JP2018520979A - 化学反応用塩化水素製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
(i)圧力pR下にあるホスゲン化からの粗生成物(40)を圧力pE≧pFへ一段階または多段階で減圧することにより、塩化水素を主に含有する気体流(60)ならびにイソシアネートおよびホスゲンを主に含有し場合により溶媒も含有する液体流(50)を得る工程、
(ii)主にイソシアネートおよびホスゲンを含有し場合により溶媒も含有する前記流れ(50)からの圧力pA<pFでのホスゲンの分離により、ホスゲンおよび塩化水素を含んでなり場合により下位量の溶媒も含んでなる気体流(80)ならびにイソシアネートを含有し場合により溶媒の主要部分を含有する流れ(70)を得る工程、
(iii)ホスゲンおよび塩化水素を含有し場合により下位量の溶媒も含有する前記流れ(80)の圧力pV>pFへの圧縮により、圧縮気体流(90)を得る工程、
(iv)塩化水素を含有する前記流れ(60)およびホスゲンおよび塩化水素を含有し場合により下位量の溶媒(30)も含有する前記圧縮流(90)を、好ましくは2つの流れをまとめた後に、圧力pD>pFで好ましくは蒸留塔で精製することにより、精製塩化水素ガス(100)およびホスゲン含有液体(110)を得る工程、
を含んでなる前記方法を与えることである。
アミン(10)およびホスゲン(20)を、
・得られるホスゲン含有流が、ホスゲン含有流の全質量にそれぞれ基づいて、5%〜95%、好ましくは20%〜75%、特に好ましくは30%〜60%の質量比のホスゲン、および95%〜5%、好ましくは80%〜25%、特に好ましくは70%〜40%の質量比の不活性溶媒を有するように、
・アミン含有流が、アミン含有流の全質量にそれぞれ基づいて、5%〜95%、好ましくは10%〜60%、特に好ましくは30%〜45%の質量比のアミン、および95%〜5%、好ましくは90%〜40%、特に好ましくは75%〜55%の質量比の不活性溶媒を有するように、
好ましくは、反応条件下で不活性である溶媒(30)に溶解させる。
・1.00バール〜25.0バール、好ましくは1.50バール〜17.00バール、特に好ましくは1.5〜17バール、特に2.0〜15バール(絶対)の圧力pFで実施されることが好ましい、酸素による塩素への触媒酸化(「ディーコン法」)。ディーコン法は、当業者に知られており、例えば、Ullmann’s Encyclopedia of Industrial Chemistry, 2012 Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim, chapter 10.2.1 (pp. 597 to 599)、およびそこに引用されている文献に記載されている。ここで、(特に、ルテニウム、クロム、スズ、セリウムといった金属の、またはこれらの金属の少なくとも2種の混合物の)金属酸化物および/または塩化物をベースとする触媒は、本発明において、触媒としての無機酸の使用よりも好ましい。
・1.00バール〜15.0バール、好ましくは4.00バール〜12.0バール(絶対)の圧力pFで実施されることが好ましい、エタンまたはエチレン、好ましくはエチレンのオキシ塩素化により二塩化エチレン(EDC)を形成する反応。EDC法は、当業者に知られており、例えば、Ullmann’s Encyclopedia of Industrial Chemistry, 2014 Wiley-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim, chapter 1.3 (pp. 12 to 17)、およびそこに引用されている文献に記載されている。
以下の表は結果を示す。流れについてのデータは、図1の記号表示に基づく。
以下の表は結果を示す。流れについてのデータは、図1の記号表示に基づく。
Claims (15)
- 必要に応じて溶媒(30)の存在下において、対応するアミン(10)のホスゲン化によるイソシアネートの製造における共生成物として得られる塩化水素を、所望の後続の用途で使用される塩化水素(100)の所望の給気圧力pFで所望の後続の用途に利用可能にする方法であって、
(i)圧力pR下にあるホスゲン化からの粗生成物(40)を圧力pE>pFへ一段階または多段階で減圧することにより、塩化水素を含有する気体流(60)並びにイソシアネートおよびホスゲンを含有する、場合により溶媒も含有する液体流(50)を得る工程、
(ii)主にイソシアネートおよびホスゲンを含有する、場合により溶媒も含有する前記流れ(50)からの圧力pA<pFでのホスゲンの分離により、ホスゲンおよび塩化水素を含んでなる気体流(80)並びにイソシアネートを含有する、場合により溶媒も含有する流れ(70)を得る工程、
(iii)ホスゲンおよび塩化水素を含有する前記流れ(80)の圧力pV>pFへの圧縮により、圧縮気体流(90)を得る工程、
(iv)塩化水素を含有する前記流れ(60)並びにホスゲンおよび塩化水素を含有する前記圧縮流(90)を圧力pD>pFで精製することにより、精製塩化水素ガス(100)およびホスゲン含有液体(110)を得る工程、
を含んでなる、方法。 - 前記工程(i)がセパレータ(2000)において行われる、請求項1に記載の方法。
- 前記セパレータ(2000)が、圧力レベルが連続的に減少する直列に連結された複数のセパレータ(2010、2020、2030、・・・)のカスケードとして構成され、気体状塩化水素含有相(61、62、63、・・・)が各セパレータから取り出され、塩化水素を含有するこれらの個々の気相(61、62、63、・・・)がさらにまとめられて、塩化水素を含有する気体流(60)を形成し、前記気体流(60)の圧力が圧力pEに相当する、請求項2に記載の方法。
- 前記工程(ii)が脱ホスゲン化塔(3000)において行われる、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記工程(iv)が蒸留塔(5000)において行われる、請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記工程(iv)が実施される前に、前記流れ(60)および(90)がまとめられる、請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記工程(iv)において、
(iv.1)前記流れ(60)および(90)をまとめることによって得られた流れを、熱交換器で間接的に冷却することによって部分的に凝縮させ、
(iv.2)得られた液体流および得られた気体流を前記蒸留塔(5000)に送り込み、
(iv.3)前記蒸留塔(5000)の頂部で得られた気体流を、別の熱交換器で間接的に冷却することによって部分的に凝縮させ、
(iv.4)(iv.3)で得られた液相を前記蒸留塔(5000)の頂部に再循環させ、
(iv.5)(iv.3)で得られた気相、すなわち、精製塩化水素ガス(100)を、工程(iv.1)における前記間接冷却のための媒体として使用する、
請求項5または6に記載の方法。 - 前記イソシアネートが、純粋な異性体または異性体混合物としてのメチレンジ(フェニルイソシアネート)、ポリメチレンポリフェニルポリイソシアネート、メチレンジ(フェニルイソシアネート)およびポリメチレンポリフェニルポリイソシアネートの混合物、純粋な異性体または異性体混合物としてのトリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネートの異性体、ジイソシアナトベンゼンの異性体、2,6−キシレンイソシアネート、およびナフチレン1,5−ジイソシアネートからなる群から選択される、請求項1〜7のいずれか一項に記載の方法。
- ・前記pRが、6.00バール〜60.0バールの範囲の値を有し、
・前記pEが、5.00バール〜30.0バールの範囲の値を有し、
・前記pAが、0.50バール〜5.00バールの範囲の値を有し、
・前記pVが、5.00バール〜30.0バールの範囲の値を有し、
・前記pDが、1.01バール〜25.5バールの範囲の値を有する、
請求項1〜8のいずれか一項に記載の方法。 - ・前記pRが、12.0バール〜45.0バールの範囲の値を有し、
・前記pEが、9.00バール〜18.0バールの範囲の値を有し、
・前記pAが、1.00バール〜3.00バールの範囲の値を有し、
・前記pVが、9.00バール〜18.0バールの範囲の値を有し、
・前記pDが、5.00バール〜17.5バールの範囲の値を有する、
請求項1〜8のいずれか一項に記載の方法。 - ・前記ホスゲン化からの粗生成物(40)が、80℃〜200℃の範囲の温度TRを有し、
・前記塩化水素を含有する気体流(60)が、90℃〜170℃の範囲の温度TEを有し、
・前記ホスゲンおよび塩化水素を含有する気体流(80)が、10℃〜90℃の範囲の温度TAを有し、
・前記圧縮気体流(90)が、90℃〜170℃の範囲の温度TVを有し、
・前記精製塩化水素ガス(100)が、−50℃〜20℃の範囲の温度TDを有する、
請求項9に記載の方法。 - ・前記ホスゲン化からの粗生成物(40)が、110℃〜170℃の範囲の温度TRを有し、
・前記塩化水素を含有する気体流(60)が、110℃〜150℃の範囲の温度TEを有し、
・前記ホスゲンおよび塩化水素を含有する気体流(80)が、30℃〜70℃の範囲の温度TAを有し、
・前記圧縮気体流(90)が、110℃〜150℃の範囲の温度TVを有し、
・前記精製塩化水素ガス(100)が、−30℃〜−10℃の範囲の温度TDを有する、
請求項10に記載の方法。 - 前記後続の用途が、酸素を用いる塩化水素の触媒酸化による塩素の製造、およびエタンまたはエチレンのオキシ塩素化により二塩化エチレンを形成する反応、から選択される、請求項1〜12のいずれか一項に記載の方法。
- 前記後続の用途が、
1.00バール〜25.0バールの範囲のpFの値での酸素を用いる塩化水素の触媒酸化による塩素の製造、および
1.00バール〜15.0バールの範囲のpFの値でのエタンまたはエチレンのオキシ塩素化により二塩化エチレンを形成する反応、
から選択される、請求項9または11に記載の方法。 - 前記後続の用途が、
1.50バール〜17.0バールの範囲のpFの値での酸素を用いる塩化水素の触媒酸化による塩素の製造、および
4.00バール〜12.0バールの範囲のpFの値でのエタンまたはエチレンのオキシ塩素化により二塩化エチレンを形成する反応、
から選択される、請求項10または12に記載の方法。
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