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JP2024042769A - チップの製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】チップの品質低下を抑制することが可能なチップの製造方法を提供する。【解決手段】被加工物を分割予定ラインに沿って複数のチップに分割するチップの製造方法であって、被加工物に対して透過性を有し、且つ、第１の集光点及び第２の集光点で集光するレーザービームを、分割予定ラインに沿って第１の集光点及び第２の集光点を被加工物の内部に位置付けた状態で、分割予定ラインに沿って照射することにより、被加工物の内部に複数の改質領域を形成する改質領域形成ステップと、被加工物に外力を付与することにより、改質領域を分割起点として被加工物を分割予定ラインに沿って個々のチップに分割する分割ステップと、を含み、改質領域形成ステップでは、第１の集光点が位置付けられた領域に改質領域を形成するとともに、第２の集光点を被加工物に形成されている他の改質領域と重なるように位置付けた状態でレーザービームを照射する。【選択図】図２

Description

本発明は、被加工物を複数のチップに分割するチップの製造方法に関する。
デバイスチップの製造プロセスでは、互いに交差する複数の分割予定ライン（ストリート）によって区画された複数の領域にそれぞれデバイスが形成されたウェーハが用いられる。このウェーハを分割予定ラインに沿って分割することにより、デバイスを備えるチップ（デバイスチップ）が得られる。デバイスチップは、携帯電話、パーソナルコンピュータ等の様々な電子機器に組み込まれる。
ウェーハの分割には、環状の切削ブレードでウェーハを切削する切削装置が用いられる。また、近年では、レーザー加工によってウェーハを分割するプロセスの開発も進められている。例えば、ウェーハに対して透過性を有するレーザービームをウェーハの内部で集光させつつ分割予定ラインに沿って走査することにより、ウェーハの内部に改質層（変質層）を分割予定ラインに沿って形成する手法が提案されている（特許文献１参照）。
改質層の形成工程では、ウェーハの内部に複数の改質領域が分割予定ラインに沿って所定の間隔で形成されるとともに、各改質領域から亀裂（クラック）が伸展する。そして、ウェーハの改質領域又はクラックが形成された領域は、他の領域よりも脆くなる。そのため、ウェーハに外力を付与すると、改質領域及び亀裂が分割起点として機能し、ウェーハが分割予定ラインに沿って分割される。
しかしながら、改質領域で発生する亀裂は不規則に伸展し、必ずしも分割予定ラインに沿って形成されるとは限らない。そのため、改質層が形成されたウェーハに外力を付与した際、ランダムに形成された亀裂によってウェーハの破断が意図しない方向に誘導されてしまうことがある。これにより、ウェーハが分割予定ラインに沿って適切に分割されず、チップの品質が低下するおそれがある。
そこで、レーザービームを分岐させてウェーハに照射することにより、２つの改質領域を同時に形成しつつ、各改質領域から伸展する亀裂を互いに連結させるように改質層を形成する手法が提案されている（特許文献２参照）。この手法を用いると、改質領域で発生した亀裂が分割予定ラインに沿って伸展するように誘導される。これにより、ウェーハが分割予定ラインに沿って分割されやすくなり、チップの品質低下が抑制される。
特開２００４－１７９３０２号公報 特開２０２１－１３６２５３号公報
上記のように、ウェーハ等の被加工物に改質層を形成する際、改質領域で発生する亀裂を分割予定ラインに沿って伸展させることにより、被加工物が分割予定ラインに沿って分割されやすくなる。しかしながら、被加工物の厚さ方向における破断の誘導が不完全であると、被加工物が分割予定ラインに沿って分割されたとしても、分割面（破断面、劈開面）が被加工物の厚さ方向に対して傾斜したり、分割面に不規則な凹凸が形成されたりすることがある。その結果、被加工物の分割によって得られるチップの形状崩れや寸法の誤差等が生じ、チップの品質低下の原因となる。
本発明はかかる問題に鑑みてなされたものであり、チップの品質低下を抑制することが可能なチップの製造方法の提供を目的とする。
本発明の一態様によれば、被加工物を分割予定ラインに沿って複数のチップに分割するチップの製造方法であって、該被加工物に対して透過性を有し、且つ、第１の集光点及び第２の集光点で集光するレーザービームを、該分割予定ラインに沿って該第１の集光点及び該第２の集光点を該被加工物の内部に位置付けた状態で、該分割予定ラインに沿って照射することにより、該被加工物の内部に複数の改質領域を形成する改質領域形成ステップと、該被加工物に外力を付与することにより、該改質領域を分割起点として該被加工物を該分割予定ラインに沿って個々の該チップに分割する分割ステップと、を含み、該改質領域形成ステップでは、該第１の集光点が位置付けられた領域に該改質領域を形成するとともに、該第２の集光点を該被加工物に形成されている他の該改質領域と重なるように位置付けた状態で該レーザービームを照射するチップの製造方法が提供される。
本発明の一態様に係るチップの製造方法では、レーザービームの照射によって被加工物の内部に複数の改質領域を形成するに際して、第１の集光点が位置付けられた領域に改質領域を形成するとともに、第２の集光点を被加工物に形成されている他の改質領域と重なるように位置付けた状態でレーザービームを照射する。これにより、改質領域で発生する亀裂が、被加工物の厚さ方向に沿って伸展する。
上記のように改質領域及び亀裂が形成された被加工物に外力を付与すると、被加工物の厚さ方向に沿って伸展した亀裂によって、被加工物の破断が被加工物の厚さ方向にも誘導される。これにより、分割面（破断面、劈開面）が被加工物の厚さ方向に沿ってフラットに形成されやすくなる。その結果、チップの形状崩れや寸法の誤差等が生じにくくなり、チップの品質低下が抑制される。
図１（Ａ）は被加工物を示す斜視図であり、図１（Ｂ）は保護部材が固定された被加工物を示す斜視図である。 チップの製造方法を示すフローチャートである。 レーザー加工装置を示す一部断面正面図である。 レーザー照射ユニットを示す模式図である。 図５（Ａ）は１パルス目のレーザービームが照射される被加工物の一部を示す断面図であり、図５（Ｂ）は２パルス目のレーザービームが照射される被加工物の一部を示す断面図であり、図５（Ｃ）は３パルス目のレーザービームが照射される被加工物の一部を示す断面図である。 改質層が形成された被加工物の一部を示す断面図である。 エキスパンドシートが固定された被加工物を示す斜視図である。 拡張装置を示す斜視図である。 図９（Ａ）は被加工物を保持する拡張装置を示す断面図であり、図９（Ｂ）はエキスパンドシートを拡張する拡張装置を示す断面図である。 ４つの集光点で集光するレーザービームを照射するレーザー加工装置を示す一部断面正面図である。 図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）は、４つの集光点で集光するレーザービームが照射される被加工物の一部を示す断面図である。 図１２（Ａ）は比較例１に係るウェーハの一部を示す断面図であり、図１２（Ｂ）は比較例２に係るウェーハの一部を示す断面図であり、図１２（Ｃ）は実施例に係るウェーハの一部を示す断面図である。 図１３（Ａ）は比較例１に係るチップの側面を示す画像図であり、図１３（Ｂ）は比較例２に係るチップの側面を示す画像図であり、図１３（Ｃ）は実施例に係るチップの側面を示す画像図である。
以下、添付図面を参照して本発明の一態様に係る実施形態を説明する。まず、本実施形態に係るチップの製造方法に用いることが可能な被加工物の構成例について説明する。図１（Ａ）は、被加工物１１を示す斜視図である。
例えば被加工物１１は、単結晶シリコン等の半導体材料でなる円盤状のウェーハであり、互いに概ね平行な表面（第１面）１１ａ及び裏面（第２面）１１ｂを備える。被加工物１１は、互いに交差するように格子状に配列された複数の分割予定ライン（ストリート）１３によって、複数の矩形状の領域に区画されている。
分割予定ライン１３によって区画された複数の領域の表面１１ａ側にはそれぞれ、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）デバイス等のデバイス１５が形成されている。被加工物１１を分割予定ライン１３に沿って分割すると、デバイス１５をそれぞれ備える複数のチップ（デバイスチップ）が得られる。
なお、被加工物１１の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。例えば被加工物１１は、シリコン以外の半導体（ＧａＡｓ、ＳｉＣ、ＩｎＰ、ＧａＮ等）、サファイア、ガラス、セラミックス、樹脂、金属等でなる基板であってもよい。また、デバイス１５の種類、数、形状、構造、大きさ、配置等にも制限はなく、被加工物１１にはデバイス１５が形成されていなくてもよい。
本実施形態では、被加工物１１にレーザー加工を施して被加工物１１を分割する。具体的には、被加工物１１にレーザービームを照射することにより、被加工物１１の内部に改質層（変質層）を分割予定ライン１３に沿って形成する。被加工物１１の改質層が形成された領域は、他の領域よりも脆くなる。そのため、被加工物１１に外力を付与すると、改質層を分割起点（分割のきっかけ）として被加工物１１が分割予定ライン１３に沿って分割される。
図１（Ｂ）は、保護部材１７が固定された被加工物１１を示す斜視図である。被加工物１１にレーザー加工を施す際には、被加工物１１に保護部材１７が固定される。例えば、被加工物１１の裏面１１ｂ側からレーザービームを照射する場合には、被加工物１１の表面１１ａ側に保護部材１７が固定される。これにより、複数のデバイス１５が保護部材１７によって覆われて保護される。
例えば保護部材１７は、可撓性を有するシートである。具体的には、円形に形成されたフィルム状の基材と、基材上に設けられた粘着層（糊層）とを有するテープを、保護部材１７として用いることができる。基材は、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタラート等の樹脂でなり、粘着層は、エポキシ系、アクリル系、又はゴム系の接着剤等でなる。また、粘着層は、紫外線の照射によって硬化する紫外線硬化型の樹脂であってもよい。
次に、本実施形態に係るチップの製造方法の具体例について説明する。図２は、チップの製造方法を示すフローチャートである。本実施形態に係るチップの製造方法では、被加工物１１の内部に複数の改質領域を形成し（改質領域形成ステップＳ１）、その後、被加工物１１に外力を付与することによって被加工物１１を個々のチップに分割する（分割ステップＳ２）。
図３は、レーザー加工装置２を示す一部断面正面図である。改質領域形成ステップＳ１では、被加工物１１にレーザー加工を施すレーザー加工装置２が用いられる。なお、図３において、Ｘ軸方向（加工送り方向、第１水平方向）とＹ軸方向（割り出し送り方向、第２水平方向）とは、互いに垂直な方向である。また、Ｚ軸方向（高さ方向、鉛直方向、上下方向）は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向と垂直な方向である。
レーザー加工装置２は、被加工物１１を保持するチャックテーブル（保持テーブル）４を備える。チャックテーブル４の上面は、水平面（ＸＹ平面）と概ね平行な平坦面であり、被加工物１１を保持する保持面４ａを構成している。保持面４ａは、チャックテーブル４の内部に形成された流路（不図示）、バルブ（不図示）等を介して、エジェクタ等の吸引源（不図示）に接続されている。
チャックテーブル４には、移動ユニット（不図示）及び回転駆動源（不図示）が連結されている。移動ユニットは、例えばボールねじ式の移動機構によって構成され、チャックテーブルをＸ軸方向及びＹ軸方向に沿って移動させる。回転駆動源は、モータ等によって構成され、チャックテーブル４をＺ軸方向と概ね平行な回転軸の周りで回転させる。
また、レーザー加工装置２は、レーザー照射ユニット６を備える。レーザー照射ユニット６は、チャックテーブル４の上方に配置されたレーザー加工ヘッド８を備える。レーザー加工ヘッド８からチャックテーブル４に向かって照射されるレーザービーム１０によって、被加工物１１が加工される。
レーザー照射ユニット６は、レーザービーム１０が少なくとも２以上の集光点（集光位置）で集光するように構成される。図３には一例として、２つの集光点（集光位置）１０ａ，１０ｂで集光するレーザービーム１０を示している。なお、図３では説明の便宜上、レーザービーム１０が点状の集光点１０ａ，１０ｂで集光している様子を模式的に図示しているが、集光点１０ａ，１０ｂはそれぞれ所定のスポット径を有する微細な円形の領域であってもよい。
図４は、レーザー照射ユニット６を示す模式図である。レーザー照射ユニット６は、ＹＡＧレーザー、ＹＶＯ４レーザー、ＹＬＦレーザー等のレーザー発振器１２と、レーザー発振器１２から出射したパルス発振のレーザービーム１０を被加工物１１へと導く光学系１４とを備える。例えば光学系１４は、レーザービーム１０を反射させるミラー１６と、レーザービーム１０を分岐させるレーザー分岐部１８と、レーザービーム１０を所定の位置で集光させる集光レンズ２０とを備える。
レーザー分岐部１８の構成は、レーザービーム１０を分岐させることが可能であれば制限はない。例えばレーザー分岐部１８として、ＬＣＯＳ－ＳＬＭ（Liquid Crystal On Silicon - Spatial Light Modulator）、回折光学素子（ＤＯＥ：Diffractive Optical Element）等が用いられる。また、レーザー分岐部１８は、レーザービーム１０をＰ偏光のレーザービームとＳ偏光のパルスレーザービームとに分岐する偏光ビームスプリッタを備えていてもよい。
レーザー発振器１２から出射したレーザービーム１０は、ミラー１６で反射してレーザー分岐部１８に入射し、レーザー分岐部１８によって２本のレーザービームに分岐される。その後、分岐されたレーザービーム１０は、集光レンズ２０によって集光点１０ａ，１０ｂで集光される。
また、図３に示すように、レーザー加工装置２は、レーザー加工装置２を制御するコントローラ（制御ユニット、制御部、制御装置）２２を備える。コントローラ２２は、レーザー加工装置２を構成する構成要素（チャックテーブル４、レーザー照射ユニット６等）に接続されており、各構成要素に制御信号を出力することによってレーザー加工装置２の稼働を制御する。例えば、チャックテーブル４の位置やレーザービーム１０の照射条件は、コントローラ２２によって制御される。
コントローラ２２は、コンピュータによって構成され、レーザー加工装置２の稼働に必要な演算を行う演算部と、レーザー加工装置２の稼働に用いられる各種の情報（データ、プログラム等）を記憶する記憶部とを含む。演算部は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）等のプロセッサを含んで構成される。また、記憶部は、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）等のメモリを含んで構成される。
改質領域形成ステップＳ１では、まず、被加工物１１をチャックテーブル４で保持する。具体的には、被加工物１１は、表面１１ａ側（保護部材１７側）が保持面４ａに対向し裏面１１ｂ側（レーザービーム１０が照射される面側）が上方に露出するように、チャックテーブル４上に配置される。この状態で、保持面４ａに吸引源の吸引力（負圧）を作用させると、被加工物１１が保護部材１７を介してチャックテーブル４によって吸引保持される。
次に、レーザービーム１０を被加工物１１に照射し、被加工物１１の内部に改質層を形成する。具体的には、まず、チャックテーブル４を回転させ、所定の分割予定ライン１３（図１（Ａ）及び図１（Ｂ）参照）の長さ方向をＸ軸方向に合わせる。また、レーザービーム１０の集光点１０ａ，１０ｂと所定の分割予定ライン１３とのＹ軸方向における位置が一致するように、チャックテーブル４のＹ軸方向における位置を調整する。
そして、レーザー照射ユニット６からレーザービーム１０を照射しつつ、チャックテーブル４をＸ軸方向に沿って移動させる（加工送り）。これにより、チャックテーブル４とレーザー加工ヘッド８とがＸ軸方向に沿って相対的に移動する。その結果、被加工物１１の内部に集光点１０ａ，１０ｂが分割予定ライン１３に沿って位置付けられた状態で、レーザービーム１０が分割予定ライン１３に沿って照射される。
なお、レーザービーム１０の照射条件は、被加工物１１のレーザービーム１０が照射された領域が多光子吸収によって改質（変質）されるように設定される。具体的には、レーザービーム１０の波長は、レーザービーム１０の少なくとも一部が被加工物１１を透過するように設定される。すなわち、レーザービーム１０は、被加工物１１に対して透過性を有し、且つ、集光点１０ａ，１０ｂで集光するレーザービームである。また、レーザービーム１０の他の照射条件（平均出力、パルス幅、繰り返し周波数、スポット径等）も、被加工物１１に改質領域が形成されるように適宜設定される。
被加工物１１にレーザービーム１０が照射される様子を、図５（Ａ）～図５（Ｃ）に示す。レーザービーム１０が上記の照射条件で被加工物１１に照射されると、被加工物１１の内部が多光子吸収によって改質（変質）され、改質領域（変質領域）１９が形成される。
図５（Ａ）は、１パルス目のレーザービーム１０が照射される被加工物１１の一部を示す断面図である。被加工物１１の加工送りが開始すると、まず、レーザービーム１０の集光点１０ａが被加工物１１の内部に位置付けられる。そして、集光点１０ａが位置付けられた領域から広がる改質領域１９が形成される。また、改質領域１９で亀裂（クラック）２１が発生し、亀裂２１は改質領域１９から放射状に伸展する。
なお、レーザービーム１０が被加工物１１の裏面１１ｂ側から照射される場合（図３参照）、レーザービーム１０は、被加工物１１の裏面１１ｂと集光点１０ａとの間の領域にも照射され、この領域における改質が促進される。そのため、集光点１０ａで発生した改質領域１９は、被加工物１１の裏面１１ｂ側（図５（Ａ）における上側）に向かって成長しやすい。
その結果、改質領域１９は、被加工物１１の厚さ方向（Ｚ軸方向）における長さが被加工物１１の表面１１ａ及び裏面１１ｂと平行な方向（ＸＹ平面方向）における長さよりも大きい縦長の形状に形成される。図５（Ａ）には、長軸が被加工物１１の厚さ方向に沿い短軸が被加工物１１の表面１１ａ及び裏面１１ｂと平行な方向に沿うように形成された、長球状の改質領域１９を模式的に図示している。
図５（Ｂ）は、２パルス目のレーザービーム１０が照射される被加工物１１の一部を示す断面図である。被加工物１１の加工送りが進行すると、レーザービーム１０の集光点１０ａ，１０ｂが被加工物１１の内部に位置付けられる。そして、被加工物１１のうち改質領域１９が形成されていない領域に集光点１０ａが位置付けられ、且つ、直前のパルスで被加工物１１に形成された改質領域１９（図５（Ｂ）の左の改質領域１９）に集光点１０ｂが位置付けられた状態で、集光点１０ａ，１０ｂにレーザービーム１０が同時に照射される。
集光点１０ａが位置付けられた領域及びその近傍には、１パルス目と同様に改質領域１９が形成される。また、直前に形成された改質領域１９の内部に位置付けられた集光点１０ｂにレーザービーム１０が照射されると、先細りの形状を有する改質領域１９の上端部及び下端部に応力が集中する。その結果、改質領域１９の上端部及び下端部から亀裂２１が被加工物１１の厚さ方向（図５（Ｂ）の上下方向）に沿って伸展する。
上記のように、集光点１０ｂは、既に被加工物１１に形成されている改質領域１９と重なるように位置付けられる。より好ましくは、改質領域１９が形成される際における集光点１０ａの被加工物１１に対する位置と、その改質領域１９から亀裂２１を被加工物１１の厚さ方向に沿って伸展させる際の集光点１０ｂの被加工物１１に対する位置とが、互いに重なるように位置付けられる。
図５（Ｃ）は、３パルス目のレーザービーム１０が照射される被加工物１１の一部を示す断面図である。被加工物１１の加工送りがさらに進行すると、被加工物１１のうち改質領域１９が形成されていない領域に集光点１０ａが位置付けられ、且つ、直前のパルスで被加工物１１に形成された改質領域１９（図５（Ｃ）の中央の改質領域１９）に集光点１０ｂが位置付けられた状態で、集光点１０ａ，１０ｂにレーザービーム１０が同時に照射される。
集光点１０ａが位置付けられた領域及びその近傍には、１パルス目及び２パルス目と同様に改質領域１９が形成される。また、直前に形成された改質領域１９の内部に位置付けられた集光点１０ｂにレーザービーム１０が照射され、改質領域１９の上端部及び下端部から亀裂２１が被加工物１１の厚さ方向に沿って伸展する。
図６は、改質層（変質層）２３が形成された被加工物１１の一部を示す断面図である。４パルス目以降のレーザービーム１０も、同様に被加工物１１に照射される。これにより、被加工物１１の内部には、複数の改質領域１９が分割予定ライン１３（図１（Ａ）及び図１（Ｂ）参照）に沿って所定のピッチで形成される。その結果、被加工物１１の内部の所定の深さ位置に、複数の改質領域１９によって構成される改質層２３が分割予定ライン１３に沿って形成される。
上記のように、改質領域形成ステップＳ１では、集光点１０ａが位置付けられた領域に改質領域１９を形成するとともに、集光点１０ｂを被加工物１１に形成されている他の改質領域１９と重なるように位置付けた状態でレーザービーム１０を照射する。これにより、改質領域１９で発生する亀裂２１が被加工物１１の厚さ方向に沿って伸展しやすくなる。
改質領域１９のピッチは、集光点１０ａ，１０ｂの間隔、加工送り速度、レーザービーム１０の繰り返し周波数等を調節することによって制御できる。なお、改質領域１９のピッチは、隣接する２つの改質領域１９から伸展する亀裂２１が互いに連結されるように設定されることが好ましい。例えば、改質領域１９のピッチ（集光点１０ａ，１０ｂの間隔）は、３μｍ以上１６μｍ以下、好ましくは４μｍ以上８μｍ以下に設定される。これにより、複数の改質領域１９が亀裂２１を介して連結され、被加工物１１の内部に改質層２３が分割予定ライン１３に沿って連続的に形成されやすくなる。
なお、集光点１０ａに照射されるレーザービーム１０（第１レーザービーム）の照射条件と、集光点１０ｂに照射されるレーザービーム１０（第２レーザービーム）の照射条件とは、同一であっても異なっていてもよい。特に、第２レーザービームは、既に形成されている改質領域１９から亀裂２１を被加工物１１の厚さ方向に沿って伸展させるトリガーとして機能すればよく、必ずしも新たな改質領域１９を形成可能な条件で照射される必要はない。
そのため、第２レーザービームのエネルギー密度は、第１レーザービームのエネルギー密度より低くてもよい。より具体的には、第２レーザービームの平均出力は、第１レーザービームの平均出力より低くてもよい。また、第２レーザービームの集光点１０ｂにおけるスポット径は、第１レーザービームの集光点１０ａにおけるスポット径より大きくてもよい。第１レーザービームの及び第２レーザービームのスポット径は、デフォーカス量や集光条件（収差等）を調節することによって制御できる。
その後、同様の手順を繰り返し、他の分割予定ライン１３に沿って改質層２３を形成する。これにより、全ての分割予定ライン１３に沿って改質層２３が格子状に形成された被加工物１１が得られる。
被加工物１１の改質領域１９又は亀裂２１が形成された領域は、被加工物１１の他の領域よりも脆い。そのため、改質層２３が形成された被加工物１１に外力を付与すると、被加工物１１が改質領域１９及び亀裂２１を起点として、分割予定ライン１３に沿って破断される。すなわち、改質領域１９及び亀裂２１は、被加工物１１を分割する際の分割起点（分割のきっかけ）として機能する。
なお、被加工物１１の厚さ、材質等によっては、被加工物１１の厚さ方向に複数の改質層２３を形成してもよい。例えば、被加工物１１が厚さ２００μｍ以上の単結晶シリコンウェーハである場合には、２層以上の改質層２３を形成することが好ましい。
複数層の改質層２３を形成する場合には、集光点１０ａ，１０ｂの高さ位置を変更しつつ、各分割予定ライン１３に沿ってそれぞれ複数回ずつレーザービーム１０を照射する。例えば、被加工物１１の表面１１ａ側（下面側）から裏面１１ｂ側（上面側、レーザービーム１０の照射面側）に向かって複数の改質層２３が順に形成される。
被加工物１１に複数の改質層２３を形成することにより、被加工物１１が厚い場合や被加工物１１の靱性が高い場合であっても、被加工物１１が分割予定ライン１３に沿って適切に分割されやすくなる。なお、被加工物１１に形成される改質層２３の層数に制限はなく、被加工物１１の厚さ、材質等に応じて適宜設定される。
次に、被加工物１１に外力を付与することにより、改質領域１９を分割起点として被加工物１１を分割予定ライン１３に沿って個々のチップに分割する（分割ステップＳ２）。被加工物１１に外力を付与する方法は自由に選択できる。また、被加工物１１への外力の付与は、作業者が手作業で行ってもよいし、専用の装置で実施してもよい。
例えば分割ステップＳ２では、被加工物１１にエキスパンドテープが固定され、エキスパンドテープを拡張することによって被加工物１１に外力が付与される。図７は、エキスパンドシート２５が固定された被加工物１１を示す斜視図である。
エキスパンドシート２５は、外力の付与によって拡張可能なシート（エキスパンド性を有するシート）である。例えばエキスパンドシート２５として、円形に形成されたフィルム状の基材と、基材上に設けられた粘着層（糊層）とを有するテープを用いることができる。基材及び粘着層の材料の例は、保護部材１７（図１（Ｂ）参照）と同様である。ただし、エキスパンドシート２５がエキスパンド性を有し、且つ、被加工物１１に固定可能であれば、エキスパンドシート２５の構造や材質に制限はない。
例えば、被加工物１１よりも直径が大きい円形のエキスパンドシート２５が、被加工物１１の裏面１１ｂ側に貼付される。また、エキスパンドシート２５の外周部が、環状のフレーム２７に貼付される。フレーム２７は、ＳＵＳ（ステンレス鋼）等の金属でなる環状の部材であり、フレーム２７の中央部にはフレーム２７を厚さ方向に貫通する円形の開口２７ａが設けられている。
フレーム２７の開口２７ａの直径は、被加工物１１の直径よりも大きい。そして、被加工物１１がフレーム２７の開口２７ａの内側に配置された状態で、被加工物１１及びフレーム２７にエキスパンドシート２５が貼付される。これにより、被加工物１１がエキスパンドシート２５を介してフレーム２７によって支持される。
次に、被加工物１１の表面１１ａ側から保護部材１７を剥離する。これにより、被加工物１１の表面１１ａ側（デバイス１５側）が露出する。その後、エキスパンドシート２５を引っ張って拡張すると、エキスパンドシート２５に固定されている被加工物１１に外力が付与される。
エキスパンドシート２５の拡張には、例えば専用の拡張装置が用いられる。図８は、拡張装置（分割装置）３０を示す斜視図である。拡張装置３０は、エキスパンドシート２５を引っ張って拡張し、改質層２３が形成された被加工物１１を分割する。
拡張装置３０は、被加工物１１よりも直径が大きい円筒状のドラム３２と、被加工物１１を支持しているフレーム２７（図７参照）を保持するフレーム保持ユニット３４とを備える。フレーム保持ユニット３４は、フレーム２７を支持する環状の支持台３６を備える。支持台３６の中央部には、支持台３６を厚さ方向に貫通する円形の開口３６ａが設けられている。
ドラム３２は、支持台３６の開口３６ａと重なるように配置されており、ドラム３２の上端部は支持台３６によって囲まれている。また、支持台３６は、支持台３６の上面の高さ位置とドラム３２の上端の高さ位置とが概ね一致するように配置されている。
支持台３６の外周部には、複数のクランプ３８が固定されている。複数のクランプ３８は、支持台３６の周方向に沿って概ね等間隔に配置されており、被加工物１１を支持しているフレーム２７（図７参照）を把持して固定する。支持台３６の上にフレーム２７を配置し、複数のクランプ３８でフレーム２７を固定することにより、フレーム２７がフレーム保持ユニット３４によって保持される。
支持台３６は、鉛直方向（高さ方向、上下方向）に沿って移動（昇降）する複数のロッド４０によって支持されている。ロッド４０の下端部には、ロッド４０を昇降させるエアシリンダ４２が接続されている。複数のエアシリンダ４２は、環状のベース４４に支持されている。エアシリンダ４２でロッド４０を昇降させることにより、支持台３６の高さ位置を制御することができる。
図９（Ａ）は、被加工物１１を保持する拡張装置３０を示す断面図である。分割ステップＳ２では、まず、エアシリンダ４２を作動させ、ドラム３２の上端の高さと支持台３６の上面の高さとが一致するように支持台３６の高さを調節する。
次に、被加工物１１を支持した状態のフレーム２７を支持台３６上に配置する。このとき被加工物１１は、ドラム３２と同心円状に配置され、平面視でドラム３２の外周の内側に位置付けられる。また、支持台３６上に配置されたフレーム２７を複数のクランプ３８で固定する。これにより、被加工物１１がエキスパンドシート２５及びフレーム２７を介してフレーム保持ユニット３４によって保持される。
図９（Ｂ）は、エキスパンドシート２５を拡張する拡張装置３０を示す断面図である。フレーム２７がフレーム保持ユニット３４に固定されると、エアシリンダ４２が作動し、支持台３６が引き下げられる。これにより、フレーム２７が下側に移動し、ドラム３２の上端によって支持されたエキスパンドシート２５が半径方向外側に引っ張られて拡張される。その結果、エキスパンドシート２５に固定されている被加工物１１に対し、被加工物１１の半径方向外側に向かう外力が付与される。
エキスパンドシート２５の拡張によって被加工物１１に外力が付与されると、被加工物１１は改質領域１９及び亀裂２１（図５（Ａ）～図５（Ｃ）参照）を分割起点として分割予定ライン１３に沿って破断する。その結果、デバイス１５（図７参照）をそれぞれ備える複数のチップ（デバイスチップ）２９が製造される。
このようにして、被加工物１１が分割され、チップ２９が製造される。その後、各チップ２９は、例えばコレット（不図示）によってピックアップされ、所定の基板（配線基板等）に実装される。なお、エキスパンドシート２５の拡張によって隣接するチップ２９間に隙間が形成されるため（図９（Ｂ）参照）、特定のチップ２９のみを容易にピックアップできる。
以上の通り、本実施形態に係るチップの製造方法では、レーザービーム１０の照射によって被加工物１１の内部に複数の改質領域１９を形成するに際して、集光点１０ａが位置付けられた領域に改質領域１９を形成するとともに、集光点１０ｂを被加工物１１に形成されている他の改質領域１９と重なるように位置付けた状態でレーザービーム１０を照射する。これにより、改質領域１９で発生する亀裂２１が、被加工物１１の厚さ方向に沿って伸展する。
上記のように改質領域１９及び亀裂２１が形成された被加工物１１に外力を付与すると、被加工物１１の厚さ方向に沿って伸展した亀裂２１によって、被加工物１１の破断が被加工物１１の厚さ方向にも誘導される。これにより、分割面（破断面、劈開面）が被加工物１１の厚さ方向に沿ってフラットに形成されやすくなる。その結果、チップ２９の形状崩れや寸法の誤差等が生じにくくなり、チップ２９の品質低下が抑制される。
なお、上記実施形態では、改質領域形成ステップＳ１において、２つの集光点１０ａ，１０ｂで集光するレーザービーム１０を用いて改質層２３を形成する例を説明した。ただし、改質層２３の形成に用いられるレーザービームの集光点の数は３以上であってもよい。
例えば、４つの集光点で集光するレーザービームを用いることもできる。この場合には、被加工物１１の内部の異なる深さ位置にそれぞれ２つの集光点を位置付けた状態で、レーザービームを被加工物１１に照射してもよい。これにより、２層の改質層２３を同時進行で形成できる。
図１０は、４つの集光点（集光位置）５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｄで集光するレーザービーム５０を照射するレーザー加工装置２を示す一部断面正面図である。図１０に示すように、レーザー照射ユニット６は、レーザービーム５０を集光点５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｄで集光させてもよい。この場合には、レーザー照射ユニット６のレーザー分岐部１８（図４参照）に、レーザービーム５０を４つに分岐する光学素子（ＬＣＯＳ－ＳＬＭ等）が備えられる。
図１０に示すように、レーザー照射ユニット６は、集光点５０ａ，５０ｂと集光点５０ｃ，５０ｄとを被加工物１１の内部の異なる深さ位置に位置付けた状態で、レーザービーム５０を照射する。具体的には、集光点５０ａ，５０ｂは被加工物１１の内部の第１領域に位置付けられ、集光点５０ｃ，５０ｄは第１領域よりも被加工物１１の裏面１１ｂ側に位置する第２領域に位置付けられる。この状態で、レーザービーム５０を被加工物１１の裏面１１ｂ側からに照射しつつ、被加工物１１とレーザービーム５０とをＸ軸方向に沿って相対的に移動させると（加工送り）、被加工物１１に２層の改質層２３が同時進行で形成される。
図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）は、４つの集光点５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｄで集光するレーザービーム５０が照射される被加工物１１の一部を示す断面図である。例えば、集光点５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｄは、分割予定ライン１３（図１（Ａ）参照）に沿って所定の間隔で配列される。そして、集光点５０ａ，５０ｂは、被加工物１１の内部のうち、１層目の改質層２３（最下層の改質層２３）を形成すべき第１領域に位置付けられる。また、集光点５０ｃ，５０ｄは、被加工物１１の内部のうち、２層目の改質層２３を形成すべき第２領域に位置付けられる。
集光点５０ａ，５０ｂに照射されるレーザービーム５０の照射条件は、例えば図５（Ａ）～図５（Ｃ）に示す集光点１０ａ，１０ｂに照射されるレーザービーム１０の照射条件と同様に設定できる。そして、集光点５０ａで集光するレーザービーム５０は、第１領域に改質領域１９を形成する。また、集光点５０ｂで集光するレーザービーム５０は、既に第１領域に形成されている改質領域１９の内部に照射され、その改質領域１９から亀裂２１を被加工物１１の厚さ方向に沿って伸展させる。
集光点５０ｃ，５０ｄに照射されるレーザービーム５０の照射条件も、例えば図５（Ａ）～図５（Ｃ）に示す集光点１０ａ，１０ｂに照射されるレーザービーム１０の照射条件と同様に設定できる。そして、集光点５０ｃで集光するレーザービーム５０は、第２領域に改質領域１９を形成する。また、集光点５０ｄで集光するレーザービーム５０は、既に第２領域に形成されている改質領域１９の内部に照射され、その改質領域１９から亀裂２１を被加工物１１の厚さ方向に沿って伸展させる。
なお、改質領域１９のピッチは、隣接する２つの改質領域１９から伸展する亀裂２１が互いに連結されるように設定されることが好ましい。例えば、改質領域１９のピッチ（、集光点５０ａ，５０ｂの間隔及び集光点５０ｃ，５０ｄの間隔）は、３μｍ以上１６μｍ以下、好ましくは４μｍ以上８μｍ以下に設定される。
上記のように、集光点５０ａ，５０ｂと集光点５０ｃ，５０ｄとを被加工物１１の内部の異なる深さ位置に位置付けることにより、２層の改質層２３を同時進行で形成できる。これにより、被加工物１１に複数層の改質層２３を形成する場合において、工程の簡略化及び加工時間の短縮を図ることができる。
ただし、集光点５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｄは、被加工物１１の内部の同一の深さ位置に所定の間隔で位置付けられてもよい。この場合には、加工送り速度が通常（同一の深さ位置に２つの集光点が位置付けられる場合）の２倍に設定される。これにより、２つの改質領域１９を同時に形成するとともに、既に形成されている他の２つの改質領域１９から亀裂２１を被加工物１１の厚さ方向に沿って同時に伸展させることができる。
また、改質層２３の形成には、６つ以上の集光点で集光するレーザービームを用いてもよい。この場合には、被加工物１１の内部の異なる深さ位置にそれぞれ２つの集光点を位置付けることにより、３層以上の改質層２３を同時に形成できる。
さらに、６つ以上の集光点を、被加工物１１の内部の同一の深さ位置に所定の間隔で位置付けてもよい。この場合には、加工送り速度が通常（同一の深さ位置に２つの集光点が位置付けられる場合）の３倍以上に設定される。これにより、３つの改質領域１９を同時に形成するとともに、既に形成されている他の３つの改質領域１９から亀裂２１を被加工物１１の厚さ方向に沿って同時に伸展させることができる。
その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
（実施例）
次に、本発明に係るチップの製造方法によって製造したチップを評価した結果について説明する。本評価では、被加工物を従来の方法で分割することによって得られたチップ（比較例１及び比較例２）と、被加工物を本発明に係る方法で分割することによって得られたチップ（実施例）とを比較した。
まず、被加工物として、直径８インチ（２００ｍｍ）、厚さ２５０μｍの単結晶シリコンでなるウェーハＷ１，Ｗ２，Ｗ３を準備した。そして、ウェーハＷ１，Ｗ２，Ｗ３にそれぞれレーザービームを異なる条件で照射して改質層を形成した後、ウェーハＷ１，Ｗ２，Ｗ３に外力を付与し、ウェーハＷ１，Ｗ２，Ｗ３を個々のチップに分割した。
図１２（Ａ）は、比較例１に係るウェーハＷ１の一部を示す断面図である。比較例１においては、２つの集光点Ｌａ１，Ｌｂ１で集光するレーザービームＬ１をウェーハＷ１に照射することにより、ウェーハＷ１に改質層２３を分割予定ラインに沿って形成した。
具体的には、レーザービームＬ１を高さ方向に２分岐し、集光点Ｌａ１，Ｌｂ１をウェーハＷ１の内部の異なる深さ位置に位置付けた。この状態で、レーザービームＬ１をウェーハＷ１に照射しつつ加工送りを行い、２層の改質層２３を同時進行で形成した。
比較例１におけるレーザービームＬ１の照射条件は、以下のように設定した。
波長 ：１０８０ｎｍ
繰り返し周波数 ：１００ｋＨｚ
平均出力（分岐後）：０．６５Ｗ
加工送り速度 ：５００ｍｍ／ｓ
その後、ウェーハＷ１の厚さ方向における集光点Ｌａ１，Ｌｂ１の位置を変更し、同様の手順でウェーハＷ１に２層の改質層２３を同時進行で形成する作業を、さらに２回繰り返した。これにより、ウェーハＷ１の内部に計６層の改質層２３を、ウェーハＷ１の下面側から上面側に向かって順に形成した。
なお、１層目から４層目の改質層２３の形成時には、ウェーハＷ１の厚さ方向における集光点Ｌａ１，Ｌｂ１の距離を６μｍに設定した。また、５層目及び６層目の改質層２３の形成時には、ウェーハＷ１の厚さ方向における集光点Ｌａ１，Ｌｂ１の距離を５μｍに設定した。
図１２（Ｂ）は、比較例２に係るウェーハＷ１の一部を示す断面図である。比較例２においては、４つの集光点Ｌａ２，Ｌｂ２，Ｌｃ２，Ｌｄ２で集光するレーザービームＬ２をウェーハＷ２に照射することにより、ウェーハＷ２に改質層２３を分割予定ラインに沿って形成した。
具体的には、レーザービームＬ２を４つに分岐し、集光点Ｌａ２，Ｌｂ２，Ｌｃ２，Ｌｄ２を分割予定ラインに沿って５μｍ間隔で配列するとともに、集光点Ｌａ２，Ｌｂ２と集光点Ｌｃ２，Ｌｄ２とをウェーハＷ２の内部の異なる深さ位置に位置付けた。この状態で、レーザービームＬ２をウェーハＷ２に照射しつつ加工送りを行い、２層の改質層２３を形成した。
なお、比較例２においては、集光点Ｌａ２，Ｌｂ２，Ｌｃ２，Ｌｄ２がそれぞれウェーハＷ２の改質領域１９が形成されていない領域に位置付けられるように、レーザービームＬ２の繰り返し周波数及び加工送り速度を調節した。すなわち、集光点Ｌａ２，Ｌｂ２，Ｌｃ２，Ｌｄ２が位置付けられた領域に４つの改質領域１９を同時に形成することにより、２層の改質層２３を同時進行で形成した。
比較例２におけるレーザービームＬ２の照射条件は、以下のように設定した。
波長 ：１０８０ｎｍ
繰り返し周波数 ：１００ｋＨｚ
平均出力（分岐後）：０．７Ｗ
加工送り速度 ：１０００ｍｍ／ｓ
その後、ウェーハＷ２の厚さ方向における集光点Ｌａ２，Ｌｂ２，Ｌｃ２，Ｌｄ２の位置を変更し、同様の手順でウェーハＷ２に２層の改質層２３を同時進行で形成する作業を、さらに２回繰り返した。これにより、ウェーハＷ２の内部に計６層の改質層２３を、ウェーハＷ２の下面側から上面側に向かって順に形成した。
なお、１層目から４層目の改質層２３の形成時には、ウェーハＷ２の厚さ方向における集光点Ｌａ２，Ｌｂ２と集光点Ｌｃ２，Ｌｄ２との距離を６μｍに設定した。また、５層目及び６層目の改質層２３の形成時には、ウェーハＷ２の厚さ方向における集光点Ｌａ２，Ｌｂ２と集光点Ｌｃ２，Ｌｄ２との距離を５μｍに設定した。
図１２（Ｃ）は、実施例に係るウェーハＷ１の一部を示す断面図である。実施例においては、４つの集光点Ｌａ３，Ｌｂ３，Ｌｃ３，Ｌｄ３で集光するレーザービームＬ３をウェーハＷ３に照射することにより、ウェーハＷ３に改質層２３を分割予定ラインに沿って形成した。
具体的には、レーザービームＬ３を４つに分岐し、集光点Ｌａ３，Ｌｂ３，Ｌｃ３，Ｌｄ３を分割予定ラインに沿って５μｍ間隔で配列するとともに、集光点Ｌａ３，Ｌｂ３，Ｌｃ３，Ｌｄ３をウェーハＷ３の厚さ方向において異なる位置（深さ）に位置付けた。この状態で、レーザービームＬ３をウェーハＷ３に照射しつつ加工送りを行い、２層の改質層２３を形成した。
なお、実施例においては、集光点Ｌａ３，Ｌｃ３が位置付けられた領域で２つの改質領域１９が同時に形成され、且つ、集光点Ｌｂ３，Ｌｄ３が既にウェーハＷ３に形成されている他の改質領域１９の内部に位置付けられるように、レーザービームＬ３の繰り返し周波数及び加工送り速度を調節した。具体的には、加工送り速度を比較例２の１／２に設定した。すなわち、実施例における改質層２３の形成は、図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）に示す改質層２３の形成方法と同様である。
実施例におけるレーザービームＬ３の照射条件は、以下のように設定した。
波長 ：１０８０ｎｍ
繰り返し周波数 ：１００ｋＨｚ
平均出力（分岐後）：０．７Ｗ
加工送り速度 ：５００ｍｍ／ｓ
その後、ウェーハＷ３の厚さ方向における集光点Ｌａ３，Ｌｂ３，Ｌｃ３，Ｌｄ３の位置を変更し、同様の手順でウェーハＷ３に２層の改質層２３を同時進行で形成する作業を、さらに２回繰り返した。これにより、ウェーハＷ３の内部に計６層の改質層２３を、ウェーハＷ３の下面側から上面側に向かって順に形成した。
なお、１層目から４層目の改質層２３の形成時には、ウェーハＷ３の厚さ方向における集光点Ｌａ３，Ｌｂ３と集光点Ｌｃ３，Ｌｄ３との距離を６μｍに設定した。また、５層目及び６層目の改質層２３の形成時には、ウェーハＷ３の厚さ方向における集光点Ｌａ３，Ｌｂ３と集光点Ｌｃ３，Ｌｄ３との距離を５μｍに設定した。
その後、６層の改質層２３が形成されたウェーハＷ１，Ｗ２，Ｗ３に外力を付与することにより（図９（Ａ）及び図９（Ｂ）参照）、ウェーハＷ１，Ｗ２，Ｗ３をそれぞれ、改質層２３を分割起点として分割予定ラインに沿って分割した。これにより、比較例１に係るチップＣ１（ウェーハＷ１の分割によって得られたチップ）、比較例２に係るチップＣ２（ウェーハＷ２の分割によって得られたチップ）、実施例に係るチップＣ３（ウェーハＷ３の分割によって得られたチップ）を得た。そして、チップＣ１，Ｃ２，Ｃ３の側面（分割面、破断面、劈開面）を顕微鏡で観察した。
図１３（Ａ）は比較例１に係るチップＣ１の側面を示す画像図であり、図１３（Ｂ）は比較例２に係るチップＣ２の側面を示す画像図であり、図１３（Ｃ）は実施例に係るチップＣ３の側面を示す画像図である。なお、チップＣ１，Ｃ２，Ｃ３の画像中の黒く表示された部分は、チップＣ１，Ｃ２，Ｃ３の厚さ方向（画像の上下方向）に対して非平行であり、測定光が不規則に反射して明確に撮像されなかった領域に相当する。具体的には、チップＣ１，Ｃ２，Ｃ３に残存した改質領域及び亀裂や、ウェーハＷ１，Ｗ２，Ｗ３の破断時に形成されチップＣ１，Ｃ２，Ｃ３に残存した凹凸等が、画像中に黒く表示された。
図１３（Ａ）に示すチップＣ１の側面では、複数の改質層と、改質層から伸展する亀裂とが観察された。また、チップＣ１の側面の広範囲にわたって不規則な凹凸が形成されていることが確認された。これは、改質層から亀裂が不規則に伸展し、ウェーハＷ１の分割が改質層に沿って適切に誘導されなかったことに起因すると推察される。
図１３（Ｂ）に示すチップＣ２の側面では、改質層が形成された領域に目立った凹凸が観察されなかった。これは、２つの改質領域を同時に形成することにより（図１２（Ｂ）参照）、隣接する改質領域を連結させる亀裂が形成されやすくなり、ウェーハＷ２の分割が改質層に沿って適切に誘導されたことに起因すると推察される。
しかしながら、改質層が形成されていない領域（改質層の間）には、太い帯状の凹凸が観察された。これは、改質層の形成方向（画像の左右方向）における亀裂の伸展は促進されるものの、チップＣ２の厚さ方向（画像の上下方向）においては亀裂の伸展が制御されておらず、改質層が形成されていない領域で不規則な破断が生じたことに起因していると推察される。
図１３（Ｃ）に示すチップＣ３の側面では、改質領域が形成された領域のみでなく、改質層が形成されていない領域にも目立った凹凸が観察されなかった。これは、本実施例に係る方法で改質層を形成すると、改質層からウェーハＷ３の厚さ方向に沿って伸展する亀裂の形成が促進され（図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）参照）、ウェーハＷ３の厚さ方向における破断が適切にアシストされることに起因していると推察される。
上記の評価結果より、本発明に係るチップの製造方法を用いると、ウェーハＷ３が厚さ方向に沿って破断しやすくなり、チップＣ３の側面の凹凸が低減されるため、チップＣ３の品質低下の抑制に効果的であることが確認された。
１１ 被加工物
１１ａ 表面（第１面）
１１ｂ 裏面（第２面）
１３ 分割予定ライン（ストリート）
１５ デバイス
１７ 保護部材
１９ 改質領域（変質領域）
２１ 亀裂（クラック）
２３ 改質層（変質層）
２５ エキスパンドシート
２７ フレーム
２７ａ 開口
２９ チップ（デバイスチップ）
２ レーザー加工装置
４ チャックテーブル（保持テーブル）
４ａ 保持面
６ レーザー照射ユニット
８ レーザー加工ヘッド
１０ レーザービーム
１０ａ，１０ｂ 集光点（集光位置）
１２ レーザー発振器
１４ 光学系
１６ ミラー
１８ レーザー分岐部
２０ 集光レンズ
２２ コントローラ（制御ユニット、制御部、制御装置）
３０ 拡張装置（分割装置）
３２ ドラム
３４ フレーム保持ユニット
３６ 支持台
３６ａ 開口
３８ クランプ
４０ ロッド
４２ エアシリンダ
４４ ベース
５０ レーザービーム
５０ａ，５０ｂ，５０ｃ，５０ｄ 集光点（集光位置）

Claims (1)

  1. 被加工物を分割予定ラインに沿って複数のチップに分割するチップの製造方法であって、
    該被加工物に対して透過性を有し、且つ、第１の集光点及び第２の集光点で集光するレーザービームを、該分割予定ラインに沿って該第１の集光点及び該第２の集光点を該被加工物の内部に位置付けた状態で、該分割予定ラインに沿って照射することにより、該被加工物の内部に複数の改質領域を形成する改質領域形成ステップと、
    該被加工物に外力を付与することにより、該改質領域を分割起点として該被加工物を該分割予定ラインに沿って個々の該チップに分割する分割ステップと、を含み、
    該改質領域形成ステップでは、該第１の集光点が位置付けられた領域に該改質領域を形成するとともに、該第２の集光点を該被加工物に形成されている他の該改質領域と重なるように位置付けた状態で該レーザービームを照射することを特徴とするチップの製造方法。
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