JP2016201362A - 有機発光表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】充填剤に含まれている各種不純物または酸素などが画素定義膜及び平坦化膜を通じて有機発光ダイオードに侵入することを遮断して、画素収縮などの不良発生を抑制できる有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】有機発光表示装置は、有機発光ダイオード、画素定義膜、第１保護層、第２保護層、及び充填剤を含む。有機発光ダイオードは表示領域に形成される。画素定義膜は、表示領域に形成された第１部分、及び表示領域を取り囲む非表示領域に形成された第２部分を含む。第１保護層は画素定義膜の少なくとも第２部分を覆う。第２保護層は非表示領域に形成され、第１保護層の一部及び画素定義膜の第２部分の一部と接触する。充填剤は第１保護層及び第２保護層を覆う。
【選択図】図２
【解決手段】有機発光表示装置は、有機発光ダイオード、画素定義膜、第１保護層、第２保護層、及び充填剤を含む。有機発光ダイオードは表示領域に形成される。画素定義膜は、表示領域に形成された第１部分、及び表示領域を取り囲む非表示領域に形成された第２部分を含む。第１保護層は画素定義膜の少なくとも第２部分を覆う。第２保護層は非表示領域に形成され、第１保護層の一部及び画素定義膜の第２部分の一部と接触する。充填剤は第１保護層及び第２保護層を覆う。
【選択図】図２
Description
本発明は、有機発光表示装置に関する。
有機発光表示装置は、それ自体が発光の特性を有し、液晶表示装置とは異なって別途の光源を必要としないので、厚さ及び重量を減少させることができる。また、有機発光表示装置は、低い消費電力、高い輝度、及び速い反応速度などの高品位特性を示す。
通常の有機発光表示装置は、基板と、基板上に形成された駆動回路部及び有機発光ダイオードと、有機発光ダイオードの発光領域を定義する画素定義膜と、基板に対向配置される封止基板と、を含む。基板と封止基板とはシール材によって一体に接合され、基板と封止基板との間の空間は充填剤で満たされる。充填剤は、有機発光表示装置の強度を高めて、耐久性を向上させる機能を果たす。
本発明の目的は、充填剤に含まれている各種不純物または酸素などが、画素定義膜及び平坦化膜を通じて有機発光ダイオードに侵入することを遮断して、画素収縮などの不良発生を抑制できる有機発光表示装置を提供することにある。
本発明の一実施形態による有機発光表示装置は、有機発光ダイオード、画素定義膜、第１保護層、第２保護層、及び充填剤を含む。有機発光ダイオードは表示領域に形成される。画素定義膜は、表示領域に形成された第１部分、及び表示領域を取り囲む非表示領域に形成された第２部分を含む。第１保護層は画素定義膜の少なくとも第２部分を覆う。第２保護層は非表示領域に形成され、第１保護層の一部及び画素定義膜の第２部分の一部と接触する。充填剤は第１保護層及び第２保護層を覆う。
有機発光表示装置は、画素定義膜と、第２保護層の下に形成された平坦化膜とをさらに含んでもよい。第２保護層は、画素定義膜の外側で平坦化膜の表面を全て覆ってもよい。画素定義膜と平坦化膜はシリコーン系高分子を含んでもよい。
平坦化膜は、開口部を形成して平坦化膜の下の層間絶縁膜を露出させてもよく、第２保護層は露出した層間絶縁膜を覆ってもよい。
有機発光ダイオードは、画素電極、発光層、及び共通電極を含んでもよく、キャッピング層により覆われてもよい。第１保護層は共通電極と接触し、共通電極と同様の物質で形成され、第２保護層は第１保護層と接触し、画素電極と同様の物質で形成されてもよい。
他の一側面で、第１保護層はキャッピング層と接触し、キャッピング層と同様の物質で形成され、第２保護層は第１保護層と接触し、画素電極と同様の物質で形成されてもよい。第２保護層は、第１透明膜、金属薄膜、及び第２透明膜の多層膜で形成されてもよい。
他の一側面で、第１保護層はキャッピング層と接触し、キャッピング層と同様の物質で形成され、第２保護層は第１保護層と接触し、キャッピング層と同様の物質で形成されてもよい。第１保護層及び第２保護層は互いに異なる層に形成されてもよい。
本実施形態の有機発光表示装置において、第１保護層及び第２保護層は画素定義膜及び平坦化膜が充填剤と接触することを遮断して、充填剤に含まれている各種不純物または酸素などが画素定義膜及び平坦化膜に拡散することを防止する。有機発光表示装置は、充填剤による有機発光ダイオードの劣化及び画素収縮などの不良を抑制することができる。
以下、添付した図面を参照して、本発明の実施形態について本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。本発明は、種々の異なる形態に具現されることができ、ここで説明する実施形態に限られない。
明細書の全体において、層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上」にあると表現されるとき、これは他の部分の「すぐ上」にある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。そして「〜の上に」というのは、対象になる部分の上または下に位置することを意味し、必ず重力方向を基準として上側に位置することを意味しない。
明細書の全体において、ある部分がある構成要素を「含む」とするとき、これは特に反対になる記載がない限り、他の構成要素をさらに含むことができるのを意味する。図面における各構成の大きさ及び厚さなどは、説明の便宜のために任意に示したので、本発明は図示したものによって限定されない。
図１は、本発明の第１実施形態による有機発光表示装置の斜視図であり、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った有機発光表示装置の部分拡大断面図である。
図１を参照すると、第１実施形態の有機発光表示装置１００は、表示領域ＤＡ及び非表示領域ＮＤＡを含む基板１１０と、基板１１０上の表示領域ＤＡに形成された複数の画素ＰＸと、基板１１０に対向配置される封止基板１２０と、基板１１０と封止基板１２０との間の空間を満たす充填剤１３０と、を含む。基板１１０及び封止基板１２０はシール材１４０によって一体に密封接合される。
表示領域ＤＡでは複数の画素ＰＸから放出される光の組み合わせでイメージが表示される。各画素ＰＸは、駆動回路部と、有機発光ダイオードＯＬＥＤとを含む。駆動回路部は、少なくとも２つの薄膜トランジスタと、少なくとも１つのキャパシタとを含む。基板１１０の上には有機発光ダイオードＯＬＥＤの発光領域を定義する画素定義膜１１５が形成される。画素定義膜１１５は表示領域ＤＡより大きく形成される。
第１実施形態の有機発光表示装置１００は、非表示領域ＮＤＡで画素定義膜１１５の表面を覆う第１保護層１６１と、第１保護層１６１と接触し、画素定義膜１１５の外側に形成された第２保護層１６２とを含む。充填剤１３０は、非表示領域ＮＤＡで第１保護層１６１及び第２保護層１６２と接触する。
画素定義膜１１５は、表示領域ＤＡに形成された第１部分と、非表示領域ＮＤＡに形成された第２部分とを含む。第１保護層１６１は画素定義膜１１５の少なくとも第２部分を覆う。第２保護層１６２は非表示領域ＮＤＡに形成され、第１保護層１６１の一部と接触し、画素定義膜１１５の第２部分の一部と接触する。充填剤１３０は第１保護層及び第２保護層１６１、１６２を覆う。
第１保護層１６１及び第２保護層１６２は画素定義膜１１５と平坦化膜１１４が充填剤１３０と接触することを遮断して、充填剤１３０に含まれている各種不純物または酸素などが画素定義膜１１５と平坦化膜１１４に拡散することを防止する。したがって、第１実施形態の有機発光表示装置１００は、充填剤１３０による有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化と画素収縮などの不良を抑制することができる。
以下、有機発光表示装置１００の断面構造についてさらに詳細に説明する。
基板１１０の上にバッファー層１１１が形成される。基板１１０は、ガラス、石英、セラミック、高分子フィルムなどで形成されてもよく、光透明性を有してもよい。バッファー層１１１は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）の単一膜、または窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）と酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の二重膜で形成されてもよい。バッファー層１１１は、基板１１０を通した不純物の浸透を防止し、表面を平坦化する役割を果たす。
バッファー層１１１の上に半導体層１５１が形成されてもよい。半導体層１５１は、ポリシリコンまたは酸化物半導体で形成されてもよく、酸化物半導体で形成された半導体層１５１は別途の保護膜によって覆われてもよい。半導体層１５１は、不純物がドーピングされないチャネル領域と、チャネル領域の両側に位置して、不純物がドーピングされたソース領域及びドレイン領域を含む。
半導体層１５１の上にゲート絶縁膜１１２が形成される。ゲート絶縁膜１１２は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の単一膜、またはこれらの積層膜で形成されてもよい。ゲート絶縁膜１１２の上にゲート電極１５２が形成される。ゲート電極１５２は半導体層１５１のチャネル領域と重なり、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｌ、及びＭｏなどを含んでもよい。
ゲート電極１５２の上に層間絶縁膜１１３が形成される。層間絶縁膜１１３は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の単一膜、またはこれらの積層膜で形成されてもよい。
層間絶縁膜１１３の上にソース電極１５３及びドレイン電極１５４が形成される。ソース電極１５３及びドレイン電極１５４は、層間絶縁膜１１３及びゲート絶縁膜１１２に形成されたビアホールを通じて半導体層１５１のソース領域及びドレイン領域にそれぞれ接続される。ソース電極１５３及びドレイン電極１５４は、Ｍｏ／Ａｌ／ＭｏまたはＴｉ／Ａｌ／Ｔｉのような金属多層膜で形成されてもよい。
図２では、トップゲート方式の駆動薄膜トランジスタＴＦＴを一例として示したが、駆動薄膜トランジスタＴＦＴの構造は示した例に限られない。駆動回路部は、スイッチング薄膜トランジスタ、駆動薄膜トランジスタ、及びストレージキャパシタを含むが、便宜上、図２では駆動薄膜トランジスタＴＦＴのみを示した。
駆動薄膜トランジスタＴＦＴは、平坦化膜１１４によって覆われ、有機発光ダイオードＯＬＥＤと接続されて有機発光ダイオードＯＬＥＤを駆動させる。平坦化膜１１４の上に画素電極１５５が形成される。画素電極１５５は、画素ごとに１つずつ形成され、平坦化膜１１４に形成されたビアホールを通じて駆動薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極１５４と接続される。
平坦化膜１１４及び画素電極１５５の上に画素定義膜１１５が形成される。画素定義膜１１５は、開口部ＯＰを形成して発光層１５６が位置する画素電極１５５の中央部を露出させる。つまり、開口部ＯＰは有機発光ダイオードＯＬＥＤの発光領域を定義する役割を果たす。
画素定義膜１１５は、高価な感光性ポリイミドを代替する比較的低い値段のシリコーン系高分子で形成されてもよい。そして、平坦化膜１１４も画素定義膜１１５と同一のシリコーン系高分子で形成されてもよい。この場合、材料費を低くして有機発光表示装置１００の原価節減に寄与する。
画素電極１５５の上に発光層１５６が形成され、発光層１５６及び画素定義膜１１５の上に共通電極１５７が形成される。共通電極１５７は画素別区分なしに表示領域ＤＡの全体に形成される。画素電極１５５と共通電極１５７のいずれか１つは発光層１５６に正孔を注入し、他の１つは発光層１５６に電子を注入する。
発光層１５６は有機発光層を含み、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、及び電子注入層のうちの少なくとも１つを含む。画素電極１５５が正孔を注入するアノード（ａｎｏｄｅ）である場合、画素電極１５５の上に正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、及び電子注入層が順次に積層されてもよい。有機発光層を除いたそれ以外の層は表示領域ＤＡの全体に形成されてもよい。
有機発光表示装置１００が背面発光型である場合、画素電極１５５は透明膜または半透明膜で形成され、共通電極１５７は反射膜で形成される。発光層１５６から放出された光は共通電極１５７から反射し、画素電極１５５及び基板１１０を透過して外部に放出される。画素電極１５５が半透明膜で形成される場合、共通電極１５７から反射した光の一部は画素電極１５５から再反射し、共振構造を形成して光抽出効率を上げる。
有機発光表示装置１００が前面発光型である場合、画素電極１５５は反射膜で形成され、共通電極１５７は透明膜または半透明膜で形成される。
反射膜は、Ａｕ、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒなどを含んでもよい。透明膜はＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３等を含んでもよい。半透明膜は、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇなどを含む金属薄膜で形成されてもよく、金属薄膜と透明膜との積層膜で形成されてもよい。例えば、半透明膜はＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの多層膜で形成されてもよい。
基板１１０と封止基板１２０とはシール材１４０によって一体に接合される。シール材１４０は基板１１０及び封止基板１２０の周縁に形成され、ガラスフリットのような無機物またはエポキシのような有機物を含んでもよい。シール材１４０の内側にはゲッター１４５が形成されてもよい。ゲッター１４５は、シール材１４０を通じて侵入する水分または酸素を吸着する機能を行い、水分または酸素との反応性に優れたＣａＯ、ＢａＯ、ＭｇＯなどを含んでもよい。
ゲッター１４５の内側における基板１１０と封止基板１２０との間の空間は充填剤１３０によって満たされる。充填剤１３０は、基板１１０と封止基板１２０との間の空間を満たすことにより、有機発光表示装置１００の器具強度を高める機能をする。つまり、充填剤１３０を含む有機発光表示装置１００は、落下のような外部衝撃に対する耐久性が向上する。充填剤１３０は透明な等方性物質であってもよく、透明なシリコーン系高分子を含んでもよい。
バッファー層１１１、ゲート絶縁膜１１２、及び層間絶縁膜１１３は基板１１０と同様のサイズに形成されてもよく、平坦化膜１１４は、その周縁がゲッター１４５と重なるように、平面上で層間絶縁膜１１３より小さく形成されてもよい。そして画素定義膜１１５の端部は、平面上で表示領域ＤＡの周縁と充填剤１３０の周縁との間に位置してもよい。画素定義膜１１５の周縁はゲッター１４５から一定の距離をもって離隔する。
画素定義膜１１５のうち、表示領域ＤＡに形成された部分の表面は共通電極１５７によって覆われ、非表示領域ＮＤＡに形成された部分の表面は第１保護層１６１によって覆われる。第１保護層１６１は画素定義膜１１５の上面及び側面の両方を覆う。そして第２保護層１６２は第１保護層１６１と接触し、画素定義膜１１５の外側に形成される。
第１保護層１６１及び第２保護層１６２はいずれも非表示領域ＮＤＡに形成され、充填剤１３０の物質が拡散しない金属、無機物、または有機物を含んでもよい。
第１保護層１６１は共通電極１５７と同様の物質で形成されてもよい。第１保護層１６１は共通電極１５７と接触し、共通電極１５７と一体に形成されてもよい。例えば、共通電極１５７の蒸着時に使用するオープンマスクの開口部のサイズを拡大させれば、共通電極１５７及び第１保護層１６１を同時に形成することができる。
第２保護層１６２は、画素定義膜１１５の外側で平坦化膜１１４と充填剤１３０との間に形成される。第２保護層１６２の両端部は画素定義膜１１５及びゲッター１４５と重なってもよい。つまり、第２保護層１６２は、画素定義膜１１５と重なる一端部、充填剤１３０と重なる中央部、及びゲッター１４５と重なる他端部を含んでもよい。
第２保護層１６２は、画素電極１５５と同様の物質で形成されてもよく、画素電極１５５と同時に形成されてもよい。例えば、画素電極１５５の蒸着時に使用する蒸着マスクに開口部を追加すれば、画素電極１５５及び第２保護層１６２を同時に形成することができる。したがって第２保護層１６２を形成するための別途の蒸着マスクが必要なく、第２保護層１６２を形成するための製造段階が追加されない。
画素電極１５５が半透明膜で形成される場合、第２保護層１６２は、第１透明膜１６２１、金属薄膜１６２２、及び第２透明膜１６２３の積層膜、例えばＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの多層膜で形成されてもよい。第１透明膜１６２１は平坦化膜１１４との接着力に優れ、第２透明膜１６２３は充填剤１３０に対する接着力に優れている。したがって第２保護層１６２は、平坦化膜１１４と充填剤１３０との間で浮き上がりや剥離のような不良がなく、堅固に形成されることができる。
上述した構成により、充填剤１３０は、非表示領域ＮＤＡで第１保護層及び第２保護層１６１、１６２と接触し、画素定義膜１１５及び平坦化膜１１４と接触しない。画素定義膜１１５、平坦化膜１１４、及び充填剤１３０は全てシリコーン系高分子で形成されてもよいが、充填剤１３０が同じ系の高分子を含む画素定義膜１１５及び平坦化膜１１４と接触すれば、物質の拡散が容易に起こる。
具体的に、画素定義膜１１５がゲッター１４５と接触するように、充填剤１３０より広く形成されることを仮定すれば、非表示領域ＮＤＡで共通電極１５７によって覆われない画素定義膜１１５の表面は充填剤１３０と接触する。また、図２の構造で第２保護層１６２がないことを仮定すれば、充填剤１３０は平坦化膜１１４と接触する。
この場合、充填剤１３０に含まれている各種不純物または酸素などは画素定義膜１１５及び平坦化膜１１４に容易に拡散する。そして、画素定義膜１１５及び平坦化膜１１４に拡散した不純物または酸素などは有機発光ダイオードＯＬＥＤに侵入して、有機発光ダイオードＯＬＥＤを劣化させ、画素収縮のような不良を誘発する。
しかし、第１実施形態の有機発光表示装置１００においては、第１保護層１６１及び第２保護層１６２によって画素定義膜１１５及び平坦化膜１１４が充填剤１３０と接触しないので、充填剤１３０から画素定義膜１１５及び平坦化膜１１４に向かう物質の拡散を遮断することができる。したがって、第１実施形態の有機発光表示装置１００は、充填剤１３０による有機発光ダイオードＯＬＥＤの劣化及び画素収縮などの不良発生を抑制することができる。
一方、非表示領域ＮＤＡには複数の画素ＰＸに電気信号を供給するための配線１７０が位置してもよい。配線１７０は、ゲート絶縁膜１１２の上に形成された第１金属層１７１、及び層間絶縁膜１１３に形成された開口部によって第１金属層１７１と接触する第２金属層１７２を含んでもよい。第１金属層１７１はゲート電極１５２と同様の物質で形成され、第２金属層１７２はソース電極１５３及びドレイン電極１５４と同様の物質で形成されてもよい。
第２金属層１７２は、ゲッター１４５と重なる領域で層間絶縁膜１１３の上に突出した端部１７２ａを含んでもよい。そして、ゲッター１４５の内側で平坦化膜１１４の周縁の上に第３保護層１６３が形成されてもよい。第３保護層１６３は、第２金属層１７２の突出した端部１７２ａによる第２金属層１７２及び平坦化膜１１４の浮き上がりまたは剥離などのような不良を防止する。第３保護層１６３は、画素定義膜１１５と同様の物質で画素定義膜１１５と同時に形成されてもよい。
図３は、図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った有機発光表示装置の部分拡大断面図である。
図３を参照すると、非表示領域ＮＤＡのうち配線と重ならない部分において、必要に応じて平坦化膜１１４に開口部１１４ａが形成されてもよい。平坦化膜１１４の開口部１１４ａによって層間絶縁膜１１３の表面が露出するが、開口部１１４ａを取り囲む平坦化膜１１４の側壁と、露出した層間絶縁膜１１３との上に第２保護層１６２が形成される。
画素電極１５５と同様の物質で形成される第２保護層１６２は、層間絶縁膜１１３及び充填剤１３０との接着力に優れている。したがって、平坦化膜１１４の開口部１１４ａによって露出した層間絶縁膜１１３部位の浮き上がりや剥離のような不良を抑制することができる。
図４は、本発明の第２実施形態による有機発光表示装置の部分拡大断面図である。
図４を参照すると、第２実施形態の有機発光表示装置２００は、共通電極１５７の上に形成されたキャッピング層１５８を含み、第１保護層１６１ａはキャッピング層１５８と同様の物質で形成される。第１保護層１６１ａはキャッピング層１５８と接し、キャッピング層１５８と一体に形成されてもよい。
キャッピング層１５８は有機発光ダイオードＯＬＥＤを保護し、有機発光表示装置２００が前面発光型である場合、屈折率マッチングを通じて光効率を最適化する機能をする。キャッピング層１５８は、Ａｌｑ３（ｔｒｉｓ（８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）ａｌｕｍｉｎｕｍ）、α−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ'−ｂｉｓ−（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ−１−ｙｌ）−Ｎ，Ｎ'−ｂｉｓ（ｐｈｅｎｙｌ）ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ）、ＮＰＢ（Ｎ，Ｎ'−Ｂｉｓ−（１−ｎａｐｈｔｈｙｌ）−Ｎ，Ｎ'−Ｄｉｐｈｅｎｙｌ−１，１'−Ｂｉｐｈｅｎｙｌ−４−４'−Ｄｉａｍｉｎｅ）、またはＣｕＰｃ（Ｃｏｐｐｅｒ Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）等の有機物を含んでもよい。
第２実施形態の有機発光表示装置２００において、キャッピング層１５８及び第１保護層１６１ａを除いたそれ以外の構成は、上述した第１実施形態と同一である。
図５は、本発明の第３実施形態による有機発光表示装置の部分拡大断面図である。
図５を参照すると、第３実施形態の有機発光表示装置３００は、共通電極１５７の上に形成されたキャッピング層１５８を含み、第１保護層１６１ｂと第２保護層１６２ｂはキャッピング層１５８と同様の物質で形成される。第１保護層１６１ｂはキャッピング層１５８と接し、キャッピング層１５８と一体に形成されてもよく、第２保護層１６２ｂは、第１保護層１６１ｂと接し、第１保護層１６１ｂと一体に形成されてもよい。つまり、キャッピング層１５８、第１保護層１６１ｂ、及び第２保護層１６２ｂは単一膜で構成されてもよい。
第３実施形態の有機発光表示装置３００において、キャッピング層１５８、第１保護層１６１ｂ、及び第２保護層１６２ｂを除いたそれ以外の構成は、上述した第１実施形態と同一である。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されず、特許請求の範囲、発明の詳細な説明、及び添付した図面の範囲内で多様に変形して実施することが可能であり、これも本発明の範囲に属するのは当然である。
１００、２００、３００ 有機発光表示装置
１１０ 基板
１１１ バッファー層
１１２ ゲート絶縁膜
１１３ 層間絶縁膜
１１４ 平坦化膜
１１５ 画素定義膜
１２０ 封止基板
１３０ 充填剤
１４０ シール材
１４５ ゲッター
１５５ 画素電極
１５６ 発光層
１５７ 共通電極
１５８ キャッピング層
１６１、１６１ａ、１６１ｂ 第１保護層
１６２、１６２ｂ 第２保護層
１６３ 第３保護層
１１０ 基板
１１１ バッファー層
１１２ ゲート絶縁膜
１１３ 層間絶縁膜
１１４ 平坦化膜
１１５ 画素定義膜
１２０ 封止基板
１３０ 充填剤
１４０ シール材
１４５ ゲッター
１５５ 画素電極
１５６ 発光層
１５７ 共通電極
１５８ キャッピング層
１６１、１６１ａ、１６１ｂ 第１保護層
１６２、１６２ｂ 第２保護層
１６３ 第３保護層
Claims (10)
- 表示領域に形成された有機発光ダイオードと、
前記表示領域に形成された第１部分、及び前記表示領域を取り囲む非表示領域に形成された第２部分を含む画素定義膜と、
前記画素定義膜の少なくとも前記第２部分を覆う第１保護層と、
前記非表示領域に形成されて、前記第１保護層の一部及び前記画素定義膜の前記第２部分の一部と接触する第２保護層と、
前記第１保護層及び前記第２保護層を覆う充填剤と、
を含む、有機発光表示装置。 - 前記画素定義膜及び前記第２保護層の下に形成された平坦化膜をさらに含み、前記第２保護層は前記画素定義膜の外側で前記平坦化膜の表面を全て覆う、請求項１に記載の有機発光表示装置。
- 前記画素定義膜及び前記平坦化膜はシリコーン系高分子を含む、請求項２に記載の有機発光表示装置。
- 前記平坦化膜は、開口部を形成して前記平坦化膜の下の層間絶縁膜を露出させ、前記第２保護層は露出した前記層間絶縁膜を覆う、請求項２に記載の有機発光表示装置。
- 前記有機発光ダイオードは画素電極、発光層、及び共通電極を含み、キャッピング層によって覆われる、請求項１に記載の有機発光表示装置。
- 前記第１保護層は前記共通電極と接触し、前記共通電極と同様の物質で形成され、
前記第２保護層は前記第１保護層と接触し、前記画素電極と同様の物質で形成される、請求項５に記載の有機発光表示装置。 - 前記第１保護層は前記キャッピング層と接触し、前記キャッピング層と同様の物質で形成され、
前記第２保護層は前記第１保護層と接触し、前記画素電極と同様の物質で形成される、請求項５に記載の有機発光表示装置。 - 前記第２保護層は、第１透明膜、金属薄膜、及び第２透明膜の多層膜で形成される、請求項６または７に記載の有機発光表示装置。
- 前記第１保護層は前記キャッピング層と接触し、前記キャッピング層と同様の物質で形成され、前記第２保護層は前記第１保護層と接触し、前記キャッピング層と同様の物質で形成される、請求項５に記載の有機発光表示装置。
- 前記第１保護層及び第２保護層は互いに異なる層に形成される、請求項１に記載の有機発光表示装置。
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