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JP2017069994A - Load-release detection circuit - Google Patents

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JP2017069994A JP2015189086A JP2015189086A JP2017069994A JP 2017069994 A JP2017069994 A JP 2017069994A JP 2015189086 A JP2015189086 A JP 2015189086A JP 2015189086 A JP2015189086 A JP 2015189086A JP 2017069994 A JP2017069994 A JP 2017069994A
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a load-release detection circuit capable of setting a wide voltage range of a load power supply without requiring a power supply from a load drive circuit, and furthermore capable of reducing power consumption.SOLUTION: A load-release detection circuit 101 includes a depletion-type MOSFET 2 for driving a diode, the drain of the MOSFET 2 being connected to a contact point between a load 10 and a MOSFET 1 for driving a load. While a gate and a source of the MOSFET 2 for driving a diode are connected to a cathode of a Zennor diode 5, an anode of the Zennor diode 5 is grounded. Whether or not the load 10 is released can be determined even when a load drive circuit 102 is in a non-operating state, by a potential of a contact point between the gate and the source of the MOSFET 2 for driving a diode and the cathode of the Zennor diode 5.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、スイッチング素子を用いた負荷駆動回路により電源供給が制御される負荷の開放状態の有無を検出する負荷開放検出回路に係り、特に、動作に必要な電源電圧の適用範囲の拡大、消費電力の低減等を図ったものに関する。   The present invention relates to a load release detection circuit that detects the presence or absence of an open state of a load whose power supply is controlled by a load driving circuit using a switching element, and in particular, expansion and consumption of a power supply voltage necessary for operation. It relates to the one that aims to reduce electric power.

従来、負荷に対する電源供給の駆動制御を行う負荷駆動回路においては、その回路が組み込まれたシステム等の動作状態を管理するため、負荷の断線や接続不良を検知する負荷開放検出機能を備えることが多い。特に、安全が優先される自動車用のシステム等にあっては、必要な時にシステム等が確実に機能するように異常検出を常時実施している。
このため、負荷駆動回路が設けられるシステム等においては、負荷駆動回路が動作していない動作停止状態においても、負荷の開放状態を検出する必要がある。 2. Description of the Related Art Conventionally, a load drive circuit that performs drive control of power supply to a load has a load release detection function that detects disconnection or connection failure of a load in order to manage the operating state of a system or the like in which the circuit is incorporated. Many. In particular, in automobile systems where safety is a priority, abnormality detection is always performed so that the system functions reliably when necessary.
For this reason, in a system or the like provided with a load drive circuit, it is necessary to detect an open state of the load even in an operation stop state in which the load drive circuit is not operating.

従来、このような負荷駆動回路は、例えば、図４に回路構成例が示されたように、負荷ＲＬの一端を電源電圧ＶＣＣを供給する電源（図示せず）に接続する一方、負荷ＲＬの他端と接地間に、負荷駆動用のスイッチング素子Ｑ１を直列接続して設け、このスイッチング素子Ｑ１の導通・非導通状態を制御する構成を有するものが一般的である。
このような構成の負荷駆動回路にあっては、スイッチング素子Ｑ１の制御回路や、負荷駆動回路の過電流状態、過熱状態に応じた保護回路の電源が、負荷駆動用のスイッチング素子Ｑ１の入力端子と兼用になっている方式が採られることが多い。 Conventionally, in such a load driving circuit, for example, as shown in a circuit configuration example in FIG. 4, one end of a load RL is connected to a power supply (not shown) that supplies a power supply voltage VCC. In general, a load driving switching element Q1 is connected in series between the other end and the ground, and the conduction / non-conduction state of the switching element Q1 is controlled.
In the load driving circuit having such a configuration, the control circuit for the switching element Q1 and the power source of the protection circuit corresponding to the overcurrent state and overheat state of the load driving circuit are used as the input terminals of the load driving switching element Q1. In many cases, the system is also used.

ところが、上述のような方式の負荷駆動回路では、負荷ＲＬが駆動されていない状態では、入力端子の電圧が０Ｖ程度となるため、この負荷駆動回路の入力端子における電圧を、負荷駆動が行われていない状態で、負荷開放検出回路を動作させるための電源電圧として利用することができない。
このため、従来は、スイッチング素子Ｑ１の入力端子とは別に、負荷開放検出回路専用の電源を設けるか、例えば、負荷ＲＬと接地間に直列抵抗器Ｒ１Ａ，Ｒ２Ａを接続し（図４参照）、抵抗分圧により得られた電圧を検出することで負荷開放の検出を可能とする方策などが採られていた（例えば、特許文献１等参照）。 However, in the load driving circuit of the above-described type, the voltage at the input terminal is about 0 V when the load RL is not driven, so that the voltage at the input terminal of the load driving circuit is driven by the load. In this state, it cannot be used as a power supply voltage for operating the load release detection circuit.
For this reason, conventionally, a power source dedicated to the load release detection circuit is provided separately from the input terminal of the switching element Q1, or, for example, series resistors R1A and R2A are connected between the load RL and the ground (see FIG. 4). Measures that enable detection of load release by detecting a voltage obtained by resistance voltage division have been taken (see, for example, Patent Document 1).

特開２０１０−１１００９３号公報（第４−７頁、図１）JP 2010-110093 (page 4-7, FIG. 1)

しかしながら、上述した抵抗分圧による電圧を負荷開放検出回路に用いる方法の場合、負荷開放検出回路専用の電源を設ける必要はなくなるが、抵抗分圧により得られた電圧は、例えば、図４に示された回路構成例においては、負荷開放検出に用いられるＭＯＳ型電界効果トランジスタ（以下、説明の便宜上「状態出力用トランジスタ」と称する）Ｑ３のゲート電圧とされているため、負荷用の電源電圧の設定範囲に大きな制約が生ずることとなる。すなわち、電源電圧が低いと、状態出力用トランジスタＱ３のゲート電圧が閾値電圧を下回り、状態出力用トランジスタＱ３の動作状態が確保できなくなる一方、電源電圧が高いとゲート電圧が耐圧を越えてしまい、トランジスタ破壊を招く虞がある。   However, in the case of the method using the voltage obtained by the resistance voltage division in the load release detection circuit, it is not necessary to provide a power source dedicated to the load release detection circuit, but the voltage obtained by the resistance voltage division is shown in FIG. In the circuit configuration example described above, the gate voltage of the MOS field effect transistor (hereinafter referred to as “state output transistor” for convenience of explanation) Q3 used for detecting the load release is used, so that the load power supply voltage A large restriction occurs in the setting range. That is, when the power supply voltage is low, the gate voltage of the state output transistor Q3 falls below the threshold voltage, and the operation state of the state output transistor Q3 cannot be ensured. On the other hand, when the power supply voltage is high, the gate voltage exceeds the breakdown voltage. There is a risk of destroying the transistor.

例えば、状態出力用トランジスタＱ３の閾値電圧が１Ｖ、動作最大ゲート電圧が５Ｖと仮定した場合、電源と接地間に負荷ＲＬと直列接続される２つの抵抗器Ｒ１Ａ，Ｒ２Ａの抵抗値の比が３：１とすると、状態出力用トランジスタＱ３をオン状態とするに要するゲート電圧は１Ｖ以上５Ｖ以下であり、この時の負荷用電源の設定可能な電圧範囲は４Ｖ以上２０Ｖ以下となり、２０Ｖを越える電源電圧の使用はできないこととなる。   For example, assuming that the threshold voltage of the state output transistor Q3 is 1V and the maximum operating gate voltage is 5V, the ratio of the resistance values of the two resistors R1A and R2A connected in series with the load RL between the power supply and the ground is 3 : 1, the gate voltage required to turn on the state output transistor Q3 is 1 V or more and 5 V or less, and the settable voltage range of the load power supply at this time is 4 V or more and 20 V or less, and the power supply exceeding 20 V The voltage cannot be used.

しかもこのような負荷駆動回路においては、インダクタ成分を含む負荷を駆動する場合も多くあり、そのような場合、スイッチング素子Ｑ１がオフした直後に、負荷ＲＬのインダクタに蓄積されていたエネルギーの放出により、スイッチング素子Ｑ１と負荷ＲＬの接点は、電源電圧より高い電圧に達するため、インダクタ成分を含む負荷を駆動する場合は、設定可能な電源電圧の範囲はさらに狭くなる。
また、上述の２つの抵抗器Ｒ１Ａ，Ｒ２Ａ経由で常時電流が流れるが、電源電圧２０Ｖの時の電流は、電源電圧４Ｖの時の電流に対して５倍にも増加してしまい消費電力の増加を招くという問題がある。 Moreover, in such a load driving circuit, a load including an inductor component is often driven. In such a case, immediately after the switching element Q1 is turned off, the energy stored in the inductor of the load RL is released. Since the contact point between the switching element Q1 and the load RL reaches a voltage higher than the power supply voltage, the range of the settable power supply voltage is further narrowed when driving a load including an inductor component.
In addition, a current always flows through the two resistors R1A and R2A described above, but the current when the power supply voltage is 20V increases five times as much as the current when the power supply voltage is 4V and the power consumption increases. There is a problem of inviting.

本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、負荷駆動回路からの電源供給を要することなく、負荷用電源の電圧範囲を極力広く設定可能とし、しかも、消費電力の低減を図ることのできる負荷開放検出回路を提供するものである。   The present invention has been made in view of the above-described circumstances, and allows the voltage range of the power supply for the load to be set as wide as possible without requiring power supply from the load driving circuit, and can reduce power consumption. An open load detection circuit is provided.

上記本発明の目的を達成するため、本発明に係る負荷開放検出回路は、
電源に接続された負荷の駆動を、前記負荷と接地間に設けられたスイッチング素子により制御する負荷駆動回路に接続し前記負荷の開放の有無を検出する負荷開放検出回路であって、前記負荷と前記スイッチング素子の接点にドレインが接続されたデプレッション型ＭＯＳＦＥＴを有し、前記デプレッション型ＭＯＳＦＥＴのゲートとソースがツェナーダイオードのカソードに接続される一方、前記ツェナーダイオードのアノードは接地され、前記デプレッション型ＭＯＳＦＥＴのゲートと及びソースと前記ツェナーダイオードのカソードの接点の電位により、前記負荷駆動回路の非動作状態における前記負荷の負荷開放の有無を判定可能に構成されてなるものである。 In order to achieve the above object of the present invention, a load release detection circuit according to the present invention comprises:
A load release detection circuit for detecting the presence or absence of opening of the load by connecting to a load driving circuit for controlling driving of a load connected to a power source by a switching element provided between the load and ground, A depletion-type MOSFET having a drain connected to a contact of the switching element; a gate and a source of the depletion-type MOSFET are connected to a cathode of a zener diode; an anode of the zener diode is grounded; and the depletion-type MOSFET Whether the load of the load driving circuit is in an inoperative state or not can be determined by the potentials of the gate, source, and cathode of the Zener diode.

本発明によれば、負荷が開放状態にない場合には負荷を介した電源を利用し、負荷が開放状態の場合には負荷を介した電源の利用ができなくなることを利用し、負荷開放の有無を判定可能に構成したので、専用の電源装置を要すること無く負荷駆動回路が非動作状態にあっても確実に負荷の開放検出動作を確保することができ、しかも、負荷用電源の電圧範囲が従来に比して広く設定することができ、さらに、従来に比して、消費電力の低減を図ることができるという効果を奏するものである。   According to the present invention, when the load is not in the open state, the power source via the load is used, and when the load is in the open state, the power source cannot be used via the load. Since the presence / absence of the load can be determined, the load open circuit can be reliably detected even when the load drive circuit is not operating without requiring a dedicated power supply, and the voltage range of the load power supply However, it is possible to set a wider range than in the prior art, and further, it is possible to reduce power consumption as compared with the prior art.

本発明の実施の形態における負荷開放検出回路の第１の実施例の回路構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the circuit structure of the 1st Example of the load release detection circuit in embodiment of this invention. 本発明の実施の形態における負荷開放検出回路の第２の実施例の回路構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the circuit structure of the 2nd Example of the load release detection circuit in embodiment of this invention. 本発明の実施の形態における負荷開放検出回路の第３の実施例の回路構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the circuit structure of the 3rd Example of the load release detection circuit in embodiment of this invention. 従来の負荷開放検出回路の回路構成例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the circuit structural example of the conventional load release detection circuit.

以下、本発明の実施の形態について、図１乃至図３を参照しつつ説明する。
なお、以下に説明する部材、配置等は本発明を限定するものではなく、本発明の趣旨の範囲内で種々改変することができるものである。
最初に、本発明の実施の形態における負荷開放検出回路の第１の実施例について、図１を参照しつつ説明する。
負荷開放検出回路１０１は、負荷駆動回路１０２の負荷（図１においては「ＲＬ」と表記）１０が開放状態にあるか否かを検出する機能を有するもので、ダイオード駆動用ＭＯＳＦＥＴ（図１においては「Ｑ２」と表記）２と、ツェナーダイオード（図１においては「Ｄ１」と表記）５と、状態出力用トランジスタ（図１においては「Ｑ３」と表記）３とを有して構成されたものとなっている。
なお、本発明の実施の形態においては、ダイオード駆動用ＭＯＳＦＥＴ２と状態検出用トランジスタ３には、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴが用いられており、特に、ダイオード駆動用ＭＯＳＦＥＴ２にはデプレッション型が用いられている。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3.
The members and arrangements described below do not limit the present invention and can be variously modified within the scope of the gist of the present invention.
First, a first example of the load release detection circuit according to the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
The load release detection circuit 101 has a function of detecting whether or not the load (indicated as “RL” in FIG. 1) 10 of the load drive circuit 102 is in an open state, and is a diode drive MOSFET (in FIG. 1). Is configured to include a Zener diode (denoted as “D1” in FIG. 1) 5 and a state output transistor (denoted as “Q3” in FIG. 1) 3. It has become a thing.
In the embodiment of the present invention, an N-type MOSFET is used for the diode driving MOSFET 2 and the state detection transistor 3, and in particular, a depletion type is used for the diode driving MOSFET 2.

一方、負荷駆動回路１０２は、スイッチング素子としての負荷駆動回路用ＭＯＳＦＥＴ（図１においては、それぞれ「Ｑ１」と表記）１を有して構成されたものとなっている。
まず、負荷駆動回路１０２において、スイッチング素子としての負荷駆動回路用ＭＯＳＦＥＴ１のドレインと負荷開放検出回路１０１のダイオード駆動用ＭＯＳＦＥＴ２のドレインが相互に接続されると共に、負荷１０を介して図示されない電源から負荷用電源電圧ＶＣＣが印加されるようになっている。
なお、本発明の実施の形態において、負荷駆動回路用ＭＯＳＦＥＴ１として、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴが用いられている。 On the other hand, the load driving circuit 102 includes a load driving circuit MOSFET (represented as “Q1” in FIG. 1) 1 as a switching element.
First, in the load drive circuit 102, the drain of the load drive circuit MOSFET 1 as a switching element and the drain of the diode drive MOSFET 2 of the load release detection circuit 101 are connected to each other, and a load from a power source (not shown) is connected via the load 10. A power supply voltage VCC is applied.
In the embodiment of the present invention, an N-type MOSFET is used as the load driving circuit MOSFET 1.

また、負荷駆動用ＭＯＳＦＥＴ１のソースは接地される一方、ゲートには入力端子（図１においては「IN」と表記）２１が接続されている。
一方、ダイオード駆動用ＭＯＳＦＥＴ２のソースは、ゲートと共に、ツェナーダイオード５のアノード、及び、状態検出用トランジスタ３のゲートに接続されており、ツェナーダイオード５のカソードは接地されている。
状態検出用トランジスタ３は、そのドレインが状態出力端子（図１においては「DIAG」と表記）２２に接続される一方、ソースは接地されている。 The source of the load driving MOSFET 1 is grounded, and an input terminal (indicated as “IN” in FIG. 1) 21 is connected to the gate.
On the other hand, the source of the diode driving MOSFET 2 is connected to the anode of the Zener diode 5 and the gate of the state detecting transistor 3 together with the gate, and the cathode of the Zener diode 5 is grounded.
The state detection transistor 3 has its drain connected to a state output terminal (indicated as “DIAG” in FIG. 1) 22, while its source is grounded.

次に、上記構成における動作について説明する。
入力端子２１に、スイッチング素子としての負荷駆動用ＭＯＳＦＥＴ１をオン状態とするための所要の電圧を印加し、負荷駆動用ＭＯＳＦＥＴ１をオン状態とすると、負荷１０と負荷駆動用ＭＯＳＦＥＴ１の節点電位は接地電圧に近い電圧となり、負荷用電源（図示せず）から負荷１０が開放状態にない場合には、負荷１０、負荷駆動用ＭＯＳＦＥＴ１を介して接地側へ負荷電流が流れる。
この時、ツェナーダイオード５のカソード電位は、ほぼ０Ｖとなり、状態検出用トランジスタ３はオフ状態となるため、状態出力端子２２と接地間は、高インピーダンスとなる。 Next, the operation in the above configuration will be described.
When a required voltage for turning on the load driving MOSFET 1 as a switching element is applied to the input terminal 21 and the load driving MOSFET 1 is turned on, the node potential of the load 10 and the load driving MOSFET 1 is the ground voltage. When the load 10 is not in an open state from a load power supply (not shown), a load current flows to the ground side via the load 10 and the load driving MOSFET 1.
At this time, the cathode potential of the Zener diode 5 is approximately 0 V, and the state detection transistor 3 is turned off, so that the impedance between the state output terminal 22 and the ground is high.

一方、負荷１０が開放状態の場合には、負荷駆動用ＭＯＳＦＥＴ１がオン状態であっても、ダイオード駆動用ＭＯＳＦＥＴ２に電流が流れることなくツェナーダイオード５のカソード電位は、ほぼ０Ｖとなり、状態検出用トランジスタ３はオフ状態のため、状態出力端子２２と接地間は、同じく高インピーダンスとなる。なお、ここで、負荷１０の開放状態とは、何らかの原因により負荷１０に電源電圧が正常に供給されておらず、あるいは断線により、負荷電流が流れていない状態を言う。   On the other hand, when the load 10 is in an open state, even if the load driving MOSFET 1 is in the on state, the cathode potential of the Zener diode 5 becomes almost 0 V without any current flowing through the diode driving MOSFET 2, and the state detection transistor Since 3 is in an off state, the impedance between the state output terminal 22 and the ground is also high. Here, the open state of the load 10 refers to a state in which the power supply voltage is not normally supplied to the load 10 for some reason, or no load current flows due to disconnection.

しかして、負荷駆動用ＭＯＳＦＥＴ１がオン状態の場合、負荷開放の有無にかかわらず状態出力端子２２と接地間は高インピーダンスとなり、この状態にあっては、本発明の実施の形態における負荷開放検出回路１０１は機能せず、かつ、負荷開放検出回路１０１に電流が流れることはなく負荷駆動に影響を与えることはない。   Therefore, when the load driving MOSFET 1 is in the ON state, the state output terminal 22 and the ground are in a high impedance regardless of whether the load is open or not, and in this state, the load open detection circuit in the embodiment of the present invention. 101 does not function, and no current flows through the load release detection circuit 101, and the load driving is not affected.

次に、負荷１０が開放状態にない場合、入力端子２１に印加電圧を０Ｖとすると、負荷駆動用ＭＯＳＦＥＴ１がオフ状態となるため、負荷電流は流れなくなり、負荷１０と負荷駆動用ＭＯＳＦＥＴ１の節点電位は、ほぼ負荷用電源電圧ＶＣＣに等しくなる。
この状態で、ゲートとソースが短絡されているダイオード駆動用ＭＯＳＦＥＴ２は、定電流源として機能し、その電流は、本発明の実施の形態における負荷駆動回路１０２が設けられる負荷駆動システム（図示せず）全体に影響を与えないよう負荷電流に対して十分小さな値とするのが好ましく、そのため、そのような電流値となるようにダイオード駆動用ＭＯＳＦＥＴ２のゲート長とゲート幅が選定されたものとなっている。 Next, when the load 10 is not in an open state, if the voltage applied to the input terminal 21 is 0 V, the load driving MOSFET 1 is turned off, so that no load current flows, and the node potential between the load 10 and the load driving MOSFET 1 Is substantially equal to the load power supply voltage VCC.
In this state, the diode driving MOSFET 2 whose gate and source are short-circuited functions as a constant current source, and the current is a load driving system (not shown) provided with the load driving circuit 102 in the embodiment of the present invention. ) It is preferable to make the load current sufficiently small so as not to affect the whole. For this reason, the gate length and the gate width of the diode driving MOSFET 2 are selected so as to obtain such a current value. ing.

例えば、ダイオード駆動用ＭＯＳＦＥＴ２が供給する定電流としての電流の大きさは、最大でも負荷電流の１００分の１以下、すなわち、具体的には、ツェナーダイオード５に確実にツェナー電圧を発生させることができる値として、１μＡ〜数１０μＡ程度に設定するのが好適である。   For example, the magnitude of the current as the constant current supplied by the diode driving MOSFET 2 is at most 1/100 or less of the load current, that is, specifically, the Zener diode 5 can reliably generate the Zener voltage. As a possible value, it is preferable to set it to about 1 μA to several tens of μA.

そして、デプレッション型のダイオード駆動用ＭＯＳＦＥＴ２による定電流は、ツェナーダイオード５のカソードに流れ込んでツェナー電圧を発生させ、状態検出用トランジスタ３をオン状態とし、その結果、状態出力端子２２と接地間は低インピーダンス状態となる。
これが負荷開放状態にない場合の状態出力端子２２と接地間の正常な状態である。 The constant current generated by the depletion type diode driving MOSFET 2 flows into the cathode of the Zener diode 5 to generate a Zener voltage, and the state detection transistor 3 is turned on. As a result, the state output terminal 22 and the ground are low. It becomes an impedance state.
This is a normal state between the state output terminal 22 and the ground when the load is not released.

これに対し、負荷用電源（図示せず）と負荷１０の接続が絶たれ、又は、負荷１０と負荷駆動用ＭＯＳＦＥＴ１の接続が断たれ、負荷開放状態となった場合は、ダイオード駆動用ＭＯＳＦＥＴ２に電流が流れず、ツェナーダイオード５にはツェナー電圧は発生せず、上述の２カ所の節点の電位はほぼ０Ｖとなり、状態検出用トランジスタ３はオフ状態となるため、状態出力端子２２と接地間は高インピーダンス状態となる。
これが負荷開放状態にある場合の状態出力端子２２と接地間の状態である。
なお、負荷開放状時に、デプレッション型のダイオード駆動用ＭＯＳＦＥＴ２とツェナーダイオード５の接点電圧が確実に接点電位が確実に接地電位となるようにツェナーダイオード５と並列に抵抗器を接続しても良い。 On the other hand, when the load power supply (not shown) and the load 10 are disconnected or the load 10 and the load driving MOSFET 1 are disconnected and the load is released, the diode driving MOSFET 2 No current flows, no Zener voltage is generated in the Zener diode 5, the potentials at the two nodes are almost 0 V, and the state detection transistor 3 is turned off. It becomes a high impedance state.
This is a state between the state output terminal 22 and the ground when the load is released.
Note that a resistor may be connected in parallel with the Zener diode 5 so that the contact voltage between the depletion type diode driving MOSFET 2 and the Zener diode 5 is surely equal to the ground potential when the load is released.

次に、第２の実施例について、図２を参照しつつ説明する。
なお、図１に示された構成要素と同一の構成要素については、同一の符号を付して、その詳細な説明を省略し、以下、異なる点を中心に説明することとする。
この第２の実施例における負荷開放検出回路１０１Ａは、ダイオード駆動用ＭＯＳＦＥＴ２のソースとツェナーダイオード５のカソードとの間に、電流変動補償用の抵抗器（図２においては「Ｒ４」と表記）１１が直列接続して設けた構成を有するものである。
この抵抗器１１は、ダイオード駆動用ＭＯＳＦＥＴ２の閾値電圧の違いによる定電流値変動を補償する機能を果たすものである。
なお、負荷開放検出回路１０１Ａとしての全体の動作は、先に図１を参照しつつ説明した第１の実施例の場合と基本的に同様であるので、ここでの再度の説明は省略することとする。 Next, a second embodiment will be described with reference to FIG.
The same components as those shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, detailed description thereof will be omitted, and different points will be mainly described below.
The load release detection circuit 101A in the second embodiment includes a resistor for current fluctuation compensation (indicated as “R4” in FIG. 2) between the source of the diode driving MOSFET 2 and the cathode of the Zener diode 5. Are provided in series connection.
The resistor 11 functions to compensate for a constant current value variation due to a difference in threshold voltage of the diode driving MOSFET 2.
The overall operation of the load release detection circuit 101A is basically the same as that of the first embodiment described above with reference to FIG. And

次に、第３の実施例について、図３を参照しつつ説明する。
なお、図１に示された構成要素と同一の構成要素については、同一の符号を付して、その詳細な説明を省略し、以下、異なる点を中心に説明することとする。
この第２の実施例における負荷開放検出回路１０１Ｂは、第１の実施例におけるツェナーダイオード５に代えて、複数の直列接続されたダイオードが設けられた構成を有するものである。 Next, a third embodiment will be described with reference to FIG.
The same components as those shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, detailed description thereof will be omitted, and different points will be mainly described below.
The load release detection circuit 101B in the second embodiment has a configuration in which a plurality of diodes connected in series are provided in place of the Zener diode 5 in the first embodiment.

すなわち、ダイオード駆動用ＭＯＳＦＥＴ２のソースと接地間に、図３の例においては、３個のダイオード（図３においては、それぞれ「Ｄ２−１」「Ｄ２−２」、「Ｄ２−３」と表記）６ａ〜６ｃが、ダイオード駆動用ＭＯＳＦＥＴ２のソース側にアノードが位置するように直列接続されて設けられたものとなっている。
このダイオード６ａ〜６ｃの順方向電圧により、図１に示された第１の実施例において、ツェナーダイオード５により発生させていた電圧に相当する電圧を得ることができるものとなっている。
なお、ダイオードの数は、３個に限定されるものではなく、ダイオード駆動用ＭＯＳＦＥＴ２のソースと接地間に必要とされる電圧の大きさに応じて適宜選定されるべきものである。 That is, in the example of FIG. 3, three diodes (indicated as “D2-1”, “D2-2”, and “D2-3” in FIG. 3) are provided between the source of the diode driving MOSFET 2 and the ground. 6a to 6c are provided in series so that the anode is located on the source side of the diode driving MOSFET 2.
Due to the forward voltages of the diodes 6a to 6c, a voltage corresponding to the voltage generated by the Zener diode 5 in the first embodiment shown in FIG. 1 can be obtained.
The number of diodes is not limited to three, and should be appropriately selected according to the magnitude of the voltage required between the source of the diode driving MOSFET 2 and the ground.

また、ダイオード６ａ〜６ｃの順方向電圧は、負の温度係数を有するため、多段接続したダイオード６ａ〜６ｃと直列に、温度係数が正の抵抗器を接続して温度補償が行われるよう構成しても好適である。
なお、負荷開放検出回路１０１Ｂとしての全体の動作は、先に図１を参照しつつ説明した第１の実施例の場合と基本的に同様であるので、ここでの再度の説明は省略することとする。 Further, since the forward voltage of the diodes 6a to 6c has a negative temperature coefficient, the temperature compensation is performed by connecting a resistor having a positive temperature coefficient in series with the multi-stage connected diodes 6a to 6c. Is also suitable.
Note that the overall operation of the load release detection circuit 101B is basically the same as that of the first embodiment described above with reference to FIG. And

負荷駆動回路からの電源供給を要することなく、負荷用電源の電圧範囲の設定範囲の拡大が所望される負荷開放検出回路に適用できる。   The present invention can be applied to an open load detection circuit in which it is desired to expand the setting range of the voltage range of the load power supply without requiring power supply from the load drive circuit.

１…負荷駆動回路用ＭＯＳＦＥＴ
２…ダイオード駆動用ＭＯＳＦＥＴ
３…状態検出用トランジスタ
５…ツェナーダイオード
１０…負荷 1 ... MOSFET for load drive circuit
2 ... MOSFET for diode drive
3 ... State detection transistor 5 ... Zener diode 10 ... Load

Claims (3)

電源に接続された負荷の駆動を、前記負荷と接地間に設けられたスイッチング素子により制御する負荷駆動回路に接続し前記負荷の開放の有無を検出する負荷開放検出回路であって、前記負荷と前記スイッチング素子の接点にドレインが接続されたデプレッション型ＭＯＳＦＥＴを有し、前記デプレッション型ＭＯＳＦＥＴのゲートとソースがツェナーダイオードのカソードに接続される一方、前記ツェナーダイオードのアノードは接地され、前記デプレッション型ＭＯＳＦＥＴのゲートと及びソースと前記ツェナーダイオードのカソードの接点の電位により、前記負荷駆動回路の非動作状態における前記負荷の負荷開放の有無を判定可能としたことを特徴とする負荷開放検出回路。   A load release detection circuit for detecting the presence or absence of opening of the load by connecting to a load driving circuit for controlling driving of a load connected to a power source by a switching element provided between the load and ground, A depletion-type MOSFET having a drain connected to a contact of the switching element; a gate and a source of the depletion-type MOSFET are connected to a cathode of a zener diode; an anode of the zener diode is grounded; and the depletion-type MOSFET A load release detection circuit characterized in that it is possible to determine whether or not the load of the load driving circuit is in an inoperative state based on the potentials of the gates, the source, and the cathode of the Zener diode. 前記デプレッション型ＭＯＳＦＥＴのゲートと及びソースと前記ツェナーダイオードのカソードとの間に、抵抗器が直列接続されて設けられたことを特徴とする請求項１記載の負荷開放検出回路。   2. The load release detection circuit according to claim 1, wherein a resistor is connected in series between the gate and source of the depletion type MOSFET and the cathode of the Zener diode. 前記ツェナーダイオードに代えて、前記デプレッション型ＭＯＳＦＥＴのゲートと及びソースにアノードが、接地側にカソードがそれぞれ接続されるようダイオードを設けたことを特徴とする請求項１記載の負荷開放検出回路。   2. The load release detection circuit according to claim 1, wherein a diode is provided so that an anode is connected to a gate and a source of the depletion type MOSFET and a cathode is connected to a ground side instead of the Zener diode.
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