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JP2023147245A - Photosensitive resin composition, cured product and electronic component - Google Patents

Photosensitive resin composition, cured product and electronic component Download PDF

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JP2023147245A
JP2023147245A JP2023046256A JP2023046256A JP2023147245A JP 2023147245 A JP2023147245 A JP 2023147245A JP 2023046256 A JP2023046256 A JP 2023046256A JP 2023046256 A JP2023046256 A JP 2023046256A JP 2023147245 A JP2023147245 A JP 2023147245A
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JP
Japan
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formula
mol
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carbon atoms
resin composition
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Pending
Application number
JP2023046256A
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Japanese (ja)
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将也 壽慶
Masaya Jukei
央 小笠原
Hisashi Ogasawara
斉 荒木
Hitoshi Araki
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Toray Industries Inc
Original Assignee
Toray Industries Inc
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Abstract

To provide a photosensitive resin composition that is excellent in low dielectric loss tangent when being formed into a cured product, and can suppress cracking after a reliability test of a device to which the cured product is applied.SOLUTION: A photosensitive resin composition contains (A) a polyfunctional monomer, (B) an alkali-soluble resin and (C) a photopolymerization initiator, wherein (A) the polyfunctional monomer contains a compound represented by formula (1) and/or a compound represented by formula (2), (B) the alkali-soluble resin contains one or more selected from the group consisting of (B1) polyimide having a structural unit represented by formula (3), (B2) a polyimide precursor having a structural unit represented by formula (4), and (B3) a polybenzoxazole precursor having a structural unit represented by formula (5) and a copolymer thereof, fluorine atom concentration in (B1) the polyimide having the structural unit represented by formula (3) is 0.1 mass% or more and 10 mass% or less, and fluorine atom concentration in (B2) the polyimide precursor having the structural unit represented by formula (4) is 0.1 mass% or more and 10 mass% or less.SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は、感光性樹脂組成物、硬化物および電子部品に関する。より詳しくは、半導体素子などの電子部品の表面保護膜や層間絶縁膜、有機電界発光素子の絶縁層などに好適に用いられる感光性樹脂組成物に関する。 The present invention relates to a photosensitive resin composition, a cured product, and an electronic component. More specifically, the present invention relates to a photosensitive resin composition suitable for use in surface protective films and interlayer insulating films of electronic components such as semiconductor devices, insulating layers of organic electroluminescent devices, and the like.

半導体素子の表面保護膜や層間絶縁膜、有機電解素子の絶縁層やTFT基板の平坦化膜の代表的な材料として、耐熱性や電気絶縁性等に優れたポリイミド系樹脂が挙げられる。さらに、その生産性向上のためにネガ型またはポジ型の感光性を付与したポリイミドおよびその前駆体等の検討も行われている。 Typical materials for surface protection films and interlayer insulating films of semiconductor devices, insulating layers of organic electrolytic devices, and flattening films of TFT substrates include polyimide resins that have excellent heat resistance, electrical insulation, and the like. Furthermore, in order to improve the productivity, studies are being conducted on polyimides imparted with negative or positive photosensitivity and their precursors.

近年は、半導体の用途拡大、性能向上に伴い、製造工程の効率化によるコスト削減および高集積化の取り組みがされている。そこで、多層の金属再配線を形成する半導体デバイスに注目が集められている。このような多層金属再配線の絶縁膜には、製造工程において複数回の高温処理プロセスを要する。また生産性向上のためにフォトリソグラフィーによるパターン加工性が求められている。さらに、高速無線通信のための高周波通信デバイス用途においては、伝送損失を低減するために絶縁膜における誘電正接の低減が求められる。そのため、パターン加工性、硬化物として高い機械特性、耐熱性、低誘電正接化および硬化物を適用したデバイスでの信頼性が求められている。十分な耐熱性を有する絶縁膜としては、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾールなどの樹脂および熱架橋剤を有する樹脂組成物があげられる(特許文献1)。パターン加工性を付与する方法として、側鎖に特定の化学構造を導入したポリイミド前駆体があげられる(特許文献2)。半田バンプ形成工程でのフラックス処理や配線形成工程でのストリッパー工程などへの耐性付与の方法として、特定の熱硬化性樹脂を添加する樹脂組成物があげられる(特許文献3)。 In recent years, as the applications of semiconductors have expanded and their performance has improved, efforts have been made to reduce costs and increase integration by increasing the efficiency of manufacturing processes. Therefore, attention is being focused on semiconductor devices that form multilayer metal rewiring. The insulating film of such multilayer metal rewiring requires multiple high-temperature treatment processes in the manufacturing process. Furthermore, pattern processability by photolithography is required to improve productivity. Furthermore, in high-frequency communication device applications for high-speed wireless communication, a reduction in dielectric loss tangent in an insulating film is required in order to reduce transmission loss. Therefore, pattern processability, high mechanical properties as a cured product, heat resistance, low dielectric loss tangent, and reliability in devices to which the cured product is applied are required. Examples of insulating films having sufficient heat resistance include resin compositions containing resins such as polyimide and polybenzoxazole and thermal crosslinking agents (Patent Document 1). As a method of imparting pattern processability, a polyimide precursor having a specific chemical structure introduced into the side chain can be used (Patent Document 2). As a method of imparting resistance to flux treatment in the solder bump formation process, stripper process in the wiring formation process, etc., a resin composition in which a specific thermosetting resin is added is cited (Patent Document 3).

特開2007-16214号公報Japanese Patent Application Publication No. 2007-16214 特開2011-59656号公報Japanese Patent Application Publication No. 2011-59656 特開2012-63498号公報JP2012-63498A

高速無線通信のための高周波通信デバイス用の多層配線絶縁膜として従来の技術を適用した場合、特許文献1、特許文献2および特許文献3に記載の組成物の硬化物では、誘電率および誘電正接の低減が不十分であり、また信頼性試験後に硬化物にクラックが見られるなどの点で課題があった。 When conventional technology is applied to a multilayer wiring insulating film for a high-frequency communication device for high-speed wireless communication, the cured products of the compositions described in Patent Document 1, Patent Document 2, and Patent Document 3 have a dielectric constant and a dielectric loss tangent. There were also problems in that the reduction was insufficient and cracks were observed in the cured product after reliability tests.

前記課題を解決するため、本発明は次のものに関する。
本発明の感光性樹脂組成物は、(A)多官能モノマー、(B)アルカリ可溶性樹脂および(C)光重合開始剤を含有する感光性樹脂組成物であって、
該(A)多官能モノマーが、式(1)で表される化合物および/または式(2)で表される化合物を含有し、
該(B)アルカリ可溶性樹脂が、(B1)式(3)で表される構造単位を有するポリイミド、(B2)式(4)で表される構造単位を有するポリイミド前駆体、(B3)式(5)で表される構造単位を有するポリベンゾオキサゾール前駆体、およびそれらの共重合体からなる群より選択される1種類以上を含有し、
該(B1)式(3)で表される構造単位を有するポリイミド中のフッ素原子濃度が0.1質量%以上10質量%以下であり、
該(B2)式(4)で表される構造単位を有するポリイミド前駆体中のフッ素原子濃度が0.1質量%以上10質量%以下である。
In order to solve the above problems, the present invention relates to the following.
The photosensitive resin composition of the present invention is a photosensitive resin composition containing (A) a polyfunctional monomer, (B) an alkali-soluble resin, and (C) a photopolymerization initiator,
The (A) polyfunctional monomer contains a compound represented by formula (1) and/or a compound represented by formula (2),
The alkali-soluble resin (B) includes (B1) a polyimide having a structural unit represented by formula (3), (B2) a polyimide precursor having a structural unit represented by formula (4), and (B3) a polyimide precursor having a structural unit represented by formula (4). 5) Contains one or more types selected from the group consisting of polybenzoxazole precursors having the structural unit represented by and copolymers thereof,
The fluorine atom concentration in the polyimide having the structural unit represented by the formula (3) (B1) is 0.1% by mass or more and 10% by mass or less,
The fluorine atom concentration in the polyimide precursor having the structural unit represented by formula (4) (B2) is 0.1% by mass or more and 10% by mass or less.

Figure 2023147245000001
Figure 2023147245000001

式(1)中、WおよびWはそれぞれ独立に、炭素―炭素二重結合を有する炭素数2~25からなる1価の有機基を示す。式(1)中、a、b、cおよびdは、それぞれ独立にa+b=6~17、c+d=8~19を満たす自然数であり、破線部は炭素-炭素単結合または炭素-炭素二重結合を意味する。 In formula (1), W 1 and W 2 each independently represent a monovalent organic group having 2 to 25 carbon atoms and having a carbon-carbon double bond. In formula (1), a, b, c, and d are natural numbers that each independently satisfy a+b=6 to 17 and c+d=8 to 19, and the broken line portion is a carbon-carbon single bond or a carbon-carbon double bond. means.

Figure 2023147245000002
Figure 2023147245000002

式(2)中、WおよびWはそれぞれ独立に、炭素―炭素二重結合を有する炭素数2~25からなる1価の有機基を示す。式(2)中、e、f、gおよびhはそれぞれ独立に、e+f=5~16、g+h=8~19を満たす自然数であり、破線部は炭素-炭素単結合または炭素-炭素二重結合を意味する。 In formula (2), W 3 and W 4 each independently represent a monovalent organic group having 2 to 25 carbon atoms and having a carbon-carbon double bond. In formula (2), e, f, g, and h are each independently natural numbers satisfying e+f=5 to 16 and g+h=8 to 19, and the broken line portion is a carbon-carbon single bond or a carbon-carbon double bond. means.

Figure 2023147245000003
Figure 2023147245000003

式(3)中、Xは炭素数2~100の4価の有機基を示し、Yは芳香族環を一つ以上有する炭素数6~100の4価の有機基を示し、XおよびYの少なくとも一方はフッ素原子を有する。Rはフェノール性水酸基を示す。*は結合基を示す。 In formula (3), X 1 represents a tetravalent organic group having 2 to 100 carbon atoms, Y 1 represents a tetravalent organic group having 6 to 100 carbon atoms having one or more aromatic rings, and X 1 and at least one of Y 1 has a fluorine atom. R 5 represents a phenolic hydroxyl group. * indicates a bonding group.

Figure 2023147245000004
Figure 2023147245000004

式(4)中、Xは炭素数2~100の4価の有機基を示し、Yは芳香族環を一つ以上有する炭素数6~100の4価の有機基を示し、XおよびYの少なくとも一方はフッ素原子を有する。Rはフェノール性水酸基を示し、複数のRはそれぞれ独立に炭素数1~20の1価の有機基または水素原子を示す。*は結合基を示す。 In formula (4), X 2 represents a tetravalent organic group having 2 to 100 carbon atoms, Y 2 represents a tetravalent organic group having 6 to 100 carbon atoms having one or more aromatic rings, and X 2 At least one of Y 2 and Y 2 has a fluorine atom. R 7 represents a phenolic hydroxyl group, and each R 6 independently represents a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms or a hydrogen atom. * indicates a bonding group.

Figure 2023147245000005
Figure 2023147245000005

式(5)中、Xは炭素数10~20の2価の脂肪族基を示し、Rは単結合または炭素数1~100の2~6価の有機基を示し、Rは炭素数1~10の1価の有機基を示す。rは0~4の整数を示す。*は結合基を示す。 In formula (5), X 3 represents a divalent aliphatic group having 10 to 20 carbon atoms, R 8 represents a single bond or a divalent to hexavalent organic group having 1 to 100 carbon atoms, and R 9 represents a carbon Indicates a monovalent organic group of numbers 1 to 10. r represents an integer from 0 to 4. * indicates a bonding group.

本発明の感光性樹脂組成物の硬化物は低誘電率および低誘電正接であり、さらにその硬化物を適用したデバイスの信頼性試験後におけるクラックを抑制することができる。 The cured product of the photosensitive resin composition of the present invention has a low dielectric constant and a low dielectric loss tangent, and can further suppress cracking after a reliability test of a device to which the cured product is applied.

本発明の感光性樹脂組成物は、(A)多官能モノマー(以下、(A)成分と呼ぶ場合がある。)、(B)アルカリ可溶性樹脂(以下、(B)成分と呼ぶ場合がある。)および(C)光重合開始剤(以下、(C)成分と呼ぶ場合がある。)を含有する感光性樹脂組成物であって、
該(A)多官能モノマーが、式(1)で表される化合物および/または式(2)で表される化合物を含有し、
該(B)アルカリ可溶性樹脂が、(B1)式(3)で表される構造単位を有するポリイミド(以下(B1)成分と呼ぶ場合がある。)、(B2)式(4)で表される構造単位を有するポリイミド前駆体(以下(B2)成分と呼ぶ場合がある。)、(B3)式(5)で表される構造単位を有するポリベンゾオキサゾール前駆体(以下(B3)成分と呼ぶ場合がある。)、およびそれらの共重合体からなる群より選択される1種類以上を含有し、
該(B1)式(3)で表される構造単位を有するポリイミド中のフッ素原子濃度が0.1質量%以上10質量%以下であり、
該(B2)式(4)で表される構造単位を有するポリイミド前駆体中のフッ素原子濃度が0.1質量%以上10質量%以下である。
The photosensitive resin composition of the present invention includes (A) a polyfunctional monomer (hereinafter sometimes referred to as component (A)), and (B) an alkali-soluble resin (hereinafter sometimes referred to as component (B)). ) and (C) a photopolymerization initiator (hereinafter sometimes referred to as component (C)), the photosensitive resin composition comprising:
The (A) polyfunctional monomer contains a compound represented by formula (1) and/or a compound represented by formula (2),
The alkali-soluble resin (B) is a polyimide having a structural unit represented by the formula (3) (B1) (hereinafter sometimes referred to as the component (B1)), and (B2) a polyimide having a structural unit represented by the formula (4). A polyimide precursor having a structural unit (hereinafter sometimes referred to as the (B2) component), a polybenzoxazole precursor having a structural unit represented by (B3) formula (5) (hereinafter referred to as the (B3) component) ), and copolymers thereof,
The fluorine atom concentration in the polyimide having the structural unit represented by the formula (3) (B1) is 0.1% by mass or more and 10% by mass or less,
The fluorine atom concentration in the polyimide precursor having the structural unit represented by formula (4) (B2) is 0.1% by mass or more and 10% by mass or less.

Figure 2023147245000006
Figure 2023147245000006

式(1)中、WおよびWはそれぞれ独立に、炭素―炭素二重結合を有する炭素数2~25からなる1価の有機基を示す。式(1)中、a、b、cおよびdは、それぞれ独立にa+b=6~17、c+d=8~19を満たす自然数であり、破線部は炭素-炭素単結合または炭素-炭素二重結合を意味する。 In formula (1), W 1 and W 2 each independently represent a monovalent organic group having 2 to 25 carbon atoms and having a carbon-carbon double bond. In formula (1), a, b, c, and d are natural numbers that each independently satisfy a+b=6 to 17 and c+d=8 to 19, and the broken line portion is a carbon-carbon single bond or a carbon-carbon double bond. means.

Figure 2023147245000007
Figure 2023147245000007

式(2)中、WおよびWはそれぞれ独立に、炭素―炭素二重結合を有する炭素数2~25からなる1価の有機基を示す。式(2)中、e、f、gおよびhはそれぞれ独立に、e+f=5~16、g+h=8~19を満たす自然数であり、破線部は炭素-炭素単結合または炭素-炭素二重結合を意味する。 In formula (2), W 3 and W 4 each independently represent a monovalent organic group having 2 to 25 carbon atoms and having a carbon-carbon double bond. In formula (2), e, f, g, and h are each independently natural numbers satisfying e+f=5 to 16 and g+h=8 to 19, and the broken line portion is a carbon-carbon single bond or a carbon-carbon double bond. means.

Figure 2023147245000008
Figure 2023147245000008

式(3)中、Xは炭素数2~100の4価の有機基を示し、Yは芳香族環を一つ以上有する炭素数6~100の4価の有機基を示し、XおよびYの少なくとも一方はフッ素原子を有する。Rはフェノール性水酸基を示す。*は結合基を示す。 In formula (3), X 1 represents a tetravalent organic group having 2 to 100 carbon atoms, Y 1 represents a tetravalent organic group having 6 to 100 carbon atoms having one or more aromatic rings, and X 1 and at least one of Y 1 has a fluorine atom. R 5 represents a phenolic hydroxyl group. * indicates a bonding group.

Figure 2023147245000009
Figure 2023147245000009

式(4)中、Xは炭素数2~100の4価の有機基を示し、Yは芳香族環を一つ以上有する炭素数6~100の4価の有機基を示し、XおよびYの少なくとも一方はフッ素原子を有する。Rはフェノール性水酸基を示し、複数のRはそれぞれ独立に炭素数1~20の1価の有機基または水素原子を示す。*は結合基を示す。 In formula (4), X 2 represents a tetravalent organic group having 2 to 100 carbon atoms, Y 2 represents a tetravalent organic group having 6 to 100 carbon atoms having one or more aromatic rings, and X 2 At least one of Y 2 and Y 2 has a fluorine atom. R 7 represents a phenolic hydroxyl group, and each R 6 independently represents a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms or a hydrogen atom. * indicates a bonding group.

Figure 2023147245000010
Figure 2023147245000010

式(5)中、Xは炭素数10~20の2価の脂肪族基を示し、Rは単結合または炭素数1~100の2~6価の有機基を示し、Rは炭素数1~10の1価の有機基を示す。rは0~4の整数を示す。*は結合基を示す。 In formula (5), X 3 represents a divalent aliphatic group having 10 to 20 carbon atoms, R 8 represents a single bond or a divalent to hexavalent organic group having 1 to 100 carbon atoms, and R 9 represents a carbon Indicates a monovalent organic group of numbers 1 to 10. r represents an integer from 0 to 4. * indicates a bonding group.

本発明の感光性樹脂組成物は、(A)成分を含有する。(A)成分を含むことにより、前記(C)成分が露光により発生する活性種と架橋反応を起こし、ネガ型のパターンが得られる。また、該感光性組成物を硬化した硬化物は低誘電率および低誘電正接となり、その硬化物を適用したデバイスの信頼性試験後におけるクラックを抑制することができる。 The photosensitive resin composition of the present invention contains component (A). By including the component (A), the component (C) causes a crosslinking reaction with active species generated by exposure, resulting in a negative pattern. Further, a cured product obtained by curing the photosensitive composition has a low dielectric constant and a low dielectric loss tangent, and can suppress cracking after a reliability test of a device to which the cured product is applied.

前記(A)成分は、式(1)で表される化合物および/または式(2)で表される化合物を含有する。式(1)で表される化合物および/または式(2)で表される化合物は、光重合性モノマーであり、ダイマー酸またはその誘導体と、炭素-炭素二重結合を有する化合物との反応により得られる。 The component (A) contains a compound represented by formula (1) and/or a compound represented by formula (2). The compound represented by formula (1) and/or the compound represented by formula (2) is a photopolymerizable monomer, and is produced by the reaction of a dimer acid or its derivative with a compound having a carbon-carbon double bond. can get.

ダイマー酸は、不飽和脂肪酸の分子間重合反応によって得られる既知の二塩基酸であり、炭素数が11~22の不飽和脂肪酸を二量化することで得られる。工業的に得られるダイマー酸は、オレイン酸やリノール酸などの炭素数18の不飽和脂肪酸を二量化することによって得られる炭素数36の二塩基酸が主成分であるが、精製度合いによって、任意量の炭素数18のモノマー酸、炭素数54のトリマー酸および炭素数20~54の他の重合脂肪酸を含有することがある。 Dimer acid is a known dibasic acid obtained by intermolecular polymerization reaction of unsaturated fatty acids, and is obtained by dimerizing unsaturated fatty acids having 11 to 22 carbon atoms. The main component of industrially obtained dimer acids is dibasic acid with 36 carbon atoms obtained by dimerizing unsaturated fatty acids with 18 carbon atoms such as oleic acid and linoleic acid, but depending on the degree of purification, It may contain amounts of 18 carbon monomer acids, 54 carbon trimer acids and other polymerized fatty acids from 20 to 54 carbon atoms.

ダイマー酸誘導体としては、前記ダイマー酸の全てのカルボキシル基を一級ヒドロキシ基としたダイマージオール、一級アミノ基としたダイマージアミンまたは、一級チオール基としたダイマーチオールおよびイソシアネート基としたダイマーイソシアネートが挙げられる。さらに、これらの官能基が反応して得られる、エポキシ化合物、オキセタン化合物が挙げられる。 Examples of dimer acid derivatives include dimer diol in which all carboxyl groups of the dimer acid are primary hydroxy groups, dimer diamine in which all carboxyl groups are primary amino groups, dimer thiol in primary thiol groups, and dimer isocyanate in which all carboxyl groups are primary hydroxy groups. Further examples include epoxy compounds and oxetane compounds obtained by reacting these functional groups.

炭素-炭素二重結合を有する化合物は、さらにダイマー酸誘導体に反応しうる官能基を一つ含む。具体的な官能基としてはアミノ基、ヒドロキシ基、カルボキシル基あるいはその塩の置換基、エポキシ基、酸無水物基またはイソシアネート基が挙げられる。これらの官能基と、前記ダイマー酸またはその誘導体が有する官能基との反応により、式(1)で表される化合物および/または式(2)で表される化合物が得られる。 The compound having a carbon-carbon double bond further contains one functional group capable of reacting with a dimer acid derivative. Specific functional groups include amino groups, hydroxy groups, carboxyl groups or substituents of salts thereof, epoxy groups, acid anhydride groups, and isocyanate groups. By reacting these functional groups with the functional groups of the dimer acid or its derivative, a compound represented by formula (1) and/or a compound represented by formula (2) is obtained.

炭素-炭素二重結合を有する化合物としては、具体的には、N-(4-アミノフェニル)マレイミド、4-アミノスチレン、3-アミノスチレン、2-アミノスチレン、3-アミノ-1-プロペン、2-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、1-(メタ)アクリロイルオキシ-2-プロピルアルコール、2-(メタ)アクリルアミドエチルアルコール、メチロールビニルケトン、2-ヒドロキシエチルビニルケトン、2-ヒドロキシ-3-メトキシプロピル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシ-3-ブトキシプロピル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシ-3-フェノキシプロピル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシ-3-t-ブトキシプロピル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシ-3-シクロヘキシルアルコキシプロピル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシ-3-シクロヘキシロキシプロピル(メタ)アクリレート、2-(メタ)アクリロキシエチル-2-ヒドロキシプロピルフタレート、2-ビニルベンジルアルコール、3-ビニルベンジルアルコール、4-ビニルベンジルアルコールなどのエチレン性不飽和結合と水酸基を1つずつ有するアルコール、グリセリン-1、3-ジ(メタ)アクリレート、グリセリン-1、2-ジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、グリセリン-1-アリロキシ-3-メタクリレート、グリセリン-1-アリロキシ-2-メタクリレート、2-エチル-2-(ヒドロキシメチル)プロパン-1、3-ジイルビス(2-メタクリレート)、2-(アクリロイロキシ)-2-(ヒドロキシメチル)ブチルメタクリレートなどのエチレン性不飽和結合を2つ以上と水酸基を1つ有するアルコール、アクリル酸、メタクリル酸、ビニル酢酸、クロトン酸、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、ケイ皮酸およびこれらの誘導体、アクリル酸無水物、メタクリル酸無水物、イタコン酸無水物、マレイン酸無水物、4-ペンテンー1,2-ジカルボン酸無水物、5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸無水物、2-アクリロイルオキシエチルイソシアネート、2-メタクリロイルオキシエチルイソシアネートまたは1,1-(ビスアクリロイルオキシメチル)エチルイソシアネートなどが挙げられる。ここで、「(メタ)アクリレート」とは、メタクリレートまたはアクリレートを示す。類似の表記についても同様である。 Specific examples of compounds having a carbon-carbon double bond include N-(4-aminophenyl)maleimide, 4-aminostyrene, 3-aminostyrene, 2-aminostyrene, 3-amino-1-propene, 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 2-hydroxybutyl (meth)acrylate, 1-(meth)acryloyloxy-2-propyl alcohol, 2-(meth)acrylamidoethyl alcohol, methylol Vinyl ketone, 2-hydroxyethyl vinyl ketone, 2-hydroxy-3-methoxypropyl (meth)acrylate, 2-hydroxy-3-butoxypropyl (meth)acrylate, 2-hydroxy-3-phenoxypropyl (meth)acrylate, 2 -Hydroxy-3-t-butoxypropyl (meth)acrylate, 2-hydroxy-3-cyclohexylalkoxypropyl (meth)acrylate, 2-hydroxy-3-cyclohexyloxypropyl (meth)acrylate, 2-(meth)acryloxyethyl Alcohols having one ethylenically unsaturated bond and one hydroxyl group, such as -2-hydroxypropyl phthalate, 2-vinylbenzyl alcohol, 3-vinylbenzyl alcohol, and 4-vinylbenzyl alcohol, glycerin-1,3-di(meth) Acrylate, glycerin-1,2-di(meth)acrylate, trimethylolpropane di(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, dipentaerythritol penta(meth)acrylate, glycerin-1-allyloxy-3-methacrylate, Ethylene such as glycerin-1-allyloxy-2-methacrylate, 2-ethyl-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diylbis(2-methacrylate), 2-(acryloyloxy)-2-(hydroxymethyl)butyl methacrylate Alcohols having two or more sexually unsaturated bonds and one hydroxyl group, acrylic acid, methacrylic acid, vinyl acetic acid, crotonic acid, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, cinnamic acid and their derivatives, acrylic anhydride, Methacrylic anhydride, itaconic anhydride, maleic anhydride, 4-pentene-1,2-dicarboxylic anhydride, 5-norbornene-2,3-dicarboxylic anhydride, 2-acryloyloxyethyl isocyanate, 2-methacryloyl Examples include oxyethyl isocyanate and 1,1-(bisacryloyloxymethyl)ethyl isocyanate. Here, "(meth)acrylate" refers to methacrylate or acrylate. The same applies to similar notations.

ダイマー酸の市販品は、具体的には、ハリダイマー200、ハリダイマー270S(以上、商品名、ハリマ化成(株)製)、Td-205(W)、Td-395(以上、商品名、築野食品工業(株)製)、プリポール1004、プリポール1006、プリポール1009、プリポール1013、プリポール1017、プリポール1040(以上、商品名、クローダジャパン(株)製)が挙げられる。 Commercially available dimer acids include Haridimer 200, Haridimer 270S (trade names, manufactured by Harima Kasei Co., Ltd.), Td-205 (W), and Td-395 (trade names, Tsukino Foods). (manufactured by Kogyo Co., Ltd.), Pripol 1004, Pripol 1006, Pripol 1009, Pripol 1013, Pripol 1017, and Pripol 1040 (trade names, manufactured by Croda Japan Co., Ltd.).

ダイマー酸誘導体として、ダイマージオールの市販品は、ペスポールHP-1000(商品名、東亜合成(株)製)、プリポール2023(商品名、クローダジャパン(株)製)が挙げられる。ダイマージアミンの市販品は、バーサミン551、バーサミン552(以上、商品名、BASFジャパン(株))、プリアミン1071、プリアミン1073、プリアミン1074、プリアミン1075(以上、商品名、クローダジャパン(株)製)などが挙げられる。 As a dimer acid derivative, commercially available dimer diols include Pespol HP-1000 (trade name, manufactured by Toagosei Co., Ltd.) and Pripol 2023 (trade name, manufactured by Croda Japan Co., Ltd.). Commercially available products of dimer diamine include Versamine 551, Versamine 552 (all trade names, manufactured by BASF Japan Ltd.), Priamine 1071, Priamine 1073, Priamine 1074, and Priamine 1075 (all trade names, manufactured by Croda Japan Ltd.). can be mentioned.

また露光感度の観点から、前記式(1)および前記式(2)中、WおよびWの少なくとも一方並びに、WおよびWの少なくとも一方が、式(6)、式(7)、式(8)または式(9)で表される基であることが好ましい。 In addition, from the viewpoint of exposure sensitivity, in the formula (1) and the formula (2), at least one of W 1 and W 2 and at least one of W 3 and W 4 are determined by formula (6), formula (7), A group represented by formula (8) or formula (9) is preferable.

Figure 2023147245000011
Figure 2023147245000011

式(6)、式(7)、式(8)および式(9)中、K、K、K、K、LおよびLはそれぞれ独立に、-NH-、-O-、-CH-または-S-を示す。RおよびRはそれぞれ独立に単結合または炭素数1~5からなる2~6価の有機基を示す。RおよびRはそれぞれ独立に単結合または炭素数1~5からなる2価の有機基を示す。iおよびjはそれぞれ独立に、1~5の整数を示す。*は結合点を示す。 In formula (6), formula (7), formula (8) and formula (9), K 1 , K 2 , K 3 , K 4 , L 1 and L 2 each independently represent -NH-, -O- , -CH 2 - or -S-. R 1 and R 3 each independently represent a single bond or a divalent to hexavalent organic group having 1 to 5 carbon atoms. R 2 and R 4 each independently represent a single bond or a divalent organic group having 1 to 5 carbon atoms. i and j each independently represent an integer of 1 to 5. * indicates a bonding point.

前記式(1)および前記式(2)中、WおよびWの少なくとも一方並びに、WおよびWの少なくとも一方が式(6)、式(7)、式(8)または式(9)で表される基である(A)成分の具体例として式(11)等が挙げられる。 In the formula (1) and the formula (2), at least one of W 1 and W 2 and at least one of W 3 and W 4 are formula (6), formula (7), formula (8), or formula (9). ) Formula (11) etc. are mentioned as a specific example of the (A) component which is a group represented by.

Figure 2023147245000012
Figure 2023147245000012

また誘電特性低減の観点から、前記式(1)および前記式(2)中、WおよびWの少なくとも一方並びに、WおよびWの少なくとも一方が、式(6)または式(7)で表される基であって、前記式(6)および前記式(7)中、K、K、LおよびLが-NH-であることが好ましい。 In addition, from the viewpoint of reducing dielectric properties, in the formula (1) and the formula (2), at least one of W 1 and W 2 and at least one of W 3 and W 4 correspond to the formula (6) or the formula (7). In the group represented by formula (6) and formula (7), K 1 , K 2 , L 1 and L 2 are preferably -NH-.

また、前記式(1)および前記式(2)中、WおよびWの少なくとも一方並びに、WおよびWの少なくとも一方が、式(12)、式(13)、式(14)または式(15)で表される基であることがより好ましい。 Furthermore, in the formula (1) and the formula (2), at least one of W 1 and W 2 and at least one of W 3 and W 4 are represented by formula (12), formula (13), formula (14), or A group represented by formula (15) is more preferable.

Figure 2023147245000013
Figure 2023147245000013

*は結合点を示す。 * indicates a bonding point.

(A)成分は感光性樹脂組成物100質量%中、5質量%以上50質量%以下の範囲で調製することが好ましい。 Component (A) is preferably prepared in a range of 5% by mass or more and 50% by mass or less based on 100% by mass of the photosensitive resin composition.

(A)成分の製造方法について、特に限定はされず、付加反応あるいは縮合反応といった公知の合成方法を取ることができる。具体的な製造方法の一例を下記に示す。
第一工程として、窒素雰囲気下で炭素-炭素二重結合およびダイマー酸誘導体に反応しうる官能基を一つ有する化合物を反応容器に投入し、撹拌する。このとき必要であれば溶媒を加えてもよく、またさらに反応触媒または反応促進剤を加えてもよい。
溶媒としては、Fedorの方法における溶解度パラメータが10以下のものを用いることが好ましい。具体的には、トルエンやプロピレングリコールメチルエーテルアセテートなどが挙げられるがその限りではない。また2種類以上の溶媒を含有してもよい。
The method for producing component (A) is not particularly limited, and known synthesis methods such as addition reaction or condensation reaction can be used. An example of a specific manufacturing method is shown below.
In the first step, a compound having a carbon-carbon double bond and one functional group capable of reacting with a dimer acid derivative is charged into a reaction vessel under a nitrogen atmosphere and stirred. At this time, if necessary, a solvent may be added, and a reaction catalyst or a reaction promoter may also be added.
As the solvent, it is preferable to use a solvent having a solubility parameter of 10 or less according to Fedor's method. Specific examples include, but are not limited to, toluene and propylene glycol methyl ether acetate. It may also contain two or more types of solvents.

反応触媒としては、適用する反応に応じて適宜選択することができ、カルボキシル基とエポキシ基の反応の場合、例えば、テトラブチルアンモニウムアセテート等のアンモニウム系触媒、ジメチルベンジルアミン等のアミノ系触媒またはトリフェニルホスフィン等のリン系触媒等が挙げられ、イソシアネート基と、アミノ基またはヒドロキシル基の反応の場合、ジブチル錫ジラウレートなどの錫化合物または、1,4-ジアザビシクロ[2.2.2]オクタンなどの3級アミンが挙げられる。反応促進剤としては、適用する反応がカルボキシル基とアミノ基またはヒドロキシル基の縮合反応の場合に主に必要となり、ジシクロへキシルカルボジイミド、ジイソプロピルカルボジイミドなどが挙げられるが、その限りではない。 The reaction catalyst can be appropriately selected depending on the reaction to be applied, and in the case of a reaction between a carboxyl group and an epoxy group, for example, an ammonium-based catalyst such as tetrabutylammonium acetate, an amino-based catalyst such as dimethylbenzylamine, or a Examples include phosphorus-based catalysts such as phenylphosphine, and in the case of a reaction between an isocyanate group and an amino group or a hydroxyl group, tin compounds such as dibutyltin dilaurate or 1,4-diazabicyclo[2.2.2]octane etc. Examples include tertiary amines. The reaction accelerator is mainly required when the applied reaction is a condensation reaction between a carboxyl group and an amino group or a hydroxyl group, and examples thereof include, but are not limited to, dicyclohexylcarbodiimide, diisopropylcarbodiimide, and the like.

第二工程として、第一工程で調製した撹拌中の溶液にダイマー酸誘導体を滴下し、反応が終了するまで撹拌する。ダイマー酸誘導体としては、前述の市販品が好ましい。反応熱が大きい場合は、必要に応じて滴下時に冷却してもよい。
第三工程として、反応終了後、調製溶液の溶媒をエバポレーターで除去することで(A)成分が得られる。また、反応触媒または反応促進剤を用いた場合、分液処理やシリカゲルクロマトグラフィーにより除去することが好ましい。
本発明における(A)成分は核磁気共鳴装置(NMR)などを用いて同定することができる。
In the second step, the dimer acid derivative is added dropwise to the stirring solution prepared in the first step, and the mixture is stirred until the reaction is completed. As the dimer acid derivative, the above-mentioned commercial products are preferred. If the heat of reaction is large, cooling may be performed during dropping, if necessary.
As a third step, after the reaction is completed, component (A) is obtained by removing the solvent of the prepared solution using an evaporator. Furthermore, when a reaction catalyst or a reaction promoter is used, it is preferable to remove it by liquid separation treatment or silica gel chromatography.
Component (A) in the present invention can be identified using a nuclear magnetic resonance apparatus (NMR) or the like.

NMRとは、強い磁場の中に資料を置き、各スピンの向きをそろえた分子にパルス状のラジオ波を照射し、核磁気共鳴させた後、分子が元の安定状態に戻る際に発生する信号を検知して、分子構造などを解析する分析法である。NMR分析で最も多く用いられているのがH-NMRスペクトルで、ピークの化学シフトからその水素原子の置かれている環境、積分値からその水素原子の数、ピークの分裂から隣接するプロトンの影響など、分子構造に関する情報を得ることができる。特徴的な化学シフトを示す例として、アリル位の炭素に結合する水素の化学シフトは1.5-2ppm、アルケンに結合する水素原子の化学シフトは4.5-6ppm、芳香環に結合する水素原子の化学シフトは6-9ppm、アミド基に結合する水素の化学シフトは5-11ppmにピークが現れる。 NMR is a process that occurs when a material is placed in a strong magnetic field and pulsed radio waves are irradiated onto molecules with their spins aligned in the same direction, causing nuclear magnetic resonance, and then the molecules return to their original stable state. This is an analysis method that detects signals and analyzes molecular structures. The most commonly used NMR analysis is the 1H -NMR spectrum, in which the environment in which the hydrogen atom is located is determined from the chemical shift of the peak, the number of hydrogen atoms is determined from the integral value, and the number of adjacent protons is determined from the splitting of the peak. It is possible to obtain information about the molecular structure, such as its effects. As an example showing characteristic chemical shifts, the chemical shift of hydrogen bonded to an allylic carbon is 1.5-2 ppm, the chemical shift of a hydrogen atom bonded to an alkene is 4.5-6 ppm, and the chemical shift of hydrogen bonded to an aromatic ring is 1.5-2 ppm. The chemical shift of atoms appears at 6-9 ppm, and the chemical shift of hydrogen bonded to the amide group appears at 5-11 ppm.

本発明の感光性樹脂組成物は、(B)成分を含有する。
(B)成分を適宜選択することで、感光性樹脂組成物の特性および、それを硬化した硬化物の特性を制御することが出来る。
前記(B)成分は、(B1)式(3)で表される構造単位を有するポリイミド、(B2)式(4)で表される構造単位を有するポリイミド前駆体、(B3)式(5)で表される構造単位を有するポリベンゾオキサゾール前駆体、およびそれらの共重合体からなる群より選択される1種類以上を含有し、
該(B1)式(3)で表される構造単位を有するポリイミド中のフッ素原子濃度が0.1質量%以上10質量%以下であり、
該(B2)式(4)で表される構造単位を有するポリイミド前駆体中のフッ素原子濃度が0.1質量%以上10質量%以下である。
The photosensitive resin composition of the present invention contains component (B).
By appropriately selecting the component (B), it is possible to control the characteristics of the photosensitive resin composition and the characteristics of the cured product obtained by curing it.
The component (B) includes (B1) a polyimide having a structural unit represented by formula (3), (B2) a polyimide precursor having a structural unit represented by formula (4), and (B3) a polyimide precursor having a structural unit represented by formula (5). Containing one or more types selected from the group consisting of a polybenzoxazole precursor having a structural unit represented by, and a copolymer thereof,
The fluorine atom concentration in the polyimide having the structural unit represented by the formula (3) (B1) is 0.1% by mass or more and 10% by mass or less,
The fluorine atom concentration in the polyimide precursor having the structural unit represented by formula (4) (B2) is 0.1% by mass or more and 10% by mass or less.

Figure 2023147245000014
Figure 2023147245000014

式(3)中、Xは炭素数2~100の4価の有機基を示し、Yは芳香族環を一つ以上有する炭素数6~100の4価の有機基を示し、XおよびYの少なくとも一方はフッ素原子を有する。Rはフェノール性水酸基を示す。*は結合基を示す。 In formula (3), X 1 represents a tetravalent organic group having 2 to 100 carbon atoms, Y 1 represents a tetravalent organic group having 6 to 100 carbon atoms having one or more aromatic rings, and X 1 and at least one of Y 1 has a fluorine atom. R 5 represents a phenolic hydroxyl group. * indicates a bonding group.

Figure 2023147245000015
Figure 2023147245000015

式(4)中、Xは炭素数2~100の4価の有機基を示し、Yは芳香族環を一つ以上有する炭素数6~100の4価の有機基を示し、XおよびYの少なくとも一方はフッ素原子を有する。Rはフェノール性水酸基を示し、複数のRはそれぞれ独立に炭素数1~20の1価の有機基または水素原子を示す。*は結合基を示す。 In formula (4), X 2 represents a tetravalent organic group having 2 to 100 carbon atoms, Y 2 represents a tetravalent organic group having 6 to 100 carbon atoms having one or more aromatic rings, and X 2 At least one of Y 2 and Y 2 has a fluorine atom. R 7 represents a phenolic hydroxyl group, and each R 6 independently represents a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms or a hydrogen atom. * indicates a bonding group.

Figure 2023147245000016
Figure 2023147245000016

式(5)中、Xは炭素数10~20の2価の脂肪族基を示し、Rは単結合または炭素数1~100の2~6価の有機基を示し、Rは炭素数1~10の1価の有機基を示す。rは0~4の整数を示す。*は結合基を示す。 In formula (5), X 3 represents a divalent aliphatic group having 10 to 20 carbon atoms, R 8 represents a single bond or a divalent to hexavalent organic group having 1 to 100 carbon atoms, and R 9 represents a carbon Indicates a monovalent organic group of numbers 1 to 10. r represents an integer from 0 to 4. * indicates a bonding group.

特にパターン加工性の観点から、前記(B)成分は、(B2)式(4)で表される構造単位を有するポリイミド前駆体を含有することが好ましい。または特に信頼性試験後のクラック抑制の観点から、(B3)式(5)で表される構造単位を有するポリベンゾオキサゾール前駆体を含有することが好ましい。 Particularly from the viewpoint of pattern processability, the component (B) preferably contains a polyimide precursor having a structural unit represented by the formula (B2) (4). In particular, from the viewpoint of suppressing cracks after a reliability test, it is preferable to contain a polybenzoxazole precursor having a structural unit represented by formula (B3) (5).

また樹脂末端をモノアミン、酸無水物、モノカルボン酸、モノ酸クロリド化合物またはモノ活性エステル化合物などにより封止することで、感光性樹脂組成物の保存安定性を向上させることができる。またフェノール性水酸基を有するジアミンとの閉環反応による誘電特性低減の観点から、モノカルボン酸、モノ酸クロリド化合物またはモノ活性エステル化合物により樹脂末端を封止することがより好ましい。 Furthermore, the storage stability of the photosensitive resin composition can be improved by sealing the terminal end of the resin with a monoamine, an acid anhydride, a monocarboxylic acid, a monoacid chloride compound, a monoactive ester compound, or the like. Further, from the viewpoint of reducing dielectric properties due to a ring-closing reaction with a diamine having a phenolic hydroxyl group, it is more preferable to seal the resin terminal with a monocarboxylic acid, a monoacid chloride compound, or a monoactive ester compound.

前記(B)アルカリ可溶性樹脂は、式(10)で表されるいずれかの構造を1種類以上有することが好ましい。 It is preferable that the alkali-soluble resin (B) has one or more types of structures represented by formula (10).

Figure 2023147245000017
Figure 2023147245000017

式(10)中、Wは、アミノ基を有さない、炭素数1~20の1価の有機基を示し、Wは、カルボキシル基を有さない、炭素数1~20の1価の有機基を示し、Wは、カルボキシル基を有さない、炭素数3~20の2価の有機基を示す。*は炭素原子との結合部を示し、*は水素原子または炭素原子との結合部を示し、*および*は、窒素原子との結合部を示し、*は水素原子、炭素原子、窒素原子または酸素原子との結合部を示す。 In formula (10), W 5 represents a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms that does not have an amino group, and W 6 represents a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms that does not have a carboxyl group. W 7 represents a divalent organic group having 3 to 20 carbon atoms and having no carboxyl group. * 1 indicates a bond with a carbon atom, * 2 indicates a bond with a hydrogen atom or a carbon atom, * 3 and * 4 indicate a bond with a nitrogen atom, * 5 indicates a hydrogen atom, a bond with a carbon atom, Indicates a bond with an atom, nitrogen atom, or oxygen atom.

特に硬化物の耐熱性向上の観点から、前記(B)成分は、重合性不飽和結合を有する架橋性末端構造を有することが好ましく、前記(B)成分は、式(10)で表されるのいずれかの構造を1種類以上有し、かつ、前記式(10)中、Wが、重合性不飽和結合を有し、かつアミノ基を有さない炭素数2~20の1価の有機基であり、Wが、重合性不飽和結合を有し、かつカルボキシル基を有さない、炭素数2~20の1価の有機基であり、かつ、前記Wが、重合性不飽和結合を有し、かつカルボキシル基を有さない、炭素数3~20の2価の有機基であることがより好ましい。さらに誘電特性低減の観点から、前記式(10)中、結合部*とカルボニル基が結合する構造を取ることがより好ましい。 In particular, from the viewpoint of improving the heat resistance of the cured product, the component (B) preferably has a crosslinkable terminal structure having a polymerizable unsaturated bond, and the component (B) is represented by formula (10). and in the formula (10), W 5 is a monovalent C2-C20 structure having a polymerizable unsaturated bond and having no amino group. is an organic group, W 6 is a monovalent organic group having 2 to 20 carbon atoms and has a polymerizable unsaturated bond and no carboxyl group, and W 7 is a polymerizable unsaturated bond. More preferably, it is a divalent organic group having 3 to 20 carbon atoms and having a saturated bond and no carboxyl group. Furthermore, from the viewpoint of reducing dielectric properties, it is more preferable to adopt a structure in which the bonding portion * 3 and the carbonyl group are bonded in the formula (10).

Figure 2023147245000018
Figure 2023147245000018

モノアミンとしては、4-アミノフェノールなど、公知のモノアミンを用いることができる。特に硬化物の耐熱性向上の観点から、3-アミノ-1-プロピン、3-アミノ-1プロペン、3-アミノ-2-メチル-1-プロペン、4-アミノスチレンおよび4-アミノフェニルアセチレンなどが好ましい。 As the monoamine, known monoamines such as 4-aminophenol can be used. In particular, from the viewpoint of improving the heat resistance of the cured product, 3-amino-1-propyne, 3-amino-1-propene, 3-amino-2-methyl-1-propene, 4-aminostyrene, and 4-aminophenyl acetylene are used. preferable.

酸無水物、モノカルボン酸、モノ酸クロリド化合物、モノ活性エステル化合物としては、無水フタル酸など、公知の酸無水物、モノカルボン酸、モノ酸クロリド化合物、モノ活性エステル化合物を用いることができる。 As the acid anhydride, monocarboxylic acid, monoacid chloride compound, and monoactive ester compound, known acid anhydrides, monocarboxylic acids, monoacid chloride compounds, and monoactive ester compounds such as phthalic anhydride can be used.

特に硬化物の耐熱性向上の観点から、イタコン酸無水物、ナジック酸無水物、4-エチニルフタル酸無水物、4-(メチルエチニル)フタル酸無水物、4-フェニルエチニルフタル酸無水物、アクリロイルクロリド、チグロイルクロリド、シンナモイルクロリドおよびリノレオイルクロリドなどが好ましい。またフェノール性水酸基を有するジアミンとの閉環反応による誘電特性低減の観点から、モノカルボン酸、モノ酸クロリド化合物またはモノ活性エステル化合物により樹脂末端を封止することが好ましく、具体的には、アクリロイルクロリド、チグロイルクロリド、シンナモイルクロリドおよびリノレオイルクロリドなどが好ましい。 In particular, from the viewpoint of improving the heat resistance of cured products, itaconic anhydride, nadic anhydride, 4-ethynyl phthalic anhydride, 4-(methylethynyl) phthalic anhydride, 4-phenylethynylphthalic anhydride, acryloyl Preferred are chloride, tigloyl chloride, cinnamoyl chloride and linoleoyl chloride. In addition, from the viewpoint of reducing dielectric properties due to a ring-closing reaction with a diamine having a phenolic hydroxyl group, it is preferable to seal the resin terminal with a monocarboxylic acid, a monoacid chloride compound, or a monoactive ester compound. Specifically, acryloyl chloride , tigloyl chloride, cinnamoyl chloride, linoleoyl chloride, and the like are preferred.

さらに、パターン加工性、硬化物の誘電特性および信頼性試験後のクラック抑制の観点から、(B)成分は、(B)成分中の全ジアミン残基100mol%中、フェノール性水酸基を有するジアミン残基を30mol%以上90mol%以下の範囲で有することが好ましく、さらに、30mol%以上85mol%以下範囲で有することがより好ましい。 Furthermore, from the viewpoint of pattern processability, dielectric properties of the cured product, and crack suppression after reliability testing, component (B) is a diamine residue having a phenolic hydroxyl group in 100 mol% of all diamine residues in component (B). It is preferable to have the group in the range of 30 mol% or more and 90 mol% or less, and more preferably in the range of 30 mol% or more and 85 mol% or less.

前記(B1)成分としては、例えば、ポリアミド酸、ポリアミド酸エステル、ポリアミド酸アミドまたはポリイソイミドを、加熱または酸もしくは塩基などを用いた反応により、脱水閉環させることによって式(3)で表される構造単位を有するものが挙げられ、テトラカルボン酸および/またはその誘導体残基と、ジアミンおよび/またはその誘導体残基を有する。 As the component (B1), for example, a structure represented by formula (3) is obtained by dehydrating and ring-closing polyamic acid, polyamic acid ester, polyamic acid amide, or polyisoimide by heating or reaction using an acid or a base. Examples include those having a tetracarboxylic acid and/or its derivative residue, and a diamine and/or its derivative residue.

前記(B1)成分としては、式(3)中のXに相当するテトラカルボン酸および/またはその誘導体残基、および式(3)中のY(Rに相当するジアミンおよび/またはその誘導体残基の少なくともいずれかがフッ素原子を有し、(B1)成分中のフッ素原子濃度が0.1質量%以上10質量%以下である。(B1)成分中のフッ素原子濃度が上記範囲にあることで誘電特性の低減と信頼性試験後のクラック抑制を両立することができる。また、(B1)成分はジアミンおよび/またはその誘導体残基がフェノール性水酸基を有することで、(B)成分がアルカリ水溶液に可溶となる。 The component (B1) includes a tetracarboxylic acid and/or its derivative residue corresponding to X 1 in formula (3), and a diamine and/or corresponding to Y 1 (R 5 ) 2 in formula (3). or at least one of its derivative residues has a fluorine atom, and the fluorine atom concentration in component (B1) is 0.1% by mass or more and 10% by mass or less. By having the fluorine atom concentration in the component (B1) within the above range, it is possible to achieve both reduction in dielectric properties and suppression of cracks after a reliability test. Further, in component (B1), the diamine and/or its derivative residue has a phenolic hydroxyl group, so that component (B) becomes soluble in an aqueous alkaline solution.

Figure 2023147245000019
Figure 2023147245000019

式(3)中、Xは炭素数2~100の4価の有機基を示し、Yは芳香族環を一つ以上有する炭素数6~100の4価の有機基を示し、XおよびYの少なくとも一方はフッ素原子を有する。Rはフェノール性水酸基を示す。*は結合基を示す。 In formula (3), X 1 represents a tetravalent organic group having 2 to 100 carbon atoms, Y 1 represents a tetravalent organic group having 6 to 100 carbon atoms having one or more aromatic rings, and X 1 and at least one of Y 1 has a fluorine atom. R 5 represents a phenolic hydroxyl group. * indicates a bonding group.

式(3)中のXがフッ素原子を有する場合、フッ素原子を有するテトラカルボン酸またはその誘導体残基としては、例えば、2,2-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、N,N’-ビス[5,5’-ヘキサフルオロプロパン-2,2-ジイル-ビス(2-ヒドロキシフェニル)]ビス(3,4-ジカルボキシ安息香酸アミド)、または、それらのテトラカルボン酸二無水物、テトラカルボン酸二塩化物若しくはテトラカルボン酸活性ジエステルなどの残基が挙げられる。これらの残基は、(B1)成分中に単独でまたは2種以上含まれていてもよい。 When X 1 in formula (3) has a fluorine atom, examples of the fluorine atom-containing tetracarboxylic acid or derivative residue thereof include 2,2-bis(3,4-dicarboxyphenyl)hexafluoropropane, 2,2-bis(2,3-dicarboxyphenyl)hexafluoropropane, N,N'-bis[5,5'-hexafluoropropane-2,2-diyl-bis(2-hydroxyphenyl)]bis( 3,4-dicarboxybenzoic acid amide), or their tetracarboxylic dianhydrides, tetracarboxylic dichlorides, or tetracarboxylic active diesters thereof. These residues may be contained alone or in combination of two or more in the component (B1).

(B1)成分は、フッ素原子を有さない公知のテトラカルボン酸残基およびその誘導体残基を有してもよい。具体的なテトラカルボン酸またはその誘導体の残基としては、例えば、1,2,4,5-ベンゼンテトラカルボン酸(ピロメリット酸)、3,3’,4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸、2,3,3’,4’-ビフェニルテトラカルボン酸、2,2’,3,3’-ビフェニルテトラカルボン酸、1,2,5,6-ナフタレンテトラカルボン酸、1,4,5,8-ナフタレンテトラカルボン酸、2,3,6,7-ナフタレンテトラカルボン酸、3,3’,4,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸、2,2’,3,3’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸、ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)メタン、ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)メタン、1,1-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)エタン、1,1-ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)エタン、2,2-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)プロパン、2,2-ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)プロパン、2,2’-ビス[4-(3,4-ジカルボキシフェノキシ)フェニル]プロパン、ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)スルホン、ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)エーテル、2,3,5,6-ピリジンテトラカルボン酸若しくは3,4,9,10-ペリレンテトラカルボン酸、ビシクロ[2.2.2]オクタン-7-エン-2,3,5,6-テトラカルボン酸、1,2,4,5-シクロヘキサンテトラカルボン酸、1,2,3,4-シクロペンタンテトラカルボン酸、1,2,3,4-シクロブタンテトラカルボン酸若しくは2,3,4,5-テトラヒドロフランテトラカルボン酸、ブタン-1,2,3,4-テトラカルボン酸または、それらのテトラカルボン酸二無水物、テトラカルボン酸二塩化物若しくはテトラカルボン酸活性ジエステルなどの残基が挙げられる。これらの残基は、(B1)成分中に単独でまたは2種以上含まれていてもよい。 Component (B1) may have a known tetracarboxylic acid residue or its derivative residue that does not have a fluorine atom. Specific residues of tetracarboxylic acids or derivatives thereof include, for example, 1,2,4,5-benzenetetracarboxylic acid (pyromellitic acid), 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic acid, 2,3,3',4'-biphenyltetracarboxylic acid, 2,2',3,3'-biphenyltetracarboxylic acid, 1,2,5,6-naphthalenetetracarboxylic acid, 1,4,5,8 -Naphthalenetetracarboxylic acid, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic acid, 3,3',4,4'-benzophenonetetracarboxylic acid, 2,2',3,3'-benzophenonetetracarboxylic acid, bis (3,4-dicarboxyphenyl)methane, bis(2,3-dicarboxyphenyl)methane, 1,1-bis(3,4-dicarboxyphenyl)ethane, 1,1-bis(2,3-dicarboxyphenyl)methane, carboxyphenyl)ethane, 2,2-bis(3,4-dicarboxyphenyl)propane, 2,2-bis(2,3-dicarboxyphenyl)propane, 2,2'-bis[4-(3,4 -dicarboxyphenoxy)phenyl]propane, bis(3,4-dicarboxyphenyl)sulfone, bis(3,4-dicarboxyphenyl)ether, 2,3,5,6-pyridinetetracarboxylic acid or 3,4, 9,10-perylenetetracarboxylic acid, bicyclo[2.2.2]octan-7-ene-2,3,5,6-tetracarboxylic acid, 1,2,4,5-cyclohexanetetracarboxylic acid, 1, 2,3,4-cyclopentanetetracarboxylic acid, 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic acid or 2,3,4,5-tetrahydrofurantetracarboxylic acid, butane-1,2,3,4-tetracarboxylic acid Examples include acids or their residues such as tetracarboxylic dianhydrides, tetracarboxylic dichlorides, or tetracarboxylic active diesters. These residues may be contained alone or in combination of two or more in the component (B1).

式(3)中のYがフッ素原子を有する場合、フッ素原子を有するジアミンまたはその誘導体の残基としては、例えば、2,2’-ビス(トリフルオロメチル)-4,4’-ジアミノビフェニル、2,2-ビス(4-アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2-ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンまたは2,2-ビス[3-(3-アミノベンズアミド)-4-ヒドロキシフェニル]ヘキサフルオロプロパン、またはそれらのアミン部位がイソシアネート化またはトリメチルシリル化された化合物などの残基が挙げられる。また、これらの残基は、(B1)成分中に単独でまたは2種以上含まれていてもよい。 When Y 1 in formula (3) has a fluorine atom, examples of the residue of a diamine or its derivative having a fluorine atom include 2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-diaminobiphenyl , 2,2-bis(4-aminophenyl)hexafluoropropane, 2,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)hexafluoropropane or 2,2-bis[3-(3-aminobenzamide)- Examples include residues such as 4-hydroxyphenyl]hexafluoropropane, or compounds whose amine moieties are isocyanated or trimethylsilylated. Moreover, these residues may be contained alone or in combination of two or more kinds in the component (B1).

また、式(3)中のYがフッ素原子を有さない場合、フェノール性水酸基を有するジアミンまたはその誘導体の残基としては、例えば、ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)エーテル、ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)メチレン、ビス[N-(3-アミノベンゾイル)-3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル]スルホン、ビス[N-(4-アミノベンゾイル)-3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル]スルホン、ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2’-ビス[N-(3-アミノベンゾイル)-3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル]プロパン、2,2’-ビス[N-(4-アミノベンゾイル)-3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル]プロパン、9,9-ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)フルオレン、9,9-ビス[N-(3-アミノベンゾイル)-3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル]フルオレン、9,9-ビス[N-(4-アミノベンゾイル)-3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル]フルオレン、N、N’-ビス(3-アミノベンゾイル)-2,5-ジアミノ-1,4-ジヒドロキシベンゼン、N、N’-ビス(4-アミノベンゾイル)-2,5-ジアミノ-1,4-ジヒドロキシベンゼン、N、N’-ビス(4-アミノベンゾイル)-4,4’-ジアミノ-3,3-ジヒドロキシビフェニル、N、N’-ビス(3-アミノベンゾイル)-3,3’-ジアミノ-4,4-ジヒドロキシビフェニル、N、N’-ビス(4-アミノベンゾイル)-3,3’-ジアミノ-4,4-ジヒドロキシビフェニル、3,3’-ジアミノ-4,4’-ビフェノール、ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)メタン、1,1-ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)エタンまたは2,2-ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)プロパン等の残基が挙げられる。これらの残基は(B1)成分中に単独でまたは2種以上含まれていてもよい。 In addition, when Y 1 in formula (3) does not have a fluorine atom, examples of the residue of a diamine or its derivative having a phenolic hydroxyl group include bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)ether, bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)ether, (3-amino-4-hydroxyphenyl)methylene, bis[N-(3-aminobenzoyl)-3-amino-4-hydroxyphenyl]sulfone, bis[N-(4-aminobenzoyl)-3-amino-4 -hydroxyphenyl] sulfone, bis(3-amino-4-hydroxyphenyl) sulfone, bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)propane, 2,2'-bis[N-(3-aminobenzoyl)-3- Amino-4-hydroxyphenyl]propane, 2,2'-bis[N-(4-aminobenzoyl)-3-amino-4-hydroxyphenyl]propane, 9,9-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl) ) Fluorene, 9,9-bis[N-(3-aminobenzoyl)-3-amino-4-hydroxyphenyl]fluorene, 9,9-bis[N-(4-aminobenzoyl)-3-amino-4- hydroxyphenyl]fluorene, N,N'-bis(3-aminobenzoyl)-2,5-diamino-1,4-dihydroxybenzene, N,N'-bis(4-aminobenzoyl)-2,5-diamino- 1,4-dihydroxybenzene, N,N'-bis(4-aminobenzoyl)-4,4'-diamino-3,3-dihydroxybiphenyl, N,N'-bis(3-aminobenzoyl)-3,3 '-Diamino-4,4-dihydroxybiphenyl, N,N'-bis(4-aminobenzoyl)-3,3'-diamino-4,4-dihydroxybiphenyl, 3,3'-diamino-4,4'- Biphenol, bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)methane, 1,1-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)ethane or 2,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)propane, etc. Examples include residues. These residues may be contained alone or in combination of two or more kinds in component (B1).

(B1)成分は、フッ素原子およびフェノール性水酸基を有さない公知のジアミンおよび/またはその誘導体の残基を有してもよい。具体的なフッ素原子およびフェノール性水酸基を有さないのジアミンまたはその誘導体の残基としては、m-フェニレンジアミン、p-フェニレンジアミン、3,5-ジアミノ安息香酸、4,4’-ジアミノビフェニル、ビス(4-アミノフェノキシ)ビフェニル、2,2’-ジメチル-4,4’-ジアミノビフェニル、2,2’-ジエチル-4,4’-ジアミノビフェニル、3,3’-ジメチル-4,4’-ジアミノビフェニル、3,3’-ジエチル-4,4’-ジアミノビフェニル、2,2’,3,3’-テトラメチル-4,4’-ジアミノビフェニル、3,3’,4,4’-テトラメチル-4,4’-ジアミノビフェニル、ジメルカプトフェニレンジアミン、1,5-ナフタレンジアミン、2,6-ナフタレンジアミン、9,10-アントラセンジアミン、4,4’-ジアミノベンズアニリド、3,4’-ジアミノジフェニルエーテル、4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、3-カルボキシ-4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、3-スルホン酸-4,4’-ジアミノジフェニルエーテル、ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、1,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3-ビス(3-アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、3,4’-ジアミノジフェニルメタン、4,4’-ジアミノジフェニルメタン、3,3’-ジアミノジフェニルスルホン、3,4’-ジアミノジフェニルスルホン、4,4’-ジアミノジフェニルスルホン、ビス(4-アミノフェノキシフェニル)スルホン、ビス(3-アミノフェノキシフェニル)スルホン、2,7-ジアミノフルオレン、9,9-ビス(4-アミノフェニル)フルオレン、2-(4-アミノフェニル)-5-アミノベンゾオキサゾール、2-(3-アミノフェニル)-5-アミノベンゾオキサゾール、2-(4-アミノフェニル)-6-アミノベンゾオキサゾール、2-(3-アミノフェニル)-6-アミノベンゾオキサゾール、1,4-ビス(5-アミノ-2-ベンゾオキサゾリル)ベンゼン、1,4-ビス(6-アミノ-2-ベンゾオキサゾリル)ベンゼン、1,3-ビス(5-アミノ-2-ベンゾオキサゾリル)ベンゼン、1,3-ビス(6-アミノ-2-ベンゾオキサゾリル)ベンゼン、2,6-ビス(4-アミノフェニル)ベンゾビスオキサゾール、2,6-ビス(3-アミノフェニル)ベンゾビスオキサゾール、ビス[(3-アミノフェニル)-5-ベンゾオキサゾリル]、ビス[(4-アミノフェニル)-5-ベンゾオキサゾリル]、ビス[(3-アミノフェニル)-6-ベンゾオキサゾリル]、ビス[(4-アミノフェニル)-6-ベンゾオキサゾリル]、3,4’-ジアミノジフェニルスルフィド、4,4’-ジアミノジフェニルスルフィド、4-アミノ安息香酸4-アミノフェニルエステル、1,3-ビス(4-アニリノ)テトラメチルジシロキサン、エチレンジアミン、1,3-ジアミノプロパン、2-メチル-1,3-プロパンジアミン、1,4-ジアミノブタン、1,5-ジアミノペンタン、2-メチル-1,5-ジアミノペンタン、1,6-ジアミノヘキサン、1,2-シクロヘキサンジアミン、1,4-シクロヘキサンジアミン、ビス(4-アミノシクロヘキシル)メタン、1,7-ジアミノヘプタン、1,8-ジアミノオクタン、1,9-ジアミノノナン、1,10-ジアミノデカン、1,11-ジアミノウンデカン、1,12-ジアミノドデカンまたはダイマージアミン、またはそれらのアミン部位がイソシアネート化またはトリメチルシリル化された化合物の残基などが挙げられる。これらの残基は、(B1)成分中に、単独でまたは2種以上含まれていてもよい。 Component (B1) may have a residue of a known diamine and/or a derivative thereof that does not have a fluorine atom or a phenolic hydroxyl group. Specific examples of residues of diamines or derivatives thereof that do not have a fluorine atom or a phenolic hydroxyl group include m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 3,5-diaminobenzoic acid, 4,4'-diaminobiphenyl, Bis(4-aminophenoxy)biphenyl, 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 2,2'-diethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dimethyl-4,4' -diaminobiphenyl, 3,3'-diethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 2,2',3,3'-tetramethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3',4,4'- Tetramethyl-4,4'-diaminobiphenyl, dimercaptophenylenediamine, 1,5-naphthalenediamine, 2,6-naphthalenediamine, 9,10-anthracenediamine, 4,4'-diaminobenzanilide, 3,4' -diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3-carboxy-4,4'-diaminodiphenyl ether, 3-sulfonic acid-4,4'-diaminodiphenyl ether, bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]ether , 1,4-bis(4-aminophenoxy)benzene, 1,3-bis(3-aminophenoxy)benzene, 1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 4, 4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-diaminodiphenylsulfone, 3,4'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, bis(4-aminophenoxyphenyl)sulfone, bis(3-aminophenoxyphenyl) ) Sulfone, 2,7-diaminofluorene, 9,9-bis(4-aminophenyl)fluorene, 2-(4-aminophenyl)-5-aminobenzoxazole, 2-(3-aminophenyl)-5-amino Benzoxazole, 2-(4-aminophenyl)-6-aminobenzoxazole, 2-(3-aminophenyl)-6-aminobenzoxazole, 1,4-bis(5-amino-2-benzoxazolyl) Benzene, 1,4-bis(6-amino-2-benzoxazolyl)benzene, 1,3-bis(5-amino-2-benzoxazolyl)benzene, 1,3-bis(6-amino- 2-Benzoxazolyl)benzene, 2,6-bis(4-aminophenyl)benzobisoxazole, 2,6-bis(3-aminophenyl)benzobisoxazole, bis[(3-aminophenyl)-5- benzoxazolyl], bis[(4-aminophenyl)-5-benzoxazolyl], bis[(3-aminophenyl)-6-benzoxazolyl], bis[(4-aminophenyl)-6 -Benzoxazolyl], 3,4'-diaminodiphenylsulfide, 4,4'-diaminodiphenylsulfide, 4-aminobenzoic acid 4-aminophenyl ester, 1,3-bis(4-anilino)tetramethyldisiloxane , ethylenediamine, 1,3-diaminopropane, 2-methyl-1,3-propanediamine, 1,4-diaminobutane, 1,5-diaminopentane, 2-methyl-1,5-diaminopentane, 1,6- Diaminohexane, 1,2-cyclohexanediamine, 1,4-cyclohexanediamine, bis(4-aminocyclohexyl)methane, 1,7-diaminoheptane, 1,8-diaminooctane, 1,9-diaminononane, 1,10- Examples include diaminodecane, 1,11-diaminoundecane, 1,12-diaminododecane, dimer diamine, and residues of compounds whose amine moieties are isocyanated or trimethylsilylated. These residues may be contained alone or in combination of two or more kinds in the component (B1).

(B2)成分は、熱硬化性樹脂であり、高温で熱硬化させて脱水閉環させることで高耐熱性のイミド結合が形成され、ポリイミドが得ることができるものである。従って、高耐熱性のイミド結合を有するポリイミドを樹脂組成物に含有させることで、得られる硬化物の耐熱性を著しく向上させることができる。そのため、硬化物を高耐熱性が要求される用途に用いる場合などに好適である。また、(B2)成分は、脱水閉環後に耐熱性が向上する樹脂であるため、脱水閉環前の前駆体構造の特性と硬化物の耐熱性を両立させたい用途に用いる場合などに好適である。 Component (B2) is a thermosetting resin, and by thermosetting at high temperature and dehydration ring closure, a highly heat-resistant imide bond is formed and polyimide can be obtained. Therefore, by incorporating polyimide having a highly heat-resistant imide bond into the resin composition, the heat resistance of the resulting cured product can be significantly improved. Therefore, it is suitable when the cured product is used in applications requiring high heat resistance. In addition, component (B2) is a resin whose heat resistance improves after dehydration and ring closure, so it is suitable for use in applications where it is desired to achieve both the characteristics of the precursor structure before dehydration and ring closure and the heat resistance of the cured product.

(B2)成分としては、例えば、テトラカルボン酸およびその誘導体と、ジアミンおよびその誘導体とを反応させることによって(B2)式(4)で表される構造単位を有するものが挙げられる。(B2)成分としては、例えば、(B2)式(4)で表される構造単位を有する、ポリアミド酸、ポリアミド酸エステル、ポリアミド酸アミドまたはポリイソイミドが挙げられる。 Examples of the component (B2) include those having a structural unit represented by the formula (4) (B2) obtained by reacting a tetracarboxylic acid and its derivative with a diamine and its derivative. As the component (B2), for example, polyamic acid, polyamic acid ester, polyamic acid amide, or polyisoimide having a structural unit represented by formula (4) (B2) can be mentioned.

前記(B2)成分としては、式(4)中のXに相当するテトラカルボン酸および/またはその誘導体残基、および式(4)中のY(Rに相当するジアミンおよび/またはその誘導体残基の少なくともいずれかがフッ素原子を有し、(B2)成分中のフッ素原子濃度が0.1質量%以上10質量%以下である。(B2)成分中のフッ素原子濃度が上記範囲にあることで誘電特性の低減と信頼性試験後のクラック抑制を両立することができる。また、(B2)成分はジアミンおよび/またはその誘導体残基がフェノール性水酸基を有することで、アルカリ水溶液に可溶となる。 The component (B2) includes a tetracarboxylic acid and/or its derivative residue corresponding to X 2 in formula (4), and a diamine and/or corresponding to Y 2 (R 7 ) 2 in formula (4). or at least one of its derivative residues has a fluorine atom, and the fluorine atom concentration in component (B2) is 0.1% by mass or more and 10% by mass or less. By having the fluorine atom concentration in the component (B2) within the above range, it is possible to achieve both reduction in dielectric properties and suppression of cracks after a reliability test. In addition, component (B2) becomes soluble in an alkaline aqueous solution because the diamine and/or its derivative residue has a phenolic hydroxyl group.

Figure 2023147245000020
Figure 2023147245000020

式(4)中、Xは炭素数2~100の4価の有機基を示し、Yは芳香族環を一つ以上有する炭素数6~100の4価の有機基を示し、XおよびYの少なくとも一方はフッ素原子を有する。Rはフェノール性水酸基を示し、複数のRはそれぞれ独立に炭素数1~20の1価の有機基または水素原子を示す。*は結合基を示す。
さらに、硬化物の誘電特性および信頼性試験後のクラック抑制の観点から、(B2)成分中の全ジアミン残基100mol%中、フェノール性水酸基を有するジアミン残基が30mol%以上60mol%以下の範囲で有することがより好ましい。
In formula (4), X 2 represents a tetravalent organic group having 2 to 100 carbon atoms, Y 2 represents a tetravalent organic group having 6 to 100 carbon atoms having one or more aromatic rings, and X 2 At least one of Y 2 and Y 2 has a fluorine atom. R 7 represents a phenolic hydroxyl group, and each R 6 independently represents a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms or a hydrogen atom. * indicates a bonding group.
Furthermore, from the viewpoint of dielectric properties of the cured product and suppression of cracks after reliability tests, the diamine residue having a phenolic hydroxyl group is in the range of 30 mol% or more and 60 mol% or less out of 100 mol% of all diamine residues in component (B2). It is more preferable to have .

また、特にパターン加工性の観点から、式(4)中のRが炭素数1~4の1価の有機基または水素原子であることがさらに好ましい。Rの炭素数1~4の1価の有機基である場合、パターン加工性の観点から、Rはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル基、イソブチル基またはtert-ブチル基がより好ましい。 Further, particularly from the viewpoint of pattern processability, it is more preferable that R 6 in formula (4) is a monovalent organic group having 1 to 4 carbon atoms or a hydrogen atom. When R 6 is a monovalent organic group having 1 to 4 carbon atoms, from the viewpoint of pattern processability, R 6 is a methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, sec-butyl group, More preferred is an isobutyl group or a tert-butyl group.

式(4)中のXがフッ素原子を有する場合、フッ素原子を有するテトラカルボン酸またはその誘導体の残基としては、前述のものが挙げられる。これらの残基は、(B2)成分中、単独でまたは2種以上含まれていてもよい。 When X 2 in formula (4) has a fluorine atom, examples of the residue of the fluorine atom-containing tetracarboxylic acid or its derivative include those mentioned above. These residues may be contained alone or in combination of two or more kinds in component (B2).

(B2)成分は、前述のフッ素原子を有さない公知のテトラカルボン酸残基および/またはその誘導体の残基を有してもよい。それらの残基は、(B2)成分中、単独でまたは2種以上含まれていてもよい。 Component (B2) may have the above-mentioned known tetracarboxylic acid residue and/or residue of a derivative thereof that does not have a fluorine atom. These residues may be contained alone or in combination of two or more kinds in component (B2).

式(4)中のYがフッ素原子を有する場合、フッ素原子を有するジアミンまたはその誘導体の残基としては、前述のものが挙げられる。これらの残基は、(B2)成分中、単独でまたは2種以上含まれていてもよい。 When Y 2 in formula (4) has a fluorine atom, examples of the residue of the diamine or its derivative having a fluorine atom include those mentioned above. These residues may be contained alone or in combination of two or more kinds in component (B2).

式(4)中のYがフッ素原子を有さない場合、フェノール性水酸基を有するジアミンの残基としては、前述のものが挙げられる。これらの残基は、(B2)成分中、単独でまたは2種以上含んでいてもよい。 When Y 2 in formula (4) does not have a fluorine atom, examples of the diamine residue having a phenolic hydroxyl group include those mentioned above. These residues may be contained alone or in combination of two or more kinds in component (B2).

(B2)成分は、前述のフッ素原子およびフェノール性水酸基を有さない公知のジアミンおよびその誘導体の残基を有してもよい。それらの残基は、(B2)成分中、単独でまたは2種以上含まれていてよい。 Component (B2) may contain the residues of known diamines and derivatives thereof that do not have the aforementioned fluorine atom and phenolic hydroxyl group. These residues may be contained alone or in combination of two or more kinds in component (B2).

前記式(4)中、2つのRが、それぞれ独立に、炭素数1~20の1価の有機基を示すとき、X(COORは、テトラカルボン酸ジエステル残基を表す。
テトラカルボン酸ジエステルの製造方法としては、そのままテトラカルボン酸二無水物およびアルコールを溶媒中にて反応させることもできるが、反応性の観点から反応活性化剤を用いることが好ましい。反応活性剤としてはピリジン、ジメチルアミノピリジン、トリエチルアミン、N-メチルモルホリン、1,8-ジアザビシクロウンデセンなどの3級アミンがあげられる。反応活性化剤の添加量としては、反応させる酸無水物基に対して3mol%以上300mol%以下が好ましく、より好ましくは20mol%以上150mol%以下である。また、反応中にエチレン性不飽和結合部位が架橋することを防ぐ目的で、重合禁止剤を少量用いてもよい。これにより反応性が低いエチレン性不飽和結合を有するアルコール類とテトラカルボン酸二無水物との反応において、120℃以下の範囲で加熱し、反応を促進することができる。重合禁止剤としては、ハイドロキノン、4-メトキシフェノール、t-ブチルピロカテコール、ビス-t-ブチルヒドロキシトルエンなどのフェノール化合物が挙げられる。重合禁止剤の添加量としては、アルコール類のエチレン性不飽和結合に対して、重合禁止剤のフェノール性水酸基が0.1mol%以上5mol%以下が好ましい。
In the formula (4), when two R 6 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms, X 2 (COOR 6 ) 2 represents a tetracarboxylic acid diester residue.
As a method for producing a tetracarboxylic acid diester, it is possible to directly react the tetracarboxylic dianhydride and alcohol in a solvent, but it is preferable to use a reaction activator from the viewpoint of reactivity. Examples of the reaction activator include tertiary amines such as pyridine, dimethylaminopyridine, triethylamine, N-methylmorpholine, and 1,8-diazabicycloundecene. The amount of the reaction activator added is preferably 3 mol% or more and 300 mol% or less, more preferably 20 mol% or more and 150 mol% or less, based on the acid anhydride group to be reacted. Further, a small amount of a polymerization inhibitor may be used for the purpose of preventing ethylenically unsaturated bond sites from crosslinking during the reaction. Thereby, in the reaction between an alcohol having an ethylenically unsaturated bond with low reactivity and a tetracarboxylic dianhydride, the reaction can be promoted by heating in a range of 120° C. or lower. Examples of the polymerization inhibitor include phenolic compounds such as hydroquinone, 4-methoxyphenol, t-butylpyrocatechol, and bis-t-butylhydroxytoluene. The amount of the polymerization inhibitor added is preferably 0.1 mol% or more and 5 mol% or less of the phenolic hydroxyl group of the polymerization inhibitor relative to the ethylenically unsaturated bond of the alcohol.

テトラカルボン酸二無水物に反応させるアルコールは、露光感度の調整、有機溶媒への溶解性の調整など様々な目的に合わせて適宜選択できる。具体的にはメタノール、エタノール、1-プロパノール、2-プロパノール、1-ブタノール、2-ブタノール、i-ブタノール、t-ブタノール、1-ペンタノール、2-ペンタノール、3-ペンタノール、i-ペンタノールなどの脂肪族アルコールまたは、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノブチルエーテルなどのアルキレンオキサイド由来のモノアルコールなどが挙げられる。 The alcohol to be reacted with the tetracarboxylic dianhydride can be appropriately selected according to various purposes such as adjustment of exposure sensitivity and adjustment of solubility in organic solvents. Specifically, methanol, ethanol, 1-propanol, 2-propanol, 1-butanol, 2-butanol, i-butanol, t-butanol, 1-pentanol, 2-pentanol, 3-pentanol, i-pen. Aliphatic alcohols such as tanol or ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, triethylene glycol monoethyl ether, Triethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monobutyl ether, tripropylene glycol monomethyl ether, tripropylene glycol Examples include monoalcohols derived from alkylene oxides such as monoethyl ether and tripropylene glycol monobutyl ether.

また、エチレン性不飽和結合を有するアルコール類としては、水酸基を有する(メタ)アクリレートまたは不飽和脂肪酸変性アルコールが挙げられる。水酸基を有する(メタ)アクリレートとしては、2-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、1-(メタ)アクリロイルオキシ-2-プロピルアルコール、2-(メタ)アクリルアミドエチルアルコール、メチロールビニルケトン、2-ヒドロキシエチルビニルケトン、2-ヒドロキシ-3-メトキシプロピル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシ-3-ブトキシプロピル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシ-3-フェノキシプロピル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシ-3-t-ブトキシプロピル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシ-3-シクロヘキシルアルコキシプロピル(メタ)アクリレート、2-ヒドロキシ-3-シクロヘキシロキシプロピル(メタ)アクリレート、2-(メタ)アクリロキシエチル-2-ヒドロキシプロピルフタレートなどの、エチレン性不飽和結合と水酸基を1ずつ有するアルコール、グリセリン-1、3-ジ(メタ)アクリレート、グリセリン-1、2-ジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、グリセリン-1-アリロキシ-3-メタクリレート、グリセリン-1-アリロキシ-2-メタクリレート、2-エチル-2-(ヒドロキシメチル)プロパン-1、3-ジイルビス(2-メタクリレート)、2-(アクリロイロキシ)-2-(ヒドロキシメチル)ブチルメタクリレートなどの、エチレン性不飽和結合を2以上と水酸基を1有するアルコールなどが挙げられる。 Examples of alcohols having ethylenically unsaturated bonds include (meth)acrylates having hydroxyl groups or unsaturated fatty acid-modified alcohols. Examples of (meth)acrylates having a hydroxyl group include 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 2-hydroxybutyl (meth)acrylate, 1-(meth)acryloyloxy-2-propyl alcohol, 2-(meth)acrylamide ethyl alcohol, methylol vinyl ketone, 2-hydroxyethyl vinyl ketone, 2-hydroxy-3-methoxypropyl (meth)acrylate, 2-hydroxy-3-butoxypropyl (meth)acrylate, 2-hydroxy- 3-phenoxypropyl (meth)acrylate, 2-hydroxy-3-t-butoxypropyl (meth)acrylate, 2-hydroxy-3-cyclohexylalkoxypropyl (meth)acrylate, 2-hydroxy-3-cyclohexyloxypropyl (meth)acrylate Acrylate, alcohol having one ethylenically unsaturated bond and one hydroxyl group such as 2-(meth)acryloxyethyl-2-hydroxypropyl phthalate, glycerin-1,3-di(meth)acrylate, glycerin-1,2- Di(meth)acrylate, trimethylolpropane di(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, dipentaerythritol penta(meth)acrylate, glycerin-1-allyloxy-3-methacrylate, glycerin-1-allyloxy-2- Two or more ethylenically unsaturated bonds, such as methacrylate, 2-ethyl-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diylbis(2-methacrylate), and 2-(acryloyloxy)-2-(hydroxymethyl)butyl methacrylate. and alcohols having one hydroxyl group.

不飽和脂肪酸変性アルコールとしては、炭素数6以上の不飽和脂肪酸変性アルコールが挙げられる。不飽和脂肪酸変性アルコールの具体例としては、5-ヘキセンー1-オール、3-ヘキセンー1-オール、6-ヘプテン-1-オール、cis-5-オクテン-1-オール、cis-3-オクテン-1-オール、cis-3-ノネン-1-オール、cis-6-ノネン-1-オール、9-デカン-1-オール、cis-4-デカン-1-オール、10-ウンデセン-1-オール、11-ドデカン-1-オール、エライドリノレイルアルコール、オレイルアルコール、リノレイルアルコール、リノレニルアルコールおよびエルシルアルコールなどが挙げられる。 Examples of the unsaturated fatty acid denatured alcohol include unsaturated fatty acid denatured alcohols having 6 or more carbon atoms. Specific examples of unsaturated fatty acid denatured alcohols include 5-hexen-1-ol, 3-hexen-1-ol, 6-hepten-1-ol, cis-5-octen-1-ol, cis-3-octen-1 -ol, cis-3-nonen-1-ol, cis-6-nonen-1-ol, 9-decan-1-ol, cis-4-decan-1-ol, 10-undecen-1-ol, 11 -dodecane-1-ol, elidolinoleyl alcohol, oleyl alcohol, linoleyl alcohol, linolenyl alcohol, and erucyl alcohol.

特にパターン加工性の観点から、メタノール、エタノール、1-プロパノール、2-プロパノール、1-ブタノール、2-ブタノール、i-ブタノールおよびt-ブタノールがより好ましい。 In particular, from the viewpoint of pattern processability, methanol, ethanol, 1-propanol, 2-propanol, 1-butanol, 2-butanol, i-butanol and t-butanol are more preferred.

前記(B2)成分中の全カルボン酸と全カルボン酸エステルの合計を100mol%としたとき、(B2)成分中の全カルボン酸エステルの割合を(B2)成分のエステル化率とする。このときパターン加工性および保存安定性の観点から、(B2)成分のエステル化率が10mol%以上40mol%以下の範囲となることが好ましい。また、式(4)で表される構造単位を有する共重合体の場合は、式(4)で表される構造単位を有する共重合体中の全カルボン酸と全カルボン酸エステルの合計を100mol%としたとき、式(4)で表される構造単位を有する共重合体中の全カルボン酸エステルの割合を式(4)で表される構造単位を有する共重合体のエステル化率とする。 When the total of all carboxylic acids and all carboxylic esters in the component (B2) is 100 mol%, the ratio of all the carboxylic esters in the component (B2) is defined as the esterification rate of the component (B2). At this time, from the viewpoint of pattern processability and storage stability, the esterification rate of component (B2) is preferably in the range of 10 mol% or more and 40 mol% or less. In addition, in the case of a copolymer having a structural unit represented by formula (4), the total of all carboxylic acids and all carboxylic acid esters in the copolymer having a structural unit represented by formula (4) is 100 mol. %, the proportion of all carboxylic acid esters in the copolymer having the structural unit represented by formula (4) is the esterification rate of the copolymer having the structural unit represented by formula (4). .

本発明におけるエステル化率はNMR測定などから容易に導出することができる。具体的には、ポリイミド前駆体中の全芳香族環水素由来のピーク強度と、全テトラカルボン酸およびその誘導体残基、および全ジカルボン酸およびその誘導体残基中の全カルボン酸エステルのエステル基に直接結合している炭化水素の水素由来のピーク強度を比較する方法があげられる。 The esterification rate in the present invention can be easily derived from NMR measurements and the like. Specifically, the peak intensity derived from all aromatic ring hydrogens in the polyimide precursor and the ester groups of all the carboxylic acid esters in all the tetracarboxylic acids and their derivative residues, and all the dicarboxylic acids and their derivative residues. One method is to compare the peak intensities derived from hydrogen of directly bonded hydrocarbons.

(B3)成分は、熱硬化性樹脂であり、高温で熱硬化させて脱水閉環させることで高耐熱性かつ剛直なベンゾオキサゾール環が形成され、ポリベンゾオキサゾールが得られる。従って、高耐熱性かつ剛直なベンゾオキサゾール環を有するポリベンゾオキサゾールを樹脂組成物に含有させることで、得られる硬化物の耐熱性を著しく向上させることができる。そのため、硬化物を高耐熱性が要求される用途に用いる場合などに好適である。また、(B3)成分は、脱水閉環後に耐熱性が向上する樹脂であるため、脱水閉環前の前駆体構造の特性と硬化物の耐熱性を両立させたい用途に用いる場合などに好適である。 Component (B3) is a thermosetting resin, and by thermosetting at high temperature and dehydration ring closure, a highly heat resistant and rigid benzoxazole ring is formed, and polybenzoxazole is obtained. Therefore, by incorporating a polybenzoxazole having a highly heat resistant and rigid benzoxazole ring into a resin composition, the heat resistance of the resulting cured product can be significantly improved. Therefore, it is suitable when the cured product is used in applications requiring high heat resistance. In addition, since component (B3) is a resin whose heat resistance improves after dehydration and ring closure, it is suitable for use in applications where it is desired to achieve both the characteristics of the precursor structure before dehydration and ring closure and the heat resistance of the cured product.

(B3)成分としては、例えば、ジカルボン酸およびその誘導体と、ジアミンとしてビスアミノフェノール化合物などとを反応させることによって得られる式(5)で表される構造単位を有するポリヒドロキシアミドが挙げられる。 As the component (B3), for example, a polyhydroxyamide having a structural unit represented by formula (5) obtained by reacting a dicarboxylic acid or its derivative with a bisaminophenol compound or the like as a diamine can be mentioned.

前記(B3)成分としては、ジカルボン酸残基の炭素数が10~20であることで信頼性試験後のクラック発生が抑制できる。 As for the component (B3), if the number of carbon atoms in the dicarboxylic acid residue is 10 to 20, the occurrence of cracks after the reliability test can be suppressed.

Figure 2023147245000021
Figure 2023147245000021

式(5)中、Xは炭素数10~20の2価の脂肪族基を示し、Rは単結合または炭素数1~100の2~6価の有機基を示し、Rは炭素数1~10の1価の有機基を示す。rは0~4の整数を示す。*は結合基を示す。 In formula (5), X 3 represents a divalent aliphatic group having 10 to 20 carbon atoms, R 8 represents a single bond or a divalent to hexavalent organic group having 1 to 100 carbon atoms, and R 9 represents a carbon Indicates a monovalent organic group of numbers 1 to 10. r represents an integer from 0 to 4. * indicates a bonding group.

はジカルボン酸残基を示す。Xが炭素数10~20の2価の脂肪族基となるジカルボン酸の残基の例としては、1,10-デカンジカルボン酸、ブラッシル酸、1,12-ドデカンジカルボン酸、ペンタデカン二酸、タプシン酸、ヘプタデカン二酸、オクタデカン二酸またはノナデカン二酸などの残基が挙げられる。 X3 represents a dicarboxylic acid residue. Examples of dicarboxylic acid residues in which X 3 is a divalent aliphatic group having 10 to 20 carbon atoms include 1,10-decanedicarboxylic acid, brassylic acid, 1,12-dodecanedicarboxylic acid, pentadecanedioic acid, Residues such as thapsic acid, heptadecanedioic acid, octadecanedioic acid or nonadecanedioic acid may be mentioned.

さらに樹脂末端をモノアミン、酸無水物、モノカルボン酸、モノ酸クロリド化合物、モノ活性エステル化合物などにより封止することで、感光性樹脂組成物の保存安定性を向上させることができる。またフェノール性水酸基を有するジアミンとの閉環反応による誘電特性低減の観点から、モノカルボン酸、モノ酸クロリド化合物またはモノ活性エステル化合物により樹脂末端を封止することがより好ましい。 Furthermore, the storage stability of the photosensitive resin composition can be improved by sealing the resin terminal with a monoamine, an acid anhydride, a monocarboxylic acid, a monoacid chloride compound, a monoactive ester compound, or the like. Further, from the viewpoint of reducing dielectric properties due to a ring-closing reaction with a diamine having a phenolic hydroxyl group, it is more preferable to seal the resin terminal with a monocarboxylic acid, a monoacid chloride compound, or a monoactive ester compound.

また、硬化物の耐熱性向上の観点から、(B3)成分は、(B3)成分中の全ジカルボン酸残基100mol%中、炭素数10~20の脂肪族基からなるジカルボン酸残基を10mol%以上50mol%以下の範囲で有することが好ましい。 In addition, from the viewpoint of improving the heat resistance of the cured product, component (B3) contains 10 mol of dicarboxylic acid residues consisting of aliphatic groups having 10 to 20 carbon atoms in 100 mol% of all dicarboxylic acid residues in component (B3). % or more and 50 mol% or less.

(B3)成分は、式(5)で表され得る構造単位以外の構造単位を有することができる。Xが炭素数10~20の2価の脂肪族基とならないジカルボン酸の残基の例としては、テレフタル酸、イソフタル酸、ダイマー酸、ジフェニルエーテルジカルボン酸、ビス(カルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビフェニルジカルボン酸、ベンゾフェノンジカルボン酸、トリフェニルジカルボン酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸またはセバシン酸などの残基があげられる。これらの残基はは、(B3)成分中、単独でまたは2種以上含まれていてもよい。 The component (B3) can have a structural unit other than the structural unit that can be represented by formula (5). Examples of dicarboxylic acid residues in which X 3 is not a divalent aliphatic group having 10 to 20 carbon atoms include terephthalic acid, isophthalic acid, dimer acid, diphenyl ether dicarboxylic acid, bis(carboxyphenyl)hexafluoropropane, and biphenyl. Mention may be made of residues such as dicarboxylic acid, benzophenonedicarboxylic acid, triphenyldicarboxylic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, suberic acid, azelaic acid or sebacic acid. These residues may be contained alone or in combination of two or more in component (B3).

(Rは、ビスアミノフェノールの残基を示す。R(Rの例としては、例えば、ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)エーテル、ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)メチレン、ビス[N-(3-アミノベンゾイル)-3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル]スルホン、ビス[N-(4-アミノベンゾイル)-3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル]スルホン、ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2’-ビス[N-(3-アミノベンゾイル)-3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル]プロパン、2,2’-ビス[N-(4-アミノベンゾイル)-3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル]プロパン、9,9-ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)フルオレン、9,9-ビス[N-(3-アミノベンゾイル)-3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル]フルオレン、9,9-ビス[N-(4-アミノベンゾイル)-3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル]フルオレン、N、N’-ビス(3-アミノベンゾイル)-2,5-ジアミノ-1,4-ジヒドロキシベンゼン、N、N’-ビス(4-アミノベンゾイル)-2,5-ジアミノ-1,4-ジヒドロキシベンゼン、N、N’-ビス(4-アミノベンゾイル)-4,4’-ジアミノ-3,3-ジヒドロキシビフェニル、N、N’-ビス(3-アミノベンゾイル)-3,3’-ジアミノ-4,4-ジヒドロキシビフェニル、N、N’-ビス(4-アミノベンゾイル)-3,3’-ジアミノ-4,4-ジヒドロキシビフェニル、3,3’-ジアミノ-4,4’-ビフェノール、ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)メタン、1,1-ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)エタン、2,2-ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)プロパン、2,2-ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンまたは2,2-ビス[3-(3-アミノベンズアミド)-4-ヒドロキシフェニル]ヘキサフルオロプロパン等の残基があげられる。 R 8 (R 9 ) r represents a bisaminophenol residue. Examples of R 8 (R 9 ) r include bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)ether, bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)methylene, bis[N-(3-aminobenzoyl) -3-amino-4-hydroxyphenyl] sulfone, bis[N-(4-aminobenzoyl)-3-amino-4-hydroxyphenyl] sulfone, bis(3-amino-4-hydroxyphenyl) sulfone, bis(3-amino-4-hydroxyphenyl) sulfone, -amino-4-hydroxyphenyl)propane, 2,2'-bis[N-(3-aminobenzoyl)-3-amino-4-hydroxyphenyl]propane, 2,2'-bis[N-(4-amino benzoyl)-3-amino-4-hydroxyphenyl]propane, 9,9-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)fluorene, 9,9-bis[N-(3-aminobenzoyl)-3-amino- 4-hydroxyphenyl]fluorene, 9,9-bis[N-(4-aminobenzoyl)-3-amino-4-hydroxyphenyl]fluorene, N,N'-bis(3-aminobenzoyl)-2,5- Diamino-1,4-dihydroxybenzene, N,N'-bis(4-aminobenzoyl)-2,5-diamino-1,4-dihydroxybenzene, N,N'-bis(4-aminobenzoyl)-4, 4'-diamino-3,3-dihydroxybiphenyl, N,N'-bis(3-aminobenzoyl)-3,3'-diamino-4,4-dihydroxybiphenyl, N,N'-bis(4-aminobenzoyl) )-3,3'-diamino-4,4-dihydroxybiphenyl, 3,3'-diamino-4,4'-biphenol, bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)methane, 1,1-bis(3 -amino-4-hydroxyphenyl)ethane, 2,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)propane, 2,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)hexafluoropropane or 2,2- Examples include residues such as bis[3-(3-aminobenzamido)-4-hydroxyphenyl]hexafluoropropane.

また(B)成分は、ポリアミドとの共重合体となってもよい。 Moreover, the component (B) may be a copolymer with polyamide.

ポリアミドとしては、例えば、ジカルボン酸と、ジアミン化合物とをポリリン酸を用いた反応により、脱水縮合させることによって得られ、下記式(16)で表される構造単位を含有するものが挙げられる。 Examples of the polyamide include those obtained by dehydration condensation of a dicarboxylic acid and a diamine compound by reaction using polyphosphoric acid, and containing a structural unit represented by the following formula (16).

Figure 2023147245000022
Figure 2023147245000022

式(16)において、XおよびYは、2価の有機基を示す。Xは前述のジカルボン酸および/またはその誘導体残基を示し、Yは前述のビスアミノフェノール化合物を除くジアミン化合物および/またはその誘導体残基を示す。*は結合点を示す。 In formula (16), X 4 and Y 4 represent a divalent organic group. X 4 represents the above-mentioned dicarboxylic acid and/or its derivative residue, and Y 4 represents the above-mentioned diamine compound and/or its derivative residue other than the bis-aminophenol compound. * indicates a bonding point.

樹脂組成物中、(B)成分の含有量は、(A)成分100質量部に対して、膜厚1μm以上の塗布膜を形成させるため、10質量部以上含有することが好ましく、得られる硬化物の誘電率および誘電正接を十分に低減させるために、500質量部以下含有することが好ましい。 In the resin composition, the content of component (B) is preferably 10 parts by mass or more in order to form a coating film with a thickness of 1 μm or more per 100 parts by mass of component (A), and the resulting cured In order to sufficiently reduce the dielectric constant and dielectric loss tangent of the material, it is preferable to contain 500 parts by mass or less.

本発明の感光性樹脂組成物は、(C)成分を含有する。(C)成分を含有することで、露光時に(A)成分の架橋反応を開始する活性種が発生し、続く現像工程を経て、パターン加工が可能となる。(C)成分は、露光によりラジカルを発生する化合物であれば特に制限はないが、アルキルフェノン化合物、アミノベンゾフェノン化合物、ジケトン化合物、ケトエステル化合物、ホスフィンオキサイド化合物、オキシムエステル化合物および安息香酸エステル化合物が感度、安定性、合成容易性に優れるため好ましい。中でも、感度の観点からアルキルフェノン化合物、オキシムエステル化合物が好ましく、オキシムエステル化合物が特に好ましい。また、加工膜厚が5μm以上の厚膜の場合、解像度の観点からホスフィンオキサイド化合物が好ましい。 The photosensitive resin composition of the present invention contains component (C). By containing component (C), active species that initiate the crosslinking reaction of component (A) are generated during exposure, and pattern processing becomes possible through the subsequent development step. Component (C) is not particularly limited as long as it is a compound that generates radicals upon exposure to light, but alkylphenone compounds, aminobenzophenone compounds, diketone compounds, ketoester compounds, phosphine oxide compounds, oxime ester compounds, and benzoic acid ester compounds are most sensitive. , is preferred because of its excellent stability and ease of synthesis. Among these, alkylphenone compounds and oxime ester compounds are preferred from the viewpoint of sensitivity, and oxime ester compounds are particularly preferred. Further, in the case of a thick film having a processed film thickness of 5 μm or more, a phosphine oxide compound is preferable from the viewpoint of resolution.

アルキルフェノン化合物としては、公知のものを含有することができる。例えば、2-メチル-[4-(メチルチオ)フェニル]-2-モルフォリノプロパン-1-オン、2-ジメチルアミノ-2-(4-メチルベンジル)-1-(4-モルフォリン-4-イル-フェニル)-ブタン-1-オンまたは2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-(4-モルフォリノフェニル)-ブタノン-1などのα-アミノアルキルフェノン化合物、2-ヒドロキシ-2-メチル-1-フェニルプロパン-1-オンなどのα-ヒドロキシアルキルフェノン化合物、4-ベンゾイル-4-メチルフェニルケトンなどのα-アルコキシアルキルフェノン化合物、p-t-ブチルジクロロアセトフェノンなどのアセトフェノン化合物が挙げられる。 As the alkylphenone compound, known compounds can be included. For example, 2-methyl-[4-(methylthio)phenyl]-2-morpholinopropan-1-one, 2-dimethylamino-2-(4-methylbenzyl)-1-(4-morpholin-4-yl α-Aminoalkylphenone compounds such as -phenyl)-butan-1-one or 2-benzyl-2-dimethylamino-1-(4-morpholinophenyl)-butanone-1, 2-hydroxy-2-methyl-1 Examples include α-hydroxyalkylphenone compounds such as -phenylpropan-1-one, α-alkoxyalkylphenone compounds such as 4-benzoyl-4-methylphenylketone, and acetophenone compounds such as pt-butyldichloroacetophenone.

これらの中でも、2-メチル-[4-(メチルチオ)フェニル]-2-モルフォリノプロパン-1-オン、2-ジメチルアミノ-2-(4-メチルベンジル)-1-(4-モルフォリン-4-イル-フェニル)-ブタン-1-オンまたは2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-(4-モルフォリノフェニル)-ブタノン-1などのα-アミノアルキルフェノン化合物が、感度が高いため好ましい。 Among these, 2-methyl-[4-(methylthio)phenyl]-2-morpholinopropan-1-one, 2-dimethylamino-2-(4-methylbenzyl)-1-(4-morpholin-4 α-Aminoalkylphenone compounds such as -yl-phenyl)-butan-1-one or 2-benzyl-2-dimethylamino-1-(4-morpholinophenyl)-butanone-1 are preferred because of their high sensitivity.

アミノベンゾフェノン化合物としては、公知のものを含有することができる。例えば、4,4-ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノンなどが挙げられる。
ジケトン化合物としては、ベンジルなど公知のものが挙げられる。
ケトエステル化合物としては、ベンゾイルギ酸メチル、ベンゾイルギ酸エチルなど公知のものが挙げられる。
As the aminobenzophenone compound, known ones can be included. Examples include 4,4-bis(dimethylamino)benzophenone.
Examples of diketone compounds include known ones such as benzyl.
Examples of the ketoester compound include known ones such as methyl benzoylformate and ethyl benzoylformate.

ホスフィンオキサイド化合物としては、公知のものを含有することができる。例えば、6-トリメチルベンゾイルフェニルホスフィンオキサイド、ビス(2,4,6-トリメチルベンゾイル)-フェニルホスフィンオキサイド、ビス(2,6-ジメトキシベンゾイル)-(2,4,4-トリメチルペンチル)-ホスフィンオキサイドが挙げられる。 As the phosphine oxide compound, known compounds can be included. For example, 6-trimethylbenzoylphenylphosphine oxide, bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)-phenylphosphine oxide, bis(2,6-dimethoxybenzoyl)-(2,4,4-trimethylpentyl)-phosphine oxide Can be mentioned.

オキシムエステル化合物としは、例えば、1-フェニル-1,2-プロパンジオン-2-(o-エトキシカルボニル)オキシム、1-[9-エチル-6-(2-メチルベンゾイル)-9H-カルバゾール-3-イル]-,1-(0-アセチルオキシム)、NCI-831、NCI-930(以上、ADEKA(株)製)、OXE-03,OXE-04(以上、BASF(株)製)などが挙げられる。 Examples of oxime ester compounds include 1-phenyl-1,2-propanedione-2-(o-ethoxycarbonyl)oxime, 1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)-9H-carbazole-3 -yl]-,1-(0-acetyloxime), NCI-831, NCI-930 (manufactured by ADEKA Corporation), OXE-03, OXE-04 (manufactured by BASF Corporation), etc. It will be done.

これらの中でも、感度の観点から、1-[9-エチル-6-(2-メチルベンゾイル)-9H-カルバゾール-3-イル]-,1-(0-アセチルオキシム)、2-オクタンジオン,1-[4-(フェニルチオ)-2-(O-ベンゾイルオキシム)]、NCI-831、NCI-930、OXE-03,OXE-04が好ましい。 Among these, from the viewpoint of sensitivity, 1-[9-ethyl-6-(2-methylbenzoyl)-9H-carbazol-3-yl]-,1-(0-acetyloxime), 2-octanedione, 1 -[4-(phenylthio)-2-(O-benzoyloxime)], NCI-831, NCI-930, OXE-03, and OXE-04 are preferred.

安息香酸エステル化合物としては、o-ベンゾイル安息香酸メチル、p-ジメチルアミノ安息香酸エチル、4-(ジメチルアミノ)安息香酸2-エチルヘキシルなど公知のものが挙げられる。 Examples of the benzoic acid ester compound include known ones such as methyl o-benzoylbenzoate, ethyl p-dimethylaminobenzoate, and 2-ethylhexyl 4-(dimethylamino)benzoate.

前記(C)成分の、その他の具体例としてはトリフェニルホスフィン、四臭素化炭素、トリブロモフェニルスルホンなど公知のものが挙げられる。 Other specific examples of component (C) include known ones such as triphenylphosphine, carbon tetrabromide, and tribromophenyl sulfone.

(C)成分の含有量としては、(A)成分と(B)成分の和を100質量部とした場合、0.5質量部以上20質量部以下が、十分な感度が得られ、かつ熱硬化時の脱ガス量が抑えられるため、好ましい。中でも、1.0質量部以上10質量部以下がより好ましい。 Regarding the content of component (C), when the sum of components (A) and (B) is 100 parts by mass, a content of 0.5 parts by mass or more and 20 parts by mass or less is sufficient for obtaining sufficient sensitivity and heat resistance. This is preferable because the amount of outgassing during curing can be suppressed. Among these, 1.0 parts by mass or more and 10 parts by mass or less is more preferable.

(C)成分の機能を高める目的で増感剤を含んでもよい。増感剤を含有することで、感度の向上や感光波長の調整が可能となる。増感剤としては、公知のものを含有することができる。ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノン、ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、ジエチルチオキサントン、N-フェニルジエタノールアミン、N-フェニルグリシン、7-ジエチルアミノ-3-ベンゾイルクマリン、7-ジエチルアミノ-4-メチルクマリン、N-フェニルモルホリンおよびこれらの誘導体などが挙げられるが、これらに限定されない。 A sensitizer may be included for the purpose of enhancing the function of component (C). By containing a sensitizer, it becomes possible to improve the sensitivity and adjust the sensitive wavelength. As the sensitizer, known ones can be included. Bis(dimethylamino)benzophenone, bis(diethylamino)benzophenone, diethylthioxanthone, N-phenyldiethanolamine, N-phenylglycine, 7-diethylamino-3-benzoylcoumarin, 7-diethylamino-4-methylcoumarin, N-phenylmorpholine and these Examples include, but are not limited to, derivatives of.

感光性樹脂組成物は、架橋剤を含有してもよい。架橋剤は、熱により架橋する官能基を有する化合物であり、具体的な官能基としては、エポキシ基、オキセタン基およびメチロール基等が挙げられる。 The photosensitive resin composition may contain a crosslinking agent. The crosslinking agent is a compound having a functional group that can be crosslinked by heat, and specific examples of the functional group include an epoxy group, an oxetane group, and a methylol group.

エポキシ化合物としては公知のものを含有することができる。例えば、エポライト(登録商標) 40E、エポライト 100E、エポライト 200E、エポライト 400E、エポライト 70P、エポライト 200P、エポライト 400P、エポライト 1500NP、エポライト 80MF、エポライト 4000、エポライト 3002(以上、商品名、共栄社化学(株)製)、デナコールEX-212L、デナコールEX-214L、デナコールEX-216L、デナコールEX-321L、デナコールEX-850L(以上、商品名、ナガセケムテックス(株)製)、エピコート828、エピコート1002、エピコート1750、エピコート1007、YX8100-BH30、E1256、E4250、E4275(以上、商品名、ジャパンエポキシレジン(株)製)、エピクロンEXA-9583、エピクロンN695、HP4032、HP7200(以上、商品名、大日本インキ化学工業(株)製)、VG3101(商品名、三井化学(株)製)、テピックS、テピックG、テピックP(以上、商品名、日産化学工業(株)製)、エポトートYH-434L(商品名、東都化成(株)製)、GAN、GOT、EPPN502H、NC3000またはNC6000(以上、商品名、日本化薬(株)製)などが挙げられる。 Known epoxy compounds can be included. For example, Epolite (registered trademark) 40E, Epolite 100E, Epolite 200E, Epolite 400E, Epolite 70P, Epolite 200P, Epolite 400P, Epolite 1500NP, Epolite 80MF, Epolite 4000, Epolite 3002 (all product names, manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.) ), Denacol EX-212L, Denacol EX-214L, Denacol EX-216L, Denacol EX-321L, Denacol EX-850L (trade names, manufactured by Nagase ChemteX Co., Ltd.), Epicote 828, Epicote 1002, Epicote 1750, Epicort 1007, YX8100-BH30, E1256, E4250, E4275 (all product names, manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.), Epiclon EXA-9583, Epiclon N695, HP4032, HP7200 (all product names, manufactured by Dainippon Ink and Chemicals Co., Ltd.) (manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.), VG3101 (product name, manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.), Tepic S, Tepic G, Tepic P (product names, manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd.), Epotote YH-434L (product name, Toto (manufactured by Kasei Co., Ltd.), GAN, GOT, EPPN502H, NC3000 or NC6000 (all trade names, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.).

オキセタン化合物として公知のものを含有することができる。例えば、OXT-101、OXT-121、OXT-212、OXT-221(以上、商品名、東亜合成(株)製)、エタナコールEHO、エタナコールOXBP、エタナコールOXTP、エタナコールOXMA、エタナコールOXIPA(以上、商品名、宇部興産(株)製)またはオキセタン化フェノールノボラックなどが挙げられる。 It may contain known oxetane compounds. For example, OXT-101, OXT-121, OXT-212, OXT-221 (trade names manufactured by Toagosei Co., Ltd.), etanacol EHO, etanacol OXBP, etanacol OXTP, etanacol OXMA, etanacol OXIPA (trade names) (manufactured by Ube Industries, Ltd.) or oxetanated phenol novolak.

メチロール化合物としては公知のものを含有することができる。例えば、DML-PC、DML-PEP、DML-OC、DML-OEP、DML-34X、DML-PTBP、DML-PCHP、DML-OCHP、DML-PFP、DML-PSBP、DML-POP、DML-MBOC、DML-MBPC、DML-MTrisPC、DML-BisOC-Z、DML-BisOCHP-Z、DML-BPC、DML-BisOC-P、DMOM-PC、DMOM-PTBP、DMOM-MBPC、TriML-P、TriML-35XL、TML-HQ、TML-BP、TML-pp-BPF、TML-BPE、TML-BPA、TML-BPAF、TML-BPAP、TMOM-BP、TMOM-BPE、TMOM-BPA、TMOM-BPAF、TMOM-BPAP、HML-TPPHBA、HML-TPHAP、HMOM-TPPHBA、HMOM-TPHAP(以上、商品名、本州化学工業(株)製)、NIKALAC(登録商標) MX-290、NIKALAC MX-280、NIKALAC MX-270、NIKALAC MX-279、NIKALAC MW-100LM、NIKALAC MX-750LM(以上、商品名、(株)三和ケミカル製)が挙げられる。 Known methylol compounds can be included. For example, DML-PC, DML-PEP, DML-OC, DML-OEP, DML-34X, DML-PTBP, DML-PCHP, DML-OCHP, DML-PFP, DML-PSBP, DML-POP, DML-MBOC, DML-MBPC, DML-MTrisPC, DML-BisOC-Z, DML-BisOCHP-Z, DML-BPC, DML-BisOC-P, DMOM-PC, DMOM-PTBP, DMOM-MBPC, TriML-P, TriML-35XL, TML-HQ, TML-BP, TML-pp-BPF, TML-BPE, TML-BPA, TML-BPAF, TML-BPAP, TMOM-BP, TMOM-BPE, TMOM-BPA, TMOM-BPAF, TMOM-BPAP, HML-TPPHBA, HML-TPHAP, HMOM-TPPHBA, HMOM-TPHAP (all product names, manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.), NIKALAC (registered trademark) MX-290, NIKALAC MX-280, NIKALAC MX-270, NIKALAC Examples include MX-279, NIKALAC MW-100LM, and NIKALAC MX-750LM (trade names, manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.).

感光性樹脂組成物は、溶媒を含有してもよい。溶媒としては、N-メチル-2-ピロリドン、γ-ブチロラクトン、γ-バレロラクトン、δ-バレロラクトン、N,N-ジメチルホルムアミド、N,N-ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、1,3-ジメチル-2-イミダゾリジノン、N,N’-ジメチルプロピレン尿素、N,N‐ジメチルイソ酪酸アミド、メトキシ-N,N-ジメチルプロピオンアミドなどの極性の非プロトン性溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテルなどのエーテル類、アセトン、メチルエチルケトン、ジイソブチルケトンなどのケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸プロピル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、3-メチル-3-メトキシブチルアセテートなどのエステル類、乳酸エチル、乳酸メチル、ジアセトンアルコール、3-メチル-3-メトキシブタノールなどのアルコール類、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類等が挙げられる。これらを2種以上含有してもよい。 The photosensitive resin composition may contain a solvent. As a solvent, N-methyl-2-pyrrolidone, γ-butyrolactone, γ-valerolactone, δ-valerolactone, N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, 1,3-dimethyl-2 - Polar aprotic solvents such as imidazolidinone, N,N'-dimethylpropylene urea, N,N-dimethylisobutyric acid amide, methoxy-N,N-dimethylpropionamide, tetrahydrofuran, dioxane, propylene glycol monomethyl ether, propylene Ethers such as glycol monoethyl ether, ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, diisobutyl ketone, esters such as ethyl acetate, butyl acetate, isobutyl acetate, propyl acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate Examples include alcohols such as ethyl lactate, methyl lactate, diacetone alcohol, and 3-methyl-3-methoxybutanol, and aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene. Two or more types of these may be contained.

溶媒の含有量は、(A)成分100質量部に対して、組成物を溶解させるため、100質量部以上含有することが好ましく、膜厚1μm以上の塗布膜を形成させるため、1,500質量部以下含有することが好ましい。 The content of the solvent is preferably 100 parts by mass or more in order to dissolve the composition per 100 parts by mass of component (A), and 1,500 parts by mass in order to form a coating film with a thickness of 1 μm or more. It is preferable that the content be less than 1 part.

感光性樹脂組成物は、公知の酸化防止剤、界面活性剤、密着性向上剤を含有してもよい。 The photosensitive resin composition may contain a known antioxidant, surfactant, and adhesion improver.

本発明の硬化物は本発明の感光性樹脂組成物を硬化した硬化物である。 The cured product of the present invention is a cured product obtained by curing the photosensitive resin composition of the present invention.

硬化物は、感光性樹脂組成物を基材に塗布し、溶媒揮発のため乾燥させる。その後、必要に応じて露光および露光後ベーク工程を実施した後、150℃~350℃の温度を加え硬化させることで得ることができる。この加熱処理はある温度を選び、段階的に昇温するか、ある温度範囲を選び連続的に昇温しながら5分間~5時間実施する。一例としては、130℃、200℃で各30分ずつ熱処理する。本発明においてのキュア条件の下限としては170℃以上が好ましいが、十分に硬化を進行させるために180℃以上であることがより好ましい。また、キュア条件の上限に特に制限はないが、膜収縮や応力を抑える観点から280℃以下が好ましく、250℃以下がより好ましく、230℃以下がさらに好ましい。 The cured product is obtained by applying the photosensitive resin composition to a base material and drying it to evaporate the solvent. Thereafter, after carrying out an exposure and post-exposure baking process as necessary, it can be obtained by curing by applying a temperature of 150° C. to 350° C. This heat treatment is carried out either by selecting a certain temperature and increasing the temperature stepwise, or by selecting a certain temperature range and increasing the temperature continuously for 5 minutes to 5 hours. For example, heat treatment is performed at 130° C. and 200° C. for 30 minutes each. The lower limit of the curing conditions in the present invention is preferably 170° C. or higher, and more preferably 180° C. or higher to allow curing to proceed sufficiently. Further, there is no particular restriction on the upper limit of the curing conditions, but from the viewpoint of suppressing film shrinkage and stress, it is preferably 280°C or lower, more preferably 250°C or lower, and even more preferably 230°C or lower.

硬化物をパターン加工する場合、樹脂組成物を塗布工程、乾燥工程、露光工程、現像工程、露光後ベーク工程、加熱硬化する工程等を有する公知の方法でパターン加工すればよい。 When patterning the cured product, the resin composition may be patterned by a known method including a coating process, a drying process, an exposure process, a development process, a post-exposure baking process, a heat curing process, and the like.

本発明の電子部品は本発明の硬化物を有する。 The electronic component of the present invention has the cured product of the present invention.

本発明の感光性樹脂組成物により形成した硬化物は、電子部品を構成する絶縁膜、保護膜として使用することができる。 A cured product formed from the photosensitive resin composition of the present invention can be used as an insulating film or a protective film constituting electronic components.

ここで、電子部品としては、トランジスタ、ダイオード、集積回路(IC)、メモリなどの半導体を有する能動部品、抵抗、キャパシタ、インダクタなどの受動部品が挙げられる。また、半導体を用いた電子部品を半導体装置または半導体パッケージとも称する。 Here, examples of electronic components include active components including semiconductors such as transistors, diodes, integrated circuits (ICs), and memories, and passive components such as resistors, capacitors, and inductors. Further, an electronic component using a semiconductor is also referred to as a semiconductor device or a semiconductor package.

電子部品内の硬化物の具体例としては、半導体のパッシベーション膜、半導体素子、TFT(Thin Film Transistor)などの表面保護膜、2~10層の高密度実装用多層配線における再配線間の層間絶縁膜などの層間絶縁膜、タッチパネルディスプレーの絶縁膜、保護膜、有機電界発光素子の絶縁層などの用途に好適に用いられるが、これに制限されず、様々な構造をとることができる。 Specific examples of cured products in electronic components include passivation films for semiconductors, surface protection films for semiconductor elements, TFTs (Thin Film Transistors), etc., and interlayer insulation between rewirings in multilayer wiring for high-density packaging of 2 to 10 layers. It is suitably used for applications such as an interlayer insulating film such as a film, an insulating film for a touch panel display, a protective film, an insulating layer for an organic electroluminescent device, etc., but is not limited thereto and can take various structures.

また、硬化物を形成する基板表面は用途、工程によって適宜選択できるが、シリコン、セラミックス、ガラス、金属、エポキシ樹脂などが挙げられ、同一面内にこれらが複数配置されていてもよい。 Further, the surface of the substrate on which the cured product is formed can be appropriately selected depending on the application and process, and examples thereof include silicon, ceramics, glass, metal, and epoxy resin, and a plurality of these may be arranged within the same surface.

以下、実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。まず、各実施例および比較例における評価方法について説明する。評価には、あらかじめ平均孔径1μmのポリテトラフルオロエチレン製のフィルター(住友電気工業(株)製)で濾過した硬化前の感光性樹脂組成物(以下ワニスと呼ぶ)を用いた。 The present invention will be described below with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples. First, evaluation methods in each example and comparative example will be explained. For the evaluation, an uncured photosensitive resin composition (hereinafter referred to as varnish) that had been filtered in advance through a polytetrafluoroethylene filter (manufactured by Sumitomo Electric Industries, Ltd.) with an average pore diameter of 1 μm was used.

(1)パターン加工性
ワニスをシリコンウエハにスピンコーター(ミカサ(株)製1H-360S)を用いてスピンコートした後、ホットプレート(大日本スクリーン製造(株)製SCW-636)を用いて120℃で3分間プリベークし、膜厚11μmのプリベーク膜を作製した。得られたプリベーク膜に、パラレルライトマスクアライナー(以下PLAという)(キヤノン(株)製PLA-501F)を用いて超高圧水銀灯を光源として、30μmの、1:1のライン&スペースのパターンを有するマスクを介してコンタクトで500mJ/cm露光(g,h,i線混合)した。
(1) Pattern processability After spin-coating varnish on a silicon wafer using a spin coater (1H-360S manufactured by Mikasa Co., Ltd.), the varnish was coated on a silicon wafer using a hot plate (SCW-636 manufactured by Dainippon Screen Manufacturing Co., Ltd.) for 120 minutes. Prebaking was performed at ℃ for 3 minutes to produce a prebaked film having a thickness of 11 μm. A parallel light mask aligner (hereinafter referred to as PLA) (PLA-501F manufactured by Canon Inc.) was used to form a 30 μm 1:1 line and space pattern on the obtained prebaked film using an ultra-high pressure mercury lamp as a light source. Exposure was performed at 500 mJ/cm 2 (g, h, i-ray mixture) through a contact through a mask.

その後、120℃で1分間露光後ベークをし、塗布現像装置MARK-7を用いて現像を行った。2.38質量%のテトラメチルアンモニウム(TMAH)水溶液でパドル現像し、ついで純水でリンスした。 Thereafter, post-exposure baking was performed at 120° C. for 1 minute, and development was performed using a coating and developing device MARK-7. Paddle development was performed with a 2.38% by mass aqueous solution of tetramethylammonium (TMAH), and then rinsed with pure water.

現像開始から60秒後にパターン加工部における、30μmの、1:1のライン&スペースにおけるスペース部を観察した。スペース部に残渣が残っている場合は、さらに60秒追加現像した後に、同スペース部を観察し、完全に残渣が無くなるまで60秒の追加現像と観察を繰り返した。リンスは各追加現像の後に20秒間ずつ実施した。現像開始の時間を0秒とし、現像時間が60秒で加工できたものをA、合計現像時間が120秒で加工できたものをB、180秒で加工できたものをC、240秒以上で加工できたものをD、240秒以上の現像でも加工できなかったものをEとして、現像性を評価した。 60 seconds after the start of development, a 30 μm 1:1 line and space space in the patterned area was observed. If any residue remained in the space, the space was observed after additional development for 60 seconds, and 60 seconds of additional development and observation were repeated until the residue was completely removed. Rinsing was performed for 20 seconds after each additional development. When the development start time is 0 seconds, A is the one that can be processed in 60 seconds, B is that the total development time is 120 seconds, C is that is the one that can be processed in 180 seconds, and C is the one that can be processed in 240 seconds or more. The developability was evaluated as D for those that could be processed, and E for those that could not be processed even after 240 seconds or more of development.

現像後に膜厚を測定し、プリベーク膜厚を100としたときの露光部の現像後膜厚をプリベーク膜厚で割った残膜率を測定した。残膜率が80%以上のものを感度A、65%以上80%未満をB、50%以上65%未満をC、50%未満をDとして、感度を評価した。なお、膜厚は大日本スクリーン製造(株)製ラムダエースSTM-602を用いて屈折率1.629で測定した。以下に記載する膜厚も同様である。 The film thickness was measured after development, and the remaining film ratio was calculated by dividing the post-development film thickness of the exposed area by the pre-bake film thickness, assuming that the pre-bake film thickness was 100. Sensitivity was evaluated as A when the remaining film rate was 80% or more, B when it was 65% or more and less than 80%, C when it was 50% or more and less than 65%, and D when it was less than 50%. The film thickness was measured using Lambda Ace STM-602 manufactured by Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. with a refractive index of 1.629. The same applies to the film thickness described below.

(2)誘電特性の評価
ワニスを6インチのシリコンウエハ上に、120℃で3分間のプリベーク後の膜厚が11μmとなるように塗布現像装置Mark-7を用いてスピンコート法で塗布およびプリベークした後、PLAを用いて全面に500mJ/cmを露光し、イナートオーブンCLH-21CD-S(光洋サーモシステム(株)製)を用いて、酸素濃度20ppm以下で3.5℃/分で220℃まで昇温し、220℃で1時間加熱処理を行なった。温度が50℃以下になったところでシリコンウエハを取り出し、45質量%のフッ化水素酸に5分間浸漬することで、ウエハより樹脂組成物の硬化物を剥がした。この膜を幅3cm、長さ10cmの短冊状に切断し、室温23.0℃、湿度45.0%RH下で、ASTMD2520準拠の摂動方式空洞共振器法により周波数1GHzにおける誘電率および誘電正接を測定した。誘電特性を以下の表1の通り、5段階で判定した。
(2) Evaluation of dielectric properties Varnish was applied and prebaked on a 6-inch silicon wafer using a spin coating method using a coating and developing device Mark-7 so that the film thickness after prebaking at 120°C for 3 minutes was 11 μm. After that, the entire surface of the PLA was exposed to 500 mJ/cm 2 , and an inert oven CLH-21CD-S (manufactured by Koyo Thermo System Co., Ltd.) was used to expose the entire surface to 220 mJ/cm at 3.5°C/min at an oxygen concentration of 20 ppm or less. The temperature was raised to .degree. C., and heat treatment was performed at 220.degree. C. for 1 hour. When the temperature reached 50° C. or below, the silicon wafer was taken out and immersed in 45% by mass hydrofluoric acid for 5 minutes to peel off the cured resin composition from the wafer. This film was cut into strips with a width of 3 cm and a length of 10 cm, and the dielectric constant and dielectric loss tangent at a frequency of 1 GHz were measured at a room temperature of 23.0°C and a humidity of 45.0% RH using the perturbation method cavity resonator method in accordance with ASTM D2520. It was measured. The dielectric properties were evaluated in five stages as shown in Table 1 below.

Figure 2023147245000023
Figure 2023147245000023

(3)耐熱性の評価
前述の「(2)誘電特性の評価」と同様にして硬化物の自立膜を作製し、この方法で得た硬化物を3.0cm×1.5cmになるように片刃で切り出し、熱機械分析装置(セイコーインスツル製、TMA/SS6100)を用いて窒素気流下80mL/min条件下において、10℃/minの速度で25℃から400℃まで昇温し測定した。評価基準は以下の通り、3段階で評価した。ガラス転移点が高いほうが硬化物の耐熱性が高いことを表す。
A:ガラス転移点の値が180℃以上
B:ガラス転移点の値が150℃以上180℃未満
C:ガラス転移点の値が150℃未満
(4)クラック試験
銅配線でのクラック耐性評価を行うにあたり、以下の評価基板を準備した。8インチシリコンウエハ上に、厚み5μm、直径250μmの円柱型銅配線を、銅配線の中心間距離が500μmとなるように等間隔に作成した。これを評価基板として使用した。
(3) Evaluation of heat resistance A self-supporting film of the cured product was prepared in the same manner as in the above "(2) Evaluation of dielectric properties", and the cured product obtained by this method was diluted to a size of 3.0 cm x 1.5 cm. It was cut out with a single blade and measured by increasing the temperature from 25°C to 400°C at a rate of 10°C/min under nitrogen flow at 80 mL/min using a thermomechanical analyzer (TMA/SS6100, manufactured by Seiko Instruments). The evaluation criteria were as follows, and the evaluation was performed in three stages. The higher the glass transition point, the higher the heat resistance of the cured product.
A: Glass transition point value is 180°C or more B: Glass transition point value is 150°C or more and less than 180°C C: Glass transition point value is less than 150°C (4) Crack test Perform crack resistance evaluation on copper wiring. For this purpose, we prepared the following evaluation board. Cylindrical copper interconnections having a thickness of 5 μm and a diameter of 250 μm were formed on an 8-inch silicon wafer at equal intervals so that the distance between the centers of the copper interconnects was 500 μm. This was used as an evaluation board.

ワニスを上記評価基板上に、120℃で3分間の加熱処理後の膜厚が11μmとなるよう、塗布現像装置Mark-7を用いてスピンコート法で塗布およびプリベークを行い、プリベーク膜を作製した。 The varnish was applied onto the above evaluation substrate using a spin coating method using a coating and developing device Mark-7 so that the film thickness after heat treatment at 120° C. for 3 minutes was 11 μm, and prebaking was performed to prepare a prebaked film. .

得られたプリベーク膜はPLA用いて円柱型銅配線上に150μmの円形開口パターンが形成できるようなマスクを用いて、500mJ/cmの露光量で露光した。その後、120℃で1分間露光後ベークをし、塗布現像装置MARK-7を用いて現像を行った。2.38質量%のテトラメチルアンモニウム(TMAH)水溶液を用いて円形のパターンが開口するまで現像し、次いで純水でリンスし、振り切り乾燥を行った。 The obtained prebaked film was exposed to light at an exposure dose of 500 mJ/cm 2 using a PLA mask capable of forming a circular opening pattern of 150 μm on a cylindrical copper wiring. Thereafter, post-exposure baking was performed at 120° C. for 1 minute, and development was performed using a coating and developing device MARK-7. It was developed using a 2.38% by mass aqueous solution of tetramethylammonium (TMAH) until a circular pattern was opened, then rinsed with pure water, and dried by shaking it off.

その後、パターン膜をイナートオーブンCLH-21CD-Sを用いて、窒素気流下において酸素濃度20ppm以下で50℃から3.5℃/分で220℃まで昇温し、220℃で1時間加熱処理を行い、パターン形成膜を硬化させて硬化物を得た。温度が50℃以下になったところで評価基板(以後試料とする)を取り出した。 Thereafter, the patterned film was heated from 50°C to 220°C at a rate of 3.5°C/min under a nitrogen stream with an oxygen concentration of 20 ppm or less using an inert oven CLH-21CD-S, and heat-treated at 220°C for 1 hour. The pattern-forming film was cured to obtain a cured product. When the temperature became 50° C. or lower, the evaluation board (hereinafter referred to as a sample) was taken out.

次に、試料を冷熱サイクル試験機(条件:-65℃~150℃)に投入し、200サイクル処理を行った。その後、試料を取り出し、光学顕微鏡を用いて硬化物クラックの有無を観察した。基板中央、基板4端部を各2箇所ずつ計10箇所観察し、クラック発生数0個のものを極めて良好としてA、クラック発生数1~2個のものを良好としてB、クラック発生数3~4個のものをやや不良としてC、クラック発生数5個以上のものを不良としてD、と評価した。クラック発生数が少ないほどクラック耐性が良いことを示す。
(5)保存安定性
ワニスの粘度をE型回転粘度計(東機産業(株)製)にて測定した後、密閉容器に入れ、その容器を23.0℃の恒温槽で14日間放置した。その後再度粘度を測定し、その変化率を計算した。その計算結果で得られた粘度変化率が、5%未満のものを極めて良好としてA、5%以上10%未満のものを良好としてB、10%以上15%未満のものを普通としてC、15%以上のものを不安定としてD、と評価した。
Next, the sample was placed in a thermal cycle tester (conditions: -65°C to 150°C) and subjected to 200 cycles. Thereafter, the sample was taken out and the presence or absence of cracks in the cured product was observed using an optical microscope. A total of 10 locations were observed, two at the center of the board and two at each of the four edges of the board. Those with zero cracks were considered to be extremely good; A, those with 1 to 2 cracks were considered good; B, and those with 3 to 2 cracks. Those with 4 cracks were rated as slightly poor and rated as C, and those with 5 or more cracks were rated as poor and rated as D. The smaller the number of cracks, the better the crack resistance.
(5) Storage stability After measuring the viscosity of the varnish using an E-type rotational viscometer (manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd.), it was placed in a sealed container, and the container was left in a constant temperature bath at 23.0°C for 14 days. . Thereafter, the viscosity was measured again and the rate of change was calculated. If the viscosity change rate obtained from the calculation result is less than 5%, it is considered to be very good.A is considered to be very good.If it is 5% or more and less than 10%, it is considered to be good.If it is 10% or more and less than 15%, it is considered to be normal.C. % or more was considered unstable and evaluated as D.

以下、合成例、実施例で使用する化合物の略称を記載する。
プリアミン1075:ダイマージアミン化合物(商品名、クローダジャパン(株)製)(平均アミン価:205)
カレンズAOI:2-アクリロイルオキシエチルイソシアネート(商品名、昭和電工(株)製)
ポリフロー77:アクリル系界面活性剤(商品名、共栄社化学(株)製)
ABPS:ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)スルホン
BAHF:2,2-ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパ

BPE:ビス(4-クロロカルボニルフェニル)エーテル
DCP-A:ジシクロペンタジエンジメタクリレート(商品名、共栄社化学(株)製)
DAE:4,4’-ジアミノジフェニルエーテル
DFA:ジメチルホルムアミドジメチルアセタール
EL:乳酸エチル
HxOH:1-ヘキサノール
IRGANOX3114:ヒンダードフェノール系酸化防止剤(商品名、BASF(株)製)
MOM:4-[1,1-ビス[4-ヒドロキシ-3,5-ビス(メトキシメチル)フェニル]エチル]-2,6-ビス(メトキシメチル)フェノール
NA:5-ノルボルネン-2,3-ジカルボン酸無水物
NCI-831:光重合開始剤(商品名、(株)ADEKA製)
NMP:N-メチル-2-ピロリドン
ODPA:3,3’,4,4’-ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物
BMI-689:マレイミド基を有する下記構造の多官能モノマー(商品名、Designer Molcules Inc.製)
Below, abbreviations of compounds used in synthesis examples and examples are described.
Priamine 1075: Dimer diamine compound (trade name, manufactured by Croda Japan Co., Ltd.) (average amine value: 205)
Karenz AOI: 2-acryloyloxyethyl isocyanate (trade name, manufactured by Showa Denko K.K.)
Polyflow 77: Acrylic surfactant (trade name, manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.)
ABPS: bis(3-amino-4-hydroxyphenyl) sulfone BAHF: 2,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane BPE: bis(4-chlorocarbonylphenyl) ether DCP-A: di Cyclopentadiene dimethacrylate (trade name, manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.)
DAE: 4,4'-diaminodiphenyl ether DFA: Dimethylformamide dimethyl acetal EL: Ethyl lactate HxOH: 1-hexanol IRGANOX3114: Hindered phenol antioxidant (trade name, manufactured by BASF Corporation)
MOM: 4-[1,1-bis[4-hydroxy-3,5-bis(methoxymethyl)phenyl]ethyl]-2,6-bis(methoxymethyl)phenol NA: 5-norbornene-2,3-dicarvone Acid anhydride NCI-831: Photopolymerization initiator (trade name, manufactured by ADEKA Co., Ltd.)
NMP: N-methyl-2-pyrrolidone ODPA: 3,3',4,4'-diphenyl ether tetracarboxylic dianhydride BMI-689: Polyfunctional monomer with the following structure having a maleimide group (trade name, Designer Molcules Inc.) made)

Figure 2023147245000024
Figure 2023147245000024

U-847:ウレタン基を有する下記構造の多官能モノマー(商品名、Designer Molcules Inc.製) U-847: Polyfunctional monomer with the following structure having a urethane group (trade name, manufactured by Designer Molcules Inc.)

Figure 2023147245000025
Figure 2023147245000025

[合成例1 多官能モノマー(M-1)の合成]
乾燥窒素気流下、三口フラスコに、カレンズAOI 28.22g(0.20mol)およびトルエン28.22gを投入し撹拌した。さらにトルエン53.50gにプリアミン1075を53.50g(0.10mol)を溶解させた溶液を滴下した。滴下終了後、室温で12時間撹拌した後に、エバポレーターでトルエンを除いて多官能モノマー(M-1)を得た。得られた多官能モノマーの構造の同定に核磁気共鳴装置(日本電子(株)製、JNM-ECZ400R)を用いた。結果を下記に示す。
H-NMR(DMSO):6.4(d、2H)、6.0-6.2(m、6H)、5.8(d、2H)、4.3(m、4H)、3.4(m、4H)、3.1(m、4H)、1.2-1.5(m、60H)、0.9(t、6H)。
[Synthesis Example 1 Synthesis of polyfunctional monomer (M-1)]
Under a stream of dry nitrogen, 28.22 g (0.20 mol) of Karenz AOI and 28.22 g of toluene were placed in a three-necked flask and stirred. Furthermore, a solution of 53.50 g (0.10 mol) of preamine 1075 dissolved in 53.50 g of toluene was added dropwise. After the dropwise addition was completed, the mixture was stirred at room temperature for 12 hours, and then toluene was removed using an evaporator to obtain a polyfunctional monomer (M-1). A nuclear magnetic resonance apparatus (manufactured by JEOL Ltd., JNM-ECZ400R) was used to identify the structure of the obtained polyfunctional monomer. The results are shown below.
1 H-NMR (DMSO): 6.4 (d, 2H), 6.0-6.2 (m, 6H), 5.8 (d, 2H), 4.3 (m, 4H), 3. 4 (m, 4H), 3.1 (m, 4H), 1.2-1.5 (m, 60H), 0.9 (t, 6H).

Figure 2023147245000026
Figure 2023147245000026

[合成例2 ポリイミド(P-1)の合成]
乾燥窒素気流下、三口フラスコに、BAHF18.31g(0.050mol)、ABPS14.02g(0.050mol)を、NMP200.0gに溶解させた。ここに、NMP50.00gにODPAを31.02g(0.10mol)溶かした溶液を添加し、50℃で4時間攪拌した。その後、キシレン15gを添加し、水をキシレンとともに共沸しながら、150℃で5時間攪拌した。反応終了後、反応溶液を水3Lに投入し、析出した固体沈殿をろ過して得た。得られた固体を水で3回洗浄した後、80℃の真空乾燥機で24時間乾燥し、ポリイミド(P-1)を得た。
[Synthesis Example 2 Synthesis of polyimide (P-1)]
Under a stream of dry nitrogen, 18.31 g (0.050 mol) of BAHF and 14.02 g (0.050 mol) of ABPS were dissolved in 200.0 g of NMP in a three-necked flask. A solution of 31.02 g (0.10 mol) of ODPA dissolved in 50.00 g of NMP was added thereto, and the mixture was stirred at 50° C. for 4 hours. Thereafter, 15 g of xylene was added, and the mixture was stirred at 150° C. for 5 hours while water was azeotroped with the xylene. After the reaction was completed, the reaction solution was poured into 3 L of water, and the precipitated solid precipitate was filtered. The obtained solid was washed three times with water and then dried in a vacuum dryer at 80° C. for 24 hours to obtain polyimide (P-1).

[合成例3 ポリイミド(P-2)の合成]
乾燥窒素気流下、三口フラスコに、BAHF18.31g(0.050mol)、ABPS14.02g(0.050mol)、末端封止剤として無水フタル酸2.96g(0.020mol)をNMP200.0gに溶解させた。ここに、NMP40.00gにODPAを27.92g(0.090mol)溶かした溶液を添加し、50℃で4時間攪拌した。その後、キシレン15gを添加し、水をキシレンとともに共沸しながら、150℃で5時間攪拌した。反応終了後、反応溶液を水3Lに投入し、析出した固体沈殿をろ過して得た。得られた固体を水で3回洗浄した後、80℃の真空乾燥機で24時間乾燥し、ポリイミド(P-2)を得た。
[Synthesis Example 3 Synthesis of polyimide (P-2)]
Under a stream of dry nitrogen, 18.31 g (0.050 mol) of BAHF, 14.02 g (0.050 mol) of ABPS, and 2.96 g (0.020 mol) of phthalic anhydride as an end-capping agent were dissolved in 200.0 g of NMP in a three-necked flask. Ta. A solution of 27.92 g (0.090 mol) of ODPA dissolved in 40.00 g of NMP was added thereto, and the mixture was stirred at 50° C. for 4 hours. Thereafter, 15 g of xylene was added, and the mixture was stirred at 150° C. for 5 hours while water was azeotroped with the xylene. After the reaction was completed, the reaction solution was poured into 3 L of water, and the precipitated solid precipitate was filtered. The obtained solid was washed three times with water and then dried in a vacuum dryer at 80° C. for 24 hours to obtain polyimide (P-2).

[合成例4 ポリイミド(P-3)の合成]
乾燥窒素気流下、三口フラスコに、BAHF14.65g(0.040mol)、ABPS14.02g(0.050mol)、末端封止剤としてアニリン1.86g(0.020mol)をNMP200.0gに溶解させた。ここに、NMP40.00gにODPAを31.02g(0.10mol)溶かした溶液を添加し、50℃で4時間攪拌した。その後、キシレン15gを添加し、水をキシレンとともに共沸しながら、150℃で5時間攪拌した。反応終了後、反応溶液を水3Lに投入し、析出した固体沈殿をろ過して得た。得られた固体を水で3回洗浄した後、80℃の真空乾燥機で24時間乾燥し、ポリイミド(P-3)を得た。
[Synthesis Example 4 Synthesis of polyimide (P-3)]
Under a stream of dry nitrogen, 14.65 g (0.040 mol) of BAHF, 14.02 g (0.050 mol) of ABPS, and 1.86 g (0.020 mol) of aniline as an end-blocking agent were dissolved in 200.0 g of NMP in a three-necked flask. A solution of 31.02 g (0.10 mol) of ODPA dissolved in 40.00 g of NMP was added thereto, and the mixture was stirred at 50° C. for 4 hours. Thereafter, 15 g of xylene was added, and the mixture was stirred at 150° C. for 5 hours while water was azeotroped with the xylene. After the reaction was completed, the reaction solution was poured into 3 L of water, and the precipitated solid precipitate was filtered. The obtained solid was washed three times with water and then dried in a vacuum dryer at 80° C. for 24 hours to obtain polyimide (P-3).

[合成例5 ポリイミド(P-4)の合成]
乾燥窒素気流下、三口フラスコに、BAHF18.31g(0.050mol)、ABPS14.02g(0.050mol)をNMP200.0gに溶解させた。ここに、NMP40.00gにODPAを27.92g(0.090mol)溶かした溶液を添加し、50℃で4時間攪拌した。その後、キシレン15gを添加し、水をキシレンとともに共沸しながら、150℃で5時間攪拌した。反応終了後、末端封止剤として、NMP10gにアセチルクロリドを1.57g(0.020mol)溶かした溶液を添加し、20℃で2時間攪拌し、次いで50℃で2時間攪拌した。反応終了後、反応溶液を水3Lに投入し、析出した固体沈殿をろ過して得た。得られた固体を水で3回洗浄した後、80℃の真空乾燥機で24時間乾燥し、ポリイミド(P-4)を得た。
[Synthesis Example 5 Synthesis of polyimide (P-4)]
Under a stream of dry nitrogen, 18.31 g (0.050 mol) of BAHF and 14.02 g (0.050 mol) of ABPS were dissolved in 200.0 g of NMP in a three-necked flask. A solution of 27.92 g (0.090 mol) of ODPA dissolved in 40.00 g of NMP was added thereto, and the mixture was stirred at 50° C. for 4 hours. Thereafter, 15 g of xylene was added, and the mixture was stirred at 150° C. for 5 hours while water was azeotroped with the xylene. After the reaction was completed, a solution of 1.57 g (0.020 mol) of acetyl chloride dissolved in 10 g of NMP was added as an end-capping agent, and the mixture was stirred at 20°C for 2 hours and then at 50°C for 2 hours. After the reaction was completed, the reaction solution was poured into 3 L of water, and the precipitated solid precipitate was filtered. The obtained solid was washed three times with water and then dried in a vacuum dryer at 80° C. for 24 hours to obtain polyimide (P-4).

[合成例6 ポリイミド(P-5)の合成]
無水フタル酸2.96g(0.020mol)をNA3.28g(0.020mol)に替えた以外は合成例3と同様に実施し、ポリイミド(P-5)を得た。
[Synthesis Example 6 Synthesis of polyimide (P-5)]
Polyimide (P-5) was obtained in the same manner as Synthesis Example 3 except that 2.96 g (0.020 mol) of phthalic anhydride was replaced with 3.28 g (0.020 mol) of NA.

[合成例7 ポリイミド(P-6)の合成]
アニリン1.86g(0.020mol)を4-アミノスチレン2.38g(0.020mol)に替えた以外は合成例4と同様に実施し、ポリイミド(P-6)を得た。
[Synthesis Example 7 Synthesis of polyimide (P-6)]
Polyimide (P-6) was obtained in the same manner as in Synthesis Example 4, except that 1.86 g (0.020 mol) of aniline was replaced with 2.38 g (0.020 mol) of 4-aminostyrene.

[合成例8 ポリイミド(P-7)の合成]
アセチルクロリド1.57g(0.020mol)をシンナモイルクロリド3.33g(0.020mol)に替えた以外は合成例5と同様に実施し、ポリイミド(P-7)を得た。
[Synthesis Example 8 Synthesis of polyimide (P-7)]
Polyimide (P-7) was obtained in the same manner as in Synthesis Example 5, except that 1.57 g (0.020 mol) of acetyl chloride was replaced with 3.33 g (0.020 mol) of cinnamoyl chloride.

[合成例9 ポリイミド(P-8)の合成]
BAHF18.31g(0.050mol)、ABPS14.02g(0.050mol)を、BAHF9.16g(0.025mol)、DAE15.02g(0.075mol)に替えた以外は合成例6と同様に実施し、ポリイミド(P-8)を得た。
[Synthesis Example 9 Synthesis of polyimide (P-8)]
Performed in the same manner as Synthesis Example 6 except that 18.31 g (0.050 mol) of BAHF and 14.02 g (0.050 mol) of ABPS were replaced with 9.16 g (0.025 mol) of BAHF and 15.02 g (0.075 mol) of DAE. Polyimide (P-8) was obtained.

[合成例10 ポリイミド(P-9)の合成]
BAHF18.31g(0.050mol)、ABPS14.02g(0.050mol)を、BAHF18.31g(0.050mol)、ABPS9.81g(0.035mol)、DAE3.00g(0.015mol)に替えた以外は合成例6と同様に実施し、ポリイミド(P-9)を得た。
[Synthesis Example 10 Synthesis of polyimide (P-9)]
Except that BAHF18.31g (0.050mol) and ABPS14.02g (0.050mol) were replaced with BAHF18.31g (0.050mol), ABPS9.81g (0.035mol), and DAE3.00g (0.015mol). The same procedure as in Synthesis Example 6 was carried out to obtain polyimide (P-9).

[合成例11 ポリイミド(P-10)の合成]
BAHF18.31g(0.050mol)、ABPS14.02g(0.050mol)を、BAHF12.82g(0.035mol)、DAE13.02g(0.065mol)に替えた以外は合成例6と同様に実施し、ポリイミド(P-10)を得た。
[Synthesis Example 11 Synthesis of polyimide (P-10)]
Performed in the same manner as Synthesis Example 6 except that 18.31 g (0.050 mol) of BAHF and 14.02 g (0.050 mol) of ABPS were replaced with 12.82 g (0.035 mol) of BAHF and 13.02 g (0.065 mol) of DAE. Polyimide (P-10) was obtained.

[合成例12 ポリイミド前駆体(P-11)の合成]
乾燥窒素気流下、三口フラスコに、ODPA27.92g(0.090mol)、末端封止材として、NAを3.28g(0.020mol)を入れ、さらにHxOH2.04g(0.020mol)とNMP200.0mlを入れて室温下で、撹拌しながらトリエチルアミン2.02g(0.020mol)を加えて反応混合物を得た。反応による発熱の終了後に室温まで放冷し、16時間放置した。次に、温度を40℃まで昇温し、(2,3-ジヒドロ-2-チオキソ-3-ベンゾオキサゾリル)ホスホン酸ジフェニル7.67g(0.020mol)を反応混合物に加え、30分間攪拌した。更に室温で2時間撹拌した後、BAHF18.31g(0.050mol)ABPS5.61g(0.020mol)、DAE6.01g(0.030mol)、NMPを50.00g加えて1時間撹拌し、反応液を得た。得られた反応液を室温まで放冷し、3Lの水に加えて粗ポリマーからなる沈殿物を生成した。この沈殿をろ過で集めて、水で3回洗浄した後、イソプロピルアルコール500mLで2回洗浄し、真空乾燥して粉末状のポリイミド前駆体(P-11)を得た。得られたポリイミド前駆体のエステル化率は5mol%であった。
[Synthesis Example 12 Synthesis of polyimide precursor (P-11)]
Under a stream of dry nitrogen, put 27.92 g (0.090 mol) of ODPA, 3.28 g (0.020 mol) of NA as an end sealing material into a three-necked flask, and further add 2.04 g (0.020 mol) of HxOH and 200.0 ml of NMP. was added thereto, and 2.02 g (0.020 mol) of triethylamine was added thereto at room temperature with stirring to obtain a reaction mixture. After the exotherm due to the reaction was completed, the mixture was allowed to cool to room temperature and left for 16 hours. Next, the temperature was raised to 40°C, 7.67 g (0.020 mol) of diphenyl (2,3-dihydro-2-thioxo-3-benzoxazolyl)phosphonate was added to the reaction mixture, and the mixture was stirred for 30 minutes. did. After further stirring at room temperature for 2 hours, 18.31 g (0.050 mol) of BAHF, 5.61 g (0.020 mol) of ABPS, 6.01 g (0.030 mol) of DAE, and 50.00 g of NMP were added and stirred for 1 hour. Obtained. The resulting reaction solution was allowed to cool to room temperature and added to 3 L of water to produce a precipitate consisting of a crude polymer. This precipitate was collected by filtration, washed three times with water, washed twice with 500 mL of isopropyl alcohol, and dried under vacuum to obtain a powdery polyimide precursor (P-11). The esterification rate of the obtained polyimide precursor was 5 mol%.

[合成例13 ポリイミド前駆体(P-12)の合成]
BAHF18.31g(0.050mol)ABPS5.61g(0.020mol)、DAE6.01g(0.030mol)を、BAHF12.82g(0.035mol)、DAE13.02g(0.065mol)に替えた以外は合成例12と同様に実施し、ポリイミド前駆体(P-12)を得た。得られたポリイミド前駆体のエステル化率は8mol%であった。
[Synthesis Example 13 Synthesis of polyimide precursor (P-12)]
Synthesis except that BAHF18.31g (0.050mol) ABPS5.61g (0.020mol) and DAE6.01g (0.030mol) were replaced with BAHF12.82g (0.035mol) and DAE13.02g (0.065mol). A polyimide precursor (P-12) was obtained in the same manner as in Example 12. The esterification rate of the obtained polyimide precursor was 8 mol%.

[合成例14 ポリイミド前駆体(P-13)の合成]
BAHF18.31g(0.050mol)ABPS5.61g(0.020mol)、DAE6.01g(0.030mol)を、BAHF18.31g(0.050mol)、DAE10.01g(0.050mol)に替えた以外は合成例12と同様に実施し、ポリイミド前駆体(P-13)を得た。得られたポリイミド前駆体のエステル化率は6mol%であった。
[Synthesis Example 14 Synthesis of polyimide precursor (P-13)]
Synthesis except that BAHF18.31g (0.050mol) ABPS5.61g (0.020mol) and DAE6.01g (0.030mol) were replaced with BAHF18.31g (0.050mol) and DAE10.01g (0.050mol). A polyimide precursor (P-13) was obtained in the same manner as in Example 12. The esterification rate of the obtained polyimide precursor was 6 mol%.

[合成例15 ポリイミド前駆体(P-14)の合成]
乾燥窒素気流下、三口フラスコに、ODPA27.92g(0.090mol)、末端封止材として、NAを3.28g(0.020mol)を入れ、さらにHxOH10.3g(0.10mol)とNMP200.0mlを入れて室温下で、撹拌しながらトリエチルアミン10.1g(0.10mol)を加えて反応混合物を得た。反応による発熱の終了後に室温まで放冷し、16時間放置した。次に、温度を40℃まで昇温し、(2,3-ジヒドロ-2-チオキソ-3-ベンゾオキサゾリル)ホスホン酸ジフェニル38.3g(0.10mol)を反応混合物に加え、30分間攪拌した。更に室温で2時間撹拌した後、BAHF18.31g(0.050mol)、DAE10.01g(0.050mol)、NMPを50.00g加えて1時間撹拌し、反応液を得た。得られた反応液を室温まで放冷し、3Lの水に加えて粗ポリマーからなる沈殿物を生成した。この沈殿をろ過で集めて、水で3回洗浄した後、イソプロピルアルコール500mLで2回洗浄し、真空乾燥して粉末状のポリイミド前駆体(P-14)を得た。得られたポリイミド前駆体のエステル化率は47mol%であった。
[Synthesis Example 15 Synthesis of polyimide precursor (P-14)]
Under a stream of dry nitrogen, 27.92 g (0.090 mol) of ODPA and 3.28 g (0.020 mol) of NA as an end sealing material were placed in a three-necked flask, followed by 10.3 g (0.10 mol) of HxOH and 200.0 ml of NMP. was added thereto, and 10.1 g (0.10 mol) of triethylamine was added thereto while stirring at room temperature to obtain a reaction mixture. After the exotherm due to the reaction was completed, the mixture was allowed to cool to room temperature and left for 16 hours. Next, the temperature was raised to 40°C, 38.3 g (0.10 mol) of diphenyl (2,3-dihydro-2-thioxo-3-benzoxazolyl)phosphonate was added to the reaction mixture, and the mixture was stirred for 30 minutes. did. After further stirring at room temperature for 2 hours, 18.31 g (0.050 mol) of BAHF, 10.01 g (0.050 mol) of DAE, and 50.00 g of NMP were added and stirred for 1 hour to obtain a reaction solution. The resulting reaction solution was allowed to cool to room temperature and added to 3 L of water to produce a precipitate consisting of a crude polymer. This precipitate was collected by filtration, washed three times with water, washed twice with 500 mL of isopropyl alcohol, and dried under vacuum to obtain a powdery polyimide precursor (P-14). The esterification rate of the obtained polyimide precursor was 47 mol%.

[合成例16 ポリイミド前駆体(P-15)の合成]
HxOH10.3g(0.10mol)、トリエチルアミン10.1g(0.10mol)、(2,3-ジヒドロ-2-チオキソ-3-ベンゾオキサゾリル)ホスホン酸ジフェニル38.3g(0.10mol)を、HxOH3.07g(0.030mol)、トリエチルアミン3.04g(0.030mol)、(2,3-ジヒドロ-2-チオキソ-3-ベンゾオキサゾリル)ホスホン酸ジフェニル11.5g(0.030mol)にそれぞれ替えた以外は合成例15と同様に実施し、ポリイミド前駆体(P-15)を得た。得られたポリイミド前駆体のエステル化率は13mol%であった。
[Synthesis Example 16 Synthesis of polyimide precursor (P-15)]
10.3 g (0.10 mol) of HxOH, 10.1 g (0.10 mol) of triethylamine, 38.3 g (0.10 mol) of diphenyl (2,3-dihydro-2-thioxo-3-benzoxazolyl)phosphonate, 3.07 g (0.030 mol) of HxOH, 3.04 g (0.030 mol) of triethylamine, and 11.5 g (0.030 mol) of diphenyl (2,3-dihydro-2-thioxo-3-benzoxazolyl)phosphonate, respectively. A polyimide precursor (P-15) was obtained in the same manner as Synthesis Example 15 except for the following changes. The esterification rate of the obtained polyimide precursor was 13 mol%.

[合成例17 ポリイミド前駆体(P-16)の合成]
HxOH10.3g(0.10mol)、トリエチルアミン10.1g(0.10mol)、(2,3-ジヒドロ-2-チオキソ-3-ベンゾオキサゾリル)ホスホン酸ジフェニル38.3g(0.10mol)を、HxOH8.17g(0.080mol)、トリエチルアミン8.10g(0.080mol)、(2,3-ジヒドロ-2-チオキソ-3-ベンゾオキサゾリル)ホスホン酸ジフェニル30.7g(0.080mol)にそれぞれ替えた以外は合成例15と同様に実施し、ポリイミド前駆体(P-16)を得た。得られたポリイミド前駆体のエステル化率は36mol%であった。
[Synthesis Example 17 Synthesis of polyimide precursor (P-16)]
10.3 g (0.10 mol) of HxOH, 10.1 g (0.10 mol) of triethylamine, 38.3 g (0.10 mol) of diphenyl (2,3-dihydro-2-thioxo-3-benzoxazolyl)phosphonate, 8.17 g (0.080 mol) of HxOH, 8.10 g (0.080 mol) of triethylamine, and 30.7 g (0.080 mol) of diphenyl (2,3-dihydro-2-thioxo-3-benzoxazolyl)phosphonate, respectively. A polyimide precursor (P-16) was obtained by carrying out the same procedure as Synthesis Example 15 except for changing the procedure. The esterification rate of the obtained polyimide precursor was 36 mol%.

[合成例18 ポリイミド前駆体(P-17)の合成]
HxOH8.17g(0.080mol)を、1-ブタノール5.93g(0.080mol)に替えた以外は合成例17と同様に実施し、ポリイミド前駆体(P-17)を得た。得られたポリイミド前駆体のエステル化率は37mol%であった。
[Synthesis Example 18 Synthesis of polyimide precursor (P-17)]
A polyimide precursor (P-17) was obtained in the same manner as Synthesis Example 17 except that 8.17 g (0.080 mol) of HxOH was replaced with 5.93 g (0.080 mol) of 1-butanol. The esterification rate of the obtained polyimide precursor was 37 mol%.

[合成例19 ポリイミド前駆体(P-18)の合成]
乾燥窒素気流下、三口フラスコに、BAHF18.31g(0.050mol)、DAE10.01g(0.050mol)、末端封止剤としてNA3.28g(0.020mol)をNMP200.0gに溶解させた。ここに、NMP40.00gにODPAを27.92g(0.090mol)溶かした溶液を添加し、40℃で2時間撹拌した。その後、DFA17.87g(0.15mol)をNMP10gで希釈した溶液を10分かけて滴下した。滴下後、40℃で2時間撹拌を続けた。撹拌終了後、溶液を水2Lに投入して、ポリマー固体の沈殿をろ過で集めた。さらに水2Lで3回洗浄を行い、集めたポリマー固体を50℃の真空乾燥機で72時間乾燥し、ポリイミド前駆体(P-18)を得た。得られたポリイミド前駆体のエステル化率は34mol%であった。
[Synthesis Example 19 Synthesis of polyimide precursor (P-18)]
Under a stream of dry nitrogen, 18.31 g (0.050 mol) of BAHF, 10.01 g (0.050 mol) of DAE, and 3.28 g (0.020 mol) of NA as an end-blocking agent were dissolved in 200.0 g of NMP in a three-necked flask. A solution of 27.92 g (0.090 mol) of ODPA dissolved in 40.00 g of NMP was added thereto, and the mixture was stirred at 40° C. for 2 hours. Thereafter, a solution prepared by diluting 17.87 g (0.15 mol) of DFA with 10 g of NMP was added dropwise over 10 minutes. After the dropwise addition, stirring was continued at 40°C for 2 hours. After the stirring was completed, the solution was poured into 2 L of water, and the polymer solid precipitate was collected by filtration. Further washing was performed three times with 2 L of water, and the collected polymer solids were dried in a vacuum dryer at 50° C. for 72 hours to obtain a polyimide precursor (P-18). The esterification rate of the obtained polyimide precursor was 34 mol%.

[合成例20 ポリイミド前駆体(P-19)の合成]
乾燥窒素気流下、三口フラスコに、BAHF18.31g(0.050mol)、DAE10.01g(0.050mol)、をNMP180.0gに溶解させた。ここに、NMP40.00gにODPAを27.92g(0.090mol)溶かした溶液を添加し、40℃で1時間撹拌した。さらに末端封止剤として、NMP20.00gにシンナモイルクロリド3.33g(0.020mol)を溶かした溶液を添加し、40℃で1時間攪拌した。その後、DFA17.87g(0.15mol)をNMP10gで希釈した溶液を10分かけて滴下した。滴下後、40℃で2時間撹拌を続けた。撹拌終了後、溶液を水2Lに投入して、ポリマー固体の沈殿をろ過で集めた。さらに水2Lで3回洗浄を行い、集めたポリマー固体を50℃の真空乾燥機で72時間乾燥し、ポリイミド前駆体(P-19)を得た。得られたポリイミド前駆体のエステル化率は32mol%であった。
[Synthesis Example 20 Synthesis of polyimide precursor (P-19)]
Under a stream of dry nitrogen, 18.31 g (0.050 mol) of BAHF and 10.01 g (0.050 mol) of DAE were dissolved in 180.0 g of NMP in a three-necked flask. A solution of 27.92 g (0.090 mol) of ODPA dissolved in 40.00 g of NMP was added thereto, and the mixture was stirred at 40° C. for 1 hour. Furthermore, a solution of 3.33 g (0.020 mol) of cinnamoyl chloride dissolved in 20.00 g of NMP was added as an end-capping agent, and the mixture was stirred at 40° C. for 1 hour. Thereafter, a solution of 17.87 g (0.15 mol) of DFA diluted with 10 g of NMP was added dropwise over 10 minutes. After the dropwise addition, stirring was continued at 40°C for 2 hours. After the stirring was completed, the solution was poured into 2 L of water, and the polymer solid precipitate was collected by filtration. Further, washing was performed three times with 2 L of water, and the collected polymer solids were dried in a vacuum dryer at 50° C. for 72 hours to obtain a polyimide precursor (P-19). The esterification rate of the obtained polyimide precursor was 32 mol%.

[合成例21 ポリベンゾオキサゾール前駆体(P-20)の合成]
乾燥窒素気流下、三口フラスコに、BAHF31.14g(0.085mol)、DAE3.00g(0.015mol)を、NMP200.0gに溶解させた。ここに、NMP40.00gに、ドデカン二酸ジクロリドを24.05g(0.090mol)溶かした溶液を添加し、20℃で2時間攪拌し、次いで50℃で2時間攪拌した。次に、末端封止剤として、NMP10gにNAを3.28g(0.020mol)溶かした溶液を添加し、50℃で2時間攪拌した。反応終了後、反応溶液を水3Lに投入し、析出した固体沈殿をろ過して得た。得られた固体を水で3回洗浄した後、80℃の真空乾燥機で24時間乾燥し、ポリベンゾオキサゾール前駆体(P-20)を得た。
[Synthesis Example 21 Synthesis of polybenzoxazole precursor (P-20)]
Under a stream of dry nitrogen, 31.14 g (0.085 mol) of BAHF and 3.00 g (0.015 mol) of DAE were dissolved in 200.0 g of NMP in a three-necked flask. A solution of 24.05 g (0.090 mol) of dodecanedioic acid dichloride dissolved in 40.00 g of NMP was added thereto, and the mixture was stirred at 20°C for 2 hours, and then at 50°C for 2 hours. Next, a solution of 3.28 g (0.020 mol) of NA dissolved in 10 g of NMP was added as an end-capping agent, and the mixture was stirred at 50° C. for 2 hours. After the reaction was completed, the reaction solution was poured into 3 L of water, and the precipitated solid precipitate was filtered. The obtained solid was washed three times with water and then dried in a vacuum dryer at 80° C. for 24 hours to obtain a polybenzoxazole precursor (P-20).

[合成例22 ポリベンゾオキサゾール前駆体(P-21)の合成]
ドデカン二酸ジクロリド24.05g(0.090mol)をドデカン二酸ジクロリド1.34g(0.005mol)、BPE25.89g(0.085mol)に替えた以外は合成例21と同様に実施し、ポリベンゾオキサゾール前駆体(P-21)を得た。
[Synthesis Example 22 Synthesis of polybenzoxazole precursor (P-21)]
Synthesis Example 21 was repeated except that 24.05 g (0.090 mol) of dodecanedioic acid dichloride was replaced with 1.34 g (0.005 mol) of dodecanedioic acid dichloride and 25.89 g (0.085 mol) of BPE. An oxazole precursor (P-21) was obtained.

[合成例23 ポリベンゾオキサゾール前駆体(P-22)の合成]
ドデカン二酸ジクロリド24.05g(0.090mol)をドデカン二酸ジクロリド18.7g(0.070mol)、BPE5.90g(0.020mol)に替えた以外は合成例21と同様に実施し、ポリベンゾオキサゾール前駆体(P-22)を得た。
[Synthesis Example 23 Synthesis of polybenzoxazole precursor (P-22)]
Synthesis Example 21 was carried out in the same manner as in Synthesis Example 21 except that 24.05 g (0.090 mol) of dodecanedioic acid dichloride was replaced with 18.7 g (0.070 mol) of dodecanedioic acid dichloride and 5.90 g (0.020 mol) of BPE. An oxazole precursor (P-22) was obtained.

[合成例24 ポリベンゾオキサゾール前駆体(P-23)の合成]
乾燥窒素気流下、三口フラスコに、BAHF31.14g(0.085mol)、DAE3.00g(0.015mol)を、NMP200.0gに溶解させた。ここに、NMP40.00gに、ドデカン二酸ジクロリド18.7g(0.070mol)、BPE5.90g(0.020mol)を溶かした溶液を添加し、20℃で2時間攪拌し、次いで50℃で2時間攪拌した。次に、末端封止剤として、NMP10.00gにシンナモイルクロリドを3.33g(0.020mol)溶かした溶液を添加し、50℃で2時間攪拌した。反応終了後、反応溶液を水3Lに投入し、析出した固体沈殿をろ過して得た。得られた固体を水で3回洗浄した後、80℃の真空乾燥機で24時間乾燥し、ポリベンゾオキサゾール前駆体(P-23)を得た。
[Synthesis Example 24 Synthesis of polybenzoxazole precursor (P-23)]
Under a stream of dry nitrogen, 31.14 g (0.085 mol) of BAHF and 3.00 g (0.015 mol) of DAE were dissolved in 200.0 g of NMP in a three-necked flask. A solution of 18.7 g (0.070 mol) of dodecanedioic acid dichloride and 5.90 g (0.020 mol) of BPE in 40.00 g of NMP was added thereto, stirred at 20°C for 2 hours, and then stirred at 50°C for 2 hours. Stir for hours. Next, a solution of 3.33 g (0.020 mol) of cinnamoyl chloride dissolved in 10.00 g of NMP was added as an end-capping agent, and the mixture was stirred at 50° C. for 2 hours. After the reaction was completed, the reaction solution was poured into 3 L of water, and the precipitated solid precipitate was filtered. The obtained solid was washed three times with water and then dried in a vacuum dryer at 80° C. for 24 hours to obtain a polybenzoxazole precursor (P-23).

[合成例25 ポリベンゾオキサゾール前駆体(P-24)の合成]
ドデカン二酸ジクロリド24.05g(0.090mol)をドデカン二酸ジクロリド4.01g(0.015mol)、BPE22.13g(0.075mol)に替えた以外は合成例21と同様に実施し、ポリベンゾオキサゾール前駆体(P-24)を得た。
[Synthesis Example 25 Synthesis of polybenzoxazole precursor (P-24)]
Synthesis Example 21 was carried out in the same manner as in Synthesis Example 21 except that 24.05 g (0.090 mol) of dodecanedioic acid dichloride was replaced with 4.01 g (0.015 mol) of dodecanedioic acid dichloride and 22.13 g (0.075 mol) of BPE. An oxazole precursor (P-24) was obtained.

[合成例26 ポリベンゾオキサゾール前駆体(P-25)の合成]
ドデカン二酸ジクロリド24.05g(0.090mol)をドデカン二酸ジクロリド13.36g(0.050mol)、BPE11.80g(0.040mol)に替えた以外は合成例21と同様に実施し、ポリベンゾオキサゾール前駆体(P-25)を得た。
[Synthesis Example 26 Synthesis of polybenzoxazole precursor (P-25)]
Synthesis Example 21 was carried out in the same manner as in Synthesis Example 21 except that 24.05 g (0.090 mol) of dodecanedioic acid dichloride was replaced with 13.36 g (0.050 mol) of dodecanedioic acid dichloride and 11.80 g (0.040 mol) of BPE. An oxazole precursor (P-25) was obtained.

[合成例27 ポリベンゾオキサゾール前駆体(P-26)の合成]
ドデカン二酸ジクロリド18.7g(0.070mol)、BPE5.90g(0.020mol)をドデカン二酸ジクロリド13.36g(0.050mol)、BPE11.80g(0.040mol)に替えた以外は合成例24と同様に実施し、ポリベンゾオキサゾール前駆体(P-26)を得た。
[Synthesis Example 27 Synthesis of polybenzoxazole precursor (P-26)]
Synthesis example except that 18.7 g (0.070 mol) of dodecanedioic acid dichloride and 5.90 g (0.020 mol) of BPE were replaced with 13.36 g (0.050 mol) of dodecanedioic acid dichloride and 11.80 g (0.040 mol) of BPE. A polybenzoxazole precursor (P-26) was obtained in the same manner as in Example 24.

[合成例28 ポリイミド(P-27)の合成]
BAHF18.31g(0.050mol)、ABPS14.02g(0.050mol)を、BAHF36.63g(0.10mol)に変えた以外は、合成例2と同様に実施し、ポリイミド(P-27)を得た。
[Synthesis Example 28 Synthesis of polyimide (P-27)]
Polyimide (P-27) was obtained in the same manner as Synthesis Example 2, except that 18.31 g (0.050 mol) of BAHF and 14.02 g (0.050 mol) of ABPS were changed to 36.63 g (0.10 mol) of BAHF. Ta.

[実施例1」
黄色灯下にて、BMI-689 5.00g、P-1を10.00g、NCI-831 0.50g、MOM 1.00g、IRGANOX3114 0.10g、3-トリメトキシシリルフタルアミド酸0.30gを、NMP20.00gに溶解させ、ポリフロー77の1質量%EL溶液0.10gを加え、撹拌してワニスを得た。得られたワニスの特性を上記評価方法により、パターン加工性、誘電率、誘電正接、ガラス転移点およびクラック評価を測定した。
[Example 1]
Under yellow light, 5.00 g of BMI-689, 10.00 g of P-1, 0.50 g of NCI-831, 1.00 g of MOM, 0.10 g of IRGANOX3114, 0.30 g of 3-trimethoxysilyl phthalamic acid. , was dissolved in 20.00 g of NMP, 0.10 g of a 1% by mass EL solution of Polyflow 77 was added, and the mixture was stirred to obtain a varnish. The characteristics of the obtained varnish were measured by the above evaluation method in terms of pattern workability, dielectric constant, dielectric loss tangent, glass transition point, and crack evaluation.

[実施例2]
BMI-689をU-847に替えた以外は、実施例1と同様に実施した。
[Example 2]
The same procedure as in Example 1 was carried out except that BMI-689 was replaced with U-847.

[実施例3]
BMI-689をM-1に替えた以外は、実施例1と同様に実施した。
[Example 3]
The same procedure as in Example 1 was conducted except that BMI-689 was replaced with M-1.

[実施例4」
P-1をP-2に替えた以外は、実施例3と同様に実施した。
[Example 4]
The same procedure as in Example 3 was carried out except that P-1 was replaced with P-2.

[実施例5]
P-1をP-3に替えた以外は、実施例3と同様に実施した。
[Example 5]
The same procedure as in Example 3 was carried out except that P-1 was replaced with P-3.

[実施例6]
P-1をP-4に替えた以外は、実施例3と同様に実施した。
[Example 6]
The same procedure as in Example 3 was carried out except that P-1 was replaced with P-4.

[実施例7]
P-1をP-5に替えた以外は、実施例3と同様に実施した。
[Example 7]
The same procedure as in Example 3 was carried out except that P-1 was replaced with P-5.

[実施例8」
P-1をP-6に替えた以外は、実施例3と同様に実施した。
[Example 8]
The same procedure as in Example 3 was carried out except that P-1 was replaced with P-6.

[実施例9]
P-1をP-7に替えた以外は、実施例3と同様に実施した。
[Example 9]
The same procedure as in Example 3 was carried out except that P-1 was replaced with P-7.

[実施例10]
P-1をP-8に替えた以外は、実施例3と同様に実施した。
[Example 10]
The same procedure as in Example 3 was carried out except that P-1 was replaced with P-8.

[実施例11]
P-1をP-9に替えた以外は、実施例3と同様に実施した。
[Example 11]
The same procedure as in Example 3 was carried out except that P-1 was replaced with P-9.

[実施例12]
P-1をP-10に替えた以外は、実施例3と同様に実施した。
[Example 12]
The same procedure as in Example 3 was carried out except that P-1 was replaced with P-10.

[実施例13]
P-1をP-11に替えた以外は、実施例3と同様に実施した。
[Example 13]
The same procedure as in Example 3 was carried out except that P-1 was replaced with P-11.

[実施例14]
P-1をP-12に替えた以外は、実施例3と同様に実施した。
[Example 14]
The same procedure as in Example 3 was carried out except that P-1 was replaced with P-12.

[実施例15]
P-1をP-13に替えた以外は、実施例3と同様に実施した。
[Example 15]
The same procedure as in Example 3 was carried out except that P-1 was replaced with P-13.

[実施例16]
P-1をP-14に替えた以外は、実施例3と同様に実施した。
[Example 16]
The same procedure as in Example 3 was carried out except that P-1 was replaced with P-14.

[実施例17」
P-1をP-15に替えた以外は、実施例3と同様に実施した。
[Example 17]
The same procedure as in Example 3 was carried out except that P-1 was replaced with P-15.

[実施例18]
P-1をP-16に替えた以外は、実施例3と同様に実施した。
[Example 18]
The same procedure as in Example 3 was carried out except that P-1 was replaced with P-16.

[実施例19]
P-1をP-17に替えた以外は、実施例3と同様に実施した。
[Example 19]
The same procedure as in Example 3 was carried out except that P-1 was replaced with P-17.

[実施例20」
P-1をP-18に替えた以外は、実施例3と同様に実施した。
[Example 20]
The same procedure as in Example 3 was carried out except that P-1 was replaced with P-18.

[実施例21」
P-1をP-19に替えた以外は、実施例3と同様に実施した。
[Example 21]
The same procedure as in Example 3 was carried out except that P-1 was replaced with P-19.

[実施例22」
P-1をP-20に替えた以外は、実施例3と同様に実施した。
[Example 22]
The same procedure as in Example 3 was carried out except that P-1 was replaced with P-20.

[実施例23」
P-1をP-21に替えた以外は、実施例3と同様に実施した。
[Example 23]
The same procedure as in Example 3 was carried out except that P-1 was replaced with P-21.

[実施例24」
P-1をP-22に替えた以外は、実施例3と同様に実施した。
[Example 24]
The same procedure as in Example 3 was carried out except that P-1 was replaced with P-22.

[実施例25」
P-1をP-23に替えた以外は、実施例3と同様に実施した。
[Example 25]
The same procedure as in Example 3 was carried out except that P-1 was replaced with P-23.

[実施例26」
P-1をP-24に替えた以外は、実施例3と同様に実施した。
[Example 26]
The same procedure as in Example 3 was carried out except that P-1 was replaced with P-24.

[実施例27」
P-1をP-25に替えた以外は、実施例3と同様に実施した。
[実施例28」
P-1をP-26に替えた以外は、実施例3と同様に実施した。
[Example 27]
The same procedure as in Example 3 was carried out except that P-1 was replaced with P-25.
[Example 28]
The same procedure as in Example 3 was carried out except that P-1 was replaced with P-26.

[比較例1]
黄色灯下にて、P-1 10.00g、DCP-A 5.00g、NCI-831 0.50g、MOM 1.00g、IRGANOX3114 0.10g、3-トリメトキシシリルフタルアミド酸0.30gを、NMP 20.00gに溶解させ、ポリフロー77の1質量%EL溶液0.10gを加え、撹拌してワニスを得た。得られたワニスの特性を上記評価方法により、パターン加工性、誘電率、誘電正接、ガラス転移点、保存安定性およびクラック評価を測定した。
[Comparative example 1]
Under yellow light, 10.00 g of P-1, 5.00 g of DCP-A, 0.50 g of NCI-831, 1.00 g of MOM, 0.10 g of IRGANOX3114, 0.30 g of 3-trimethoxysilyl phthalamic acid, It was dissolved in 20.00 g of NMP, 0.10 g of a 1% by mass EL solution of Polyflow 77 was added, and the mixture was stirred to obtain a varnish. The characteristics of the obtained varnish were measured by the above evaluation method in terms of pattern processability, dielectric constant, dielectric loss tangent, glass transition point, storage stability, and crack evaluation.

[比較例2]
P-1をP-27に替えた以外は、実施例1と同様に実施した。
[Comparative example 2]
The same procedure as in Example 1 was carried out except that P-1 was replaced with P-27.

Figure 2023147245000027
Figure 2023147245000027

Figure 2023147245000028
Figure 2023147245000028

Figure 2023147245000029
Figure 2023147245000029

Figure 2023147245000030
Figure 2023147245000030

Claims (13)

(A)多官能モノマー、(B)アルカリ可溶性樹脂および(C)光重合開始剤を含有する感光性樹脂組成物であって、
該(A)多官能モノマーが、式(1)で表される化合物および/または式(2)で表される化合物を含有し、
該(B)アルカリ可溶性樹脂が、(B1)式(3)で表される構造単位を有するポリイミド、(B2)式(4)で表される構造単位を有するポリイミド前駆体、(B3)式(5)で表される構造単位を有するポリベンゾオキサゾール前駆体、およびそれらの共重合体からなる群より選択される1種類以上を含有し、
該(B1)式(3)で表される構造単位を有するポリイミド中のフッ素原子濃度が0.1質量%以上10質量%以下であり、
該(B2)式(4)で表される構造単位を有するポリイミド前駆体中のフッ素原子濃度が0.1質量%以上10質量%以下である、
感光性樹脂組成物。
Figure 2023147245000031
(式(1)中、WおよびWはそれぞれ独立に、炭素―炭素二重結合を有する炭素数2~25からなる1価の有機基を示す。式(1)中、a、b、cおよびdは、それぞれ独立にa+b=6~17、c+d=8~19を満たす自然数であり、破線部は炭素-炭素単結合または炭素-炭素二重結合を意味する。)
Figure 2023147245000032
(式(2)中、WおよびWはそれぞれ独立に、炭素―炭素二重結合を有する炭素数2~25からなる1価の有機基を示す。式(2)中、e、f、gおよびhはそれぞれ独立に、e+f=5~16、g+h=8~19を満たす自然数であり、破線部は炭素-炭素単結合または炭素-炭素二重結合を意味する。)
Figure 2023147245000033
(式(3)中、Xは炭素数2~100の4価の有機基を示し、Yは芳香族環を一つ以上有する炭素数6~100の4価の有機基を示し、XおよびYの少なくとも一方はフッ素原子を有する。Rはフェノール性水酸基を示す。*は結合基を示す。)
Figure 2023147245000034
(式(4)中、Xは炭素数2~100の4価の有機基を示し、Yは芳香族環を一つ以上有する炭素数6~100の4価の有機基を示し、XおよびYの少なくとも一方はフッ素原子を有する。Rはフェノール性水酸基を示し、複数のRはそれぞれ独立に炭素数1~20の1価の有機基または水素原子を示す。*は結合基を示す。)
Figure 2023147245000035
(式(5)中、Xは炭素数10~20の2価の脂肪族基を示し、Rは単結合または炭素数1~100の2~6価の有機基を示し、Rは炭素数1~10の1価の有機基を示す。rは0~4の整数を示す。*は結合基を示す。)
A photosensitive resin composition containing (A) a polyfunctional monomer, (B) an alkali-soluble resin, and (C) a photopolymerization initiator,
The (A) polyfunctional monomer contains a compound represented by formula (1) and/or a compound represented by formula (2),
The alkali-soluble resin (B) includes (B1) a polyimide having a structural unit represented by formula (3), (B2) a polyimide precursor having a structural unit represented by formula (4), and (B3) a polyimide precursor having a structural unit represented by formula (4). 5) Contains one or more types selected from the group consisting of polybenzoxazole precursors having the structural unit represented by and copolymers thereof,
The fluorine atom concentration in the polyimide having the structural unit represented by the formula (3) (B1) is 0.1% by mass or more and 10% by mass or less,
The fluorine atom concentration in the polyimide precursor having the structural unit represented by the formula (4) (B2) is 0.1% by mass or more and 10% by mass or less,
Photosensitive resin composition.
Figure 2023147245000031
(In formula (1), W 1 and W 2 each independently represent a monovalent organic group having 2 to 25 carbon atoms and having a carbon-carbon double bond.In formula (1), a, b, c and d are natural numbers that each independently satisfy a+b=6 to 17 and c+d=8 to 19, and the broken line part means a carbon-carbon single bond or a carbon-carbon double bond.)
Figure 2023147245000032
(In formula (2), W 3 and W 4 each independently represent a monovalent organic group having 2 to 25 carbon atoms and having a carbon-carbon double bond. In formula (2), e, f, g and h are each independently natural numbers satisfying e+f=5 to 16 and g+h=8 to 19, and the broken line part means a carbon-carbon single bond or a carbon-carbon double bond.)
Figure 2023147245000033
(In formula (3), X 1 represents a tetravalent organic group having 2 to 100 carbon atoms, Y 1 represents a tetravalent organic group having 6 to 100 carbon atoms having one or more aromatic rings, and At least one of 1 and Y 1 has a fluorine atom. R 5 represents a phenolic hydroxyl group. * represents a bonding group.)
Figure 2023147245000034
(In formula (4), X 2 represents a tetravalent organic group having 2 to 100 carbon atoms, Y 2 represents a tetravalent organic group having 6 to 100 carbon atoms having one or more aromatic rings, and At least one of 2 and Y 2 has a fluorine atom. R 7 represents a phenolic hydroxyl group, and a plurality of R 6 each independently represent a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms or a hydrogen atom. * indicates a bond (indicates the group)
Figure 2023147245000035
(In formula (5), X 3 represents a divalent aliphatic group having 10 to 20 carbon atoms, R 8 represents a single bond or a divalent to hexavalent organic group having 1 to 100 carbon atoms, and R 9 represents (Represents a monovalent organic group having 1 to 10 carbon atoms. r represents an integer of 0 to 4. * represents a bonding group.)
前記式(1)および前記式(2)中、WおよびWの少なくとも一方並びに、WおよびWの少なくとも一方が、式(6)、式(7)、式(8)または式(9)で表される基である、請求項1に記載の感光性樹脂組成物。
Figure 2023147245000036
(式(6)、式(7)、式(8)および式(9)中、K、K、K、K、LおよびLはそれぞれ独立に、-NH-、-O-、-CH-または-S-を示す。RおよびRはそれぞれ独立に単結合または炭素数1~5からなる2~6価の有機基を示す。RおよびRはそれぞれ独立に単結合または炭素数1~5からなる2価の有機基を示す。iおよびjは、それぞれ独立に1~5の整数を示す。*は結合点を示す。)
In the formula (1) and the formula (2), at least one of W 1 and W 2 and at least one of W 3 and W 4 are formula (6), formula (7), formula (8), or formula ( The photosensitive resin composition according to claim 1, which is a group represented by 9).
Figure 2023147245000036
(In formula (6), formula (7), formula (8) and formula (9), K 1 , K 2 , K 3 , K 4 , L 1 and L 2 are each independently -NH-, -O -, -CH 2 - or -S-. R 1 and R 3 each independently represent a single bond or a divalent to hexavalent organic group having 1 to 5 carbon atoms. R 2 and R 4 each independently represent represents a single bond or a divalent organic group consisting of 1 to 5 carbon atoms. i and j each independently represent an integer of 1 to 5. * represents a bonding point.)
前記(B)アルカリ可溶性樹脂が式(10)で表されるいずれかの構造を1種類以上有する、請求項1または2に記載の感光性樹脂組成物。
Figure 2023147245000037
(式(10)中、Wは、アミノ基を有さない、炭素数1~20の1価の有機基を示し、Wは、カルボキシル基を有さない、炭素数1~20の1価の有機基を示し、Wは、カルボキシル基を有さない、炭素数3~20の2価の有機基を示す。*は炭素原子との結合部を示し、*は水素原子または炭素原子との結合部を示し、*および*は、それぞれ独立に、窒素原子との結合部を示し、*は水素原子、炭素原子、窒素原子または酸素原子との結合部を示す。)
The photosensitive resin composition according to claim 1 or 2, wherein the alkali-soluble resin (B) has one or more types of structures represented by formula (10).
Figure 2023147245000037
(In formula (10), W 5 represents a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms that does not have an amino group, and W 6 represents a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms that does not have a carboxyl group. W 7 represents a divalent organic group having 3 to 20 carbon atoms and does not have a carboxyl group. * 1 represents a bond with a carbon atom, * 2 represents a hydrogen atom or * 3 and * 4 each independently represent a bond with a nitrogen atom; * 5 represents a bond with a hydrogen atom, carbon atom, nitrogen atom, or oxygen atom. )
前記式(10)中、Wが、重合性不飽和結合を有し、かつアミノ基を有さない、炭素数2~20の1価の有機基であり、Wが、重合性不飽和結合を有し、かつカルボキシル基を有さない、炭素数2~20の1価の有機基であり、かつ、前記Wが、重合性不飽和結合を有し、かつカルボキシル基を有さない、炭素数3~20の2価の有機基である、請求項3に記載の感光性樹脂組成物。 In the formula (10), W 5 is a monovalent organic group having 2 to 20 carbon atoms and has a polymerizable unsaturated bond and no amino group, and W 6 is a polymerizable unsaturated group. A monovalent organic group having 2 to 20 carbon atoms that has a bond and does not have a carboxyl group, and W 7 has a polymerizable unsaturated bond and does not have a carboxyl group. The photosensitive resin composition according to claim 3, which is a divalent organic group having 3 to 20 carbon atoms. 前記(B)アルカリ可溶性樹脂中の全ジアミン残基100mol%中、フェノール性水酸基を有するジアミン残基が30mol%以上90mol%以下の範囲である請求項1または2に記載の感光性樹脂組成物。 The photosensitive resin composition according to claim 1 or 2, wherein the diamine residue having a phenolic hydroxyl group is in the range of 30 mol% or more and 90 mol% or less out of 100 mol% of the total diamine residues in the alkali-soluble resin (B). 前記(B)アルカリ可溶性樹脂が、(B2)式(4)で表される構造単位を有するポリイミド前駆体を含有する、請求項1または2に記載の感光性樹脂組成物。 The photosensitive resin composition according to claim 1 or 2, wherein the alkali-soluble resin (B) contains a polyimide precursor having a structural unit represented by formula (4) (B2). 前記(B2)式(4)で表される構造単位を有するポリイミド前駆体中の全ジアミン残基100mol%中、フェノール性水酸基を有するジアミン残基が30mol%以上60mol%以下の範囲である請求項1または2に記載の感光性樹脂組成物。 A claim in which the diamine residue having a phenolic hydroxyl group is in the range of 30 mol% or more and 60 mol% or less out of 100 mol% of all diamine residues in the polyimide precursor having the structural unit represented by formula (4) (B2). 3. The photosensitive resin composition according to 1 or 2. 前記(B2)式(4)で表される構造単位を有するポリイミド前駆体のエステル化率が10mol%以上40mol%以下の範囲である請求項1または2に記載の感光性樹脂組成物。 The photosensitive resin composition according to claim 1 or 2, wherein the polyimide precursor having the structural unit represented by formula (4) (B2) has an esterification rate in a range of 10 mol% or more and 40 mol% or less. 前記式(4)中のRが炭素数1~4の1価の有機基または水素原子である請求項1または2に記載の感光性樹脂組成物。 The photosensitive resin composition according to claim 1 or 2, wherein R 6 in the formula (4) is a monovalent organic group having 1 to 4 carbon atoms or a hydrogen atom. 前記(B)アルカリ可溶性樹脂が、(B3)式(5)で表される構造単位を有するポリベンゾオキサゾール前駆体を含有する、請求項1または2に記載の感光性樹脂組成物。 The photosensitive resin composition according to claim 1 or 2, wherein the alkali-soluble resin (B) contains a polybenzoxazole precursor having a structural unit represented by formula (5) (B3). 前記(B3)式(5)で表される構造単位を有するポリベンゾオキサゾール前駆体中の全ジカルボン酸残基100mol%中、炭素数10~20の脂肪族基を有するジカルボン酸残基が10mol%以上50mol%以下の範囲である請求項1または2に記載の感光性樹脂組成物。 (B3) Among 100 mol% of all dicarboxylic acid residues in the polybenzoxazole precursor having the structural unit represented by formula (5), 10 mol% of dicarboxylic acid residues having an aliphatic group having 10 to 20 carbon atoms. The photosensitive resin composition according to claim 1 or 2, wherein the photosensitive resin composition is in a range of 50 mol% or more. 請求項1または2に記載の感光性樹脂組成物を硬化した硬化物。 A cured product obtained by curing the photosensitive resin composition according to claim 1 or 2. 請求項12に記載の硬化物を有する、電子部品。 An electronic component comprising the cured product according to claim 12.
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