Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

JP2019216178A - Light-emitting device - Google Patents

Light-emitting device Download PDF

Info

Publication number
JP2019216178A
JP2019216178A JP2018112302A JP2018112302A JP2019216178A JP 2019216178 A JP2019216178 A JP 2019216178A JP 2018112302 A JP2018112302 A JP 2018112302A JP 2018112302 A JP2018112302 A JP 2018112302A JP 2019216178 A JP2019216178 A JP 2019216178A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
light
emitting device
layer
cover
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2018112302A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP7149563B2 (en
Inventor
隆好 高野
Takayoshi Takano
隆好 高野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Original Assignee
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd filed Critical Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority to JP2018112302A priority Critical patent/JP7149563B2/en
Publication of JP2019216178A publication Critical patent/JP2019216178A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7149563B2 publication Critical patent/JP7149563B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

To provide a light-emitting device that comprises an optical member and can improve reliability.SOLUTION: A light-emitting device 1 comprises a mounting substrate 2, a light-emitting element 3, a spacer 4, a cover 5, an optical member 9, and a junction 10. The cover 5 is disposed on the spacer 4 so as to cover the light-emitting element 3. The cover 5 transmits ultraviolet light emitted from the light-emitting element 3. The optical member 9 is disposed on the cover 5. The optical member 9 includes an optical function part 90 and a projection 93. The optical function part 90 overlaps with the light-emitting device 3 in a thickness direction D1 of the mounting substrate 2 ans transits ultraviolet light emitted from the light-emitting element 3. The projection 93 projects from the optical function part 90 to the outside in a plan view from the thickness direction D1 and overlaps with the spacer 4 in the thickness direction D1. The junction 10 lies between the projection 93 and the cover 5 in the thickness direction D1 to join the projection 93 to the cover 5.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、一般に発光装置に関し、より詳細には、紫外線を放射する発光素子を備える発光装置に関する。   The present invention relates generally to light emitting devices, and more particularly, to light emitting devices that include light emitting elements that emit ultraviolet light.

従来、実装基板と、紫外線発光素子と、スペーサと、カバーと、を備える発光装置が提案されている(特許文献1)。紫外線発光素子は、実装基板に実装されている。スペーサは、実装基板上に配置されている。スペーサは、紫外線発光素子を露出させる貫通孔が形成されている。カバーは、スペーサの貫通孔を塞ぐようにスペーサ上に配置されている。   Conventionally, a light emitting device including a mounting substrate, an ultraviolet light emitting element, a spacer, and a cover has been proposed (Patent Document 1). The ultraviolet light emitting element is mounted on a mounting board. The spacer is disposed on the mounting board. The spacer has a through-hole that exposes the ultraviolet light emitting element. The cover is disposed on the spacer so as to close the through hole of the spacer.

発光装置は、実装基板とスペーサとカバーとで、紫外線発光素子を収納するパッケージを構成している。   In the light emitting device, a package for accommodating an ultraviolet light emitting element is constituted by the mounting substrate, the spacer, and the cover.

特開2016−127249号公報JP-A-2006-127249

紫外線発光素子を備える発光装置において、紫外線発光素子から放射される紫外線の配光をパッケージ外に配置したレンズ等の光学部材により制御することが望まれる場合がある。しかしながら、紫外線発光素子を備える発光装置では、レンズが他の部材に接着剤により固定されている場合、レンズと他の部材とを接着している接着部が、紫外線発光素子から放射される紫外線により経時劣化して信頼性が低下してしまう懸念がある。   In a light emitting device including an ultraviolet light emitting element, it may be desired to control the distribution of ultraviolet light emitted from the ultraviolet light emitting element by an optical member such as a lens disposed outside the package. However, in a light emitting device including an ultraviolet light emitting element, when a lens is fixed to another member by an adhesive, an adhesive portion bonding the lens to the other member is exposed to ultraviolet light emitted from the ultraviolet light emitting element. There is a concern that the reliability deteriorates due to aging.

本発明の目的は、光学部材を備えかつ信頼性の向上を図ることが可能な発光装置を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a light emitting device including an optical member and capable of improving reliability.

本発明の一態様に係る発光装置は、実装基板と、発光素子と、スペーサと、カバーと、光学部材と、接合部と、を備える。前記発光素子は、前記実装基板上に配置されており、紫外線を放射する。前記スペーサは、枠状であり、前記実装基板上に配置され前記発光素子を囲んでいる。前記カバーは、前記発光素子を覆うように前記スペーサ上に配置されている。前記カバーは、前記発光素子から放射された紫外線を透過する。前記光学部材は、前記カバー上に配置されている。前記光学部材は、光学的機能部と、突出部と、を有する。前記光学的機能部は、前記実装基板の厚さ方向において前記発光素子に重なり前記発光素子から放射された紫外線を透過する。前記突出部は、前記厚さ方向からの平面視において前記光学的機能部から外側に突出し、かつ前記厚さ方向において少なくとも一部が前記スペーサに重なっている。前記接合部は、前記厚さ方向において前記突出部と前記カバーとの間に介在し、前記突出部と前記カバーとを接合している。   A light-emitting device according to one embodiment of the present invention includes a mounting substrate, a light-emitting element, a spacer, a cover, an optical member, and a joint. The light emitting element is disposed on the mounting substrate and emits ultraviolet light. The spacer has a frame shape and is arranged on the mounting substrate and surrounds the light emitting element. The cover is disposed on the spacer so as to cover the light emitting element. The cover transmits ultraviolet light emitted from the light emitting device. The optical member is disposed on the cover. The optical member has an optical function part and a protruding part. The optical function part overlaps the light emitting element in a thickness direction of the mounting substrate and transmits ultraviolet light emitted from the light emitting element. The projecting portion projects outward from the optical function portion in a plan view from the thickness direction, and at least partially overlaps the spacer in the thickness direction. The joining part is interposed between the projection and the cover in the thickness direction, and joins the projection and the cover.

本発明の発光装置では、光学部材を備えかつ信頼性の向上を図ることが可能となる。   In the light emitting device of the present invention, it is possible to provide an optical member and improve the reliability.

図1は、本発明の一実施形態に係る発光装置の平面図である。FIG. 1 is a plan view of a light emitting device according to one embodiment of the present invention. 図2は、同上の発光装置を示し、図1のX−X線断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line XX of FIG. 図3は、同上の発光装置における発光素子の断面図である。FIG. 3 is a sectional view of a light emitting element in the light emitting device of the above. 図4は、同上の発光装置の製造方法を説明するための工程断面図である。FIG. 4 is a process sectional view for describing the method for manufacturing the light emitting device of the above. 図5は、本発明の一実施形態の変形例1に係る発光装置の断面図である。FIG. 5 is a sectional view of a light emitting device according to a first modification of the embodiment of the present invention. 図6は、本発明の一実施形態の変形例2に係る発光装置の断面図である。FIG. 6 is a sectional view of a light emitting device according to a second modification of the embodiment of the present invention. 図7は、本発明の一実施形態の変形例3に係る発光装置の断面図である。FIG. 7 is a sectional view of a light emitting device according to a third modification of the embodiment of the present invention. 図8は、本発明の一実施形態の変形例4に係る発光装置の断面図である。FIG. 8 is a sectional view of a light emitting device according to Modification 4 of one embodiment of the present invention. 図9は、本発明の一実施形態の変形例5に係る発光装置の断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view of a light emitting device according to Modification Example 5 of one embodiment of the present invention.

下記の実施形態等において説明する各図は、模式的な図であり、各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。   Each drawing described in the following embodiments and the like is a schematic drawing, and the ratio of the size and thickness of each component does not necessarily reflect the actual dimensional ratio.

(実施形態)
(1)発光装置の全体構成
以下、実施形態に係る発光装置1について、図面を参照して説明する。
(Embodiment)
(1) Overall Configuration of Light Emitting Device Hereinafter, a light emitting device 1 according to an embodiment will be described with reference to the drawings.

実施形態に係る発光装置1は、図1及び2に示すように、実装基板2と、発光素子3と、スペーサ4と、カバー5と、光学部材9と、接合部10と、を備える。発光素子3は、実装基板2上に配置されている。スペーサ4は、枠状であり、実装基板2上に配置され発光素子3を囲んでいる。カバー5は、発光素子3を覆うようにスペーサ4上に配置されている。カバー5は、発光素子3から放射される紫外線を透過する。光学部材9は、カバー5上に配置されている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the light emitting device 1 according to the embodiment includes a mounting substrate 2, a light emitting element 3, a spacer 4, a cover 5, an optical member 9, and a joint 10. The light emitting element 3 is disposed on the mounting substrate 2. The spacer 4 has a frame shape and is disposed on the mounting substrate 2 and surrounds the light emitting element 3. The cover 5 is disposed on the spacer 4 so as to cover the light emitting element 3. The cover 5 transmits ultraviolet rays emitted from the light emitting element 3. The optical member 9 is arranged on the cover 5.

発光装置1では、スペーサ4とカバー5とでパッケージ用カバー部材6を構成している。パッケージ用カバー部材6では、スペーサ4とカバー5とが接合されている。発光装置1は、実装基板2とパッケージ用カバー部材6とを含むパッケージ7を備えている。発光装置1は、実装基板2とスペーサ4とカバー5とで囲まれた空間8を不活性ガス雰囲気としてある。不活性ガス雰囲気は、例えば、N2ガス雰囲気である。発光装置1では、光学部材9とカバー5とが接合部10により接合されている。 In the light emitting device 1, the package cover member 6 includes the spacer 4 and the cover 5. In the package cover member 6, the spacer 4 and the cover 5 are joined. The light emitting device 1 includes a package 7 including a mounting substrate 2 and a package cover member 6. In the light emitting device 1, a space 8 surrounded by the mounting substrate 2, the spacer 4, and the cover 5 has an inert gas atmosphere. The inert gas atmosphere is, for example, an N 2 gas atmosphere. In the light emitting device 1, the optical member 9 and the cover 5 are joined by the joint 10.

実装基板2は、発光素子3を実装する実装基板であり、第1導体部21及び第2導体部22を有する。また、実装基板2は、パッケージ用カバー部材6と接合するための第1接合用金属層23を有する。発光素子3は、第1導体部21に電気的に接続された第1電極31と第2導体部22に電気的に接続された第2電極32と、を有する。発光素子3は、実装基板2にフリップチップ実装されている。   The mounting substrate 2 is a mounting substrate on which the light emitting element 3 is mounted, and has a first conductor 21 and a second conductor 22. The mounting substrate 2 has a first bonding metal layer 23 for bonding to the package cover member 6. The light emitting element 3 has a first electrode 31 electrically connected to the first conductor 21 and a second electrode 32 electrically connected to the second conductor 22. The light emitting element 3 is flip-chip mounted on the mounting substrate 2.

発光装置1では、第1電極31と第1導体部21とが、第1接合部61により接合され、第2電極32と第2導体部22とが、第2接合部62により接合されている。また、発光装置1では、スペーサ4に設けられた第2接合用金属層46と実装基板2の第1接合用金属層23とが、第3接合部63により接合されている。発光装置1では、スペーサ4が全周に亘って第3接合部63を介して実装基板2と接合されている。発光装置1では、第1接合部61、第2接合部62及び第3接合部63の各々がAuSnにより形成されている。   In the light emitting device 1, the first electrode 31 and the first conductor 21 are joined by a first joint 61, and the second electrode 32 and the second conductor 22 are joined by a second joint 62. . In the light emitting device 1, the second bonding metal layer 46 provided on the spacer 4 and the first bonding metal layer 23 of the mounting board 2 are bonded by the third bonding portion 63. In the light emitting device 1, the spacer 4 is joined to the mounting board 2 through the third joint 63 over the entire circumference. In the light emitting device 1, each of the first joint 61, the second joint 62, and the third joint 63 is made of AuSn.

発光装置1は、例えば、配線基板に実装して用いることができる。配線基板は、マザー基板である。配線基板は、例えば、金属ベースプリント配線板により形成することができる。   The light emitting device 1 can be used, for example, mounted on a wiring board. The wiring board is a mother board. The wiring board can be formed, for example, from a metal-based printed wiring board.

(2)発光装置の各構成要素
次に、発光装置1の各構成要素について、図面を参照して説明する。
(2) Each component of the light emitting device Next, each component of the light emitting device 1 will be described with reference to the drawings.

(2.1)実装基板
実装基板2は、発光素子3を実装する基板である。発光装置1では、実装基板2に1つの発光素子3が実装されている。実装基板2は、平面視において発光素子3よりも大きい。
(2.1) Mounting board The mounting board 2 is a board on which the light emitting element 3 is mounted. In the light emitting device 1, one light emitting element 3 is mounted on a mounting board 2. The mounting substrate 2 is larger than the light emitting element 3 in a plan view.

実装基板2は、支持体20と、支持体20に支持された第1導体部21、第2導体部22及び第1接合用金属層23と、を含んでいる。   The mounting substrate 2 includes a support 20, a first conductor 21, a second conductor 22, and a first bonding metal layer 23 supported by the support 20.

支持体20は、平板状であり、厚さ方向において互いに反対側にある表面201及び裏面202を有する。支持体20の外周形状は、例えば、正方形状である。実装基板2は、セラミック基板であり、支持体20は、AlNセラミックにより形成されている。支持体20は、第1導体部21、第2導体部22及び第1接合用金属層23を支持する機能を有する。   The support 20 has a flat plate shape, and has a front surface 201 and a back surface 202 on opposite sides in the thickness direction. The outer peripheral shape of the support 20 is, for example, a square shape. The mounting substrate 2 is a ceramic substrate, and the support 20 is formed of AlN ceramic. The support 20 has a function of supporting the first conductor 21, the second conductor 22, and the first bonding metal layer 23.

第1導体部21、第2導体部22及び第1接合用金属層23は、支持体20の表面201上に形成されている。   The first conductor 21, the second conductor 22, and the first bonding metal layer 23 are formed on the surface 201 of the support 20.

第1導体部21は、発光素子3の第1電極31と電気的に接続される導電層である。第2導体部22は、発光素子3の第2電極32と電気的に接続される導電層である。   The first conductor 21 is a conductive layer that is electrically connected to the first electrode 31 of the light emitting element 3. The second conductor 22 is a conductive layer that is electrically connected to the second electrode 32 of the light emitting element 3.

第1接合用金属層23は、平面視において第1導体部21及び第2導体部22を囲んでいる。第1接合用金属層23は、支持体20の外周に沿って形成されている。第1接合用金属層23の平面視形状は、矩形枠状である。   The first bonding metal layer 23 surrounds the first conductor 21 and the second conductor 22 in plan view. The first bonding metal layer 23 is formed along the outer periphery of the support 20. The planar shape of the first bonding metal layer 23 is a rectangular frame shape.

第1導体部21、第2導体部22及び第1接合用金属層23の各々は、例えば、支持体20の表面201上のTi膜と、このTi膜上のPt膜と、このPt膜上のAu膜と、の積層膜により構成されている。   Each of the first conductor portion 21, the second conductor portion 22, and the first bonding metal layer 23 includes, for example, a Ti film on the surface 201 of the support 20, a Pt film on the Ti film, and a Pt film on the Ti film. And a laminated film of the above Au film.

実装基板2は、第1外部接続電極24及び第2外部接続電極25と、支持体20の厚さ方向に貫通して形成された第1貫通配線26及び第2貫通配線27と、を更に含んでいる。第1外部接続電極24及び第2外部接続電極25は、支持体20の裏面202に形成されている。第1外部接続電極24は、第1貫通配線26を介して第1導体部21と電気的に接続されている。第2外部接続電極25は、第2貫通配線27を介して第2導体部22と電気的に接続されている。第1外部接続電極24及び第2外部接続電極25の各々は、例えば、支持体20の裏面202上のTi膜と、このTi膜上のPt膜と、このPt膜上のAu膜と、の積層膜により構成することができる。第1貫通配線26及び第2貫通配線27の各々の材料は、例えば、W、Cu等である。   The mounting board 2 further includes a first external connection electrode 24 and a second external connection electrode 25, and a first through wiring 26 and a second through wiring 27 formed to penetrate in the thickness direction of the support 20. In. The first external connection electrode 24 and the second external connection electrode 25 are formed on the back surface 202 of the support 20. The first external connection electrode 24 is electrically connected to the first conductor 21 via the first through wiring 26. The second external connection electrode 25 is electrically connected to the second conductor 22 via the second through wiring 27. Each of the first external connection electrode 24 and the second external connection electrode 25 includes, for example, a Ti film on the back surface 202 of the support 20, a Pt film on the Ti film, and an Au film on the Pt film. It can be composed of a laminated film. The material of each of the first through wiring 26 and the second through wiring 27 is, for example, W, Cu, or the like.

(2.2)発光素子
発光素子3は、UV−Cの波長域の紫外線を放射する紫外線LEDチップである。紫外線LEDチップの発光ピーク波長は、例えば、275nmである。紫外線LEDチップのチップサイズは、例えば、1mm□(1mm×1mm)である。紫外線LEDチップの厚さは、例えば、100μmである。
(2.2) Light-Emitting Element The light-emitting element 3 is an ultraviolet LED chip that emits ultraviolet light in the UV-C wavelength range. The emission peak wavelength of the ultraviolet LED chip is, for example, 275 nm. The chip size of the ultraviolet LED chip is, for example, 1 mm □ (1 mm × 1 mm). The thickness of the ultraviolet LED chip is, for example, 100 μm.

発光素子3は、図3に示すように、基板30と、半導体多層膜39と、第1電極31と、第2電極32と、を備える。   As shown in FIG. 3, the light emitting element 3 includes a substrate 30, a semiconductor multilayer film 39, a first electrode 31, and a second electrode 32.

基板30は、その厚さ方向において互いに反対側にある第1面301及び第2面302を有する。基板30の外周形状は、正方形状である。基板30は、半導体多層膜39を支持している。   The substrate 30 has a first surface 301 and a second surface 302 on opposite sides in the thickness direction. The outer peripheral shape of the substrate 30 is a square shape. The substrate 30 supports the semiconductor multilayer film 39.

半導体多層膜39は、基板30の第1面301上に形成されている。半導体多層膜39は、第1導電型半導体層33と、発光層34と、第2導電型半導体層35と、を含んでいる。半導体多層膜39では、基板30側から第1導電型半導体層33、発光層34及び第2導電型半導体層35が、この順に並んでいる。第1導電型半導体層33の外周形は、基板30の外周形と大きさが同じである。発光層34及び第2導電型半導体層35それぞれの外周形は、第1導電型半導体層33の外周形よりも小さい。   The semiconductor multilayer film 39 is formed on the first surface 301 of the substrate 30. The semiconductor multilayer film 39 includes a first conductivity type semiconductor layer 33, a light emitting layer 34, and a second conductivity type semiconductor layer 35. In the semiconductor multilayer film 39, the first conductivity type semiconductor layer 33, the light emitting layer 34, and the second conductivity type semiconductor layer 35 are arranged in this order from the substrate 30 side. The outer peripheral shape of the first conductivity type semiconductor layer 33 has the same size as the outer peripheral shape of the substrate 30. The outer peripheral shape of each of the light emitting layer 34 and the second conductive type semiconductor layer 35 is smaller than the outer peripheral shape of the first conductive type semiconductor layer 33.

発光素子3では、第1電極31が第1導電型半導体層33と電気的に接続され、第2電極32が第2導電型半導体層35と電気的に接続されている。第1電極31は、第1オーミック電極層31Aと、第1パッド電極層31Bと、を含む。   In the light emitting element 3, the first electrode 31 is electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer 33, and the second electrode 32 is electrically connected to the second conductivity type semiconductor layer 35. The first electrode 31 includes a first ohmic electrode layer 31A and a first pad electrode layer 31B.

第1オーミック電極層31Aは、第1導電型半導体層33とオーミック接触を得るために、第1導電型半導体層33の表面331上に形成されている。第1パッド電極層31Bは、例えばAuSnからなる第1接合部61を介して実装基板2と接合するために、第1オーミック電極層31Aを覆うように形成されている。   The first ohmic electrode layer 31 </ b> A is formed on the surface 331 of the first conductivity type semiconductor layer 33 in order to obtain ohmic contact with the first conductivity type semiconductor layer 33. The first pad electrode layer 31B is formed so as to cover the first ohmic electrode layer 31A in order to join the first pad electrode layer 31B to the mounting substrate 2 via the first joining portion 61 made of, for example, AuSn.

第2電極32は、第2オーミック電極層32Aと、第2パッド電極層32Bと、を含む。第2オーミック電極層32Aは、第2導電型半導体層35とオーミック接触を得るために、第2導電型半導体層35の表面351上に形成されている。第2パッド電極層32Bは、例えばAuSnからなる第2接合部62を介して実装基板2と接合するために、第2オーミック電極層32Aを覆うように形成されている。   The second electrode 32 includes a second ohmic electrode layer 32A and a second pad electrode layer 32B. The second ohmic electrode layer 32A is formed on the surface 351 of the second conductive type semiconductor layer 35 in order to obtain ohmic contact with the second conductive type semiconductor layer 35. The second pad electrode layer 32B is formed so as to cover the second ohmic electrode layer 32A in order to join the second pad electrode layer 32B to the mounting substrate 2 via the second joining portion 62 made of, for example, AuSn.

発光素子3では、基板30は、例えば、サファイア基板である。第1導電型半導体層33は、例えば、n型Al0.60Ga0.40N層である。発光層34は、例えば、基板30の厚さ方向において、複数(例えば、4つ)の障壁層と複数(例えば、4つ)の井戸層とが交互に並んでいる多重量子井戸構造を有する。複数の井戸層の各々は、例えば、Al0.45Ga0.55N層である。複数の障壁層の各々は、例えば、Al0.60Ga0.40N層である。第2導電型半導体層35は、例えば、p型Al0.80Ga0.20N層と、p型GaN層と、を含む。半導体多層膜39は、基板30と第1導電型半導体層33との間に介在するバッファ層(例えば、AlN層)を含んでいる。発光素子3の光取り出し面は、基板30の第2面302を含む。 In the light emitting element 3, the substrate 30 is, for example, a sapphire substrate. The first conductivity type semiconductor layer 33 is, for example, an n-type Al 0.60 Ga 0.40 N layer. The light emitting layer 34 has, for example, a multiple quantum well structure in which a plurality (for example, four) barrier layers and a plurality (for example, four) well layers are alternately arranged in the thickness direction of the substrate 30. Each of the plurality of well layers is, for example, an Al 0.45 Ga 0.55 N layer. Each of the plurality of barrier layers is, for example, an Al 0.60 Ga 0.40 N layer. The second conductivity type semiconductor layer 35 includes, for example, a p-type Al 0.80 Ga 0.20 N layer and a p-type GaN layer. The semiconductor multilayer film 39 includes a buffer layer (for example, an AlN layer) interposed between the substrate 30 and the first conductivity type semiconductor layer 33. The light extraction surface of the light emitting element 3 includes the second surface 302 of the substrate 30.

(2.3)パッケージ用カバー部材
パッケージ用カバー部材6は、上述のように、スペーサ4と、カバー5と、を含む。
(2.3) Package Cover Member The package cover member 6 includes the spacer 4 and the cover 5 as described above.

スペーサ4は、カバー5に対向する第1面41と、カバー5とは反対側の第2面42と、を含む。発光装置1においては、スペーサ4は、実装基板2とカバー5との間に介在する部材である。したがって、スペーサ4の第2面42は、実装基板2に対向する。発光装置1では、スペーサ4の内側に発光素子3が配置されている。実装基板2の厚さ方向D1におけるスペーサ4の厚さ(高さ)は、発光素子3の厚さよりも大きい。   The spacer 4 includes a first surface 41 facing the cover 5 and a second surface 42 opposite to the cover 5. In the light emitting device 1, the spacer 4 is a member interposed between the mounting board 2 and the cover 5. Therefore, the second surface 42 of the spacer 4 faces the mounting substrate 2. In the light emitting device 1, the light emitting element 3 is arranged inside the spacer 4. The thickness (height) of the spacer 4 in the thickness direction D <b> 1 of the mounting board 2 is larger than the thickness of the light emitting element 3.

スペーサ4は、枠状である。スペーサ4の平面視での外周形状(実装基板2の厚さ方向から見たスペーサ4の外周形状)は、正方形状である。スペーサ4は、平面視において実装基板2よりも小さい。より詳細には、スペーサ4の平面視における外周形は、実装基板2の平面視における外周形よりも小さい。言い換えれば、スペーサ4の平面視における外周線は、実装基板2の平面視における外周線よりも内側にある。   The spacer 4 has a frame shape. The outer peripheral shape of the spacer 4 in plan view (the outer peripheral shape of the spacer 4 as viewed from the thickness direction of the mounting substrate 2) is a square shape. The spacer 4 is smaller than the mounting substrate 2 in a plan view. More specifically, the outer peripheral shape of the spacer 4 in plan view is smaller than the outer peripheral shape of the mounting board 2 in plan view. In other words, the outer peripheral line of the spacer 4 in plan view is inside the outer peripheral line of the mounting board 2 in plan view.

スペーサ4は、第1面41と、第2面42と、内周面43と、外周面44と、を有する。第1面41は、厚さ方向D1においてカバー5に対向する。第2面42は、厚さ方向D1において実装基板2に対向する。内周面43は、第1面41の内周と第2面42の内周とつないでいる。外周面44は、第1面41の外周と第2面42の外周とをつないでいる。内周面43は、第2面42とのなす内角が鋭角である傾斜面430を含む。内周面43は、傾斜面430を4つ含んでいる。4つの傾斜面430は、スペーサ4の第2面42の内周に沿って並んでいる。これにより、スペーサ4は、実装基板2の厚さ方向D1において第2面42から離れて第1面41に近づくにつれて開口面積が漸次増加している。スペーサ4は、実装基板2の厚さ方向D1において実装基板2から離れるにつれて開口面積が漸次増加している。発光装置1では、スペーサ4が、シリコンにより形成されており、スペーサ4の内周面43が、発光素子3から放射された紫外線をカバー5側へ反射する反射面の機能を有する。言い換えれば、発光装置1では、スペーサ4は、発光素子3から放射された紫外線をカバー5側へ反射するリフレクタを兼ねている。   The spacer 4 has a first surface 41, a second surface 42, an inner peripheral surface 43, and an outer peripheral surface 44. The first surface 41 faces the cover 5 in the thickness direction D1. The second surface 42 faces the mounting substrate 2 in the thickness direction D1. The inner peripheral surface 43 is connected to the inner periphery of the first surface 41 and the inner periphery of the second surface 42. The outer peripheral surface 44 connects the outer periphery of the first surface 41 and the outer periphery of the second surface 42. The inner peripheral surface 43 includes an inclined surface 430 whose inner angle with the second surface 42 is an acute angle. The inner peripheral surface 43 includes four inclined surfaces 430. The four inclined surfaces 430 are arranged along the inner periphery of the second surface 42 of the spacer 4. As a result, the opening area of the spacer 4 gradually increases as the distance from the second surface 42 to the first surface 41 increases in the thickness direction D1 of the mounting substrate 2. The opening area of the spacer 4 gradually increases as the distance from the mounting substrate 2 in the thickness direction D1 of the mounting substrate 2 increases. In the light emitting device 1, the spacer 4 is formed of silicon, and the inner peripheral surface 43 of the spacer 4 has a function of a reflecting surface that reflects the ultraviolet light emitted from the light emitting element 3 to the cover 5 side. In other words, in the light emitting device 1, the spacer 4 also functions as a reflector that reflects the ultraviolet light emitted from the light emitting element 3 toward the cover 5.

スペーサ4の4つの傾斜面430は、シリコン基板に対して、シリコン基板のエッチング速度の結晶面方位依存性を利用した異方性エッチングにより形成されている。スペーサ4の第1面41が(100)面であり、4つの傾斜面430は、{111}面である。ここにおいて異方性エッチングを行うときのエッチング液は、例えば、所定温度(例えば、85℃)に加熱したTMAH溶液である。エッチング液は、TMAH溶液に限らず、他のアルカリ系溶液(例えば、KOH溶液など)を用いてもよい。   The four inclined surfaces 430 of the spacer 4 are formed on the silicon substrate by anisotropic etching using the crystal plane orientation dependence of the etching rate of the silicon substrate. The first surface 41 of the spacer 4 is a (100) surface, and the four inclined surfaces 430 are {111} surfaces. Here, an etchant used for performing anisotropic etching is, for example, a TMAH solution heated to a predetermined temperature (for example, 85 ° C.). The etching solution is not limited to the TMAH solution, and another alkaline solution (for example, a KOH solution) may be used.

発光装置1は、スペーサ4の第2面42と第2接合用金属層46との間に介在するシリコン酸化膜45を含んでいる。第2接合用金属層46は、例えば、Al膜461とAu膜462との積層膜により構成されている。   The light emitting device 1 includes a silicon oxide film 45 interposed between the second surface 42 of the spacer 4 and the second bonding metal layer 46. The second bonding metal layer 46 is composed of, for example, a laminated film of an Al film 461 and an Au film 462.

カバー5は、平板状である。カバー5は、スペーサ4側の第1主面51と、スペーサ4とは反対側の第2主面52と、を有している。カバー5の平面視での外周形状(カバー5の厚さ方向から見たカバー5の外周形状)は、例えば、正方形状である。カバー5は、平面視において実装基板2よりも小さい。より詳細には、カバー5の平面視における外周形は、実装基板2の平面視における外周形よりも小さい。言い換えれば、カバー5の平面視における外周線は、実装基板2の平面視における外周線よりも内側にある。   The cover 5 is flat. The cover 5 has a first main surface 51 on the spacer 4 side and a second main surface 52 on the opposite side to the spacer 4. The outer peripheral shape of the cover 5 in a plan view (the outer peripheral shape of the cover 5 viewed from the thickness direction of the cover 5) is, for example, a square shape. The cover 5 is smaller than the mounting board 2 in a plan view. More specifically, the outer peripheral shape of the cover 5 in plan view is smaller than the outer peripheral shape of the mounting board 2 in plan view. In other words, the outer peripheral line of the cover 5 in plan view is inside the outer peripheral line of the mounting board 2 in plan view.

カバー5は、ガラスにより形成されている。より詳細には、カバー5は、発光素子3である紫外線LEDチップから放射される紫外線を透過するガラスにより形成されている。   The cover 5 is formed of glass. More specifically, the cover 5 is formed of glass that transmits ultraviolet light emitted from the ultraviolet LED chip as the light emitting element 3.

カバー5を形成するガラスは、アルカリ成分を含んでいる。アルカリ成分は、例えば、Na、K、Na2O、K2O等である。ここにおいて、カバー5を形成するガラスは、硼珪酸ガラスである。 The glass forming the cover 5 contains an alkaline component. The alkaline component is, for example, Na, K, Na 2 O, K 2 O or the like. Here, the glass forming the cover 5 is borosilicate glass.

パッケージ用カバー部材6では、スペーサ4とカバー5とが直接接合されている。「直接接合されている」とは、接合材等を用いることなく接合されていることを意味する。スペーサ4とカバー5とは、陽極接合によって直接接合されている。スペーサ4とカバー5とが陽極接合によって直接接合されていることは、例えば、断面TEM像(Cross-Sectional Transmission Electron Microscope Image)の観察結果、EDX法(Energy Dispersive X-ray Spectroscopy)による組成分析の結果、SIMS(Secondary Ion Mass Spectroscopy)によって測定した元素の深さプロファイル等によって確認することができる。   In the package cover member 6, the spacer 4 and the cover 5 are directly joined. “Directly joined” means that they are joined without using a joining material or the like. The spacer 4 and the cover 5 are directly joined by anodic joining. The fact that the spacer 4 and the cover 5 are directly bonded by anodic bonding is, for example, the result of observation of a cross-sectional TEM image (Cross-Sectional Transmission Electron Microscope Image), the composition analysis by the EDX method (Energy Dispersive X-ray Spectroscopy). As a result, it can be confirmed by a depth profile or the like of the element measured by SIMS (Secondary Ion Mass Spectroscopy).

(2.4)光学部材
光学部材9は、カバー5上に配置されている。言い換えれば、光学部材9は、カバー5の第2主面52側(スペーサ4側とは反対側)に配置されている。要するに、光学部材9は、パッケージ7の外側に配置されている。光学部材9は、発光素子3から放射される紫外線に対して透光性を有する。ここにおいて、「透光性を有する」とは、発光素子3から放射される紫外線に対する透過率が50%以上、好ましくは70%以上、より好ましくは90%以上であることを意味する。光学部材9の材料は、無機材料である。より詳細には、光学部材9は、例えば、合成石英により形成されている。
(2.4) Optical Member The optical member 9 is disposed on the cover 5. In other words, the optical member 9 is disposed on the second main surface 52 side of the cover 5 (the side opposite to the spacer 4 side). In short, the optical member 9 is arranged outside the package 7. The optical member 9 has a property of transmitting ultraviolet light emitted from the light emitting element 3. Here, “having translucency” means that the transmittance for ultraviolet rays emitted from the light emitting element 3 is 50% or more, preferably 70% or more, more preferably 90% or more. The material of the optical member 9 is an inorganic material. More specifically, the optical member 9 is formed of, for example, synthetic quartz.

光学部材9は、発光素子3から放射される紫外線の配光を制御する。光学部材9は、光学的機能部90と、突出部93と、を有する。光学的機能部90と突出部93とは、同じ材料で形成されており、一体である。光学的機能部90は、実装基板2の厚さ方向D1において発光素子3に重なり発光素子3から放射された紫外線を透過する。突出部93は、厚さ方向D1からの平面視において光学的機能部90から外側に突出し、かつ厚さ方向D1においてスペーサ4に重なっている。接合部10は、実装基板2の厚さ方向D1において突出部93とカバー5との間に介在し、突出部93とカバー5とを接合している。   The optical member 9 controls the distribution of ultraviolet light emitted from the light emitting element 3. The optical member 9 has an optical function part 90 and a projecting part 93. The optical function part 90 and the protruding part 93 are formed of the same material and are integrated. The optical function part 90 overlaps the light emitting element 3 in the thickness direction D1 of the mounting substrate 2 and transmits the ultraviolet light emitted from the light emitting element 3. The protruding portion 93 protrudes outward from the optical function portion 90 in a plan view from the thickness direction D1, and overlaps the spacer 4 in the thickness direction D1. The joining portion 10 is interposed between the projecting portion 93 and the cover 5 in the thickness direction D1 of the mounting board 2 and joins the projecting portion 93 and the cover 5.

光学的機能部90は、レンズとしての機能を有する部分である。実装基板2の厚さ方向D1からの平面視で、光学的機能部90の外周形状は、略円形状である。光学的機能部90は、実装基板2の厚さ方向D1からの平面視で、発光素子3よりも大きい。また、光学的機能部90は、実装基板2の厚さ方向D1からの平面視で、スペーサ4の第2面42の内周形状よりも大きい。光学的機能部90は、カバー5側の第1面91と、カバー5とは反対側の第2面92と、を有する。レンズは、集光レンズである。より詳細には、レンズは、平凸型の非球面レンズである。したがって、光学的機能部90では、第1面91が平面、第2面92が凸曲面(非球面)である。   The optical function part 90 is a part having a function as a lens. In plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 2, the outer peripheral shape of the optical function unit 90 is substantially circular. The optical function part 90 is larger than the light emitting element 3 in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 2. The optical function part 90 is larger than the inner peripheral shape of the second surface 42 of the spacer 4 in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting board 2. The optical function section 90 has a first surface 91 on the cover 5 side and a second surface 92 on the opposite side to the cover 5. The lens is a condenser lens. More specifically, the lens is a plano-convex aspheric lens. Therefore, in the optical function part 90, the first surface 91 is a flat surface, and the second surface 92 is a convex curved surface (aspheric surface).

突出部93は、例えば、光学部材9とカバー5とを接合するために利用される部分である。突出部93は、光学的機能部90の外周の全周から突出している。実装基板2の厚さ方向D1における突出部93の厚さは、実装基板2の厚さ方向D1における光学的機能部90の最大厚さよりも薄い。突出部93は、カバー5側の第1面931と、カバー5とは反対側の第2面932と、を有している。突出部93では、第1面931及び第2面932の各々は、平面である。光学部材9では、突出部93の第1面931と光学的機能部90の第1面91とがつながっており、第1面931と第1面91とが同一平面上に位置している(面一である)。また、光学部材9では、突出部93の第2面932と光学的機能部90の第2面92とがつながっており、第2面932と第2面92との境界は、光学的機能部90の第2面92の外周形状によって決まっている。   The protruding portion 93 is, for example, a portion used to join the optical member 9 and the cover 5. The protrusion 93 protrudes from the entire outer periphery of the optical function unit 90. The thickness of the protruding portion 93 in the thickness direction D1 of the mounting substrate 2 is smaller than the maximum thickness of the optical function portion 90 in the thickness direction D1 of the mounting substrate 2. The protruding portion 93 has a first surface 931 on the cover 5 side and a second surface 932 on the opposite side to the cover 5. In the protruding portion 93, each of the first surface 931 and the second surface 932 is a flat surface. In the optical member 9, the first surface 931 of the protrusion 93 is connected to the first surface 91 of the optical function unit 90, and the first surface 931 and the first surface 91 are located on the same plane ( It is flush). In the optical member 9, the second surface 932 of the protrusion 93 is connected to the second surface 92 of the optical function unit 90, and the boundary between the second surface 932 and the second surface 92 is defined by the optical function unit. 90 is determined by the outer peripheral shape of the second surface 92.

実装基板2の厚さ方向D1からの平面視で、突出部93の外周形状は、例えば、正方形状である。突出部93の外周形状は、カバー5の外周形状と同じである。したがって、実装基板2の厚さ方向D1からの平面視で、光学部材9の外周形状は、カバー5の外周形状と同じである。   In plan view from the thickness direction D1 of the mounting board 2, the outer peripheral shape of the protrusion 93 is, for example, a square shape. The outer peripheral shape of the protrusion 93 is the same as the outer peripheral shape of the cover 5. Therefore, the outer peripheral shape of the optical member 9 is the same as the outer peripheral shape of the cover 5 in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 2.

(2.5)接合部
接合部10は、実装基板2の厚さ方向D1において光学部材9の突出部93とカバー5との間に介在し、突出部93とカバー5とを接合している。発光装置1は、接合部10を複数(4つ)備える。複数の接合部10は、カバー5の第2主面52上においてカバー5の外周に沿った方向において互いに離れて配置されている。より詳細には、複数の接合部10は、カバー5の第2主面52の四隅に一対一に対応するように配置されている。これにより、発光装置1では、実装基板2の厚さ方向D1において光学部材9の光学的機能部90が、空間S1のみを介してカバー5と対向している。
(2.5) Bonding part The bonding part 10 is interposed between the protrusion 93 of the optical member 9 and the cover 5 in the thickness direction D1 of the mounting board 2 and bonds the protrusion 93 and the cover 5. . The light emitting device 1 includes a plurality (four) of the joints 10. The plurality of joints 10 are arranged apart from each other on the second main surface 52 of the cover 5 in a direction along the outer periphery of the cover 5. More specifically, the plurality of joints 10 are arranged so as to correspond to the four corners of the second main surface 52 of the cover 5 on a one-to-one basis. Thus, in the light emitting device 1, the optical function part 90 of the optical member 9 faces the cover 5 only through the space S1 in the thickness direction D1 of the mounting substrate 2.

実装基板2の厚さ方向D1からの平面視で、複数の接合部10の各々の外周形状は、例えば、円形状である。複数の接合部10は、厚さ方向D1からの平面視で同じ大きさであるが、互いに異なる大きさであってもよい。   In a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 2, the outer peripheral shape of each of the plurality of joints 10 is, for example, a circular shape. The plurality of joint portions 10 have the same size in plan view from the thickness direction D1, but may have different sizes.

接合部10は、接着層13を含んでいる。接着層13は、樹脂を含む。ここにおいて、接着層13は、樹脂系の接着剤を用いて形成されている。樹脂系の接着剤は、例えば、エポキシ樹脂系の接着剤である。   The joint 10 includes an adhesive layer 13. The adhesive layer 13 contains a resin. Here, the adhesive layer 13 is formed using a resin-based adhesive. The resin adhesive is, for example, an epoxy resin adhesive.

接合部10は、第1遮光層11と、第2遮光層12と、を含む。第1遮光層11は、接着層13とカバー5との間に介在しており、発光素子3から放射された紫外線を遮光する。第2遮光層12は、接着層13と突出部93との間に介在しており、発光素子3から放射された紫外線を遮光する。紫外線を遮光する機能は、例えば、紫外線の反射、吸収及び散乱等のうち少なくとも1つの現象によって実現される。   The joint 10 includes a first light-shielding layer 11 and a second light-shielding layer 12. The first light-shielding layer 11 is interposed between the adhesive layer 13 and the cover 5, and shields ultraviolet light emitted from the light-emitting element 3. The second light shielding layer 12 is interposed between the adhesive layer 13 and the protruding portion 93, and shields the ultraviolet light emitted from the light emitting element 3 from light. The function of blocking ultraviolet rays is realized by, for example, at least one of reflection, absorption, and scattering of ultraviolet rays.

第1遮光層11及び第2遮光層12の各々は、金属である。第1遮光層11は、カバー5及び接着層13それぞれとの密着性の良い金属により形成されているのが好ましい。第2遮光層12は、光学部材9の突出部93及び接着層13それぞれとの密着性の良い金属により形成されているのが好ましい。第1遮光層11及び第2遮光層12の各々の金属は、例えば、Crである。発光素子3から放射される紫外線に対するCrの反射率は、50%未満である。接合部10では、第1遮光層11の厚さと第2遮光層12の厚さとが同じである。   Each of the first light shielding layer 11 and the second light shielding layer 12 is made of metal. The first light shielding layer 11 is preferably formed of a metal having good adhesion to the cover 5 and the adhesive layer 13. The second light-shielding layer 12 is preferably formed of a metal having good adhesion to the protrusion 93 of the optical member 9 and the adhesive layer 13. The metal of each of the first light shielding layer 11 and the second light shielding layer 12 is, for example, Cr. The reflectance of Cr to ultraviolet light emitted from the light emitting element 3 is less than 50%. In the joint portion 10, the thickness of the first light shielding layer 11 and the thickness of the second light shielding layer 12 are the same.

接合部10に関し、接着層13は、実装基板2の厚さ方向D1からの平面視で第1遮光層11内及び第2遮光層12内に収まっている。ここにおいて、「第1遮光層11内及び第2遮光層12内に収まっている」とは、接着層13と第1遮光層11とが同じ形状である場合、接着層13と第2遮光層12とが同じ形状である場合を含む。実施形態に係る発光装置1では、実装基板2の厚さ方向D1からの平面視において、接着層13の面積と第1遮光層11の面積とが同じである。また、発光装置1では、実装基板2の厚さ方向D1からの平面視において、接着層13の面積と第2遮光層12の面積とが同じである。   Regarding the bonding portion 10, the adhesive layer 13 is accommodated in the first light shielding layer 11 and the second light shielding layer 12 in plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 2. Here, “contained in the first light-shielding layer 11 and the second light-shielding layer 12” means that the adhesive layer 13 and the second light-shielding layer 11 have the same shape. 12 includes the same shape. In the light emitting device 1 according to the embodiment, the area of the adhesive layer 13 and the area of the first light shielding layer 11 are the same in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 2. In the light emitting device 1, the area of the adhesive layer 13 and the area of the second light shielding layer 12 are the same in plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 2.

接着層13は、実装基板2の厚さ方向D1からの平面視において突出部93内に収まっている。これにより、接着層13は、実装基板2の厚さ方向D1からの平面視において光学的機能部90と重ならず、スペーサ4の第1面41の内周よりも外側に位置している。   The adhesive layer 13 is housed in the protrusion 93 in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting board 2. Thus, the adhesive layer 13 does not overlap with the optical function part 90 in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 2 and is located outside the inner periphery of the first surface 41 of the spacer 4.

(3)発光装置の製造方法
以下では、発光装置1の製造方法について図4に基づいて簡単に説明する。
(3) Method for Manufacturing Light-Emitting Device Hereinafter, a method for manufacturing the light-emitting device 1 will be briefly described with reference to FIG.

発光装置1の製造方法では、カバー5の第2主面52上に複数(4つ)の第1遮光層11を形成する。その後、スペーサ4とカバー5とを接合することでパッケージ用カバー部材6を形成する。そして、パッケージ用カバー部材6と、実装基板2と、を接合する前に、図4に示すように、予め、スペーサ4の第2面42にシリコン酸化膜45と第2接合用金属層46との積層構造を設ける。その一方で、実装基板2の第1導体部21、第2導体部22及び第1接合用金属層23上に第1接合部61、第2接合部62及び第3接合部63それぞれの元になる第1AuSn層71、第2AuSn層72及び第3AuSn層73を設ける。ここにおいて、第1導体部21、第2導体部22及び第1接合用金属層23と第1AuSn層71、第2AuSn層72及び第3AuSn層73との間に、第1バリア層81、第2バリア層82及び第3バリア層83を設ける。第1バリア層81、第2バリア層82及び第3バリア層83の材料は、例えば、Ptである。また、第1AuSn層71、第2AuSn層72及び第3AuSn層73上に、第1Au層121、第2Au層122及び第3Au層123をそれぞれ設ける。第1Au層121、第2Au層122及び第3Au層123は、第1AuSn層71、第2AuSn層72及び第3AuSn層73のSnの酸化を抑制するために設ける層である。第1Au層121、第2Au層122及び第3Au層123の厚さは、第1AuSn層71、第2AuSn層72及び第3AuSn層73が溶融したときに、第1AuSn層71、第2AuSn層72及び第3AuSn層73へAuが熱拡散され、第1導体部21、第2導体部22及び第1接合用金属層23と第1電極31、第2電極32及び第2接合用金属層46との接合が行われるように決められている。以下では、第1バリア層81と第1AuSn層71と第1Au層121との積層膜を第1接合用層131と称し、第2バリア層82と第2AuSn層72と第2Au層122との積層膜を第2接合用層132と称する。また、以下では、第3バリア層83と第3AuSn層73と第3Au層123との積層膜を第3接合用層133と称する。第1接合用層131は、少なくとも第1AuSn層71を備えていればよく、積層膜に限らず、単層膜でもよい。第2接合用層132は、少なくとも第2AuSn層72を備えていればよく、積層膜に限らず、単層膜でもよい。第3接合用層133は、少なくとも第3AuSn層73を備えていればよく、積層膜に限らず、単層膜でもよい。   In the method for manufacturing the light emitting device 1, a plurality (four) of the first light shielding layers 11 are formed on the second main surface 52 of the cover 5. Thereafter, the package cover member 6 is formed by joining the spacer 4 and the cover 5. Then, before bonding the package cover member 6 and the mounting substrate 2, as shown in FIG. 4, a silicon oxide film 45 and a second bonding metal layer 46 are previously formed on the second surface 42 of the spacer 4. Is provided. On the other hand, on the first conductor part 21, the second conductor part 22, and the first bonding metal layer 23 of the mounting board 2, the first bonding part 61, the second bonding part 62, and the third bonding part 63 are respectively formed. A first AuSn layer 71, a second AuSn layer 72, and a third AuSn layer 73 are provided. Here, the first barrier layer 81, the second barrier layer 81 and the second AuSn layer 73 are located between the first conductor section 21, the second conductor section 22, and the first bonding metal layer 23 and the first AuSn layer 71, the second AuSn layer 72, and the third AuSn layer 73. A barrier layer 82 and a third barrier layer 83 are provided. The material of the first barrier layer 81, the second barrier layer 82, and the third barrier layer 83 is, for example, Pt. Further, a first Au layer 121, a second Au layer 122, and a third Au layer 123 are provided on the first AuSn layer 71, the second AuSn layer 72, and the third AuSn layer 73, respectively. The first Au layer 121, the second Au layer 122, and the third Au layer 123 are layers provided for suppressing the oxidation of Sn of the first AuSn layer 71, the second AuSn layer 72, and the third AuSn layer 73. The thickness of the first Au layer 121, the second Au layer 122, and the third Au layer 123 is such that when the first AuSn layer 71, the second AuSn layer 72, and the third AuSn layer 73 are melted, the first AuSn layer 71, the second AuSn layer 72, and the Au is thermally diffused into the 3AuSn layer 73, and the first conductor portion 21, the second conductor portion 22, and the first bonding metal layer 23 are bonded to the first electrode 31, the second electrode 32, and the second bonding metal layer 46. Is decided to be done. Hereinafter, a laminated film of the first barrier layer 81, the first AuSn layer 71, and the first Au layer 121 is referred to as a first bonding layer 131, and a laminated film of the second barrier layer 82, the second AuSn layer 72, and the second Au layer 122. The film is referred to as a second bonding layer 132. Hereinafter, a laminated film of the third barrier layer 83, the third AuSn layer 73, and the third Au layer 123 is referred to as a third bonding layer 133. The first bonding layer 131 only needs to include at least the first AuSn layer 71, and is not limited to a laminated film, and may be a single-layer film. The second bonding layer 132 only needs to include at least the second AuSn layer 72, and is not limited to a laminated film, and may be a single-layer film. The third bonding layer 133 only needs to include at least the third AuSn layer 73, and is not limited to a laminated film, and may be a single-layer film.

また、発光装置1の製造方法では、パッケージ用カバー部材6と実装基板2とを接合する前に発光素子3を実装基板2に実装し、引き続き、パッケージ用カバー部材6と実装基板2とを接合する。   In the method for manufacturing the light emitting device 1, the light emitting element 3 is mounted on the mounting substrate 2 before the package cover member 6 and the mounting substrate 2 are bonded, and then the package cover member 6 and the mounting substrate 2 are bonded. I do.

発光素子3を実装基板2に実装する際には、発光素子3の第1電極31、第2電極32と実装基板2上の第1接合用層131、第2接合用層132とが接触するように重ね合わせた状態で、適宜の加熱及び加圧を行いながら第1AuSn層71及び第2AuSn層72を溶融させてから、冷却凝固させることで第1接合部61及び第2接合部62を形成する。ここにおいて、第1AuSn層71が溶融すると、溶融したAuSnに、第1Au層121からAuが拡散し、溶融したAuSnにおけるAuの組成比が増加する。また、第2AuSn層72が溶融すると、溶融したAuSnに、第2Au層122からAuが拡散し、溶融したAuSnにおけるAuの組成比が増加する。   When mounting the light emitting element 3 on the mounting substrate 2, the first electrode 31 and the second electrode 32 of the light emitting element 3 are in contact with the first bonding layer 131 and the second bonding layer 132 on the mounting substrate 2. The first and second AuSn layers 71 and 72 are melted while performing appropriate heating and pressurization in the state of being overlapped as described above, and then cooled and solidified to form the first and second bonding portions 61 and 62. I do. Here, when the first AuSn layer 71 melts, Au diffuses from the first Au layer 121 into the molten AuSn, and the Au composition ratio in the molten AuSn increases. When the second AuSn layer 72 melts, Au diffuses from the second Au layer 122 into the molten AuSn, and the composition ratio of Au in the molten AuSn increases.

パッケージ用カバー部材6と実装基板2とを接合する際には、パッケージ用カバー部材6に設けた第2接合用金属層46と実装基板2上の第3接合用層133とが接触するように重ね合わせた状態で、適宜の加熱及び加圧を行いながら第3AuSn層73を溶融させてから、冷却凝固させることで第3接合部63を形成する。第3AuSn層73が溶融すると、溶融したAuSnに、第3Au層123からAuが拡散し、溶融したAuSnにおけるAuの組成比が増加する。   When bonding the package cover member 6 and the mounting board 2, the second bonding metal layer 46 provided on the package cover member 6 and the third bonding layer 133 on the mounting board 2 are in contact with each other. In the superimposed state, the third AuSn layer 73 is melted while performing appropriate heating and pressurization, and then cooled and solidified to form the third bonding portion 63. When the third AuSn layer 73 melts, Au diffuses from the third Au layer 123 into the molten AuSn, and the Au composition ratio in the molten AuSn increases.

上述のようにパッケージ用カバー部材6と実装基板2とを接合した後、カバー5の複数の第1遮光層11の各々の上に接着層13の元になる接着剤を塗布し、複数の第2遮光層12を突出部93の第1面931に形成した光学部材9をカバー5と接合する。   After joining the package cover member 6 and the mounting board 2 as described above, an adhesive that is the basis of the adhesive layer 13 is applied onto each of the plurality of first light-shielding layers 11 of the cover 5, and the plurality of 2 The optical member 9 having the light-shielding layer 12 formed on the first surface 931 of the projection 93 is joined to the cover 5.

(4)効果
実施形態に係る発光装置1は、実装基板2と、発光素子3と、スペーサ4と、カバー5と、光学部材9と、接合部10と、を備える。発光素子3は、実装基板2上に配置されており、紫外線を放射する。スペーサ4は、枠状であり、実装基板2上に配置され発光素子3を囲んでいる。カバー5は、発光素子3を覆うようにスペーサ4上に配置されている。カバー5は、発光素子3から放射された紫外線を透過する。光学部材9は、カバー5上に配置されている。光学部材9は、光学的機能部90と、突出部93と、を有する。光学的機能部90は、実装基板2の厚さ方向D1において発光素子3に重なり発光素子3から放射された紫外線を透過する。突出部93は、厚さ方向D1からの平面視において光学的機能部90から外側に突出し、かつ厚さ方向D1において少なくとも一部がスペーサ4に重なっている。接合部10は、厚さ方向D1において突出部93とカバー5との間に介在し、突出部93とカバー5とを接合している。
(4) Effect The light emitting device 1 according to the embodiment includes the mounting substrate 2, the light emitting element 3, the spacer 4, the cover 5, the optical member 9, and the joint 10. The light emitting element 3 is disposed on the mounting substrate 2 and emits ultraviolet light. The spacer 4 has a frame shape and is arranged on the mounting substrate 2 and surrounds the light emitting element 3. The cover 5 is arranged on the spacer 4 so as to cover the light emitting element 3. The cover 5 transmits ultraviolet light emitted from the light emitting element 3. The optical member 9 is arranged on the cover 5. The optical member 9 has an optical function part 90 and a projecting part 93. The optical function part 90 overlaps the light emitting element 3 in the thickness direction D1 of the mounting substrate 2 and transmits the ultraviolet light emitted from the light emitting element 3. The projecting portion 93 projects outward from the optical function portion 90 in a plan view from the thickness direction D1, and at least partially overlaps the spacer 4 in the thickness direction D1. The joining portion 10 is interposed between the projection 93 and the cover 5 in the thickness direction D1, and joins the projection 93 and the cover 5.

実施形態に係る発光装置1では、光学部材9を備えかつ信頼性の向上を図ることが可能となる。ここにおいて、発光装置1は、発光素子3から放射される紫外線の配光を光学部材9の光学的機能部90により制御できる。また、発光装置1では、実装基板2とスペーサ4とカバー5とで囲まれた空間内に接着剤等のように発光素子3からの紫外線によって経時劣化する部分がない。これにより、発光装置1は、信頼性を向上させることが可能となる。   The light emitting device 1 according to the embodiment includes the optical member 9 and can improve reliability. Here, in the light emitting device 1, the light distribution of the ultraviolet light emitted from the light emitting element 3 can be controlled by the optical function unit 90 of the optical member 9. Further, in the light emitting device 1, there is no portion that deteriorates with time due to ultraviolet rays from the light emitting element 3, such as an adhesive, in a space surrounded by the mounting substrate 2, the spacer 4, and the cover 5. Thus, the light emitting device 1 can have improved reliability.

また、実施形態1に係る発光装置1では、接合部10が接着層13を含むので、突出部93とカバー5とを接着層13により接合することができる。   Further, in the light emitting device 1 according to the first embodiment, since the bonding portion 10 includes the adhesive layer 13, the protrusion 93 and the cover 5 can be bonded by the adhesive layer 13.

また、実施形態1に係る発光装置1では、接合部10が、第1遮光層11と、第2遮光層12と、を更に含んでいる。これにより、発光装置1は、発光素子3から放射されて他の部材(実装基板2、スペーサ4、カバー5、光学部材9等)で反射された紫外線が接着層13に入射しにくくなる。したがって、実施形態1に係る発光装置1は、第1遮光層11及び第2遮光層12を備えていない場合と比べて、紫外線による接着層13の劣化をより抑制することが可能となり、信頼性の更なる向上を図れる。   Further, in the light emitting device 1 according to the first embodiment, the joint 10 further includes the first light shielding layer 11 and the second light shielding layer 12. Thereby, in the light emitting device 1, the ultraviolet rays radiated from the light emitting element 3 and reflected by other members (the mounting substrate 2, the spacer 4, the cover 5, the optical member 9, and the like) are less likely to enter the adhesive layer 13. Therefore, in the light emitting device 1 according to the first embodiment, the deterioration of the adhesive layer 13 due to ultraviolet rays can be further suppressed as compared with the case where the first light shielding layer 11 and the second light shielding layer 12 are not provided, and the reliability is improved. Can be further improved.

(変形例)
上記の実施形態は、本発明の様々な実施形態の一つに過ぎない。上記の実施形態は、本発明の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。
(Modification)
The above embodiments are merely one of various embodiments of the present invention. The above embodiment can be variously modified according to the design and the like as long as the object of the present invention can be achieved.

(変形例1)
以下、実施形態の変形例1に係る発光装置1aについて、図5を参照して説明する。
(Modification 1)
Hereinafter, a light emitting device 1a according to a first modification of the embodiment will be described with reference to FIG.

変形例1に係る発光装置1aの基本構成は、実施形態に係る発光装置1と同じである。変形例1に係る発光装置1aに関し、実施形態に係る発光装置1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。   The basic configuration of the light emitting device 1a according to the first modification is the same as that of the light emitting device 1 according to the embodiment. Regarding the light emitting device 1a according to Modification 1, the same components as those of the light emitting device 1 according to the embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

変形例1に係る発光装置1aでは、実装基板2の厚さ方向D1からの平面視において、接着層13の面積が第1遮光層11の面積及び第2遮光層12の面積よりも小さい。   In the light emitting device 1a according to the first modification, the area of the adhesive layer 13 is smaller than the area of the first light shielding layer 11 and the area of the second light shielding layer 12 in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 2.

また、変形例1に係る発光装置1aでは、実装基板2の厚さ方向D1からの平面視において、接着層13と光学的機能部90の中心との距離L3が、第1遮光層11と光学的機能部90の中心との距離L1よりも長い。これにより、変形例1に係る発光装置1aは、実施形態に係る発光装置1と比べて、発光素子3から放射された紫外線が接着層13へ入射しにくくなる。   Further, in the light emitting device 1a according to the first modification, the distance L3 between the adhesive layer 13 and the center of the optical function unit 90 in the plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 2 is different from the first light shielding layer 11 It is longer than the distance L1 from the center of the target function unit 90. Accordingly, in the light emitting device 1a according to the first modification, the ultraviolet light emitted from the light emitting element 3 is less likely to enter the adhesive layer 13 as compared with the light emitting device 1 according to the embodiment.

(変形例2)
以下、実施形態の変形例2に係る発光装置1bについて、図6を参照して説明する。
(Modification 2)
Hereinafter, a light emitting device 1b according to a second modification of the embodiment will be described with reference to FIG.

変形例2に係る発光装置1bの基本構成は、実施形態の変形例1に係る発光装置1aと同じである。変形例2に係る発光装置1bに関し、実施形態の変形例1に係る発光装置1aと同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。   The basic configuration of the light emitting device 1b according to Modification 2 is the same as that of the light emitting device 1a according to Modification 1 of the embodiment. Regarding the light emitting device 1b according to the second modification, the same components as those of the light emitting device 1a according to the first modification of the embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

変形例2に係る発光装置1bでは、実装基板2の厚さ方向D1からの平面視において、接着層13と光学的機能部90(の外周)との距離(最短距離)L13が、第1遮光層11と光学的機能部90(の外周)との距離(最短距離)L11よりも長い。これにより、変形例2に係る発光装置1bは、実施形態に係る発光装置1と比べて、発光素子3から放射された紫外線が接着層13へ入射しにくくなる。   In the light emitting device 1b according to Modification Example 2, the distance (shortest distance) L13 between the adhesive layer 13 and (the outer periphery of) the optical function unit 90 is the first light-shielding when viewed in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 2. It is longer than the distance (shortest distance) L11 between the layer 11 and (the outer periphery of) the optical function part 90. Accordingly, in the light emitting device 1b according to the second modification, the ultraviolet light radiated from the light emitting element 3 is less likely to enter the adhesive layer 13 as compared with the light emitting device 1 according to the embodiment.

(変形例3)
以下、実施形態の変形例3に係る発光装置1cについて、図7を参照して説明する。
(Modification 3)
Hereinafter, a light emitting device 1c according to a third modification of the embodiment will be described with reference to FIG.

変形例3に係る発光装置1cの基本構成は、実施形態1の変形例2に係る発光装置1bと同じである。変形例3に係る発光装置1cに関し、実施形態の変形例2に係る発光装置1bと同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。   The basic configuration of the light emitting device 1c according to the third modification is the same as that of the light emitting device 1b according to the second modification of the first embodiment. Regarding the light emitting device 1c according to the third modification, the same components as those of the light emitting device 1b according to the second modification of the embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

変形例3に係る発光装置1cでは、実装基板2の厚さ方向D1からの平面視において、第1遮光層11の面積が第2遮光層12の面積よりも大きい。これにより、変形例3に係る発光装置1cでは、実施形態の変形例1に係る発光装置1aと比べて、発光素子3から放射された紫外線が接着層13へ入射しにくくなる。   In the light emitting device 1c according to Modification 3, the area of the first light shielding layer 11 is larger than the area of the second light shielding layer 12 in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 2. Thereby, in the light emitting device 1c according to the third modification, compared to the light emitting device 1a according to the first modification of the embodiment, the ultraviolet light emitted from the light emitting element 3 is less likely to enter the adhesive layer 13.

(変形例4)
以下、実施形態の変形例4に係る発光装置1dについて、図8を参照して説明する。
(Modification 4)
Hereinafter, a light emitting device 1d according to a modification 4 of the embodiment will be described with reference to FIG.

変形例4に係る発光装置1dの基本構成は、実施形態1の変形例1に係る発光装置1aと同じである。変形例4に係る発光装置1dに関し、実施形態の変形例1に係る発光装置1aと同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。   The basic configuration of the light emitting device 1d according to Modification 4 is the same as that of the light emitting device 1a according to Modification 1 of Embodiment 1. Regarding the light emitting device 1d according to Modification 4, the same components as those of the light emitting device 1a according to Modification 1 of the embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

変形例4に係る発光装置1dでは、第1遮光層11の厚さが、第2遮光層12の厚さよりも厚い。これにより、変形例4に係る発光装置1dでは、実施形態の変形例1に係る発光装置1aと比べて、発光素子3から放射された紫外線が接着層13へ入射しにくくなる。   In the light emitting device 1d according to Modification 4, the thickness of the first light shielding layer 11 is larger than the thickness of the second light shielding layer 12. Accordingly, in the light emitting device 1d according to Modification 4, compared to the light emitting device 1a according to Modification 1 of the embodiment, the ultraviolet light emitted from the light emitting element 3 is less likely to enter the adhesive layer 13.

(変形例5)
以下、実施形態の変形例5に係る発光装置1eについて、図9を参照して説明する。
(Modification 5)
Hereinafter, a light emitting device 1e according to a fifth modification of the embodiment will be described with reference to FIG.

変形例5に係る発光装置1eの基本構成は、実施形態1に係る発光装置1と同じである。変形例5に係る発光装置1eに関し、実施形態に係る発光装置1と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。   The basic configuration of the light emitting device 1e according to the fifth modification is the same as that of the light emitting device 1 according to the first embodiment. Regarding the light emitting device 1e according to Modification 5, the same components as those of the light emitting device 1 according to the embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.

変形例5に係る発光装置1eでは、実装基板2の厚さ方向D1からの平面視で、接着層13の一部が第1遮光層11及び第2遮光層12から、光学的機能部90側とは反対側にはみ出している。これにより、変形例5に係る発光装置1eでは、製造が容易になる。また、変形例5に係る発光装置1eでは、接着層13の面積が小さくなりすぎるのを抑制することができる。   In the light emitting device 1e according to Modification 5, a part of the adhesive layer 13 is moved from the first light shielding layer 11 and the second light shielding layer 12 to the optical function unit 90 side in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 2. And protrudes to the opposite side. This facilitates the manufacture of the light emitting device 1e according to the fifth modification. Further, in the light emitting device 1e according to the fifth modification, it is possible to prevent the area of the adhesive layer 13 from becoming too small.

(その他の変形例)
例えば、パッケージ用カバー部材6では、カバー5がアルカリ成分を含むガラスに限らず、例えば、石英ガラス等によって形成されていてもよい。この場合、スペーサ4とカバー5とが、例えば、低融点ガラスにより形成された接合部により接合されていてもよい。低融点ガラスは、軟化点が600℃以下のガラスであり、軟化点が500℃以下のガラスが好ましく、軟化点が400℃以下のガラスが更に好ましい。低融点ガラスは、例えば、主成分として酸化鉛(PbO)と無水ほう酸(B23)とを含むガラスである。
(Other variations)
For example, in the package cover member 6, the cover 5 is not limited to glass containing an alkali component, and may be formed of, for example, quartz glass or the like. In this case, the spacer 4 and the cover 5 may be joined by a joining portion formed of, for example, low-melting glass. The low melting point glass is a glass having a softening point of 600 ° C. or lower, preferably a glass having a softening point of 500 ° C. or lower, and more preferably a glass having a softening point of 400 ° C. or lower. The low melting point glass is, for example, a glass containing lead oxide (PbO) and boric anhydride (B 2 O 3 ) as main components.

また、ガラスは、硼珪酸ガラス、石英ガラスに限らず、例えば、ソーダライムガラス、無アルカリガラス等であってもよい。   Further, the glass is not limited to borosilicate glass and quartz glass, and may be, for example, soda lime glass, non-alkali glass, or the like.

また、発光素子3は、UV−Cの波長域の紫外線を放射する紫外線LEDチップに限らず、例えば、UV−Bの波長域の紫外線を放射する紫外線LEDチップであってもよい。また、発光素子3は、例えば、UV−Aの波長域の紫外線を放射する紫外線LEDチップであってもよい。   Further, the light emitting element 3 is not limited to an ultraviolet LED chip that emits ultraviolet light in the UV-C wavelength range, and may be, for example, an ultraviolet LED chip that emits ultraviolet light in the UV-B wavelength range. Further, the light emitting element 3 may be, for example, an ultraviolet LED chip that emits ultraviolet light in the UV-A wavelength range.

また、実装基板2上においてスペーサ4の内側に配置される発光素子3の数は、1つに限らず、複数であってもよい。また、発光装置1、1a〜1eでは、スペーサ4の内側に配置される複数の発光素子3を備えている場合、複数の発光素子3が同じ種類の発光素子でもよいし、複数の発光素子3のうちの少なくとも1つの発光素子3が残りの発光素子3と異なる種類の素子であってもよい。例えば、発光装置1、1a〜1eは、4つの発光素子3として、UV−Cの波長域の紫外線を放射する1つの第1紫外線LEDチップと、UV−Bの波長域の紫外線を放射する3つの第2紫外線LEDチップとを備えていてもよい。   Further, the number of the light emitting elements 3 arranged inside the spacer 4 on the mounting substrate 2 is not limited to one, and may be plural. When the light emitting devices 1, 1 a to 1 e include a plurality of light emitting elements 3 arranged inside the spacer 4, the plurality of light emitting elements 3 may be the same kind of light emitting element, or the plurality of light emitting elements 3 At least one of the light emitting elements 3 may be a different type of element from the remaining light emitting elements 3. For example, the light-emitting devices 1, 1 a to 1 e each include, as the four light-emitting elements 3, one first ultraviolet LED chip that emits ultraviolet light in the UV-C wavelength range and 3 that emits ultraviolet light in the UV-B wavelength range. And two second ultraviolet LED chips.

また、発光装置1、1a〜1eに関し、発光素子3は、実装基板2に対して導電性バンプによって接合されていてもよい。   Further, regarding the light emitting devices 1, 1 a to 1 e, the light emitting element 3 may be joined to the mounting substrate 2 by conductive bumps.

また、スペーサ4とカバー5との接合方法は、陽極接合に限らず、例えば、表面活性化接合法によって直接接合されていてもよい。また、スペーサ4とカバー5とは、例えば、共晶接合法によって接合されていてもよい。   The method of joining the spacer 4 and the cover 5 is not limited to anodic joining, but may be directly joined by, for example, a surface activated joining method. Further, the spacer 4 and the cover 5 may be joined by, for example, a eutectic joining method.

また、スペーサ4の材料は、シリコンに限らず、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金等であってもよい。   The material of the spacer 4 is not limited to silicon, and may be, for example, aluminum, an aluminum alloy, or the like.

また、スペーサ4は、実装基板2の厚さ方向D1からの平面視において実装基板2よりも小さい場合に限らず、例えば、平面視において実装基板2と同じ大きさであってもよいし、平面視において実装基板2よりも大きくてもよい。   Further, the spacer 4 is not limited to the case where the spacer 4 is smaller than the mounting substrate 2 in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 2. For example, the spacer 4 may be the same size as the mounting substrate 2 in a plan view. It may be larger than the mounting board 2 in view.

また、スペーサ4は、実装基板2の厚さ方向D1において第2面42から離れて第1面41に近づくにつれて開口面積が漸次増加している構成に限らず、例えば、開口面積が段階的に増加していてもよい。また、スペーサ4は、例えば、実装基板2の厚さ方向D1の位置によらず開口面積が略一定であってもよい。   Further, the spacer 4 is not limited to a configuration in which the opening area gradually increases as the distance from the second surface 42 to the first surface 41 increases in the thickness direction D1 of the mounting substrate 2. It may be increasing. Further, the opening area of the spacer 4 may be substantially constant irrespective of the position in the thickness direction D1 of the mounting board 2, for example.

また、光学部材9の光学的機能部90を構成するレンズは、平凸型のレンズに限らず、例えば、フレネルレンズであってもよい。また、レンズは、非球面レンズに限らず、例えば、球面レンズであってもよい。また、レンズは、平凸型のレンズに限らず、例えば、両凸型のレンズ、平凹型のレンズ等であってもよい。また、光学的機能部90は、レンズに限らず、例えば、レンズアレイ、プリズム等であってもよい。   Further, the lens constituting the optical function section 90 of the optical member 9 is not limited to a plano-convex lens, and may be, for example, a Fresnel lens. Further, the lens is not limited to an aspherical lens, and may be, for example, a spherical lens. The lens is not limited to a plano-convex lens, and may be, for example, a biconvex lens, a plano-concave lens, or the like. Further, the optical function unit 90 is not limited to a lens, and may be, for example, a lens array, a prism, or the like.

また、光学部材9は、合成石英に限らず、例えば、石英ガラス、硼珪酸ガラス等であってもよい。   The optical member 9 is not limited to synthetic quartz, and may be, for example, quartz glass, borosilicate glass, or the like.

また、光学部材9の突出部93は、実装基板2の厚さ方向D1において突出部93全体がスペーサ4に重なっている場合だけに限らず、少なくとも一部がスペーサ4に重なっていればよい。   Further, the projecting portion 93 of the optical member 9 is not limited to the case where the entire projecting portion 93 overlaps the spacer 4 in the thickness direction D1 of the mounting board 2, and at least a part of the projecting portion 93 may overlap the spacer 4.

また、発光装置1では、実装基板2の厚さ方向D1からの平面視において、光学部材9の光学的機能部90と接合部10とが必ずしも離れていなくてもよいし、接合部10の一部が光学的機能部90と重なっていてもよい。また、発光装置1では、実装基板2の厚さ方向D1からの平面視で、接着層13の一部が第1遮光層11及び第2遮光層12から光学的機能部90側へはみ出していてもよい。   Further, in the light emitting device 1, in a plan view from the thickness direction D <b> 1 of the mounting substrate 2, the optical function unit 90 of the optical member 9 and the bonding unit 10 do not necessarily have to be separated from each other, and The unit may overlap with the optical function unit 90. In the light emitting device 1, a part of the adhesive layer 13 protrudes from the first light shielding layer 11 and the second light shielding layer 12 toward the optical function part 90 in a plan view from the thickness direction D1 of the mounting substrate 2. Is also good.

また、第1遮光層11及び第2遮光層12の各々の金属は、Crに限らず、例えば、Ti、Mo等であってもよい。また、第1遮光層11と第2遮光層12とは互いに異なる金属であってもよい。また、第1遮光層11及び第2遮光層12の各々は、合金でもよい。また、第1遮光層11及び第2遮光層12の各々は、発光素子3からの紫外線を吸収するガラスであってもよい。   The metal of each of the first light shielding layer 11 and the second light shielding layer 12 is not limited to Cr but may be, for example, Ti, Mo, or the like. Further, the first light shielding layer 11 and the second light shielding layer 12 may be different metals. Further, each of the first light shielding layer 11 and the second light shielding layer 12 may be made of an alloy. Further, each of the first light-shielding layer 11 and the second light-shielding layer 12 may be a glass that absorbs ultraviolet light from the light emitting element 3.

また、接合部10は、低融点ガラスであってもよい。また、接合部10は、半田を含んでいてもよい。また、接合部10は、実装基板2の厚さ方向D1に重なって互いに接合されている複数の金属層により構成されていてもよい。   Further, the joint 10 may be made of a low-melting glass. The joint 10 may include solder. Further, the joint 10 may be formed of a plurality of metal layers that are overlapped and joined to each other in the thickness direction D1 of the mounting board 2.

また、発光装置1、1a〜1eは、発光素子3に逆並列に接続されたツェナダイオードを備えていてもよい。これにより、発光装置1、1a〜1eは、静電気耐性を向上させることが可能となる。ツェナダイオードは、例えば、パッケージ7内で実装基板2に実装されているのが好ましい。   Further, the light emitting devices 1, 1 a to 1 e may include a zener diode connected in anti-parallel to the light emitting element 3. Thus, the light emitting devices 1, 1a to 1e can have improved electrostatic resistance. It is preferable that the Zener diode be mounted on the mounting substrate 2 in the package 7, for example.

(まとめ)
以上説明した実施形態等から以下の態様が開示されている。
(Summary)
The following aspects are disclosed from the embodiments and the like described above.

第1の態様に係る発光装置(1;1a;1b;1c;1d;1e)は、実装基板(2)と、発光素子(3)と、スペーサ(4)と、カバー(5)と、光学部材(9)と、接合部(10)と、を備える。発光素子(3)は、実装基板(2)上に配置されており、紫外線を放射する。スペーサ(4)は、枠状であり、実装基板(2)上に配置され発光素子(3)を囲んでいる。カバー(5)は、発光素子(3)を覆うようにスペーサ(4)上に配置されている。カバー(5)は、発光素子(3)から放射された紫外線を透過する。光学部材(9)は、カバー(5)上に配置されている。光学部材(9)は、光学的機能部(90)と、突出部(93)と、を有する。光学的機能部(90)は、実装基板(2)の厚さ方向(D1)において発光素子(3)に重なり発光素子(3)から放射された紫外線を透過する。突出部(93)は、厚さ方向(D1)からの平面視において光学的機能部(90)から外側に突出し、かつ厚さ方向(D1)において少なくとも一部がスペーサ(4)に重なっている。接合部(10)は、厚さ方向(D1)において突出部(93)とカバー(5)との間に介在し、突出部(93)とカバー(5)とを接合している。   The light emitting device (1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1e) according to the first embodiment includes a mounting substrate (2), a light emitting element (3), a spacer (4), a cover (5), and an optical element. A member (9) and a joint (10) are provided. The light emitting element (3) is disposed on the mounting substrate (2) and emits ultraviolet light. The spacer (4) has a frame shape and is arranged on the mounting substrate (2) and surrounds the light emitting element (3). The cover (5) is arranged on the spacer (4) so as to cover the light emitting element (3). The cover (5) transmits ultraviolet light emitted from the light emitting element (3). The optical member (9) is arranged on the cover (5). The optical member (9) has an optical function part (90) and a protruding part (93). The optical function part (90) overlaps the light emitting element (3) in the thickness direction (D1) of the mounting substrate (2) and transmits ultraviolet light emitted from the light emitting element (3). The protruding portion (93) protrudes outward from the optical function portion (90) in a plan view from the thickness direction (D1), and at least partially overlaps the spacer (4) in the thickness direction (D1). . The joint (10) is interposed between the protrusion (93) and the cover (5) in the thickness direction (D1), and joins the protrusion (93) and the cover (5).

第1の態様に係る発光装置(1;1a;1b;1c;1d;1e)では、光学部材(9)を備えかつ信頼性の向上を図ることが可能となる。   In the light emitting device (1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1e) according to the first aspect, it is possible to provide the optical member (9) and improve the reliability.

第2の態様に係る発光装置(1;1a;1b;1c;1d;1e)は、第1の態様において、接合部(10)は、接着層(13)を含む。   In the light emitting device (1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1e) according to the second aspect, in the first aspect, the bonding portion (10) includes an adhesive layer (13).

第2の態様に係る発光装置(1;1a;1b;1c;1d;1e)では、突出部(93)とカバー(5)とを接着層(13)により接合することができる。   In the light emitting device (1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1e) according to the second embodiment, the projection (93) and the cover (5) can be joined by the adhesive layer (13).

第3の態様に係る発光装置(1;1a;1b;1c;1d;1e)は、第2の態様において、接合部(10)は、第1遮光層(11)と、第2遮光層(12)と、を含む。第1遮光層(11)は、接着層(13)とカバー(5)との間に介在しており、発光素子(3)から放射された紫外線を遮光する。第2遮光層(12)は、接着層(13)と突出部(93)との間に介在しており、発光素子(3)から放射された紫外線を遮光する。   In the light emitting device (1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1e) according to the third aspect, in the second aspect, the bonding portion (10) includes a first light shielding layer (11) and a second light shielding layer ( 12). The first light shielding layer (11) is interposed between the adhesive layer (13) and the cover (5), and shields ultraviolet light emitted from the light emitting element (3). The second light-shielding layer (12) is interposed between the adhesive layer (13) and the protrusion (93), and shields ultraviolet light emitted from the light-emitting element (3).

第3の態様に係る発光装置(1;1a;1b;1c;1d;1e)では、第1遮光層(11)及び第2遮光層(12)を備えていない場合と比べて、紫外線による接着層(13)の劣化をより抑制することが可能となり、信頼性の更なる向上を図れる。   In the light emitting device (1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1e) according to the third embodiment, compared to the case where the first light-shielding layer (11) and the second light-shielding layer (12) are not provided, adhesion by ultraviolet rays is performed. The deterioration of the layer (13) can be further suppressed, and the reliability can be further improved.

第4の態様に係る発光装置(1;1a;1b;1c;1d;1e)は、第3の態様において、第1遮光層(11)及び第2遮光層(12)の各々は、金属である。   The light emitting device (1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1e) according to the fourth aspect is the light emitting device according to the third aspect, wherein each of the first light shielding layer (11) and the second light shielding layer (12) is made of metal. is there.

第4の態様に係る発光装置(1;1a;1b;1c;1d;1e)では、紫外線による第1遮光層(11)及び第2遮光層(12)の劣化を抑制することが可能となる。   In the light emitting device (1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1e) according to the fourth embodiment, it is possible to suppress the deterioration of the first light shielding layer (11) and the second light shielding layer (12) due to ultraviolet rays. .

第5の態様に係る発光装置(1;1a;1b;1c;1d;1e)は、第3又は4の態様のいずれか一つにおいて、接着層(13)は、樹脂を含む。   The light emitting device (1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1e) according to the fifth aspect is the light emitting device according to any one of the third and fourth aspects, wherein the adhesive layer (13) includes a resin.

第5の態様に係る発光装置(1;1a;1b;1c;1d;1e)では、突出部(93)とカバー(5)とを樹脂接合法により接合することができる。   In the light emitting device (1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1e) according to the fifth aspect, the projection (93) and the cover (5) can be joined by a resin joining method.

第6の態様に係る発光装置(1;1a;1b;1c;1d)では、第3〜5の態様のいずれか一つにおいて、接着層(13)は、厚さ方向(D1)からの平面視で第1遮光層(11)内及び第2遮光層(12)内に収まっている。   In the light-emitting device (1; 1a; 1b; 1c; 1d) according to the sixth aspect, in any one of the third to fifth aspects, the adhesive layer (13) is a flat surface from the thickness direction (D1). It is within the first light shielding layer (11) and the second light shielding layer (12) when viewed.

第6の態様に係る発光装置(1;1a;1b;1c;1d)では、発光素子(3)から放射された紫外線が接着層(13)に入射しにくい。   In the light emitting device (1; 1a; 1b; 1c; 1d) according to the sixth aspect, the ultraviolet light emitted from the light emitting element (3) is less likely to enter the adhesive layer (13).

第7の態様に係る発光装置(1a;1b;1c;1d)では、第6の態様において、厚さ方向(D1)からの平面視において、接着層(13)の面積が第1遮光層(11)の面積及び第2遮光層(12)の面積よりも小さい。   In the light-emitting device (1a; 1b; 1c; 1d) according to the seventh aspect, in the sixth aspect, in plan view from the thickness direction (D1), the area of the adhesive layer (13) is the first light-shielding layer ( 11) and smaller than the area of the second light shielding layer (12).

第7の態様に係る発光装置(1a;1b;1c;1d)では、発光素子(3)から放射された紫外線が接着層(13)に入射しにくい。   In the light-emitting device (1a; 1b; 1c; 1d) according to the seventh aspect, the ultraviolet light emitted from the light-emitting element (3) hardly enters the adhesive layer (13).

第8の態様に係る発光装置(1a;1b;1c;1d;1e)では、第3〜7の態様のいずれか一つにおいて、厚さ方向(D1)からの平面視において、接着層(13)と光学的機能部(90)の中心との距離(L13)が、第1遮光層(11)と光学的機能部(90)の中心との距離(L11)よりも長い。   In the light-emitting device (1a; 1b; 1c; 1d; 1e) according to the eighth aspect, in any one of the third to seventh aspects, the adhesive layer (13) in plan view from the thickness direction (D1). ) And the center (L13) of the optical function part (90) are longer than the distance (L11) between the first light shielding layer (11) and the center of the optical function part (90).

第8の態様に係る発光装置(1a;1b;1c;1d;1e)では、発光素子(3)から放射された紫外線が接着層(13)に入射しにくい。   In the light emitting device (1a; 1b; 1c; 1d; 1e) according to the eighth aspect, the ultraviolet light emitted from the light emitting element (3) is less likely to enter the adhesive layer (13).

第9の態様に係る発光装置(1;1a;1b;1c;1d;1e)では、第2〜8の態様のいずれか一つにおいて、接着層(13)は、厚さ方向(D1)からの平面視において突出部(93)内に収まっている。   In the light emitting device (1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1e) according to the ninth aspect, in any one of the second to eighth aspects, the adhesive layer (13) is arranged in the thickness direction (D1). In the projection (93) in plan view.

第9の態様に係る発光装置(1;1a;1b;1c;1d;1e)では、例えば、接着層(13)の一部が厚さ方向(D1)からの平面視において突出部(93)からはみ出して光学的機能部(90)と重なっている場合と比べて、発光素子(3)から放射された紫外線が接着層(13)に入射しにくい。   In the light emitting device (1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1e) according to the ninth aspect, for example, a part of the adhesive layer (13) has a protrusion (93) in plan view from the thickness direction (D1). Ultraviolet rays emitted from the light emitting element (3) are less likely to be incident on the adhesive layer (13) as compared with the case where they protrude and overlap the optical function part (90).

第10の態様に係る発光装置(1;1a;1b;1c;1d;1e)では、第1〜9の態様のいずれか一つにおいて、発光素子(3)は、UV−C又はUV−Bの波長域の紫外線を放射する紫外線LEDチップである。   In the light-emitting device (1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1e) according to the tenth aspect, in any one of the first to ninth aspects, the light-emitting element (3) is a UV-C or UV-B An ultraviolet LED chip that emits ultraviolet light in the wavelength range described above.

第10の態様に係る発光装置(1;1a;1b;1c;1d;1e)では、発光素子(3)としてUV−C又はUV−Bの波長域の紫外線を放射する紫外線LEDチップを備えた構成において、紫外線の配光を光学部材(9)により制御できかつ信頼性の向上を図ることが可能となる。第10の態様に係る発光装置(1;1a;1b;1c;1d;1e)は、例えば、殺菌、医療、環境汚染物質を高速で処理する用途等の分野で、利用することができる。   In the light emitting device (1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1e) according to the tenth aspect, the light emitting element (3) includes an ultraviolet LED chip that emits ultraviolet light in the UV-C or UV-B wavelength range. In the configuration, the light distribution of the ultraviolet light can be controlled by the optical member (9), and the reliability can be improved. The light emitting device (1; 1a; 1b; 1c; 1d; 1e) according to the tenth aspect can be used, for example, in fields such as sterilization, medical treatment, and applications for processing environmental pollutants at high speed.

1 発光装置
2 実装基板
3 発光素子
4 スペーサ
5 カバー
9 光学部材
90 光学的機能部
93 突出部
10 接合部
11 第1遮光層
12 第2遮光層
13 接着層
L1 距離
L3 距離
L11 距離
L13 距離
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Light-emitting device 2 Mounting board 3 Light-emitting element 4 Spacer 5 Cover 9 Optical member 90 Optical function part 93 Projection part 10 Joint part 11 First light-shielding layer 12 Second light-shielding layer 13 Adhesive layer L1 distance L3 distance L11 distance L13 distance

Claims (10)

実装基板と、
前記実装基板上に配置されており、紫外線を放射する発光素子と、
前記実装基板上に配置され前記発光素子を囲んでいる枠状のスペーサと、
前記発光素子を覆うように前記スペーサ上に配置されており、前記発光素子から放射された紫外線を透過するカバーと、
前記カバー上に配置されており、前記実装基板の厚さ方向において前記発光素子に重なり前記発光素子から放射された紫外線を透過する光学的機能部と、前記厚さ方向からの平面視において前記光学的機能部から外側に突出し、かつ前記厚さ方向において少なくとも一部が前記スペーサに重なっている突出部と、を有する光学部材と、
前記厚さ方向において前記突出部と前記カバーとの間に介在し、前記突出部と前記カバーとを接合している接合部と、を備える、
発光装置。
A mounting board,
A light emitting element that is disposed on the mounting substrate and emits ultraviolet light,
A frame-shaped spacer arranged on the mounting substrate and surrounding the light-emitting element,
A cover that is disposed on the spacer so as to cover the light emitting element and transmits ultraviolet light emitted from the light emitting element,
An optical function unit that is disposed on the cover, overlaps the light emitting element in the thickness direction of the mounting substrate, and transmits ultraviolet light emitted from the light emitting element, and the optical function in a plan view from the thickness direction. An optical member having a protruding portion that protrudes outward from the functional portion, and at least partially overlaps the spacer in the thickness direction,
A joining portion interposed between the projecting portion and the cover in the thickness direction, and joining the projecting portion and the cover.
Light emitting device.
前記接合部は、接着層を含む、
請求項1に記載の発光装置。
The joint includes an adhesive layer,
The light emitting device according to claim 1.
前記接合部は、
前記接着層と前記カバーとの間に介在しており、前記発光素子から放射された紫外線を遮光する第1遮光層と、
前記接着層と前記突出部との間に介在しており、前記発光素子から放射された紫外線を遮光する第2遮光層と、を含む、
請求項2に記載の発光装置。
The joint is
A first light-blocking layer interposed between the adhesive layer and the cover and configured to block ultraviolet rays emitted from the light-emitting element;
A second light-shielding layer interposed between the adhesive layer and the protruding portion, and shielding the ultraviolet light emitted from the light-emitting element.
The light emitting device according to claim 2.
前記第1遮光層及び前記第2遮光層の各々は、金属である、
請求項3に記載の発光装置。
Each of the first light shielding layer and the second light shielding layer is a metal,
The light emitting device according to claim 3.
前記接着層は、樹脂を含む、
請求項3又は4に記載の発光装置。
The adhesive layer contains a resin,
The light emitting device according to claim 3.
前記接着層は、前記厚さ方向からの平面視で前記第1遮光層内及び前記第2遮光層内に収まっている、
請求項3〜5のいずれか一項に記載の発光装置。
The adhesive layer is contained in the first light-shielding layer and the second light-shielding layer in plan view from the thickness direction,
The light emitting device according to claim 3.
前記厚さ方向からの平面視において、前記接着層の面積が前記第1遮光層の面積及び前記第2遮光層の面積よりも小さい、
請求項6に記載の発光装置。
In a plan view from the thickness direction, the area of the adhesive layer is smaller than the area of the first light shielding layer and the area of the second light shielding layer;
A light emitting device according to claim 6.
前記厚さ方向からの平面視において、前記接着層と前記光学的機能部の中心との距離が、前記第1遮光層と前記光学的機能部の中心との距離よりも長い、
請求項3〜7のいずれか一項に記載の発光装置。
In a plan view from the thickness direction, a distance between the adhesive layer and the center of the optical function unit is longer than a distance between the first light shielding layer and the center of the optical function unit,
The light emitting device according to claim 3.
前記接着層は、前記厚さ方向からの平面視において前記突出部内に収まっている、
請求項2〜8のいずれか一項に記載の発光装置。
The adhesive layer is accommodated in the protrusion in a plan view from the thickness direction,
A light emitting device according to claim 2.
前記発光素子は、UV−C又はUV−Bの波長域の紫外線を放射する紫外線LEDチップである、
請求項1〜9のいずれか一項に記載の発光装置。
The light emitting element is an ultraviolet LED chip that emits ultraviolet light in a UV-C or UV-B wavelength range,
The light emitting device according to claim 1.
JP2018112302A 2018-06-12 2018-06-12 light emitting device Active JP7149563B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018112302A JP7149563B2 (en) 2018-06-12 2018-06-12 light emitting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018112302A JP7149563B2 (en) 2018-06-12 2018-06-12 light emitting device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019216178A true JP2019216178A (en) 2019-12-19
JP7149563B2 JP7149563B2 (en) 2022-10-07

Family

ID=68918893

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018112302A Active JP7149563B2 (en) 2018-06-12 2018-06-12 light emitting device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP7149563B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023101360A (en) * 2022-01-07 2023-07-20 日亜化学工業株式会社 Light-emitting device

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006013426A (en) * 2004-01-28 2006-01-12 Kyocera Corp Light emitting device and lighting apparatus
JP2013042079A (en) * 2011-08-19 2013-02-28 Sharp Corp Semiconductor light emitting device
US20130234274A1 (en) * 2012-03-06 2013-09-12 Korea Photonics Technology Institute Light emitting apparatus
JP2014216532A (en) * 2013-04-26 2014-11-17 株式会社トクヤマ Semiconductor light-emitting element package
JP2016127156A (en) * 2015-01-05 2016-07-11 パナソニックIpマネジメント株式会社 Light emission device
JP2016127255A (en) * 2014-12-26 2016-07-11 パナソニックIpマネジメント株式会社 Light emission device
JP2016219505A (en) * 2015-05-15 2016-12-22 パナソニックIpマネジメント株式会社 Light-emitting device
JP2017011200A (en) * 2015-06-25 2017-01-12 株式会社トクヤマ Light emitting element package
JP2017147406A (en) * 2016-02-19 2017-08-24 日機装株式会社 Light emitting device
KR20170110476A (en) * 2016-03-23 2017-10-11 엘지이노텍 주식회사 Optical module
JP2018037581A (en) * 2016-09-01 2018-03-08 日機装株式会社 Optical semiconductor device and method of manufacturing the same
WO2018100775A1 (en) * 2017-04-06 2018-06-07 日本碍子株式会社 Optical component and transparent body
US20180301604A1 (en) * 2017-04-12 2018-10-18 Luminus, Inc. Packaged UV-LED Device With Anodic Bonded Silica Lens And No UV-Degradable Adhesive

Patent Citations (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006013426A (en) * 2004-01-28 2006-01-12 Kyocera Corp Light emitting device and lighting apparatus
JP2013042079A (en) * 2011-08-19 2013-02-28 Sharp Corp Semiconductor light emitting device
US20130234274A1 (en) * 2012-03-06 2013-09-12 Korea Photonics Technology Institute Light emitting apparatus
JP2014216532A (en) * 2013-04-26 2014-11-17 株式会社トクヤマ Semiconductor light-emitting element package
JP2016127255A (en) * 2014-12-26 2016-07-11 パナソニックIpマネジメント株式会社 Light emission device
JP2016127156A (en) * 2015-01-05 2016-07-11 パナソニックIpマネジメント株式会社 Light emission device
JP2016219505A (en) * 2015-05-15 2016-12-22 パナソニックIpマネジメント株式会社 Light-emitting device
JP2017011200A (en) * 2015-06-25 2017-01-12 株式会社トクヤマ Light emitting element package
JP2017147406A (en) * 2016-02-19 2017-08-24 日機装株式会社 Light emitting device
KR20170110476A (en) * 2016-03-23 2017-10-11 엘지이노텍 주식회사 Optical module
JP2019511127A (en) * 2016-03-23 2019-04-18 エルジー イノテック カンパニー リミテッド Optical module
JP2018037581A (en) * 2016-09-01 2018-03-08 日機装株式会社 Optical semiconductor device and method of manufacturing the same
WO2018100775A1 (en) * 2017-04-06 2018-06-07 日本碍子株式会社 Optical component and transparent body
US20180301604A1 (en) * 2017-04-12 2018-10-18 Luminus, Inc. Packaged UV-LED Device With Anodic Bonded Silica Lens And No UV-Degradable Adhesive

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2023101360A (en) * 2022-01-07 2023-07-20 日亜化学工業株式会社 Light-emitting device
JP7549242B2 (en) 2022-01-07 2024-09-11 日亜化学工業株式会社 Light-emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
JP7149563B2 (en) 2022-10-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5877487B1 (en) Light emitting device
US8669575B2 (en) Light emitting module, method of manufacturing the light emitting module, and lamp unit
JP5243806B2 (en) Ultraviolet light emitting device
JP6776765B2 (en) Light emitting device
JP6668022B2 (en) Light emitting module and method of manufacturing light emitting module
TW200814844A (en) LED source with hollow collection lens
JP2006086176A (en) Sub-mount for led and its manufacturing method
JP2014207349A (en) Light-emitting device and manufacturing method thereof
JP2010165834A (en) Light emitting device
JP2019220649A (en) Light-emitting device
JP2007103926A (en) Led illumination device
JP2010135488A (en) Light-emitting device, and method of manufacturing the same
JP2016092288A (en) Light source device and illumination device using the same
JP2017120837A (en) Ultraviolet light-emitting device
JP2012515441A (en) Optoelectronic device manufacturing method and optoelectronic device
CN113165115B (en) Light source unit, illumination device, processing device, and deflection element
JP4029918B2 (en) LED lighting device
JP7149563B2 (en) light emitting device
JP5482293B2 (en) Optical semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2019207956A (en) Light-emitting device
JP2016219504A (en) Light-emitting device
JP2019216205A (en) Light-emitting module
JPWO2018180658A1 (en) Wavelength conversion element and light emitting device
JP5351624B2 (en) LED module
JP6920602B2 (en) Light emitting device and manufacturing method of light emitting device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210215

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20220128

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220208

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220510

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220711

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220823

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220916

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 7149563

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151