JP2017182885A - High-frequency heating device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、食品などに高周波電界を印加して、加熱処理、解凍処理などを行う高周波加熱装置に関する。 The present invention relates to a high-frequency heating apparatus that applies a high-frequency electric field to food or the like to perform heat treatment, thawing treatment, and the like.
高周波加熱装置では、2つの電極間に高周波高電圧を印加し、その間に誘電体である被解凍物を挟んで誘電加熱が行われる。図31には、高周波を利用した誘電加熱によって解凍処理を行う解凍装置を示す。解凍装置1000は、金属製の加熱室1008を備える。加熱室1008内には、上部電極1001、下部電極1002、底面プレート1007などが備えられている。上部電極1001及び下部電極1002は、それぞれ一枚の金属板で形成され、互いに平行に配置されている。底面プレート1007は、下部電極1002上に配置される。底面プレート1007上には、被解凍物1003が載置される。
In the high-frequency heating device, a high-frequency high voltage is applied between two electrodes, and dielectric heating is performed with an object to be thawed interposed therebetween. FIG. 31 shows a thawing device that performs thawing processing by dielectric heating using high frequency. The
加熱室1008の外側には、高周波発振器1005、整合回路1006などが設けられている。高周波発振器1005、整合回路1006は、配線によって上部電極1001及び下部電極1002と接続されている。上部電極1001及び下部電極1002には、高周波発振器1005から高周波の高電圧が供給される。これにより、上部電極1001と下部電極1002との間に高周波電界が発生し、被解凍物1003が誘電加熱され、被解凍物1003の解凍処理が行われる。
A
上部電極1001と被解凍物1003との間にエアギャップが存在すると、加熱効率が低下する。そのため、解凍装置1000には、上部電極1001を上下方向に移動させるための昇降機構1004が備えられている。昇降機構1004は、被解凍物1003の厚みに合わせて上部電極1001を上下方向に移動させる。
If an air gap exists between the
昨今、上記のような高周波加熱装置の基本構成を改良して、より実用的な解凍装置を提供することが検討されている。例えば、特許文献1には、負荷整合の簡易化、あるいはエネルギー損失の低減を目的として、第3の電極板を配置し、固定電極と同電位を与える誘電加熱装置が開示されている。
Recently, it has been studied to provide a more practical thawing apparatus by improving the basic configuration of the high-frequency heating apparatus as described above. For example,
高周波加熱装置は、上述のように、加熱室内で被解凍物に高周波電界を与えることによって、被解凍物の解凍処理を行う。そのため、加熱室の外部において漏洩電界が生じる。高周波加熱装置からの漏洩電界値は、電波法などで定められる規制値や、ガイドライン値などで制限されている。そこで、漏洩電界を抑制する対策が必要となる。 As described above, the high-frequency heating device performs a thawing process on the object to be thawed by applying a high-frequency electric field to the object to be thawed in the heating chamber. Therefore, a leakage electric field is generated outside the heating chamber. The leakage electric field value from the high-frequency heating device is limited by a regulation value determined by the Radio Law or a guideline value. Therefore, measures to suppress the leakage electric field are required.
一般的な漏洩電界の対策としては、金属筺体のアース接地が知られている。しかし、加熱室には、金属筺体を構成する部品同士の篏合部の隙間や、構造上の理由で生じる開口部が形成される可能性がある。このような場合には、上記の規制値を満たすことは困難となる。また、金属筺体の構造のみで漏洩電界を抑えようとすると、金属による遮蔽を多重に設けるなどといった対策が必要となり、装置の大型化が問題となる。そのため、このような手法とは異なる手法での漏洩電界対策が望まれている。 As a countermeasure against a general leakage electric field, grounding of a metal housing is known. However, in the heating chamber, there is a possibility that a gap between the joining parts of the parts constituting the metal casing or an opening generated for structural reasons may be formed. In such a case, it becomes difficult to satisfy the above regulation value. Further, if it is attempted to suppress the leakage electric field only by the structure of the metal casing, it is necessary to take measures such as providing multiple shields with metal, which causes a problem of increasing the size of the apparatus. For this reason, countermeasures against leakage electric fields using a technique different from such a technique are desired.
そこで、本発明では、装置の大型化を抑えつつ、漏洩電界を抑制することのできる高周波加熱装置を提供することを目的とする。 Therefore, an object of the present invention is to provide a high-frequency heating device capable of suppressing a leakage electric field while suppressing an increase in size of the device.
本発明の第一局面にかかる高周波加熱装置は、上部電極と、前記上部電極の下方に配置された下部電極と、前記上部電極と前記下部電極との間に高周波電圧を印加する電圧印加部とを備えている高周波加熱装置である。この高周波加熱装置において、前記上部電極の周囲には、補助電極が備えられている。そして、前記電圧印加部は、前記下部電極と前記補助電極との間に、前記上部電極と前記下部電極との間に印加する高周波電圧とは異なる電圧を印加する。 The high-frequency heating device according to the first aspect of the present invention includes an upper electrode, a lower electrode disposed below the upper electrode, and a voltage application unit that applies a high-frequency voltage between the upper electrode and the lower electrode. Is a high-frequency heating device. In this high frequency heating apparatus, an auxiliary electrode is provided around the upper electrode. The voltage application unit applies a voltage different from the high-frequency voltage applied between the upper electrode and the lower electrode between the lower electrode and the auxiliary electrode.
前記高周波加熱装置は、前記上部電極及び前記下部電極を収容する加熱室をさらに備え、前記補助電極は、前記加熱室と同電位に接続されていてもよい。 The high-frequency heating device may further include a heating chamber that houses the upper electrode and the lower electrode, and the auxiliary electrode may be connected to the same potential as the heating chamber.
前記高周波加熱装置において、前記下部電極と前記補助電極との間に印加される電圧は、前記上部電極と前記下部電極との間に印加される高周波電圧と、同じ周波数で逆位相であってもよい。 In the high-frequency heating device, the voltage applied between the lower electrode and the auxiliary electrode may be the same frequency as that of the high-frequency voltage applied between the upper electrode and the lower electrode, and in reverse phase. Good.
前記高周波加熱装置において、前記上部電極は、複数の矩形状の第1の電極板を有するとともに、前記下部電極は、複数の矩形状の第2の電極板を有し、前記第1の電極板及び前記第2の電極板は、それぞれ長辺と短辺とを有し、前記第1の電極板の長辺と、前記第2の電極板の長辺とが互いに交差するように、前記第1の電極板及び第2の電極板が配置されていてもよい。また、前記第1の電極板の長辺と、前記第2の電極板の長辺とは、互いに略直交することが好ましい。また、複数の矩形状の第1の電極板または複数の矩形状の第2の電極板は、整合回路とそれぞれ接続されていてもよい。 In the high-frequency heating device, the upper electrode has a plurality of rectangular first electrode plates, and the lower electrode has a plurality of rectangular second electrode plates, and the first electrode plate And the second electrode plate has a long side and a short side, respectively, and the long side of the first electrode plate and the long side of the second electrode plate cross each other. One electrode plate and a second electrode plate may be disposed. The long side of the first electrode plate and the long side of the second electrode plate are preferably substantially orthogonal to each other. The plurality of rectangular first electrode plates or the plurality of rectangular second electrode plates may be connected to the matching circuit, respectively.
前記高周波加熱装置は、前記上部電極と前記下部電極との間に第2の補助電極をさらに備えていてもよい。そして、前記第2の補助電極は、中央部分に開口部を有し、被加熱物の上面の位置と略同じ位置に配置され、前記下部電極と前記第2の補助電極との間には、前記上部電極と前記下部電極との間に印加される高周波電圧とは異なる電圧が印加されてもよい。 The high-frequency heating device may further include a second auxiliary electrode between the upper electrode and the lower electrode. The second auxiliary electrode has an opening in the central portion, and is disposed at substantially the same position as the position of the upper surface of the object to be heated. Between the lower electrode and the second auxiliary electrode, A voltage different from the high-frequency voltage applied between the upper electrode and the lower electrode may be applied.
前記高周波加熱装置は、前記上部電極及び前記下部電極を収容する加熱室を開閉するための扉と、前記上部電極を上下方向に移動させる昇降機構とをさらに備え、前記昇降機構は、前記扉の開動作と連動して前記上部電極を上昇させてもよい。 The high-frequency heating device further includes a door for opening and closing a heating chamber that accommodates the upper electrode and the lower electrode, and an elevating mechanism that moves the upper electrode in the vertical direction. The upper electrode may be raised in conjunction with the opening operation.
また、前記高周波加熱装置は、加熱室扉をさらに備え、前記加熱室扉の開動作と前記上部電極の上昇動作とが連動し、かつ前記加熱室扉の閉動作と前記上部電極の下降動作とが連動してもよい。 The high-frequency heating device further includes a heating chamber door, the opening operation of the heating chamber door and the raising operation of the upper electrode are interlocked, and the closing operation of the heating chamber door and the lowering operation of the upper electrode are May be linked.
また、前記高周波加熱装置は、加熱室扉をさらに備え、前記加熱室扉の開動作と前記下部電極の下降動作とが連動してもよい。 The high-frequency heating device may further include a heating chamber door, and the opening operation of the heating chamber door and the lowering operation of the lower electrode may be interlocked.
また、前記高周波加熱装置は、加熱室扉をさらに備え、前記加熱室扉の開動作と前記下部電極の下降動作とが連動し、かつ前記加熱室扉の閉動作と前記下部電極の上昇動作とが連動してもよい。 The high-frequency heating device further includes a heating chamber door, the opening operation of the heating chamber door and the lowering operation of the lower electrode are interlocked, and the closing operation of the heating chamber door and the raising operation of the lower electrode are May be linked.
以上のように、本発明の高周波加熱装置には、下部電極と補助電極との間に、上部電極と下部電極との間に印加する高周波電圧とは異なる電圧を印加する電圧印加部が備えられている。そのため、高周波加熱装置の加熱室を構成する金属筐体の構造を変更することなく、高周波加熱装置からの漏洩電界を抑制することができる。 As described above, the high-frequency heating device of the present invention includes a voltage application unit that applies a voltage different from the high-frequency voltage applied between the upper electrode and the lower electrode between the lower electrode and the auxiliary electrode. ing. Therefore, the leakage electric field from the high frequency heating device can be suppressed without changing the structure of the metal casing constituting the heating chamber of the high frequency heating device.
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。以下の説明では、同一の部品には同一の符号を付してある。それらの名称および機能も同じである。したがって、それらについての詳細な説明は繰り返さない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following description, the same parts are denoted by the same reference numerals. Their names and functions are also the same. Therefore, detailed description thereof will not be repeated.
<第1の実施形態>
(高周波加熱装置の概略構成)
先ず、本実施の形態にかかる高周波加熱装置100の概略構成について、図1及び図2を用いて説明する。本実施形態の高周波加熱装置100は、食品などの被加熱物3に高周波電界を印加して、被加熱物の加熱処理、解凍処理などを行う。高周波加熱装置100は、加熱室8を備えている。加熱室8は、金属製の筐体で形成されている。
<First Embodiment>
(Schematic configuration of the high-frequency heating device)
First, a schematic configuration of the high-
図2に示すように、加熱室8の内部には、上部電極1、下部電極2、昇降機構4、底面プレート7、補助電極11、天面プレート12などを備えている。上部電極1及び下部電極2は、後述するように、それぞれ複数枚の金属板で構成されている。上部電極1及び下部電極2は、互いに平行になるように配置されている。底面プレート7は、下部電極2の上部に配置され、下部電極2に密着している。天面プレート12は、上部電極1の下部に配置され、上部電極1に密着している。補助電極11は、上部電極1と同一面上に配置され、上部電極1の周囲に配置されている。上部電極1と補助電極11との間は絶縁されている。
As shown in FIG. 2, the
上部電極1及び天面プレート12は、昇降機構4と連結されている。昇降機構4には、ギア及びモータなどが備えられている。これにより、昇降機構4は上下方向に移動する。昇降機構4の移動に伴って、昇降機構4に連結された上部電極1、補助電極11、及び天面プレート12も上下方向に位置を変えることができる。これにより、加熱処理時に、被加熱物3の大きさに合せて上部電極1の位置を変えることができる。
The
高周波加熱装置100を用いて被加熱物3の加熱又は解凍を行う場合には、底面プレート7上に被加熱物3を載せる。そして、後述する方法で、上部電極1と下部電極2との間に高周波電界を与え、被加熱物3の誘電損失による誘電加熱解凍を行う。
When heating or thawing the object to be heated 3 using the high-
(各電極の構成)
続いて、加熱室8内の各電極の具体的な構成、及び各電極に対して電圧を印加する電圧印加部の構成について、図1を参照しながら説明する。
(Configuration of each electrode)
Next, a specific configuration of each electrode in the
図1に示すように、上部電極1は、4個の長方形状(矩形状)の第1の電極板1a・1c・1b・1dで構成されている。下部電極2は、4個の長方形状(矩形状)の第2の電極板2A・2B・2C・2Dで構成されている。そして、上方から見た場合に、第1の電極板1a・1c・1b・1dの長辺と、第2の電極板2A・2B・2C・2Dの長辺とが、略直交するような位置関係で配置されている。補助電極11は、4個の第1の電極板1a・1c・1b・1dを取り囲むように配置されている。
As shown in FIG. 1, the
また、加熱室8の外側には、各電極に対して電圧を印加するための電圧印加部10が設けられている。電圧印加部10は、主として、整合回路5、高周波発信器13、増幅器(高周波アンプ)14、上部電極切替部15、及び下部電極切替部16を備えている。
In addition, a
図3には、整合回路5内の回路構成を示す。図3に示すように、整合回路5は、可変コンデンサ5a・5b、可変コイル5cなどを備えている。これにより、整合回路5は、上部電極1と下部電極2とで構成されるコンデンサのリアクタンスを相殺する。また、整合回路5は、可変コンデンサ5a・5b及び可変コイル5cの値を調整することにより、整合回路5への入力インピーダンスと増幅器14への出力インピーダンスとを一致させることができる。
FIG. 3 shows a circuit configuration in the
高周波発信器13は、HF〜VHF帯周波数の電圧信号を発信し、増幅器14に供給する。増幅器14は、高周波発信器13から送信された電圧信号を所望する電力まで増幅する。増幅器14で増幅された電圧信号は、整合回路5並びに上部電極切替部15及び下部電極切替部16を通って、上部電極1と下部電極2とで形成されるコンデンサへ供給される。これにより、上部電極1と下部電極2との間には高周波電界が生じる。そして、上部電極1と下部電極2との間に載置された被加熱物3は、誘電加熱される。
The
上部電極切替部15は、上部電極1へ供給する電圧信号を、4個の第1の電極板1a・1c・1b・1dのそれぞれに対して供給するためのスイッチを有している。下部電極切替部16は、整合回路5側の配線と、4個の第2の電極板2A・2B・2C・2Dとをそれぞれ接続するためのスイッチを有している。
The upper
また、図1に示すように、加熱室8、下部電極2、及び補助電極11は、接地されている。これにより、加熱室8、下部電極2、及び補助電極11は、同電位(具体的には、0Vの電位)になっている。一方、上部電極1は、例えば、V+の電位となるように高周波電圧が印加される。
Further, as shown in FIG. 1, the
図4には、上部電極1を構成する第1の電極板1a・1c・1b・1dと、下部電極2を構成する第2の電極板2A・2B・2C・2Dとで構成される等価回路を示す。図4では、上部電極切替部15において、第1の電極板1aに対するスイッチがON状態であり、かつ、下部電極切替部16において、第2の電極板2Aに対するスイッチがON状態の場合を示す。
FIG. 4 shows an equivalent circuit composed of
図4に示すように、等価回路内には、等価コンデンサ18と、等価抵抗19と、等価コンデンサ20とが含まれている。等価コンデンサ18は、上部電極1側の第1の電極板1aと下部電極2側の第2の電極板2Aとで構成される。等価抵抗19は、被加熱物3の誘電損失分からなる。等価コンデンサ20は、上部電極1側の第1の電極板1aと、補助電極11とで構成される。等価コンデンサ18と、等価抵抗19とは、直列接続されている。また、等価コンデンサ18及び等価抵抗19と、等価コンデンサ20とは、並列接続されている。また、下部電極2側の第2の電極板2Aと補助電極11は接地される。
As shown in FIG. 4, the equivalent circuit includes an
図5には、上部電極切替部15及び下部電極切替部16内のスイッチの構成を示す。図5に示すように、上部電極切替部15は、上部電極1へ供給する電圧を、4個の第1の電極板1a・1c・1b・1dのそれぞれに対して供給するためのスイッチを有している。下部電極切替部16は、整合回路5側の配線と、4個の第2の電極板2A・2B・2C・2Dとをそれぞれ接続するためのスイッチを有している。
FIG. 5 shows the configuration of the switches in the upper
上部電極切替部15及び下部電極切替部16内に設けられた各スイッチをON状態とすることで、複数の第1の電極板1a・1c・1b・1dと、複数の第2の電極板2A・2B・2C・2Dとの間に電界を形成することができる。そして、上部電極切替部15及び下部電極切替部16内に設けられた各スイッチの何れをON状態とし、何れをOFF状態とするかによって、上部電極1と下部電極2との間のどの領域に電界を形成するかを選択することができる。なお、上部電極1を複数の電極板に分割し、下部電極2を複数の電極板に分割する構成については、後述の第6の実施形態と同様の構成を適用することができる。
A plurality of
(漏洩電界の抑制について)
続いて、補助電極11による漏洩電界の抑制について、図6及び図7を参照しながら、以下に説明する。従来の高周波加熱装置においては、上部電極及び下部電極を金属で形成された加熱室で隙間なく囲い、加熱室をアース設置することによって、漏洩電界対策が行われている。しかし、加熱室には、構造上の理由で開口部や隙間などを設けざるを得ない場合がある。本実施形態では、このような場合に漏洩電界を適切に抑制することができる高周波加熱装置を提供する。
(Regarding suppression of leakage electric field)
Subsequently, suppression of the leakage electric field by the
例えば、本実施形態の高周波加熱装置100において、図6に示すように、加熱室8の側面にスリット上の開口部21を設けた場合を想定する。そして、図7(a)には、開口部21が形成されている位置を含む平面22上における差分方程式で、加熱室8の外面のZ−Z’軸上の電界を計算した結果を示す。なお、図7(b)には、比較対象として、補助電極を有していない高周波加熱装置において電界値を計算した結果を示す。また、図7(c)には、図7(a)及び図7(b)に示すグラフの横軸に対応する高周波加熱装置の位置を示す。図7(a)及び図7(b)では、図7(b)に示す補助電極無しの場合の電界ピーク値を1として、各位置における電界値を正規化して表す。
For example, in the high-
図7(a)及び図7(b)に示すように、開口部21の形成位置では、補助電極無しの場合の値1に対し、本実施形態の高周波加熱装置100のように、補助電極11を設けた場合では0.27となった。この結果から、補助電極11を設けることにより、電界強度が低減されていることが確認された。したがって、補助電極11は、漏えい電界抑制に効果的である。
As shown in FIGS. 7A and 7B, at the position where the
(上部電極の上下移動と加熱室扉の開閉動作との連動について)
続いて、本実施形態の高周波加熱装置100の加熱室8に設けられた扉42の開閉動作と、上部電極1の上下移動について、図8から図11を参照しながら説明する。図8(a)及び図8(b)には、高周波加熱装置の扉の開閉動作と、上部電極の昇降動作との関係を模式的に示す。図9から図11には、上部電極1の昇降機構4の構成を示す。なお、説明の便宜上、扉42が配置されている面を高周波加熱装置100の前面とする。そして、高周波加熱装置100を使用時の状態で載置した場合に、前面を基準として、左側に位置する面を左側面とし、右側に位置する面を右側面とし、後ろ側に位置する面を背面とし、上側に位置する面を上面とし、下側に位置する面を底面とする。
(Interlocking movement of upper electrode up and down and heating chamber door opening and closing operation)
Next, the opening / closing operation of the
一般に、高周波加熱装置において、電極と被加熱物との間にエアギャップが存在すると、加熱効率の低下を招く。そのため、従来の高周波加熱装置の中には、被加熱物の厚みに合わせて電極を昇降移動する機構が備えられているものがある。例えば、特許文献(特開2002−246165)には、モータで駆動される電極距離可変手段130を備え、被解凍物121の大きさに応じて、電極板108及び109同士の間隔を変更可能な高周波解凍装置が開示されている。 Generally, in the high-frequency heating device, if an air gap exists between an electrode and an object to be heated, heating efficiency is reduced. Therefore, some conventional high-frequency heating devices are provided with a mechanism for moving the electrode up and down in accordance with the thickness of the object to be heated. For example, the patent document (Japanese Patent Laid-Open No. 2002-246165) includes an electrode distance varying means 130 driven by a motor, and the interval between the electrode plates 108 and 109 can be changed according to the size of the object to be thawed 121. A high frequency thawing device is disclosed.
ところで、高周波加熱装置を利用して冷凍食品などを解凍する場合、実使用では、加熱処理の途中で加熱室の扉を開けて食品の状態を確認することが想定される。しかし、電極が食品に近付いていると、食品が電極によって隠されている状態になり、食品の状態を目視で確認することができない。そのため、加熱室扉を開ける操作がなされた際には、例えば、上部電極を上昇させる処理を行うことが望まれる。 By the way, when thawing frozen food using a high-frequency heating device, in actual use, it is assumed that the state of the food is confirmed by opening the door of the heating chamber during the heat treatment. However, when the electrode approaches the food, the food is hidden by the electrode, and the state of the food cannot be visually confirmed. Therefore, when an operation for opening the heating chamber door is performed, for example, it is desirable to perform a process of raising the upper electrode.
しかし、上部電極をモータで上昇させる構成の場合には、装置内の制御部などが加熱室扉を開ける操作がされたことを検出した後に、上部電極の上昇処理に移行する。そのため、加熱室扉を開けてから食品を目視できるまでに時間がかかり、操作性が悪いという問題がある。 However, in the case of a configuration in which the upper electrode is raised by a motor, the control unit in the apparatus detects that an operation for opening the heating chamber door has been performed, and then proceeds to the upper electrode raising process. For this reason, there is a problem that it takes time until the food can be visually observed after opening the heating chamber door, and the operability is poor.
そこで、本実施形態にかかる高周波加熱装置100では、上部電極1を上下方向に移動させる昇降機構4が、扉42の開動作と連動して上部電極1を上昇させることができる。この構成によれば、加熱室扉42の開動作(開ける動作)と機械的に連動して上部電極1が上昇する(図8(b)参照)。そのため、加熱途中での食品状態の確認や、食品の取り出しの作業を速やかに行うことが可能となり、高周波加熱装置の操作性を向上させることができる。
Therefore, in the high-
また、本実施形態の高周波加熱装置100では、図8(a)に示すように、加熱室扉42の閉動作(閉める動作)と機械的に連動して上部電極1が下降してもよい。これにより、扉42を閉めた直後に加熱処理に移行することができる。
Moreover, in the high
続いて、昇降機構4及び扉42の具体的な構成について説明する。高周波加熱装置100は、内部に加熱室8を有する。加熱室8には、室内を開閉する加熱室扉42が取り付けられている(図9参照)。上述したように、加熱室8の内部には、上部電極1、下部電極2、底面プレート7、補助電極11、天面プレート12などが備えられている。上部電極1は、加熱効率向上のため、昇降機構4によって昇降可能となっている。
Subsequently, specific configurations of the elevating
例えば、本実施形態では、加熱室8の寸法(幅×奥行×高さ)を、200×150×100(mm)、上部電極1の昇降高さを55(mm)とすることができる。なお、図9から図11では、高周波電源(電圧印加部10)は図示しない。
For example, in this embodiment, the dimension (width × depth × height) of the
図9から図11では、扉42が閉じた状態を示す。ここで、扉42が閉状態から90度開状態まで開けられる場合の各部材の動作について説明する。昇降機構4は、上部電極支柱41、平歯車43、平歯車44、傘歯車45、傘歯車46、傘歯車47、傘歯車48、ピニオンギヤ49、ラック51、加熱室扉支柱52、シャフト53、シャフト54、シャフト55、固定金具56などを有している。
9 to 11 show a state where the
扉42と平歯車43は、固定金具56によって固定されている。扉42を閉状態から90度開状態まで開くと、平歯車43はそれに伴い、上面から見て90度時計回りに回転する。平歯車43とかみ合わされている平歯車44は、平歯車43と同一の歯数を有する。そのため、平歯車43が90度時計回りに回転するのに伴って、平歯車44は、上面から見て反時計回りに90度回転する。
The
平歯車44と傘歯車45は同一のシャフト53に取り付けられている。これにより、平歯車44の回転に伴って、傘歯車45は、上面から見て反時計回りに90度回転する。傘歯車46は、傘歯車45と噛み合わされている。また、傘歯車46は、傘歯車45の1/3の歯数を有する。これにより、傘歯車46は、傘歯車45が90度回転するのに伴って、前面(装置100の正面)から見て時計回りに270度回転する。
The
傘歯車47は、傘歯車46と同一のシャフト54に取り付けられている。そのため、傘歯車46の回転に伴って、傘歯車47は、前面から見て時計回りに270度回転する。傘歯車48は、傘歯車47と同一の歯数を有する。そのため、傘歯車47が270度回転するのに伴って、装置100の左側面から見て時計回りに270度回転する。
The
ピニオンギヤ49は、傘歯車48と同一のシャフト55に取り付けられている。そのため、傘歯車48の回転に伴って、ピニオンギヤ49は、左側面から見て時計回りに270度回転する。ラック51は、上部電極支柱41に取り付けられている。そのため、ラック51は、ピニオンギヤ49の回転に伴い、上部電極支柱41及び上部電極1などとともに上昇する。例えば、ピニオンギヤ49のモジュールと歯数は、ピニオンギヤ49の270度の回転で、ラック51が昇降高さ55(mm)を満たすように設定することができる。ここでは、モジュールを1とし、歯数を24とした。但し、本発明はこれに限定はされない。
The
加熱室扉42が、90度開状態から閉状態まで閉じると、上部電極1は上述の動きとは反対の動作をし、55(mm)下降する。
When the
以上のように、本実施形態の高周波加熱装置100では、加熱室扉42の開閉動作と、上部電極1の昇降動作とが連動している。これにより、加熱室扉42を開けると同時に上部電極1が上昇する。したがって、モータで電極を昇降する構成と比較して、加熱室処理途中での被加熱物の状態確認をより容易に行うことができる。また、この構成によれば、被加熱物の庫内への出し入れ作業のスピードを向上させることができる。
As described above, in the high-
さらに、被加熱物の形状が一定の場合、上部電極1の昇降高さを被加熱物の厚みに合わせて設計すれば、電極昇降用のアクチュエータを省略できる。これにより、構成をより簡易なものとすることができ、低コストの高周波加熱装置を提供できる。
Further, when the shape of the object to be heated is constant, the actuator for raising and lowering the electrode can be omitted if the elevation height of the
なお、本実施形態では、上部電極1を上下方向に移動させることによって、上部電極1と下部電極2との間隔を変更可能な構成について説明したが、本発明では、下部電極2を上下方向に移動させることによって、上部電極1と下部電極2との間隔を調整することもできる。
In the present embodiment, the configuration in which the distance between the
<第2の実施形態>
続いて、本発明の第2の実施形態について説明する。上述の第1の実施形態では、補助電極11の電位を、加熱室8と同電位(具体的には、接地電位G)としている。しかし、本発明はこのような構成に限定はされず、補助電極を異なる電位にしてもよい。第2の実施形態では、漏洩電界を抑制するための補助電極に、上部電極に印加する電圧とは逆位相の電圧を印加する構成について説明する。
<Second Embodiment>
Subsequently, a second embodiment of the present invention will be described. In the first embodiment described above, the potential of the
図12には、本発明の第2の実施形態にかかる高周波加熱装置200を示す。高周波加熱装置200の基本的な構成は、高周波加熱装置100(図1参照)と同じである。そこで、高周波加熱装置200において、高周波加熱装置100と同一の構造及び機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
In FIG. 12, the high
図12に示すように、高周波加熱装置200は、補助電極211を備えている。第1の実施形態では、補助電極11は、接地されていた。これに対して、第2の実施形態では、補助電極211は、接地されていない。補助電極211は、可変コンデンサ233の一方側の電極に接続されている。可変コンデンサ233の他方側の電極は、接地されているとともに、下部電極切替部16を介して下部電極2(すなわち、第2の電極板2A・2B・2C・2D)に接続されている。
As shown in FIG. 12, the high-
図13には、高周波加熱装置200において、上部電極1を構成する第1の電極板1a・1c・1b・1dと、下部電極2を構成する第2の電極板2A・2B・2C・2Dとで構成される等価回路を示す。図13では、上部電極切替部15において、第1の電極板1aに対するスイッチがON状態であり、かつ、下部電極切替部16において、第2の電極板2Aに対するスイッチがON状態の場合を示す。
In FIG. 13, in the high
図13に示すように、等価回路内には、等価コンデンサ218と、等価抵抗219と、可変コンデンサ233と、等価コンデンサ234とが含まれている。等価コンデンサ218は、上部電極1側の第1の電極板1aと下部電極2側の第2の電極板2Aとで構成される。等価抵抗219は、被加熱物3の誘電損失分からなる。等価コンデンサ234は、下部電極2側の第2の電極板2Aと、補助電極211とで構成される。
As shown in FIG. 13, the equivalent circuit includes an
等価コンデンサ218と、等価抵抗219とは、直列接続されている。また、等価コンデンサ218及び等価抵抗219と、等価コンデンサ234とは、直列接続され、整合回路5の出力に接続される。さらに、上部電極1(例えば、第1の電極板1a)に対する補助電極11の電圧比を調整するために、可変コンデンサ233が等価コンデンサ234と並列に接続され、下部電極2(例えば、第2の電極板2A)は接地される。
The
そして、補助電極11には、下部電極2(すなわち、接地電位G)に対して上部電極1に加わる電圧V+とは異なる電圧V−が印加される。図14には、上部電極1と下部電極2との間に印加される電圧V+の位相V1、および、補助電極11と下部電極2との間に印加される電圧V−の位相V2の一例を示す。この図に示すように、補助電極11と下部電極2との間に印加される電圧V−の位相V2は、上部電極1と下部電極2との間に印加される電圧V+の位相V1と同じ周波数で逆位相となっている。また、電圧V−の絶対値は、電圧V+の絶対値よりも小さくなっている。
A voltage V − different from the voltage V + applied to the
次に、補助電極211による漏洩電界の抑制について、図15を参照しながら説明する。ここでは、第1の実施形態と同様に、高周波加熱装置200の加熱室8の側面にスリット上の開口部21を設けた場合を想定する(図6参照)。
Next, suppression of the leakage electric field by the
図15(a)には、開口部21が形成されている位置を含む平面22上における差分方程式で、加熱室8の外面のZ−Z’軸上の電界を計算した結果を示す。なお、図15(b)には、比較対象として、第1の実施形態の高周波加熱装置100において電界値を計算した結果を示す。また、図15(c)には、図15(a)及び図15(b)に示すグラフの横軸に対応する高周波加熱装置の位置を示す。図15(a)及び図15(b)では、図7(b)に示す補助電極無しの場合の電界ピーク値を1として、各位置における電界値を正規化して表す。
FIG. 15A shows a result of calculating the electric field on the Z-Z ′ axis of the outer surface of the
なお、図16には、下部電極2に対する上部電極1及び補助電極211の電圧比をパラメータとして評価した結果を示す。横軸には、上部電極1に印加する電圧に対する補助電極211に印加する電圧の比を示す。図16に示すように、上部電極1に対する補助電極211の電圧比が0.1となるような電圧を印加した場合に、電界値が最も低くなっている。そのため、図15に示す解析では、補助電極211には、上部電極1に対する電圧比が0.1の逆位相電圧を印加している。
FIG. 16 shows the results of evaluation using the voltage ratio of the
図15(a)に示すように、本実施形態の高周波加熱装置200における開口部21の形成位置では、補助電極無しの場合の値1(図7(b)参照)に対し、値0.07となった。比較対象の高周波加熱装置100の測定結果は、図15(b)に示すように、補助電極無しの場合の値1(図7(b)参照)に対し、値0.27となった。この結果から、補助電極211を設けることにより、第1の実施形態の場合よりも電界強度がさらに低減されていることが確認された。したがって、補助電極211は、漏えい電界抑制により効果的である。
As shown in FIG. 15 (a), at the position where the
また、本実施形態の高周波加熱装置200では、可変コンデンサ233の容量を調整することで、下部電極2に対する上部電極1及び補助電極11の電圧比を制御することが可能である。そのため、天面プレート12の上下方向の位置(すなわち、上部電極1及び補助電極11と開口部21の相対位置)に応じて、下部電極2に対する上部電極1及び補助電極11の電圧比を制御することで、使用条件に応じた漏洩電界抑制を行うことができる。
In the high-
<第3の実施形態>
続いて、本発明の第3の実施形態について説明する。上述した第1及び第2の実施形態では、上部電極1及び下部電極2がそれぞれ、複数の矩形状の電極に分割されている構成について説明した。しかし、本発明はこのような構成に限定はされない。そこで、第3の実施形態では、上部電極1及び下部電極2が、それぞれ1枚の矩形状の金属板で形成されている構成について説明する。
<Third Embodiment>
Subsequently, a third embodiment of the present invention will be described. In the first and second embodiments described above, the configuration in which the
さらに、第3の実施形態では、漏洩電界を抑制するための補助電極11とは別の第2の補助電極をさらに備えている構成例について説明する。この第2の補助電極は、被加熱物をより均一に加熱することを目的として設けられる。
Furthermore, in the third embodiment, a configuration example further including a second auxiliary electrode different from the
以前より、高周波加熱装置を用いて冷凍食材などの解凍を行うと、食材の稜縁部に高周波のエネルギーが集中することによって、食材の外周部が過加熱されてしまうという問題がある。この問題を解消するために、例えば、解凍処理中に、寸法が互いに異なる複数の対向電極を順次使い分けて、解凍処理時の被加熱物の品質低下を抑えることが検討されている。 When a frozen food or the like is thawed using a high-frequency heating device, the outer periphery of the food is overheated due to the concentration of high-frequency energy at the edge of the food. In order to solve this problem, for example, during the thawing process, it has been studied to sequentially use a plurality of counter electrodes having different dimensions to suppress degradation of the quality of the heated object during the thawing process.
しかしながら、寸法の異なる電極を使い分けるという手法では、電極の昇降機構が複雑化してしまう。また。上記のような対策では、対応可能な被加熱物の大きさに、ある程度の限りがある。 However, the technique of properly using electrodes with different dimensions complicates the electrode lifting mechanism. Also. In the above measures, there is a certain limit to the size of the object to be heated.
そこで、第3の実施形態では、昇降機能の複雑化を抑えつつ、被加熱物をより均一に加熱することのできる高周波加熱装置を提供する。図17及び図18には、第3の実施形態にかかる高周波加熱装置300を示す。高周波加熱装置300の基本的な構成は、高周波加熱装置100(図1参照)と同じである。そこで、高周波加熱装置300において、高周波加熱装置100と同一の構造及び機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
Therefore, in the third embodiment, a high-frequency heating apparatus capable of heating an object to be heated more uniformly while suppressing the complexity of the lifting function is provided. 17 and 18 show a high-
高周波加熱装置300は、加熱室8を備えている。図18に示すように、加熱室8の内部には、上部電極1、下部電極2、昇降機構4、底面プレート7、補助電極11、天面プレート12、第2の補助電極301などが備えられている。上部電極1及び下部電極2は、それぞれ一枚の金属板で構成されている。上部電極1及び下部電極2は、互いに平行になるように配置されている。補助電極11は、上部電極1と同一面上に配置され、上部電極1の周囲に配置されている。上部電極1と補助電極11との間は絶縁されている。
The high
第2の補助電極301は、上部電極1と下部電極2との間に配置されている。第2の補助電極301は、一枚の矩形状の金属板で形成されている。そして、第2の補助電極301は、中央部分に矩形状の開口部301aを有している。図18に示すように、上部電極1と下部電極2との間に被加熱物3を配置したときに、第2の補助電極301は、被加熱物3の上面の位置と略同じ位置になるように、上下方向の位置が設定されている。このような第2の補助電極301の位置調整は、図示しない位置調製機構によって行うことができる。
The second
また、加熱室8の外側には、各電極に対して電圧を印加するための電圧印加部310が設けられている。電圧印加部310は、主として、整合回路5、高周波発信器13、増幅器(高周波アンプ)14、第2の整合回路302、増幅器(高周波アンプ)303、及び移相器304を備えている。図17に示すように、本実施形態の電圧印加部310においては、高周波発信器13からの高周波電圧信号が、主として上部電極1側と、主として第2の補助電極301側とにそれぞれ送信される。
In addition, a
電圧印加部310において、上部電極1側への信号送信回路には、整合回路5、増幅器(高周波アンプ)14が含まれる。これらは、第1の実施形態と同様の構成を適用できる。なお、図17に示すように、加熱室8、下部電極2、及び補助電極11は、接地されている。これにより、加熱室8、下部電極2、及び補助電極11は、同電位(具体的には、0Vの電位)になっている。一方、上部電極1は、例えば、V+の電位となるように高周波電圧が印加される。これにより、上部電極1と下部電極2との間の電位差は、V+となる。
In the
電圧印加部310において、第2の補助電極301側への信号送信回路には、第2の整合回路302、増幅器303、及び移相器304が含まれる。第2の整合回路302は、第2の整合回路302への入力インピーダンスと増幅器14への出力インピーダンスとを一致させることができる。増幅器303は、高周波発信器13から送信された電圧信号を所望する電力まで増幅する。増幅器303で増幅された電圧信号は、第2の整合回路302を通って、第2の補助電極301と下部電極2とで形成される等価コンデンサ322へ供給される(図19参照)。これにより、第2の補助電極301と下部電極2との間には、例えば、電圧V”が印加される。移相器304は、高周波発信器13から送信された電圧信号の位相を変化させる。
In the
図19には、上部電極1、下部電極2、補助電極11、及び第2の補助電極301で構成される等価回路を示す。等価回路内には、等価コンデンサ318と、等価抵抗319と、等価コンデンサ320と、等価コンデンサ321と、等価コンデンサ322とが含まれている。等価コンデンサ318は、上部電極1と下部電極2とで構成される。等価抵抗319は、被加熱物3の誘電損失分からなる。等価コンデンサ320は、上部電極1と、補助電極11とで構成される。等価コンデンサ321は、上部電極1と、第2の補助電極301とで構成される。等価コンデンサ322は、下部電極2と、第2の補助電極301とで構成される。
FIG. 19 shows an equivalent circuit including the
等価コンデンサ318と、等価抵抗319とは、直列接続されている。等価コンデンサ321と、等価コンデンサ322とは、直列接続されている。また、等価コンデンサ318及び等価抵抗319と、等価コンデンサ320と、等価コンデンサ321及び等価コンデンサ322とは、並列接続されている。また、下部電極2と補助電極11は、接地される。これにより、下部電極2及び補助電極11は、同電位(具体的には、0Vの電位)になっている。一方、上部電極1には、例えば、V+の電位となるように高周波電圧が印加される。また、第2の補助電極301には、例えば、V”の電位となるように、高周波電圧が印加される。
The
本実施形態の高周波加熱装置300では、第2の補助電極301に、上部電極1に印加する電圧とは異なる電圧を印加することで、被加熱物3の外周への電界集中を緩和している。この点について、図20を参照しながら説明する。
In the high-
図20には、各整合回路5・302を通して、上部電極1、下部電極2、及び第2の補助電極301に印加される高周波電圧を示す。また、上部電極1と下部電極2との間隔をLで示し、下部電極2と第2の補助電極301との間隔をdで示す。
FIG. 20 shows high frequency voltages applied to the
第2の補助電極301が設けられていない高周波加熱装置の場合、上部電極1と被加熱物3の上端部との間に空間が存在すると、被加熱物の物性(誘電率ε0・εr)と空間の誘電率との差により、水平方向に電位差が生じる。例えば、上部電極1、下部電極2、及び被加熱物3が、図20に示すような間隔L及びdで配置された場合には、下部電極2から間隔dの位置の空間の電位V’は、V’=V・d/Lとなる一方、被加熱物3の上面の電位V”は、V”<V・d/Lとなる。すなわち、水平方向の電位差は、(V’−V”)となる。
In the case of a high-frequency heating apparatus in which the second
この水平方向の電位差に起因して、被加熱物の上面の周縁部には、電界集中が生じる。これにより、被加熱物3の上面の周縁部が他の部分と比較して、集中的に加熱され、加熱ムラが発生する可能性がある。
Due to the potential difference in the horizontal direction, electric field concentration occurs at the peripheral edge of the upper surface of the object to be heated. Thereby, the peripheral part of the upper surface of the to-
これに対して、本実施形態の高周波加熱装置300では、図20に示すように、被加熱物3の上面と略同じ位置(すなわち、下部電極2から間隔dの位置)に、第2の補助電極301が設けられている。そして、第2の補助電極301には、下部電極2と第2の補助電極301との電位差がV”となるような電圧が印加される。これにより、被加熱物3の上面において、水平方向に生じる電位差を低減させることができる。そのため、被加熱物3の加熱ムラを抑えることができる。
On the other hand, in the high-
第2の補助電極301に印加する電圧の値は、被加熱物3の上面の電位と実質的に同電位であることが好ましい。ここで、被加熱物3の上面の電位は、被加熱物3の高さ(すなわち、間隔d)、被加熱物3と上部電極1との距離(すなわち、L−d)、及び被加熱物3の物性(比誘電率)で変わる。そのため、第2の補助電極301に与える電位V”は、これらの条件に基づいて、変更可能であることが好ましい。本実施形態では、増幅器(高周波アンプ)303が、電位V”の値を変更するための電圧調整部として機能する。
The value of the voltage applied to the second
なお、被加熱物3の種類によって、被加熱物3の高さも変わる。そこで、第2の補助電極301は、位置調整機構によって、間隔dを変更可能であることが好ましい。また、第2の補助電極301は、上部電極1と一緒に昇降する構成であってもよい。図21には、第2の補助電極301と上部電極1とが一緒に昇降する構成の一例を示す。
Note that the height of the object to be heated 3 also varies depending on the type of the object to be heated 3. Therefore, it is preferable that the distance d of the second
図21に示すように、第2の補助電極301は、支持体333によって上部電極1と接続されている。上部電極1は、昇降機構4によって上下方向に移動可能である。第2の補助電極301と上部電極1とが同一の支持体333によって固定されていることで、第2の補助電極301と上部電極1とが一緒に昇降することができる。これにより、第2の補助電極301専用の位置調整機構を設ける必要がなくなる。
As shown in FIG. 21, the second
以上のように、本実施形態の高周波加熱装置300によれば、被加熱物3の加熱ムラを抑え、より高品質な加熱処理を行うことができる。また、種類及び大きさの異なる様々な食品などの加熱処理及び解凍処理に対応でき、汎用的な高周波加熱装置を提供できる。
As described above, according to the high-
以上のように、本実施形態の高周波加熱装置では、下部電極を接地電位とし、上部電極と下部電極との間に、第2の補助電極を備える。第2の補助電極は、被加熱物の上面周囲を囲むような形状となっている。そして、電圧印加部は、下部電極と第2の補助電極との間に、下部電極と上部電極との間に加える高周波電圧とは異なる電圧を印加する。 As described above, in the high-frequency heating device of this embodiment, the lower electrode is set to the ground potential, and the second auxiliary electrode is provided between the upper electrode and the lower electrode. The second auxiliary electrode has a shape surrounding the upper surface of the object to be heated. The voltage application unit applies a voltage different from the high-frequency voltage applied between the lower electrode and the upper electrode between the lower electrode and the second auxiliary electrode.
上記の高周波加熱装置において、電圧印加部には、被加熱物の物性や大きさに応じて、第2の補助電極に印加する電圧を調整する電圧調整部が備えられていてもよい。また、電圧調整部は、可変コンデンサであってもよい。 In the above-described high-frequency heating device, the voltage application unit may include a voltage adjustment unit that adjusts a voltage applied to the second auxiliary electrode in accordance with the physical property or size of the object to be heated. The voltage adjustment unit may be a variable capacitor.
さらに、上記の高周波加熱装置において、上部電極と補助電極とは同一の支持体に固定されていてもよい。さらに、支持体は昇降可能であってもよい。 Further, in the above high-frequency heating device, the upper electrode and the auxiliary electrode may be fixed to the same support. Further, the support may be movable up and down.
<第4の実施形態>
上述の第3の実施形態では、第2の補助電極に印加する電圧を調整する電圧調整部として、高周波電源(高周波発信器13)に接続された増幅器(高周波アンプ)303を利用している。しかし、本発明はこの構成に限定はされない。そこで、第4の実施形態では、電圧調整部の他の例として、電圧調整部として可変コンデンサを用いる構成について説明する。
<Fourth Embodiment>
In the above-described third embodiment, the amplifier (high-frequency amplifier) 303 connected to the high-frequency power source (high-frequency transmitter 13) is used as a voltage adjustment unit that adjusts the voltage applied to the second auxiliary electrode. However, the present invention is not limited to this configuration. Therefore, in the fourth embodiment, a configuration using a variable capacitor as the voltage adjustment unit will be described as another example of the voltage adjustment unit.
図22には、第4の実施形態にかかる高周波加熱装置400を示す。高周波加熱装置400の基本的な構成は、高周波加熱装置300(図17参照)と同じである。そこで、高周波加熱装置400において、高周波加熱装置300と同一の構造及び機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
FIG. 22 shows a high-
加熱室8の外側には、各電極に対して電圧を印加するための電圧印加部10が設けられている。電圧印加部10は、第1の実施形態の高周波加熱装置100に備えられた電圧印加部と同様の構成を適用することができる。なお、高周波加熱装置400では、第2の補助電極401と下部電極2との間に可変コンデンサ402が設けられている。この可変コンデンサ402の容量を調整することで、例えば、第2の補助電極401と下部電極2との間に、電圧V”を与えることができる。これにより、第2の補助電極401を電源(すなわち、高周波発信器13)に接続する必要がなくなる。
Outside the
図23には、上部電極1、下部電極2、補助電極11、及び第2の補助電極401で構成される等価回路を示す。等価回路内には、等価コンデンサ418と、等価抵抗419と、等価コンデンサ420と、等価コンデンサ421と、等価コンデンサ422と、可変コンデンサ402とが含まれている。等価コンデンサ418、等価抵抗419、等価コンデンサ420は、第3の実施形態の高周波加熱装置300と同様の構成を適用することができる。
FIG. 23 shows an equivalent circuit including the
等価コンデンサ421は、上部電極1と、第2の補助電極401とで構成される。等価コンデンサ422は、下部電極2と、第2の補助電極401とで構成される。等価コンデンサ421と、等価コンデンサ422とは、直列接続されている。また、等価コンデンサ422と、可変コンデンサ402とは、並列接続されている。また、下部電極2と補助電極11は、接地される。
The
これにより、下部電極2及び補助電極11は、同電位(具体的には、0Vの電位)になっている。一方、上部電極1は、例えば、V+の電位となるように高周波電圧が印加される。また、第2の補助電極401と下部電極2との間は、可変コンデンサ402によって、例えば、電位差V”に調整される(図24参照)。
Thereby, the
以上のように、本実施形態の高周波加熱装置400では、可変コンデンサ402を用いて、第2の補助電極401の電位を調整している。これにより、第2の補助電極用の電源を用いることなく、被加熱物3の上面の周縁部への電界集中を緩和することができる。
As described above, in the high-
<第5の実施形態>
続いて、本発明の第5の実施形態について説明する。上述した第1及び第2の実施形態では、上部電極1及び下部電極2がそれぞれ、複数の矩形状の電極に分割されている構成について説明した。しかし、本発明はこのような構成に限定はされない。そこで、第5の実施形態では、上部電極501及び下部電極502が、それぞれ1枚の矩形状の金属板で形成されている構成について説明する。
<Fifth Embodiment>
Subsequently, a fifth embodiment of the present invention will be described. In the first and second embodiments described above, the configuration in which the
図25(a)には、第5の実施形態にかかる高周波加熱装置500を示す。高周波加熱装置500の基本的な構成は、高周波加熱装置100(図1参照)と同じである。そこで、高周波加熱装置500において、高周波加熱装置100と同一の構造及び機能を有する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
FIG. 25A shows a high-
高周波加熱装置500は、加熱室8を備えている。図25に示すように、加熱室8の内部には、主として、上部電極501、下部電極502、昇降機構(図示せず)、底面プレート(図示せず)、補助電極11、天面プレート(図示せず)を備えている。上部電極501及び下部電極502は、それぞれ一枚の金属板で構成されている。上部電極501及び下部電極502は、互いに平行になるように配置されている。補助電極11は、上部電極1と同一面上に配置され、上部電極501の周囲に配置されている。上部電極501と補助電極11との間は絶縁されている。
The high-
また、加熱室8の外側には、各電極に対して電圧を印加するための電圧印加部10が設けられている。電圧印加部10は、主として、整合回路5、高周波発信器13、増幅器(高周波アンプ)14を備えている。
In addition, a
図25(b)には、上部電極501、下部電極502、及び補助電極11で構成される等価回路を示す。等価回路内には、等価コンデンサ18と、等価抵抗19と、等価コンデンサ20とが含まれている。等価コンデンサ18は、上部電極501と下部電極502とで構成される。等価抵抗19は、被加熱物3の誘電損失分からなる。等価コンデンサ20は、上部電極501と、補助電極11とで構成される。
FIG. 25B shows an equivalent circuit including the
等価コンデンサ18と、等価抵抗19とは、直列接続されている。また、等価コンデンサ18及び等価抵抗19と、等価コンデンサ20とは、並列接続されている。また、下部電極502と補助電極11は接地される。
The
また、図25(a)に示すように、加熱室8は、接地されている。これにより、加熱室8、下部電極502、及び補助電極11は、同電位(具体的には、0Vの電位)になっている。一方、上部電極501は、例えば、V+の電位となるように高周波電圧が印加される。
Further, as shown in FIG. 25A, the
以上のように、本実施形態の高周波加熱装置500は、補助電極11を有している。これにより、第1の実施形態の高周波加熱装置100と同様に、加熱室8に開口部などの隙間が形成されている場合にも、当該隙間における電界値を低減させることができる(図7参照)。したがって、高周波加熱装置500からの漏洩電界を抑制することができる。
As described above, the high-
<第6の実施形態>
続いて、本発明の第6の実施形態について説明する。第6の実施形態にかかる高周波加熱装置600は、上部電極の上下移動と加熱室扉の開閉動作との連動機構が、第1の実施形態とは異なっている。その他の構成については、第1の実施形態と同様の構成が適用できる。そこで、本実施形態では、第1の実施形態とは異なる点のみを説明する。
<Sixth Embodiment>
Subsequently, a sixth embodiment of the present invention will be described. The high-
図26から図28には、第6の実施形態にかかる高周波加熱装置600の構成を示す。特に、これらの図では、上部電極1の昇降機構604の構成を示す。なお、説明の便宜上、扉42が配置されている面を高周波加熱装置600の前面とする。そして、高周波加熱装置600を使用時の状態で載置した場合に、前面を基準として、左側に位置する面を左側面とし、右側に位置する面を右側面とし、後ろ側に位置する面を背面とし、上側に位置する面を上面とし、下側に位置する面を底面とする。
26 to 28 show a configuration of a high-
昇降機構604の基本的な構成は、第1の実施形態の昇降機構4と同じである。そのため、昇降機構604において、昇降機構4と対応する部材については、同じ符号を付し、その説明を省略する。
The basic configuration of the
昇降機構604において、昇降機構4と異なる点は、シャフト55とピニオンギヤ49との間に、ワンウェイクラッチ621およびシャフト622を接続した点、及び、ピニオンギヤ49の右側へシャフト55を延長し、シャフト55にワンウェイクラッチ625、シャフト623、及びモータ624を接続した点である(図27、図28参照)。
The
ワンウェイクラッチ621は、シャフト55の回転のうち、加熱室扉42が閉状態から開状態に移行する時の回転方向のみをシャフト622に伝達する。これにより、加熱室扉42が閉状態から開状態に移行する時には、上部電極1を上昇させる。一方、加熱室扉42が開状態から閉状態に移行する時には、上部電極1は移動しない。
The one-way clutch 621 transmits to the
ワンウェイクラッチ625は、シャフト623の回転のうち、モータ624が上部電極1を下降させる方向に回転するときにのみ、シャフト623の回転をシャフト622に伝達する。これにより、モータ624にて上部電極1を下降させることができる。これに加え、モータ624は、加熱室扉42による上部電極1の上昇の動作を妨害しない。
The one-way clutch 625 transmits the rotation of the
上記の構成によれば、上部電極1の下降動作を、モータ624により行うことができる。そのため、上部電極1が下降する際の停止位置を、被加熱物3の厚みにより調整することができる。これにより、高周波加熱装置の加熱効率をさらに向上させることができる。
According to the above configuration, the lowering operation of the
なお、本実施形態では、上部電極1を上下方向に移動させることによって、上部電極1と下部電極2との間隔を変更可能な構成について説明したが、本発明では、下部電極2を上下方向に移動させることによって、上部電極1と下部電極2との間隔を調整することもできる。
In the present embodiment, the configuration in which the distance between the
<参考形態>
続いて、本発明の参考となる形態について説明する。一般に、高周波加熱装置において、電極と被加熱物との間にエアギャップが存在すると、加熱効率の低下を招く。そのため、従来の高周波加熱装置の中には、被加熱物の厚みに合わせて電極を昇降移動する機構が備えられているものがある。例えば、特許文献(特開2002−246165)には、モータで駆動される電極距離可変手段130を備え、被解凍物121の大きさに応じて、電極板108及び109同士の間隔を変更可能な高周波解凍装置が開示されている。
<Reference form>
Then, the form used as the reference of this invention is demonstrated. Generally, in the high-frequency heating device, if an air gap exists between an electrode and an object to be heated, heating efficiency is reduced. Therefore, some conventional high-frequency heating devices are provided with a mechanism for moving the electrode up and down in accordance with the thickness of the object to be heated. For example, the patent document (Japanese Patent Laid-Open No. 2002-246165) includes an electrode distance varying means 130 driven by a motor, and the interval between the electrode plates 108 and 109 can be changed according to the size of the object to be thawed 121. A high frequency thawing device is disclosed.
ところで、特に冷凍食品などの被加熱物(被解凍物)は、その組成が均質でなく、また部位による厚みが一定ではない。食品の組成が異なることに起因して、誘電損失が異なる。これにより、高周波電界による発熱の大きさが、被加熱物の組成ごとに異なり、加熱村(解凍ムラ)につながる。また、部位による厚みの違いにより、エアギャップの大きさが異なると、エアギャップの大きい部分は加熱されにくく、エアギャップの小さい部分は加熱されやすいという現象が生じる。これにより、発熱の大きさが被加熱物の部位で異なり、加熱ムラにつながる。 By the way, especially the to-be-heated material (thaw material to be thawed), such as frozen food, is not homogeneous in composition, and the thickness depending on the part is not constant. Dielectric losses are different due to different food compositions. Thereby, the magnitude | size of the heat_generation | fever by a high frequency electric field changes for every composition of to-be-heated material, and leads to a heating village (thaw unevenness). In addition, when the size of the air gap differs due to the difference in thickness depending on the part, a phenomenon occurs in which a portion with a large air gap is difficult to be heated and a portion with a small air gap is easily heated. Thereby, the magnitude | size of heat_generation | fever differs in the site | part of a to-be-heated material, and leads to a heating nonuniformity.
そこで、特許文献(特開平5−41971)では、加熱室内に複数の電極対を設置し、電極対ごとに加熱時間を個別に設定している。これにより、組成や厚みが均一でない被加熱物に対する加熱ムラを抑えるようにしている。 Therefore, in the patent document (Japanese Patent Laid-Open No. 5-41971), a plurality of electrode pairs are installed in the heating chamber, and the heating time is individually set for each electrode pair. Thereby, the heating nonuniformity with respect to the to-be-heated material whose composition and thickness are not uniform is suppressed.
しかし、被加熱物部位をきめ細かく加熱するために加熱区域数を増加させると、加熱区域の数だけ電極対が必要となる。例えば、図30には、上部電極901及び下部電極902を、縦横(X方向及びY方向)にそれぞれ4分割した高周波加熱装置900を示す。高周波加熱装置900は、上部電極901、下部電極902、電圧印加部910、上部電極切替部903、及び下部電極切替部909などを備えている。電圧印加部910は、高周波発信器906、増幅器(高周波アンプ)907、及び整合回路908で構成されている。
However, if the number of heating zones is increased in order to heat the part to be heated finely, electrode pairs are required by the number of heating zones. For example, FIG. 30 shows a high-
そして、上部電極901は、16個の第1の電極板11U〜44Uに分割されている。また、下部電極902は、16個の第1の電極板11U〜44Uと対をなすように、16個の第2の電極板11L〜44Lに分割されている。このように、高周波加熱装置900では、16個の加熱区域を形成するために、16個の電極板の組合せを必要とする。
The
また、各電極に高周波電力を供給するために、上部電極切替部903及び下部電極切替部909から、各電極板に対して電力線911がそれぞれ必要となる。そのため、装置構成が複雑化する。また、この構成を、特許文献(特開2002−246165)のように電極を昇降移動する構成と組み合わせると、装置がさらに複雑化・大型化してしまうという問題がある。
Further, in order to supply high frequency power to each electrode, a
そこで、本参考形態では、装置の複雑化を抑えつつ、加熱ムラを抑えることのできる高周波加熱装置700を提供する。図29には、本参考形態にかかる高周波加熱装置700の構成を示す。
Therefore, in the present embodiment, a high-
高周波加熱装置700は、上部電極701、下部電極702、電圧印加部710、上部電極切替部703、及び下部電極切替部709などを備えている。電圧印加部710は、高周波発信器706、増幅器(高周波アンプ)707、及び整合回路708で構成されている。
The high-
高周波加熱装置700では、上部電極701は、4個の長方形状(矩形状)の第1の電極板A・B・C・Dで構成されている。また、高周波加熱装置700では、下部電極702は、4個の長方形状(矩形状)の第2の電極板E・F・G・Hで構成されている。第1の電極板A・B・C・Dは、電力線711によって上部電極切替部703とそれぞれ接続されている。第2の電極板E・F・G・Hは、電力線711によって下部電極切替部709とそれぞれ接続されている。この点については、第1の実施形態にかかる高周波加熱装置100の構成と同じである。しかし、高周波加熱装置700には、補助電極11は設けられていない。
In the high-
そして、上部電極701の上方から見た場合に、第1の電極板A・B・C・Dの長辺と、第2の電極板E・F・G・Hの長辺とが、略直交するような位置関係で配置されている。なお、本参考形態では、上部電極701及び下部電極702ともに、電極分割数を4としている。また、上部電極701の第1の電極板A・B・C・Dの長辺方向をY軸とし、下部電極702の第2の電極板E・F・G・Hの長辺方向をX軸としている。但し、各電極板の分割数、形状、及び配置は、これに限定はされない。
When viewed from above the
高周波加熱装置700において、加熱区域数は、上部電極701の分割数と下部電極702の分割数の積で表わされる。被加熱物の任意の部分を加熱する場合は、加熱する部分の区域の上下にある第1の電極板及び第2の電極板間に高周波電圧を印加する。加熱する区域のZ軸方向に対して、上部電極701及び下部電極702の投影面積が重なる区域に高周波電界が発生する。そして、当該区域に位置する被加熱物が誘電加熱される。
In the high-
例えば、図29では、上部電極701の分割数が4、下部電極702の分割数が4であり、加熱区域数は16となる。図29に示すX4Y4区域にある被加熱物を加熱するには、上部電極切替部703によって第1の電極板Dを電圧印加部710と接続し、下部電極切替部709によって下側電極Hを接地電位Gに接続する。これにより、加熱する区域のZ軸方向に対して、上部電極701及び下部電極702の投影面積が重なる区域X4Y4に高周波電界が発生する。これにより、区域X4Y4に位置する被加熱物が誘電加熱される。
For example, in FIG. 29, the number of divisions of the
以上の構成によれば、加熱室内の加熱区域数が増加しても、電極対の数を削減することができるとともに、電極と接続する電力線の数を削減することが可能となる。これにより、装置の複雑化及び大型化を抑えることができる。 According to the above configuration, even if the number of heating zones in the heating chamber increases, the number of electrode pairs can be reduced, and the number of power lines connected to the electrodes can be reduced. Thereby, the complexity and enlargement of the apparatus can be suppressed.
なお、別の形態として、整合回路708を、第1の電極板A・B・C・Dと上部電極切替部703との間にそれぞれ設ける構成も可能である。この場合には、各整合回路708と上部電極切替部703との間に電力検出回路を配置してもよい。このような構成を採用することにより、複数区域を同時加熱する際に、電圧を区域ごとに調整することができる。これにより、よりきめ細かい加熱調整を行うことができる。
As another form, a configuration in which the
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。また、本明細書で説明した異なる実施形態の構成を互いに組み合わせて得られる構成についても、本発明の範疇に含まれる。 The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims. Further, configurations obtained by combining the configurations of the different embodiments described in this specification with each other are also included in the scope of the present invention.
1 :上部電極
1a〜1d :第1の電極板
2 :下部電極
2A〜2D :第2の電極板
4 :昇降機構
8 :加熱室
10 :電圧印加部
11 :補助電極
42 :(加熱室の)扉
301 :第2の補助電極
1:
Claims (6)
前記上部電極の下方に配置された下部電極と、
前記上部電極と前記下部電極との間に高周波電圧を印加する電圧印加部と
を備えている高周波加熱装置であって、
前記上部電極の周囲には、補助電極が備えられており、
前記電圧印加部は、前記下部電極と前記補助電極との間に、前記上部電極と前記下部電極との間に印加する高周波電圧とは異なる電圧を印加する、高周波加熱装置。 An upper electrode;
A lower electrode disposed below the upper electrode;
A high-frequency heating apparatus comprising a voltage application unit that applies a high-frequency voltage between the upper electrode and the lower electrode,
An auxiliary electrode is provided around the upper electrode,
The high-frequency heating apparatus, wherein the voltage application unit applies a voltage different from a high-frequency voltage applied between the upper electrode and the lower electrode between the lower electrode and the auxiliary electrode.
前記補助電極は、前記加熱室と同電位に接続される、請求項1に記載の高周波加熱装置。 A heating chamber that houses the upper electrode and the lower electrode;
The high-frequency heating device according to claim 1, wherein the auxiliary electrode is connected to the same potential as the heating chamber.
前記下部電極は、複数の矩形状の第2の電極板を有し、
前記第1の電極板及び前記第2の電極板は、それぞれ長辺と短辺とを有し、
前記第1の電極板の長辺と、前記第2の電極板の長辺とが互いに交差するように、前記第1の電極板及び第2の電極板が配置されている、請求項1から3の何れか1項に記載の高周波加熱装置。 The upper electrode has a plurality of rectangular first electrode plates,
The lower electrode has a plurality of rectangular second electrode plates,
Each of the first electrode plate and the second electrode plate has a long side and a short side,
The first electrode plate and the second electrode plate are disposed so that a long side of the first electrode plate and a long side of the second electrode plate intersect each other. The high-frequency heating device according to any one of 3.
前記第2の補助電極は、中央部分に開口部を有し、被加熱物の上面の位置と略同じ位置に配置され、
前記下部電極と前記第2の補助電極との間には、前記上部電極と前記下部電極との間に印加される高周波電圧とは異なる電圧が印加される、請求項1から3の何れか1項に記載の高周波加熱装置。 A second auxiliary electrode between the upper electrode and the lower electrode;
The second auxiliary electrode has an opening in the central portion and is disposed at a position substantially the same as the position of the upper surface of the object to be heated,
4. The voltage according to claim 1, wherein a voltage different from a high frequency voltage applied between the upper electrode and the lower electrode is applied between the lower electrode and the second auxiliary electrode. The high-frequency heating device according to item.
前記上部電極を上下方向に移動させる昇降機構と
をさらに備え、
前記昇降機構は、前記扉の開動作と連動して前記上部電極を上昇させる、請求項1から5の何れか1項に記載の高周波加熱装置。 A door for opening and closing a heating chamber that houses the upper electrode and the lower electrode;
An elevating mechanism for moving the upper electrode in the vertical direction;
The high-frequency heating device according to any one of claims 1 to 5, wherein the elevating mechanism raises the upper electrode in conjunction with an opening operation of the door.
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