JP2015032816A - ピック、搬送装置、処理装置及び搬送方法 - Google Patents

Abstract

【課題】被処理体の搬送スループットを向上する。
【解決手段】
一実施形態に係るピックは、搬送アームに接続可能な基端部を有するベース部と、被処理体を下方から保持する複数の突起部であり、ベース部の一面上に設けられた該複数の突起部と、を備え、複数の突起は、複数の第一の突起部と一以上の第二の突起部とを含み、前記複数の第一の突起部は、前記一以上の第二の突起部の材料の耐熱性よりも高い耐熱性を有する材料から構成され、前記一以上の第二の突起部は、前記複数の第一の突起部の材料の摩擦係数よりも大きい摩擦係数を有する材料から構成され、前記複数の第一の突起部は、被処理体を保持するための第一の保持部を構成し、前記複数の第一の突起部の一部と前記一以上の第二の突起部とは、前記第一の保持部により被処理体を保持する領域から偏位した領域で被処理体を保持するための第二の保持部を構成する。
【選択図】図２

Description

本発明の実施形態は、ピック、搬送装置、処理装置及び搬送方法に関する。

従来から、複数の処理室の間において被処理体を搬送する装置が知られている。例えば、特許文献１には、六角形状の共通搬送室の周囲に複数の処理室が連結された真空処理装置内に格納された搬送装置が記載されている。この装置は、２つのピックを有する搬送機構を備えている。この装置では、汚染の伝播を抑制するために、被処理体に汚染が生じ易い処理を行う特定処理室に被処理体を搬入するまでは２つのピックのうち一方のピックを用い、特定処理室に被処理体を搬入した後は他方のピックを用いて被処理体を搬送している。

また、被処理体を保持するためのピックとしては様々な形状のものが知られている。例えば特許文献２には、回転可能な複数の受け座を用いて被処理体を外周から把持するピックが記載されている。特許文献３には、複数の支持タブが設けられたピックが記載されている。当該複数の支持タブの各々は、加熱されて膨張した被処理体を支持する面と冷却された被処理体を支持する面とを有している。また、特許文献４には、選択的に駆動できる複数のウエハ支持片により、プロセス毎に異なるウエハ支持部を選択可能なピックが記載されている。

ところで、特許文献１に記載の装置のように、被処理体に対して複数の処理を連続的に行う処理装置では、高温処理を行う処理室と低温処理を行う処理室とが混在している場合がある。この場合には、搬送装置のピックは、複数の処理室において行われる処理のうち、最も高い処理温度で加熱された被処理体を保持しうるものであることが必要となる。このため、一連の処理において高温処理を含む処理装置では、被処理体の保持材としてセラミック等の高耐熱性の材料を採用することが一般的である。しかしながら、セラミック等の高耐熱性の材料は、摩擦係数が小さいので、被処理体の保持力が小さくなりやすい。したがって、被処理体の位置ずれを防止するために被処理体の搬送速度を抑える必要があり、その結果、被処理体の搬送スループットの低下につながる。

そこで、搬送スループットを向上させるために、材質の異なる被処理体の支持部をピック面上に有する二つの搬送アームに備える搬送装置が知られている。特許文献５には、それぞれに材質の異なる被処理体を支持する突起部がピック面上に形成された二つの搬送アームを備え、第１の搬送アームのピック面上に被処理体を支持する突起部の材質として第２の搬送アームのピック面上に被処理体を支持する突起部よりも摩擦係数の大きい樹脂またはゴムを用いると共に、第２の搬送アームのピック面上に被処理体を支持する突起部の材質として第１の搬送アームのピック面上に被処理体を支持する突起部よりも耐熱温度の高いセラミックスを用いる搬送装置が記載されている。この装置では、第１の搬送アームのピック面上に被処理体を支持する突起部の耐熱温度以下の温度の被処理体を搬送する場合には第１の搬送アームを用い、第１の搬送アームのピック面上に被処理体を支持する突起部の耐熱温度よりも高温の被処理体を搬送する場合には第２の搬送アームを用いて被処理体を搬送する。そして、第１の搬送アームによる被処理体の搬送速度を第２の搬送アームによる被処理体の搬送速度よりも高速にすることにより被処理体の搬送スループットを向上している。

特開２００４−１１９６３５号公報 特開２００７−６７３４５号公報 特開２００９−１１１３９３号公報 特開平４−２４５６６１号公報 特開２０１１−２０５０４４号公報

しかしながら、特許文献５に記載の装置では、高温処理により加熱された被処理体を保持することができるのは第１の搬送アームのみであり、高温処理により加熱された二つの被処理体を２つの搬送アームで同時に保持することは困難である。このため、この装置を用いて高温処理により加熱された２つの被処理体を搬送する場合には、第１の搬送アームを用いて１枚ずつ被処理体を搬送させる必要がある。したがって、特許文献５に記載の装置では、例えば被処理体が並列搬送される場合等、高温処理により加熱された複数の被処理体を同時に搬送することが必要な状況下においては被処理体の搬送スループットが低下してしまうことなる。

したがって、本技術分野においては、被処理体の搬送スループットを向上することができるピック、搬送装置、処理装置及び搬送方法が要請されている。

本発明の一側面に係るピックは、搬送アームに接続可能な基端部を有するベース部と、被処理体を下方から保持する複数の突起部であり、前記ベース部の一面上に設けられた該複数の突起部と、を備え、前記複数の突起部は、複数の第一の突起部と一以上の第二の突起部とを含み、前記複数の第一の突起部は、前記一以上の第二の突起部の材料の耐熱性よりも高い耐熱性を有する材料から構成されており、前記一以上の第二の突起部は、前記複数の第一の突起部の材料の摩擦係数よりも大きい摩擦係数を有する材料から構成されており、前記複数の第一の突起部は、前記被処理体を保持するための第一の保持部を構成し、前記複数の第一の突起部の一部と前記一以上の第二の突起部とは、前記第一の保持部により前記被処理体を保持する領域から偏位した領域で前記被処理体を保持するための第二の保持部を構成する。

本発明の一側面に係るピックでは、前記第一の保持部は、高耐熱性を有する前記複数の第一の突起部により構成されているので高温処理により加熱された被処理体を保持することができる。前記第二の保持部は、摩擦係数の高い前記一以上の第二の突起部を含む複数の突起部により構成されるので被処理体を高い保持力で保持することができる。したがって、本ピックを用いて被処理体を搬送することにより、高温処理により加熱された被処理体を前記第一の保持部により保持して搬送することができると共に、高温処理が行われていない被処理体を前記第二の保持部により保持して高い搬送速度で搬送することができる。また、本ピックは、高温の被処理体の搬送及び低温の被処理体の搬送の双方に利用可能である。したがって、本発明の一側面に係るピックによれば、被処理体の搬送スループットを向上することができる。

一形態のピックでは、前記一以上の第二の突起部が、前記複数の第一の突起部よりも前記ベース部の前記基端部側に設けられていてもよい。被処理体を搬送する際には、被処理体からピックに伝わる熱がピックの前記基端部から搬送アームに伝導されるので、ピックには前記基端部側に近づくほど温度が低くなるような温度分布が生じる。したがって、前記一以上の第二の突起部が前記ベース部の前記基端部側に配置されることにより、前記一以上の第二の突起部が熱によって損傷することを防止することができる。

一形態のピックでは、前記複数の第一の突起部の上端の高さ位置は、互いに同一であり、前記一以上の第二の突起部の上端の高さ位置は、前記複数の第一の突起部の上端の高さ位置よりも高くてもよい。この形態のピックによれば、前記第二の保持部により被処理体が保持される際に、当該被処理体が前記第一の突起部の前記一部と前記一以上の第二の突起部とにより保持されるので、前記第一の突起部の前記一部と前記一以上の第二の突起部の間に位置する前記第一の突起部の前記他の一部に当該被処理体が接触することが防止される。これにより、被処理体から前記一以上の第二の突起部への荷重の伝達が阻害されることがなくなり、被処理体の保持力が低下することを防止することができる。したがって、被処理体を高い保持力で保持することができる。

一形態のピックでは、前記複数の第一の突起部の前記一部は、前記複数の第一の突起部の他の一部が設けられた領域よりも前記一以上の第二の突起部から離れた領域に設けられており、前記複数の第一の突起部の前記他の一部の上端の高さ位置は、前記複数の第一の突起部の前記一部の上端の高さ位置、及び前記一以上の第二の突起部の上端の高さ位置よりも低くなっていてもよい。この形態のピックによれば、前記第二の保持部により被処理体が保持される際に、当該被処理体が前記第一の突起部の前記一部と前記一以上の第二の突起部とにより保持されるので、前記第一の突起部の前記一部と前記一以上の第二の突起部の間に位置する前記第一の突起部の前記他の一部に当該被処理体が接触することが防止される。これにより、被処理体から前記一以上の第二の突起部への荷重の伝達が阻害されることがなくなり、被処理体の保持力が低下することを防止することができる。したがって、被処理体を高い保持力で保持することができる。

一形態のピックでは、前記ベース部の材料の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する材料から構成された放熱部を更に備え、前記放熱部が前記一以上の第二の突起部と前記基端部との間において延在していてもよい。この形態によれば、前記一以上の第二の突起部に加わり得る熱を効率良く放熱することが可能となる。したがって、前記一以上の第二の突起部が熱によって損傷することをより効果的に防止することが可能である。

一形態のピックでは、前記ベース部が、前記複数の第一の突起部と同一の材料から形成されていてもよい。この形態によれば、高温処理により加熱された被処理体から伝わる熱により前記ベース部が損傷することを防止することができる。

一形態のピックでは、前記複数の第一の突起部が、セラミックにより構成され、前記一以上の第二の突起部が、エラストマーにより構成されていてもよい。この形態によれば、同一面上に、高い耐熱性を有する前記複数の第一の突起部を形成することができると共に、大きな摩擦係数を有する前記一以上の第二の突起部を形成することができる。

本発明の別の一側面に係る搬送装置は、上述したピックが接続された第１の搬送アームと、前記第１の搬送アームに接続されたピックと同じピック、又は、上述した別のピックが接続された第２の搬送アームと、を備え、前記第１の搬送アーム及び前記第２の搬送アームは、互いに連動して鉛直軸線周りに回転する。この搬送装置は、高温処理により加熱された被処理体を前記第１の搬送アーム及び前記第２の搬送アームの前記第一の保持部により保持して搬送することができると共に、高温処理が行われていない被処理体を前記第１の搬送アーム及び前記第２の搬送アームの前記第二の保持部により保持して高い搬送速度で搬送することができる。また、この搬送装置のピックは、高温の被処理体の搬送及び低温の被処理体の搬送の双方に利用可能である。したがって、この搬送装置によれば、被処理体の搬送スループットを向上することができる。

本発明の更に別の一側面に係る処理装置は、上述の搬送装置を収容する筐体と、前記筐体に連結される複数の処理室と、前記筐体に連結される複数の予備減圧室と、を備える。この処理装置は、被処理体の搬送スループットを向上することができる。したがって、高いスループットで被処理体を処理することができる。

本発明の一側面に係る搬送方法は、上述の処理装置における被処理体の搬送方法であって、前記複数の処理室のうち所定の温度よりも高温で処理を行う第一の処理室から被処理体を取り出すときに、前記第１の搬送アーム又は前記第２の搬送アームにおける前記第一の保持部により該被処理体を保持した状態で該被処理体を搬送し、前記複数の処理室のうち所定の温度以下の温度で処理を行う第二の処理室、又は前記複数の予備減圧室から被処理体を取り出すときに、前記第１の搬送アーム又は前記第２の搬送アームにおける前記第二の保持部により該被処理体を保持した状態で該被処理体を搬送する。この方法によれば、被処理体の搬送スループットを向上することができる。

一形態の搬送方法では、前記第１の搬送アーム又は前記第２の搬送アームが前記第一の保持部により被処理体を保持しているときに、前記第１の搬送アーム及び前記第２の搬送アームは第一の速度で被処理体を搬送し、前記第１の搬送アーム及び前記第２の搬送アームが前記第二の保持部により被処理体を保持しているとき、又は、前記第１の搬送アーム及び前記第２の搬送アームの一方が前記第二の保持部により被処理体を保持し、且つ前記第１の搬送アーム及び前記第２の搬送アームの他方が被処理体を保持していないときに、前記第１の搬送アーム及び前記第２の搬送アームは前記第一の速度よりも速い第二の速度で被処理体を搬送してもよい。この形態の処理方法によれば、別の搬送アームに保持される被処理体の位置ずれを防止しつつ、被処理体の搬送スループットを向上することができる。

以上説明したように、本発明の種々の側面及び種々の形態によれば、被処理体の搬送スループットを向上することができるピック、搬送装置、処理装置及び搬送方法が提供される。

一実施形態に係る処理装置の上面図である。 一実施形態に係る搬送アームの上面図である。 図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。 一実施形態に係る搬送方法を示すフロー図である。 第一の保持部により被処理体を保持する搬送アームを示す上面図である。 第二の保持部により被処理体を保持する搬送アームを示す上面図である。 一実施形態に係る搬送方法による被処理体Ｗの搬送例を示す上面図である。 一実施形態に係る搬送方法による被処理体Ｗの搬送例を示す上面図である。 一実施形態に係る搬送方法による被処理体Ｗの搬送例を示す上面図である。 一実施形態に係る搬送方法による被処理体Ｗの搬送例を示す上面図である。 変形例に係るピックを示す上面図である。 変形例に係るピックを示す上面図である。 変形例に係るピックを示す断面図である。

以下、図面を参照して種々の実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。

まず、一実施形態に係る処理装置について説明する。図１は、一実施形態に係る処理装置を上方から見た平面図である。なお、以下の説明は、ローダモジュールに接続している複数の載置台の並び方向をＸ方向、処理装置の通常の使用状態における高さ方向をＺ方向、Ｚ方向及びＸ方向に交差又は直交する方向をＹ方向として、記述されている。

図１に示す処理装置１００は、被処理体Ｗに複数の処理を行うための装置である。処理装置１００は、載置台１０２ａ〜１０２ｄ、収容容器１０４ａ〜１０４ｄ、ローダモジュールＬＭ、ロードロックチャンバ（予備減圧室）ＬＬ１及びＬＬ２、プロセスモジュール（処理室）ＰＭ１１，ＰＭ１２，ＰＭ１３，ＰＭ２１，ＰＭ２２及びＰＭ２３、並びに、トランスファーチャンバ（筐体）１１０を備えている。プロセスモジュールＰＭ１１，ＰＭ１２，ＰＭ１３，ＰＭ２１，ＰＭ２２及びＰＭ２３は、トランスファーチャンバ１１０に接続されている。

載置台１０２ａ〜１０２ｄは、ローダモジュールＬＭのＹ方向における一方側の縁部に沿ってＸ方向に配列されている。載置台１０２ａ〜１０２ｄ上にはそれぞれ、収容容器１０４ａ〜１０４ｄが載置されている。収容容器１０４ａ〜１０４ｄの内部には被処理体Ｗが収容される。

ローダモジュールＬＭは、一実施形態においては、Ｙ方向よりもＸ方向において長尺の略箱形状を有している。ローダモジュールＬＭは、大気圧状態の搬送空間をその内部に画成するチャンバ壁を有している。ローダモジュールＬＭは、この搬送空間に搬送ユニットＴＵを有している。ローダモジュールＬＭの搬送ユニットＴＵは、収容容器１０４ａ〜１０４ｄの何れかから被処理体Ｗを取り出し、取り出した被処理体ＷをロードロックチャンバＬＬ１及びＬＬ２の何れかに搬送する。一実施形態においては、ローダモジュールＬＭの搬送ユニットＴＵは、Ｘ方向に移動し得る。

ロードロックチャンバＬＬ１及びＬＬ２は、ローダモジュールＬＭのＹ方向の他方側の縁部に沿ってＸ方向に配列されている。また、ローダモジュールＬＭのＹ方向の他方側には、トランスファーチャンバ１１０が設けられている。図１に示すように、ロードロックチャンバＬＬ１及びＬＬ２は、ローダモジュールＬＭとトランスファーチャンバ１１０との間に設けられている。

ロードロックチャンバＬＬ１及びＬＬ２は、ローダモジュールＬＭから搬送された被処理体Ｗを、その内部の搬送空間が減圧又は真空状態に置かれるトランスファーチャンバ１１０に移す前の予備減圧室として利用される。ロードロックチャンバＬＬ１とローダモジュールＬＭとの間、ロードロックチャンバＬＬ１とトランスファーチャンバ１１０との間、ロードロックチャンバＬＬ２とローダモジュールＬＭとの間、ロードロックチャンバＬＬ２とトランスファーチャンバ１１０との間のそれぞれには、開閉可能なゲートバルブが設けられている。

トランスファーチャンバ１１０は、一実施形態においては、多角形の箱形をなし、その内部に減圧可能な搬送空間Ｓを画成している。搬送空間Ｓには、一実施形態の搬送装置１０が配置されている。搬送装置１０は、搬送アーム１０ａ及び１０ｂ（第１の搬送アーム、第２の搬送アーム）を備えている。搬送アーム１０ａ及び１０ｂは、アーム軸１２ａ及び１２ｂにより軸支されている。アーム軸１２ａ及び１２ｂは、それぞれ搬送アーム１０ａ，１０ｂの基端を鉛直軸線周りに回転可能に支持している。搬送アーム１０ａ及び１０ｂとしては、例えば、多関節アームが用いられ、一実施形態では、搬送装置１０は、搬送アーム１０ａ及び搬送アーム１０ｂが互いに連動して鉛直軸線周りに回転する、リンク式の搬送アームや回転軸が共通な多関節独立式アームを備えていてもよい。

図２は、図１に示す搬送アーム１０ａの上面図である。なお、以下では、搬送アーム１０ａについて説明するが、搬送アーム１０ｂも搬送アーム１０ａと同様の構造を有する。搬送アーム１０ａは、屈伸部１４を有するアーム部１６を備える多関節アームであり、その先端に被処理体Ｗを載置するピック５０が接続されている。搬送アーム１０ａは、屈伸部１４を屈伸させることによってアーム軸１２ａを中心に径方向（水平方向）へ伸縮する。

搬送装置１０は、搬送アーム１０ａ，１０ｂに接続された駆動部１８を含み得る（図１参照）。駆動部１８は、トランスファーチャンバ１１０の外部に設けられた制御部２０からの制御信号に基づいて、搬送アーム１０ａ，１０ｂを水平方向に移動させるための駆動力を搬送アーム１０ａ，１０ｂに付与する。駆動部１８として例えばステッピングモータが利用される。制御部２０は、予め設定された処理装置１００による被処理体Ｗの処理条件を記憶している。この処理条件は、プロセスモジュールＰＭ１１，ＰＭ１２，ＰＭ１３，ＰＭ２１，ＰＭ２２及びＰＭ２３における被処理体Ｗの処理温度、及び被処理体の搬送経路を含んでいる。制御部２０は、被処理体Ｗの処理条件に基づいて、搬送アームの水平方向の伸縮量、及び鉛直軸周りの回転速度を決定し、決定された伸縮量及び回転速度で搬送アーム１０ａ，１０ｂを動作させるための制御信号を駆動部１８に出力する。

次に、図２を参照して一実施形態に係るピックについて説明する。ピック５０は、ベース部５２、第一の突起部５４ａ〜５４ｄ及び第二の突起部５６ａ，５６ｂを備えている。ベース部５２は、一対の主面を有し、平面視においてＵ字状をなしている。ベース部５２は、先端部５８ａ及び基端部５８ｂを有している。基端部５８ｂには、搬送アーム１０ａ，１０ｂのアーム部１６が接続されている。ベース部５２は、例えばセラミック等の高耐熱性を有する材料から構成されている。

ベース部５２の一面上には、第一の突起部５４ａ〜５４ｄ及び第二の突起部５６ａ，５６ｂが設けられている。第一の突起部５４ａ〜５４ｄ及び第二の突起部５６ａ，５６ｂは、被処理体を下方から支持するための保持部として機能する。第一の突起部５４ａ〜５４ｄは、例えばアルミナ等のセラミック材料から構成されており、第二の突起部５６ａ，５６ｂの耐熱性よりも高い耐熱性を有している。第二の突起部５６ａ，５６ｂは、エラストマー系の材料から構成されており、第一の突起部５４ａ〜５４ｄの摩擦係数よりも大きな摩擦係数を有している。エラストマー系の材料としては、例えばフッ素系ゴム等の高分子材料を用いることができる。例えば第二の突起部５６ａ，５６ｂの材料としてフッ素系ゴムを用いた場合には、第二の突起部５６ａ，５６ｂの耐熱温度は２５０℃程度となる。

次に、図２及び図３を参照して、第一の突起部５４ａ〜５４ｄ及び第二の突起部５６ａ，５６ｂの配置について説明する。図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿ったピック５０の断面図である。

ベース部５２は、互いに平行に延びる第一の部分５２ａ及び第二の部分５２ｂと、第一の部分５２ａ及び第二の部分５２ｂを基端部５８ｂ側で連結する第三の部分５２ｃとを含んでいる。第一の部分５２ａ上には、第一の突起部５４ａ及び５４ｃが形成されている。第一の突起部５４ｃは、第一の突起部５４ａよりも基端部５８ｂ側に設けられている。また、第二の部分５２ｂ上には、第一の突起部５４ｂ及び５４ｄが形成されている。第一の突起部５４ｄは、第一の突起部５４ｂよりも基端部５８ｂ側に設けられている。即ち、複数の第一の突起部の一部である突起部５４ａ，５４ｂは、複数の第一の突起部の他の一部である突起部５４ｃ，５４ｄが設けられた領域よりも、第二の突起部５６ａ，５６ｂから離れた領域に設けられている。

第三の部分５２ｃ上には、第二の突起部５６ａ，５６ｂが形成されている。即ち、第二の突起部５６ａ，５６ｂは、第一の突起部５４ａ〜５４ｄよりも基端部５８ｂ側に設けられている。一実施形態では、第一の突起部５４ａ，５４ｂ、第一の突起部５４ｃ，５４ｄ、及び第二の突起部５６ａ，５６ｂは、ピック５０の幅方向中心線に対して線対称となる位置に配置され得る。

また、一実施形態では、図３（ａ），（ｂ）に示すように、第一の突起部５４ａ〜５４ｄの上端の高さ位置は互いに同一とされる。第二の突起部５６ａ，５６ｂの上端の高さ位置は、第一の突起部５４ａ〜５４ｄの上端の高さ位置よりも高い。なお、高さ位置とは、これら複数の突起部が形成されたベース部５２の一面の法線方向において当該一面を基準とした位置として定義され得る。

第一の突起部５４ａ〜５４ｄは、被処理体Ｗを保持するための第一の保持部ＨＳ１を構成する。以下、第一の保持部ＨＳ１により被処理体Ｗが保持される領域を第一の保持領域ＨＡ１と称する。即ち、第一の保持部ＨＳ１を構成する第一の突起部５４ａ〜５４ｄは、それぞれの上端で被処理体Ｗを下方から支持することにより、第一の保持領域ＨＡ１において被処理体Ｗを保持する。図２に示すように、上方からの平面視においては、第一の保持領域ＨＡ１内に第一の突起部５４ａ〜５４ｄが配置されている。なお、図３（ａ）に示すように、第一の突起部５４ａ〜５４ｄの上端の高さ位置は互いに同一であるので、被処理体Ｗは第一の突起部５４ａ〜５４ｄにより略水平に保持される。

また、少なくとも第一の突起部５４ａ，５４ｂ及び第二の突起部５６ａ，５６ｂは、被処理体Ｗを保持するための第二の保持部ＨＳ２を構成する。第二の保持部ＨＳ２は、第一の保持領域ＨＡ１から偏位した領域で被処理体Ｗを保持する。以下、第二の保持部ＨＳ２により被処理体Ｗが保持される領域を第二の保持領域ＨＡ２と称する。この第二の保持領域ＨＡ２は、平面視において第一の保持領域ＨＡ１と部分的に重複している。第二の保持部ＨＳ２を構成する第一の突起部５４ａ，５４ｂ及び第二の突起部５６ａ，５６ｂは、それぞれの上端で被処理体Ｗを下方から支持することにより、第二の保持領域ＨＡ２において被処理体Ｗを保持する。上方からの平面視においては、第二の保持領域ＨＡ２内に第一の突起部５４ａ〜５４ｄ及び第二の突起部５６ａ，５６ｂが配置される。なお、図３（ｂ）に示すように、第二の突起部５６ａ，５６ｂの上端の高さ位置は第一の突起部５４ａ〜５４ｄの上端の高さ位置よりも高いので、被処理体Ｗは、第一の突起部５４ａ，５４ｂ及び第二の突起部５６ａ，５６ｂにより、基端部５８ｂ側から先端部５８ａに向かうにつれて低くなるように傾斜された状態で保持される。

また、一実施形態では、ピック５０は放熱部６０を更に備え得る。放熱部６０は、第二の突起部５６ａ，５６ｂと基端部５８ｂとの間にそれぞれ設けられている。放熱部６０は、ベース部の材料よりも熱伝導率の高い材料により構成される。放熱部６０は、被処理体Ｗからピック５０に伝わった熱を外部に輻射すると共に、アーム部１６に伝えることによりピック５０の熱を放熱する。放熱部６０の材料としては、例えばアルミニウムやカーボン系材料を用いることができる。

図１の説明に戻り、搬送装置１０は、減圧可能な搬送空間Ｓ内において被処理体ＷをプロセスモジュールＰＭ１１，ＰＭ１２，ＰＭ１３，ＰＭ２１，ＰＭ２２，ＰＭ２３の何れかに搬送する。トランスファーチャンバ１１０とプロセスモジュールＰＭ１１，ＰＭ１２，ＰＭ１３，ＰＭ２１，ＰＭ２２，ＰＭ２３それぞれとの間には、開閉可能なゲートバルブが設けられている。

プロセスモジュールＰＭ１１，ＰＭ１２，ＰＭ１３は、トランスファーチャンバ１１０のＸ方向における一方側の縁部に沿ってＹ方向に配列されている。また、プロセスモジュールＰＭ２１，ＰＭ２２，ＰＭ２３は、トランスファーチャンバ１１０のＸ方向における他方側の縁部に沿ってＹ方向に配列されている。プロセスモジュールＰＭ１１，ＰＭ１２，ＰＭ１３，ＰＭ２１，ＰＭ２２，ＰＭ２３は、それらの内部に収容した被処理体Ｗを処理する。プロセスモジュールによる処理には、例えば、エッチング、成膜、アッシング、スパッタ成膜、化学的酸化物除去等の処理が含まれる。

図１に示す実施形態の処理装置１００では、収容容器１０４ａ〜１０４ｄの何れかに収容されている被処理体Ｗは、ローダモジュールＬＭ、ロードロックチャンバＬＬ１又はＬＬ２、及び、搬送装置１０を介して、プロセスモジュールＰＭ１１，ＰＭ１２，ＰＭ１３，ＰＭ２１，ＰＭ２２，ＰＭ２３の何れかに搬送され、搬送先のプロセスモジュールにおいて処理される。搬送先のプロセスモジュールにおいて処理された被処理体Ｗは、搬送装置１０、及び、ロードロックチャンバＬＬ１又はＬＬ２を介して、ローダモジュールＬＭに戻される。

次に、図４を参照し、一実施形態に係る搬送方法について説明する。図４は、搬送装置１０がリンク式の搬送アームを備えている場合における、一実施形態に係る搬送方法を示すフロー図である。このフロー図は、搬送アーム１０ａ及び１０ｂの内、一方の搬送アーム１０ａに着目した被処理体Ｗの搬送方法を示している。一実施形態に係る搬送方法では、まず工程Ｓ１において制御部２０が搬送アーム１０ａによる被処理体Ｗの搬送先のプロセスモジュールの処理温度を取得する。次に、工程Ｓ２において、制御部２０が、当該プロセスモジュールの処理温度が所定の温度以下であるか否かを判定する。ここで、所定の温度としては、例えば第二の突起部５６ａ，５６ｂの材料の耐熱温度とすることができる。

工程Ｓ２において被処理体Ｗの処理温度が所定の温度よりも高いと判定された場合には、工程Ｓ３において制御部２０が、ピック５０の第一の保持部ＨＳ１により被処理体Ｗを保持するように搬送アーム１０ａを制御する。具体的には、制御部２０は、図５に示すように、被処理体Ｗの位置が第一の保持領域ＨＡ１に一致するよう、アーム軸１２ａからピック５０の先端部５８ａまでの距離を距離Ｌ１に調整する。続いて、工程Ｓ４において、制御部２０が、搬送アーム１０ａの先端を水平方向に移動させることにより、被処理体Ｗを第一の保持部ＨＳ１により保持した状態で、被処理体Ｗを第一の速度で目標位置に搬送する。

一方、工程Ｓ２において被処理体Ｗの処理温度が所定の温度以下である場合には、工程Ｓ５において制御部２０が、ピック５０の第二の保持部ＨＳ２により被処理体Ｗを保持するように搬送アーム１０ａを制御する。具体的には、制御部２０は、図６に示すように、被処理体Ｗの位置が第二の保持領域ＨＡ２に一致するよう、アーム軸１２ａからピック５０の先端部５８ａまでの距離を距離Ｌ２に調整する。一実施形態では、この距離Ｌ２は、距離Ｌ１よりも長い距離である。

工程Ｓ５において搬送アーム１０ａにより第二の保持領域ＨＡ２で被処理体Ｗが保持されると、続いて工程Ｓ６において、制御部２０は、他方の搬送アームである搬送アーム１０ｂが被処理体Ｗを第一の保持部ＨＳ１で保持しているか否かを判定する。搬送アーム１０ｂが被処理体Ｗを第一の保持部ＨＳ１で保持していないと判定された場合、即ち、搬送アーム１０ａ及び搬送アーム１０ｂが第二の保持部ＨＳ２により被処理体Ｗを保持しているとき、又は、搬送アーム１０ａが第二の保持部ＨＳ２により被処理体Ｗを保持し、且つ搬送アーム１０ｂが被処理体Ｗを保持していないときには、工程Ｓ７において、制御部２０が、搬送アーム１０ａの先端を水平方向に移動させることにより、被処理体Ｗを第一の速度よりも速い第二の速度で目標位置に搬送する。

一方、工程Ｓ６において、搬送アーム１０ｂが被処理体Ｗを第一の保持部ＨＳ１で保持していると判定された場合には、工程Ｓ８において制御部２０が、搬送アーム１０ａの第二の保持部ＨＳ２により被処理体Ｗを保持した状態で、被処理体Ｗを第一の速度で目標位置に搬送する。このように、他方の搬送アーム１０ｂが第一の保持部ＨＳ１で被処理体Ｗを保持している場合には、一方の搬送アーム１０ａで被処理体Ｗを低速で搬送する。これにより、一方の搬送アーム１０ａと連動して動作する他方の搬送アーム１０ｂが高速に動作して、他方の搬送アーム１０ｂ上の被処理体Ｗに位置ずれが生じることが防止される。

次に、図７〜１０を参照し、処理装置１００を用いて被処理体Ｗを搬送する一実施形態に係る搬送方法を具体的な一例を挙げて説明する。本例で用いる処理装置１００により行われる処理は次のようなものとする。ロードロックチャンバＬＬ１に載置された被処理体ＷをプロセスモジュールＰＭ１１，ＰＭ１２，ＰＭ１３の順で搬送すると共に、ロードロックチャンバＬＬ２に載置された被処理体ＷをプロセスモジュールＰＭ２１，ＰＭ２２，ＰＭ２３の順で搬送する。プロセスモジュールＰＭ１１，ＰＭ２１は、被処理体Ｗの自然酸化膜を化学的に除去する処理を行う。この自然酸化膜の除去処理は、第二の突起部５６ａ，５６ｂの材料の耐熱温度よりも低い温度で実施される低温処理である。プロセスモジュールＰＭ１２，ＰＭ２２は、自然酸化膜が除去された被処理体Ｗの表面にＣＶＤ法などを用いて金属薄膜の成膜処理を行う。プロセスモジュールＰＭ１３，ＰＭ２３は、プロセスモジュールＰＭ１２，ＰＭ２２により金属薄膜が形成された被処理体Ｗの表面にＣＶＤ法などを用いて別の金属薄膜の成膜処理を行う。プロセスモジュールＰＭ１２，ＰＭ１３，ＰＭ２２，ＰＭ２３で行われる成膜処理は、第二の突起部５６ａ，５６ｂの材料の耐熱温度よりも高い温度（例えば、７００℃）で実施される高温処理である。

この場合、図７に示すように、まず搬送アーム１０ａ，１０ｂのピック５０がゲートバルブを介してロードロックチャンバＬＬ１，ＬＬ２内に挿入され、搬送アーム１０ａ，１０ｂのピック５０によりロードロックチャンバＬＬ１，ＬＬ２内の被処理体Ｗが保持される。この際、ロードロックチャンバＬＬ１，ＬＬ２内では被処理体Ｗは加熱されていないので、被処理体Ｗは搬送アーム１０ａ，１０ｂのピック５０の第二の保持部ＨＳ２により保持される。その後、ロードロックチャンバＬＬ１内の被処理体Ｗは、搬送アーム１０ａによりロードロックチャンバＬＬ１から取り出され、相対的に高速な第二の速度でプロセスモジュールＰＭ１１内に搬送される。また、ロードロックチャンバＬＬ２内の被処理体Ｗは、搬送アーム１０ｂによりロードロックチャンバＬＬ２から取り出され、相対的に高速な第二の速度でプロセスモジュールＰＭ２１内に搬送される。

プロセスモジュールＰＭ１１，ＰＭ２１において被処理体Ｗの自然酸化膜の除去処理が終了すると、図８に示すように、搬送アーム１０ａ，１０ｂのピック５０がゲートバルブを介してプロセスモジュールＰＭ１１，ＰＭ２１内に挿入され、搬送アーム１０ａ，１０ｂのピック５０によりプロセスモジュールＰＭ１１，ＰＭ２１内の被処理体Ｗが保持される。この際、プロセスモジュールＰＭ１１，ＰＭ２１による自然酸化膜の除去処理は低温処理であるので、被処理体Ｗは搬送アーム１０ａ，１０ｂのピック５０の第二の保持部ＨＳ２により保持される。その後、プロセスモジュールＰＭ１１内の被処理体Ｗは、搬送アーム１０ａによりプロセスモジュールＰＭ１１から取り出され、相対的に高速な第二の速度でプロセスモジュールＰＭ１２内に搬送される。また、プロセスモジュールＰＭ２１内の被処理体Ｗは、搬送アーム１０ｂによりプロセスモジュールＰＭ２１から取り出され、相対的に高速な第二の速度でプロセスモジュールＰＭ２２内に搬送される。

プロセスモジュールＰＭ１２，ＰＭ２２において金属薄膜の成膜処理が終了すると、図９に示すように、搬送アーム１０ａ，１０ｂのピック５０がゲートバルブを介してプロセスモジュールＰＭ１２，ＰＭ２２内に挿入され、搬送アーム１０ａ，１０ｂのピック５０によりプロセスモジュールＰＭ１２，ＰＭ２２内の被処理体Ｗが保持される。この際、プロセスモジュールＰＭ１２，ＰＭ２２による金属薄膜の成膜処理は高温処理であるので、被処理体Ｗは高温の被処理体Ｗを保持可能なピック５０の第一の保持部ＨＳ１により保持される。その後、プロセスモジュールＰＭ１２内の被処理体Ｗは、搬送アーム１０ａによりプロセスモジュールＰＭ１２から取り出され、相対的に低速な第一の速度でプロセスモジュールＰＭ１３内に搬送される。また、プロセスモジュールＰＭ２２内の被処理体Ｗは、搬送アーム１０ｂによりプロセスモジュールＰＭ２２から取り出され、相対的に低速な第一の速度でプロセスモジュールＰＭ２３内に搬送される。

プロセスモジュールＰＭ１３，ＰＭ２３において別の金属薄膜の成膜処理が終了すると、図１０に示すように、搬送アーム１０ａ，１０ｂの先端がゲートバルブを介してプロセスモジュールＰＭ１３，ＰＭ２３内に挿入され、搬送アーム１０ａ，１０ｂのピック５０によりプロセスモジュールＰＭ１３，ＰＭ２３内の被処理体Ｗが保持される。この際、プロセスモジュールＰＭ１３，ＰＭ２３による別の金属薄膜の成膜処理は高温処理であるので、被処理体Ｗは高温の被処理体Ｗを保持可能なピック５０の第一の保持部ＨＳ１により保持される。その後、プロセスモジュールＰＭ１３内の被処理体Ｗは、搬送アーム１０ａによりプロセスモジュールＰＭ１３から取り出され、相対的に低速な第一の速度でロードロックチャンバＬＬ１内に搬送される。また、プロセスモジュールＰＭ２３内の被処理体Ｗは、搬送アーム１０ｂによりプロセスモジュールＰＭ２３から取り出され、相対的に低速な第一の速度でロードロックチャンバＬＬ２内に搬送される。

以上説明したピック５０では、高耐熱性を有する第一の突起部５４ａ〜５４ｄ及び摩擦係数の大きな第二の突起部５６ａ，５６ｂがベース部５２の一面上に設けられている。そして、第一の突起部５４ａ〜５４ｄが、被処理体Ｗを保持するための第一の保持部ＨＳ１を構成し、第一の突起部５４ａ，５４ｂ及び第二の突起部５６ａ，５６ｂが、第一の保持部ＨＳ１により被処理体を保持する領域から偏位した領域で被処理体を保持するための第二の保持部ＨＳ２を構成している。第一の保持部ＨＳ１は、高耐熱性を有する第一の突起部５４ａ〜５４ｄにより構成されているので高温処理により加熱された被処理体Ｗを保持することができる。第二の保持部ＨＳ２は、摩擦係数の高い第二の突起部５６ａ，５６ｂを含む突起部により構成されるので被処理体Ｗを高い保持力で保持することができる。したがって、本ピックを用いて被処理体Ｗを搬送することにより、高温処理により加熱された被処理体Ｗを第一の保持部ＨＳ１により保持して搬送することができると共に、高温処理が行われていない被処理体Ｗを第二の保持部ＨＳ２により保持して高い搬送速度で搬送することができる。また、一つのピック５０を、高温の被処理体Ｗの搬送及び低温の被処理体Ｗの搬送の双方に利用可能である。したがって、ピック５０によれば、被処理体Ｗの搬送スループットを向上することができる。

また、被処理体Ｗを搬送する際には、被処理体Ｗからピック５０に伝わる熱がピックの基端部から搬送アーム１０ａ，１０ｂに拡散されるので、ピックには基端部５８ｂ側に近づくほど温度が低くなるような温度分布が生じる。しかしながら、ピック５０においては、第二の突起部５６ａ，５６ｂが、第一の突起部５４ａ〜５４ｄよりもベース部５２の基端部５８ｂ側の位置に設けられているので、第二の突起部５６ａ，５６ｂが熱によって損傷することが防止される。

また、ピック５０では、第一の突起部５４ａ〜５４ｄの上端の高さ位置は、互いに同一であり、第二の突起部５６ａ，５６ｂの上端の高さ位置は第一の突起部５４ａ〜５４ｄの上端の高さ位置よりも高くなるように構成されている。被処理体Ｗを第二の保持部ＨＳ２で保持する際に、被処理体Ｗが第一の突起部５４ｃ，５４ｄに接触することが防止される。これにより、被処理体Ｗから第二の突起部５６ａ，５６ｂへの荷重の伝達が阻害されることがなくなり、被処理体Ｗの保持力が低下することを防止することができる。

また、第二の突起部５６ａ，５６ｂと基端部５８ｂとの間に延びる放熱部６０が設けられているので、第二の突起部５６ａ，５６ｂに加わり得る熱を効率良く放熱することが可能である。したがって、第二の突起部５６ａ，５６ｂが熱によって損傷することをより効果的に防止することが可能である。

また、ピック５０は、第一の突起部５４ａ〜５４ｄが、セラミックにより構成され、第二の突起部５６ａ，５６ｂが、エラストマーにより構成されているので、第一の突起部５４ａ〜５４ｄの耐熱性を高くし、第二の突起部５６ａ，５６ｂの摩擦係数を大きなものとすることができる。また、ベース部５２が、第一の突起部５４ａ〜５４ｄと同一の材料であるセラミックにより形成されているので、被処理体Ｗから伝わる熱によりベース部５２が損傷することを防止することができる。

また、搬送装置１０は、かかるピック５０を備えているので、高温処理により加熱された被処理体Ｗを第一の保持部ＨＳ１により保持して搬送することができると共に、高温処理が行われていない被処理体Ｗを第二の保持部ＨＳ２により保持して高い搬送速度で搬送することができる。また、搬送装置１０は、単一のピックを、高温の被処理体の搬送及び低温の被処理体の搬送の双方に利用可能である。したがって、搬送装置１０によれば、被処理体Ｗの搬送スループットを向上することができる。

また、処理装置１００は、搬送装置１０を収容するトランスファーチャンバ１１０と、トランスファーチャンバ１１０に連結されるプロセスモジュールＰＭ１１，ＰＭ１２，ＰＭ１３，ＰＭ２１，ＰＭ２２及びＰＭ２３と、ロードロックチャンバＬＬ１及びＬＬ２と、を備えている。かかる処理装置１００によれば、被処理体Ｗの搬送スループットを向上することができる。したがって、処理装置１００によれば、高いスループットで被処理体Ｗを処理することができる。

また、上述した実施形態に係る処理方法では、所定の温度より高温で処理を行うプロセスモジュールＰＭ１２，ＰＭ１３，ＰＭ２２及びＰＭ２３から被処理体Ｗを取り出す場合には、第一の保持部ＨＳ１により被処理体Ｗを保持して該被処理体Ｗを搬送する。また、所定の温度以下の低温で処理を行うプロセスモジュールＰＭ１１，ＰＭ２１、及び予備減圧を行うロードロックチャンバＬＬ１，ＬＬ２から被処理体Ｗを取り出す場合には、第二の保持部ＨＳ２により被処理体Ｗを保持して該被処理体Ｗを搬送する。これにより、被処理体Ｗの搬送スループットを向上することができる。

また、上述した実施形態に係る処理方法では、搬送アーム１０ａが第一の保持部ＨＳ１で被処理体Ｗを保持している場合には相対的に低速な第一の速度で被処理体Ｗを搬送する。これに対し、搬送アーム１０ａが第二の保持部ＨＳ２により被処理体Ｗを保持し、且つ搬送アーム１０ｂが第二の保持部ＨＳ２により被処理体Ｗを保持しているとき、又は搬送アーム１０ａが第二の保持部ＨＳ２により被処理体Ｗを保持し、且つ搬送アーム１０ｂが被処理体Ｗを保持していないときに、搬送アーム１０ａは相対的に速い第二の速度で被処理体Ｗを搬送する。この処理方法によれば、搬送アーム１０ｂに保持される被処理体Ｗの位置ずれを防止しつつ、被処理体Ｗの搬送スループットを向上することができる。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されることなく種々の変形態様を構成可能である。例えば上記実施形態では、ピック５０に４個の第一の突起部５４ａ〜５４ｄが形成されているが、第一の突起部の数は５個以上であってもよいし、３個であってもよい。また、第二の突起部の数は２個に限定されず、ピック５０は、一以上であれば任意の数の第二の突起部を備えることができる。一例としては、図１１に示すように、ベース部５２の第三の部分５２ｃにおける第二の保持領域ＨＡ２の周縁部に沿った位置に複数の第二の突起部５６を形成してもよい。また、別の一例としては、図１２に示すように、ベース部５２の第三の部分５２ｃにおける第二の保持領域ＨＡ２の周縁部に沿った位置に扇形状の第二の突起部５６を形成してもよい。

また、上記実施形態では、第一の突起部５４ａ〜５４ｄの上端の高さ位置が互いに同一とされ、第二の突起部５６ａ，５６ｂの上端の高さ位置が、第一の突起部５４ａ〜５４ｄの上端の高さ位置よりも高いものとされているが、一実施形態では、図１３に示すように、第一の突起部５４ｃ及び５４ｄは、その上端の高さ位置が、第一の突起部５４ａ及び５４ｃの上端の高さ位置、及び第二の突起部５６ａ，５６ｂの上端の高さ位置よりも低くなるように形成されていてもよい。この場合、第一の突起部５４ａ及び５４ｃの上端の高さ位置と第二の突起部５６ａ，５６ｂの上端の高さ位置は、同一としてもよい。このような形態では、図１３（ａ）に示すように、第一の保持領域ＨＡ１において基端部５８ｂ側から先端部５８ａに向かうにつれて高くなるように傾斜された状態で被処理体Ｗが第一の突起部５４ａ〜５４ｄにより保持される。また、図１３（ｂ）に示すように、第二の保持領域ＨＡ２において被処理体Ｗが第一の突起部５４ａ，５４ｂ及び第二の突起部５６ａ，５６ｂにより水平に支持される。

１０…搬送装置、１０ａ，１０ｂ…搬送アーム、１２ａ…アーム軸、１４…屈伸部、１６…アーム部、１８…駆動部、２０…制御部、５０…ピック、５２…ベース部、５４ａ，５４ｂ，５４ｃ，５４ｄ…第一の突起部、５６ａ，５６ｂ…第二の突起部、５８ｂ…基端部、６０…放熱部、１００…処理装置、１１０…トランスファーチャンバ、ＨＡ１…第一の保持領域、ＨＡ２…第二の保持領域、ＨＳ１…第一の保持部、ＨＳ２…第二の保持部、ＬＬ１，ＬＬ２…ロードロックチャンバ、ＬＭ…ローダモジュール、ＰＭ１１，ＰＭ１２，ＰＭ１３，ＰＭ２１，ＰＭ２２，ＰＭ２３…プロセスモジュール、Ｓ…搬送空間、ＴＵ…搬送ユニット、Ｗ…被処理体。

Claims (11)

1. 搬送アームに接続可能な基端部を有するベース部と、
   被処理体を下方から保持する複数の突起部であり、前記ベース部の一面上に設けられた該複数の突起部と、
   を備え、
   前記複数の突起部は、複数の第一の突起部と一以上の第二の突起部とを含み、
   前記複数の第一の突起部は、前記一以上の第二の突起部の材料の耐熱性よりも高い耐熱性を有する材料から構成されており、
   前記一以上の第二の突起部は、前記複数の第一の突起部の材料の摩擦係数よりも大きい摩擦係数を有する材料から構成されており、
   前記複数の第一の突起部は、前記被処理体を保持するための第一の保持部を構成し、前記複数の第一の突起部の一部と前記一以上の第二の突起部とは、前記第一の保持部により前記被処理体を保持する領域から偏位した領域で前記被処理体を保持するための第二の保持部を構成する、
   ピック。
2. 前記一以上の第二の突起部が、前記複数の第一の突起部よりも前記ベース部の前記基端部側に設けられている、請求項１に記載のピック。
3. 前記複数の第一の突起部の上端の高さ位置は、互いに同一であり、
   前記一以上の第二の突起部の上端の高さ位置は、前記複数の第一の突起部の上端の高さ位置よりも高い、
   請求項２に記載のピック。
4. 前記複数の第一の突起部の前記一部は、前記複数の第一の突起部の他の一部が設けられた領域よりも前記一以上の第二の突起部から離れた領域に設けられており、
   前記複数の第一の突起部の前記他の一部の上端の高さ位置は、前記複数の第一の突起部の前記一部の上端の高さ位置、及び前記一以上の第二の突起部の上端の高さ位置よりも低い、
   請求項２に記載のピック。
5. 前記ベース部の材料の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する材料から構成された放熱部を更に備え、
   前記放熱部が前記一以上の第二の突起部と前記基端部との間において延在している、
   請求項１〜４の何れか一項に記載のピック。
6. 前記ベース部が、前記複数の第一の突起部と同一の材料から形成されている、請求項１〜５の何れか一項に記載のピック。
7. 前記複数の第一の突起部が、セラミックにより構成され、
   前記一以上の第二の突起部が、エラストマーにより構成される、請求項１〜６の何れか一項に記載のピック。
8. 請求項１〜７の何れか一項に記載のピックが接続された第１の搬送アームと、
   前記第１の搬送アームに接続されたピックと同じピック、又は、請求項１〜７の何れか一項に記載の別のピックが接続された第２の搬送アームと、を備え、
   前記第１の搬送アーム及び前記第２の搬送アームは、互いに連動して鉛直軸線周りに回転する、
   搬送装置。
9. 請求項８に記載の搬送装置を収容する筐体と、
   前記筐体に連結される複数の処理室と、
   前記筐体に連結される複数の予備減圧室と、
   を備える処理装置。
10. 請求項９に記載の処理装置における被処理体の搬送方法であって、
    前記複数の処理室のうち所定の温度よりも高温で処理を行う第一の処理室から被処理体を取り出すときに、前記第１の搬送アーム又は前記第２の搬送アームにおける前記第一の保持部により該被処理体を保持した状態で該被処理体を搬送し、
    前記複数の処理室のうち所定の温度以下の温度で処理を行う第二の処理室、又は前記複数の予備減圧室から被処理体を取り出すときに、前記第１の搬送アーム又は前記第２の搬送アームにおける前記第二の保持部により該被処理体を保持した状態で該被処理体を搬送する、
    搬送方法。
11. 前記第１の搬送アーム又は前記第２の搬送アームが前記第一の保持部により被処理体を保持しているときに、前記第１の搬送アーム及び前記第２の搬送アームは第一の速度で被処理体を搬送し、
    前記第１の搬送アーム及び前記第２の搬送アームが前記第二の保持部により被処理体を保持しているとき、又は、前記第１の搬送アーム及び前記第２の搬送アームの一方が前記第二の保持部により被処理体を保持し、且つ前記第１の搬送アーム及び前記第２の搬送アームの他方が被処理体を保持していないときに、前記第１の搬送アーム及び前記第２の搬送アームは前記第一の速度よりも速い第二の速度で被処理体を搬送する、
    請求項１０に記載の搬送方法。

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