JP2022109860A - Substrate processing device - Google Patents
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Abstract
Description
本開示は、基板処理装置に関する。 The present disclosure relates to a substrate processing apparatus.
特許文献1には、基板を処理する基板処理装置が開示されている。前記基板処理装置は、大気圧雰囲気下において基板の処理を行う大気部と、減圧雰囲気下において基板の処理を行う減圧部と、を備える。前記大気部と前記減圧部は、内部が大気圧雰囲気と減圧雰囲気に切り替え可能な2つのロードロックモジュールを介して一体に接続されている。 Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2002-200002 discloses a substrate processing apparatus that processes substrates. The substrate processing apparatus includes an atmospheric section that processes substrates under an atmospheric pressure atmosphere, and a decompression section that processes substrates under a reduced pressure atmosphere. The atmosphere section and the decompression section are integrally connected via two load lock modules capable of switching between an atmospheric pressure atmosphere and a decompressed atmosphere.
本開示にかかる技術は、基板処理装置の真空搬送モジュールにおいて、内部寸法や搬送距離等の異なる複数種類の処理モジュールやリングストッカといった各種モジュールを搭載するに際し、真空搬送モジュールの設計を変更することなく、各種モジュールを搭載し、搬送対象物の搬送を的確に行うことが可能な基板処理装置を提供する。 The technology according to the present disclosure is a vacuum transfer module of a substrate processing apparatus that can be used to mount a plurality of types of processing modules having different internal dimensions, transfer distances, etc., and various modules such as a ring stocker without changing the design of the vacuum transfer module. , to provide a substrate processing apparatus in which various modules are mounted and an object to be transported can be accurately transported.
本開示の一態様は、真空搬送空間及び開口部を有する真空搬送モジュールと、前記開口部に取り付けられる壁ユニットであり、前記壁ユニットは、第1ゲートバルブ及び第2ゲートバルブを含み、前記第2ゲートバルブの幅寸法は、前記第1ゲートバルブの幅寸法よりも大きい、壁ユニットと、前記壁ユニットに取り付けられ、基板処理空間を有する基板処理モジュールであり、前記基板処理空間は、前記第1ゲートバルブを介して前記真空搬送空間と連通している、基板処理モジュールと、前記壁ユニットに取り付けられ、プラズマ処理モジュールで使用する少なくとも1つの環状部材を格納するための格納空間を有するリングストッカであり、前記格納空間は、前記第2ゲートバルブを介して前記真空搬送空間と連通している、リングストッカと、前記真空搬送空間内に配置され、前記真空搬送空間と前記基板処理空間との間で前記第1ゲートバルブを介して基板を搬送するように構成され、且つ、前記真空搬送空間と前記格納空間との間で前記第2ゲートバルブを介して少なくとも1つの環状部材を搬送するように構成される搬送機構と、を備える、基板処理装置である。 One aspect of the present disclosure is a vacuum transfer module having a vacuum transfer space and an opening, and a wall unit attached to the opening, wherein the wall unit includes a first gate valve and a second gate valve; The substrate processing module includes a wall unit in which the width dimension of two gate valves is larger than the width dimension of the first gate valve, and a substrate processing space attached to the wall unit. 1 a substrate processing module communicating with said vacuum transfer space via a gate valve; and a ring stocker attached to said wall unit and having a storage space for storing at least one annular member used in said plasma processing module. and the storage space includes a ring stocker communicating with the vacuum transfer space via the second gate valve, and a ring stocker disposed in the vacuum transfer space, between the vacuum transfer space and the substrate processing space. configured to transfer substrates between the vacuum transfer space and the storage space via the first gate valve; and to transfer at least one annular member between the vacuum transfer space and the storage space via the second gate valve. and a substrate processing apparatus comprising:
本開示によれば、基板処理装置の真空搬送モジュールにおいて、内部寸法や搬送距離等の異なる複数種類の処理モジュールやストッカといった各種モジュールを搭載するに際し、真空搬送モジュールの設計を変更することなく、各種モジュールを搭載し、搬送対象物の搬送を的確に行うことが可能となる。 According to the present disclosure, in a vacuum transfer module of a substrate processing apparatus, when various modules such as a plurality of types of processing modules and stockers having different internal dimensions, transfer distances, etc. are mounted, various modules can be installed without changing the design of the vacuum transfer module. By mounting the module, it becomes possible to carry out the transportation of the object to be transported accurately.
半導体デバイスの製造プロセスにおいては、半導体ウェハ(以下、単に「ウェハ」という。)を収容した処理モジュールの内部を減圧状態にし、当該ウェハに予め定められた処理を施す、様々な処理工程が行われている。これら処理工程は、複数の処理モジュールを備えた基板処理装置(以下、ウェハ処理装置とも記載)において行われる。 In the manufacturing process of semiconductor devices, various processing steps are performed in which the inside of a processing module containing semiconductor wafers (hereinafter simply referred to as "wafers") is decompressed and predetermined processing is performed on the wafers. ing. These processing steps are performed in a substrate processing apparatus (hereinafter also referred to as a wafer processing apparatus) having a plurality of processing modules.
このウェハ処理装置は、例えば、大気雰囲気下でウェハに所望の処理を施す大気モジュールを備えた大気部と、減圧雰囲気下でウェハに所望の処理を施す減圧モジュールを備えた減圧部と、を有している。大気部と減圧部は、内部を大気雰囲気と減圧雰囲気とに切り替え可能に構成されたロードロックモジュールを介して一体に接続される。 This wafer processing apparatus has, for example, an atmospheric section equipped with an atmospheric module for performing desired processing on wafers in an atmospheric atmosphere, and a decompression section equipped with a decompression module for performing desired processing on wafers in a decompressed atmosphere. is doing. The atmosphere part and the decompression part are integrally connected via a load lock module configured to be able to switch the inside between the atmospheric atmosphere and the decompressed atmosphere.
ところで、ウェハ処理装置の設計に際しては、特許文献1に開示されているように、減圧部において、1つの搬送系を構成する真空搬送モジュールに複数の処理モジュールや部品保管モジュール(いわゆるストッカ)を取り付けることが知られている。搭載するモジュールとしては、一般的なメインプロセス用のモジュール以外に、基板の後処理を行う後処理モジュールや、フォーカスリング(FR)及びカバーリング(CR)といったエッジリングを格納するリングストッカといった種々の寸法や構成を有するものが考えられる。 By the way, when designing a wafer processing apparatus, as disclosed in Patent Document 1, a plurality of processing modules and component storage modules (so-called stockers) are attached to a vacuum transfer module constituting one transfer system in a decompression section. It is known. In addition to general modules for the main process, the modules to be installed include a post-processing module that performs post-processing of substrates, and a ring stocker that stores edge rings such as focus ring (FR) and cover ring (CR). Anything with dimensions and configurations is conceivable.
また、1つの搬送系を構成する真空搬送モジュールにおいて、プロセスの内容等に応じてモジュールの着脱を行い、搭載するモジュールの種類や構成を変えるといったことも考え得る。 Further, in the vacuum transfer module that constitutes one transfer system, it is conceivable to change the type and configuration of the module to be mounted by attaching and detaching the module according to the content of the process.
このように、あらゆる種類のモジュールを1つの搬送系に搭載する場合に、モジュールの機能構成に応じてその仕様や寸法構成が異なり、1つの搬送系の搬送機構を用いたときにモジュールの内部寸法や求められる搬送距離が異なる場合がある。例えば、後処理モジュールにおける搬送対象が基板(ウェハ)であるのに対し、リングストッカにおける搬送対象は基板よりも径の大きなエッジリングであることなどから、両者のモジュールの内部空間寸法は当然異なる設計となる。このような理由により、種類の異なるモジュールではそれぞれ寸法等が異なり、搬送対象物を搬送する距離も当然異なってくる。そこで、1つの搬送系において複数のモジュールを搭載する際に、それぞれのモジュール内部に対し搬送機構が搬送対象物を的確に搬送することができるように各種モジュールを搭載することが求められる。 In this way, when all kinds of modules are mounted on a single transport system, the specifications and dimensions differ depending on the functional configuration of the modules. and required transport distance may differ. For example, the object to be transferred in the post-processing module is a substrate (wafer), while the object to be transferred in the ring stocker is an edge ring with a larger diameter than the substrate. becomes. For these reasons, different types of modules have different dimensions and the like, and naturally the distances over which objects to be transported are transported are also different. Therefore, when mounting a plurality of modules in one transport system, it is required to mount various modules so that the transport mechanism can accurately transport objects to be transported into the respective modules.
本開示にかかる技術は、上記事情に鑑みてなされたものであり、1つの搬送系を構成する真空搬送モジュールの設計を変更することなく、複数種類の処理モジュールやストッカを搭載し、当該搬送系による搬送対象物の搬送を的確に行うことが可能な基板処理装置を提供する。以下、本実施形態にかかる基板処理装置としてのウェハ処理装置について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。 The technology according to the present disclosure has been made in view of the above circumstances. Provided is a substrate processing apparatus capable of accurately transporting an object to be transported. A wafer processing apparatus as a substrate processing apparatus according to this embodiment will be described below with reference to the drawings. In the present specification and drawings, elements having substantially the same functional configuration are denoted by the same reference numerals, thereby omitting redundant description.
<ウェハ処理装置の構成>
先ず、本実施形態にかかるウェハ処理装置について説明する。図1は、本実施形態にかかるウェハ処理装置1の構成の概略を示す平面図である。本実施形態においては、ウェハ処理装置1が、基板としてのウェハWにエッチング処理、成膜処理又は拡散処理等のプラズマ処理を行うためのプラズマ処理モジュールを備える場合について説明する。また、プラズマ処理モジュールでの基板処理後、基板に対し例えば後処理としてアッシャー処理を行う後処理モジュールや、ウェハWの周囲を囲むようにして配置される環状(リング)部材(エッジリング)を格納するためのリングストッカを備える場合について説明する。但し、本開示のウェハ処理装置1のモジュール構成はこれに限られず、ウェハ処理の目的に応じて任意に選択され得る。また、後処理モジュールやリングストッカに代えて異なる装置構成を有する各種ユニットやモジュールが設けられても良い。
<Structure of Wafer Processing Apparatus>
First, the wafer processing apparatus according to this embodiment will be described. FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a wafer processing apparatus 1 according to this embodiment. In this embodiment, the wafer processing apparatus 1 includes a plasma processing module for performing plasma processing such as etching processing, film forming processing, or diffusion processing on a wafer W as a substrate. In addition, after the substrate is processed in the plasma processing module, a post-processing module for performing, for example, an ashing process as a post-processing on the substrate, and an annular (ring) member (edge ring) arranged so as to surround the periphery of the wafer W are stored. will be described. However, the module configuration of the wafer processing apparatus 1 of the present disclosure is not limited to this, and may be arbitrarily selected according to the purpose of wafer processing. Further, various units and modules having different device configurations may be provided in place of the post-processing module and ring stocker.
図1に示すように、ウェハ処理装置1は、大気部10と減圧部11がロードロックモジュール20を介して一体に接続された構成を有している。大気部10は、大気雰囲気下においてウェハWに所望の処理を行う大気モジュールを備える。減圧部11は、減圧雰囲気下においてウェハWに所望の処理を行う減圧モジュールを備える。
As shown in FIG. 1, the wafer processing apparatus 1 has a configuration in which an
ロードロックモジュール20は、後述のローダモジュール30及び後述のフィッティングモジュール60の幅方向(X軸方向)に沿って複数、本実施形態においては例えば3つのウェハ搬送室21a、21b、21cを有している。
The
基板搬送室としてのウェハ搬送室21a、21b、21c(以下、これらを併せて単に「ウェハ搬送室21」という場合がある。)は、ウェハ搬送口22、23を介して、大気部10の後述するローダモジュール30の内部空間と、減圧部11の後述するトランスファモジュール50の内部空間を連通するように設けられている。なお、ウェハ搬送口22、23は、それぞれゲートバルブ24、25により開閉自在に構成されている。
ウェハ搬送室21は、ウェハWを一時的に保持するように構成されている。また、ウェハ搬送室21は、内部を大気雰囲気と減圧雰囲気(真空状態)とに切り替えられるように構成されている。すなわちロードロックモジュール20は、大気雰囲気の大気部10と、減圧雰囲気の減圧部11との間で、適切にウェハWの受渡しができるように構成されている。
大気部10は、後述するウェハ搬送機構40を備えたローダモジュール30と、複数のウェハWを保管可能なフープ31を載置するロードポート32とを有している。なお、ローダモジュール30には、ウェハWの水平方向の向きを調節するオリエンタモジュール(図示せず)や複数のウェハWを格納する格納モジュール(図示せず)などが隣接して設けられていてもよい。
The
ローダモジュール30は内部が矩形の筐体からなり、筐体の内部は大気雰囲気に維持されている。ローダモジュール30のY軸負方向側の長辺を構成する一側面には、複数、例えば5つのロードポート32が並べて配置されている。ローダモジュール30のY軸正方向側の長辺を構成する他側面には、ロードロックモジュール20のウェハ搬送室21a、21b、21cが並べて配置されている。
The
ローダモジュール30の内部には、ウェハWを搬送するウェハ搬送機構40が設けられている。ウェハ搬送機構40は、ウェハWを保持して移動する搬送アーム41と、搬送アーム41を回転可能に支持する回転台42と、回転台42を搭載した回転載置台43とを有している。また、ローダモジュール30の内部には、ローダモジュール30の長手方向(X軸方向)に延伸するガイドレール44が設けられている。回転載置台43はガイドレール44上に設けられ、ウェハ搬送機構40はガイドレール44に沿って移動可能に構成されている。
A
減圧部11は、ウェハWを内部で搬送するトランスファモジュール50と、ロードロックモジュール20とトランスファモジュール50とを相互に接続するフィッティングモジュール60と、トランスファモジュール50から搬送されたウェハWに所望の処理を施す処理モジュール(以下、プラズマ処理モジュールとも記載)70を有している。トランスファモジュール50、フィッティングモジュール60及びプラズマ処理モジュール70の内部は、それぞれ減圧雰囲気に維持可能に構成される。なお本実施形態においては、1つのトランスファモジュール50に対して、複数、例えば6つのプラズマ処理モジュール70が接続されている。なお、プラズマ処理モジュール70の数や配置は本実施形態に限定されず、任意に設定することができる。
The
また、減圧部11において、トランスファモジュール50の終端(Y軸正方向端部)の壁面には、プラズマ処理モジュール70において処理された後にトランスファモジュール50を経て搬送されたウェハWに対し後処理(基板処理)を施す基板処理モジュールとしての後処理モジュール100、及び、エッジリングを保管するリングストッカ105が取り付けられている。なお、これら後処理モジュール100やリングストッカ105は取り外し自在に構成され、その配置等は本実施形態に限定されず、任意に設定することができる。
In the
真空搬送モジュールとしてのトランスファモジュール50は、上述したようにフィッティングモジュール60を介してロードロックモジュール20に接続されている。トランスファモジュール50は、例えばロードロックモジュール20のウェハ搬送室21aに搬入されたウェハWを一のプラズマ処理モジュール70に搬送して所望の処理を施し、必要に応じて後処理モジュール100にて後処理を行った後、ロードロックモジュール20のウェハ搬送室21cを介して大気部10に搬出する。一実施形態において、トランスファモジュール50は、真空搬送空間及び開口部を有する。開口部は、真空搬送空間と連通している。
The
トランスファモジュール50の内部には、ウェハWを搬送する搬送機構としてのウェハ搬送機構80が設けられている。即ち、ウェハ搬送機構80は、トランスファモジュール50の真空搬送空間内に配置される。ウェハ搬送機構80は、ウェハWを保持して移動する搬送アーム81と、搬送アーム81を回転可能に支持する回転台82と、回転台82を搭載した回転載置台83とを有している。回転載置台83はトランスファモジュール50の中央部分に固定されている。一実施形態において、ウェハ搬送機構80は、トランスファモジュール50の真空搬送空間と後述する後処理モジュール100の基板処理空間との間で第1ゲートバルブ55aを介して基板を搬送するように構成される。また、ウェハ搬送機構80は、トランスファモジュール50の真空搬送空間とリングストッカ105の格納空間との間で第2ゲートバルブ56aを介して少なくとも1つの環状部材(エッジリング)を搬送するように構成される。一実施形態において、ウェハ搬送機構80は、真空搬送空間と格納空間との間で第2ゲートバルブ56aを介して複数の環状部材(エッジリング)を一緒に搬送するように構成される。複数の環状部材は、後述する第1のエッジリング及び第2のエッジリングを含んでもよい。
A
フィッティングモジュール60は、上述したようにロードロックモジュール20とトランスファモジュール50とを相互に接続する。
Fitting
プラズマ処理モジュール70は、ウェハWに対して、例えばエッチング処理、成膜処理又は拡散処理等のプラズマ処理を行う。プラズマ処理モジュール70には、ウェハ処理の目的に応じた処理を行うモジュールを任意に選択することができる。またプラズマ処理モジュール70は、トランスファモジュール50の側壁面に形成されたウェハ搬送口51を介してトランスファモジュール50と連通しており、ウェハ搬送口51はゲートバルブ71を用いて開閉自在に構成されている。
The
後処理モジュール100は、上記プラズマ処理モジュール70において処理された後のウェハWに対し、例えばアッシング処理等の後処理を行う。一実施形態において、後処理モジュール100は、アッシング処理モジュールである。後処理モジュール100は必要に応じて用いられるものであり、不要な場合にはプラズマ処理モジュール70で処理されたウェハWはそのまま大気部10に搬出される。一実施形態において、後処理モジュール(基板処理モジュール)100は、後述する壁ユニット110に取り付けられ、処理空間(基板処理空間)を有する。処理空間は、後述する第1ゲートバルブ55aを介してトランスファモジュール50の真空搬送空間と連通している。
The
リングストッカ105は、半導体製造装置でのウェハWに対するプラズマ処理時に処理の均一性を高めるために一般的に用いられているエッジリングを保管しておくものである。プラズマ処理モジュール70でのプラズマ処理時等、必要とされる場合にこのリングストッカ105からエッジリングが取り出され、適宜用いられる。一実施形態において、リングストッカ105は、後述する壁ユニット110に取り付けられ、プラズマ処理モジュール70で使用する少なくとも1つのエッジリング(環状部材)を格納するための格納空間を有する。少なくとも1つのエッジリングは、プラズマ処理モジュール70内で基板を囲むように配置される。なお、複数のエッジリングが、プラズマ処理モジュール70内で一緒に使用されてもよい。一実施形態において、複数のエッジリングは、第1エッジリング及び第2エッジリングを有し、第2エッジリングの外径は、第1エッジリングの外径よりも大きい。一実施形態において、第1エッジリングは、Si材料又はSiC材料で作製され、第2エッジリングは、石英で作製される。なお、第1エッジリング及び第2エッジリングが、同一の材料で作製されてもよい。例えば、第1エッジリング及び第2エッジリングが石英で作製されてもよい。格納空間は、後述する第2ゲートバルブ56aを介してトランスファモジュール50の真空搬送空間と連通している。
The
以上のウェハ処理装置1には、図1に示すように制御部90が設けられている。制御部90は、例えばCPUやメモリ等を備えたコンピュータであり、プログラム格納部(図示せず)を有している。プログラム格納部には、ウェハ処理装置1におけるウェハWの搬送や処理を制御するプログラムが格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体Hに記録されていたものであって、当該記憶媒体Hから制御部90にインストールされたものであってもよい。
The wafer processing apparatus 1 described above is provided with a
<各モジュールの構成>
本実施形態に係るウェハ処理装置1は以上のように構成されている。次に、各モジュールの詳細な構成について説明する。図2及び図3は、ロードロックモジュール20、トランスファモジュール50、フィッティングモジュール60、後処理モジュール100、リングストッカ105の構成の概略を模式的に示す斜視図及び縦断面図である。
<Configuration of each module>
The wafer processing apparatus 1 according to this embodiment is configured as described above. Next, detailed configuration of each module will be described. 2 and 3 are a perspective view and a longitudinal sectional view schematically showing the outline of the configuration of the
図2及び図3に示すように、ロードロックモジュール20、フィッティングモジュール60、トランスファモジュール50、後処理モジュール100(あるいはリングストッカ105)は、Y軸負方向側からこの順に並べて接続されている。
As shown in FIGS. 2 and 3, the
ロードロックモジュール20は、図2に示すようにフィッティングモジュール60の幅方向(X軸方向)に沿って並べて配置された、3つのウェハ搬送室21a、21b、21cを有している。3つのウェハ搬送室21のそれぞれには、ローダモジュール30との間でウェハWの受渡しを行うウェハ搬送口22と、トランスファモジュール50との間でウェハWの受渡しを行う基板搬送口としてのウェハ搬送口23とが形成されている。換言すれば、ロードロックモジュール20のY軸負方向側及び正方向側の側壁には、それぞれウェハ搬送口22、23がそれぞれ3つずつ形成されている。
The
ロードロックモジュール20のウェハ搬送室21は、上述したように、ゲートバルブ24、ゲートバルブ25を介してローダモジュール30及びトランスファモジュール50に接続されている。このゲートバルブ24、25により、ウェハ搬送室21とローダモジュール30、又はトランスファモジュール50の間の気密性の確保と互いの連通を両立する。
The
ウェハ搬送室21には、図3に示すように、ローダモジュール30とトランスファモジュール50との間で搬送されるウェハWを一時的に保持するストッカ26が設けられている。
As shown in FIG. 3, the
またロードロックモジュール20には、図3に示すように、ウェハ搬送室21の内部にガスを供給する給気部27と、ガスを排出する排気部28が接続されている。ロードロックモジュール20は、これら給気部27と排気部28によって、ウェハ搬送室21の内部が大気雰囲気と減圧雰囲気に切り替え可能に構成されている。
As shown in FIG. 3, the
トランスファモジュール50におけるフィッティングモジュール60が接続されるY軸負方向側の一端部には、フィッティングモジュール60との間でウェハWの搬送が行われる開口部52が形成されている。また、トランスファモジュール50のY軸正方向側の他端部としての終端壁面57には、ウェハ搬送口57aが形成される。終端壁面57には、後処理モジュール100、リングストッカ105との間でウェハWの搬送を行うためのエンドパーツ(壁ユニット)110が取り付けられている。後処理モジュール100、リングストッカ105の内部には、ウェハWやエッジリングを載置するための載置台101、106がそれぞれ備えられている。
An
エンドパーツ110は、ウェハ搬送口111(111a、111b)が形成された本体部112と、後述する第1ゲートバルブ55a及び第2ゲートバルブ56aを備えている。一実施形態において、壁ユニット110は、トランスファモジュール50の開口部に取り付けられる。即ち、壁ユニット110は、真空搬送空間の一部を規定する。一実施形態において、壁ユニット110は、第1空間及び第2空間を有する。壁ユニット110の第1空間は、トランスファモジュール50の真空搬送空間と後処理モジュール100の基板処理空間との間に配置される。壁ユニット110の第2空間は、トランスファモジュール50の真空搬送空間とリングストッカ105の格納空間との間に配置される。第1ゲートバルブ55aは、第1空間内に配置され、第2ゲートバルブ56aは、第2空間内に配置される。一実施形態において、第1ゲートバルブ55aは、壁ユニット110における後処理モジュール100に近い面に配置され、第2ゲートバルブ56aは、壁ユニット110におけるリングストッカ105に近い面に配置される。一実施形態において、第2空間の奥行寸法は、第1空間の奥行寸法よりも大きい。この場合、第2ゲートバルブ56aは、第1ゲートバルブ55aよりもトランスファモジュール50から離れて配置される。なお、後処理モジュール100、リングストッカ105の詳細な構成については図4を参照して後述する。
The
このように、トランスファモジュール50とフィッティングモジュール60との間には、図示のように板状部材やゲートバルブが設けられていない。すなわちトランスファモジュール50とフィッティングモジュール60は、内部空間が連通され、ウェハ搬送機構80によりウェハWが搬送される一体の搬送空間Sを画成する。
Thus, between the
トランスファモジュール50の長辺を構成するX軸負方向側及び正方向側の側面には、上述したように、プラズマ処理モジュール70と連通する複数(本実施形態においてはプラズマ処理モジュール70の設置数に合わせて6つ)のウェハ搬送口51が形成されている。ウェハ搬送口51は、ゲートバルブ71(図1参照)を用いて開閉自在に構成されている。
As described above, on the side surfaces of the
また、ウェハ搬送口51の上方におけるトランスファモジュール50の天井面には、搬送空間Sに不活性ガス(例えばN2ガス)を供給するためのガス供給部54が接続されている。このガス供給部54は、ウェハ搬送口51を遮断するように、いわばエアカーテンを形成するように、搬送空間Sに対して不活性ガスを供給し、ゲートバルブ71の開放時においてプラズマ処理モジュール70からトランスファモジュール50に対してパーティクル等が飛散することを抑制する。
A
またガス供給部54は、搬送空間Sの内部における気流の滞留部分を無くし、フィッティングモジュール60に接続される排気機構(図示せず)により適切に搬送空間Sの内部を排気できるように、搬送空間Sの内部に不活性ガスを供給する。
In addition, the
<後処理モジュール、リングストッカの構成>
次に、後処理モジュール100及びリングストッカ105の詳細な構成について説明する。図4は、ウェハ処理装置1におけるトランスファモジュール50の終端壁面57に設けられたエンドパーツ(壁ユニット)110、後処理モジュール100、リングストッカ105の構成を示す概略平面断面図であり、後処理モジュール100及びリングストッカ105の周囲を拡大して図示したものである。なお、図4では、ウェハ搬送機構80(搬送アーム81)が各モジュール内部まで延伸している状態を破線により図示している。
<Configuration of post-processing module and ring stocker>
Next, detailed configurations of the
図4に示すように、トランスファモジュール50の終端壁面57には、第1ゲートバルブ55a及び第2ゲートバルブ56aを備えたエンドパーツ110が取り付けられている。エンドパーツ110は第1ゲートバルブ55a及び第2ゲートバルブ56aによって開閉自在に構成されるウェハ搬送口111(111a、111b)が形成された本体部112を備える。エンドパーツ110は本体部112がトランスファモジュール50の終端壁面57に対し取り付け自在に構成される。その取り付け方法は特に限定されないが、例えばネジ止めによって取り付けられれば良い。終端壁面57には、エンドパーツ110の第1ゲートバルブ55aを介して後処理モジュール100が搭載され、また、エンドパーツ110の第2ゲートバルブ56aを介してリングストッカ105が搭載されている。
As shown in FIG. 4, the
エンドパーツ110の本体部112は、第1の本体部112aと第2の本体部112bが連結して構成されている。第1の本体部112aは終端壁面57と後処理モジュール100を接続する中空の筐体であり、終端壁面57側の側面は開口し、後処理モジュール100側の側面にはウェハ搬送口111aが形成されている。第1の本体部112aの内部には、第1ゲートバルブ55aが設けられている。また、第2の本体部112bは終端壁面57とリングストッカ105を接続する中空の筐体であり、終端壁面57側の側面は開口し、リングストッカ105側の側面にはウェハ搬送口111bが形成されている。第1の本体部112aの内部には、第2ゲートバルブ55bが設けられている。なお、本体部112の構成は任意であり、例えば、本実施形態に係る構成では、第1ゲートバルブ55aと第2ゲートバルブ56aの構成が異なることで、幅方向(X軸方向)での厚み(Y軸方向厚み)が部位によって異なる。
A
エンドパーツ110の構成は図示の形態に限定されるものではないが、例えば、第1ゲートバルブ55aと第2ゲートバルブ56aとは、寸法や構造が異なるゲートバルブでも良い。即ち、第1ゲートバルブ55aはいわゆるボンネット型ゲートバルブでも良く、第2ゲートバルブ56aはいわゆるインサート型ゲートバルブでも良い。ボンネット型の第1ゲートバルブとは、第1の本体部112aの凸部に取り付けられるゲートバルブである。また、インサート型ゲートバルブとは、第2の本体部112bの凹部に対して取り付けられるゲートバルブである。
Although the configuration of the
本実施形態に係る構成では、図4のように、エンドパーツ110の構成として、第1ゲートバルブ55aに対応する部分のY軸方向厚みL1と、第2ゲートバルブ56aに対応する部分のY軸方向厚みL2とは異なっており、L1<L2との関係にある。換言すると、後処理モジュール100とトランスファモジュール50の終端壁面57との距離L1は、リングストッカ105とトランスファモジュール50の終端壁面57との距離L2よりも小さくなるような構成となっている。
In the configuration according to the present embodiment, as shown in FIG. 4, the
また、後処理モジュール100やリングストッカ105といった各種モジュールには、その特性に応じたチャンバ厚みや内部空間寸法等があり、モジュール入り口から搬送中心までの距離も各種モジュールによって異なる。本実施形態に係る構成では、図4に示すように、後処理モジュール100におけるモジュール入り口から搬送中心までの距離M1と、リングストッカ105におけるモジュール入り口から搬送中心までの距離M2は、M1>M2との関係にある。これは、後処理モジュール100ではプラズマ処理を行う場合があることからモジュール壁の厚みが厚く、また、モジュールの筐体全体の大きさがリングストッカ105に比べ大きいことなどに起因する。
Various modules such as the
また、図4のように、第1ゲートバルブ55aの幅寸法(X軸方向寸法)D1と、第2ゲートバルブ56aの幅寸法(X軸方向寸法)D2は、D1<D2との関係にある。これは、後処理モジュール100の搬送対象物はウェハWであるのに対し、リングストッカ105の搬送対象物はウェハWより径の大きなエッジリングであることに起因する。
Further, as shown in FIG. 4, the width dimension (X-axis direction dimension) D1 of the
半導体デバイスの製造プロセスでのウェハ処理装置1の設計において、後処理モジュール100やリングストッカ105といった各種モジュールの設計や寸法は処理内容等に応じて予め定まる。即ち、上述した、後処理モジュール100におけるモジュール入り口から搬送中心までの距離M1、リングストッカ105におけるモジュール入り口から搬送中心までの距離M2は予め規定される。
In designing the wafer processing apparatus 1 in the semiconductor device manufacturing process, the design and dimensions of various modules such as the
これに対し、本実施形態に係るエンドパーツ110はトランスファモジュール50の終端壁面57に取り外し自在に構成される部品である。即ち、その設計は任意であり、複数種類のエンドパーツ110を製作、用意することも可能である。当然、エンドパーツ110が擁する第1ゲートバルブ55a及び第2ゲートバルブ56aの幅寸法D1、D2は任意に設計可能である。例えば、本実施形態に係る構成のように、後処理モジュール100の設計に合わせた幅寸法D1の第1ゲートバルブ55aと、リングストッカ105の設計に合わせた幅寸法D2の第2ゲートバルブ56aと、を擁するようなエンドパーツ110を設計して用いても良い。
On the other hand, the
本実施形態に係るウェハ処理装置1にあっては、以上説明したように、トランスファモジュール50の終端壁面57に取り外し自在に構成されるエンドパーツ110を取り付け、当該エンドパーツ110を介して後処理モジュール100やリングストッカ105といった各種モジュールを搭載する構成を採っている。これにより、真空搬送モジュールとしてのトランスファモジュール50の設計を変更することなく、エンドパーツ110を介して後処理モジュール100やリングストッカ105といった各種モジュールを搭載することが可能となる。
In the wafer processing apparatus 1 according to the present embodiment, as described above, the
また、エンドパーツ110の設計を好適に行うことで、後処理モジュール100やリングストッカ105への搬送対象物(ウェハWやエッジリングなど)の搬送を的確に行うことができる。具体的には、エンドパーツ110が備える第1ゲートバルブ55aのY軸方向厚みL1や、第2ゲートバルブ56aのY軸方向厚みL2の大きさを所望の値としたエンドパーツ110を製作することで各モジュールでの搬送距離を好適に調整することができる。具体的には、本実施形態に係る後処理モジュール100での搬送距離はL1+M1であり、リングストッカ105での搬送距離はL2+M2である。これら両者の搬送距離を、エンドパーツ110の設計に応じてL1とL2の値を変えることで各モジュールでの搬送距離を所望の距離に設計することが可能となる。
Also, by appropriately designing the
なお、今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。 It should be noted that the embodiments disclosed this time should be considered as examples and not restrictive in all respects. The embodiments described above may be omitted, substituted, or modified in various ways without departing from the scope and spirit of the appended claims.
上記実施形態では、エンドパーツ110が備えるゲートバルブが、いわゆるボンネット型ゲートバルブである第1ゲートバルブ55aと、いわゆるインサート型ゲートバルブである第2ゲートバルブ56aである場合を図示し説明したが、これに限られるものではない。例えば、トランスファモジュール50の終端壁面57に2つの後処理モジュールを搭載する場合には、いわゆるボンネット型ゲートバルブを2つ擁するような構成のエンドパーツを製作しても良い。また、例えば、トランスファモジュール50の終端壁面57に2つのリングストッカを搭載する場合には、いわゆるインサート型ゲートバルブを2つ擁するような構成のエンドパーツを製作しても良い。上述したように、エンドパーツはトランスファモジュール50に対し取り外し自在に構成される部品であるため、搭載するモジュールの種類等に応じて、エンドパーツを使い分ければよい。従って、ウェハ処理装置1は、トランスファモジュール50の開口部に取り付けられるフレキシブルシステムを備える。フレキシブルシステムは、第1交換可能ユニット、第2交換可能ユニット及び第3交換可能ユニットのうちいずれかを選択的に含む。第1交換可能ユニットは、第1壁ユニット(図示省略)と2つの後処理モジュール100,100とを含む。第1壁ユニットは、トランスファモジュール50の開口部に取り付けられ、2つの第1ゲートバルブ55a,55aを含む。2つの後処理モジュール100,100は、第1壁ユニットに取り付けられる。各後処理モジュール100は、基板処理空間を有し、基板処理空間は、第1ゲートバルブ55aを介してトランスファモジュール50の真空搬送空間と連通している。第2交換可能ユニットは、第2壁ユニット(図示省略)と2つのリングストッカ105,105とを含む。第2壁ユニットは、トランスファモジュール50の開口部に取り付けられ、2つの第2ゲートバルブ56a,56aを含む。2つのリングストッカ105,105は、第2壁ユニットに取り付けられる。各リングストッカ105は、プラズマ処理モジュール70で使用する1又は複数のエッジリング(環状部材)を格納するための格納空間を有する。格納空間は、第2ゲートバルブ56aを介してトランスファモジュール50の真空搬送空間と連通している。第3交換可能ユニットは、第3壁ユニット110と1つの後処理モジュール100と1つのリングストッカ105とを含む。
In the above embodiment, the gate valves included in the
エンドパーツとしては種々の設計や構成が考え得るが、例えば、トランスファモジュール50の終端壁面57にモジュールを搭載しない場合には、当該終端壁面57を板状部材によって覆い閉塞させるいわゆるエンドプレートを取り付けても良い。即ち、ユニットフレキシブルシステムは、第1交換可能ユニット、第2交換可能ユニット、第3交換可能ユニット及び第4交換可能ユニットのうちいずれかを選択的に含んでもよい。第4交換可能ユニットは、第4壁ユニット(エンドプレート)を含む。また、ウェハ処理装置1の構成として、一の真空搬送モジュールに別の真空搬送モジュールを連結させる場合がある。その場合には、上記実施形態に係るエンドパーツに代えて、真空搬送モジュール同士を接続し、当該真空搬送モジュール同士の間で基板の受け渡しを行う筒型形状のパスモジュールを取り付けても良い。
Various designs and configurations can be considered for the end parts. For example, when no module is mounted on the
また、上記実施形態に係るエンドパーツ110の構成に代えて、エンドパーツ110が共通エンドプレートと、各交換可能ユニット(例えば後処理モジュール100、リングストッカ105)に対応する開口プレートから構成されても良い。図5及び図6は他の実施形態に係るエンドパーツ110の構成についての概略説明図であり、図5は概略斜視図、図6は概略平面図である。なお、本実施形態に係る説明において上記実施の形態に係る構成と同じ機能構成を有する構成要素については同一の符号を付して図示し、その説明は省略する場合がある。
Further, instead of the configuration of the
図5及び図6に示すように、エンドパーツ110は、ゲートバルブを2つ擁するような構成の共通エンドプレート120と、各ゲートバルブ130、130に対応し、着脱自在に設けられる基板処理モジュール用開口プレート124と、リングストッカ用開口プレート126と、を含む。本実施形態においてエンドパーツ110に設けられる2つのゲートバルブ130、130の構成は任意であり、例えば、上述したいわゆるボンネット型ゲートバルブとインサート型ゲートバルブのいずれかでも良い。
As shown in FIGS. 5 and 6, the
即ち、トランスファモジュール50の終端壁面57に共通エンドプレート120が取り付けられた状態において、基板処理モジュール用開口プレート124と、リングストッカ用開口プレート126と、が任意の構成で着脱自在に設けられる。着脱手段は任意であり、例えばネジ止めであっても良い。取り付け例として、図6に示すように、一方のゲートバルブ130に対し基板処理モジュール用開口プレート124及び後処理モジュール100が装置本体側からこの順に取り付けられても良い。また、他方のゲートバルブ130に対しリングストッカ用開口プレート126及びリングストッカ105が装置本体側からこの順に取り付けられても良い。
That is, in a state where the
図7は基板処理モジュール用開口プレート124の詳細図である。図8はリングストッカ用開口プレート126の詳細図である。図7は基板処理モジュール用開口プレート124を後処理モジュール100に取り付ける状態、図8はリングストッカ用開口プレート126をリングストッカ105に取り付ける状態をそれぞれ示している。図7と図8を比較してわかるように、基板処理モジュール用開口プレート124とリングストッカ用開口プレート126の厚みは大きく異なっている。リングストッカ用開口プレート126の方が基板処理モジュール用開口プレート124に比べ厚く構成されている。これにより、上記実施形態で説明したのと同様に、エンドパーツ110において、一方のゲートバルブ130でのY軸方向厚みL1と、他方のゲートバルブ130でのY軸方向厚みL2とが異なる(L1<L2)ように構成することができる(図6参照)。
FIG. 7 is a detailed view of the substrate processing
本実施形態では、基板処理モジュール用開口プレート124とリングストッカ用開口プレート126とを必要に応じて着脱する。これにより、所望の取り付けモジュールに対応した開口プレートを用い、後処理モジュール100での搬送距離L1+M1や、リングストッカ105での搬送距離L2+M2を容易に調整することが可能となる。特に、これら両者の搬送距離を、共通エンドプレート120の交換を行うことなく調整することができるため、搬送距離の調整が容易になる。
In this embodiment, the substrate processing
図9は、本実施形態に係るエンドパーツ110の各ゲートバルブ130、130に対し後処理モジュール100及びリングストッカ105を取り付けた状態の概略図である。図9に示すように、トランスファモジュール50の終端壁面57においてエンドパーツ110を介して取り付けられるモジュールは種類に応じて寸法が大きく異なる場合がある。エンドパーツ110を共通エンドプレート120と各開口プレート124、126から構成されるものとすることで、図9のように取り付ける各種モジュールの寸法が大きく異なる場合であっても、それら各種モジュールの着脱を容易に行うことができる。
FIG. 9 is a schematic diagram of the
また、以上の実施形態においては、ウェハ搬送機構80は原則としてウェハWの搬送を行うものとして説明を行ったが、本実施形態にかかるウェハ処理装置1のように、プラズマ処理モジュール70においてウェハWに対してプラズマ処理が行われる場合にあっては、エッジリングERを用いる場合がある。そのような場合には、真空搬送部においてエッジリングERも搬送可能に構成されていてもよい。例えば、上記実施形態に係るリングストッカ105は、プラズマ処理モジュール70においてプラズマ処理が行われる場合に一般的に用いられるエッジリングを格納するものであり、このような構成においては、当然、ウェハ搬送機構80は、ウェハWに加え、エッジリングも搬送可能に構成されることが望ましい。
Further, in the above embodiments, the
1 ウェハ処理装置
50 トランスファモジュール
55a 第1ゲートバルブ
56a 第2ゲートバルブ
57 終端壁面
80 ウェハ搬送機構
100 後処理モジュール(基板処理モジュール)
105 リングストッカ
110 壁ユニット(エンドパーツ)
W ウェハ
Reference Signs List 1
105
W wafer
Claims (12)
前記開口部に取り付けられる壁ユニットであり、前記壁ユニットは、第1ゲートバルブ及び第2ゲートバルブを含み、前記第2ゲートバルブの幅寸法は、前記第1ゲートバルブの幅寸法よりも大きい、壁ユニットと、
前記壁ユニットに取り付けられ、基板処理空間を有する基板処理モジュールであり、前記基板処理空間は、前記第1ゲートバルブを介して前記真空搬送空間と連通している、基板処理モジュールと、
前記壁ユニットに取り付けられ、プラズマ処理モジュールで使用する少なくとも1つの環状部材を格納するための格納空間を有するリングストッカであり、前記格納空間は、前記第2ゲートバルブを介して前記真空搬送空間と連通している、リングストッカと、
前記真空搬送空間内に配置され、前記真空搬送空間と前記基板処理空間との間で前記第1ゲートバルブを介して基板を搬送するように構成され、且つ、前記真空搬送空間と前記格納空間との間で前記第2ゲートバルブを介して少なくとも1つの環状部材を搬送するように構成される搬送機構と、を備える、基板処理装置。 a vacuum transfer module having a vacuum transfer space and an opening;
a wall unit attached to the opening, the wall unit including a first gate valve and a second gate valve, wherein the width dimension of the second gate valve is greater than the width dimension of the first gate valve; a wall unit;
a substrate processing module attached to the wall unit and having a substrate processing space, the substrate processing space communicating with the vacuum transfer space through the first gate valve;
A ring stocker attached to the wall unit and having a storage space for storing at least one annular member used in the plasma processing module, the storage space communicating with the vacuum transfer space via the second gate valve. a ring stocker in communication;
disposed in the vacuum transfer space, configured to transfer a substrate between the vacuum transfer space and the substrate processing space via the first gate valve, and comprising the vacuum transfer space and the storage space; a transport mechanism configured to transport at least one annular member between and through the second gate valve.
前記第2ゲートバルブはインサート型ゲートバルブである、請求項1~9のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The first gate valve is a bonnet type gate valve,
10. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein said second gate valve is an insert type gate valve.
前記開口部に取り付けられ、前記第1ゲートバルブ及び前記第2ゲートバルブを含む共通エンドプレートと、
前記共通エンドプレートと前記基板処理モジュールとの間に取り付けられる基板処理モジュール用開口プレートと、
前記共通エンドプレートと前記リングストッカとの間に取り付けられるリングストッカ用開口プレートと、を含む、請求項1~10のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The wall unit is
a common end plate attached to the opening and including the first gate valve and the second gate valve;
a substrate processing module aperture plate mounted between the common end plate and the substrate processing module;
11. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a ring stocker opening plate attached between said common end plate and said ring stocker.
前記真空搬送モジュールの前記開口部に取り付けられ、第1交換可能ユニット、第2交換可能ユニット及び第3交換可能ユニットのうちいずれかを選択的に含むフレキシブルシステムと、を備え、
前記第1交換可能ユニットは、
前記開口部に取り付けられ、2つの第1ゲートバルブを含む第1壁ユニットと、
前記第1壁ユニットに取り付けられる2つの基板処理モジュールであり、各基板処理モジュールは、基板処理空間を有し、前記基板処理空間は、前記第1ゲートバルブを介して前記真空搬送空間と連通している、2つの基板処理モジュールと、を含み、
前記第2交換可能ユニットは、
前記開口部に取り付けられ、2つの第2ゲートバルブを含む第2壁ユニットと、
前記第2壁ユニットに取り付けられる2つのリングストッカであり、各リングストッカは、プラズマ処理モジュールで使用する環状部材を格納するための格納空間を有し、前記格納空間は、前記第2ゲートバルブを介して前記真空搬送空間と連通している、2つのリングストッカと、を含み、
前記第3交換可能ユニットは、
前記開口部に取り付けられ、第1ゲートバルブ及び第2ゲートバルブを含む第3壁ユニットであり、前記第2ゲートバルブの幅寸法は、前記第1ゲートバルブの幅寸法よりも大きい、第3壁ユニットと、
前記第3壁ユニットに取り付けられ、基板処理空間を有する基板処理モジュールであり、前記基板処理空間は、前記第1ゲートバルブを介して前記真空搬送空間と連通している、基板処理モジュールと、
前記第3壁ユニットに取り付けられ、プラズマ処理モジュールで使用する環状部材を格納するための格納空間を有するリングストッカであり、前記格納空間は、前記第2ゲートバルブを介して前記真空搬送空間と連通している、リングストッカと、を含む、基板処理装置。
a vacuum transfer module having a vacuum transfer space and an opening;
a flexible system attached to the opening of the vacuum transfer module and selectively including one of a first replaceable unit, a second replaceable unit and a third replaceable unit;
The first replaceable unit comprises:
a first wall unit mounted in the opening and including two first gate valves;
two substrate processing modules mounted on said first wall unit, each substrate processing module having a substrate processing space, said substrate processing space communicating with said vacuum transfer space through said first gate valve; two substrate processing modules;
The second replaceable unit comprises:
a second wall unit mounted in the opening and including two second gate valves;
two ring stockers attached to the second wall unit, each ring stocker having a storage space for storing an annular member used in the plasma processing module, the storage space accommodating the second gate valve; two ring stockers in communication with the vacuum transfer space via
The third replaceable unit comprises:
A third wall unit mounted in the opening and including a first gate valve and a second gate valve, wherein the width dimension of the second gate valve is greater than the width dimension of the first gate valve. a unit;
a substrate processing module attached to the third wall unit and having a substrate processing space, the substrate processing space communicating with the vacuum transfer space through the first gate valve;
A ring stocker attached to the third wall unit and having a storage space for storing an annular member used in the plasma processing module, the storage space communicating with the vacuum transfer space via the second gate valve. A substrate processing apparatus comprising: a ring stocker;
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