JP2014236175A - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
Description
このような用途に用いられる発光装置は、例えば、特許文献1に提案されている。
この発光装置は、複数の発光素子の側面が反射性部材で被覆され、互いに近接して一列に配列されている。
整列した複数の発光素子と、
該発光素子の側面を被覆する光反射性部材と、
前記発光素子間の前記光反射性部材間に配置される遮光性部材とを備える。
本件明細書において、「上」、「下」という用語は、発光装置の発光を取り出す側とその逆側を指す用語としても用いる。例えば「上面」とは発光装置の発光を取り出す側にある面を指し、「下面」とはその逆側の面を指す。
発光素子1は、通常、発光ダイオードが用いられる。
発光素子は、その組成、発光色又は波長、大きさ、個数等、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、青色、緑色の発光素子としては、ZnSe、窒化物系半導体(InXAlYGa1−X−YN、0≦X、0≦Y、X+Y≦1)、GaPなどの半導体層を用いたもの、赤色の発光素子としては、GaAlAs、AlInGaPなどの半導体層を用いたものが挙げられる。
発光素子は、成長用基板が半導体層の積層後に除去されていてもよい。除去は、例えば、研磨、LLO(Laser Lift Off)等で行うことができる。また、成長用基板を除去する場合は、半導体層に実装用の支持基板を備えることもできる。
あるいは、フェイスアップ実装する場合には、一対の電極が形成された面を光取り出し面としてもよい。
光反射性部材12は、図1A及び図1Bに示すように、発光素子11の側面を被覆する。ここでの発光素子11の側面とは、少なくとも半導体層の側面の厚み方向の一部、好ましくは半導体層の厚み方向の全部及び/又は半導体層の側面の外周における一部、好ましくは半導体層の外周における全側面を指す。また、ここでの被覆とは、半導体層との間に別の層が介在していてもよいが、半導体層と接触していることが好ましい。なかでも、複数含まれる発光素子の全ての外周側面が光反射性部材で被覆されていることがより好ましい。これにより、発光素子と光反射性部材との界面で、発光素子から出射される光が発光素子内に反射されるため、隣接する発光素子に光が吸収されることなく、発光素子の上面から透光性部材の上面または外部へと出射される。
発光素子と光反射性樹脂との間に別の層が介在する場合、別の層は、発光装置の発光面側に露出しないように配置されることが好ましい。別の層が発光面側に露出すると、発光素子と光反射性部材との間で光が反射/伝播し色むらが生じるおそれがある。
あるいは、後述するように、発光素子の上面に、この面を被覆する透光性部材をさらに備える場合には、光反射性部材は透光性部材と面一又は略面一であることが好ましい。
反射性物質等の含有量は、光反射性部材の光の反射量及び透過量等を変動させることができるため、得ようとする発光装置の特性等によって適宜調整することができる。例えば、反射性物質の含有量を30wt%以上とすることが好ましい。
例えば、後述するように、透光性部材が蛍光体を含有する場合には、蛍光体がストークスロスに起因する自己発熱を起こし、この熱によって光変換効率を低下させることがある。一方、光反射性部材が、高い熱伝導率を有する場合には、透光性部材中の蛍光体の熱を効率的に放熱することが可能となる。
遮光性部材13は、図1A及び図1Bに示すように、発光素子11間の側面を被覆する光反射性部材12間に配置される。ここでの光反射性部材間とは、互いに隣接する発光素子間で、発光素子の側面を被覆する光反射性部材を分断して配置されることを意味する。従って、上面側から見て、少なくとも隣接する発光素子の間にのみ配置されていればよいが、隣接する発光素子間から、光反射性部材の端部に向かって延長して配置されていることが好ましい。このような配置によって、一方の発光素子から出射された光が光反射性部材を通過して隣接する発光素子及び/又はそこから出射された光等に干渉することを確実に防止することができる。
遮光性部材は、断面視において、その幅は略均一であってもよいが、例えばV字形のように下が細くなっていてもよい。断面視V字形状とすることにより、側面方向の光を下方向に閉じ込めることが可能となり、より見切り性を良好にすることができる。断面視V字形状は、例えば、光反射性部材を分断する際、先端が細くなっているブレード等を使用することにより形成することができる。
幅は、後述する製造方法において、遮光性部材を形成する材料が毛細管現象によって充填されるように設定されることが好ましい。幅は、例えば、平面視で10〜100μm程度、好ましくは30〜90μm程度、より好ましくは40〜70μm程度である。このような幅に設定することにより、隣接する発光素子間での光漏れを確実に防止し、見切り性の良い、良好な輝度分布を確保することができる。特に、隣接する発光素子間で、点灯/消灯の状態となる場合において、消灯された発光素子への、点灯された発光素子からの光の干渉を最小限に止めることができ、消灯された発光素子の微小発光レベルを激減させることができる。
あるいは、後述するように、発光素子の光取り出し面に、この面を被覆する透光性部材をさらに備える場合には、遮光性部材は透光性部材と面一又は略面一であることが好ましい。言い換えると、遮光性部材は透光性部材の側面を被覆することが好ましい。
さらに、発光素子が基材上に接合され、後述するように、基材と発光素子との間に埋設部材が埋設され、かつ埋設部材が発光素子間にまで及ぶ場合には、遮光性部材の下端は、埋設部材の表面、埋設部材中のいずれに配置されていてもよい。
遮光性部材は、発光装置に載置されている全て又は一部の発光素子間に配置されていればよい。例えば、発光素子複数が一列に整列している場合、隣接する任意の発光素子間に一箇所のみ配置されていてよいし、発光素子が二列に整列して搭載されている場合、列と列の間に配置されていてもよいし、発光素子がマトリクス状に配置される場合、全ての発光素子間に格子状に配置されていてもよい。遮光性部材は、目的、用途に応じて適宜その配置が変更させることができる。
さらに、遮光性部材は、上記光吸収物質と共に、反射性物質を用いて形成することができる。反射性物質としては、酸化チタン、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、チタン酸カリウム、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ムライトなどが挙げられる。
光吸収物質、反射性物質等の含有量は、用いる光吸収物質、反射性物質の種類等によって適宜調整することができる。例えば、光吸収物質等の含有量を1wt%以上、反射性物質の含有量を30wt%以上とすることが好ましい。
遮光性部材は、光吸収性、光反射性に加え、上述したような放熱性を有する材料を用いてもよい。
発光装置は、さらに、発光素子の上面(光取り出し面)を被覆する透光性部材を備えていることが好ましい(図1Bの18参照)。透光性部材は、発光素子から出射される光を透過させ、その光を外部に放出することが可能な部材である。
透光性部材は、発光素子から出射された光の全てを取り出すために、発光素子の上面の全部を透光性部材で被覆することが好ましい。ただし、透光性部材が発光素子よりも大きくなるほど、そこから取り出される光は、輝度が低下することがある。従って、発光素子を被覆する透光性部材は、発光素子同等の大きさ以上であるが、できる限り発光素子と同等の大きさであることが好ましい。これにより、発光装置のより一層の小型化が可能となることに加え、より一層高い輝度が得られる。
発光素子よりも大きい透光性部材で複数の発光素子を個々に被覆する場合、透光性部材間距離は、透光性部材自体のサイズ(例えば一辺の長さ)よりも短いものが好ましく、例えば、透光性部材自体のサイズの20%以下であることがより好ましい。このように透光性部材同士を近接して配置させることにより、発光ムラの少ない発光品位の高い面光源の発光装置とすることができる。
複数の発光素子を個々に被覆する透光性部材は、その側面が、光反射性部材に被覆されていることが好ましい。この場合、複数の透光性部材間の光反射性部材間に、遮光性部材が配置されていることが好ましい。
複数の発光素子を一体的に被覆する透光性部材は、その側面は必ずしも光反射性部材及び/又は遮光性部材で被覆されていなくてもよい。
なかでも、複数の発光素子を個々に被覆する透光性部材の側面が、光反射性部材に被覆され、透光性部材間の光反射性部材間に、遮光性部材が配置されていることがより好ましい。
透光性部材は、上面が凹凸形状、曲面、レンズ状の種々の形状とすることができ、下面は、発光素子の光取り出し面に平行な面とすることが好ましい。
例えば、透光性部材が蛍光体を含有する場合、青色発光素子とこの透光性部材とを接合する接着剤に赤色蛍光体を含有させることにより、JIS規格に沿う、電球色に発光する発光装置とすることができる。
発光装置は、図1A及び図1Bに示したように、発光素子11が、基材14に載置されている。
基材は、当該分野で公知であり、発光素子等が実装されるために使用される基板のいずれをも用いることができる。例えば、ガラスエポキシ、樹脂、セラミックスなどの絶縁性部材、絶縁部材を形成した金属部材等によって形成された基板が挙げられる。なかでも、耐熱性及び耐候性の高いセラミックスを利用したものが好ましい。セラミックス材料としては、アルミナ、窒化アルミニウム、ムライトなどが挙げられ、これらのセラミックス材料に、例えば、BTレジン、ガラスエポキシ、エポキシ系樹脂等の絶縁性材料を組み合わせてもよい。
基材は、通常、その表面に発光素子と接続される配線パターン(図1A等、15参照)を有している。
なお、発光装置は、基材の配線パターン、その電力供給制御等によって、複数の発光素子は独立して駆動される。このような独立した点滅制御は、当該分野で公知であり、通常使用される方法のいずれをも利用することができる。
上述したように、発光素子が基材上に接合される場合、基材と発光素子との間に埋設部材が配置されていることが好ましい(図7中、19参照)。基材と発光素子との間に埋設部材を配置することにより、発光素子と基材の熱膨張率の差による応力を吸収したり、放熱性を高めたりすることができる。
埋設部材は、発光素子の直下にのみ配置されていてもよいし、発光素子の直下から、発光素子間に及んでいてもよく、発光素子の側面の一部に接触していてもよい。埋設部材は、例えば、最も肉厚の部位において、数μm〜数百μm程度の膜厚とすることができる。
埋設部材は、光反射性部材よりも低弾性、低線膨張の材料を用いる場合、発光素子と基材との接合部における樹脂膨張収縮応力の緩和が可能となり、電気的な接合信頼性が向上するため好ましい。また、光反射性部材に機械強度の高い材料を使用し、埋設部材が外部に露出しないよう、光反射性部材で埋設部材を完全に覆う構成とすることが好ましい。これにより、発光素子および埋設部材部分の外的応力に対する耐久性を確保できる。埋設部材と光反射性部材とを異なる材料とする場合は、光反射性部材を充填する前に埋設部材を硬化させておくことが好ましい。これにより、互いの樹脂が混合することを防止でき、互いの樹脂の性能を損なうことがない。
埋設部材を構成する材料は単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。これにより、光の反射率及び/又は樹脂の線膨張係数を調整することが可能となる。
まず、図2A及び図2Bに示すように、表面に配線パターン15を有する基材14を準備する。
基材14の配線パターン15上に、複数の発光素子11を整列し、電気的接続をとる。
次に、発光素子11の上面に透光性部材18を接合し、発光素子11および透光性部材18の側面を光反射性部材12で被覆する。光反射性部材12の上面は、透光性部材18の光取り出し面と略面一とする。
その後、ブレード等を利用して、発光素子11間の光反射性部材12を一端から他端に渡って切断し、発光素子11間に溝16を形成する。ここでの切断は、基材14の表面と一致する深さで行ってもよいが、必ずしも基材14の表面まで達しなくてもよい。
実施形態1
この実施形態1の発光装置は、図1A及びBに示したように、配線パターン15を表面に有する基材14上に行方向に整列し、接続された5つの発光素子11と、光反射性部材12と、光反射性部材12間に配置される遮光性部材13とを備える。
発光素子1は、1.0mm×1.0mm×0.11mm(厚み)のサイズを有しており、サファイア基板上に半導体層を積層させ、同一面側に一対の電極が形成されたものである。
これら発光素子11は、金からなるバンプによって、基材14上にフリップチップ実装されている。従って、サファイア基板を光取り出し面としている。
発光素子11の上面は、YAGとアルミナとを混合して焼結することで形成された板状の透光性部材18(YAG蛍光体を5〜15重量%含有、サイズ:1.1mm×1.1mm×0.18mm(厚み))によって、シリコーン樹脂からなる接着剤による熱硬化を利用して被覆されている。
発光素子11間の距離は、0.3mm程度、透光性部材18間の距離は0.2mm程度である。
光反射性部材12は、シリコーン樹脂に酸化チタンが30wt%含有されており、熱伝導率が0.2W/m・K程度である。
発光素子間の光反射性部材12の遮光性部材13までの幅は平面視で70μm程度である。
光反射性部材12は、発光素子11の上面上の透光性部材18と面一であり、最も厚い部位の肉厚が0.3mm程度である。
遮光性部材13は、光反射性部材12の対向する辺の一方側から他方側に形成されており、その幅は平面視で60μm程度である。遮光性部材13は、その底面が基材14の表面近傍に及んでおり、深さは0.28mm程度である。
遮光性部材13は、発光素子11の上面上の透光性部材18及び光反射性部材12と面一である。
このような発光装置10を用いて、輝度分布を測定した。
比較のために、発光装置10において、遮光性部材13を配置しない以外は同様の構成の発光装置を作成した。
比較のための発光装置では、隣接した2つの点灯した発光素子の輝度を100とした場合、2つの点灯した発光素子間にはさまれて消灯した発光素子の微小発光レベルは、0.6であった。
一方、この実施形態の発光装置10での消灯した発光素子の微小発光レベルは、比較のための発光装置の約50%であった。
このように、本実施形態の発光装置は、発光部位と非発光部位との輝度差がより急峻となり、見切り性の良い、良好な輝度分布を有する発光装置であることが確認された。
この実施形態の発光装置20は、図6に示すように、発光素子11の上面に透光性部材が形成されておらず、発光素子のサファイア基板表面を光取り出し面とし、この光取り出し面が、光反射性部材12、遮光性部材13と面一である以外は、実質的に実施形態1の発光装置10と同様の構成である。
このような発光装置10においても、実施形態1と同様に、見切り性の良い、良好な輝度分布を有する発光装置とすることができる。
この実施形態の発光装置30は、図7に示すように、発光素子11と基材14との間に埋設部材19が形成されており、埋設部材19の表面に略一致する位置に溝23の下端を配置させている以外は、実質的に実施形態1の発光装置10と同様の構成である。
埋設部材19は、シリコーン樹脂に酸化チタン30wt%を加えて形成されている。埋設部材19は、発光素子11をバンプでフリップチップ実装し、発光素子11の光取り出し面上に透光性部材が形成された後にポッティングにより形成される。
このような発光装置10においても、実施形態1と同様に、見切り性の良い、良好な輝度分布を有する発光装置とすることができる。
この実施形態の発光装置40は、図8に示すように、発光素子11間の一部にのみ遮光性部材13が形成されている以外は、実質的に実施形態1の発光装置10と同様の構成である。
この実施形態の発光装置50は、図9に示すように、発光素子11が5行×2列で配置されており、発光素子11間かつ列間において遮光性部材53が形成され、同じ列内での発光素子11間に遮光性部材53が配置されていない点、このような発光素子11の配置に伴って、基材54が表面に有する配線パターン55のパターン形状及び光反射性部材52が変更されている点以外は、実質的に実施形態1の発光装置10と同様の構成である。
11、11a、11b 発光素子
12、52 光反射性部材
13、23、53 遮光性部材
14、54 基材
15、55 配線パターン
16 溝
17 枠
18 透光性部材
19 埋設部材
Claims (7)
- 整列した複数の発光素子と、
該発光素子の側面を被覆する光反射性部材と、
前記発光素子間の前記光反射性部材間に配置される遮光性部材と、を備える発光装置。 - さらに、前記発光素子の上面を被覆する透光性部材を備え、前記光反射性部材が前記透光性部材の側面を被覆する請求項1に記載の発光装置。
- 前記透光性部材の側面を被覆する前記発光素子間の前記光反射性部材間に、前記遮光性部材が配置されている請求項2に記載の発光装置。
- 前記発光素子は、基材上に接合され、前記基材と発光素子との間に埋設部材が埋設されている請求項1〜3のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記埋設部材は、光反射性樹脂によって形成されている請求項4に記載の発光装置。
- 前記上面側における前記透光性部材、光反射性部材及び遮光性部材が略面一である請求項2〜5のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記複数の発光素子が、独立して駆動される請求項1〜6のいずれか1つに記載の発光装置。
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CN201911315174.6A CN111063785A (zh) | 2013-06-05 | 2014-06-05 | 发光装置的制造方法 |
CN201410247326.4A CN104241510A (zh) | 2013-06-05 | 2014-06-05 | 发光装置 |
US15/914,190 US10429011B2 (en) | 2013-06-05 | 2018-03-07 | Method of manufacturing light emitting device |
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Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017148932A Division JP6485503B2 (ja) | 2017-08-01 | 2017-08-01 | 発光装置の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
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Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017011259A (ja) * | 2015-06-18 | 2017-01-12 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2017117973A (ja) * | 2015-12-25 | 2017-06-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US9887181B2 (en) | 2016-04-06 | 2018-02-06 | Nichia Corporation | Light emitting device |
CN107994109A (zh) * | 2016-10-27 | 2018-05-04 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 一种cob显示模组及其制造方法 |
JP2018082197A (ja) * | 2015-11-30 | 2018-05-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US10446725B2 (en) | 2017-02-09 | 2019-10-15 | Nichia Corporation | Light emitting device |
US10461065B2 (en) | 2015-11-30 | 2019-10-29 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light emitting device |
US10504876B2 (en) | 2017-02-09 | 2019-12-10 | Nichia Corporation | Light-emitting device |
JP2020013948A (ja) * | 2018-07-20 | 2020-01-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2020515068A (ja) * | 2017-03-21 | 2020-05-21 | ルミレッズ ホールディング ベーフェー | 平坦なキャリア上へのled素子の取り付け |
JP2020092230A (ja) * | 2018-12-07 | 2020-06-11 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置及び発光装置モジュール |
JP2020092231A (ja) * | 2018-12-07 | 2020-06-11 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置 |
JP2023519040A (ja) * | 2020-01-23 | 2023-05-10 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 | 表示基板、その製造方法及び表示装置 |
US11705541B2 (en) | 2019-04-26 | 2023-07-18 | Nichia Corporation | Light-emitting device and light-emitting module |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6149727B2 (ja) * | 2013-12-28 | 2017-06-21 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
TWI506605B (zh) * | 2014-03-28 | 2015-11-01 | Macroblock Inc | Display structure |
CN107438899B (zh) * | 2015-03-31 | 2021-04-30 | 科锐Led公司 | 具有包封的发光二极管和方法 |
US20170175961A1 (en) * | 2015-12-18 | 2017-06-22 | Applied Electronic Materials, LLC | Lighting system having structural components with integrated lighting |
US10941926B2 (en) * | 2015-12-18 | 2021-03-09 | Applied Electronic Materials, LLC | Modular lighting system including light modules with integrated LED units |
GB2548706B (en) * | 2016-02-24 | 2019-12-11 | Nichia Corp | Method of manufacturing fluorescent-material-containing member |
US20180022274A1 (en) * | 2016-07-21 | 2018-01-25 | Sharpline Converting, Inc. | Illuminating emblem device and methods of manufacture and use |
JP6724634B2 (ja) * | 2016-07-28 | 2020-07-15 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP6512201B2 (ja) * | 2016-09-30 | 2019-05-15 | 日亜化学工業株式会社 | 線状発光装置の製造方法及び線状発光装置 |
DE102016119002B4 (de) | 2016-10-06 | 2022-01-13 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements |
US10672957B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-06-02 | Cree, Inc. | LED apparatuses and methods for high lumen output density |
DE102017117150A1 (de) * | 2017-07-28 | 2019-01-31 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen und optoelektronisches Halbleiterbauteil |
JP6733646B2 (ja) * | 2017-11-30 | 2020-08-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置とその製造方法 |
US11557703B2 (en) | 2017-12-21 | 2023-01-17 | Lumileds Llc | Light intensity adaptive LED sidewalls |
US10453827B1 (en) | 2018-05-30 | 2019-10-22 | Cree, Inc. | LED apparatuses and methods |
JP6947990B2 (ja) * | 2019-04-22 | 2021-10-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光装置 |
US11959606B2 (en) * | 2020-03-31 | 2024-04-16 | Lite-On Opto Technology (Changzhou) Co., Ltd. | Package structure with supporting frame |
KR20230107870A (ko) * | 2020-11-20 | 2023-07-18 | 서울반도체 주식회사 | 발광 장치 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6324857U (ja) * | 1986-07-31 | 1988-02-18 | ||
JP2001326388A (ja) * | 2000-05-12 | 2001-11-22 | Rohm Co Ltd | 半導体発光装置 |
JP2004266235A (ja) * | 2003-01-09 | 2004-09-24 | Kyocera Corp | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 |
JP2008140873A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Toyoda Gosei Co Ltd | フリップチップ実装されたiii−v族半導体素子およびその製造方法 |
JP2009134965A (ja) * | 2007-11-29 | 2009-06-18 | Stanley Electric Co Ltd | 照明装置及び照明装置の製造方法 |
JP2010157638A (ja) * | 2008-12-27 | 2010-07-15 | Nichia Corp | 発光装置及びその製造方法 |
JP2010192629A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Nichia Corp | 発光装置の製造方法 |
JP2010283244A (ja) * | 2009-06-05 | 2010-12-16 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体発光装置、照明装置、及び画像表示装置 |
JP2011108589A (ja) * | 2009-11-20 | 2011-06-02 | Koito Mfg Co Ltd | 発光モジュールおよび車両用灯具 |
JP2012169189A (ja) * | 2011-02-15 | 2012-09-06 | Koito Mfg Co Ltd | 発光モジュールおよび車両用灯具 |
US20120319563A1 (en) * | 2011-06-17 | 2012-12-20 | Citizen Holdings Co., Ltd. | Light-emitting device and manufacturing method of the same |
US8482016B2 (en) * | 2011-02-14 | 2013-07-09 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device and manufacturing method |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4254453A (en) * | 1978-08-25 | 1981-03-03 | General Instrument Corporation | Alpha-numeric display array and method of manufacture |
US5779351A (en) * | 1995-05-02 | 1998-07-14 | Daktronics, Inc. | Matrix display with multiple pixel lens and multiple partial parabolic reflector surfaces |
US5836676A (en) * | 1996-05-07 | 1998-11-17 | Koha Co., Ltd. | Light emitting display apparatus |
WO2007037035A1 (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-05 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | ライトボックスおよびその光反射板ならび光反射板の製造方法 |
CN101225931A (zh) * | 2007-01-19 | 2008-07-23 | 童国钧 | 各led灯体照射亮度大致相同的led灯串装置及其实现方法 |
US7828456B2 (en) * | 2007-10-17 | 2010-11-09 | Lsi Industries, Inc. | Roadway luminaire and methods of use |
DE102008011153B4 (de) * | 2007-11-27 | 2023-02-02 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur Herstellung einer Anordnung mit mindestens zwei lichtemittierenden Halbleiterbauelementen |
RU2489774C2 (ru) | 2007-11-29 | 2013-08-10 | Нития Корпорейшн | Светоизлучающее устройство и способ его изготовления |
CN101463989B (zh) * | 2007-12-18 | 2011-07-06 | 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司 | 水底照明灯 |
CN101471413B (zh) * | 2007-12-28 | 2012-06-27 | 晶元光电股份有限公司 | 发光元件及其制造方法 |
JP5224173B2 (ja) | 2008-03-07 | 2013-07-03 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
US7637630B2 (en) * | 2008-04-22 | 2009-12-29 | Ruud Lighting, Inc. | Integrated shield-gasket member in LED apparatus |
US7748412B2 (en) * | 2008-08-05 | 2010-07-06 | Veyance Technologies Inc. | Hose having a single reinforcing layer |
CN201246664Y (zh) * | 2008-08-28 | 2009-05-27 | 周金丹 | 太阳能led水上景观灯 |
US8378358B2 (en) * | 2009-02-18 | 2013-02-19 | Everlight Electronics Co., Ltd. | Light emitting device |
JP2011108588A (ja) * | 2009-11-20 | 2011-06-02 | Koito Mfg Co Ltd | 発光モジュールおよび車両用灯具 |
US8944623B2 (en) * | 2010-03-31 | 2015-02-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device and television receiver |
JP2012004519A (ja) * | 2010-05-17 | 2012-01-05 | Sharp Corp | 発光装置および照明装置 |
JP5622494B2 (ja) * | 2010-09-09 | 2014-11-12 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
JP5554680B2 (ja) * | 2010-10-15 | 2014-07-23 | スタンレー電気株式会社 | 発光素子搭載用基板、発光装置およびこれらの製造方法 |
EP2448028B1 (en) * | 2010-10-29 | 2017-05-31 | Nichia Corporation | Light emitting apparatus and production method thereof |
JP5648422B2 (ja) | 2010-10-29 | 2015-01-07 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP5670249B2 (ja) * | 2011-04-14 | 2015-02-18 | 日東電工株式会社 | 発光素子転写シートの製造方法、発光装置の製造方法、発光素子転写シートおよび発光装置 |
CN103548159B (zh) * | 2011-05-27 | 2017-03-22 | 夏普株式会社 | 发光装置以及照明装置 |
JP5840388B2 (ja) * | 2011-06-01 | 2016-01-06 | 日東電工株式会社 | 発光ダイオード装置 |
JP5173004B1 (ja) * | 2011-09-14 | 2013-03-27 | シャープ株式会社 | 植物栽培用の発光装置およびその製造方法 |
DE102011083669B4 (de) * | 2011-09-29 | 2019-10-10 | Osram Gmbh | Halbleiter-Leuchtvorrichtung mit Reflexions-Oberflächenbereich und Verfahren zur Herstellung |
JP6052952B2 (ja) | 2012-03-22 | 2016-12-27 | 株式会社小糸製作所 | 発光モジュールおよび車両用灯具 |
US9735198B2 (en) * | 2012-03-30 | 2017-08-15 | Cree, Inc. | Substrate based light emitter devices, components, and related methods |
JPWO2014081042A1 (ja) | 2012-11-26 | 2017-01-05 | シチズン電子株式会社 | 発光装置 |
-
2013
- 2013-06-05 JP JP2013118558A patent/JP6186904B2/ja active Active
-
2014
- 2014-06-02 EP EP14170745.5A patent/EP2811517B1/en active Active
- 2014-06-02 US US14/293,010 patent/US20140362570A1/en not_active Abandoned
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- 2014-06-05 CN CN201911315174.6A patent/CN111063785A/zh active Pending
- 2014-06-05 CN CN201410247326.4A patent/CN104241510A/zh active Pending
-
2018
- 2018-03-07 US US15/914,190 patent/US10429011B2/en active Active
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6324857U (ja) * | 1986-07-31 | 1988-02-18 | ||
JP2001326388A (ja) * | 2000-05-12 | 2001-11-22 | Rohm Co Ltd | 半導体発光装置 |
JP2004266235A (ja) * | 2003-01-09 | 2004-09-24 | Kyocera Corp | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 |
JP2008140873A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Toyoda Gosei Co Ltd | フリップチップ実装されたiii−v族半導体素子およびその製造方法 |
JP2009134965A (ja) * | 2007-11-29 | 2009-06-18 | Stanley Electric Co Ltd | 照明装置及び照明装置の製造方法 |
JP2010157638A (ja) * | 2008-12-27 | 2010-07-15 | Nichia Corp | 発光装置及びその製造方法 |
JP2010192629A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Nichia Corp | 発光装置の製造方法 |
JP2010283244A (ja) * | 2009-06-05 | 2010-12-16 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体発光装置、照明装置、及び画像表示装置 |
JP2011108589A (ja) * | 2009-11-20 | 2011-06-02 | Koito Mfg Co Ltd | 発光モジュールおよび車両用灯具 |
US8482016B2 (en) * | 2011-02-14 | 2013-07-09 | Stanley Electric Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device and manufacturing method |
JP2012169189A (ja) * | 2011-02-15 | 2012-09-06 | Koito Mfg Co Ltd | 発光モジュールおよび車両用灯具 |
US20120319563A1 (en) * | 2011-06-17 | 2012-12-20 | Citizen Holdings Co., Ltd. | Light-emitting device and manufacturing method of the same |
Cited By (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017011259A (ja) * | 2015-06-18 | 2017-01-12 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US12080695B2 (en) | 2015-11-30 | 2024-09-03 | Nichia Corporation | Method for manufacturing light emitting devices |
US11791324B2 (en) | 2015-11-30 | 2023-10-17 | Nichia Corporation | Light emitting device |
JP2018082197A (ja) * | 2015-11-30 | 2018-05-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US11393803B2 (en) | 2015-11-30 | 2022-07-19 | Nichia Corporation | Light emitting device |
US10825803B2 (en) | 2015-11-30 | 2020-11-03 | Nichia Corporation | Light emitting device |
US10461065B2 (en) | 2015-11-30 | 2019-10-29 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light emitting device |
JP2017117973A (ja) * | 2015-12-25 | 2017-06-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US9887181B2 (en) | 2016-04-06 | 2018-02-06 | Nichia Corporation | Light emitting device |
US10026718B2 (en) | 2016-04-06 | 2018-07-17 | Nichia Corporation | Light emitting device |
US10804250B2 (en) | 2016-10-27 | 2020-10-13 | Foshan Nationstar Optoelectronics Co., Ltd | Chip-on-board display module, manufacturing method thereof, light-emitting diode device and manufacturing method thereof |
JP2019533905A (ja) * | 2016-10-27 | 2019-11-21 | 佛山市国星光▲電▼股▲フン▼有限公司 | Cob表示モジュール及びその製造方法、ledデバイス及びその製造方法 |
KR102184250B1 (ko) | 2016-10-27 | 2020-12-01 | 포산 내션스타 옵토일렉트로닉스 코., 엘티디 | Cob 디스플레이 모듈 및 그 제조방법, led 디바이스 및 그 제조방법 |
KR20190053926A (ko) * | 2016-10-27 | 2019-05-20 | 포산 내션스타 옵토일렉트로닉스 코., 엘티디 | Cob 디스플레이 모듈 및 그 제조방법, led 디바이스 및 그 제조방법 |
CN107994109A (zh) * | 2016-10-27 | 2018-05-04 | 佛山市国星光电股份有限公司 | 一种cob显示模组及其制造方法 |
US10504876B2 (en) | 2017-02-09 | 2019-12-10 | Nichia Corporation | Light-emitting device |
US10446725B2 (en) | 2017-02-09 | 2019-10-15 | Nichia Corporation | Light emitting device |
JP2020515068A (ja) * | 2017-03-21 | 2020-05-21 | ルミレッズ ホールディング ベーフェー | 平坦なキャリア上へのled素子の取り付け |
JP7320452B2 (ja) | 2017-03-21 | 2023-08-03 | ルミレッズ ホールディング ベーフェー | 平坦なキャリア上へのled素子の取り付け |
JP2020013948A (ja) * | 2018-07-20 | 2020-01-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP7177336B2 (ja) | 2018-07-20 | 2022-11-24 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2020092231A (ja) * | 2018-12-07 | 2020-06-11 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置 |
JP7190890B2 (ja) | 2018-12-07 | 2022-12-16 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置 |
JP7190889B2 (ja) | 2018-12-07 | 2022-12-16 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置及び発光装置モジュール |
JP2020092230A (ja) * | 2018-12-07 | 2020-06-11 | スタンレー電気株式会社 | 発光装置及び発光装置モジュール |
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