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JP2015133369A - Optical device and method of manufacturing the same - Google Patents

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JP2015133369A
JP2015133369A JP2014003041A JP2014003041A JP2015133369A JP 2015133369 A JP2015133369 A JP 2015133369A JP 2014003041 A JP2014003041 A JP 2014003041A JP 2014003041 A JP2014003041 A JP 2014003041A JP 2015133369 A JP2015133369 A JP 2015133369A
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JP
Japan
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resin
optical device
base material
mold
led chip
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Application number
JP2014003041A
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Japanese (ja)
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小林 一彦
Kazuhiko Kobayashi
一彦 小林
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Apic Yamada Corp
Original Assignee
Apic Yamada Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an inexpensive, functional and high quality optical device, and a method of manufacturing the same.SOLUTION: The optical device includes: an LED chip 30; an upper substrate 20 disposed while facing a light-emission surface of the LED chip 30; and a resin 40 that covers the LED chip 30 and is provided between the upper substrate 20 and the LED chip 30. The resin 40 is formed by compression molding. The upper substrate 20 is a glass substrate and the glass substrate includes a fluorescent substance.

Description

本発明は、光デバイス及び光デバイスの製造方法に関する。   The present invention relates to an optical device and a method for manufacturing an optical device.

従来から、アノード電極とカソード電極との一対の電極間に順バイアスを印加することにより光を放出する発光ダイオード(LED)が知られている。例えば特許文献1には、LEDチップを保護しレンズとして機能する樹脂層を容易に成形可能なLEDパッケージ(光デバイス)の製造方法が開示されている。   Conventionally, a light emitting diode (LED) that emits light by applying a forward bias between a pair of electrodes of an anode electrode and a cathode electrode is known. For example, Patent Document 1 discloses a method for manufacturing an LED package (optical device) that can easily mold a resin layer that protects an LED chip and functions as a lens.

また、複数の基材を用いて樹脂を挟み込むように構成された光デバイスにおいて、樹脂を予めコーティングしておき、複数の基材を張り合わせる等の成型プロセスを経て製造される光デバイスが知られている。   Also, in an optical device configured to sandwich a resin using a plurality of base materials, an optical device manufactured through a molding process such as pre-coating a resin and bonding the plurality of base materials together is known. ing.

特開2009−206370号公報JP 2009-206370 A

しかしながら、従来の成型プロセスで製造されるとき用いられるシリコーン樹脂は、硬化後であっても、ゴム材のように弾性が高く強度も低いものが多い。このため、この樹脂層を保護するには、カバー部材が必要となり、又は、波長変換するための波長変換用のシート部材などを組み合わせたりして用いられる場合が多い。この場合、強度が低い樹脂層に対してこれらの部材を組立てるのは煩雑な工程が必要となることが多く、製造コストの増大を招いていた。   However, many silicone resins used when manufactured by a conventional molding process have high elasticity and low strength like rubber materials even after being cured. For this reason, in order to protect this resin layer, a cover member is required, or a wavelength conversion sheet member for wavelength conversion is often used in combination. In this case, assembling these members with a resin layer having low strength often requires a complicated process, resulting in an increase in manufacturing cost.

また、樹脂を挟み込む複数の基材の間の空気(エア)が抜けきらず、成型不良となる確率が比較的高い。このため、安定した成型プロセスが得られず、高品質な光デバイスを製造することが困難であった。   In addition, air between the plurality of base materials sandwiching the resin is not completely removed, and the probability of forming defects is relatively high. For this reason, a stable molding process cannot be obtained, and it is difficult to manufacture a high-quality optical device.

そこで本発明は、安価であり機能的かつ高品質な光デバイス及び光デバイスの製造方法を提供する。   Therefore, the present invention provides an inexpensive, functional and high-quality optical device and a method for manufacturing the optical device.

本発明の一側面としての光デバイスは、光素子と、前記光素子の発光面に向けて配置された基材と、前記光素子を覆うと共に前記基材と前記光素子との間に設けられた樹脂とを有し、前記樹脂は、圧縮成形により形成されている。   An optical device according to an aspect of the present invention is provided between an optical element, a base material disposed toward a light emitting surface of the optical element, and the optical element covering the optical element and between the base material and the optical element. The resin is formed by compression molding.

本発明の他の側面としての光デバイスの製造方法は、第1の基材の上に接着部材を介して光素子を配置するステップと、第1の基材と第2の基材とで前記光素子を封止するための樹脂を挟み込むように圧縮成形し圧縮成形体を製造するステップと、前記圧縮成形体から前記接着部材を剥離させて前記第1の基材を分離するステップと、前記第1の基材を分離した後に前記圧縮成形体を所定の位置にて切断し個片化するステップとを有する。   According to another aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing an optical device, comprising: placing an optical element on a first base material via an adhesive member; and the first base material and the second base material. A step of producing a compression-molded body by compression molding so as to sandwich a resin for sealing the optical element; a step of separating the first base material by separating the adhesive member from the compression-molded body; Cutting the compression molded body at a predetermined position and separating it after separating the first substrate.

本発明のその他の目的及び効果は以下の実施例において説明される。   Other objects and advantages of the present invention are illustrated in the following examples.

本発明によれば、安価であり機能的かつ高品質な光デバイス及び光デバイスの製造方法を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide an inexpensive, functional and high-quality optical device and an optical device manufacturing method.

実施例1における光デバイスの製造工程図である。6 is a manufacturing process diagram of the optical device in Example 1. FIG. 実施例1における光デバイスの製造工程図である。6 is a manufacturing process diagram of the optical device in Example 1. FIG. 実施例1における変形例の説明図である。It is explanatory drawing of the modification in Example 1. FIG. 実施例1における変形例としての光デバイスの製造工程図である。FIG. 10 is a manufacturing process diagram of an optical device as a modification in the first embodiment. 実施例2における光デバイスの製造工程図である。6 is a manufacturing process diagram of an optical device in Example 2. FIG. 実施例2における光デバイスの製造工程図である。6 is a manufacturing process diagram of an optical device in Example 2. FIG. 実施例3における光デバイスの製造工程図である。6 is a manufacturing process diagram of an optical device in Example 3. FIG. 実施例3における光デバイスの製造工程図である。6 is a manufacturing process diagram of an optical device in Example 3. FIG. 実施例3における光デバイスの製造工程図である。6 is a manufacturing process diagram of an optical device in Example 3. FIG. 実施例3における光デバイスの斜視図である。10 is a perspective view of an optical device in Example 3. FIG. 実施例4における光デバイスの製造工程図である。6 is a manufacturing process diagram of an optical device in Example 4. FIG. 実施例4における光デバイスの製造工程図である。6 is a manufacturing process diagram of an optical device in Example 4. FIG.

以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

まず、図1及び図2を参照して、本発明の実施例1における光デバイスの製造方法について説明する。図1及び図2は、本実施例における光デバイスの製造工程図であり、図1(A)、(B)、図2(A)〜(C)の順に時系列で示している。本実施例の光デバイスは、圧縮成形装置(金型)を用いて基材を圧縮成形することにより製造される。   First, with reference to FIG.1 and FIG.2, the manufacturing method of the optical device in Example 1 of this invention is demonstrated. FIG. 1 and FIG. 2 are manufacturing process diagrams of an optical device in the present embodiment, which are shown in time series in the order of FIG. 1 (A), (B), and FIG. 2 (A) to (C). The optical device of this example is manufactured by compression-molding a substrate using a compression molding apparatus (mold).

まず、図1(A)に示されるように、一方金型50(上金型)及び他方金型60(下金型)を備えて構成される金型に、構造体100を載置する。下基材10(第1の基材又はキャリア)は、例えば矩形または円形状のステンレス等の金属基材である。ただし本実施例はこれに限定されるものではなく、下基材10としてシリコンウェハとして製造されるシリコン基材(半導体基板)やガラス基材を用いてもよい。   First, as shown in FIG. 1A, the structure 100 is placed on a mold that includes one mold 50 (upper mold) and the other mold 60 (lower mold). The lower substrate 10 (first substrate or carrier) is, for example, a rectangular or circular metal substrate such as stainless steel. However, the present embodiment is not limited to this, and a silicon substrate (semiconductor substrate) manufactured as a silicon wafer or a glass substrate may be used as the lower substrate 10.

下基材10の上には、接着部材12を介して、複数のLEDチップ30(光素子)が配置されている。LEDチップ30は、アノード電極とカソード電極との一対の電極間に順バイアスを印加することにより、特定の色の光を放出する発光チップ(発光素子)である。発光色は、LEDチップ30に用いられる材料により異なる。例えば、赤色光を放出するAlGaAs、緑色光を放出するGaP、青色光を放出するGaNなどが用いられる。なお本実施例において、LEDチップ30は、可視光を放出するLEDチップだけでなく、紫外光や赤外光などの可視光領域外の光を放出するチップであってもよい。また、LEDチップ30に代えて、各種の光を受光する受光チップ(受光素子)等の他の種類の光素子を用いてもよい。   A plurality of LED chips 30 (optical elements) are arranged on the lower base material 10 via the adhesive member 12. The LED chip 30 is a light emitting chip (light emitting element) that emits light of a specific color by applying a forward bias between a pair of electrodes of an anode electrode and a cathode electrode. The emission color varies depending on the material used for the LED chip 30. For example, AlGaAs that emits red light, GaP that emits green light, GaN that emits blue light, and the like are used. In this embodiment, the LED chip 30 is not limited to an LED chip that emits visible light, but may be a chip that emits light outside the visible light region such as ultraviolet light and infrared light. Further, instead of the LED chip 30, other types of optical elements such as a light receiving chip (light receiving element) that receives various kinds of light may be used.

接着部材12は、例えば所定の温度に加熱することにより剥離する性質を有する粘着シートを用いることができる。下基材10の上には、一つのLEDチップ30のみを搭載していてもよい。LEDチップ30の一方の主面上には、アノード電極及びカソード電極が設けられている。本実施例において、LEDチップ30は、これらの電極を備えた一方の主面を図1(A)中の下側に向けて、接着部材12により下基材10に接着されている。なお、LEDチップ30は、上向きに向けて配置してもよい。この場合、電極に接続したワイヤなどを接着部材12に貼り付けることで、下側の面に電気的な接続面(電極)を設けることができる。   As the adhesive member 12, for example, a pressure-sensitive adhesive sheet having a property of peeling by heating to a predetermined temperature can be used. Only one LED chip 30 may be mounted on the lower substrate 10. On one main surface of the LED chip 30, an anode electrode and a cathode electrode are provided. In this embodiment, the LED chip 30 is bonded to the lower base material 10 by the adhesive member 12 with one main surface provided with these electrodes facing downward in FIG. Note that the LED chip 30 may be arranged facing upward. In this case, by attaching a wire or the like connected to the electrode to the adhesive member 12, an electrical connection surface (electrode) can be provided on the lower surface.

下基材10の上には、LEDチップ30を覆うように、樹脂40(液状の樹脂)が設けられている。樹脂40は、例えば透光性樹脂である。樹脂40は、LEDチップ30が配置された下基材10を他方金型60に載置する前に、ディスペンサ(不図示)を用いて下基材10上に供給される。本実施例において、樹脂40としては、例えば透光性及び熱硬化性を有するシリコーン樹脂が用いられる。なお、本実施例における「透光性」とは、LEDチップ30から放出された光を少なくとも外部に放出可能なことをいい、内部の構造が明瞭に視認可能ないわゆる「無色透明」である必要は無い。樹脂40には、必要に応じて、各種の蛍光体(波長変換材)や燐光体を含有させることもできる。例えば、青色発光するLEDチップ30を用い、入射された光を黄色に波長変換する蛍光体を含有した樹脂40を用いることで、白色発光可能なLEDパッケージ(光デバイス)を製造することができる。また、入射された光を赤色及び緑色に波長変換できるように2種の蛍光体を含有した樹脂40を用いることもできる。さらに、樹脂40に白色顔料を含有させてもよい。なお、シリコーン樹脂は、例えばエポキシ樹脂よりも紫外線や熱によって透光性が低下し難い性質を有するため、LEDチップ30を封止するには好適である。ただし、樹脂40として、エポキシ樹脂などの他の熱硬化性樹脂を用いてもよい。   A resin 40 (liquid resin) is provided on the lower substrate 10 so as to cover the LED chip 30. The resin 40 is, for example, a translucent resin. The resin 40 is supplied onto the lower substrate 10 using a dispenser (not shown) before placing the lower substrate 10 on which the LED chip 30 is placed on the other mold 60. In this embodiment, as the resin 40, for example, a silicone resin having translucency and thermosetting is used. The “translucency” in the present embodiment means that light emitted from the LED chip 30 can be emitted at least to the outside, and it is necessary to be so-called “colorless and transparent” in which the internal structure is clearly visible. There is no. The resin 40 may contain various phosphors (wavelength conversion materials) and phosphors as necessary. For example, an LED package (optical device) capable of emitting white light can be manufactured by using the LED chip 30 that emits blue light and using the resin 40 containing a phosphor that converts the wavelength of incident light into yellow. In addition, a resin 40 containing two kinds of phosphors can be used so that the wavelength of incident light can be converted into red and green. Further, the resin 40 may contain a white pigment. The silicone resin is suitable for sealing the LED chip 30 because the translucency is less likely to be lowered by ultraviolet rays or heat than, for example, an epoxy resin. However, another thermosetting resin such as an epoxy resin may be used as the resin 40.

一方金型50は、例えば円柱状または直方体状のブロック型に形成されたキャビティ駒52、この外周に配置される枠状のクランパ54、ばね55(付勢部材)、及び、Oリング56(シールリング)を備えて構成される。またキャビティ駒52にはエア(空気)を吸引するための通路58a(吸着孔)が形成されている。同様に、クランパ54には、エアを吸引するための通路58bが形成されている。キャビティ駒52及びクランパ54の下面には、リリースフィルム72が設けられている。また、キャビティ駒52の下面には、リリースフィルム72を介して上基材20(第2の基材)が吸着保持される。このようにリリースフィルム72を介在させることにより、上基材20とキャビティ駒52との間の隙間を無くす(低減させる)ことができ、上基材20をキャビティ駒52に確実に吸着保持させることができる。これにより、上基材20は、LEDチップ30の上面に向けて配置される。   On the other hand, the mold 50 includes, for example, a cavity piece 52 formed in a cylindrical or rectangular block shape, a frame-shaped clamper 54 disposed on the outer periphery, a spring 55 (biasing member), and an O-ring 56 (seal). Ring). The cavity piece 52 is formed with a passage 58a (suction hole) for sucking air. Similarly, the clamper 54 is formed with a passage 58b for sucking air. A release film 72 is provided on the lower surface of the cavity piece 52 and the clamper 54. Further, the upper base material 20 (second base material) is sucked and held on the lower surface of the cavity piece 52 via the release film 72. By interposing the release film 72 in this way, the gap between the upper base material 20 and the cavity piece 52 can be eliminated (reduced), and the upper base material 20 is securely held by the cavity piece 52 by suction. Can do. Thereby, the upper base material 20 is disposed toward the upper surface of the LED chip 30.

なお、上基材20は例えばガラス製の保護部材を用いることができるが、これに限定されるものではない。シリコーン樹脂等の樹脂40は、ガスバリア性が低いため、ガスバリア性の高いガラス製の保護部材(上基材20)を設けることにより、シリコーン樹脂等の樹脂40を透過したガスがLEDチップ30を劣化させ、又は、チップ表面における樹脂が剥離してしまうような不具合を防止することができる。   In addition, although the upper base material 20 can use the protective member made from glass, for example, it is not limited to this. Since the resin 40 such as a silicone resin has a low gas barrier property, the gas that has permeated through the resin 40 such as a silicone resin deteriorates the LED chip 30 by providing a glass protective member (upper base material 20) having a high gas barrier property. Or a problem that the resin on the chip surface is peeled off can be prevented.

また、保護部材は、蛍光体を含有させ又は蛍光体をその表面に塗布することで、蛍光体層として用いてもよい。この場合、エポキシ樹脂やポリカーボネート樹脂やテフロン(登録商標)樹脂といった熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂の種々の有機材料を用いることもできる。また、ガラスのような無機材料を用いることもできる。保護部材はLEDチップ30に直接加熱されないため、耐熱性の高い樹脂でなくてもよい。また、保護部材に蛍光体を塗布する場合には少なくとも一方の面(例えば樹脂40との接触面)に、蛍光体を含有させた蛍光膜を成形してもよい。また、上基材20及び下基材10は、同一又は近い値の線膨脹係数を有することが好ましい。このため、上基材20及び下基材10は、互いに同じ種類の材料から構成されていることが好ましいが、互いに異なる材料であってもよい。   Moreover, you may use a protective member as a fluorescent substance layer by containing fluorescent substance or apply | coating fluorescent substance on the surface. In this case, various organic materials such as a thermosetting resin and a thermoplastic resin such as an epoxy resin, a polycarbonate resin, and a Teflon (registered trademark) resin can be used. An inorganic material such as glass can also be used. Since the protection member is not directly heated by the LED chip 30, it does not have to be a resin having high heat resistance. Further, when a fluorescent material is applied to the protective member, a fluorescent film containing the fluorescent material may be formed on at least one surface (for example, a contact surface with the resin 40). Moreover, it is preferable that the upper base material 20 and the lower base material 10 have the same or close linear expansion coefficient. For this reason, although it is preferable that the upper base material 20 and the lower base material 10 are comprised from the mutually same kind of material, a mutually different material may be sufficient.

通路58a、58bには、真空ポンプ(不図示)が接続されており、通路58a、58bのエアが吸引される。クランパ54に形成された通路58bからエア吸引されることにより、リリースフィルム72は、クランパ54の下面において吸着固定される。また、リリースフィルム72には、キャビティ駒52に形成された通路58aに対応する位置において、孔部72aが形成されている。このため、リリースフィルム72の孔部72aを介してキャビティ駒52の下面に配置された上基材20は、通路58aのエアが吸引されることにより、キャビティ駒52の下面において吸着固定される。なお、孔部72aは、リリースフィルム72を一方金型50に装着した後に成形してもよく、又は、予め形成しておいてもよい。この場合、リリースフィルム72の孔部72aは、針状の部材を押し付けることで形成することができる。   A vacuum pump (not shown) is connected to the passages 58a and 58b, and air in the passages 58a and 58b is sucked. The air is sucked from the passage 58 b formed in the clamper 54, whereby the release film 72 is attracted and fixed on the lower surface of the clamper 54. The release film 72 has a hole 72 a at a position corresponding to the passage 58 a formed in the cavity piece 52. Therefore, the upper base member 20 disposed on the lower surface of the cavity piece 52 through the hole 72 a of the release film 72 is attracted and fixed on the lower surface of the cavity piece 52 by sucking the air in the passage 58 a. The hole 72a may be formed after the release film 72 is attached to the one mold 50, or may be formed in advance. In this case, the hole 72a of the release film 72 can be formed by pressing a needle-like member.

他方金型60には、エアを吸引するための通路68が形成されている。また、他方金型60の上面には、通路68の外側の型外周に沿うようにOリング66(シールリング)が設けられている。本実施例において、下基材10、接着部材12、LEDチップ30、及び、樹脂40を備えて構成される構造体100は、図1(A)に示されるように、他方金型60の上に載置(保持)される。   The other mold 60 is formed with a passage 68 for sucking air. Further, an O-ring 66 (seal ring) is provided on the upper surface of the other mold 60 along the outer periphery of the mold outside the passage 68. In the present embodiment, the structure 100 including the lower substrate 10, the adhesive member 12, the LED chip 30, and the resin 40 is formed on the other mold 60 as shown in FIG. Placed (held).

続いて、一方金型50と他方金型60を型閉じし、これらを用いて構造体100をクランプする。さらに型締めすることで、他方金型60にクランパ54が押し上げられることでばね55が縮められ、キャビティ駒52とクランパ54とによって構成されるキャビティ凹部の深さが浅くなっていく。この際、樹脂40がこのキャビティ凹部内に充填される。これにより、図1(B)に示されるように、上基材20は樹脂40を押圧し、樹脂40は上基材20と下基材10により挟み込まれ、複数のLEDチップ30の全てを覆うように平坦化される(圧縮成形)。また、上基材20は構造体100と一体化し、構造体101を構成する。なお、一方金型50と他方金型60で構造体100をクランプする場合、他方金型60に設けられたOリング66と型面とで構成される空間のエアが通路68を介して排出される。これにより、一方金型50と他方金型60との間の空間は略真空(減圧)状態となり、上基材20と下基材10との間の空気(エア)を排出して減圧状態とすることで、樹脂40内におけるボイドの発生を防止することもできる。このため、樹脂40と上基材20との間に気泡が挟み込まれることで発生する成形不良を防止し、安定した成形工程を実現することが可能となる。また、樹脂40が上基材20に接触する前に減圧状態とできるように、Oリング66の高さや供給される樹脂40の高さなどを調整することで、樹脂40と上基材20との間における気泡の挟み込みをより確実に防止することができる。   Subsequently, the one mold 50 and the other mold 60 are closed, and the structure 100 is clamped using them. Further, by clamping, the spring 55 is contracted by pushing the clamper 54 up to the other mold 60, and the depth of the cavity recess formed by the cavity piece 52 and the clamper 54 becomes shallower. At this time, the resin 40 is filled in the cavity recess. 1B, the upper base material 20 presses the resin 40, and the resin 40 is sandwiched between the upper base material 20 and the lower base material 10 to cover all of the plurality of LED chips 30. Is flattened (compression molding). In addition, the upper base 20 is integrated with the structure 100 to form the structure 101. When the structure 100 is clamped by the one mold 50 and the other mold 60, the air in the space formed by the O-ring 66 and the mold surface provided in the other mold 60 is discharged through the passage 68. The As a result, the space between the one mold 50 and the other mold 60 is in a substantially vacuum (depressurized) state, and the air (air) between the upper base material 20 and the lower base material 10 is discharged to be in a depressurized state. By doing so, generation of voids in the resin 40 can also be prevented. For this reason, it is possible to prevent a molding defect that occurs due to air bubbles being sandwiched between the resin 40 and the upper base member 20 and realize a stable molding process. Further, by adjusting the height of the O-ring 66 and the height of the supplied resin 40 so that the resin 40 can be in a reduced pressure state before contacting the upper substrate 20, the resin 40 and the upper substrate 20 It is possible to more reliably prevent air bubbles from being sandwiched between them.

続いて、一方金型50及び他方金型60を型開きし、構造体101を取り外す(離型する)。これにより、図2(A)に示されるように構造体101が形成される。構造体101は、LEDチップ30を覆う樹脂40が上基材20と下基材10との間に挟み込まれた構造を有する。   Subsequently, the one mold 50 and the other mold 60 are opened, and the structure 101 is removed (released). As a result, a structure 101 is formed as shown in FIG. The structure 101 has a structure in which a resin 40 covering the LED chip 30 is sandwiched between the upper base material 20 and the lower base material 10.

続いて、構造体101から下基材10を取り外す(分離する)。下基材10を接着する接着部材12は、加熱により剥離する性質を有する。このため、例えば圧縮成形の成形温度よりも高温にすることにより、容易に下基材10を分離することができる。そして図2(B)に示されるように、下基材10を取り外した後に形成される領域(LEDチップ30の下面すなわち電極面)に、LEDチップ30の各電極を適切に接続するように再配線層14を形成する(再配線工程)。この結果、LEDチップ30は再配線層14の上に配置される。これにより、接着部材12の剥離により露出したLEDチップに対する再配線層が形成される。再配線層14は、LEDチップ30の電極を任意の電極や端子等の接続箇所に電気的に接続するための配線層、及び、それらに介在して絶縁する絶縁層を有する。また、絶縁層は、反射面としても機能させることもできる。このため、絶縁層を白色とすることで、反射率を向上することもができる。なお、再配線層としては、配線層のみあれば少なくとも電気的な接続は可能であり、絶縁層は必ずしも設ける必要はない。   Subsequently, the lower base material 10 is removed (separated) from the structure 101. The adhesive member 12 that adheres the lower substrate 10 has a property of being peeled off by heating. For this reason, for example, the lower base material 10 can be easily separated by setting the temperature higher than the molding temperature of compression molding. Then, as shown in FIG. 2B, the electrodes of the LED chip 30 are reconnected so as to appropriately connect the region (the lower surface of the LED chip 30, that is, the electrode surface) formed after the lower base material 10 is removed. The wiring layer 14 is formed (rewiring process). As a result, the LED chip 30 is disposed on the rewiring layer 14. Thereby, the rewiring layer with respect to the LED chip exposed by peeling of the adhesive member 12 is formed. The rewiring layer 14 includes a wiring layer for electrically connecting the electrode of the LED chip 30 to a connection portion such as an arbitrary electrode or a terminal, and an insulating layer interposed therebetween for insulation. The insulating layer can also function as a reflecting surface. For this reason, a reflectance can also be improved by making an insulating layer white. As the rewiring layer, at least electrical connection is possible if there is only a wiring layer, and an insulating layer is not necessarily provided.

以上の工程により、複数のパッケージ領域を含むLEDパッケージ成形体120(圧縮成形体)が構成される。これにより、樹脂40を挟んだ状態でLEDチップ30の発光面に向けて上基材20を配置した構造とすることができる。なお、ここでいう「発光面」とは、LEDチップ30が発光したときに射出する光の大半部分を放出する面であり、図2(A)に示されるLEDチップにおける上面に相当する。   The LED package molded body 120 (compression molded body) including a plurality of package regions is configured by the above steps. Thereby, it can be set as the structure which has arrange | positioned the upper base material 20 toward the light emission surface of the LED chip 30 in the state which pinched | interposed the resin 40. FIG. The “light emitting surface” here is a surface that emits most of the light emitted when the LED chip 30 emits light, and corresponds to the upper surface of the LED chip shown in FIG.

なお、図2(B)のLEDパッケージ成形体120は、図2(A)の構造体101を例えば再配線工程において上下逆にした状態として示されている。また、LEDチップ30の電極と配線層との電気的接続が確保できれば、接着部材12の少なくとも一部を残しておいてもよい。   2B is shown as a state in which the structure 101 of FIG. 2A is turned upside down in a rewiring process, for example. Further, as long as electrical connection between the electrode of the LED chip 30 and the wiring layer can be secured, at least a part of the adhesive member 12 may be left.

続いて、図2(C)に示されるように、破線部150に沿って(所定の位置で)LEDパッケージ成形体120を切断する。これにより、図2(C)中の矢印で示されるように、LEDパッケージ成形体120は複数の光デバイス200(LEDパッケージ)に個片化される。光デバイス200は、再配線層14によりLEDパッケージの裏面に配線層を露出させることにより、例えばチップ型パッケージとして利用でき、発光装置用の基板上のハンダペースト上に搭載してリフローすることで実装可能である。   Subsequently, as shown in FIG. 2C, the LED package molded body 120 is cut along the broken line 150 (at a predetermined position). Thereby, as indicated by an arrow in FIG. 2C, the LED package molded body 120 is separated into a plurality of optical devices 200 (LED packages). The optical device 200 can be used as, for example, a chip-type package by exposing the wiring layer on the back surface of the LED package by the rewiring layer 14, and mounted by mounting on a solder paste on a substrate for a light emitting device and reflowing. Is possible.

このように本実施例の光デバイス200において、樹脂40が上基材10(基材)に挟まれるように圧縮成形により形成されることで、LEDチップ30上には樹脂40を挟んで上基材10(基材)が配置される。このため、LEDチップ30に対する樹脂40を圧縮成形するときに上基材10も一体化されるため、種々の効果を付与可能な上基材10を別途の工程を行うことなく一体成形することができ、機能的な光デバイス200を簡易な工程で製造することができる。したがって、これを安価に製造することができる。   Thus, in the optical device 200 of the present embodiment, the resin 40 is formed by compression molding so as to be sandwiched between the upper base material 10 (base material), so that the upper base material with the resin 40 sandwiched between the LED chips 30. A material 10 (base material) is disposed. For this reason, since the upper base material 10 is also integrated when the resin 40 for the LED chip 30 is compression-molded, the upper base material 10 capable of imparting various effects can be integrally molded without performing a separate process. The functional optical device 200 can be manufactured by a simple process. Therefore, it can be manufactured at low cost.

この場合、例えば上基材10としてガラス基材を用いることで、LEDチップ30に対するガスの透過防止が可能となり、また、所望の光学特性を付与することもできる。また、蛍光体層として機能する透光性を有する上基材10を設けることで、この蛍光体層によりLEDチップ30からの放出される光の波長を変換することもできる。また、例えば樹脂40には蛍光体を含有させ分散させる必要がないため、均一な厚みの蛍光体層を介してLEDチップ30からの光を波長変換し均一な色合いで発光させることもできる。また、蛍光体の種類や蛍光体層の厚みの調整が容易となり、光デバイスとしての発光色の調整が容易となる。   In this case, for example, by using a glass substrate as the upper substrate 10, gas permeation can be prevented from being transmitted to the LED chip 30, and desired optical characteristics can be imparted. Further, by providing the translucent upper base material 10 that functions as a phosphor layer, the wavelength of light emitted from the LED chip 30 can be converted by the phosphor layer. For example, since the resin 40 does not need to contain and disperse the phosphor, the light from the LED chip 30 can be wavelength-converted through a phosphor layer having a uniform thickness to emit light with a uniform hue. In addition, the type of phosphor and the thickness of the phosphor layer can be easily adjusted, and the emission color as an optical device can be easily adjusted.

次に、図3を参照して、本実施例における変形例について説明する。図3は、本実施例における上基材20(光学部品)の変形例の説明図である。   Next, with reference to FIG. 3, the modification in a present Example is demonstrated. FIG. 3 is an explanatory diagram of a modified example of the upper substrate 20 (optical component) in the present embodiment.

図3(A)は、上基材20aを備えた構造体101aの断面図である。上基材20aは、平坦状の上基材20とは異なり、下面(上基材20aのLEDチップ30側に向けた面)が凸状(半球状)のガラス基材(凸レンズ)である。また、凸レンズに替えてフレネルレンズ状の凹凸を有する上基材を用いることで、樹脂40との密着性を向上させることもできる。   FIG. 3A is a cross-sectional view of the structure 101a provided with the upper substrate 20a. Unlike the flat upper substrate 20, the upper substrate 20 a is a glass substrate (convex lens) having a convex (hemispherical) lower surface (surface facing the LED chip 30 side of the upper substrate 20 a). Moreover, adhesiveness with the resin 40 can also be improved by using the upper base material which has a Fresnel lens-like unevenness | corrugation instead of a convex lens.

図3(B)は、上基材20bを備えた構造体101bの断面図である。上基材20bは、平坦状の上基材20とは異なり、下面(上基材20bのLEDチップ30側に向けた面)が凹状(半球状)のガラス基材(凹レンズ)である。この場合、LEDチップ30上に配置される凹部分の高さ(深さ)をLEDチップ30の高さよりも十分高くすることで、上基材20bと下基材10により構造体101bを成形する際にこれらを接触させるようクランプしてもよい。この場合、個片化された光デバイスの状態においても樹脂40の側面を露出させず上基材20bで保護可能な構造とすることができる。これによれば、LEDチップ30の側方から放出される光も上基材20bを通過させることができ、又、ガスバリア性もさらに高めることができる。上基材20a、20bでは、上述したような平坦なキャビティ底面を構成するキャビティ駒52を用いた圧縮成形用の金型でも成形可能である。   FIG. 3B is a cross-sectional view of the structure body 101b including the upper substrate 20b. Unlike the flat upper substrate 20, the upper substrate 20 b is a glass substrate (concave lens) having a concave (hemispherical) lower surface (a surface facing the LED chip 30 side of the upper substrate 20 b). In this case, the structure 101 b is formed by the upper base material 20 b and the lower base material 10 by making the height (depth) of the concave portion disposed on the LED chip 30 sufficiently higher than the height of the LED chip 30. You may clamp so that these may touch. In this case, the structure can be protected by the upper substrate 20b without exposing the side surface of the resin 40 even in the state of the separated optical device. According to this, the light emitted from the side of the LED chip 30 can also pass through the upper substrate 20b, and the gas barrier property can be further enhanced. The upper base materials 20a and 20b can be molded even by a compression molding die using the cavity piece 52 constituting the flat cavity bottom surface as described above.

また、図3(C)は、上基材20cを利用する場合の金型の構成図である。上基材20cは、その上面(キャビティ駒52aとの吸着面)が凸状(半球状)であり、その下面(LEDチップ30側に向けた面)が平坦状である。なお、上基材20cの下面もレンズ形状としてもよい。この場合、凸状の上基材20cの形状に合わせて、下面(吸着面)が凹状のキャビティ駒52aが用いられる。このように本実施例は、図3(A)〜(C)に示されるような各構造にも適用可能であり、これらの各上基材により集光や拡散等の任意の光学的な機能を備えた光デバイスを提供することができる。   FIG. 3C is a configuration diagram of a mold when the upper base material 20c is used. The upper base member 20c has a convex surface (semispherical surface) on its upper surface (surface adsorbed to the cavity piece 52a) and a flat surface on its lower surface (surface facing the LED chip 30). Note that the lower surface of the upper substrate 20c may also have a lens shape. In this case, a cavity piece 52a having a concave bottom surface (suction surface) is used in accordance with the shape of the convex upper base material 20c. Thus, the present embodiment can be applied to each structure as shown in FIGS. 3A to 3C, and any optical function such as light collection and diffusion by each of these upper base materials. Can be provided.

次に、図4を参照して、本実施例における変形例について説明する。図4は、本実施例の変形例としての光デバイス200dの製造工程図であり、図4(A)〜(E)の順に時系列で示している。図4に示される変形例としての光デバイス200dは、複数のLEDチップ30を配置している点で、1つのLEDチップ30のみ配置されている光デバイス200とは異なる。   Next, with reference to FIG. 4, the modification in a present Example is demonstrated. FIG. 4 is a manufacturing process diagram of an optical device 200d as a modification of the present embodiment, which is shown in time series in the order of FIGS. 4 (A) to 4 (E). An optical device 200d as a modification shown in FIG. 4 is different from the optical device 200 in which only one LED chip 30 is arranged in that a plurality of LED chips 30 are arranged.

まず、図4(A)に示されるように、1つの光デバイス200dに対応する複数のLEDチップ30が接着部材12を介して第1の基材10の上に配置されている。また、樹脂40は、上述した圧縮成形により、複数のLEDチップ30を覆うように形成され、第1の基材10と第2の基材20とにより挟み込まれている。なお、図4には、1つの光デバイス200dに対応する3つのLEDチップ30(合計で18個のLEDチップ30)が配置されている状態が示されているが、これに限定されるものではない。   First, as shown in FIG. 4A, a plurality of LED chips 30 corresponding to one optical device 200 d are arranged on the first base material 10 via the adhesive member 12. Further, the resin 40 is formed so as to cover the plurality of LED chips 30 by the compression molding described above, and is sandwiched between the first base material 10 and the second base material 20. FIG. 4 shows a state in which three LED chips 30 (18 LED chips 30 in total) corresponding to one optical device 200d are arranged. However, the present invention is not limited to this. Absent.

続いて、図4(B)に示されるように第1の基材10を分離させる。そして、図4(C)に示されるように、再配線層14dを形成する。再配線層14dは、複数のLEDチップ30の各電極部と電気的に接続されるような配線層と、LEDチップ30の電極に接続されて光デバイスの裏面に露出する配線層とを含む。また、図4(D)に示されるように、再配線層14dの所定の位置における配線層には、外部接続端子としての半田ボール16が形成される。これにより、LEDパッケージ成形体120dが得られる。   Subsequently, the first substrate 10 is separated as shown in FIG. Then, as shown in FIG. 4C, a rewiring layer 14d is formed. The rewiring layer 14 d includes a wiring layer that is electrically connected to each electrode portion of the plurality of LED chips 30, and a wiring layer that is connected to the electrodes of the LED chip 30 and exposed to the back surface of the optical device. Further, as shown in FIG. 4D, solder balls 16 as external connection terminals are formed in the wiring layer at a predetermined position of the rewiring layer 14d. Thereby, the LED package molded body 120d is obtained.

続いて、図4(E)に示されるように、破線部150に沿ってLEDパッケージ成形体120dを切断する。これにより、図4(E)中の矢印で示されるように、LEDパッケージ成形体120dは複数の光デバイス200d(LEDパッケージ)に個片化される。   Subsequently, as illustrated in FIG. 4E, the LED package molded body 120 d is cut along the broken line portion 150. Thereby, as shown by the arrow in FIG. 4E, the LED package molded body 120d is separated into a plurality of optical devices 200d (LED packages).

本実施例によれば、安価であり機能的かつ高品質な光デバイス及び光デバイスの製造方法を提供することができる。   According to the present embodiment, it is possible to provide an inexpensive, functional and high-quality optical device and an optical device manufacturing method.

次に、図5及び図6を参照して、本発明の実施例2における光デバイスの製造方法について説明する。図5及び図6は、本実施例における光デバイスの製造工程図であり、図5(A)〜(D)、図6(A)〜(C)の順に時系列で示している。   Next, with reference to FIG.5 and FIG.6, the manufacturing method of the optical device in Example 2 of this invention is demonstrated. 5 and 6 are manufacturing process diagrams of the optical device in the present embodiment, which are shown in time series in the order of FIGS. 5 (A) to (D) and FIGS. 6 (A) to (C).

まず、図5(A)に示されるように、下基材10(第1の基材)の上に接着部材12を介して複数のLEDチップ30を配置する。続いて、図5(B)に示されるように、反射部材25を配置する。反射部材25は、例えば樹脂で形成されLEDパッケージ(光デバイス)の外形を構成し強度を確保すると共に、その内面に反射面Rを有する。また、反射部材25、LEDチップ30からの光を上方に反射させる機能を有する。また、反射部材25は、後述の樹脂40e(透光性樹脂)を反射部材25内に溜め込むダム部としての機能も有する。本実施例において、反射部材25は、下基材10の上面において、内側がすり鉢形状となる円環状に形成されている。ただし本実施例のリフレクタは、これに限定されるものではない。リフレクタの内周を矩形状等の他の形状を有するように構成してもよいし、リフレクタの内周に複数のLEDチップ30を配置できるような大きさにしてもよい。   First, as shown in FIG. 5A, a plurality of LED chips 30 are arranged on the lower base material 10 (first base material) via the adhesive member 12. Subsequently, as shown in FIG. 5B, the reflecting member 25 is disposed. The reflection member 25 is made of, for example, a resin, configures the outer shape of the LED package (optical device), ensures strength, and has a reflection surface R on the inner surface thereof. Moreover, it has the function to reflect the light from the reflection member 25 and the LED chip 30 upward. Further, the reflecting member 25 also has a function as a dam part for storing a resin 40e (translucent resin) described later in the reflecting member 25. In the present embodiment, the reflecting member 25 is formed in an annular shape in which the inner side has a mortar shape on the upper surface of the lower substrate 10. However, the reflector of a present Example is not limited to this. The inner circumference of the reflector may be configured to have other shapes such as a rectangular shape, or may be sized so that a plurality of LED chips 30 can be arranged on the inner circumference of the reflector.

本実施例の反射部材25は、例えば、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂などの熱硬化性樹脂を用いて成形することができる。好ましくは、反射部材25には、フィラーが含有されている。このフィラーとしては、例えば、光の反射及び放熱のために酸化チタン(TiO等)、窒化アルミ(AlN)、またはアルミナ(Al)などの白色顔料やシリカ等を含むことができる。酸化チタンのような白色顔料を含有している場合、反射部材25の色は全体として白色(白樹脂)となり、LEDチップ30からの光が効果的に反射されるとともに、熱伝導性が高いため、LEDチップ30によって発せられた熱を効率的に外部に伝導して放熱することが可能となる。ただし、フィラーは上述したものではなく、反射部材25に他のフィラーを含有させてもよい。また、反射部材25の色は白色に限定されるものではなく、他の色を有するものであってもよい。さらに、反射部材25は、上述した組成以外の熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂などで成形してもよいし、セラミックス、金属、ガラスなどの非樹脂材料で成形してもよく、これらを複合材として成形してもよい。 The reflecting member 25 of the present embodiment can be molded using, for example, a thermosetting resin such as an epoxy resin or a silicone resin. Preferably, the reflecting member 25 contains a filler. Examples of the filler include white pigment such as titanium oxide (TiO 2 or the like), aluminum nitride (AlN), or alumina (Al 2 O 3 ), silica, or the like for light reflection and heat dissipation. When a white pigment such as titanium oxide is contained, the color of the reflecting member 25 is white (white resin) as a whole, and the light from the LED chip 30 is effectively reflected and the thermal conductivity is high. The heat generated by the LED chip 30 can be efficiently conducted to the outside and dissipated. However, a filler is not what was mentioned above and you may make the reflection member 25 contain another filler. Further, the color of the reflecting member 25 is not limited to white, and may have other colors. Further, the reflecting member 25 may be formed of a thermosetting resin or a thermoplastic resin other than the above-described composition, or may be formed of a non-resin material such as ceramics, metal, glass, etc. You may shape | mold as.

続いて、図5(C)に示されるように、樹脂40eのディスペンサからそのノズル82を介して、複数のLEDチップ30を覆うように、透光性を有する樹脂40e(レンズ樹脂)が供給される。これにより、構造体100eが構成される。続いて、図5(D)に示されるように、上述の実施例と同様の構成を有する一方金型50e(上金型)及び他方金型60e(下金型)を備えて構成される金型に、構造体100eを載置する。   Subsequently, as shown in FIG. 5C, a resin 40e (lens resin) having translucency is supplied from the dispenser of the resin 40e through the nozzle 82 so as to cover the plurality of LED chips 30. The Thereby, the structure 100e is configured. Subsequently, as shown in FIG. 5D, a metal mold comprising one mold 50e (upper mold) and the other mold 60e (lower mold) having the same configuration as in the above-described embodiment. The structure 100e is placed on the mold.

続いて、図6(A)に示されるように、一方金型50eと他方金型60eを用いて構造体100eを型閉じしていくことで圧縮成形を行う。これにより、上基材20は構造体100eと一体化して、構造体101eを構成する。   Subsequently, as shown in FIG. 6A, compression molding is performed by closing the structure 100e using one mold 50e and the other mold 60e. Thereby, the upper base material 20 is integrated with the structure 100e to form the structure 101e.

続いて、構造体101を一方金型50e及び他方金型60eから取り外す(離型する)。これにより、図6(B)に示されるように構造体101eが形成される。構造体101eは、LEDチップ30を覆う樹脂40eが上基材20と下基材10との間に挟み込まれた構造を有する。そして、接着部材12を剥離して構造体101eから第1の基材10を分離する。次いで、図示しないが実施例1と同様の再配線層を形成する。最後に、図6(C)に示される破線の位置において反射部材25を分割するように、破線部150に沿ってLEDパッケージ120を切断する。これにより、複数のLEDパッケージに個片化される。   Subsequently, the structural body 101 is removed (released) from the one mold 50e and the other mold 60e. As a result, a structure 101e is formed as shown in FIG. The structure 101e has a structure in which a resin 40e that covers the LED chip 30 is sandwiched between the upper substrate 20 and the lower substrate 10. And the adhesive member 12 is peeled and the 1st base material 10 is isolate | separated from the structure 101e. Next, although not shown, a rewiring layer similar to that in Example 1 is formed. Finally, the LED package 120 is cut along the broken line portion 150 so as to divide the reflecting member 25 at the position of the broken line shown in FIG. Thereby, it is separated into a plurality of LED packages.

本実施例によれば、LEDチップ30を覆う樹脂40eに反射部材25も一体化させることができ、上述の実施形態における効果の他にも、任意の角度に光を放出させることができるという効果も奏することができる。また、蛍光体層として機能する上基材20を用いるときには、LEDチップ30から側方に放出された光が反射部材25により上方に反射されるため、蛍光体層として上基材20を通過せずに外部に射出されてしまうことがない。このため、例えば青色発光するLEDチップ3と黄色の蛍光体層とを用いて白色発光させるときに、側方から青色の光が漏出してしまうことを防止し、確実に白色発光をさせることもできる。   According to the present embodiment, the reflecting member 25 can be integrated with the resin 40e covering the LED chip 30, and in addition to the effects in the above-described embodiment, the light can be emitted at an arbitrary angle. Can also be played. In addition, when using the upper base material 20 that functions as a phosphor layer, the light emitted from the LED chip 30 to the side is reflected upward by the reflecting member 25, so that it passes through the upper base material 20 as a phosphor layer. Without being injected outside. For this reason, for example, when white light is emitted using the LED chip 3 that emits blue light and the yellow phosphor layer, it is possible to prevent the blue light from leaking from the side and reliably emit white light. it can.

次に、図7乃至図9を参照して、本発明の実施例3における光デバイスの製造方法について説明する。図7乃至図9は、本実施例における光デバイス200fの製造工程図であり、図7(A)〜(E)、図8(A)、(B)、図9(A)〜(D)の順に時系列で示している。   Next, with reference to FIG. 7 thru | or FIG. 9, the manufacturing method of the optical device in Example 3 of this invention is demonstrated. FIGS. 7 to 9 are manufacturing process diagrams of the optical device 200f in the present embodiment, and FIGS. 7A to 7E, FIGS. 8A to 8B, and FIGS. 9A to 9D. These are shown in chronological order.

まず、図7(A)に示されるように、下基材10(第1の基材)の上には、接着部材12を介して、複数のLEDチップ30とともに銅等の導電体35(ビア)が設けられている。導電体35は、後述のように、本実施例の光デバイス200fの電極部(外部接続端子)を構成する。   First, as shown in FIG. 7 (A), a conductor 35 (via) such as copper together with a plurality of LED chips 30 on the lower substrate 10 (first substrate) via the adhesive member 12. ) Is provided. As will be described later, the conductor 35 constitutes an electrode portion (external connection terminal) of the optical device 200f of the present embodiment.

続いて、図7(B)に示されるように、図7(A)の構造体を、金型(トランスファ成形金型)を用いてクランプする。本実施例の金型は、一方金型500及び他方金型600を備えて構成されている。一方金型500には、キャビティ凹部501、502が形成されている。キャビティ凹部501は、LEDチップ30を配置する領域(LEDチップ配置領域28)に対応する位置に設けられている。キャビティ凹部502は、金型のクランプ時に、その底面において導電体35の表面(上面)に当接するように構成されている。他方金型600には、凹部601が形成されており、凹部601に図7(A)の構造体が載置される。また他方金型600は、ポット612を有する。ポット612の内部には、樹脂を圧送するためのプランジャ(不図示)が設けられている。   Subsequently, as shown in FIG. 7B, the structure of FIG. 7A is clamped by using a mold (transfer molding mold). The mold according to the present embodiment includes one mold 500 and the other mold 600. On the other hand, cavity recesses 501 and 502 are formed in the mold 500. The cavity recess 501 is provided at a position corresponding to a region (LED chip placement region 28) where the LED chip 30 is placed. The cavity recess 502 is configured to abut on the surface (upper surface) of the conductor 35 at the bottom surface thereof when the mold is clamped. On the other hand, a recess 601 is formed in the mold 600, and the structure shown in FIG. 7A is placed in the recess 601. The other mold 600 has a pot 612. Inside the pot 612, a plunger (not shown) for pumping the resin is provided.

一方金型500には、カル511、ランナ512、及び、ゲート513が形成されている。ランナ512は、ゲート513を介して、キャビティ凹部502に連通している。一方金型500は、樹脂成形時において、下基材10を上面側(一方面側)から押さえ付ける。一方、他方金型600は、樹脂成形時において、下基材10を下面側(他方面側)から押さえ付ける。そして樹脂成形時には、一方金型500と他方金型600とで下基材10をクランプし(挟み)、キャビティ凹部502の内部に樹脂26を充填する。   On the other hand, the mold 500 is formed with a cull 511, a runner 512, and a gate 513. The runner 512 communicates with the cavity recess 502 via the gate 513. On the other hand, the mold 500 presses the lower substrate 10 from the upper surface side (one surface side) during resin molding. On the other hand, the other mold 600 presses the lower substrate 10 from the lower surface side (the other surface side) during resin molding. At the time of resin molding, the lower substrate 10 is clamped (sandwiched) between the one mold 500 and the other mold 600, and the resin 26 is filled into the cavity recess 502.

樹脂26は、ポット612に供給された液状の熱硬化性樹脂である。また、液状樹脂に替えて、タブレット(円柱)状に成形した樹脂タブレットを供給してもよい。樹脂成形時には、他方金型600のポット612の中で液状樹脂(不図示)を加熱する。そして、トランスファ機構(不図示)によってポット612に沿って上下に摺動可能に構成されたプランジャ(不図示)を上動させて加熱した樹脂26を圧送する。これにより、図7(C)に示されるように、一方金型500と他方金型600との空間(キャビティ凹部502の内部)が樹脂26で充填される。   The resin 26 is a liquid thermosetting resin supplied to the pot 612. Moreover, it may replace with liquid resin and may supply the resin tablet shape | molded in tablet (column) shape. At the time of resin molding, a liquid resin (not shown) is heated in the pot 612 of the other mold 600. Then, a heated resin 26 is pumped by moving a plunger (not shown) configured to slide up and down along the pot 612 by a transfer mechanism (not shown). As a result, as shown in FIG. 7C, the space between the one mold 500 and the other mold 600 (inside the cavity recess 502) is filled with the resin 26.

樹脂26の充填後、樹脂26を硬化させるために所定時間だけ待機し、一方金型500及び他方金型600を型開きし、成形品を離型する。これにより、図7(D)に示されるように、トランスファ成形によって樹脂成形された成形品としての構造体が形成される。図7(D)において、樹脂26が形成されていない露出した部分は、LEDチップ配置領域28である。また樹脂26は、実施例1における反射部材25と同様の機能を有し、その内面に反射面Rを有する反射部材25a(リフレクタ)を構成する。また、樹脂26は、導電体35(光デバイス200fの外部接続端子)を支持する機能も有する。 続いて、図7(E)に示されるように、レンズ樹脂(液状樹脂)である樹脂40f(透光性樹脂)を、樹脂26の内側、すなわちLEDチップ配置領域28(リフレクタ(樹脂26)で囲まれる領域)に供給(ディスペンス)する。これにより、樹脂40fは、LEDチップ30の発光面(上面)を覆う。具体的には、図7(E)に示されるように、ディスペンサのノズル84から樹脂40fをLEDチップ配置領域28に向けて供給する。このとき、樹脂40fは、樹脂26(リフレクタ樹脂)にせき止められるため、レンズ成形に必要な量を供給することができる。図7(E)に示されるように、供給された樹脂40fがLEDチップ配置領域28内において複数のLEDチップ30を充填し、LEDチップ30発光面を覆う。これにより、構造体100fが構成される。   After the resin 26 is filled, the resin 26 is waited for a predetermined time to cure the resin 26, the one mold 500 and the other mold 600 are opened, and the molded product is released. As a result, as shown in FIG. 7D, a structure as a molded product formed by resin molding by transfer molding is formed. In FIG. 7D, the exposed portion where the resin 26 is not formed is an LED chip arrangement region 28. Further, the resin 26 has a function similar to that of the reflecting member 25 in the first embodiment, and constitutes a reflecting member 25a (reflector) having a reflecting surface R on the inner surface thereof. The resin 26 also has a function of supporting the conductor 35 (external connection terminal of the optical device 200f). Subsequently, as shown in FIG. 7E, the resin 40f (translucent resin) that is a lens resin (liquid resin) is placed inside the resin 26, that is, in the LED chip arrangement region 28 (reflector (resin 26)). Supply (dispense) to the enclosed area. Thereby, the resin 40 f covers the light emitting surface (upper surface) of the LED chip 30. Specifically, as illustrated in FIG. 7E, the resin 40 f is supplied from the nozzle 84 of the dispenser toward the LED chip placement region 28. At this time, since the resin 40f is blocked by the resin 26 (reflector resin), an amount necessary for lens molding can be supplied. As shown in FIG. 7E, the supplied resin 40f fills the plurality of LED chips 30 in the LED chip arrangement region 28 and covers the light emitting surface of the LED chip 30. Thereby, the structure 100f is configured.

続いて、図8(A)及び図8(B)に示されるように、金型に構造体100fを載置し、圧縮成形を行う。これにより、上基材20は構造体100fと一体化して、構造体101fが構成される。続いて、構造体101を一方金型50e及び他方金型60eから取り外すことにより、図9(A)に示されるように、構造体101fが形成される。また、実施例1と同様に、剥離した下基材10の位置に、再配線層14fを形成する。これにより、図9(B)に示されるようなLEDパッケージ成形体120fが形成される。本実施例では、導電体35(ビア)を介して外部に電機接続を行うため、再配線層14fは、LEDチップ30の電極同士を接続する配線層及びLEDチップ30の電極と導電体35とを接続する配線層を有する。   Subsequently, as shown in FIGS. 8A and 8B, the structure 100f is placed on a mold, and compression molding is performed. As a result, the upper substrate 20 is integrated with the structure 100f to form the structure 101f. Subsequently, the structure 101f is formed as shown in FIG. 9A by removing the structure 101 from the one mold 50e and the other mold 60e. Similarly to Example 1, the rewiring layer 14 f is formed at the position of the peeled lower base material 10. Thereby, an LED package molded body 120f as shown in FIG. 9B is formed. In the present embodiment, since the electrical connection is made to the outside through the conductor 35 (via), the rewiring layer 14f includes the wiring layer that connects the electrodes of the LED chip 30, the electrodes of the LED chip 30, and the conductor 35. A wiring layer for connecting the two.

最後に、図9(C)に示されるように、破線部150に沿ってLEDパッケージ成形体120fを切断する。このとき、反射部材25aを切断することで、樹脂26と共に導電体35(ビア)も切断されて分割される。これにより、複数の光デバイス200f(LEDパッケージ)に個片化される。図9(D)に示されるように、光デバイス200fは、実装面170の上に実装される。また、光デバイス200fの導電体35は切断され側面に露出されることで外部接続端子を構成し、半田18を用いて実装面170の所定の部位と電気的に接続される。   Finally, as shown in FIG. 9C, the LED package molded body 120 f is cut along the broken line 150. At this time, by cutting the reflecting member 25a, the conductor 35 (via) is also cut and divided together with the resin 26. Thereby, it is separated into a plurality of optical devices 200f (LED packages). As shown in FIG. 9D, the optical device 200f is mounted on the mounting surface 170. Further, the conductor 35 of the optical device 200f is cut and exposed on the side surface to constitute an external connection terminal, and is electrically connected to a predetermined portion of the mounting surface 170 using the solder 18.

図10は、光デバイス200fの各部材の配置を説明するための斜視図である。なお、本図では、LEDチップ30や導電体35の配置の理解を容易とするために上基材20と樹脂40fの図示を省略している。図10に示されるように、光デバイス200fは、反射面Rを有する樹脂26により囲まれたLEDチップ配置領域28において、複数のLEDチップ30が二次元状に配列されている。また、光デバイス200fの四隅に、外部接続端子としての導電体35が設けられている。導電体35の周囲は、樹脂26(熱硬化性樹脂)により覆われている。また導電体35は、光デバイス200fの側面において露出している。これにより、光デバイス200fは、その上面が上基材20に覆われていても半田18を用いて実装面170上に容易に実装することが可能である。   FIG. 10 is a perspective view for explaining the arrangement of each member of the optical device 200f. In the drawing, the illustration of the upper base material 20 and the resin 40f is omitted for easy understanding of the arrangement of the LED chip 30 and the conductor 35. As shown in FIG. 10, in the optical device 200f, a plurality of LED chips 30 are two-dimensionally arranged in an LED chip arrangement region 28 surrounded by a resin 26 having a reflective surface R. In addition, conductors 35 as external connection terminals are provided at the four corners of the optical device 200f. The periphery of the conductor 35 is covered with a resin 26 (thermosetting resin). The conductor 35 is exposed on the side surface of the optical device 200f. Thus, the optical device 200f can be easily mounted on the mounting surface 170 using the solder 18 even if the upper surface of the optical device 200f is covered with the upper base material 20.

なお、導電体35は、図10に示されるように4つ設ける例について説明したが、アノード側及びカソード側の各外部接続端子として少なくとも2つ設けてあればよい。また、導電体35は、接続されるLEDチップ30の数に応じて複数設けてもよく、例えば光デバイスに含まれるLEDチップ30の全ての電極数と同数設けてもよい。また、導電体35は、図10に示されるように円柱状であってもよいし、角柱状などの他の形状であってもよい。さらに、リードフレームのような導電材料を折り曲げて設けてもよい。また、導電体35は光デバイス200fの側面に露出させなくてもよい。この場合、その位置における上基材20及び樹脂40fを除去することにより、導電体35の上面を露出させて外部に電気的接続することもできる。   Although the example in which four conductors 35 are provided as shown in FIG. 10 has been described, at least two conductors may be provided as the external connection terminals on the anode side and the cathode side. A plurality of conductors 35 may be provided according to the number of LED chips 30 to be connected. For example, the same number as the number of all electrodes of the LED chip 30 included in the optical device may be provided. Further, the conductor 35 may have a cylindrical shape as shown in FIG. 10 or may have another shape such as a prismatic shape. Further, a conductive material such as a lead frame may be bent and provided. The conductor 35 may not be exposed on the side surface of the optical device 200f. In this case, by removing the upper base material 20 and the resin 40f at that position, the upper surface of the conductor 35 can be exposed to be electrically connected to the outside.

また、導電体35を有する反射部材25aは、上述したように下基材10にトランスファ成形により一連の処理において成形せずに、別に準備しておいて用いてもよい。   Further, the reflection member 25a having the conductor 35 may be separately prepared and used without being molded in the series of processes by transfer molding on the lower substrate 10 as described above.

次に、図11及び図12を参照して、本発明の実施例4における光デバイスの製造方法について説明する。本実施例は、側面から発光可能なサイドビュー型の光デバイスの製造方法について説明する。図11及び図12は、本実施例における光デバイス200gの製造工程図であり、図11(A)、(B)、図12(A)〜(C)の順に時系列で示している。   Next, with reference to FIG.11 and FIG.12, the manufacturing method of the optical device in Example 4 of this invention is demonstrated. In this example, a method for manufacturing a side-view type optical device capable of emitting light from a side surface will be described. 11 and 12 are manufacturing process diagrams of the optical device 200g in the present embodiment, which are shown in time series in the order of FIGS. 11 (A), (B), and FIGS. 12 (A) to (C).

まず、図11(A)に示されるように、下基材10(第1の基材)、接着部材12、LEDチップ30、及び、樹脂40g(透光性樹脂)により構造体100gが構成される。そして上述の実施例と同様の金型(不図示)を用いて、下基材10を含む構造体100gと、上基材20g(第2の基材)とをクランプし、樹脂40gの圧縮成形を行う。なお、上基材20gの上面を平坦としておくことで、上述の実施例における平坦なキャビティ駒でも吸着可能となっている。   First, as shown in FIG. 11A, the lower substrate 10 (first substrate), the adhesive member 12, the LED chip 30, and the resin 40g (translucent resin) constitute a structure 100g. The Then, using the same mold (not shown) as in the above-described embodiment, the structure 100g including the lower base material 10 and the upper base material 20g (second base material) are clamped, and compression molding of resin 40g is performed. I do. In addition, by flattening the upper surface of the upper base material 20g, the flat cavity piece in the above-described embodiment can be sucked.

本実施例において、上基材20gは、LEDチップからの光を側方に向けて反射させる機能を有する。この上基材20gは、例えば上述の反射部材と同様の材質で製造することができる。   In the present embodiment, the upper substrate 20g has a function of reflecting the light from the LED chip toward the side. This upper base material 20g can be manufactured, for example with the material similar to the above-mentioned reflective member.

また上基材20gには、複数の凹部22が形成されている。複数の凹部22は、LEDチップ30に対応する位置に設けられている。凹部22は、光を側面に反射させるために曲面や斜面などで構成される反射面と、光の放出面に相当し垂直に起立する壁面とで構成される。   A plurality of recesses 22 are formed in the upper base material 20g. The plurality of recesses 22 are provided at positions corresponding to the LED chips 30. The concave portion 22 includes a reflection surface configured by a curved surface or a slope to reflect light to the side surface, and a wall surface corresponding to the light emission surface and standing upright.

上述の実施例と同様の金型を用いて下基材10と上基材20gとをクランプして樹脂40gの圧縮成形を行うことにより、図示しないキャビティ駒に吸着保持された上基材20gの凹部22の内部においてLEDチップ30を覆うように樹脂40gが充填される。これにより、図11(B)に示されるような構造体101gが形成される。   By clamping the lower base material 10 and the upper base material 20g using a mold similar to the above-described embodiment and compressing the resin 40g, the upper base material 20g adsorbed and held by a cavity piece (not shown) is obtained. Resin 40 g is filled so as to cover the LED chip 30 inside the recess 22. As a result, a structure 101g as shown in FIG. 11B is formed.

続いて、構造体101gから接着部材12を剥離させて下基材10を分離する。そして、下基材10を分離した領域に、再配線層14gを形成する。これにより、図12(A)に示されるようなLEDパッケージ成形体120gが形成される。   Subsequently, the adhesive member 12 is peeled from the structural body 101g to separate the lower substrate 10. And the rewiring layer 14g is formed in the area | region which isolate | separated the lower base material 10. FIG. Thereby, an LED package molded body 120g as shown in FIG. 12A is formed.

続いて、LEDパッケージ成形体120gを、破線部151(樹脂40gと上基材20gとの界面(接触面))において切断することにより、複数の光デバイス200gに個片化される。LEDパッケージ成形体120gの切断時において、図12(B)の矢印で示されるように、上述した壁面の位置において所定の幅で切断部することで、切断面において樹脂40gが露出される。これにより、図12(C)に示されるように、光デバイス200gは、矢印で示されるように、その側面(図12(C)の右側面)から光を出射させることができる。このように、1つのキャビティ内において多数の光デバイス200gを一括成形できるため、サイドビュー型の光デバイス200gを安価に製造することができる。また、通常のサイドビュー型の光デバイスと比較した場合、ワイヤを用いずにLEDチップを電気的接続することができ、また、反射面を構成する部材を極めて薄く形成することができるため、小型化や薄型化も可能となる。   Subsequently, the LED package molded body 120g is cut into pieces into a plurality of optical devices 200g by cutting at a broken line portion 151 (interface (contact surface) between the resin 40g and the upper substrate 20g). When the LED package molded body 120g is cut, as shown by the arrow in FIG. 12B, the resin 40g is exposed on the cut surface by cutting with a predetermined width at the position of the wall surface described above. Thereby, as shown in FIG. 12C, the optical device 200g can emit light from its side surface (the right side surface in FIG. 12C) as shown by the arrow. As described above, since a large number of optical devices 200g can be formed in one cavity, the side-view type optical device 200g can be manufactured at low cost. In addition, when compared with a normal side-view type optical device, the LED chip can be electrically connected without using a wire, and the member constituting the reflection surface can be formed extremely thin, so that it is compact. Can be made thinner and thinner.

各実施例によれば、安価であり機能的かつ高品質な光デバイス及び光デバイスの製造方法を提供することができる。   According to each embodiment, an inexpensive, functional and high quality optical device and a method for manufacturing the optical device can be provided.

以上、本発明の実施例を具体的に説明した。ただし、本発明は、上記各実施例にて説明した事項に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱しない範囲内で適宜変更可能である。   In the above, the Example of this invention was described concretely. However, the present invention is not limited to the matters described in the above embodiments, and can be appropriately changed without departing from the technical idea of the present invention.

例えば、各実施例では、樹脂40等の透光性樹脂に蛍光体を含む場合について説明したが、これに限定されるものではない。蛍光体を含まない無色透明の樹脂40でLEDチップ30を封止した後に一層又は多層の蛍光体層を成形してもよい。又は、LEDチップ30上に一層又は多層の蛍光体層を成形した後に無色透明な樹脂40で封止してもよい。また、透光性樹脂に代えて遮光性樹脂又は配光性樹脂を用いることもできる。また、樹脂40や樹脂26等の各樹脂は、熱硬化性樹脂でなく熱可塑性樹脂であってもよい。   For example, in each of the embodiments, the case where the translucent resin such as the resin 40 includes a fluorescent material has been described. However, the present invention is not limited to this. After the LED chip 30 is sealed with a colorless and transparent resin 40 that does not contain a phosphor, one or more phosphor layers may be formed. Alternatively, a single-layer or multilayer phosphor layer may be formed on the LED chip 30 and then sealed with a colorless and transparent resin 40. In addition, a light shielding resin or a light distribution resin can be used instead of the light transmitting resin. Further, each resin such as the resin 40 and the resin 26 may be a thermoplastic resin instead of a thermosetting resin.

また、上基材としては、LEDチップ30からの光を樹脂40内で反射するのを防止する反射防止膜や、LEDチップ30からの光のうちの紫外線を反射して外部へ放出しないために設けられる紫外線反射膜として機能する等の各種の機能性のシート状の部材を用いて一体化させて用いてもよい。   Further, as an upper base material, in order to prevent the light from the LED chip 30 from being reflected within the resin 40 and to prevent the ultraviolet light of the light from the LED chip 30 from being reflected and emitted to the outside You may integrate and use various functional sheet-like members, such as functioning as an ultraviolet reflective film provided.

また、圧縮成形に用いられる金型は、一方金型50及び他方金型60を上下反転した構成としてもよい。即ち、この場合の圧縮成形用の金型は、上述した一方金型50と同様の構成の下金型と、上述した他方金型60と同様の構成の上金型とを備えて構成される。これにより、第1の基材としての下基材10を上金型の下面に固定しながら、第2の基材としての上基材20を他方金型60の上面にリリースフィルムを介して吸着保持した状態で圧縮成形を行うことができる。この場合、例えば、下金型側に配置される上基材20上に樹脂40を搭載して金型に搬入することで樹脂供給を行うことができる。   In addition, the mold used for compression molding may have a configuration in which the one mold 50 and the other mold 60 are turned upside down. That is, the compression molding mold in this case is configured to include a lower mold having the same configuration as the above-described one mold 50 and an upper mold having the same configuration as the above-described other mold 60. . As a result, the lower substrate 10 as the first substrate is fixed to the lower surface of the upper mold, and the upper substrate 20 as the second substrate is adsorbed to the upper surface of the other mold 60 via the release film. Compression molding can be performed in the held state. In this case, for example, the resin can be supplied by mounting the resin 40 on the upper base material 20 disposed on the lower mold side and carrying it in the mold.

また、1枚の上基材20をキャビティ駒52に吸着保持する例について説明したが、上基材20は、キャビティ駒52の大きさよりも小さいサイズのものを複数枚並べて用いてもよい。これによれば、上基材20を安価に用意することができ、大型化も容易となるため、光デバイスをより安価に製造することができる。さらに、上基材20は最低でも1つの光デバイス分のサイズとすることで、上述したように上基材20を切断する例と同様の構成とすることができる。   Further, although an example in which one upper base material 20 is attracted and held by the cavity piece 52 has been described, a plurality of upper base materials 20 having a size smaller than the size of the cavity piece 52 may be used. According to this, since the upper base material 20 can be prepared at low cost and the size can be easily increased, the optical device can be manufactured at lower cost. Furthermore, by setting the upper substrate 20 to a size corresponding to at least one optical device, the same configuration as the example in which the upper substrate 20 is cut as described above can be obtained.

また各実施例において、LEDチップに電気的に接続される再配線層を形成する構成について説明したが、これに限定されるものではなく、再配線層を形成しなくてもよい。この場合、各実施例のようにして製造される光デバイスは、例えばリードフレームや基板などの上に実装し、さらに透光性樹脂内に封止することでLEDチップのように用いることもできる。   In each embodiment, the configuration for forming the redistribution layer electrically connected to the LED chip has been described. However, the present invention is not limited to this, and the redistribution layer may not be formed. In this case, the optical device manufactured as in each of the embodiments can be used like an LED chip by mounting it on a lead frame or a substrate, for example, and sealing it in a translucent resin. .

10 下基材(第1の基材)
12 接着部材
20 上基材(第2の基材)
25 樹脂(白樹脂)
30 LEDチップ(光素子)
40 樹脂(透光性樹脂)
50 一方金型
60 他方金型
72 リリースフィルム
100、101 構造体
120 LEDパッケージ成形体
200 光デバイス
10 Lower substrate (first substrate)
12 Adhesive member 20 Upper substrate (second substrate)
25 Resin (white resin)
30 LED chip (optical element)
40 Resin (Translucent resin)
50 One mold 60 The other mold 72 Release film 100, 101 Structure 120 LED package molded body 200 Optical device

Claims (15)

光素子と、
前記光素子の発光面に向けて配置された基材と、
前記光素子を覆うと共に前記基材と前記光素子との間に設けられた樹脂と、を有し、
前記樹脂は、圧縮成形により形成されていることを特徴とする光デバイス。
An optical element;
A substrate disposed toward the light emitting surface of the optical element;
A resin that covers the optical element and is provided between the base material and the optical element;
The optical device, wherein the resin is formed by compression molding.
前記基材は、ガラス基材であることを特徴とする請求項1に記載の光デバイス。   The optical device according to claim 1, wherein the substrate is a glass substrate. 前記ガラス基材は、蛍光体を含んでいることを特徴とする請求項2に記載の光デバイス。   The optical device according to claim 2, wherein the glass substrate contains a phosphor. 前記樹脂は、透光性樹脂であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の光デバイス。   The optical device according to claim 1, wherein the resin is a translucent resin. 前記光素子からの光を反射するリフレクタを更に有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の光デバイス。   The optical device according to claim 1, further comprising a reflector that reflects light from the optical element. 前記光デバイスの外部接続端子を構成する導電体を更に有していることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の光デバイス。   The optical device according to claim 1, further comprising a conductor constituting an external connection terminal of the optical device. 前記導電体は、リフレクタの内部に設けられていることを特徴とする請求項6に記載の光デバイス。   The optical device according to claim 6, wherein the conductor is provided inside a reflector. 前記基材は、光の反射面を有するリフレクタを備えた熱硬化性樹脂を含むことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の光デバイス。   5. The optical device according to claim 1, wherein the base material includes a thermosetting resin including a reflector having a light reflection surface. 第1の基材の上に接着部材を介して光素子を配置するステップと、
第1の基材と第2の基材とで前記光素子を封止するための樹脂を挟み込むように圧縮成形し圧縮成形体を製造するステップと、
前記圧縮成形体から前記接着部材を剥離させて前記第1の基材を分離するステップと、
前記第1の基材を分離した後に前記圧縮成形体を所定の位置にて切断し個片化するステップと、を有することを特徴とする光デバイスの製造方法。
Disposing an optical element on the first substrate via an adhesive member;
Producing a compression-molded body by compression molding so as to sandwich a resin for sealing the optical element between the first base material and the second base material;
Separating the first base material by separating the adhesive member from the compression molded body;
And a step of cutting the compression-molded body at a predetermined position and separating it after separating the first base material.
前記圧縮成形体を個片化する前に前記接着部材を剥離させて露出させた前記光素子に対して再配線層を形成するステップと、を更に有することを特徴とする請求項9に記載の光デバイスの製造方法。   The step of forming a rewiring layer on the optical element exposed by peeling off the adhesive member before separating the compression molded body into pieces is further included. Manufacturing method of optical device. 前記第2の基材を保持する一方金型と、前記第1の基材を保持する他方金型とをクランプすることにより、前記樹脂を圧縮成形することを特徴とする請求項9又は10に記載の光デバイスの製造方法。   The resin is compression-molded by clamping one mold holding the second base material and the other mold holding the first base material. The manufacturing method of the optical device of description. 前記第2の基材は、リリースフィルムを介して前記一方金型に保持されることを特徴とする請求項11に記載の光デバイスの製造方法。   The method of manufacturing an optical device according to claim 11, wherein the second substrate is held by the one mold through a release film. 前記光素子からの光を反射するリフレクタとして機能する熱硬化性樹脂を、前記第1の基材の上に前記接着部材を介して成形するステップを更に有することを特徴とする請求項9乃至12のいずれか1項に記載の光デバイスの製造方法。   The thermosetting resin functioning as a reflector that reflects light from the optical element is further formed on the first base material via the adhesive member. The manufacturing method of the optical device of any one of these. 前記光デバイスの外部接続端子を構成する導電体を、前記第1の基材の上に前記接着部材を介して設けるステップを更に有し、
前記熱硬化性樹脂は、前記導電体の周囲を覆うように成形されることを特徴とする請求項13に記載の光デバイスの製造方法。
Further comprising providing a conductor constituting an external connection terminal of the optical device on the first base material via the adhesive member;
The method of manufacturing an optical device according to claim 13, wherein the thermosetting resin is molded so as to cover the periphery of the conductor.
前記第2の基材は、光の反射面を有するリフレクタを備えた熱硬化性樹脂を含むことを特徴とする請求項9乃至12のいずれか1項に記載の光デバイスの製造方法。   The method of manufacturing an optical device according to claim 9, wherein the second base material includes a thermosetting resin including a reflector having a light reflecting surface.
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