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JP2015034948A - Display device and electronic apparatus - Google Patents

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JP2015034948A JP2013167001A JP2013167001A JP2015034948A JP 2015034948 A JP2015034948 A JP 2015034948A JP 2013167001 A JP2013167001 A JP 2013167001A JP 2013167001 A JP2013167001 A JP 2013167001A JP 2015034948 A JP2015034948 A JP 2015034948A
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light emitting
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Eigo Kubota
英吾 窪田
江林 岳
Jianglin Yue
江林 岳
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Sony Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a display device in which contrast can be improved.SOLUTION: The display device includes: a plurality of light emitting sections; a light absorbing section that surrounds each of the light emitting sections; and a low-reflection layer that is provided on the surfaces of both of the light emitting sections and the light absorbing section. The surface of the light absorbing section is a recessed and projected surface that diffuses light, and the low-reflection layer is provided conforming to the recessed and projected surface.

Description

本技術は、表示装置および電子機器に関する。詳しくは、反射防止機能を有する表示装置および電子機器に関する。   The present technology relates to a display device and an electronic apparatus. Specifically, the present invention relates to a display device and an electronic device having an antireflection function.

従来、表示装置の最表面は、一般的にガラス層または透明樹脂層の単一の構成部材からなる平坦面である。しかしながら、近年では、複数の構成材料からなる凹凸面(段差面)により最表面が構成された表示装置も提案されている。例えば特許文献1、2では、表示装置の最表面は、LED(Light Emitting Diode)封止部およびその周辺の黒色部からなる単位構造を繰り返し並べて構成されている。このため、LED封止部および黒色部の表面が同一高さに位置せず、表示装置の表面は高低の段差を有する凹凸面となる。また、LED封止部または黒色部が平坦面ではなく、凹凸面を有することもある。   Conventionally, the outermost surface of a display device is generally a flat surface made of a single component of a glass layer or a transparent resin layer. However, in recent years, a display device in which the outermost surface is constituted by an uneven surface (step surface) made of a plurality of constituent materials has also been proposed. For example, in Patent Documents 1 and 2, the outermost surface of the display device is configured by repeatedly arranging unit structures composed of LED (Light Emitting Diode) sealing portions and the surrounding black portions. For this reason, the surface of an LED sealing part and a black part is not located in the same height, but the surface of a display apparatus becomes an uneven surface which has a level difference. In addition, the LED sealing portion or the black portion may have an uneven surface instead of a flat surface.

表示装置の最表面と空気との境界面では、両者の屈折率の差異に応じた反射率(フレネルの反射則)の外光反射が発生するため、明所コントラストが低下する。したがって、上述のように凹凸面を最表面に有する表示装置についても、外光反射を抑制し、明所コントラストを向上する技術が望まれる。   At the boundary surface between the outermost surface of the display device and air, external light reflection having a reflectance (Fresnel's reflection law) corresponding to the difference in refractive index between the two occurs, so that the contrast in the bright place is lowered. Therefore, a technique that suppresses external light reflection and improves contrast in a bright place is also desired for a display device having an uneven surface on the outermost surface as described above.

特開2003−173149号公報JP 2003-173149 A

特開2009−076949号公報JP 2009-076949 A1

したがって、本技術の目的は、コントラストを向上できる表示装置および電子機器を提供することにある。   Therefore, an object of the present technology is to provide a display device and an electronic apparatus that can improve contrast.

上述の課題を解決するために、第1の技術は、
複数の発光部と、
複数の発光部それぞれを取り囲む光吸収部と、
発光部および光吸収部の両表面に設けられた低反射層と
を含み、
光吸収部の表面は、光を拡散する凹凸面であり、
低反射層は、凹凸面に倣って設けられている表示装置である。
In order to solve the above-mentioned problem, the first technique is:
A plurality of light emitting units;
A light absorbing portion surrounding each of the plurality of light emitting portions;
A low reflection layer provided on both surfaces of the light emitting part and the light absorbing part,
The surface of the light absorbing portion is an uneven surface that diffuses light,
The low reflection layer is a display device provided so as to follow the uneven surface.

第2の技術は、
2次元的に配置された複数の表示セルを備え、
表示セルは、
複数の発光部と、複数の発光部それぞれを取り囲む光吸収部と、発光部および光吸収部の両表面に設けられた低反射層とを含み、
光吸収部の表面は、光を拡散する凹凸面であり、
低反射層は、凹凸面に倣って設けられている表示装置である。
The second technology is
A plurality of display cells arranged two-dimensionally;
The display cell is
Including a plurality of light emitting units, a light absorbing unit surrounding each of the plurality of light emitting units, and a low reflection layer provided on both surfaces of the light emitting unit and the light absorbing unit,
The surface of the light absorbing portion is an uneven surface that diffuses light,
The low reflection layer is a display device provided so as to follow the uneven surface.

第3の技術は、
複数の発光部と、複数の発光部それぞれを取り囲む光吸収部と、発光部および光吸収部の両表面に設けられた低反射層とを含む表示装置を備え、
光吸収部の表面は、光を拡散する凹凸面であり、
低反射層は、凹凸面に倣って設けられている電子機器である。
The third technology is
A display device including a plurality of light emitting units, a light absorbing unit surrounding each of the plurality of light emitting units, and a low reflection layer provided on both surfaces of the light emitting unit and the light absorbing unit,
The surface of the light absorbing portion is an uneven surface that diffuses light,
The low reflection layer is an electronic device provided to follow the uneven surface.

以上説明したように、本技術によれば、表示装置のコントラストを向上できる。   As described above, according to the present technology, the contrast of the display device can be improved.

図1Aは、本技術の第1の実施形態に係る表示装置の外観の一例を示す斜視図である。図1Bは、図1AのI−I線に沿った断面図である。FIG. 1A is a perspective view illustrating an example of an appearance of a display device according to the first embodiment of the present technology. 1B is a cross-sectional view taken along the line II of FIG. 1A. 図2は、図1Bの一部を拡大して表す断面図である。FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of a part of FIG. 1B. 図3は、本技術の第1の実施形態に係る大画面表示装置の構成の一例を示す斜視図である。FIG. 3 is a perspective view illustrating an example of the configuration of the large screen display device according to the first embodiment of the present technology. 図4Aは、比較例としての大画面表示装置の作用を説明するための概略図である。図4Bは、本技術の第1の実施形態に係る大画面表示装置の作用を説明するための概略図である。FIG. 4A is a schematic diagram for explaining the operation of a large screen display device as a comparative example. FIG. 4B is a schematic diagram for explaining the operation of the large screen display device according to the first embodiment of the present technology. 図5は、比較例としての表示装置の構成を示す概略図である。FIG. 5 is a schematic diagram illustrating a configuration of a display device as a comparative example. 図6A〜図6Dは、本技術の第1の実施形態に係る表示装置の製造方法の一例を説明するための工程図である。6A to 6D are process diagrams for explaining an example of the method for manufacturing the display device according to the first embodiment of the present technology. 図7A、図7Bは、本技術の第1の実施形態に係る表示装置の製造方法の一例を説明するための工程図である。7A and 7B are process diagrams for explaining an example of the method for manufacturing the display device according to the first embodiment of the present technology. 図8は、本技術の第2の実施形態に係る表示装置の構成の一例を断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view of an example of a configuration of a display device according to the second embodiment of the present technology. 図9A〜図9Cは、本技術の第2の実施形態に係る表示装置の製造方法の一例を説明するための工程図である。9A to 9C are process diagrams for explaining an example of a method for manufacturing a display device according to the second embodiment of the present technology. 図10Aは、電子機器としてテレビ装置の例を示す外観図である。図10Bは、電子機器としてノート型パーソナルコンピュータの例を示す外観図である。FIG. 10A is an external view illustrating an example of a television device as an electronic apparatus. FIG. 10B is an external view illustrating an example of a notebook personal computer as an electronic apparatus. 図11Aは、参考例1のサンプルの反射スペクトルの測定条件を示す図である。図11Bは、参考例1のサンプルの反射スペクトルの評価結果を示す図である。FIG. 11A is a diagram illustrating measurement conditions of the reflection spectrum of the sample of Reference Example 1. FIG. 11B is a diagram showing the evaluation result of the reflection spectrum of the sample of Reference Example 1. 図12Aは、参考例4のサンプルの反射光強度の角度依存性の測定条件を示す図である。図12Bは、参考例4のサンプルの反射光強度の角度依存性の評価結果を示す図である。FIG. 12A is a diagram showing measurement conditions for the angle dependence of the reflected light intensity of the sample of Reference Example 4. 12B is a diagram illustrating an evaluation result of the angle dependency of the reflected light intensity of the sample of Reference Example 4. FIG. 図13Aは、本技術の第3の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。図13B〜図13Dは、本技術の第3の実施形態の変形例に係る表示装置の構成例を示す断面図である。FIG. 13A is a cross-sectional view illustrating an example of a configuration of a display device according to a third embodiment of the present technology. 13B to 13D are cross-sectional views illustrating a configuration example of a display device according to a modification of the third embodiment of the present technology. 図14A〜図14Cは、本技術の第3の実施形態の変形例に係る表示装置の構成例を示す断面図である。14A to 14C are cross-sectional views illustrating configuration examples of display devices according to modifications of the third embodiment of the present technology. 図15Aは、拡散層を設けていない場合のFFPを示す図である。図15Bは、拡散層を設けている場合のFFPを示す図である。FIG. 15A is a diagram illustrating an FFP when no diffusion layer is provided. FIG. 15B is a diagram illustrating an FFP in the case where a diffusion layer is provided. 図16Aは、平行光を拡散層に対して垂直入射したときの透過散乱特性を示す図である。図16Bは、平行光を拡散層に対して斜め入射したときの透過散乱特性を示す図である。FIG. 16A is a diagram illustrating transmission and scattering characteristics when parallel light is perpendicularly incident on a diffusion layer. FIG. 16B is a diagram illustrating transmission and scattering characteristics when parallel light is obliquely incident on the diffusion layer. 図17は、ある微粒子濃度の光拡散層透過前後における配光ばらつきの関係を示す図である。FIG. 17 is a diagram showing the relationship of the light distribution variation before and after passing through the light diffusion layer having a certain fine particle concentration. 図18Aは、拡散層を設けていない場合のFFPを示す図である。図18Bは、拡散層を設けている場合のFFPを示す図である。FIG. 18A is a diagram illustrating an FFP when no diffusion layer is provided. FIG. 18B is a diagram illustrating the FFP when a diffusion layer is provided.

本技術の実施形態について図面を参照しながら以下の順序で説明する。
1 第1の実施形態(表示装置の第1の例)
1.1 表示装置の構成
1.2 大画面表示装置の構成
1.3 表示装置の作用
1.4 表示装置の製造方法
2.第2の実施形態(表示装置の第2の例)
2.1 表示装置の構成
2.2 表示装置の製造方法
3.第3の実施形態(表示装置の第3の例)
3.1 概要
3.2 表示装置の構成
3.3 光拡散層の成膜方法
3.4 効果
3.5 変形例
4.第4の実施形態(電子機器の例)
Embodiments of the present technology will be described in the following order with reference to the drawings.
1 First Embodiment (First Example of Display Device)
1.1 Configuration of Display Device 1.2 Configuration of Large Screen Display Device 1.3 Action of Display Device 1.4 Manufacturing Method of Display Device Second Embodiment (Second Example of Display Device)
2.1 Configuration of display device 2.2 Manufacturing method of display device Third Embodiment (Third Example of Display Device)
3.1 Overview 3.2 Configuration of Display Device 3.3 Light Diffusion Layer Film Forming Method 3.4 Effects 3.5 Modification 4 Fourth Embodiment (Example of Electronic Device)

<1 第1の実施形態>
[1.1 表示装置の構成]
図1Aおよび図1Bに示すように、本技術の第1の実施形態に係る表示装置10は、回路基板11と、この回路基板11の表面に設けられた光吸収部12および複数の発光部13を備える。表示装置10は、いわゆるLED(Light Emitting Diode)表示装置であり、ユーザが表示画像を視認する矩形状の表示面10sを有している。本明細書では、表示面10sの面内方向において直交する2方向をそれぞれ「x軸方向」、「y軸方向」といい、表示面10sに対して垂直な方向(すなわち表示装置10の厚さ方向)を「z軸方向」という。また、表示装置10またはそれを構成する部材の両主面のうち、ユーザにより表示画像が視認される側の主面を「おもて面」といい、それとは反対側の主面を「うら面」という。
<1 First Embodiment>
[1.1 Configuration of display device]
As shown in FIGS. 1A and 1B, a display device 10 according to the first embodiment of the present technology includes a circuit board 11, a light absorbing unit 12 and a plurality of light emitting units 13 provided on the surface of the circuit board 11. Is provided. The display device 10 is a so-called LED (Light Emitting Diode) display device, and has a rectangular display surface 10s through which a user visually recognizes a display image. In this specification, two directions orthogonal to each other in the in-plane direction of the display surface 10s are referred to as an “x-axis direction” and a “y-axis direction”, respectively, and are perpendicular to the display surface 10s (ie, the thickness of the display device 10). Direction) is referred to as “z-axis direction”. Of the two main surfaces of the display device 10 or the members constituting the display device, the main surface on the side where the display image is visually recognized by the user is referred to as “front surface”, and the main surface on the opposite side is referred to as “back”. It is called “face”.

表示面10sは、光吸収部12および複数の発光部13の表面により構成されている。これらの光吸収部12と発光部13とはz軸方向に段差を有しているため、表示面10sは凹凸面となっている。   The display surface 10 s is configured by the surfaces of the light absorbing unit 12 and the plurality of light emitting units 13. Since the light absorbing portion 12 and the light emitting portion 13 have a step in the z-axis direction, the display surface 10s is an uneven surface.

(光吸収部)
光吸収部(光吸収層)12は、複数の開口12aを有する黒色層(いわゆるブラックマトリックス)である。複数の開口12aは、回路基板11の表面に規則的な周期でx軸方向およびy軸方向に2次元配列されている。この開口12aを介して発光部13の表面が露出する。開口12aの形状としては、例えば、矩形状や菱形などの多角形状、円形状などが挙げられるが、これに限定されるものではない。なお、図1Aでは、開口12aを矩形状とした例が示されている。
(Light absorption part)
The light absorption part (light absorption layer) 12 is a black layer (so-called black matrix) having a plurality of openings 12a. The plurality of openings 12a are two-dimensionally arranged on the surface of the circuit board 11 in the x-axis direction and the y-axis direction at regular intervals. The surface of the light emitting unit 13 is exposed through the opening 12a. Examples of the shape of the opening 12a include, but are not limited to, a polygonal shape such as a rectangular shape and a diamond shape, and a circular shape. 1A shows an example in which the opening 12a is rectangular.

図2に示すように、光吸収部12の表面には、光を拡散する微細凹凸面12sが設けられている。この微細凹凸面12sは、光吸収部12の表面から複数の微粒子の表面を突出させることにより構成されるか、もしくは光吸収部12の表面に微細凹凸形状を形状転写することにより構成される。なお、これらの両構成を組み合わせて用いてもよい。   As shown in FIG. 2, the surface of the light absorbing portion 12 is provided with a fine uneven surface 12s that diffuses light. The fine uneven surface 12 s is configured by projecting the surface of a plurality of fine particles from the surface of the light absorbing portion 12, or formed by transferring the shape of the fine uneven shape to the surface of the light absorbing portion 12. In addition, you may use combining these both structures.

微粒子の平均粒径は、例えば4〜20μmの範囲内である。微粒子としては、無機微粒子および有機微粒子の少なくとも一方を用いることができる。有機微粒子としては、例えば、ウレタン、アクリル(PMMA)、ポリスチレン(PS)、アクリル−スチレン共重合体、メラミン、ポリカーボート(PC)などを含むものを用いることができる。無機微粒子としては、例えば、酸化珪素、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化錫、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、タルク、カオリン、硫酸カルシウムなどを含むものを用いることができる。   The average particle diameter of the fine particles is, for example, in the range of 4 to 20 μm. As the fine particles, at least one of inorganic fine particles and organic fine particles can be used. As organic fine particles, for example, those containing urethane, acrylic (PMMA), polystyrene (PS), acrylic-styrene copolymer, melamine, polycarbonate (PC) and the like can be used. As the inorganic fine particles, for example, those containing silicon oxide, titanium oxide, aluminum oxide, zinc oxide, tin oxide, calcium carbonate, barium sulfate, talc, kaolin, calcium sulfate and the like can be used.

(発光部)
図2に示すように、発光部13は、発光素子31と、封止部32とを備えており、表示装置10の画素を構成する。発光素子31としては、例えば、単色LED、赤(R)および緑(G)の2色LED、赤(R)、緑(G)および青(B)の3色LEDが用いられる。表示装置10がフルカラー表示装置である場合、発光部13としては3色LEDが用いられる。
(Light emitting part)
As shown in FIG. 2, the light emitting unit 13 includes a light emitting element 31 and a sealing unit 32 and constitutes a pixel of the display device 10. As the light emitting element 31, for example, a single color LED, a red (R) and green (G) two color LED, and a red (R), green (G) and blue (B) three color LED are used. When the display device 10 is a full-color display device, a three-color LED is used as the light emitting unit 13.

複数の発光部13は、回路基板11の表面に規則的な周期でx軸方向およびy軸方向に2次元配列されている。このように配列された複数の発光部13それぞれの周囲は、光吸収部12により取り囲まれている。発光素子31は、開口12a内に設けられていることが好ましい。より具体的には、発光素子31は、表示面10sの垂線方向から見て、光吸収部12のうら面とほぼ同一の高さ、もしくはうら面よりも高い位置に設けられていることが好ましい。これにより、光吸収部12のうら面よりも深い位置に発光素子31が設けられている場合に比して、開口12aを小さくできる。したがって、開口率を小さくできるので、明所コントラストを向上できる。また、光吸収部12のうら面よりも深い位置に発光素子31が設けられている場合に比して、高精度なアラインメントが要求されない。したがって、アラインメント誤差の許容範囲を広げることができるので、歩留まりを改善できる。   The plurality of light emitting units 13 are two-dimensionally arranged on the surface of the circuit board 11 in the x-axis direction and the y-axis direction at regular intervals. The periphery of each of the plurality of light emitting units 13 arranged in this manner is surrounded by the light absorbing unit 12. The light emitting element 31 is preferably provided in the opening 12a. More specifically, it is preferable that the light emitting element 31 is provided at substantially the same height as the back surface of the light absorbing portion 12 or at a position higher than the back surface when viewed from the direction perpendicular to the display surface 10s. . Thereby, compared with the case where the light emitting element 31 is provided in the position deeper than the back surface of the light absorption part 12, the opening 12a can be made small. Therefore, since the aperture ratio can be reduced, the bright place contrast can be improved. In addition, as compared with the case where the light emitting element 31 is provided at a position deeper than the back surface of the light absorbing portion 12, highly accurate alignment is not required. Therefore, since the allowable range of alignment errors can be expanded, the yield can be improved.

封止部32は、回路基板11の表面に設けられた発光素子31を覆うことにより、発光素子31を封止する。封止部32は、例えば、透明な樹脂材料、または光を拡散透過するほぼ透明な樹脂材料で構成されている。   The sealing unit 32 seals the light emitting element 31 by covering the light emitting element 31 provided on the surface of the circuit board 11. The sealing part 32 is made of, for example, a transparent resin material or a substantially transparent resin material that diffuses and transmits light.

封止部32の上面(すなわち表示面10sを構成する面)の形状としては、例えば、平坦面、湾曲面、凹凸面などが挙げられる。湾曲面としては、回路基板11のおもて面に対して凸状または凹状の湾曲面が挙げられ、これらの湾曲面のうちでも凸状の湾曲面が好ましい。発光素子31から出射される光を広角方向に向けて広げることで、視野角を改善することができるからである。凸状の湾曲面としては、例えば、部分球面形状、ドーム形状、自由曲面状などが挙げられる。ここで、部分球面状とは、球形の一部を切り出した形状である。部分球面形状には、ほぼ部分球面形状も含まれるものと定義する。ほぼ部分球面形状とは、光学特性の大幅な低下を招かない範囲において、部分球面形状を若干歪ませた形状である。   Examples of the shape of the upper surface of the sealing portion 32 (that is, the surface constituting the display surface 10s) include a flat surface, a curved surface, and an uneven surface. Examples of the curved surface include a curved surface that is convex or concave with respect to the front surface of the circuit board 11, and among these curved surfaces, a convex curved surface is preferable. This is because the viewing angle can be improved by spreading the light emitted from the light emitting element 31 in the wide angle direction. Examples of the convex curved surface include a partial spherical shape, a dome shape, and a free curved surface shape. Here, the partial spherical shape is a shape obtained by cutting out a part of a sphere. The partial spherical shape is defined to include substantially the partial spherical shape. The substantially partial spherical shape is a shape obtained by slightly distorting the partial spherical shape within a range that does not cause a significant decrease in optical characteristics.

(低反射層)
図2に示すように、光吸収部12、封止部32の表面にはそれぞれ、低反射層14a、低反射層14bが設けられている。低反射層14aは、光吸収部12の微細凹凸面12sに倣うようにして設けられている。低反射層14bは、封止部32の上面に倣うように設けられている。これにより、封止部32および光吸収部12による外光反射が低減される。
(Low reflective layer)
As shown in FIG. 2, a low reflection layer 14 a and a low reflection layer 14 b are provided on the surfaces of the light absorption unit 12 and the sealing unit 32, respectively. The low reflection layer 14 a is provided so as to follow the fine uneven surface 12 s of the light absorbing portion 12. The low reflection layer 14 b is provided so as to follow the upper surface of the sealing portion 32. Thereby, external light reflection by the sealing part 32 and the light absorption part 12 is reduced.

低反射層14a、14bは、屈折率nが1.5以下の低屈折率材料を主成分として含んでいることが好ましい。これにより、低反射層14a、14bの屈折率を、空気の屈折率と封止部32および光吸収部12の屈折率との間の中間的な屈折率にできるからである。低屈折率材料としては、例えば、フッ素系樹脂、多孔質シリカ粒子(ポーラスシリカ粒子)などの多孔質粒子、中空シリカ粒子などの中空粒子などを用いることができる。これらの材料は単独のみならず、2種以上組み合わせて用いてもよい。ここで、多孔質粒子および中空粒子は、光の波長以下の粒子径を有するナノ粒子である。防滴性、防汚性および指紋拭き取り性などを向上する観点からすると、低屈折率材料としては、フッ素系樹脂を用いることが好ましい。   The low reflection layers 14a and 14b preferably contain a low refractive index material having a refractive index n of 1.5 or less as a main component. This is because the refractive index of the low reflection layers 14 a and 14 b can be set to an intermediate refractive index between the refractive index of air and the refractive indexes of the sealing portion 32 and the light absorbing portion 12. Examples of the low refractive index material that can be used include fluororesins, porous particles such as porous silica particles (porous silica particles), and hollow particles such as hollow silica particles. These materials may be used alone or in combination of two or more. Here, the porous particles and the hollow particles are nanoparticles having a particle diameter equal to or smaller than the wavelength of light. From the viewpoint of improving the drip-proof property, antifouling property and fingerprint wiping property, it is preferable to use a fluorine-based resin as the low refractive index material.

低反射層14a、14bとして、多孔質粒子を含有し、膜厚がλ/(4・n)である第1の層と、フッ素系樹脂を含有し、光の波長よりも一桁小さい膜厚(例えば10nm程度)を有する第2の層とを積層したものを採用してもよい。この場合、第2の層が最表面層の側となる。このような構成の低反射層14a、14bを採用すると、反射率を低減するとともに、防滴性、防汚性および指紋拭き取り性など光学特性以外の効能を付与することが可能である。   As the low reflection layers 14a and 14b, a first layer containing porous particles and having a film thickness of λ / (4 · n), a fluorine-containing resin, and a film thickness that is an order of magnitude smaller than the wavelength of light. You may employ | adopt what laminated | stacked the 2nd layer which has (for example, about 10 nm). In this case, the second layer is the outermost layer side. By adopting the low reflection layers 14a and 14b having such a configuration, it is possible to reduce the reflectance and to provide effects other than the optical characteristics such as drip-proofing property, antifouling property and fingerprint wiping property.

低反射層14a、14bは、ウエットプロセスにより作製される低反射コート層であることが好ましい。低反射層14a、14bをウエットプロセスにより作製することで、スパッタリングなどのドライプロセスにより作製する場合に比べて原料や設備など費用を低廉化できるからである。   The low reflection layers 14a and 14b are preferably low reflection coating layers produced by a wet process. This is because by producing the low reflection layers 14a and 14b by a wet process, the cost of raw materials and equipment can be reduced compared to the case of producing by a dry process such as sputtering.

低反射層14a、14bは、例えば、フッ素含有低反射層、多孔質低反射層またはフッ素含有の多孔質低反射層である。フッ素含有低反射層は、フッ素樹脂を含有する低反射層である。多孔質低反射層は、多孔質構造を有する低反射層であり、例えば多孔質シリカ粒子などの多孔質粒子、および中空シリカ粒子などの中空粒子の少なくとも一方を含んでいる。フッ素含有の多孔質低反射層は、フッ素樹脂を含有し、かつ、多孔質粒子などによる多孔質構造を有する低反射層である。   The low reflection layers 14a and 14b are, for example, a fluorine-containing low reflection layer, a porous low reflection layer, or a fluorine-containing porous low reflection layer. The fluorine-containing low reflection layer is a low reflection layer containing a fluororesin. The porous low reflection layer is a low reflection layer having a porous structure, and includes at least one of porous particles such as porous silica particles and hollow particles such as hollow silica particles. The fluorine-containing porous low reflection layer is a low reflection layer containing a fluororesin and having a porous structure made of porous particles or the like.

ウエットプロセスで均一性に優れた低反射層14a、14bを形成する観点からすると、低反射層14a、14bの膜厚は、低反射を目的とする入射光の波長λ以上であることが好ましい。一方、外光の反射を低減する観点からすると、低反射層14a、14bの膜厚はλ/(4・n)(λ:低反射を目的とする入射光の波長、n:低反射層14a、14bの屈折率)であることが好ましい。空気−低反射層14a間および低反射層14a−光吸収部12間の反射光同士を半波長(空気中でλ/2)ずれた状態で干渉させることができ、総じて打消し合うことで、最適な反射低減条件が実現される。また、空気−低反射層14b間および低反射層14b−封止部32間の反射光同士を半波長(空気中でλ/2)ずれた状態で干渉させることができ、総じて打消し合うことで、最適な反射低減条件が実現される。反射の低減を目的とする光の波長帯域は、可視光の波長帯域である。ここで、可視光の波長帯域とは360nm〜830nmの波長帯域をいう。   From the viewpoint of forming the low reflection layers 14a and 14b having excellent uniformity by a wet process, the thickness of the low reflection layers 14a and 14b is preferably equal to or greater than the wavelength λ of incident light for the purpose of low reflection. On the other hand, from the viewpoint of reducing reflection of external light, the film thickness of the low reflection layers 14a and 14b is λ / (4 · n) (λ: wavelength of incident light for low reflection, n: low reflection layer 14a. 14b). Reflected light between the air and the low reflective layer 14a and between the low reflective layer 14a and the light absorbing portion 12 can be interfered with each other with a half wavelength (λ / 2 in the air) shifted. Optimal reflection reduction conditions are realized. In addition, the reflected light between the air and the low reflection layer 14b and between the low reflection layer 14b and the sealing portion 32 can be interfered with each other while being shifted by a half wavelength (λ / 2 in the air) and cancel each other as a whole. Thus, the optimum reflection reduction condition is realized. The wavelength band of light for the purpose of reducing reflection is the wavelength band of visible light. Here, the wavelength band of visible light means a wavelength band of 360 nm to 830 nm.

(回路基板)
図2に示すように、回路基板11は、基板21と、基板21の表面に設けられた配線層22と、配線層22の表面に設けられた平坦化膜23と、平坦化膜23の表面に設けられた複数の駆動IC(Integrated Circuit)24とを備える。
(Circuit board)
As shown in FIG. 2, the circuit board 11 includes a substrate 21, a wiring layer 22 provided on the surface of the substrate 21, a planarizing film 23 provided on the surface of the wiring layer 22, and a surface of the planarizing film 23. And a plurality of driving ICs (Integrated Circuits) 24 provided in.

基板21としては、例えば、樹脂基板またはガラス基板などを用いることができる。樹脂基板の材料としては、例えば、ポリカーボネート、ポリエチレン、ポリプロプレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、メタクリル樹脂、ナイロン、ポリアセタール、フッ素樹脂、フェノール樹脂、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、メラミン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリアリレート、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、メチルメタクリレート(共)重合体などが挙げられる。ガラス基板の材料としては、例えば、ソーダライムガラス、鉛ガラス、硬質ガラス、石英ガラス、液晶化ガラス、ガラスエポキシなどが挙げられる。   As the substrate 21, for example, a resin substrate or a glass substrate can be used. Examples of the resin substrate material include polycarbonate, polyethylene, polypropylene, polyvinyl chloride, polystyrene, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, methacrylic resin, nylon, polyacetal, fluorine resin, phenol resin, polyurethane, epoxy resin, polyimide resin, Examples thereof include polyamide resin, melamine resin, polyether ether ketone, polysulfone, polyether sulfone, polyphenylene sulfide, polyarylate, polyetherimide, polyamideimide, and methyl methacrylate (co) polymer. Examples of the glass substrate material include soda lime glass, lead glass, hard glass, quartz glass, liquid crystal glass, and glass epoxy.

配線層22は、基板21の表面に設けられた配線を含んでいる。この配線を介して、駆動IC24と、図示を省略したドライバICとが接続されている。ドライバICから制御信号により駆動IC24が制御される。平坦化膜23は、配線層22が設けられた基板21の表面を平坦化するための膜である。   The wiring layer 22 includes wiring provided on the surface of the substrate 21. The driver IC 24 and a driver IC (not shown) are connected via this wiring. The drive IC 24 is controlled by a control signal from the driver IC. The planarization film 23 is a film for planarizing the surface of the substrate 21 provided with the wiring layer 22.

駆動IC24は、発光部13に対応して設けられ、駆動IC24と発光部13とで1つの組をなしている。駆動IC24は、光吸収部12により覆われている。駆動IC24により発光部13の点灯動作などが制御される。   The driving IC 24 is provided corresponding to the light emitting unit 13, and the driving IC 24 and the light emitting unit 13 form one set. The drive IC 24 is covered with the light absorption unit 12. The driving operation of the light emitting unit 13 is controlled by the driving IC 24.

[1.2 大画面表示装置]
図3に示すように、本技術の第1の実施形態に係る大画面表示装置1は、上述の第1の実施形態に係る複数の表示装置(表示セル)10を備えている。この大画面表示装置1は、複数の表示装置10をタイル状に2次元的に配列することで構成されるタイリングディスプレイである。なお、図3では、9個の表示装置10により大画面表示装置1を構成した例を示しているが、大画面表示装置1を構成する表示装置10の個数はこの例に限定されるものではなく、数十個または数百個の表示装置10により大画面表示装置1を構成するようにしてもよい。
[1.2 Large screen display device]
As illustrated in FIG. 3, the large screen display device 1 according to the first embodiment of the present technology includes a plurality of display devices (display cells) 10 according to the first embodiment described above. The large-screen display device 1 is a tiling display configured by two-dimensionally arranging a plurality of display devices 10 in a tile shape. Note that FIG. 3 shows an example in which the large screen display device 1 is configured by nine display devices 10, but the number of display devices 10 constituting the large screen display device 1 is not limited to this example. Instead, the large-screen display device 1 may be configured by several tens or hundreds of display devices 10.

[1.3 表示装置の表示面の作用]
以下、図4A、図4Bを参照して、上述の構成を有する表示装置10の表示面10sの作用について説明する。
[1.3 Operation of display surface of display device]
Hereinafter, the operation of the display surface 10s of the display device 10 having the above-described configuration will be described with reference to FIGS. 4A and 4B.

図4Aでは、比較例としての複数の表示装置210により大画面表示装置201を構成した例が示されている。この表示装置210は、図5に示すように、第1の実施形態に係る表示装置10(図2参照)において、微細凹凸面12sを有する光吸収部(つや消し黒色層)12に代えて平坦面212sを有する光吸収部(つや有り黒色層)212を採用したものである。すなわち、光吸収部12および複数の発光部13の表面により構成され表示面10sに代えて、光吸収部212および複数の発光部13の表面により構成され表示面210sを採用してものである。一方、図4Bでは、本技術の第1の実施形態に係る複数の表示装置10により大画面表示装置1を構成した例が示されている。この表示装置10は、図2に示すように、微細凹凸面12sを有する光吸収部(つや消し黒色層)12を有する。   FIG. 4A shows an example in which a large screen display device 201 is configured by a plurality of display devices 210 as a comparative example. As shown in FIG. 5, the display device 210 is a flat surface instead of the light absorbing portion (matte black layer) 12 having the fine uneven surface 12 s in the display device 10 according to the first embodiment (see FIG. 2). The light absorption part (glossy black layer) 212 having 212s is employed. That is, instead of the display surface 10 s constituted by the surfaces of the light absorbing portion 12 and the plurality of light emitting portions 13, the display surface 210 s constituted by the surfaces of the light absorbing portion 212 and the plurality of light emitting portions 13 may be adopted. On the other hand, FIG. 4B shows an example in which the large-screen display device 1 is configured by a plurality of display devices 10 according to the first embodiment of the present technology. As shown in FIG. 2, the display device 10 includes a light absorbing portion (matte black layer) 12 having a fine uneven surface 12 s.

図4Aに示すように、比較例としての表示装置210では、太陽などの光源51からの外光53が光吸収部212の平坦面212sに入射すると、外光53のうちの一部が光吸収部12により吸収されるのに対して、残りが平坦面212sの平坦面により正反射される。   As shown in FIG. 4A, in the display device 210 as a comparative example, when the external light 53 from the light source 51 such as the sun is incident on the flat surface 212s of the light absorption unit 212, a part of the external light 53 is absorbed. Whereas the portion 12 is absorbed, the remainder is regularly reflected by the flat surface of the flat surface 212s.

大画面表示装置201の表示面201sは平坦面であることが望ましいが、複数の表示装置210を配列する際の配置精度の関係で表示面201sが多少湾曲してしまうことがある。このような湾曲があると、大画面表示装置201を構成する各表示装置210によって、光吸収部212の平坦面212sにより正反射される方向に違いが生じてしまう。このような違いがあると、大画面表示装置201を構成する各表示装置210の見え方がユーザ52には異なって感じられることになる。   The display surface 201s of the large screen display device 201 is preferably a flat surface, but the display surface 201s may be slightly curved due to the arrangement accuracy when arranging the plurality of display devices 210. When there is such a curvature, a difference occurs in the direction of regular reflection by the flat surface 212 s of the light absorption unit 212 by each display device 210 constituting the large screen display device 201. When there is such a difference, the appearance of each display device 210 constituting the large screen display device 201 is felt differently by the user 52.

一方、図4Bに示すように、第1の実施形態に係る表示装置10では、太陽などの光源51からの外光53が光吸収部12の微細凹凸面12sに入射すると、外光53のうちの一部が光吸収部12により吸収されるのに対して、残りが光吸収部12の微細凹凸面12sにより拡散反射される。これにより、あらゆる方向の反射光がほぼ同輝度となる。したがって、表示面1sが多少湾曲している場合であっても、大画面表示装置1を構成する各表示装置10が、ユーザ52にはほぼ同じように見える。   On the other hand, as shown in FIG. 4B, in the display device 10 according to the first embodiment, when the external light 53 from the light source 51 such as the sun enters the fine uneven surface 12 s of the light absorbing unit 12, Is absorbed by the light absorbing portion 12, while the rest is diffusely reflected by the fine uneven surface 12 s of the light absorbing portion 12. Thereby, the reflected light in all directions has almost the same luminance. Therefore, even if the display surface 1 s is slightly curved, each display device 10 constituting the large screen display device 1 looks almost the same to the user 52.

[1.4 表示装置の製造方法]
以下、図6A〜図6D、図7A、図7Bを参照して、本技術の第1の実施形態に係る表示装置の製造方法の一例について説明する。
[1.4 Manufacturing method of display device]
Hereinafter, an example of a method for manufacturing the display device according to the first embodiment of the present technology will be described with reference to FIGS. 6A to 6D, FIG. 7A, and FIG. 7B.

(配線層の形成工程)
まず、図6Aに示すように、基板21の表面に配線層22を形成する。
(Wiring layer formation process)
First, as shown in FIG. 6A, the wiring layer 22 is formed on the surface of the substrate 21.

(平坦化膜の形成工程)
次に、図6Bに示すように、配線層22の表面に平坦化膜23を形成する。
(Platformation film formation process)
Next, as shown in FIG. 6B, a planarizing film 23 is formed on the surface of the wiring layer 22.

(発光素子および駆動ICの形成工程)
次に、図6Cに示すように、平坦化膜23の表面の所定位置に複数の発光素子31および駆動IC24を形成する。
(Formation process of light emitting element and driving IC)
Next, as shown in FIG. 6C, a plurality of light emitting elements 31 and drive ICs 24 are formed at predetermined positions on the surface of the planarizing film 23.

(光吸収部の形成工程)
次に、例えば印刷法により、光吸収部形成用の樹脂組成物からなるマトリックス状の塗膜を平坦化膜23の表面に形成する。印刷法としては、例えば、インクジェット印刷、オフセット印刷、スクリーン印刷などが挙げられる。光吸収部形成用の樹脂組成物は、カーボンブラックなどの黒色粒子を含んでいる樹脂組成物である。この樹脂組成物は、自然硬化性樹脂組成物、エネルギー線硬化性樹脂組成物および熱硬化性樹脂組成物からなる群より選ばれる1種以上を含んでいる。
(Light absorption part forming process)
Next, a matrix-like coating film made of a resin composition for forming a light absorbing portion is formed on the surface of the planarizing film 23 by, for example, a printing method. Examples of the printing method include inkjet printing, offset printing, and screen printing. The resin composition for forming the light absorbing portion is a resin composition containing black particles such as carbon black. This resin composition contains at least one selected from the group consisting of a natural curable resin composition, an energy ray curable resin composition, and a thermosetting resin composition.

ここで、エネルギー線硬化性樹脂組成物とは、エネルギー線を照射することによって硬化させることができる樹脂組成物を意味する。エネルギー線とは、電子線、紫外線、赤外線、レーザー光線、可視光線、電離放射線(X線、α線、β線、γ線など)、マイクロ波、高周波などのラジカル、カチオン、アニオンなどの重合反応の引き金と成りうるエネルギー線を示す。エネルギー線硬化性樹脂組成物としては、紫外線により硬化する紫外線硬化樹脂組成物を用いることが好ましい。また、自然硬化性樹脂とは、自然乾燥により硬化させることができる樹脂組成物を意味する。   Here, the energy ray curable resin composition means a resin composition that can be cured by irradiation with energy rays. Energy rays are polymerization reactions of radicals such as electron beams, ultraviolet rays, infrared rays, laser beams, visible rays, ionizing radiation (X rays, α rays, β rays, γ rays, etc.), microwaves, high frequencies, cations, anions, etc. Shows energy lines that can trigger. As the energy ray curable resin composition, it is preferable to use an ultraviolet curable resin composition that is cured by ultraviolet rays. Moreover, a natural curable resin means the resin composition which can be hardened by natural drying.

次に、光吸収部形成用の樹脂組成物が溶媒を含んでいる場合には、塗膜を乾燥させることにより、溶媒を揮発させる。光吸収部形成用の樹脂組成物が自然硬化性樹脂組成物である場合には、この工程にて塗膜が硬化し、図6Dに示すように、複数の開口12aを有する光吸収部12が平坦化膜23の表面に形成される。   Next, when the resin composition for light absorption part formation contains a solvent, a solvent is volatilized by drying a coating film. When the resin composition for forming the light absorbing portion is a natural curable resin composition, the coating film is cured in this step, and the light absorbing portion 12 having a plurality of openings 12a is formed as shown in FIG. 6D. It is formed on the surface of the planarizing film 23.

次に、低反射層形成用の樹脂組成物がエネルギー線硬化性樹脂組成物および熱硬化性樹脂組成物の少なくとも一方を含んでいる場合には、塗膜に対してエネルギー線照射または加熱処理を施すことにより、塗膜を硬化する。これにより、図6Dに示すように、複数の開口12aを有する光吸収部12が平坦化膜23の表面に形成される。   Next, when the resin composition for forming the low reflective layer contains at least one of an energy ray curable resin composition and a thermosetting resin composition, the coating film is subjected to energy ray irradiation or heat treatment. By applying, the coating film is cured. Thereby, as shown in FIG. 6D, the light absorbing portion 12 having a plurality of openings 12 a is formed on the surface of the planarizing film 23.

なお、光吸収部12の表面の微細凹凸面12sの形成方法としては、例えば、光吸収部形成用の樹脂組成物に複数の微粒子を予め含有させておき、光吸収部12の表面から複数の微粒子の表面を突出させる方法、モールド成型により光吸収部形成用の樹脂組成物に凹凸を転写する方法、サンドブラストにより光吸収部12の表面に凹凸を形成する方法などが挙げられる。   As a method for forming the fine uneven surface 12s on the surface of the light absorbing portion 12, for example, a resin composition for forming the light absorbing portion is preliminarily contained with a plurality of fine particles, and a plurality of fine particles are formed from the surface of the light absorbing portion 12. Examples thereof include a method of projecting the surface of fine particles, a method of transferring irregularities to a resin composition for forming a light absorbing portion by molding, and a method of forming irregularities on the surface of the light absorbing portion 12 by sandblasting.

(封止部の形成工程)
次に、開口12aに封止材を塗布したのち、エネルギー線照射または加熱処理により硬化させる。これにより、図7Aに示すように、開口12aに封止部32が形成される。封止材の塗布法としては、例えば、インクジェット印刷、オフセット印刷、スクリーン印刷、ディスペンサー、ジェットディスペンサーなどを用いることができる。封止材の材料としては、エネルギー線硬化性樹脂組成物および熱硬化性樹脂組成物からなる群より選ばれる1種以上を用いることができ、耐熱性などの観点からすると、変性シリコーンなどのシリコーン樹脂が好ましい。
(Sealing part formation process)
Next, after applying a sealing material to the opening 12a, it is cured by energy beam irradiation or heat treatment. As a result, as shown in FIG. 7A, the sealing portion 32 is formed in the opening 12a. As a method for applying the sealing material, for example, ink jet printing, offset printing, screen printing, dispenser, jet dispenser, or the like can be used. As the material of the sealing material, one or more selected from the group consisting of an energy ray curable resin composition and a thermosetting resin composition can be used. From the viewpoint of heat resistance, silicone such as modified silicone can be used. Resins are preferred.

(低反射層の形成工程)
次に、低反射層形成用の樹脂組成物を光吸収部12の微細凹凸面12sおよび封止部32の上面に倣うように、ほぼ一様に塗布することにより、塗膜を形成する。塗布法としては、スピンコート法、スプレーコート法、スリットコート法、バーコート法、ディップコート法、ダイコート法、グラビアコート法、ナイフコート法、レジストコート法、キャピラリーコート法などを用いることができる。塗布法としてスプレーコート法を用いた場合には、非接触方式により樹脂組成物を塗布できるため、表示面10sの凹凸形状に依存しない、膜切れのないコーティングが可能となる。また、塗布の際に環境空気中への樹脂組成物の飛散を低減し、かつ、膜厚の均一性に優れた低反射層14a、14bを形成することができる。塗布法としてスプレーコート法を用いた場合には、光吸収部12および封止部32の表面に同時に塗膜を形成することができる。
(Low reflection layer formation process)
Next, a coating film is formed by applying the resin composition for forming the low reflection layer substantially uniformly so as to follow the fine uneven surface 12 s of the light absorbing portion 12 and the upper surface of the sealing portion 32. As the coating method, spin coating, spray coating, slit coating, bar coating, dip coating, die coating, gravure coating, knife coating, resist coating, capillary coating, and the like can be used. When the spray coating method is used as the coating method, the resin composition can be applied by a non-contact method, and therefore, coating without film breakage that does not depend on the uneven shape of the display surface 10s is possible. Further, it is possible to reduce the scattering of the resin composition into the ambient air during application and to form the low reflection layers 14a and 14b having excellent film thickness uniformity. When the spray coating method is used as the coating method, a coating film can be formed on the surfaces of the light absorbing portion 12 and the sealing portion 32 at the same time.

塗布法としてスプレーコート法を用いる場合には、フッ素系樹脂を0.5%程度に希釈して塗料を調製し、調製した塗料をウェット(乾燥前)状態で塗布厚が20μm程度となるように塗布すれば、硬化後の膜厚を100nm程度にすることができる。   When the spray coating method is used as the coating method, a coating material is prepared by diluting the fluororesin to about 0.5% so that the coating thickness is about 20 μm in the wet (before drying) state. If applied, the film thickness after curing can be reduced to about 100 nm.

低反射層形成用の樹脂組成物は、フッ素を含有する化合物(以下「フッ素系化合物」という。)、複数の多孔質粒子、および複数の中空粒子からなる群より選ばれる1種以上を含む樹脂組成物である。この樹脂組成物は、自然硬化性樹脂組成物、エネルギー線硬化性樹脂組成物および熱硬化性樹脂組成物からなる群より選ばれる1種以上を含んでいる。   The resin composition for forming a low reflection layer is a resin containing at least one selected from the group consisting of a fluorine-containing compound (hereinafter referred to as “fluorine-based compound”), a plurality of porous particles, and a plurality of hollow particles. It is a composition. This resin composition contains at least one selected from the group consisting of a natural curable resin composition, an energy ray curable resin composition, and a thermosetting resin composition.

次に、樹脂組成物が溶媒を含んでいる場合には、必要に応じて塗膜を乾燥させることにより、溶媒を揮発させる。低反射層形成用の樹脂組成物が自然硬化性樹脂組成物である場合には、この工程にて塗膜が硬化し、図7Bに示すように、光吸収部12および封止部32の表面にそれぞれ、低反射層14a、14bが形成される。   Next, when the resin composition contains a solvent, the solvent is volatilized by drying the coating film as necessary. When the resin composition for forming the low reflection layer is a natural curable resin composition, the coating film is cured in this step, and as shown in FIG. 7B, the surfaces of the light absorbing portion 12 and the sealing portion 32 The low reflection layers 14a and 14b are respectively formed.

次に、低反射層形成用の樹脂組成物がエネルギー線硬化性樹脂組成物および熱硬化性樹脂組成物の少なくとも一方を含んでいる場合には、塗膜に対してエネルギー線照射または加熱処理を施すことにより、塗膜を硬化する。これにより、図7Bに示すように、光吸収部12および封止部32の表面にそれぞれ、低反射層14a、14bが形成される。
以上により、目的とする表示装置10が得られる。
Next, when the resin composition for forming the low reflective layer contains at least one of an energy ray curable resin composition and a thermosetting resin composition, the coating film is subjected to energy ray irradiation or heat treatment. By applying, the coating film is cured. As a result, as shown in FIG. 7B, the low reflection layers 14a and 14b are formed on the surfaces of the light absorbing portion 12 and the sealing portion 32, respectively.
Thus, the target display device 10 is obtained.

[効果]
第1の実施形態では、複数の発光部13それぞれを光吸収部12により取り囲んでいるので、コントラストを向上することができる。また、表示装置10の光吸収部12の微細凹凸面12sに対して低反射層14aを設けているので、微細凹凸面12sにおける外光の拡散反射を低減することができる。また、表示装置10の発光部13の上面に対して低反射層14bを設けているので、発光部13の上面における外光の反射を低減することができる。
[effect]
In the first embodiment, since each of the light emitting units 13 is surrounded by the light absorbing unit 12, the contrast can be improved. Moreover, since the low reflection layer 14a is provided with respect to the fine uneven surface 12s of the light absorption part 12 of the display apparatus 10, the diffuse reflection of the external light in the fine uneven surface 12s can be reduced. Further, since the low reflection layer 14 b is provided on the upper surface of the light emitting unit 13 of the display device 10, reflection of external light on the upper surface of the light emitting unit 13 can be reduced.

発光素子31を開口12a内に設け、この開口12a内で封止部32により発光素子31を封止している。したがって、回路基板11の表面と光吸収部12との界面全体に渡って封止層を形成する必要がないので、表示装置10を薄型化することができる。   The light emitting element 31 is provided in the opening 12a, and the light emitting element 31 is sealed by the sealing portion 32 in the opening 12a. Therefore, since it is not necessary to form a sealing layer over the entire interface between the surface of the circuit board 11 and the light absorbing portion 12, the display device 10 can be thinned.

<2.第2の実施形態>
[2.1 表示装置の構成]
図8に示すように、本技術の第2の実施形態に係る表示装置70は、2層構造の光吸収部41を備える点において、第1の実施形態に係る表示装置10とは異なっている。光吸収部41は、平坦面42sを有する光吸収層42と、この平坦面42sに設けられた拡散層(形状層)43とを備える。また、封止部32の上面が開口12aの周縁を覆うようにしてもよい。
<2. Second Embodiment>
[2.1 Configuration of display device]
As illustrated in FIG. 8, the display device 70 according to the second embodiment of the present technology is different from the display device 10 according to the first embodiment in that the display device 70 includes a light absorption unit 41 having a two-layer structure. . The light absorption unit 41 includes a light absorption layer 42 having a flat surface 42s and a diffusion layer (shape layer) 43 provided on the flat surface 42s. Further, the upper surface of the sealing portion 32 may cover the periphery of the opening 12a.

光吸収層42は、微細凹凸面12sに代えて平坦面42sを有する以外のことは、第1の実施形態における光吸収部12と同様である。   The light absorbing layer 42 is the same as the light absorbing unit 12 in the first embodiment except that the light absorbing layer 42 has a flat surface 42s instead of the fine uneven surface 12s.

拡散層43は、光を拡散する微細凹凸面41sを有している。拡散層43は、複数の微粒子および樹脂材料を含んでいる。微細凹凸面41sは、複数の微粒子により構成されている。より具体的には、微細凹凸面は、拡散層43の表面から複数の微粒子の表面の一部を突出させることにより構成されている。低反射層14は、拡散層43の微細凹凸面41sおよび封止部32の上面に倣うようにして設けられている。微粒子としては、上述の第1の実施形態おいて光吸収部12に含まれるのと同様の微粒子を用いることができる。   The diffusion layer 43 has a fine uneven surface 41s that diffuses light. The diffusion layer 43 includes a plurality of fine particles and a resin material. The fine uneven surface 41s is composed of a plurality of fine particles. More specifically, the fine concavo-convex surface is configured by projecting a part of the surface of the plurality of fine particles from the surface of the diffusion layer 43. The low reflection layer 14 is provided so as to follow the fine uneven surface 41 s of the diffusion layer 43 and the upper surface of the sealing portion 32. As the fine particles, the same fine particles as those included in the light absorbing portion 12 in the first embodiment can be used.

[2.3 表示装置の製造方法]
本技術の第2の実施形態に係る表示装置の製造方法は、光吸収層の形成工程までの工程は上述の第1の実施形態と同様である。したがって、以下では、図9A〜図9Cを参照して、これ以降の工程についてのみ説明する。
[2.3 Manufacturing method of display device]
In the method for manufacturing a display device according to the second embodiment of the present technology, the steps up to the step of forming the light absorption layer are the same as those in the first embodiment. Therefore, hereinafter, only the subsequent steps will be described with reference to FIGS. 9A to 9C.

(封止部の形成工程)
まず、開口12aに封止材を塗布する。この際、封止材の上面が開口12aの周縁を覆うように封止材を塗布する。次に、塗布した封止材に対して、エネルギー線照射または加熱処理を施し、硬化させる。これにより、図9Aに示すように、開口12aに封止部32が形成される。
(Sealing part formation process)
First, a sealing material is applied to the opening 12a. At this time, the sealing material is applied so that the upper surface of the sealing material covers the periphery of the opening 12a. Next, the applied sealing material is subjected to energy ray irradiation or heat treatment and cured. As a result, as shown in FIG. 9A, the sealing portion 32 is formed in the opening 12a.

(拡散層の形成工程)
次に、樹脂組成物と、複数の微粒子と、必要に応じて溶剤とを混合し、微粒子が分散された塗料を調製する。この際、必要に応じて光安定剤、紫外線吸収剤、帯電防止剤、難燃剤、酸化防止剤などの添加剤をさらに添加するようにしてもよい。樹脂組成物は、エネルギー線硬化性樹脂組成物および熱硬化性樹脂組成物の少なくとも一方を含んでいる。次に、例えば印刷法により、調製した塗料からなるマトリックス状の塗膜を光吸収層42上に形成する。
(Diffusion layer formation process)
Next, a resin composition, a plurality of fine particles, and a solvent as necessary are mixed to prepare a coating material in which the fine particles are dispersed. At this time, additives such as a light stabilizer, an ultraviolet absorber, an antistatic agent, a flame retardant, and an antioxidant may be further added as necessary. The resin composition contains at least one of an energy ray curable resin composition and a thermosetting resin composition. Next, a matrix-like coating film made of the prepared paint is formed on the light absorption layer 42 by, for example, a printing method.

次に、樹脂組成物が溶媒を含んでいる場合には、必要に応じて樹脂組成物を乾燥させることにより、溶媒を揮発させる。乾燥条件は特に限定されるものではなく、自然乾燥であっても、乾燥温度や乾燥時間などを調整する人工的乾燥であってもよい。但し、乾燥時に塗料表面に風を当てる場合、塗膜表面に風紋が生じないようすることが好ましい。また、乾燥温度および乾燥時間は塗料中に含まれる溶媒の沸点によって適宜決定することが可能である。その場合、乾燥温度および乾燥時間は、基板21の耐熱性を配慮し、熱収縮により基板21の変形が起きない範囲で選定することが好ましい。   Next, when the resin composition contains a solvent, the solvent is volatilized by drying the resin composition as necessary. The drying conditions are not particularly limited, and may be natural drying or artificial drying that adjusts the drying temperature, drying time, and the like. However, when wind is applied to the surface of the paint at the time of drying, it is preferable not to generate a wind pattern on the surface of the coating film. Further, the drying temperature and the drying time can be appropriately determined depending on the boiling point of the solvent contained in the paint. In that case, it is preferable to select the drying temperature and the drying time in a range in which the substrate 21 is not deformed by heat shrinkage in consideration of the heat resistance of the substrate 21.

次に、塗布した封止材に対して、エネルギー線照射または加熱処理を施し、硬化させる。これにより、図9Bに示すように、光吸収層42の平坦面42s上に拡散層43が形成される。   Next, the applied sealing material is subjected to energy ray irradiation or heat treatment and cured. Thereby, as shown in FIG. 9B, the diffusion layer 43 is formed on the flat surface 42 s of the light absorption layer 42.

(低反射層の形成工程)
次に、低反射層形成用の樹脂組成物を拡散層43の微細凹凸面41sおよび封止部32の上面に倣うように、ほぼ一様に塗布することにより、塗膜を形成する。次に、塗膜に対してエネルギー線照射または加熱処理を施すことにより、塗膜を硬化する。これにより、図9Cに示すように、拡散層43の微細凹凸面41sおよび封止部32の上面の両表面に倣った低反射層14が形成される。
以上により、目的とする表示装置10が得られる。
(Low reflection layer formation process)
Next, the resin composition for forming the low reflection layer is applied almost uniformly so as to follow the fine uneven surface 41 s of the diffusion layer 43 and the upper surface of the sealing portion 32, thereby forming a coating film. Next, the coating film is cured by subjecting the coating film to energy beam irradiation or heat treatment. As a result, as shown in FIG. 9C, the low reflection layer 14 is formed following both the fine uneven surface 41 s of the diffusion layer 43 and the upper surface of the sealing portion 32.
Thus, the target display device 10 is obtained.

<3.第3の実施形態>
[3.1 概要]
表示装置やディスプレイパネルでは、画面内の光学特性にばらつきがあると、表示が不均一になる。これは、微視的には画素単位毎に構造的なばらつきがプロセス上発生するためである。このようなバラツキの発生を回避することは困難である。特に画素毎に配光特性が異なるという問題は、深刻な問題のひとつに挙げられる。あらゆる角度から観察しても、画面内が均一に見えるには、配光特性が表示画面全体に渡り、画素単位で精度高く一致している必要がある。液晶や有機ELといった様々な方式の表示装置の生産において、面内均一性を実現することが望まれるが、垂直観察のみならず、あらゆる観察角度において完全均一にすることは困難である。光学特性のバラツキは、材料およびプロセスの面内均一化に限界があることが根本的要因にあると考えられる。微細なLEDを、個々の画素構造として何百万個と敷き詰めるようなLED表示装置などにおいても同様の問題があり、個々のLEDの配光特性、およびその実装プロセスのばらつきが要因の根幹にある。これらプロセス限界を許容すべく、パネル構造に配光を安定化する配光制御構造を新たに設け、その表示装置の歩留まりを改善する方法が望まれる。
<3. Third Embodiment>
[3.1 Overview]
In a display device or a display panel, if the optical characteristics in the screen vary, the display becomes uneven. This is because microscopically, structural variations occur in each pixel unit in the process. It is difficult to avoid such variations. In particular, the problem of different light distribution characteristics for each pixel is one of serious problems. In order to make the inside of the screen appear uniform even when observed from all angles, the light distribution characteristics need to match with high precision in pixel units over the entire display screen. In the production of various types of display devices such as liquid crystal and organic EL, it is desired to achieve in-plane uniformity, but it is difficult to achieve complete uniformity not only in vertical observation but also in all observation angles. It is considered that the variation in optical characteristics is fundamentally due to the limitation of in-plane homogenization of materials and processes. There is a similar problem in LED display devices and the like in which millions of fine LEDs are arranged as individual pixel structures, and the cause is the variation in the light distribution characteristics of individual LEDs and the variation in their mounting processes. . In order to allow these process limits, a method of improving the yield of the display device by newly providing a light distribution control structure for stabilizing the light distribution in the panel structure is desired.

LCD、有機EL、LEDを画素として配列した表示装置においては、画素の形状が微少に変化するだけで、内部の光路に変化が生じ、その結果、光取り出し時の配光特性が大きくばらついてしまう。このような配光特性のばらつきは、表示装置の面内ばらつきに直結し、表示装置画面として均一性に欠ける深刻な問題、ならびに量産時における低歩留まりの問題を招く。そこで、第3の実施形態では、表示装置の面内配光特性として、画素毎にばらつく配光特性やそれを招く前プロセス等の関連を切り離すべく、表示装置に配光を安定化する配光制御構造を設け、表示装置としての面内均一性を確保する技術について説明する。   In a display device in which an LCD, an organic EL, and an LED are arranged as pixels, the internal optical path is changed only by a slight change in the shape of the pixels, and as a result, the light distribution characteristics at the time of light extraction vary greatly. . Such variations in light distribution characteristics are directly connected to in-plane variations in the display device, and cause serious problems that are not uniform as a display device screen and low yield during mass production. Therefore, in the third embodiment, as the in-plane light distribution characteristic of the display device, the light distribution that stabilizes the light distribution in the display device in order to separate the relationship between the light distribution characteristic that varies from pixel to pixel and the pre-process that causes it. A technique for providing a control structure and ensuring in-plane uniformity as a display device will be described.

[3.2 表示装置の構成]
図13Aに示すように、第3の実施形態に係る表示装置50は、回路基板51と、複数の発光部52と、カバーガラス53とを備える。複数の発光部52は、回路基板51の表面に規則的な周期で2次元配列されている。カバーガラス53は、複数の発光部52を覆うようにして、回路基板51と対向して配置されている。以下、これらの構成要素について順次説明する。
[3.2 Configuration of display device]
As illustrated in FIG. 13A, the display device 50 according to the third embodiment includes a circuit board 51, a plurality of light emitting units 52, and a cover glass 53. The plurality of light emitting units 52 are two-dimensionally arranged on the surface of the circuit board 51 at regular intervals. The cover glass 53 is disposed to face the circuit board 51 so as to cover the plurality of light emitting units 52. Hereinafter, these components will be sequentially described.

(回路基板)
回路基板51は、上述の第1の実施形態における回路基板51と同様である。
(Circuit board)
The circuit board 51 is the same as the circuit board 51 in the first embodiment described above.

(発光部)
発光部52は、発光素子61と、光反射層62と、光拡散層63と、中空部64とを備える。発光素子61は、上述の第1の実施形態における発光素子31と同様である。光反射層62は、発光素子61の周囲を取り囲むように設けられている。光反射層62は、発光素子61から出射された光を反射する。中空部64は、回路基板51と光反射層62とカバーガラス53とで囲まれた中空の空間である。中空部64を満たす気体としては、例えば、空気または所定のガスなどを用いることができる。
(Light emitting part)
The light emitting part 52 includes a light emitting element 61, a light reflecting layer 62, a light diffusing layer 63, and a hollow part 64. The light emitting element 61 is the same as the light emitting element 31 in the first embodiment described above. The light reflection layer 62 is provided so as to surround the periphery of the light emitting element 61. The light reflecting layer 62 reflects the light emitted from the light emitting element 61. The hollow portion 64 is a hollow space surrounded by the circuit board 51, the light reflection layer 62, and the cover glass 53. As the gas filling the hollow portion 64, for example, air or a predetermined gas can be used.

光拡散層63は、カバーガラス53の両主面のうち、回路基板51に対向する側の主面に設けられている。光拡散層63は、発光素子61から出射された光、または光反射層62により反射された光を拡散する機能を有する。光拡散層63は、光拡散透過構造を有している。   The light diffusion layer 63 is provided on the main surface of the cover glass 53 on the side facing the circuit board 51. The light diffusion layer 63 has a function of diffusing the light emitted from the light emitting element 61 or the light reflected by the light reflection layer 62. The light diffusion layer 63 has a light diffusion transmission structure.

光拡散層63は、例えば、カバーガラス53の表面を加工することにより構成されている。このような構成を有するカバーガラス53としては、例えば、擦りガラス、エッチングガラス、フロストガラス、フショクガラス、オパールガラスなどの加工ガラスを用いることができる。それらのガラスの加工方法としては、例えば、砂などの硬質な粉体を高速でガラス面に衝突するサンドブラスト工法、酸を用いたガラス溶解によるエッチング工法などが挙げられる。それらガラス加工における加工量(例えば速度や時間など)を調整することで、光拡散特性を制御することが可能である。   The light diffusion layer 63 is configured by processing the surface of the cover glass 53, for example. As the cover glass 53 having such a configuration, for example, processed glass such as rubbed glass, etching glass, frosted glass, Fuchs glass, and opal glass can be used. Examples of such glass processing methods include a sand blasting method in which a hard powder such as sand collides with the glass surface at a high speed, and an etching method by melting the glass using an acid. It is possible to control the light diffusion characteristics by adjusting the processing amount (for example, speed, time, etc.) in the glass processing.

Z軸方向から表示装置50を見た場合、光拡散層63は、発光素子61を覆っていることが好ましい。より具体的には、発光素子61の一辺のサイズが約10μm〜数百μm程度である場合、光拡散層63の一辺のサイズはそれ以上であることが好ましい。光拡散層63の厚さは、必ずしも厚い必要はなく、例えば5μm前後と極めて薄い層であってもよい。   When viewing the display device 50 from the Z-axis direction, the light diffusion layer 63 preferably covers the light emitting element 61. More specifically, when the size of one side of the light emitting element 61 is about 10 μm to several hundred μm, the size of one side of the light diffusion layer 63 is preferably larger than that. The thickness of the light diffusion layer 63 is not necessarily thick, and may be a very thin layer, for example, around 5 μm.

上述の加工ガラスの表面は、微細な凹凸構造を有しており、その微視的な構造は、微細な粒形状と見なすことができる。ガラス面をその面に垂直な方向から観察したときの二次元的な粒径、またはそれら粒形状の間隔は、例えば、数μm〜数十μm程度の範囲である。また、その深さは、数百nm〜数μm程度の範囲である。一般的に、その粒径または間隔が小さく、深さが深いほど、透過した光の直線透過成分は弱まり、逆に拡散成分は強くなる傾向にある。   The surface of the processed glass described above has a fine uneven structure, and the microscopic structure can be regarded as a fine grain shape. The two-dimensional particle size when the glass surface is observed from a direction perpendicular to the surface, or the interval between the particle shapes is, for example, in the range of about several μm to several tens of μm. Further, the depth is in the range of several hundred nm to several μm. In general, the smaller the particle size or interval and the deeper the depth, the weaker the linearly transmitted component of the transmitted light and the stronger the diffuse component.

また、光拡散層63は、例えば、カバーガラス53の表面に成膜されていてもよい。このような光拡散層63の形成方法としては、例えば、バインダである透明樹脂材料に微粒子を攪拌して塗料を調製したのち、カバーガラス53の表面に塗布、硬化する方法が挙げられる。   Further, the light diffusion layer 63 may be formed on the surface of the cover glass 53, for example. Examples of a method for forming such a light diffusion layer 63 include a method in which fine particles are stirred in a transparent resin material that is a binder to prepare a coating material, and then coated and cured on the surface of the cover glass 53.

[3.3 光拡散層の成膜方法]
以下、カバーガラス53の表面に光拡散層63を成膜する方法の一例について、詳しく説明する。まず、バインダである透明樹脂材料に微粒子を攪拌して塗料を調製する。攪拌には、微粒子の凝集が少なく、短時間で効率的に塗料を撹拌できる撹拌装置を用いることが好ましい。このような撹拌装置としては、例えば、自公転型の遠心攪拌機が挙げられる。撹拌した塗料をビーズミルや三本ミルといったミルに通すことが好ましい。撹拌により僅かな微粒子の凝集が発生した場合であっても、その凝集を粉砕し、所望の濃度を保ちながら均質なスラリーを得ることができるからである。
[3.3 Film formation method of light diffusion layer]
Hereinafter, an example of a method for forming the light diffusion layer 63 on the surface of the cover glass 53 will be described in detail. First, a coating material is prepared by stirring fine particles in a transparent resin material as a binder. For the stirring, it is preferable to use an agitator that can agitate the paint efficiently in a short time with little aggregation of fine particles. Examples of such a stirring device include a self-revolving centrifugal stirrer. It is preferable to pass the stirred paint through a mill such as a bead mill or a triple mill. This is because even when slight agglomeration of fine particles occurs by stirring, the agglomeration is pulverized and a homogeneous slurry can be obtained while maintaining a desired concentration.

バインダに対する微粒子の比率、および/または光拡散層63の厚みを調整することで、光拡散層63の光拡散機能を制御することができる。バインダとしては、例えば、二液性の熱硬化型シリコーン樹脂などが挙げられる。微粒子の材料としては、例えば、メラミン、シリカ、アルミナ、酸化チタンなどが挙げられる。微粒子としては、例えば、数百nm〜数μm程度の範囲で一定粒径管理されたものが用いられる。   The light diffusion function of the light diffusion layer 63 can be controlled by adjusting the ratio of the fine particles to the binder and / or the thickness of the light diffusion layer 63. Examples of the binder include a two-component thermosetting silicone resin. Examples of the fine particle material include melamine, silica, alumina, and titanium oxide. As the fine particles, for example, those having a constant particle size controlled in the range of several hundred nm to several μm are used.

次に、調製した塗料をカバーガラス53の表面に塗布して塗膜を形成する。塗布方法としては、例えば、ディスペンス塗布、スクリーン印刷などの印刷プロセスを用いることができる。光拡散層63の厚さは、例えば印刷プロセスの制御パラメータを設定することにより調整することが可能である。例えばスクリーン印刷では、版のメッシュ径や開口率を選択することで、塗布厚を5μmまたは30μmに安定的に保つことができる。   Next, the prepared paint is applied to the surface of the cover glass 53 to form a coating film. As the coating method, for example, a printing process such as dispense coating or screen printing can be used. The thickness of the light diffusion layer 63 can be adjusted, for example, by setting a control parameter for the printing process. For example, in screen printing, the coating thickness can be stably maintained at 5 μm or 30 μm by selecting the mesh diameter and aperture ratio of the plate.

次に、カバーガラス53の表面の塗膜を硬化する。硬化方法は、塗料に含まれる透明樹脂材料の種類に応じて選択される。例えば、透明樹脂材料が熱硬化型樹脂である場合には、数百度で数時間焼成することで、塗膜を硬化することができる。   Next, the coating film on the surface of the cover glass 53 is cured. The curing method is selected according to the type of transparent resin material contained in the paint. For example, when the transparent resin material is a thermosetting resin, the coating film can be cured by baking at several hundred degrees for several hours.

[3.4 効果]
光拡散層63を設けることにより得られる効果は、光拡散層63付きカバーガラス53を表示素子61上に被せる前後において、画素発光による配光特性を実測することで確認できる(図15A、図15B参照)。一方、光拡散層付63きカバーガラス53の基礎評価として、平行光入射時の出射配光(透過散乱特性BTDF(Bidirectional Transmittance Distribution Function)、図16A、図16B参照)を把握することで、別途取得済みの画素配光(光拡散層63付きカバーガラス53を被せる前における配光特性、図15A参照)を用いて、光拡散層付63きカバーガラス53を被せた後の配光特性(図15B参照)を精度高く予測計算することが可能である。このBTDFは、微粒子の濃度により異なることから、必要とすべき最低濃度を設定するのに重要な逆算法になる。結果として、図15A、図15Bの配光FFP(Far Field Pattern)をある一定角度θについて拡散前後で見比べる際、ある設定微粒子濃度の光拡散層63において、その透過前後における配光ばらつきの関係は、図17のように表すことができる。すなわち、傾きは配光制御感度と呼び、1より小さい値になることが配光ばらつきを抑制している証拠である。これは、図18A、図18Bに示した配光FFPでも同様である。なお、図18A、図18Bでは、左右非対称な配光FFPを前提に、左右反転した二種の配光ばらつきを一例として示している。光拡散層付63きカバーガラス53を被せることで、対称性を高め、ばらつきを低減することができる。また、製造プロセスなどを通じて、配光が左右に乱れた場合にも、光拡散層63を付加することで、そのばらつきを補正することができる。
[3.4 Effects]
The effect obtained by providing the light diffusion layer 63 can be confirmed by actually measuring the light distribution characteristics by pixel emission before and after the cover glass 53 with the light diffusion layer 63 is put on the display element 61 (FIGS. 15A and 15B). reference). On the other hand, as a basic evaluation of the cover glass 53 with the light diffusing layer, it is necessary to grasp the outgoing light distribution (transmission scattering characteristic BTDF (see Bidirectional Transmittance Distribution Function), see FIG. 16A and FIG. 16B) at the time of parallel light incident. Using the obtained pixel light distribution (light distribution characteristics before covering the cover glass 53 with the light diffusion layer 63, see FIG. 15A), the light distribution characteristics after covering the cover glass 53 with the light diffusion layer (see FIG. 15A). 15B) can be predicted with high accuracy. Since BTDF varies depending on the concentration of fine particles, it is an important reverse calculation method for setting the minimum concentration to be required. As a result, when comparing the light distribution FFP (Far Field Pattern) of FIG. 15A and FIG. 15B before and after diffusion for a certain angle θ, in the light diffusion layer 63 with a certain fine particle concentration, 17 can be expressed as shown in FIG. In other words, the slope is called light distribution control sensitivity, and a value smaller than 1 is evidence that the light distribution variation is suppressed. The same applies to the light distribution FFP shown in FIGS. 18A and 18B. 18A and 18B show, as an example, two types of light distribution variations that are reversed left and right on the assumption that the light distribution FFP is asymmetrical. By covering the cover glass 53 with the light diffusing layer 63, the symmetry can be increased and the variation can be reduced. Further, even when the light distribution is disturbed to the left and right through the manufacturing process or the like, the variation can be corrected by adding the light diffusion layer 63.

第3の実施形態に係る表示装置50では、発光素子61上に光拡散層63を設けているので、配光ばらつきを抑制することができる。したがって、量産プロセスにおける歩留まりを向上できる。また、表示装置50のコスト削減に貢献できる。   In the display device 50 according to the third embodiment, since the light diffusion layer 63 is provided on the light emitting element 61, it is possible to suppress variations in light distribution. Therefore, the yield in the mass production process can be improved. Moreover, it can contribute to the cost reduction of the display apparatus 50. FIG.

[3.5 変形例]
以下、図13B〜図14Cを参照しながら、上述の第3の実施形態の変形例に係る表示装置50の構成例について説明する。
[3.5 Modification]
Hereinafter, a configuration example of the display device 50 according to a modification of the above-described third embodiment will be described with reference to FIGS. 13B to 14C.

表示装置50では、図13Bに示すように、カバーガラス53の両主面のうち、回路基板51に対向する側の主面のほぼ全体に渡って光拡散層63を設けるようにしてもよい。このような構成を採用することで、表示装置50の量産性を向上することができる。   In the display device 50, as shown in FIG. 13B, the light diffusion layer 63 may be provided over substantially the entire main surface of the cover glass 53 on the side facing the circuit substrate 51. By adopting such a configuration, the mass productivity of the display device 50 can be improved.

表示装置50は、図13Cに示すように、回路基板51と光反射層62とカバーガラス53とで囲まれた中空の空間部に充填された光拡散層65をさらに備えるようにしてもよい。このような構成を採用することで、発光素子61の露出部分の全体が、光拡散層65により直接的に包含される。この場合、図13Aに示した光拡散層63は省略することができる。   As shown in FIG. 13C, the display device 50 may further include a light diffusion layer 65 filled in a hollow space surrounded by the circuit board 51, the light reflecting layer 62, and the cover glass 53. By adopting such a configuration, the entire exposed portion of the light emitting element 61 is directly included in the light diffusion layer 65. In this case, the light diffusion layer 63 shown in FIG. 13A can be omitted.

表示装置50は、図13Dに示すように、回路基板51と光反射層62とカバーガラス53とで囲まれた中空の空間部に、透明樹脂材料で構成された封止部66をさらに備えるようにしてもよい。   As illustrated in FIG. 13D, the display device 50 further includes a sealing portion 66 made of a transparent resin material in a hollow space surrounded by the circuit board 51, the light reflection layer 62, and the cover glass 53. It may be.

表示装置50は、図14Aに示すように、発光素子61の露出部分の全体を覆う光拡散層67をさらに備えるようにしてもよい。もしくは、図14Bに示すように、発光素子61の露出部分のうち、上面部などの一部を覆う光拡散層67をさらに備えるようにしてもよい。   As shown in FIG. 14A, the display device 50 may further include a light diffusion layer 67 that covers the entire exposed portion of the light emitting element 61. Alternatively, as shown in FIG. 14B, a light diffusion layer 67 that covers a part of the exposed portion of the light emitting element 61 such as the upper surface portion may be further provided.

表示装置50は、図14Cに示すように、カバーガラス53と光拡散層63との間にブラックマトリックス68をさらに備えるようにしてもよい。ブラックマトリックス68は、複数の開口68aを有し、各開口68aは、Z軸方向から見ると、各発光素子61上に設けられている。ブラックマスク68の厚みは、例えば1μm程度と極めて薄いため、印刷プロセスなどでカバーガラスの表面に容易に形成することが可能であり、表示装置50の大幅な構成の変更を招くこともない。   The display device 50 may further include a black matrix 68 between the cover glass 53 and the light diffusion layer 63, as shown in FIG. 14C. The black matrix 68 has a plurality of openings 68a, and each opening 68a is provided on each light emitting element 61 when viewed from the Z-axis direction. Since the thickness of the black mask 68 is as extremely thin as about 1 μm, for example, it can be easily formed on the surface of the cover glass by a printing process or the like, and the configuration of the display device 50 is not significantly changed.

<4.第4の実施形態>
本技術の第4の実施形態に係る電子機器は、第1の実施形態に係る表示装置10、または第2の実施形態に係る表示装置70、第3の実施形態に係る表示装置50、または第3の実施形態の変形例に係る表示装置50を備えている。以下に、本技術の第4の実施形態に係る電子機器の例について説明する。
<4. Fourth Embodiment>
The electronic apparatus according to the fourth embodiment of the present technology includes the display device 10 according to the first embodiment, the display device 70 according to the second embodiment, the display device 50 according to the third embodiment, or the first. The display apparatus 50 which concerns on the modification of 3rd Embodiment is provided. An example of an electronic device according to the fourth embodiment of the present technology will be described below.

図10Aは、電子機器としてテレビ装置の例を示す外観図である。テレビ装置111は、筐体112と、この筐体112に収容された表示装置113とを備える。ここで、表示装置113は、第1の実施形態に係る表示装置10、第2の実施形態に係る表示装置70、第3の実施形態に係る表示装置50、または第3の実施形態の変形例に係る表示装置50である。   FIG. 10A is an external view illustrating an example of a television device as an electronic apparatus. The television device 111 includes a housing 112 and a display device 113 accommodated in the housing 112. Here, the display device 113 is the display device 10 according to the first embodiment, the display device 70 according to the second embodiment, the display device 50 according to the third embodiment, or a modification of the third embodiment. The display device 50 according to FIG.

図10Bは、電子機器としてノート型パーソナルコンピュータの例を示す外観図である。ノート型パーソナルコンピュータ121は、コンピュータ本体122と、表示装置125とを備える。コンピュータ本体122および表示装置125はそれぞれ、筐体123および筐体124に収容されている。ここで、表示装置125は、第1の実施形態に係る表示装置10、または第2の実施形態に係る表示装置70、第3の実施形態に係る表示装置50、または第3の実施形態の変形例に係る表示装置50である。   FIG. 10B is an external view illustrating an example of a notebook personal computer as an electronic apparatus. The notebook personal computer 121 includes a computer main body 122 and a display device 125. The computer main body 122 and the display device 125 are housed in a housing 123 and a housing 124, respectively. Here, the display device 125 is the display device 10 according to the first embodiment, the display device 70 according to the second embodiment, the display device 50 according to the third embodiment, or a modification of the third embodiment. It is the display apparatus 50 which concerns on an example.

以下、参考例により本技術を具体的に説明するが、本技術はこれらの参考例のみに限定されるものではない。   Hereinafter, the present technology will be specifically described with reference examples, but the present technology is not limited only to these reference examples.

本参考例について以下の順序で説明する。
I 封止部表面における正反射の低減
II 光吸収層表面における正反射および拡散反射の低減
This reference example will be described in the following order.
I Reduction of regular reflection on the sealing surface
II Reduction of regular reflection and diffuse reflection on the surface of the light absorption layer

<I 封止部表面における正反射の低減>
ガラスと同等の屈折率を有する封止部の湾曲面(例えば部分球面)に対して、低反射層を形成することにより奏される反射率低減効果を、以下のようにして模擬的に確認した。
<I Reduction of regular reflection on the surface of the sealing portion>
The reflectance reduction effect produced by forming a low-reflection layer on the curved surface (for example, a partial spherical surface) of the sealing portion having the same refractive index as that of glass was confirmed in a simulated manner as follows. .

(参考例1)
まず、平坦面を有するガラス基板を準備した。次に、スプレーコート法により、このガラス基板の一主面(平坦面)に低反射コートを施した後、自然乾燥することにより、低反射層を形成した。低反射コートの材料としては、フッ素樹脂(株式会社ハーベス、商品名:DS−5305C)を用いた。次に、ガラス基板の他主面(低反射層の形成面とは反対側の面)に光吸収層を形成した。以上により、目的とするサンプルが得られた。
(Reference Example 1)
First, a glass substrate having a flat surface was prepared. Next, after applying a low-reflection coating on one main surface (flat surface) of the glass substrate by a spray coating method, the glass substrate was naturally dried to form a low-reflection layer. As a material for the low reflection coating, a fluororesin (Harves Co., Ltd., trade name: DS-5305C) was used. Next, a light absorption layer was formed on the other main surface of the glass substrate (the surface opposite to the surface on which the low reflection layer was formed). The target sample was obtained by the above.

(参考例2)
参考例1と同様のガラス基板を準備し、これをサンプルとした。
(Reference Example 2)
A glass substrate similar to that of Reference Example 1 was prepared and used as a sample.

(参考例3)
ガラス基板表面に低反射層(屈折率n=1.4、膜厚=95nm)を形成したときの反射スペクトルをシミュレーションにより求めた。
(Reference Example 3)
The reflection spectrum when a low reflection layer (refractive index n = 1.4, film thickness = 95 nm) was formed on the glass substrate surface was determined by simulation.

(反射スペクトルの評価)
次に、上述のようにして得られたサンプルの表面の入射角5°の反射率を、分光光度計(株式会社日立ハイテクノロジーズ製、商品名:U−4100)を用いて測定した(図11A参照)。その測定結果を図11Bに示す。
(Evaluation of reflection spectrum)
Next, the reflectance at an incident angle of 5 ° on the surface of the sample obtained as described above was measured using a spectrophotometer (trade name: U-4100, manufactured by Hitachi High-Technologies Corporation) (FIG. 11A). reference). The measurement results are shown in FIG. 11B.

図11Bから、実際に作製したサンプルにより得られた実測値(参考例1)と、シミュレーションにより得られた理論値(参考例3)とがほぼ一致しており、期待通りの反射率低減効果が発現することが確認できる。
ガラスと同等の屈折率を有する封止部の湾曲面(例えば部分球面)に低反射層を形成した場合にも、ガラス基板の平坦面に低反射層を形成した場合と同様の効果の発現が推測される。
From FIG. 11B, the actually measured value (Reference Example 1) obtained from the actually produced sample and the theoretical value (Reference Example 3) obtained by the simulation almost coincide with each other, and the expected reflectance reduction effect is obtained. It can be confirmed that it is expressed.
Even when a low-reflection layer is formed on the curved surface (for example, a partial spherical surface) of a sealing portion having a refractive index equivalent to that of glass, the same effect as when a low-reflection layer is formed on a flat surface of a glass substrate is exhibited. Guessed.

<II 光吸収層表面における正反射および拡散反射の低減>
光吸収層の微細凹凸面に対して低反射層を形成することにより奏される反射率低減効果を、以下のようにして模擬的に確認した。
<II. Reduction of regular reflection and diffuse reflection on the surface of the light absorption layer>
The reflectance reduction effect produced by forming the low reflection layer on the fine uneven surface of the light absorbing layer was confirmed in a simulated manner as follows.

(参考例4)
まず、平坦面を有するガラス基板を準備した。次に、このガラス基板の一主面(平坦面)に表面ブラックを形成した。次に、スプレーコート法により、表面ブラックの表面に低反射コートを施した後、自然乾燥することにより、低反射層を形成した。低反射コートの材料としては、フッ素樹脂(株式会社ハーベス、商品名:DS−5305C)を用いた。次に、ガラス基板の他主面(低反射層の形成面とは反対側の面)に光吸収層を形成した。以上により、目的とするサンプルが得られた。
(Reference Example 4)
First, a glass substrate having a flat surface was prepared. Next, surface black was formed on one main surface (flat surface) of the glass substrate. Next, after applying a low-reflection coating on the surface black surface by spray coating, a low-reflection layer was formed by natural drying. As a material for the low reflection coating, a fluororesin (Harves Co., Ltd., trade name: DS-5305C) was used. Next, a light absorption layer was formed on the other main surface of the glass substrate (the surface opposite to the surface on which the low reflection layer was formed). The target sample was obtained by the above.

(反射光強度の角度依存性の評価)
次に、上述のようにして得られたサンプルの低反射層側の反射光強度の角度依存性を、
光度計(GENESIA Gonio/Far Field Profiler)を用いて測定した(図12A参照)。その測定結果を図12Bに示す。なお、光源としてはレーザー(株式会社高知豊中技研製、商品名:GLM-A2(λ=532nm))を用いて、サンプルの表面に対する入射角を35°に設定した。
(Evaluation of angle dependence of reflected light intensity)
Next, the angle dependence of the reflected light intensity on the low reflection layer side of the sample obtained as described above is as follows.
It measured using the photometer (GENESIA Gonio / Far Field Profiler) (refer FIG. 12A). The measurement result is shown in FIG. 12B. In addition, a laser (product name: GLM-A2 (λ = 532 nm) manufactured by Kochi Hoyonaka Giken Co., Ltd.) was used as the light source, and the incident angle with respect to the surface of the sample was set to 35 °.

図11Bから、拡散反射を維持しつつ、正反射を抑制できることが確認できる。   From FIG. 11B, it can be confirmed that regular reflection can be suppressed while maintaining diffuse reflection.

以上、本技術の実施形態について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。   As mentioned above, although embodiment of this technique was described concretely, this technique is not limited to the above-mentioned embodiment, Various deformation | transformation based on the technical idea of this technique is possible.

例えば、上述の実施形態において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値などを用いてもよい。   For example, the configurations, methods, processes, shapes, materials, numerical values, and the like given in the above-described embodiments are merely examples, and different configurations, methods, processes, shapes, materials, numerical values, and the like are used as necessary. Also good.

また、上述の実施形態の構成、方法、工程、形状、材料および数値などは、本技術の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。   The configurations, methods, processes, shapes, materials, numerical values, and the like of the above-described embodiments can be combined with each other without departing from the gist of the present technology.

また、上述の実施形態では、発光素子を封止部により封止し、この封止部の表面に低反射層を設ける構造を例として説明したが、本技術はこの例に限定されるものではない。封止部の形成を省略し、発光素子の表面に低反射層を直接形成する構成を採用してもよい。すなわち、発光部が、封止部により封止されず、露出した発光素子により構成され、露出した発光素子表面に低反射層が直接形成される構成を採用してもよい。   In the above-described embodiment, the structure in which the light emitting element is sealed by the sealing portion and the low reflection layer is provided on the surface of the sealing portion has been described as an example. However, the present technology is not limited to this example. Absent. A configuration in which the formation of the sealing portion is omitted and the low reflection layer is directly formed on the surface of the light emitting element may be employed. That is, a configuration in which the light emitting portion is not sealed by the sealing portion but is constituted by an exposed light emitting element, and the low reflection layer is directly formed on the exposed light emitting element surface may be adopted.

また、上述の実施形態では、発光素子がLEDである場合を例として説明したが、発光素子はこの例に限定されるものではなく、発光素子としては、例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子または無機エレクトロルミネッセンス素子などを用いるようにしてもよい。   In the above-described embodiment, the case where the light emitting element is an LED has been described as an example. However, the light emitting element is not limited to this example, and examples of the light emitting element include an organic electroluminescent element or an inorganic electroluminescent element. An element or the like may be used.

また、本技術は以下の構成を採用することもできる。
(1)
複数の発光部と、
上記複数の発光部それぞれを取り囲む光吸収部と、
上記発光部および上記光吸収部の両表面に設けられた低反射層と
を含み、
上記光吸収部の表面は、光を拡散する凹凸面であり、
上記低反射層は、上記凹凸面に倣って設けられている表示装置。
(2)
上記発光部は、発光素子と、該発光素子を封止する封止部とを含んでいる(1)に記載の表示装置。
(3)
上記封止部は、平坦面、凹凸面または湾曲面を有している(2)に記載の表示装置。
(4)
上記封止部は、凸状または凹状の湾曲面を有し、
上記低反射層は、上記湾曲面に倣って設けられている(2)に記載の表示装置。
(5)
上記発光素子は、発光ダイオードまたはエレクトロルミネッセンス素子である(2)に記載の表示装置。
(6)
上記光吸収部は、複数の開口を有し、
上記開口内に発光素子が設けられている(2)から(5)のいずれかに記載の表示装置。
(7)
上記封止部は、透明性または拡散透過性を有するほぼ透明な材料を含んでいる(2)から(6)のいずれかに記載の表示装置。
(8)
上記発光部は、露出した発光素子を含んでいる(1)に記載の表示装置。
(9)
上記凹凸面は、複数の微粒子により構成されている(1)から(8)のいずれかに記載の表示装置。
(10)
上記光吸収部は、
光吸収層と、
上記光吸収層の表面に設けられた、上記凹凸面を有する形状層と
を含む(1)から(9)のいずれかに記載の表示装置。
(11)
上記低反射層は、フッ素樹脂、多孔質粒子および中空粒子からなる群より選ばれる1種以上を含んでいる(1)から(10)のいずれかに記載の表示装置。
(12)
上記低反射層は、低反射を目的とする光の波長以上の膜厚を有している(1)から(11)のいずれかに記載の表示装置。
(13)
上記低反射層は、約λ/(4・n)(但し、λ:低反射を目的とする光の波長、n:上記低反射層の屈折率)の膜厚を有している(1)から(11)のいずれかに記載の表示装置。
(14)
上記発光部および上記光吸収部は段差を有している(1)から(13)のいずれかに記載の表示装置。
(15)
2次元的に配置された複数の表示セルを備え、
上記表示セルは、複数の発光部と、上記複数の発光部それぞれを取り囲む光吸収部と、上記発光部および上記光吸収部の両表面に設けられた低反射層とを含み、
上記光吸収部の表面は、光を拡散する凹凸面であり、
上記低反射層は、上記凹凸面に倣って設けられている表示装置。
(16)
複数の発光部と、上記複数の発光部それぞれを取り囲む光吸収部と、上記発光部および上記光吸収部の両表面に設けられた低反射層とを含む表示装置を備え、
上記光吸収部の表面は、光を拡散する凹凸面であり、
上記低反射層は、上記凹凸面に倣って設けられている電子機器。
The present technology can also employ the following configurations.
(1)
A plurality of light emitting units;
A light absorbing portion surrounding each of the plurality of light emitting portions;
A low reflection layer provided on both surfaces of the light emitting part and the light absorbing part,
The surface of the light absorbing portion is an uneven surface that diffuses light,
The display device in which the low reflection layer is provided following the uneven surface.
(2)
The display device according to (1), wherein the light emitting unit includes a light emitting element and a sealing unit that seals the light emitting element.
(3)
The said sealing part is a display apparatus as described in (2) which has a flat surface, an uneven surface, or a curved surface.
(4)
The sealing portion has a convex or concave curved surface,
The display device according to (2), wherein the low reflection layer is provided following the curved surface.
(5)
The display device according to (2), wherein the light emitting element is a light emitting diode or an electroluminescence element.
(6)
The light absorber has a plurality of openings,
The display device according to any one of (2) to (5), wherein a light emitting element is provided in the opening.
(7)
The display device according to any one of (2) to (6), wherein the sealing portion includes a substantially transparent material having transparency or diffuse transmission.
(8)
The display device according to (1), wherein the light emitting unit includes an exposed light emitting element.
(9)
The display device according to any one of (1) to (8), wherein the uneven surface includes a plurality of fine particles.
(10)
The light absorber is
A light absorbing layer;
The display device according to any one of (1) to (9), including: a shape layer having the uneven surface provided on a surface of the light absorption layer.
(11)
The display device according to any one of (1) to (10), wherein the low reflection layer includes at least one selected from the group consisting of a fluororesin, porous particles, and hollow particles.
(12)
The display device according to any one of (1) to (11), wherein the low reflection layer has a film thickness equal to or greater than a wavelength of light intended for low reflection.
(13)
The low reflection layer has a film thickness of about λ / (4 · n) (where λ is the wavelength of light intended for low reflection and n is the refractive index of the low reflection layer) (1) To (11).
(14)
The display device according to any one of (1) to (13), wherein the light emitting unit and the light absorbing unit have a step.
(15)
A plurality of display cells arranged two-dimensionally;
The display cell includes a plurality of light emitting units, a light absorbing unit that surrounds each of the plurality of light emitting units, and a low reflection layer provided on both surfaces of the light emitting unit and the light absorbing unit,
The surface of the light absorbing portion is an uneven surface that diffuses light,
The display device in which the low reflection layer is provided following the uneven surface.
(16)
A display device comprising: a plurality of light emitting units; a light absorbing unit surrounding each of the plurality of light emitting units; and a low reflection layer provided on both surfaces of the light emitting unit and the light absorbing unit.
The surface of the light absorbing portion is an uneven surface that diffuses light,
The low reflection layer is an electronic device provided to follow the uneven surface.

また、本技術は以下の構成を採用することもできる。
(1)複数の発光素子を備え、
上記発光素子の近傍に光拡散構造が設けられている表示装置。
(2)上記光拡散構造の光拡散特性は、光学的に透過型である(1)に記載の表示装置。
(3)上記光拡散構造は、発光素子の表面に直接設けられている(1)または(2)に記載の表示装置。
(4)カバーガラスをさらに備え、
上記光拡散構造は、カバーガラスの表面に設けられている(1)または(2)に記載の表示装置。
(5)上記カバーガラスは、擦りガラス、エッチングガラス、フロストガラス、フショクガラス、またはオパールガラスである(4)に記載の表示装置。
(6)上記カバーガラスの加工量を調整することで、光拡散特性が制御されている(4)または(5)に記載の表示装置。
(7)上記光拡散構造は、バインダおよび複数の微粒子を含む光拡散層である(1)に記載の表示装置。
(8)上記光拡散層に含まれる複数の微粒子の含有量を調整することで、光拡散特性が制御されている(7)に記載の表示装置。
(9)上記バインダは、シリコーン樹脂を含み、
上記微粒子は、メラミン、シリカ、アルミナまたは酸化チタンを含む微粒子を含んでいる(7)または(8)に記載の表示装置。
(10)上記カバーガラスの加工量を調整することで、拡散前の配光ばらつきに対して、拡散後の配光ばらつきを、相対比で1未満の、所望の感度量で抑制することができる(4)から(6)のいずれかに記載の表示装置。
(11)上記光拡散層に含まれる上記微粒子の含有量を調整することで、拡散前の配光ばらつきに対して、拡散後の配光ばらつきを、相対比で1未満の、所望の感度量で抑制することができる(7)から(9)のいずれかに記載の表示装置。
(12)2次元的に配置された複数の表示セルを備え、
上記表示セルは、複数の発光素子を備え、
上記発光素子の近傍に光拡散構造が設けられている表示装置。
(13)
複数の発光素子を備える表示装置を備え、
上記発光素子の近傍に光拡散構造が設けられている電子機器。
The present technology can also employ the following configurations.
(1) It has a plurality of light emitting elements,
A display device in which a light diffusion structure is provided in the vicinity of the light emitting element.
(2) The display device according to (1), wherein the light diffusion characteristics of the light diffusion structure are optically transmissive.
(3) The display device according to (1) or (2), wherein the light diffusion structure is directly provided on a surface of the light emitting element.
(4) further comprising a cover glass,
The said light-diffusion structure is a display apparatus as described in (1) or (2) provided in the surface of the cover glass.
(5) The display device according to (4), wherein the cover glass is rubbed glass, etching glass, frosted glass, glass, or opal glass.
(6) The display device according to (4) or (5), wherein light diffusion characteristics are controlled by adjusting a processing amount of the cover glass.
(7) The display device according to (1), wherein the light diffusion structure is a light diffusion layer including a binder and a plurality of fine particles.
(8) The display device according to (7), wherein the light diffusion characteristics are controlled by adjusting the content of the plurality of fine particles contained in the light diffusion layer.
(9) The binder includes a silicone resin,
The display device according to (7) or (8), wherein the fine particles include fine particles containing melamine, silica, alumina, or titanium oxide.
(10) By adjusting the processing amount of the cover glass, the light distribution variation after diffusion can be suppressed with a desired sensitivity amount less than 1 in relative ratio with respect to the light distribution variation before diffusion. The display device according to any one of (4) to (6).
(11) By adjusting the content of the fine particles contained in the light diffusion layer, a desired sensitivity amount in which the light distribution variation after diffusion is less than 1 in relative ratio with respect to the light distribution variation before diffusion. The display device according to any one of (7) to (9).
(12) comprising a plurality of display cells arranged two-dimensionally;
The display cell includes a plurality of light emitting elements,
A display device in which a light diffusion structure is provided in the vicinity of the light emitting element.
(13)
A display device including a plurality of light emitting elements;
An electronic device in which a light diffusion structure is provided in the vicinity of the light emitting element.

1 大画面表示装置
10、50 表示装置
11、51 回路基板
12 光吸収部
12a、68a 開口
13、52 発光部
13、13a、13b 低反射層
21 基板
22 配線層
23 平坦化膜
24 駆動IC
31、61 発光素子
32、66 封止部
41 光吸収部
42 光吸収層
43、63、65、67 拡散層
53 カバーガラス
62 光反射層
64 中空部
68 ブラックマトリックス
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Large screen display device 10, 50 Display device 11, 51 Circuit board 12 Light absorption part 12a, 68a Opening 13, 52 Light emission part 13, 13a, 13b Low reflection layer 21 Substrate 22 Wiring layer 23 Flattening film 24 Driver IC
31, 61 Light-emitting element 32, 66 Sealing portion 41 Light absorbing portion 42 Light absorbing layer 43, 63, 65, 67 Diffusion layer 53 Cover glass 62 Light reflecting layer 64 Hollow portion 68 Black matrix

Claims (16)

複数の発光部と、
上記複数の発光部それぞれを取り囲む光吸収部と、
上記発光部および上記光吸収部の両表面に設けられた低反射層と
を含み、
上記光吸収部の表面は、光を拡散する凹凸面であり、
上記低反射層は、上記凹凸面に倣って設けられている表示装置。
A plurality of light emitting units;
A light absorbing portion surrounding each of the plurality of light emitting portions;
A low reflection layer provided on both surfaces of the light emitting part and the light absorbing part,
The surface of the light absorbing portion is an uneven surface that diffuses light,
The display device in which the low reflection layer is provided following the uneven surface.
上記発光部は、発光素子と、該発光素子を封止する封止部とを含んでいる請求項1に記載の表示装置。   The display device according to claim 1, wherein the light emitting unit includes a light emitting element and a sealing unit that seals the light emitting element. 上記封止部は、平坦面、凹凸面または湾曲面を有している請求項2に記載の表示装置。   The display device according to claim 2, wherein the sealing portion has a flat surface, an uneven surface, or a curved surface. 上記封止部は、凸状または凹状の湾曲面を有し、
上記低反射層は、上記湾曲面に倣って設けられている請求項2に記載の表示装置。
The sealing portion has a convex or concave curved surface,
The display device according to claim 2, wherein the low reflection layer is provided following the curved surface.
上記発光素子は、発光ダイオードまたはエレクトロルミネッセンス素子である請求項2に記載の表示装置。   The display device according to claim 2, wherein the light emitting element is a light emitting diode or an electroluminescence element. 上記光吸収部は、複数の開口を有し、
上記開口内に発光素子が設けられている請求項2に記載の表示装置。
The light absorber has a plurality of openings,
The display device according to claim 2, wherein a light emitting element is provided in the opening.
上記封止部は、透明性または拡散透過性を有するほぼ透明な材料を含んでいる請求項2に記載の表示装置。   The display device according to claim 2, wherein the sealing portion includes a substantially transparent material having transparency or diffuse transmission. 上記発光部は、露出した発光素子を含んでいる請求項1に記載の表示装置。   The display device according to claim 1, wherein the light emitting unit includes an exposed light emitting element. 上記凹凸面は、複数の微粒子により構成されている請求項1に記載の表示装置。   The display device according to claim 1, wherein the uneven surface includes a plurality of fine particles. 上記光吸収部は、
光吸収層と、
上記光吸収層の表面に設けられた、上記凹凸面を有する形状層と
を含む請求項1に記載の表示装置。
The light absorber is
A light absorbing layer;
The display device according to claim 1, further comprising: a shape layer having the uneven surface provided on a surface of the light absorption layer.
上記低反射層は、フッ素樹脂、多孔質粒子および中空粒子からなる群より選ばれる1種以上を含んでいる請求項1に記載の表示装置。   The display device according to claim 1, wherein the low reflection layer includes at least one selected from the group consisting of a fluororesin, porous particles, and hollow particles. 上記低反射層は、低反射を目的とする光の波長以上の膜厚を有している請求項1に記載の表示装置。   The display device according to claim 1, wherein the low reflection layer has a film thickness equal to or greater than a wavelength of light intended for low reflection. 上記低反射層は、約λ/(4・n)(但し、λ:低反射を目的とする光の波長、n:上記低反射層の屈折率)の膜厚を有している請求項1に記載の表示装置。   2. The low reflection layer has a film thickness of about λ / (4 · n) (where λ is a wavelength of light for low reflection and n is a refractive index of the low reflection layer). The display device described in 1. 上記発光部および上記光吸収部は段差を有している請求項1に記載の表示装置。   The display device according to claim 1, wherein the light emitting unit and the light absorbing unit have a step. 2次元的に配置された複数の表示セルを備え、
上記表示セルは、複数の発光部と、上記複数の発光部それぞれを取り囲む光吸収部と、上記発光部および上記光吸収部の両表面に設けられた低反射層とを含み、
上記光吸収部の表面は、光を拡散する凹凸面であり、
上記低反射層は、上記凹凸面に倣って設けられている表示装置。
A plurality of display cells arranged two-dimensionally;
The display cell includes a plurality of light emitting units, a light absorbing unit that surrounds each of the plurality of light emitting units, and a low reflection layer provided on both surfaces of the light emitting unit and the light absorbing unit,
The surface of the light absorbing portion is an uneven surface that diffuses light,
The display device in which the low reflection layer is provided following the uneven surface.
複数の発光部と、上記複数の発光部それぞれを取り囲む光吸収部と、上記発光部および上記光吸収部の両表面に設けられた低反射層とを含む表示装置を備え、
上記光吸収部の表面は、光を拡散する凹凸面であり、
上記低反射層は、上記凹凸面に倣って設けられている電子機器。
A display device comprising: a plurality of light emitting units; a light absorbing unit surrounding each of the plurality of light emitting units; and a low reflection layer provided on both surfaces of the light emitting unit and the light absorbing unit.
The surface of the light absorbing portion is an uneven surface that diffuses light,
The low reflection layer is an electronic device provided to follow the uneven surface.
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015132788A (en) * 2014-01-16 2015-07-23 三菱電機株式会社 video display device
JP2016219505A (en) * 2015-05-15 2016-12-22 パナソニックIpマネジメント株式会社 Light-emitting device
WO2017026820A1 (en) * 2015-08-12 2017-02-16 엘지이노텍 주식회사 Light emitting element and display device having same
WO2017203826A1 (en) * 2016-05-27 2017-11-30 ソニー株式会社 Light-emitting element and display device
WO2019225484A1 (en) * 2018-05-21 2019-11-28 Agc株式会社 Display device
KR20200057202A (en) * 2018-11-16 2020-05-26 삼성전자주식회사 Display module, display apparatus and manufacturing method of display apparatus
KR20200083454A (en) 2017-10-31 2020-07-08 소니 주식회사 Display device
WO2021176539A1 (en) * 2020-03-02 2021-09-10 シャープ株式会社 Display device
WO2021176538A1 (en) * 2020-03-02 2021-09-10 シャープ株式会社 Display device
KR20220137374A (en) * 2021-04-02 2022-10-12 엘지전자 주식회사 Display device
WO2023286315A1 (en) * 2021-07-16 2023-01-19 ソニーグループ株式会社 Display system

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017122386A1 (en) * 2016-01-14 2017-07-20 コニカミノルタ株式会社 Electroluminescence element
KR102455084B1 (en) * 2016-02-23 2022-10-14 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 Light emitting package and display device having thereof
CN111554701B (en) * 2016-05-20 2023-05-16 群创光电股份有限公司 Display apparatus
JP6800702B2 (en) * 2016-11-08 2020-12-16 スタンレー電気株式会社 Semiconductor light emitting device and its manufacturing method
TWM550834U (en) * 2017-06-12 2017-10-21 Harvatek Corp LED display and display module thereof
CN109686868B (en) * 2019-01-31 2021-08-24 上海天马微电子有限公司 Display panel and display device
WO2020219076A1 (en) * 2019-04-26 2020-10-29 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Evaluating surfaces
JP2022532666A (en) * 2019-05-17 2022-07-15 コーニング インコーポレイテッド Optical display device with environmental contrast improvement cover plate
US20220262993A1 (en) * 2021-02-18 2022-08-18 Seoul Viosys Co., Ltd. Pixel module employing molding member having multi-molding layer and displaying apparatus having the same
US20220293832A1 (en) * 2021-03-15 2022-09-15 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting module, method of manufacturing the same, and display apparatus having the same
CN112885253B (en) * 2021-04-13 2023-12-29 珠海华萃科技有限公司 Manufacturing process of flexible transparent LED display screen
TWI795144B (en) * 2021-12-27 2023-03-01 友達光電股份有限公司 Light emitting diode display device
KR20230160136A (en) * 2022-05-16 2023-11-23 코닝정밀소재 주식회사 Display area with transition layer

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11287991A (en) * 1998-04-06 1999-10-19 Casio Comput Co Ltd Reflection type display device
JP4472073B2 (en) * 1999-09-03 2010-06-02 株式会社半導体エネルギー研究所 Display device and manufacturing method thereof
JP4736284B2 (en) * 2001-09-10 2011-07-27 ソニー株式会社 Display device and manufacturing method thereof
KR100858297B1 (en) * 2001-11-02 2008-09-11 삼성전자주식회사 Reflective-transmissive type liquid crystal display device and method of manufacturing the same
JP4087620B2 (en) * 2002-03-01 2008-05-21 株式会社半導体エネルギー研究所 Method for manufacturing liquid crystal display device
JP3991862B2 (en) * 2002-12-25 2007-10-17 セイコーエプソン株式会社 Display body and display device
JP4165478B2 (en) * 2003-11-07 2008-10-15 セイコーエプソン株式会社 LIGHT EMITTING DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE
KR20050112456A (en) * 2004-05-25 2005-11-30 삼성에스디아이 주식회사 Organic electroluminescence displaye and fabrication method of the same
JP2006318776A (en) * 2005-05-13 2006-11-24 Fuji Photo Film Co Ltd Organic electroluminescent display device
KR101424784B1 (en) * 2006-01-10 2014-07-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Display device and manufacturing method thereof
KR100829753B1 (en) * 2007-03-02 2008-05-15 삼성에스디아이 주식회사 Organic light emitting display device
KR101378439B1 (en) * 2008-08-20 2014-03-28 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same
KR101432236B1 (en) * 2008-08-26 2014-08-27 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting diode display
KR100959108B1 (en) * 2008-08-28 2010-05-25 삼성모바일디스플레이주식회사 Organic light emitting diode display
KR100959107B1 (en) * 2008-08-28 2010-05-25 삼성모바일디스플레이주식회사 Organic light emitting diode display
KR100989133B1 (en) * 2009-01-07 2010-10-20 삼성모바일디스플레이주식회사 Organic light emitting diode display
WO2011121668A1 (en) * 2010-03-31 2011-10-06 パナソニック株式会社 Display panel device, and method for producing display panel device
KR101839929B1 (en) * 2011-03-18 2018-03-20 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting display apparatus and method for manufacturing organic light emitting display apparatus
KR102169016B1 (en) * 2014-02-13 2020-10-23 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting display apparatus
KR102188494B1 (en) * 2014-07-21 2020-12-09 삼성전자주식회사 Semiconductor light emitting device, manufacturing method of the semiconductor light emitting device and manufacturing method of semiconductor light emitting device package

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015132788A (en) * 2014-01-16 2015-07-23 三菱電機株式会社 video display device
JP2016219505A (en) * 2015-05-15 2016-12-22 パナソニックIpマネジメント株式会社 Light-emitting device
KR102364551B1 (en) 2015-08-12 2022-02-18 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 Light emitting device and display apparatus having thereof
WO2017026820A1 (en) * 2015-08-12 2017-02-16 엘지이노텍 주식회사 Light emitting element and display device having same
KR20170019630A (en) * 2015-08-12 2017-02-22 엘지이노텍 주식회사 Light emitting device and display apparatus having thereof
US10325887B2 (en) 2015-08-12 2019-06-18 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and display device having same
WO2017203826A1 (en) * 2016-05-27 2017-11-30 ソニー株式会社 Light-emitting element and display device
US11024783B2 (en) 2016-05-27 2021-06-01 Sony Corporation Light emitting device and display apparatus
KR20200083454A (en) 2017-10-31 2020-07-08 소니 주식회사 Display device
WO2019225484A1 (en) * 2018-05-21 2019-11-28 Agc株式会社 Display device
KR20200057202A (en) * 2018-11-16 2020-05-26 삼성전자주식회사 Display module, display apparatus and manufacturing method of display apparatus
KR102676868B1 (en) * 2018-11-16 2024-06-21 삼성전자주식회사 Display module, display apparatus and manufacturing method of display apparatus
WO2021176539A1 (en) * 2020-03-02 2021-09-10 シャープ株式会社 Display device
WO2021176538A1 (en) * 2020-03-02 2021-09-10 シャープ株式会社 Display device
KR20220137374A (en) * 2021-04-02 2022-10-12 엘지전자 주식회사 Display device
KR102560459B1 (en) 2021-04-02 2023-07-26 엘지전자 주식회사 Display device
WO2023286315A1 (en) * 2021-07-16 2023-01-19 ソニーグループ株式会社 Display system

Also Published As

Publication number Publication date
CN105453162B (en) 2019-02-19
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TW201506867A (en) 2015-02-16

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