JP2019073603A - Resin composition layer - Google Patents
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- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims abstract description 219
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 127
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 127
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 102
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 69
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 47
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 42
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 claims abstract description 40
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 74
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 74
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 43
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 24
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 19
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 17
- 239000012756 surface treatment agent Substances 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 239000004643 cyanate ester Substances 0.000 claims description 8
- CMLFRMDBDNHMRA-UHFFFAOYSA-N 2h-1,2-benzoxazine Chemical compound C1=CC=C2C=CNOC2=C1 CMLFRMDBDNHMRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 390
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 92
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 84
- -1 glycidyl ester Chemical class 0.000 description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 38
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 35
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 description 33
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 31
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 27
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 24
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 20
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 19
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 18
- 239000000047 product Substances 0.000 description 18
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 18
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 17
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 17
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 14
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- VHYFNPMBLIVWCW-UHFFFAOYSA-N 4-Dimethylaminopyridine Chemical compound CN(C)C1=CC=NC=C1 VHYFNPMBLIVWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 12
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 12
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 12
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 11
- 239000004850 liquid epoxy resins (LERs) Substances 0.000 description 11
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 10
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 10
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 9
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 8
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 8
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 8
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 8
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 7
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 6
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 6
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 6
- ZFVMWEVVKGLCIJ-UHFFFAOYSA-N bisphenol AF Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C1=CC=C(O)C=C1 ZFVMWEVVKGLCIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 6
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 6
- XKZQKPRCPNGNFR-UHFFFAOYSA-N 2-(3-hydroxyphenyl)phenol Chemical class OC1=CC=CC(C=2C(=CC=CC=2)O)=C1 XKZQKPRCPNGNFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 5
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 5
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical group C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N Butyraldehyde Chemical compound CCCC=O ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N Guanidine Chemical compound NC(N)=N ZRALSGWEFCBTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N N-methyl-guanidine Natural products CNC(N)=N CHJJGSNFBQVOTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N butadiene group Chemical group C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 4
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 4
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 4
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 4
- 229910000623 nickel–chromium alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004843 novolac epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 4
- AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethanamine Chemical compound NCC1CO1 AFEQENGXSMURHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 235000013824 polyphenols Nutrition 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 4
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 4
- KGSFMPRFQVLGTJ-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-triphenylethylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)CC1=CC=CC=C1 KGSFMPRFQVLGTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 1,1-Diethoxyethane Chemical compound CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 5K8XI641G3 Chemical compound CCC1=NC=C(C)N1 ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229940123208 Biguanide Drugs 0.000 description 3
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011354 acetal resin Substances 0.000 description 3
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 3
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 3
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 3
- XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M cyanate Chemical compound [O-]C#N XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- SWSQBOPZIKWTGO-UHFFFAOYSA-N dimethylaminoamidine Natural products CN(C)C(N)=N SWSQBOPZIKWTGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 3
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 3
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 3
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 3
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 3
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 3
- MEBONNVPKOBPEA-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-trimethylcyclohexane Chemical compound CC1CCCCC1(C)C MEBONNVPKOBPEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GIWQSPITLQVMSG-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethylimidazole Chemical compound CC1=NC=CN1C GIWQSPITLQVMSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OEBXWWBYZJNKRK-UHFFFAOYSA-N 1-methyl-2,3,4,6,7,8-hexahydropyrimido[1,2-a]pyrimidine Chemical compound C1CCN=C2N(C)CCCN21 OEBXWWBYZJNKRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTTFFPATQICAQN-UHFFFAOYSA-N 2-methoxypropan-1-ol Chemical compound COC(C)CO YTTFFPATQICAQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 2-naphthol Chemical compound C1=CC=CC2=CC(O)=CC=C21 JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FVKFHMNJTHKMRX-UHFFFAOYSA-N 3,4,6,7,8,9-hexahydro-2H-pyrimido[1,2-a]pyrimidine Chemical compound C1CCN2CCCNC2=N1 FVKFHMNJTHKMRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960000549 4-dimethylaminophenol Drugs 0.000 description 2
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- AHZMUXQJTGRNHT-UHFFFAOYSA-N [4-[2-(4-cyanatophenyl)propan-2-yl]phenyl] cyanate Chemical compound C=1C=C(OC#N)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(OC#N)C=C1 AHZMUXQJTGRNHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 2
- 239000004841 bisphenol A epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 150000001718 carbodiimides Chemical class 0.000 description 2
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 2
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 2
- IUYOGGFTLHZHEG-UHFFFAOYSA-N copper titanium Chemical compound [Ti].[Cu] IUYOGGFTLHZHEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEIOBOXBGYWJIT-UHFFFAOYSA-N cyclohexane;methanol Chemical compound OC.OC.C1CCCCC1 VEIOBOXBGYWJIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DEKLIKGLDMCMJG-UHFFFAOYSA-M decanoate;tetrabutylphosphanium Chemical compound CCCCCCCCCC([O-])=O.CCCC[P+](CCCC)(CCCC)CCCC DEKLIKGLDMCMJG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N dicyandiamide Chemical compound NC(N)=NC#N QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 150000002440 hydroxy compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical compound OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N isophthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC(C(O)=O)=C1 QQVIHTHCMHWDBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N p-cresol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1 IWDCLRJOBJJRNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 2
- 239000012286 potassium permanganate Substances 0.000 description 2
- ODLMAHJVESYWTB-UHFFFAOYSA-N propylbenzene Chemical compound CCCC1=CC=CC=C1 ODLMAHJVESYWTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CYIDZMCFTVVTJO-UHFFFAOYSA-N pyromellitic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(C(O)=O)=C(C(O)=O)C=C1C(O)=O CYIDZMCFTVVTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 2
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DEQUKPCANKRTPZ-UHFFFAOYSA-N (2,3-dihydroxyphenyl)-phenylmethanone Chemical compound OC1=CC=CC(C(=O)C=2C=CC=CC=2)=C1O DEQUKPCANKRTPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDUWQMDIQSWWIE-UHFFFAOYSA-N (3-cyanato-5-methylidenecyclohexa-1,3-dien-1-yl) cyanate Chemical compound C=C1CC(OC#N)=CC(OC#N)=C1 SDUWQMDIQSWWIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUEBPOOTFCZRBC-UHFFFAOYSA-N (5-methyl-2-phenyl-1h-imidazol-4-yl)methanol Chemical compound OCC1=C(C)NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 RUEBPOOTFCZRBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISNICOKBNZOJQG-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,3,3-pentamethylguanidine Chemical compound CN=C(N(C)C)N(C)C ISNICOKBNZOJQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQOFYFRKWDXGJP-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-trimethylguanidine Chemical compound CN=C(N)N(C)C NQOFYFRKWDXGJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYVBNYUBXIEUFW-UHFFFAOYSA-N 1,1,3,3-tetramethylguanidine Chemical compound CN(C)C(=N)N(C)C KYVBNYUBXIEUFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SSUJUUNLZQVZMO-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,4,8,9,10,10a-octahydropyrimido[1,2-a]azepine Chemical compound C1CCC=CN2CCCNC21 SSUJUUNLZQVZMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LINDOXZENKYESA-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethylguanidine Chemical compound CNC(N)=NC LINDOXZENKYESA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OWRCNXZUPFZXOS-UHFFFAOYSA-N 1,3-diphenylguanidine Chemical compound C=1C=CC=CC=1NC(=N)NC1=CC=CC=C1 OWRCNXZUPFZXOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRASJONUBLZVQX-UHFFFAOYSA-N 1,4-dioxonaphthalene Natural products C1=CC=C2C(=O)C=CC(=O)C2=C1 FRASJONUBLZVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOKGTLAJQHTOKE-UHFFFAOYSA-N 1,5-dihydroxynaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1O BOKGTLAJQHTOKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLPWQEHTPOFCPG-UHFFFAOYSA-N 1-(diaminomethylidene)-2-methylguanidine Chemical compound CN=C(N)N=C(N)N JLPWQEHTPOFCPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UBJPWXQSHUPNPG-UHFFFAOYSA-N 1-(diaminomethylidene)-2-prop-2-enylguanidine Chemical compound NC(N)=NC(N)=NCC=C UBJPWXQSHUPNPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBHPRUXJQNWTEW-UHFFFAOYSA-N 1-benzyl-2-methylimidazole Chemical compound CC1=NC=CN1CC1=CC=CC=C1 FBHPRUXJQNWTEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XZKLXPPYISZJCV-UHFFFAOYSA-N 1-benzyl-2-phenylimidazole Chemical compound C1=CN=C(C=2C=CC=CC=2)N1CC1=CC=CC=C1 XZKLXPPYISZJCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKEWNNWXZIIRRB-UHFFFAOYSA-N 1-benzylimidazole;hydrochloride Chemical compound Cl.C1=CN=CN1CC1=CC=CC=C1 DKEWNNWXZIIRRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SEULWJSKCVACTH-UHFFFAOYSA-N 1-phenylimidazole Chemical compound C1=NC=CN1C1=CC=CC=C1 SEULWJSKCVACTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HTQNYBBTZSBWKL-UHFFFAOYSA-N 2,3,4-trihydroxbenzophenone Chemical compound OC1=C(O)C(O)=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 HTQNYBBTZSBWKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUFZNDNBXKOZQV-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydro-1h-pyrrolo[1,2-a]benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2N(CCC3)C3=NC2=C1 RUFZNDNBXKOZQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHDSRXYHVZECER-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-tris[(dimethylamino)methyl]phenol Chemical compound CN(C)CC1=CC(CN(C)C)=C(O)C(CN(C)C)=C1 AHDSRXYHVZECER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCOCCOCCOC(C)=O FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVFVRTNNLLZXAL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methylphenyl)guanidine Chemical compound CC1=CC=CC=C1N=C(N)N VVFVRTNNLLZXAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- USGCMNLQYSXCDU-UHFFFAOYSA-N 2-cyclohexyl-1-(diaminomethylidene)guanidine Chemical compound NC(N)=NC(N)=NC1CCCCC1 USGCMNLQYSXCDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJGAPBXTFUSKNJ-UHFFFAOYSA-N 2-cyclohexylguanidine Chemical compound NC(=N)NC1CCCCC1 AJGAPBXTFUSKNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KEWLVUBYGUZFKX-UHFFFAOYSA-N 2-ethylguanidine Chemical compound CCNC(N)=N KEWLVUBYGUZFKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTWBFUCJVWKCCK-UHFFFAOYSA-N 2-heptadecyl-1h-imidazole Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC1=NC=CN1 YTWBFUCJVWKCCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VWSLLSXLURJCDF-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-4,5-dihydro-1h-imidazole Chemical compound CC1=NCCN1 VWSLLSXLURJCDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound C1=CNC(C=2C=CC=CC=2)=N1 ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RJIQELZAIWFNTQ-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-imidazole;1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound O=C1NC(=O)NC(=O)N1.C1=CNC(C=2C=CC=CC=2)=N1 RJIQELZAIWFNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BKCCAYLNRIRKDJ-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-4,5-dihydro-1h-imidazole Chemical compound N1CCN=C1C1=CC=CC=C1 BKCCAYLNRIRKDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QRJZGVVKGFIGLI-UHFFFAOYSA-N 2-phenylguanidine Chemical compound NC(=N)NC1=CC=CC=C1 QRJZGVVKGFIGLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLEASVZEQBICSN-UHFFFAOYSA-N 2-undecyl-1h-imidazole Chemical compound CCCCCCCCCCCC1=NC=CN1 LLEASVZEQBICSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIDDPPKZYZTEGS-UHFFFAOYSA-N 3-(2-ethyl-4-methylimidazol-1-yl)propanenitrile Chemical compound CCC1=NC(C)=CN1CCC#N UIDDPPKZYZTEGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SESYNEDUKZDRJL-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methylimidazol-1-yl)propanenitrile Chemical compound CC1=NC=CN1CCC#N SESYNEDUKZDRJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVYPJEBKDLFIDL-UHFFFAOYSA-N 3-(2-phenylimidazol-1-yl)propanenitrile Chemical compound N#CCCN1C=CN=C1C1=CC=CC=C1 BVYPJEBKDLFIDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZUPZARBRLCVCB-UHFFFAOYSA-N 3-(2-undecylimidazol-1-yl)propanenitrile Chemical compound CCCCCCCCCCCC1=NC=CN1CCC#N SZUPZARBRLCVCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKWYEBJNFREPEV-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(phenylmethoxy)silyl]propan-1-amine Chemical compound NCCC[Si](OC)(OC)OCC1=CC=CC=C1 OKWYEBJNFREPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYLNVJYYQQXNEK-UHFFFAOYSA-N 3-amino-2-(4-chlorophenyl)-1-propanesulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)CC(CN)C1=CC=C(Cl)C=C1 JYLNVJYYQQXNEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIGUICYYOYEXFS-UHFFFAOYSA-N 3-tert-butylbenzene-1,2-diol Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC(O)=C1O JIGUICYYOYEXFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound N1C(C)=CN=C1C1=CC=CC=C1 TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOCGZWPQWVWKDQ-UHFFFAOYSA-N 7-oxabicyclo[4.1.0]hepta-1,3,5-triene;styrene Chemical compound C1=CC=C2OC2=C1.C=CC1=CC=CC=C1 JOCGZWPQWVWKDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 108010054404 Adenylyl-sulfate kinase Proteins 0.000 description 1
- 238000004438 BET method Methods 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- XNCOSPRUTUOJCJ-UHFFFAOYSA-N Biguanide Chemical compound NC(N)=NC(N)=N XNCOSPRUTUOJCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000570 Cupronickel Inorganic materials 0.000 description 1
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine Chemical class ON AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNKDHPUUMUBZRH-UHFFFAOYSA-N N-(1-trimethoxysilyloctan-3-yl)aniline Chemical compound C1(=CC=CC=C1)NC(CC[Si](OC)(OC)OC)CCCCC HNKDHPUUMUBZRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZKTFNWPPVIAFDC-UHFFFAOYSA-N OB(O)O.P.P.P Chemical class OB(O)O.P.P.P ZKTFNWPPVIAFDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FFFPYJTVNSSLBQ-UHFFFAOYSA-N Phenolphthalin Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(C=1C=CC(O)=CC=1)C1=CC=C(O)C=C1 FFFPYJTVNSSLBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100410148 Pinus taeda PT30 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 102100039024 Sphingosine kinase 1 Human genes 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 235000010599 Verbascum thapsus Nutrition 0.000 description 1
- 244000178289 Verbascum thapsus Species 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- SNYVZKMCGVGTKN-UHFFFAOYSA-N [4-(4-cyanatophenoxy)phenyl] cyanate Chemical compound C1=CC(OC#N)=CC=C1OC1=CC=C(OC#N)C=C1 SNYVZKMCGVGTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CNUHQZDDTLOZRY-UHFFFAOYSA-N [4-(4-cyanatophenyl)sulfanylphenyl] cyanate Chemical compound C1=CC(OC#N)=CC=C1SC1=CC=C(OC#N)C=C1 CNUHQZDDTLOZRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYKCHLPXFWGIMU-UHFFFAOYSA-N [4-(6-propan-2-ylidenecyclohexa-2,4-dien-1-yl)phenyl] cyanate Chemical compound CC(C)=C1C=CC=CC1C1=CC=C(OC#N)C=C1 YYKCHLPXFWGIMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUQQGGWZVKUCBD-UHFFFAOYSA-N [4-(hydroxymethyl)-2-phenyl-1h-imidazol-5-yl]methanol Chemical compound N1C(CO)=C(CO)N=C1C1=CC=CC=C1 UUQQGGWZVKUCBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JNCRKOQSRHDNIO-UHFFFAOYSA-N [4-[(4-cyanato-3,5-dimethylphenyl)methyl]-2,6-dimethylphenyl] cyanate Chemical compound CC1=C(OC#N)C(C)=CC(CC=2C=C(C)C(OC#N)=C(C)C=2)=C1 JNCRKOQSRHDNIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIZDMAYTWUINIG-UHFFFAOYSA-N [4-[1-(4-cyanatophenyl)ethyl]phenyl] cyanate Chemical compound C=1C=C(OC#N)C=CC=1C(C)C1=CC=C(OC#N)C=C1 SIZDMAYTWUINIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INHGSGHLQLYYND-UHFFFAOYSA-N [4-[2-(4-cyanatophenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl]phenyl] cyanate Chemical compound C=1C=C(OC#N)C=CC=1C(C(F)(F)F)(C(F)(F)F)C1=CC=C(OC#N)C=C1 INHGSGHLQLYYND-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYBUNKVRJODSTG-UHFFFAOYSA-L [S-]C#N.C1(=CC=CC=C1)[P+](C1=CC=CC=C1)(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1.[S-]C#N.CC1=CC=C(C=C1)[P+](C1=CC=CC=C1)(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1 Chemical compound [S-]C#N.C1(=CC=CC=C1)[P+](C1=CC=CC=C1)(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1.[S-]C#N.CC1=CC=C(C=C1)[P+](C1=CC=CC=C1)(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1 QYBUNKVRJODSTG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N adamantane Chemical group C1C(C2)CC3CC1CC2C3 ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 239000004844 aliphatic epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 125000004183 alkoxy alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 125000005577 anthracene group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000004842 bisphenol F epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- XSEUMFJMFFMCIU-UHFFFAOYSA-N buformin Chemical compound CCCC\N=C(/N)N=C(N)N XSEUMFJMFFMCIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- DAQREMPZDNTSMS-UHFFFAOYSA-M butyl(triphenyl)phosphanium;thiocyanate Chemical compound [S-]C#N.C=1C=CC=CC=1[P+](C=1C=CC=CC=1)(CCCC)C1=CC=CC=C1 DAQREMPZDNTSMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001868 cobalt Chemical class 0.000 description 1
- FCEOGYWNOSBEPV-FDGPNNRMSA-N cobalt;(z)-4-hydroxypent-3-en-2-one Chemical compound [Co].C\C(O)=C\C(C)=O.C\C(O)=C\C(C)=O FCEOGYWNOSBEPV-FDGPNNRMSA-N 0.000 description 1
- JUPWRUDTZGBNEX-UHFFFAOYSA-N cobalt;pentane-2,4-dione Chemical compound [Co].CC(=O)CC(C)=O.CC(=O)CC(C)=O.CC(=O)CC(C)=O JUPWRUDTZGBNEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013065 commercial product Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 230000010485 coping Effects 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N copper nickel Chemical compound [Ni].[Cu] YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZKXWKVVCCTZOLD-FDGPNNRMSA-N copper;(z)-4-hydroxypent-3-en-2-one Chemical compound [Cu].C\C(O)=C\C(C)=O.C\C(O)=C\C(C)=O ZKXWKVVCCTZOLD-FDGPNNRMSA-N 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 229910002026 crystalline silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N dimethylbenzylamine Chemical compound CN(C)CC1=CC=CC=C1 XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012489 doughnuts Nutrition 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- CWAFVXWRGIEBPL-UHFFFAOYSA-N ethoxysilane Chemical compound CCO[SiH3] CWAFVXWRGIEBPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 1
- AQBLLJNPHDIAPN-LNTINUHCSA-K iron(3+);(z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound [Fe+3].C\C([O-])=C\C(C)=O.C\C([O-])=C\C(C)=O.C\C([O-])=C\C(C)=O AQBLLJNPHDIAPN-LNTINUHCSA-K 0.000 description 1
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 238000007561 laser diffraction method Methods 0.000 description 1
- RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N m-cresol Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1 RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 150000002696 manganese Chemical class 0.000 description 1
- ZQZQURFYFJBOCE-FDGPNNRMSA-L manganese(2+);(z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound [Mn+2].C\C([O-])=C\C(C)=O.C\C([O-])=C\C(C)=O ZQZQURFYFJBOCE-FDGPNNRMSA-L 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- XZWYZXLIPXDOLR-UHFFFAOYSA-N metformin Chemical compound CN(C)C(=N)NC(N)=N XZWYZXLIPXDOLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005641 methacryl group Chemical group 0.000 description 1
- ARYZCSRUUPFYMY-UHFFFAOYSA-N methoxysilane Chemical compound CO[SiH3] ARYZCSRUUPFYMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- GEMHFKXPOCTAIP-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethyl-n'-phenylcarbamimidoyl chloride Chemical compound CN(C)C(Cl)=NC1=CC=CC=C1 GEMHFKXPOCTAIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZZQNEVOYIYFPF-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,6-diol Chemical compound OC1=CC=CC2=CC(O)=CC=C21 FZZQNEVOYIYFPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNZMMCVIXORAQL-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,6-diol Chemical compound C1=C(O)C=CC2=CC(O)=CC=C21 MNZMMCVIXORAQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004780 naphthols Chemical class 0.000 description 1
- 229930014626 natural product Natural products 0.000 description 1
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 1
- 150000002815 nickel Chemical class 0.000 description 1
- BMGNSKKZFQMGDH-FDGPNNRMSA-L nickel(2+);(z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound [Ni+2].C\C([O-])=C\C(C)=O.C\C([O-])=C\C(C)=O BMGNSKKZFQMGDH-FDGPNNRMSA-L 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003518 norbornenyl group Chemical group C12(C=CC(CC1)C2)* 0.000 description 1
- JFOJYGMDZRCSPA-UHFFFAOYSA-J octadecanoate;tin(4+) Chemical compound [Sn+4].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O JFOJYGMDZRCSPA-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012766 organic filler Substances 0.000 description 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- PRCNQQRRDGMPKS-UHFFFAOYSA-N pentane-2,4-dione;zinc Chemical compound [Zn].CC(=O)CC(C)=O.CC(=O)CC(C)=O PRCNQQRRDGMPKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUQCMXFWIMOWRP-UHFFFAOYSA-N phenyl biguanide Chemical compound NC(N)=NC(N)=NC1=CC=CC=C1 CUQCMXFWIMOWRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LYKRPDCJKSXAHS-UHFFFAOYSA-N phenyl-(2,3,4,5-tetrahydroxyphenyl)methanone Chemical compound OC1=C(O)C(O)=CC(C(=O)C=2C=CC=CC=2)=C1O LYKRPDCJKSXAHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCDYQQDYXPDABM-UHFFFAOYSA-N phloroglucinol Chemical compound OC1=CC(O)=CC(O)=C1 QCDYQQDYXPDABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001553 phloroglucinol Drugs 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003987 resole Polymers 0.000 description 1
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- WSFQLUVWDKCYSW-UHFFFAOYSA-M sodium;2-hydroxy-3-morpholin-4-ylpropane-1-sulfonate Chemical compound [Na+].[O-]S(=O)(=O)CC(O)CN1CCOCC1 WSFQLUVWDKCYSW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000003003 spiro group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 150000003505 terpenes Chemical class 0.000 description 1
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- RMVRSNDYEFQCLF-UHFFFAOYSA-N thiophenol Chemical class SC1=CC=CC=C1 RMVRSNDYEFQCLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005270 trialkylamine group Chemical group 0.000 description 1
- IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N tributylamine Chemical compound CCCCN(CCCC)CCCC IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013638 trimer Substances 0.000 description 1
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N urea group Chemical group NC(=O)N XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 230000002087 whitening effect Effects 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 150000003751 zinc Chemical class 0.000 description 1
- XOOUIPVCVHRTMJ-UHFFFAOYSA-L zinc stearate Chemical compound [Zn+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O XOOUIPVCVHRTMJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- CHJMFFKHPHCQIJ-UHFFFAOYSA-L zinc;octanoate Chemical compound [Zn+2].CCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCC([O-])=O CHJMFFKHPHCQIJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- C08L2205/02—Polymer mixtures characterised by other features containing two or more polymers of the same C08L -group
- C08L2205/025—Polymer mixtures characterised by other features containing two or more polymers of the same C08L -group containing two or more polymers of the same hierarchy C08L, and differing only in parameters such as density, comonomer content, molecular weight, structure
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- C08L2205/03—Polymer mixtures characterised by other features containing three or more polymers in a blend
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Abstract
Description
本発明は、樹脂組成物層に関する。さらには、本発明は、当該樹脂組成物層を含む樹脂シート;並びに、樹脂組成物層の硬化物で形成された絶縁層を含有する、プリント配線板、及び半導体装置に関する。 The present invention relates to a resin composition layer. Furthermore, the present invention relates to a resin sheet including the resin composition layer; and a printed wiring board and a semiconductor device including an insulating layer formed of a cured product of the resin composition layer.
近年、電子機器の小型化を達成すべく、プリント配線板の更なる薄型化が進められている。それに伴い、内層基板における配線回路の微細化が進められている。例えば、特許文献1には、支持体及び樹脂組成物層を含む、低誘電正接に対応可能な樹脂シート(接着フィルム)が記載されている。
In recent years, in order to achieve miniaturization of electronic devices, further thinning of printed wiring boards has been promoted. Along with this, miniaturization of wiring circuits in the inner layer substrate has been advanced. For example,
本発明者らは、さらなる電子機器の小型化、薄型化を達成すべく、樹脂シートの樹脂組成物層を薄くすることを検討した。検討の結果、本発明者らは、薄い樹脂組成物層を絶縁層に適用した場合に、その絶縁層にビアホールを形成すると、ハローイング現象が生じることを見い出した。ここで、ハローイング現象とは、ビアホールの周囲において絶縁層の樹脂が変色する現象をいう。このようなハローイング現象は、通常、ビアホールの形成時にビアホールの周囲の樹脂が劣化することによって生じる。 The present inventors examined thinning of the resin composition layer of the resin sheet in order to achieve further miniaturization and thinning of electronic devices. As a result of examination, the present inventors have found that when a thin resin composition layer is applied to an insulating layer, when a via hole is formed in the insulating layer, a haloing phenomenon occurs. Here, the haloing phenomenon refers to a phenomenon in which the resin of the insulating layer is discolored around the via hole. Such haloing phenomenon usually occurs when the resin around the via hole is deteriorated when the via hole is formed.
上述した課題は、樹脂組成物層の厚みを薄くしたことによってはじめて生じたものであり、従来は知られていなかった新規な課題である。プリント配線板の層間の導通信頼性を高める観点から、これらの課題は、その解決が望まれる。 The above-mentioned problems are caused only by thinning the thickness of the resin composition layer, and are new problems which have not been known conventionally. From the viewpoint of enhancing the conduction reliability between the layers of the printed wiring board, these problems are desired to be solved.
本発明は、前記の課題に鑑みて創案されたもので、厚みが薄くても、ハローイング現象を抑制できる樹脂組成物層;前記の樹脂組成物層を含む樹脂シート;ハローイング現象を抑制できる、薄い絶縁層を含むプリント配線板;並びに、前記のプリント配線板を含む半導体装置;を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and a resin composition layer capable of suppressing the haloing phenomenon even if the thickness is thin; a resin sheet containing the resin composition layer described above; which can suppress the haloing phenomenon It is an object of the present invention to provide a printed wiring board including a thin insulating layer; and a semiconductor device including the above printed wiring board.
本発明者は、前記の課題を解決するべく鋭意検討した結果、(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)水酸化マグネシウム、及び(D)シリカを組み合わせて含む樹脂組成物により、前記の課題を解決できることを見い出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明は、下記の内容を含む。
As a result of intensive studies to solve the above-mentioned problems, the present inventors found that (A) an epoxy resin, (B) a curing agent, (C) magnesium hydroxide, and (D) a resin composition containing a combination of silica The inventors have found that the above problems can be solved, and completed the present invention.
That is, the present invention includes the following contents.
[1] 樹脂組成物を含む厚み15μm以下の樹脂組成物層であって、
樹脂組成物が、(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)水酸化マグネシウム、及び(D)シリカを含む、樹脂組成物層。
[2] (D)成分の平均粒径が、3μm以下である、[1]に記載の樹脂組成物層。
[3] (D)成分の平均粒径が、0.3μm以下である、[1]又は[2]に記載の樹脂組成物層。
[4] (D)成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%としたとき、3質量%以上50質量%以下である、[1]〜[3]のいずれかに記載の樹脂組成物層。
[5] (B)成分が、フェノール系硬化剤、活性エステル系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤から選択される1種以上である、[1]〜[4]のいずれかに記載の樹脂組成物層。
[6] (A)成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%としたとき、3質量%以上50質量%以下である、[1]〜[5]のいずれかに記載の樹脂組成物層。
[7] (C)成分が、表面処理剤で表面処理されている、[1]〜[6]のいずれかに記載の樹脂組成物層。
[8] 表面処理剤が、アルコキシシラン化合物である、[7]に記載の樹脂組成物層。
[9] アルコキシシラン化合物が、アミノ基又はビニル基を有する、[8]に記載の樹脂組成物層。
[10] 表面処理剤の量が、水酸化マグネシウム100質量部に対して5質量部以下である、[7]〜[9]のいずれかに記載の樹脂組成物層。
[11] (C)成分の含有量が、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%としたとき、2質量%以上40質量%以下である、[1]〜[10]のいずれかに記載の樹脂組成物層。
[12] 多層プリント配線板の絶縁層用樹脂組成物層である、[1]〜[11]のいずれかに記載の樹脂組成物層。
[13] トップ径35μm以下のビアホールを有する絶縁層形成用である、[1]〜[12]のいずれかに記載の樹脂組成物層。
[14] 支持体と、支持体上に設けられた、[1]〜[13]のいずれかに記載の樹脂組成物層とを含む、樹脂シート。
[15] [1]〜[13]のいずれかに記載の樹脂組成物層の硬化物で形成された絶縁層を含む、プリント配線板。
[16] [15]に記載のプリント配線板を含む、半導体装置。
[1] A resin composition layer containing a resin composition and having a thickness of 15 μm or less,
A resin composition layer, wherein the resin composition comprises (A) epoxy resin, (B) curing agent, (C) magnesium hydroxide, and (D) silica.
[2] The resin composition layer according to [1], wherein the average particle size of the component (D) is 3 μm or less.
[3] The resin composition layer according to [1] or [2], wherein the average particle diameter of the component (D) is 0.3 μm or less.
[4] According to any one of [1] to [3], wherein the content of the component (D) is 3% by mass or more and 50% by mass or less when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass. Resin composition layer.
[5] Any one of [1] to [4], wherein the component (B) is one or more selected from a phenol type curing agent, an active ester type curing agent, a cyanate ester type curing agent, and a benzoxazine type curing agent The resin composition layer according to
[6] According to any one of [1] to [5], wherein the content of the component (A) is 3% by mass or more and 50% by mass or less, when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass. Resin composition layer.
[7] The resin composition layer according to any one of [1] to [6], wherein the component (C) is surface-treated with a surface treatment agent.
[8] The resin composition layer according to [7], wherein the surface treatment agent is an alkoxysilane compound.
[9] The resin composition layer according to [8], wherein the alkoxysilane compound has an amino group or a vinyl group.
[10] The resin composition layer according to any one of [7] to [9], wherein the amount of the surface treatment agent is 5 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of magnesium hydroxide.
[11] According to any one of [1] to [10], wherein the content of the component (C) is 2% by mass or more and 40% by mass or less when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass. Resin composition layer.
[12] The resin composition layer according to any one of [1] to [11], which is a resin composition layer for an insulating layer of a multilayer printed wiring board.
[13] The resin composition layer according to any one of [1] to [12], which is for forming an insulating layer having a via hole with a top diameter of 35 μm or less.
[14] A resin sheet comprising a support and a resin composition layer according to any one of [1] to [13] provided on the support.
[15] A printed wiring board comprising an insulating layer formed of a cured product of the resin composition layer according to any one of [1] to [13].
[16] A semiconductor device comprising the printed wiring board according to [15].
本発明によれば、厚みが薄くても、ハローイング現象を抑制できる樹脂組成物層;前記の樹脂組成物層を含む樹脂シート;ハローイング現象を抑制できる、薄い絶縁層を含むプリント配線板;並びに、前記のプリント配線板を含む半導体装置;を提供できる。 According to the present invention, a resin composition layer capable of suppressing the haloing phenomenon even when the thickness is thin; a resin sheet containing the above resin composition layer; a printed wiring board including a thin insulating layer capable of suppressing the haloing phenomenon; And a semiconductor device including the above printed wiring board.
以下、実施形態及び例示物を示して、本発明について詳細に説明する。ただし、本発明は、以下に挙げる実施形態及び例示物に限定されるものでは無く、本発明の特許請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施しうる。 Hereinafter, the present invention will be described in detail by way of embodiments and exemplifications. However, the present invention is not limited to the embodiments and exemplifications listed below, and can be implemented with arbitrary modifications without departing from the scope of the claims of the present invention and the equivalents thereof.
以下の説明において、樹脂組成物の「樹脂成分」とは、樹脂組成物に含まれる不揮発成分のうち、(C)成分及び(D)成分を除いた成分をいう。 In the following description, the “resin component” of the resin composition refers to the components excluding the (C) component and the (D) component among the non-volatile components contained in the resin composition.
[樹脂組成物層]
本発明の樹脂組成物層は、所定値以下の厚みを有する薄い樹脂組成物層である。また、本発明の樹脂組成物層が含む樹脂組成物は、(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)水酸化マグネシウム、及び(D)シリカを含む。
[Resin composition layer]
The resin composition layer of the present invention is a thin resin composition layer having a thickness equal to or less than a predetermined value. Moreover, the resin composition which the resin composition layer of this invention contains (A) epoxy resin, (B) hardening | curing agent, (C) magnesium hydroxide, and (D) silica.
このような樹脂組成物層を用いることにより、所定値以下の薄い絶縁層を得ることができる。そして、ビアホールを形成された絶縁層に粗化処理を施した場合のハローイング現象を抑制できるという、本発明の所望の効果を得ることができる。 By using such a resin composition layer, a thin insulating layer having a predetermined value or less can be obtained. And the desired effect of the present invention that the haloing phenomenon at the time of carrying out roughening processing to the insulating layer in which the via hole was formed can be controlled can be acquired.
樹脂組成物は、必要に応じて、さらに(E)熱可塑性樹脂、(F)硬化促進剤、及び(G)任意の添加剤を含み得る。以下、樹脂組成物に含まれる各成分について詳細に説明する。 The resin composition may further contain (E) a thermoplastic resin, (F) a curing accelerator, and (G) optional additives, as needed. Hereinafter, each component contained in a resin composition is demonstrated in detail.
<(A)エポキシ樹脂>
(A)成分としてのエポキシ樹脂としては、例えば、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、tert−ブチル−カテコール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、スピロ環含有エポキシ樹脂、シクロヘキサン型エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、トリメチロール型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂等が挙げられる。エポキシ樹脂は、1種類単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。
<(A) Epoxy resin>
Examples of the epoxy resin as the component (A) include bixylenol epoxy resin, bisphenol A epoxy resin, bisphenol F epoxy resin, bisphenol S epoxy resin, bisphenol AF epoxy resin, dicyclopentadiene epoxy resin, Tris phenol type epoxy resin, naphthol novolac type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, tert-butyl-catechol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, glycidyl amine type epoxy resin, glycidyl ester Type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, linear aliphatic epoxy resin, epoxy resin having butadiene structure, alicyclic Epoxy resin, heterocyclic epoxy resin, spiro ring-containing epoxy resin, cyclohexane type epoxy resin, cyclohexane dimethanol type epoxy resin, naphthylene ether type epoxy resin, trimethylol type epoxy resin, tetraphenylethane type epoxy resin, etc. . The epoxy resin may be used alone or in combination of two or more.
樹脂組成物は、(A)エポキシ樹脂として、1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、(A)エポキシ樹脂の不揮発成分100質量%に対して、1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂の割合は、好ましくは50質量%以上、より好ましくは60質量%以上、特に好ましくは70質量%以上である。 The resin composition preferably contains, as the (A) epoxy resin, an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule. From the viewpoint of obtaining the desired effects of the present invention remarkably, the proportion of the epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule is preferably 50 mass with respect to 100 mass% of the non-volatile component of the (A) epoxy resin. % Or more, more preferably 60% by mass or more, particularly preferably 70% by mass or more.
エポキシ樹脂には、温度20℃で液状のエポキシ樹脂(以下「液状エポキシ樹脂」ということがある。)と、温度20℃で固体状のエポキシ樹脂(「固体状エポキシ樹脂」ということがある。)とがある。樹脂組成物は、(A)エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂のみを含んでいてもよく、固体状エポキシ樹脂のみを含んでいてもよいが、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを組み合わせて含むことが好ましい。(A)エポキシ樹脂として、液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを組み合わせて用いることで、樹脂組成物層の可撓性を向上させたり、樹脂組成物層の硬化物の破断強度を向上させたりできる。 The epoxy resin includes an epoxy resin which is liquid at a temperature of 20 ° C. (hereinafter sometimes referred to as “liquid epoxy resin”) and an epoxy resin which is solid at a temperature of 20 ° C. (which may be referred to as “solid epoxy resin”). There is. The resin composition may contain only the liquid epoxy resin as the epoxy resin (A), or may contain only the solid epoxy resin, but the liquid epoxy resin and the solid epoxy resin should be contained in combination. Is preferred. (A) By using a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin in combination as the epoxy resin, the flexibility of the resin composition layer can be improved, or the breaking strength of the cured product of the resin composition layer can be improved. it can.
液状エポキシ樹脂としては、1分子中に2個以上のエポキシ基を有する液状エポキシ樹脂が好ましい。 The liquid epoxy resin is preferably a liquid epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule.
液状エポキシ樹脂としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂、シクロヘキサン型エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノール型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、及びブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が好ましく、シクロヘキサン型エポキシ樹脂がより好ましい。 As liquid epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, glycidyl amine type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, ester skeleton The alicyclic epoxy resin which has, a cyclohexane type epoxy resin, a cyclohexane dimethanol type epoxy resin, a glycidyl amine type epoxy resin, and the epoxy resin which has a butadiene structure are preferable, and a cyclohexane type epoxy resin is more preferable.
液状エポキシ樹脂の具体例としては、DIC社製の「HP4032」、「HP4032D」、「HP4032SS」(ナフタレン型エポキシ樹脂);三菱ケミカル社製の「828US」、「jER828EL」、「825」、「エピコート828EL」(ビスフェノールA型エポキシ樹脂);三菱ケミカル社製の「jER807」、「1750」(ビスフェノールF型エポキシ樹脂);三菱ケミカル社製の「jER152」(フェノールノボラック型エポキシ樹脂);三菱ケミカル社製の「630」、「630LSD」(グリシジルアミン型エポキシ樹脂);新日鉄住金化学社製の「ZX1059」(ビスフェノールA型エポキシ樹脂とビスフェノールF型エポキシ樹脂の混合品);ナガセケムテックス社製の「EX−721」(グリシジルエステル型エポキシ樹脂);ダイセル社製の「セロキサイド2021P」(エステル骨格を有する脂環式エポキシ樹脂);ダイセル社製の「PB−3600」(ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂);新日鉄住金化学社製の「ZX1658」、「ZX1658GS」(液状1,4−グリシジルシクロヘキサン型エポキシ樹脂)等が挙げられる。これらは、1種類単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。
Specific examples of the liquid epoxy resin include “HP4032”, “HP4032D”, “HP4032SS” (naphthalene type epoxy resin) manufactured by DIC; “828US”, “jER828EL”, “825”, “epicoat” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation. 828 EL "(bisphenol A type epoxy resin);" jER 807 "and" 1750 "(bisphenol F type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corp .;" jER 152 "(phenol novolac epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corp .; manufactured by Mitsubishi Chemical Corp. "630", "630LSD" (glycidyl amine type epoxy resin); "ZX1059" (a mixture of bisphenol A epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin) manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd .; EX made by Nagase ChemteX −721 ”(glycidyl Stel type epoxy resin); "Ceroxide 2021 P" (alicyclic epoxy resin having an ester skeleton) manufactured by Daicel; "PB-3600" (epoxy resin having a butadiene structure) manufactured by Daicel; manufactured by Nippon Steel & Sumitomo Chemical Co., Ltd. Examples include "ZX1658" and "ZX1658GS" (
固体状エポキシ樹脂としては、1分子中に3個以上のエポキシ基を有する固体状エポキシ樹脂が好ましく、1分子中に3個以上のエポキシ基を有する芳香族系の固体状エポキシ樹脂がより好ましい。 The solid epoxy resin is preferably a solid epoxy resin having three or more epoxy groups in one molecule, and more preferably an aromatic solid epoxy resin having three or more epoxy groups in one molecule.
固体状エポキシ樹脂としては、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型4官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂が好ましく、ビキシレノール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、及びビスフェノールAF型エポキシ樹脂がより好ましい。 As solid epoxy resin, bixylenol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, naphthalene type tetrafunctional epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, trisphenol type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, biphenyl Type epoxy resin, naphthalene ether type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, tetraphenylethane type epoxy resin is preferable, and bixylenol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, and bisphenol More preferred is an AF type epoxy resin.
固体状エポキシ樹脂の具体例としては、DIC社製の「HP4032H」(ナフタレン型エポキシ樹脂);DIC社製の「HP−4700」、「HP−4710」(ナフタレン型4官能エポキシ樹脂);DIC社製の「N−690」(クレゾールノボラック型エポキシ樹脂);DIC社製の「N−695」(クレゾールノボラック型エポキシ樹脂);DIC社製の「HP−7200」(ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂);DIC社製の「HP−7200HH」、「HP−7200H」、「EXA−7311」、「EXA−7311−G3」、「EXA−7311−G4」、「EXA−7311−G4S」、「HP6000」(ナフチレンエーテル型エポキシ樹脂);日本化薬社製の「EPPN−502H」(トリスフェノール型エポキシ樹脂);日本化薬社製の「NC7000L」(ナフトールノボラック型エポキシ樹脂);日本化薬社製の「NC3000H」、「NC3000」、「NC3000L」、「NC3100」(ビフェニル型エポキシ樹脂);新日鉄住金化学社製の「ESN475V」(ナフタレン型エポキシ樹脂);新日鉄住金化学社製の「ESN485」(ナフトールノボラック型エポキシ樹脂);三菱ケミカル社製の「YX4000H」、「YX4000」、「YL6121」(ビフェニル型エポキシ樹脂);三菱ケミカル社製の「YX4000HK」(ビキシレノール型エポキシ樹脂);三菱ケミカル社製の「YX8800」(アントラセン型エポキシ樹脂);大阪ガスケミカル社製の「PG−100」、「CG−500」;三菱ケミカル社製の「YL7760」(ビスフェノールAF型エポキシ樹脂);三菱ケミカル社製の「YL7800」(フルオレン型エポキシ樹脂);三菱ケミカル社製の「jER1010」(固体状ビスフェノールA型エポキシ樹脂);三菱ケミカル社製の「jER1031S」(テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂)等が挙げられる。これらは、1種類単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。 Specific examples of the solid epoxy resin include “HP4032H” (naphthalene type epoxy resin) manufactured by DIC; “HP-4700” manufactured by DIC, “HP-4710” (naphthalene type tetrafunctional epoxy resin); “N-690” (cresol novolac epoxy resin); “N-695” (cresol novolac epoxy resin) manufactured by DIC; “HP-7200” (dicyclopentadiene type epoxy resin) manufactured by DIC; “HP-7200HH”, “HP-7200H”, “EXA-7311”, “EXA-7311-G3”, “EXA-7311-G4”, “EXA-7311-G4S”, “HP6000” manufactured by DIC Corporation Naphthylene ether type epoxy resin); “EPPN-502H” (Trisphenol type epoxy resin) manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. Resin); “NC7000L” (naphthol novolac epoxy resin) manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd .; “NC3000H”, “NC3000”, “NC3000L”, “NC3100” (biphenyl epoxy resin) manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd .; Chemical made "ESN 475 V" (naphthalene type epoxy resin); Nippon Steel & Sumikin Chemical make "ESN 485" (naphthol novolac type epoxy resin); Mitsubishi Chemical company made "YX4000H", "YX 4000", "YL 6121" (biphenyl type Epoxy resin); “YX4000HK” (bixylenol type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd. “YX 8800” (anthracene type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd .; “PG-100” manufactured by Osaka Gas Chemical Co., Ltd., “CG- 500 "; YL manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation 760 "(bisphenol AF type epoxy resin);" YL 7800 "(fluorene type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corp .;" jER 1010 "manufactured by Mitsubishi Chemical Corp. (solid bisphenol A type epoxy resin);" jER 1031S manufactured by Mitsubishi Chemical Corp. " (Tetraphenylethane type epoxy resin) etc. are mentioned. These may be used alone or in combination of two or more.
(A)エポキシ樹脂として液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂とを組み合わせて用いる場合、それらの量比(液状エポキシ樹脂:固体状エポキシ樹脂)は、質量比で、好ましくは1:1〜1:40、より好ましくは1:3〜1:30、特に好ましくは1:5〜1:20である。液状エポキシ樹脂と固体状エポキシ樹脂との量比が斯かる範囲にあることにより、本発明の所望の効果を顕著に得ることができる。さらに、通常は、樹脂シートの形態で使用する場合に、適度な粘着性がもたらされる。また、通常は、樹脂シートの形態で使用する場合に、十分な可撓性が得られ、取り扱い性が向上する。さらに、通常は、十分な破断強度を有する硬化物を得ることができる。 (A) When a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin are used in combination as an epoxy resin, their quantitative ratio (liquid epoxy resin: solid epoxy resin) is preferably 1: 1 to 1:40 by mass ratio. More preferably, it is 1: 3 to 1:30, and particularly preferably 1: 5 to 1:20. When the ratio of the liquid epoxy resin to the solid epoxy resin is in such a range, the desired effect of the present invention can be remarkably obtained. Furthermore, usually, when used in the form of a resin sheet, adequate tackiness is provided. In addition, usually, when used in the form of a resin sheet, sufficient flexibility is obtained, and the handleability is improved. Furthermore, usually, a cured product having sufficient breaking strength can be obtained.
(A)エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは50〜5000、より好ましくは50〜3000、さらに好ましくは80〜2000、さらにより好ましくは110〜1000である。この範囲となることで、樹脂組成物層の硬化物の架橋密度が十分となり、表面粗さの小さい絶縁層をもたらすことができる。エポキシ当量は、1当量のエポキシ基を含む樹脂の質量である。このエポキシ当量は、JIS K7236に従って測定することができる。 The epoxy equivalent of the (A) epoxy resin is preferably 50 to 5000, more preferably 50 to 3000, still more preferably 80 to 2000, and still more preferably 110 to 1000. By being in this range, the crosslinking density of the cured product of the resin composition layer becomes sufficient, and an insulating layer with a small surface roughness can be provided. Epoxy equivalent is the mass of resin containing one equivalent of epoxy groups. This epoxy equivalent can be measured according to JIS K7236.
(A)エポキシ樹脂の重量平均分子量(Mw)は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは100〜5000、より好ましくは250〜3000、さらに好ましくは400〜1500である。
樹脂の重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法により、ポリスチレン換算の値として測定できる。
The weight average molecular weight (Mw) of the epoxy resin (A) is preferably 100 to 5,000, more preferably 250 to 3,000, and still more preferably 400 to 1,500, from the viewpoint of obtaining the desired effects of the present invention remarkably.
The weight average molecular weight of the resin can be measured as a value in terms of polystyrene by gel permeation chromatography (GPC).
樹脂組成物中の(A)エポキシ樹脂の量は、良好な機械強度、絶縁信頼性を示す絶縁層を得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%としたとき、好ましくは3質量%以上、より好ましくは10質量%以上、さらに好ましくは20質量%以上、30質量%以上である。エポキシ樹脂の含有量の上限は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは50質量%以下、より好ましくは45質量%以下、特に好ましくは40質量%以下である。 The amount of the (A) epoxy resin in the resin composition is preferably 3%, based on 100% by mass of the non-volatile component in the resin composition, from the viewpoint of obtaining an insulating layer exhibiting good mechanical strength and insulation reliability. % Or more, more preferably 10% by mass or more, still more preferably 20% by mass or more, and 30% by mass or more. The upper limit of the content of the epoxy resin is preferably 50% by mass or less, more preferably 45% by mass or less, and particularly preferably 40% by mass or less from the viewpoint of obtaining the desired effects of the present invention remarkably.
<(B)硬化剤>
樹脂組成物は、(B)成分として、硬化剤を含む。(B)硬化剤は、通常、(A)エポキシ樹脂と反応して樹脂組成物を硬化させる機能を有する。
<(B) Hardening agent>
The resin composition contains a curing agent as component (B). The curing agent (B) usually has a function of reacting with the (A) epoxy resin to cure the resin composition.
(B)硬化剤としては、(A)エポキシ樹脂を硬化させる作用を有するものを用いることができる。(B)硬化剤としては、例えば、活性エステル系硬化剤、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤、及びカルボジイミド系硬化剤などが挙げられる。また、硬化剤は1種類単独で用いてもよく、又は2種類以上を併用してもよい。 As the curing agent (B), those having an effect of curing the epoxy resin (A) can be used. Examples of the curing agent (B) include active ester curing agents, phenol curing agents, naphthol curing agents, benzoxazine curing agents, cyanate ester curing agents, and carbodiimide curing agents. The curing agents may be used alone or in combination of two or more.
活性エステル系硬化剤としては、1分子中に1個以上の活性エステル基を有する化合物を用いることができる。中でも、活性エステル系硬化剤としては、フェノールエステル類、チオフェノールエステル類、N−ヒドロキシアミンエステル類、複素環ヒドロキシ化合物のエステル類等の、反応活性の高いエステル基を1分子中に2個以上有する化合物が好ましい。当該活性エステル系硬化剤は、カルボン酸化合物及び/又はチオカルボン酸化合物とヒドロキシ化合物及び/又はチオール化合物との縮合反応によって得られるものが好ましい。特に、耐熱性向上の観点から、カルボン酸化合物とヒドロキシ化合物とから得られる活性エステル系硬化剤が好ましく、カルボン酸化合物とフェノール化合物及び/又はナフトール化合物とから得られる活性エステル系硬化剤がより好ましい。 As the active ester curing agent, a compound having one or more active ester groups in one molecule can be used. Among them, as an active ester curing agent, two or more ester groups having high reaction activity such as phenol esters, thiophenol esters, N-hydroxyamine esters, esters of heterocyclic hydroxy compounds, etc. in one molecule The compound which it has is preferable. The active ester curing agent is preferably obtained by condensation reaction of a carboxylic acid compound and / or a thiocarboxylic acid compound with a hydroxy compound and / or a thiol compound. In particular, from the viewpoint of improving heat resistance, active ester-based curing agents obtained from carboxylic acid compounds and hydroxy compounds are preferable, and active ester-based curing agents obtained from carboxylic acid compounds and phenol compounds and / or naphthol compounds are more preferable. .
カルボン酸化合物としては、例えば、安息香酸、酢酸、コハク酸、マレイン酸、イタコン酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸等が挙げられる。 Examples of the carboxylic acid compound include benzoic acid, acetic acid, succinic acid, maleic acid, itaconic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid and pyromellitic acid.
フェノール化合物又はナフトール化合物としては、例えば、ハイドロキノン、レゾルシン、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールS、フェノールフタリン、メチル化ビスフェノールA、メチル化ビスフェノールF、メチル化ビスフェノールS、フェノール、o−クレゾール、m−クレゾール、p−クレゾール、カテコール、α−ナフトール、β−ナフトール、1,5−ジヒドロキシナフタレン、1,6−ジヒドロキシナフタレン、2,6−ジヒドロキシナフタレン、ジヒドロキシベンゾフェノン、トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベンゾフェノン、フロログルシン、ベンゼントリオール、ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物、フェノールノボラック等が挙げられる。ここで、「ジシクロペンタジエン型ジフェノール化合物」とは、ジシクロペンタジエン1分子にフェノール2分子が縮合して得られるジフェノール化合物をいう。 As a phenol compound or naphthol compound, for example, hydroquinone, resorcine, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenolphthalin, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, phenol, o-cresol, m- Cresol, p-cresol, catechol, α-naphthol, β-naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, phloroglucin, Benzenetriol, dicyclopentadiene type diphenol compounds, phenol novolac and the like can be mentioned. Here, the "dicyclopentadiene type diphenol compound" refers to a diphenol compound obtained by condensation of two molecules of phenol with one molecule of dicyclopentadiene.
活性エステル系硬化剤の好ましい具体例としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物、フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物が挙げられる。中でも、ナフタレン構造を含む活性エステル化合物、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物がより好ましい。「ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造」とは、フェニレン−ジシクロペンチレン−フェニレンからなる2価の構造単位を表す。 Preferred specific examples of the active ester-based curing agent include an active ester compound containing a dicyclopentadiene type diphenol structure, an active ester compound containing a naphthalene structure, an active ester compound containing an acetylated compound of phenol novolac, and a benzoyl compound of phenol novolac And active ester compounds. Among them, an active ester compound containing a naphthalene structure and an active ester compound containing a dicyclopentadiene type diphenol structure are more preferable. The "dicyclopentadiene type diphenol structure" represents a bivalent structural unit consisting of phenylene-dicyclopentylene-phenylene.
活性エステル系硬化剤の市販品としては、ジシクロペンタジエン型ジフェノール構造を含む活性エステル化合物として、「EXB9451」、「EXB9460」、「EXB9460S」、「HPC−8000−65T」、「HPC−8000H−65TM」、「EXB−8000L−65TM」、「EXB−8150−65T」(DIC社製);ナフタレン構造を含む活性エステル化合物として「EXB9416−70BK」(DIC社製);フェノールノボラックのアセチル化物を含む活性エステル化合物として「DC808」(三菱ケミカル社製);フェノールノボラックのベンゾイル化物を含む活性エステル化合物として「YLH1026」(三菱ケミカル社製);フェノールノボラックのアセチル化物である活性エステル系硬化剤として「DC808」(三菱ケミカル社製);フェノールノボラックのベンゾイル化物である活性エステル系硬化剤として「YLH1026」(三菱ケミカル社製)、「YLH1030」(三菱ケミカル社製)、「YLH1048」(三菱ケミカル社製);等が挙げられる。 Commercial products of the active ester-based curing agent include “EXB9451”, “EXB9460”, “EXB9460S”, “HPC-8000-65T”, and “HPC-8000H-” as active ester compounds containing a dicyclopentadiene type diphenol structure. 65TM "," EXB-8000L-65TM "," EXB-8150-65T "(manufactured by DIC);" EXB 9416-70BK "(manufactured by DIC) as an active ester compound containing a naphthalene structure; containing acetylated phenol novolak "DC 808" (Mitsubishi Chemical Co., Ltd.) as an active ester compound; "YLH 1026" (Mitsubishi Chemical Co., Ltd.) as an active ester compound containing a benzoylated phenol novolak; active ester curing agent which is an acetylated phenol novolak “DC 808” (Mitsubishi Chemical Co., Ltd.); “YLH1026” (Mitsubishi Chemical Co., Ltd.), “YLH 1030” (Mitsubishi Chemical Co., Ltd.), “YLH 1048” (Mitsubishi Chemical Co., Ltd.) And the like.
フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤としては、耐熱性及び耐水性の観点から、ノボラック構造を有するものが好ましい。また、導体層との密着性の観点から、含窒素フェノール系硬化剤が好ましく、トリアジン骨格含有フェノール系硬化剤がより好ましい。 From the viewpoint of heat resistance and water resistance, those having a novolac structure are preferable as the phenol-based curing agent and the naphthol-based curing agent. Further, from the viewpoint of adhesion to the conductor layer, a nitrogen-containing phenol-based curing agent is preferable, and a triazine skeleton-containing phenol-based curing agent is more preferable.
フェノール系硬化剤及びナフトール系硬化剤の具体例としては、例えば、明和化成社製の「MEH−7700」、「MEH−7810」、「MEH−7851」;日本化薬社製の「NHN」、「CBN」、「GPH」;新日鉄住金化学社製の「SN170」、「SN180」、「SN190」、「SN475」、「SN485」、「SN495」、「SN−495V」「SN375」;DIC社製の「TD−2090」、「LA−7052」、「LA−7054」、「LA−1356」、「LA−3018−50P」、「EXB−9500」;等が挙げられる。 Specific examples of the phenol-based curing agent and naphthol-based curing agent include, for example, “MEH-7700”, “MEH-7810”, “MEH-7851” manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd .; “NHN” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. “CBN”, “GPH”; “SN170”, “SN180”, “SN190”, “SN475”, “SN485”, “SN495”, “SN-495V”, “SN375”, manufactured by Nippon Steel Sumikin Chemical Co., Ltd .; manufactured by DIC Corporation “TD-2090”, “LA-7052”, “LA-7054”, “LA-1356”, “LA-3018-50P”, “EXB-9500”, and the like.
ベンゾオキサジン系硬化剤の具体例としては、昭和高分子社製の「HFB2006M」、四国化成工業社製の「P−d」、「F−a」が挙げられる。 Specific examples of the benzoxazine-based curing agent include “HFB2006M” manufactured by Showa Highpolymer Co., Ltd. and “Pd” and “Fa” manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.
シアネートエステル系硬化剤としては、例えば、ビスフェノールAジシアネート、ポリフェノールシアネート、オリゴ(3−メチレン−1,5−フェニレンシアネート)、4,4’−メチレンビス(2,6−ジメチルフェニルシアネート)、4,4’−エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールAジシアネート、2,2−ビス(4−シアネート)フェニルプロパン、1,1−ビス(4−シアネートフェニルメタン)、ビス(4−シアネート−3,5−ジメチルフェニル)メタン、1,3−ビス(4−シアネートフェニル−1−(メチルエチリデン))ベンゼン、ビス(4−シアネートフェニル)チオエーテル、及びビス(4−シアネートフェニル)エーテル、等の2官能シアネート樹脂;フェノールノボラック及びクレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂;これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマー;などが挙げられる。シアネートエステル系硬化剤の具体例としては、ロンザジャパン社製の「PT30」及び「PT60」(フェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂)、「ULL−950S」(多官能シアネートエステル樹脂)、「BA230」、「BA230S75」(ビスフェノールAジシアネートの一部又は全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー)等が挙げられる。 As a cyanate ester-based curing agent, for example, bisphenol A dicyanate, polyphenol cyanate, oligo (3-methylene-1,5-phenylene cyanate), 4,4′-methylene bis (2,6-dimethylphenyl cyanate), 4,4 '-Ethylidene diphenyl dicyanate, hexafluoro bisphenol A dicyanate, 2,2-bis (4-cyanate) phenylpropane, 1, 1-bis (4- cyanate phenyl methane), bis (4- cyanate 3,5- dimethyl) A bifunctional cyanate resin such as phenyl) methane, 1,3-bis (4-cyanatophenyl-1- (methylethylidene)) benzene, bis (4-cyanatophenyl) thioether, and bis (4-cyanatophenyl) ether; Phenolic novolak and Polyfunctional cyanate resin derived from resol novolac; prepolymer these cyanate resin is partially triazine of; and the like. Specific examples of cyanate ester-based curing agents include "PT30" and "PT60" (phenol novolac-type polyfunctional cyanate ester resin), "ULL-950S" (polyfunctional cyanate ester resin), "BA230" manufactured by Lonza Japan Co., Ltd. And “BA 230 S 75” (a prepolymer in which part or all of bisphenol A dicyanate is triazinated to form a trimer), and the like.
カルボジイミド系硬化剤の具体例としては、日清紡ケミカル社製の「V−03」、「V−07」等が挙げられる。 Specific examples of the carbodiimide type curing agent include "V-03" and "V-07" manufactured by Nisshinbo Chemical Co., Ltd.
樹脂組成物における(B)硬化剤の量は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、樹脂組成物中の樹脂成分100質量%に対して、好ましくは5質量%以上、より好ましくは8質量%以上、さらに好ましくは10質量%以上であり、好ましくは30質量%以下、より好ましくは25質量%以下、さらに好ましくは20質量%以下である。 The amount of the (B) curing agent in the resin composition is preferably 5% by mass or more, more preferably 100% by mass of the resin component in the resin composition, from the viewpoint of obtaining the desired effects of the present invention remarkably. It is 8% by mass or more, more preferably 10% by mass or more, preferably 30% by mass or less, more preferably 25% by mass or less, and still more preferably 20% by mass or less.
上述した中でも、(B)硬化剤としては、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、フェノール系硬化剤、活性エステル系硬化剤、シアネートエステル系硬化剤、ベンゾオキサジン系硬化剤から選択される1種以上であることが好ましく、活性エステル系硬化剤であることがより好ましい。 Among the above-mentioned, as the (B) curing agent, from the viewpoint of obtaining the desired effects of the present invention remarkably, it is selected from phenolic curing agents, active ester curing agents, cyanate ester curing agents, benzoxazine curing agents. It is preferable that it is 1 or more types, and it is more preferable that it is an active ester type curing agent.
(B)硬化剤が、活性エステル系硬化剤を含む場合、活性エステル系硬化剤の含有率は、樹脂組成物中の樹脂成分100質量%に対して、好ましくは3質量%以上、より好ましくは5質量%以上、さらに好ましくは8質量%以上であり、好ましくは20質量%以下、より好ましくは15質量%以下、さらに好ましくは10質量%以下である。 When the curing agent (B) contains an active ester-based curing agent, the content of the active ester-based curing agent is preferably 3% by mass or more, more preferably 100% by mass of the resin component in the resin composition. It is 5% by mass or more, more preferably 8% by mass or more, preferably 20% by mass or less, more preferably 15% by mass or less, and still more preferably 10% by mass or less.
(A)エポキシ樹脂のエポキシ基数を1とした場合、(B)硬化剤の活性基数は、好ましくは0.1以上、より好ましくは0.2以上、更に好ましくは0.24以上であり、好ましくは2以下、より好ましくは1.5以下、更に好ましくは1以下、特に好ましくは0.5以下である。ここで、「(A)エポキシ樹脂のエポキシ基数」とは、樹脂組成物中に存在する(A)エポキシ樹脂の不揮発成分の質量をエポキシ当量で除した値を全て合計した値である。また、「(B)硬化剤の活性基数」とは、樹脂組成物中に存在する(B)硬化剤の不揮発成分の質量を活性基当量で除した値を全て合計した値である。(A)エポキシ樹脂のエポキシ基数を1とした場合の(B)硬化剤の活性基数が前記範囲にあることにより、本発明の所望の効果を顕著に得ることができ、更に通常は、樹脂組成物層の硬化物の耐熱性がより向上する。 When the epoxy group number of the (A) epoxy resin is 1, the active group number of the (B) curing agent is preferably 0.1 or more, more preferably 0.2 or more, still more preferably 0.24 or more, and preferably Is 2 or less, more preferably 1.5 or less, still more preferably 1 or less, and particularly preferably 0.5 or less. Here, “the number of epoxy groups of (A) epoxy resin” is a value obtained by totaling all values obtained by dividing the mass of the nonvolatile component of (A) epoxy resin present in the resin composition by the epoxy equivalent. Moreover, "the active group number of (B) hardening | curing agent" is the value which totaled all the values which remove | divided the mass of the non-volatile component of the (B) hardening | curing agent which exists in a resin composition by active group equivalent. When the number of active groups of (A) epoxy resin is 1 and the number of active groups of (B) curing agent is in the above range, the desired effect of the present invention can be remarkably obtained, and usually, the resin composition The heat resistance of the cured product of the product layer is further improved.
<(C)水酸化マグネシウム>
樹脂組成物は、(C)成分として、水酸化マグネシウムを含む。(C)成分を樹脂組成物に含有させることにより、ハローイング現象を抑制可能な絶縁層を得ることができ、さらに樹脂組成物層の硬化物の難燃性を向上させることもできる。
<(C) Magnesium hydroxide>
The resin composition contains magnesium hydroxide as the component (C). By including the component (C) in the resin composition, an insulating layer capable of suppressing the haloing phenomenon can be obtained, and furthermore, the flame retardancy of the cured product of the resin composition layer can be improved.
(C)成分として使用する水酸化マグネシウムとしては、合成物、天然物のいずれであってもよい。(C)成分は、1種類単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。 The magnesium hydroxide used as the component (C) may be either a synthetic product or a natural product. As the component (C), one type may be used alone, or two or more types may be used in combination.
水酸化マグネシウムの市販品としては、例えば神島化学工業社製の「EP−4A」、「EP−2E」、「EP−2A」、「EP−1SII」、タテホ化学工業社製の「エコーマグ Z−10」、「エコーマグ PZ−1」、堺化学工業社製の「MGZ−1」、「MGZ−3」、協和化学工業社製の「キスマ5E」、「キスマ8SN」、「キスマ5A」、「キスマ5L」等が挙げられる。 Examples of commercially available products of magnesium hydroxide include “EP-4A”, “EP-2E”, “EP-2A”, and “EP-1SII” manufactured by Kamijima Chemical Industries, Ltd., and “Echo Mug Z- manufactured by Tateho Chemical Industries, Ltd. 10 "," Echo Mug PZ-1 "," MGZ-1 "made by Sakai Chemical Industry Co., Ltd.," MGZ-3 "," Kisuma 5E "made by Kyowa Chemical Industry Co., Ltd.," Kisuma 8 SN "," Kisuma 5A "," Kisuma 5L and the like.
通常、水酸化マグネシウムは、粒子の状態で樹脂組成物に含まれる。水酸化マグネシウムの平均粒径は、ハローイング現象を効果的に抑制する観点から、好ましくは0.5μm以上、より好ましくは0.8μm以上、さらに好ましくは1μm以上であり、好ましくは3μm以下、より好ましくは2μm以下、さらに好ましくは1.5μm以下である。 Magnesium hydroxide is usually contained in the resin composition in the form of particles. The average particle diameter of magnesium hydroxide is preferably 0.5 μm or more, more preferably 0.8 μm or more, still more preferably 1 μm or more, preferably 3 μm or less, from the viewpoint of effectively suppressing the haloing phenomenon. Preferably it is 2 micrometers or less, More preferably, it is 1.5 micrometers or less.
水酸化マグネシウムの形状は粒子状であれば特に限定されないが、ハローイング現象を効果的に抑制する観点から、楕円状(フレーク状)であってもよい。この場合、アスペクト比としては好ましくは1以上、より好ましくは1.2以上、さらに好ましくは1.4以上、好ましくは10以下、より好ましくは9以下、さらに好ましくは8以下である。アスペクト比とは、粒子の長軸(粒子径の最も長い部分の長さ)の長さを短軸(長径の垂直方向の長さ)の長さで除して求めたものを意味する。 The shape of magnesium hydroxide is not particularly limited as long as it is particulate, but it may be elliptical (flaky) from the viewpoint of effectively suppressing the haloing phenomenon. In this case, the aspect ratio is preferably 1 or more, more preferably 1.2 or more, further preferably 1.4 or more, preferably 10 or less, more preferably 9 or less, still more preferably 8 or less. The aspect ratio means the value obtained by dividing the length of the major axis of the particle (the length of the longest part of the particle diameter) by the length of the minor axis (the length in the vertical direction of the major axis).
水酸化マグネシウムの平均粒径はミー(Mie)散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的にはレーザー回折散乱式粒径分布測定装置により、水酸化マグネシウムの粒径分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。測定サンプルは、水酸化マグネシウムを超音波によりメチルエチルケトン中に分散させたものを好ましく使用することができる。レーザー回折散乱式粒径分布測定装置としては、堀場製作所社製「LA−500」、島津製作所社製「SALD−2200」等を使用することができる。 The average particle size of magnesium hydroxide can be measured by a laser diffraction / scattering method based on Mie scattering theory. Specifically, the particle diameter distribution of magnesium hydroxide can be prepared on a volume basis by a laser diffraction / scattering particle size distribution measuring device, and the median diameter can be measured as an average particle diameter. As a measurement sample, one in which magnesium hydroxide is dispersed in methyl ethyl ketone by ultrasonic waves can be preferably used. As the laser diffraction / scattering type particle size distribution measuring device, “LA-500” manufactured by Horiba, Ltd., “SALD-2200” manufactured by Shimadzu Corporation, etc. can be used.
水酸化マグネシウムは、ハローイング現象をより抑制する観点から、表面処理剤で表面処理されていることが好ましい。表面処理剤としては、アルコキシシラン化合物、オルガノシラザン化合物、チタネート系カップリング剤等が挙げられ、特にハローイング現象を抑制する観点からアルコキシシラン化合物が好ましい。 Magnesium hydroxide is preferably surface-treated with a surface treatment agent from the viewpoint of further suppressing the haloing phenomenon. The surface treatment agent may, for example, be an alkoxysilane compound, an organosilazane compound or a titanate coupling agent. In particular, an alkoxysilane compound is preferable from the viewpoint of suppressing the haloing phenomenon.
アルコキシシラン化合物は、「X−Si(OR1)a(R2)3−a」の構造を有することが好ましい。式中、R1は炭素原子数1〜3のアルキル基、炭素原子数2〜8のアルコキシアルキル基又は炭素原子数6〜10のアリール基を表し、R2は水素原子、ヒドロキシル基、ハロゲン原子又は炭化水素基を表す。aは1〜3の整数を表す。aが2又は3の場合、複数のR1は、同一であってもよく、異なっていてもよい。また、aが1の場合、複数のR2は、同一であってもよく、異なっていてもよい。Xは、アミノ基、エポキシ基、メルカプト基、ビニル基、イソシアネート基、メタクリル基、ウレア基、フェニル基、炭素原子数1〜3のアルキル基、及びこれらの基を2以上組み合わせた基を表す。 The alkoxysilane compound preferably has a structure of “X—Si (OR 1 ) a (R 2 ) 3-a ”. In the formula, R 1 represents an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, an alkoxyalkyl group having 2 to 8 carbon atoms, or an aryl group having 6 to 10 carbon atoms, and R 2 represents a hydrogen atom, a hydroxyl group or a halogen atom Or a hydrocarbon group. a represents an integer of 1 to 3; When a is 2 or 3, multiple R 1 s may be the same or different. Moreover, when a is 1, several R < 2 > may be the same and may be different. X represents an amino group, an epoxy group, a mercapto group, a vinyl group, an isocyanate group, a methacryl group, a urea group, a phenyl group, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, and a group obtained by combining two or more of these groups.
アルコキシシラン化合物としては、ハローイング現象を効果的に抑制する観点から、上記式中のXがアミノ基、ビニル基、アミノフェニル基を含む基を表すことが好ましい。即ち、アルコキシシラン化合物は、アミノ基を有するアルコキシシラン化合物、又はビニル基を有するアルコキシシラン化合物が好ましい。 As an alkoxysilane compound, it is preferable that X in said Formula represents the group containing an amino group, a vinyl group, and an aminophenyl group from a viewpoint of suppressing a haloing phenomenon effectively. That is, the alkoxysilane compound is preferably an alkoxysilane compound having an amino group or an alkoxysilane compound having a vinyl group.
アルコキシシラン化合物の市販品としては、例えば、信越化学工業社製「KBM573」(N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン)、信越化学工業社製「KBM1003」(ビニルトリメトキシシラン)、信越化学工業社製「KBM403」(3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン)、信越化学工業社製「KBM803」(3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン)、信越化学工業社製「KBE903」(3−アミノプロピルトリエトキシシラン)、信越化学工業社製「KBM5783」(N−フェニル−3−アミノオクチルトリメトキシシラン)、信越化学工業社製「KBM103」(フェニルトリメトキシシラン)、信越化学工業社製「KBM−4803」(長鎖エポキシ型シランカップリング剤)等が挙げられる。アルコキシシラン化合物は1種単独で用いてもよく、2種以上を組み合わせて用いてもよい。 Examples of commercially available alkoxysilane compounds include "KBM 573" (N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., "KBM 1003" (vinyl trimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., Shin-Etsu Chemical "KBM 403" (3-glycidoxypropyltrimethoxysilane) manufactured by Kogyo Co., Ltd., "KBM 803" (3-mercaptopropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., "KBE 903" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Ethoxysilane), Shin-Etsu Chemical "KBM5783" (N-phenyl-3-aminooctyltrimethoxysilane), Shin-Etsu Chemical "KBM 103" (phenyltrimethoxysilane), Shin-Etsu Chemical "KBM-4803" (Long-chain epoxy type silane coupling agent) etc. It is. The alkoxysilane compounds may be used alone or in combination of two or more.
表面処理剤の量は、ハローイング現象を効果的に抑制する観点から、水酸化マグネシウム100質量部に対して、好ましくは5質量部以下、より好ましくは4.5質量部以下、さらに好ましくは4質量部以下であり、好ましくは0.5質量部以上、より好ましくは0.6質量部以上、さらに好ましくは0.7質量部以上である。 The amount of the surface treatment agent is preferably 5 parts by mass or less, more preferably 4.5 parts by mass or less, and still more preferably 4 parts by mass with respect to 100 parts by mass of magnesium hydroxide from the viewpoint of effectively suppressing the haloing phenomenon. It is at most parts by mass, preferably at least 0.5 parts by mass, more preferably at least 0.6 parts by mass, and still more preferably at least 0.7 parts by mass.
表面処理剤による表面処理の程度は、水酸化マグネシウムの単位表面積当たりのカーボン量によって評価することができる。水酸化マグネシウムの単位表面積当たりのカーボン量は、水酸化マグネシウムの分散性向上の観点から、0.02mg/m2以上が好ましく、0.1mg/m2以上がより好ましく、0.2mg/m2以上が更に好ましい。一方、樹脂ワニスの溶融粘度及びシート形態での溶融粘度の上昇を抑制する観点から、1mg/m2以下が好ましく、0.8mg/m2以下がより好ましく、0.5mg/m2以下が更に好ましい。 The degree of surface treatment with a surface treatment agent can be evaluated by the amount of carbon per unit surface area of magnesium hydroxide. Carbon content per unit surface area of the magnesium hydroxide, from the viewpoint of improving dispersibility of the magnesium hydroxide, preferably 0.02 mg / m 2 or more, 0.1 mg / m 2 or more preferably, 0.2 mg / m 2 The above is more preferable. On the other hand, from the viewpoint of suppressing the melt viscosity of the resin varnish and the increase of the melt viscosity in the form of a sheet, 1 mg / m 2 or less is preferable, 0.8 mg / m 2 or less is more preferable, and 0.5 mg / m 2 or less preferable.
水酸化マグネシウムの単位表面積当たりのカーボン量は、表面処理剤で表面処理した後の水酸化マグネシウムを溶剤(例えば、メチルエチルケトン(MEK))により洗浄処理した後に測定することができる。具体的には、溶剤として十分な量のMEKを表面処理剤で表面処理された水酸化マグネシウムに加えて、25℃で5分間超音波洗浄する。上澄液を除去し、固形分を乾燥させた後、カーボン分析計を用いて水酸化マグネシウムの単位表面積当たりのカーボン量を測定することができる。カーボン分析計としては、堀場製作所社製「EMIA−320V」等を使用することができる。 The amount of carbon per unit surface area of magnesium hydroxide can be measured after washing the magnesium hydroxide after surface treatment with a surface treatment agent with a solvent (for example, methyl ethyl ketone (MEK)). Specifically, a sufficient amount of MEK as a solvent is added to surface-treated magnesium hydroxide to be subjected to ultrasonic cleaning at 25 ° C. for 5 minutes. After removing the supernatant and drying the solids, a carbon analyzer can be used to measure the amount of carbon per unit surface area of magnesium hydroxide. As a carbon analyzer, "EMIA-320V" etc. by Horiba, Ltd. can be used.
(C)成分の含有量は、ハローイング現象を効果的に抑制する観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、好ましくは2質量%以上、より好ましくは5質量%以上、さらに好ましくは10質量%以上である。上限は、ビアホールの形状を良好にする観点から、好ましくは40質量%以下、より好ましくは38質量%以下、さらに好ましくは35質量%以下である。 From the viewpoint of effectively suppressing the haloing phenomenon, the content of the component (C) is preferably 2% by mass or more, more preferably 5% by mass or more, when the non-volatile component in the resin composition is 100% by mass. More preferably, it is 10% by mass or more. The upper limit is preferably 40% by mass or less, more preferably 38% by mass or less, and still more preferably 35% by mass or less from the viewpoint of improving the shape of the via hole.
<(D)シリカ>
樹脂組成物は、(D)成分として、シリカを含む。(D)シリカを樹脂組成物に用いることで、樹脂組成物の硬化物の熱膨張率を小さくでき、誘電正接も小さくできる。
<(D) silica>
The resin composition contains silica as component (D). By using (D) silica for the resin composition, the thermal expansion coefficient of the cured product of the resin composition can be reduced, and the dielectric loss tangent can also be reduced.
(D)シリカとしては、例えば、無定形シリカ、溶融シリカ、結晶シリカ、合成シリカ、中空シリカ等が挙げられ、球状シリカが好ましい。(D)シリカは、1種類単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。 Examples of (D) silica include amorphous silica, fused silica, crystalline silica, synthetic silica, hollow silica and the like, with spherical silica being preferred. The (D) silica may be used alone or in combination of two or more.
(D)シリカの市販品としては、例えば、日本触媒社製の「KE−P30」、新日鉄住金マテリアルズ社製の「SP60−05」、「SP507−05」;アドマテックス社製の「YC100C」、「YA050C」、「YA050C−MJE」、「YA010C」;デンカ社製の「UFP−30」;トクヤマ社製の「シルフィルNSS−3N」、「シルフィルNSS−4N」、「シルフィルNSS−5N」;アドマテックス社製の「SC2500SQ」、「SO−C4」、「SO−C2」、「SO−C1」;などが挙げられる。 (D) As commercially available products of silica, for example, "KE-P30" manufactured by Nippon Shokubai Co., Ltd., "SP60-05" manufactured by Nippon Steel & Sumikin Materials Co., Ltd., "SP507-05"; "YC100C" manufactured by Admatechs Co., Ltd. “YA050C”, “YA050C-MJE”, “YA010C”; “UFP-30” manufactured by Denka; “Sylfil NSS-3N” manufactured by Tokuyama, “Sylfil NSS-4N”, “Sylfil NSS-5N”; "SC2500 SQ", "SO-C4", "SO-C2", "SO-C1";
通常、(D)シリカは、粒子の状態で樹脂組成物に含まれる。(D)シリカの平均粒径は、好ましくは0.01μm以上、より好ましくは0.05μm以上、特に好ましくは0.1μm以上であり、好ましくは3μm以下、より好ましくは2μm以下、さらに好ましくは1.5μm以下、1.0μm以下、0.5μm以下、0.3μm以下である。(D)シリカの平均粒径が前記の範囲にあることにより、薄膜の絶縁層であっても、絶縁信頼性に優れるようになり、ビアホールの壁面の抉れ部の発生を抑制することができる。また、通常は、樹脂組成物層の回路埋め込み性を向上させたり、絶縁層の表面粗さを小さくしたりできる。(D)シリカの平均粒径は、(C)水酸化マグネシウムの平均粒径と同様の方法にて測定することができる。 Usually, (D) silica is contained in the resin composition in the form of particles. (D) The average particle diameter of the silica is preferably 0.01 μm or more, more preferably 0.05 μm or more, particularly preferably 0.1 μm or more, preferably 3 μm or less, more preferably 2 μm or less, still more preferably 1 .5 μm or less, 1.0 μm or less, 0.5 μm or less, 0.3 μm or less. (D) By the average particle diameter of silica being in the above range, even in the case of a thin film insulating layer, the insulation reliability becomes excellent, and the generation of the rounded portion of the wall surface of the via hole can be suppressed. . Also, usually, the circuit embedding property of the resin composition layer can be improved, or the surface roughness of the insulating layer can be reduced. The average particle diameter of (D) silica can be measured by the same method as the average particle diameter of (C) magnesium hydroxide.
(D)シリカの比表面積は、ビアホールの形状のコントロールを容易にして良好な形状を実現する観点から、好ましくは15m2/g以上、より好ましくは20m2/g以上、特に好ましくは30m2/g以上である。上限に特段の制限は無いが、好ましくは60m2/g以下、50m2/g以下又は40m2/g以下である。シリカの比表面積は、BET法によって測定できる。 The specific surface area of (D) silica, from the viewpoint of to facilitate the control of the shape of the via hole to achieve a good shape, preferably 15 m 2 / g or more, more preferably 20 m 2 / g or more, particularly preferably 30 m 2 / It is more than g. The upper limit is not particularly limited, but preferably 60 m 2 / g or less, 50 m 2 / g or less, or 40 m 2 / g or less. The specific surface area of silica can be measured by the BET method.
(D)シリカは、耐湿性及び分散性を高める観点から、表面処理剤で処理されていてもよい。表面処理剤としては、(C)水酸化マグネシウムにおける表面処理剤と同様のものを使用することができる。表面処理剤による表面処理の程度は、(C)水酸化マグネシウムの場合と同様である。 (D) The silica may be treated with a surface treatment agent from the viewpoint of enhancing the moisture resistance and the dispersibility. As the surface treatment agent, the same as the surface treatment agent in (C) magnesium hydroxide can be used. The degree of surface treatment with the surface treatment agent is the same as in the case of (C) magnesium hydroxide.
(D)シリカの含有量は、所望の効果を得る観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、好ましくは3質量%以上、より好ましくは10質量%以上、さらに好ましくは20質量%以上、25質量%以上である。上限は、好ましくは60質量%以下、より好ましくは55質量%以下、さらに好ましくは50質量%以下である。 The content of the (D) silica is preferably 3% by mass or more, more preferably 10% by mass or more, and still more preferably from 100% by mass of the non-volatile component in the resin composition, from the viewpoint of obtaining desired effects. It is 20 mass% or more and 25 mass% or more. The upper limit is preferably 60% by mass or less, more preferably 55% by mass or less, and still more preferably 50% by mass or less.
(D)シリカ及び(C)水酸化マグネシウムの合計含有量は、ハローイング現象をより効果的に抑制する観点から、樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合、好ましくは30質量%以上、より好ましくは40質量%以上、さらに好ましくは50質量%以上である。上限は、好ましくは80質量%以下、より好ましくは70質量%以下、さらに好ましくは60質量%以下である。 The total content of (D) silica and (C) magnesium hydroxide is preferably 30% by mass, based on 100% by mass of non-volatile components in the resin composition, from the viewpoint of suppressing haloing more effectively. The content is more preferably 40% by mass or more, further preferably 50% by mass or more. The upper limit is preferably 80% by mass or less, more preferably 70% by mass or less, and still more preferably 60% by mass or less.
<(E)熱可塑性樹脂>
樹脂組成物は、上述した成分以外に、任意の成分として、更に(E)熱可塑性樹脂を含んでいてもよい。
<(E) Thermoplastic resin>
The resin composition may further contain (E) a thermoplastic resin as an optional component, in addition to the components described above.
(E)成分としての熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエステル樹脂等が挙げられる。中でも、本発明の所望の効果を顕著に得る観点、並びに、表面粗さが小さく導体層との密着性に特に優れる絶縁層を得る観点から、フェノキシ樹脂が好ましい。また、熱可塑性樹脂は、1種類単独で用いてもよく、又は2種類以上を組み合わせて用いてもよい。 Examples of the thermoplastic resin as component (E) include phenoxy resin, polyvinyl acetal resin, polyolefin resin, polybutadiene resin, polyimide resin, polyamide imide resin, polyether imide resin, polysulfone resin, polyether sulfone resin, polyphenylene ether resin And polycarbonate resins, polyether ether ketone resins, polyester resins and the like. Among them, phenoxy resins are preferable from the viewpoint of obtaining the desired effects of the present invention remarkably and from the viewpoint of obtaining an insulating layer which is small in surface roughness and particularly excellent in adhesion to a conductor layer. The thermoplastic resins may be used alone or in combination of two or more.
フェノキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA骨格、ビスフェノールF骨格、ビスフェノールS骨格、ビスフェノールアセトフェノン骨格、ノボラック骨格、ビフェニル骨格、フルオレン骨格、ジシクロペンタジエン骨格、ノルボルネン骨格、ナフタレン骨格、アントラセン骨格、アダマンタン骨格、テルペン骨格、及びトリメチルシクロヘキサン骨格からなる群から選択される1種類以上の骨格を有するフェノキシ樹脂が挙げられる。フェノキシ樹脂の末端は、フェノール性水酸基、エポキシ基等のいずれの官能基でもよい。 As the phenoxy resin, for example, bisphenol A skeleton, bisphenol F skeleton, bisphenol S skeleton, bisphenol acetophenone skeleton, novolac skeleton, biphenyl skeleton, biphenyl skeleton, fluorene skeleton, dicyclopentadiene skeleton, norbornene skeleton, naphthalene skeleton, anthracene skeleton, adamantane skeleton, terpene The phenoxy resin which has frame | skeleton and one or more types of frame | skeleton selected from the group which consists of trimethyl cyclohexane frame | skeleton is mentioned. The terminal of the phenoxy resin may be any functional group such as phenolic hydroxyl group and epoxy group.
フェノキシ樹脂の具体例としては、三菱ケミカル社製の「1256」及び「4250」(いずれもビスフェノールA骨格含有フェノキシ樹脂);三菱ケミカル社製の「YX8100」(ビスフェノールS骨格含有フェノキシ樹脂);三菱ケミカル社製の「YX6954」(ビスフェノールアセトフェノン骨格含有フェノキシ樹脂);新日鉄住金化学社製の「FX280」及び「FX293」;三菱ケミカル社製の「YL7500BH30」、「YX6954BH30」、「YX7553」、「YX7553BH30」、「YL7769BH30」、「YL6794」、「YL7213」、「YL7290」及び「YL7482」;等が挙げられる。 As a specific example of phenoxy resin, "1256" and "4250" (all are bisphenol A frame | skeleton containing phenoxy resin) by Mitsubishi Chemical Co., Ltd .; "YX8100" (bisphenol S frame | skeleton containing phenoxy resin) by Mitsubishi Chemical Co., Ltd .; Company's "YX6954" (bisphenol acetophenone skeleton-containing phenoxy resin); "FX280" and "FX293" manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd .; “YL 7769 BH30”, “YL 6794”, “YL 7213”, “YL 7290” and “YL 748 2”;
ポリビニルアセタール樹脂としては、例えば、ポリビニルホルマール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂が挙げられ、ポリビニルブチラール樹脂が好ましい。ポリビニルアセタール樹脂の具体例としては、電気化学工業社製の「電化ブチラール4000−2」、「電化ブチラール5000−A」、「電化ブチラール6000−C」、「電化ブチラール6000−EP」;積水化学工業社製のエスレックBHシリーズ、BXシリーズ(例えばBX−5Z)、KSシリーズ(例えばKS−1)、BLシリーズ、BMシリーズ;等が挙げられる。 As polyvinyl acetal resin, polyvinyl formal resin, polyvinyl butyral resin is mentioned, for example, Polyvinyl butyral resin is preferable. As a specific example of polyvinyl acetal resin, "Electric charge butyral 4000-2", "electric charge butyral 5000-A", "electric charge butyral 6000-C", "electric charge butyral 6000-EP" made by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd .; Sekisui Chemical Co., Ltd. Elek BH series, BX series (for example, BX-5Z), KS series (for example, KS-1), BL series, BM series;
ポリイミド樹脂の具体例としては、新日本理化社製の「リカコートSN20」及び「リカコートPN20」が挙げられる。ポリイミド樹脂の具体例としてはまた、2官能性ヒドロキシル基末端ポリブタジエン、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を反応させて得られる線状ポリイミド(特開2006−37083号公報記載のポリイミド)、ポリシロキサン骨格含有ポリイミド(特開2002−12667号公報及び特開2000−319386号公報等に記載のポリイミド)等の変性ポリイミドが挙げられる。 As a specific example of a polyimide resin, "Rika coat SN20" and "Rika coat PN20" by Shin Nippon Rika Co., Ltd. are mentioned. Specific examples of the polyimide resin also include a linear polyimide (polyimide described in JP-A-2006-37083) obtained by reacting a bifunctional hydroxyl group-terminated polybutadiene, a diisocyanate compound and a tetrabasic acid anhydride, and a polysiloxane skeleton Modified polyimides such as contained polyimides (polyimides described in JP-A-2002-12667 and JP-A-2000-319386) can be mentioned.
ポリアミドイミド樹脂の具体例としては、東洋紡社製の「バイロマックスHR11NN」及び「バイロマックスHR16NN」が挙げられる。ポリアミドイミド樹脂の具体例としてはまた、日立化成社製の「KS9100」、「KS9300」(ポリシロキサン骨格含有ポリアミドイミド)等の変性ポリアミドイミドが挙げられる。 As a specific example of polyamide imide resin, Toyobo Co., Ltd. "Viromax HR11NN" and "Viromax HR16NN" are mentioned. Specific examples of the polyamideimide resin also include modified polyamideimides such as "KS9100" and "KS9300" (polysiloxane skeleton-containing polyamideimide) manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.
ポリエーテルスルホン樹脂の具体例としては、住友化学社製の「PES5003P」等が挙げられる。 As a specific example of polyether sulfone resin, Sumitomo Chemical Co., Ltd. "PES5003P" etc. are mentioned.
ポリフェニレンエーテル樹脂の具体例としては、三菱ガス化学社製のオリゴフェニレンエーテル・スチレン樹脂「OPE−2St 1200」等が挙げられる。 As a specific example of polyphenylene ether resin, oligo phenylene ether styrene resin "OPE-2St 1200" made by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd., etc. may be mentioned.
ポリスルホン樹脂の具体例としては、ソルベイアドバンストポリマーズ社製のポリスルホン「P1700」、「P3500」等が挙げられる。 Specific examples of the polysulfone resin include polysulfone "P1700" and "P3500" manufactured by Solvay Advanced Polymers.
(E)熱可塑性樹脂の重量平均分子量(Mw)は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、好ましくは8,000以上、より好ましくは10,000以上、特に好ましくは20,000以上であり、好ましくは70,000以下、より好ましくは60,000以下、特に好ましくは50,000以下である。 The weight average molecular weight (Mw) of the thermoplastic resin (E) is preferably 8,000 or more, more preferably 10,000 or more, particularly preferably 20,000 or more, from the viewpoint of obtaining the desired effects of the present invention remarkably. And preferably 70,000 or less, more preferably 60,000 or less, and particularly preferably 50,000 or less.
(E)熱可塑性樹脂を使用する場合、樹脂組成物における(E)熱可塑性樹脂の量は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、樹脂組成物中の樹脂成分100質量%に対して、好ましくは0.1質量%以上、より好ましくは0.5質量%以上、さらに好ましくは1質量%以上であり、好ましくは15質量%以下、より好ましくは12質量%以下、さらに好ましくは10質量%以下である。 When (E) a thermoplastic resin is used, the amount of the (E) thermoplastic resin in the resin composition is preferably 100% by mass of the resin component in the resin composition from the viewpoint of obtaining the desired effects of the present invention. Is preferably 0.1% by mass or more, more preferably 0.5% by mass or more, still more preferably 1% by mass or more, preferably 15% by mass or less, more preferably 12% by mass or less, still more preferably 10% by mass. It is less than mass%.
<(F)硬化促進剤>
樹脂組成物は、上述した成分以外に、任意の成分として、更に、(F)硬化促進剤を含んでいてもよい。
<(F) Hardening accelerator>
The resin composition may further contain (F) a curing accelerator as an optional component, in addition to the components described above.
硬化促進剤としては、例えば、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、グアニジン系硬化促進剤、金属系硬化促進剤等が挙げられる。中でも、リン系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤が好ましく、アミン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、金属系硬化促進剤がより好ましい。硬化促進剤は、1種類単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。 Examples of the curing accelerator include phosphorus-based curing accelerators, amine-based curing accelerators, imidazole-based curing accelerators, guanidine-based curing accelerators, metal-based curing accelerators, and the like. Among them, phosphorus-based curing accelerators, amine-based curing accelerators, imidazole-based curing accelerators, and metal-based curing accelerators are preferable, and amine-based curing accelerators, imidazole-based curing accelerators, and metal-based curing accelerators are more preferable. The curing accelerator may be used alone or in combination of two or more.
リン系硬化促進剤としては、例えば、トリフェニルホスフィン、ホスホニウムボレート化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、n−ブチルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩、(4−メチルフェニル)トリフェニルホスホニウムチオシアネート、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、ブチルトリフェニルホスホニウムチオシアネート等が挙げられ、トリフェニルホスフィン、テトラブチルホスホニウムデカン酸塩が好ましい。 As a phosphorus-based curing accelerator, for example, triphenylphosphine, phosphonium borate compounds, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, n-butylphosphonium tetraphenylborate, tetrabutylphosphonium decanoate, (4-methylphenyl) triphenylphosphonium thiocyanate Tetraphenyl phosphonium thiocyanate, butyl triphenyl phosphonium thiocyanate and the like, and triphenyl phosphine and tetrabutyl phosphonium decanoate are preferable.
アミン系硬化促進剤としては、例えば、トリエチルアミン、トリブチルアミン等のトリアルキルアミン、4−ジメチルアミノピリジン、ベンジルジメチルアミン、2,4,6,−トリス(ジメチルアミノメチル)フェノール、1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)−ウンデセン等が挙げられ、4−ジメチルアミノピリジン、1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)−ウンデセンが好ましい。 Examples of amine curing accelerators include trialkylamines such as triethylamine and tributylamine, 4-dimethylaminopyridine, benzyldimethylamine, 2,4,6-tris (dimethylaminomethyl) phenol, 1,8-diazabicyclo Examples include (5,4,0) -undecene and the like, with preference given to 4-dimethylaminopyridine and 1,8-diazabicyclo (5,4,0) -undecene.
イミダゾール系硬化促進剤としては、例えば、2−メチルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、1,2−ジメチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、1,2−ジメチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール、1−シアノエチル−2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−ウンデシルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−エチル−4’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加物、2−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、2,3−ジヒドロ−1H−ピロロ[1,2−a]ベンズイミダゾール、1−ドデシル−2−メチル−3−ベンジルイミダゾリウムクロライド、2−メチルイミダゾリン、2−フェニルイミダゾリン等のイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂とのアダクト体が挙げられ、2−エチル−4−メチルイミダゾール、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾールが好ましい。 Examples of the imidazole-based curing accelerator include 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl- 2 Phenylimidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6- [2′-methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2′-undecylimidazolyl- (1 ′)]-Ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6- [2′-ethyl-4′-methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino- 6- [2'-Methylimidazolyl- (1 ')]-ethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, 2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl- 4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2,3-dihydro-1H-pyrrolo [1,2-a] benzimidazole, 1-dodecyl-2-methyone And imidazole compounds such as 3-benzylimidazolium chloride, 2-methylimidazoline, 2-phenylimidazoline and adducts of the imidazole compound with an epoxy resin, and 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-ylimidazole. Phenylimidazole is preferred.
イミダゾール系硬化促進剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、三菱ケミカル社製の「P200−H50」等が挙げられる。 A commercial item may be used as an imidazole series hardening accelerator, for example, "P200-H50" by Mitsubishi Chemical Corporation etc. is mentioned.
グアニジン系硬化促進剤としては、例えば、ジシアンジアミド、1−メチルグアニジン、1−エチルグアニジン、1−シクロヘキシルグアニジン、1−フェニルグアニジン、1−(o−トリル)グアニジン、ジメチルグアニジン、ジフェニルグアニジン、トリメチルグアニジン、テトラメチルグアニジン、ペンタメチルグアニジン、1,5,7−トリアザビシクロ[4.4.0]デカ−5−エン、7−メチル−1,5,7−トリアザビシクロ[4.4.0]デカ−5−エン、1−メチルビグアニド、1−エチルビグアニド、1−n−ブチルビグアニド、1−n−オクタデシルビグアニド、1,1−ジメチルビグアニド、1,1−ジエチルビグアニド、1−シクロヘキシルビグアニド、1−アリルビグアニド、1−フェニルビグアニド、1−(o−トリル)ビグアニド等が挙げられ、ジシアンジアミド、1,5,7−トリアザビシクロ[4.4.0]デカ−5−エンが好ましい。 As the guanidine-based curing accelerator, for example, dicyandiamide, 1-methyl guanidine, 1-ethyl guanidine, 1-cyclohexyl guanidine, 1-phenyl guanidine, 1- (o-tolyl) guanidine, dimethyl guanidine, diphenyl guanidine, trimethyl guanidine, Tetramethylguanidine, pentamethylguanidine, 1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] dec-5-ene, 7-methyl-1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] Dec-5-ene, 1-methyl biguanide, 1-ethyl biguanide, 1-n-butyl biguanide, 1-n-octadecyl biguanide, 1,1-dimethyl biguanide, 1,1-diethyl biguanide, 1-cyclohexyl biguanide, 1 -Allyl biguanide, 1-phenyl biguanide, 1-( - tolyl) biguanide, and the like, dicyandiamide, 1,5,7-triazabicyclo [4.4.0] dec-5-ene are preferred.
金属系硬化促進剤としては、例えば、コバルト、銅、亜鉛、鉄、ニッケル、マンガン、スズ等の金属の、有機金属錯体又は有機金属塩が挙げられる。有機金属錯体の具体例としては、コバルト(II)アセチルアセトナート、コバルト(III)アセチルアセトナート等の有機コバルト錯体、銅(II)アセチルアセトナート等の有機銅錯体、亜鉛(II)アセチルアセトナート等の有機亜鉛錯体、鉄(III)アセチルアセトナート等の有機鉄錯体、ニッケル(II)アセチルアセトナート等の有機ニッケル錯体、マンガン(II)アセチルアセトナート等の有機マンガン錯体等が挙げられる。有機金属塩としては、例えば、オクチル酸亜鉛、オクチル酸錫、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、ステアリン酸スズ、ステアリン酸亜鉛等が挙げられる。 Examples of the metal-based curing accelerator include organic metal complexes or organic metal salts of metals such as cobalt, copper, zinc, iron, nickel, manganese, and tin. Specific examples of the organic metal complex include organic cobalt complexes such as cobalt (II) acetylacetonate and cobalt (III) acetylacetonate, organic copper complexes such as copper (II) acetylacetonate, zinc (II) acetylacetonate Organic zinc complexes such as iron (III) acetylacetonate, organic nickel complexes such as nickel (II) acetylacetonate, organic manganese complexes such as manganese (II) acetylacetonate, and the like. Examples of the organic metal salt include zinc octylate, tin octylate, zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin stearate, zinc stearate and the like.
(F)硬化促進剤を使用する場合、樹脂組成物における(F)硬化促進剤の量は、本発明の所望の効果を顕著に得る観点から、樹脂組成物の樹脂成分100質量%に対して、好ましくは0.01質量%以上、より好ましくは0.05質量%以上、さらに好ましくは0.1質量%以上であり、好ましくは1.5質量%以下、より好ましくは1質量%以下、さらに好ましくは0.5質量%以下である。 When the curing accelerator (F) is used, the amount of the curing accelerator (F) in the resin composition is preferably 100% by mass of the resin component of the resin composition from the viewpoint of significantly achieving the desired effects of the present invention. Is preferably 0.01% by mass or more, more preferably 0.05% by mass or more, still more preferably 0.1% by mass or more, preferably 1.5% by mass or less, more preferably 1% by mass or less Preferably it is 0.5 mass% or less.
<(G)任意の添加剤>
樹脂組成物は、上述した成分以外に、任意の成分として、更に任意の添加剤を含んでいてもよい。このような添加剤としては、例えば、有機充填材;増粘剤、消泡剤、レベリング剤、密着性付与剤等の樹脂添加剤;などが挙げられる。これらの添加剤は、1種類単独で用いてもよく、2種類以上を組み合わせて用いてもよい。
<(G) Optional Additive>
The resin composition may further contain optional additives as optional components in addition to the components described above. Examples of such additives include organic fillers; resin additives such as thickeners, antifoaming agents, leveling agents, adhesion imparting agents, and the like. These additives may be used alone or in combination of two or more.
<樹脂組成物層の厚み>
樹脂組成物層は、上述した樹脂組成物で形成された層であって、所定値以下の厚みを有する。樹脂組成物層の具体的な厚みは、通常15μm以下、好ましくは14μm以下、更に好ましくは12μm以下である。従来、プリント配線板の絶縁層形成用の樹脂組成物層の厚みは、これよりも厚いことが一般的であった。これに対し、本発明者が、一般的な組成の樹脂組成物層を前記のように薄くしたところ、そのような薄い樹脂組成物層では、ハローイング現象の発生という、従来知られていなかった課題が生じることを見い出した。このような新たな課題を解決してプリント配線板の薄膜化に寄与する観点から、本発明の樹脂組成物層は、前記のように薄く設けられる。樹脂組成物層の厚みの下限は、任意であり、例えば1μm以上、3μm以上としうる。
<Thickness of Resin Composition Layer>
The resin composition layer is a layer formed of the above-described resin composition, and has a thickness equal to or less than a predetermined value. The specific thickness of the resin composition layer is usually 15 μm or less, preferably 14 μm or less, and more preferably 12 μm or less. Conventionally, the thickness of a resin composition layer for forming an insulating layer of a printed wiring board is generally thicker than this. On the other hand, when the present inventors made the resin composition layer of a general composition thin as described above, such a thin resin composition layer was not conventionally known to generate haloing phenomenon. I found that a problem arises. From the viewpoint of solving such new problems and contributing to thinning of the printed wiring board, the resin composition layer of the present invention is provided thin as described above. The lower limit of the thickness of the resin composition layer is arbitrary, and may be, for example, 1 μm or more and 3 μm or more.
<樹脂組成物層の特性>
本発明の樹脂組成物層を硬化させることにより、樹脂組成物層の硬化物で形成された薄い絶縁層を得ることができる。この絶縁層にビアホールを形成した場合に、ビアホールの周囲の絶縁層の樹脂が変色するハローイング現象を抑制することができる。以下、これらの効果について、図面を参照して説明する。
<Characteristics of Resin Composition Layer>
By curing the resin composition layer of the present invention, a thin insulating layer formed of a cured product of the resin composition layer can be obtained. When a via hole is formed in the insulating layer, it is possible to suppress the haloing phenomenon that the resin of the insulating layer around the via hole is discolored. Hereinafter, these effects will be described with reference to the drawings.
図1は、本発明の第一実施形態に係る樹脂組成物層を硬化させて得た絶縁層100を、内層基板200と共に模式的に示す断面図である。この図1においては、ビアホール110のボトム120の中心120Cを通り且つ絶縁層100の厚み方向に平行な平面で、絶縁層100を切断した断面を示す。
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing an insulating
図1に示すように、本発明の第一実施形態に係る絶縁層100は、導体層210を含む内層基板200上に形成された樹脂組成物層を硬化させて得られた層であって、前記樹脂組成物層の硬化物からなる。また、絶縁層100には、ビアホール110が形成されている。ビアホール110は、一般に、導体層210とは反対側の絶縁層100の面100Uに近いほど径が大きく、導体層210に近いほど径が小さい順テーパ状に形成され、理想的には、絶縁層100の厚み方向において一定の径を有する柱状に形成される。このビアホール110は、通常、導体層210とは反対側の絶縁層100の面100Uにレーザー光を照射して、絶縁層100の一部を除去することで、形成される。
As shown in FIG. 1, the insulating
前記のビアホール110の導体層210側のボトムを、適宜「ビアボトム」と呼び、符号120で示す。そして、このビアボトム120の径を、ボトム径Lbと呼ぶ。また、ビアホール110の導体層210とは反対側に形成された開口を、適宜「ビアトップ」と呼び、符号130で示す。そして、このビアトップ130の径を、トップ径Ltと呼ぶ。通常、ビアボトム120及びビアトップ130は、絶縁層100の厚み方向から見た平面形状が円形状に形成されるが、楕円形状であってもよい。ビアボトム120及びビアトップ130の平面形状が楕円形状である場合、そのボトム径Lb及びトップ径Ltは、それぞれ、前記の楕円形状の長径を表す。
The bottom of the via
このとき、ボトム径Lbをトップ径Ltで割って得られるテーパー率Lb/Lt(%)が100%に近いほど、そのビアホール110の形状は良好である。本発明の樹脂組成物層を用いれば、ビアホール110の形状を容易に制御することが可能であるので、テーパー率Lb/Ltが100%に近いビアホール110を実現することができる。ビアホールのテーパー率とは、ビアホールのトップ径に対するボトム径の比率をいう。
At this time, as the taper ratio Lb / Lt (%) obtained by dividing the bottom diameter Lb by the top diameter Lt is closer to 100%, the shape of the via
例えば、樹脂組成物層を100℃で30分間加熱し、次いで180℃で30分間加熱して硬化させて得た絶縁層100に、マスク径1mm、パルス幅16μs、エネルギー0.2mJ/ショット、ショット数2、バーストモード(10kHz)の条件でCO2レーザー光を照射して、トップ径Ltが30μm±2μmのビアホール110を形成した場合、そのビアホール110のテーパー率Lb/Ltを、好ましくは75%〜100%、より好ましくは80%〜100%、特に好ましくは85%〜100%にできる。
For example, the resin composition layer is heated at 100 ° C. for 30 minutes and then cured by heating at 180 ° C. for 30 minutes to form an insulating
ビアホール110のテーパー率Lb/Ltは、ビアホール110のボトム径Lb及びトップ径Ltから計算できる。また、ビアホール110のボトム径Lb及びトップ径Ltは、FIB(集束イオンビーム)を用いて、絶縁層100を、当該絶縁層100の厚み方向に平行で且つビアボトム120の中心120Cを通る断面が現れるように削り出した後、その断面を電子顕微鏡で観察することにより、測定できる。
The taper ratio Lb / Lt of the via
図2は、本発明の第一実施形態に係る樹脂組成物層を硬化させて得た絶縁層100の、導体層210(図2では図示せず。)とは反対側の面100Uを模式的に示す平面図である。
FIG. 2 schematically shows the
図2に示すように、ビアホール110を形成された絶縁層100を見ると、ハローイング現象により、このビアホール110の周囲に、絶縁層100が変色した変色部140が観察されることがある。この変色部140は、ビアホール110の形成時における樹脂劣化によって形成されうるもので、通常、ビアホール110から連続して形成される。また、多くの場合、変色部140は、白化部分となっている。
As shown in FIG. 2, when looking at the insulating
図3は、本発明の第一実施形態に係る樹脂組成物層を硬化させて得た、粗化処理後の絶縁層100を、内層基板200と共に模式的に示す断面図である。この図3においては、ビアホール110のビアボトム120の中心120Cを通り且つ絶縁層100の厚み方向に平行な平面で、絶縁層100を切断した断面を示す。
図3に示すように、ビアホール110が形成された絶縁層100に粗化処理を施すと、変色部140の絶縁層100が導体層210から剥離し、ビアボトム120のエッジ150から連続した間隙部160が形成されることがある。この間隙部160は、通常、粗化処理の際に変色部140が浸食されて形成される。
FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing the roughened insulating
As shown in FIG. 3, when the insulating
本発明の樹脂組成物層を用いることにより、前記のハローイング現象を抑制できる。そのため、変色部140のサイズを小さくすることができる。よって、導体層210からの絶縁層100の剥離を抑制することができるので、間隙部160のサイズを小さくできる。
By using the resin composition layer of the present invention, the above-mentioned haloing phenomenon can be suppressed. Therefore, the size of the
図3に示すように、本発明の樹脂組成物層を用いることにより、変色部140のサイズを小さくでき、理想的には変色部140を無くすことができる。変色部140のサイズは、ビアホール110のビアトップ130のエッジ180からのハローイング距離Wtによって評価できる。
As shown in FIG. 3, by using the resin composition layer of the present invention, the size of the
ビアトップ130のエッジ180は、変色部140の内周側の縁部に相当する。ビアトップ130のエッジ180からのハローイング距離Wtとは、ビアトップ130のエッジ180から、変色部140の外周側の縁部190までの距離を表す。ビアトップ130のエッジ180からのハローイング距離Wtが小さいほど、変色部140の形成を効果的に抑制できたと評価できる。
The
例えば、樹脂組成物層を100℃で30分間加熱し、次いで180℃で30分間加熱して硬化させて得た絶縁層100に、マスク径1mm、パルス幅16μs、エネルギー0.2mJ/ショット、ショット数2、バーストモード(10kHz)の条件でCO2レーザー光を照射して、トップ径Ltが30μm±2μmのビアホール110を形成した場合、ビアトップ130のエッジ180からのハローイング距離Wtを、好ましくは6μm以下、より好ましくは5μm以下にできる。
For example, the resin composition layer is heated at 100 ° C. for 30 minutes and then cured by heating at 180 ° C. for 30 minutes to form an insulating
ビアトップ130のエッジ180からのハローイング距離Wtは、光学顕微鏡による観察によって測定できる。
The haloing distance Wt from the
また、本発明者の検討によれば、一般に、ビアホール110の径が大きいほど、変色部140のサイズが大きくなり易い傾向があることが判明している。よって、ビアホール110の径に対する変色部140のサイズの比率によって、変色部140の形成の抑制の程度を評価できる。例えば、ビアホール110のトップ半径Lt/2に対するハローイング比Htにより、評価ができる。ここで、ビアホール110のトップ半径Lt/2とは、ビアホール110のビアトップ130の半径をいう。また、ビアホール110のトップ半径Lt/2に対するハローイング比Htとは、ビアトップ130のエッジ180からのハローイング距離Wtを、ビアホール110のトップ半径Lt/2で割って得られる比率である。ビアホール110のトップ半径Lt/2に対するハローイング比Htが小さいほど、変色部140の形成を効果的に抑制できたことを表す。
In addition, according to the study of the present inventor, it is generally found that the larger the diameter of the via
例えば、樹脂組成物層を100℃で30分間加熱し、次いで180℃で30分間加熱して硬化させて得た絶縁層100に、マスク径1mm、パルス幅16μs、エネルギー0.2mJ/ショット、ショット数2、バーストモード(10kHz)の条件でCO2レーザー光を照射して、トップ径Ltが30μm±2μmのビアホール110を形成した場合、ビアホール110のトップ半径Lt/2に対するハローイング比Htを、好ましくは45%以下、より好ましくは40%以下、更に好ましくは35%以下にできる。
For example, the resin composition layer is heated at 100 ° C. for 30 minutes and then cured by heating at 180 ° C. for 30 minutes to form an insulating
ビアホール110のトップ半径Lt/2に対するハローイング比Htは、ビアホール110のトップ径Lt、及び、ビアホール110のビアトップ130のエッジ180からのハローイング距離Wtから計算できる。
The haloing ratio Ht to the top radius Lt / 2 of the via
ビアボトム120のエッジ150は、間隙部160の内周側の縁部に相当する。よって、ビアボトム120のエッジ150から、間隙部160の外周側の端部(即ち、ビアボトム120の中心120Cから遠い側の端部)170までの距離Wbは、間隙部160の面内方向のサイズに相当する。ここで、面内方向とは、絶縁層100の厚み方向に垂直な方向をいう。また、以下の説明において、前記の距離Wbを、ビアホール110のビアボトム120のエッジ150からのハローイング距離Wbということがある。このビアボトム120のエッジ150からのハローイング距離Wbにより、ハローイング現象の抑制の程度を評価できる。具体的には、ビアボトム120のエッジ150からのハローイング距離Wbが小さいほど、ハローイング現象を効果的に抑制できたと評価できる。
The
例えば、樹脂組成物層を100℃で30分間加熱し、次いで180℃で30分間加熱して硬化させて得た絶縁層100に、マスク径1mm、パルス幅16μs、エネルギー0.2mJ/ショット、ショット数2、バーストモード(10kHz)の条件でCO2レーザー光を照射して、トップ径Ltが30μm±2μmのビアホール110を形成する。その後、膨潤液に60℃で10分間浸漬し、次いで、酸化剤溶液に80℃で20分間浸漬し、次いで、中和液に40℃で5分間浸漬した後、80℃で15分間乾燥する。本発明の樹脂組成物層を用いれば、このようにして得られた絶縁層100のビアホール110のビアボトム120のエッジ150からのハローイング距離Wbを、好ましくは10μm以下、より好ましくは5μm以下、更に好ましくは4μm以下、特に好ましくは3μm以下にできる。
For example, the resin composition layer is heated at 100 ° C. for 30 minutes and then cured by heating at 180 ° C. for 30 minutes to form an insulating
ビアボトム120のエッジ150からのハローイング距離Wbは、FIB(集束イオンビーム)を用いて、絶縁層100を、当該絶縁層100の厚み方向に平行で且つビアボトム120の中心120Cを通る断面が現れるように削り出した後、その断面を電子顕微鏡で観察することにより、測定できる。
The haloing distance Wb from the
また、本発明の樹脂組成物層を用いることにより、粗化処理前の絶縁層100のビアホール110の形状を容易に制御できるので、通常は、粗化処理後の絶縁層100でも、ビアホール110の形状を容易に制御することが可能である。よって、粗化処理後においても、粗化処理前と同じく、ビアホール110の形状を良好にできる。したがって、本発明の樹脂組成物層を用いれば、粗化処理後の絶縁層において、テーパー率Lb/Ltが100%に近いビアホール110を実現することができる。
Further, by using the resin composition layer of the present invention, since the shape of the via
例えば、樹脂組成物層を100℃で30分間加熱し、次いで180℃で30分間加熱して硬化させて得た絶縁層100に、マスク径1mm、パルス幅16μs、エネルギー0.2mJ/ショット、ショット数2、バーストモード(10kHz)の条件でCO2レーザー光を照射して、トップ径Ltが30μm±2μmのビアホール110を形成する。その後、膨潤液に60℃で10分間浸漬し、次いで、酸化剤溶液に80℃で20分間浸漬し、次いで、中和液に40℃で5分間浸漬した後、80℃で15分間乾燥する。本発明の樹脂組成物層を用いれば、このようにして得られた絶縁層100に形成されたビアホール110のテーパー率Lb/Ltを、好ましくは76%〜100%、より好ましくは80%〜100%、特に好ましくは85%〜100%にできる。
For example, the resin composition layer is heated at 100 ° C. for 30 minutes and then cured by heating at 180 ° C. for 30 minutes to form an insulating
ビアホール110のテーパー率Lb/Ltは、ビアホール110のボトム径Lb及びトップ径Ltから計算できる。また、ビアホール110のボトム径Lb及びトップ径Ltは、FIB(集束イオンビーム)を用いて、絶縁層100を、当該絶縁層100の厚み方向に平行で且つビアボトム120の中心120Cを通る断面が現れるように削り出した後、その断面を電子顕微鏡で観察することにより、測定できる。
The taper ratio Lb / Lt of the via
さらに、本発明者の検討によれば、一般に、ビアホール110の径が大きいほど、変色部140のサイズが大きくなり易いので、間隙部160のサイズも大きくなり易い傾向があることが判明している。よって、ビアホール110の径に対する間隙部160のサイズの比率によって、ハローイング現象の抑制の程度を評価できる。例えば、ビアホール110のボトム半径Lb/2に対するハローイング比Hbにより、評価ができる。ここで、ビアホール110のボトム半径Lb/2とは、ビアホール110のビアボトム120の半径をいう。また、ビアホール110のボトム半径Lb/2に対するハローイング比Hbとは、ビアボトム120のエッジ150からのハローイング距離Wbを、ビアホール110のボトム半径Lb/2で割って得られる比率である。ビアホール110のボトム半径Lb/2に対するハローイング比Hbが小さいほど、ハローイング現象を効果的に抑制できたことを表す。
Furthermore, according to the study of the inventor of the present invention, it has been found that, generally, the larger the diameter of the via
例えば、樹脂組成物層を100℃で30分間加熱し、次いで180℃で30分間加熱して硬化させて得た絶縁層100に、マスク径1mm、パルス幅16μs、エネルギー0.2mJ/ショット、ショット数2、バーストモード(10kHz)の条件でCO2レーザー光を照射して、トップ径Ltが30μm±2μmのビアホール110を形成する。その後、膨潤液に60℃で10分間浸漬し、次いで、酸化剤溶液に80℃で20分間浸漬し、次いで、中和液に40℃で5分間浸漬した後、80℃で15分間乾燥する。本発明の樹脂組成物層を用いれば、このようにして得られた絶縁層100に形成されたビアホール110のボトム半径Lb/2に対するハローイング比Hbを、好ましくは50%以下、より好ましくは40%以下、更に好ましくは30%以下にできる。
For example, the resin composition layer is heated at 100 ° C. for 30 minutes and then cured by heating at 180 ° C. for 30 minutes to form an insulating
ビアホール110のボトム半径Lb/2に対するハローイング比Hbは、ビアホール110のボトム径Lb、及び、ビアホール110のビアボトム120のエッジ150からのハローイング距離Wbから計算できる。
The haloing ratio Hb to the bottom radius Lb / 2 of the via
プリント配線板の製造過程において、ビアホール110は、通常、導体層210とは反対側の絶縁層100の面100Uに別の導体層(図示せず)が設けられていない状態で、形成される。そのため、プリント配線板の製造過程が分かれば、導体層210側にビアボトム120があり、導体層210とは反対側にビアトップ130が開口している構造が、明確に認識できる。しかし、完成したプリント配線板では、絶縁層100の両側に導体層が設けられている場合がありうる。この場合、導体層との位置関係によってビアボトム120とビアトップ130とを区別することが難しいことがありえる。しかし、通常、ビアトップ130のトップ径Ltは、ビアボトム120のボトム径Lb以上の大きさである。したがって、前記の場合、径が大きさによって、ビアボトム120とビアトップ130とを区別することが可能である。
In the process of manufacturing the printed wiring board, the via
<樹脂組成物層の用途>
本発明の樹脂組成物層は、プリント配線板の絶縁層を形成するための樹脂組成物層(プリント配線板の絶縁層形成用の樹脂組成物層)として好適に使用することができ、更に、プリント配線板の層間絶縁層を形成するための樹脂組成物層(プリント配線板の層間絶縁層形成用の樹脂組成物層)としてより好適に使用することができる。
<Use of resin composition layer>
The resin composition layer of the present invention can be suitably used as a resin composition layer for forming an insulating layer of a printed wiring board (resin composition layer for forming an insulating layer of a printed wiring board), and It can use more suitably as a resin composition layer (The resin composition layer for interlayer insulation layer formation of a printed wiring board) for forming the interlayer insulation layer of a printed wiring board.
特に、ハローイング現象を抑制できる観点から、前記の樹脂組成物層は、ビアホールを有する絶縁層を形成するための樹脂組成物層(ビアホールを有する絶縁層形成用の樹脂組成物層)として好適であり、中でも、トップ径35μm以下のビアホールを有する絶縁層形成用の樹脂組成物層として特に好適である。 In particular, from the viewpoint of suppressing the haloing phenomenon, the resin composition layer is suitable as a resin composition layer (resin composition layer for forming an insulating layer having a via hole) for forming an insulating layer having a via hole. Among them, it is particularly suitable as a resin composition layer for forming an insulating layer having a via hole with a top diameter of 35 μm or less.
[樹脂シート]
本発明の樹脂シートは、支持体と、該支持体上に設けられた本発明の樹脂組成物層とを含む。
[Resin sheet]
The resin sheet of the present invention comprises a support and the resin composition layer of the present invention provided on the support.
支持体としては、例えば、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔、離型紙が挙げられ、プラスチック材料からなるフィルム、金属箔が好ましい。 Examples of the support include a film made of a plastic material, a metal foil, and a release paper, and a film made of a plastic material and a metal foil are preferable.
支持体としてプラスチック材料からなるフィルムを使用する場合、プラスチック材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(以下「PET」と略称することがある。)、ポリエチレンナフタレート(以下「PEN」と略称することがある。)等のポリエステル、ポリカーボネート(以下「PC」と略称することがある。)、ポリメチルメタクリレート(以下「PMMA」と略称することがある。)等のアクリルポリマー、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース(以下「TAC」と略称することがある。)、ポリエーテルサルファイド(以下「PES」と略称することがある。)、ポリエーテルケトン、ポリイミド等が挙げられる。中でも、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートが好ましく、安価なポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。 When a film made of a plastic material is used as the support, examples of the plastic material include polyethylene terephthalate (hereinafter sometimes abbreviated as "PET") and polyethylene naphthalate (hereinafter abbreviated as "PEN"). Etc.), polycarbonates (hereinafter sometimes abbreviated as "PC"), acrylic polymers such as polymethyl methacrylate (hereinafter sometimes abbreviated as "PMMA"), cyclic polyolefins, triacetyl cellulose "TAC" may be abbreviated), polyether sulfide (hereinafter sometimes abbreviated as "PES"), polyether ketone, polyimide and the like. Among them, polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate are preferable, and inexpensive polyethylene terephthalate is particularly preferable.
支持体として金属箔を使用する場合、金属箔としては、例えば、銅箔、アルミニウム箔等が挙げられ、銅箔が好ましい。銅箔としては、銅の単金属からなる箔を用いてもよく、銅と他の金属(例えば、スズ、クロム、銀、マグネシウム、ニッケル、ジルコニウム、ケイ素、チタン等)との合金からなる箔を用いてもよい。 When using metal foil as a support body, copper foil, aluminum foil etc. are mentioned as metal foil, for example, Copper foil is preferable. As the copper foil, a foil made of a single metal of copper may be used, and a foil made of an alloy of copper and another metal (for example, tin, chromium, silver, magnesium, nickel, zirconium, silicon, titanium, etc.) You may use.
支持体は、樹脂組成物層と接合する面に、マット処理、コロナ処理、帯電防止処理等の処理が施されていてもよい。 The surface of the support to be bonded to the resin composition layer may be subjected to treatments such as mat treatment, corona treatment, antistatic treatment and the like.
また、支持体としては、樹脂組成物層と接合する面に離型層を有する離型層付き支持体を使用してもよい。離型層付き支持体の離型層に使用する離型剤としては、例えば、アルキド樹脂、ポリオレフィン樹脂、ウレタン樹脂、及びシリコーン樹脂からなる群から選択される1種類以上の離型剤が挙げられる。離型層付き支持体は、市販品を用いてもよく、例えば、アルキド樹脂系離型剤を主成分とする離型層を有するPETフィルムである、リンテック社製の「SK−1」、「AL−5」、「AL−7」;東レ社製の「ルミラーT60」;帝人社製の「ピューレックス」;ユニチカ社製の「ユニピール」;等が挙げられる。 Moreover, as a support body, you may use the support body with a release layer which has a release layer in the surface joined to a resin composition layer. As the release agent used for the release layer of the support with release layer, for example, one or more types of release agents selected from the group consisting of alkyd resin, polyolefin resin, urethane resin, and silicone resin can be mentioned. . The release layer-provided support may be a commercially available product. For example, “SK-1” manufactured by Lintec Co., Ltd., which is a PET film having a release layer containing an alkyd resin-based release agent as a main component AL-5 "," AL-7 ";" Lumirror T60 "manufactured by Toray Industries, Inc .;" Purex "manufactured by Teijin Limited;" Uni-Pel "manufactured by Unitika; and the like.
支持体の厚みとしては、特に限定されないが、5μm〜75μmの範囲が好ましく、10μm〜60μmの範囲がより好ましい。なお、離型層付き支持体を使用する場合、離型層付き支持体全体の厚みが上記範囲であることが好ましい。 The thickness of the support is not particularly limited, but a range of 5 μm to 75 μm is preferable, and a range of 10 μm to 60 μm is more preferable. In addition, when using the support body with a release layer, it is preferable that the thickness of the support body with a release layer is the said range.
また、樹脂シートは、必要に応じて、支持体及び樹脂組成物層以外の任意の層を含んでいてもよい。斯かる任意の層としては、例えば、樹脂組成物層の支持体と接合していない面(即ち、支持体とは反対側の面)に設けられた、支持体に準じた保護フィルム等が挙げられる。保護フィルムの厚みは、特に限定されるものではないが、例えば、1μm〜40μmである。保護フィルムにより、樹脂組成物層の表面へのゴミ等の付着やキズを抑制することができる。 Moreover, the resin sheet may contain arbitrary layers other than a support body and a resin composition layer as needed. As such an optional layer, there may be mentioned, for example, a protective film according to a support, etc., provided on the side of the resin composition layer not bonded to the support (that is, the side opposite to the support). Be Although the thickness of a protective film is not specifically limited, For example, they are 1 micrometer-40 micrometers. By the protective film, it is possible to suppress adhesion of dust and the like to the surface of the resin composition layer and scratches.
樹脂シートは、例えば、有機溶剤及び樹脂組成物を含む樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを、ダイコーター等の塗布装置を用いて支持体上に塗布し、更に乾燥させて樹脂組成物層を形成させることにより、製造することができる。 The resin sheet is prepared, for example, a resin varnish containing an organic solvent and a resin composition, the resin varnish is applied on a support using a coating apparatus such as a die coater, and further dried to obtain a resin composition layer. It can be manufactured by forming.
有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン及びシクロヘキサノン等のケトン溶剤;酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びカルビトールアセテート等の酢酸エステル溶剤;セロソルブ及びブチルカルビトール等のカルビトール溶剤;トルエン及びキシレン等の芳香族炭化水素溶剤;ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド(DMAc)及びN−メチルピロリドン等のアミド系溶剤;等を挙げることができる。有機溶剤は、1種類単独で使用してもよく、2種類以上を組み合わせて使用してもよい。 Organic solvents include, for example, ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone and cyclohexanone; acetate solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate and carbitol acetate; carbitol such as cellosolve and butyl carbitol Solvents; Aromatic hydrocarbon solvents such as toluene and xylene; Amide solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide (DMAc) and N-methylpyrrolidone; and the like. The organic solvents may be used alone or in combination of two or more.
乾燥は、加熱、熱風吹きつけ等の方法により実施してよい。乾燥条件は、特に限定されないが、樹脂組成物層中の有機溶剤の含有量が、通常10質量%以下、好ましくは5質量%以下となるように乾燥させる。樹脂ワニス中の有機溶剤の沸点によっても異なるが、例えば30質量%〜60質量%の有機溶剤を含む樹脂ワニスを用いる場合、50℃〜150℃で3分間〜10分間乾燥させることにより、樹脂組成物層を形成することができる。 Drying may be carried out by a method such as heating or hot air blowing. The drying conditions are not particularly limited, but the drying is performed so that the content of the organic solvent in the resin composition layer is usually 10% by mass or less, preferably 5% by mass or less. Although it changes also with the boiling points of the organic solvent in a resin varnish, when using the resin varnish containing 30 mass%-60 mass% organic solvent, for example, resin composition by making it dry at 50 degreeC-150 degreeC for 3 minutes-10 minutes Object layer can be formed.
樹脂シートは、ロール状に巻きとって保存することが可能である。樹脂シートが保護フィルムを有する場合、通常は、保護フィルムを剥がすことによって使用可能となる。 The resin sheet can be wound and stored in a roll. When the resin sheet has a protective film, it can usually be used by peeling off the protective film.
[プリント配線板]
本発明のプリント配線板は、上述したように薄い樹脂組成物層の硬化物で形成された絶縁層を含む。また、この絶縁層は、ハローイング現象を抑制可能である。よって、本発明の樹脂組成物層を用いることにより、ハローイング現象を抑制しながら、プリント配線板の薄型化を達成することができる。
[Printed wiring board]
The printed wiring board of the present invention includes the insulating layer formed of the cured product of the thin resin composition layer as described above. Also, this insulating layer can suppress the haloing phenomenon. Therefore, by using the resin composition layer of the present invention, thinning of a printed wiring board can be achieved while suppressing the haloing phenomenon.
ビアホールは、通常、当該ビアホールを有する絶縁層の両側に設けられた導体層を導通させるために設けられる。よって、本発明のプリント配線板は、通常、第1の導体層、第2の導体層、及び、第1の導体層と第2の導体層との間に形成された絶縁層を含む。そして、絶縁層にビアホールが形成され、そのビアホールを通じて第1の導体層と第2の導体層とが導通しうる。 The via holes are usually provided to conduct the conductor layers provided on both sides of the insulating layer having the via holes. Therefore, the printed wiring board of the present invention usually includes a first conductor layer, a second conductor layer, and an insulating layer formed between the first conductor layer and the second conductor layer. Then, a via hole is formed in the insulating layer, and the first conductor layer and the second conductor layer can be electrically connected through the via hole.
ハローイング現象の抑制が可能であり、且つ、良好な形状のビアホールを形成できるという樹脂組成物層の利点を活用することにより、従来は実現が困難であった特定プリント配線板を実現することができる。この特定プリント配線板は、第1の導体層、第2の導体層、及び、第1の導体層と第2の導体層との間に形成された絶縁層を含むプリント配線板であって、下記の要件(i)〜(iv)を全て満たす。
(i)絶縁層の厚みが、15μm以下である。
(ii)絶縁層が、トップ径35μm以下のビアホールを有する。
(iii)該ビアホールのビアトップのエッジからのハローイング距離が、5μm以下である。
(iv)該ビアホールのトップ半径に対するハローイング比が、35%以下である。
By utilizing the advantage of the resin composition layer that the haloing phenomenon can be suppressed and a via hole of a good shape can be formed, it is possible to realize a specific printed wiring board which has hitherto been difficult to realize. it can. The specific printed wiring board is a printed wiring board including a first conductor layer, a second conductor layer, and an insulating layer formed between the first conductor layer and the second conductor layer, The following requirements (i) to (iv) are all satisfied.
(I) The thickness of the insulating layer is 15 μm or less.
(Ii) The insulating layer has a via hole with a top diameter of 35 μm or less.
(Iii) The haloing distance from the edge of the via top of the via hole is 5 μm or less.
(Iv) The haloing ratio to the top radius of the via hole is 35% or less.
以下、図面を示して、特定プリント配線板について説明する。図4は、本発明の第二実施形態に係るプリント配線板300の模式的な断面図である。この図4においては、ビアホール110のビアボトム120の中心120Cを通り且つ絶縁層100の厚み方向に平行な平面で、プリント配線板300を切断した断面を示す。また、図4においては、図1〜図3に記載された要素に相当する部位は、図1〜図3で用いたのと同様の符号を付して示す。
Hereinafter, the specific printed wiring board will be described with reference to the drawings. FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a printed
図4に示すように、本発明の第二実施形態に係る特定プリント配線板300は、第1の導体層210、第2の導体層220、及び、第1の導体層210と第2の導体層220との間に形成された絶縁層100を含む。絶縁層100には、ビアホール110が形成されている。また、通常、第2の導体層220は、ビアホール110が形成された後で設けられたものである。よって、第2の導体層220は、通常、絶縁層100の面100Uだけでなく、ビアホール110内にも形成され、このビアホール110を通して第1の導体層210と第2の導体層220とが導通している。
As shown in FIG. 4, the specific printed
特定プリント配線板300が含む絶縁層100の厚みTは、通常15μm以下、好ましくは12μm以下、より好ましくは10μm以下、特に好ましくは5μm以下である。特定プリント配線板300は、このように薄い絶縁層100を有するものであるので、特定プリント配線板300自体の薄型化を達成できる。絶縁層100の厚みTの下限は、絶縁層100の絶縁性能を高くする観点から、好ましくは1μm以上、より好ましくは2μm以上、特に好ましくは3μm以上である。ここで、絶縁層100の厚みTとは、第1の導体層210と第2の導体層220との間の絶縁層100の寸法を表し、第1の導体層210又は第2の導体層220が無い位置での絶縁層100の寸法を表すものではない。絶縁層100の厚みTは、通常、当該絶縁層100を介して対向する第1の導体層210の主面210Uと第2の導体層220の主面220Dとの間の距離に一致し、また、ビアホール110の深さに一致する。
The thickness T of the insulating
特定プリント配線板300が含む絶縁層100が有するビアホール110のトップ径Ltは、通常35μm以下、好ましくは33μm以下、特に好ましくは32μm以下である。特定プリント配線板300は、このようにトップ径Ltが小さいビアホール110を有する絶縁層100を含むので、第1の導体層210及び第2の導体層220を含む配線の微細化を促進することができる。ビアホール110のトップ径Ltの下限は、ビアホール110の形成を容易に行う観点から、好ましくは3μm以上、より好ましくは10μm以上、特に好ましくは15μm以上である。
The top diameter Lt of the via
特定プリント配線板300が含む絶縁層100が有するビアホール110のビアトップ130のエッジ180からのハローイング距離Wtは、通常5μm以下、好ましくは4μm以下である。特定プリント配線板300は、ビアトップ130のエッジ180からのハローイング距離Wtがこのように小さい。よって、特定プリント配線板300は、通常、第1の導体層210と第2の導体層220との間の導通の信頼性を高めることができる。
The haloing distance Wt from the
特定プリント配線板300が含む絶縁層100が有するビアホール110のトップ半径Lt/2に対するハローイング比Htは、通常35%以下、好ましくは30%以下、更に好ましくは25%以下である。特定プリント配線板300は、トップ半径Lt/2に対するハローイング比Htがこのように小さく、よって、第1の導体層210からの絶縁層100の剥離が小さい。このようにハローイング比Htが小さい絶縁層100を含む特定プリント配線板300は、通常、第1の導体層210と第2の導体層220との間の導通の信頼性を高めることができる。トップ半径Lt/2に対するハローイング比Htの下限は、理想的にはゼロであるが、通常は5%以上である。
The haloing ratio Ht to the top radius Lt / 2 of the via
特定プリント配線板300が含む絶縁層100が有するビアホール110のビアボトム120のエッジ150からのハローイング距離Wbは、通常5μm以下、好ましくは4μm以下、更に好ましくは3μm以下である。特定プリント配線板300は、ビアボトム120のエッジ150からのハローイング距離Wbがこのように小さく、よって、第1の導体層210からの絶縁層100の剥離が小さい。よって、特定プリント配線板300は、通常、第1の導体層210と第2の導体層220との間の導通の信頼性を高めることができる。
The haloing distance Wb from the
特定プリント配線板300が含む絶縁層100が有するビアホール110のボトム半径Lb/2に対するハローイング比Hbは、通常35%以下、好ましくは30%以下、更に好ましくは25%以下である。特定プリント配線板300は、ボトム半径Lb/2に対するハローイング比Hbがこのように小さく、よって、第1の導体層210からの絶縁層100の剥離が小さい。このようにハローイング比Hbが小さい絶縁層100を含む特定プリント配線板300は、通常、第1の導体層210と第2の導体層220との間の導通の信頼性を高めることができる。ボトム半径Lb/2に対するハローイング比Hbの下限は、理想的にはゼロであるが、通常は5%以上である。
The haloing ratio Hb to the bottom radius Lb / 2 of the via
特定プリント配線板300が含む絶縁層100が有するビアホール110のテーパー率Lb/Lt(%)は、通常80%〜100%である。特定プリント配線板300は、このようにテーパー率Lb/Ltが高い良好な形状のビアホール110を有する絶縁層100を含むものである。よって、特定プリント配線板300は、通常、第1の導体層210と第2の導体層220との間の導通の信頼性を高めることができる。
The taper ratio Lb / Lt (%) of the via
特定プリント配線板300が含む絶縁層100が有するビアホール110の数は、1個でもよく、2個以上でもよい。絶縁層100が2個以上のビアホール110を有する場合、その一部が要件(i)〜(iv)を満たしていてもよいが、その全部が要件(i)〜(iv)を満たすことが好ましい。また、例えば、絶縁層100から無作為に選んだ5箇所のビアホール110が、平均で、要件(i)〜(iv)を満たすことが好ましい。
The number of via
上述した特定プリント配線板300は、本発明の樹脂組成物層の硬化物によって絶縁層100を形成することにより、実現できる。この際、絶縁層100に形成されるビアホール110のビアボトム120及びビアトップ130の平面形状は任意であるが、通常は円形状又は楕円形状であり、好ましくは円形状である。
The specific printed
特定プリント配線板等のプリント配線板は、例えば、樹脂シートを用いて、下記の工程(I)〜工程(IV)を含む製造方法を行うことにより、製造できる。
(I)内層基板上に、樹脂組成物層が内層基板と接合するように、樹脂シートを積層する工程。
(II)樹脂組成物層を熱硬化して、絶縁層を形成する工程。
(III)絶縁層にビアホールを形成する工程。
(IV)絶縁層に粗化処理を施す工程。
A printed wiring board such as a specific printed wiring board can be manufactured, for example, by using a resin sheet and performing a manufacturing method including the following steps (I) to (IV).
(I) A step of laminating a resin sheet on the inner layer substrate such that the resin composition layer is bonded to the inner layer substrate.
(II) A step of heat curing the resin composition layer to form an insulating layer.
(III) forming a via hole in the insulating layer.
(IV) A step of roughening the insulating layer.
工程(I)で用いる「内層基板」とは、プリント配線板の基板となる部材である。内層基板としては、例えば、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、BTレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等が挙げられる。通常、内層基板としては、その片面又は両面に、導体層を有しているものを用いる。そして、この導体層上に、絶縁層を形成する。この導体層は、例えば回路として機能させるために、パターン加工されていてもよい。基板の片面または両面に回路として導体層が形成された内層基板は、「内層回路基板」ということがある。また、プリント配線板を製造する際に更に絶縁層及び/又は導体層が形成されるべき中間製造物も、「内層基板」に含まれる。プリント配線板が部品内蔵回路板である場合、部品を内蔵した内層基板を使用してもよい。 The "inner layer substrate" used in step (I) is a member to be a substrate of a printed wiring board. Examples of the inner layer substrate include a glass epoxy substrate, a metal substrate, a polyester substrate, a polyimide substrate, a BT resin substrate, a thermosetting polyphenylene ether substrate and the like. Usually, as the inner layer substrate, one having a conductor layer on one side or both sides is used. Then, an insulating layer is formed on the conductor layer. The conductor layer may be patterned, for example, to function as a circuit. An inner layer substrate in which a conductor layer is formed as a circuit on one side or both sides of the substrate may be referred to as an "inner layer circuit board". In addition, an intermediate product to which an insulating layer and / or a conductor layer is to be further formed when producing a printed wiring board is also included in the "inner layer substrate". When the printed wiring board is a component built-in circuit board, an inner layer substrate containing components may be used.
内層基板と樹脂シートとの積層は、例えば、支持体側から樹脂シートを内層基板に加熱圧着することにより、内層基板に樹脂組成物層を貼り合わせることで、行うことができる。樹脂シートを内層基板に加熱圧着する部材(以下、「加熱圧着部材」ということがある。)としては、例えば、加熱された金属板(SUS鏡板等)又は金属ロール(SUSロール)等が挙げられる。なお、加熱圧着部材を樹脂シートに直接プレスするのではなく、内層基板の表面凹凸に樹脂シートが十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材を介してプレスするのが好ましい。 The lamination of the inner layer substrate and the resin sheet can be performed, for example, by bonding the resin composition layer to the inner layer substrate by thermocompression bonding of the resin sheet to the inner layer substrate from the support side. Examples of a member for heating and pressing a resin sheet to the inner layer substrate (hereinafter sometimes referred to as “heat-pressed member”) include a heated metal plate (SUS mirror plate etc.) or a metal roll (SUS roll). . In addition, it is preferable to press via an elastic material such as heat resistant rubber so that the resin sheet sufficiently follows the surface unevenness of the inner layer substrate, instead of directly pressing the heat pressure-bonding member on the resin sheet.
内層基板と樹脂シートとの積層は、例えば、真空ラミネート法により実施してよい。真空ラミネート法において、加熱圧着温度は、好ましくは60℃〜160℃、より好ましくは80℃〜140℃の範囲であり、加熱圧着圧力は、好ましくは0.098MPa〜1.77MPa、より好ましくは0.29MPa〜1.47MPaの範囲であり、加熱圧着時間は、好ましくは20秒間〜400秒間、より好ましくは30秒間〜300秒間の範囲である。積層は、好ましくは圧力26.7hPa以下の減圧条件下で実施する。 The lamination of the inner layer substrate and the resin sheet may be carried out by, for example, a vacuum lamination method. In the vacuum laminating method, the thermocompression bonding temperature is preferably in the range of 60 ° C. to 160 ° C., more preferably 80 ° C. to 140 ° C., and the thermocompression bonding pressure is preferably 0.098 MPa to 1.77 MPa, more preferably 0 The heat compression bonding time is preferably in the range of 20 seconds to 400 seconds, more preferably in the range of 30 seconds to 300 seconds. The lamination is preferably carried out under reduced pressure conditions of a pressure of 26.7 hPa or less.
積層は、市販の真空ラミネーターによって行うことができる。市販の真空ラミネーターとしては、例えば、名機製作所社製の真空加圧式ラミネーター、ニッコー・マテリアルズ社製のバキュームアップリケーター、バッチ式真空加圧ラミネーター等が挙げられる。 Lamination can be performed by a commercially available vacuum laminator. As a commercially available vacuum laminator, for example, a vacuum pressure type laminator manufactured by Nikkiso Co., Ltd., a vacuum applicator manufactured by Nikko Materials, a batch type vacuum pressure laminator, etc. may be mentioned.
積層の後に、常圧下(大気圧下)で、例えば、加熱圧着部材を支持体側からプレスすることにより、積層された樹脂シートの平滑化処理を行ってもよい。平滑化処理のプレス条件は、上記積層の加熱圧着条件と同様の条件とすることができる。平滑化処理は、市販のラミネーターによって行うことができる。なお、積層と平滑化処理は、上記の市販の真空ラミネーターを用いて連続的に行ってもよい。 After lamination, the laminated resin sheet may be subjected to a smoothing treatment by, for example, pressing the heat pressure-bonding member from the support side under normal pressure (atmospheric pressure). The pressing conditions for the smoothing treatment can be the same as the heating and pressing conditions for the above-mentioned lamination. The smoothing treatment can be performed by a commercially available laminator. In addition, you may perform lamination | stacking and smoothing processing continuously using said commercially available vacuum laminator.
工程(II)において、樹脂組成物層を熱硬化して、絶縁層を形成する。樹脂組成物層の熱硬化条件は、特に限定されず、プリント配線板の絶縁層を形成するに際して採用される条件を任意に使用してよい。 In the step (II), the resin composition layer is thermally cured to form an insulating layer. The thermosetting conditions of the resin composition layer are not particularly limited, and the conditions employed in forming the insulating layer of the printed wiring board may be arbitrarily used.
例えば、樹脂組成物層の熱硬化条件は、樹脂組成物の種類等によっても異なるが、硬化温度は、通常120℃〜240℃の範囲(好ましくは150℃〜220℃の範囲、より好ましくは170℃〜200℃の範囲)、硬化時間は、通常5分間〜120分間の範囲(好ましくは10分間〜100分間、より好ましくは15分間〜90分間)とすることができる。 For example, although the heat curing conditions of the resin composition layer differ depending on the type of the resin composition, etc., the curing temperature is usually in the range of 120 ° C. to 240 ° C. (preferably 150 ° C. to 220 ° C., more preferably 170) The curing time may usually be in the range of 5 minutes to 120 minutes (preferably 10 minutes to 100 minutes, more preferably 15 minutes to 90 minutes).
樹脂組成物層を熱硬化させる前に、樹脂組成物層を、硬化温度よりも低い温度にて予備加熱してもよい。例えば、樹脂組成物層を熱硬化させるのに先立ち、通常50℃以上120℃未満(好ましくは60℃以上115℃以下、より好ましくは70℃以上110℃以下)の温度にて、樹脂組成物層を、通常5分間以上(好ましくは5分間〜150分間、より好ましくは15分間〜120分間、さらに好ましくは15分間〜100分間)予備加熱してもよい。 Before heat curing the resin composition layer, the resin composition layer may be preheated at a temperature lower than the curing temperature. For example, prior to heat curing the resin composition layer, the resin composition layer is usually at a temperature of 50 ° C. or more and less than 120 ° C. (preferably 60 ° C. or more and 115 ° C. or less, more preferably 70 ° C. or more and 110 ° C. or less). May be preheated usually for 5 minutes or more (preferably 5 minutes to 150 minutes, more preferably 15 minutes to 120 minutes, still more preferably 15 minutes to 100 minutes).
工程(III)において、絶縁層にビアホールを形成する。ビアホールの形成方法としては、レーザー光の照射、エッチング、メカニカルドリリング等が挙げられる。中でも、一般にハローイング現象が生じ易いので、ハローイング現象の抑制という効果を有効に活用する観点から、レーザー光の照射が好ましい。 In the step (III), via holes are formed in the insulating layer. Examples of the method for forming the via holes include laser light irradiation, etching, mechanical drilling and the like. Among them, since the haloing phenomenon is generally liable to occur, irradiation of laser light is preferable from the viewpoint of effectively utilizing the effect of suppressing the haloing phenomenon.
このレーザー光の照射は、例えば、光源として、炭酸ガスレーザー、YAGレーザー、エキシマレーザー等のレーザー光源を有するレーザー加工機を用いて行うことができる。用いられ得るレーザー加工機としては、例えば、ビアメカニクス社製CO2レーザー加工機「LC−2k212/2C」、三菱電機社製の605GTWIII(−P)、松下溶接システム社製のレーザー加工機、などが挙げられる。 The irradiation of the laser light can be performed using, for example, a laser processing machine having a laser light source such as a carbon dioxide gas laser, a YAG laser, or an excimer laser as a light source. As a laser processing machine which can be used, for example, a CO 2 laser processing machine "LC-2k212 / 2C" manufactured by Via Mechanics, 605 GTW III (-P) manufactured by Mitsubishi Electric Corp., a laser processing machine manufactured by Matsushita Welding Systems Co., Ltd., etc. Can be mentioned.
レーザー光の波長、パルス数、パルス幅、出力等のレーザー光の照射条件は、特に限定されず、レーザー光源の種類に応じた適切な条件を設定してよい。 The irradiation conditions of the laser light such as the wavelength of the laser light, the number of pulses, the pulse width, and the output are not particularly limited, and appropriate conditions may be set according to the type of the laser light source.
工程(IV)において、絶縁層に粗化処理を施す。粗化処理の手順及び条件は、特に限定されず、プリント配線板の絶縁層を形成するに際して使用される任意の手順及び条件を採用することができる。例えば、膨潤液による膨潤処理、酸化剤による粗化処理、及び、中和液による中和処理をこの順に実施して、絶縁層を粗化処理することができる。 In the step (IV), the insulating layer is roughened. The procedure and conditions of the roughening treatment are not particularly limited, and any procedure and conditions used in forming the insulating layer of the printed wiring board can be adopted. For example, the insulating layer can be roughened by performing a swelling process with a swelling solution, a roughening process with an oxidizing agent, and a neutralization process with a neutralizing solution in this order.
膨潤液としては、特に限定されないが、例えば、アルカリ溶液、界面活性剤溶液等が挙げられ、好ましくはアルカリ溶液が挙げられる。該アルカリ溶液としては、水酸化ナトリウム溶液及び水酸化カリウム溶液がより好ましい。市販されている膨潤液としては、例えば、アトテックジャパン社製の「スウェリング・ディップ・セキュリガンスP」、「スウェリング・ディップ・セキュリガンスSBU」等が挙げられる。また、膨潤液は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。膨潤液による膨潤処理は、特に限定されないが、例えば、30℃〜90℃の膨潤液に絶縁層を1分間〜20分間浸漬することにより行うことができる。絶縁層の樹脂の膨潤を適度なレベルに抑える観点から、40℃〜80℃の膨潤液に絶縁層を5分間〜15分間浸漬させることが好ましい。 Although it does not specifically limit as a swelling liquid, For example, an alkaline solution, surfactant solution etc. are mentioned, Preferably an alkaline solution is mentioned. As the alkaline solution, sodium hydroxide solution and potassium hydroxide solution are more preferable. As a swelling liquid marketed, "Swelling dip security G" and "Swelling dip security SBU" by Atotech Japan Ltd., etc. are mentioned, for example. Moreover, swelling liquid may be used individually by 1 type, and may be used combining 2 or more types by arbitrary ratios. Although the swelling process by a swelling liquid is not specifically limited, For example, it can carry out by immersing an insulating layer in the swelling liquid of 30 degreeC-90 degreeC for 1 minute-20 minutes. From the viewpoint of suppressing the swelling of the resin of the insulating layer to an appropriate level, it is preferable to immerse the insulating layer for 5 minutes to 15 minutes in a swelling liquid at 40 ° C to 80 ° C.
酸化剤としては、特に限定されないが、例えば、水酸化ナトリウムの水溶液に過マンガン酸カリウム又は過マンガン酸ナトリウムを溶解したアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。また、酸化剤は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。アルカリ性過マンガン酸溶液等の酸化剤による粗化処理は、60℃〜80℃に加熱した酸化剤溶液に絶縁層を10分間〜30分間浸漬させて行うことが好ましい。また、アルカリ性過マンガン酸溶液における過マンガン酸塩の濃度は、5質量%〜10質量%が好ましい。市販されている酸化剤としては、例えば、アトテックジャパン社製の「コンセントレート・コンパクトCP」、「ドージングソリューション・セキュリガンスP」等のアルカリ性過マンガン酸溶液が挙げられる。 Although it does not specifically limit as an oxidizing agent, For example, the alkaline permanganic acid solution which melt | dissolved potassium permanganate or sodium permanganate in the aqueous solution of sodium hydroxide is mentioned. Moreover, an oxidizing agent may be used individually by 1 type, and may be used combining two or more types by arbitrary ratios. The roughening treatment with an oxidizing agent such as an alkaline permanganic acid solution is preferably performed by immersing the insulating layer in the oxidizing agent solution heated to 60 ° C. to 80 ° C. for 10 minutes to 30 minutes. Moreover, as for the density | concentration of the permanganate in alkaline permanganic acid solution, 5 mass%-10 mass% are preferable. Examples of commercially available oxidizing agents include alkaline permanganic acid solutions such as "Concentrate Compact CP" and "Dosing Solution Security P" manufactured by Atotech Japan Co., Ltd.
中和液としては、酸性の水溶液が好ましく、市販品としては、例えば、アトテックジャパン社製の「リダクションソリューション・セキュリガントP」が挙げられる。また、中和液は、1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。中和液による処理は、酸化剤による粗化処理がなされた処理面を30℃〜80℃の中和液に5分間〜30分間浸漬させることにより行うことができる。作業性等の点から、酸化剤による粗化処理がなされた対象物を、40℃〜70℃の中和液に5分間〜20分間浸漬する方法が好ましい。 As a neutralization liquid, an acidic aqueous solution is preferable, and as a commercial product, for example, "Reduction Solution Security G" manufactured by Atotech Japan Co., Ltd. may be mentioned. Further, one type of neutralization solution may be used alone, or two or more types may be used in combination at an arbitrary ratio. The treatment with the neutralization solution can be carried out by immersing the treated surface roughened with the oxidizing agent in the neutralization solution at 30 ° C. to 80 ° C. for 5 minutes to 30 minutes. From the viewpoint of workability and the like, a method of immersing the target subjected to the roughening treatment with the oxidizing agent in a neutralization solution at 40 ° C. to 70 ° C. for 5 minutes to 20 minutes is preferable.
ところで、支持体は、工程(I)と工程(II)の間に除去してもよく、工程(II)と工程(III)との間に除去してもよく、工程(III)と工程(IV)との間に除去してもよく、工程(IV)の後で除去してもよい。 By the way, the support may be removed between the step (I) and the step (II), or may be removed between the step (II) and the step (III), and the step (III) and the step It may be removed between IV) and may be removed after step (IV).
プリント配線板の製造方法は、更に、(V)導体層を形成する工程を含んでいてもよい。この工程(V)は、プリント配線板の製造に用いられる各種方法に従って実施してよい。 The method for producing a printed wiring board may further include the step of forming a (V) conductor layer. This process (V) may be implemented according to the various methods used for manufacture of a printed wiring board.
工程(V)は、導体層を形成する工程である。導体層に使用する導体材料は、特に限定されない。好適な実施形態では、導体層は、金、白金、パラジウム、銀、銅、アルミニウム、コバルト、クロム、亜鉛、ニッケル、チタン、タングステン、鉄、スズ及びインジウムからなる群から選択される1種類以上の金属を含む。導体層は、単金属層であってもよく、合金層であってもよい。合金層としては、例えば、上記の群から選択される2種類以上の金属の合金(例えば、ニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金及び銅・チタン合金)から形成された層が挙げられる。中でも、導体層形成の汎用性、コスト、パターニングの容易性等の観点から、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層;又は、ニッケル・クロム合金、銅・ニッケル合金、銅・チタン合金の合金層;が好ましい。さらには、クロム、ニッケル、チタン、アルミニウム、亜鉛、金、パラジウム、銀若しくは銅の単金属層;又はニッケル・クロム合金の合金層;がより好ましく、銅の単金属層が特に好ましい。 Step (V) is a step of forming a conductor layer. The conductor material used for a conductor layer is not specifically limited. In a preferred embodiment, the conductor layer is one or more selected from the group consisting of gold, platinum, palladium, silver, copper, aluminum, cobalt, chromium, zinc, nickel, titanium, tungsten, iron, tin and indium. Contains metal. The conductor layer may be a single metal layer or an alloy layer. As the alloy layer, for example, a layer formed of an alloy of two or more types of metals selected from the above group (for example, a nickel-chromium alloy, a copper-nickel alloy and a copper-titanium alloy) can be mentioned. Among them, chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver, copper single metal layer, or nickel-chromium alloy, copper from the viewpoint of versatility of conductor layer formation, cost, ease of patterning, etc. Nickel alloy, an alloy layer of copper-titanium alloy is preferable. Furthermore, a single metal layer of chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper; or an alloy layer of nickel-chromium alloy is more preferable, and a single metal layer of copper is particularly preferable.
導体層は、単層構造であってもよく、異なる種類の金属若しくは合金からなる単金属層又は合金層を2層以上含む複層構造であってもよい。導体層が複層構造である場合、絶縁層と接する層は、クロム、亜鉛若しくはチタンの単金属層、又はニッケル・クロム合金の合金層であることが好ましい。 The conductor layer may have a single layer structure, or may have a multilayer structure including two or more single metal layers or alloy layers composed of different types of metals or alloys. When the conductor layer has a multilayer structure, the layer in contact with the insulating layer is preferably a single metal layer of chromium, zinc or titanium, or an alloy layer of nickel-chromium alloy.
導体層の厚みは、所望のプリント配線板のデザインによるが、一般に3μm〜35μm、好ましくは5μm〜30μmである。 The thickness of the conductor layer is generally 3 μm to 35 μm, preferably 5 μm to 30 μm, depending on the desired printed wiring board design.
導体層は、めっきにより形成してよい。例えば、セミアディティブ法、フルアディティブ法等の技術により絶縁層の表面にめっきして、所望の配線パターンを有する導体層を形成することができる。中でも、製造の簡便性の観点から、セミアディティブ法により形成することが好ましい。 The conductor layer may be formed by plating. For example, the surface of the insulating layer can be plated by a technique such as a semi-additive method or a full additive method to form a conductor layer having a desired wiring pattern. Among them, the semiadditive method is preferable from the viewpoint of simplicity of production.
以下、導体層をセミアディティブ法により形成する例を示す。まず、絶縁層の表面に、無電解めっきによりめっきシード層を形成する。次いで、形成されためっきシード層上に、所望の配線パターンに対応してめっきシード層の一部を露出させるマスクパターンを形成する。露出しためっきシード層上に、電解めっきにより金属層を形成した後、マスクパターンを除去する。その後、不要なめっきシード層をエッチング等により除去して、所望の配線パターンを有する導体層を形成することができる。 Hereinafter, the example which forms a conductor layer by a semiadditive method is shown. First, a plating seed layer is formed on the surface of the insulating layer by electroless plating. Then, on the formed plating seed layer, a mask pattern is formed to expose a part of the plating seed layer corresponding to the desired wiring pattern. After forming a metal layer by electrolytic plating on the exposed plating seed layer, the mask pattern is removed. Thereafter, the unnecessary plating seed layer can be removed by etching or the like to form a conductor layer having a desired wiring pattern.
また、必要に応じて、工程(I)〜工程(V)による絶縁層及び導体層の形成を繰り返して実施し、多層プリント配線板を製造してもよい。 In addition, if necessary, the formation of the insulating layer and the conductor layer in the steps (I) to (V) may be repeated to manufacture a multilayer printed wiring board.
[半導体装置]
本発明の半導体装置は、前記のプリント配線板を含む。この半導体装置は、プリント配線板を用いて製造することができる。
[Semiconductor device]
A semiconductor device of the present invention includes the above printed wiring board. This semiconductor device can be manufactured using a printed wiring board.
半導体装置としては、電気製品(例えば、コンピューター、携帯電話、デジタルカメラ及びテレビ等)及び乗物(例えば、自動二輪車、自動車、電車、船舶及び航空機等)等に供される各種半導体装置が挙げられる。 Examples of the semiconductor device include various semiconductor devices provided for electric products (for example, computers, mobile phones, digital cameras, televisions and the like) and vehicles (for example, motorcycles, automobiles, trains, ships, aircraft and the like) and the like.
半導体装置は、例えば、プリント配線板の導通箇所に、部品(半導体チップ)を実装することにより製造することができる。「導通箇所」とは、「プリント配線板における電気信号を伝える箇所」であって、その場所は表面であっても、埋め込まれた箇所であってもいずれでも構わない。また、半導体チップは、半導体を材料とする電気回路素子を任意に用いることができる。 The semiconductor device can be manufactured, for example, by mounting a component (semiconductor chip) at a conductive portion of a printed wiring board. The "conductive location" is a "location for transmitting an electrical signal in a printed wiring board", and the location may be a surface or an embedded location. In addition, as the semiconductor chip, an electric circuit element made of a semiconductor can be used arbitrarily.
半導体装置を製造する際の半導体チップの実装方法は、半導体チップが有効に機能しさえすれば、特に限定されない。実装方法の例としては、ワイヤボンディング実装方法、フリップチップ実装方法、バンプなしビルドアップ層(BBUL)による実装方法、異方性導電フィルム(ACF)による実装方法、非導電性フィルム(NCF)による実装方法、等が挙げられる。ここで、「バンプなしビルドアップ層(BBUL)による実装方法」とは、「半導体チップをプリント配線板の凹部に直接埋め込み、半導体チップとプリント配線板上の配線とを接続させる実装方法」のことである。 The mounting method of the semiconductor chip at the time of manufacturing a semiconductor device is not particularly limited as long as the semiconductor chip functions effectively. Examples of mounting methods include a wire bonding mounting method, a flip chip mounting method, a mounting method using a bumpless buildup layer (BBUL), a mounting method using an anisotropic conductive film (ACF), and a mounting using a nonconductive film (NCF) Methods, etc. Here, "the mounting method using a bumpless build-up layer (BBUL)" means "a mounting method in which a semiconductor chip is directly embedded in a recess of a printed wiring board to connect the semiconductor chip and the wiring on the printed wiring board". It is.
以下、本発明について、実施例を示して具体的に説明する。ただし、本発明は以下の実施例に限定されるものでは無い。以下の説明において、量を表す「部」及び「%」は、別途明示の無い限り、それぞれ「質量部」及び「質量%」を意味する。また、以下に説明する操作は、別途明示の無い限り、常温常圧の環境で行った。 Hereinafter, the present invention will be specifically described by way of examples. However, the present invention is not limited to the following examples. In the following description, "parts" and "%" representing amounts mean "parts by mass" and "% by mass" unless otherwise specified. Moreover, the operation described below was performed in an environment of normal temperature and normal pressure unless otherwise specified.
<使用した水酸化マグネシウム>
水酸化マグネシウム1:水酸化マグネシウム(神島化学工業社製「EP−4A」、平均粒径1.1μm(無機物処理済))100部に対して、信越化学工業社製「KBM573」(N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン)3部で表面処理したもの。
水酸化マグネシウム2:水酸化マグネシウム(神島化学工業社製「EP−4A」、平均粒径1.1μm(無機物処理済))100部に対して、信越化学工業社製「KBM1003」(ビニルトリメトキシシラン)3部で表面処理したもの。
<Magnesium hydroxide used>
Magnesium hydroxide 1: Magnesium hydroxide ("Kojima Chemical Industry Co., Ltd." EP-4A ", average particle diameter 1.1 μm (inorganic material treated)) 100 parts, Shin-Etsu Chemical" KBM 573 "(N-phenyl) 3-Aminopropyltrimethoxysilane) surface-treated with 3 parts.
Magnesium hydroxide 2: Magnesium hydroxide ("EP-4A" manufactured by Kamishima Chemical Industry Co., Ltd., average particle diameter: 1.1 μm (inorganic treated)), 100 parts of "KBM 1003" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (vinyltrimethoxy) Silane surface-treated with 3 parts.
<使用したシリカ>
シリカ1:球状シリカ(電気化学工業社製「UFP−30」、平均粒径0.1μm、比表面積30.7m2/g)100部に対して、信越化学工業社製「KBM573」(N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン)2部で表面処理したもの。
シリカ2:球形シリカ(電気化学工業社製「UFP−30」、平均粒径0.1μm、比表面積30.7m2/g)100部に対して、信越化学工業社製「KBM1003」(ビニルトリメトキシシラン)2部で表面処理したもの。
シリカ3:球状シリカ(日本触媒社製「KE−P30」、平均粒径0.3μm、比表面積35m2/g)100部に対して、信越化学工業社製「KBM573」(N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン)2部で表面処理したもの。
シリカ4:球状シリカ(日本触媒社製「KE−P30」、平均粒径0.3μm、比表面積35m2/g)100部に対して、信越化学工業社製「KBM1003」(ビニルトリメトキシシラン)2部で表面処理したもの。
<Used silica>
Silica 1: Spherical silica ("UFP-30" manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd., average particle diameter 0.1 μm, specific surface area 30.7 m 2 / g) relative to 100 parts of "KBM 573" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. (N- Surface-treated with 2 parts of phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane).
Silica 2: Spherical silica ("UFP-30" manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd., average particle diameter 0.1 μm, specific surface area 30.7 m 2 / g) relative to 100 parts of "KBM 1003" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Surface-treated with 2 parts of methoxysilane).
Silica 3: Spherical silica ("KE-P30" manufactured by Nippon Shokuhin Co., Ltd., average particle diameter 0.3 μm, specific surface area 35 m 2 / g) relative to 100 parts of "KBM 573" manufactured by Shin-Etsu Chemical (N-phenyl-3) -Surface treated with 2 parts of aminopropyltrimethoxysilane).
Silica 4: Spherical silica ("KE-P30" manufactured by Nippon Shokuhin Co., Ltd., average particle diameter 0.3 μm, specific surface area 35 m 2 / g) 100 parts by Shin-Etsu Chemical "KBM 1003" (vinyltrimethoxysilane) Surface-treated with 2 parts.
<実施例1>
ビキシレノール型エポキシ樹脂(三菱ケミカル社製「YX4000HK」、エポキシ当量約185)6部、ナフタレン型エポキシ樹脂(新日鉄住金化学社製「ESN475V」、エポキシ当量約332)5部、ビスフェノールAF型エポキシ樹脂(三菱ケミカル社製「YL7760」、エポキシ当量約238)15部、シクロヘキサン型エポキシ樹脂(三菱ケミカル社製「ZX1658GS」、エポキシ当量約135)2部、フェノキシ樹脂(三菱ケミカル社製「YL7500BH30」、固形分30質量%のシクロヘキサノン:メチルエチルケトン(MEK)の1:1溶液、Mw=44000)2部を、ソルベントナフサ20部及びシクロヘキサノン10部の混合溶剤に撹拌しながら加熱溶解させた。室温にまで冷却した後、そこへ、活性エステル系硬化剤(DIC社製「EXB−8000L−65TM」、活性基当量約220、不揮発成分65質量%のトルエン:MEKの1:1溶液)6部、トリアジン骨格含有クレゾールノボラック系硬化剤(DIC社製「LA−3018−50P」、水酸基当量約151、固形分50%の2−メトキシプロパノール溶液)4部、水酸化マグネシウム1を15部、シリカ1を35部、アミン系硬化促進剤(4−ジメチルアミノピリジン(DMAP))0.05部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散した後に、カートリッジフィルター(ROKITECHNO社製「SHP020」)で濾過して、樹脂組成物1を調製した。
Example 1
6 parts of bixylenol type epoxy resin (Mitsubishi Chemical Co., Ltd. "YX4000HK", epoxy equivalent of about 185), 5 parts of naphthalene type epoxy resin ("NSN475V" manufactured by Nippon Steel Sumikin Chemical Co., Ltd., epoxy equivalent of about 332), bisphenol AF type epoxy resin ( Mitsubishi Chemical's "YL 7760", 15 parts epoxy equivalent epoxy resin (Mitsubishi Chemical's "ZX1658GS", epoxy equivalent about 135) 2 parts, phenoxy resin (Mitsubishi Chemical's "YL 7500 BH30", solid content Two parts of a 1: 1 solution of 30% by mass cyclohexanone: methyl ethyl ketone (MEK), Mw = 44000) was dissolved by heating in a mixed solvent of 20 parts of solvent naphtha and 10 parts of cyclohexanone with stirring. After cooling to room temperature, 6 parts of active ester-based curing agent ("EXB-8000L-65TM" manufactured by DIC, active group equivalent weight about 220, non-volatile component 65 mass% toluene: MEK solution) A triazine skeleton-containing cresol novolac curing agent ("LA-3018-50P" manufactured by DIC, a hydroxyl equivalent weight of about 151, a solid content of 50% in 2-methoxypropanol solution) 4 parts,
<実施例2>
樹脂組成物1の調製において、水酸化マグネシウム1の量を15部から25部に変え、シリカ1の量を35部から25部に変えた。以上の事項以外は樹脂組成物1の調製と同様にして樹脂組成物2を調製した。
Example 2
In the preparation of
<実施例3>
樹脂組成物1の調製において、15部の水酸化マグネシウム1を、15部の水酸化マグネシウム2に変えた。以上の事項以外は樹脂組成物1の調製と同様にして樹脂組成物3を調製した。
Example 3
In the preparation of
<実施例4>
樹脂組成物1の調製において、35部のシリカ1を、35部のシリカ2に変えた。以上の事項以外は樹脂組成物1の調製と同様にして樹脂組成物4を調製した。
Example 4
In the preparation of
<実施例5>
樹脂組成物1の調製において、35部のシリカ1を、35部のシリカ3に変えた。以上の事項以外は樹脂組成物1の調製と同様にして樹脂組成物5を調製した。
Example 5
In the preparation of
<実施例6>
樹脂組成物1の調製において、35部のシリカ1を、35部のシリカ4に変えた。以上の事項以外は樹脂組成物1の調製と同様にして樹脂組成物6を調製した。
Example 6
In the preparation of
<比較例1>
樹脂組成物1の調製において、水酸化マグネシウム1を含有させず、シリカ1の量を35部から50部に変えた。以上の事項以外は樹脂組成物1の調製と同様にして樹脂組成物7を調製した。
Comparative Example 1
In preparation of the
<比較例2>
樹脂組成物7の調製において、50部のシリカ1を50部のシリカ2に変えた。以上の事項以外は樹脂組成物7の調製と同様にして樹脂組成物8を調製した。
Comparative Example 2
In the preparation of resin composition 7, 50 parts of
<比較例3>
樹脂組成物7の調製において、50部のシリカ1を50部のシリカ3に変えた。以上の事項以外は樹脂組成物7の調製と同様にして樹脂組成物9を調製した。
Comparative Example 3
In the preparation of resin composition 7, 50 parts of
<比較例4>
樹脂組成物7の調製において、50部のシリカ1を50部のシリカ4に変えた。以上の事項以外は樹脂組成物7の調製と同様にして樹脂組成物10を調製した。
Comparative Example 4
In the preparation of resin composition 7, 50 parts of
樹脂組成物1〜10の調製に用いた成分とその配合量を下記表に示した。なお、下記表中の略語等は以下のとおりである。
YX4000HK:ビキシレノール型エポキシ樹脂、三菱ケミカル社製、エポキシ当量約185
ESN475V:ナフタレン型エポキシ樹脂、新日鉄住金化学社製、エポキシ当量約332
YL7760:ビスフェノールAF型エポキシ樹脂、三菱ケミカル社製、エポキシ当量約238
ZX1658GS:シクロヘキサン型エポキシ樹脂、三菱ケミカル社製、エポキシ当量約135
LA−3018−50P:トリアジン骨格含有クレゾールノボラック系硬化剤、DIC社製、水酸基当量約151、固形分50%の2−メトキシプロパノール溶液
EXB−8000L−65M:活性エステル系硬化剤、DIC社製、活性基当量約220、不揮発成分65質量%のMEK溶液
YX7500BH30:フェノキシ樹脂、三菱ケミカル社製、固形分30質量%のシクロヘキサノン:メチルエチルケトン(MEK)の1:1溶液、重量平均分子量=44000
DMAP:アミン系硬化促進剤、4−ジメチルアミノピリジン
合計含有量(樹脂成分換算):樹脂組成物に含まれる不揮発成分のうち、(C)成分及び(D)成分を除いた量
(B)成分の合計含有量:樹脂組成物中の樹脂成分を100質量%とした場合の(B)成分の合計含有量
活性エステル系硬化剤の含有量:樹脂組成物中の樹脂成分を100質量%とした場合の活性エステル系硬化剤の含有量
(C)成分及び(D)成分の合計含有量:樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合の(C)成分及び(D)成分の合計含有量
(C)成分の含有量:樹脂組成物中の不揮発成分を100質量%とした場合の(C)成分の含有量
The component used for preparation of the resin compositions 1-10, and its compounding quantity were shown in the following table. Abbreviations etc. in the following table are as follows.
YX4000HK: Bixylenol type epoxy resin, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent weight about 185
ESN 475 V: Naphthalene type epoxy resin, manufactured by Nippon Steel & Sumikin Chemical Co., Ltd., epoxy equivalent: approximately 332
YL 7760: Bisphenol AF type epoxy resin, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent about 238
ZX1658GS: Cyclohexane type epoxy resin, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, epoxy equivalent weight about 135
LA-3018-50P: triazine skeleton-containing cresol novolac curing agent, manufactured by DIC, 2-methoxypropanol solution EXB-8000L-65M having a hydroxyl content of about 151 and a solid content of 50%: active ester curing agent, manufactured by DIC, MEK solution YX 7 500 BH 30: phenoxy resin, non-volatile component 65% by mass equivalent weight of active group equivalent: phenoxy resin, 30% by weight cyclohexanone with solid content 30% by weight: 1: 1 solution of methyl ethyl ketone (MEK), weight average molecular weight 44000
DMAP: Amine curing accelerator, total content of 4-dimethylaminopyridine (in terms of resin component): Amount of component (C) and component (D) removed from non-volatile components contained in the resin composition (B) component Total content of: total content of component (B) when resin component in resin composition is 100% by mass Content of active ester-based curing agent: resin component in resin composition is 100% by mass The total content of the components (C) and (D) of the active ester curing agent in the case: The total of the components (C) and (D) when the nonvolatile component in the resin composition is 100% by mass Content (C) Component Content: Content of (C) Component When Nonvolatile Component in Resin Composition is 100% by Mass
<樹脂シートの作製>
支持体として、アルキド樹脂系離型剤(リンテック社製「AL−5」)で離型処理したPETフィルム(東レ社製「ルミラーR80」、厚み38μm、軟化点130℃、「離型PET」)を用意した。
<Production of resin sheet>
A PET film (“Lumirror R80” manufactured by Toray Industries, thickness 38 μm, softening
各樹脂組成物を離型PET上に、乾燥後の樹脂組成物層の厚みが10μmとなるよう、ダイコーターにて均一に塗布し、70℃から95℃で2分間乾燥することにより、離型PET上に樹脂組成物層を得た。次いで、樹脂シートの支持体と接合していない面に、保護フィルムとしてポリプロピレンフィルム(王子エフテックス社製「アルファンMA−411」、厚み15μm)の粗面を、樹脂組成物層と接合するように積層した。これにより、離型PET(支持体)、樹脂組成物層、及び保護フィルムの順からなる樹脂シートAを得た。 Each resin composition is uniformly coated with a die coater on release PET so that the thickness of the resin composition layer after drying is 10 μm, and the release is performed at 70 ° C. to 95 ° C. for 2 minutes. A resin composition layer was obtained on PET. Then, the rough surface of a polypropylene film ("Alfan MA-411" manufactured by Oji F-TEX, thickness 15 μm) is bonded to the resin composition layer as a protective film on the surface of the resin sheet not bonded to the support. Stacked. Thereby, resin sheet A which consists of mold release PET (support body), a resin composition layer, and a protective film in order was obtained.
<樹脂組成物層等の厚みの測定>
厚みは、接触式膜厚計(ミツトヨ社製、MCD−25MJ)を用いて、測定した。
<Measurement of thickness of resin composition layer etc.>
Thickness was measured using a contact-type film thickness meter (manufactured by Mitutoyo, MCD-25 MJ).
<レーザービア加工後のハローイングの評価>
−評価基板Aの作製−
(1)銅張積層板
銅張積層板として、両面に銅箔層を積層したガラス布基材エポキシ樹脂両面銅張積層板(銅箔の厚さ3μm、基板厚み0.15mm、三菱ガス化学社製「HL832NSF LCA」、255×340mmサイズ)を用意した。
<Evaluation of haloing after laser via processing>
-Preparation of evaluation substrate A-
(1) Copper-clad laminate As a copper-clad laminate, a glass cloth-based epoxy resin double-sided copper-clad laminate in which copper foil layers are laminated on both sides (copper foil thickness 3 μm, substrate thickness 0.15 mm, Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd. "HL 832 NSF LCA" (255 x 340 mm size) was prepared.
(2)樹脂シートのラミネート
樹脂組成物1〜10を用いて作製した各樹脂シートAから保護フィルムを剥がし、バッチ式真空加圧ラミネーター(ニッコー・マテリアルズ社製、2ステージビルドアップラミネーター、CVP700)を用いて、樹脂組成物層が銅張積層板と接するように、銅張積層板の両面にラミネートした。ラミネートは、30秒間減圧して気圧を13hPa以下とし、130℃、圧力0.74MPaにて45秒間圧着させることにより実施した。次いで、120℃、圧力0.5MPaにて75秒間熱プレスを行った。
(2) Lamination of resin sheet The protective film is peeled off from each resin sheet A prepared using
(3)樹脂組成物層の熱硬化
樹脂シートがラミネートされた銅張積層板を、100℃のオーブンに投入後30分間、次いで180℃のオーブンに移し替えた後30分間、熱硬化して絶縁層を形成し、離形PETを剥離した。これを硬化基板Aとする。
(3) Thermosetting of resin composition layer The copper-clad laminate on which the resin sheet is laminated is placed in an oven at 100 ° C. for 30 minutes, then transferred to an oven at 180 ° C. and thermally cured for 30 minutes. A layer was formed and release PET was peeled off. This is a cured substrate A.
(4)レーザービア加工
三菱電機社製CO2レーザー加工機「605GTWIII(−P)」を使用して、絶縁層上よりレーザーを照射して、絶縁層にトップ径(直径)30μmのビアホールを形成した。レーザーの照射条件は、マスク径1mm、パルス幅16μs、エネルギー0.2mJ/ショット、ショット数2、バーストモード(10kHz)であった。これをビア加工基板Aとする。
(4) Laser via processing Using a CO 2 laser processing machine "605 GT W III (-P)" manufactured by Mitsubishi Electric Corp., a laser is irradiated from above the insulating layer to form a via hole with a top diameter (diameter) of 30 μm in the insulating layer. did. The laser irradiation conditions were a mask diameter of 1 mm, a pulse width of 16 μs, an energy of 0.2 mJ / shot, a shot number of 2, and a burst mode (10 kHz). This is called a via processed substrate A.
(5)粗化処理を行う工程
ビア加工基板Aに粗化処理としてのデスミア処理を行った。なお、デスミア処理としては、下記の湿式デスミア処理を実施した。
(5) Step of Roughening Treatment The via processed substrate A was subjected to desmearing treatment as roughening treatment. In addition, as a desmear process, the following wet desmear process was implemented.
湿式デスミア処理:
膨潤液(アトテックジャパン社製「スウェリングディップ・セキュリガントP」、ジエチレングリコールモノブチルエーテル及び水酸化ナトリウムの水溶液)に60℃で10分間、次いで酸化剤溶液(アトテックジャパン社製「コンセントレート・コンパクトCP」、過マンガン酸カリウム濃度約6%、水酸化ナトリウム濃度約4%の水溶液)に80℃で20分間、最後に中和液(アトテックジャパン社製「リダクションソリューション・セキュリガントP」、硫酸水溶液)に40℃で5分間、浸漬した後、80℃で15分間乾燥した。これを粗化基板Aとする。
Wet desmear treatment:
Swelling solution ("Swelling dip Security Gent P" manufactured by Atotech Japan Ltd., an aqueous solution of diethylene glycol monobutyl ether and sodium hydroxide) at 60 ° C for 10 minutes, and then an oxidant solution ("Concentrate Compact CP" manufactured by Atotech Japan Ltd.) Finally, the solution is neutralized with an aqueous solution of potassium permanganate concentration of about 6% and sodium hydroxide concentration of about 4% at 80 ° C for 20 minutes. Finally, the neutralization solution ("Reduction Solution Securityg P" manufactured by Atotech Japan, sulfuric acid aqueous solution) After immersion at 40 ° C. for 5 minutes, it was dried at 80 ° C. for 15 minutes. This is referred to as a roughened substrate A.
<デスミア処理後のビア径の測定>
粗化基板Aを、FIB−SEM複合装置(SIIナノテクノロジー社製「SMI3050SE」)を用いて、断面観察を行った。詳細には、レーザービアの垂直な方向における断面をFIB(集束イオンビーム)により削り出し、断面SEM画像から、デスミア処理後のレーザービア径を測定した。各サンプルにつき、無作為に選んだ5箇所の断面SEM画像から、デスミア処理後のビアトップ径を測定し、その平均値をビアトップ径Lt(μm)とし、下記表に示した。
<Measurement of via diameter after desmearing>
Cross-sectional observation of the roughened substrate A was performed using an FIB-SEM composite device (“SMI3050SE” manufactured by SII Nano Technology Inc.). In detail, the cross section in the perpendicular direction of the laser via was scraped off by FIB (focused ion beam), and the diameter of the laser via after desmear treatment was measured from the cross-sectional SEM image. The diameter of the via top after desmearing was measured from five cross-sectional SEM images randomly selected for each sample, and the average value was defined as the via top diameter Lt (μm), and the results are shown in the following table.
<粗化処理後のハローイング距離の測定>
粗化基板Aを、光学顕微鏡(ハイロックス社製「KH8700」)で観察した。詳細には、ビアホールの周辺の絶縁層を、光学顕微鏡(CCD)を用いて、粗化基板Aの上部から観察した。この観察は、ビアトップに光学顕微鏡の焦点を合わせて行った。観察の結果、ビアホールの周囲に、当該ビアホールのビアトップのエッジから連続して、絶縁層が白色に変色したドーナツ状のハローイング部が見られた。そこで、観察された像から、ビアホールのビアトップの半径(ハローイング部の内周半径に相当)r1と、ハローイング部の外周半径r2とを測定し、これら半径r1と半径r2との差r2−r1を、その測定地点のビアトップのエッジからのハローイング距離として算出した。
<Measurement of haloing distance after roughening process>
The roughened substrate A was observed with an optical microscope ("KH 8700" manufactured by HIROX Co., Ltd.). In detail, the insulating layer around the via hole was observed from the top of the roughened substrate A using an optical microscope (CCD). This observation was performed by focusing the light microscope on the via top. As a result of observation, a donut shaped haloing portion in which the insulating layer was discolored white was observed continuously from the edge of the via top of the via hole around the via hole. Therefore, the radius r1 of the via top of the via hole (corresponding to the inner circumferential radius of the haloing portion) r1 and the outer radius r2 of the haloing portion are measured from the observed image, and the difference r2 between the radius r1 and the radius r2 -R1 was calculated as the haloing distance from the edge of the via top at the measurement point.
前記の測定を、無作為に選んだ5か所のビアホールで行った。そして、測定された5か所のビアホールのハローイング距離の測定値の平均を、そのサンプルのビアトップのエッジからのハローイング距離Wtとして採用した。 The above measurements were performed at five randomly selected via holes. Then, the average of the measured values of the haloing distances of the five via holes measured was adopted as the haloing distance Wt from the edge of the via top of the sample.
下記表において、ハローイング比Htとは、粗化処理後のビアトップのエッジからのハローイング距離Wtと、粗化処理後のビアホールのビアトップの半径(Lt/2)との比(「Wt/(Lt/2)」を表す。このハローイング比Htが35%以下であれば「○」と判定し、ハローイング比Htが35%より大きければ「×」と判定した。 In the following table, the haloing ratio Ht is the ratio (Ht) of the haloing distance Wt from the edge of the via top after the roughening treatment to the radius (Lt / 2) of the via top of the via hole after the roughening treatment When the haloing ratio Ht was 35% or less, it was determined as “o”, and when the haloing ratio Ht was larger than 35%, it was determined as “x”.
実施例1〜6は、厚みが10μmと薄い樹脂組成物層を用いて絶縁層を形成しても、ハローイング比Htが小さいことが分かる。この結果から、本発明の樹脂組成物層により、厚みが薄くてもハローイング現象の抑制が可能な絶縁層を実現できることが確認できた。また、実施例1〜6は、難燃性にも優れることを確認している。 In Examples 1 to 6, it is understood that the haloing ratio Ht is small even when the insulating layer is formed using the resin composition layer having a small thickness of 10 μm. From this result, it has been confirmed that the resin composition layer of the present invention can realize an insulating layer capable of suppressing the haloing phenomenon even when the thickness is thin. Moreover, Examples 1-6 have confirmed that it is excellent also in a flame retardance.
実施例1〜6において、(E)成分〜(F)成分を含有しない場合であっても、程度に差はあるものの、上記実施例と同様の結果に帰着することを確認している。 In Examples 1 to 6, even when the components (E) to (F) are not contained, it is confirmed that the results similar to those of the above-described examples result, although the degree is different.
100 絶縁層
100U 導体層とは反対側の絶縁層の面
110 ビアホール
120 ビアボトム
120C ビアボトムの中心
130 ビアトップ
140 変色部
150 ビアホールのビアボトムのエッジ
160 間隙部
170 間隙部の外周側の端部
180 ビアホールのビアトップのエッジ
190 変色部の外周側の縁部
200 内層基板
210 導体層(第1の導体層)
210U 第1の導体層の主面
220 第2の導体層
220D 第2の導体層主面
300 プリント配線板
Lb ビアホールのボトム径
Lt ビアホールのトップ径
T 絶縁層の厚み
Wt ビアトップのエッジからのハローイング距離
Wb ビアボトムのエッジからのハローイング距離
100
210U First conductor layer
Claims (16)
樹脂組成物が、(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)水酸化マグネシウム、及び(D)シリカを含む、樹脂組成物層。 A resin composition layer containing a resin composition and having a thickness of 15 μm or less,
A resin composition layer, wherein the resin composition comprises (A) epoxy resin, (B) curing agent, (C) magnesium hydroxide, and (D) silica.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017199748A JP6859916B2 (en) | 2017-10-13 | 2017-10-13 | Resin composition layer |
TW107133725A TWI771496B (en) | 2017-10-13 | 2018-09-26 | resin composition layer |
CN201811183033.9A CN109666260A (en) | 2017-10-13 | 2018-10-11 | Resin composition layer |
KR1020180121205A KR102554515B1 (en) | 2017-10-13 | 2018-10-11 | Resin compositon layer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017199748A JP6859916B2 (en) | 2017-10-13 | 2017-10-13 | Resin composition layer |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019073603A true JP2019073603A (en) | 2019-05-16 |
JP6859916B2 JP6859916B2 (en) | 2021-04-14 |
Family
ID=66142700
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017199748A Active JP6859916B2 (en) | 2017-10-13 | 2017-10-13 | Resin composition layer |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6859916B2 (en) |
KR (1) | KR102554515B1 (en) |
CN (1) | CN109666260A (en) |
TW (1) | TWI771496B (en) |
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR102554515B1 (en) | 2023-07-13 |
TW201925333A (en) | 2019-07-01 |
JP6859916B2 (en) | 2021-04-14 |
TWI771496B (en) | 2022-07-21 |
KR20190041936A (en) | 2019-04-23 |
CN109666260A (en) | 2019-04-23 |
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