JP2019156694A - シリコン多結晶充填作業用のクリーンブース - Google Patents
シリコン多結晶充填作業用のクリーンブース Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019156694A JP2019156694A JP2018048176A JP2018048176A JP2019156694A JP 2019156694 A JP2019156694 A JP 2019156694A JP 2018048176 A JP2018048176 A JP 2018048176A JP 2018048176 A JP2018048176 A JP 2018048176A JP 2019156694 A JP2019156694 A JP 2019156694A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- clean booth
- air
- clean
- booth
- outside
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 63
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 63
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 63
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 37
- 238000004378 air conditioning Methods 0.000 claims description 9
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 claims 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 54
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 34
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 26
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 13
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 7
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 7
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 3
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005429 filling process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/02—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
-
- E—FIXED CONSTRUCTIONS
- E04—BUILDING
- E04H—BUILDINGS OR LIKE STRUCTURES FOR PARTICULAR PURPOSES; SWIMMING OR SPLASH BATHS OR POOLS; MASTS; FENCING; TENTS OR CANOPIES, IN GENERAL
- E04H5/00—Buildings or groups of buildings for industrial or agricultural purposes
- E04H5/02—Buildings or groups of buildings for industrial purposes, e.g. for power-plants or factories
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F24—HEATING; RANGES; VENTILATING
- F24F—AIR-CONDITIONING; AIR-HUMIDIFICATION; VENTILATION; USE OF AIR CURRENTS FOR SCREENING
- F24F7/00—Ventilation
- F24F7/04—Ventilation with ducting systems, e.g. by double walls; with natural circulation
- F24F7/06—Ventilation with ducting systems, e.g. by double walls; with natural circulation with forced air circulation, e.g. by fan positioning of a ventilator in or against a conduit
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Architecture (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Civil Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
Description
図4(a)に示すように、原料準備室24に配置された図1のような本発明の密閉型のクリーンブースにて、石英ルツボ内に多結晶シリコンの充填作業を行い、装置外である原料準備室の汚染量を測定した。
クリーンブースには、静電気除去装置としてイオナイザーを、排気口に1次フィルターなどを設置した。
本発明の密閉型のクリーンブース内と原料準備室の差圧は、出入口20が閉時においては1Pa、出入口が開時の差圧は−1Paとなるように制御した。
従来の技術である図3のような開放型のクリーンブース1’を用い、図4(b)に示すように原料準備室24’に配置し、気中パーティクルカウンターをクリーンブース内の中央、床面高さ1mのクリーンブース内測定点B1に設置し、クリーンブース外の原料準備室ではクリーンブースの出入口20’から1m、床面からの高さ1mのクリーンブース外測定点B2に設置した以外は、実施例と同じ条件で実施した。なお、実施例及び比較例におけるそれぞれの充填作業は単独で行った。
さらに本発明と同様な密閉型のクリーンブースではあるが、出入口の開閉時にクリーンブース内の室圧を制御しない密閉型のクリーンブースでも同一条件(石英ルツボ口径、シリコン多結晶充填量、測定条件)でクリーンブース内とクリーンブース外である原料準備室の清浄度を測定した。気中パーティクルカウンターを、実施例と同様に設置し、クリーンブース内の測定点をC1、クリーンブース外の測定点をC2とした。
3、3’…ファン・フィルター装置、 4…排気口、 5…1次フィルター、
6…扉スイッチ・センサー、 7…差圧センサー、 8…吸気のダンパー、
9…送風のダンパー、 10…排気された空気、 11、11’…清浄な空気、
12…清浄排出空気、 13、13’…装置外空気、 14…循環ライン、
15…空調ライン、 16…静電気除去装置、 17、17’…石英ルツボ、
18、18’…シリコン多結晶、 19…制御部、 20、20’…出入口、
21…作業者、 22…ビニールシート、 23…装置外に排出される空気、
24、24’…原料準備室、 25…制御機構、
A1、B1…クリーンブース内測定点、
A2、B2…クリーンブース外測定点。
Claims (4)
- シリコン多結晶を石英ルツボ内に充填するためのクリーンブースであって、
該クリーンブースは天井面、側面、及び、床面により密閉され、
前記側面に配置された出入口と、
前記天井面に配置されたファン・フィルター装置と、
前記側面の下部に配置された排気口とを有し、
前記天井面に配置された前記ファン・フィルター装置により清浄な空気を前記クリーンブース内部に送風し、前記クリーンブース内の空気を前記排気口から排気し、排気された空気を前記ファン・フィルター装置に戻すことで、前記クリーンブース内部の空気を循環させ、前記クリーンブース内にダウンフローを形成させ、
前記出入口を開放する際の前記クリーンブース内部の圧力を、前記クリーンブース外部の圧力に対して、同圧または負圧となるように制御する制御機構を有するものであることを特徴とするシリコン多結晶充填作業用のクリーンブース。 - 前記制御機構は、前記出入口を開放する際、前記クリーンブース内部と前記クリーンブース外部との圧力差が−2〜0Paであるように制御するものであることを特徴とする請求項1に記載のシリコン多結晶充填作業用のクリーンブース。
- 前記制御機構は、前記出入口の開放の指令をするための扉スイッチ・センサーと、
該扉スイッチ・センサーからの前記出入口の開放の指令を受ける制御部と、
前記クリーンブースへの装置外空気の吸気量を調整する吸気のダンパーと、
前記ファン・フィルターから前記クリーンブース内部への送風量を調整する送風のダンパーと、
前記クリーンブース内部と前記クリーンブース外部との圧力差を検出する差圧センサーとを有し、
前記制御部は、前記扉スイッチ・センサーからの前記出入口の開放の指令を受け、前記出入口を開放する前に、前記ファン・フィルター装置の出力を低下させ、前記吸気のダンパーの開度及び前記送風のダンパーの開度を可変させることで、前記クリーンブース内部の圧力を調整し、前記差圧センサーにより前記クリーンブース内部と前記クリーンブース外部との圧力差を確認後に、前記出入口を開放させるものであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のシリコン多結晶充填作業用のクリーンブース。 - 前記吸気のダンパーによって吸気された装置外空気及び前記排気口から排気された空気の一部を取り込むための空調ラインと、
該空調ラインと接続されたクリーンルーム用空調装置とを有し、
該クリーンルーム用空調装置によって、前記空調ラインから取り込まれた前記装置外空気及び前記排気された空気の一部を空気調和し、該空気調和された空気を前記ファン・フィルター装置に供給するものであることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のシリコン多結晶充填作業用のクリーンブース。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018048176A JP6911799B2 (ja) | 2018-03-15 | 2018-03-15 | シリコン多結晶充填作業用のクリーンブース |
PCT/JP2019/005083 WO2019176424A1 (ja) | 2018-03-15 | 2019-02-13 | シリコン多結晶充填作業用のクリーンブース |
CN201980012995.4A CN111712673A (zh) | 2018-03-15 | 2019-02-13 | 多晶硅填充作业用的清洁室 |
KR1020207022614A KR102611746B1 (ko) | 2018-03-15 | 2019-02-13 | 실리콘다결정 충전작업용의 클린부스 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018048176A JP6911799B2 (ja) | 2018-03-15 | 2018-03-15 | シリコン多結晶充填作業用のクリーンブース |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019156694A true JP2019156694A (ja) | 2019-09-19 |
JP6911799B2 JP6911799B2 (ja) | 2021-07-28 |
Family
ID=67908302
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018048176A Active JP6911799B2 (ja) | 2018-03-15 | 2018-03-15 | シリコン多結晶充填作業用のクリーンブース |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6911799B2 (ja) |
KR (1) | KR102611746B1 (ja) |
CN (1) | CN111712673A (ja) |
WO (1) | WO2019176424A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112781142A (zh) * | 2020-12-24 | 2021-05-11 | 珠海格力电器股份有限公司 | 实验室空气调节系统及其控制方法 |
JP7504328B1 (ja) | 2022-12-19 | 2024-06-21 | 株式会社トクヤマ | 多結晶シリコン塊用品質検査室構造 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02109941U (ja) * | 1989-02-17 | 1990-09-03 | ||
US5641354A (en) * | 1995-07-10 | 1997-06-24 | Seh America, Inc. | Puller cell |
JPH1096332A (ja) * | 1996-09-20 | 1998-04-14 | Mitsubishi Electric Corp | クリーンルーム |
JP2002138620A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-05-17 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 引上げ室 |
JP2015052430A (ja) * | 2013-09-09 | 2015-03-19 | 新日本空調株式会社 | クリーンルーム内に設置された高清浄度低露点設備における製造部品の搬入方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3158328B2 (ja) | 1993-12-20 | 2001-04-23 | 三菱マテリアル株式会社 | 単結晶引上装置用原料組み込み方法及び装置 |
JPH10132346A (ja) * | 1996-10-25 | 1998-05-22 | Aoki Corp | クリーンルーム・システム及びその管理方法 |
CN201281412Y (zh) * | 2008-10-09 | 2009-07-29 | 苏州克林络姆空调系统工程有限公司 | 一种层流洁净室 |
CN201279461Y (zh) * | 2008-10-09 | 2009-07-29 | 苏州克林络姆空调系统工程有限公司 | 一种洁净室 |
CN102644970A (zh) * | 2012-05-18 | 2012-08-22 | 苏州市时代工程咨询设计管理有限公司 | 独立空调净化系统 |
CN106225071B (zh) * | 2016-08-26 | 2022-01-14 | 无锡中微掩模电子有限公司 | 一种双循环温湿度控制系统 |
JP6453284B2 (ja) * | 2016-09-02 | 2019-01-16 | 伸和コントロールズ株式会社 | 空気調和システム |
-
2018
- 2018-03-15 JP JP2018048176A patent/JP6911799B2/ja active Active
-
2019
- 2019-02-13 KR KR1020207022614A patent/KR102611746B1/ko active IP Right Grant
- 2019-02-13 WO PCT/JP2019/005083 patent/WO2019176424A1/ja active Application Filing
- 2019-02-13 CN CN201980012995.4A patent/CN111712673A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02109941U (ja) * | 1989-02-17 | 1990-09-03 | ||
US5641354A (en) * | 1995-07-10 | 1997-06-24 | Seh America, Inc. | Puller cell |
JPH1096332A (ja) * | 1996-09-20 | 1998-04-14 | Mitsubishi Electric Corp | クリーンルーム |
JP2002138620A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-05-17 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 引上げ室 |
JP2015052430A (ja) * | 2013-09-09 | 2015-03-19 | 新日本空調株式会社 | クリーンルーム内に設置された高清浄度低露点設備における製造部品の搬入方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20200133724A (ko) | 2020-11-30 |
CN111712673A (zh) | 2020-09-25 |
WO2019176424A1 (ja) | 2019-09-19 |
JP6911799B2 (ja) | 2021-07-28 |
KR102611746B1 (ko) | 2023-12-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101807059B (zh) | 基板处理装置和基板处理装置中的异常显示方法 | |
TWI500104B (zh) | Atmosphere replacement device | |
WO2019176424A1 (ja) | シリコン多結晶充填作業用のクリーンブース | |
JP5796972B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2017112137A (ja) | ミニエンバイロメント装置 | |
CN109306513A (zh) | 物料供给装置以及晶体生长系统 | |
US10825697B2 (en) | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium | |
JP2012079907A (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
KR102452122B1 (ko) | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램 | |
JPS62260791A (ja) | シリコン単結晶引上装置 | |
US11515177B2 (en) | Circulating EFEM | |
JP5755845B2 (ja) | 処理装置 | |
JP6885132B2 (ja) | Efem及びefemのガス置換方法 | |
JP2007095879A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2003264219A (ja) | 局所クリーン装置 | |
JP2020047807A (ja) | 給排気制御装置、ウェーハ処理装置、ウェーハ処理方法、圧力制御装置、及び圧力制御方法 | |
EP1331454A1 (en) | Pulling room | |
JP7031131B2 (ja) | Efem及びefemのガス置換方法 | |
JP4928368B2 (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP5711930B2 (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2015202524A (ja) | 加工装置 | |
CN217821262U (zh) | 一种硒鼓生产用刮刀涂粉装置 | |
CN219541166U (zh) | 一种超声波槽体及电子级电极板和瓷环清洗设备 | |
EP4316699A1 (en) | Additive manufacturing apparatus comprising a transfer device that transfers the metal powder together with the inert gas | |
JPH07307372A (ja) | 半導体製造装置のカセット授受装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200220 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210119 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210303 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210608 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210621 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6911799 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |