複数の凹部３０１を有する。第２基板３Ｂが複数の凹部３０１を有することで、複数の凹部３０１を有さない場合に比べ、第２基板３Ｂとシール部材４との界面における外部から表示領域Ａ１０への水分の浸入経路を長くすることができる。このため、当該界面を介した外部からの水分の浸入を抑制することができる。

また、前述のように、第１無機絶縁層２７のエッチングレートは、第２無機絶縁層２８のエッチングレートよりも低い。このため、エッチングにより複数の凸部２８１を形成する際、第１無機絶縁層２７がエッチングストッパーとして機能する。複数の凸部２８１の形成の際、第１無機絶縁層２７はエッチングにより除去され難い。このため、エッチング深さにバラつきが生じ難い。よって、第１基板２Ｂと第２基板３Ｂとの間の距離であるセルギャップに影響が生じ難い。それゆえ、表示品位の低下を抑制することができる。

同様に、第３無機絶縁層３７のエッチングレートは、第４無機絶縁層３８のエッチングレートよりも低い。このため、エッチングにより複数の貫通孔３８１を形成する際、第３無機絶縁層３７がエッチングストッパーとして機能する。複数の貫通孔３８１の形成の際、第３無機絶縁層３７はエッチングにより除去され難い。このため、エッチング深さにバラつきが生じ難い。よって、第１基板２Ｂと第２基板３Ｂとの間の距離であるセルギャップに影響が生じ難い。それゆえ、表示品位の低下を抑制することができる。

また、第２無機絶縁層２８が無機ケイ素材料で形成されることで、各凸部２８１の高さＴを大きくすることが容易である。また、第４無機絶縁層３８が無機ケイ素材料で形成されることで、各凹部３０１の深さＤを大きくすることが容易である。各深さＤおよび高さＴを大きくすることで、水分の浸入経路Ｒを長くすることができる。

なお、深さＤおよび高さＴの各具体的な好ましい数値範囲は、第１実施形態と同様である。また、幅Ｗ１およびＷ２の各具体的な好ましい数値範囲は、第１実施形態と同様である。

また、第１無機絶縁層２７および第３無機絶縁層３７の各厚さは特に限定されないが、例えば、０．１μｍ以上１．０μｍ以下であることが好ましい。かかる範囲内であることで、範囲外である場合に比べ、第１無機絶縁層３５および第３無機絶縁層３７をエッチングストッパーとして好適に用いることができるとともに、第１基板２Ｂおよび第２基板３Ｂの各厚さが過度に厚くなることが抑制される。

また、前述のように、複数の凸部２８１は、互いに離間し、平面視でシール部材４に沿って設けられる枠状である。このため、電気光学装置１００Ｂの全周において外部の水分が液晶層５に浸入し難い。よって、液晶分子の配向不良等の各種問題が生じ難い。同様に、複数の凹部３０１は、互いに離間し、平面視でシール部材４に沿って設けられる枠状である。このため、電気光学装置１００Ｂの全周において外部の水分が液晶層５に浸入し難い。

なお、各凸部２８１および各凹部３０１は枠状でなくてもよい。複数の凸部２８１は例えば点在していてもよい。同様に、複数の凸部２８１は例えば点在していてもよい。

複数の凸部２８１として５個の凸部２８１が設けられるが、凸部２８１の数は、５に限定されず、２、３、４または６以上でもよい。複数の凹部３０１として５個の凹部３０１が設けられるが、凹部３０１の数は、５に限定されず、２、３、５または６以上でもよい。外部の水分の液晶層５への浸入を抑制する観点から、凸部２８１の数、および凹部３０１の数は出来るだけ多い方がよい。水分の浸入の抑制と製造の容易性の観点から、凸部２８１の数、および凹部３０１の数は、それぞれ、例えば、１０個以上１００個以下であることが特に好ましい。

また、複数の凸部２８１のうちの幾つかの凸部２８１と、複数の凹部３０１のうちの幾つか凹部３０１とが、平面視でシール部材４と重なる。残りの凸部２８１と残りの凹部３０１とは、平面視で液晶層５に重なる。シール部材４と液晶層５の接触位置が複数の凸部２８１および複数の凹部３０１の内側端部よりも外側にあることで、シール部材４から表示領域Ａ１０までの距離を長くすることができる。よって、シール部材４から液晶層５中に溶出する不純物が表示領域Ａ１０に到達することを防ぎ、この結果、シミやムラを抑制することができる。なお、複数の凸部２８１の全て、および複数の凹部３０１の全てが平面視でシール部材４と重なっていてもよい。

また、図１４に示す例では、複数の凸部２８１は、平面視で配向膜２９に重なっていないが、重なっていてもよい。複数の凹部３０１は、平面視で配向膜３９に重なっていないが、重なっていてもよい。

以上の電気光学装置１００Ｂによっても、電気光学装置１００と同様に、外部の水分が液晶層５に浸入するおそれを抑制することができる。さらに、第１基板２Ｂと第２基板３Ｂとの間の距離であるセルギャップに影響が生じ難い。それゆえ、表示品位の低下を抑制することができる。

Ｄ．第４実施形態
第４実施形態を説明する。なお、以下の各例示において機能が第３実施形態と同様である要素については、第３実施形態の説明で使用した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。

図１５は、第４実施形態の電気光学装置１００Ｃの一部を示す断面図である。本実施形態の電気光学装置１００Ｃは、第１基板２Ｂの代わりに第１基板２Ｃを有することが第３実施形態の電気光学装置１００Ｂと異なる。第１基板２Ｃは、第３実施形態の導電膜２３０および周辺電極２３１の代わりに導電膜２３０Ｃを有し、第３実施形態の第１無機絶縁層２７の代わりに第１無機絶縁層２７Ｃを有する。

図１５に示す第１基板２Ｃは、「一方の基板」に相当する。導電膜２３０Ｃは、積層体２０と第１無機絶縁層３５との間に配置される「透明導電膜」に相当する。導電膜２３０Ｃは、液晶層５中のイオン性不純物をトラップするイオントラップ用の電極としても機能する。導電膜２３０Ｃの液晶層５を向く面は、平坦面である。当該平坦面上に、第１無機絶縁層２７が配置される。

導電膜２３０Ｃが積層体２０と第１無機絶縁層２７との間に配置されているので、導電膜２３０Ｃは、積層体２０が形成された後、かつ第１無機絶縁層２７を形成する前に形成される。したがって、導電膜２３０Ｃは、積層体２０が有する平坦な表面上に形成される。このため、導電膜２３０Ｃの厚さを一様に形成し易い。なお、導電膜２３０Ｃは省略されてもよい。この場合、積層体２０と第１無機絶縁層３５とは接触する。

また、第１無機絶縁層２７は、複数の絶縁部２７１を有する。複数の絶縁部２７１は、複数の凸部２８１に対応する。本実施形態では、第２無機絶縁層２８のエッチング後に、第１無機絶縁層２７をエッチングすることにより、複数の絶縁部２７１が形成される。このため、複数の凸部２８１と平面視で重なる部分以外には、第１無機絶縁層２７が設けられていない。よって、表示領域Ａ１０には第１無機絶縁層２７が設けられていない。第１無機絶縁層２７が設けられていないことで、第１無機絶縁層２７が設けられている場合に比べ、表示領域Ａ１０における透光性を高めることができる。

以上の電気光学装置１００Ｃによっても、電気光学装置１００Ｂと同様に、外部の水分が液晶層５に浸入するおそれを抑制することができる。さらに、第１基板２Ｃと第２基板３Ｂとの間の距離であるセルギャップに影響が生じ難い。それゆえ、表示品位の低下を抑制することができる。

Ｅ．変形例
以上に例示した実施形態は多様に変形され得る。前述の実施形態に適用され得る具体的な変形の態様を以下に例示する。以下の例示から任意に選択された２以上の態様は、相互に矛盾しない範囲で適宜に併合され得る。

前述の各実施形態では、アクティブマトリクス方式の電気光学装置１００が例示されるが、これに限定されず、電気光学装置１００の駆動方式は、例えば、パッシブマトリクス方式等でもよい。

「電気光学装置」の駆動方式は、縦電界方式に限定されず、横電界方式でもよい。なお、横電界方式としては、例えばＩＰＳ（In Plane Switching）モードが挙げられる。また、縦電界方式としては、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ（Virtical Alignment）、ＰＶＡモードおよびＯＣＢ（Optically Compensated Bend）モードが挙げられる。

また、前述した説明では、「電気光学装置」のの一例として液晶表示装置について説明したが、「電気光学装置」のはこれに限定されない。例えば、「電気光学装置」のは、イメージセンサー等にも適用することができる。

２．電子機器
電気光学装置１００は、各種電子機器に用いることができる。

図１６は、電子機器の一例であるパーソナルコンピューター２０００を示す斜視図である。パーソナルコンピューター２０００は、各種の画像を表示する電気光学装置１００と、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設置される本体部２０１０と、制御部２００３と、を有する。制御部２００３は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。

図１７は、電子機器の一例であるスマートフォン３０００を示す平面図である。スマートフォン３０００は、操作ボタン３００１と、各種の画像を表示する電気光学装置１００と、制御部３００２と、を有する。操作ボタン３００１の操作に応じて電気光学装置１００に表示される画面内容が変更される。制御部３００２は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。

図１８は、電子機器の一例であるプロジェクターを示す模式図である。投射型表示装置４０００は、例えば、３板式のプロジェクターである。電気光学装置１ｒは、赤色の表示色に対応する電気光学装置１００であり、電気光学装置１ｇは、緑の表示色に対応する電気光学装置１００であり、電気光学装置１ｂは、青色の表示色に対応する電気光学装置１００である。すなわち、投射型表示装置４０００は、赤、緑および青の表示色に各々対応する３個の電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂを有する。制御部４００５は、例えばプロセッサーおよびメモリーを含み、電気光学装置１００の動作を制御する。

照明光学系４００１は、光源である照明装置４００２からの出射光のうち赤色成分ｒを電気光学装置１ｒに供給し、緑色成分ｇを電気光学装置１ｇに供給し、青色成分ｂを電気光学装置１ｂに供給する。各電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂは、照明光学系４００１から供給される各単色光を表示画像に応じて変調するライトバルブ等の光変調器として機能する。投射光学系４００３は、各電気光学装置１ｒ、１ｇ、１ｂからの出射光を合成して投射面４００４に投射する。

以上の電子機器は、前述の電気光学装置１００と、制御部２００３、３００２または４００５と、を備える。前述の電気光学装置１００は表示品位の低下が抑制されている。このため、よって、電気光学装置１００を備えることで、パーソナルコンピューター２０００、スマートフォン３０００または投射型表示装置４０００の表示品位の低下を抑制することができる。なお、電気光学装置１００の代わりに、電気光学装置１００Ａ、１００Ｂ、または１００Ｃを適用した場合にも同様の効果が得られる。

なお、本発明の電気光学装置が適用される電子機器としては、例示した機器に限定されず、例えば、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、車載用の表示器、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、およびＰＯＳ（Point of sale）端末等が挙げられる。さらに、本発明が適用される電子機器としては、プリンター、スキャナー、複写機、ビデオプレーヤー、またはタッチパネルを備えた機器等が挙げられる。

以上、好適な実施形態に基づいて本発明を説明したが、本発明は前述の実施形態に限定されない。また、本発明の各部の構成は、前述の実施形態の同様の機能を発揮する任意の構成に置換でき、また、任意の構成を付加できる。

１ｂ…電気光学装置、１ｇ…電気光学装置、１ｒ…電気光学装置、２…第１基板、２Ｂ…第１基板、２Ｃ…第１基板、２ｘ…第１基板、３…第２基板、３Ａ…第２基板、３Ｂ…第２基板、３ｘ…第２基板、４…シール部材、５…液晶層、６…基板間導通材、１０…駆動回路、１１…走査線駆動回路、１２…信号線駆動回路、１３…外部端子、２０…積層体、２１…第１基部、２２…画素電極、２２ｄ…ダミー画素電極、２４…蓄積容量、２５…第３無機絶縁層、２６…第４無機絶縁層、２７…第１無機絶縁層、２７Ｃ…第１無機絶縁層、２８…第２無機絶縁層、２９…配向膜、３０…積層体、３１…第２基部、３２…対向電極、３２Ａ…対向電極、３３…見切り、３５…第１無機絶縁層、３５Ａ…第１無機絶縁層、３６…第２無機絶縁層、３７…第３無機絶縁層、３８…第４無機絶縁層、３９…配向膜、１００…電気光学装置、１００Ａ…電気光学装置、１００Ｂ…電気光学装置、１００Ｃ…電気光学装置、１００ｘ…電気光学装置、２０１…凹部、２３０…導電膜、２３０Ｃ…導電膜、２３１…周辺電極、２４０…トランジスター、２４１…走査線、２４２…信号線、２４３…定電位線、２６１…貫通孔、２７１…絶縁部、２８１…凸部、３０１…凹部、３５１…絶縁部、３６１…凸部、３８１…貫通孔、２０００…パーソナルコンピューター、２００１…電源スイッチ、２００２…キーボード、２００３…制御部、２０１０…本体部、３０００…スマートフォン、３００１…操作ボタン、３００２…制御部、４０００…投射型表示装置、４００１…照明光学系、４００２…照明装置、４００３…投射光学系、４００４…投射面、４００５…制御部、Ａ１０…表示領域、Ａ２０…周辺領域、Ａ２１…ダミー画素領域、Ａ２２…周辺電極領域、Ａ２３…中間領域、Ａ２４…シール領域、Ｄ…深さ、Ｈ０…開口、ＬＬ…入射光、Ｍ０…マスク、Ｐ…画素、Ｒ…浸入経路、Ｒｘ…浸入経路、Ｓ１１…積層体形成工程、Ｓ１２…第１無機絶縁層形成工程、Ｓ１３…第２無機絶縁層形成工程、Ｓ１４…凸部形成工程、Ｓ１５…対向電極形成工程、Ｓ１６…配向膜形成工程、Ｓ２３…中間領域、Ｔ…高さ、Ｔ３５…マイクロトレンチ、Ｗ１…幅、Ｗ２…幅。

Claims (10)

1. 画像を表示する表示領域と、平面視で前記表示領域の外側に設けられる周辺領域とを有する電気光学装置であって、
   第１基板と、
   前記周辺領域に設けられるシール部材を介して、前記第１基板に対向する第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、電界に応じて光学的特性が変化する電気光学層と、を備え、
   前記第１基板および前記第２基板のうちの一方の基板は、積層体と、前記積層体と前記シール部材との間に設けられる第１無機絶縁層と、前記第１無機絶縁層と前記シール部材との間に設けられる第２無機絶縁層とを有し、
   前記第２無機絶縁層は、前記周辺領域に設けられ、前記第１無機絶縁層から前記シール部材に向かって突出する複数の凸部を有し、
   前記第１無機絶縁層のエッチングレートは、前記第２無機絶縁層のエッチングレートよりも低い、
   ことを特徴とする電気光学装置。
2. 前記第１無機絶縁層は、前記周辺領域に設けられる、
   請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記第１無機絶縁層は、前記複数の凸部に対応する複数の絶縁部を有する、
   請求項１に記載の電気光学装置。
4. 前記一方の基板は、前記第２無機絶縁層と前記シール部材との間に設けられる透明導電膜をさらに有する、
   請求項１に記載の電気光学装置。
5. 前記一方の基板は、前記積層体と前記第１無機絶縁層との間に設けられる透明導電膜をさらに備える、
   請求項１に記載の電気光学装置。
6. 前記複数の凸部は、互いに離間しており、
   前記複数の凸部のそれぞれは、平面視で前記シール部材に沿って設けられる枠状である、
   請求項１に記載の電気光学装置。
7. 前記第１基板および前記第２基板のうちの他方の基板は、前記複数の凸部に対応する複数の凹部を有し、
   前記複数の凹部の各内部には、前記複数の凸部のうち対応する凸部が配置される、
   請求項１に記載の電気光学装置。
8. 前記第１無機絶縁層は、窒素を含む無機ケイ素材料を含み、
   前記第２無機絶縁層は、酸素を含む無機ケイ素材料を含む、
   請求項１に記載の電気光学装置。
9. 前記第１無機絶縁層の厚さは、０．１μｍ以上１．０μｍ以下である、
   請求項１に記載の電気光学装置。
10. 請求項１に記載の電気光学装置と、
    前記電気光学装置の動作を制御する制御部と、を有することを特徴とする電子機器。

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