JP2019215535A - 表示パネル及び表示装置 - Google Patents
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Abstract
Description
画像を表示可能な表示パネルであって、
第1基板と、
前記第1基板に対向配置された第2基板と、
前記第1基板及び前記第2基板の間に封止された電気光学物質と、
前記第1基板上に設けられ、前記電気光学物質に電気信号を供給するトランジスタであって、活性層として酸化物半導体膜を有するトランジスタと、
前記第2基板上に設けられ、可視光の透過を遮断する遮光膜であって、平面に視て前記トランジスタと重畳する位置に開口部を有する遮光膜と、を備える表示パネルである。
なお、上記において電気光学物質とは、電気信号(電流信号または電圧信号)の供給によって透過率や輝度といった光学的特性が変化する物質であって、例えば液晶や有機EL等が含まれる。
前記トランジスタは、
少なくとも一部が平面に視て前記酸化物半導体膜と重畳する第1ゲート電極部と、
少なくとも一部が前記酸化物半導体膜上に積層されるとともに前記酸化物半導体膜に接続される第1ソース電極部と、
少なくとも一部が前記酸化物半導体膜上に積層されるとともに前記第1ソース電極部との間に間隔を空けつつ前記酸化物半導体膜に接続される第1ドレイン電極部と、を有して構成されており、
前記第1ゲート電極部には、第1電圧と、前記第1電圧よりも高い第2電圧とが周期的に交互に印加され、前記第1電圧と第1電圧印加時間との積、並びに、前記第2電圧と第2電圧印加時間との積の単位周期当たりの和が正の値となるように制御される第1のトランジスタである、表示パネルである。
前記遮光膜の前記開口部は、平面に視て少なくとも前記酸化物半導体膜の前記第1ソース電極部との接続部分と前記第1ドレイン電極部との接続部分との間に形成される第1チャネル部と重畳する位置に形成されている、表示パネルである。
前記第2基板において前記遮光膜の前記開口部と重畳する位置には、所定の波長の可視光を選択的に透過させるカラーフィルタが設けられている、表示パネルである。
前記表示パネルは、電気信号に応じて画像を表示可能な表示領域と、画像が表示されない非表示領域と、に区分され、
前記トランジスタは、前記第1基板の前記非表示領域に配され、
前記第2基板の前記非表示領域には、前記遮光膜が配されている、表示パネルである。
前記第1基板上に設けられた第2のトランジスタをさらに有し、
前記第2のトランジスタは、
酸化物半導体膜と、
少なくとも一部が平面に視て前記酸化物半導体膜と重畳する第2ゲート電極部と、
少なくとも一部が前記酸化物半導体膜上に積層されるとともに前記酸化物半導体膜に接続される第2ソース電極部と、
少なくとも一部が前記酸化物半導体膜上に積層されるとともに前記第2ソース電極部との間に間隔を空けつつ前記酸化物半導体膜に接続される第2ドレイン電極部と、を有して構成され、
前記第2ゲート電極部には、第3電圧と、前記第3電圧よりも高い第4電圧と、が周期的に交互に印加され、前記第3電圧と第3電圧印加時間との積、並びに、前記第4電圧と第4電圧印加時間との積の単位周期当たりの和が負の値となるように制御され、
前記遮光膜は、平面に視て前記第2のトランジスタと重畳する位置を覆うように形成されている、表示パネルである。
前記表示パネルは、電気信号に応じて画像を表示可能な表示領域と、画像が表示されない非表示領域と、に区分され、
前記第2のトランジスタは、前記第1基板の前記表示領域に配されている、表示パネルである。
実施形態1を、図1から図6によって説明する。本実施形態1では、液晶表示装置(表示装置の一例)1について例示する。なお、各図面の一部にはX軸、Y軸およびZ軸を示しており、各軸方向が各図において同一方向となるように描かれている。また、図2、図3等の上側を表側(同図下側を裏側)とし、複数の同一部材については、一の部材に符号を付して他の部材については符号を省略することがある。
図1に示すように、液晶表示装置1は、液晶パネル(表示パネルの一例)10を備えており、液晶パネル10の裏面側には、表示のための照明光を照射するバックライトユニット(照明装置)が取り付けられている。
バックライトユニットに関しては図示を省略しているが、液晶パネル10に対して例えば白色の光を発する光源(例えばLED等)や光源からの光に光学作用を付与することで面状の光に変換する光学部材等を有する。なお、液晶パネル10の表側には、例えば図示しない枠状部材(ベゼル)を配置して、液晶パネル10の外周部分(後述する非表示領域NAA)を挟み込んで保持する構成としてもよい。
図1に示すように、液晶パネル10は、全体として縦長な方形状(矩形状)をなしており、その長辺方向がY軸方向と、短辺方向がX軸方向と、それぞれ一致している。液晶パネル10は、その長辺方向における一方の端部側(図1に示す上側)に片寄った位置に配され、画像を表示可能な方形状の表示領域(アクティブエリア)AAと、表示領域AAを取り囲む額縁状(方形枠状)をなし、画像が表示されない非表示領域(ノンアクティブエリア)NAAと、に区分される。なお、図1では、後述するCF基板20よりも小さな枠状の一点鎖線が表示領域AAの外形を表しており、当該一点鎖線よりも外側の領域が非表示領域NAAとなっている。
シール部45は、図1に示すように、非表示領域NAAである基板重畳領域の外周端部全周にわたって延在する形で、両基板20,30間に設けられており、全体として平面に視て方形の枠状(無端環状)をなしている。このシール部45によって、両基板20,30の外周端部において液晶層40の厚さ分のギャップ(セルギャップ)が保持される。
図2等に示すように、CF基板20及びアレイ基板30は、それぞれ無アルカリガラスや石英ガラス等からなる透明なガラス基板GSを備えており、それぞれのガラス基板GS上に、既知のフォトリソグラフィ法等によって複数の膜が積層されてなる。両基板20,30の最も外側の面には、それぞれ偏光板29,39が貼り付けられている。
表示領域AAにおける両基板20,30の最も液晶層40側には、図2に示すように、液晶層40を構成する液晶材料(液晶分子LC)を配向させるための配向膜28,38が、それぞれ形成されている。配向膜28,38は何れも例えばポリイミドからなり、例えば特定の波長領域の光(例えば紫外線等)が照射されることで、その光の照射方向に沿って液晶分子を配向させることが可能な光配向膜とされる。本実施形態1に係る液晶パネル10は、既述したようにいわゆるVAモードで動作するものであり、配向膜28,38には、液晶分子の長軸を基板に対して法線方向に配向させる垂直配向膜が使用される。配向膜28,38は、それぞれ各基板20,30の少なくとも表示領域AAのほぼ全域にわたってベタ状に形成されている。
図3等に表されているように、本実施形態1に係るアレイ基板30の内面側(液晶層40側、CF基板20との対向面側)には、下層(ガラス基板GS)側から順に、第1金属膜(ゲート金属膜)31、ゲート絶縁膜32、酸化物半導体膜33、第2金属膜(ソース金属膜)34、層間絶縁膜(図示せず)、有機絶縁膜35、透明電極膜36(図2参照)等の膜が積層形成されている。なお、アレイ基板30内に形成される膜はこれらに限定されるものではなく、上記の膜に加えて、或いは上記の膜に替えて、他の層間絶縁膜や保護膜等が適宜積層配置されていてもよい。
上記した膜のうち、図2に表されている透明電極膜36は、アレイ基板30の表示領域AAにのみ形成され、非表示領域NAAには形成されない。また、図3に表されているゲート絶縁膜32、有機絶縁膜35を含む各絶縁膜は、アレイ基板30のほぼ全面にわたるベタ状のパターン(一部に開口を有する)として形成されている。そして、第1金属膜31、酸化物半導体膜33及び第2金属膜34は、アレイ基板30の表示領域AA及び非表示領域NAAの双方に所定のパターンでもって形成されている。
ゲート絶縁膜32は、少なくとも第1金属膜31の上層側に積層される。ゲート絶縁膜32及び層間絶縁膜は、例えば窒化珪素(SiNX)や酸化珪素(SiO2)からなるものとされる。
酸化物半導体膜33は、ゲート絶縁膜32の上層側に積層されるものであり、例えば酸化物半導体の一種であるインジウム(In)、ガリウム(Ga)及び亜鉛(Zn)を含む酸化物薄膜からなるものとされる。酸化物半導体膜33であるインジウム(In)、ガリウム(Ga)及び亜鉛(Zn)を含む酸化物薄膜は、非晶質または結晶質とされており、高い電子移動度を有している。酸化物半導体膜33は、後述する表示領域用TFT60の第2チャネル部64や、非表示領域用TFT70の第1チャネル部74等を構成する。
有機絶縁膜35は、例えば有機材料であるアクリル系樹脂(例えばポリメタクリル酸メチル樹脂(PMMA))からなり、平坦化膜として機能する。
透明電極膜36は、有機絶縁膜35の上層側に積層されるものであり、例えばITO(Indium Tin Oxide)或いはZnO(Zinc Oxide)といった透明電極材料からなる。透明電極膜36は、後述する画素電極55を構成する。
図2では図示を省略しているが、表示領域用TFT60は、ゲート配線58及びソース配線59に接続されるほか、有機絶縁膜35等に設けられたコンタクトホールにおいて画素電極55にも接続されている。ゲート配線58に伝送される走査信号に基づいて表示領域用TFT60が駆動され、表示領域用TFT60の第2チャネル部64を介してソース配線59に伝送された画像信号が画素電極55に供給されることで、画素電極55が所定の電位に充電される。
行制御回路部82に備えられる走査回路には、ゲート配線58に接続されるとともに走査信号を増幅させてゲート配線58に出力するバッファ回路が含まれている。また、行制御回路部82には、レベルシフタ回路やESD保護回路等の付属回路を備えることも可能である。行制御回路部82に備えられるこれらの各回路には、図3に示すような非表示領域用TFT(第1のトランジスタの一例)70が備えられている。非表示領域用TFT70は、アレイ基板30の板面のうち非表示領域NAAに配されるとともに、アレイ基板30の製造工程において表示領域用TFT60と同時に形成できる。非表示領域用TFT70は、例えば走査回路において行われる信号処理の最終段において走査信号を出力するものであり、非表示領域用TFT70の取り扱う電流量は、表示領域用TFT60が取り扱う電流量よりも大きなものとされる。
上記したように、非表示領域用TFT70及び表示領域用TFT60は、何れも活性層として酸化物半導体膜33を有し、最下層に配されたゲート電極部71,61の上層側にゲート絶縁膜32を介してチャネル部74,64が積層された逆スタガ型とされている。なお、非表示領域用TFT70の各構成部位を表示領域用TFT60の各構成部位と同様の配置構成としたことで、歩留まりの向上等を図る上で好適とされている。
図2に示すように、CF基板20の表示領域AAにおける内面側(液晶層40側、アレイ基板30との対向面側)には、赤色(R),緑色(G),青色(B)を呈する3色のカラーフィルタ21が設けられている。カラーフィルタ21は、例えば互いに異なる色のものがX軸方向に沿って多数並ぶとともに、同色を呈するものがY軸方向に沿って多数並ぶことで、全体としてマトリクス状に配列されており、それぞれが既述したアレイ基板30側の各画素電極55と平面に視て重畳する配置とされている。本実施形態1に係る液晶パネル10では、X軸方向に沿って並ぶR,G,Bのカラーフィルタ21と、各カラーフィルタ21と対向する3つの画素電極55と、の組によって表示単位である1つの画素部が構成されている。そして、隣り合うカラーフィルタ21間には、可視光の透過を遮断する遮光膜(ブラックマトリクス)22からなる略格子状の画素間遮光部22Aが形成されている。画素間遮光部22Aは、隣り合う画素部間を光が行き交うのを防いで階調の独立性を担保するのに機能し、特にY軸方向に沿って延在する部分は、異なる色を呈する画素部間の混色を防いでいる。画素間遮光部22Aは、既述したゲート配線58及びソース配線59と平面に視て重畳する配置とされており、配線58,59の交差部に位置する表示領域用TFT60の表側も覆っている。なお、遮光膜22は、表示領域AAと非表示領域NAAとに跨る範囲にわたって設けられており、表示領域AAではゲート配線及びソース配線と重畳する格子状の画素間遮光部22Aを形成する一方、非表示領域NAAでは概ねベタ状に配されて、後述する周辺遮光部22Bを形成している。遮光膜22には、金属材料を用いてもよいが、外光の多重反射を抑制する観点では、樹脂材料からなるものとすることが好ましい。
ここで、図3に示すように、本実施形態1に係る周辺遮光部22Bには、開口部22Hが形成されている。開口部22Hは、平面に視て非表示領域用TFT70と重畳する位置、詳しくは少なくとも第1チャネル部74と重畳する位置を含むように形成されていることが好ましい。本実施形態1に係る液晶パネル10は、このように周辺遮光部22Bに開口部22Hが形成されていることにより、液晶パネル10の表面側からの可視光が、開口部22Hを通過してアレイ基板30側に到達し、非表示領域用TFT70を構成する酸化物半導体膜33に照射され吸収され得るように構成されている。
信号供給源である制御回路基板52からフレキシブル基板53等を介してドライバ51に供給された入力信号は、ドライバ51内の駆動回路80で処理され、出力信号として列制御回路部81及び行制御回路部82に向けて出力される。この出力信号のうち走査信号は、行制御回路部82の走査回路で増幅されて各ゲート配線58に所定のタイミングで供給され、各ゲート配線58を順次に走査する。これにより、表示領域用TFT60の第2ゲート電極部61に、周期的に所定のゲート電圧が印加される。この際、行制御回路部82の走査回路に含まれるバッファ回路やレベルシフタ回路、ESD保護回路等に配された非表示領域用TFT70の第1ゲート電極部71にも、周期的に所定のゲート電圧が印加される。他方、ドライバ51から出力される出力信号のうち画像信号は、列制御回路部81のスイッチ回路によって各ソース配線59に振り分けられ、第2ソース電極部62へと伝えられる。
具体的には、通常、複数の表示領域用TFT60に係るゲート電圧は、比較的低くマイナス電圧となる第3電圧に維持され、数千〜数万分の1秒程度の時間割合で、比較的高い第4電圧が順次各第2ゲート電極部61に印加される。例えば、第3電圧を−10V、第4電圧を+20Vとし、−10Vに維持された第2ゲート電極部に、60,000秒の単位周期あたり1秒の時間割合で+20Vが印加されるように制御することができる。このような表示領域用TFT60では、第3電圧と第3電圧印加時間との積、並びに、前記第4電圧と第4電圧印加時間との積の単位周期当たりの和は負の値となる((−10V×59,999/60,000)+(+20V×1/60,000)=(−599,990V+20V)/60,000=−599,970V/60,000)。
一方、ドライバ51からの出力信号を増幅する機能を有する非表示領域用TFT70に係るゲート電圧は、表示領域用TFT60のゲート電圧と比較して、より高い電圧がより大きな時間割合で印加されるように制御される。例えば、比較的低い第1電圧を0V、比較的高い第2電圧を+30Vとし、これらが等時間割合で交互に印加されるように制御することができる。このような非表示領域用TFT70では、第1電圧と第1電圧印加時間との積、並びに、前記第2電圧と第2電圧印加時間との積の単位周期当たりの和は正の値となる((0V×1/2)+(+30V×1/2)=+15V)。
本実施形態1に係る両TFT60,70のように酸化物半導体膜を活性層として用いたTFTでは、ゲート電極部に電圧が印加されることによってその電気的特性がシフトし、電気的ストレスが周期的に与え続けられることによって、全体として電気的特性が移動していく。以下、活性層として酸化物半導体膜を有する検証用TFTを使用し、非表示領域用TFT70について上記したような方法でゲート電圧を印加した場合の、光の吸収が電気的特性の変化に与える影響について、図5A、図5B、及び図6を参照しつつ、検証する。なお、図5A及び図5Bは、何れも検証用TFTの電流電圧特性の変化の概要を表したものであるが、図5Aは、検証用TFTが光を吸収しない場合の電気的特性を、図5Bは、検証用TFTが光を吸収する場合の電気的特性を、それぞれ示している。また、図6は、検証用TFTのゲート電極部に所定の周期で第1電圧及び第2電圧を交互に印加し続けた際に、十分な大きさのドレイン電流Id(必要電流値I0)が確保できなくなる電圧(すなわち、当該TFTを液晶パネルの駆動に使用した場合に点灯不良が生じうる電圧)の変化をプロットしたものである。図6において、一点鎖線は検証用TFTが光を吸収しない場合の電圧を、二点鎖線は検証用TFTが光を吸収する場合の電圧を、それぞれ示している。
ゲート電極部に第1電圧(0V)が印加された初期状態において、検証用TFTの電気的特性は図5Aの実線A0で表される。正常な制御を行うのに必要なドレイン電流Idの値を必要電流値I0とすると、必要電流値I0を確保するために必要な必要電圧V0は、同図の電圧a0で表される。
所定のタイミングでゲート電極部に第2電圧(+30V)が印加されると、検証用TFTの電気的特性は、図5AにおいてA0から一定量だけプラス方向にシフトして一点鎖線B01で表されるものとなる。この状態における必要電圧V0を、同図に表すように電圧b01とする。
さらに、所定のタイミングでゲート電極部への印加電圧が第1電圧(0V)に戻されると、検証用TFTの電気的特性は、図5AにおいてB01からマイナス方向に一定量だけシフトして点線A01で表されるものとなる。この際、非表示領域用TFT70のような方法でゲート電圧が印加されるTFTでは、A0からB01へのプラス方向へのシフト量よりも、B01からA01へのマイナス方向へのシフト量の方が小さくなることが知られており、A01はA0よりもプラス側に表れる。この状態における必要電圧V0を電圧a01とすると、同図に表すように、電圧a01は初期状態における電圧a0よりも大きな値となる。すなわち、|b01−a0|>|b01−a01|が成立する。
同様に、引き続きゲート電極部に第1電圧と第2電圧が周期的に交互に印加されると、検証用TFTの電気的特性は、A0→B01→A01→B02→A02→…のように、全体としてプラス方向に移動していく。これに伴い、必要電圧V0も、第1電圧印加時はa0→a01→a02→…、第2電圧印加時はb01→b02→…、とそれぞれについてプラス方向に移動する。
ゲート電極部に第1電圧(0V)が印加され電気的特性が実線A0で表される初期状態から、所定のタイミングでゲート電極部に第2電圧(+30V)が印加されると、検証用TFTの電気的特性は、図5Bにおいて一定量だけプラス側にシフトして一点鎖線B1で表されるものとなる。ここで、検証用TFTのように酸化物半導体膜を活性層として構成されたTFTでは、光を吸収してもプラス方向へのシフト量は変わらない。よって、B1は光の吸収がない場合のB01と一致し、この状態における必要電圧V0を電圧b1とすると、電圧b1は図5Aにおける電圧b01と等しくなる。
さらに、所定のタイミングでゲート電極部への印加電圧が第1電圧(0V)に戻されると、検証用TFTの電気的特性は、図5BにおいてB1から一定量だけマイナス方向にシフトして点線A1で表されるものとなる。この状態における必要電圧V0を、電圧a1とする。ここで、酸化物半導体膜を活性層として構成されたTFTでは、光を吸収することによって、電気的特性のマイナス方向へのシフト量が増加することが知られている。図5Bは、光の吸収がある場合のマイナス方向へのシフト量が、プラス方向へのシフト量よりは小さいものの、光の吸収がない図5Aの場合のマイナス方向へのシフト量よりも格段に大きくなる様子を示している。すなわち、図5Bと図5Aとを比較すると明らかであるように、図5BにおけるB1からA1へのマイナス方向へのシフト量は、図5AにおけるB01からA01へのマイナス方向へのシフト量よりも大きくなって、プラス方向へのシフト量との差が格段に小さくなる。よって、|b1−a0|=|b01−a0|>|b1−a1|>>|b01−a01|となり、|a1−a0|<<|a01−a0|が成立する。
引き続きゲート電極部に第1電圧と第2電圧が周期的に交互に印加されると、検証用TFTの電気的特性は、A0→B1→A1→B2→A2→…のように、全体としてプラス方向に移動していくが、その移動量は図5Aの場合と比較して格段に小さくなる。この結果、第1電圧印加時及び第2電圧印加時の各状態における必要電圧V0の変化も、格段に小さくなる。
画像を表示可能な液晶パネル10であって、
アレイ基板(第1基板の一例)30と、
アレイ基板30に対向配置されたCF基板(第2基板の一例)20と、
アレイ基板及びCF基板の間に封止された液晶層(電気光学物質の一例)40と、
アレイ基板30上に設けられ、液晶層40に電気信号を供給するTFT(トランジスタの一例)であって、活性層として酸化物半導体膜33を有する非表示領域用TFT70と、
CF基板20上に設けられ、可視光の透過を遮断する遮光膜22からなり、平面に視て非表示領域用TFT70と重畳する位置に開口部22Hを有する周辺遮光部22Bと、を備える。
非表示領域用TFT70は、
少なくとも一部が平面に視て酸化物半導体膜33と重畳する第1ゲート電極部71と、
少なくとも一部が酸化物半導体膜33上に積層されるとともに酸化物半導体膜33に接続される第1ソース電極部72と、
少なくとも一部が酸化物半導体膜33上に積層されるとともに第1ソース電極部72との間に間隔を空けつつ酸化物半導体膜33に接続される第1ドレイン電極部73と、を有して構成されており、
第1ゲート電極部71には、第1電圧(0V)と、第1電圧よりも高い第2電圧(+30V)とが周期的に交互に印加され、第1電圧と第1電圧印加時間との積、並びに、第2電圧と第2電圧印加時間との積の単位周期当たりの和が正の値となるように制御される非表示領域用TFT(第1のトランジスタの一例)70である。
遮光膜22の開口部22Hは、平面に視て少なくとも酸化物半導体膜33の第1ソース電極部72との接続部分と第1ドレイン電極部73との接続部分との間に形成される第1チャネル部74と重畳する位置に形成されている。
液晶パネル10は、電気信号に応じて画像を表示可能な表示領域AAと、画像が表示されない非表示領域NAAと、に区分され、
非表示領域用TFT70は、アレイ基板30の非表示領域NAAに配され、
CF基板20の非表示領域NAAには、遮光膜22からなる周辺遮光部22Bが配されている。
アレイ基板30上に設けられた表示領域用TFT(第2のトランジスタの一例)60をさらに有し、
表示領域用TFT60は、
酸化物半導体膜33と、
少なくとも一部が平面に視て酸化物半導体膜33と重畳する第2ゲート電極部61と、
少なくとも一部が酸化物半導体膜33上に積層されるとともに酸化物半導体膜33に接続される第2ソース電極部62と、
少なくとも一部が酸化物半導体膜33上に積層されるとともに第2ソース電極部62との間に間隔を空けつつ酸化物半導体膜33に接続される第2ドレイン電極部63と、を有して構成され、
第2ゲート電極部61には、第3電圧(−10V)と、第3電圧よりも高い第4電圧(+20V)と、が周期的に交互に印加され、第3電圧と第3電圧印加時間との積、並びに、第4電圧と第4電圧印加時間との積の単位周期当たりの和が負の値となるように制御され、
遮光膜22は、平面に視て表示領域用TFT60と重畳する位置を覆うように形成されている。
液晶パネル10は、電気信号に応じて画像を表示可能な表示領域AAと、画像が表示されない非表示領域NAAと、に区分され、
表示領域用TFT60は、アレイ基板30の表示領域AAに配されている。
アレイ基板30とCF基板20との間に封止された液晶層40を備え、
液晶層40に電気信号を供給することで画像が表示される。
上記に記載した液晶パネル10を備える。
実施形態2を、図7によって説明する。
本実施形態2に係る液晶パネル210は、CF基板220に設けられた周辺遮光部222Bの開口部222H内に、カラーフィルタ221が設けられている点において、実施形態1に係る液晶パネル10と相違している。以下、上記した実施形態1と同様の構造、作用および効果についての重複する説明は省略し、本実施形態2に係る液晶パネル210のアレイ基板230及びCF基板220に設けられた構造について説明する。
CF基板20において遮光膜222の開口部222Hと重畳する位置に、所定の波長の可視光を選択的に透過させるカラーフィルタ221が設けられている。
本技術は上記記述および図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態もこの技術的範囲に含まれる。
(1)上記実施形態に記載したTFTの制御方法は一例であって、印加電圧の大きさ及び電圧印加時間は、請求項に記載された条件を満たす範囲で適宜変更可能である。上記実施形態では、非表示領域用TFT70が行制御回路部82に配されたものである場合について記載したが、これに限定されない。酸化物半導体を活性層とするTFTであれば、各種電気信号を供給するためのものに、本技術は適用可能である。
(2)上記実施形態では、非表示領域NAAが表示領域AAを取り囲む枠状に配された液晶パネルについて例示したが、これに限定されない。例えば非表示領域NAAが表示領域AAの内側領域に配された構成の表示パネルにも、本技術は適用可能である。また、非表示領域用TFTが配される行制御回路部や列制御回路部の配置や構成も、適宜変更可能である。
(3)表示パネルの一例である液晶パネルの動作モードは特に限定されず、本技術は、様々なモードで動作する液晶パネルに適用可能である。さらに、表示パネルは、上記各実施形態に記載した透過型の液晶パネルに限定されるものではなく、反射型の液晶パネルや、他の種類の表示パネル(有機ELパネル、PDP(プラズマディスプレイパネル)、EPD(電気泳動ディスプレイパネル)、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)表示パネル等)等にも適用可能である。
Claims (9)
- 画像を表示可能な表示パネルであって、
第1基板と、
前記第1基板に対向配置された第2基板と、
前記第1基板及び前記第2基板の間に封止された電気光学物質と、
前記第1基板上に設けられ、前記電気光学物質に電気信号を供給するトランジスタであって、活性層として酸化物半導体膜を有するトランジスタと、
前記第2基板上に設けられ、可視光の透過を遮断する遮光膜であって、平面に視て前記トランジスタと重畳する位置に開口部を有する遮光膜と、を備える表示パネル。 - 前記トランジスタは、
少なくとも一部が平面に視て前記酸化物半導体膜と重畳する第1ゲート電極部と、
少なくとも一部が前記酸化物半導体膜上に積層されるとともに前記酸化物半導体膜に接続される第1ソース電極部と、
少なくとも一部が前記酸化物半導体膜上に積層されるとともに前記第1ソース電極部との間に間隔を空けつつ前記酸化物半導体膜に接続される第1ドレイン電極部と、を有して構成されており、
前記第1ゲート電極部には、第1電圧と、前記第1電圧よりも高い第2電圧とが周期的に交互に印加され、前記第1電圧と第1電圧印加時間との積、並びに、前記第2電圧と第2電圧印加時間との積の単位周期当たりの和が正の値となるように制御される第1のトランジスタである請求項1に記載の表示パネル。 - 前記遮光膜の前記開口部は、平面に視て少なくとも前記酸化物半導体膜の前記第1ソース電極部との接続部分と前記第1ドレイン電極部との接続部分との間に形成される第1チャネル部と重畳する位置に形成されている請求項2に記載の表示パネル。
- 前記第2基板において前記遮光膜の前記開口部と重畳する位置には、所定の波長の可視光を選択的に透過させるカラーフィルタが設けられている請求項1から請求項3の何れか一項に記載の表示パネル。
- 前記表示パネルは、電気信号に応じて画像を表示可能な表示領域と、画像が表示されない非表示領域と、に区分され、
前記トランジスタは、前記第1基板の前記非表示領域に配され、
前記第2基板の前記非表示領域には、前記遮光膜が配されている請求項1から請求項4の何れか一項に記載の表示パネル。 - 前記第1基板上に設けられた第2のトランジスタをさらに有し、
前記第2のトランジスタは、
酸化物半導体膜と、
少なくとも一部が平面に視て前記酸化物半導体膜と重畳する第2ゲート電極部と、
少なくとも一部が前記酸化物半導体膜上に積層されるとともに前記酸化物半導体膜に接続される第2ソース電極部と、
少なくとも一部が前記酸化物半導体膜上に積層されるとともに前記第2ソース電極部との間に間隔を空けつつ前記酸化物半導体膜に接続される第2ドレイン電極部と、を有して構成され、
前記第2ゲート電極部には、第3電圧と、前記第3電圧よりも高い第4電圧と、が周期的に交互に印加され、前記第3電圧と第3電圧印加時間との積、並びに、前記第4電圧と第4電圧印加時間との積の単位周期当たりの和が負の値となるように制御され、
前記遮光膜は、平面に視て前記第2のトランジスタと重畳する位置を覆うように形成されている請求項1から請求項5の何れか一項に記載の表示パネル。 - 前記表示パネルは、電気信号に応じて画像を表示可能な表示領域と、画像が表示されない非表示領域と、に区分され、
前記第2のトランジスタは、前記第1基板の前記表示領域に配されている請求項6に記載の表示パネル。 - 前記第1基板と前記第2基板との間に封止された液晶層を備え、
前記液晶層に電気信号を供給することで画像が表示される請求項1から請求項7の何れか一項に記載の表示パネル。 - 請求項1から請求項8の何れか一項に記載の表示パネルを備える表示装置。
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