JP2020085527A - Pattern inspection device and pattern inspection method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、パターン検査装置及びパターン検査方法に関する。例えば、半導体製造に用いる試料となる物体のパターン欠陥を検査するパターン検査技術に関し、半導体素子や液晶ディスプレイ(LCD)を製作するときに使用されるフォトマスク、ウェハ、あるいは液晶基板などの極めて小さなパターンの欠陥を検査する方法に関する。 The present invention relates to a pattern inspection device and a pattern inspection method. For example, regarding a pattern inspection technique for inspecting pattern defects of an object which is a sample used for semiconductor manufacturing, an extremely small pattern such as a photomask, a wafer, or a liquid crystal substrate used when manufacturing a semiconductor element or a liquid crystal display (LCD). To inspect for defects.
近年、大規模集積回路(LSI)の高集積化及び大容量化に伴い、半導体素子に要求される回路線幅はますます狭くなってきている。これらの半導体素子は、回路パターンが形成された原画パターン(マスク或いはレチクルともいう。以下、マスクと総称する)を用いて、いわゆるステッパと呼ばれる縮小投影露光装置でウェハ上にパターンを露光転写して回路形成することにより製造される。よって、かかる微細な回路パターンをウェハに転写するためのマスクの製造には、微細な回路パターンを描画することができる電子ビームを用いたパターン描画装置を用いる。かかるパターン描画装置を用いてウェハに直接パターン回路を描画することもある。或いは、電子ビーム以外にもレーザビームを用いて描画するレーザビーム描画装置の開発が試みられている。 2. Description of the Related Art In recent years, circuit line widths required for semiconductor devices have become narrower with higher integration and larger capacity of large scale integrated circuits (LSI). In these semiconductor elements, an original image pattern (also referred to as a mask or reticle; hereinafter referred to as a mask) on which a circuit pattern is formed is exposed and transferred onto a wafer by a reduction projection exposure apparatus called a stepper. It is manufactured by forming a circuit. Therefore, in manufacturing a mask for transferring such a fine circuit pattern onto a wafer, a pattern drawing apparatus using an electron beam capable of drawing a fine circuit pattern is used. A pattern circuit may be directly drawn on the wafer by using such a pattern drawing apparatus. Alternatively, attempts have been made to develop a laser beam drawing apparatus that draws using a laser beam other than an electron beam.
そして、多大な製造コストのかかるLSIの製造にとって、歩留まりの向上は欠かせない。しかし、1ギガビット級のDRAM(ランダムアクセスメモリ)に代表されるように、LSIを構成するパターンは、サブミクロンからナノメータのオーダーになろうとしている。歩留まりを低下させる大きな要因の一つとして、半導体ウェハ上に超微細パターンをフォトリソグラフィ技術で露光、転写する際に使用されるマスクのパターン欠陥があげられる。近年、半導体ウェハ上に形成されるLSIパターン寸法の微細化に伴って、パターン欠陥として検出しなければならない寸法も極めて小さいものとなっている。そのため、LSI製造に使用される転写用マスクの欠陥を検査するパターン検査装置の高精度化が必要とされている。 Further, improvement in yield is indispensable for manufacturing an LSI that requires a large manufacturing cost. However, as represented by a 1-gigabit class DRAM (random access memory), patterns constituting an LSI are going to be in the order of submicrons to nanometers. One of the major factors that reduce the yield is a pattern defect of a mask used when exposing and transferring an ultrafine pattern on a semiconductor wafer by a photolithography technique. In recent years, with the miniaturization of the LSI pattern size formed on a semiconductor wafer, the size that must be detected as a pattern defect has become extremely small. Therefore, it is necessary to improve the accuracy of the pattern inspection device for inspecting the defects of the transfer mask used in the LSI manufacturing.
検査手法としては、拡大光学系を用いてリソグラフィマスク等の試料上に形成されているパターンを所定の倍率で撮像した光学画像と、設計データ、あるいは試料上の同一パターンを撮像した光学画像と比較することにより検査を行う方法が知られている。例えば、パターン検査方法として、同一マスク上の異なる場所の同一パターンを撮像した光学画像データ同士を比較する「die to die(ダイ−ダイ)検査」や、パターン設計されたCADデータをマスクにパターンを描画する時に描画装置が入力するための装置入力フォーマットに変換した描画データ(設計データ)を検査装置に入力して、これをベースに設計画像(参照画像)を生成して、それとパターンを撮像した測定データとなる光学画像とを比較する「die to database(ダイ−データベース)検査」がある。かかる検査装置における検査方法では、試料はステージ上に載置され、ステージが動くことによって光束が試料上を走査し、検査が行われる。試料には、光源及び照明光学系によって光束が照射される。試料を透過あるいは反射した光は光学系を介して、センサ上に結像される。センサで撮像された画像は測定データとして比較回路へ送られる。比較回路では、画像同士の位置合わせの後、測定データと参照データとを適切なアルゴリズムに従って比較し、許容内に入らない場合には、パターン欠陥有りと判定する。 As an inspection method, compare the optical image of the pattern formed on the sample such as the lithography mask at a predetermined magnification with the magnifying optical system with the design data or the optical image of the same pattern on the sample. A method of performing an inspection by doing is known. For example, as a pattern inspection method, a "die to die (die-to-die) inspection" in which optical image data obtained by imaging the same pattern at different locations on the same mask is compared, or a pattern is designed using CAD data as a mask. The drawing data (design data) converted into the device input format for the drawing device to input at the time of drawing is input to the inspection device, a design image (reference image) is generated based on this, and the pattern and the pattern are imaged. There is a "die to database (die-database) inspection" in which an optical image serving as measurement data is compared. In the inspection method in such an inspection apparatus, the sample is placed on the stage, and the light beam scans the sample by the movement of the stage to perform the inspection. A light source and an illumination optical system illuminate the sample with a light beam. The light transmitted or reflected by the sample is imaged on the sensor via the optical system. The image captured by the sensor is sent to the comparison circuit as measurement data. In the comparison circuit, after the images are aligned with each other, the measurement data and the reference data are compared according to an appropriate algorithm, and if they do not fall within the allowable range, it is determined that there is a pattern defect.
欠陥が検出されると、欠陥を含む画像データと欠陥位置特定情報とを結合してユーザが視認可能に出力される。そして、ユーザは、かかる結合された情報を確認することで、欠陥の状況を特定している。ここで、昨今のパターンの微細化に伴い、検査装置では、従来に比べて膨大な数の欠陥を検出するようになってきた。そのため、欠陥数の増大に伴って大容量となった欠陥に関するデータをデータ処理回路間で転送する必要が生じ、従来と同様のデータ処理を行っていたのでは、欠陥数が少なかった従来の場合に比べて検査時間が大幅に増大してしまうといった問題があった。よって、できるだけ検査時間の増大を低減することが求められる。 When a defect is detected, the image data including the defect and the defect position specifying information are combined and output so as to be visually recognized by the user. Then, the user identifies the status of the defect by confirming the combined information. Here, with the recent miniaturization of patterns, the inspection apparatus has come to detect a huge number of defects as compared with the conventional one. Therefore, it becomes necessary to transfer the data regarding the defect, which has become large in capacity with the increase in the number of defects, between the data processing circuits. In the case of the conventional case where the number of defects is small, the same data processing as the conventional case is performed. There is a problem that the inspection time is significantly increased as compared with the above. Therefore, it is required to reduce the increase in inspection time as much as possible.
ここで、画像比較により判定された欠陥候補の代表画素の座標を記憶装置に記憶していき、記憶装置の容量がオーバーフローした場合に、検査を中止して、検査閾値を変更して欠陥数が少なくなるように検査感度を緩めた状態で欠陥候補の判定を継続するといった技術が開示されている(例えば、特許文献1参照)。しかしながら、かかる技術では、結局、膨大な欠陥数の欠陥抽出を諦めることになってしまう。 Here, the coordinates of the representative pixel of the defect candidate determined by the image comparison are stored in the storage device, and when the capacity of the storage device overflows, the inspection is stopped and the inspection threshold value is changed to determine the number of defects. A technique is disclosed in which the determination of defect candidates is continued while the inspection sensitivity is reduced so as to decrease the number (for example, refer to Patent Document 1). However, with such a technique, defect extraction with a huge number of defects is eventually given up.
そこで、本発明の一態様は、欠陥個所のデータ量が大きい場合でも、検査時間の増大を低減可能な検査装置および方法を提供する。 Therefore, according to one embodiment of the present invention, an inspection device and a method which can reduce an increase in inspection time even when the data amount of a defective portion is large is provided.
本発明の一態様のパターン検査装置は、
複数の図形パターンが形成された基板から複数の領域の光学画像を取得する光学画像取得機構と、
複数の領域の光学画像に対応する複数の参照画像を用いて、対応する光学画像と参照画像との比較処理を複数の領域の少なくとも一部の領域間で並列処理する複数の比較部と、
比較の結果、欠陥と判定された欠陥画像データの転送を受け、転送されたデータを基に欠陥情報を生成する少なくとも1つの欠陥情報生成部と、
欠陥情報の生成処理状況に応じて、欠陥画像データの転送順序とタイミングを決定する転送部と、
を備えたことを特徴とする。
A pattern inspection apparatus according to one aspect of the present invention is
An optical image acquisition mechanism for acquiring optical images of a plurality of regions from a substrate on which a plurality of graphic patterns are formed,
Using a plurality of reference images corresponding to the optical image of the plurality of areas, a plurality of comparison units for performing parallel processing between the corresponding optical image and the reference image between at least some areas of the plurality of areas,
As a result of the comparison, at least one defect information generation unit that receives the defect image data determined to be defective and generates defect information based on the transferred data,
A transfer unit that determines the transfer order and timing of the defect image data according to the generation processing status of the defect information;
It is characterized by having.
また、転送待ちの欠陥画像データのデータ容量が閾値を超えた場合に、光学画像の取得を一時停止すると好適である。 Further, it is preferable to temporarily stop the acquisition of the optical image when the data capacity of the defective image data waiting to be transferred exceeds the threshold value.
また、複数の比較部のうち、1つにおける転送待ちの欠陥画像データのデータ容量が閾値を超えた場合に、光学画像の取得を一時停止すると好適である。 Further, it is preferable to temporarily stop the acquisition of the optical image when the data capacity of the defective image data waiting to be transferred in one of the plurality of comparison units exceeds the threshold value.
或いは、複数の比較部のうち、すべての比較部における転送待ちの欠陥画像データのデータ容量が共に閾値を超えた場合に、光学画像の取得を一時停止するように構成しても好適である。 Alternatively, it is also preferable to temporarily stop the acquisition of the optical image when the data capacities of the defective image data waiting to be transferred in all the comparison units among the plurality of comparison units exceed the threshold value.
本発明の一態様のパターン検査方法は、
複数の図形パターンが形成された基板から複数の領域の光学画像を取得する工程と、
複数の領域の光学画像に対応する複数の参照画像を用いて、対応する光学画像と参照画像との比較処理を複数の領域の少なくとも一部の領域間で並列処理する工程と、
比較の結果、欠陥と判定された欠陥画像データの転送を受け、転送されたデータを基に欠陥情報を生成する工程と、
欠陥情報の生成処理状況に応じて、欠陥画像データの転送順序とタイミングを決定する工程と、
を備えたことを特徴とする。
A pattern inspection method according to one aspect of the present invention is
A step of acquiring optical images of a plurality of regions from a substrate on which a plurality of graphic patterns are formed;
Using a plurality of reference images corresponding to the optical images of the plurality of regions, the step of performing parallel processing between the corresponding optical image and the reference image between at least some regions of the plurality of regions,
As a result of the comparison, a process of receiving the defect image data determined to be a defect and generating defect information based on the transferred data,
Determining the transfer order and timing of the defect image data according to the generation processing status of the defect information,
It is characterized by having.
本発明の一態様によれば、欠陥個所のデータ量が大きい場合でも、検査時間の増大を低減できる。 According to one aspect of the present invention, it is possible to reduce an increase in inspection time even when the data amount of a defective portion is large.
実施の形態1.
図1は、実施の形態1におけるパターン検査装置の構成を示す構成図である。図1において、検査対象基板、例えばマスクに形成されたパターンの欠陥を検査する検査装置100は、光学画像取得機構150、及び制御系回路160を備えている。
FIG. 1 is a configuration diagram showing the configuration of the pattern inspection apparatus according to the first embodiment. In FIG. 1, an inspection apparatus 100 that inspects a substrate to be inspected, for example, a defect of a pattern formed on a mask includes an optical
光学画像取得機構150は、光源103、照明光学系170、移動可能に配置されたXYθテーブル102、拡大光学系104、フォトダイオードアレイ105(センサの一例)、センサ回路106、ストライプパターンメモリ123、レーザ測長システム122、及びオートローダ130を有している。XYθテーブル102上には、オートローダ130から搬送された基板101が配置されている。基板101として、例えば、ウェハ等の半導体基板にパターンを転写する露光用のフォトマスクが含まれる。また、このフォトマスクには、検査対象となる複数のパターンが形成されている。基板101は、例えば、パターン形成面を下側に向けてXYθテーブル102に配置される。
The optical
制御系回路160では、検査装置100全体を制御する制御計算機110が、バス120を介して、位置回路107、複数の比較回路108(108a〜108c)、参照画像作成回路112、オートローダ制御回路113、テーブル制御回路114、結合回路140、転送回路142、磁気ディスク装置109、磁気テープ装置115、フレシキブルディスク装置(FD)116、CRT117、パターンモニタ118、及びプリンタ119に接続されている。また、センサ回路106は、ストライプパターンメモリ123に接続され、ストライプパターンメモリ123は、複数の比較回路108a〜108cに接続されている。また、XYθテーブル102は、X軸モータ、Y軸モータ、θ軸モータにより駆動される。XYθテーブル102は、ステージの一例となる。
In the
なお、位置回路107、複数の比較回路108(108a〜108c)、参照画像作成回路112、オートローダ制御回路113、テーブル制御回路114、結合回路140、及び転送回路142といった一連の「〜回路」は、処理回路を有する。かかる処理回路には、電気回路、コンピュータ、プロセッサ、回路基板、量子回路、或いは、半導体装置等が含まれる。また、データ転送の受け手である結合回路140を除く各「〜回路」は、共通する処理回路(同じ処理回路)を用いてもよい。或いは、異なる処理回路(別々の処理回路)を用いても良い。例えば、位置回路107、複数の比較回路108(108a〜108c)、参照画像作成回路112、オートローダ制御回路113、テーブル制御回路114、及び転送回路142といった一連の「〜回路」は、制御計算機110によって構成され、実行されても良い。プロセッサ等を実行させるプログラムは、磁気ディスク装置109、磁気テープ装置115、FD116、或いはROM(リードオンリメモリ)等の記録媒体に記録されればよい。
A series of “˜circuits” such as the
検査装置100では、光源103、XYθテーブル102、照明光学系170、拡大光学系104、フォトダイオードアレイ105、及びセンサ回路106により高倍率の検査光学系が構成されている。また、XYθテーブル102は、制御計算機110の制御の下にテーブル制御回路114により駆動される。X方向、Y方向、θ方向に駆動する3軸(X−Y−θ)モータの様な駆動系によって移動可能となっている。これらの、Xモータ、Yモータ、θモータは、例えばステップモータを用いることができる。XYθテーブル102は、XYθ各軸のモータによって水平方向及び回転方向に移動可能である。そして、XYθテーブル102上に配置された基板101の移動位置はレーザ測長システム122により測定され、位置回路107に供給される。また、オートローダ130からXYθテーブル102への基板101の搬送、及びXYθテーブル102からオートローダ130への基板101の搬送処理は、オートローダ制御回路113によって制御される。
In the inspection apparatus 100, the light source 103, the XYθ table 102, the illumination optical system 170, the magnifying
被検査基板101のパターン形成の基となる描画データ(設計データ)が検査装置100の外部から入力され、磁気ディスク装置109に格納される。描画データには、複数の図形パターンが定義され、各図形パターンは、通常、複数の要素図形の組合せにより構成される。なお、1つの図形で構成される図形パターンがあっても構わない。被検査基板101上には、かかる描画データに定義された各図形パターンに基づいて、それぞれ対応するパターンが形成されている。
Drawing data (design data) that is the basis of pattern formation on the
ここで、図1では、実施の形態1を説明する上で必要な構成部分について記載している。検査装置100にとって、通常、必要なその他の構成が含まれても構わないことは言うまでもない。 Here, in FIG. 1, components necessary for explaining the first embodiment are described. It goes without saying that the inspection apparatus 100 may normally include other necessary configurations.
図2は、実施の形態1における検査領域を説明するための概念図である。基板101の検査領域10(検査領域全体)は、図2に示すように、例えばY方向に向かって、スキャン幅Wの短冊状の複数の検査ストライプ20に仮想的に分割される。そして、検査装置100では、検査ストライプ20毎に画像(ストライプ領域画像)を取得していく。検査ストライプ20の各々に対して、レーザ光を用いて、当該ストライプ領域の長手方向(X方向)に向かって当該ストライプ領域内に配置される図形パターンの画像を撮像する。なお、画像の取りこぼしを防ぐために、複数の検査ストライプ20は、後述するように、隣接する検査ストライプ20同士間が所定のマージン幅でオーバーラップするように設定される。
FIG. 2 is a conceptual diagram for explaining the inspection area in the first embodiment. As shown in FIG. 2, the inspection region 10 (entire inspection region) of the
XYθテーブル102の移動によってフォトダイオードアレイ105が相対的にX方向に連続移動しながら光学画像が取得される。フォトダイオードアレイ105では、図2に示されるようなスキャン幅Wの光学画像を連続的に撮像する。言い換えれば、センサの一例となるフォトダイオードアレイ105は、XYθテーブル102(ステージ)と相対移動しながら、検査光を用いて基板101に形成された図形パターンの光学画像を撮像する。実施の形態1では、1つの検査ストライプ20における光学画像を撮像した後、Y方向に次の検査ストライプ20の位置まで移動して今度は逆方向に移動しながら同様にスキャン幅Wの光学画像を連続的に撮像する。すなわち、往路と復路で逆方向に向かうフォワード(FWD)−バックフォワード(BWD)の方向で撮像を繰り返す。
An optical image is acquired while the
また、実際の検査にあたって、各検査ストライプ20のストライプ領域画像は、図2に示すように、例えば、スキャン幅の1/2のサイズの矩形の複数のフレーム画像30に分割される。そして、フレーム画像30毎に検査を行っていく。各検査ストライプ20のストライプ領域がかかるフレーム画像30のサイズに分割された領域がフレーム領域となる。言い換えれば、各検査ストライプ20のストライプ領域が、図2に示すように、例えば、スキャン幅の1/2のサイズの矩形の複数のフレーム領域に分割される。例えば、512×512画素のサイズに分割される。よって、フレーム画像30と比較される参照画像も同様にフレーム領域毎に作成されることになる。なお、複数のフレーム画像30は、後述するように、隣接するフレーム画像30同士間が所定のマージン幅でオーバーラップするように設定される。
Further, in the actual inspection, the stripe region image of each
ここで、撮像の方向は、フォワード(FWD)−バックフォワード(BWD)の繰り返しに限るものではない。一方の方向から撮像してもよい。例えば、FWD−FWDの繰り返しでもよい。或いは、BWD−BWDの繰り返しでもよい。 Here, the imaging direction is not limited to the repetition of forward (FWD)-back forward (BWD). You may image from one direction. For example, FWD-FWD may be repeated. Alternatively, BWD-BWD may be repeated.
図3は、実施の形態1における検査方法の要部工程を示すフローチャート図である。図3において、実施の形態1における検査方法は、ストライプ画像取得工程(S102)と、参照画像作成工程(S110)と、並列する複数の検査工程(S120a〜S120c)と、データ転送処理工程(S130)と、結合工程(S140)と、いう一連の工程を実施する。各検査工程(S120a〜S120c)は、内部工程として、フレーム画像作成工程(S122)と、位置合わせ工程(S124)と、比較処理工程(S126)と、いう一連の工程を実施する。 FIG. 3 is a flowchart showing essential steps of the inspection method according to the first embodiment. In FIG. 3, the inspection method according to the first embodiment includes a stripe image acquisition step (S102), a reference image creation step (S110), a plurality of parallel inspection steps (S120a to S120c), and a data transfer processing step (S130). ) And a joining process (S140). Each inspection process (S120a to S120c) performs a series of processes called a frame image creation process (S122), a positioning process (S124), and a comparison process process (S126) as internal processes.
ストライプ画像取得工程(S102)として、光学画像取得機構150は、複数の図形パターンが形成された基板101から複数の光学画像を取得する。具体的には、以下のように動作する。まず、最初の検査ストライプ20が撮像可能な位置にXYθテーブル102を移動させる。基板101に形成されたパターンには、適切な光源103から、検査光となる紫外域以下の波長のレーザ光(例えば、DUV光)が照明光学系170を介して照射される。基板101を透過した光は拡大光学系104を介して、フォトダイオードアレイ105(センサの一例)に光学像として結像し、入射する。
As the stripe image acquisition step (S102), the optical
フォトダイオードアレイ105上に結像されたパターンの像は、フォトダイオードアレイ105の各受光素子によって光電変換され、更にセンサ回路106によってA/D(アナログ・デジタル)変換される。そして、ストライプパターンメモリ123に、測定対象の検査ストライプ20の画素データが格納される。かかる画素データ(ストライプ領域画像)を撮像する際、フォトダイオードアレイ105のダイナミックレンジは、例えば、照明光の光量が60%入射する場合を最大階調とするダイナミックレンジを用いる。その後、ストライプ領域画像は、位置回路107から出力されたXYθテーブル102上における基板101の位置を示すデータと共に複数の比較回路108a〜108cのいずれかに送られる。測定データ(画素データ)は例えば8ビットの符号なしデータであり、各画素の明るさの階調(光量)を表現している。例えば、第1番目の検査ストライプ20のストライプ画像データは、比較回路108aに出力される。第2番目の検査ストライプ20のストライプ画像データは、比較回路108bに出力される。第3番目の検査ストライプ20のストライプ画像データは、比較回路108cに出力される。第4番目の検査ストライプ20のストライプ画像データは、再度、比較回路108aに出力される。以下、順に、ストライプ画像データが出力される。或いは、制御計算機110が、複数の比較回路108a〜108cのデータ処理状況に応じて、データ処理がより進んでいる(空いている、或いは、先に空く)比較回路108a〜108cを出力先として選定しても好適である。
The image of the pattern formed on the
参照画像作成工程(S110)として、参照画像作成回路112(参照画像作成部)は、複数の検査ストライプ20(領域)のストライプ画像(光学画像)に対応する複数の参照画像を作成する。実施の形態1では、検査ストライプ20毎の参照画像として、フレーム画像30に対応するように、フレーム領域毎に参照画像を作成する。但し、これに限るものではない。検査ストライプ20毎に参照画像を作成する場合であっても構わない。具体的には、以下のように動作する。参照画像作成回路112は、まず、記憶装置109から制御計算機110を通して描画データ(設計パターンデータ)を読み出し、読み出された設計パターンデータに定義された各図形パターンを2値ないしは多値のイメージデータに変換する。
As the reference image creating step (S110), the reference image creating circuit 112 (reference image creating unit) creates a plurality of reference images corresponding to the stripe images (optical images) of the plurality of inspection stripes 20 (regions). In the first embodiment, as the reference image for each
設計パターンデータに定義される図形は、例えば長方形や三角形を基本図形としたもので、例えば、図形の基準位置における座標(x、y)、辺の長さ、長方形や三角形等の図形種を区別する識別子となる図形コードといった情報で各パターン図形の形、大きさ、位置等を定義した図形データが格納されている。 The figure defined in the design pattern data is, for example, a rectangle or triangle as a basic figure. For example, coordinates (x, y) at the reference position of the figure, side lengths, and figure types such as rectangle and triangle are distinguished. Graphic data defining the shape, size, position, etc. of each pattern graphic is stored with information such as a graphic code serving as an identifier.
かかる図形データとなる設計パターンデータが参照画像作成回路112に入力されると図形ごとのデータにまで展開し、その図形データの図形形状を示す図形コード、図形寸法などを解釈する。そして、所定の量子化寸法のグリッドを単位とするマス目内に配置されるパターンとして2値ないしは多値の設計パターン画像データに展開し、出力する。言い換えれば、設計データを読み込み、フレーム領域を所定の寸法を単位とするマス目として仮想分割してできたマス目毎に設計パターンにおける図形が占める占有率を演算し、nビットの占有率データ(設計画像データ)を出力する。例えば、1つのマス目を1画素として設定すると好適である。そして、1画素に1/28(=1/256)の分解能を持たせるとすると、画素内に配置されている図形の領域分だけ1/256の小領域を割り付けて画素内の占有率を演算する。そして、8ビットの占有率データとして作成する。かかるマス目(検査画素)は、測定データの画素に合わせればよい。
When the design pattern data, which is such graphic data, is input to the reference
次に、参照画像作成回路112は、図形のイメージデータである設計パターンの設計画像データに、フィルタ関数を使ってフィルタ処理を施す。
Next, the reference
図4は、実施の形態1におけるフィルタ処理を説明するための図である。基板101から撮像される光学画像の画素データは、撮像に使用される光学系の解像特性等によってフィルタが作用した状態、言い換えれば連続変化するアナログ状態にあるため、例えば、図4に示すように、画像強度(濃淡値)がデジタル値の展開画像(設計画像)とは異なっている。そのため、参照画像作成回路112は、展開画像に画像加工(フィルタ処理)を施して光学画像に近づけた参照画像を作成する。これにより、画像強度(濃淡値)がデジタル値の設計側のイメージデータである設計画像データを測定データ(光学画像)の像生成特性に合わせることができる。作成された参照画像の画像データは、複数の比較回路108a〜108cのいずれかに送られる。具体的には、参照画像が示す領域が含まれる検査ストライプ20のストライプ画像データの出力先と同じ比較回路108a(或いは、108b、或いは108c)に出力される。
FIG. 4 is a diagram for explaining the filter processing according to the first embodiment. Pixel data of an optical image picked up from the
並列する複数の検査工程(S120a〜S120c)として、複数の比較回路108a〜108c(比較部)は、複数の検査ストライプ20(領域)のストライプ画像(光学画像)に対応する複数の参照画像を用いて、対応する光学画像と参照画像との比較処理を複数の検査ストライプ20の少なくとも一部の領域間で並列処理する。例えば、比較回路108aによる第1番目の検査ストライプ20のストライプ画像データの比較処理と、比較回路108bによる第2番目の検査ストライプ20のストライプ画像データの比較処理と、比較回路108cによる第3番目の検査ストライプ20のストライプ画像データの比較処理と、を並列に実施する。検査処理が終了した比較回路108a(或いは108b、或いは108c)には、制御計算機110によって、次の検査ストライプ20のストライプ画像の検査が割当られ、割り当てられた検査ストライプ20のストライプデータが出力される。
As the plurality of inspection steps (S120a to S120c) arranged in parallel, the plurality of
図5は、実施の形態1における各比較回路の内部構成の一例を示す構成図である。図5において、複数の比較回路108a〜108cの各比較回路内には、磁気ディスク装置等の記憶装置70,71,72,76、フレーム画像作成部74、位置合わせ部78、及び比較処理部79が配置されている。フレーム画像作成部74、位置合わせ部78、及び比較処理部79といった一連の「〜部」は、処理回路を有する。かかる処理回路には、電気回路、コンピュータ、プロセッサ、回路基板、量子回路、或いは、半導体装置等が含まれる。また、各「〜回路」は、共通する処理回路(同じ処理回路)を用いてもよい。或いは、異なる処理回路(別々の処理回路)を用いても良い。フレーム画像作成部74、位置合わせ部78、及び比較処理部79に必要な入力データ或いは演算された結果はその都度図示しないメモリに記憶される。
FIG. 5 is a configuration diagram showing an example of the internal configuration of each comparison circuit in the first embodiment. In FIG. 5,
各比較回路108a,108b,108cに入力されたストライプデータ(光学画像データ)は、それぞれ記憶装置70に格納される。各比較回路108a,108b,108cに入力された参照画像データはそれぞれ記憶装置72に格納される。以下、複数の比較回路108a〜108cの1つについてその処理内容を説明する。各比較回路108a,108b,108cの処理内容は同様で構わない。
The stripe data (optical image data) input to each
フレーム画像作成工程(S122)として、フレーム画像作成部74は、検査ストライプ20毎に、ストライプデータを用いて、図2に示したフレーム領域毎のフレーム画像30を作成する。例えば、512×512画素のフレーム画像を作成する。複数のフレーム画像30は、隣接するフレーム画像30同士間が所定のマージン幅でオーバーラップするように作成される。かかる処理により、複数のフレーム領域に応じた複数のフレーム画像30(光学画像)が取得される。複数のフレーム画像30は、記憶装置76に格納される。以上により、検査のために比較される一方の画像(測定された画像)データが生成される。
In the frame image creating step (S122), the frame
位置合わせ工程(S124)として、位置合わせ部78は、比較対象となるフレーム画像30(光学画像)を記憶装置76から読み出し、同様に比較対象となる参照画像を記憶装置72から読み出す。そして、所定のアルゴリズムで位置合わせを行う。例えば、最小2乗法を用いて位置合わせを行う。
As the alignment step (S124), the
比較処理工程(S126)として、比較処理部79(比較部)は、フレーム領域(検査単位領域)30毎に、光学画像と参照画像を比較する。言い換えれば、比較処理部79は、複数のフレーム領域(小領域)のフレーム領域毎に、当該フレーム領域のフレーム画像30(光学画像)と当該フレーム画像30に対応する参照画像とを画素毎に比較して、パターンの欠陥を検査する。比較処理部79は、所定の判定条件に従って画素毎に両者を比較し、例えば形状欠陥といった欠陥の有無を判定する。判定条件としては、例えば、所定のアルゴリズムに従って画素毎に両者を比較し、欠陥の有無を判定する。例えば、画素毎に参照画像の画素値からフレーム画像30の画素値を差し引いた差分値を演算し、差分値が閾値Thより大きい場合を欠陥と判定する。そして、比較結果が記憶装置71に出力される。ここでは、比較の結果、欠陥と判定された欠陥個所を含むフレーム画像30のデータが欠陥画像データとして、記憶装置71に一時的に格納される。また、欠陥位置の例えば座標データ(欠陥特定データ)が記憶装置71に一時的に格納される。複数の欠陥が存在すれば、欠陥毎に、欠陥個所を含むフレーム画像30のデータが欠陥画像データとして、記憶装置71に一時的に格納される。また、同様に、欠陥毎に、欠陥位置の例えば座標データ(欠陥特定データ)が記憶装置71に一時的に格納される。これらの欠陥画像データと欠陥特定データは転送後に次の検査ストライプ20のデータに上書きされることになる。
As the comparison processing step (S126), the comparison processing unit 79 (comparison unit) compares the optical image and the reference image for each frame region (inspection unit region) 30. In other words, the
なお、上述した例では、ダイ−データベース検査を行う場合を示しているが、ダイ−ダイ検査を行う場合であっても構わない。かかる場合には、検査対象のフレーム画像30(ダイ1)と同じパターンが配置される別のフレーム画像30(ダイ2)を参照画像として用いればよい。 In addition, in the above-mentioned example, the case where the die-database inspection is performed is shown, but the case where the die-die inspection is performed may be performed. In such a case, another frame image 30 (die 2) in which the same pattern as the frame image 30 (die 1) to be inspected is arranged may be used as a reference image.
ここで、上述したように、欠陥が検出されると、欠陥を含む欠陥画像データと欠陥位置を特定する座標データ等とを結合してユーザが視認可能な欠陥情報を生成することになる。そのために、結合回路140に各欠陥画像データ及び各欠陥特定データを転送する必要がある。しかしながら、従来の例えば1万個程度であった欠陥に比べて膨大に増えた例えば100万個程度の欠陥を検出するようになると、かかる転送および結合処理の時間が増大してしまう。例えば、検査処理順に単純にそのまま各欠陥画像データ等を転送したのでは、転送速度が追い付かず転送待ちのデータが蓄積されてしまう。また、転送後の処理においてもメモリのスワップ動作等が生じてしまう。その場合、転送および結合処理が停止してしまう時間が長くなり、結果的に検査時間が大幅に増大してしまうことになり得る。そこで、実施の形態1では、やみくもに転送せず、また転送待ちデータを増やさないようにする。具体的には以下のように動作する。
Here, as described above, when the defect is detected, the defect image data including the defect and the coordinate data for specifying the defect position are combined to generate the defect information which can be visually recognized by the user. Therefore, it is necessary to transfer each defect image data and each defect identification data to the combining
図6は、実施の形態1における転送回路の内部構成の一例を示す構成図である。図6において、転送回路142内には、総容量算出部42、順序・タイミング決定部43、転送処理部44、判定部45、一時停止処理部46、再開処理部47、及び判定部48が配置されている。総容量算出部42、順序・タイミング決定部43、転送処理部44、判定部45、一時停止処理部46、再開処理部47、及び判定部48といった一連の「〜部」は、処理回路を有する。かかる処理回路には、電気回路、コンピュータ、プロセッサ、回路基板、量子回路、或いは、半導体装置等が含まれる。また、各「〜回路」は、共通する処理回路(同じ処理回路)を用いてもよい。或いは、異なる処理回路(別々の処理回路)を用いても良い。総容量算出部42、順序・タイミング決定部43、転送処理部44、判定部45、一時停止処理部46、再開処理部47、及び判定部48に必要な入力データ或いは演算された結果はその都度図示しないメモリに記憶される。
FIG. 6 is a configuration diagram showing an example of the internal configuration of the transfer circuit according to the first embodiment. 6, in the
図7は、実施の形態1における結合回路の内部構成の一例を示す構成図である。図7において、結合回路140内には、磁気ディスク装置等の記憶装置50,56、欠陥判定部52、及び結合処理部54が配置されている。欠陥判定部52、及び結合処理部54といった一連の「〜部」は、処理回路を有する。かかる処理回路には、電気回路、コンピュータ、プロセッサ、回路基板、量子回路、或いは、半導体装置等が含まれる。また、各「〜回路」は、共通する処理回路(同じ処理回路)を用いてもよい。或いは、異なる処理回路(別々の処理回路)を用いても良い。欠陥判定部52、及び結合処理部54に必要な入力データ或いは演算された結果はその都度図示しないメモリに記憶される。
FIG. 7 is a configuration diagram showing an example of the internal configuration of the coupling circuit in the first embodiment. 7, in the
データ転送処理工程(S130)として、転送回路142は、各比較回路108a,108b,108cの記憶装置71に一時的に格納されている欠陥毎の欠陥画像データと、欠陥毎の座標データ(欠陥特定データ)と、を結合回路140に転送する。転送回路142(転送部)は、結合回路140内での欠陥情報の生成処理状況に応じて、欠陥画像データの転送順序とタイミングを決定する。具体的には以下のように動作する。
In the data transfer processing step (S130), the
図8は、実施の形態1におけるデータ転送処理工程の内部工程を示すフローチャート図である。図8において、データ転送処理工程(S130)は、内部工程として、ストライプ毎の欠陥データ総容量算出工程(S132)と、転送順序・タイミング決定工程(S134)と、転送処理工程(S135)と、判定工程(S136)と、一時停止処理工程(S137)と、スキャン再開処理工程(S138)と、判定工程(S139)と、いう一連の工程を実施する。 FIG. 8 is a flowchart showing internal steps of the data transfer processing step in the first embodiment. In FIG. 8, the data transfer processing step (S130) includes, as internal steps, a defective data total capacity calculation step (S132) for each stripe, a transfer order/timing determination step (S134), and a transfer processing step (S135). A series of steps of a determination step (S136), a temporary stop processing step (S137), a scan restart processing step (S138), and a determination step (S139) are performed.
ストライプ毎の欠陥データ総容量算出工程(S132)として、総容量算出部42は、検査ストライプ20毎に、対象の検査ストライプ20内で生じたすべての欠陥の欠陥画像データと、欠陥の欠陥特定データと、のデータ容量を合計した、対象の検査ストライプ20内で生じたすべての欠陥の欠陥データ総容量を算出する。
In the defect data total capacity calculation step (S132) for each stripe, the total
図9は、実施の形態1における欠陥データの一例を説明するための図である。図9において、各検査ストライプ20a,20b,20c同士間が所定のマージン幅でオーバーラップするように設定される。さらに、各検査ストライプ20a,20b,20c内のフレーム領域についても各フレーム領域同士間が所定のマージン幅でオーバーラップするように設定される。図9の例において、例えば、比較回路108aにより、検査ストライプ20aのストライプデータの検査(比較処理)を行い、例えば、比較回路108bにより、検査ストライプ20bのストライプデータの検査(比較処理)を行い、例えば、比較回路108cにより、検査ストライプ20cのストライプデータの検査(比較処理)を行う場合を想定している。図9の例において、検査ストライプ20aでは、例えば、4つのフレーム画像30a,30b,30c,30dが重なり合うマージン領域の位置に欠陥Aが生じる場合を示している。かかる場合、欠陥Aの欠陥画像データとして、4つのフレーム画像30a,30b,30c,30dの各データが転送対象となる。また、4つのフレーム画像30a,30b,30c,30dの画像毎に、欠陥Aの座標データが転送対象となる。他方、図9の例において、検査ストライプ20bでは、例えば、複数のフレーム領域が重ならない1つのフレーム画像30a内の位置に欠陥Bが生じる場合を示している。かかる場合、欠陥Bの欠陥画像データとして、1つのフレーム画像30aのデータが転送対象となる。また、1つのフレーム画像30aにおける欠陥Bの座標データが転送対象となる。同様に、検査ストライプ20cでは、例えば、複数のフレーム領域が重ならない1つのフレーム画像30b内の位置に欠陥Cが生じる場合を示している。かかる場合、欠陥Cの欠陥画像データとして、1つのフレーム画像30bのデータが転送対象となる。また、1つのフレーム画像30bにおける欠陥Cの座標データが転送対象となる。かかる場合に、検査ストライプ20aでの欠陥データ総容量が例えば1200MBと大容量になるのに対して、検査ストライプ20b及び検査ストライプ20cでは欠陥データ総容量が例えば300MBずつと検査ストライプ20aに比べて小さくなる。このように、欠陥の発生位置によって、1つの欠陥あたりの転送に必要なデータ量が変動する。さらに、1つの検査ストライプ20内に複数の欠陥が発生している場合、それに応じてデータ量が増えることになる。
FIG. 9 is a diagram for explaining an example of the defect data according to the first embodiment. In FIG. 9, the
転送順序・タイミング決定工程(S134)として、順序・タイミング決定部43は、結合回路140内での欠陥情報の生成処理状況に応じて、欠陥画像データの転送順序とタイミングを決定する。具体的には以下のように動作する。欠陥画像データを含む欠陥転送用データの転送をスムーズに実行させるためには、いずれかの比較回路108a,108b,108cと結合回路140との間で転送処理が行われていない期間を選択する必要がある。いずれかの比較回路108a,108b,108cと結合回路140との間で転送処理が行われている場合には、他の比較回路108からの欠陥転送用データの転送が停滞してしまう。そのため、欠陥転送用データの転送が行われていない期間を転送のタイミングに決定する必要がある。また、欠陥転送用データの転送をスムーズに実行させるためには、転送のタイミング時点で、転送先の結合回路140内の記憶装置50に格納できる記憶容量の空き容量が転送対象の検査ストライプ20の欠陥データ総容量以上である必要がある。よって、欠陥転送用データの転送のタイミング時点で、先に転送された検査ストライプ20の欠陥転送用データにおける結合回路140内での欠陥情報の生成処理状況が進んでおらず、記憶装置50の空き容量が確保できていない場合、転送が停滞してしまうことになる。そこで、欠陥情報の生成処理状況が進んでおらず、比較処理が先に終了した検査ストライプ20に対する記憶装置50の空き容量が確保できていない場合、比較処理が後に終了した検査ストライプ20であっても、記憶装置50の空き容量が確保できる検査ストライプ20の欠陥画像データの転送順序を先にする。例えば、図9の例において、記憶装置50の空き容量が600MB以上、1200MB未満である場合、比較回路108aでの検査ストライプ20aの比較処理が先に終了していたとしても、検査ストライプ20b或いは検査ストライプ20c、或いは、検査ストライプ20b,20cの両方の欠陥転送用データの転送を優先するように転送順序及びタイミングを決定する。
As the transfer order/timing determining step (S134), the order/
転送処理工程(S135)として、転送処理部44は、決定された欠陥画像データを含む欠陥転送用データの転送順序とタイミングに沿って、対象となる検査ストライプ20の欠陥転送用データを結合回路140に転送する。これにより、転送の停滞を起こさずに、いずれかの比較回路108a,108b,108cの記憶装置71の記憶容量を空けることができる。
In the transfer processing step (S135), the
以上のように、転送の停滞を起こさないように転送できるデータ総容量の検査ストライプ20の欠陥転送用データを優先して結合回路140に転送する。しかし、かかる処理によって、転送順序が後ろに回された比較回路(例えば比較回路108a)では、次の検査ストライプ20の比較処理結果が順次格納されてくるので、記憶装置71の空き容量が少なくなっていく。記憶装置71の空き容量が不足すると、今度は、比較回路(例えば比較回路108a)での比較処理(検査)が停滞することになる。そこで、実施の形態1では、以下のように動作する。
As described above, the defective transfer data of the
判定工程(S136)として、判定部45は、各比較回路108a,108b,108cの記憶装置71に格納されている転送待ちの欠陥画像データのデータ容量が、それぞれ閾値を超えたかどうかを判定する。
In the determination step (S136), the
一時停止処理工程(S137)として、一時停止処理部46は、複数の比較回路108a,108b,108cのうち、1つにおける転送待ちの欠陥画像データのデータ容量が閾値Thを超えた場合に、制御計算機110を介して画像取得機構150にスキャンを一時停止させる。画像取得機構150は、かかる場合に、光学画像の取得を一時停止する。そして、スキャンの一時停止中に、結合回路140内での処理を進めると共に、転送待ちの欠陥画像データの結合回路140への転送処理を順次進めていく。各回路内での処理が停滞するよりも、スキャン動作を一時的に停止させて記憶装置の記憶容量を確保するように制御した方が結果的に検査時間を短縮できる。
In the suspension processing step (S137), the
或いは、複数の比較回路108a,108b,108cのうち、すべての比較回路108a,108b,108cにおける転送待ちの欠陥画像データのデータ容量が共に閾値を超えた場合に、光学画像の取得を一時停止するように構成しても好適である。閾値を超えない比較回路108があれば、かかる比較回路108で処理を継続できる。
Alternatively, when the data capacities of the defective image data waiting to be transferred in all the
スキャン再開処理工程(S138)として、再開処理部47は、複数の比較回路108a,108b,108cのうちの1つ(或いは、複数の比較回路108a,108b,108cのうちのすべて)における転送待ちの欠陥画像データのデータ容量が閾値Th以下に減少した時点で、制御計算機110を介して画像取得機構150にスキャン動作を再開させる。画像取得機構150は、かかる場合に、光学画像の取得を再開する。判定工程(S136)において、転送待ちの欠陥画像データのデータ容量が、閾値を超えたと最初に判定されるまでは、スキャン再開処理工程(S138)を省略すればよい。
As the scan restart processing step (S138), the
判定工程(S139)として、判定部48は、全ての検査ストライプ20の欠陥転送用データの転送処理が終了したかどうかを判定する。全ての検査ストライプ20の欠陥転送用データの転送処理が終了した時点でデータ転送処理工程(S130)は終了となる。まだ、転送処理が終わっていない検査ストライプ20があれば、ストライプ毎の欠陥データ総容量算出工程(S132)に戻り、データ転送処理工程(S130)の内部工程を繰り返す。
As the determination step (S139), the
結合工程(S140)として、結合回路140(欠陥情報生成部)は、比較の結果、欠陥と判定された欠陥画像データを含む欠陥転送用データの転送を受け、転送されたデータを基に欠陥情報を生成する。図1の例では、1つの結合回路140が示されているが、これに限るものではない。少なくとも1つの結合回路140が配置されればよい。結合回路140内に転送された欠陥転送用データは、記憶装置50に一時的に格納される。
In the combining step (S140), the combining circuit 140 (defect information generation unit) receives the transfer of the defect transfer data including the defect image data determined to be defective as a result of the comparison, and the defect information based on the transferred data. To generate. In the example of FIG. 1, one
欠陥判定部52は、記憶装置50から座標データ(欠陥特定データ)を読み出し、座標データを基に、重複する欠陥画像データを判定する。図9において説明したように、欠陥の位置によって、複数の欠陥画像データが転送されてくる。そのため、欠陥判定部52は、これらの重複する画像を判定し、抽出する。なお、図9に示したように、検査ストライプ20同士間でも重複領域が存在するので、欠陥画像データの重複は、検査ストライプ20間でも生じ得ることは言うまでもない。
The
次に、結合処理部54は、欠陥毎に、重複する複数の欠陥画像データ(フレーム画像30)のうち1つと欠陥座標とを結合させた欠陥情報を作成する。欠陥情報として、例えば、欠陥画像データ上の欠陥座標位置に欠陥座標を重ね合わせた画像を生成する。なお、同じ欠陥画像データ内に複数の欠陥が存在する場合には、1つの欠陥画像データ(フレーム画像30)上に複数の欠陥の欠陥座標を重ね合わせた画像を生成しても好適である。作成された欠陥情報は、記憶装置56に格納されると共に、磁気ディスク装置109、磁気テープ装置115、フレキシブルディスク装置(FD)116、CRT117、パターンモニタ118に出力される、或いはプリンタ119から出力されればよい。欠陥情報が作成された欠陥画像データを含む欠陥転送用データは、記憶装置50から削除される。或いは空き容量と見做された上で、次のデータに上書きされる。
Next, the
以上のように、実施の形態1によれば、欠陥個所のデータ量が大きい場合でも、検査時間の増大を低減できる。 As described above, according to the first embodiment, it is possible to reduce the increase in inspection time even when the data amount of the defective portion is large.
以上、具体例を参照しつつ実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、実施の形態では、照明光学系170として、透過光を用いた透過照明光学系を示したが、これに限るものではない。例えば、反射光を用いた反射照明光学系であってもよい。或いは、透過照明光学系と反射照明光学系とを組み合わせて、透過光と反射光を同時に用いてもよい。
また、光源103は、紫外線(光)の光源に限るものではなく、電子ビームの放出源であっても良い。
The embodiments have been described above with reference to specific examples. However, the present invention is not limited to these specific examples. For example, in the embodiment, the transmissive illumination optical system using transmitted light is shown as the illumination optical system 170, but the present invention is not limited to this. For example, a reflection illumination optical system using reflected light may be used. Alternatively, the transmitted light and the reflected light may be simultaneously used by combining the transmitted light optical system and the reflected light optical system.
The light source 103 is not limited to the ultraviolet (light) light source, and may be an electron beam emission source.
また、装置構成や制御手法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされる装置構成や制御手法を適宜選択して用いることができる。例えば、検査装置100を制御する制御部構成については、記載を省略したが、必要とされる制御部構成を適宜選択して用いることは言うまでもない。 Moreover, although the description of the parts such as the device configuration and the control method that are not directly necessary for the description of the present invention is omitted, the required device configuration and the control method can be appropriately selected and used. For example, although the description of the control unit configuration for controlling the inspection apparatus 100 is omitted, it goes without saying that a required control unit configuration is appropriately selected and used.
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全てのパターン検査装置及びパターン検査方法は、本発明の範囲に包含される。 In addition, all pattern inspection apparatuses and pattern inspection methods that have the elements of the present invention and can be appropriately modified in design by those skilled in the art are included in the scope of the present invention.
10 検査領域
20 検査ストライプ
30 フレーム画像
42 総容量算出部
43 順序・タイミング決定部
44 転送処理部
45 判定部
46 一時停止処理部
47 再開処理部
48 判定部
50,56 記憶装置
52 欠陥判定部
54 結合処理部
70,71,72,76 記憶装置
74 フレーム画像生成部
78 位置合わせ部
79 比較処理部
100 検査装置
101 基板
102 XYθテーブル
103 光源
104 拡大光学系
105 フォトダイオードアレイ
106 センサ回路
107 位置回路
108 比較回路
109 磁気ディスク装置
110 制御計算機
112 参照画像作成回路
113 オートローダ制御回路
114 テーブル制御回路
115 磁気テープ装置
116 FD
117 CRT
118 パターンモニタ
119 プリンタ
120 バス
122 レーザ測長システム
123 ストライプパターンメモリ
130 オートローダ
140 結合回路
142 転送回路
150 光学画像取得機構
160 制御系回路
170 照明光学系
10
117 CRT
118 pattern monitor 119
Claims (6)
前記複数の領域の光学画像に対応する複数の参照画像を用いて、対応する光学画像と参照画像との比較処理を前記複数の領域の少なくとも一部の領域間で並列処理する複数の比較部と、
比較の結果、欠陥と判定された欠陥画像データの転送を受け、転送されたデータを基に欠陥情報を生成する少なくとも1つの欠陥情報生成部と、
前記欠陥情報の生成処理状況に応じて、前記欠陥画像データの転送順序とタイミングを決定する転送部と、
を備えたことを特徴とするパターン検査装置。 An optical image acquisition mechanism for acquiring optical images of a plurality of regions from a substrate on which a plurality of graphic patterns are formed,
Using a plurality of reference images corresponding to the optical images of the plurality of regions, a plurality of comparison units for performing parallel processing of the corresponding optical image and the reference image between at least some regions of the plurality of regions, ,
As a result of the comparison, at least one defect information generation unit that receives the defect image data determined to be defective and generates defect information based on the transferred data,
A transfer unit that determines the transfer order and timing of the defect image data according to the generation processing status of the defect information;
A pattern inspection device comprising:
前記欠陥情報の前記生成処理状況が進んでおらず、前記比較処理が先に終了した領域に対する前記記憶装置の空き容量が確保できていない場合、前記比較処理が後に終了した領域であっても、前記記憶装置の空き容量が確保できる領域の前記欠陥画像データの転送順序を先にすることを特徴とする請求項1〜4いずれか記載のパターン検査装置。 The defect information generation unit has a storage device,
If the generation processing status of the defect information is not advanced and the free space of the storage device for the area where the comparison processing has been completed is not secured, even if the comparison processing is completed afterwards, 5. The pattern inspection apparatus according to claim 1, wherein a transfer order of the defective image data in an area where the free space of the storage device can be secured is set first.
前記複数の領域の光学画像に対応する複数の参照画像を用いて、対応する光学画像と参照画像との比較処理を前記複数の領域の少なくとも一部の領域間で並列処理する工程と、
比較の結果、欠陥と判定された欠陥画像データの転送を受け、転送されたデータを基に欠陥情報を生成する工程と、
前記欠陥情報の生成処理状況に応じて、前記欠陥画像データの転送順序とタイミングを決定する工程と、
を備えたことを特徴とするパターン検査方法。 A step of acquiring optical images of a plurality of regions from a substrate on which a plurality of graphic patterns are formed;
Using a plurality of reference images corresponding to the optical images of the plurality of regions, a step of performing parallel processing between the corresponding optical image and the reference image between at least some regions of the plurality of regions,
As a result of the comparison, a process of receiving the defect image data determined to be a defect and generating defect information based on the transferred data,
Determining a transfer order and timing of the defect image data according to a generation processing state of the defect information,
A pattern inspection method comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018216474A JP7222671B2 (en) | 2018-11-19 | 2018-11-19 | PATTERN INSPECTION APPARATUS AND PATTERN INSPECTION METHOD |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020085527A true JP2020085527A (en) | 2020-06-04 |
JP7222671B2 JP7222671B2 (en) | 2023-02-15 |
Family
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018216474A Active JP7222671B2 (en) | 2018-11-19 | 2018-11-19 | PATTERN INSPECTION APPARATUS AND PATTERN INSPECTION METHOD |
Country Status (1)
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---|---|
JP (1) | JP7222671B2 (en) |
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