JP2021068891A - 半導体洗浄装置用部材 - Google Patents
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Abstract
Description
第1の部材は、熱変形しにくく、金属が溶出しにくい。
第1の部材は、また、強度、導電性(除電性)、耐薬品性にも優れる。
強度重視の場合は、平均繊維長は長いほうが(連続繊維)好ましく、部材を切削により仕上げる場合は毛羽たちを抑えるために平均繊維長は短いほうが好ましい。
上記平均繊維長は、上記炭素繊維を構成する炭素単繊維の平均繊維長であってよい。
上記平均繊維長は、マイクロスコープにより、測定することができる。
上記平均直径は、上記炭素繊維を構成する炭素単繊維の平均直径であってよい。
上記平均直径は、マイクロスコープにより、測定することができる。
上記炭素繊維は、シート状の炭素繊維であることが好ましく、炭素繊維を一方向に引き揃えた一方向炭素繊維シート、織布又は不織布がより好ましく、一方向炭素繊維シートが更に好ましい。
開繊の方法は特に限定されず、凹凸ロールを交互に通過させる方法、太鼓型ロールを使用する方法、軸方向振動に張力変動を加える方法、垂直に往復運動する2個の摩擦体による炭素繊維束の張力を変動させる方法、炭素繊維束にエアを吹き付ける方法等を採用してよい。また、特許第3064019号及び特許第3146200号に記載される開繊方法を採用することもできる。
CF2=CF−ORf1 (1)
(式中、Rf1は、炭素数1〜10、好ましくは炭素数1〜5のパーフルオロアルキル基を表す。)で表されるものが挙げられ、なかでもパーフルオロ(メチルビニルエーテル)〔PMVE〕、パーフルオロ(エチルビニルエーテル)〔PEVE〕、パープルオロ(プロピルビニルエーテル)〔PPVE〕が好ましい。
本明細書において、MFRは、ASTM D 1238に準拠し、温度372℃、荷重5kgで測定して得られる値である。
炭素繊維の含有量が上記範囲内にあると、上記部材が一層熱変形しにくくなり、また、導電性が一層向上する。
上記プリプレグは、上記炭素繊維のシートと上記PFAのフィルムとが熱融着されたものであることが好ましい。
上記プリプレグはシートであってよい。
また、特開2016−27956号公報に記載されるような、樹脂が未含浸状態のチョップドセミプリプレグシート材から得られる疑似等方補強シート材を、上記プリプレグとして使用してもよい。
上記プリプレグを2枚以上含む場合、各プリプレグを構成する炭素繊維の配向は、同じであってもよく、異なってもよい。
上記プリプレグを2枚以上含む場合、2枚以上の上記プリプレグが積層され、加熱圧縮により一体化されていることが好ましい。ここで、一体化とは、上記プリプレグ同士が熱融着し、1の部材を構成することを意味する。熱融着した上記プリプレグ同士の界面は、必ずしも明確でなくてよい。
得られる部材中にエアが残らないように、上記PFAの融点以上に加熱しつつ加圧及び脱圧を複数回繰り返した後に、加圧成形してもよい。
第2の部材は、熱変形しにくく、金属が溶出しにくい。
第2の部材は、また、強度、導電性(除電性)、耐薬品性にも優れる。
上記平均繊維長は、1mm以上であることが好ましく、2mm以上であることがより好ましく、5mm以上であることが更に好ましく、10mm以上であることが特に好ましい。
上記平均繊維長の上限は特に限定されないが、部材の最大長であってよい。
上記平均繊維長は、上記炭素繊維を構成する炭素単繊維の平均繊維長であってよい。
上記平均繊維長は、上述した方法により、測定することができる。
なお、平均繊維長が上記範囲内にある炭素繊維を含む部材は、射出成形等による成形が可能な、炭素繊維の短繊維を含む成形品とは区別される。
第2の部材におけるPFAとしては、第1の部材におけるPFAと同様のものが挙げられる。
また、第2の部材における炭素繊維の好ましい含有量も、第1の部材と同様である。
Na、K、Mn、Cu、Zn、Pb:
1.47ng/cm2以下であることが好ましく、1.20ng/cm2以下であることがより好ましく、1.10ng/cm2以下であることが更に好ましい。
Cr:
14.7ng/cm2以下であることが好ましく、12.0ng/cm2以下であることがより好ましく、11.0ng/cm2以下であることが更に好ましい。
Fe、Ni:
14.7ng/cm2以下であることが好ましく、10.0ng/cm2以下であることがより好ましく、5.0ng/cm2以下であることが更に好ましく、1.0ng/cm2以下であることが特に好ましい。
上記のうち、少なくとも1つの金属の溶出量が上記範囲内にあることが好ましく、全ての金属の溶出量が上記範囲内にあることがより好ましい。
特に、第1及び第2の部材は、3.6質量%塩酸に168時間浸漬後の溶出Al量が1.47ng/cm2以下であることが好ましく、1.00ng/cm2以下であることがより好ましく、0.50ng/cm2以下であることが更に好ましく、0.30ng/cm2以下であることが更により好ましく、0.20ng/cm2以下であることが特に好ましい。
また、第1及び第2の部材は、3.6質量%塩酸に168時間浸漬後の溶出Ca量が14.7ng/cm2以下であることが好ましく、10.0ng/cm2以下であることがより好ましく、5.0ng/cm2以下であることが更に好ましく、1.0ng/cm2以下であることが更により好ましく、0.5ng/cm2以下であることが特に好ましい。
(サンプル)
部材をX軸40mm、Y軸50mm、Z軸5mmの大きさに切り出し、サンプルとする。
(サンプル事前洗浄)
サンプルをPFAベッセル容器(アズワン社製PFAS200)に入れ、試験液(3.6質量%塩酸)100mlを注ぎ、蓋をして96時間静置する。96時間後に蓋を開けPFAピンセットでサンプルを取り出し、超純粋の流水(流量10ml/秒)に10秒間さらして洗浄し、別に準備したPFA容器の上に置く。PFAベッセル内の試験液は廃棄し、試験液50mlを入れ、蓋を閉め手で振った後に蓋を開け試験液を廃棄する。この作業を3回行うことによりPFAベッセルを洗浄する。
(24時間又は168時間浸漬試験)
洗浄済のPFAベッセルに洗浄済のサンプルをPFA製ピンセットで入れ、試験液100mlを注ぎ入れ、蓋をして24時間又は168時間放置する。その後PFAベッセルの蓋を開け、試験後の試験液の一部をICP−MS(アジレント・テクノロジー社製)の測定用容器に入れ、測定液中の金属溶出量の測定を行う。得られた数値を用いて下記式にて計算し、サンプルの金属溶出量を算出する。
サンプルの金属溶出量(ng/cm2)=測定液中の金属溶出量(ng)×(100/ICP−MS測定液量(ml))/サンプル表面積(cm2)
なお、上記サンプル事前洗浄は、サンプル表面に付着した金属を除去することを目的とするものである。上記サンプル事前洗浄の時間を24時間としてもよい。
第1及び第2の部材は、220℃で60分加熱した後の熱変形率が1.0%以下であることが好ましく、0.5%以下であることがより好ましく、0.3%以下であることが更に好ましい。
第1及び第2の部材は、240℃で60分加熱した後の熱変形率が1.0%以下であることが好ましく、0.5%以下であることがより好ましく、0.3%以下であることが更に好ましい。
第1及び第2の部材は、260℃で60分加熱した後の熱変形率が1.0%以下であることが好ましく、0.5%以下であることがより好ましく、0.3%以下であることが更に好ましい。
X軸15mm、Y軸10mm、Z軸5mmのサンプルを準備し、X軸及びY軸の寸法をノギス(MITUTOYO社製ABSデジマチックキャリパCD−S20C)で、Z軸の寸法をマイクロメーター(MITUTOYO社製クーラントプルーフマイクロメータMDC−25MX)で測定する。寸法測定後、予め200℃、220℃、240℃又は260℃に加熱した電気炉(エスペック社製高温恒湿機STPH−202M)にサンプルを入れる。60分後にサンプルを取り出し常温まで冷却し、上記と同じノギス及びマイクロメーターで採寸をする。下記式にて、X軸、Y軸及びZ軸のそれぞれについて熱収縮率を算出し、それらの絶対値の最大値を、サンプルの熱変形率とする。
熱収縮率(%)=100×(初期寸法−加熱後寸法)/初期寸法
半導体洗浄装置の部材からの溶出金属は半導体の汚染源となるが、第1及び第2の部材は金属が溶出しにくいので、半導体を汚染しにくい。また、半導体洗浄装置に組み込む前に部材を事前洗浄することで、部材からの金属汚染を抑えることができる。第1及び第2の部材は金属が溶出しにくいので、上記事前洗浄の時間を短くできる。
また、半導体の洗浄薬剤には濃硫酸や、過酸化水素といった反応性の高いものが多く、また、高温での洗浄が必要な場合もある。第1及び第2の部材は、耐薬品性に優れるとともに、熱変形しにくいので、洗浄薬剤に侵されず、かつ高温環境下でも寸法変化が小さい。したがって、耐久性に優れる。
更に、半導体洗浄装置では、配管通過中に洗浄薬剤が帯電することがあり、除電されないと、半導体の絶縁破壊が起こるおそれがある。第1及び第2の部材は、導電性(除電性)にも優れることから、帯電した洗浄薬剤による半導体の絶縁破壊を防止することができる。
上記洗浄薬剤は、液体であってよい。
第1及び第2の部材を、上記洗浄薬剤と接触する部材として使用することも好ましい。
ただし、第1及び第2の部材を、上記洗浄薬剤と接触しない部材として使用することも可能である。
第1及び第2の部材を、上記高温の洗浄薬剤と接触する部材として使用することも好ましい。
ただし、第1及び第2の部材を、上記高温の洗浄薬剤と接触しない部材として使用することも可能である。
半導体と洗浄薬剤との接触方法としては、ディップ式、スピン式、スプレー式等が挙げられるが、スピン式が好ましい。
上記半導体洗浄装置は、枚葉スピン式洗浄装置であることが好ましい。
上記半導体ウェーハを支持するための部位としては、例えば、上記回転台上に設けられた、半導体ウェーハを支持するための突起が挙げられる。上記突起としては、チャックピンが好ましい。
半導体洗浄装置(枚葉スピン式洗浄装置)10は、回転機構11を有する回転台12を備える。回転台12上には、半導体ウェーハ100を支持するためのピン(チャックピン)13が複数設けられている。
回転機構11により回転台12を回転させることによって、半導体ウェーハ100を回転させながら、半導体洗浄装置10が備えるノズル14から洗浄薬剤を噴射することにより、半導体ウェーハ100を洗浄することができる。
なお、本開示の部材を適用することが可能な半導体洗浄装置は、上述したものに限定されない。
本開示の部材により支持された半導体ウェーハを薬剤で洗浄する工程を含み、上記工程において上記部材が上記薬剤と接触する、半導体ウェーハの洗浄方法も、好適な態様の1つである。
<プリプレグの作製>
特開2017−31342号公報に記載された方法に準じて、以下の材料及び条件にて、プリプレグを作製した。
炭素繊維(東レ社製T700SC−12000−60E)
PFAフィルム(ダイキン工業製ネオフロンPFA AF−0050)
搬送用ベルト:熱硬化性ポリイミド樹脂フィルム(宇部興産製ユーピレックスS)
加熱ロール表面温度:360℃
開繊後炭素繊維目付:18g/m2
上記プリプレグを、特開2016−27956号公報に記載された方法に準じて、繊維方向に沿って幅5mm、繊維方向に直交する方向に沿って長さ20mmに切断して、チョップ材を作製した。
上記チョップ材を各チョップ材がランダムな方向を向くように金型に充填し、温度360℃、圧力5MPaで一体化し、圧力をかけたまま60℃まで冷却した後に金型から取り出し300mm×300mm×5mmtの寸法で、炭素繊維26質量%(29体積%)の積層板を作製した。
上記積層板を、ウォータージェット切断機(OMAX社製protoMax)で各測定に必要なサイズに切り出し、サンプルを作製した。
(試験液)
30質量%濃塩酸(関東化学社製 超高純度試薬)を超純水で希釈し試験液(3.6質量%塩酸)を調製し、試験液とした。
(サンプル)
上記積層板をX軸40mm、Y軸50mm、Z軸5mmの大きさに切り出し、サンプルとした。
(サンプル事前洗浄)
サンプルをPFAベッセル容器(アズワン社製PFAS200)に入れ、試験液100mlを注ぎ、蓋をして96時間静置した。96時間後に蓋を開けPFAピンセットでサンプルを取り出し、超純粋の流水(流量10ml/秒)に10秒間さらして洗浄し、別に準備したPFA容器の上に置いた。PFAベッセル内の試験液は廃棄し、試験液50mlを入れ、蓋を閉め手で振った後に蓋を開け試験液を廃棄した。この作業を3回行うことによりPFAベッセルを洗浄した。
(24時間又は168時間浸漬試験)
洗浄済のPFAベッセルに洗浄済のサンプルをPFA製ピンセットで入れ、試験液100mlを注ぎ入れ、蓋をして24時間又は168時間放置した。その後PFAベッセルの蓋を開け、試験後の試験液の一部をICP−MS(アジレント・テクノロジー社製)の測定用容器に入れ、測定液中の金属溶出量の測定を行った。得られた数値を用いて下記式にて計算し、サンプルの金属溶出量を算出した。
サンプルの金属溶出量(ng/cm2)=測定液中の金属溶出量(ng)×(100/ICP−MS測定液量(ml))/サンプル表面積(cm2)
結果を表1に示す。
X軸15mm、Y軸10mm、Z軸5mmのサンプルを準備し、X軸及びY軸の寸法をノギス(MITUTOYO社製ABSデジマチックキャリパCD−S20C)で、Z軸の寸法をマイクロメーター(MITUTOYO社製クーラントプルーフマイクロメータMDC−25MX)で測定した。寸法測定後、予め200℃、220℃、240℃又は260℃に加熱した電気炉(エスペック社製高温恒湿機STPH−202M)にサンプルを入れた。60分後にサンプルを取り出し常温まで冷却し、上記と同じノギス及びマイクロメーターで採寸をした。下記式にて、X軸、Y軸及びZ軸のそれぞれについて熱収縮率を算出した。
熱収縮率(%)=100×(初期寸法−加熱後寸法)/初期寸法
結果を表3に示す。
上記積層板をX軸100mm、Y軸100mm、Z軸5mmの大きさに切り出し、絶縁抵抗計(日置電機株式会社製、メグオームハイテスタ3454−10)で50V、125V、250V、500Vの電圧で抵抗値を測定した。その結果、X軸、Y軸、Z軸ともにすべての電圧で抵抗値が0.000MΩであり、良好な導電性を示した。
上記PFAフィルムのみを用い、積層板の作製と同じ成形方法で300mm×300mm×5mmtの寸法でPFA単独の成形板を得た。このPFA単独成形板から、X軸100mm、Y軸100mm、Z軸5mmの大きさのサンプルを切り出し、絶縁抵抗計(日置電機株式会社製、メグオームハイテスタ3454−10)で50V、125V、250V、500Vの電圧で抵抗値を測定した。その結果、X軸、Y軸、Z軸ともにすべての電圧で抵抗値がオーバーフロー(無限大)となり、半導体洗浄装置用部材に適さないことがわかった。
11:回転機構
12:回転台
13:ピン
14:ノズル
100:半導体ウェーハ
Claims (14)
- 炭素繊維とテトラフルオロエチレン/パーフルオロ(アルキルビニルエーテル)共重合体とが熱融着したプリプレグを含む半導体洗浄装置用部材。
- 前記プリプレグが2枚以上積層され、加熱圧縮により一体化されている請求項1記載の半導体洗浄装置用部材。
- 前記プリプレグは、前記炭素繊維のシートと、前記テトラフルオロエチレン/パーフルオロ(アルキルビニルエーテル)共重合体のフィルムとが熱融着されたものである請求項1又は2記載の半導体洗浄装置用部材。
- 平均繊維長が0.5mm以上の炭素繊維とテトラフルオロエチレン/パーフルオロ(アルキルビニルエーテル)共重合体とを含む半導体洗浄装置用部材。
- 前記炭素繊維が、前記炭素繊維と前記テトラフルオロエチレン/パーフルオロ(アルキルビニルエーテル)共重合体との合計量に対し、5〜70体積%である請求項1〜4のいずれかに記載の半導体洗浄装置用部材。
- 前記炭素繊維が開繊されている請求項1〜5のいずれかに記載の半導体洗浄装置用部材。
- 硫酸、過酸化水素、フッ酸、塩酸、硝酸及びリン酸からなる群より選択される少なくとも1種と接触し得る請求項1〜6のいずれかに記載の半導体洗浄装置用部材。
- 温度が100℃以上の洗浄薬剤と接触し得る請求項1〜7のいずれかに記載の半導体洗浄装置用部材。
- 3.6質量%塩酸に24時間浸漬後の溶出Al量が1.47ng/cm2以下である請求項1〜8のいずれかに記載の半導体洗浄装置用部材。
- 3.6質量%塩酸に168時間浸漬後の溶出Al量が1.47ng/cm2以下である請求項1〜9のいずれかに記載の半導体洗浄装置用部材。
- 3.6質量%塩酸に24時間浸漬後の溶出Ca量が14.7ng/cm2以下である請求項1〜10のいずれかに記載の半導体洗浄装置用部材。
- 3.6質量%塩酸に168時間浸漬後の溶出Ca量が14.7ng/cm2以下である請求項1〜11のいずれかに記載の半導体洗浄装置用部材。
- 220℃で60分加熱した後の熱変形率が1.0%以下である請求項1〜12のいずれかに記載の半導体洗浄装置用部材。
- 260℃で60分加熱した後の熱変形率が1.0%以下である請求項1〜13のいずれかに記載の半導体洗浄装置用部材。
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