JP2015082425A

JP2015082425A - Light-emitting device and substrate

Info

Publication number: JP2015082425A
Application number: JP2013220158A
Authority: JP
Inventors: 中馬　隆; Takashi Chuma; 隆中馬; 吉田　綾子; Ayako Yoshida; 綾子吉田; 大下　勇; Isamu Oshita; 勇大下; 吉澤　淳志; Atsushi Yoshizawa; 淳志吉澤
Original assignee: Pioneer Electronic Corp
Current assignee: Pioneer Corp
Priority date: 2013-10-23
Filing date: 2013-10-23
Publication date: 2015-04-27

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress an increase in production cost of a light-emitting device while suppressing a short circuit between two electrodes of an organic EL element.SOLUTION: An organic EL element 101 comprises a first electrode 120, an organic layer 130, and a second electrode 140. The second electrode 140 is positioned away from a flexible substrate 100 via the first electrode 120. The organic layer 130 is positioned between the first electrode 120 and the second electrode 140. A conductive layer 110 is positioned between the flexible substrate 100 and the first electrode 120. When the conductive layer 110 has an average thickness of t; the first electrode 120 has an average thickness of t; and the maximum difference in height of an irregular surface of the conductive layer 110 on the side of the first electrode 120 is R, t>t+Ris satisfied.

Description

本発明は、発光装置及び基板に関する。 The present invention relates to a light emitting device and a substrate.

発光装置の光源の一つとして、有機ＥＬ（Electroluminescence）素子が用いられるようになっている。有機ＥＬ素子は、基板上に、第１電極、有機層、及び第２電極をこの順に積層させた構造を有している。有機ＥＬ素子において、基板側から光を取り出すためには、第１電極を透明電極にする必要がある。透明電極となる材料は、一般的に抵抗が大きい。このため、第１電極の見かけ上の抵抗を低くするために、第１電極に線状の補助電極を設けることがある。 As one of the light sources of the light emitting device, an organic EL (Electroluminescence) element is used. The organic EL element has a structure in which a first electrode, an organic layer, and a second electrode are stacked in this order on a substrate. In the organic EL element, in order to extract light from the substrate side, the first electrode needs to be a transparent electrode. A material that becomes a transparent electrode generally has high resistance. For this reason, in order to reduce the apparent resistance of the first electrode, a linear auxiliary electrode may be provided on the first electrode.

なお、特許文献１には、透明電極上に低抵抗薄膜を形成する場合に、透明電極の表面平均粗さＲａを１ｎｍ以下にし、かつ透明電極の表面突起の高さＲｍａｘを１０ｎｍ以下にすることが記載されている。 In Patent Document 1, when a low-resistance thin film is formed on a transparent electrode, the surface average roughness Ra of the transparent electrode is 1 nm or less, and the height Rmax of the surface protrusion of the transparent electrode is 10 nm or less. Is described.

また、特許文献２には、基板と透明電極の間に補助電極を設けることが記載されている。 Patent Document 2 describes that an auxiliary electrode is provided between the substrate and the transparent electrode.

特開２００７−１０１６２２号公報JP 2007-101622 A 国際公開００／６０９０７号International Publication No. 00/60907

有機ＥＬ装置において、補助電極などの導電膜を第１電極の下に設ける場合、第１電極のうち導電膜と重なる部分において、導電膜の突出部分により第１の電極にも突出部分が発生する。このため、第１電極のうち突出した部分の上に位置する有機層が薄くなり、第１電極と第２電極とが短絡する恐れが出てくる。 In the organic EL device, when a conductive film such as an auxiliary electrode is provided below the first electrode, a protruding portion of the conductive film is generated in the first electrode due to the protruding portion of the conductive film in a portion overlapping the conductive film in the first electrode . For this reason, the organic layer located on the protruding portion of the first electrode becomes thin, and there is a risk that the first electrode and the second electrode are short-circuited.

本発明が解決しようとする課題としては、有機ＥＬ素子の２つの電極とが短絡することを抑制することが一例として挙げられる。 An example of a problem to be solved by the present invention is to suppress a short circuit between two electrodes of an organic EL element.

請求項１に記載の発明は、可撓性基板と、
前記可撓性基板に形成された導電層と、
前記可撓性基板に形成された有機ＥＬ素子と、
を備え、
前記導電層は、前記有機EL素子の下部電極と前記可撓性基板の間に位置しており、
前記導電層の平均厚さをｔ_１、前記下部電極の平均厚さをｔ_２、前記導電層のうち前記下部電極側の面の凹凸の高低差の最大値をＲ_ｚとしたときに、以下の（１）式を満たす発光装置である。
ｔ_２＞ｔ_１＋Ｒ_ｚ・・・（１） The invention according to claim 1 is a flexible substrate;
A conductive layer formed on the flexible substrate;
An organic EL element formed on the flexible substrate;
With
The conductive layer is located between the lower electrode of the organic EL element and the flexible substrate,
When the average thickness of the conductive layer is t ₁ , the average thickness of the lower electrode is t ₂ , and the maximum value of the unevenness of the surface of the conductive layer on the lower electrode side is R _z , It is a light-emitting device which satisfy | fills (1) Formula.
t ₂ > t ₁ + R _z (1)

請求項６に記載の発明は、可撓性基板と、
前記可撓性基板に形成された第１導電層と、
前記第１導電層を覆う第２導電層と、
を備え、
前記第１導電層の厚さをｔ_１、前記第２導電層の厚さをｔ_２、前記第１導電層のうち前記第２導電層側の面の凹凸の高低差の最大値をＲ_ｚとしたときに、上記（１）式を満たす基板である。 The invention according to claim 6 is a flexible substrate;
A first conductive layer formed on the flexible substrate;
A second conductive layer covering the first conductive layer;
With
The thickness of the first conductive layer is t ₁ , the thickness of the second conductive layer is t ₂ , and the maximum value of the height difference of the unevenness of the surface of the first conductive layer on the second conductive layer side is R _z The substrate satisfies the above expression (1).

実施形態に係る発光装置の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the light-emitting device which concerns on embodiment. 図１のＡ−Ａ断面図である。It is AA sectional drawing of FIG. 図２の点線で囲んだ領域の拡大図である。FIG. 3 is an enlarged view of a region surrounded by a dotted line in FIG. 2. 導電層の第１電極側の面の高低差の最大値Ｒｚの定義を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the definition of the maximum value Rz of the height difference of the surface at the side of the 1st electrode of a conductive layer. 試料１〜４それぞれにおいて、導電層の平均厚さをｔ_１と導電層の表面の高低差の最大値をＲ_ｚとの和と、第１電極の平均厚さｔ_２を示すグラフである。In Samples 1-4, respectively, a graph showing the maximum value of the height difference of the surface of the average thickness of the conductive layer t ₁ and the conductive layer and the sum of R _z, an average thickness t ₂ of the first electrode. 試料５〜１１それぞれにおいて、導電層の平均厚さをｔ_１と導電層の表面の高低差の最大値をＲ_ｚとの和と、第１電極の平均厚さｔ_２を示すグラフである。In samples 5-11 are graphs showing the maximum value of the height difference of the surface of the average thickness of the conductive layer t ₁ and the conductive layer and the sum of R _z, an average thickness t ₂ of the first electrode. 実施例３に係る発光装置の平面図である。6 is a plan view of a light emitting device according to Example 3. FIG. 図７のＢ−Ｂ断面の概略図である。It is the schematic of the BB cross section of FIG.

図１は、実施形態に係る発光装置１０の構成を示す平面図である。図２は図１のＡ−Ａ断面図である。本実施形態に係る発光装置１０は、可撓性基板１００、導電層１１０、及び有機ＥＬ素子１０１を備えている。有機ＥＬ素子１０１は、第１電極１２０（下部電極）、有機層１３０、及び第２電極１４０（上部電極）を有している。第２電極１４０は、第１電極１２０を介して可撓性基板１００とは逆側に位置している。有機層１３０は、第１電極１２０と第２電極１４０の間に位置している。また、導電層１１０は、可撓性基板１００と第１電極１２０の間に位置している。そして、導電層１１０の平均厚さをｔ_１、第１電極１２０の平均厚さをｔ_２、導電層１１０のうち第１電極１２０側の面の凹凸の高低差の最大値をＲ_ｚとしたときに、以下の（１）式が満たされている。
ｔ_２＞ｔ_１＋Ｒ_ｚ・・・（１）
以下、詳細に説明する。 FIG. 1 is a plan view showing a configuration of a light emitting device 10 according to the embodiment. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. The light emitting device 10 according to this embodiment includes a flexible substrate 100, a conductive layer 110, and an organic EL element 101. The organic EL element 101 includes a first electrode 120 (lower electrode), an organic layer 130, and a second electrode 140 (upper electrode). The second electrode 140 is located on the opposite side of the flexible substrate 100 with the first electrode 120 interposed therebetween. The organic layer 130 is located between the first electrode 120 and the second electrode 140. The conductive layer 110 is located between the flexible substrate 100 and the first electrode 120. The average thickness of the conductive layer 110 is t ₁ , the average thickness of the first electrode 120 is t ₂ , and the maximum value of the unevenness of the surface of the conductive layer 110 on the first electrode 120 side is R _z . Sometimes, the following equation (1) is satisfied.
t ₂ > t ₁ + R _z (1)
Details will be described below.

可撓性基板１００は、例えば樹脂基板であるが、ガラスなどの無機材料で形成されていてもよい。可撓性基板１００の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。 The flexible substrate 100 is, for example, a resin substrate, but may be formed of an inorganic material such as glass. The thickness of the flexible substrate 100 is, for example, not less than 10 μm and not more than 1000 μm.

第１電極１２０は、例えばＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）、ＩＷＺＯ（インジウムタングステン亜鉛酸化物）、ＺｎＯ、及びカーボンナノチューブなどの無機材料、またはポリチオフェン誘導体などの導電性高分子によって形成された透明電極である。第１電極１２０は、光が透過する程度に薄い金属薄膜であっても良い。第１電極１２０は、例えば有機ＥＬ素子１０１となる領域の全面に形成されている。 The first electrode 120 is, for example, an inorganic material such as ITO (indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide), IWZO (indium tungsten zinc oxide), ZnO, and carbon nanotube, or a conductive polymer such as a polythiophene derivative. Is a transparent electrode formed by The first electrode 120 may be a metal thin film that is thin enough to transmit light. For example, the first electrode 120 is formed on the entire surface of the region to be the organic EL element 101.

導電層１１０は、第１電極１２０よりも低抵抗の材料（例えば金属）によって形成されている。導電層１１０は、第１電極１２０の見かけ上の抵抗を減らすために設けられている。導電層１１０は、単層構造を有していてもよいし、複数の層を積層した構造を有していてもよい。導電層１１０は、例えばＡｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｗ、Ｔｉ、及びＭｏの少なくとも一つを含む単層の金属層によって形成されていてもよいし、これらの金属層を複数積層した多層膜であってもよい。ただし、導電層１１０の材料は上記した材料に限らずこれ以外の金属であってもよい。本図に示す例において、導電層１１０は線状（例えば直線状又は曲線状）に形成されている。そして導電層１１０のうち平面視において有機ＥＬ素子１０１と重なっている領域の全体は、可撓性基板１００と第１電極１２０の間に位置している。言い換えると、導電層１１０の一部は、有機ＥＬ素子１０１と重なっており、かつ可撓性基板１００と第１電極１２０の間に位置している。これにより、第１電極１２０の見かけ上の抵抗は十分小さくなる。 The conductive layer 110 is formed of a material (for example, metal) having a lower resistance than the first electrode 120. The conductive layer 110 is provided to reduce the apparent resistance of the first electrode 120. The conductive layer 110 may have a single-layer structure or a structure in which a plurality of layers are stacked. The conductive layer 110 may be formed of a single metal layer containing at least one of Ag, Al, Cu, Au, Cr, Pt, W, Ti, and Mo, for example, or a plurality of these metal layers may be formed. A laminated multilayer film may be used. However, the material of the conductive layer 110 is not limited to the above-described material, and other metals may be used. In the example shown in this drawing, the conductive layer 110 is formed in a linear shape (for example, a linear shape or a curved shape). The entire region of the conductive layer 110 that overlaps the organic EL element 101 in plan view is located between the flexible substrate 100 and the first electrode 120. In other words, a part of the conductive layer 110 overlaps with the organic EL element 101 and is located between the flexible substrate 100 and the first electrode 120. Thereby, the apparent resistance of the first electrode 120 becomes sufficiently small.

本図に示す例では、導電層１１０はライン状に一つのみ形成されている。ただし、導電層１１０は複数形成されていてもよい。この場合、複数の導電層１１０は、例えば互いに平行になっている。 In the example shown in this figure, only one conductive layer 110 is formed in a line shape. However, a plurality of conductive layers 110 may be formed. In this case, the plurality of conductive layers 110 are parallel to each other, for example.

有機層１３０は、例えば、正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層を積層したものである。正孔輸送層は第１電極１２０及び第２電極１４０の一方に接しており、電子輸送層は第１電極１２０及び第２電極１４０の他方に接している。なお、第１電極１２０と正孔輸送層との間には正孔注入層が形成されても良いし、第２電極１４０と電子輸送層との間には電子注入層が形成されてもよい。また、上記した各層の全てが必要ということではない。例えば電子輸送層内でホールと電子の再結合が生じている場合、電子輸送層が発光層の機能を兼ねているため、発光層は不要となる。また、これら第１電極１２０、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、及び第２電極１４０のうち、少なくとも１つは、インクジェット法などの塗布法を用いて形成されていても良い。また、有機層１３０と第２電極１４０との間には、ＬｉＦなどの無機材料で構成される電子注入層を設けても構わない。 The organic layer 130 is formed by stacking, for example, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer. The hole transport layer is in contact with one of the first electrode 120 and the second electrode 140, and the electron transport layer is in contact with the other of the first electrode 120 and the second electrode 140. A hole injection layer may be formed between the first electrode 120 and the hole transport layer, and an electron injection layer may be formed between the second electrode 140 and the electron transport layer. . Also, not all of the above layers are necessary. For example, when recombination of holes and electrons occurs in the electron transport layer, the light-emitting layer is unnecessary because the electron transport layer also functions as the light-emitting layer. In addition, at least one of the first electrode 120, the hole injection layer, the hole transport layer, the electron transport layer, the electron injection layer, and the second electrode 140 is formed using a coating method such as an inkjet method. May be. Further, an electron injection layer made of an inorganic material such as LiF may be provided between the organic layer 130 and the second electrode 140.

第２電極１４０は、例えばＡｇやＡｌなどの金属材料で形成された金属層、又はＩＺＯなどの酸化物導電材料で形成されている。 The second electrode 140 is formed of, for example, a metal layer formed of a metal material such as Ag or Al, or an oxide conductive material such as IZO.

なお、可撓性基板１００として樹脂製の基板を用いる場合、可撓性基板１００と導電層１１０及び第１電極１２０の間に、水分の透過を防ぐバリア膜を形成しておくのが好ましい。バリア膜は、例えばＳｉＯ_２膜やＳｉＮ_ｘ膜などの窒化膜であり、例えばスパッタリング法、ＣＶＤ法、又はＡＬＤ法を用いて形成される。 Note that when a resin substrate is used as the flexible substrate 100, it is preferable to form a barrier film that prevents moisture from passing between the flexible substrate 100, the conductive layer 110, and the first electrode 120. The barrier film is a nitride film such as a SiO ₂ film or a SiN _x film, and is formed using, for example, a sputtering method, a CVD method, or an ALD method.

次に、発光装置１０の製造方法について説明する。まず、可撓性基板１００の上に導電層１１０を形成する。導電層１１０は、例えば以下のようにして形成される。まず、可撓性基板１００の上に、導電層１１０となる導電膜を、例えばスパッタリング法、無電解めっき法、電解めっき法、塗布法（インクジェット法を含む）、又は印刷法を用いて形成する。次いで、この導電膜の上にマスクパターン（例えばレジストパターン）を形成し、このマスクパターンを用いて導電膜をウェットエッチングする。これにより、導電層１１０が形成される。ただし、導電層１１０はインクジェット法を用いて所望の形状（例えばライン状）に形成されてもよい。そして、例えば導電層１１０の製造方法や製造条件を選択したり、導電層１１０の厚さｔ_１を調整したり、第１電極１２０の厚さｔ_２を調整することにより、上記した（１）式が満たされる。また、この製造方法や製造条件の一例は、後述する実施例に限定されるものではない。 Next, a method for manufacturing the light emitting device 10 will be described. First, the conductive layer 110 is formed over the flexible substrate 100. The conductive layer 110 is formed as follows, for example. First, a conductive film to be the conductive layer 110 is formed over the flexible substrate 100 by using, for example, a sputtering method, an electroless plating method, an electrolytic plating method, a coating method (including an ink jet method), or a printing method. . Next, a mask pattern (for example, a resist pattern) is formed on the conductive film, and the conductive film is wet-etched using the mask pattern. Thereby, the conductive layer 110 is formed. However, the conductive layer 110 may be formed in a desired shape (for example, a line shape) using an inkjet method. Then, for example, to select the manufacturing methods and manufacturing conditions of the conductive layer 110, or by adjusting the thickness t ₁ of the conductive layer 110, by adjusting the thickness t ₂ of the first electrode 120, the above (1) The expression is satisfied. Moreover, an example of this manufacturing method and manufacturing conditions is not limited to the Example mentioned later.

次いで、可撓性基板１００及び導電層１１０の上に、第１電極１２０を、例えばスパッタリング法を用いて形成する。 Next, the first electrode 120 is formed on the flexible substrate 100 and the conductive layer 110 by using, for example, a sputtering method.

次いで、有機層１３０を、蒸着法又は塗布法を用いて形成する。ここで用いられる塗布法には、例えばスプレー塗布、ディスペンサー塗布、インクジェット、又は印刷などがある。また、有機層１３０を構成するすべての層が互いに同一の方法で形成される必要はない。例えば一つの層は蒸着法で形成され、他の一つの層はインクジェット法を用いて形成されてもよい。 Next, the organic layer 130 is formed using a vapor deposition method or a coating method. Examples of the coating method used here include spray coating, dispenser coating, inkjet, and printing. Further, it is not necessary that all layers constituting the organic layer 130 are formed in the same manner. For example, one layer may be formed by an evaporation method, and the other one layer may be formed by using an ink jet method.

次いで、有機層１３０上に第２電極１４０を、例えば真空蒸着法又はスパッタリング法を用いて形成する。 Next, the second electrode 140 is formed on the organic layer 130 by using, for example, a vacuum deposition method or a sputtering method.

なお、上記した発光装置１０の製造方法において、可撓性基板１００の上に導電層１１０及び第１電極１２０を形成した基板を準備し、その後、有機層１３０及び第２電極１４０を形成してもよい。 In the method for manufacturing the light emitting device 10 described above, a substrate in which the conductive layer 110 and the first electrode 120 are formed on the flexible substrate 100 is prepared, and then the organic layer 130 and the second electrode 140 are formed. Also good.

図３は、図２の点線で囲んだ領域の拡大図である。可撓性基板１００は例えば樹脂基板である。このため、可撓性基板１００の表面を研磨して表面の平坦性を向上させることは難しい。従って、可撓性基板１００のうち導電層１１０及び第１電極１２０が形成されている面には、ある程度の大きさの凹凸がある。一方、導電層１１０の表面にも凹凸がある。なお、可撓性基板１００として研磨が難しい薄いガラス基板を採用することもできる。そして可撓性基板１００は、これらに限定されない。 FIG. 3 is an enlarged view of a region surrounded by a dotted line in FIG. The flexible substrate 100 is, for example, a resin substrate. For this reason, it is difficult to improve the flatness of the surface by polishing the surface of the flexible substrate 100. Therefore, the surface of the flexible substrate 100 on which the conductive layer 110 and the first electrode 120 are formed has a certain degree of unevenness. On the other hand, the surface of the conductive layer 110 is also uneven. Note that a thin glass substrate that is difficult to polish can be used as the flexible substrate 100. The flexible substrate 100 is not limited to these.

なお、導電層１１０の平均厚さｔ_１、第１電極１２０の平均厚さｔ_２、及び導電層１１０の高低差の最大値をＲ_ｚは、例えば発光装置１０のすべての角部及び中央部の平均値として算出される。各測定地点における測定面積は、例えば１００μｍ×１００μｍである。また、導電層１１０の高低差の最大値をＲ_ｚは、例えばＡＦＭ（Atomic Force Microscope）を用いて測定され、導電層１１０の平均厚さｔ_１及び第１電極１２０の平均厚さｔ_２は、触針式段差計を用いて測定される。 The average thickness t ₁ of the conductive layer _110, the maximum value R _z of the height difference between the average thickness t _2, and the conductive layer 110 of the first electrode 120, for example, all corners of the light emitting device 10 and a central portion It is calculated as an average value. The measurement area at each measurement point is, for example, 100 μm × 100 μm. The maximum value _{R z} of the height difference between the conductive layer 110 is, for example, be measured using an AFM (Atomic Force Microscope), the average thickness _{t 2} of the average thickness _{t 1} and the first electrode 120 of the conductive layer 110 Measured using a stylus profilometer.

図４は、導電層１１０の第１電極１２０側の面の高低差の最大値Ｒｚの定義を説明するための図である。本図に示すように、導電層１１０のうち第１電極１２０側の面の平均位置を基準にした場合、高低差Ｒｚは、導電層１１０の表面の輪郭曲線の山高さＲ_ｐと谷深さＲ_ｖの和として定義される。なお、この輪郭曲線は、例えばＡＦＭを用いて測定される。 FIG. 4 is a diagram for explaining the definition of the maximum value Rz of the height difference of the surface of the conductive layer 110 on the first electrode 120 side. As shown in the figure, when relative to the average position of the surface of the first electrode 120 side of the conductive layer 110, peak height R _p and valley depth of the contour curve of the height difference Rz, the surface of the conductive layer 110 It is defined as the sum of R _v. The contour curve is measured using, for example, AFM.

本実施形態において、上記したように、可撓性基板１００及び導電層１１０の双方に凹凸が形成されている。このため、可撓性基板１００の凸部と導電層１１０の凸部が重なった場合、導電層１１０の凸部が高くなる。その結果、第１電極１２０にも凸部が形成され、有機層１３０を貫いて第２電極１４０と短絡する可能性が出てくる。これに対して本実施形態では、上記したように、第１電極１２０の平均厚さｔ_２は、導電層１１０のうち第１電極１２０側の面の凹凸の高低差の最大値Ｒ_ｚと導電層１１０の平均厚さｔ_１との和よりも大きくなっている（ｔ_２＞ｔ_１＋Ｒ_ｚ）。これにより、第１電極１２０の表面に凸部が形成されていても、第１電極１２０と第２電極１４０とが短絡することを抑制できる。 In this embodiment, as described above, irregularities are formed on both the flexible substrate 100 and the conductive layer 110. For this reason, when the convex part of the flexible substrate 100 and the convex part of the conductive layer 110 overlap, the convex part of the conductive layer 110 becomes high. As a result, a convex portion is also formed on the first electrode 120, and there is a possibility that the organic electrode 130 penetrates the second electrode 140. On the other hand, in the present embodiment, as described above, the average thickness t ₂ of the first electrode 120 is equal to the maximum value R _z of the unevenness of the unevenness of the surface of the conductive layer 110 on the first electrode 120 side and the conductive layer 110. It is larger than the sum of the average thickness t ₁ of the layer 110 (t ₂ > t ₁ + R _z ). Thereby, even if the convex part is formed in the surface of the 1st electrode 120, it can suppress that the 1st electrode 120 and the 2nd electrode 140 short-circuit.

一般的に、複数の成膜装置を用いて、導電層１１０の成膜を並列して行うことが多い。ここで、これら複数の成膜装置に同一の成膜条件を設定しても、成膜装置の個体差に起因して導電層１１０の表面粗さに差が生じることがある。この場合、複数の成膜装置に同一の成膜条件を設定しても、発光装置１０の歩留まりは改善しない。これに対して本実施形態では、複数の成膜装置それぞれごとに、導電層１１０の表面粗さの成膜条件依存を測定し、この測定結果に基づいて、複数の成膜装置それぞれごとに、上記（１）式が満たされるように成膜条件を設定する。これにより、発光装置１０の歩留まりは改善する。 In general, the conductive layer 110 is often formed in parallel using a plurality of film forming apparatuses. Here, even when the same film formation conditions are set for the plurality of film formation apparatuses, a difference may occur in the surface roughness of the conductive layer 110 due to individual differences in the film formation apparatuses. In this case, the yield of the light emitting device 10 is not improved even if the same film forming conditions are set for a plurality of film forming apparatuses. On the other hand, in the present embodiment, for each of the plurality of film forming apparatuses, the dependence of the surface roughness of the conductive layer 110 on the film forming condition is measured. The film forming conditions are set so that the above equation (1) is satisfied. Thereby, the yield of the light emitting device 10 is improved.

（実施例１）
実施形態に示した発光装置１０を作製した（試料１及び試料２）。可撓性基板１００としては、薄いガラスからなる基板を用い、導電層１１０の厚さを１００ｎｍとした。第１電極１２０としては、膜厚が１１０ｎｍのＩＺＯを使用した。また、有機層１３０の厚さを１３０ｎｍとして、第２電極１４０として厚さが１００ｎｍのアルミニウム膜を使用した。有機層１３０及び第２電極１４０の作製方法は、いずれも真空蒸着法とした。 (Example 1)
The light emitting device 10 shown in the embodiment was manufactured (Sample 1 and Sample 2). As the flexible substrate 100, a substrate made of thin glass was used, and the thickness of the conductive layer 110 was set to 100 nm. As the first electrode 120, IZO having a film thickness of 110 nm was used. Further, the thickness of the organic layer 130 was set to 130 nm, and an aluminum film having a thickness of 100 nm was used as the second electrode 140. Both the organic layer 130 and the second electrode 140 were manufactured by vacuum deposition.

また、試料１において、導電層１１０として、Ｔｉの上にＡｇを積層した多層膜をスパッタリング法により形成した。一方、試料２において、導電層１１０としてＡｇ膜を、インクジェット法を用いて形成した。なお、インクジェット法による塗布を行う前に、ＳＡＭ（自己組織化単分子膜）を形成することにより、可撓性基板１００のうち導電層１１０が形成されるべき領域を親水化し、それ以外の領域を疎水化した。 In Sample 1, as the conductive layer 110, a multilayer film in which Ag was laminated on Ti was formed by a sputtering method. On the other hand, in Sample 2, an Ag film was formed as the conductive layer 110 by an inkjet method. In addition, before performing application | coating by an inkjet method, the area | region where the conductive layer 110 should be formed in the flexible substrate 100 is hydrophilized by forming SAM (self-organization monomolecular film), and other area | regions Was hydrophobized.

また、比較例に係る試料３，４を作製した。試料３，４の製造方法及び構造は、導電層１１０の形成方法を除いて、試料１，２と同様である。試料３、４では、導電層１１０を、Ｐｄを触媒とした無電解めっき法により作製した。なお、試料３では、触媒となるＰｄ層を、ＰｄＣｌ_２溶液及びレジストパターンを用いて、導電層１１０が形成されるべき領域にのみ作製した。また試料４では、触媒となるＰｄ層を、Ｓｎ−Ｐｄコロイド溶液及びレジストパターンを用いて、導電層１１０が形成されるべき領域にのみ作製した。 Further, Samples 3 and 4 according to the comparative example were produced. The manufacturing method and structure of Samples 3 and 4 are the same as Samples 1 and 2 except for the method for forming the conductive layer 110. In Samples 3 and 4, the conductive layer 110 was produced by an electroless plating method using Pd as a catalyst. In Sample 3, a Pd layer serving as a catalyst was produced only in a region where the conductive layer 110 was to be formed using a PdCl ₂ solution and a resist pattern. In Sample 4, a Pd layer serving as a catalyst was produced only in a region where the conductive layer 110 was to be formed using a Sn—Pd colloidal solution and a resist pattern.

そして、試料１〜４において、輝度が低下している領域の有無を調べた。第１電極１２０と第２電極１４０の短絡が生じている場合、その短絡している部分の周囲の輝度は、他の領域と比較して低下するためである。そして、輝度が低下している領域があった場合、その試料を不良品（ＮＧ）と判断し、輝度が低下した領域がなかった場合、その試料を良品（ＯＫ）と判断した。その結果、試料１，２は良品であったが、試料３，４は不良品であった。 And in the samples 1-4, the presence or absence of the area | region where the brightness | luminance fell is investigated. This is because when the first electrode 120 and the second electrode 140 are short-circuited, the luminance around the short-circuited portion is reduced as compared with other regions. When there was a region where the luminance was lowered, the sample was judged as a defective product (NG), and when there was no region where the luminance was lowered, the sample was judged as a good product (OK). As a result, Samples 1 and 2 were good products, but Samples 3 and 4 were defective products.

図５は、試料１〜４それぞれにおいて、導電層１１０の平均厚さをｔ_１と導電層１１０の表面の高低差の最大値Ｒ_ｚとの和と、第１電極１２０の平均厚さｔ_２を示すグラフである。このグラフから明らかなように、良品だった試料１，２においては、実施形態で示した（１）式が満たされているのに対し、不良品であった試料３，４においては、（１）式が満たされてなかった。 5, in Samples 1-4, respectively, the sum of the average thickness of the conductive layer 110 and the maximum value _{R z} of the height difference between the surface of _{t 1} and the conductive layer 110, the average thickness of the first electrode 120 _{t 2} It is a graph which shows. As is clear from this graph, in the samples 1 and 2 that were non-defective products, the expression (1) shown in the embodiment was satisfied, whereas in the samples 3 and 4 that were defective products, (1 ) Formula was not satisfied.

このことから、（１）式を満たすように発光装置１０を作製すると、第１電極１２０と第２電極１４０が短絡しにくくなることが示された。 From this, it was shown that when the light emitting device 10 is manufactured so as to satisfy the expression (1), the first electrode 120 and the second electrode 140 are less likely to be short-circuited.

（実施例２）
発光装置１０を複数作製した（試料５〜１１）。試料５〜１１は、第１電極１２０の膜厚が変化している点を除いて、試料３と同様の構造を有している。試料５〜１１では、第１電極１２０の膜厚ｔ_２を、それぞれ８０ｎｍ、９５ｎｍ、１１０ｎｍ、１２５ｎｍ、１４０ｎｍ、１５５ｎｍ、及び１７０ｎｍとした。その結果、試料５〜７は不良品（ＮＧ）であったが、試料８〜１１は良品（ＯＫ）であった。 (Example 2)
A plurality of light emitting devices 10 were manufactured (Samples 5 to 11). Samples 5 to 11 have the same structure as Sample 3 except that the film thickness of the first electrode 120 is changed. Sample 5-11, the film thickness _{t 2} of the first electrode 120 was 80nm respectively, 95 nm, 110 nm, 125 nm, 140 nm, 155 nm, and a 170nm to. As a result, samples 5 to 7 were defective (NG), but samples 8 to 11 were non-defective (OK).

図６は、試料５〜１１それぞれにおいて、導電層１１０の平均厚さをｔ_１と導電層１１０の表面の高低差の最大値をＲ_ｚとの和と、第１電極１２０の平均厚さｔ_２を示すグラフである。このグラフから明らかなように、実施例１において不良品であった試料３と同様の方法で導電層１１０を作製しても、第１電極１２０を厚くして（１）式を満たすようにすると、第１電極１２０と第２電極１４０が短絡しにくくなることが示された。 6, in the sample 5 to 11, respectively, the maximum value of the height difference of the average thickness of the conductive layer 110 _{t 1} and the surface of the conductive layer 110 and the sum of _{R z,} the average thickness of the first electrode 120 t ₂ is a graph showing ₂ . As is apparent from this graph, even if the conductive layer 110 is manufactured by the same method as that of the sample 3 which was a defective product in Example 1, the first electrode 120 is made thick so as to satisfy the formula (1). It has been shown that the first electrode 120 and the second electrode 140 are less likely to be short-circuited.

（実施例３）
図７は、実施例３に係る発光装置１０の平面図である。図８は、図７のＢ−Ｂ断面の概略図である。本実施例に係る発光装置１０は、以下の点を除いて、実施形態に係る発光装置１０、実施例１の試料１，２、及び実施例２の試料８〜１１のいずれかと同様の構成である。 (Example 3)
FIG. 7 is a plan view of the light emitting device 10 according to the third embodiment. FIG. 8 is a schematic view of the BB cross section of FIG. The light emitting device 10 according to the present example has the same configuration as that of the light emitting device 10 according to the embodiment, the samples 1 and 2 of the example 1, and the samples 8 to 11 of the example 2 except for the following points. is there.

まず、可撓性基板１００と第１電極１２０の間には、複数の導電層１１０が互いに平行に延在している。そして導電層１１０の端部は、導電層１１０の外部に引き出され、接続端子となっている。 First, a plurality of conductive layers 110 extend in parallel between the flexible substrate 100 and the first electrode 120. The end portion of the conductive layer 110 is drawn out of the conductive layer 110 and serves as a connection terminal.

また、第１電極１２０の縁は、絶縁層１５０で覆われている。絶縁層１５０は、例えば感光性の樹脂層を露光及び現像することにより、形成される。ただし絶縁層１５０は、スクリーン印刷法やインクジェット法を用いて形成されてもよい。絶縁層１５０は、例えば導電層１１０及び第１電極１２０が形成されたのち、有機層１３０が形成される前に、形成される。 Further, the edge of the first electrode 120 is covered with an insulating layer 150. The insulating layer 150 is formed, for example, by exposing and developing a photosensitive resin layer. However, the insulating layer 150 may be formed using a screen printing method or an inkjet method. The insulating layer 150 is formed, for example, after the conductive layer 110 and the first electrode 120 are formed and before the organic layer 130 is formed.

本実施例によっても、第１電極１２０と第２電極１４０とが短絡することを抑制できる。また、第１電極１２０の縁は絶縁層１５０によって覆われているため、第１電極１２０の縁が第２電極１４０と短絡することを抑制できる。 Also according to the present embodiment, it is possible to suppress a short circuit between the first electrode 120 and the second electrode 140. In addition, since the edge of the first electrode 120 is covered with the insulating layer 150, it is possible to prevent the edge of the first electrode 120 from being short-circuited with the second electrode 140.

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。 As mentioned above, although embodiment and the Example were described with reference to drawings, these are illustrations of this invention and can also employ | adopt various structures other than the above.

１０発光装置
１００可撓性基板
１０１有機ＥＬ素子
１１０導電層
１２０第１電極
１３０有機層
１４０第２電極
１５０絶縁層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Light-emitting device 100 Flexible substrate 101 Organic EL element 110 Conductive layer 120 First electrode 130 Organic layer 140 Second electrode 150 Insulating layer

Claims

A flexible substrate;
A conductive layer formed on the flexible substrate;
An organic EL element formed on the flexible substrate;
With
The conductive layer is located between the lower electrode of the organic EL element and the flexible substrate,
When the average thickness of the conductive layer is t ₁ , the average thickness of the lower electrode is t ₂ , and the maximum value of the unevenness of the surface of the conductive layer on the lower electrode side is R _z , A light emitting device satisfying the expression (1).
t ₂ > t ₁ + R _z (1)

The light emitting device according to claim 1, wherein the conductive layer is formed in a linear shape or a curved shape.

The light emitting device according to claim 2, wherein a part of the conductive layer provided with the organic EL element is between the lower electrode and the flexible substrate.

The light emitting device according to claim 3, further comprising an insulating layer covering an edge of the lower electrode.

The light emitting device according to claim 4, wherein the flexible substrate is made of an inorganic material or a resin.

A flexible substrate;
A first conductive layer formed on the flexible substrate;
A second conductive layer covering the first conductive layer;
With
The thickness of the first conductive layer is t ₁ , the thickness of the second conductive layer is t ₂ , and the maximum value of the height difference of the unevenness of the surface of the first conductive layer on the second conductive layer side is R _z A substrate that satisfies the following formula (2).
t ₂ > t ₁ + R _z (2)