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JP2016197494A - Organic EL display device - Google Patents

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JP2016197494A
JP2016197494A JP2015075856A JP2015075856A JP2016197494A JP 2016197494 A JP2016197494 A JP 2016197494A JP 2015075856 A JP2015075856 A JP 2015075856A JP 2015075856 A JP2015075856 A JP 2015075856A JP 2016197494 A JP2016197494 A JP 2016197494A
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organic
film
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reflective film
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JP2015075856A
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Japanese (ja)
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寿文 三村
Hisafumi Mimura
寿文 三村
佐藤 敏浩
Toshihiro Sato
敏浩 佐藤
弘志 田畠
Hiroshi Tabata
弘志 田畠
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Japan Display Inc
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Abstract

【課題】レーザーアブレーションによって発光層を含む有機膜のパターニングを効率よく行うことができる、有機EL表示装置を提供する。【解決手段】発光層を含む有機膜と、平面視において有機膜が備えられた第1領域R1以外の領域であって、第1領域の縁と隣り合う第2領域R2に、第1領域の縁に沿って形成された、所定の波長のレーザー光線を反射する反射膜1135と、を含む有機EL表示装置。【選択図】図3AKind Code: A1 An organic EL display device capable of efficiently patterning an organic film including a light-emitting layer by laser ablation is provided. An organic film including a light-emitting layer and a second region R2 adjacent to the edge of the first region, other than the first region R1 provided with the organic film in plan view, are provided in the first region. and a reflective film 1135 formed along the edge for reflecting a laser beam of a predetermined wavelength. [Selection drawing] Fig. 3A

Description

本発明は、有機EL表示装置に関する。   The present invention relates to an organic EL display device.

有機EL表示装置における発光層を含む有機膜は、下記特許文献1に開示されるように、エッチング若しくは写真製版工程にて、マスクを用いることによって所定の形状にパターニングして形成されることが知られている。   It is known that an organic film including a light emitting layer in an organic EL display device is formed by patterning into a predetermined shape by using a mask in an etching or photolithography process, as disclosed in Patent Document 1 below. It has been.

特開2006−302860号公報JP 2006-302860 A

しかしながら、上述のようなマスクを用いる有機膜の形成は、専用設備やマスクの定期的なメンテナンスが必要となる。そして、大型基板になるほど設備費、運用費が増大する。このため、従来の形成方法とは異なる、より簡便に有機膜の形成ができる製造方法について発明者らは鋭意検討を行った。   However, the formation of the organic film using the mask as described above requires regular maintenance of dedicated equipment and the mask. And the equipment cost and operation cost increase as the substrate becomes large. For this reason, the inventors diligently studied a manufacturing method that can form an organic film more easily than a conventional forming method.

そして、発明者らは、レーザー光線を用いた加工技術であるレーザーアブレーションを有機膜の形成に適用ができないかと考えた。この方法は、レーザー光線を照射することによって不要な有機膜の部分を除去し、所定の形状に有機膜をパターニングする方法である。   The inventors then considered whether laser ablation, which is a processing technique using a laser beam, could be applied to the formation of an organic film. This method is a method of removing an unnecessary organic film portion by irradiating a laser beam and patterning the organic film into a predetermined shape.

この方法が実現されると、マスクレスで有機膜の形成が可能となるため、運用費の削減や、専用設備の導入の必要がないため、製造コストの低減が期待できる。   If this method is realized, it is possible to form an organic film without a mask, so that it is not necessary to reduce operation costs or to introduce dedicated equipment, so that a reduction in manufacturing cost can be expected.

しかしながら、有機EL表示装置に備えられる発光層を含む有機膜は、通常光吸収が少ないため、不要な有機膜の部分を除去する時間がかかり、また不要な有機膜の部分を除去する時間を短縮するためには、レーザー光線を高出力で照射することが必要となるという問題があることがわかった。   However, since the organic film including the light emitting layer provided in the organic EL display device usually has little light absorption, it takes time to remove the unnecessary organic film portion, and shortens the time to remove the unnecessary organic film portion. In order to achieve this, it has been found that there is a problem that it is necessary to irradiate a laser beam at a high output.

該問題を解決するために、レーザーアブレーションによって不要な有機膜の部分の除去を実現するための、新たな膜構造を有機EL表示装置に適用することについて、発明者らは更に鋭意検討を重ねた。   In order to solve this problem, the inventors have made further intensive studies on applying a new film structure to an organic EL display device for realizing removal of an unnecessary organic film portion by laser ablation. .

本発明の目的は、レーザーアブレーションによって発光層を含む有機膜のパターニングを効率よく行うことができる、有機EL表示装置を提供することにある。   An object of the present invention is to provide an organic EL display device capable of efficiently patterning an organic film including a light emitting layer by laser ablation.

また、本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面によって明らかにする。   The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

本発明における有機EL表示装置の一態様は、発光層を含む有機膜と、平面視において前記有機膜が備えられた第1領域以外の領域であって、前記第1領域の縁と隣り合う第2領域に、前記第1領域の前記縁に沿って形成された、所定の波長のレーザー光線を反射する反射膜と、を含むことを特徴としたものである。   One aspect of the organic EL display device according to the present invention is an organic film including a light emitting layer and a region other than the first region where the organic film is provided in a plan view and adjacent to an edge of the first region. The two regions include a reflection film that is formed along the edge of the first region and reflects a laser beam having a predetermined wavelength.

本発明の実施形態に係る有機EL表示装置を模式的に示す斜視図である。1 is a perspective view schematically showing an organic EL display device according to an embodiment of the present invention. 図1の切断線II‐IIにおける断面を示す図である。It is a figure which shows the cross section in the cutting line II-II of FIG. 本発明の実施形態に係る有機EL表示装置の製造方法を説明する平面図である。It is a top view explaining the manufacturing method of the organic electroluminescence display which concerns on embodiment of this invention. 図3Aの切断線IIIB‐IIIBにおける断面を示す図である。It is a figure which shows the cross section in the cutting line IIIB-IIIB of FIG. 3A. 本発明の実施形態に係る有機EL表示装置の製造方法を説明する平面図である。It is a top view explaining the manufacturing method of the organic electroluminescence display which concerns on embodiment of this invention. 図4Aの切断線IVB‐IVBにおける断面を示す図である。It is a figure which shows the cross section in the cutting | disconnection line IVB-IVB of FIG. 4A. 本発明の実施形態に係る有機EL表示装置の製造方法を説明する平面図である。It is a top view explaining the manufacturing method of the organic electroluminescence display which concerns on embodiment of this invention. 図5Aの切断線VB‐VBにおける断面を示す図である。It is a figure which shows the cross section in the cutting plane line VB-VB of FIG. 5A.

はじめに、本実施形態に係る有機EL表示装置の概略について、図1、2を参照して説明する。   First, an outline of the organic EL display device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS.

図1は、本発明の実施形態に係る有機EL表示装置を模式的に示す斜視図である。また、図2は、図1の切断線II‐IIにおける断面を示す図である。   FIG. 1 is a perspective view schematically showing an organic EL display device according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a view showing a cross section taken along the section line II-II in FIG.

本実施形態に係る有機EL表示装置10は、例えば、回路基板11を有する。回路基板11には、画像を表示するための素子を駆動するための集積回路チップ12が搭載されているものである。   The organic EL display device 10 according to the present embodiment includes, for example, a circuit board 11. The circuit board 11 is mounted with an integrated circuit chip 12 for driving an element for displaying an image.

回路基板11には、外部との電気的接続のために、フレキシブル配線基板13が接続されている。図2に示すように、回路基板11は、ガラスなどからなる第1基板111及び回路層112等を含んで構成されている。回路層112は、配線や、電極及び絶縁膜などで構成される薄膜トランジスタ(thin film transistor : TFT)1121を含む。   A flexible wiring board 13 is connected to the circuit board 11 for electrical connection with the outside. As shown in FIG. 2, the circuit board 11 includes a first substrate 111 made of glass or the like, a circuit layer 112, and the like. The circuit layer 112 includes a thin film transistor (TFT) 1121 including a wiring, an electrode, an insulating film, and the like.

図1、2に示すように、回路基板11には素子層113が備えられている。素子層113は、有機膜1131(有機エレクトロルミネッセンス膜ともいう)を含む。有機膜1131は、少なくとも発光層(図示せず)を含み、さらに、電子輸送層、正孔輸送層、電子注入層及び正孔注入層のうち少なくとも一層を含むこととしてもよい。   As shown in FIGS. 1 and 2, the circuit board 11 includes an element layer 113. The element layer 113 includes an organic film 1131 (also referred to as an organic electroluminescence film). The organic film 1131 includes at least a light emitting layer (not shown), and may further include at least one of an electron transport layer, a hole transport layer, an electron injection layer, and a hole injection layer.

図1、2に示す有機膜1131が含む発光層は、一色(例えば白色)の光のみを発することとしてもよい。この場合、有機EL表示装置10は、発光層から発せされた光が対向基板14に備えられたRGBいずれかの色のカラーフィルタ141(141R、141G、141B)を介して外部に様々な色を視認させることとなる。   The light emitting layer included in the organic film 1131 shown in FIGS. 1 and 2 may emit only light of one color (for example, white). In this case, the organic EL display device 10 emits various colors to the outside through the color filter 141 (141R, 141G, 141B) of any color of RGB provided on the counter substrate 14 with the light emitted from the light emitting layer. It will be visually recognized.

また、発光層は画素ごとに異なる複数色の光を発するように構成してもよい。この場合、図1、2に示される対向基板14のカラーフィルタ141は不要である。対向基板14については後に詳細に説明する。   Further, the light emitting layer may be configured to emit light of a plurality of colors different for each pixel. In this case, the color filter 141 of the counter substrate 14 shown in FIGS. The counter substrate 14 will be described in detail later.

素子層113は、陽極1132(アノード、画素電極ともいう)及び陰極1133(カソード、共通電極ともいう)を含む。陽極1132及び陰極1133は、それぞれ、回路層112と電気的に接続される。   The element layer 113 includes an anode 1132 (also referred to as an anode or a pixel electrode) and a cathode 1133 (also referred to as a cathode or a common electrode). The anode 1132 and the cathode 1133 are electrically connected to the circuit layer 112, respectively.

図1、2の例では、回路層112の上方に複数の陽極1132が形成されている。複数の陽極1132は、複数の画素に対応して設けられる。また、複数の陽極1132の上に連続的に有機膜1131が設けられている。そして、有機膜1131の上に連続的に陰極1133が設けられている。   In the example of FIGS. 1 and 2, a plurality of anodes 1132 are formed above the circuit layer 112. The plurality of anodes 1132 are provided corresponding to the plurality of pixels. An organic film 1131 is continuously provided on the plurality of anodes 1132. A cathode 1133 is continuously provided on the organic film 1131.

このように、素子層113は、有機膜1131を挟む陽極1132及び陰極1133を含んで構成されている。陽極1132及び陰極1133に電圧をかけることにより各々から正孔と電子を有機膜1131に注入し、注入された正孔と電子が有機膜1131に含まれる発光層で結合することによって光を発する。   As described above, the element layer 113 includes the anode 1132 and the cathode 1133 that sandwich the organic film 1131. By applying a voltage to the anode 1132 and the cathode 1133, holes and electrons are injected into the organic film 1131 from each of them, and light is emitted by combining the injected holes and electrons in the light emitting layer included in the organic film 1131.

ここで有機膜1131を形成する有機材料は、外部からの水分を吸湿し、該水分を保持しやすい特性を有している場合がある。このような外部から侵入してくる水分は、有機膜1131、とりわけ発光層に対し悪影響を及ぼすことがあり、好ましいものではない。   Here, the organic material forming the organic film 1131 may have a characteristic of absorbing moisture from the outside and easily holding the moisture. Such moisture entering from the outside may adversely affect the organic film 1131, particularly the light emitting layer, and is not preferable.

したがって、有機膜1131には、外部からの水分が、有機EL表示装置10の表示領域DAまで拡散することによって発生する表示不良を防ぐために、有機膜1131の一部を分断して外部からの水分を遮断する水分遮断構造MBが設けられている。   Therefore, in order to prevent a display defect caused by diffusion of moisture from the outside to the display area DA of the organic EL display device 10 in the organic film 1131, a part of the organic film 1131 is divided to remove moisture from the outside. A moisture blocking structure MB is provided to block the water.

また、回路層112の第1基板111と対向する側とは反対側の表面には、配線や、電極及び絶縁膜などで構成される薄膜トランジスタ1121に起因する凹凸が存在する。   Further, the surface of the circuit layer 112 opposite to the side facing the first substrate 111 has unevenness due to the thin film transistor 1121 including wiring, electrodes, an insulating film, and the like.

該凹凸は、電極や発光層を含む有機膜1131等を上方に積層させた場合、該有機膜1131が段切れを起こす要因となりうる。そして、有機膜1131の段切れは、陽極1132と陰極1133とが短絡を起こす要因となりうるため、好ましくない。   The unevenness can cause the organic film 1131 to break when an organic film 1131 including an electrode and a light emitting layer is laminated on the upper side. The disconnection of the organic film 1131 is not preferable because it may cause a short circuit between the anode 1132 and the cathode 1133.

したがって、図2に示されるように本実施形態に係る有機EL表示装置10は、回路層112の表面に前述の凹凸を平坦化するための有機平坦化膜1134を備えることとしてもよい。   Therefore, as shown in FIG. 2, the organic EL display device 10 according to this embodiment may include an organic flattening film 1134 for flattening the aforementioned unevenness on the surface of the circuit layer 112.

また、回路層112の凹凸を平坦化するためには、有機平坦化膜1134にはある程度の厚さが必要となる。有機材料によって形成される有機平坦化膜1134は、無機材料によって形成される膜と比較して容易に凹凸を平坦化するだけの膜厚を有する膜を形成することができる。   In order to flatten the unevenness of the circuit layer 112, the organic flattening film 1134 needs to have a certain thickness. As the organic planarization film 1134 formed using an organic material, a film having a film thickness that can easily flatten the unevenness can be formed as compared with a film formed using an inorganic material.

また、有機平坦化膜1134は、例えば、アクリル樹脂等の有機樹脂を用いて形成することができる。ここで、有機平坦化膜1134が有機樹脂にて形成される場合、該有機樹脂が外部からの水分を吸湿し、該水分を保持しやすい特性を有している場合がある。   The organic planarization film 1134 can be formed using an organic resin such as an acrylic resin, for example. Here, in the case where the organic planarizing film 1134 is formed of an organic resin, the organic resin may absorb moisture from the outside and have a characteristic of easily holding the moisture.

前述のように、このような外部から侵入してくる水分は、素子層113、とりわけ発光層を含む有機膜1131に対し悪影響を及ぼすことがあり、好ましいものではない。   As described above, moisture entering from the outside may adversely affect the element layer 113, particularly the organic film 1131 including the light emitting layer, and is not preferable.

したがって、有機平坦化膜1134には有機膜1131同様、外部からの水分が有機EL表示装置10の表示領域DAまで拡散することによって発生する表示不良を防ぐために、有機平坦化膜1134の一部を分断して外部からの水分を遮断する水分遮断構造MBが設けられていることとしてもよい。   Therefore, in order to prevent a display defect caused by diffusion of moisture from the outside to the display area DA of the organic EL display device 10 as in the organic film 1131, a part of the organic flattening film 1134 is added to the organic flattening film 1134. It is good also as providing the water | moisture-content blocking | blocking structure MB which cuts off and interrupts | blocks the moisture from the outside.

ここで、水分遮断構造MBを形成する有機平坦化膜1134の端部には、図2に示されるようにテーパー形状を有するテーパー部1134bが備えられていることとしてもよい。   Here, the end portion of the organic planarization film 1134 forming the moisture blocking structure MB may be provided with a tapered portion 1134b having a tapered shape as shown in FIG.

また図2に示されるように、有機平坦化膜1134の一部には、素子層113の陽極1132および陰極1133と、回路層112との電気的接続をとるためのスルーホール1134cが形成されていることとしてもよい。   As shown in FIG. 2, a through hole 1134 c for electrically connecting the anode 1132 and the cathode 1133 of the element layer 113 and the circuit layer 112 is formed in a part of the organic planarizing film 1134. It is good to be.

なお、有機平坦化膜1134に形成されたスルーホール1134cを介して、陰極1133と回路層112とが電気的に接続される構造を、本明細書中においてはカソードコンタクトCCと呼ぶこととする。   A structure in which the cathode 1133 and the circuit layer 112 are electrically connected through the through hole 1134c formed in the organic planarizing film 1134 is referred to as a cathode contact CC in this specification.

また、本実施形態に係る有機EL表示装置10には、陽極1132と有機平坦化膜1134との間には、発光層から発せられた光の取り出し効率を高めるために、反射膜1135が備えられることとしてもよい。   Further, in the organic EL display device 10 according to the present embodiment, a reflective film 1135 is provided between the anode 1132 and the organic planarizing film 1134 in order to increase the extraction efficiency of light emitted from the light emitting layer. It is good as well.

この場合、陽極1132はITO等の可視光を透過する金属によって形成されることとなる。そして、陽極1132と有機平坦化膜1134との間に備えられる反射膜1135は、例えば可視光を反射させるものであればよい。例えば、Al等の金属、またはアルミニウムとチタンの三層構造(Ti/Al/Ti)のものによって形成されることとしてもよい。   In this case, the anode 1132 is formed of a metal that transmits visible light, such as ITO. The reflective film 1135 provided between the anode 1132 and the organic planarizing film 1134 may be anything that reflects visible light, for example. For example, it may be formed of a metal such as Al, or a three-layer structure (Ti / Al / Ti) of aluminum and titanium.

そして、本実施形態に係る有機EL表示装置10は、平面視において有機膜1131が備えられた第1領域R1以外の領域であって、第1領域R1の縁と隣り合う第2領域R2にも反射膜1135を有する。第2領域R2の反射膜1135は第1領域R1の縁に沿って形成される。この第1領域R1の縁に沿って形成される反射膜1135は、所定の波長のレーザー光線を反射する。なお、第1領域R1、第2領域R2は、後に説明する図4A、5A等に示される領域R1、R2に相当するものである。   The organic EL display device 10 according to the present embodiment is a region other than the first region R1 provided with the organic film 1131 in a plan view, and also in the second region R2 adjacent to the edge of the first region R1. A reflective film 1135 is provided. The reflective film 1135 in the second region R2 is formed along the edge of the first region R1. The reflection film 1135 formed along the edge of the first region R1 reflects a laser beam having a predetermined wavelength. The first region R1 and the second region R2 correspond to regions R1 and R2 shown in FIGS. 4A and 5A described later.

また、平面視において有機膜1131が備えられた第1領域R1以外の領域であって、第1領域R1の縁と隣り合う第2領域R2に、第1領域R1の縁に沿って形成される反射膜は、平面視において有機膜1131が備えられていない領域に備えられているものであり、すなわち、平面視において表示領域の周囲を取り囲んで備えられているものである。   Further, it is formed in the second region R2 other than the first region R1 provided with the organic film 1131 in plan view and adjacent to the edge of the first region R1 along the edge of the first region R1. The reflective film is provided in a region where the organic film 1131 is not provided in a plan view, that is, is provided surrounding the display region in a plan view.

以後、可視光を反射させる反射膜1135を第1反射膜1135aと、所定の波長のレーザー光線を反射する反射膜とを第2反射膜1135bと区別して呼ぶこととする。   Hereinafter, the reflective film 1135 that reflects visible light is referred to as the first reflective film 1135a and the reflective film that reflects a laser beam having a predetermined wavelength is referred to as the second reflective film 1135b.

ここで、第2反射膜1135bは、第1反射膜1135aと同一の材料によって形成されることとしてもよい。この場合、第2領域R2の反射膜と第1領域R1の反射膜は同じプロセス中に形成され、同じ層に形成されることとしてもよい。   Here, the second reflective film 1135b may be formed of the same material as the first reflective film 1135a. In this case, the reflective film in the second region R2 and the reflective film in the first region R1 may be formed in the same process and formed in the same layer.

また、第2反射膜1135bは、第1反射膜1135aと異なる材料によって形成されることとしてもよい。例えば、第2反射膜1135bは、例えばAg、Ni、Ti、あるいはTi/Al/Tiの三層構造のもので形成されることとしてもよい。   The second reflective film 1135b may be formed of a material different from that of the first reflective film 1135a. For example, the second reflective film 1135b may be formed of, for example, a three-layer structure of Ag, Ni, Ti, or Ti / Al / Ti.

更に、陰極1133と電気的接続をとるために形成されたカソードコンタクトCCにおけるスルーホール1134cの内側面に、所定の波長のレーザー光線を反射する反射膜(第2反射膜1135b)が形成されることとしてもよい。   Further, a reflection film (second reflection film 1135b) that reflects a laser beam having a predetermined wavelength is formed on the inner surface of the through hole 1134c in the cathode contact CC formed to be electrically connected to the cathode 1133. Also good.

また、水分遮断構造MBを形成する有機平坦化膜1134の端部に備えられたテーパー部1134bにも同様に、テーパー部1134bの形状に沿って、所定の波長のレーザー光線を反射する反射膜(第2反射膜1135b)の少なくとも一部が形成されることとしてもよい。   Similarly, the tapered portion 1134b provided at the end of the organic planarizing film 1134 forming the moisture blocking structure MB similarly reflects a laser beam having a predetermined wavelength along the shape of the tapered portion 1134b (first film). 2 reflection film 1135b) may be formed at least partially.

ここで、第2反射膜1135bのレーザー光線の反射率は、例えば60%以上であることとしてもよい。また、第2反射膜1135bのレーザー光線の反射率は、例えば65%以上であることとしてもよいし、70%以上であることとしてもよいし、75%以上であることとしてもよい。   Here, the reflectance of the laser beam of the second reflective film 1135b may be 60% or more, for example. Further, the reflectance of the laser beam of the second reflective film 1135b may be, for example, 65% or more, 70% or more, or 75% or more.

また、上記の所定の波長のレーザー光線とは、350nm以上、550nm以下の波長のレーザー光線であることとしてもよい。すなわち、反射膜は、350nm以上、550nm以下の波長のレーザー光線を、60%以上反射することとしてもよい。   The laser beam having the predetermined wavelength may be a laser beam having a wavelength of 350 nm or more and 550 nm or less. That is, the reflective film may reflect 60% or more of a laser beam having a wavelength of 350 nm or more and 550 nm or less.

一般的に、金属はレーザー光線の波長が短くなるに従い反射率が減少する傾向を示す。一方で、金属の反射率は、反射膜を構成する金属材料の種類によって変化する。これは一般的には電気伝導度に依存するとされ、電気伝導度の増加に伴い反射率が大きくなるとされている。   In general, the metal tends to decrease in reflectance as the wavelength of the laser beam becomes shorter. On the other hand, the reflectance of a metal changes with the kind of metal material which comprises a reflecting film. In general, this depends on electrical conductivity, and it is said that the reflectivity increases as the electrical conductivity increases.

したがって、第2反射膜1135bの電気伝導度は、第1反射膜1135aの電気伝導度よりも大きいこととしてもよい。   Therefore, the electrical conductivity of the second reflective film 1135b may be larger than the electrical conductivity of the first reflective film 1135a.

対向基板14は、回路基板11と対向するように配置されている。また図2に示されるように、対向基板14はカラーフィルタ基板であって、第2基板142と、第2基板142の回路基板11側に設けられたブラックマトリクス143及び着色層であるカラーフィルタ141を含むこととしてもよい。   The counter substrate 14 is disposed so as to face the circuit substrate 11. As shown in FIG. 2, the counter substrate 14 is a color filter substrate, and includes a second substrate 142, a black matrix 143 provided on the circuit substrate 11 side of the second substrate 142, and a color filter 141 that is a colored layer. It is good also as including.

また、前述のように、有機膜1131が、異なる色(例えば、赤、緑及び青)を発する複数の発光層を含む場合、着色層は不要である。   Further, as described above, when the organic film 1131 includes a plurality of light emitting layers that emit different colors (for example, red, green, and blue), a colored layer is unnecessary.

次に、本実施形態に係る有機EL表示装置10の製造方法について説明しつつ、併せて本実施形態に係る有機EL表示装置10が有する詳細な構成について更に説明する。   Next, while explaining the manufacturing method of the organic EL display device 10 according to the present embodiment, the detailed configuration of the organic EL display device 10 according to the present embodiment will be further described.

本実施形態に係る有機EL表示装置の製造方法は、平面視における第1領域に、発光層を含む有機膜が備えられた有機EL表示装置の製造方法であって、前記第1領域以外の領域であって前記第1領域の縁と隣り合う第2領域に、前記縁に沿って形成された、所定の波長のレーザー光線を反射する反射膜を形成する工程と、平面視における前記第1領域、及び前記第2領域を含む領域に、前記有機膜を前記反射膜と一部を重ねて形成する工程と、少なくとも前記第2領域を含む領域に前記レーザー光線を照射して、平面視において前記第2領域と重ねて形成された前記有機膜の一部を除去する工程と、を含むことを特徴とする有機EL表示装置の製造方法である。   The manufacturing method of the organic EL display device according to the present embodiment is a manufacturing method of an organic EL display device in which an organic film including a light emitting layer is provided in a first region in plan view, and the region other than the first region. A step of forming a reflective film for reflecting a laser beam having a predetermined wavelength formed along the edge in a second area adjacent to the edge of the first area; and the first area in plan view; And the step of forming the organic film on the region including the second region so as to partially overlap the reflective film, and irradiating the region including at least the second region with the laser beam, and And a step of removing a part of the organic film formed so as to overlap with the region.

図3Aは、本発明の実施形態に係る有機EL表示装置10の製造方法を説明する平面図である。また、図3Bは、図3Aの切断線IIIB‐IIIBにおける断面を示す図である。   FIG. 3A is a plan view illustrating the method for manufacturing the organic EL display device 10 according to the embodiment of the present invention. FIG. 3B is a diagram showing a cross section taken along section line IIIB-IIIB in FIG. 3A.

はじめにガラスや樹脂等の絶縁基板である第1基板111上に、配線、薄膜トランジスタ1121等が形成された回路層を形成する。この回路基板11の形成工程は、既知の方法にて行うこととしてもよい。   First, a circuit layer in which wiring, a thin film transistor 1121, and the like are formed is formed over a first substrate 111 which is an insulating substrate such as glass or resin. The step of forming the circuit board 11 may be performed by a known method.

なお、薄膜トランジスタ1121等を第1基板111上に形成した状態が平滑な場合、薄膜トランジスタ1121や第1基板111を覆うように形成する有機平坦化膜1134は必ずしも備える必要はない。   Note that in the case where the thin film transistor 1121 and the like are formed over the first substrate 111 is smooth, the organic planarization film 1134 formed so as to cover the thin film transistor 1121 and the first substrate 111 is not necessarily provided.

以下説明においては、薄膜トランジスタ1121が形成された直後の表面は、凹凸を有するものであるとして、該凹凸に起因する該有機膜1131が段切れ、該段切れに起因する陽極1132と陰極1133とが短絡を抑制するために、回路層の形成に次いで、該凹凸を平坦化するための、有機平坦化膜1134を形成することとする。   In the following description, it is assumed that the surface immediately after the thin film transistor 1121 is formed has unevenness, the organic film 1131 due to the unevenness is disconnected, and the anode 1132 and the cathode 1133 due to the disconnection are In order to suppress a short circuit, an organic flattening film 1134 for flattening the unevenness is formed after the formation of the circuit layer.

有機平坦化膜1134の形成は、例えば、有機平坦化膜1134は平面視において、少なくとも画素領域の全面を覆って形成された後、平面視においてカソードコンタクトCCが形成される領域、水分遮断構造MBが形成される領域を除去することによって行われることとしてもよい。   The organic planarization film 1134 is formed, for example, by forming the organic planarization film 1134 so as to cover at least the entire surface of the pixel region in plan view, and then forming a region in which the cathode contact CC is formed in plan view. It is good also as performing by removing the area | region where is formed.

また、有機平坦化膜1134の形成は、有機樹脂のワニス(有機樹脂を溶媒に溶かした液状物)を凹凸表面に塗布し、該ワニスに含まれる溶媒を揮散させることによって形成することとしてもよい。このように形成することによって第1基板111表面の凹部に優先的にワニスが流れ込むこととなり、第1基板111表面の凹凸を効果的に平坦化することとなる。   The organic planarizing film 1134 may be formed by applying an organic resin varnish (a liquid material obtained by dissolving an organic resin in a solvent) to the uneven surface and volatilizing the solvent contained in the varnish. . By forming in this way, the varnish flows preferentially into the recesses on the surface of the first substrate 111, and the unevenness on the surface of the first substrate 111 is effectively flattened.

なお、有機平坦化膜1134をポリイミド樹脂で構成する場合、ポリイミドの前駆体であるポリアミック酸を、溶媒に溶かした液状物を凹凸表面に塗布し、その後イミド化の処理を行うこととしてもよい。     In the case where the organic planarizing film 1134 is composed of a polyimide resin, a liquid material obtained by dissolving a polyamic acid, which is a polyimide precursor, in a solvent may be applied to the uneven surface, and then imidization may be performed.

また、熱硬化性の有機樹脂で有機平坦化膜1134を構成する場合、凹凸面に有機樹脂のワニスを塗布後、加熱処理を行い、熱硬化を促進させることとしてもよい。また、光硬化性の有機樹脂で有機平坦化膜1134を構成する場合、凹凸面に有機樹脂のワニスを塗布後、光照射処理を行い、光硬化を促進させることとしてもよい。   In the case where the organic planarizing film 1134 is formed of a thermosetting organic resin, heat treatment may be promoted by applying a heat treatment after applying an organic resin varnish to the uneven surface. In the case where the organic planarizing film 1134 is formed of a photocurable organic resin, a light irradiation treatment may be performed after applying an organic resin varnish to the uneven surface to promote photocuring.

なお、有機平坦化膜1134の材料、及び形成方法は、上記のものに限られるものではない。   Note that the material and forming method of the organic planarizing film 1134 are not limited to the above.

また、本実施形態における有機平坦化膜1134は、端部にテーパー形状を有するテーパー部1134bを備えるものである。   Further, the organic planarization film 1134 in the present embodiment includes a tapered portion 1134b having a tapered shape at the end portion.

そして、所定の波長のレーザー光線を反射する反射膜(第2反射膜1135b)が、平面視において有機膜1131が備えられる第1領域R1以外の領域であって、第1領域R1の縁と隣り合う第2領域R2に、第1領域R1の縁に沿って形成される。   The reflective film (second reflective film 1135b) that reflects a laser beam having a predetermined wavelength is a region other than the first region R1 where the organic film 1131 is provided in plan view, and is adjacent to the edge of the first region R1. The second region R2 is formed along the edge of the first region R1.

また、本実施形態においては、第2反射膜1135bを、少なくとも一部を有機平坦化膜1134のテーパー部1134bの形状に沿って形成した。併せて、本実施形態においては、第2反射膜1135bを、陰極1133と電気的接続をとるために形成されたスルーホール1134cの内側面に形成した。   In the present embodiment, at least a part of the second reflective film 1135b is formed along the shape of the tapered portion 1134b of the organic planarizing film 1134. In addition, in the present embodiment, the second reflective film 1135b is formed on the inner surface of the through hole 1134c formed for electrical connection with the cathode 1133.

すなわち、陰極1133と電気的接続をとるために形成されたスルーホール1134cの内側面、及び水分遮断構造MBを形成する有機平坦化膜1134の端部に備えられたテーパー部1134bに第2反射膜1135bが形成されることとなる。   That is, the second reflective film is formed on the inner surface of the through hole 1134c formed for electrical connection with the cathode 1133 and the tapered portion 1134b provided at the end of the organic planarization film 1134 forming the moisture blocking structure MB. 1135b is formed.

そして、例えば、可視光を反射させる反射膜(第1反射膜1135a)、陽極1132をパターニングによって形成する。次いで、バンク1136が、陽極1132の端部を覆って有機平坦化膜1134の第1基板111側と対向する側とは反対側の面の一部と接して備えられる。   Then, for example, a reflective film (first reflective film 1135a) that reflects visible light and an anode 1132 are formed by patterning. Next, a bank 1136 is provided so as to cover a part of the surface of the organic planarization film 1134 opposite to the side facing the first substrate 111 side, covering the end of the anode 1132.

また、第2反射膜1135bが、第1反射膜1135aと異なる材料によって形成される場合、第1反射膜1135aと第2反射膜1135bとは、それぞれ別のパターニング工程を経て形成されることとなる。また、第2反射膜1135bと、第1反射膜1135aとが同一材料によって形成される場合、第1反射膜1135aと第2反射膜1135bとは、それぞれ同じパターニング工程を経て形成することとしてもよい。   When the second reflective film 1135b is formed of a material different from that of the first reflective film 1135a, the first reflective film 1135a and the second reflective film 1135b are formed through different patterning processes. . In the case where the second reflective film 1135b and the first reflective film 1135a are formed of the same material, the first reflective film 1135a and the second reflective film 1135b may be formed through the same patterning process. .

その後、陽極1132の端部を覆って有機平坦化膜1134の第1基板111側とは反対側の面の一部と接してバンク1136を形成する。   Thereafter, a bank 1136 is formed in contact with a part of the surface of the organic planarization film 1134 opposite to the first substrate 111 side so as to cover the end portion of the anode 1132.

なお、バンク1136は平面視における画像領域において、陽極1132の端部および、有機平坦化膜1134の上面の該陽極1132が形成されていない他の面の全てを覆ってバンク1136が形成されることとしてもよい。バンク1136が有機平坦化膜1134の上面の陽極1132が形成されていない他の面の全部を覆って形成されるのは工程上その方が簡便であり、性能上実害がないと考えられるからである。   Note that the bank 1136 is formed so as to cover the end portion of the anode 1132 and all other surfaces on the upper surface of the organic planarizing film 1134 where the anode 1132 is not formed in the image region in plan view. It is good. The bank 1136 is formed so as to cover the entire other surface of the upper surface of the organic flattening film 1134 where the anode 1132 is not formed because it is simpler in terms of the process and is considered to have no harmful effect on performance. is there.

このようにして、製造過程における仕掛(material in process)の状態が図3A、3Bにて示されるものである。   In this way, the state of material in process in the manufacturing process is shown in FIGS. 3A and 3B.

次に、図3A、3Bに示される状態から、レーザーアブレーションによって発光層を含む有機膜1131のパターニングを行う工程について説明する。   Next, a process of patterning the organic film 1131 including the light emitting layer by laser ablation from the state shown in FIGS. 3A and 3B will be described.

図4Aは、本発明の実施形態に係る有機EL表示装置の製造方法を説明する平面図である。また、図4Bは、図4Aの切断線IVB‐IVBにおける断面を示す図である。   FIG. 4A is a plan view illustrating the method for manufacturing the organic EL display device according to the embodiment of the invention. FIG. 4B is a view showing a cross section taken along section line IVB-IVB of FIG. 4A.

はじめに、図3A、3Bに示される状態から、最上面に発光層を含む有機膜1131を全面に形成する。   First, from the state shown in FIGS. 3A and 3B, an organic film 1131 including a light emitting layer on the uppermost surface is formed on the entire surface.

そして、有機膜1131を除去すべき箇所(図4Aにおける、カソードコンタクトCCが形成される領域、水分遮断構造MBが形成される領域に所定の波長のレーザー光線Lを照射する。   Then, a laser beam L having a predetermined wavelength is irradiated on the portion where the organic film 1131 is to be removed (the region where the cathode contact CC is formed and the region where the moisture blocking structure MB is formed in FIG. 4A).

一般的に有機EL表示装置に備えられる発光層を含む有機膜1131は、通常光吸収が少ないためレーザーアブレーションによる有機膜1131の除去には、高出力でのレーザー光線の照射が必要となる。   In general, an organic film 1131 including a light emitting layer provided in an organic EL display device usually has little light absorption. Therefore, removal of the organic film 1131 by laser ablation requires irradiation with a laser beam with high output.

これに対して本実施形態においては。有機膜1131を除去すべき箇所に照射されるレーザー光線Lを効率よく反射する第2反射膜1135bが備えられているため、照射されたレーザー光線Lは第2反射膜1135bで反射し、再度有機膜1131を通過することとなる。これによって、照射されるレーザー光線を効率よく利用することができ、低出力でのレーザー構成の照射にてレーザーアブレーションを実施することができる。   In contrast, in the present embodiment. Since the second reflection film 1135b that efficiently reflects the laser beam L irradiated to the portion where the organic film 1131 is to be removed is provided, the irradiated laser beam L is reflected by the second reflection film 1135b and again the organic film 1131. Will pass. As a result, the irradiated laser beam can be used efficiently, and laser ablation can be performed by irradiation with a laser configuration at a low output.

また、第2反射膜1135bが有機平坦化膜1134のテーパー部1134bの形状に沿って形成されていることにより、該第2反射膜1135bがレーザー光線Lの照射方向(図4Bにおける矢印方向)からずれたレーザー光線Lの成分を、再度有機膜1131側に集束させるように反射させ、有機膜1131の除去効率を更に高めることとなる。   Further, since the second reflective film 1135b is formed along the shape of the tapered portion 1134b of the organic planarizing film 1134, the second reflective film 1135b is displaced from the irradiation direction of the laser beam L (the arrow direction in FIG. 4B). The component of the laser beam L is reflected so as to be focused again on the organic film 1131 side, and the removal efficiency of the organic film 1131 is further enhanced.

このように、第2反射膜1135bを備えることによって、レーザー光線Lの出力を低下させることができ、また、有機EL表示装置10を構成する他の部分に対し、レーザー構成の照射による影響を抑えることができるため、製造される有機EL表示装置10の信頼性を高めることとなる。   Thus, by providing the 2nd reflective film 1135b, the output of the laser beam L can be reduced, and the influence by irradiation of a laser structure is suppressed with respect to the other part which comprises the organic electroluminescent display apparatus 10. FIG. Therefore, the reliability of the manufactured organic EL display device 10 is improved.

更に、穏やかな出力のレーザー光線Lの照射により、有機膜1131を除去する際に発生する加工屑(デブリともいう)のレーザー光線Lの照射箇所以外の周囲への飛散を低減することとなる。なお、加工屑が仮に表示領域まで飛散してしまうと、パーティクルとなりダークスポットを生じさせ、表示不良を招くおそれがあるものである。   Further, the irradiation of the laser beam L with a gentle output reduces the scattering of processing waste (also referred to as debris) generated when the organic film 1131 is removed to the surroundings other than the irradiated portion of the laser beam L. If the processing scraps are scattered to the display area, they become particles and dark spots are generated, which may cause display defects.

本実施形態においては、第2反射膜1135bを備えることによって加工屑の飛散を低減できることにより、製造される有機EL表示装置10のダークスポットの発生による表示不良を低減でき、更に信頼性を高めることとなる。   In the present embodiment, by providing the second reflective film 1135b, it is possible to reduce scattering of processing waste, thereby reducing display defects due to generation of dark spots in the manufactured organic EL display device 10, and further improving reliability. It becomes.

図5Aは、本発明の実施形態に係る有機EL表示装置の製造方法を説明する平面図である。また、図5Bは、図5Aの切断線VB‐VBにおける断面を示す図である。   FIG. 5A is a plan view illustrating the method for manufacturing the organic EL display device according to the embodiment of the invention. FIG. 5B is a diagram showing a cross section taken along the cutting line VB-VB of FIG. 5A.

図5A、5Bに示されるように、レーザーアブレーションによって、レーザー光線Lが照射された有機膜1131の一部は除去され、第2反射膜1135bが平面視において露出される。   5A and 5B, a part of the organic film 1131 irradiated with the laser beam L is removed by laser ablation, and the second reflective film 1135b is exposed in a plan view.

結果、所定の波長のレーザー光線Lを反射する反射膜(第2反射膜1135b)は平面視において有機膜1131が備えられる第1領域R1以外の領域であって、第1領域R1の縁と隣り合う第2領域R2に、第1領域R1の縁に沿って、形成されることとなる。   As a result, the reflective film (second reflective film 1135b) that reflects the laser beam L having a predetermined wavelength is a region other than the first region R1 where the organic film 1131 is provided in plan view, and is adjacent to the edge of the first region R1. The second region R2 is formed along the edge of the first region R1.

その後、ダム材1137、フィル材1138を形成し、対向基板14を上面に形成又は貼り合わせすることによって、本実施形態の有機EL表示装置10(図1、2に示される有機EL表示装置10)が得られることとなる。   Thereafter, the dam material 1137 and the fill material 1138 are formed, and the counter substrate 14 is formed or bonded to the upper surface, whereby the organic EL display device 10 of the present embodiment (the organic EL display device 10 shown in FIGS. 1 and 2). Will be obtained.

10 有機EL表示装置、11 回路基板、12 集積回路チップ、13 フレキシブル配線基板、14 対向基板、111 第1基板、112 回路層、113 素子層、141 カラーフィルタ、1121 薄膜トランジスタ、1131 有機膜、1132 陽極、1133 陰極、1134 有機平坦化膜、1134b テーパー部、1134c スルーホール、1135 反射膜、1135a 第1反射膜、1135b 第2反射膜、MB 水分遮断構造、DA 表示領域、CC カソードコンタクト、R1 第1領域、R2 第2領域。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Organic EL display device, 11 Circuit board, 12 Integrated circuit chip, 13 Flexible wiring board, 14 Opposite substrate, 111 1st board | substrate, 112 Circuit layer, 113 Element layer, 141 Color filter, 1121 Thin film transistor, 1311, Organic film, 1132 Anode , 1133 cathode, 1134 organic planarization film, 1134b tapered portion, 1134c through hole, 1135 reflection film, 1135a first reflection film, 1135b second reflection film, MB moisture blocking structure, DA display region, CC cathode contact, R1 first Region, R2 Second region.

Claims (6)

発光層を含む有機膜と、
平面視において前記有機膜が備えられた第1領域以外の領域であって、前記第1領域の縁と隣り合う第2領域に、前記第1領域の前記縁に沿って形成された、所定の波長のレーザー光線を反射する反射膜と、を含む
ことを特徴とする有機EL表示装置。
An organic film including a light emitting layer;
A predetermined region formed in the second region adjacent to the edge of the first region, along the edge of the first region, in a region other than the first region provided with the organic film in plan view An organic EL display device comprising: a reflective film that reflects a laser beam having a wavelength.
前記反射膜は、平面視において表示領域の周囲を取り囲んで備えられている、
ことを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置。
The reflective film is provided to surround the display area in a plan view.
The organic EL display device according to claim 1.
前記有機膜を覆うように形成される共通電極膜を更に含み、
前記有機膜は、前記反射膜と前記共通電極膜との間に備えられる、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載の有機EL表示装置。
A common electrode film formed to cover the organic film;
The organic film is provided between the reflective film and the common electrode film.
The organic EL display device according to claim 1 or 2.
前記反射膜の前記有機膜と対向する側と反対側には、平面視において前記第1領域の少なくとも一部と重ねて形成された、有機平坦化膜を更に有し、
前記有機平坦化膜は、端部にテーパー形状を有するテーパー部を備え、
前記反射膜は、少なくとも一部を前記テーパー部の形状に沿って形成される
ことを特徴とする請求項1乃至3いずれか一項に記載の有機EL表示装置。
On the opposite side of the reflective film from the side facing the organic film, the reflective film further includes an organic planarization film formed to overlap with at least a part of the first region in plan view,
The organic planarization film includes a tapered portion having a tapered shape at an end portion,
4. The organic EL display device according to claim 1, wherein at least a part of the reflective film is formed along the shape of the tapered portion. 5.
前記反射膜の前記レーザー光線の反射率は、60%以上である、
ことを特徴とする請求項1乃至4いずれか一項に記載の有機EL表示装置。
The reflectance of the laser beam of the reflective film is 60% or more.
The organic EL display device according to claim 1, wherein the organic EL display device is an organic EL display device.
前記反射膜は、350nm以上、550nm以下の波長のレーザー光線を、60%以上反射する、
ことを特徴とする請求項1乃至5いずれか一項に記載の有機EL表示装置。
The reflective film reflects 60% or more of a laser beam having a wavelength of 350 nm or more and 550 nm or less,
The organic EL display device according to claim 1, wherein the organic EL display device is an organic EL display device.
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