JP2016195135A - Light emitting element, light emitting device, electronic apparatus and lighting device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、一対の電極間に発光層を有する発光素子に関する。また、該発光素子を用い
た発光装置、並びに該発光装置を用いた電子機器及び照明装置に関する。
The present invention relates to a light emitting element having a light emitting layer between a pair of electrodes. In addition, the present invention relates to a light-emitting device using the light-emitting element, and an electronic device and a lighting device using the light-emitting device.
近年、発光性の有機化合物や無機化合物を発光物質として用いた発光素子の開発が盛ん
である。特に、一対の電極間に発光物質を含む発光層を有する構造のエレクトロルミネッ
センス(以下、ELという)素子と呼ばれる発光素子は、薄型軽量・高速応答性・直流低
電圧駆動などの特性から、次世代のフラットパネルディスプレイ素子として注目されてい
る。また、EL素子を用いたディスプレイは、コントラストや画質に優れ、視野角が広い
という特徴も有している。さらに、EL素子は面状光源であるため、液晶ディスプレイの
バックライトや照明等の光源としての応用も考えられている。
In recent years, a light-emitting element using a light-emitting organic compound or an inorganic compound as a light-emitting substance has been actively developed. In particular, a light-emitting element called an electroluminescence (hereinafter referred to as EL) element having a light-emitting layer containing a light-emitting substance between a pair of electrodes is the next generation because of its thin and lightweight characteristics, high-speed response, and direct current low-voltage drive. Has attracted attention as a flat panel display element. In addition, a display using an EL element is characterized by excellent contrast and image quality and a wide viewing angle. Furthermore, since the EL element is a planar light source, its application as a light source such as a backlight of a liquid crystal display or illumination is also considered.
EL素子は、一対の電極と、一対の電極間に設けられた発光物質を含む発光層とを有す
る。当該EL素子は、発光層に電流を流すことにより発光物質が励起し、所定の色を発光
することができる。EL素子の発光輝度を高める為には、発光層に高電流を流すことが効
果的である。しかしながら、EL素子に大電流を流すことによって、消費電力が増大する
。また、発光層に大電流を流すことにより、EL素子の劣化を早めることにもなる。
The EL element includes a pair of electrodes and a light-emitting layer including a light-emitting substance provided between the pair of electrodes. The EL element can emit light of a predetermined color when a light-emitting substance is excited by passing a current through the light-emitting layer. In order to increase the light emission luminance of the EL element, it is effective to pass a high current through the light emitting layer. However, power consumption increases by passing a large current through the EL element. In addition, the deterioration of the EL element can be accelerated by passing a large current through the light emitting layer.
そこで、複数の発光層を積層した発光素子が提案されている(例えば特許文献1)。特
許文献1では、複数の発光ユニット(以下、本明細書においてEL層とも表記する)を有
し、各発光ユニットが電荷発生層によって仕切られた発光素子を開示している。より具体
的には、第1の発光ユニットの電子注入層として機能する金属ドーピング層上に5酸化バ
ナジウムよりなる電荷発生層が設けられ、さらに当該電荷発生層上に第2の発光ユニット
が設けられた構造の発光素子を開示している。特許文献1で開示される発光素子は、電流
密度が同じ電流を流した際に、1つの発光層を有する発光素子と比較して、高輝度発光す
ることが可能である。
Therefore, a light emitting element in which a plurality of light emitting layers are stacked has been proposed (for example, Patent Document 1). Patent Document 1 discloses a light-emitting element having a plurality of light-emitting units (hereinafter also referred to as EL layers in the present specification) and each light-emitting unit partitioned by a charge generation layer. More specifically, a charge generation layer made of vanadium pentoxide is provided on the metal doping layer functioning as an electron injection layer of the first light-emitting unit, and a second light-emitting unit is further provided on the charge generation layer. A light-emitting element having the above structure is disclosed. The light-emitting element disclosed in Patent Document 1 can emit light with high brightness when compared with a light-emitting element having one light-emitting layer when a current having the same current density is supplied.
本発明の一態様は、高輝度発光が可能な発光素子を提供することを課題の一とする。 An object of one embodiment of the present invention is to provide a light-emitting element that can emit light with high luminance.
また、本発明の一態様は、長寿命の発光素子を提供することを課題の一とする。 Another object of one embodiment of the present invention is to provide a light-emitting element with a long lifetime.
また、本発明の一態様は、低電圧駆動が可能な発光素子を提供することを課題の一とす
る。
Another object of one embodiment of the present invention is to provide a light-emitting element that can be driven at a low voltage.
また、本発明の一態様は、消費電力が低減された発光装置を提供することを課題の一と
する。
Another object of one embodiment of the present invention is to provide a light-emitting device with reduced power consumption.
また、本発明の一態様は、消費電力が低減された電子機器又は照明装置を提供すること
を課題の一とする。
Another object of one embodiment of the present invention is to provide an electronic device or a lighting device with reduced power consumption.
本発明の一態様は、陽極と陰極の間にn(nは2以上の自然数)層のEL層を有し、陽
極からm(mは自然数、1≦m≦n−1)番目のEL層とm+1番目のEL層の間には、
m番目のEL層と接する、第1のドナー性物質を含む第1の層と、第1の層と接する、電
子輸送性物質及び第2のドナー性物質を含む第2の層と、第2の層及びm+1番目のEL
層と接する、正孔輸送性物質及びアクセプター性物質を含む第3の層と、を有する発光素
子である。
One embodiment of the present invention includes an EL layer having n layers (n is a natural number of 2 or more) between an anode and a cathode, and the mth EL layer (m is a natural number, 1 ≦ m ≦ n−1) from the anode. And the (m + 1) th EL layer
a first layer containing a first donor material in contact with the mth EL layer; a second layer containing an electron transport material and a second donor material in contact with the first layer; Layers and the (m + 1) th EL
And a third layer containing a hole transporting substance and an acceptor substance in contact with the layer.
また、本発明の一態様は、陽極と陰極の間にn(nは2以上の自然数)層のEL層を有
し、陽極からm(mは自然数、1≦m≦n−1)番目のEL層とm+1番目のEL層の間
には、m番目のEL層と接する、第1の電子輸送性物質及び第1のドナー性物質を含む第
1の層と、第1の層と接する、第1の電子輸送性物質よりも最低空分子軌道準位が低い第
2の電子輸送性物質及び第2のドナー性物質を含む第2の層と、第2の層及びm+1番目
のEL層と接する、正孔輸送性物質及びアクセプター性物質を含む第3の層と、を有する
発光素子である。
Another embodiment of the present invention includes an n-layer (n is a natural number of 2 or more) EL layer between an anode and a cathode, and the mth (m is a natural number, 1 ≦ m ≦ n−1) th from the anode. Between the EL layer and the (m + 1) th EL layer, the first layer containing the first electron transporting material and the first donor material, which is in contact with the mth EL layer, is in contact with the first layer. A second layer containing a second electron-transporting material and a second donor-like material having a lower lowest unoccupied molecular orbital level than the first electron-transporting material, a second layer, and an m + 1th EL layer; And a third layer containing a hole transporting substance and an acceptor substance, which are in contact with each other.
また、本発明の一態様は、前述の発光素子を用いて作製された発光装置である。 Another embodiment of the present invention is a light-emitting device manufactured using the above light-emitting element.
また、本発明の一態様は、前述の発光装置を含む電子機器である。 Another embodiment of the present invention is an electronic device including the above light-emitting device.
また、本発明の一態様は、前述の発光装置を含む照明装置である。なお、本明細書にお
いて照明装置とは、点灯、消灯を制御することが可能な光源であり、情景、視対象物とそ
の周辺をよく見えるように照らす、又は視覚信号によって情報を伝達するなど、光を人間
生活に役立たせることを目的とする装置である。
Another embodiment of the present invention is a lighting device including the above light-emitting device. In this specification, the lighting device is a light source that can be turned on and off, and illuminates the scene, the object to be seen and its surroundings so that it can be seen well, or transmits information by a visual signal, etc. It is a device that aims to make light useful for human life.
なお、本明細書において、第1または第2などとして付される序数詞は便宜上用いるも
のであり、工程順又は積層順を示すものではない。また、本明細書において発明を特定す
るための事項として固有の名称を示すものではない。
In this specification, the ordinal numbers attached as first or second are used for convenience and do not indicate the order of steps or the order of lamination. In addition, a specific name is not shown as a matter for specifying the invention in this specification.
本発明の一態様の発光素子は、複数のEL層を有する。そのため、高輝度発光が可能で
ある。
The light-emitting element of one embodiment of the present invention includes a plurality of EL layers. Therefore, high luminance light emission is possible.
また、本発明の一態様の発光素子は、複数のEL層を有する。そのため、当該発光素子
が高輝度発光を行った際の寿命を向上させることができる。
The light-emitting element of one embodiment of the present invention includes a plurality of EL layers. Therefore, the lifetime when the light emitting element emits light with high luminance can be improved.
また、本発明の一態様の発光素子は、複数のEL層間のキャリアの移動を良好に行うこ
とが可能な構成を有する。そのため、当該発光素子の駆動電圧を低減することができる。
The light-emitting element of one embodiment of the present invention has a structure that can favorably move carriers between a plurality of EL layers. Therefore, the driving voltage of the light emitting element can be reduced.
また、本発明の一態様の発光装置は、駆動電圧が低減された発光素子を有する。そのた
め、当該発光装置の消費電力を低減することができる。
In addition, the light-emitting device of one embodiment of the present invention includes a light-emitting element with reduced driving voltage. Therefore, power consumption of the light-emitting device can be reduced.
また、本発明の一態様の電子機器又は照明装置は、消費電力が低減された発光装置を有
する。そのため、当該電子機器又は当該照明装置の消費電力を低減することができる。
The electronic device or the lighting device of one embodiment of the present invention includes a light-emitting device with reduced power consumption. Therefore, power consumption of the electronic device or the lighting device can be reduced.
以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明
は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態
および詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。したがって、
本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the following description, and it is easily understood by those skilled in the art that modes and details can be variously changed without departing from the spirit and scope of the present invention. Therefore,
The present invention is not construed as being limited to the description of the embodiments below.
(実施の形態1)
本実施の形態では、発光素子の一態様について図1を用いて説明する。
(Embodiment 1)
In this embodiment, one embodiment of a light-emitting element will be described with reference to FIGS.
図1(A)に示す発光素子は、一対の電極(陽極101、陰極102)間に発光領域を
含む第1のEL層103及び第2のEL層107を有する。加えて、当該発光素子は、陽
極101側から、第1のEL層103と接する電子注入バッファー層104、電子注入バ
ッファー層104と接する電子リレー層105、並びに電子リレー層105及び第2のE
L層107と接する電荷発生層106を有する。
A light-emitting element illustrated in FIG. 1A includes a
The
電子注入バッファー層104は、第1のEL層103に電子を注入する際の注入障壁を
緩和し、第1のEL層103への電子注入効率を高めることを目的とした層である。本実
施の形態では、電子注入バッファー層104は、ドナー性物質を含んで構成される。
The electron
電子リレー層105は、電子注入バッファー層104へ電子を速やかに送ることも目的
とした層である。本実施の形態では、電子リレー層105は、電子輸送性物質及びドナー
性物質を含んで構成される。なお、電子リレー層105に適用される電子輸送性物質は、
高い電子輸送性を有することに加えて、そのLUMO(最低空分子軌道:Lowest
Unoccupied Molecular Orbital)準位が、本実施の形態に
おいて後述する第1のEL層103のLUMO準位と電荷発生層106におけるアクセプ
ター性物質のアクセプター準位の間の準位を占めるような物質である。具体的には、電子
リレー層105に適用される電子輸送性物質として、LUMO準位が−5.0eV以上の
物質を用いるのが好ましい。さらに、電子リレー層105に適用される電子輸送性物質と
して、LUMO準位が−5.0eV以上−3.0eV以下の物質を用いるのがより好まし
い。
The
In addition to having high electron transport properties, its LUMO (lowest empty molecular orbital: Lowest
(Unoccupied Molecular Orbital) level is a material that occupies a level between the LUMO level of the
電荷発生層106は、発光素子のキャリアである正孔及び電子を発生させることを目的
とした層である。本実施の形態では、電荷発生層106は、正孔輸送性物質及びアクセプ
ター性物質を含んで構成される。
The
図1(B)に示す図は、図1(A)の素子構造におけるバンド図を表す。図1(B)に
おいて、111は陽極101のフェルミ準位、112は陰極102のフェルミ準位、11
3は第1のEL層103のLUMO準位、114は電子リレー層105におけるドナー性
物質のドナー準位、115は電子リレー層105における電子輸送性物質のLUMO準位
、116は電荷発生層106におけるアクセプター性物質のアクセプター準位、117は
第2のEL層107のLUMO準位を示す。
The diagram shown in FIG. 1B represents a band diagram in the element structure of FIG. In FIG. 1B, 111 is the Fermi level of the
3 is the LUMO level of the
図1(B)において、電荷発生層106で発生した電子は、電子リレー層105におけ
る電子輸送性物質のLUMO準位に遷移する。さらに、電子注入バッファー層104を介
して第1のEL層103のLUMO準位へと遷移する。その後、第1のEL層103にお
いて、陽極101から注入された正孔と、電荷発生層106から注入された電子とが再結
合する。これにより、第1のEL層103が発光する。同様に、第2のEL層107にお
いては、電荷発生層106から注入された正孔と、陰極102から注入された電子とが再
結合する。これにより、第2のEL層107が発光する。
In FIG. 1B, electrons generated in the
本実施の形態で示した発光素子は、電子輸送性物質及びドナー性物質を含む電子リレー
層105を有する。当該ドナー性物質は、電子輸送性物質のLUMO準位を低エネルギー
側にシフトする。電子リレー層105には、第1のEL層103のLUMO準位よりも低
いLUMO準位を有する電子輸送性物質を用いているため、当初から比較的低い位置に存
在したLUMO準位が、ドナー性物質によりさらに低下することになる。これにより、電
子リレー層105が電荷発生層106から電子を受容する際の障壁が低減される。また、
電子リレー層105が受け取った電子は、電子注入バッファー層104により、大きな注
入障壁を生じることなく、速やかに第1のEL層103に注入される。その結果、発光素
子の低電圧駆動が可能になる。
The light-emitting element described in this embodiment includes the electron-
The electrons received by the
次に、上述した各物質の具体例について述べる。 Next, specific examples of each substance described above will be described.
電子注入バッファー層104及び電子リレー層105に含まれるドナー性物質としては
、アルカリ金属、アルカリ土類金属、若しくは希土類金属、又はアルカリ金属、アルカリ
土類金属、若しくは希土類金属の化合物(酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む)を適用
することが可能である。具体的には、リチウム(Li)、セシウム(Cs)、マグネシウ
ム(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)、ユウロピウム(Eu)、イ
ッテルビウム(Yb)等の金属及びこれらの金属の化合物が挙げられる。当該金属又は金
属化合物は、電子注入性が高いため好ましい。
As the donor substance contained in the electron
電子リレー層105に含まれる電子輸送性物質としては、ペリレン誘導体又は含窒素縮
合芳香族化合物等を適用することが可能である。
As the electron transporting substance contained in the
上記ペリレン誘導体の具体例としては、3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸
二無水物(略称:PTCDA)、3,4,9,10−ペリレンテトラカルボキシリックビ
スベンゾイミダゾール(略称:PTCBI)、N,N’−ジオクチルー3,4,9,10
−ペリレンテトラカルボン酸ジイミド(略称:PTCDI−C8H)、N,N’−ジヘキ
シル−3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸ジイミド(略称:HexPTC)等
が挙げられる。
Specific examples of the perylene derivative include 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride (abbreviation: PTCDA), 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic bisbenzimidazole (abbreviation: PTCBI). , N, N′-Dioctyl-3,4,9,10
-Perylenetetracarboxylic acid diimide (abbreviation: PTCDI-C8H), N, N'-dihexyl-3,4,9,10-perylenetetracarboxylic acid diimide (abbreviation: HexPTC), and the like.
上記含窒素縮合芳香族化合物の具体例としては、ピラジノ[2,3−f][1,10]
フェナントロリン−2,3−ジカルボニトリル(略称:PPDN)、2,3,6,7,1
0,11−ヘキサシアノ−1,4,5,8,9,12−ヘキサアザトリフェニレン(略称
:HAT(CN)6)、2,3−ジフェニルピリド[2,3−b]ピラジン(略称:2P
YPR)2,3−ビス(4−フルオロフェニル)ピリド[2,3−b]ピラジン(略称:
F2PYPR)等が挙げられる。さらに、含窒素縮合芳香族化合物は、安定な化合物であ
るため電子リレー層105に含まれる電子輸送性物質として好ましい。また、含窒素縮合
芳香族化合物のうち、シアノ基やフルオロ基などの電子吸引基を有する化合物を適用する
ことにより、電子リレー層105における電子の受け取りが容易となるため好ましい。
Specific examples of the nitrogen-containing condensed aromatic compound include pyrazino [2,3-f] [1,10].
Phenanthroline-2,3-dicarbonitrile (abbreviation: PPDN), 2, 3, 6, 7, 1
0,11-hexacyano-1,4,5,8,9,12-hexaazatriphenylene (abbreviation: HAT (CN) 6 ), 2,3-diphenylpyrido [2,3-b] pyrazine (abbreviation: 2P)
YPR) 2,3-bis (4-fluorophenyl) pyrido [2,3-b] pyrazine (abbreviation:
F2PYPR) and the like. Further, since the nitrogen-containing condensed aromatic compound is a stable compound, it is preferable as an electron transporting substance contained in the
その他にも、パーフルオロペンタセン、7,7,8,8,−テトラシアノキノジメタン
(略称:TCNQ)、1,4,5,8,−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物(略称:
NTCDA)、銅ヘキサデカフルオロフタロシアニン(略称:F16CuPc)、N,N
’−ビス(2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8−ペンタデカ
フルオロオクチル)−1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド(略称:N
TCDI−C8F)、3’,4’−ジブチル−5,5’’−ビス(ジシアノメチレン)−
5,5’’−ジヒドロ−2,2’:5’,2’’−テルチオフェン(略称:DCMT)、
メタノフラーレン(例えば、[6,6]−フェニルC61酪酸メチルエステル)等を電子
リレー層105に含まれる電子輸送性物質として適用することもできる。
In addition, perfluoropentacene, 7,7,8,8, -tetracyanoquinodimethane (abbreviation: TCNQ), 1,4,5,8, -naphthalenetetracarboxylic dianhydride (abbreviation:
NTCDA), copper hexadecafluorophthalocyanine (abbreviation: F 16 CuPc), N, N
'-Bis (2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-pentadecafluorooctyl) -1,4,5,8-naphthalenetetra Carboxylic acid diimide (abbreviation: N
TCDI-C8F), 3 ′, 4′-dibutyl-5,5 ″ -bis (dicyanomethylene)-
5,5 ″ -dihydro-2,2 ′: 5 ′, 2 ″ -terthiophene (abbreviation: DCMT),
A methanofullerene (eg, [6,6] -phenyl C 61 butyric acid methyl ester) or the like can also be used as an electron transporting substance contained in the
電荷発生層106に含まれる正孔輸送性物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾ
ール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物(オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等)
など、種々の有機化合物を適用することが可能である。なお、ここで述べた物質は、主に
正孔移動度が1×10−6cm2/Vs以上の物質である。
Examples of the hole transporting material contained in the
It is possible to apply various organic compounds. Note that the substances described here are mainly substances having a hole mobility of 1 × 10 −6 cm 2 / Vs or higher.
上記芳香族アミン化合物の具体例としては、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−
N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB)やN,N’−ビス(3−メチルフェニ
ル)−N,N’−ジフェニル−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジアミン(略称:
TPD)、4,4’,4’’−トリス(カルバゾール−9−イル)トリフェニルアミン(
略称:TCTA)、4,4’,4’’−トリス(N,N−ジフェニルアミノ)トリフェニ
ルアミン(略称:TDATA)、4,4’,4’’−トリス[N−(3−メチルフェニル
)−N−フェニルアミノ]トリフェニルアミン(略称:MTDATA)、N,N’−ビス
(4−メチルフェニル)−N,N’−ジフェニル−p−フェニレンジアミン(略称:DT
DPPA)、4,4’−ビス[N−(4−ジフェニルアミノフェニル)−N−フェニルア
ミノ]ビフェニル(略称:DPAB)、N,N’−ビス[4−[ビス(3−メチルフェニ
ル)アミノ]フェニル]−N,N’−ジフェニル−[1,1’−ビフェニル]−4,4’
−ジアミン(略称:DNTPD)、1,3,5−トリス[N−(4−ジフェニルアミノフ
ェニル)−N−フェニルアミノ]ベンゼン(略称:DPA3B)等が挙げられる。
Specific examples of the aromatic amine compound include 4,4′-bis [N- (1-naphthyl)-
N-phenylamino] biphenyl (abbreviation: NPB) and N, N′-bis (3-methylphenyl) -N, N′-diphenyl- [1,1′-biphenyl] -4,4′-diamine (abbreviation:
TPD), 4,4 ′, 4 ″ -tris (carbazol-9-yl) triphenylamine (
Abbreviation: TCTA), 4,4 ′, 4 ″ -tris (N, N-diphenylamino) triphenylamine (abbreviation: TDATA), 4,4 ′, 4 ″ -tris [N- (3-methylphenyl) ) -N-phenylamino] triphenylamine (abbreviation: MTDATA), N, N'-bis (4-methylphenyl) -N, N'-diphenyl-p-phenylenediamine (abbreviation: DT)
DPPA), 4,4′-bis [N- (4-diphenylaminophenyl) -N-phenylamino] biphenyl (abbreviation: DPAB), N, N′-bis [4- [bis (3-methylphenyl) amino ] Phenyl] -N, N′-diphenyl- [1,1′-biphenyl] -4,4 ′
-Diamine (abbreviation: DNTPD), 1,3,5-tris [N- (4-diphenylaminophenyl) -N-phenylamino] benzene (abbreviation: DPA3B), and the like.
上記カルバゾール誘導体の具体例としては、3−[N−(9−フェニルカルバゾール−
3−イル)−N−フェニルアミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA1
)、3,6−ビス[N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)−N−フェニルアミノ
]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA2)、3−[N−(1−ナフチル)
−N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)アミノ]−9−フェニルカルバゾール(
略称:PCzPCN1)等が挙げられる。その他、4,4’−ジ(N−カルバゾリル)ビ
フェニル(略称:CBP)、1,3,5−トリス[4−(N−カルバゾリル)フェニル]
ベンゼン(略称:TCPB)、9−[4−(10−フェニル−9−アントラセニル)フェ
ニル]−9H−カルバゾール(略称:CzPA)、1,4−ビス[4−(N−カルバゾリ
ル)フェニル]−2,3,5,6−テトラフェニルベンゼン等が挙げられる。
Specific examples of the carbazole derivative include 3- [N- (9-phenylcarbazole-
3-yl) -N-phenylamino] -9-phenylcarbazole (abbreviation: PCzPCA1)
), 3,6-bis [N- (9-phenylcarbazol-3-yl) -N-phenylamino] -9-phenylcarbazole (abbreviation: PCzPCA2), 3- [N- (1-naphthyl)
-N- (9-phenylcarbazol-3-yl) amino] -9-phenylcarbazole (
Abbreviations: PCzPCN1) and the like. In addition, 4,4′-di (N-carbazolyl) biphenyl (abbreviation: CBP), 1,3,5-tris [4- (N-carbazolyl) phenyl]
Benzene (abbreviation: TCPB), 9- [4- (10-phenyl-9-anthracenyl) phenyl] -9H-carbazole (abbreviation: CzPA), 1,4-bis [4- (N-carbazolyl) phenyl] -2 3,5,6-tetraphenylbenzene and the like.
上記芳香族炭化水素の具体例としては、2−tert−ブチル−9,10−ジ(2−ナ
フチル)アントラセン(略称:t−BuDNA)、2−tert−ブチル−9,10−ジ
(1−ナフチル)アントラセン、9,10−ビス(3,5−ジフェニルフェニル)アント
ラセン(略称:DPPA)、2−tert−ブチル−9,10−ビス(4−フェニルフェ
ニル)アントラセン(略称:t−BuDBA)、9,10−ジ(2−ナフチル)アントラ
セン(略称:DNA)、9,10−ジフェニルアントラセン(略称:DPAnth)、2
−tert−ブチルアントラセン(略称:t−BuAnth)、9,10−ビス(4−メ
チル−1−ナフチル)アントラセン(略称:DMNA)、9,10−ビス[2−(1−ナ
フチル)フェニル]−2−tert−ブチルアントラセン、9,10−ビス[2−(1−
ナフチル)フェニル]アントラセン、2,3,6,7−テトラメチル−9,10−ジ(1
−ナフチル)アントラセン、2,3,6,7−テトラメチル−9,10−ジ(2−ナフチ
ル)アントラセン、9,9’−ビアントリル、10,10’−ジフェニル−9,9’−ビ
アントリル、10,10’−ビス(2−フェニルフェニル)−9,9’−ビアントリル、
10,10’−ビス[(2,3,4,5,6−ペンタフェニル)フェニル]−9,9’−
ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペリレン、2,5,8,11−テ
トラ(tert−ブチル)ペリレン等が挙げられる。また、当該芳香族炭化水素は、ビニ
ル骨格を有していてもよい。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、4
,4’−ビス(2,2−ジフェニルビニル)ビフェニル(略称:DPVBi)、9,10
−ビス[4−(2,2−ジフェニルビニル)フェニル]アントラセン(略称:DPVPA
)等が挙げられる。
Specific examples of the aromatic hydrocarbon include 2-tert-butyl-9,10-di (2-naphthyl) anthracene (abbreviation: t-BuDNA), 2-tert-butyl-9,10-di (1- Naphthyl) anthracene, 9,10-bis (3,5-diphenylphenyl) anthracene (abbreviation: DPPA), 2-tert-butyl-9,10-bis (4-phenylphenyl) anthracene (abbreviation: t-BuDBA), 9,10-di (2-naphthyl) anthracene (abbreviation: DNA), 9,10-diphenylanthracene (abbreviation: DPAnth), 2
-Tert-butylanthracene (abbreviation: t-BuAnth), 9,10-bis (4-methyl-1-naphthyl) anthracene (abbreviation: DMNA), 9,10-bis [2- (1-naphthyl) phenyl]- 2-tert-butylanthracene, 9,10-bis [2- (1-
Naphthyl) phenyl] anthracene, 2,3,6,7-tetramethyl-9,10-di (1
-Naphthyl) anthracene, 2,3,6,7-tetramethyl-9,10-di (2-naphthyl) anthracene, 9,9'-bianthryl, 10,10'-diphenyl-9,9'-bianthryl, 10 , 10′-bis (2-phenylphenyl) -9,9′-bianthryl,
10,10′-bis [(2,3,4,5,6-pentaphenyl) phenyl] -9,9′-
Bianthryl, anthracene, tetracene, rubrene, perylene, 2,5,8,11-tetra (tert-butyl) perylene and the like can be mentioned. The aromatic hydrocarbon may have a vinyl skeleton. Examples of the aromatic hydrocarbon having a vinyl group include 4
, 4′-bis (2,2-diphenylvinyl) biphenyl (abbreviation: DPVBi), 9,10
-Bis [4- (2,2-diphenylvinyl) phenyl] anthracene (abbreviation: DPVPA)
) And the like.
また、ポリ(N−ビニルカルバゾール)(略称:PVK)やポリ(4−ビニルトリフェ
ニルアミン)(略称:PVTPA)等の高分子化合物を正孔輸送性物質として適用するこ
ともできる。
Alternatively, a high molecular compound such as poly (N-vinylcarbazole) (abbreviation: PVK) or poly (4-vinyltriphenylamine) (abbreviation: PVTPA) can be used as the hole-transport substance.
さらに、上記正孔輸送性物質としては、1×10−6cm2/Vs以上の正孔移動度を
有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、
これら以外のものを適用することも可能である。
Furthermore, the hole transporting material is preferably a material having a hole mobility of 1 × 10 −6 cm 2 / Vs or higher. However, if the substance has a higher hole transportability than electrons,
Other than these can also be applied.
なお、上記芳香族炭化水素が蒸着法によって成膜される場合には、蒸着時の蒸着性や、
成膜後の膜質の観点から、縮合環を形成している炭素数が14〜42であることがより好
ましい。
In addition, when the aromatic hydrocarbon is formed into a film by a vapor deposition method,
From the viewpoint of film quality after film formation, the number of carbon atoms forming the condensed ring is more preferably 14 to 42.
電荷発生層106に含まれるアクセプター性物質としては、遷移金属酸化物や元素周期
表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物を適用することが可能である。具体的
には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化
タングステン、酸化マンガン、及び酸化レニウム等の金属酸化物が挙げられる。当該金属
酸化物は電子受容性が高いため好ましい。さらに、当該アクセプター性物質が酸化モリブ
デンであることがより好ましい。なお、酸化モリブデンは、吸湿性が低いという特徴を有
している。
As the acceptor substance included in the
また、電子注入バッファー層104、電子リレー層105、及び電荷発生層106の作
製方法としては、ドライプロセス(例えば、真空蒸着法、スパッタリング法等)、ウェッ
トプロセス(例えば、インクジェット法、スピンコート法、塗布法等)を問わず、種々の
方法を適用することが可能である。
The electron
次に、上述した陽極101及び陰極102の具体例について述べる。
Next, specific examples of the
陽極101としては、仕事関数の大きい(具体的には4.0eV以上が好ましい)金属
、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを適用することが可能である。具
体的には、酸化インジウム−酸化スズ(ITO:Indium Tin Oxide)、
シリコン若しくは酸化シリコンを含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−
酸化亜鉛(IZO:Indium Zinc Oxide)、酸化タングステン及び酸化
亜鉛を含有した酸化インジウム等の導電性金属酸化物が挙げられる。
As the
Indium oxide containing silicon or silicon oxide-tin oxide, indium oxide-
Examples thereof include conductive metal oxides such as zinc oxide (IZO: Indium Zinc Oxide), tungsten oxide, and indium oxide containing zinc oxide.
当該導電性金属酸化物の薄膜の作製は、スパッタリング法によって行う事が可能である
。また、当該導電性金属酸化物は、ゾル−ゲル法などを応用して作製することも可能であ
る。例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛(IZO)は、酸化インジウムに対し1〜20w
t%の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いたスパッタリング法により形成することが可能
である。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウムは、酸化インジ
ウムに対し酸化タングステンを0.5〜5wt%、酸化亜鉛を0.1〜1wt%含有した
ターゲットを用いたスパッタリング法により形成することが可能である。
The conductive metal oxide thin film can be formed by a sputtering method. Further, the conductive metal oxide can be manufactured by applying a sol-gel method or the like. For example, indium oxide-zinc oxide (IZO) is 1-20 w with respect to indium oxide.
It can be formed by a sputtering method using a target to which t% of zinc oxide is added. Further, indium oxide containing tungsten oxide and zinc oxide can be formed by a sputtering method using a target containing 0.5 to 5 wt% tungsten oxide and 0.1 to 1 wt% zinc oxide with respect to indium oxide. Is possible.
この他、金(Au)、白金(Pt)、ニッケル(Ni)、タングステン(W)、クロム
(Cr)、モリブデン(Mo)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、銅(Cu)、パラジウ
ム(Pd)、チタン(Ti)、及びこれらの窒化物(例えば、窒化チタン等)、並びに酸
化モリブデン、酸化バナジウム、酸化ルテニウム、酸化タングステン、酸化マンガン、及
び酸化チタン等の酸化物を陽極101として適用することが可能である。また、ポリ(3
,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(スチレンスルホン酸)(略称:PEDOT
/PSS)、ポリアニリン/ポリ(スチレンスルホン酸)(略称:PAni/PSS)等
の導電性高分子を適用することも可能である。ただし、第1のEL層103の一部として
、陽極101と接する電荷発生層を設ける場合には、仕事関数の大小に関わらず様々な導
電性物質を陽極101に適用することが可能である。なお、当該電荷発生層として、上述
した第1のEL層103と第2のEL層107の間に設けられる電荷発生層106と同一
構成を適用することが可能である。
In addition, gold (Au), platinum (Pt), nickel (Ni), tungsten (W), chromium (Cr), molybdenum (Mo), iron (Fe), cobalt (Co), copper (Cu), palladium ( Pd), titanium (Ti), and nitrides thereof (for example, titanium nitride) and oxides such as molybdenum oxide, vanadium oxide, ruthenium oxide, tungsten oxide, manganese oxide, and titanium oxide are used as the
, 4-ethylenedioxythiophene) / poly (styrenesulfonic acid) (abbreviation: PEDOT)
/ PSS), conductive polymers such as polyaniline / poly (styrenesulfonic acid) (abbreviation: PAni / PSS) can also be applied. However, in the case where a charge generation layer in contact with the
陰極102としては、仕事関数の小さい(具体的には3.8eV以下であることが好ま
しい)金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを適用することが可能
である。具体的には、元素周期表の第1族または第2族に属する元素、すなわちリチウム
(Li)、セシウム(Cs)等のアルカリ金属、マグネシウム(Mg)、カルシウム(C
a)、ストロンチウム(Sr)等のアルカリ土類金属、及びこれらを含む合金(MgAg
、AlLi等)、並びにユウロピウム(Eu)、イッテルビウム(Yb)等の希土類金属
およびこれらを含む合金等が挙げられる。なお、アルカリ金属、アルカリ土類金属、及び
これらを含む合金の膜は、真空蒸着法を用いて形成することが可能である。また、アルカ
リ金属及びアルカリ土類金属を含む合金は、スパッタリング法により形成することも可能
である。
As the
a), alkaline earth metals such as strontium (Sr), and alloys containing them (MgAg)
, AlLi, etc.), and rare earth metals such as europium (Eu) and ytterbium (Yb), and alloys containing these. Note that a film of an alkali metal, an alkaline earth metal, or an alloy containing these can be formed by a vacuum evaporation method. An alloy containing an alkali metal and an alkaline earth metal can also be formed by a sputtering method.
この他、アルカリ金属、アルカリ土類金属、又は希土類金属の化合物(例えば、フッ化
リチウム(LiF)、酸化リチウム(LiOx)、フッ化セシウム(CsF)、フッ化カ
ルシウム(CaF2)、フッ化エルビウム(ErF3)など)の薄膜と、アルミニウム等
の金属膜とを積層することによって、陰極102を形成することも可能である。但し、第
2のEL層107の一部として、陰極102と接する電荷発生層を設ける場合には、仕事
関数の大小に関わらず様々な導電性物質を陰極102に適用することが可能である。なお
、当該電荷発生層として、上述した第1のEL層103と第2のEL層107の間に設け
られる電荷発生層106と同一構成を適用することが可能である。
In addition, compounds of alkali metals, alkaline earth metals, or rare earth metals (for example, lithium fluoride (LiF), lithium oxide (LiOx), cesium fluoride (CsF), calcium fluoride (CaF 2 ), erbium fluoride The
なお、本実施の形態で示す発光素子においては、陽極101及び陰極102のうち、少
なくとも一方が発光波長を透過すればよい。透光性は、ITOのような透明電極を用いる
、又は電極の膜厚を薄くすることなどにより確保できる。
Note that in the light-emitting element described in this embodiment, at least one of the
次に、上述した第1のEL層及び第2のEL層の具体例について述べる。 Next, specific examples of the above-described first EL layer and second EL layer will be described.
第1のEL層103及び第2のEL層107は、少なくとも発光物質を有する発光層を
含んで構成されていればよい。つまり、第1のEL層103及び第2のEL層107は、
発光層と、発光層以外の層とが積層された構造であっても良い。なお、第1のEL層10
3に含まれる発光層と、第2のEL層107に含まれる発光層とは、それぞれ異なってい
てもよい。また、第1のEL層103および第2のEL層107は、それぞれ独立に、発
光層と、発光層以外の層とが積層された積層構造であっても良い。
The
A structure in which a light emitting layer and a layer other than the light emitting layer are stacked may be employed. Note that the
3 and the light-emitting layer included in the
発光層以外の層としては、正孔注入性物質を含む層(正孔注入層)、正孔輸送性物質を
含む層(正孔輸送層)、電子輸送性物質を含む層(電子輸送層)、電子注入性物質を含む
層(電子注入層)、バイポーラ性(電子輸送性及び正孔輸送性)物質を含む層等が挙げら
れる。これらは、適宜組み合わせて構成することができる。
As a layer other than the light emitting layer, a layer containing a hole injecting substance (hole injection layer), a layer containing a hole transporting substance (hole transporting layer), a layer containing an electron transporting substance (electron transporting layer) And a layer containing an electron injecting substance (electron injecting layer) and a layer containing a bipolar (electron transporting and hole transporting) substance. These can be combined as appropriate.
以下に、第1のEL層103及び第2のEL層107が正孔注入層、正孔輸送層、発光
層、電子輸送層、電子注入層を含んで構成される場合の各層を構成する物質の具体例を示
す。
Hereinafter, substances constituting each layer when the
正孔注入層は、正孔注入性物質を含む層である。当該正孔注入性物質としては、酸化モ
リブデン、酸化バナジウム、酸化ルテニウム、酸化タングステン、酸化マンガン等の正孔
注入性物質が挙げられる。この他、フタロシアニン(略称:H2Pc)及び銅フタロシア
ニン(略称:CuPc)等のフタロシアニン系の化合物、並びにPEDOT/PSS(略
称)等の高分子等を正孔注入性物質として用いることもできる。
The hole injection layer is a layer containing a hole injection material. Examples of the hole injecting substance include hole injecting substances such as molybdenum oxide, vanadium oxide, ruthenium oxide, tungsten oxide, and manganese oxide. In addition, phthalocyanine compounds such as phthalocyanine (abbreviation: H 2 Pc) and copper phthalocyanine (abbreviation: CuPc), and polymers such as PEDOT / PSS (abbreviation) can also be used as the hole injecting substance.
正孔輸送層は、正孔輸送性物質を含む層である。当該正孔輸送性物質としては、NPB
(略称)、TPD(略称)、TCTA(略称)、TDATA(略称)、MTDATA(略
称)、及び4,4’−ビス[N−(スピロ−9,9’−ビフルオレン−2−イル)−N―
フェニルアミノ]ビフェニル(略称:BSPB)等の芳香族アミン化合物、並びにPCz
PCA1(略称)、PCzPCA2(略称)、PCzPCN1(略称)、CBP(略称)
、TCPB(略称)、及びCzPA(略称)のカルバゾール誘導体が挙げられる。また、
PVK(略称)、PVTPA(略称)、ポリ[N−(4−{N’−[4−(4−ジフェニ
ルアミノ)フェニル]フェニル−N’−フェニルアミノ}フェニル)メタクリルアミド]
(略称:PTPDMA)、ポリ[N,N’−ビス(4−ブチルフェニル)−N,N’−ビ
ス(フェニル)ベンジジン](略称:Poly−TPD)を当該正孔輸送性物質として適
用することも可能である。ここに述べた物質は、主に1×10−6cm2/Vs以上の正
孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これ
ら以外のものを用いてもよい。また、正孔輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質か
らなる層を二層以上積層したものを用いてもよい。
The hole transport layer is a layer containing a hole transport material. As the hole transporting substance, NPB
(Abbreviation), TPD (abbreviation), TCTA (abbreviation), TDATA (abbreviation), MTDATA (abbreviation), and 4,4′-bis [N- (spiro-9,9′-bifluoren-2-yl) -N -
Aromatic amine compounds such as phenylamino] biphenyl (abbreviation: BSPB), and PCz
PCA1 (abbreviation), PCzPCA2 (abbreviation), PCzPCN1 (abbreviation), CBP (abbreviation)
, TCPB (abbreviation), and CzPA (abbreviation) carbazole derivatives. Also,
PVK (abbreviation), PVTPA (abbreviation), poly [N- (4- {N ′-[4- (4-diphenylamino) phenyl] phenyl-N′-phenylamino} phenyl) methacrylamide]
(Abbreviation: PTPDMA), poly [N, N′-bis (4-butylphenyl) -N, N′-bis (phenyl) benzidine] (abbreviation: Poly-TPD) is applied as the hole transporting substance. Is also possible. The substances described here are mainly substances having a hole mobility of 1 × 10 −6 cm 2 / Vs or higher. Note that other than these substances, any substance that has a property of transporting more holes than electrons may be used. Further, the hole transport layer is not limited to a single layer, and may be a stack of two or more layers made of the above substances.
発光層は、発光物質を含む層である。当該発光物質としては、以下に示す蛍光性化合物
及び燐光性化合物を適用することが可能である。
The light emitting layer is a layer containing a light emitting substance. As the light-emitting substance, the following fluorescent compounds and phosphorescent compounds can be used.
当該蛍光性化合物としては、N,N’−ビス[4−(9H−カルバゾール−9−イル)
フェニル]−N,N’−ジフェニルスチルベン−4,4’−ジアミン(略称:YGA2S
)、4−(9H−カルバゾール−9−イル)−4’−(10−フェニル−9−アントリル
)トリフェニルアミン(略称:YGAPA)、4−(9H−カルバゾール−9−イル)−
4’−(9,10−ジフェニル−2−アントリル)トリフェニルアミン(略称:2YGA
PPA)、N,9−ジフェニル−N−[4−(10−フェニル−9−アントリル)フェニ
ル]−9H−カルバゾール−3−アミン(略称:PCAPA)、ペリレン、2,5,8,
11−テトラ−tert−ブチルペリレン(略称:TBP)、4−(10−フェニル−9
−アントリル)−4’−(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)トリフェニル
アミン(略称:PCBAPA)、N,N’’−(2−tert−ブチルアントラセン−9
,10−ジイルジ−4,1−フェニレン)ビス[N,N’,N’−トリフェニル−1,4
−フェニレンジアミン](略称:DPABPA)、N,9−ジフェニル−N−[4−(9
,10−ジフェニル−2−アントリル)フェニル]−9H−カルバゾール−3−アミン(
略称:2PCAPPA)、N−[4−(9,10−ジフェニル−2−アントリル)フェニ
ル]−N,N’,N’−トリフェニル−1,4−フェニレンジアミン(略称:2DPAP
PA)、N,N,N’,N’,N’’,N’’,N’’’,N’’’−オクタフェニルジ
ベンゾ[g,p]クリセン−2,7,10,15−テトラアミン(略称:DBC1)、ク
マリン30、N−(9,10−ジフェニル−2−アントリル)−N,9−ジフェニル−9
H−カルバゾール−3−アミン(略称:2PCAPA)、N−[9,10−ビス(1,1
’−ビフェニル−2−イル)−2−アントリル]−N,9−ジフェニル−9H−カルバゾ
ール−3−アミン(略称:2PCABPhA)、N−(9,10−ジフェニル−2−アン
トリル)−N,N’,N’−トリフェニル−1,4−フェニレンジアミン(略称:2DP
APA)、N−[9,10−ビス(1,1’−ビフェニル−2−イル)−2−アントリル
]−N,N’,N’−トリフェニル−1,4−フェニレンジアミン(略称:2DPABP
hA)、9,10−ビス(1,1’−ビフェニル−2−イル)−N−[4−(9H−カル
バゾール−9−イル)フェニル]−N−フェニルアントラセン−2−アミン(略称:2Y
GABPhA)、N,N,9−トリフェニルアントラセン−9−アミン(略称:DPhA
PhA)、クマリン545T、N,N’−ジフェニルキナクリドン、(略称:DPQd)
、ルブレン、5,12−ビス(1,1’−ビフェニル−4−イル)−6,11−ジフェニ
ルテトラセン(略称:BPT)、2−(2−{2−[4−(ジメチルアミノ)フェニル]
エテニル}−6−メチル−4H−ピラン−4−イリデン)プロパンジニトリル(略称:D
CM1)、2−{2−メチル−6−[2−(2,3,6,7−テトラヒドロ−1H,5H
−ベンゾ[ij]キノリジン−9−イル)エテニル]−4H−ピラン−4−イリデン}プ
ロパンジニトリル(略称:DCM2)、N,N,N’,N’−テトラキス(4−メチルフ
ェニル)テトラセン−5,11−ジアミン(略称:p−mPhTD)、7,14−ジフェ
ニル−N,N,N’,N’−テトラキス(4−メチルフェニル)アセナフト[1,2−a
]フルオランテン−3,10−ジアミン(略称:p−mPhAFD)、2−{2−イソプ
ロピル−6−[2−(1,1,7,7−テトラメチル−2,3,6,7−テトラヒドロ−
1H,5H−ベンゾ[ij]キノリジン−9−イル)エテニル]−4H−ピラン−4−イ
リデン}プロパンジニトリル(略称:DCJTI)、2−{2−tert−ブチル−6−
[2−(1,1,7,7−テトラメチル−2,3,6,7−テトラヒドロ−1H,5H−
ベンゾ[ij]キノリジン−9−イル)エテニル]−4H−ピラン−4−イリデン}プロ
パンジニトリル(略称:DCJTB)、2−(2,6−ビス{2−[4−(ジメチルアミ
ノ)フェニル]エテニル}−4H−ピラン−4−イリデン)プロパンジニトリル(略称:
BisDCM)、2−{2,6−ビス[2−(8−メトキシ−1,1,7,7−テトラメ
チル−2,3,6,7−テトラヒドロ−1H,5H−ベンゾ[ij]キノリジン−9−イ
ル)エテニル]−4H−ピラン−4−イリデン}プロパンジニトリル(略称:BisDC
JTM)などが挙げられる。
As the fluorescent compound, N, N′-bis [4- (9H-carbazol-9-yl) is used.
Phenyl] -N, N′-diphenylstilbene-4,4′-diamine (abbreviation: YGA2S
), 4- (9H-carbazol-9-yl) -4 '-(10-phenyl-9-anthryl) triphenylamine (abbreviation: YGAPA), 4- (9H-carbazol-9-yl)-
4 ′-(9,10-diphenyl-2-anthryl) triphenylamine (abbreviation: 2YGA)
PPA), N, 9-diphenyl-N- [4- (10-phenyl-9-anthryl) phenyl] -9H-carbazol-3-amine (abbreviation: PCAPA), perylene, 2,5,8,
11-tetra-tert-butylperylene (abbreviation: TBP), 4- (10-phenyl-9
-Anthryl) -4 ′-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl) triphenylamine (abbreviation: PCBAPA), N, N ″-(2-tert-butylanthracene-9
, 10-Diyldi-4,1-phenylene) bis [N, N ′, N′-triphenyl-1,4
-Phenylenediamine] (abbreviation: DPABPA), N, 9-diphenyl-N- [4- (9
, 10-diphenyl-2-anthryl) phenyl] -9H-carbazol-3-amine (
Abbreviation: 2PCAPPA), N- [4- (9,10-diphenyl-2-anthryl) phenyl] -N, N ′, N′-triphenyl-1,4-phenylenediamine (abbreviation: 2DPAP)
PA), N, N, N ′, N ′, N ″, N ″, N ′ ″, N ′ ″-octaphenyldibenzo [g, p] chrysene-2,7,10,15-tetraamine (Abbreviation: DBC1), coumarin 30, N- (9,10-diphenyl-2-anthryl) -N, 9-diphenyl-9
H-carbazol-3-amine (abbreviation: 2PCAPA), N- [9,10-bis (1,1
'-Biphenyl-2-yl) -2-anthryl] -N, 9-diphenyl-9H-carbazol-3-amine (abbreviation: 2PCABPhA), N- (9,10-diphenyl-2-anthryl) -N, N ', N'-triphenyl-1,4-phenylenediamine (abbreviation: 2DP)
APA), N- [9,10-bis (1,1′-biphenyl-2-yl) -2-anthryl] -N, N ′, N′-triphenyl-1,4-phenylenediamine (abbreviation: 2DPABP)
hA), 9,10-bis (1,1′-biphenyl-2-yl) -N- [4- (9H-carbazol-9-yl) phenyl] -N-phenylanthracen-2-amine (abbreviation: 2Y)
GABPhA), N, N, 9-triphenylanthracen-9-amine (abbreviation: DPhA)
PhA), coumarin 545T, N, N′-diphenylquinacridone, (abbreviation: DPQd)
, Rubrene, 5,12-bis (1,1′-biphenyl-4-yl) -6,11-diphenyltetracene (abbreviation: BPT), 2- (2- {2- [4- (dimethylamino) phenyl]
Ethenyl} -6-methyl-4H-pyran-4-ylidene) propanedinitrile (abbreviation: D
CM1), 2- {2-methyl-6- [2- (2,3,6,7-tetrahydro-1H, 5H).
-Benzo [ij] quinolizin-9-yl) ethenyl] -4H-pyran-4-ylidene} propanedinitrile (abbreviation: DCM2), N, N, N ′, N′-tetrakis (4-methylphenyl) tetracene- 5,11-diamine (abbreviation: p-mPhTD), 7,14-diphenyl-N, N, N ′, N′-tetrakis (4-methylphenyl) acenaphtho [1,2-a
] Fluoranthene-3,10-diamine (abbreviation: p-mPhAFD), 2- {2-isopropyl-6- [2- (1,1,7,7-tetramethyl-2,3,6,7-tetrahydro-]
1H, 5H-benzo [ij] quinolizin-9-yl) ethenyl] -4H-pyran-4-ylidene} propanedinitrile (abbreviation: DCJTI), 2- {2-tert-butyl-6-
[2- (1,1,7,7-tetramethyl-2,3,6,7-tetrahydro-1H, 5H-
Benzo [ij] quinolizin-9-yl) ethenyl] -4H-pyran-4-ylidene} propanedinitrile (abbreviation: DCJTB), 2- (2,6-bis {2- [4- (dimethylamino) phenyl] Ethenyl} -4H-pyran-4-ylidene) propanedinitrile (abbreviation:
BisDCM), 2- {2,6-bis [2- (8-methoxy-1,1,7,7-tetramethyl-2,3,6,7-tetrahydro-1H, 5H-benzo [ij] quinolidine- 9-yl) ethenyl] -4H-pyran-4-ylidene} propanedinitrile (abbreviation: BisDC)
JTM).
当該燐光性化合物としては、ビス[2−(4’,6’−ジフルオロフェニル)ピリジナ
ト−N,C2’]イリジウム(III)テトラキス(1−ピラゾリル)ボラート(略称:
FIr6)、ビス[2−(4’,6’−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’]
イリジウム(III)ピコリナート(略称:FIrpic)、ビス[2−(3’,5’−
ビストリフルオロメチルフェニル)ピリジナト−N,C2’]イリジウム(III)ピコ
リナート(略称:Ir(CF3ppy)2(pic))、ビス[2−(4’,6’−ジフ
ルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’]イリジウム(III)アセチルアセトナート
(略称:FIracac)、トリス(2−フェニルピリジナト)イリジウム(III)(
略称:Ir(ppy)3)、ビス(2−フェニルピリジナト)イリジウム(III)アセ
チルアセトナート(略称:Ir(ppy)2(acac))、ビス(ベンゾ[h]キノリ
ナト)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(bzq)2(acac
))、ビス(2,4−ジフェニル−1,3−オキサゾラト−N,C2’)イリジウム(I
II)アセチルアセトナート(略称:Ir(dpo)2(acac))、ビス[2−(4
’−パーフルオロフェニルフェニル)ピリジナト]イリジウム(III)アセチルアセト
ナート(略称:Ir(p−PF−ph)2(acac))、ビス(2−フェニルベンゾチ
アゾラト−N,C2’)イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(bt
)2(acac))、ビス[2−(2’−ベンゾ[4,5−α]チエニル)ピリジナト−
N,C3’]イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:Ir(btp)2(a
cac))、ビス(1−フェニルイソキノリナト−N,C2’)イリジウム(III)ア
セチルアセトナート(略称:Ir(piq)2(acac))、(アセチルアセトナト)
ビス[2,3−ビス(4−フルオロフェニル)キノキサリナト]イリジウム(III)(
略称:Ir(Fdpq)2(acac))、(アセチルアセトナト)ビス(2,3,5−
トリフェニルピラジナト)イリジウム(III)(略称:Ir(tppr)2(acac
))、2,3,7,8,12,13,17,18−オクタエチル−21H,23H−ポル
フィリン白金(II)(略称:PtOEP)、トリス(アセチルアセトナト)(モノフェ
ナントロリン)テルビウム(III)(略称:Tb(acac)3(Phen))、トリ
ス(1,3−ジフェニル−1,3−プロパンジオナト)(モノフェナントロリン)ユーロ
ピウム(III)(略称:Eu(DBM)3(Phen))、トリス[1−(2−テノイ
ル)−3,3,3−トリフルオロアセトナト](モノフェナントロリン)ユーロピウム(
III)(略称:Eu(TTA)3(Phen))などが挙げられる。
As the phosphorescent compound, bis [2- (4 ′, 6′-difluorophenyl) pyridinato-N, C 2 ′ ] iridium (III) tetrakis (1-pyrazolyl) borate (abbreviation:
FIr6), bis [2- (4 ′, 6′-difluorophenyl) pyridinato-N, C 2 ′ ]
Iridium (III) picolinate (abbreviation: FIrpic), bis [2- (3 ′, 5′-
Bistrifluoromethylphenyl) pyridinato-N, C 2 ′ ] iridium (III) picolinate (abbreviation: Ir (CF 3 ppy) 2 (pic)), bis [2- (4 ′, 6′-difluorophenyl) pyridinato-N , C 2 ′ ] iridium (III) acetylacetonate (abbreviation: FIracac), tris (2-phenylpyridinato) iridium (III) (
Abbreviations: Ir (ppy) 3 ), bis (2-phenylpyridinato) iridium (III) acetylacetonate (abbreviation: Ir (ppy) 2 (acac)), bis (benzo [h] quinolinato) iridium (III) Acetylacetonate (abbreviation: Ir (bzq) 2 (acac
)), Bis (2,4-diphenyl-1,3-oxazolate-N, C 2 ′ ) iridium (I
II) Acetylacetonate (abbreviation: Ir (dpo) 2 (acac)), bis [2- (4
'-Perfluorophenylphenyl) pyridinato] iridium (III) acetylacetonate (abbreviation: Ir (p-PF-ph) 2 (acac)), bis (2-phenylbenzothiazolate-N, C 2 ′ ) iridium (III) Acetylacetonate (abbreviation: Ir (bt
) 2 (acac)), bis [2- (2′-benzo [4,5-α] thienyl) pyridinato-
N, C 3 ′ ] iridium (III) acetylacetonate (abbreviation: Ir (btp) 2 (a
cac)), bis (1-phenylisoquinolinato-N, C 2 ′ ) iridium (III) acetylacetonate (abbreviation: Ir (piq) 2 (acac)), (acetylacetonato)
Bis [2,3-bis (4-fluorophenyl) quinoxalinato] iridium (III) (
Abbreviations: Ir (Fdpq) 2 (acac)), (acetylacetonato) bis (2,3,5-
Triphenylpyrazinato) iridium (III) (abbreviation: Ir (tppr) 2 (acac
)), 2,3,7,8,12,13,17,18-octaethyl-21H, 23H-porphyrin platinum (II) (abbreviation: PtOEP), tris (acetylacetonato) (monophenanthroline) terbium (III) (Abbreviation: Tb (acac) 3 (Phen)), tris (1,3-diphenyl-1,3-propanedionate) (monophenanthroline) europium (III) (abbreviation: Eu (DBM) 3 (Phen)), Tris [1- (2-thenoyl) -3,3,3-trifluoroacetonato] (monophenanthroline) europium (
III) (abbreviation: Eu (TTA) 3 (Phen)).
なお、発光層は、ホスト材料にこれらの発光物質を分散させた構造とすることが好まし
い。ホスト材料としては、NPB(略称)、TPD(略称)、TCTA(略称)、TDA
TA(略称)、MTDATA(略称)、BSPB(略称)などの芳香族アミン化合物、P
CzPCA1(略称)、PCzPCA2(略称)、PCzPCN1(略称)、CBP(略
称)、TCPB(略称)、CzPA(略称)などのカルバゾール誘導体、及びPVK(略
称)、PVTPA(略称)、PTPDMA(略称)、Poly−TPD(略称)などの高
分子化合物を含む正孔輸送性物質、並びにトリス(8−キノリノラト)アルミニウム(略
称:Alq)、トリス(4−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Almq
3)、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリナト)ベリリウム(略称:BeBq2
)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)(4−フェニルフェノラト)アルミニウム(
略称:BAlq)など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、ビス
[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンズオキサゾラト]亜鉛(略称:Zn(BOX)2
)、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾラト]亜鉛(略称:Zn(BT
Z)2)などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体、2−(4−ビフ
ェニリル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(
略称:PBD)、1,3−ビス[5−(p−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−
オキサジアゾール−2−イル]ベンゼン(略称:OXD−7)、9−[4−(5−フェニ
ル−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル)フェニル]カルバゾール(略称:CO1
1)、3−(4−ビフェニリル)−4−フェニル−5−(4−tert−ブチルフェニル
)−1,2,4−トリアゾール(略称:TAZ)、バソフェナントロリン(略称:BPh
en)、バソキュプロイン(略称:BCP)、ポリ[(9,9−ジヘキシルフルオレン−
2,7−ジイル)−co−(ピリジン−3,5−ジイル)](略称:PF−Py)、及び
ポリ[(9,9−ジオクチルフルオレン−2,7−ジイル)−co−(2,2’−ビピリ
ジン−6,6’−ジイル)](略称:PF−BPy)などを含む電子輸送性物質が挙げら
れる。
Note that the light-emitting layer preferably has a structure in which these light-emitting substances are dispersed in a host material. As host materials, NPB (abbreviation), TPD (abbreviation), TCTA (abbreviation), TDA
Aromatic amine compounds such as TA (abbreviation), MTDATA (abbreviation), BSPB (abbreviation), P
CzPCA1 (abbreviation), PCzPCA2 (abbreviation), PCzPCN1 (abbreviation), CBP (abbreviation), TCPB (abbreviation), carbazole derivatives such as CzPA (abbreviation), and PVK (abbreviation), PVTPA (abbreviation), PTPDMA (abbreviation), Hole-transporting substances including polymer compounds such as Poly-TPD (abbreviation), tris (8-quinolinolato) aluminum (abbreviation: Alq), tris (4-methyl-8-quinolinolato) aluminum (abbreviation: Almq)
3 ), bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinato) beryllium (abbreviation: BeBq 2
), Bis (2-methyl-8-quinolinolato) (4-phenylphenolato) aluminum (
Abbreviation: BAlq), a metal complex having a quinoline skeleton or a benzoquinoline skeleton, bis [2- (2-hydroxyphenyl) benzoxazolate] zinc (abbreviation: Zn (BOX) 2
), Bis [2- (2-hydroxyphenyl) benzothiazolate] zinc (abbreviation: Zn (BT
Z) a metal complex having an oxazole-based or thiazole-based ligand such as 2 ), 2- (4-biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole (
Abbreviation: PBD), 1,3-bis [5- (p-tert-butylphenyl) -1,3,4-
Oxadiazol-2-yl] benzene (abbreviation: OXD-7), 9- [4- (5-phenyl-1,3,4-oxadiazol-2-yl) phenyl] carbazole (abbreviation: CO1
1), 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5- (4-tert-butylphenyl) -1,2,4-triazole (abbreviation: TAZ), bathophenanthroline (abbreviation: BPh)
en), bathocuproine (abbreviation: BCP), poly [(9,9-dihexylfluorene-
2,7-diyl) -co- (pyridine-3,5-diyl)] (abbreviation: PF-Py), and poly [(9,9-dioctylfluorene-2,7-diyl) -co- (2, 2'-bipyridine-6,6'-diyl)] (abbreviation: PF-BPy) and the like.
電子輸送層は、電子輸送性物質を含む層である。当該電子輸送性物質としては、Alq
(略称)、Almq3(略称)、BeBq2(略称)、及びBAlq(略称)などのキノ
リン骨格又はベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、並びにZn(BOX)2(略称)及
びZn(BTZ)2(略称)などのオキサゾール系又はチアゾール系配位子を有する金属
錯体などが挙げられる。また、金属錯体以外にも、PBD(略称)、OXD−7(略称)
、CO11(略称)、TAZ(略称))、BPhen(略称)、BCP(略称)、PF−
Py(略称)、PF−BPy(略称)などを当該電子輸送性物質として適用することも可
能である。ここに述べた物質は、主に1×10−6cm2/Vs以上の電子移動度を有す
る物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを
用いてもよい。また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層を二層
以上積層したものを用いてもよい。
The electron transport layer is a layer containing an electron transport material. As the electron transporting substance, Alq
(Abbreviations), Almq 3 (abbreviations), BeBq 2 (abbreviations), metal complexes having a quinoline skeleton or a benzoquinoline skeleton, such as BAlq (abbreviations), and Zn (BOX) 2 (abbreviations) and Zn (BTZ) 2 ( (Abbreviations) and the like, and metal complexes having an oxazole or thiazole ligand. In addition to metal complexes, PBD (abbreviation), OXD-7 (abbreviation)
, CO11 (abbreviation), TAZ (abbreviation)), BPhen (abbreviation), BCP (abbreviation), PF-
Py (abbreviation), PF-BPy (abbreviation), or the like can be used as the electron-transporting substance. The substances mentioned here are mainly substances having an electron mobility of 1 × 10 −6 cm 2 / Vs or higher. Note that other than these substances, any substance that has a property of transporting more electrons than holes may be used. Further, the electron-transporting layer is not limited to a single layer, and a layer in which two or more layers including the above substances are stacked may be used.
電子注入層は、電子注入性物質を含む層である。電子注入性物質としては、フッ化リチ
ウム(LiF)、フッ化セシウム(CsF)、フッ化カルシウム(CaF2)等のアルカ
リ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物が挙げられる。また、電子輸送性物質
中にアルカリ金属、アルカリ土類金属、又はこれらの化合物を含有させたもの(例えば、
Alq(略称)中にマグネシウム(Mg)を含有させたもの等)を当該電子注入性物質と
して適用することも可能である。この様な構造とすることにより、陰極102からの電子
注入効率をより高めることができる。
The electron injection layer is a layer containing an electron injecting substance. Examples of the electron injecting substance include alkali metals such as lithium fluoride (LiF), cesium fluoride (CsF), and calcium fluoride (CaF 2 ), alkaline earth metals, and compounds thereof. In addition, an alkali metal, an alkaline earth metal, or a compound containing these compounds in an electron transporting substance (for example,
It is also possible to apply Alq (abbreviation) containing magnesium (Mg) or the like as the electron injecting substance. With such a structure, the efficiency of electron injection from the
第1のEL層103又は第2のEL層107に電荷発生層を設ける場合、電荷発生層は
、正孔輸送性物質と、アクセプター性物質とを含む層とする。なお、電荷発生層は、同一
膜中に正孔輸送性物質と、アクセプター性物質とを含有する場合だけでなく、正孔輸送性
物質を含む層と、アクセプター性物質を含む層とが積層されていても良い。ただし、積層
構造の場合には、アクセプター性物質を含む層が、陽極101又は陰極102と接する構
造とする。
In the case where a charge generation layer is provided in the
第1のEL層103又は第2のEL層107に電荷発生層を設けることにより、電極を
形成する物質の仕事関数を考慮せずに陽極101又は陰極102を形成することが可能に
なる。なお、第1のEL層103又は第2のEL層107に設けられる電荷発生層は、上
述の第1のEL層103と第2のEL層107の間に設けられる電荷発生層106と同様
の構成及び物質を適用することが可能である。そのため、ここでは前述の説明を援用する
こととする。
By providing the charge generation layer in the
なお、これらの層を適宜組み合わせて積層することにより、第1のEL層103及び第
2のEL層107を形成することができる。また、第1のEL層103及び第2のEL層
107の形成方法としては、用いる材料に応じて種々の方法(例えば、乾式法や湿式法等
)を適宜選択することができる。例えば、真空蒸着法、インクジェット法、又はスピンコ
ート法などを用いることができる。また、各層で異なる方法を用いて形成してもよい。
Note that the
以上のような物質を組み合わせることにより、本実施の形態に示す発光素子を作製する
ことが可能である。当該発光素子からは、上述した発光物質からの発光が得られる。その
ため、発光層に用いる発光物質の種類を変えることにより様々な発光色を得ることができ
る。また、発光物質として発光色の異なる複数の発光物質を用いることにより、ブロード
なスペクトルの発光や白色発光を得ることもできる。
By combining the above substances, the light-emitting element described in this embodiment can be manufactured. The light-emitting element can emit light from the above-described light-emitting substance. Therefore, various emission colors can be obtained by changing the type of the light-emitting substance used for the light-emitting layer. In addition, by using a plurality of light-emitting substances having different emission colors as the light-emitting substance, broad spectrum light emission or white light emission can be obtained.
なお、本実施の形態では、2層のEL層が設けられた発光素子について記載しているが
、EL層の層数は2層に限定されるものでは無く、2層以上、例えば3層であってもよい
。発光素子にn(nは2以上の自然数)層のEL層を設ける場合、m(mは自然数、1≦
m≦n−1)番目のEL層と(m+1)番目のEL層の間に、陽極側から順に電子注入バ
ッファー層、電子リレー層、及び電荷発生層を積層することで、発光素子の駆動電圧を低
減させることができる。
Note that although a light-emitting element provided with two EL layers is described in this embodiment mode, the number of EL layers is not limited to two, and two or more layers, for example, three layers. There may be. In the case where an EL layer having n layers (n is a natural number of 2 or more) is provided in the light-emitting element, m (m is a natural number, 1 ≦
By stacking an electron injection buffer layer, an electron relay layer, and a charge generation layer in this order from the anode side between the m ≦ n−1) th EL layer and the (m + 1) th EL layer, the driving voltage of the light emitting element is obtained. Can be reduced.
また、本実施の形態に示した発光素子は、各種基板上に作製することができる。基板と
しては、例えばガラス、プラスチック、金属板、金属箔などを適用することが可能である
。また、発光素子の発光を基板側から取り出す場合は、透光性を有する基板を用いればよ
い。ただし、基板は、発光素子の作製工程において支持体として機能するものであれば、
これら以外のものでもよい。
In addition, the light-emitting element described in this embodiment can be manufactured over various substrates. As the substrate, for example, glass, plastic, metal plate, metal foil or the like can be applied. In addition, when light emitted from the light-emitting element is extracted from the substrate side, a light-transmitting substrate may be used. However, if the substrate functions as a support in the light emitting element manufacturing process,
Other than these may be used.
なお、本実施の形態に示す内容は、他の実施の形態に示した内容と適宜組み合わせて用
いることができる。
Note that the contents described in this embodiment can be combined as appropriate with any of the contents described in the other embodiments.
(実施の形態2)
本実施の形態では、実施の形態1に示した発光素子の一例について示す。具体的には、
実施の形態1で示した発光素子が有する電子注入バッファー層104が、ドナー性物質の
単層によって構成される場合について、図2(A)、(B)を用いて説明する。
(Embodiment 2)
In this embodiment, an example of the light-emitting element described in Embodiment 1 will be described. In particular,
The case where the electron-
本実施の形態で示す発光素子は、図2(A)に示すように一対の電極(陽極101、陰
極102)間に発光領域を含む第1のEL層103及び第2のEL層107が挟まれてい
る。加えて、当該発光素子は、陽極101側から、第1のEL層103と接する電子注入
バッファー層104、電子注入バッファー層104と接する電子リレー層105、並びに
電子リレー層105及び第2のEL層107と接する電荷発生層106を有する。
In the light-emitting element described in this embodiment, the
本実施の形態における、陽極101、陰極102、第1のEL層103、電子リレー層
105、電荷発生層106、及び第2のEL層107には、実施の形態1で説明した構成
及び物質を用いることができる。そのため、ここでは実施の形態1の説明を援用すること
とする。
In the present embodiment, the structure and materials described in Embodiment 1 are used for the
本実施の形態において、電子注入バッファー層104に用いる物質としては、リチウム
(Li)及びセシウム(Cs)等のアルカリ金属、マグネシウム(Mg)、カルシウム(
Ca)、及びストロンチウム(Sr)等のアルカリ土類金属、ユウロピウム(Eu)及び
イッテルビウム(Yb)等の希土類金属、アルカリ金属化合物(酸化リチウム等の酸化物
、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む)、アルカリ土類金属化
合物(酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む)、並びに希土類金属化合物(酸化物、ハロ
ゲン化物、炭酸塩を含む)等の電子注入性の高い物質が挙げられる。なお、これらの電子
注入性の高い物質は、空気中で安定な物質であるため、生産性が良く、量産に適するため
好ましい。
In this embodiment, substances used for the electron
Ca) and alkaline earth metals such as strontium (Sr), rare earth metals such as europium (Eu) and ytterbium (Yb), alkali metal compounds (oxides such as lithium oxide, halides, lithium carbonate, cesium carbonate, etc. And materials having high electron injection properties such as alkaline earth metal compounds (including oxides, halides and carbonates), and rare earth metal compounds (including oxides, halides and carbonates). It is done. Note that these highly electron-injecting substances are preferable because they are stable in the air and thus have high productivity and are suitable for mass production.
本実施の形態で示す発光素子は、電子注入バッファー層104として上記の金属または
その化合物の単層が設けられている。また、電子注入バッファー層104の膜厚は、駆動
電圧の上昇を避ける為に非常に薄い膜厚(具体的には、1nm以下)で形成される。ただ
し、電子輸送層108を形成した後、電子輸送層108上に電子注入バッファー層104
を形成する場合には、電子注入バッファー層104を形成する物質の一部は、第1のEL
層103の一部である電子輸送層108にも存在しうる。また、膜厚が非常に薄い電子注
入バッファー層104は、電子リレー層105と第1のEL層103の一部である電子輸
送層108の界面に存在すると換言することもできる。なお、本実施の形態において、第
1のEL層103には電子注入バッファー層104と接するように電子輸送層108を形
成するのが好ましい。
In the light-emitting element described in this embodiment, the electron
A part of the substance forming the electron
It can also be present in the
図2(B)に示す図は、図2(A)の素子構造におけるバンド図を表す。図2(B)に
おいて、電子リレー層105と第1のEL層103(電子輸送層108)の界面に電子注
入バッファー層104を設けることにより、電荷発生層106と第1のEL層103(電
子輸送層108)の間の注入障壁を緩和することができる。そのため、電荷発生層106
で発生した電子を第1のEL層103へと容易に注入することができる。
The diagram shown in FIG. 2B represents a band diagram in the element structure of FIG. In FIG. 2B, an electron
Can be easily injected into the
また、本実施の形態で示す電子注入バッファー層の構造とすることにより、実施の形態
3で後述する電子注入バッファー層(電子輸送性物質にドナー性物質を添加して形成され
る層)に比べて発光素子の駆動電圧を低減させることができる。
In addition, the structure of the electron injection buffer layer described in this embodiment is compared with an electron injection buffer layer described later in Embodiment 3 (a layer formed by adding a donor substance to an electron transporting substance). Thus, the driving voltage of the light emitting element can be reduced.
なお、本実施の形態に示す内容は、他の実施の形態に示した内容と適宜組み合わせて用
いることができる。
Note that the contents described in this embodiment can be combined as appropriate with any of the contents described in the other embodiments.
(実施の形態3)
本実施の形態では、実施の形態1に示した発光素子の一例について示す。具体的には、
実施の形態1で示した発光素子が有する電子注入バッファー層104が、電子輸送性物質
と、ドナー性物質とを含んで構成される場合について、図3(A)、(B)を用いて説明
する。
(Embodiment 3)
In this embodiment, an example of the light-emitting element described in Embodiment 1 will be described. In particular,
The case where the electron-
本実施の形態で示す発光素子は、図3(A)に示すように一対の電極(陽極101、陰
極102)間に発光領域を含む第1のEL層103及び第2のEL層107が挟まれてい
る。加えて、当該発光素子は、陽極101側から、第1のEL層103と接する電子注入
バッファー層104、電子注入バッファー層104と接する電子リレー層105、並びに
電子リレー層105及び第2のEL層107と接する電荷発生層106を有する。
In the light-emitting element described in this embodiment, the
また、電子注入バッファー層104は、電子輸送性物質とドナー性物質を含んでいる。
なお、本実施の形態では、電子輸送性物質に対して質量比で、0.001以上0.1以下
の比率でドナー性物質を添加することが好ましい。これにより、膜質の良い電子注入バッ
ファー層104が得られる。また、反応性の良い電子注入バッファー層104とすること
ができる。
Further, the electron
Note that in this embodiment mode, the donor substance is preferably added at a mass ratio of 0.001 to 0.1 with respect to the electron transporting substance. Thereby, the electron
本実施の形態における陽極101、陰極102、第1のEL層103、電子リレー層1
05、電荷発生層106、及び第2のEL層107には、実施の形態1で説明した構成及
び物質を用いることができる。そのため、ここでは実施の形態1の説明を援用することと
する。
05, the structure and materials described in Embodiment Mode 1 can be used for the
本実施の形態において、電子注入バッファー層104に含まれる電子輸送性物質として
は、Alq(略称)、Almq3(略称)、BeBq2(略称)、BAlq(略称)など
キノリン骨格又はベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、Zn(BOX)2(略称)、Z
n(BTZ)2(略称)などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体、
PBD(略称)、OXD−7(略称)、CO11(略称)、TAZ(略称)、BPhen
(略称)、BCP(略称)などが挙げられる。なお、ここに述べた物質は、主に1×10
−6cm2/Vs以上の電子移動度を有する物質である。
In this embodiment, the electron transporting substance contained in the electron
a metal complex having an oxazole-based or thiazole-based ligand such as n (BTZ) 2 (abbreviation),
PBD (abbreviation), OXD-7 (abbreviation), CO11 (abbreviation), TAZ (abbreviation), BPhen
(Abbreviation), BCP (abbreviation), and the like. The substances mentioned here are mainly 1 × 10
It is a substance having an electron mobility of −6 cm 2 / Vs or higher.
これ以外にも、PF−Py(略称)、PF−BPy(略称)などの高分子化合物を電子
注入バッファー層104に含まれる電子輸送性物質として適用することが可能である。
In addition, a high molecular compound such as PF-Py (abbreviation) or PF-BPy (abbreviation) can be used as the electron-transporting substance included in the electron-
また、本実施の形態において、電子注入バッファー層104に含まれるドナー性物質と
しては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物(酸化物
、ハロゲン化物、炭酸塩を含む)等が挙げられる。また、テトラチアナフタセン(略称:
TTN)、ニッケロセン、デカメチルニッケロセン等の有機化合物を電子注入バッファー
層104に含まれるドナー性物質として適用することも可能である。
In this embodiment, the donor substance contained in the electron
It is also possible to apply an organic compound such as TTN), nickelocene, or decamethyl nickelocene as a donor substance contained in the electron
なお、本実施の形態において、第1のEL層103には、電子注入バッファー層104
と接するように電子輸送層108を形成してもよい。電子輸送層108を電子注入バッフ
ァー層104と接するように形成した場合、電子注入バッファー層104に用いる電子輸
送性物質と、第1のEL層103の一部である電子輸送層108に用いる電子輸送性物質
とは、同じ物質であっても、異なる物質であっても良い。
Note that in this embodiment mode, the
The
本実施の形態で示す発光素子は、図3(A)に示すように第1のEL層103と電子リ
レー層105の間に、電子輸送性物質と、ドナー性物質とを含む電子注入バッファー層1
04が設けられることが特徴である。
A light-emitting element described in this embodiment includes an electron-injection buffer layer including an electron-transporting substance and a donor substance between the
04 is provided.
図3(B)に示す図は、図3(A)の素子構造におけるバンド図を表す。電子注入バッ
ファー層104が形成されることにより、電子リレー層105と第1のEL層103(電
子輸送層108)の間の注入障壁を緩和することができる。そのため、電荷発生層106
で発生した電子を、第1のEL層103へと容易に注入することができる。
The diagram shown in FIG. 3B represents a band diagram in the element structure of FIG. By forming the electron
Can be easily injected into the
なお、本実施の形態に示す内容は、他の実施の形態に示した内容と適宜組み合わせて用
いることができる。
Note that the contents described in this embodiment can be combined as appropriate with any of the contents described in the other embodiments.
(実施の形態4)
本実施の形態では、実施の形態1に示した発光素子の一例について示す。具体的には、
実施の形態1で示した発光素子が有する電荷発生層106の構成について、図4(A)、
(B)を用いて説明する。
(Embodiment 4)
In this embodiment, an example of the light-emitting element described in Embodiment 1 will be described. In particular,
4A, the structure of the
A description will be given using (B).
本実施の形態で示す発光素子は、図4(A)、(B)に示すように一対の電極(陽極1
01、陰極102)間に発光領域を含む第1のEL層103及び第2のEL層107が挟
まれている。加えて、当該発光素子は、陽極101側から、第1のEL層103と接する
電子注入バッファー層104、電子注入バッファー層104と接する電子リレー層105
、並びに電子リレー層105及び第2のEL層107と接する電荷発生層106を有する
。図4(A)、(B)において、陽極101、陰極102、第1のEL層103、電子注
入バッファー層104、電子リレー層105、及び第2のEL層107には、実施の形態
1乃至3で説明した構成及び物質を用いることができる。そのため、ここでは実施の形態
1乃至3の説明を援用することとする。
The light-emitting element described in this embodiment includes a pair of electrodes (anode 1) as illustrated in FIGS.
01, the cathode 102), the
And the
図4(A)、(B)に示す発光素子において、電荷発生層106は、正孔輸送性物質と
、アクセプター性物質とを含む層である。なお、電荷発生層106では、正孔輸送性物質
からアクセプター性物質が電子を引き抜くことにより、正孔及び電子が発生する。
In the light-emitting element illustrated in FIGS. 4A and 4B, the
図4(A)に示す電荷発生層106は、同一膜中に正孔輸送性物質と、アクセプター性
物質とを含有させた構造を有する。この場合、正孔輸送性物質に対して質量比で、0.1
以上4.0以下の比率でアクセプター性物質を添加することにより、電荷発生層106に
おけるキャリアの発生が容易となるため好ましい。
The
It is preferable to add the acceptor substance at a ratio of 4.0 or less because carriers are easily generated in the
図4(A)ではアクセプター性物質が、正孔輸送性物質にドーピングされた構成である
ため、電荷発生層106を厚膜化した場合でも駆動電圧の上昇を抑制することができる。
よって、発光素子の駆動電圧の上昇を抑制し、且つ光学調整による色純度の向上を実現す
ることができる。また、電荷発生層106を厚膜化することで、発光素子の短絡を防止す
ることができる。
In FIG. 4A, since the acceptor substance is doped with the hole transporting substance, an increase in driving voltage can be suppressed even when the
Therefore, an increase in driving voltage of the light emitting element can be suppressed, and color purity can be improved by optical adjustment. In addition, by increasing the thickness of the
一方、図4(B)に示す電荷発生層106は、第2のEL層107と接する正孔輸送性
物質を含む層106aと、電子リレー層105と接するアクセプター性物質を含む層10
6bとが積層された構造を有する。図4(B)に示す発光素子の電荷発生層106におい
て、正孔輸送性物質とアクセプター性物質の間で電子の授受が起こることによって形成さ
れる電子移動錯体は、正孔輸送性物質を含む層106aと、アクセプター性物質を含む層
106bとの界面にのみ形成される。したがって、図4(B)に示す発光素子は、電荷発
生層106の膜厚を厚くした場合にも、可視光の吸収帯が形成されにくいため、好ましい
。
On the other hand, the
6b is laminated. In the
なお、電荷発生層106に含まれる正孔輸送性物質としては、芳香族アミン化合物、カ
ルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物(オリゴマー、デンドリマー、ポリマ
ー等)など、種々の有機化合物を用いることができる。
Note that as the hole-transporting substance contained in the
上記芳香族アミン化合物の具体例としては、NPB(略称)、TPD(略称)、TCT
A(略称)、TDATA(略称)、MTDATA(略称)、DTDPPA(略称)、DP
AB(略称)、DNTPD(略称)、DPA3B(略称)等が挙げられる。
Specific examples of the aromatic amine compound include NPB (abbreviation), TPD (abbreviation), and TCT.
A (abbreviation), TDATA (abbreviation), MTDATA (abbreviation), DTDPPA (abbreviation), DP
AB (abbreviation), DNTPD (abbreviation), DPA3B (abbreviation), and the like can be given.
上記カルバゾール誘導体の具体例としては、PCzPCA1(略称)、PCzPCA2
(略称)、PCzPCN1(略称)等が挙げられる。その他、CBP(略称)、TCPB
(略称)、CzPA(略称)、1,4−ビス[4−(N−カルバゾリル)フェニル]−2
,3,5,6−テトラフェニルベンゼン等が挙げられる。
Specific examples of the carbazole derivative include PCzPCA1 (abbreviation), PCzPCA2
(Abbreviation), PCzPCN1 (abbreviation), and the like. Others, CBP (abbreviation), TCPB
(Abbreviation), CzPA (abbreviation), 1,4-bis [4- (N-carbazolyl) phenyl] -2
3,5,6-tetraphenylbenzene and the like.
上記芳香族炭化水素の具体例としては、t−BuDNA(略称)、DPPA(略称)、
t−BuDBA(略称)、DNA(略称)、DPAnth(略称)、t−BuAnth(
略称)、DMNA(略称)、9,10−ビス[2−(1−ナフチル)フェニル]−2−t
ert−ブチルアントラセン、9,10−ビス[2−(1−ナフチル)フェニル]アント
ラセン、2,3,6,7−テトラメチル−9,10−ジ(1−ナフチル)アントラセン、
2,3,6,7−テトラメチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン、9,9’
−ビアントリル、10,10’−ジフェニル−9,9’−ビアントリル、10,10’−
ビス(2−フェニルフェニル)−9,9’−ビアントリル、10,10’−ビス[(2,
3,4,5,6−ペンタフェニル)フェニル]−9,9’−ビアントリル、アントラセン
、テトラセン、ルブレン、ペリレン、2,5,8,11−テトラ(tert−ブチル)ペ
リレン等が挙げられる。また、当該芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有していてもよい。
ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、DPVBi(略称)、DPVP
A(略称)等が挙げられる。
Specific examples of the aromatic hydrocarbon include t-BuDNA (abbreviation), DPPA (abbreviation),
t-BuDBA (abbreviation), DNA (abbreviation), DPAnth (abbreviation), t-BuAnth (
Abbreviation), DMNA (abbreviation), 9,10-bis [2- (1-naphthyl) phenyl] -2-t
ert-butylanthracene, 9,10-bis [2- (1-naphthyl) phenyl] anthracene, 2,3,6,7-tetramethyl-9,10-di (1-naphthyl) anthracene,
2,3,6,7-tetramethyl-9,10-di (2-naphthyl) anthracene, 9,9 ′
-Bianthryl, 10,10'-diphenyl-9,9'-bianthryl, 10,10'-
Bis (2-phenylphenyl) -9,9′-bianthryl, 10,10′-bis [(2,
3,4,5,6-pentaphenyl) phenyl] -9,9′-bianthryl, anthracene, tetracene, rubrene, perylene, 2,5,8,11-tetra (tert-butyl) perylene and the like. The aromatic hydrocarbon may have a vinyl skeleton.
Examples of the aromatic hydrocarbon having a vinyl group include DPVBi (abbreviation) and DPVP.
A (abbreviation) etc. are mentioned.
また、PVK(略称)やPVTPA(略称)等の高分子化合物を当該正孔輸送性物質と
して適用することも可能である。
In addition, a high molecular compound such as PVK (abbreviation) or PVTPA (abbreviation) can be used as the hole-transporting substance.
さらに、当該正孔輸送性物質としては、1×10−6cm2/Vs以上の正孔移動度を
有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、
これら以外のものを適用することも可能である。
Furthermore, the hole transporting material is preferably a material having a hole mobility of 1 × 10 −6 cm 2 / Vs or higher. However, if the substance has a higher hole transportability than electrons,
Other than these can also be applied.
なお、上記芳香族炭化水素が蒸着法によって成膜される場合には、蒸着時の蒸着性や、
成膜後の膜質の観点から、縮合環を形成している炭素数が14〜42であることがより好
ましい。
In addition, when the aromatic hydrocarbon is formed into a film by a vapor deposition method,
From the viewpoint of film quality after film formation, the number of carbon atoms forming the condensed ring is more preferably 14 to 42.
電荷発生層106に含まれるアクセプター性物質としては、7,7,8,8−テトラシ
アノ−2,3,5,6−テトラフルオロキノジメタン(略称:F4−TCNQ)、クロラ
ニル等を挙げることができる。また、当該アクセプター性物質として、遷移金属酸化物を
挙げることができる。また、元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物
を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化
クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性
が高いため好ましい。さらに、当該アクセプター性物質が酸化モリブデンであることがよ
り好ましい。なお、酸化モリブデンは、吸湿性が低いという特徴を有している。
Examples of the acceptor substance included in the
なお、本実施の形態に示す内容は、他の実施の形態に示した内容と適宜組み合わせて用
いることができる。
Note that the contents described in this embodiment can be combined as appropriate with any of the contents described in the other embodiments.
(実施の形態5)
本実施の形態では、実施の形態1に示した発光素子の一例について示す。具体的には、
実施の形態1で示した発光素子の一例について、図5(A)、(B)を用いて説明する。
(Embodiment 5)
In this embodiment, an example of the light-emitting element described in Embodiment 1 will be described. In particular,
An example of the light-emitting element described in Embodiment 1 will be described with reference to FIGS.
本実施の形態で示す発光素子は、図5(A)に示すように一対の電極(陽極101、陰
極102)間に発光領域を含む第1のEL層103及び第2のEL層107が挟まれてい
る。加えて、当該発光素子は、陽極101側から、第1のEL層103と接する電子注入
バッファー層104、電子注入バッファー層104と接する電子リレー層105、並びに
電子リレー層105及び第2のEL層107と接する電荷発生層106を有する。
In the light-emitting element described in this embodiment, the
本実施の形態における陽極101、陰極102、電子注入バッファー層104、電子リ
レー層105、及び電荷発生層106には、実施の形態1乃至4で説明した構成及び物質
を用いることができる。そのため、ここでは実施の形態1乃至4の説明を援用することと
する。
The structures and materials described in Embodiments 1 to 4 can be used for the
本実施の形態において、第1のEL層103は、青色〜青緑色の波長領域にピークを有
する発光スペクトルを示す第1の発光層103aと、黄色〜橙色の波長領域にピークを有
する発光スペクトルを示す第2の発光層103bとを有する。また、第2のEL層107
は、青緑色〜緑色の波長領域にピークを有する発光スペクトルを示す第3の発光層107
aと、橙色〜赤色の波長領域にピークを有する発光スペクトルを示す第4の発光層107
bとを有する。なお、第1の発光層103aと第2の発光層103bは逆の積層順であっ
ても良い。また、第3の発光層107aと第4の発光層107bは逆の積層順であっても
良い。
In this embodiment, the
Is a third light-emitting
a and the fourth
b. Note that the first light-emitting
このような発光素子に対し、陽極101側をプラスに、陰極102側をマイナスとした
バイアスを印加すると、陽極101から注入された正孔と、電荷発生層106で発生し、
電子リレー層105及び電子注入バッファー層104を介して注入された電子とが第1の
発光層103a又は第2の発光層103bにおいて再結合する。これにより、第1の発光
330が得られる。さらに、陰極102から注入された電子と、電荷発生層106で発生
し、注入された正孔とが第3の発光層107a又は第4の発光層107bにおいて再結合
する。これにより、第2の発光340が得られる。
When a bias is applied to such a light emitting element with the
Electrons injected through the
図5(B)は、第1の発光330及び第2の発光340の発光スペクトルを模式的に示
したものである。第1の発光330は、第1の発光層103a及び第2の発光層103b
の両方からの発光を合わせたものである。そのため、青色〜青緑色の波長領域及び黄色〜
橙色の波長領域の双方にピークを有する発光スペクトルを示す。すなわち、第1のEL層
103は、2波長型の白色又は白色に近い色の発光を呈するものである。また、第2の発
光340は、第3の発光層107a及び第4の発光層107bの両方からの発光を合わせ
たものである。そのため、青緑色〜緑色の波長領域及び橙色〜赤色の波長領域の双方にピ
ークを有する発光スペクトルを示す。すなわち、第2のEL層107は、第1のEL層1
03とは異なる2波長型の白色又は白色に近い色の発光を呈するものである。
FIG. 5B schematically shows emission spectra of the
The combined emission from both. Therefore, blue to blue-green wavelength region and yellow to
An emission spectrum having peaks in both of the orange wavelength regions is shown. That is, the
It emits light of a two-wavelength type white or a color close to white different from 03.
したがって、本実施の形態における発光素子は、第1の発光330及び第2の発光34
0が重ね合わさる結果、青色〜青緑色の波長領域、青緑色〜緑色の波長領域、黄色〜橙色
の波長領域、橙色〜赤色の波長領域をカバーする発光が得られる。
Therefore, the light-emitting element in this embodiment mode includes the
As a result of overlapping 0, light emission covering a blue to blue-green wavelength region, a blue-green to green wavelength region, a yellow to orange wavelength region, and an orange to red wavelength region is obtained.
例えば、第1の発光層103a(青色〜青緑色の波長領域にピークを有する発光スペク
トルを示す)の発光輝度が、経時劣化あるいは電流密度により変化したとしても、発光ス
ペクトル全体に対する第1の発光層103aの寄与は1/4程度であるため、色度のずれ
は比較的小さくて済む。
For example, even if the light emission luminance of the first light-emitting
なお、上述の説明では、第1のEL層103が、青色〜青緑色の波長領域及び黄色〜橙
色の波長領域の双方にピークを有する発光スペクトルを示し、第2のEL層107は青緑
色〜緑色の波長領域及び橙色〜赤色の波長領域の双方にピークを有する発光スペクトルを
示す場合を例に説明したが、それぞれ逆の関係であっても良い。すなわち、第2のEL層
107が青色〜青緑色の波長領域及び黄色〜橙色の波長領域の双方にピークを有する発光
スペクトルを示し、第1のEL層103が青緑色〜緑色の波長領域及び橙色〜赤色の波長
領域の双方にピークを有する発光スペクトルを示す構成であっても良い。また、第1のE
L層103及び第2のEL層107はそれぞれ、発光層以外の層が形成された積層構造で
あっても良い。
In the above description, the
Each of the
次に、本実施の形態で示す発光素子のEL層に発光性の有機化合物として用いることの
できる物質を説明する。ただし、本実施の形態で示す発光素子に適用できる物質は、これ
らに限定されるものではない。
Next, substances that can be used as a light-emitting organic compound for the EL layer of the light-emitting element described in this embodiment will be described. Note that substances that can be used for the light-emitting element described in this embodiment are not limited thereto.
青色〜青緑色の発光は、例えば、ペリレン、TBP(略称)、9,10−ジフェニルア
ントラセンなどをゲスト材料として用い、適当なホスト材料に分散させることによって得
られる。また、DPVBi(略称)などのスチリルアリーレン誘導体、又はDNA(略称
)及びt−BuDNA(略称)などのアントラセン誘導体などから得ることができる。ま
た、ポリ(9,9−ジオクチルフルオレン)等のポリマーを用いても良い。また、青色発
光のゲスト材料としては、YGA2S(略称)及びN,N’−ジフェニル−N,N’−ビ
ス(9−フェニル−9H−カルバゾール−3−イル)スチルベン−4,4’−ジアミン(
略称:PCA2S)などのスチリルアミン誘導体が挙げられる。特に、YGA2S(略称
)は、450nm付近にピークを有しており、好ましい。また、ホスト材料としては、ア
ントラセン誘導体が好ましく、t−BuDNA(略称)及びCzPA(略称)が好適であ
る。特に、CzPA(略称)は、電気化学的に安定であるため好ましい。
Blue to blue-green light emission can be obtained, for example, by using perylene, TBP (abbreviation), 9,10-diphenylanthracene or the like as a guest material and dispersing it in a suitable host material. Alternatively, it can be obtained from a styrylarylene derivative such as DPVBi (abbreviation) or an anthracene derivative such as DNA (abbreviation) and t-BuDNA (abbreviation). A polymer such as poly (9,9-dioctylfluorene) may also be used. As a blue light emitting guest material, YGA2S (abbreviation) and N, N′-diphenyl-N, N′-bis (9-phenyl-9H-carbazol-3-yl) stilbene-4,4′-diamine (
Abbreviations: styrylamine derivatives such as PCA2S). In particular, YGA2S (abbreviation) has a peak around 450 nm and is preferable. The host material is preferably an anthracene derivative, and t-BuDNA (abbreviation) and CzPA (abbreviation) are preferable. In particular, CzPA (abbreviation) is preferable because it is electrochemically stable.
青緑色〜緑色の発光は、例えば、クマリン30、クマリン6などのクマリン系色素、F
Irpic(略称)、Ir(ppy)2(acac)(略称)などをゲスト材料として用
い、適当なホスト材料に分散させることによって得られる。また、BAlq(略称)、Z
n(BTZ)2(略称)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)クロロガリウム(Ga
(mq)2Cl)などの金属錯体からも得ることができる。また、ポリ(p−フェニレン
ビニレン)等のポリマーを用いても良い。また、上述のペリレンやTBP(略称)を5w
t%以上の高濃度で適当なホスト材料に分散させることによっても得られる。また、青緑
色〜緑色の発光層のゲスト材料としては、アントラセン誘導体が効率の高い発光が得られ
るため好ましい。例えば、DPABPA(略称)を用いることにより、高効率な青緑色発
光が得られる。また、2位にアミノ基が置換されたアントラセン誘導体は高効率な緑色発
光が得られるため好ましく、2PCAPA(略称)が特に長寿命であり好適である。これ
らのホスト材料としてはアントラセン誘導体が好ましく、先に述べたCzPA(略称)が
電気化学的に安定であるため好ましい。また、緑色発光と青色発光を組み合わせ、青色か
ら緑色の波長領域に2つのピークを持つ発光素子を作製する場合、青色発光層のホストに
CzPA(略称)のような電子輸送性のアントラセン誘導体を用い、緑色発光層のホスト
にNPB(略称)のようなホール輸送性の芳香族アミン化合物を用いると、青色発光層と
緑色発光層との界面で発光が得られるため好ましい。すなわちこの場合、2PCAPA(
略称)のような緑色発光材料のホストとしては、NPB(略称)のような芳香族アミン化
合物が好ましい。
Blue-green to green light emission is, for example, coumarin dyes such as coumarin 30 and
Irpic (abbreviation), Ir (ppy) 2 (acac) (abbreviation), or the like is used as a guest material and dispersed in an appropriate host material. In addition, BAlq (abbreviation), Z
n (BTZ) 2 (abbreviation), bis (2-methyl-8-quinolinolato) chlorogallium (Ga
It can also be obtained from metal complexes such as (mq) 2 Cl). A polymer such as poly (p-phenylene vinylene) may also be used. In addition, the above-mentioned perylene and TBP (abbreviation) are 5w
It can also be obtained by dispersing in a suitable host material at a high concentration of t% or more. As a guest material for the blue-green to green light-emitting layer, an anthracene derivative is preferable because highly efficient light emission can be obtained. For example, highly efficient blue-green light emission can be obtained by using DPABPA (abbreviation). An anthracene derivative having an amino group substituted at the 2-position is preferable because highly efficient green light emission can be obtained, and 2PCAPA (abbreviation) is particularly preferable because of its long life. As these host materials, anthracene derivatives are preferable, and CzPA (abbreviation) described above is preferable because it is electrochemically stable. When a light-emitting element having two peaks in the blue to green wavelength region is manufactured by combining green light emission and blue light emission, an electron-transporting anthracene derivative such as CzPA (abbreviation) is used as a host of the blue light-emitting layer. It is preferable to use an aromatic amine compound having a hole transport property such as NPB (abbreviation) as the host of the green light emitting layer because light emission is obtained at the interface between the blue light emitting layer and the green light emitting layer. That is, in this case, 2PCAPA (
As a host of a green light emitting material such as (abbreviation), an aromatic amine compound such as NPB (abbreviation) is preferable.
黄色〜橙色の発光は、例えば、ルブレン、DCM1(略称)、DCM2(略称)、ビス
[2−(2−チエニル)ピリジナト]アセチルアセトナトイリジウム(Ir(thp)2
(acac))、ビス(2−フェニルキノリナト)アセチルアセトナトイリジウム(Ir
(pq)2(acac))などをゲスト材料として用い、適当なホスト材料に分散させる
ことによって得られる。特に、ゲスト材料としてルブレンのようなテトラセン誘導体が、
高効率かつ化学的に安定であるため好ましい。この場合のホスト材料としては、NPB(
略称)のような芳香族アミン化合物が好ましい。他のホスト材料としては、ビス(8−キ
ノリノラト)亜鉛(略称:Znq2)やビス[2−シンナモイル−8−キノリノラト]亜
鉛(略称:Znsq2)などの金属錯体を用いることができる。また、ポリ(2,5−ジ
アルコキシ−1,4−フェニレンビニレン)等のポリマーを用いても良い。
The yellow to orange light emission is, for example, rubrene, DCM1 (abbreviation), DCM2 (abbreviation), bis [2- (2-thienyl) pyridinato] acetylacetonatoiridium (Ir (thp) 2.
(Acac)), bis (2-phenylquinolinato) acetylacetonatoiridium (Ir
(Pq) 2 (acac)) or the like is used as a guest material and dispersed in a suitable host material. In particular, tetracene derivatives such as rubrene as guest materials
It is preferable because it is highly efficient and chemically stable. As a host material in this case, NPB (
An aromatic amine compound such as (abbreviation) is preferable. As another host material, a metal complex such as bis (8-quinolinolato) zinc (abbreviation: Znq 2 ) or bis [2-cinnamoyl-8-quinolinolato] zinc (abbreviation: Znsq 2 ) can be used. Further, a polymer such as poly (2,5-dialkoxy-1,4-phenylene vinylene) may be used.
橙色〜赤色の発光は、例えば、BisDCM(略称)、4−(ジシアノメチレン)−2
,6−ビス[2−(ジュロリジン−9−イル)エチニル]−4H−ピランDCM1)、2
−{2−メチル−6−[2−(2,3,6,7−テトラヒドロ−1H,5H−ベンゾ[i
j]キノリジン−9−イル)エテニル]−4H−ピラン−4−イリデン}プロパンジニト
リル(略称:DCM2)、Ir(thp)2(acac)(略称)などをゲスト材料とし
て用い、適当なホスト材料に分散させることによって得られる。Znq2(略称)やZn
sq2(略称)などの金属錯体からも得ることができる。また、ポリ(3−アルキルチオ
フェン)等のポリマーを用いても良い。赤色発光を示すゲスト材料としては、BisDC
M(略称)、DCM2(略称)、DCJTI(略称)、BisDCJTM(略称)のよう
な4H−ピラン誘導体が高効率であり、好ましい。特に、DCJTI(略称)、BisD
CJTM(略称)は、620nm付近に発光ピークを有するため好ましい。
For example, BisDCM (abbreviation), 4- (dicyanomethylene) -2 is emitted from orange to red.
, 6-Bis [2- (julolidin-9-yl) ethynyl] -4H-pyran DCM1), 2
-{2-methyl-6- [2- (2,3,6,7-tetrahydro-1H, 5H-benzo [i
j] quinolinidin-9-yl) ethenyl] -4H-pyran-4-ylidene} propanedinitrile (abbreviation: DCM2), Ir (thp) 2 (acac) (abbreviation) and the like as a guest material It is obtained by dispersing in Znq 2 (abbreviation) or Zn
It can also be obtained from a metal complex such as sq 2 (abbreviation). A polymer such as poly (3-alkylthiophene) may also be used. As a guest material exhibiting red light emission, BisDC
4H-pyran derivatives such as M (abbreviation), DCM2 (abbreviation), DCJTI (abbreviation), and BisDCJTM (abbreviation) have high efficiency and are preferable. In particular, DCJTI (abbreviation), BisD
CJTM (abbreviation) is preferable because it has an emission peak near 620 nm.
なお、上記の構成において、適当なホスト材料としては、発光性の有機化合物よりも発
光色が短波長のものであるか、またはエネルギーギャップの大きいものであればよい。具
体的には、実施の形態1で示した例に代表される正孔輸送材料や電子輸送材料から適宜選
択することができる。また、CBP(略称)、TCTA(略称)、TCPB(略称)など
を使用しても良い。
Note that in the above structure, a suitable host material may be any material that emits light with a shorter wavelength or has a larger energy gap than the light-emitting organic compound. Specifically, a hole transport material or an electron transport material typified by the example shown in Embodiment Mode 1 can be selected as appropriate. Alternatively, CBP (abbreviation), TCTA (abbreviation), TCPB (abbreviation), or the like may be used.
本実施の形態で示した発光素子は、第1のEL層の発光スペクトル及び第2のEL層の
発光スペクトルが重ね合わさる結果、青色〜青緑色の波長領域、青緑色〜緑色の波長領域
、黄色〜橙色の波長領域、橙色〜赤色の波長領域を幅広くカバーする白色発光が得られる
。
In the light-emitting element described in this embodiment mode, the emission spectrum of the first EL layer and the emission spectrum of the second EL layer are overlapped. As a result, the blue to blue-green wavelength region, the blue-green to green wavelength region, yellow White light emission covering a wide range of the orange wavelength region and the orange to red wavelength region can be obtained.
なお、各積層の膜厚を調節し、意図的に光を僅かに干渉させることで、突出した鋭いピ
ークの発生を抑え、台形の発光スペクトルとなるようにして、連続的なスペクトルを有す
る自然光に近づけてもよい。また、各積層の膜厚を調節し、意図的に光を僅かに干渉させ
ることで、発光スペクトルのピークの位置も変化させることもできる。発光スペクトルに
現れる複数のピーク強度をほぼ同じになるように各積層の膜厚を調節し、さらに、互いの
ピークの間隔を狭くすることによってより台形に近い発光スペクトルを有する白色発光を
得ることができる。
In addition, by adjusting the film thickness of each stack and intentionally causing light to interfere slightly, the occurrence of protruding sharp peaks can be suppressed and a trapezoidal emission spectrum can be obtained, resulting in natural light having a continuous spectrum. It may be close. Moreover, the peak position of the emission spectrum can also be changed by adjusting the film thickness of each layer and intentionally causing slight interference of light. It is possible to obtain white light emission having a more trapezoidal emission spectrum by adjusting the film thickness of each stack so that the plurality of peak intensities appearing in the emission spectrum are substantially the same, and further reducing the interval between the peaks. it can.
なお、本実施の形態においては、複数層の発光層のそれぞれにおいて、互いに補色とな
る発光色を重ね合わせることによって白色発光が得られるEL層を示した。以下において
、補色の関係によって白色発光を呈するEL層の具体的な構成を説明する。
Note that in this embodiment mode, an EL layer in which white light emission is obtained by superimposing luminescent colors that are complementary to each other in each of a plurality of light emitting layers is shown. Hereinafter, a specific configuration of an EL layer that emits white light according to a complementary color relationship will be described.
本実施の形態で示す発光素子に設けられたEL層は、例えば、正孔輸送性物質及び第1
の発光物質を含む第1の層と、正孔輸送性物質及び第2の発光物質を含む第2の層と、電
子輸送性物質及び第2の発光物質を含む第3の層と、が陽極101から順に積層された構
成とすることができる。
The EL layer provided in the light-emitting element described in this embodiment includes, for example, a hole-transporting substance and a first layer.
A first layer containing a light emitting material, a second layer containing a hole transporting material and a second light emitting material, and a third layer containing an electron transporting material and a second light emitting material. It can be set as the structure laminated | stacked in order from 101. FIG.
本実施の形態で示す発光素子のEL層において、白色発光を得るためには、第1の発光
物質と第2の発光物質の両方が発光する必要がある。したがって、EL層内でのキャリア
の輸送性を調節するためには、正孔輸送性物質及び電子輸送性物質は、いずれもホスト材
料とすることが好ましい。なお、EL層に用いることのできる正孔輸送性物質又は電子輸
送性物質としては、実施の形態1で例示した物質を適宜用いることができる。
In the EL layer of the light-emitting element described in this embodiment, in order to obtain white light emission, both the first light-emitting substance and the second light-emitting substance need to emit light. Therefore, in order to adjust the carrier transportability in the EL layer, it is preferable that both the hole transporting substance and the electron transporting substance are host materials. Note that as the hole-transporting substance or the electron-transporting substance that can be used for the EL layer, the substances exemplified in Embodiment 1 can be used as appropriate.
また、第1の発光物質及び第2の発光物質は、それぞれの発光色が補色の関係となる物
質を選択して用いることができる。補色の関係としては、青色と黄色、あるいは青緑色と
赤色などが挙げられる。青色、黄色、青緑色、赤色に発光する物質としては、例えば、先
に列挙した発光物質の中から適宜選択すればよい。なお、第2の発光物質の発光波長を第
1の発光物質の発光波長よりも短波長とすることで、第2の発光物質の励起エネルギーの
一部を第1の発光物質にエネルギー移動させ、第1の発光物質を発光させることができる
。したがって、本実施の形態の発光素子においては、第2の発光物質の発光ピーク波長が
、第1の発光物質の発光ピーク波長よりも短波長であることが好ましい。
In addition, as the first light-emitting substance and the second light-emitting substance, substances whose emission colors have a complementary color relationship can be selected and used. Examples of complementary colors include blue and yellow or blue green and red. The substance that emits blue, yellow, blue-green, or red light may be appropriately selected from, for example, the light-emitting substances listed above. Note that, by setting the emission wavelength of the second luminescent material to be shorter than the emission wavelength of the first luminescent material, a part of the excitation energy of the second luminescent material is transferred to the first luminescent material, The first light-emitting substance can emit light. Therefore, in the light-emitting element of this embodiment mode, the emission peak wavelength of the second light-emitting substance is preferably shorter than the emission peak wavelength of the first light-emitting substance.
本実施の形態で示す発光素子の構成は、第1の発光物質からの発光と第2の発光物質か
らの発光の両方が得られ、且つ第1の発光物質と第2の発光物質の発光色が互いに補色の
関係であるため白色発光が得られる。また、本実施の形態で示す発光素子の構成とするこ
とで、長寿命な発光素子とすることができる。
In the structure of the light-emitting element described in this embodiment mode, both light emission from the first light-emitting substance and light emission from the second light-emitting substance can be obtained, and the light emission colors of the first light-emitting substance and the second light-emitting substance can be obtained. Since these are complementary colors, white light emission can be obtained. In addition, with the structure of the light-emitting element described in this embodiment, a light-emitting element with a long lifetime can be obtained.
なお、本実施の形態に示す内容は、他の実施の形態に示した内容と適宜組み合わせて用
いることができる。
Note that the contents described in this embodiment can be combined as appropriate with any of the contents described in the other embodiments.
(実施の形態6)
本実施の形態では、実施の形態1乃至5で示した発光素子を含む発光装置の一態様につ
いて、図6を用いて説明する。図6は、当該発光装置の断面図である。
(Embodiment 6)
In this embodiment, one embodiment of a light-emitting device including the light-emitting element described in any of Embodiments 1 to 5 will be described with reference to FIGS. FIG. 6 is a cross-sectional view of the light emitting device.
図6において、本実施の形態の発光装置は、基板10と、基板10上に設けられた発光
素子12及びトランジスタ11とを有する。発光素子12は、第1の電極13と第2の電
極14の間に有機化合物を含む層15を有する。有機化合物を含む層15は、n(nは2
以上の自然数)層のEL層を有し、m(mは自然数、1≦m≦n−1)番目のEL層と(
m+1)番目のEL層の間には、m番目のEL層と接する電子注入バッファー層と、電子
注入バッファー層と接する電子リレー層と、電子リレー層及び(m+1)番目のEL層と
接する電荷発生層とを有する。また、それぞれのEL層は、少なくとも発光層が設けられ
ており、発光層の他に正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、又は電子注入層を適宜設け
る構成とする。すなわち、発光素子12は、実施の形態1乃至実施の形態5で示した発光
素子である。トランジスタ11のドレイン領域と第1の電極13は、第1層間絶縁膜16
a、16b、16cを貫通している配線17によって電気的に接続されている。また、発
光素子12は、隔壁層18によって、隣接して設けられている別の発光素子と分離されて
いる。
In FIG. 6, the light-emitting device of this embodiment includes a
(M is a natural number) layers, and m (m is a natural number, 1 ≦ m ≦ n−1) th EL layer (
Between the (m + 1) th EL layer, the electron injection buffer layer in contact with the mth EL layer, the electron relay layer in contact with the electron injection buffer layer, and the charge generation in contact with the electron relay layer and the (m + 1) th EL layer And having a layer. Each EL layer is provided with at least a light emitting layer, and in addition to the light emitting layer, a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, or an electron injection layer is appropriately provided. That is, the light-emitting
They are electrically connected by wiring 17 penetrating through a, 16b and 16c. The
なお、図6に示したトランジスタ11は、半導体層を中心として基板と逆側にゲート電
極が設けられたトップゲート型のものである。但し、トランジスタ11の構造については
、特に限定はなく、例えばボトムゲート型のものでもよい。また、ボトムゲート型の場合
には、チャネルを形成する半導体層の上に保護膜が形成されたもの(チャネル保護型)で
もよいし、又はチャネルを形成する半導体層の一部が凹状になったもの(チャネルエッチ
型)でもよい。
Note that the
また、トランジスタ11を構成する半導体層の材料としては、シリコン(Si)及びゲ
ルマニウム(Ge)等の元素周期表における第14族元素、ガリウムヒ素及びインジウム
リン等の化合物、並びに酸化亜鉛及び酸化スズ等の酸化物など半導体特性を示す物質であ
ればどのような材料を用いてもよい。加えて、当該半導体層は、結晶質構造、非晶質構造
のどちらの構造であってもよい。
In addition, examples of the material of the semiconductor layer included in the
さらに、半導体特性を示す酸化物(酸化物半導体)としては、インジウム、ガリウム、
アルミニウム、亜鉛及びスズから選んだ元素の複合酸化物を用いることができる。例えば
、酸化亜鉛(ZnO)、酸化亜鉛を含む酸化インジウム(IZO:Indium Zin
c Oxide)、並びに酸化インジウム、酸化ガリウム、及び酸化亜鉛からなる酸化物
(IGZO:Indium Gallium Zinc Oxide)をその例に挙げる
ことができる。また、結晶質構造の半導体層の具体例としては、単結晶半導体、多結晶半
導体、若しくは微結晶半導体が挙げられる。これらはレーザー結晶化によって形成された
ものでもよいし、例えばニッケル等を用いた固相成長法による結晶化によって形成された
ものでもよい。
Furthermore, oxides (oxide semiconductors) that exhibit semiconductor characteristics include indium, gallium,
A complex oxide of an element selected from aluminum, zinc and tin can be used. For example, zinc oxide (ZnO), indium oxide containing zinc oxide (IZO: Indium Zin)
Examples thereof include c Oxide) and oxides (IGZO: Indium Gallium Zinc Oxide) made of indium oxide, gallium oxide, and zinc oxide. As a specific example of the semiconductor layer having a crystalline structure, a single crystal semiconductor, a polycrystalline semiconductor, or a microcrystalline semiconductor can be given. These may be formed by laser crystallization, or may be formed by crystallization by a solid phase growth method using nickel or the like, for example.
なお、本明細書において微結晶半導体とは、ギブスの自由エネルギーを考慮すれば非晶
質と単結晶の中間的な準安定状態に属するものである。すなわち、自由エネルギー的に安
定な第3の状態を有する半導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する。微結晶半
導体の代表例である微結晶シリコンは、そのラマンスペクトルが単結晶シリコンを示す5
20cm−1よりも低波数側に、シフトしている。即ち、単結晶シリコンを示す520c
m−1とアモルファスシリコンを示す480cm−1の間に微結晶シリコンのラマンスペ
クトルのピークがある。また、未結合手(ダングリングボンド)を終端するため水素また
はハロゲンを少なくとも1原子%またはそれ以上含ませている。さらに、ヘリウム、アル
ゴン、クリプトン、ネオンなどの希ガス元素を含ませて格子歪みをさらに助長させること
で、安定性が増し良好な微結晶半導体層が得られる。
Note that a microcrystalline semiconductor in this specification belongs to a metastable state which is intermediate between an amorphous state and a single crystal state in consideration of Gibbs free energy. That is, it is a semiconductor having a third state that is stable in terms of free energy, and has a short-range order and lattice distortion. Microcrystalline silicon, which is a typical example of a microcrystalline semiconductor, has a Raman spectrum indicating single crystal silicon.
It is shifted to a lower wave number side than 20 cm −1 . That is, 520c indicating single crystal silicon
There is a Raman spectrum peak of microcrystalline silicon between m −1 and 480 cm −1 indicating amorphous silicon. In addition, at least 1 atomic% or more of hydrogen or halogen is contained to terminate dangling bonds (dangling bonds). Further, by adding a rare gas element such as helium, argon, krypton, or neon to further promote lattice distortion, stability can be improved and a good microcrystalline semiconductor layer can be obtained.
なお、半導体層が非晶質構造の物質、例えばアモルファスシリコンで形成される場合に
は、トランジスタ11及びその他のトランジスタ(発光素子を駆動するための回路を構成
するトランジスタ)は全てNチャネル型トランジスタで構成された回路を有する発光装置
であることが好ましい。当該発光装置の作製工程が簡略化されるためである。また、酸化
亜鉛(ZnO)、酸化亜鉛を含む酸化インジウム(IZO)、酸化インジウムと酸化ガリ
ウムと酸化亜鉛からなる酸化物(IGZO)などはN型の半導体である。そのため、これ
らの酸化物を半導体層に適用したトランジスタはNチャネル型となる。なお、当該発光装
置は、Nチャネル型またはPチャネル型のいずれか一のトランジスタで構成された回路を
有する発光装置でもよいし、両方のトランジスタで構成された回路を有する発光装置でも
よい。
Note that in the case where the semiconductor layer is formed of an amorphous material, for example, amorphous silicon, the
さらに、第1層間絶縁膜16a〜16cは、図6(A)、(C)に示すように多層でも
よいし、単層でもよい。なお、第1層間絶縁膜16aは酸化シリコンや窒化シリコンのよ
うな無機物から成り、第1層間絶縁膜16bは、アクリル、シロキサン(シリコン(Si
)と酸素(O)との結合で骨格構造が構成され、置換基に少なくとも水素を含む有機基)
、塗布成膜可能な酸化シリコン等の自己平坦性を有する物質から成る。さらに、第1層間
絶縁膜16cは、アルゴン(Ar)を含む窒化シリコン膜である。なお、各層を構成する
物質については、特に限定はなく、ここに述べたもの以外のものを用いてもよい。また、
これら以外の物質から成る層をさらに組み合わせてもよい。このように、第1層間絶縁膜
16a〜16cは、無機物または有機物の両方を用いて形成されたものでもよいし、無機
膜と有機膜のどちらか一方を用いて形成されたものでもよい。
Further, the first
) And oxygen (O) are combined to form a skeletal structure, and the substituent contains at least hydrogen.
It is made of a material having self-flatness such as silicon oxide that can be coated and formed. Further, the first
You may further combine the layer which consists of substances other than these. As described above, the first
隔壁層18は、エッジ部において、曲率半径が連続的に変化する形状であることが好ま
しい。また、隔壁層18は、アクリル、シロキサン、酸化シリコン等を用いて形成するこ
とが可能である。なお、隔壁層18は、無機膜と有機膜のどちらか一方で形成されたもの
でもよいし、両方を用いて形成されたものでもよい。
The
なお、図6(A)、(C)では、第1層間絶縁膜16a〜16cのみがトランジスタ1
1と発光素子12の間に設けられた構成であるが、図6(B)のように、第1層間絶縁膜
16a〜16cの他、第2層間絶縁膜19a、19bが設けられた構成であってもよい。
図6(B)に示す発光装置においては、第1の電極13は、第2層間絶縁膜19a、19
bを貫通し、配線17と電気的に接続している。
In FIGS. 6A and 6C, only the first
1 and the light-emitting
In the light-emitting device shown in FIG. 6B, the
It penetrates b and is electrically connected to the
第2層間絶縁膜19a、19bは、第1層間絶縁膜16a〜16cと同様に、多層でも
よいし、単層でもよい。第2層間絶縁膜19aは、アクリル、シロキサン、塗布成膜可能
な酸化シリコン等の自己平坦性を有する物質から成る。さらに、第2層間絶縁膜19bは
、アルゴン(Ar)を含む窒化シリコン膜である。なお、各層を構成する物質については
、特に限定はなく、ここに述べたもの以外のものを用いてもよい。また、これら以外の物
質から成る層をさらに組み合わせてもよい。このように、第2層間絶縁膜19a、19b
は、無機物または有機物の両方を用いて形成されたものでもよいし、または無機膜と有機
膜のどちらか一方を用いて形成されたものでもよい。
Similar to the first
May be formed using either an inorganic material or an organic material, or may be formed using either an inorganic film or an organic film.
発光素子12において、第1の電極13及び第2の電極14がいずれも透光性を有する
物質で構成されている場合、図6(A)の白抜きの矢印で表されるように、第1の電極1
3側と第2の電極14側の両方から発光を取り出すことができる。また、第2の電極14
のみが透光性を有する物質で構成されている場合、図6(B)の白抜きの矢印で表される
ように、第2の電極14側のみから発光を取り出すことができる。この場合、第1の電極
13が反射率の高い材料で構成される、又は反射率の高い材料から成る膜(反射膜)が第
1の電極13の下方に設けられていることが好ましい。また、第1の電極13のみが透光
性を有する物質で構成されている場合、図6(C)の白抜きの矢印で表されるように、第
1の電極13側のみから発光を取り出すことができる。この場合、第2の電極14が反射
率の高い材料で構成される、又は反射膜が第2の電極14の上方に設けられていることが
好ましい。
In the light-emitting
Light emission can be extracted from both the 3 side and the
In the case where only the light-transmitting substance is used, light emission can be extracted only from the
また、発光素子12は、第1の電極13の電位よりも第2の電極14の電位が高くなる
ように電圧を印加したときに動作するように有機化合物を含む層15が積層されたもので
あってもよいし、第1の電極13の電位よりも第2の電極14の電位が低くなるように電
圧を印加したときに動作するように有機化合物を含む層15が積層されたものであっても
よい。前者の場合、第1の電極13が陽極であり、第2の電極14が陰極であり、且つト
ランジスタ11はNチャネル型トランジスタである。後者の場合、第1の電極13が陰極
であり、第2の電極14が陽極であり、且つトランジスタ11はPチャネル型トランジス
タである。
The light-emitting
以上のように、本実施の形態では、トランジスタによって発光素子の駆動を制御するア
クティブマトリクス型の発光装置について説明したが、この他、トランジスタ等の駆動用
の素子を発光素子と同一基板上に設けずに発光素子を駆動させるパッシブマトリクス型の
発光装置であってもよい。図7(A)には実施の形態1乃至実施の形態5で示した発光素
子を適用して作製したパッシブマトリクス型の発光装置の斜視図を示す。また、図7(B
)は、図7(A)の破線X−Yにおける断面図である。
As described above, in this embodiment mode, an active matrix light-emitting device in which driving of a light-emitting element is controlled by a transistor has been described. In addition, a driving element such as a transistor is provided over the same substrate as the light-emitting element. Alternatively, a passive matrix light-emitting device that drives the light-emitting element may be used. FIG. 7A is a perspective view of a passive matrix light-emitting device manufactured using the light-emitting element described in any of Embodiments 1 to 5. In addition, FIG.
) Is a cross-sectional view taken along broken line XY in FIG.
図7において、基板951上の電極952と電極956の間には発光素子955が設け
られている。発光素子955は、実施の形態1乃至5で示した発光素子である。電極95
2の端部は絶縁層953で覆われている。そして、絶縁層953上には隔壁層954が設
けられている。隔壁層954の側壁は、基板面に近くなるに伴って、一方の側壁と他方の
側壁との間隔が狭くなっていくような傾斜を有するのが好ましい。つまり、隔壁層954
の短辺方向の断面は、台形状であり、底辺(絶縁層953の面方向と同様の方向を向き、
絶縁層953と接する辺)の方が上辺(絶縁層953の面方向と同様の方向を向き、絶縁
層953と接しない辺)よりも短い。このように、隔壁層954を設けることで、静電気
等に起因した発光素子の不良を防ぐことが出来る。また、パッシブマトリクス型の発光装
置に実施の形態1乃至5で示した発光素子を適用することによって、低消費電力の発光装
置を得ることができる。
In FIG. 7, a
2 is covered with an insulating
The cross section in the short side direction is trapezoidal, and the bottom side (facing the same direction as the surface direction of the insulating
The side that is in contact with the insulating
本実施の形態で示した発光装置は、実施の形態1乃至5で一例を示した発光素子を用い
ているため、高輝度発光且つ低電圧駆動が可能な発光装置である。また、当該発光装置は
、消費電力が低い発光装置である。
The light-emitting device described in this embodiment is a light-emitting device that can emit light with high luminance and can be driven at a low voltage because the light-emitting element shown as an example in Embodiments 1 to 5 is used. The light-emitting device is a light-emitting device with low power consumption.
(実施の形態7)
本実施の形態では、実施の形態6で一例を示した発光装置を含む電子機器について説明
する。
(Embodiment 7)
In this embodiment, electronic devices including the light-emitting device shown as an example in
本実施の形態の電子機器として、テレビジョン、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴー
グル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端
末(モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等)、記録媒体を
備えた画像再生装置(具体的にはDigital Versatile Disc(DV
D)等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる表示部を備えた装置)などが挙げられ
る。これらの電子機器の具体例を図8に示す。
As an electronic device of this embodiment, a television, a video camera, a digital camera, a goggle type display, a navigation system, a computer, a game device, a portable information terminal (mobile computer, cellular phone, portable game machine, electronic book, or the like), An image reproducing apparatus provided with a recording medium (specifically, Digital Versatile Disc (DV
D) and the like, and a device provided with a display unit that can display the image. Specific examples of these electronic devices are shown in FIGS.
図8(A)は、携帯情報端末機器800の一例を示している。携帯情報端末機器800
は、コンピュータを内蔵しており、様々なデータ処理を行うことが可能である。このよう
な携帯情報端末機器800としては、PDA(Personal Digital As
sistance)が挙げられる。
FIG. 8A illustrates an example of the portable
Has a built-in computer and can perform various data processing. As such a portable
(sistance).
携帯情報端末機器800は、筐体801及び筐体803の2つの筐体で構成されている
。筐体801と筐体803は、連結部807で折りたたみ可能に連結されている。筐体8
01には表示部802が組み込まれており、筐体803はキーボード805を備えている
。もちろん、携帯情報端末機器800の構成は上述のものに限定されず、その他付属設備
が適宜設けられた構成とすることができる。表示部802は、実施の形態1乃至5で説明
したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、
高輝度で駆動電圧が低く、消費電力が小さいという特徴を有している。その発光素子で構
成される表示部802も同様の特徴を有するため、この携帯情報端末機器は低消費電力化
が図られている。
The portable
01 includes a
It is characterized by high brightness, low driving voltage, and low power consumption. Since the
図8(B)は、本実施の形態に係るデジタルビデオカメラ810の一例を示している。
デジタルビデオカメラ810は、筐体811に表示部812が組み込まれ、その他に各種
操作部が設けられている。なお、デジタルビデオカメラ810の構成は特に限定されず、
その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。
FIG. 8B illustrates an example of a
In the
In addition, it can be set as the structure in which the attached equipment was provided suitably.
デジタルビデオカメラ810において、表示部812は、実施の形態1乃至5で説明し
たものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、駆
動電圧が低く、高輝度で消費電力が小さいという特徴を有している。その発光素子で構成
される表示部812も同様の特徴を有するため、このデジタルビデオカメラ810は低消
費電力化が図られている。
In the
図8(C)は、本実施の形態に係る携帯電話機820の一例を示している。携帯電話機
820は、筐体821および筐体822の2つの筐体で構成されており、連結部823に
より折りたたみ可能に連結されている。筐体822には表示部824が組み込まれており
、筐体821には操作キー825が設けられている。なお、携帯電話機820の構成は特
に限定されず、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。
FIG. 8C illustrates an example of a
携帯電話機820において、表示部824は、実施の形態1乃至5で説明したものと同
様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、高輝度で駆動
電圧が低く、消費電力が小さいという特徴を有している。その発光素子で構成される表示
部824も同様の特徴を有するため、この携帯電話は低消費電力化が図られている。また
、携帯電話機などに設けられたディスプレイのバックライトとして、上記実施の形態で示
した発光素子を用いても構わない。
In the
図8(D)は、携帯可能なコンピュータ830の一例を示している。コンピュータ83
0は、開閉可能に連結された筐体831と筐体834を備えている。筐体831には表示
部832が組み込まれ、筐体834はキーボード833などを備えている。なお、コンピ
ュータ830の構成は特に限定されず、その他付属設備が適宜設けられた構成とすること
ができる。
FIG. 8D illustrates an example of a
0 includes a
コンピュータ830において、表示部832は、実施の形態1乃至5で説明したものと
同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されている。当該発光素子は、高輝度で駆
動電圧が低く、消費電力が小さいという特徴を有している。その発光素子で構成される表
示部832も同様の特徴を有するため、このコンピュータは低消費電力化が図られている
。
In the
図8(E)は、テレビジョン840の一例を示している。テレビジョン840は、筐体
841に表示部842が組み込まれている。表示部842により、映像を表示することが
可能である。また、ここでは、スタンド843により筐体841を支持した構成を示して
いる。
FIG. 8E illustrates an example of the
テレビジョン840の操作は、筐体841が備える操作スイッチ(図示しない)や、別
体のリモコン操作機850により行うことができる。リモコン操作機850が備える操作
キー851により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部842に表示され
る映像を操作することができる。また、リモコン操作機850に、該リモコン操作機85
0から出力する情報を表示する表示部852を設ける構成としてもよい。
The
A
なお、テレビジョン840は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により
一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による
通信ネットワークに接続することにより、一方向(送信者から受信者)または双方向(送
信者と受信者間、あるいは受信者間同士など)の情報通信を行うことも可能である。
Note that the
テレビジョン840において、表示部842、表示部852の少なくとも一方は、実施
の形態1乃至5で説明したものと同様の発光素子をマトリクス状に配列して構成されてい
る。当該発光素子は、高輝度で駆動電圧が低く、消費電力が小さいという特徴を有してい
る。その発光素子で構成される表示部も同様の特徴を有する。
In the
以上の様に、発光装置の適用範囲は極めて広く、当該発光装置をあらゆる分野の電子機
器に適用することが可能である。また、実施の形態1乃至実施の形態5で示した発光素子
を有する発光装置を用いることにより、高輝度の発光を呈し、低消費電力な表示部を有す
る電子機器を提供することが可能となる。
As described above, the applicable range of the light-emitting device is so wide that the light-emitting device can be applied to electronic devices in various fields. In addition, by using the light-emitting device including the light-emitting element described in any of Embodiments 1 to 5, an electronic device that emits light with high luminance and has a display portion with low power consumption can be provided. .
(実施の形態8)
本実施の形態では、実施の形態6で一例を示した発光装置を含む照明装置について説明
する。
(Embodiment 8)
In this embodiment, an illumination device including the light-emitting device shown as an example in
図9は、室内の照明装置を示す図である。図9に示す卓上照明装置900は、照明部9
01を有する。照明部901には、実施の形態1乃至5に示した発光素子が適用されてい
る。当該発光素子は、高輝度で駆動電圧が低く、消費電力が小さいという特徴を有してい
る。その発光素子で構成される照明部901も同様の特徴を有するため、この卓上照明装
置900は低消費電力化が図られている。また、当該発光素子は、大面積化が可能である
ため、天井用照明装置910の照明部911として適用することも可能である。さらに、
当該発光素子は、フレキシブル化が可能であるため、ロール型照明装置920の照明部9
21に適用することも可能である。
FIG. 9 is a diagram illustrating an indoor lighting device. The
01. The light-emitting element described in any of Embodiments 1 to 5 is applied to the
Since the light-emitting element can be flexible, the illumination unit 9 of the roll-
It is also possible to apply to 21.
図10(A)は、信号機を示す図である。信号機1000は、青の照明部1001、黄
色の照明部1002、赤の照明部1003を有する。信号機1000は、青、黄、赤に対
応する各照明部の少なくとも一つに実施の形態1乃至5に示した発光素子を有する。当該
発光素子は、高輝度で駆動電圧が低く、消費電力が小さいという特徴を有している。その
発光素子で構成される青、黄、赤に対応する各照明部も同様の特徴を有するため、この信
号機は低消費電力化が図られている。
FIG. 10A illustrates a traffic light. The
図10(B)は、避難口誘導灯を示す図である。避難口誘導灯1010は、照明部と、
蛍光部が設けられた蛍光板とを組み合わせて構成することができる。また、特定の色を発
光する照明部と、図面のような形状の透過部が設けられた遮光板とを組み合わせて構成す
ることもできる。避難口誘導灯1010の照明部には、実施の形態1乃至5に示した発光
素子が適用されている。当該発光素子は、高輝度で駆動電圧が低く、消費電力が小さいと
いう特徴を有している。その発光素子で構成される照明部も同様の特徴を有するため、こ
の非常口誘導灯は低消費電力化が図られている。
FIG. 10B is a diagram showing an escape exit guide light. The evacuation exit guide light 1010 includes an illumination unit,
A fluorescent plate provided with a fluorescent portion can be combined. Moreover, it can also comprise combining the illumination part which light-emits a specific color, and the light-shielding plate provided with the transmission part of a shape like drawing. The light-emitting element described in any of Embodiments 1 to 5 is applied to the illumination portion of the escape exit guide light 1010. The light-emitting element is characterized by high brightness, low driving voltage, and low power consumption. Since the illumination unit composed of the light-emitting elements has the same characteristics, the emergency exit guide light has low power consumption.
図10(C)は、街灯を示す図である。街灯は、支持体1021と、照明部1022と
を有する。照明部1022には、実施の形態1乃至5に示した発光素子が適用されている
。当該発光素子は、高輝度で駆動電圧が低く、消費電力が小さいという特徴を有している
。その発光素子で構成される照明部も同様の特徴を有するため、この街灯は低消費電力化
が図られている。
FIG. 10C illustrates a streetlight. The streetlight includes a
なお、図10(C)に示すように、電柱1023の送電線1024を介して街灯に電源
電圧を供給することができる。ただし、電源電圧の供給方法は、これに限定されない。例
えば、光電変換装置を支持体1021に設け、光電変換装置により得られた電圧を電源電
圧として利用することもできる。
As shown in FIG. 10C, a power supply voltage can be supplied to the streetlight through the
また、照明装置を携帯用照明に適用した例について図10(D)及び図10(E)に示
す。図10(D)は、装着型ライトの構成を示す図であり、図10(E)は手持ち型ライ
トの構成を示す図である。
FIGS. 10D and 10E illustrate an example in which the lighting device is applied to portable lighting. FIG. 10D is a diagram illustrating a configuration of a wearable light, and FIG. 10E is a diagram illustrating a configuration of a handheld light.
図10(D)は、装着用ライトを示す図である。装着用ライトは、装着部1031と、
照明部1032とを有する。また、照明部1032は装着部1031に固定されている。
照明部1032には、実施の形態1乃至5に示した発光素子が適用されている。当該発光
素子は、高輝度で駆動電圧が低く、消費電力が小さいという特徴を有している。その発光
素子で構成される照明部も同様の特徴を有するため、この装着用ライトは低消費電力化が
図られている。
FIG. 10D is a diagram showing a mounting light. The mounting light includes a mounting
And an
The light-emitting element described in any of Embodiments 1 to 5 is applied to the
なお、図10(D)に示す装着型ライトの構成に限定されず、例えば装着部1031を
リング状にした平紐やゴム紐のベルトにし、該ベルトに照明部1032を固定し、該ベル
トを頭部に直接巻きつける構成とすることもできる。
Note that the structure of the wearable light shown in FIG. 10D is not limited, and for example, the wearing
図10(E)は、手持ち型ライトを示す図である。手持ち型ライトは、筐体1041と
、照明部1042と、スイッチ1043とを有する。照明部1042には、実施の形態1
乃至5に示した発光素子が適用されている。当該発光素子は、高輝度で駆動電圧が低く、
消費電力が小さいという特徴を有している。その発光素子で構成される照明部1042も
同様の特徴を有するため、この手持ち型ライトは低消費電力化が図られている。
FIG. 10E illustrates a handheld light. The handheld light includes a
The light emitting elements shown in FIGS. 5 to 5 are applied. The light-emitting element has high brightness and low driving voltage,
It has the feature of low power consumption. Since the
なお、スイッチ1043は、照明部1042の発光または非発光を制御する機能を有す
る。また、スイッチ1043に発光時の照明部1042の輝度を調節する機能を付与する
こともできる。
Note that the
以上の様に、発光装置の適用範囲は極めて広く、当該発光装置をあらゆる分野の照明装
置に適用することが可能である。また、実施の形態1乃至実施の形態5で示した発光素子
を有する照明装置を用いることにより、高輝度の発光を呈し、低消費電力な表示部を有す
る照明装置を提供することが可能となる。
As described above, the applicable range of the light-emitting device is so wide that the light-emitting device can be applied to lighting devices in various fields. In addition, by using the lighting device including the light-emitting element described in any of Embodiments 1 to 5, it is possible to provide a lighting device that emits light with high luminance and includes a display portion with low power consumption. .
本実施例では、本発明の一態様である発光素子について、図11を用いて説明する。本
実施例並びに実施例2及び3で用いた物質の化学式を以下に示す。
In this example, a light-emitting element which is one embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The chemical formulas of the substances used in this example and Examples 2 and 3 are shown below.
以下に、本実施例の発光素子1乃至4及び比較発光素子5の作製方法を示す。 A method for manufacturing the light-emitting elements 1 to 4 and the comparative light-emitting element 5 of this example will be described below.
まず、発光素子1について説明する(図11(A)参照)。基板2100上に、酸化シ
リコンを含むインジウム錫酸化物をスパッタリング法にて成膜し、第1の電極2101を
形成した。なお、その膜厚は110nmとし、電極面積は2mm×2mmとした。
First, the light-emitting element 1 will be described (see FIG. 11A). A
次に、第1の電極が形成された面が下方となるように、第1の電極2101が形成され
た基板2100を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、10−4Pa程度
まで減圧した後、第1の電極2101上に、正孔輸送性物質であるNPB(略称)と、ア
クセプター性物質である酸化モリブデン(VI)とを共蒸着することにより、有機化合物
と無機化合物とを複合してなる複合材料を含む、第1の電荷発生層2103aを形成した
。その膜厚は50nmとし、NPB(略称)と酸化モリブデン(VI)の比率は、質量比
で4:1(=NPB:酸化モリブデン)となるように調節した。なお、共蒸着法とは、一
つの処理室内で複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着法である。
Next, the
次に、抵抗加熱を用いた蒸着法により、第1の電荷発生層2103a上にNPB(略称
)を10nmの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層2103bを形成した。
Next, NPB (abbreviation) was formed to a thickness of 10 nm over the first
さらに、CzPA(略称)と、2PCAPA(略称)とを共蒸着することにより、正孔
輸送層2103b上に30nmの膜厚の発光層2103cを形成した。ここで、CzPA
(略称)と2PCAPA(略称)の質量比は、1:0.05(=CzPA:2PCAPA
)となるように調節した。なお、CzPA(略称)は電子輸送性物質であり、ゲスト材料
である2PCAPA(略称)は緑色の発光を示す物質である。
Further, CzPA (abbreviation) and 2PCAPA (abbreviation) were co-evaporated to form a light-emitting
The mass ratio of (abbreviation) and 2PCAPA (abbreviation) is 1: 0.05 (= CzPA: 2PCAPA
). Note that CzPA (abbreviation) is an electron transporting substance, and 2PCAPA (abbreviation) as a guest material is a substance that emits green light.
その後抵抗加熱による蒸着法を用いて、発光層2103c上にAlq(略称)を10n
mの膜厚となるように成膜し、電子輸送層2103dを形成した。これによって、第1の
電荷発生層2103a、正孔輸送層2103b、発光層2103c、及び電子輸送層21
03dを含む第1のEL層2103を形成した。
Thereafter, Aln (abbreviation) is added to 10 n on the
An
A
次いで、BPhen(略称)と、リチウム(Li)とを共蒸着することにより、電子輸
送層2103d上に20nmの膜厚の電子注入バッファー層2104を形成した。ここで
、BPhen(略称)とリチウム(Li)の質量比は、1:0.02(=BPhen:L
i)となるように調整した。
Next, BPhen (abbreviation) and lithium (Li) were co-evaporated to form an electron
i) was adjusted.
次いで、PTCBI(略称)と、リチウム(Li)とを共蒸着することにより、電子注
入バッファー層2104上に、3nmの膜厚の電子リレー層2105を形成した。ここで
、PTCBI(略称)とリチウム(Li)の質量比は、1:0.02(=PTCBI:L
i)となるように調整した。なお、PTCBI(略称)のLUMO準位はサイクリックボ
ルタンメトリ(CV)測定の結果から−4.0eV程度である。
Next, PTCBI (abbreviation) and lithium (Li) were co-evaporated to form an
i) was adjusted. Note that the LUMO level of PTCBI (abbreviation) is about −4.0 eV from the result of cyclic voltammetry (CV) measurement.
次に、電子リレー層2105上に、正孔輸送性物質であるNPB(略称)と、アクセプ
ター性物質である酸化モリブデン(VI)とを共蒸着することにより、第2の電荷発生層
2106を形成した。その膜厚は60nmとし、NPB(略称)と酸化モリブデン(VI
)の比率は、質量比で4:1(=NPB:酸化モリブデン)となるように調節した。
Next, a second
) Was adjusted so that the mass ratio was 4: 1 (= NPB: molybdenum oxide).
次いで、第2の電荷発生層2106上に、第2のEL層2107を作製した。その作製
方法は、まず、抵抗加熱を用いた蒸着法により、第2の電荷発生層2106上にNPB(
略称)を10nmの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層2107aを形成した。
Next, a
(Abbreviation) was formed to a thickness of 10 nm to form a
その後、CzPA(略称)と、2PCAPA(略称)とを共蒸着することにより、正孔
輸送層2107a上に30nmの膜厚の発光層2107bを形成した。ここで、CzPA
(略称)と2PCAPA(略称)の質量比は、1:0.05(=CzPA:2PCAPA
)となるように調節した。つまり、第2のEL層2107に含まれる発光層2107bは
、第1のEL層2103に含まれる発光層2103cと同一構成である。
Thereafter, CzPA (abbreviation) and 2PCAPA (abbreviation) were co-evaporated to form a light-emitting
The mass ratio of (abbreviation) and 2PCAPA (abbreviation) is 1: 0.05 (= CzPA: 2PCAPA
). That is, the
次いで、発光層2107b上に、Alq(略称)を膜厚10nm、次いでBPhen(
略称)を20nm蒸着して積層することにより、電子輸送層2107cを形成した。電子
輸送層2107c上に、フッ化リチウム(LiF)を膜厚1nmで蒸着することにより電
子注入層2107dを形成した。これによって、正孔輸送層2107a、発光層2107
b、電子輸送層2107c、電子注入層2107dを含む第2のEL層2107を形成し
た。
Next, Alq (abbreviation) is formed to a thickness of 10 nm over the light-emitting
An
b, a
最後に、抵抗加熱による蒸着法を用い、電子注入層2107d上にアルミニウム(Al
)を200nmの膜厚となるように成膜することにより、第2の電極2102を形成する
ことで、発光素子1を作製した。
Finally, an evaporation method by resistance heating is used to form aluminum (Al
) Was formed to a thickness of 200 nm, whereby the
次に、発光素子2について説明する。発光素子2は、電子リレー層2105以外は、発
光素子1と同様に作製した。そのため、ここでは電子リレー層2105以外の発光素子2
の構成及び作製方法については、前述の説明を援用することとする。発光素子2が有する
電子リレー層2105は、電子輸送性物質であるPPDN(略称)と、ドナー性物質であ
るリチウム(Li)とを共蒸着することにより、電子注入バッファー層2104上に、3
nmの膜厚の電子リレー層2105を形成した。ここで、PPDN(略称)とリチウム(
Li)の質量比は、1:0.02(=PPDN:Li)となるように調整した。なお、P
PDN(略称)のLUMO準位はサイクリックボルタンメトリ(CV)測定の結果から−
3.83eV程度である。
Next, the
The above description is incorporated for the configuration and manufacturing method. The electron-
An
The mass ratio of Li) was adjusted to be 1: 0.02 (= PPDN: Li). P
The LUMO level of PDN (abbreviation) is based on the result of cyclic voltammetry (CV) measurement-
It is about 3.83 eV.
次に、発光素子3について説明する。発光素子3は、電子リレー層2105以外は、発
光素子1と同様に作製した。そのため、ここでは電子リレー層2105以外の発光素子3
の構成及び作製方法については、前述の説明を援用することとする。発光素子3が有する
電子リレー層2105は、電子輸送性物質であるPTCBI(略称)と、ドナー性物質で
ある酸化リチウム(Li2O)とを共蒸着することにより、電子注入バッファー層210
4上に、3nmの膜厚の電子リレー層2105を形成した。ここで、PTCBI(略称)
と酸化リチウム(Li2O)の質量比は、1:0.02(=PTCBI:Li2O)とな
るように調整した。
Next, the light emitting element 3 will be described. The light-emitting element 3 was manufactured in the same manner as the light-emitting element 1 except for the
The above description is incorporated for the configuration and manufacturing method. The electron-
On 4, an
The mass ratio of lithium oxide (Li 2 O) was adjusted to be 1: 0.02 (= PTCBI: Li 2 O).
次に、発光素子4について説明する。発光素子4は、電子リレー層2105以外は、発
光素子1と同様に作製した。そのため、ここでは電子リレー層2105以外の発光素子4
の構成及び作製方法については、前述の説明を援用することとする。発光素子4が有する
電子リレー層2105は、電子輸送性物質であるPPDN(略称)と、ドナー性物質であ
る酸化リチウム(Li2O)とを共蒸着することにより、電子注入バッファー層2104
上に、3nmの膜厚の電子リレー層2105を形成した。ここで、PPDN(略称)と酸
化リチウム(Li2O)の質量比は、1:0.02(=PPDN:Li2O)となるよう
に調整した。
Next, the
The above description is incorporated for the configuration and manufacturing method. The electron-
An
次に、比較発光素子5について説明する(図11(B)参照)。比較発光素子5は、発
光素子1乃至4から電子リレー層2105を削除した構造であり、その他の層については
、発光素子1乃至4と同様の作製方法にて形成した。つまり、比較発光素子5においては
、電子注入バッファー層2104を形成した後、電子注入バッファー層2104上に、第
2の電荷発生層2106を形成した。以上により、本実施例の比較発光素子5を得た。
Next, the comparative light-emitting element 5 will be described (see FIG. 11B). The comparative light-emitting element 5 has a structure in which the
以下の表1に発光素子1乃至4及び比較発光素子5の素子構造を示す。 Table 1 below shows element structures of the light-emitting elements 1 to 4 and the comparative light-emitting element 5.
以上により得られた発光素子1乃至4及び比較発光素子5を窒素雰囲気のグローブボッ
クス内において、各発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、これら
の発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は、室温(25℃に保たれた雰
囲気)で行った。
The light-emitting elements 1 to 4 and the comparative light-emitting element 5 obtained as described above were sealed in a glove box in a nitrogen atmosphere so that each light-emitting element was not exposed to the atmosphere, and then the operating characteristics of these light-emitting elements Was measured. The measurement was performed at room temperature (atmosphere kept at 25 ° C.).
発光素子1乃至4及び比較発光素子5の電圧―輝度特性を図12に示す。図12におい
て、横軸は印加した電圧(V)を、縦軸は輝度(cd/m2)を表している。また、発光
素子1乃至4及び比較発光素子5の電圧−電流密度特性を図13に示す。図13において
、横軸は電圧(V)を、縦軸は電流密度(mA/cm2)を表す。また、各発光素子の輝
度が1000cd/m2付近である時の電圧を以下の表2に示す。
FIG. 12 shows voltage-luminance characteristics of the light-emitting elements 1 to 4 and the comparative light-emitting element 5. In FIG. 12, the horizontal axis represents applied voltage (V), and the vertical axis represents luminance (cd / m 2 ). In addition, FIG. 13 shows voltage-current density characteristics of the light-emitting elements 1 to 4 and the comparative light-emitting element 5. In FIG. 13, the horizontal axis represents voltage (V) and the vertical axis represents current density (mA / cm 2 ). In addition, Table 2 below shows voltages when the luminance of each light-emitting element is around 1000 cd / m 2 .
図12より、電子リレー層が設けられた発光素子1乃至4は、比較発光素子5に比べて
、高い輝度が得られることがわかる。また、図13より、電子リレー層が設けられた発光
素子1乃至4は、比較発光素子5に比べて、高い電流密度を有することが分かる。
From FIG. 12, it can be seen that the light emitting elements 1 to 4 provided with the electronic relay layer can obtain higher luminance than the comparative light emitting element 5. Further, it can be seen from FIG. 13 that the light emitting elements 1 to 4 provided with the electronic relay layer have a higher current density than the comparative light emitting element 5.
以上により、本実施例の発光素子1乃至4が、発光素子として特性が得られ、十分機能
することが確認できた。また、表2より、発光素子1乃至4は、比較発光素子5と比べて
、低電圧で駆動可能な発光素子であることが確認できた。
From the above, it was confirmed that the light-emitting elements 1 to 4 of this example exhibited characteristics as light-emitting elements and functioned sufficiently. From Table 2, it was confirmed that the light-emitting elements 1 to 4 were light-emitting elements that could be driven at a lower voltage than the comparative light-emitting element 5.
本実施例では、本発明の一態様である発光素子について、図11を用いて説明する。な
お、本実施例で示す発光素子及び比較発光素子において、実施例1で述べた発光素子と共
通する部分については、前述の説明を援用することとする。
In this example, a light-emitting element which is one embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. Note that in the light-emitting element and the comparative light-emitting element described in this example, the above description is referred to for portions that are common to the light-emitting element described in Example 1.
以下に、本実施例の発光素子6乃至9及び比較発光素子10の作製方法を示す。
A method for manufacturing the light-emitting
まず、発光素子6について説明する(図11(A)参照)。本実施例の発光素子6は、
電子注入バッファー層2104以外は、実施例1で示した発光素子1と同様に作製した。
そのため、ここでは電子注入バッファー層2104以外の発光素子6の構成及び作製方法
については、実施例1の説明を援用することとする。本実施例の発光素子6においては、
電子輸送性物質であるBPhen(略称)と、ドナー性物質である酸化リチウム(Li2
O)とを共蒸着することにより、電子輸送層2103d上に20nmの膜厚の電子注入バ
ッファー層2104を形成した。ここで、BPhen(略称)と酸化リチウム(Li2O
)の質量比は、1:0.02(=BPhen:Li2O)となるように調整した。
First, the light-emitting
Except for the electron
Therefore, the description of Example 1 is used here for the configuration and manufacturing method of the light-emitting
BPhen (abbreviation) which is an electron transporting substance and lithium oxide (Li 2 ) which is a donor substance.
O) was co-evaporated to form an electron
) Mass ratio was adjusted to be 1: 0.02 (= BPhen: Li 2 O).
次いで、発光素子7について説明する。本実施例の発光素子7は、電子注入バッファー
層2104以外は、実施例1で示した発光素子2と同様に作製した。そのため、ここでは
電子注入バッファー層2104以外の発光素子7の構成及び作製方法については、実施例
1の説明を援用することとする。本実施例の発光素子7においては、電子輸送性物質であ
るBPhen(略称)と、ドナー性物質である酸化リチウム(Li2O)とを共蒸着する
ことにより、電子輸送層2103d上に20nmの膜厚の電子注入バッファー層2104
を形成した。ここで、BPhen(略称)と酸化リチウム(Li2O)の質量比は、1:
0.02(=BPhen:Li2O)となるように調整した。
Next, the light emitting element 7 will be described. The light-emitting element 7 of this example was manufactured in the same manner as the light-emitting
Formed. Here, the mass ratio of BPhen (abbreviation) and lithium oxide (Li 2 O) is 1:
0.02: it was adjusted (= BPhen Li 2 O) and so as.
次いで、発光素子8について説明する。本実施例の発光素子8は、電子注入バッファー
層2104以外は、実施例1で示した発光素子3と同様に作製した。そのため、ここでは
電子注入バッファー層2104以外の発光素子8の構成及び作製方法については、実施例
1の説明を援用することとする。本実施例の発光素子8においては、電子輸送性物質であ
るBPhen(略称)と、ドナー性物質である酸化リチウム(Li2O)とを共蒸着する
ことにより、電子輸送層2103d上に20nmの膜厚の電子注入バッファー層2104
を形成した。ここで、BPhen(略称)と酸化リチウム(Li2O)の質量比は、1:
0.02(=BPhen:Li2O)となるように調整した。
Next, the
Formed. Here, the mass ratio of BPhen (abbreviation) and lithium oxide (Li 2 O) is 1:
0.02: it was adjusted (= BPhen Li 2 O) and so as.
次いで、発光素子9について説明する。本実施例の発光素子9は、電子注入バッファー
層2104以外は、実施例1で示した発光素子4と同様に作製した。そのため、ここでは
電子注入バッファー層2104以外の発光素子9の構成及び作製方法については、実施例
1の説明を援用することとする。本実施例の発光素子9においては、電子輸送性物質であ
るBPhen(略称)と、ドナー性物質である酸化リチウム(Li2O)とを共蒸着する
ことにより、電子輸送層2103d上に20nmの膜厚の電子注入バッファー層2104
を形成した。ここで、BPhen(略称)と酸化リチウム(Li2O)の質量比は、1:
0.02(=BPhen:Li2O)となるように調整した。
Next, the light emitting element 9 will be described. The light-emitting element 9 of this example was manufactured in the same manner as the light-emitting
Formed. Here, the mass ratio of BPhen (abbreviation) and lithium oxide (Li 2 O) is 1:
0.02: it was adjusted (= BPhen Li 2 O) and so as.
次に、比較発光素子10について説明する(図11(B)参照)。比較発光素子10は
、発光素子6乃至9から電子リレー層2105を削除した構造であり、その他の層につい
ては、発光素子6乃至9と同様の作製方法にて形成した。つまり、比較発光素子10にお
いては、電子注入バッファー層2104を形成した後、電子注入バッファー層2104上
に、第2の電荷発生層2106を形成した。以上により、本実施例の比較発光素子10を
得た。
Next, the comparative light-emitting
以下の表3に発光素子6乃至9及び比較発光素子10の素子構造を示す。
Table 3 below shows element structures of the light-emitting
以上により得られた発光素子6乃至9及び比較発光素子10を窒素雰囲気のグローブボ
ックス内において、各発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、これ
らの発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は、室温(25℃に保たれた
雰囲気)で行った。
After the
発光素子6乃至9及び比較発光素子10の電圧―輝度特性を図14に示す。図14にお
いて、横軸は印加した電圧(V)、縦軸は輝度(cd/m2)を表している。また、発光
素子6乃至9及び比較発光素子10の電圧−電流密度特性を図15に示す。図15におい
て、横軸は電圧(V)を、縦軸は電流密度(mA/cm2)を表す。また、各発光素子の
輝度が1000cd/m2付近である時の電圧を以下の表4に示す。
FIG. 14 shows voltage-luminance characteristics of the light-emitting
図14より、電子リレー層が設けられた発光素子6乃至9は、比較発光素子10に比べ
て、高い輝度が得られることがわかる。また、図15より、電子リレー層が設けられた発
光素子6乃至9は、比較発光素子10に比べて、高い電流密度を有することが分かる。
From FIG. 14, it is understood that the
以上により、本実施例の発光素子6乃至9が、発光素子として特性が得られ、十分機能
することが確認できた。また、発光素子6乃至9は、低電圧で駆動可能な発光素子である
ことが確認できた。
From the above, it was confirmed that the light-emitting
本実施例では、本発明の一態様である発光素子について、図11を用いて説明する。な
お、本実施例で示す発光素子及び比較発光素子において、実施例1で述べた発光素子と共
通する部分については、前述の説明を援用することとする。
In this example, a light-emitting element which is one embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. Note that in the light-emitting element and the comparative light-emitting element described in this example, the above description is referred to for portions that are common to the light-emitting element described in Example 1.
以下に、本実施例の発光素子11及び比較発光素子12の作製方法を示す。
A method for manufacturing the light-emitting
まず、発光素子11について説明する(図11(A)参照)。本実施例の発光素子11
は、第1のEL層2103の電子輸送層2103d及び電子注入バッファー層2104以
外は、実施例1で示した発光素子1と同様に作製した。そのため、ここでは電子輸送層2
103d及び電子注入バッファー層2104以外の発光素子11の構成及び作製方法につ
いては、実施例1の説明を援用することとする。本実施例の発光素子11においては、発
光層2103c上に、Alq(略称)を膜厚10nm、次いでBPhen(略称)を20
nm蒸着して積層することにより、電子輸送層2103dを形成した。さらに、電子輸送
層2103d上に、酸化リチウム(Li2O)を0.1nm蒸着することにより、電子注
入バッファー層2104を形成した。以上により、本実施例の発光素子11を得た。
First, the light-emitting
Were manufactured in the same manner as the light-emitting element 1 described in Example 1, except for the
For the configuration and manufacturing method of the light-emitting
The
次に、比較発光素子12について説明する(図11(B)参照)。本実施例の比較発光
素子12は、発光素子11から電子リレー層2105を削除した構造であり、その他の層
については、発光素子11と同様の作製方法にて形成した。比較発光素子12においては
、電子注入バッファー層2104を形成した後、電子注入バッファー層2104上に、第
2の電荷発生層2106を形成した。以上により、本実施例の比較発光素子12を得た。
Next, the comparative light-emitting
以下の表5に発光素子11及び比較発光素子12の素子構造を示す。
Table 5 below shows element structures of the light-emitting
以上により得られた発光素子11及び比較発光素子12を窒素雰囲気のグローブボック
ス内において、各発光素子が大気に曝されないように封止する作業を行った後、これらの
発光素子の動作特性について測定を行った。なお、測定は、室温(25℃に保たれた雰囲
気)で行った。
After the light-emitting
発光素子11及び比較発光素子12の電圧―輝度特性を図16に示す。図16において
、横軸は印加した電圧(V)、縦軸は輝度(cd/m2)を表している。また、発光素子
11及び比較発光素子12の電圧−電流密度特性を図17に示す。図17において、横軸
は電圧(V)を、縦軸は電流密度(mA/cm2)を表す。また、各発光素子の輝度が1
000cd/m2付近である時の電圧を以下の表6に示す。
FIG. 16 shows voltage-luminance characteristics of the light-emitting
The voltage at around 000 cd / m 2 is shown in Table 6 below.
図16より、電子リレー層が設けられた発光素子11は、比較発光素子12に比べて、
高い輝度が得られることがわかる。また、図17より、電子リレー層が設けられた発光素
子11は、比較発光素子12に比べて、高い電流密度を有することが分かる。
From FIG. 16, the
It can be seen that high luminance can be obtained. Further, it can be seen from FIG. 17 that the
以上により、本実施例の発光素子11が、発光素子として特性が得られ、十分機能する
ことが確認できた。また、発光素子11は、低電圧で駆動可能な発光素子であることが確
認できた。
From the above, it was confirmed that the light-emitting
10 基板
11 トランジスタ
12 発光素子
13 電極
14 電極
15 有機化合物を含む層
16a 層間絶縁膜
16b 層間絶縁膜
16c 層間絶縁膜
17 配線
18 隔壁層
19a 層間絶縁膜
19b 層間絶縁膜
101 陽極
102 陰極
103 EL層
103a 第1の発光層
103b 第2の発光層
104 電子注入バッファー層
105 電子リレー層
106 電荷発生層
106a 正孔輸送性物質を含む層
106b アクセプター性物質を含む層
107 EL層
107a 第3の発光層
107b 第4の発光層
108 電子輸送層
111 陽極のフェルミ準位
112 陰極のフェルミ準位
113 第1のEL層のLUMO準位
114 電子リレー層におけるドナー性物質のドナー準位
115 電子リレー層における電子輸送性物質のLUMO準位
116 電荷発生層におけるアクセプター性物質のアクセプター準位
117 第2のEL層のLUMO準位
330 第1の発光
340 第2の発光
800 携帯情報端末機器
801 筐体
802 表示部
803 筐体
805 キーボード
807 連結部
810 デジタルビデオカメラ
811 筐体
812 表示部
820 携帯電話機
821 筐体
822 筐体
823 連結部
824 表示部
825 操作キー
830 コンピュータ
831 筐体
832 表示部
833 キーボード
834 筐体
840 テレビジョン
841 筐体
842 表示部
843 スタンド
850 リモコン操作機
851 操作キー
852 表示部
900 卓上照明装置
901 照明部
910 天井用照明装置
911 照明部
920 ロール型照明装置
921 照明部
951 基板
952 電極
953 絶縁層
954 隔壁層
955 発光素子
956 電極
1000 信号機
1001 照明部
1002 照明部
1003 照明部
1010 避難口誘導灯
1021 支持体
1022 照明部
1023 電柱
1024 送電線
1031 装着部
1032 照明部
1041 筐体
1042 照明部
1043 スイッチ
2100 基板
2101 電極
2102 電極
2103 EL層
2103a 電荷発生層
2103b 正孔輸送層
2103c 発光層
2103d 電子輸送層
2104 電子注入バッファー層
2105 電子リレー層
2106 電荷発生層
2107 EL層
2107a 正孔輸送層
2107b 発光層
2107c 電子輸送層
2107d 電子注入層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Substrate 11 Transistor 12 Light emitting element 13 Electrode 14 Electrode 15 Layer containing organic compound 16a Interlayer insulation film 16b Interlayer insulation film 16c Interlayer insulation film 17 Wiring 18 Partition layer 19a Interlayer insulation film 19b Interlayer insulation film 101 Anode 102 Cathode 103 EL layer 103a First light-emitting layer 103b Second light-emitting layer 104 Electron injection buffer layer 105 Electron relay layer 106 Charge generation layer 106a Layer 106b containing a hole-transporting substance 107 Layer 107 containing an acceptor substance EL layer 107a Third light-emitting layer 107b Fourth light-emitting layer 108 Electron transport layer 111 Anode Fermi level 112 Cathode Fermi level 113 LUMO level 114 of the first EL layer Donor level 115 of the donor substance in the electron relay layer Electron transport in the electron relay layer LUMO level 116 of the conductive material in the charge generation layer Acceptor level 117 of the acceptor substance LUMO level of the second EL layer 330 First light emission 340 Second light emission 800 Portable information terminal device 801 Case 802 Display portion 803 Case 805 Keyboard 807 Connection portion 810 Digital video camera 811 Case 812 Display unit 820 Mobile phone 821 Case 822 Case 823 Connection unit 824 Display unit 825 Operation key 830 Computer 831 Case 832 Display unit 833 Keyboard 834 Case 840 Television 841 Case 842 Display unit 843 Stand 850 Remote control Operating device 851 Operation key 852 Display unit 900 Desktop illumination device 901 Illumination unit 910 Ceiling illumination device 911 Illumination unit 920 Roll illumination device 921 Illumination unit 951 Substrate 952 Electrode 953 Insulating layer 954 Partition layer 955 Light emitting element 956 Electrode 10 0 traffic light 1001 illuminating unit 1002 illuminating unit 1003 illuminating unit 1010 evacuation exit guide light 1021 support 1022 illuminating unit 1023 power pole 1024 power transmission line 1031 mounting unit 1032 illuminating unit 1041 housing 1042 illuminating unit 1043 switch 2100 substrate 2101 electrode 2102 electrode 2103 EL layer 2103a Charge generation layer 2103b Hole transport layer 2103c Light emission layer 2103d Electron transport layer 2104 Electron injection buffer layer 2105 Electron relay layer 2106 Charge generation layer 2107 EL layer 2107a Hole transport layer 2107b Light emission layer 2107c Electron transport layer 2107d Electron injection layer
Claims (10)
前記陽極からm(mは自然数、1≦m≦n−1)番目のEL層とm+1番目のEL層の間には、
前記m番目のEL層と接する、第1のドナー性物質を含む第1の層と、
前記第1の層と接する、第1の電子輸送性物質及び第2のドナー性物質を含む第2の層と、
前記第2の層及び前記m+1番目のEL層と接する、第1の正孔輸送性物質及びアクセプター性物質を含む第3の層と、を有し、
前記m番目のEL層は、前記第1の層と接する第4の層を有し、
前記第4の層は、第2の電子輸送性物質を含み、
前記第1の電子輸送性物質のLUMO準位は、前記第2の電子輸送性物質のLUMO準位よりも低く、
前記m+1番目のEL層は、前記第3の層と接する第5の層を有し、
前記第5の層は、第2の正孔輸送性物質を含む発光素子。 N (n is a natural number of 2 or more) layers between the anode and the cathode,
Between the m (m is a natural number, 1 ≦ m ≦ n−1) th EL layer and the m + 1th EL layer from the anode,
A first layer containing a first donor material in contact with the mth EL layer;
A second layer in contact with the first layer, the first layer including a first electron transporting substance and a second donor substance;
A third layer containing a first hole transporting substance and an acceptor substance in contact with the second layer and the (m + 1) th EL layer,
The mth EL layer has a fourth layer in contact with the first layer,
The fourth layer includes a second electron transporting substance;
The LUMO level of the first electron transporting material is lower than the LUMO level of the second electron transporting material,
The (m + 1) th EL layer has a fifth layer in contact with the third layer,
The fifth layer is a light-emitting element including a second hole transporting substance.
前記第1の電子輸送性物質のLUMO準位が−5.0eV以上である発光素子。 In claim 1,
The light-emitting element in which the LUMO level of the first electron transporting material is −5.0 eV or more.
前記第1の電子輸送性物質は、ペリレン誘導体又は含窒素縮合芳香族化合物である発光素子。 In claim 1 or claim 2,
The light-emitting element in which the first electron transporting substance is a perylene derivative or a nitrogen-containing condensed aromatic compound.
前記第1のドナー性物質は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物、または希土類金属化合物である発光素子。 In any one of Claims 1 thru | or 3,
The light-emitting element in which the first donor substance is an alkali metal, an alkaline earth metal, a rare earth metal, an alkali metal compound, an alkaline earth metal compound, or a rare earth metal compound.
前記アクセプター性物質は、元素周期表における第4族乃至第8族に属する金属の酸化物である発光素子。 In any one of Claims 1 thru | or 4,
The light-emitting element in which the acceptor substance is an oxide of a metal belonging to Groups 4 to 8 in the periodic table.
前記アクセプター性物質は、酸化モリブデンである発光素子。 In any one of Claims 1 thru | or 5,
The light-emitting element wherein the acceptor substance is molybdenum oxide.
前記第3の層が、前記m+1番目のEL層と接する正孔輸送性物質を含む層と、前記第2の層と接するアクセプター性物質を含む層とが積層された層である発光素子。 In any one of Claims 1 thru | or 6,
The light-emitting element in which the third layer is a layer in which a layer containing a hole-transporting substance in contact with the (m + 1) th EL layer and a layer containing an acceptor substance in contact with the second layer are stacked.
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WO2010137477A1 (en) | 2009-05-29 | 2010-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
CN102484922B (en) | 2009-09-07 | 2015-08-19 | 株式会社半导体能源研究所 | Light-emitting component, luminescent device, illuminating device and electronic device |
US8716699B2 (en) * | 2009-10-29 | 2014-05-06 | E I Du Pont De Nemours And Company | Organic light-emitting diodes having white light emission |
US8716700B2 (en) * | 2009-10-29 | 2014-05-06 | E I Du Pont De Nemours And Company | Organic light-emitting diodes having white light emission |
EP2365556B1 (en) | 2010-03-08 | 2014-07-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
CN102201541B (en) * | 2010-03-23 | 2015-11-25 | 株式会社半导体能源研究所 | Light-emitting component, light-emitting device, electronic equipment and lighting device |
JP5801579B2 (en) | 2010-03-31 | 2015-10-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | LIGHT EMITTING ELEMENT, LIGHT EMITTING DEVICE, ELECTRONIC DEVICE, AND LIGHTING DEVICE |
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JP5772085B2 (en) | 2011-03-09 | 2015-09-02 | セイコーエプソン株式会社 | LIGHT EMITTING ELEMENT, LIGHT EMITTING DEVICE, DISPLAY DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE |
JP2012195054A (en) * | 2011-03-14 | 2012-10-11 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Organic electroluminescent element |
CN103608943B (en) | 2011-03-24 | 2016-02-10 | 松下电器产业株式会社 | White-light-emitting organic electroluminescent element and white-light-emitting organic electroluminescent panel |
JP2012212575A (en) * | 2011-03-31 | 2012-11-01 | Rohm Co Ltd | Organic el device |
JP5803648B2 (en) * | 2011-12-16 | 2015-11-04 | セイコーエプソン株式会社 | LIGHT EMITTING ELEMENT, LIGHT EMITTING DEVICE, DISPLAY DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE |
JP5973661B2 (en) * | 2012-05-31 | 2016-08-23 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | Organic light emitting device |
GB2508289B (en) * | 2012-10-31 | 2015-09-30 | Lg Display Co Ltd | Organic light emitting display device |
CN103915470B (en) * | 2012-12-31 | 2016-12-07 | 乐金显示有限公司 | Organic light-emitting display device |
KR102059601B1 (en) * | 2013-04-01 | 2019-12-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting diode device |
CN104183740A (en) * | 2013-05-24 | 2014-12-03 | 海洋王照明科技股份有限公司 | Organic electroluminescent device and preparation method thereof |
TWI727366B (en) * | 2013-08-09 | 2021-05-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | Light-emitting element, display module, lighting module, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device |
WO2015041461A1 (en) | 2013-09-17 | 2015-03-26 | 주식회사 엘지화학 | Organic light-emitting element |
JP6379338B2 (en) * | 2014-02-12 | 2018-08-29 | 株式会社Joled | Organic electroluminescent device, display device, and method of manufacturing organic electroluminescent device |
CN105981477B (en) * | 2014-02-21 | 2019-03-15 | 株式会社半导体能源研究所 | Light-emitting component, light emitting device, electronic equipment and lighting device |
KR101668030B1 (en) * | 2014-08-21 | 2016-10-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting diode and organic light emitting display device including the same |
CN104319353B (en) * | 2014-11-07 | 2016-07-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | Monochromatic OLED, manufacture method and OLED display floater |
CN104393185B (en) * | 2014-11-25 | 2017-05-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | Laminated organic electroluminescence device and manufacturing method thereof |
US9991461B2 (en) | 2015-03-16 | 2018-06-05 | Pioneer Corporation | Light emitting device |
CN104966789A (en) * | 2015-06-30 | 2015-10-07 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Charge coupling layer, manufacturing method thereof and stacked OLED device |
KR102420453B1 (en) | 2015-09-09 | 2022-07-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic light emitting display device and lighting apparatus for vehicles using the same |
TWI615611B (en) * | 2016-12-20 | 2018-02-21 | Gas detector | |
KR20180076857A (en) * | 2016-12-28 | 2018-07-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic Light Emitting Diode Display Device |
JP2018113293A (en) * | 2017-01-10 | 2018-07-19 | セイコーエプソン株式会社 | Light emitting device, biological information measuring device, and manufacturing method of light emitting device |
WO2020212800A1 (en) | 2019-04-18 | 2020-10-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Semiconductor relay and semiconductor device |
US20240155880A1 (en) * | 2021-03-05 | 2024-05-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display apparatus, display module, electronic device, and method of manufacturing display apparatus |
WO2022185149A1 (en) * | 2021-03-05 | 2022-09-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Display device, display module, electronic device, and method for fabricating display device |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006012793A (en) * | 2004-05-21 | 2006-01-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light emitting element and light emitting device using the same |
JP2006210845A (en) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Sanyo Electric Co Ltd | Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display |
JP2006332048A (en) * | 2005-05-20 | 2006-12-07 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | Intermediate electrode for stacked oled |
JP2008537314A (en) * | 2005-04-20 | 2008-09-11 | イーストマン コダック カンパニー | Tandem OLED device |
Family Cites Families (52)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10270171A (en) | 1997-01-27 | 1998-10-09 | Junji Kido | Organic electroluminescent element |
WO2001015244A1 (en) | 1999-08-20 | 2001-03-01 | Emagin Corporation | Organic light emitting diode device with high work function metal-oxide anode layer and method of fabrication of same |
JP2001167887A (en) | 1999-09-28 | 2001-06-22 | Canon Inc | Conductive liquid crystal device and organic electroluminescent element |
US6528940B1 (en) | 1999-09-28 | 2003-03-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Conductive liquid crystal device, and organic electroluminescence device |
SG176316A1 (en) * | 2001-12-05 | 2011-12-29 | Semiconductor Energy Lab | Organic semiconductor element |
JP3933591B2 (en) * | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | Organic electroluminescent device |
US6967062B2 (en) | 2003-03-19 | 2005-11-22 | Eastman Kodak Company | White light-emitting OLED device having a blue light-emitting layer doped with an electron-transporting or a hole-transporting material or both |
WO2005031798A2 (en) * | 2003-09-26 | 2005-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method for manufacturing the same |
JP2005135600A (en) | 2003-10-28 | 2005-05-26 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Organic electroluminescent element |
JP4243237B2 (en) * | 2003-11-10 | 2009-03-25 | 淳二 城戸 | Organic element, organic EL element, organic solar cell, organic FET structure, and organic element manufacturing method |
WO2005064995A1 (en) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element |
JP5137292B2 (en) | 2003-12-26 | 2013-02-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | LIGHT EMITTING ELEMENT, LIGHT EMITTING DEVICE, AND ELECTRIC APPARATUS |
US7270871B2 (en) * | 2004-01-12 | 2007-09-18 | Air Products And Chemicals, Inc. | Dispersions and films comprising conducting polymer for optoelectronic devices |
US7030554B2 (en) | 2004-02-06 | 2006-04-18 | Eastman Kodak Company | Full-color organic display having improved blue emission |
JP2006295104A (en) * | 2004-07-23 | 2006-10-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light emitting element and light emitting device using the same |
KR101249172B1 (en) | 2004-07-30 | 2013-03-29 | 산요덴키가부시키가이샤 | Organic electroluminescence device |
JP4315874B2 (en) | 2004-07-30 | 2009-08-19 | 三洋電機株式会社 | Organic electroluminescent device and organic electroluminescent display device |
EP1782487B1 (en) * | 2004-08-03 | 2013-03-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and light-emitting device |
EP1624502B1 (en) * | 2004-08-04 | 2015-11-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, display device, and electronic appliance |
US7273663B2 (en) * | 2004-08-20 | 2007-09-25 | Eastman Kodak Company | White OLED having multiple white electroluminescence units |
CN100565963C (en) * | 2004-09-30 | 2009-12-02 | 株式会社半导体能源研究所 | Light-emitting component |
WO2006035973A1 (en) * | 2004-09-30 | 2006-04-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and light-emitting device |
US7560862B2 (en) | 2004-10-22 | 2009-07-14 | Eastman Kodak Company | White OLEDs with a color-compensated electroluminescent unit |
JP4362461B2 (en) | 2004-11-05 | 2009-11-11 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | Organic electroluminescence device |
KR100603404B1 (en) | 2004-11-27 | 2006-07-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | Organic electroluminescence display |
KR20060040829A (en) | 2004-11-05 | 2006-05-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | Organic electroluminescence display |
DE502005002342D1 (en) | 2005-03-15 | 2008-02-07 | Novaled Ag | Light-emitting component |
JP4792828B2 (en) | 2005-06-17 | 2011-10-12 | ソニー株式会社 | Display element |
US8906517B2 (en) | 2005-04-04 | 2014-12-09 | Sony Corporation | Organic electroluminescence device |
US8659008B2 (en) | 2005-07-08 | 2014-02-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Composite material and light emitting element, light emitting device, and electronic device using the composite material |
JP4954623B2 (en) * | 2005-07-08 | 2012-06-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light emitting device |
WO2007064009A1 (en) * | 2005-11-30 | 2007-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element, light emitting device and electronic device |
JP2007179933A (en) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Sanyo Electric Co Ltd | Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display |
CN101106180B (en) * | 2006-06-08 | 2011-03-16 | 奇美电子股份有限公司 | Image display system |
JP2008153590A (en) * | 2006-12-20 | 2008-07-03 | Canon Inc | Organic light emitting display device |
KR101407574B1 (en) * | 2007-01-12 | 2014-06-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | White light emitting device |
WO2008120603A1 (en) | 2007-03-30 | 2008-10-09 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Light emitting element |
JP4939284B2 (en) | 2007-04-05 | 2012-05-23 | 財団法人山形県産業技術振興機構 | Organic electroluminescent device |
US20080284318A1 (en) * | 2007-05-17 | 2008-11-20 | Deaton Joseph C | Hybrid fluorescent/phosphorescent oleds |
US20090001885A1 (en) | 2007-06-27 | 2009-01-01 | Spindler Jeffrey P | Tandem oled device |
JP2009043612A (en) * | 2007-08-09 | 2009-02-26 | Sharp Corp | Organic el element |
TWI481308B (en) * | 2007-09-27 | 2015-04-11 | Semiconductor Energy Lab | Light-emitting element, light-emitting device, and electronic appliance |
WO2009041635A1 (en) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic el device |
JP4893573B2 (en) | 2007-10-03 | 2012-03-07 | セイコーエプソン株式会社 | LIGHT EMITTING ELEMENT, DISPLAY DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE |
TWI479712B (en) | 2007-10-19 | 2015-04-01 | Semiconductor Energy Lab | Light-emitting device |
US20090130296A1 (en) * | 2007-11-15 | 2009-05-21 | Universal Display Corporation | Fabrication of Organic Electronic Devices by Ink-Jet Printing at Low Temperatures |
CN100484353C (en) * | 2008-01-29 | 2009-04-29 | 清华大学 | Organic electroluminescent part |
KR100953655B1 (en) * | 2008-07-08 | 2010-04-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | Organic light emitting diode display |
US8603642B2 (en) * | 2009-05-13 | 2013-12-10 | Global Oled Technology Llc | Internal connector for organic electronic devices |
WO2010137477A1 (en) * | 2009-05-29 | 2010-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device |
KR101691395B1 (en) | 2009-09-04 | 2017-01-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Light-emitting element, light-emitting device, and method for manufacturing the same |
WO2011162105A1 (en) | 2010-06-25 | 2011-12-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, display, and electronic device |
-
2010
- 2010-05-10 WO PCT/JP2010/058240 patent/WO2010137477A1/en active Application Filing
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-
2013
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-
2014
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-
2015
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-
2016
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- 2016-08-23 JP JP2016162825A patent/JP6268243B2/en active Active
-
2017
- 2017-12-25 JP JP2017247436A patent/JP6771451B2/en active Active
-
2018
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-
2019
- 2019-09-11 JP JP2019165368A patent/JP2019207893A/en not_active Withdrawn
-
2020
- 2020-09-29 JP JP2020163226A patent/JP6968246B2/en active Active
-
2021
- 2021-01-21 US US17/153,985 patent/US11889711B2/en active Active
- 2021-10-26 JP JP2021174325A patent/JP2022022473A/en not_active Withdrawn
-
2023
- 2023-07-13 JP JP2023114832A patent/JP2023130478A/en active Pending
- 2023-12-27 US US18/396,801 patent/US20240215290A1/en active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006012793A (en) * | 2004-05-21 | 2006-01-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light emitting element and light emitting device using the same |
JP2006210845A (en) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Sanyo Electric Co Ltd | Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display |
JP2008537314A (en) * | 2005-04-20 | 2008-09-11 | イーストマン コダック カンパニー | Tandem OLED device |
JP2006332048A (en) * | 2005-05-20 | 2006-12-07 | Lg Phillips Lcd Co Ltd | Intermediate electrode for stacked oled |
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JP5787502B2 (en) | LIGHT EMITTING ELEMENT, LIGHT EMITTING DEVICE, LIGHTING DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE |
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