JP2019099515A - 液晶化合物及びその組成物 - Google Patents
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Abstract
Description
Ri2は炭素原子数1から15のアルキル基又は炭素原子数2から15のアルケニル基を表し、これらの基中に存在する1個の−CH2−又は隣接していない2個以上の−CH2−は−C≡C−、−O−、−S−、−COO−、−OCO−又は−CO−により置き換えられても良く、これらの基中に存在する水素原子はフッ素原子に置換されても良く、
Ai1及びAi2は各々独立して
(a)1,4−シクロへキシレン基(この基中に存在する1個の−CH2−又は隣接していない2個以上の−CH2−は−O−又は−S−に置き換えられても良い。)
(b)1,4−フェニレン基(この基中に存在する1個の−CH=又は隣接していない2個以上の−CH=は−N=に置き換えられても良く、この基中に存在する1つの水素原子はフッ素原子に置換されても良い。)
(c)1,4−シクロヘキセニレン基、ナフタレン−2,6−ジイル基、1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン−2,6−ジイル基、デカヒドロナフタレン−2,6−ジイル基(ナフタレン−2,6−ジイル基又は1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン−2,6−ジイル基中に存在する1個の−CH=又は隣接していない2個以上の−CH=は−N=に置き換えられても良く、また、これらの基中に存在する水素原子はフッ素原子に置換されても良い。)
からなる群より選ばれる基を表し、
Zi1及びZi2は各々独立して−CH2O−、−OCH2−、−CF2O−、−OCF2−、−COO−、−OCO−、−CH2CH2−、−CF2CF2−、−CH=CH−、−CF=CF−、−C≡C−、−CH2S−、−SCH2−、−CH2−S(=O)−、−S(=O)−CH2−、−CH2−S(=O)2−、−S(=O)2−CH2−又は単結合を表し、
Si1は−S−、−S(=O)−又は−S(=O)2−を表し、
ni1及びni2は各々独立して0、1又は2を表すが、ただし、ni1+ni2は0、1又は2を表し、
Xi1及びXi2は各々独立して水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基を表し、
Yi1は−O−、−S−、−S(=O)−、−S(=O)2−、−CF2−、−CO−を表す。)
で表される化合物を提供し、併せて当該化合物を含有する液晶組成物及び当該液晶組成物を用いた液晶表示素子、並びに当該化合物の製造方法及びその中間体を提供する。
一般式(i)の中では以下の一般式(i−1)〜一般式(i−1000)で表される各化合物が好ましい。その中で特に好ましい化合物は、(i−1)、(i−2)、(i−3)、(i−4)、(i−5)、(i−6)、(i−7)、(i−8)、(i−9)、(i−10)、(i−11)、(i−12)、(i−895)、(i−896)、(i−897)、(i−898)、(i−899)、(i−900)である。
本発明において、一般式(i)で表される化合物は、例えば、一般式(i−r1)
で表される化合物を有機金属試薬により脱プロトン化した後、臭素又はよう素と反応させることにより、一般式(i−r2)
Xi3は臭素原子及びよう素原子を表す。)
で表される化合物を得た後、塩基存在下、一般式(i−r3)
で表される化合物と反応させることによって一般式(i)中Si1が−S−のものが得られる。またそれを酸化することにより一般式(i)中Si1が−SO−、−SOO−のものが得られる。より具体的には、以下のようにして製造することができる。勿論本発明の趣旨及び適用範囲は、これら製造例により制限されるものではない。
(製造方法1)
Xi3は臭素原子及びよう素原子を表す。)
一般式(S−1)で表される化合物をハロゲン化することにより一般式(S−2)で表される化合物を得ることができる。このハロゲン化は、有機金属試薬により脱プロトン化した後、臭素又はよう素と反応させてハロゲン化合物とすることによって行うことができる。
反応溶媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、エーテル系溶媒および炭化水素系溶媒等を挙げることができる。エーテル系溶媒としては、1,4−ジオキサン、1,3−ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルおよびt−ブチルメチルエーテル等を、炭化水素系溶媒としてはペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタンおよびオクタン等が挙げられ、中でもテトラヒドロフランが好ましい。
一般式(S−2)で表される化合物に一般式(S−3)で表される化合物を反応させることによって一般式(S−4)で表される化合物を得ることができる。この反応は一般式(S−3)のチオール基を塩基によりチオラートとして一般式(S−2)と反応させることで行うことができる
この場合に使用する塩基としては金属水素化物、金属炭酸塩、金属リン酸塩、金属水酸化物、金属カルボン酸塩、金属アミド及び金属等を挙げることができ、中でもアルカリ金属水素化物、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属アミド及びアルカリ金属が好ましく、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水素化物及びアルカリ金属炭酸塩は更に好ましい。アルカリ金属水素化物としては水素化リチウム、水素化ナトリウム及び水素化カリウムを、アルカリ金属リン酸塩としてはリン酸三カリウムを、アルカリ金属炭酸塩としては炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸セシウム、炭酸カリウム及び炭酸水素カリウムをそれぞれ好ましく挙げることができる。
反応溶媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、エーテル系溶媒、塩素系溶媒、炭化水素系溶媒、芳香族系溶媒及び極性溶媒等を好ましく用いることができる。エーテル系溶媒としては、1,4−ジオキサン、1,3−ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル及びt−ブチルメチルエーテル等を、塩素系溶媒としてはジクロロメタン、1,2−ジクロロエタン及び四塩化炭素等を、炭化水素系溶媒としてはペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン及びオクタン等を、芳香族系溶媒としてはベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、クロロベンゼン及びジクロロベンゼン等を、極性溶媒としてはN,N−ジメチルホルムアミド、N−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド及びスルホラン等を好例として挙げることができる。中でも、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル等のエーテル系溶媒及びN,N−ジメチルホルムアミド等の極性溶媒がより好ましい。また、前記の各溶媒を単独で使用しても、2種もしくはそれ以上の溶媒を混合して使用してもよい。
一般式(S−4)で表される化合物を酸化することによって一般式(S−5)および一般式(S−6)で表される化合物を得ることができる。 酸化剤としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、過酸化水素水、過酢酸または過ギ酸を用いるのが好ましい。反応温度は−78℃から70℃が好ましく、0℃から50℃がより好ましい。また、酸化剤との反応時には、溶媒に水が含まれていても構わない。
(製造方法2)
Xi3は臭素原子及びよう素原子を表す。)
一般式(S−2)で表される化合物を銅触媒及び塩基の存在下、ジメチルスルホキシドと反応させることによって一般式(S−7)で表される化合物を得ることができる。
使用する銅触媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、塩化銅(I)、臭化銅(I)、よう化銅(I)、酢酸銅(I)等の1価の銅触媒が好ましく、よう化銅(I)であることが更に好ましい。
RLC31〜RLC52は、それぞれ独立して、炭素原子数1〜7のアルキル基、炭素原子数1〜7のアルコキシ基、炭素原子数2〜7のアルケニル基が好ましく、アルケニル基としては下記構造を表すことが最も好ましく、
ALC31〜ALC52はそれぞれ独立して下記の構造が好ましく、
RLC31及びRLC32はそれぞれ独立して炭素原子数1〜7のアルキル基、炭素原子数1〜7のアルコキシ基、炭素原子数2〜7のアルケニル基又は炭素原子数2〜7のアルケニルオキシ基を表すことが好ましい。
RLC31及びRLC32はそれぞれ独立して、炭素原子数1〜7のアルキル基、炭素原子数1〜7のアルコキシ基、炭素原子数2〜7のアルケニル基が好ましく、RLC31が炭素原子数1〜7のアルキル基を表し、RLC32が炭素原子数1〜7のアルコキシ基を表すことがより好ましい。
RLC31及びRLC32はそれぞれ独立して、炭素原子数1〜7のアルキル基、炭素原子数1〜7のアルコキシ基、炭素原子数2〜7のアルケニル基が好ましく、RLC31が炭素原子数2又は3のアルキル基を表し、RLC32が炭素原子数2のアルキル基を表すことがより好ましい。
RLC61及びRLC62は、それぞれ独立して、炭素原子数1〜7のアルキル基、炭素原子数1〜7のアルコキシ基、炭素原子数2〜7のアルケニル基が好ましく、アルケニル基としては下記構造を表すことが最も好ましく、
ALC61〜ALC63はそれぞれ独立して下記の構造が好ましく、
RLC11及びRLC21はそれぞれ独立して炭素原子数1〜7のアルキル基、炭素原子数1〜7のアルコキシ基、炭素原子数2〜7のアルケニル基が好ましく、炭素原子数1〜5のアルキル基、炭素原子数1〜5のアルコキシ基、炭素原子数2〜5のアルケニル基がより好ましく、直鎖状であることが更に好ましく、アルケニル基としては下記構造を表すことが最も好ましい。
ALC11及びALC21はそれぞれ独立して下記の構造が好ましい。
一般式(LC2)は、下記一般式(LC2−a)から一般式(LC2−g)
YLC21はそれぞれ独立してフッ素原子、−CF3又は−OCF3が好ましい。
LDA:リチウム ジイソプロピルアミド
Me:メチル基、Et:エチル基、Pr:n−プロピル基、Bu:n−ブチル基、
Pent:n−ペンチル基
(実施例1)化合物5−40S1の合成
(化合物3−40の合成)窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、滴下ロート、冷却管を備えた反応容器に、水素化ナトリウム(60%ミネラルオイル分散)(6.3g)およびDMF(60ml)を加え、攪拌しながら氷冷した。そこにあらかじめDMF(180ml)に溶解しておいた化合物2−40(31.1g)を滴下した。その後室温に戻し、1時間かけて溶液温度を50℃に加熱した。その後さらに1.5時間かけて溶液温度を105℃まで加熱した。105℃で8時間攪拌後、溶液温度を10℃以下まで冷却した。反応溶液に水(500ml)を加えた。結晶をろ過し、メタノールで洗浄し、真空乾燥した。得られた結晶にトルエン(60ml)を加えて溶解した溶液を、シリカゲル(40g)を詰めたカラムを通過させ、さらにトルエン(240ml)を通過させた。得られたカラム通過溶液を濃縮し、化合物3−40(18.4g)を得た。
(化合物4−40の合成)窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、滴下ロートを備えた反応容器に、化合物3−40(18.4g)およびTHF(90ml)を加え、−60℃に冷却した。1.6Mブチルリチウム/ヘキサン溶液(45ml)を−60℃にて滴下し、1時間攪拌し、次にあらかじめTHF(40ml)に溶解しておいたヨウ素(19.8g)を−60℃にて滴下し、1時間攪拌した。この反応混合物を0℃に昇温した後、15%チオ硫酸ナトリウム水溶液(90ml)を加えて攪拌し、有機層を分けとった。さらに水層をトルエン(50ml)で抽出した。得られた有機層を合わせた後、水と飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。得られた溶液を濃縮後、トルエン(80ml)を加えて溶解した溶液を、シリカゲル(40g)を詰めたカラムを通過させ、さらにトルエン(240ml)を通過させた。得られたカラム通過溶液を濃縮し、化合物4−40の粗体(25.0g)を得た。アセトン/メタノール混合溶媒を用いて再結晶を行うことで、化合物4−40(18.6g)を得た。
(化合物5−40S1の合成)窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、滴下ロート、冷却管を備えた反応容器に、化合物4−40(10.0g)、ヨウ化銅(4.8g)、1,4−ジアザビシクロ[2,2,2]オクタン(5.6g)およびDMSO(124ml)を加え、攪拌しながら140℃に加熱した。140℃で5.5時間攪拌後、溶液温度を10℃以下まで冷却した。反応溶液に水(250ml)およびトルエン(50ml)を加えセライトろ過した。ろ液の有機層を分けとり、さらに水層をトルエン(100ml)で再抽出した。得られた有機層を合わせた後、10%塩酸(400ml)、水、飽和食塩水の順に洗浄した。得られた溶液を濃縮後、トルエン(30ml)を加えてシリカゲル(10g)を詰めたカラムを通過させ、トルエン(60ml)を通過させた。得られたカラム通過溶液を濃縮し、化合物5−40S1の粗体(5.7g)を得た。アセトンを用いて再結晶を繰り返すことで、化合物5−40S1(2.7g)を得た。転移点はCr95I。
実施例1と同様の反応、および必要に応じて公知の方法に準拠した方法を用いて、実施例2(化合物5−10S1)〜実施例8(化合物5−80S1)を合成した。
実施例9と同様の反応、および必要に応じて公知の方法に準拠した方法を用いて、実施例10(化合物5−10S2)〜実施例(化合物5−80S8)を合成した。
以下の物性値を示すホスト液晶(H)
を調製した。値はいずれも実測値である。
Δε(25℃における誘電率異方性) :−2.79
Δn(25℃における屈折率異方性) :0.101
γ1 (25℃における回転粘性係数):118
この母体液晶(H)97%と、実施例1で得られた化合物(1−7−205)3%からなる液晶組成物(M−A)を調製した。この組成物(M−A)のTn−i、Δε、Δn及びγ1の値を測定し母体液晶からの変化量をもとに、実施例1で得られた化合物(1−7−205)の各物性値の外挿値を求めると、以下のとおりであった。
外挿Δε:−13.2
外挿Δn:0.238
外挿γ1:308mPa・s
また、調製した液晶組成物(M−A)は、室温にて一ヶ月間以上均一なネマチック液晶状態を維持した。
母体液晶(H)85%と、以下に示す化合物(A)15%からなる液晶組成物(M−C)を調製した。
外挿Δε:−15.7
外挿Δn:0.184
外挿γ1:241mPa・s
上記実施例133及び比較例1より、本発明の化合物は比較例の化合物と同程度の|Δε|を有しつつ、高いΔnを得られることが分かる。
母体液晶(H)85%と、以下に示す化合物(B)15%からなる液晶組成物(M−D)を調製した。
外挿Δε:−9.7
外挿Δn:0.073
外挿γ1:94mPa・s
上記実施例133及び比較例2より、本発明の化合物は|Δε|が大幅に大きく、Δnも大幅に高いことが分かる。
Claims (9)
- 一般式(i)
Ri2は水素原子、炭素原子数1から15のアルキル基又は炭素原子数2から15のアルケニル基を表し、これらの基中に存在する1個の−CH2−又は隣接していない2個以上の−CH2−は−C≡C−、−O−、−S−、−COO−、−OCO−又は−CO−により置き換えられても良く、これらの基中に存在する水素原子はフッ素原子に置換されても良く、
Ai1及びAi2は各々独立して
(a)1,4−シクロへキシレン基(この基中に存在する1個の−CH2−又は隣接していない2個以上の−CH2−は−O−又は−S−に置き換えられても良い。)
(b)1,4−フェニレン基(この基中に存在する1個の−CH=又は隣接していない2個以上の−CH=は−N=に置き換えられても良く、この基中に存在する1つの水素原子はフッ素原子に置換されても良い。)
(c)1,4−シクロヘキセニレン基、ナフタレン−2,6−ジイル基、1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン−2,6−ジイル基、デカヒドロナフタレン−2,6−ジイル基(ナフタレン−2,6−ジイル基又は1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン−2,6−ジイル基中に存在する1個の−CH=又は隣接していない2個以上の−CH=は−N=に置き換えられても良く、また、これらの基中に存在する水素原子はフッ素原子に置換されても良い。)
からなる群より選ばれる基を表し、
Zi1及びZi2は各々独立して−CH2O−、−OCH2−、−CF2O−、−OCF2−、−COO−、−OCO−、−CH2CH2−、−CF2CF2−、−CH=CH−、−CF=CF−、−C≡C−、−CH2S−、−SCH2−、−CH2−S(=O)−、−S(=O)−CH2−、−CH2−S(=O)2−、−S(=O)2−CH2−又は単結合を表し、
Si1は−S−、−S(=O)−又は−S(=O)2−を表し、
ni1及びni2は各々独立して0、1又は2を表すが、ただし、ni1+ni2は0、1又は2を表し、
Xi1及びXi2は各々独立して水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基を表し、
Yi1は−O−、−S−、−S(=O)−、−S(=O)2−、−CF2−、−CO−を表す。)
で表される化合物。 - 一般式(i)において、Zi1の少なくとも1つ以上が−CH2O−、−OCH2−、−CH2CH2−、−CH2−S(=O)−、−S(=O)−CH2−又は単結合を表す請求項1又は2に記載の化合物。
- 一般式(i)において、Yi1が−O−を表す請求項1〜3のいずれか一項に記載の化合物。
- 一般式(i)において、Xi1及びXi2が共にフッ素原子を表す請求項1〜4のいずれか一項に記載の化合物。
- 一般式(i)において、ni1が0を表す請求項1〜5のいずれか一項に記載の化合物。
- 一般式(i)において、Si2が−S−を表す請求項1〜6のいずれか一項に記載の化合物。
- 請求項1〜7のいずれか一項に記載の化合物を一種又は二種以上含有する組成物。
- 請求項8記載の組成物を使用した液晶表示素子。
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