Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

JP2016051800A - Light-emitting module and manufacturing method - Google Patents

Light-emitting module and manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
JP2016051800A
JP2016051800A JP2014176011A JP2014176011A JP2016051800A JP 2016051800 A JP2016051800 A JP 2016051800A JP 2014176011 A JP2014176011 A JP 2014176011A JP 2014176011 A JP2014176011 A JP 2014176011A JP 2016051800 A JP2016051800 A JP 2016051800A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
semiconductor light
mounting
emitting element
thermal expansion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2014176011A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
本間　卓也
Takuya Honma
卓也 本間
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Lighting and Technology Corp
Original Assignee
Toshiba Lighting and Technology Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Lighting and Technology Corp filed Critical Toshiba Lighting and Technology Corp
Priority to JP2014176011A priority Critical patent/JP2016051800A/en
Publication of JP2016051800A publication Critical patent/JP2016051800A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To enhance light resistance, heat resistance, or thermal shock resistance.SOLUTION: A light-emitting module according to an embodiment includes a substrate, a semiconductor light-emitting element, a frame, a sealing member, and an adhesive member. The semiconductor light-emitting element is mounted on a predetermined surface of the substrate. The frame is formed around the semiconductor light-emitting element and on the predetermined surface. The sealing member is formed in a space formed by the frame so as to seal the semiconductor light-emitting element. The adhesive member adheres the sealing member and substrate.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、発光モジュール及び製造方法に関する。   The present invention relates to a light emitting module and a manufacturing method.

近年、電流を流すと発光する半導体素子の一種であるＬＥＤ（Light Emitting Diode）を用いた発光装置が普及している。ＬＥＤを用いた発光装置は、ＬＥＤの高効率化に伴うモジュール構成部材の劣化を防ぐため、例えば、透明無機材などを封止材として用いて構成される。   2. Description of the Related Art In recent years, light emitting devices using LEDs (Light Emitting Diodes), which are a kind of semiconductor elements that emit light when an electric current is passed, have become popular. A light emitting device using an LED is configured by using, for example, a transparent inorganic material as a sealing material in order to prevent deterioration of a module constituent member accompanying an increase in efficiency of the LED.

特開２００７−１０３９７８号公報JP 2007-103978 A 特開２０１２−６４７８７号公報JP 2012-64787 A

本発明が解決しようとする課題は、耐光性、耐熱性または耐熱衝撃性を高めることができる発光モジュール及び製造方法を提供することである。   The problem to be solved by the present invention is to provide a light emitting module and a manufacturing method capable of improving light resistance, heat resistance or thermal shock resistance.

実施形態に係る発光モジュールは、基板と、半導体発光素子と、枠と、封止部材と、接着部材と、を具備する。半導体発光素子は、基板の所定の面に実装される。枠は、半導体発光素子の周囲、かつ、所定の面上に形成される。封止部材は、枠により形成された空間内に形成され、半導体発光素子を封止する。接着部材は、封止部材と基板とを接着する。   The light emitting module according to the embodiment includes a substrate, a semiconductor light emitting element, a frame, a sealing member, and an adhesive member. The semiconductor light emitting element is mounted on a predetermined surface of the substrate. The frame is formed around the semiconductor light emitting element and on a predetermined surface. The sealing member is formed in a space formed by the frame and seals the semiconductor light emitting element. The adhesive member bonds the sealing member and the substrate.

実施形態の発光モジュールによれば、耐光性、耐熱性または耐熱衝撃性を高めることができるという効果が期待できる。   According to the light emitting module of the embodiment, an effect that light resistance, heat resistance, or thermal shock resistance can be improved can be expected.

図１Ａは、実施形態に係る発光装置及び照明装置を例示する模式図である。FIG. 1A is a schematic view illustrating a light emitting device and a lighting device according to the embodiment. 図１Ｂは、実施形態に係る発光装置及び照明装置を例示する模式図である。FIG. 1B is a schematic view illustrating the light emitting device and the lighting device according to the embodiment. 図２は、発光モジュールの一例を説明するための簡略図である。FIG. 2 is a simplified diagram for explaining an example of the light emitting module. 図３は、発光装置の製造方法の一例を示すフローチャートである。FIG. 3 is a flowchart illustrating an example of a method for manufacturing a light emitting device. 図４は、基材の熱膨張率の一例を示す図である。FIG. 4 is a diagram illustrating an example of the coefficient of thermal expansion of the substrate. 図５は、各部材の熱膨張率の一例を示す図である。FIG. 5 is a diagram illustrating an example of the coefficient of thermal expansion of each member. 図６は、各部材の熱膨張率の一例を示す図である。FIG. 6 is a diagram illustrating an example of the coefficient of thermal expansion of each member. 図７は、接着層の一例を説明するための図である。FIG. 7 is a diagram for explaining an example of the adhesive layer.

以下で説明する実施形態に係る発光モジュールは、基板と、半導体発光素子と、枠と、封止部材と、接着部材と、を具備する。半導体発光素子は、基板の所定の面に実装される。枠は、半導体発光素子の周囲、かつ、所定の面上に形成される。封止部材は、枠により形成された空間内に形成され、半導体発光素子を封止する。接着部材は、封止部材と基板とを接着する。   A light emitting module according to an embodiment described below includes a substrate, a semiconductor light emitting element, a frame, a sealing member, and an adhesive member. The semiconductor light emitting element is mounted on a predetermined surface of the substrate. The frame is formed around the semiconductor light emitting element and on a predetermined surface. The sealing member is formed in a space formed by the frame and seals the semiconductor light emitting element. The adhesive member bonds the sealing member and the substrate.

また、以下で説明する実施形態に係る発光モジュールにおいて、封止部材は、半導体発光素子が放出した光を当該光の波長とは異なる波長の光に変換する蛍光体を含んでもよい。   In the light emitting module according to the embodiment described below, the sealing member may include a phosphor that converts light emitted from the semiconductor light emitting element into light having a wavelength different from the wavelength of the light.

また、以下で説明する実施形態に係る発光モジュールにおいて、接着部材は、封止部材より硬化温度が低い材料であってもよい。   In the light emitting module according to the embodiment described below, the adhesive member may be a material having a lower curing temperature than the sealing member.

また、以下で説明する実施形態に係る発光モジュールにおいて、接着部材は、接着部材の熱膨張率が、封止部材の熱膨張率より大きく、かつ、基板の熱膨張率より小さい値であってもよい。   Further, in the light emitting module according to the embodiment described below, the adhesive member may have a thermal expansion coefficient greater than that of the sealing member and smaller than that of the substrate. Good.

また、以下で説明する実施形態に係る発光モジュールにおいて、接着部材は、接着部材の熱膨張率が、封止部材の熱膨張率より小さく、かつ、基板の熱膨張率より大きい値であってもよい。   In the light emitting module according to the embodiment described below, the adhesive member may have a thermal expansion coefficient smaller than that of the sealing member and larger than that of the substrate. Good.

また、以下で説明する実施形態に係る発光モジュールの製造方法は、封止部材により半導体発光素子を封止する封止工程と、封止部材と基板との間の空間を接着部材で接着する接着工程とを含む。   Moreover, the manufacturing method of the light emitting module which concerns on embodiment described below is the adhesion | attachment which adhere | attaches the space between a sealing member and a board | substrate with an adhesive member, and the sealing process which seals a semiconductor light-emitting device with a sealing member. Process.

以下に、各実施形態について図面を参照しつつ説明する。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。   Each embodiment will be described below with reference to the drawings. The drawings are schematic or conceptual, and the relationship between the thickness and width of each part, the size ratio between the parts, and the like are not necessarily the same as actual ones. Further, even when the same part is represented, the dimensions and ratios may be represented differently depending on the drawings. Note that, in the present specification and each drawing, the same elements as those described above with reference to the previous drawings are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted as appropriate.

図１Ａ〜図１Ｂは、実施形態に係る発光装置及び照明装置を例示する模式図である。図１Ａは平面図である。図１Ｂは、図１ＡのＡ１−Ａ２線断面の一部を例示する断面図である。図１Ａ及び図１Ｂに表したように、本実施形態に係る発光装置１１０は、ベース部材７１と、グリス層５３と、放熱板５１と、接合層５２と、実装基板部１５と、発光モジュール３５とを含む。発光装置１１０は、例えば、投光器などの照明装置２１０に用いられる。   1A to 1B are schematic views illustrating the light emitting device and the lighting device according to the embodiment. FIG. 1A is a plan view. 1B is a cross-sectional view illustrating a part of the cross section along line A1-A2 of FIG. 1A. As illustrated in FIGS. 1A and 1B, the light emitting device 110 according to the present embodiment includes a base member 71, a grease layer 53, a heat sink 51, a bonding layer 52, a mounting substrate unit 15, and a light emitting module 35. Including. The light emitting device 110 is used for an illumination device 210 such as a projector.

ベース部材７１から実装基板部１５に向かう方向を積層方向（Ｚ軸方向）とする。Ｚ軸方向に対して垂直な１つの方向をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向とＸ軸方向とに対して垂直な方向をＹ軸方向とする。   A direction from the base member 71 toward the mounting substrate unit 15 is defined as a stacking direction (Z-axis direction). One direction perpendicular to the Z-axis direction is taken as an X-axis direction. A direction perpendicular to the Z-axis direction and the X-axis direction is taken as a Y-axis direction.

ベース部材７１の上に、グリス層５３、放熱板５１、接合層５２、実装基板部１５、及び、半導体発光素子２０が、この順で配置される。すなわち、半導体発光素子２０は、ベース部材７１と、Ｚ軸方向において離間する。   On the base member 71, the grease layer 53, the heat sink 51, the bonding layer 52, the mounting substrate unit 15, and the semiconductor light emitting element 20 are arranged in this order. That is, the semiconductor light emitting element 20 is separated from the base member 71 in the Z-axis direction.

実装基板部１５は、セラミック基板１０を含む。セラミック基板１０は、上面１０ｕｅを有する。セラミック基板１０は、ベース部材７１と発光モジュール３５との間に設けられる。放熱板５１は、ベース部材７１と実装基板部１５との間に設けられる。また、接合層５２は、図１Ｂに示すように、実装基板部１５と放熱板５１との間に設けられる。接合層５２は、実装基板部１５と放熱板５１とを接合する。グリス層５３は、ベース部材７１と放熱板５１との間に設けられる。グリス層５３は、放熱板５１の熱をベース部材７１に伝達する。   The mounting substrate unit 15 includes the ceramic substrate 10. The ceramic substrate 10 has an upper surface 10ue. The ceramic substrate 10 is provided between the base member 71 and the light emitting module 35. The heat sink 51 is provided between the base member 71 and the mounting substrate unit 15. Further, the bonding layer 52 is provided between the mounting substrate portion 15 and the heat sink 51 as shown in FIG. 1B. The bonding layer 52 bonds the mounting substrate unit 15 and the heat sink 51. The grease layer 53 is provided between the base member 71 and the heat sink 51. The grease layer 53 transmits the heat of the heat sink 51 to the base member 71.

以下、図１Ａ及び図１Ｂに示した発光装置１１０（及び照明装置２１０）の例について、説明する。発光装置１１０は、発光部４０が設けられる。発光部４０は、例えば、チップオンボード（ＣＯＢ）型のＬＥＤモジュールである。放熱板５１の上に、発光部４０が設けられる。放熱板５１と発光部４０との間に、接合層５２が設けられる。なお、本願明細書において、要素Ａ上に要素Ｂが設けられる状態とは、要素Ａに直接的に上に要素Ｂが設けられる状態の他に、要素Ａと要素Ｂとの間に別の要素Ｃが挿入される状態も含む。   Hereinafter, an example of the light emitting device 110 (and the lighting device 210) illustrated in FIGS. 1A and 1B will be described. The light emitting device 110 is provided with a light emitting unit 40. The light emitting unit 40 is, for example, a chip on board (COB) type LED module. A light emitting unit 40 is provided on the heat sink 51. A bonding layer 52 is provided between the heat sink 51 and the light emitting unit 40. In the specification of the present application, the state in which the element B is provided on the element A refers to another element between the element A and the element B in addition to the state in which the element B is provided directly on the element A. Including the state in which C is inserted.

放熱板５１から発光部４０に向かう方向が積層方向に対応する。本願明細書において、要素Ａと要素Ｂとが積層される状態と、要素Ａと要素Ｂとが直接接して重ねられる状態の他に、要素Ａと要素Ｂとの間に別の要素Ｃが挿入されて重ねられる状態も含む。放熱板５１は、例えば、板状である。放熱板５１の主面は、例えば、Ｘ−Ｙ平面に対して実質的に平行である。放熱板５１の平面形状は、例えば矩形である。放熱板５１は、例えば、第１〜第４辺５５ａ〜５５ｄを有する。第２辺５５ｂは、第１辺５５ａから離間する。第３辺５５ｃは、第１辺５５ａの一端と、第２辺５５ｂの一端と、を接続する。第４辺５５ｄは、第３辺５５ｃと離間し、第１辺５５ａの他端と、第２辺５５ｂの他端と、を接続する。放熱板５１の平面形状のコーナ部は、曲線状でも良い。放熱板５１の平面形状は、矩形でなくても良く、任意である。放熱板５１には、例えば、銅やアルミニウムなどの金属材や、金属とセラミックの複合材などの基板が用いられる。   The direction from the heat sink 51 toward the light emitting unit 40 corresponds to the stacking direction. In the specification of this application, in addition to the state in which element A and element B are stacked and the state in which element A and element B are directly in contact with each other, another element C is inserted between element A and element B. It also includes the state of being overlapped. The heat sink 51 is, for example, a plate shape. The main surface of the heat sink 51 is substantially parallel to the XY plane, for example. The planar shape of the heat sink 51 is, for example, a rectangle. The heat sink 51 has, for example, first to fourth sides 55a to 55d. The second side 55b is separated from the first side 55a. The third side 55c connects one end of the first side 55a and one end of the second side 55b. The fourth side 55d is separated from the third side 55c, and connects the other end of the first side 55a and the other end of the second side 55b. The planar corner portion of the heat sink 51 may be curved. The planar shape of the heat sink 51 does not have to be a rectangle and is arbitrary. For the heat radiating plate 51, for example, a metal material such as copper or aluminum, or a substrate such as a composite material of metal and ceramic is used.

接合層５２は、発光部４０で発生した熱を、放熱板５１に効率良く伝導する。例えば、接合層５２には、錫をベースにし、金、銀、銅、ビスマス、ニッケル、インジウム、亜鉛、アンチモン、ゲルマニウム及びシリコンのいずれかを少なくとも１種類以上含むはんだを用いることができる。   The bonding layer 52 efficiently conducts heat generated in the light emitting unit 40 to the heat radiating plate 51. For example, the bonding layer 52 can be made of a solder based on tin and containing at least one of gold, silver, copper, bismuth, nickel, indium, zinc, antimony, germanium, and silicon.

発光部４０は、実装基板部１５と、発光モジュール３５と、を含む。実装基板部１５は、セラミック基板１０と、第１金属層１１と、第２金属層１２と、を含む。セラミック基板１０は、第１主面１０ａと、第２主面１０ｂと、を有する。第２主面１０ｂは、第１主面１０ａとは反対側の面である。放熱板５１は、セラミック基板１０の第２主面に対向している。すなわち、第２主面１０ｂは、放熱板５１側の面であり、接合層５２の側の面でもある。本願明細書において、要素Ａと要素Ｂとが対向している状態は、要素Ａと要素Ｂとが直接面している状態に加え、要素Ａと要素Ｂとの間に別の要素Ｃが挿入されている状態も含む。   The light emitting unit 40 includes a mounting substrate unit 15 and a light emitting module 35. The mounting substrate unit 15 includes a ceramic substrate 10, a first metal layer 11, and a second metal layer 12. The ceramic substrate 10 has a first main surface 10a and a second main surface 10b. The 2nd main surface 10b is a surface on the opposite side to the 1st main surface 10a. The heat sink 51 is opposed to the second main surface of the ceramic substrate 10. That is, the second main surface 10b is a surface on the heat dissipation plate 51 side, and is also a surface on the bonding layer 52 side. In the present specification, the state in which the element A and the element B face each other includes the state in which the element A and the element B face each other directly, and another element C is inserted between the element A and the element B. Including the state that has been.

第１主面１０ａは、実装領域１６を含む。例えば、実装領域１６は、第１主面１０ａの外縁１０ｒから離間している。この例では、実装領域１６は、第１主面１０ａの中央部分に設けられる。第１主面１０ａは、周辺領域１７をさらに含む。周辺領域１７は、実装領域１６の周りの領域である。   The first major surface 10 a includes a mounting area 16. For example, the mounting region 16 is separated from the outer edge 10r of the first main surface 10a. In this example, the mounting region 16 is provided in the central portion of the first main surface 10a. The first major surface 10a further includes a peripheral region 17. The peripheral area 17 is an area around the mounting area 16.

実装基板部１５は、セラミック基板１０と、第１金属層１１と、第２金属層１２と、を含む。セラミック基板１０は、第１主面１０ａと、第２主面１０ｂと、を有する。放熱板５１は、セラミック基板１０の第２主面１０ｂに対向している。なお、本願明細書において、要素Ａと要素Ｂとが対向している状態は、要素Ａと要素Ｂとが直接面している状態に加え、要素Ａと要素Ｂとの間に別の要素Ｃが挿入されている状態も含む。   The mounting substrate unit 15 includes a ceramic substrate 10, a first metal layer 11, and a second metal layer 12. The ceramic substrate 10 has a first main surface 10a and a second main surface 10b. The heat sink 51 is opposed to the second main surface 10 b of the ceramic substrate 10. In the present specification, the state in which the element A and the element B face each other includes the state in which the element A and the element B face each other directly, and another element C between the element A and the element B. Including the state in which is inserted.

第１主面１０ａは、実装領域１６を含む。例えば、実装領域１６は、第１主面１０ａの外縁１０ｒから離間している。この例では、実装領域１６は、第１主面１０ａの中央部分に設けられる。第１主面１０ａは、周辺領域１７をさらに含む。周辺領域１７は、実装領域１６の周りの領域である。   The first major surface 10 a includes a mounting area 16. For example, the mounting region 16 is separated from the outer edge 10r of the first main surface 10a. In this example, the mounting region 16 is provided in the central portion of the first main surface 10a. The first major surface 10a further includes a peripheral region 17. The peripheral area 17 is an area around the mounting area 16.

第１金属層１１は、第１主面１０ａ上に設けられる。第１金属層１１は、複数の実装パターン１１ｐを含む。複数の実装パターン１１ｐは、実装領域１６に設けられる。複数の実装パターン１１ｐの少なくともいずれか２つ以上は、互いに離間している。複数の実装パターン１１ｐは、例えば、第１実装パターン１１ｐａ及び第２実装パターン１１ｐｂなどを含む。この例では、実装パターン１１ｐは、第３実装部分１１ｃをさらに含む。第３実装部分１１ｃは、第１実装部分１１ａと第２実装部分１１ｂとの間に設けられ、第１実装部分１１ａと第２実装部分１１ｂとを繋ぐ。   The first metal layer 11 is provided on the first major surface 10a. The first metal layer 11 includes a plurality of mounting patterns 11p. The plurality of mounting patterns 11 p are provided in the mounting area 16. At least any two of the plurality of mounting patterns 11p are separated from each other. The plurality of mounting patterns 11p include, for example, a first mounting pattern 11pa and a second mounting pattern 11pb. In this example, the mounting pattern 11p further includes a third mounting portion 11c. The third mounting portion 11c is provided between the first mounting portion 11a and the second mounting portion 11b, and connects the first mounting portion 11a and the second mounting portion 11b.

第１金属層１１は、複数の実装パターン１１ｐを互いに接続する接続部４４をさらに含む。本実施形態では、第１金属層１１は、第１コネクタ用電極部４５ｅと第２コネクタ用電極部４６ｅとをさらに含む。第１コネクタ用電極部４５ｅは、複数の実装パターン１１ｐのうちの１つと電気的に接続される。第２コネクタ用電極部４６ｅは、複数の実装パターン１１ｐのうち、その１つとは別の１つと電気的に接続される。例えば、１つの実装パターン１１ｐの一部の上に半導体発光素子２０が配置される。この半導体発光素子２０により、第１コネクタ用電極部４５ｅが、実装パターン１１ｐの１つと電気的に接続される。さらに、別の１つの実装パターン１１ｐの一部の上に半導体発光素子２０が配置される。この半導体発光素子２０により、第１コネクタ用電極部４５ｅが、実装パターン１１ｐの１つと電気的に接続される。さらに、別の１つの実装パターン１１ｐの一部の上に半導体発光素子２０が配置される。この半導体発光素子２０により、第２コネクタ用電極部４６ｅが、別の１つの実装パターン１１ｐの１つと電気的に接続される。   The first metal layer 11 further includes a connection portion 44 that connects the plurality of mounting patterns 11p to each other. In the present embodiment, the first metal layer 11 further includes a first connector electrode portion 45e and a second connector electrode portion 46e. The first connector electrode portion 45e is electrically connected to one of the plurality of mounting patterns 11p. The second connector electrode portion 46e is electrically connected to one of the plurality of mounting patterns 11p other than the one. For example, the semiconductor light emitting element 20 is disposed on a part of one mounting pattern 11p. By this semiconductor light emitting element 20, the first connector electrode portion 45e is electrically connected to one of the mounting patterns 11p. Furthermore, the semiconductor light emitting element 20 is disposed on a part of another mounting pattern 11p. By this semiconductor light emitting element 20, the first connector electrode portion 45e is electrically connected to one of the mounting patterns 11p. Furthermore, the semiconductor light emitting element 20 is disposed on a part of another mounting pattern 11p. By this semiconductor light emitting element 20, the second connector electrode portion 46e is electrically connected to one of the other mounting patterns 11p.

この例では、発光部４０は、第１主面１０ａ上に設けられた第１コネクタ４５と、第２コネクタ４６と、をさらに含む。第１コネクタ４５は、第１コネクタ用電極部４５ｅと電気的に接続される。第２コネクタ４６は、第２コネクタ用電極部４６ｅと電気的に接続される。本実施形態では、第１コネクタ用電極部４５ｅの上に、第１コネクタ４５が設けられている。第２コネクタ用電極部４６ｅの上に、第２コネクタ４６が設けられている。第１コネクタ４５と、第２コネクタ４６と、の間に発光モジュール３５が配置される。第１コネクタ４５及び第２コネクタ４６を介して、発光部４０に電力が供給される。   In this example, the light emitting unit 40 further includes a first connector 45 and a second connector 46 provided on the first main surface 10a. The first connector 45 is electrically connected to the first connector electrode portion 45e. The second connector 46 is electrically connected to the second connector electrode portion 46e. In the present embodiment, the first connector 45 is provided on the first connector electrode portion 45e. A second connector 46 is provided on the second connector electrode portion 46e. The light emitting module 35 is disposed between the first connector 45 and the second connector 46. Electric power is supplied to the light emitting unit 40 via the first connector 45 and the second connector 46.

第２金属層１２は、第２主面１０ｂ上に設けられる。第２金属層１２は、第１金属層１１と電気的に絶縁されている。第２金属層１２の少なくとも一部は、Ｘ−Ｙ平面（第１主面１０ａに対して平行な第１平面）に投影したときに、実装領域１６と重なる。   The second metal layer 12 is provided on the second major surface 10b. The second metal layer 12 is electrically insulated from the first metal layer 11. At least a part of the second metal layer 12 overlaps the mounting region 16 when projected onto the XY plane (a first plane parallel to the first major surface 10a).

発光モジュール３５は、セラミック基板１０の第１主面１０ａ上に設けられる。発光モジュール３５は、複数の半導体発光素子２０と、封止樹脂３１と、接着層１００と、を含む。例えば、複数の半導体発光素子２０は、アレイ状に配置される。また、半導体発光素子２０は、例えば、略円形状に配置される。また、半導体発光素子２０は、例えば、略等ピッチで配置される。複数の半導体発光素子２０は、第１主面１０ａ上に設けられる。複数の半導体発光素子２０のそれぞれは、光を放出する。半導体発光素子２０は、例えば窒化物半導体を含む。   The light emitting module 35 is provided on the first main surface 10 a of the ceramic substrate 10. The light emitting module 35 includes a plurality of semiconductor light emitting elements 20, a sealing resin 31, and an adhesive layer 100. For example, the plurality of semiconductor light emitting elements 20 are arranged in an array. Further, the semiconductor light emitting element 20 is arranged in a substantially circular shape, for example. Moreover, the semiconductor light emitting elements 20 are arranged at substantially equal pitches, for example. The plurality of semiconductor light emitting elements 20 are provided on the first major surface 10a. Each of the plurality of semiconductor light emitting elements 20 emits light. The semiconductor light emitting element 20 includes, for example, a nitride semiconductor.

複数の半導体発光素子２０は、例えば、第１半導体発光素子２０ａ及び第２半導体発光素子２０ｂを含む。複数の半導体発光素子２０のそれぞれは、複数の実装パターン１１ｐのうちのいずれかの実装パターン１１ｐと、複数の実装パターン１１ｐのうちの上記のいずれかの隣の別の実装パターン１１ｐと、電気的に接続されている。例えば、第１半導体発光素子２０ａは、複数の実装パターン１１ｐのうちの第１実装パターン１１ｐａと、第２実装パターン１１ｐｂと、電気的に接続されている。第２実装パターン１１ｐｂは、第１実装パターン１１ｐａの隣の別の実装パターン１１ｐに相当する。例えば、複数の半導体発光素子２０のそれぞれは、第１導電形の第１半導体層２１と、第２導電形の第２半導体層２２と、発光層２３と、を含む。例えば、第１導電形はｎ形であり、第２導電形はｐ形である。第１導電形がｐ形であり、第２導電形がｎ形でも良い。   The plurality of semiconductor light emitting elements 20 include, for example, a first semiconductor light emitting element 20a and a second semiconductor light emitting element 20b. Each of the plurality of semiconductor light emitting elements 20 is electrically connected to any one of the plurality of mounting patterns 11p and another mounting pattern 11p adjacent to any one of the plurality of mounting patterns 11p. It is connected to the. For example, the first semiconductor light emitting element 20a is electrically connected to the first mounting pattern 11pa and the second mounting pattern 11pb among the plurality of mounting patterns 11p. The second mounting pattern 11pb corresponds to another mounting pattern 11p adjacent to the first mounting pattern 11pa. For example, each of the plurality of semiconductor light emitting elements 20 includes a first semiconductor layer 21 having a first conductivity type, a second semiconductor layer 22 having a second conductivity type, and a light emitting layer 23. For example, the first conductivity type is n-type and the second conductivity type is p-type. The first conductivity type may be p-type and the second conductivity type may be n-type.

第１半導体層２１は、第１の部分（第１半導体部分２１ａ）と、第２の部分（第２半導体部分２１ｂ）と、を含む。第２半導体部分２１ｂは、積層方向（放熱板５１から発光部４０に向かうＺ軸方向）に対して交差する方向（例えば、Ｘ軸方向）において、第１半導体部分２１ａと並ぶ。   The first semiconductor layer 21 includes a first portion (first semiconductor portion 21a) and a second portion (second semiconductor portion 21b). The second semiconductor portion 21b is aligned with the first semiconductor portion 21a in a direction (for example, the X-axis direction) intersecting the stacking direction (Z-axis direction from the heat sink 51 toward the light emitting unit 40).

第２半導体層２２は、第２半導体部分２１ｂと実装基板部１５との間に設けられる。発光層２３は、第２半導体部分２１ｂと第２半導体層２２との間に設けられる。半導体発光素子２０は、例えば、フリップチップ型のＬＥＤである。フリップチップ型のＬＥＤを半導体発光素子２０として適用した場合には、半導体発光素子２０の熱は、セラミック基板１０側から放出される。したがって、半導体発光素子２０の温度上昇が抑えられる。   The second semiconductor layer 22 is provided between the second semiconductor portion 21 b and the mounting substrate unit 15. The light emitting layer 23 is provided between the second semiconductor portion 21 b and the second semiconductor layer 22. The semiconductor light emitting element 20 is, for example, a flip chip type LED. When the flip chip type LED is applied as the semiconductor light emitting element 20, the heat of the semiconductor light emitting element 20 is released from the ceramic substrate 10 side. Therefore, the temperature rise of the semiconductor light emitting element 20 can be suppressed.

例えば、第１半導体層２１の第１半導体部分２１ａが、実装パターン１１ｐの第１実装部分１１ａと対向している。第２半導体層２２が、実装パターン１１ｐの第２実装部分１１ｂと対向している。第１半導体層２１の第１半導体部分２１ａは、実装パターン１１ｐと電気的に接続される。第２半導体層２２は、別の実装パターン１１ｐと電気的に接続される。   For example, the first semiconductor portion 21a of the first semiconductor layer 21 faces the first mounting portion 11a of the mounting pattern 11p. The second semiconductor layer 22 faces the second mounting portion 11b of the mounting pattern 11p. The first semiconductor portion 21a of the first semiconductor layer 21 is electrically connected to the mounting pattern 11p. The second semiconductor layer 22 is electrically connected to another mounting pattern 11p.

ここで、発光モジュール３５は、第１接合金属部材２１ｅと、第２接合金属部材２２ｅと、をさらに含む。第１接合金属部材２１ｅは、第１半導体部分２１ａと、いずれかの実装パターン１１ｐ（例えば第１実装部分１１ａ）と、の間に設けられる。第２接合金属部材２２ｅは、第２半導体層２２と、別の実装パターン１１ｐ（例えば、第２実装パターン１１ｐｂ）と、の間に設けられる。第１接合金属部材２１ｅ及び第２接合金属部材２２ｅの少なくともいずれかは、はんだ、または、金バンプを含む。これにより、第１接合金属部材２１ｅ及び第２接合金属部材２２ｅのそれぞれの断面積（Ｘ−Ｙ平面で切断したときの断面積）を大きくできる。したがって、第１接合金属部材２１ｅ及び第２接合金属部材２２ｅを介して、熱を効率良く、実装基板部１５に伝えることができ、放熱性が高まる。   Here, the light emitting module 35 further includes a first bonding metal member 21e and a second bonding metal member 22e. The first bonding metal member 21e is provided between the first semiconductor portion 21a and one of the mounting patterns 11p (for example, the first mounting portion 11a). The second bonding metal member 22e is provided between the second semiconductor layer 22 and another mounting pattern 11p (for example, the second mounting pattern 11pb). At least one of the first bonding metal member 21e and the second bonding metal member 22e includes solder or gold bumps. Thereby, each cross-sectional area (cross-sectional area when cut | disconnected by an XY plane) of the 1st joining metal member 21e and the 2nd joining metal member 22e can be enlarged. Therefore, heat can be efficiently transmitted to the mounting substrate portion 15 via the first bonding metal member 21e and the second bonding metal member 22e, and heat dissipation is improved.

ここで、発光モジュール３５の一例について、発光モジュール３５を簡略化して示した図２を用いて詳細に説明する。図２は、発光モジュール３５の一例を説明するための簡略図である。図２に示すように、発光モジュール３５は、実装パターン１１ｐと、実装基板１５（基板の一例に相当）と、半導体発光素子２０と、封止樹脂３１（封止部材の一例に相当）と、枠３２と、接着層１００とを含む。なお、図２では、発光モジュール３５は、説明を簡単にするため１個の半導体発光素子２０を含む例を示すが、複数の半導体発光素子２０を含んでもよい。   Here, an example of the light emitting module 35 will be described in detail with reference to FIG. 2 in which the light emitting module 35 is simplified. FIG. 2 is a simplified diagram for explaining an example of the light emitting module 35. As shown in FIG. 2, the light emitting module 35 includes a mounting pattern 11p, a mounting substrate 15 (corresponding to an example of a substrate), a semiconductor light emitting element 20, and a sealing resin 31 (corresponding to an example of a sealing member). The frame 32 and the adhesive layer 100 are included. 2 shows an example in which the light emitting module 35 includes one semiconductor light emitting element 20 for ease of explanation, but the light emitting module 35 may include a plurality of semiconductor light emitting elements 20.

半導体発光素子２０は、光を放出する。なお、半導体発光素子２０は、任意の発光素子を用いることができる。半導体発光素子２０は、特にフリップチップタイプの半導体発光素子であるのが望ましい。半導体発光素子２０は、実装基板１５上に設けられる。また、半導体発光素子２０は、実装パターン１１ｐと電気的に接続されている。   The semiconductor light emitting device 20 emits light. As the semiconductor light emitting element 20, any light emitting element can be used. The semiconductor light emitting element 20 is preferably a flip chip type semiconductor light emitting element. The semiconductor light emitting element 20 is provided on the mounting substrate 15. Further, the semiconductor light emitting element 20 is electrically connected to the mounting pattern 11p.

封止樹脂３１は、半導体発光素子２０を覆って封止する。封止樹脂３１は、複数の半導体発光素子２０から放出される光（例えば第１光）の少なくとも一部を吸収し、第２光を放出する。具体的には、封止樹脂３１は、半導体発光素子２０が放出した光を当該光の波長とは異なる波長の光に変換する蛍光体を含む。例えば、封止樹脂３１は、蛍光体などの複数の波長変換粒子と、複数の波長変換粒子が分散された光透過性樹脂と、を含む。   The sealing resin 31 covers and seals the semiconductor light emitting element 20. The sealing resin 31 absorbs at least part of light (for example, first light) emitted from the plurality of semiconductor light emitting elements 20 and emits second light. Specifically, the sealing resin 31 includes a phosphor that converts light emitted from the semiconductor light emitting element 20 into light having a wavelength different from the wavelength of the light. For example, the sealing resin 31 includes a plurality of wavelength conversion particles such as a phosphor and a light transmissive resin in which the plurality of wavelength conversion particles are dispersed.

一例としては、封止樹脂３１は、４５０ｎｍ又は５５０ｎｍの波長に対する全光線透過率が８５％以上の材料である水ガラス等によって形成される。なお、封止樹脂３１は、４５０ｎｍ又は５５０ｎｍの波長に対する全光線透過率が８５％以上の材料より硬化温度が低い材料によって形成されてもよい。   As an example, the sealing resin 31 is formed of water glass or the like that is a material having a total light transmittance of 85% or more with respect to a wavelength of 450 nm or 550 nm. The sealing resin 31 may be formed of a material having a lower curing temperature than a material having a total light transmittance of 85% or more with respect to a wavelength of 450 nm or 550 nm.

枠３２は、Ｘ−Ｙ平面内で封止樹脂３１を囲む。枠３２には、例えば、光反射性を有する金属酸化物などの複数の粒子と、その粒子が分散された光透過性樹脂と、を含む。発光モジュール３５は、枠３２を設けることで、半導体発光素子２０から放出された光が、積層方向に沿った方向（例えば上方向）に沿って効率良く出射できる。なお、本実施形態では、枠３２および実装基板部１５によって形成された空間に、蛍光体などの複数の波長変換粒子が分散された光透過性樹脂が充填されて硬化されることにより、封止樹脂３１が形成される。このため、枠３２は、封止樹脂を囲む枠としての機能を有する。   The frame 32 surrounds the sealing resin 31 in the XY plane. The frame 32 includes, for example, a plurality of particles such as a metal oxide having light reflectivity, and a light transmissive resin in which the particles are dispersed. By providing the frame 32, the light emitting module 35 can efficiently emit light emitted from the semiconductor light emitting element 20 along a direction (for example, upward direction) along the stacking direction. In the present embodiment, the space formed by the frame 32 and the mounting substrate unit 15 is filled with a light-transmitting resin in which a plurality of wavelength conversion particles such as phosphors are dispersed and cured, thereby sealing. Resin 31 is formed. For this reason, the frame 32 has a function as a frame surrounding the sealing resin.

接着層１００は、図２に示すように、封止樹脂３１と、実装基板部１５とを接着する。言い換えると、接着層１００は、封止樹脂３１と実装基板部１５との間に形成される空間を埋めるように、封止樹脂３１と、実装基板部１５とを接着する。   As illustrated in FIG. 2, the adhesive layer 100 adheres the sealing resin 31 and the mounting substrate unit 15. In other words, the adhesive layer 100 bonds the sealing resin 31 and the mounting substrate unit 15 so as to fill a space formed between the sealing resin 31 and the mounting substrate unit 15.

また、接着層１００は、一例としては、図２に示すように、封止樹脂３１と、枠３２とを接着する。また、接着層１００は、一例としては、図２に示すように、封止樹脂３１と、半導体発光素子２０とを接着する。また、接着層１００は、一例としては、図２に示すように、封止樹脂３１と、実装パターン１１ｐとを接着する。   Further, as an example, the adhesive layer 100 bonds the sealing resin 31 and the frame 32 as shown in FIG. For example, the adhesive layer 100 bonds the sealing resin 31 and the semiconductor light emitting element 20 as shown in FIG. Further, as an example, the adhesive layer 100 bonds the sealing resin 31 and the mounting pattern 11p as shown in FIG.

これにより、接着層１００は、封止樹脂３１と実装基板部１５とを接着部材によって接着することができるので、耐光性、耐熱性または耐熱衝撃性を高めることができる。例えば、接着層１００は、封止樹脂３１と実装基板部１５との間の封着応力を高めることができるので、封止樹脂３１と実装基板部１５との剥離を防ぐことができる。   Thereby, since the adhesive layer 100 can adhere | attach the sealing resin 31 and the mounting substrate part 15 with an adhesive member, it can improve light resistance, heat resistance, or thermal shock resistance. For example, since the adhesive layer 100 can increase the sealing stress between the sealing resin 31 and the mounting substrate unit 15, peeling between the sealing resin 31 and the mounting substrate unit 15 can be prevented.

例えば、接着層１００は、４５０ｎｍ又は５５０ｎｍの波長に対する全光線透過率が８５％以上の透明無機材によって形成される。一例としては、接着層１００は、透明無機材として、４５０ｎｍ又は５５０ｎｍの波長に対する全光線透過率が８５％以上の材料である水ガラス等によって形成される。   For example, the adhesive layer 100 is formed of a transparent inorganic material having a total light transmittance of 85% or more with respect to a wavelength of 450 nm or 550 nm. As an example, the adhesive layer 100 is formed of water glass or the like that is a material having a total light transmittance of 85% or more with respect to a wavelength of 450 nm or 550 nm as a transparent inorganic material.

これにより、接着層１００は、硬化温度の低い透明無機材を用いて封止樹脂３１と実装基板部１５とを接着することができるので、耐光性、耐熱性または耐熱衝撃性をより高めることができる。例えば、接着層１００は、封止樹脂３１と実装基板部１５とを接着する接着部材を硬化しやすくすることができるので、封止樹脂３１と実装基板部１５との間の接合界面の剥離を防ぐことができる。   Thereby, since the adhesive layer 100 can adhere | attach the sealing resin 31 and the mounting board | substrate part 15 using the transparent inorganic material with low curing temperature, it can improve light resistance, heat resistance, or thermal shock resistance more. it can. For example, since the adhesive layer 100 can easily cure the adhesive member that bonds the sealing resin 31 and the mounting substrate unit 15, the bonding interface between the sealing resin 31 and the mounting substrate unit 15 can be peeled off. Can be prevented.

次に、本実施形態に係る発光装置１１０の製造方法の一例について説明する。図３は、発光装置１１０の製造方法の一例を示すフローチャートである。図３に示すように、１番目の工程（工程（１））では、実装基板部１５上に半導体発光素子２０を実装する。なお、図３の例では、説明を簡単にするため、実装基板部１５上に１個の半導体発光素子２０を実装する例を示すが、実際には複数の半導体発光素子２０を実装する。半導体発光素子２０は、例えば、アレイ状や略円形状、略等ピッチに配置される。半導体発光素子２０は、例えば、窒化物半導体を含み、光を放出する。また、工程（１）では、実装基板部１５上に枠３２を実装する。例えば、工程（１）では、半導体発光素子２０の周囲を囲むように、枠３２を形成する。また、枠３２は、封止樹脂３１を囲むように予め形成される。枠３２は、例えば、光反射性を有する金属酸化物などの複数の粒子と、その粒子が分散された光透過性樹脂と、を含む。一例としては、工程（１）では、枠３２を加熱して硬化させることで形成する。また、工程（１）では、封止樹脂３１により半導体発光素子２０を封止する。例えば、工程（１）では、封止樹脂３１を半導体発光素子２０の上に重ねることで半導体発光素子２０を封止する。言い換えると、工程（１）では、封止樹脂３１を実装基板部１５に配置する。封止樹脂３１は、フリップチップタイプの半導体発光素子２０や枠３２の内部側の外面形状に沿った形状を有する。すなわち、封止樹脂３１を実装基板部１５の実装側に配置した場合に、半導体発光素子２０や枠３２の間にわずかに隙間ができる程度の形状にあらかじめ成形されたものである。   Next, an example of a method for manufacturing the light emitting device 110 according to the present embodiment will be described. FIG. 3 is a flowchart illustrating an example of a method for manufacturing the light emitting device 110. As shown in FIG. 3, in the first step (step (1)), the semiconductor light emitting element 20 is mounted on the mounting substrate portion 15. 3 shows an example in which one semiconductor light emitting element 20 is mounted on the mounting substrate portion 15 in order to simplify the description, a plurality of semiconductor light emitting elements 20 are actually mounted. The semiconductor light emitting elements 20 are arranged in, for example, an array shape, a substantially circular shape, or a substantially equal pitch. The semiconductor light emitting element 20 includes, for example, a nitride semiconductor and emits light. In step (1), the frame 32 is mounted on the mounting substrate unit 15. For example, in step (1), the frame 32 is formed so as to surround the periphery of the semiconductor light emitting element 20. The frame 32 is formed in advance so as to surround the sealing resin 31. The frame 32 includes, for example, a plurality of particles such as a metal oxide having light reflectivity, and a light transmissive resin in which the particles are dispersed. As an example, in the step (1), the frame 32 is formed by heating and curing. In the step (1), the semiconductor light emitting element 20 is sealed with the sealing resin 31. For example, in the step (1), the semiconductor light emitting element 20 is sealed by overlapping the sealing resin 31 on the semiconductor light emitting element 20. In other words, in the step (1), the sealing resin 31 is disposed on the mounting substrate unit 15. The sealing resin 31 has a shape along the outer surface shape on the inner side of the flip chip type semiconductor light emitting element 20 and the frame 32. That is, when the sealing resin 31 is disposed on the mounting side of the mounting substrate portion 15, it is molded in advance into a shape that allows a slight gap between the semiconductor light emitting element 20 and the frame 32.

続いて、２番目の工程（工程（２））では、封止樹脂３１と実装基板部１５とを接着部材で接着する。具体的には、工程（２）では、図３の中央に示すように、封止樹脂３１と実装基板部１５との間の空間に接着部材を注入する。言い換えると、工程（２）では、封止樹脂３１と、実装基板部１５と、半導体発光素子２０と、枠３２との間にできるわずかな空間に接着部材を注入する。例えば、工程（２）では、接着部材として、４５０ｎｍ又は５５０ｎｍの波長に対する全光線透過率が８５％以上の材料である水ガラス等を注入する。なお、接着部材の注入は、工程（１）において封止樹脂３１により半導体発光素子２０を封止する前に行ってもよい。すなわち、工程（１）では、封止樹脂３１により半導体発光素子２０を封止する前に、接着部材を半導体発光素子２０の上に配置してもよい。   Subsequently, in the second step (step (2)), the sealing resin 31 and the mounting substrate unit 15 are bonded with an adhesive member. Specifically, in the step (2), as shown in the center of FIG. 3, an adhesive member is injected into the space between the sealing resin 31 and the mounting substrate unit 15. In other words, in the step (2), the adhesive member is injected into a slight space formed between the sealing resin 31, the mounting substrate unit 15, the semiconductor light emitting element 20, and the frame 32. For example, in the step (2), water glass or the like which is a material having a total light transmittance of 85% or more with respect to a wavelength of 450 nm or 550 nm is injected as an adhesive member. The injection of the adhesive member may be performed before the semiconductor light emitting element 20 is sealed with the sealing resin 31 in the step (1). That is, in the step (1), the adhesive member may be disposed on the semiconductor light emitting element 20 before sealing the semiconductor light emitting element 20 with the sealing resin 31.

そして、３番目の工程（工程（３））では、封止樹脂３１と接着部材とを硬化させる。これにより、工程（３）では、封止樹脂３１と接着層１００とが形成される。言い換えると、工程（３）では、封止樹脂３１と、実装基板部１５との間に接着層１００が形成される。すなわち、工程（３）では、封止樹脂３１と実装基板部１５とがわずかな隙間に注入された接着部材によって接着される。接着層１００は、一例としては、封止樹脂３１と、枠３２とを接着する。また、接着層１００は、一例としては、封止樹脂３１と、半導体発光素子２０とを接着する。例えば、接着層１００は、４５０ｎｍ又は５５０ｎｍの波長に対する全光線透過率が８５％以上の透明無機材によって形成される。一例としては、接着層１００は、透明無機材として、４５０ｎｍ又は５５０ｎｍの波長に対する全光線透過率が８５％以上の材料である水ガラス等によって形成される。これにより、本実施形態に係る発光装置１１０の製造方法は、耐光性、耐熱性または耐熱衝撃性の高い発光モジュールを製造することができる。   In the third step (step (3)), the sealing resin 31 and the adhesive member are cured. Thereby, the sealing resin 31 and the adhesive layer 100 are formed in the step (3). In other words, in the step (3), the adhesive layer 100 is formed between the sealing resin 31 and the mounting substrate portion 15. That is, in the step (3), the sealing resin 31 and the mounting substrate unit 15 are bonded by an adhesive member injected into a slight gap. For example, the adhesive layer 100 adheres the sealing resin 31 and the frame 32. For example, the adhesive layer 100 adheres the sealing resin 31 and the semiconductor light emitting element 20. For example, the adhesive layer 100 is formed of a transparent inorganic material having a total light transmittance of 85% or more with respect to a wavelength of 450 nm or 550 nm. As an example, the adhesive layer 100 is formed of water glass or the like that is a material having a total light transmittance of 85% or more with respect to a wavelength of 450 nm or 550 nm as a transparent inorganic material. Thereby, the manufacturing method of the light-emitting device 110 which concerns on this embodiment can manufacture a light-emitting module with high light resistance, heat resistance, or thermal shock resistance.

上記実施形態では、接着層１００を形成する接着部材として、４５０ｎｍ又は５５０ｎｍの波長に対する全光線透過率が８５％以上の材料である水ガラス等を用いる例を示した。ここで、接着層１００は、他の材料を用いて形成されてもよい。   In the said embodiment, the example using the water glass etc. which are the materials whose total light transmittance with respect to the wavelength of 450 nm or 550 nm is 85% or more was shown as an adhesive member which forms the contact bonding layer 100. Here, the adhesive layer 100 may be formed using other materials.

具体的には、接着層１００は、接着部材として、封止樹脂３１より硬化温度が低い材料を用いて形成されてもよい。例えば、接着層１００は、４５０ｎｍ又は５５０ｎｍの波長に対する全光線透過率が８５％以上の材料より硬化温度が低い材料を用いて形成されてもよい。すなわち、図３に示す工程（２）では、接着部材として、封止樹脂３１より硬化温度が低い材料を実装基板部１５と、封止樹脂３１と、枠３２との間に注入する。なお、接着層１００は、接着部材として、封止樹脂３１と同じ材料によって形成されてもよい。   Specifically, the adhesive layer 100 may be formed using a material having a lower curing temperature than the sealing resin 31 as an adhesive member. For example, the adhesive layer 100 may be formed using a material having a lower curing temperature than a material having a total light transmittance of 85% or more with respect to a wavelength of 450 nm or 550 nm. That is, in the step (2) shown in FIG. 3, a material having a lower curing temperature than the sealing resin 31 is injected as an adhesive member between the mounting substrate portion 15, the sealing resin 31, and the frame 32. The adhesive layer 100 may be formed of the same material as the sealing resin 31 as an adhesive member.

これにより、接着層１００は、封止樹脂３１より硬化温度が低い材料を用いて封止樹脂３１と実装基板部１５とを接着することができるので、封止樹脂３１と実装基板部１５とをより容易に接着することができる。   Thereby, since the adhesive layer 100 can adhere the sealing resin 31 and the mounting substrate unit 15 using a material having a lower curing temperature than the sealing resin 31, the sealing resin 31 and the mounting substrate unit 15 are bonded together. It can be bonded more easily.

また、上記実施形態では、接着部材を用いて封止部材（例えば、封止樹脂３１）と基板（例えば、実装基板部１５）とを接着する例を示した。ここで、接着層１００は、接着層１００の熱膨張率が各種の値に調整されてもよい。   Moreover, in the said embodiment, the example which adhere | attaches a sealing member (for example, sealing resin 31) and a board | substrate (for example, mounting board | substrate part 15) using the adhesive member was shown. Here, the adhesive layer 100 may have the coefficient of thermal expansion of the adhesive layer 100 adjusted to various values.

具体的には、接着層１００は、接着部材の熱膨張率が、封止部材の熱膨張率と基板の熱膨張率との間の値にされてもよい。この点について、図４〜図６を用いて詳細に説明する。   Specifically, the adhesive layer 100 may have a thermal expansion coefficient of the adhesive member that is between the thermal expansion coefficient of the sealing member and the thermal expansion coefficient of the substrate. This point will be described in detail with reference to FIGS.

図４は、基材の熱膨張率の一例を示す図である。図４に示すように、熱膨張率αは、各種の基材によって異なる。例えば、アルミニウム（Ａｌ）の熱膨張率αは、２．４×１０−５である。酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）の熱膨張率αは、５．４×１０−６である。窒化アルミニウム（ＡｌＮ３）の熱膨張率αは、４．６×１０−６である。窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）の熱膨張率αは、３．０×１０−６である。 FIG. 4 is a diagram illustrating an example of the coefficient of thermal expansion of the substrate. As shown in FIG. 4, the coefficient of thermal expansion α varies depending on various base materials. For example, the thermal expansion coefficient α of aluminum (Al) is 2.4 × 10 −5 . The thermal expansion coefficient α of aluminum oxide (Al 2 O 3) is 5.4 × 10 −6 . The thermal expansion coefficient α of aluminum nitride (AlN3) is 4.6 × 10 −6 . The thermal expansion coefficient α of silicon nitride (Si3N4) is 3.0 × 10 −6 .

例えば、接着層１００を形成する接着部材の熱膨張率を、封止部材の熱膨張率より大きく、かつ、基板の熱膨張率より小さい値にする。すなわち、各部材の熱膨張率が、封止樹脂３１（蛍光体分散）＜接着層１００＜実装基板部１５の関係になるように傾斜する。   For example, the thermal expansion coefficient of the adhesive member forming the adhesive layer 100 is set to a value larger than the thermal expansion coefficient of the sealing member and smaller than the thermal expansion coefficient of the substrate. That is, the thermal expansion coefficient of each member is inclined so that the relationship of sealing resin 31 (phosphor dispersion) <adhesive layer 100 <mounting substrate portion 15 is satisfied.

図５は、各部材の熱膨張率の一例を示す図である。一例としては、図５に示すように、接着層１００の熱膨張率は、１．０×１０−５に設定する。封止樹脂３１の熱膨張率は、８×１０−６に設定する。実装基板部１５の熱膨張率は、例えば、Ａｌを用いて２．４×１０−５に設定する。このように、接着部材の熱膨張率を、封止部材の熱膨張率より大きく、かつ、基板の熱膨張率より小さい値にする。 FIG. 5 is a diagram illustrating an example of the coefficient of thermal expansion of each member. As an example, as shown in FIG. 5, the thermal expansion coefficient of the adhesive layer 100 is set to 1.0 × 10 −5 . The thermal expansion coefficient of the sealing resin 31 is set to 8 × 10 −6 . The thermal expansion coefficient of the mounting substrate portion 15 is set to 2.4 × 10 −5 using Al, for example. Thus, the thermal expansion coefficient of the adhesive member is set to a value larger than the thermal expansion coefficient of the sealing member and smaller than the thermal expansion coefficient of the substrate.

他の例では、接着層１００は、接着部材の熱膨張率を、封止部材の熱膨張率より小さく、かつ、基板の熱膨張率より大きい値にする。すなわち、熱膨張率が、実装基板部１５＜接着層１００＜封止樹脂３１（蛍光体分散）の関係になるように傾斜する。接着層１００の熱膨張率は、添加するフィラーの種類や添加量により調整可能である。フィラーとしては、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素などの熱伝導率が高く、かつ導電性は有さないセラミック系フィラーを用いるのが望ましい。   In another example, the adhesive layer 100 sets the thermal expansion coefficient of the adhesive member to a value smaller than the thermal expansion coefficient of the sealing member and larger than the thermal expansion coefficient of the substrate. That is, the thermal expansion coefficient is inclined so that the mounting substrate portion 15 <the adhesive layer 100 <the sealing resin 31 (phosphor dispersion). The coefficient of thermal expansion of the adhesive layer 100 can be adjusted by the type and amount of filler added. As the filler, it is desirable to use a ceramic filler having a high thermal conductivity such as aluminum nitride, silicon nitride, or silicon carbide and having no electrical conductivity.

図６は、各部材の熱膨張率の一例を示す図である。一例としては、図６に示すように、接着層１００の熱膨張率は、６．０×１０−６に設定する。封止樹脂３１の熱膨張率は、８×１０−６に設定する。封止樹脂３１の熱膨張率も、フィラーを添加するなどにより調整が可能である。封止樹脂３１に添加するフィラーには、透明性の高い無機系フィラーが望ましい。実装基板部１５の熱膨張率は、例えば、Ａｌ２Ｏ３を用いて５．４×１０−６に設定する。なお、実装基板部１５の熱膨張率は、ＡｌＮ３を用いて４．６×１０−６に設定してもよい。また、実装基板部１５の熱膨張率は、Ｓｉ３Ｎ４を用いて３．０×１０−６に設定してもよい。このように、接着部材の熱膨張率を、封止部材の熱膨張率より小さく、かつ、基板の熱膨張率より大きい値にする。 FIG. 6 is a diagram illustrating an example of the coefficient of thermal expansion of each member. As an example, as shown in FIG. 6, the thermal expansion coefficient of the adhesive layer 100 is set to 6.0 × 10 −6 . The thermal expansion coefficient of the sealing resin 31 is set to 8 × 10 −6 . The thermal expansion coefficient of the sealing resin 31 can also be adjusted by adding a filler. The filler added to the sealing resin 31 is preferably an inorganic filler with high transparency. The thermal expansion coefficient of the mounting substrate portion 15 is set to 5.4 × 10 −6 using, for example, Al 2 O 3. Note that the thermal expansion coefficient of the mounting substrate unit 15 may be set to 4.6 × 10 −6 using AlN 3. Further, the thermal expansion coefficient of the mounting substrate portion 15 may be set to 3.0 × 10 −6 using Si 3 N 4. Thus, the thermal expansion coefficient of the adhesive member is set to a value smaller than the thermal expansion coefficient of the sealing member and larger than the thermal expansion coefficient of the substrate.

これにより、接着層１００は、接着部材の熱膨張率が封止部材の熱膨張率と基板の熱膨張率との間の値になるので、封止部材と基板とを高い安定性で接着することができる。例えば、接着層１００は、熱膨張率が封止部材または基板のいずれか一方より熱によって膨張しないので、半導体発光素子２０を安定して封止することができる。   Thereby, since the thermal expansion coefficient of the adhesive member becomes a value between the thermal expansion coefficient of the sealing member and the thermal expansion coefficient of the substrate, the adhesive layer 100 bonds the sealing member and the substrate with high stability. be able to. For example, since the thermal expansion coefficient of the adhesive layer 100 is not expanded by heat from either the sealing member or the substrate, the semiconductor light emitting element 20 can be stably sealed.

また、上記実施形態では、接着層１００は、封止樹脂３１と、枠３２とを接着する例を示した。ここで、接着層１００は、封止樹脂３１と、枠３２とを接着しなくてもよい。   Moreover, in the said embodiment, the contact bonding layer 100 showed the example which adhere | attaches the sealing resin 31 and the frame 32. FIG. Here, the adhesive layer 100 may not adhere the sealing resin 31 and the frame 32.

この点について、図７を用いて説明する。図７は、接着層１００の一例を説明するための図である。図７に示すように、接着層１００は、封止樹脂３１と実装基板部１５との間に形成される。すなわち、接着層１００は、封止樹脂３１と実装基板部１５とを接着する。なお、接着層１００は、封止樹脂３１と枠３２との間には形成されない。すなわち、接着層１００は、封止樹脂３１と枠３２とを接着しない。   This point will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a diagram for explaining an example of the adhesive layer 100. As shown in FIG. 7, the adhesive layer 100 is formed between the sealing resin 31 and the mounting substrate unit 15. That is, the adhesive layer 100 adheres the sealing resin 31 and the mounting substrate unit 15. Note that the adhesive layer 100 is not formed between the sealing resin 31 and the frame 32. That is, the adhesive layer 100 does not adhere the sealing resin 31 and the frame 32.

この場合、図２に示す工程（１）および工程（２）では、例えば、封止樹脂３１を実装基板部１５の上に重ねる前に、接着層１００の接着部材を実装基板部１５の上に配置する。そして、接着層１００の接着部材を実装基板部１５の上に配置した後に、封止樹脂３１を実装基板部１５の上に重ねて半導体発光素子２０を封止する。   In this case, in the step (1) and the step (2) shown in FIG. 2, for example, before the sealing resin 31 is overlaid on the mounting substrate unit 15, the adhesive member of the adhesive layer 100 is placed on the mounting substrate unit 15. Deploy. And after arrange | positioning the adhesive member of the contact bonding layer 100 on the mounting board | substrate part 15, the sealing resin 31 is piled up on the mounting board | substrate part 15, and the semiconductor light-emitting device 20 is sealed.

これにより、接着層１００は、封止樹脂３１と実装基板部１５とをより容易に接着することができるので、半導体発光素子２０をより容易に封止することができる。   Thereby, since the adhesive layer 100 can adhere | attach the sealing resin 31 and the mounting board | substrate part 15 more easily, the semiconductor light emitting element 20 can be sealed more easily.

以上説明したとおり、上記実施形態によれば耐光性、耐熱性または耐熱衝撃性を高めることができる。   As described above, according to the embodiment, light resistance, heat resistance, or thermal shock resistance can be improved.

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。   Although several embodiments of the present invention have been described, these embodiments are presented by way of example and are not intended to limit the scope of the invention. These embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the spirit of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the invention described in the claims and equivalents thereof as well as included in the scope and gist of the invention.

１５ 実装基板部
２０ 半導体発光素子
３１ 封止樹脂
３２ 枠
３５ 発光モジュール
１００ 接着層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 15 Mounting board part 20 Semiconductor light emitting element 31 Sealing resin 32 Frame 35 Light emitting module 100 Adhesive layer

Claims (6)

基板と；
前記基板の所定の面に実装された半導体発光素子と；
前記半導体発光素子の周囲、かつ、前記所定の面上に形成された枠と；
前記枠により形成された空間内に形成され、前記半導体発光素子を封止する封止部材と；
前記封止部材と前記基板とを接着する接着部材と；
を具備することを特徴とする発光モジュール。 A substrate;
A semiconductor light emitting device mounted on a predetermined surface of the substrate;
A frame formed around the semiconductor light emitting element and on the predetermined surface;
A sealing member that is formed in the space formed by the frame and seals the semiconductor light emitting element;
An adhesive member for adhering the sealing member and the substrate;
A light emitting module comprising: 前記封止部材は、
前記半導体発光素子が放出した光を当該光の波長とは異なる波長の光に変換する蛍光体を含むことを特徴とする請求項１に記載の発光モジュール。 The sealing member is
The light emitting module according to claim 1, further comprising a phosphor that converts light emitted from the semiconductor light emitting element into light having a wavelength different from the wavelength of the light. 前記接着部材は、
前記封止部材より硬化温度が低い材料であることを特徴とする請求項１または２に記載の発光モジュール。 The adhesive member is
The light emitting module according to claim 1, wherein the light emitting module is a material having a curing temperature lower than that of the sealing member. 前記接着部材は、
当該接着部材の熱膨張率が、前記封止部材の熱膨張率より大きく、かつ、前記基板の熱膨張率より小さい値であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の発光モジュール。 The adhesive member is
The thermal expansion coefficient of the said adhesive member is a value larger than the thermal expansion coefficient of the said sealing member, and smaller than the thermal expansion coefficient of the said board | substrate, The claim 1 characterized by the above-mentioned. Light emitting module. 前記接着部材は、
当該接着部材の熱膨張率が、前記封止部材の熱膨張率より小さく、かつ、前記基板の熱膨張率より大きい値であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の発光モジュール。 The adhesive member is
The thermal expansion coefficient of the said adhesive member is a value smaller than the thermal expansion coefficient of the said sealing member, and is larger than the thermal expansion coefficient of the said board | substrate, The claim 1 characterized by the above-mentioned. Light emitting module. 請求項１〜５のいずれか１項に記載の発光モジュールの製造方法において、
前記封止部材により前記半導体発光素子を封止する封止工程と；
前記封止部材と前記基板との間の空間を接着部材で接着する接着工程と；
を含んだことを特徴とする発光モジュールの製造方法。 In the manufacturing method of the light emitting module of any one of Claims 1-5,
A sealing step of sealing the semiconductor light emitting element with the sealing member;
A bonding step of bonding a space between the sealing member and the substrate with an bonding member;
A method of manufacturing a light emitting module, comprising:
JP2014176011A 2014-08-29 2014-08-29 Light-emitting module and manufacturing method Pending JP2016051800A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014176011A JP2016051800A (en) 2014-08-29 2014-08-29 Light-emitting module and manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014176011A JP2016051800A (en) 2014-08-29 2014-08-29 Light-emitting module and manufacturing method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2016051800A true JP2016051800A (en) 2016-04-11

Family

ID=55659094

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014176011A Pending JP2016051800A (en) 2014-08-29 2014-08-29 Light-emitting module and manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2016051800A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6060994B2 (en) Optical semiconductor device
JP5673190B2 (en) Light emitting device
JP6628739B2 (en) Light emitting device
JP5106094B2 (en) Surface mount type light emitting diode and method for manufacturing the same
KR101588151B1 (en) Solid-state radiation transducer devices having flip-chip mounted solid-state radiation transducers and associated systems and methods
JP4386789B2 (en) Method for manufacturing light-emitting diode element
JP6587499B2 (en) Light emitting device and manufacturing method thereof
TWI508334B (en) Light emitting semiconductor element and mathod of manufacturing the same
JP2023100965A (en) Light emitting device package with reflective side coating
KR101055074B1 (en) Light emitting device
JP2015185685A (en) Light emitting device manufacturing method and light device
KR20160096446A (en) Light emitting module and light unit havig thereof
JP2010003946A (en) Package of light emitting element, and manufacturing method of light emitting element
JP2010080796A (en) Lighting device
TWI578571B (en) Led chip unit and method for manufacturing the same
JP2008282917A (en) Light-emitting device and board lead frame for manufacturing light-emitting device
JPWO2008139981A1 (en) Light emitting device and package assembly for light emitting device
US20180040594A1 (en) Light emitting module
JP2009076516A (en) Luminaire
TW201403870A (en) Light emitting diode element and manufacturing mathod thereof
JP2016051800A (en) Light-emitting module and manufacturing method
TWI521742B (en) Flip-chip light emitting diode package module and manufacturing method thereof
JP2012119544A (en) Led light emitting body
JP2008198831A (en) Light-emitting diode unit and method of manufacturing light-emitting diode unit
JP2009076803A (en) Light emitting module and light emitting device

Legal Events

Date Code Title Description
RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20160301

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20160302