JP2014216971A - 弾性表面波装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 アイソレーション特性を向上させるとともに、小型化することができる弾性表面波装置を提供する。
【解決手段】 機能体２ｂと第１の配線パターン２ｃとからなる第１の電子素子２と、第２の機能体３ｂと第２の配線パターン３ｃとからなる第２の電子素子３と、第１の機能体２ｂおよび第２の機能体３ｂを囲むように設けられた第１の絶縁層４と、第２の素子基板３ａの外周部に設けられた第２の絶縁層５とを備え、第１の絶縁層４には、第１の接続導体４ａと第２の接続導体４ｂとが設けられており、第２の絶縁層５には、複数の内部貫通導体５ａが設けられており、第１の配線パターン２ｃは、第１の接続導体４ａを介して内部貫通導体５ａに接続されるとともに、第２の配線パターン３ｃは、第２の接続導体４ｂを介して内部貫通導体５ａに電気的に接続されている。
【選択図】 図２

Description

本発明は、弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）素子等の電子素子を含む弾
性表面波装置に関する。

同一の素子基板上に通過帯域周波数が異なる弾性表面波素子が形成された弾性表面波装置が知られている。このような装置としては、例えば、特許文献１に開示されているものがある。

特開平１０−３０３６８０号公報

しかしながら、通過帯域周波数が異なる弾性表面波素子が、例えば、送信用フィルタおよび受信用フィルタである場合には、送信用フィルタおよび受信用フィルタが同一の素子基板上に形成されているため、送信信号と受信信号とが互いに干渉しアイソレーション特性が低下しやすく、また、素子基板の寸法が大きくなるという問題点があった。

本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、アイソレーション特性を向上させるとともに、小型化が可能な弾性表面波装置を提供することにある。

本発明の一態様に係る弾性表面波装置は、第１の素子基板と、該第１の素子基板に設けられた第１の機能体と、該第１の機能体から前記第１の素子基板の外周側に延びる第１の配線パターンと、該第１の配線パターンに電気的に接続された第１の素子パッドとからなる第１の電子素子と、前記第１の素子基板に対向して配置された、前記第１の素子基板よりも小さい第２の素子基板と、前記第１の機能体に対向するように前記第２の素子基板に設けられた第２の機能体と、該第２の機能体から前記第２の素子基板の外周側に延びる第２の配線パターンと、該第２の配線パターンに電気的に接続された第２の素子パッドとからなる第２の電子素子と、前記第１の素子基板と前記第２の素子基板との間に、前記第１の機能体および前記第２の機能体を囲むように設けられた第１の絶縁層と、前記第２の機能体が設けられた主面と反対側の主面を覆うとともに前記第２の素子基板の側面を覆うように前記第２の素子基板の外周部に設けられた第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層を介して前記第２の素子基板に対向して配置された配線基板とを備え、前記第１の絶縁層には、前記第１の素子パッドに接続された第１の接続導体と前記第２の素子パッドに接続された第２の接続導体とが設けられており、前記第２の絶縁層には、前記第２の素子基板の外周部に位置する複数の内部貫通導体が設けられており、前記第１の配線パターンは、前記第１の接続導体を介して前記内部貫通導体に接続され、前記第２の配線パターンは、前記第２の接続導体を介して前記内部貫通導体に電気的に接続され、前記内部貫通導体は、前記配線基板の導体層にそれぞれ電気的に接続されていることを特徴とする弾性表面波装置。

本発明の弾性表面波装置によれば、アイソレーション特性を向上させるとともに、小型化することができる。

（ａ）および（ｂ）は、本発明の実施形態に係る弾性表面波装置の外観を示す斜視図、（ｃ）は、（ａ）および（ｂ）の弾性表面波装置の平面図である。 （ａ）は、図１（ｃ）に示す弾性表面波装置のＡ−Ａにおける断面図、（ｂ）は、（ａ）の弾性表面波装置の配線基板の断面図である。 図１（ａ）に示す弾性表面波装置の受信フィルタを説明するための説明図である。 図１（ａ）に示す弾性表面波装置の送信フィルタを説明するための説明図である。 （ａ）は、本発明の実施形態の他の例を示す弾性表面波装置の断面図、（ｂ）は、（ａ）の弾性表面波装置の配線基板の断面図である。 （ａ）は、図１に示す弾性表面波装置の配線基板の断面図、（ｂ）は、配線基板上に設けられた回路パターンを説明するための平面図である。 （ａ）〜（ｅ）は、電子素子の製造方法を説明するための断面図である。 図１に示す弾性表面波装置の製造方法を説明するための断面図である。 （ａ）および（ｂ）は、図１に示す弾性表面波装置の製造方法を説明するための断面図である。 （ａ）および（ｂ）は、図１に示す弾性表面波装置の製造方法を説明するための断面図である。 （ａ）および（ｂ）は、図１に示す弾性表面波装置の製造方法を説明するための断面図である。 第１の電子素子の素子母基板を説明するための説明図である。 第２の電子素子の素子母基板を説明するための説明図である。 第１の電子素子の素子母基板と第２の電子素子の素子母基板とを貼り合せた状態を説明するための説明図である。 配線基板の配線母基板を説明するための説明図である。 素子母基板と配線母基板とから製造される弾性表面波装置の製造方法を説明するための説明図である。

以下、本発明の実施形態に係る弾性表面波装置について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。

また、実施形態等の説明において、既に説明した構成と同一若しくは類似する構成については、同一の符号を付して説明を省略することがある。

＜実施形態＞
以下、本発明の実施形態に係る弾性表面波装置について、図１乃至図６を参照しながら以下に説明する。

実施形態に係る弾性表面波装置１は、図１乃至図４に示すような構成であり、第１の素子基板２ａと、第１の素子基板２ａに設けられた第１の機能体２ｂと、第１の機能体２ｂから第１の素子基板２ａの外周側に延びる第１の配線パターン２ｃと、第１の配線パターン２ｃに電気的に接続された第１の素子パッド２ｄとからなる第１の電子素子２と、第１の素子基板２ａに対向して配置された、第１の素子基板２ａよりも小さい第２の素子基板３ａと、第１の機能体２ｂに対向するように第２の素子基板３ａに設けられた第２の機能体３ｂと、第２の機能体３ｂから第２の素子基板３ａの外周側に延びる第２の配線パターン３ｃと、第２の配線パターン３ｃに電気的に接続された第２の素子パッド３ｄとからなる第２の電子素子３と、第１の素子基板２ａと第２の素子基板３ａとの間に、第１の機能
体２ｂおよび第２の機能体３ｂを囲むように設けられた第１の絶縁層４と、第２の機能体３ｂが設けられた主面と反対側の主面を覆うとともに第２の素子基板３ａの側面を覆うように第２の素子基板３ａの外周部に設けられた第２の絶縁層５と、第２の絶縁層５を介して第２の素子基板３ａに対向して配置された配線基板６とを備え、第１の絶縁層４には、第１の素子パッド２ｄに接続された第１の接続導体４ａと第２の素子パッド３ｄに接続された第２の接続導体４ｂとが設けられており、第２の絶縁層５には、第２の素子基板の外周部に位置する内部貫通導体５ａが設けられており、第１の配線パターン２ｃは、第１の接続導体４ａを介して内部貫通導体５ａに接続され、第２の配線パターン３ｃは、第２の接続導体４ｂを介して内部貫通導体５ａに電気的に接続され、内部貫通導体５ａは、配線基板６の導体層６ａにそれぞれ電気的に接続されているものである。

図１は、本発明の実施形態に係る弾性表面波装置の外観を示す概略斜視図であり、図１（ａ）は、弾性表面波装置１の外観を上面１ａ側から見た斜視図であり、図１（ｂ）は、弾性表面波装置１の外観を下面１ｂ側から見た斜視図である。また、図１（ｃ）は、弾性表面波装置１の平面図であり、弾性表面波装置１における第１の素子基板２ａ、第２の素子基板３ａおよび内部貫通導体５ａの位置関係を示している。図２は、図１（ｃ）に示す弾性表面波装置１のＡ−Ａ線における断面図である。

なお、弾性表面波装置１は、いずれの方向を上方もしくは下方としてもよいが、説明の便宜上、直交座標系ＸＹＺを定義するとともに、Ｚ方向の正側を上方として、上面もしくは下面の語を用いるものとする。

弾性表面波装置１は、図１に示すように、例えば、概ね直方体状に形成されており、その下面１ｂには、複数の外部端子１２が適宜な形状および適宜な数で設けられており、複数の外部端子１２がその下面１ｂから露出している。複数の外部端子１２の数、位置および役割等は、弾性表面波装置１の内部の構成等に応じて適宜に設定されてよい。例えば、複数の外部端子１２は四角形状で設けられているが、円形状で設けられていてもよい。なお、本実施形態では、４つの外部端子１２が弾性表面波装置１の下面１ｂの４隅に設けられている場合を例示している。なお、弾性表面波装置１の上面１ａと第１の素子基板２ａの上面２ａａとは同じ面であり、弾性表面波装置１の下面１ｂと配線基板６の下面６ａｂとは同じ面である。

また、弾性表面波装置１は、例えば、厚みが、０．４（ｍｍ）〜１．５（ｍｍ）であり、また、１辺の長さが、０．５（ｍｍ）〜２（ｍｍ）である。なお、弾性表面波装置１の厚みおよび１辺の長さは適宜な厚みおよび長さとすることができる。

弾性表面波装置１は、実装基板（図示せず）に対して下面１ｂを対向して配置され、実装基板に設けられた接続パッド（図示せず）と複数の外部端子１２とがはんだバンプ等を介して電気的に接合されることによって実装基板上に実装される。

そして、弾性表面波装置１は、例えば、複数の外部端子１２のいずれかを介して信号が入力され、入力された信号に所定の処理を施して複数の外部端子１２のいずれかから信号を出力する。

弾性表面波装置１は、図１に示すように、配線基板６と、第２の電子素子３と、第２の絶縁層５と、第１の絶縁層４と、第１の電子素子２とを有している。また、弾性表面波装置１は、図２に示すように、第１の機能体２ｂおよび第２の機能体３ｂを収容する空間Ｓを介して第１の電子素子２と第２の電子素子３とが接合されている。

ここで、第１の電子素子２および第２の電子素子３について以下に説明する。

第１の電子素子２は、図２に示すように、第１の素子基板２ａと、第１の素子基板２ａの下面２ａｂ（第２の素子基板３ａの第２の絶縁体３ｂとの対向面）に設けられた第１の機能体２ｂと、第１の機能体２ｂから第１の素子基板２ａの外周側に延びる第１の配線パターン２ｃと、第１の配線パターン２ｃに電気的に接続された第１の素子パッド２ｄとからなる。また、第１の電子素子２は、この他、第１の素子基板２ａの上面２ａａを覆う電極および／または保護層等の適宜な部材を有していてもよい。

一方、第２の電子素子３は、図２に示すように、第２の素子基板３ａと、第２の素子基板３ａの上面３ａａ（第１の素子基板２ａの第１の絶縁体２ｂとの対向面）に設けられた第２の機能体３ｂと、第２の機能体３ｂから第２の素子基板３ａの外周側に延びる第２の配線パターン３ｃと、第２の配線パターン３ｃに電気的に接続された第２の素子パッド３ｄとからなる。また、第２の素子基板３ａは、第１の素子基板２ａに対向して配置されている。そして、第２の素子基板３ａは、外形寸法が第１の素子基板３ａよりも小さく、第１の素子基板２ａの外周よりも内側に位置するように設けられている。

第１の素子基板２ａと第２の素子基板３ａとの間には、図２に示すように、第１の絶縁層４が設けられており、第１の絶縁層４は、第１の素子パッド２ｄの少なくとも一部および第２の素子パッド３ｄの少なくも一部を露出するように設けられている。そして、第１の絶縁層４は、図２に示すように、第１の機能体２ｂおよび第２の機能体３ｂを囲むように第１の素子基板２ａと第２の素子基板３ａとの間に設けられている。

また、第１の絶縁層４には、第１の接続導体４ａと第２の接続導体４ｂとが設けられている。そして、第１の接続導体４ａは第１の絶縁層４から露出した第１の素子パッド２ｄ上に設けられおり、第２の接続導体４ｂは第１の絶縁層４から露出した第２の素子パッド３ｄ上に設けられている。そして、第１の接続導体４ａは第１の素子パッド２ｄに電気的に接続されており、第２の接続導体４ｂは第２の素子パッド３ｄに電気的に接続されている。第１の接続導体４ａおよび第２の接続導体４ｂは、例えば、Ａｇペースト等の導電性の材料からなる。

第１の接続導体４ａは、第１の素子パッド２ｄ上の第１の絶縁層４の開口部を埋めるように設けられている。また、第２の接続導体４ｂは、第２の素子パッド３ｄ上の第１の絶縁層４の開口部を埋めるように設けられている。すなわち、第１の接続導体４ａおよび第２の接続導体４ｂは、第１の絶縁層４から露出した第１の素子パッド２ｄおよび第２の素子パッド３ｄ上に設けられている。

第１の接続導体４ａは、第１の素子パッド２ｄと内部貫通導体５ａとの間に介在してこれらを電気的に接合するものである。また、第２の接続導体４ｂは、第２の素子パッド３ｄと内部貫通導体５ａとの間に介在してこれらを電気的に接合するものである。

また、第１の絶縁層４は、第１の機能体２ｂと第２の機能体３ｂとの間に空間Ｓを形成するために、第１の素子基板２ａと第２の素子基板３ａとの間に、第１の機能体２ｂおよび第２の機能体３ｂを囲むように設けられている。したがって、第１の素子基板２ａと第２の素子基板３ａとを接合した際に、第１の絶縁層４が設けられていない領域が空間Ｓになる。

したがって、第１の絶縁層４は、第１の機能体２ｂと第２の機能体３ｂとの間に空間Ｓを確保するとともに第１の絶縁層４で囲まれた第１の機能体２ｂおよび第２の機能体３ｂを保護、気密封止することができる。また、第１の機能体２ｂおよび第２の機能体３ｂ上に振動のための空間Ｓを確保するとともに第１の機能体２ｂおよび第２の機能体３ｂを気
密封止するために、第１の絶縁層４は、厚みが、例えば、５（μｍ）〜１０（μｍ）である。このように、第１の絶縁層４は、耐久性に優れた弾性表面波装置１を得るために、第１の機能体２ｂおよび第２の機能体３ｂを囲むように第１の素子基板２ａと第２の素子基板３ａとの間に設けられる。また、第１の絶縁層４は、例えば、感光性ポリイミド樹脂等の樹脂材料からなる。

また、第１の絶縁層４には、図２に示すように、内部配線３ｅが設けられており、この内部配線３ｅは第２の接続導体４ｂに接続されている。さらに、第１の絶縁層５には、第２の接続導体に近接して接続パッド３ｆが設けられており、この接続パッド３ｆは内部配線３ｅに接続されている。そして、この接続パッド３ｆは内部貫通導体５ａに電気的に接続されている。このような構成によって、第２の配線パターン３ｃは、第２の接続導体４ｂ、内部配線３ｅおよび接続パッド３ｆを介して内部貫通導体５に電気的に接続されている。

第１の電子素子２および第２の電子素子３は、例えば、弾性表面波素子等であり、本実施形態では、弾性表面波素子（ＳＷＡ素子）の場合を例示している。

第１の電子素子２の第１の素子基板２ａおよび第２の電子素子３の第２の素子基板３ａは、圧電基板であり、図１に示すように、例えば、概ね薄型の直方体形状に形成されている。第１の素子基板２ａおよび第２の素子基板３ａは、例えば、タンタル酸リチウム単結晶またはニオブ酸リチウム単結晶等の圧電性を有する単結晶の基板により構成されている。第１の素子基板２ａおよび第２の素子基板３ａの形状は適宜に設定されてよいが、例えば、矩形状である。また、第１の素子基板２ａおよび第２の素子基板３ａの大きさは適宜に設定されてよいが、例えば、厚さは、０．２（ｍｍ）〜０．５（ｍｍ）、1辺の長さは
、０．５（ｍｍ）〜２（ｍｍ）である。また、第１の素子基板２ａの１辺の長さは、第２の素子基板３ａの１辺の長さよりも大きくなるように設定されている。すなわち、第２の素子基板３ａの１辺の長さは、平面視にて第２の素子基板３ａの外周が第１の素子基板２ａの外周よりも内側に位置するように設定される。

第１の機能体２ｂは第１の素子基板２ａの下面２ａｂに設けられ、第２の機能体３ｂは第２の素子基板３ａの上面３ａａに設けられており、第１の機能体２ｂおよび第２の機能体３ｂはＳＡＷ共振子である。

本実施形態では、第１の機能体２ｂおよび第２の機能体３ｂがラダー型弾性表面波フィルタまたは２重モード型弾性表面波フィルタで構成されている場合を例示している。２重モード型弾性表面波フィルタは分波器の受信フィルタ２０であり、ラダー型弾性表面波フィルタは分波器の送信フィルタ３０であり、これらのフィルタは異なる通過帯域周波数を有しており、受信フィルタ２０の通過帯域周波数は、送信フィルタ３０の通過帯域周波数よりも大きい。

図３は、２重モード型弾性表面波フィルタを示しており、図４は、ラダー型弾性表面波フィルタを示している。本実施形態では、例えば、受信フィルタ２０が２重モード型弾性表面波フィルタで構成され、送信フィルタ３０がラダー型弾性表面波フィルタで構成されている。すなわち、弾性表面波装置１は、第１の電子素子２および第２の電子素子３の一方が受信フィルタ２０であり、他方が送信フィルタ３０である。以下の説明では、２重モード型弾性表面波フィルタを受信フィルタ２０とし、ラダー型弾性表面波フィルタを送信フィルタ３０とする。

受信フィルタ２０は、図３に示すように、例えば、ＩＤＴ（InterDigital transducer
）２０ａおよび２つのＩＤＴ２０ｂと２つの反射器２０ｃとを有しており、ＩＤＴ２０ａ
およびＩＤＴ２ｂは弾性表面波の伝播方向に隣り合うように配置されている。また、反射器２０ｃは、外側に位置するＩＤＴ２０ｂに隣り合うように、すなわち、ＩＤＴ２０ｂを両側から挟みこむように配置されている。また、図３に示すように、２つのＩＤＴ２０ｂの各々の一方の櫛歯電極は相互に接続されている。

また、ＩＤＴ２０ａは、図３に示すように、互いに噛み合うように(複数の電極指２０
ａａが互いに交互するように)配置された１対の櫛歯電極を有している。ＩＤＴ２０ａの
各櫛歯電極は、バスバー２０ａｂと、バスバー２０ａｂからバスバー２０ａｂの長手方向に直交する方向に延びる複数の電極指２０ａａとを有している。複数の電極指２０ａａのピッチは概ね一定である。実際には、ＩＤＴ２０ａは、これより多くの電極指２０ａａを有する複数対の櫛歯電極が設けられていてもよい。

また、ＩＤＴ２０ｂは、図３に示すように、互いに噛み合うように(複数の電極指２０
ｂａが互いに交互するように)配置された１対の櫛歯電極を有している。ＩＤＴ２０ｂの
各櫛歯電極は、バスバー２０ｂｂと、バスバー２０ｂｂからバスバー２０ｂｂの長手方向に直交する方向に延びる複数の電極指２０ｂａとを有している。複数の電極指２０ｂａのピッチは概ね一定である。実際には、ＩＤＴ２０ｂは、これより多くの電極指２０ｂａを有する複数対の櫛歯電極が設けられていてもよい。

また、反射器２０ｃは、図３に示すように、ＩＤＴ２０ｂを両側から挟むように設けられており、１対のバスバー２０ｃｂと、１対のバスバー２０ｃｂ間において延びる複数の電極指２０ｃａとを有している。複数の電極指２０ｃａのピッチは概ね一定であるとともに、ＩＤＴ２０ａおよびＩＤＴ２０ｂの複数の電極指２０ａａおよび２０ｂａのピッチと概ね同一である。

図３に示すように、ＩＤＴ２０ａの櫛歯電極のバスバー２０ａｂに入力された電気信号は、ＳＡＷ（弾性表面波）に変換されて、複数の電極指２０ａａおよび２０ｂａに直交する方向に伝搬する。そして、このＳＡＷ（弾性表面波）は、再度電気信号に変換されてＩＤＴ２０ｂの櫛歯電極のバスバー２０ｂｂから出力される。この過程において、電気信号は、通過帯域外の周波数成分が減衰される。通過帯域は、複数の電極指２０ａａのピッチを概ね半波長とするＳＡＷ（弾性表面波）の周波数帯に相当する。なお、受信フィルタ２０は、所望される特性に応じてＩＤＴ２０ａａのピッチ等の設計が最適化される。例えば、ＩＤＴ２０ａのピッチを狭くすると通過帯域周波数が高くなる。

送信フィルタ３０は、図４に示すように、ＩＤＴ３０ａと２つの反射器３０ｂとからなるＳＡＷ共振子３０Ａを有しており、反射器３０ｂはＩＤＴ３０ａを両側から挟みこむように配置されている。ラダー型弾性表面波フィルタは、図３に示すように、複数個のＳＡＷ共振子３０Ａが梯子型（ラダー型）に接続されて構成されている。本実施形態では、５つのＳＡＷ共振子３０Ａが接続されている場合を例示している。

また、ＩＤＴ３０ａは、図４に示すように、互いに噛み合うように(複数の電極指３０
ａａが互いに交互するように)配置された１対の櫛歯電極を有している。ＩＤＴ３０ａの
各櫛歯電極は、バスバー３０ａｂと、バスバー３０ａｂからバスバー３０ａｂの長手方向に直交する方向に延びる複数の電極指３０ａａとを有している。複数の電極指３０ａａのピッチは概ね一定である。実際には、ＩＤＴ３０ａは、これより多くの電極指３０ａａを有する複数対の櫛歯電極が設けられていてもよい。

また、反射器３０ｂは、図４に示すように、ＩＤＴ３０ａを両側から挟むように設けられており、１対のバスバー３０ｂｂと、１対のバスバー３０ｂｂ間において延びる複数の電極指３０ｂａとを有している。複数の電極指３０ｂａのピッチは概ね一定であるととも
に、ＩＤＴ３０ａの複数の電極指３０ａａのピッチと概ね同一である。

ＳＡＷ共振子３０Ａ１の櫛歯電極の一方のバスバー３０ａｂに入力された電気信号は、ＳＡＷ（弾性表面波）に変換されて、複数の電極指３０ａａに直交する方向に伝搬する。そして、このＳＡＷ（弾性表面波）は、再度電気信号に変換されてＳＡＷ共振子３０Ａ１の櫛歯電極の他方のバスバー３０ａｂから出力される。ＳＡＷ共振子３０Ａ１のバスバー３０ａｂから出力された電気信号は、同様に、ＳＡＷ共振子３０Ａ２の一方のバスバー３０ａｂに入力されて、他方のバスバー３０ａｂから出力される。また、ＳＡＷ共振子３０Ａ３も同様に、ＳＡＷ共振子３０Ａ３の一方のバスバー３０ａｂに入力されて、他方のバスバー３０ａｂから出力される。

また、送信フィルタ３０は、図４に示すように、直列のＳＡＷ共振子３０Ａ１、ＳＡＷ共振子３０Ａ２およびＳＡＷ共振子３０Ａ３の共振周波数と並列のＳＡＷ共振子３０Ａ４およびＳＡＷ共振子３０Ａ５の反共振周波数とを一致させるように組み合わせることでバンドパスフィルタとしての特性を得ることができる。

この過程において、電気信号は、通過帯域外の周波数成分が減衰される。通過帯域周波数は、複数の電極指３０ａａのピッチを概ね半波長とするＳＡＷ（弾性表面波）の周波数帯に相当する。なお、送信フィルタ３０は、所望される特性に応じてＩＤＴ３０ａのピッチ等の設計が最適化される。

第１の素子基板２ａには、第１の機能体２ｂから延出される第１の配線パターン２ｃが設けられている。第１の配線パターン２ｃは、第１の機能体２ｂから第１の素子基板２ａの外周側に延びるように設けられている。また、第２の素子基板３ａには、図２に示すように、第２の機能体３ｂから延出される第２の配線パターン３ｃが設けられている。第２の配線パターン３ｃは、第２の機能体３ｂから第２の素子基板３ａの外周側に延びるように設けられている。第１の配線パターン２ｃおよび第２の配線パターン３ｃは、ＳＡＷ共振子の電極への電気信号の入出力の経路となる。

そして、第１の素子パッド２ｄは、第１の配線パターン２ｃ上に設けられており、第１の配線パターン２ｃに電気的に接続されている。また、第２の素子パッド３ｄは、第２の配線パターン３ｃ上に設けられており、第２の配線パターン３ｃに電気的に接続されている。すなわち、第１の配線パターン２ｃは、第１の機能体２ｂと第１の素子パッド２ｄとを電気的に接続しており、第２の配線パターン３ｃは、第２の機能体３ｂと第２の素子パッド３ｄとを電気的に接続している。

例えば、第１の電子素子が、受信フィルタ２０であるとすると、第１の配線パターン配線２ｃは、バスバー２０ａｂと第１の素子パッド２ｄとを電気的に接続している。そして、第１の配線パターン２ｃは、第１の機能体２ｂ（受信フィルタ２０）から第１の素子基板２ａの外周側に延びている。また、第１の素子基板２ａには、ＩＤＴ２０ｂ同士を接続する中間配線が設けられている。

また、例えば、第２の電子素子が、送信フィルタ３０であるとすると、第２の配線パターン配線３ｃは、バスバー３０ａｂと第２の素子パッド３ｄとを電気的に接続している。そして、第２の配線パターン３ｃは、第２の機能体３ｂ（送信フィルタ３０）から第２の素子基板３ａの外周側に延びている。また、第２の素子基板３ａには、ＩＤＴ３０ａ同士を接続する中間配線が設けられている。

また、第１の配線パターン２ｃおよび第２の配線パターン３ｃは、外周側に直線状に、または、曲線状に延びていてもよいし、屈曲していてもよい。また、第１の配線パターン
２ｃおよび第２の配線パターン３ｃは、一定の幅で延びていてもよいし、徐々に幅が変化していてもよいし、段階的に幅が変化していてもよい。したがって、第１の配線パターン２ｃおよび第２の配線パターン３ｃは、第１の素子基板２ａおよび第２の素子基板３ａに設けられた第１の機能体２ｂおよび第２の機能体３ｂの配置または第１の素子パッド２ｄおよび第２の素子パッド３ｄの配置等に応じて適宜に設定される。

第１の素子パッド２ｄは、例えば、ＩＤＴ２０ａに電力を供給するためのものであり、第１の配線パターン２ｃと電気的に接続するように、第１の配線パターン２ｃ上に設けられている。また、第２の素子パッド３ｄは、例えば、ＩＤＴ３０ａに電力を供給するためのものであり、第２の配線パターン３ｃと電気的に接続するように、第２の配線パターン３ｃ上に設けられている。

また、第１の素子パッド２ｄは、第１の素子基板２ａの下面２ａｂの周辺部に設けられており、第２の素子パッド３ｄは、第２の素子基板３ａの上面３ａａの周辺部に設けられている。なお、第１の素子パッド２ｄおよび第２の素子パッド３ｄの大きさは、第１の機能体２ｂおよび第２の機能体３ｂの構成等に応じて適宜設定される。

第１の機能体２ｂおよび第１の配線パターン２ｃは、例えば、同一の材料によって形成することができる。また、第１の機能体２ｂおよび第１の配線パターン２ｃは、同時に形成することができる。

同様に、第２の機能体３ｂおよび第２の配線パターン３ｃは、例えば、同一の材料によって形成することができる。また、第２の機能体３ｂおよび第２の配線パターン３ｃは、同時に形成することができる。

第１の機能体２ｂおよび第１の配線パターン２ｃは、いずれも、ＡｌまたはＡｌ合金（例えば、Ａｌ−Ｃｕ系またはＡｌ−Ｔｉ系）、ＣｕまたはＣｕ合金（例えば、Ｃｕ−Ｍｇ系、Ｃｕ−Ｔｉ系またはＣｕ−Ｒｄ系）、ＡｇまたはＡｇ合金（例えば、Ａｇ−Ｍｇ系、Ａｇ−Ｔｉ系またはＡｇ−Ｒｄ系）等の金属材料で形成することができる。また、第１の機能体２ｂおよび第１の配線パターン２ｃは、一部は異なる材料によって形成されていてもよい。

第２の機能体３ｂおよび第２の配線パターン３ｃは、第１の機能体２ｂおよび第１の配線パターン２ｃと同様な材料でもって形成することができる。

また、第１の素子パッド２ｄおよび第２の素子パッド３ｄは、例えば、ＡｌまたはＡｌ合金（例えば、Ａｌ−Ｃｕ系またはＡｌ−Ｔｉ系）、ＣｕまたはＣｕ合金（例えば、Ｃｕ−Ｍｇ系、Ｃｕ−Ｔｉ系またはＣｕ−Ｒｄ系）、ＡｇまたはＡｇ合金（例えば、Ａｇ−Ｍｇ系、Ａｇ−Ｔｉ系またはＡｇ−Ｒｄ系）等の金属材料で形成することができる。

また、第１の素子パッド２ｄは、対応する第１の接続導体４ａとの接合性の向上を目的として、表面にめっき層を形成することが好ましい。同様に、第２の素パッド３ｄは、対応する第２の接続導体４ｂとの接合性の向上等を目的として、表面にめっき層を形成することが好ましい。めっき層は、例えば、第１の素子パッド２ｄおよび第２の素子パッド３ｄの表面にクロムめっき、ニッケルめっきおよびその上から金めっきメッキを施すことで形成される。

また、弾性表面波装置１は、図２に示すように、第１の素子基板２ａの第１の機能体２ｂおよび第２の素子基板３ａの第２の機能体３ｂを覆うように保護膜２ｅが設けられている。保護膜２ｅは、第１の機能体２ｂおよび第２の機能体３ｂの酸化防止等に寄与するも
のである。また、保護膜２ｅは、例えば、ＩＤＴ２０ａ、ＩＤＴ２０ｂおよび反射器２０ｃの電極指間またはＩＤＴ３０ａおよび反射器３０ｂの電極指間に導電性の異物が付着することによって発生する短絡を抑制することができる。

保護膜２ｅは、例えば、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化チタン、窒化珪素またはシリコン等の絶縁材料からなる。保護膜２ｅの厚みは、例えば、８（ｎｍ）〜１５（ｎｍ）である。保護膜２ｅは、第１の素子基板２ａの下面２ａｂの概ね全面にわたって設けて、第１の機能体２ｂおよび第１の配線パターン２ｃを覆い、第１の素子パッド２ｄが形成される領域のみを露出させるように設けられている。

また、保護膜２ｅは、第２の素子基板３ａの上面３ａａの概ね全面にわたって設けて、第２の機能体３ｂおよび第２の配線パターン３ｃを覆い、第２の素子パッド３ｄが形成される領域のみを露出させるように設けられている。すなわち、保護膜２ｅは、第１の素子パッド２ｄおよび第２の素子パッド３ｄが設けられる領域を除いて、第１の素子基板２ａの下面２ａｂおよび第２の素子基板３ａの上面３ａａの概ね全面にわたって設けられている。なお、弾性表面波装置１は、保護膜２ｅを設けない構成であってもよい。

この場合には、保護膜２ｅが第１の機能体２ｂおよび第１の配線パターン２ｃに覆うように設けられて、周知のフォトリソグラフィー法等を用いて第１の素子パッド２ｄおよび第２の素子パッド３ｄの形成領域を露出させた後、第１の素子パッド２ｄは、保護膜２ｅから露出している第１の配線パターン２ｃ上に設けられる。同様に、保護膜２ｅが第２の機能体３ｂおよび第２の配線パターン３ｃに覆うように設けられて、周知のフォトリソグラフィー法等を用いて第１の素子パッド２ｄおよび第２の素子パッド３ｄの形成領域を露出させた後、第２の素子パッド３ｄは、保護膜２ｅから露出している第２の配線パターン２ｃ上に設けられる。

第２の絶縁層５は、図２に示すように、第２の素子基板３ａの下面３ａｂ（第２の機能体３ｂが設けられた主面と反対側の主面）および側面３ａｃを覆うように設けられている。第２の絶縁層５は、第２の素子基板２の下面３ａｂを覆うとともに第２の素子基板２の側面３ａｃを覆うように設けられている。このように、第２の絶縁層５は、第２の機能体３ｂが設けられた主面を除いた領域を覆って第２の素子基板３ａを囲むように第２の素子基板３ａの外周部に設けられている。

また、第２の絶縁層５は、第２の素子基板３ａの外周部に設けられており、その第２の絶縁層５には、第２の素子基板３ａの外周部に位置する複数の内部貫通導体５ａが設けられている。なお、本実施形態の場合は、図１（ｃ）に示すように、４つの内部貫通導体５ａが第２の素子基板３ａの周囲に設けられている場合を例示している。そして、第１の配線パターン２ｃは、第１の接続導体４ａを介して内部貫通導体４ａに接続されている。そして、第２の配線パターン３ｃは、第２の接続導体４ｂを介して内部貫通導体５ａに電気的に接続されている。第２の絶縁層５の厚みは、例えば、０．３（ｍｍ）〜０．４（ｍｍ）である。また、第２の絶縁層５は、例えば、エポキシ樹脂等の樹脂材料からなる。

また、図２に示すように、第１の接続導体４ａと内部貫通導体５ａとの間には接続端子パッド５ｂが設けられており、接続パッド３ｆと内部貫通導体５ａとの間には接続端子パッド５ｃが設けられている。この接続パッド５ｂおよび接続パッド５ｃは、電気的接続を確実にするために設けられている。また、接続パッド５ｂおよび接続パッド５ｃは設けなくてもよい。

第２の素子基板３ａの下面３ａｂ側には、配線基板６が第２の絶縁層５を介して第２の素子基板３ａに対向して配置されている。すなわち、配線基板６は、第２の素子基板３ａ
と配線基板６との間に第２の絶縁層５が介在するように配置されている。

このように、弾性表面波装置１は、第１の素子基板２、第１の絶縁層４、第２の絶縁層５および配線基板６の外周側面が同一平面内に位置するように設けられる。これによって、弾性表面波装置１は、側面が揃っているので、電子機器の実装基板上に実装する際に、実装の精度が向上して、より高密度の実装が可能になる。

また、弾性表面波装置１は、平面視にて第１の素子基板２ａに重なるように内部貫通導体５ａが設けられており、この内部貫通導体５ａを介して第１の配線パターン２ｃと配線基板６とが電気的に接続され、また、第２の配線パターン３ｃと配線基板６とが電気的に接続されている。このように、弾性表面波装置１は、それぞれの接続部が第１の素子基板２ａの外周の内側に位置するように設けられており、接続部が第１の素子基板２ａの外周よりも外側に位置することがないので、小型化することができる。

配線基板６は、図２（ａ）に示すように、絶縁体６ａと、絶縁体６ａの上面６ａａに形成された第１の導体層６ｂと、絶縁体６ａを上下方向に貫通する貫通導体６ｃと、絶縁体６ａの下面６ａｂに形成され、貫通導体６ｃと電気的に接続されている第２の導体層６ｄとを有している。さらに、絶縁体６ａの下面６ａｂに形成された第２の導体層６ｄには外部端子１２が設けられている。配線基板６の第１の導体層６ｂは、内部貫通導体５ａに電気的に接続されている。また、配線基板６は、第２の素子基板３からの熱を第２の絶縁層５を介して放熱しやすくするために、熱伝導性の優れた材料を用いることが好ましい。

絶縁体６ａは、図１に示すように、例えば、概ね薄型の直方体状に形成されている。また、第１の絶縁体６ａは、例えば、樹脂、セラミックおよび／またはアモルファス状態の無機材料を含んで形成されている。絶縁体６ａは、単一の材料からなるものであってもよいし、基材に樹脂を含浸させた基板のように複合材料からなるものであってもよい。また、絶縁体６ａは、剛性の優れた繊維層を樹脂の内部に設けたものであってもよい。

また、配線基板６では、絶縁体６ａは、具体的には、酸化アルミニウム質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体またはガラスセラミック焼結体等のセラミック材料が用いられる。また、ポリイミド樹脂、シアネート樹脂、エポキシ樹脂またはポリフェニレンエーテル樹脂等の有機樹脂材料が用いられる。さらに、セラミックまたはガラス等の無機材料をエポキシ樹脂等の有機樹脂材料に混合させてなる複合材料を用いることもできる。

第１の導体層６ｂおよび第２の導体層６ｄは、銅、タングステンまたはモリブデン等の金属材料で形成されている。また、第１の貫通導体６ｃは、同様に、銅、タングステンまたはモリブデン等の金属材料で形成されている。第１の絶縁体６ａの上面６ａａに形成された第１の導体層６ｂは、内部貫通導体５ａとの接合性を向上させるために、表面にめっき層が形成されていてもよい。めっき層は、例えば、導体層６ｂの表面にクロムめっき、ニッケルめっきおよびその上から金めっきメッキを施すことで形成される。

ここで、配線基板６の製造方法について説明する。配線基板６の製造方法は、一般的な配線基板の製造方法と同様でよく、配線基板６の製造方法の一例を以下に示す。

配線基板６は、まず、絶縁体６ａは、下面６ａｂに周知のフォトリソグラフィー法等で第２の導体層６ｄが形成される。そして、この絶縁体６ａは、上面６ａａからレーザー加工またはドリル加工等を用いて絶縁体６ａを貫通する貫通孔が第２の導体層６ｄ上に形成される。次に、この絶縁体６ａは、上面６ａａに銅等の金属材料を設けた後に、周知のフォトリソグラフィー法等を用いて、貫通孔に貫通導体６ｃが形成されるとともに上面６ａ
ａに第１の導体層６ｂが形成される。このようなプロセスを経ることによって、配線基板６が得られる。また、上述したプロセスを経ることによって、図１５に示すように、配線母基板６Ａに複数の配線基板６を設けることができる。

弾性表面波装置１では、第１の電子素子２が第１の素子基板２に設けられ、第２の電子素子３が第２の素子基板３に設けられているので、第１の電子素子２および第２の電子素子３の信号が互いに干渉しにくくなり、アイソレーション特性を向上させることができる。すなわち、弾性表面波装置１は、第１の素子基板２ａと第２の素子基板３ａとが互いに対向して配置されており、受信フィルタ２０および送信フィルタ３０の一方が第１の素子基板２ａに設けられ、他方が第２の素子基板３ａに設けられているので、受信信号と送信信号とが互いに干渉しにくくなり、アイソレーション特性を向上させることができる。

また、弾性表面波装置１では、第１の電子素子２と第２の電子素子３とがそれぞれ異なる素子基板に設けられているので、素子基板の寸法を小さくすることができる。これによって、弾性表面波装置１は、高密度実装への対応が容易となる。

また、弾性表面波装置１では、第１の電子素子２と第２の電子素子３とが対向する構成を有しており、各々にフィルタ機能を持たせることでデュプレクサとすることができる。そして、弾性表面波装置１は、第１の電子素子２と第２の電子素子３とを空間Ｓを介して対向する構成にすることで小型化にすることができる。

また、弾性表面波装置１では、第１の電子素子２を受信フィルタ２０で構成して、第２の電子素子３を送信フィルタ３０で構成することが好ましい。送信フィルタ３０は受信フィルタ２０よりも発熱性が高いため、弾性表面波装置１は、第２の電子素子３を送信フィルタ３０とすることによって、第２の電子素子２を囲むように設けられた第２の絶縁層５および第２の絶縁層５の下面に設けられた配線基板６を介して、第２の電子素子３で発生した熱を放熱することができる。これによって、弾性表面波装置１は、第２の電子素子３の送信フィルタ３０の放熱性を向上させることができる。このような構成にすることによって、弾性表面波装置１は、安定した電気性能を得ることができる。

弾性表面波装置１は、１層からなる配線基板６で構成されているが、図５に示すように、配線基板６と配線基板７とからなる２層配線基板１０で構成されていてもよい。なお、図５では、弾性表面波装置１Ａが、配線基板６と配線基板７とからなる２層配線基板１０で構成されている場合を例示している。

配線基板７は、図５に示すように、絶縁体７ａと、絶縁体７ａの上面７ａａに形成された導体層７ｂと、絶縁体７ａを上下方向に貫通する貫通導体７ｃとを有している。配線基板６の第１の導体層６ｂと導体層７ｂとは、貫通導体７ｃを介して電気的に接合されている。なお、配線基板７の材料等の構成は配線基板６と同様な構成にすることができる。

弾性表面波装置１Ａは、配線基板６と配線基板７とからなる２つの配線基板、すなわち、いわゆる多層配線基板で構成されているが、さらに、３層以上の配線基板を積層する多層配線基板で構成されていてもよい。

また、２層配線基板１０は、配線基板６および配線基板７が、例えば、ガラス繊維からなる基材に有機樹脂を含浸硬化させた絶縁体上に銅箔をパターン化した導体層を形成して、絶縁体と導体層とを交互に積層させたものであってもよい。配線基板６と配線基板７とからなる２層配線基板１０は、例えば、ビルドアップ法を用いて、配線基板６と配線基板７とを積層して製造される。

また、２層配線基板１０は、配線基板６および配線基板７が、例えば、支持基板（コア基板）１３上に絶縁体（絶縁層）と導体層とを積層して、さらに、ビルドアップ方式で絶縁体（絶縁層）と導体層とを積層した後に、コア基板を取り除く、いわゆるコアレス基板の構成を有するものであってもよい。なお、ビルドアップ方式によって積層される積層数は、弾性表面波装置１の内部の構成等に応じて適宜に設定することができる。コアレス基板を採用することによって、２層配線基板１０は、配線基板６および配線基板７が薄型になり、さらに全体として薄型のものすることができる。

弾性表面波装置１Ａは、図５に示すように、２層配線基板１０を用いることによって、配線基板６の絶縁体６ａの上面６ａａに回路パターン８を設けることができる。

ここで、回路パターン８の一例について図６を参照しながら説明する。

回路パターン８は、図６に示すように、配線基板６の絶縁体６ａの上面６ａａに設けられている。すなわち、回路パターン８は、絶縁体６ａと絶縁体７ａとの間に設けられている。また、図６（ｂ）は、貫通導体７ｃが設けられる位置を回路パターン８上に破線で示している。回路パターン８は、図６に示すように、絶縁体６ａ上に第１の導体層６ｂと同時に形成されており、第１の導体層６ｂに電気的に接続されている。すなわち、回路パターン８は、絶縁体６ａ上の同一平面上に第１の導体層６ｂから連続して設けられており、貫通導体７ｃ、導体層７ｂおよび内部貫通導体５ａを介して第１の電子素子２の第１の素子パッド２ａおよび第２の電子素子３の第２の素子パッド３ｄに電気的に接続されている。

また、回路パターン８は、例えば、容量パターン８ａであり、また、スパイラル線路状のインダクタパターン８ｂである。そして、インダクタパターン８ｂはインダクタを形成するものであり、容量パターン８ａは容量を形成するものである。

弾性表面波装置１Ａは、第１の電子素子２と第２の電子素子３とに組み合わせて周辺回路を構成する場合には、周辺回路が、例えば、インダクタ用のインダクタ素子、容量用の容量素子または抵抗用の抵抗素子等の組み合わせで構成される。周辺回路は、例えば、整合素子またはＬＣフィルタ等である。

回路パターン８は、例えば、配線基板６の下面６ａｂに容量パターン８ａと対向するようにＧＮＤパターン８Ａを形成して、このＧＮＤパターン８Ａと容量パターン８ａとの間で容量を形成することができる。

このように、弾性表面波装置１Ａは、例えば、絶縁体６ａ上に回路パターン８でインダクタと容量とからなるＬＣフィルタを構成することができるので、このＬＣフィルタを第１の機能体２ｂと第２の機能体３ｂとに組み合わせて設けることができる。また、回路パターン８は、容量パターン８ａまたはインダクタパターン８ｂに限らず、例えば、抵抗パターン等が第１の絶縁体６ａの上面６ａａに設けられてもよい。

したがって、弾性表面波装置１Ａは、回路パターン８が絶縁体６ａと絶縁体７ａとの間の同一平面上に設けられて容量またはインダクタを形成しているので、外付け部品としてのコンデンサやインダクタが不要となる。したがって、弾性表面波装置１Ａは、大型化が抑制され、小型化、薄型化にすることができる。また、回路パターン８は、絶縁体６ａと絶縁体７ａとの間に内蔵するように設けられているので、弾性表面波装置１Ａは、回路パターン８を設ける前と同様に平面方向（ＸＹ面）の大きさが維持されるので、基板寸法の大型化が抑制される。

また、弾性表面波装置１Ａは、２層配線基板１０を用いることによって、絶縁体６ａと絶縁体７ａとの間に回路パターン８を設けることができるので、回路パターン８の設計の自由度が高くなる。

また、弾性表面波装置１Ａは、外付け部品を使用する場合に比べて、弾性表面波装置１Ａの内部に容量またはインダクタ等を形成することができるので配線長が短くなり、不要な容量成分あるいは不要なインダクタ成分の発生を抑制することができる。このように、弾性表面波装置１Ａは、小型化、薄型化することができるとともに高性能化することができる。

また、２層配線基板１０の製造方法は、一般的な２層配線基板の製造方法と同様であり、２層配線基板１０の製造方法の一例を以下に示す。

上述の配線基板６上に第２の絶縁体７ａを積層した後に、同様にして、貫通導体７ｃおよび導体層７ｂが形成される。これによって、配線基板６上に配線基板７が積層された２層配線基板１０が製造される。

上述したように、配線基板６は、絶縁体６ａと、絶縁体６ａの上面６ａａに形成された第１の導体層６ｂと、絶縁体６ａを上下方向に貫通する貫通導体６ｃと、絶縁体６ａの下面３ａｂに形成されて、貫通導体６ｃと電気的に接続されている第２の導体層６ｄとを有することになる。

そして、配線基板６上の配線基板７は、絶縁体７ａと、絶縁体７ａの上面７ａａに形成された導体層７ｂと、絶縁体７ａを上下方向に貫通する貫通導体７ｃとを有することになる。このようにして、配線基板６と配線基板７とからなる２層配線基板１０を製造することができる。

また、上述したプロセスを経ることによって、配線基板６と配線基板７とが積層された複数の２層配線基板１０を配線母基板に設けることができる。

ここで、弾性表面波装置１の製造方法について以下に説明する。

まず、第１の電子素子２および第２の電子素子３の製造方法について以下に説明する。図７では、第１の電子素子２の製造方法を例にして説明する。なお、第２の電子素子３は、第１の電子素子２と同様の製造方法で製造することができる。

図７（ａ）〜図７（ｅ）は、第１の電子素子２の製造方法を説明する図であり、図２に示す第１の電子素子２に対応する断面図である。なお、図７では、第１の素子基板２ａの下面２ａｂを上側にしている。

また、第１の電子素子２の製造工程は、分割されることによって第１の電子素子２となる素子母基板２Ａを対象に行われるが、図７（ａ）〜図７（ｅ）では、１つの弾性表面波装置１に対応する部分のみを図示している。したがって、図７（ａ）〜図７（ｅ）の各工程を経ることによって、図１２および図１３に示すように、素子母基板２Ａには複数の第１の電子素子２が設けられ、素子母基板３Ａには複数の第２の電子素子３が設けられる。

第１の電子素子２は、図６に示すように、図７（ａ）〜図７（ｅ）の各工程を経ることによって、第１の素子基板２ａは、圧電基板の下面２ａｂ上に、第１の機能体２ｂ、第１の配線パターン２ｃ、第１の素子パッド２ｄおよび保護膜２ｅが形成される。

第１の機能体２ｂおよび第１の配線パターン２ｃの形成においては、具体的には、まず、スパッタリング法、蒸着法またはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等の薄膜形成
法を用いて、図７（ａ）に示すように、第１の素子基板２ａの下面２ａｂ上に金属層が形成される。次に、この金属層に対して周知のフォトリソグラフィー法等を用いてパターニングが行われる。パターニングにより、図７（ｂ）に示すように、第１の機能体２ｂおよび第１の配線パターン２ｃが第１の素子基板２ａ上に形成される。第１の機能体２ｂは、例えば、ＩＤＴ２０ａおよび反射器２０ｂ（ＳＡＷ共振子）であり、これらが第１の素子基板２ａ上に形成されることになる。

さらに、第１の機能体２ｂおよび第１の配線パターン２ｃが第１の素子基板２ａ上に形成されると、図７（ｃ）に示すように、スパッタリング法、蒸着法またはＣＶＤ等の薄膜形成法を用いて、第１の機能体２ｂおよび第１の配線パターン２ｃを覆うように第１の素子基板２ａ上に保護膜２ｅが形成される。そして、この保護膜２ｅに対して周知のフォトリソグラフィー法等を用いてパターニングが行われる。パターンニングにより、第１の配線パターン２ｃ上に第１の素子パッド２ｄが設けられる開口部が形成される。

そして、スパッタリング法、蒸着法またはＣＶＤ等の薄膜形成法を用いて、保護膜２ｅを覆うように第１の素子基板２ａ上に金属層が形成される。そして、この金属層に対して周知のフォトリソグラフィー法等を用いてパターニングが行われる。このパターンニングにより、図７（ｄ）に示すように、第１の素子パッド２ｄが第１の配線パターン２ｃ上に形成される。

次に、絶縁材料が、保護膜２ｅを覆うように、第１の素子基板２ａの下面２ａｂに亘って設けられる。なお、第１の絶縁層４はこの絶縁材料で構成される。絶縁材料（第１の絶縁層４）は、例えば、塗布法、印刷法、蒸着法またはＣＶＤ等の薄膜形成法を用いて形成される。

保護膜２ｅおよび第１の素子パッド２ｄが形成された第１の素子基板２ａ上に絶縁材料が設けられると、この絶縁材料に対して、周知のフォトリソグラフィー法等を用いてパターニングが行われ、パターニングされた絶縁材料が第１の素子基板２ａ上に形成される。このパターニングは、第１の素子パッド２ｄ上の第１の接続導体４ａの形成領域が露出するように行なわれ、第１の素子パッド２ｄ上の絶縁材料に開口部が形成される。このようにして、第１の絶縁層４が、第１の素子基板２ａの下面２ａｂに第１の素子パッド２ｄ上に開口部を有して形成される。

第１の接続導体４ａは、例えば、Ａｇペーストであり、図７（ｅ）に示すように、第１の絶縁層４から露出している第１の素子パッド２ｄ上に形成される。すなわち、第１の接続導体４ａは、第１の素子パッド２ｄ上の第１の絶縁層４の開口部を埋めるように設けられる。また、第１の接続導体４ａは、例えば、印刷法またはディスペンス法等を用いて第１の素子パッド２ｄ上に形成される。

ここで、第１の素子基板２ａ上の第１の絶縁層４の形成についての一例を以下に示す。

第１の絶縁層４は、例えば、感光性樹脂であり、第１の機能体２ｂ、第１の配線パターン２ｃ、素子パッド２ｄおよび保護膜２ｅが形成された第１の素子基板２ａ上に、感光性樹脂により構成された感光性樹脂フィルムを貼り付けて設けられる。次に、周知のフォトリソグラフィー法等を用いて、感光性樹脂フィルムは、フォトマスクを介して紫外線が照射される。そして、感光性樹脂フィルムは、絶縁層５を設けるべき領域のみに感光性樹脂が形成されるように露光される。これによって、パターニングされた感光性樹脂が第１の素子基板２ａ上に設けられる。このようにして、第１の素子基板２ａ上に第１の絶縁層４
が設けられる。

また、第１の絶縁層４は、液状の感光性樹脂、例えば、感光性ポリイミド樹脂等を素子基板２ａ上にスピンコート法等を用いて塗布して、同様にして、周知のフォトリソグラフィー法等を用いて形成してもよい。また、感光性樹脂は、例えば、ウレタンアクリレート系樹脂、ポリエステルアクリレート系樹脂またはエポキシアクリレート系樹脂等である。

このようにして、図７（ａ）〜図７（ｅ）の各工程を経ることによって、第１の電子素子２が製造される。また、同様にして、図７（ａ）〜図７（ｅ）の各工程を経ることによって、第２の電子素子３が製造される。

次に、第１の電子素子２と第２の電子素子３との貼り合わせについて以下に説明する。なお、以下では、１つの弾性表面波装置１に対応する部分のみを図示して説明している。

図８に示すように、第１の素子基板２ａと第２の素子基板３ａとを対向させて、互いに密着して貼り合わされる。図８に示すように、第１の素子基板２ａの第１の絶縁層４および第２の素子基板３ａの第１の絶縁層４は、それぞれの素子基板に設けられており、互いに貼り合わせることによって一体化されたものになる。また、同様に、第１の素子基板２ａの第１の接続導体４ａおよび第２の素子基板３ａの第１の接続導体４ａは、それぞれの素子基板に設けられており、互いに貼り合わせることによって一体化されたものになる。すなわち、第１の素子基板２ａの第１の接続導体４ａと第２の素子基板３ａの第１の接続導体４ａとが接合されて、第１の接続導体４ａが一体化されたものとなる。

また、第１の素子基板２ａと第２の素子基板３ａとは、例えば、加圧しながら、１５０（℃）で６０(分)の加熱処理で貼り合わされる。なお、加圧および加熱処理の条件は、第１の素子基板２ａおよび第３の素子基板３ａを考慮して適宜設定される。

また、第１の素子基板２ａと第２の素子基板３ａとの貼り合わせる場合に、第１の素子基板２ａの第１の絶縁層４および第２の素子基板３ａの第１の絶縁層４の少なくとも一方の第１の絶縁層４上に接着材を設けて貼り合わせてもよい。接着材は、例えば、エポキシ系樹脂等の絶縁性の材料からなり、印刷法等を用いて第１の絶縁層４上に設けることができる。また、第１の絶縁層４に接着機能を付与した材料を用いて貼り合わせてもよい。

第１の素子基板２ａと第２の素子基板３ａとを貼り合わせることによって、第１の機能体２ｂおよび第２の機能体３ｂを収容する空間Ｓが形成される。

次に、第１の素子基板２ａと第２の素子基板３ａとを接合した後に、図９（ａ）に示すように、第２の素子基板３ａは四辺の外周部を切断線Ｌに沿って切断される。すなわち、図１（ｃ）に示すように、第２の素子基板３ａは、外周が第１の素子基板２ａの外周よりも内側に位置するように四辺の外周部が切断される。これによって、第２の素子基板３ａは、第１の素子基板２ａよりも小さくなり、第１の素子基板２ａの内側に位置するように設けられる。また、第２の素子基板３ａに対する切断線Ｌの位置は、第２の素子基板３ａの第２の配線パターン３ｃの配置構成等によって適宜設定される。

また、第２の素子基板３ａを切断する前に、第１の素子基板２ａの上面２ａａおよび第２の素子基板３ａの下面３ａｂの少なくともいずれか一方を、バックグラインドホイール等を用いて削ることによって、第１の素子基板２ａおよび第２の素子基板３ａの厚みを薄くしてもよい。これによって、弾性表面波装置１は、より薄型が可能となる。また、第２の素子基板３ａを切断後に、第１の素子基板２ａの上面２ａａおよび第２の素子基板３ａの下面３ａｂの少なくともいずれか一方を削ってもよい。

第２の素子基板３ａを切断した後、周知のフォトリソグラフィー法等を用いることによって、接続端子パッド５ｂが第１の接続導体４ａの下部に形成され、また、接続端子パッド５ｃが接続パッド３ｆの下部に形成される。

次に、図１０（ａ）に示すように、第２の絶縁層５が第２の素子基板３ａの下面３ａｂおよび側面を覆うように設けられる。第２の絶縁層５は、例えば、エポキシ樹脂等の樹脂材料である。第２の絶縁層５は、例えば、エポキシ樹脂をシート状に加工して、第２の素子基板３ａにシート状のエポキシ樹脂を加圧して設けられる。また、第２の絶縁層５は、例えば、第２の素子基板３ａに感光性樹脂を塗布または印刷して、周知のフォトリソグラフィー法等を用いて形成してもよい。

そして、図１０（ｂ）に示すように、第２の絶縁層５は、第２の素子基板３ａの外周部に、レーザー加工法またはドリル加工法等を用いて、内部貫通導体を設けるための貫通孔が形成される。また、貫通孔は、接続端子パッド５ｂおよび接続端子パッド５ｃに対応するように設けられる。

次に、図１１（ａ）に示すように、内部貫通導体５ａが貫通孔内に設けられる。内部貫通導体５ａは、例えば、Ａｇペーストであり、印刷法等を用いて貫通孔内に設けられる。

そして、図１１（ｂ）に示すように、配線基板６が、第２の絶縁層５の下面に設けられる。さらに、第２の導体層６ｄに対応するように、周知のフォトリソグラフィー法等を用いて、外部端子１２が配線基板６の下面６ａｂに形成される。これによって、弾性表面波装置１を得ることができる。

ここで、素子母基板２Ａと素子母基板３Ａと配線母基板６Ａとを用いて、弾性表面波装置１を製造する製造方法について説明する。

素子母基板２Ａは、図１２に示すように、複数の第１の電子素子２が設けられている。したがって、素子母基板２Ａは、複数の第１の電子素子２が設けられた集合体であり、複数の第１の電子素子２が縦横に並ぶように設けられている。また、図１２では、素子母基板２Ａの複数の第１の電子素子２の１つを拡大した断面図を示している。なお、図１２では、素子母基板２Ａは、平面視の形状が円形状であるが、これに限らず、四角形状であってもよく、形状は適宜設定される。素子母基板２Ａは、平面視の形状が円形状の場合には、直径が、例えば、７０（ｍｍ）〜１３０（ｍｍ）である。

また、素子母基板３Ａは、図１３に示すように、複数の第２の電子素子３が設けられている。したがって、素子母基板３Ａは、複数の第２の電子素子３が設けられた集合体であり、複数の第２の電子素子３が縦横に並ぶように設けられている。また、図１３では、素子母基板３Ａの複数の第２の電子素子３の１つを拡大した断面図を示している。なお、図１３では、素子母基板３Ａは、平面視の形状が円形状であるが、これに限らず、四角形状であってもよく、形状は適宜設定される。素子母基板３Ａは、平面視の形状が円形状の場合には、直径が、例えば、７０（ｍｍ）〜１３０（ｍｍ）である。

上述したように、第１の素子基板２ａおよび第２の素子基板を対象にして、上述の図７（ａ）〜図７（ｅ）の各製造工程を行うことによって、素子母基板２Ａは、第１の素子基板２ａ上に複数の第１の電子素子２が設けられ、素子母基板３Ａは、第２の素子基板３ａ上に複数の第２の電子素子３が設けられる。これによって、素子母基板２Ａは、複数の第１の電子素子２の集合体となり、素子母基板３Ａは、複数の第２の電子素子３の集合体とる。なお、ここでは、第１の素子基板２ａは、複数の第１の電子素子２を設けることが可
能な大きさを有しており、第２の素子基板３ａは、複数の第２の電子素子３を設けることが可能な大きさを有している。

図１４に示すように、素子母貼合基板２ＡＡは、第１の素子基板２ａと第２の素子基板３ａとの間に空間Ｓが形成されるように対向させて、素子母基板２Ａと素子母基板３Ａとを貼り合せたものである。

また、配線母基板６Ａは、図１５に示すように、複数の配線基板６が設けられている。したがって、配線母基板６Ａは、複数の配線基板６が設けられた集合体であり、複数の配線基６が縦横に並ぶように配置されている。また、図１５では、配線母基板３Ａの複数の配線基板６の１つを拡大した断面図を示している。なお、図１５では、配線母基板６Ａは、平面視の形状が四角形状であるが、これに限らず、円形状であってもよく、形状は適宜設定される。配線母基板６Ａは、平面視の形状が四角形状の場合には、一辺の長さが、例えば、１００（ｍｍ）〜１５０（ｍｍ）である。

ここで、素子母貼合基板２ＡＡと配線母基板６Ａとの接合について説明する。図１６は、素子母貼合基板２ＡＡと配線母基板６Ａとが接合された状態を示す平面図である。また、図１６では、貼合基板１Ａに設けられた複数の弾性表面波装置１の３つを拡大した断面図を示している。

貼合基板１Ａは、図１６に示すように、素子母貼合基板２ＡＡと配線母基板６Ａとを貼り合わせて接合することによって得られる。

また、貼合基板１Ａは、素子母貼合基板２ＡＡが配線母基板３Ａに対して、内部貫通導体５ａと配線基板６の第１の導体層６ｂとが対向するように位置合わせを行なって貼り合わされる。また、貼合基板１Ａは、配線母基板６Ａが素子母貼合基板２ＡＡに対して位置合わせを行なって貼り合わしてもよい。

したがって、貼合基板１Ａは、図１６に示すように、複数の弾性表面波装置１が設けられた集合体であり、複数の弾性表面波装置１が縦横に配置されている。また、貼合基板１Ａは、図１６に示すように、貼合基板１Ａから弾性表面波装置１を個片化するための切断ライン９が弾性表面波装置１の形状に合わせて設けられる。すなわち、図１６では、貼合基板１Ａは、素子母貼合基板２ＡＡよりも一回り大きい配線母基板６Ａに切断ライン９が設けられた場合を例示している。

また、貼合基板１Ａは、配線母基板６Ａよりも一回り大きい素子母貼合基板２ＡＡを設けて、素子母貼合基板２ＡＡに切断ライン９を設けてもよい。また、切断ライン９は、素子母貼合基板２ＡＡまたは配線母基板６Ａの大きさ等を考慮して、素子母貼合基板２ＡＡまたは配線母基板６Ａ、あるいは両方に適宜設けられる。また、貼合基板１Ａの切断方法は、これに限らない。切断方法は、例えば、仮想の切断ラインの始点および終点を示すマーカーを素子母貼合基板２ＡＡまたは配線母基板６Ａ、あるいは両方に設けて、それらのマーカーに合わせて、例えば、ダイシング装置のダイシングブレード等を用いて貼合基板１Ａを切断する方法であってもよい。なお、ダイシングブレードの厚みは適宜選択される。また、貼合基板１Ａの切断方法は、貼合基板１Ａの大きさ等を考慮して周知の技術を適宜選択することができる。

そして、貼合基板１Ａは、図１６に示すように、破線で示している切断ライン９に沿って切断されて、複数の弾性表面波装置１がそれぞれ個片化される。すなわち、貼合基板１Ａを切断することによって、個々の弾性表面波電装置１が貼合基板１Ａから分離される。例えば、図１６に示すように、３つ並んでいる弾性表面波装置１は、切断ライン９に沿っ
て切断することによって貼合基板１Ａから個片化されて、３つの弾性表面波装置１を得ることができる。なお、貼合基板１Ａの切断は、例えば、ダイシング装置等を用いて行なわれる。

貼合基板１Ａから弾性表面波装置１を製造する場合には、一度に大量の弾性表面波装置１を製造することができるので、弾性表面波装置１の生産性が向上する。すなわち、貼合基板１Ａは、個々の電子部品１を一度に大量に製造することができるため、切断工程の生産性の効率の向上に伴い弾性表面波装置１の生産性を向上させる。

素子母貼合基板２ＡＡおよび配線母基板６Ａの大きさは、貼合基板１Ａから得られる弾性表面波装置１の数、すなわち、貼合基板１Ａからの弾性表面波装置１の取数を考慮してそれぞれ設定される。

また、貼合基板１Ａにおいて、貼合わされた素子母貼合基板２ＡＡと配線母基板６Ａとが同時に切断されるので、弾性表面波装置１は、側面が同一平面内に位置することになる。このように、弾性表面波装置１の側面（ＸＺ面およびＹＺ面）が同一平面内に位置することになる。したがって、弾性表面波装置１は、それぞれの側面を同一平面内に位置させることができるので、弾性表面波装置１を電子機器の実装基板上に実装する際に、実装の精度が向上して、より高密度の実装が可能になる。

また、貼合基板１Ａは、素子母貼合基板２ＡＡと配線母基板６Ａを同時に切断する場合、素子母貼合基板２ＡＡ側から切断しても、配線母基板６Ａ側から切断してもよい。また、素子母貼合基板２ＡＡ側および配線母基板６Ａ側から同時に切断してもよい。切断方法は、貼合基板１Ａの大きさ等を考慮して適宜設定される。

本発明は、上述した実施の形態に特に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変更および改良が可能である。

弾性表面波装置は、ＳＡＷ素子に限定されない。すなわち、電子素子は、ＳＡＷ素子に限定されない。電子素子は、弾性波を利用しないものであってもよい。また、圧電薄膜共振器等のＳＡＷ以外の弾性波を利用するものであってもよい。

また、配線基板は、電子素子と実装基板とを仲介するものに限定されない。配線基板は、例えば、携帯機器等の電子機器のマザーボード（メインボード、主基板）として機能するものであってもよい。また、配線基板は、複数の電子素子が実装されるものであってもよい。

また、機能体は、導体により形成されたものであってもよいし、半導体によって形成されたものであってもよい。

１、１Ａ 弾性表面波装置
２ 第１の電子素子
２ａ 第１の素子基板
２ｂ 第１の機能体
２ｃ 第１の配線パターン
２ｄ 第１の素子パッド
３ 第２の電子素子
３ａ 第２の素子基板
３ｂ 第２の機能体
３ｃ 第２の配線パターン
３ｄ 第２の素子パッド
４ 第１の絶縁層
４ａ 第１の接続導体
４ｂ 第２の接続導体
５ 第２の絶縁層
５ａ 内部貫通導体
６ 配線基板
８ 回路パターン
９ 切断ライン
１０ ２層配線基板
１２ 外部端子
２０ 受信フィルタ
２０ａ、２０ｂ ＩＤＴ
２０ｂ 反射器
３０ 送信フィルタ
３０Ａ 共振子
３０ａ ＩＤＴ
３０ｂ 反射器
Ｓ 空間
Ｌ 切断線
１Ａ 貼合基板
２Ａ、３Ａ 素子母基板
６Ａ 配線母基板

Claims (3)

1. 第１の素子基板と、該第１の素子基板に設けられた第１の機能体と、該第１の機能体から前記第１の素子基板の外周側に延びる第１の配線パターンと、該第１の配線パターンに電気的に接続された第１の素子パッドとからなる第１の電子素子と、
   前記第１の素子基板に対向して配置された、前記第１の素子基板よりも小さい第２の素子基板と、前記第１の機能体に対向するように前記第２の素子基板に設けられた第２の機能体と、該第２の機能体から前記第２の素子基板の外周側に延びる第２の配線パターンと、該第２の配線パターンに電気的に接続された第２の素子パッドとからなる第２の電子素子と、
   前記第１の素子基板と前記第２の素子基板との間に、前記第１の機能体および前記第２の機能体を囲むように設けられた第１の絶縁層と、
   前記第２の機能体が設けられた主面と反対側の主面を覆うとともに前記第２の素子基板の側面を覆うように前記第２の素子基板の外周部に設けられた第２の絶縁層と、
   前記第２の絶縁層を介して前記第２の素子基板に対向して配置された配線基板と
   を備え、
   前記第１の絶縁層には、前記第１の素子パッドに接続された第１の接続導体と前記第２の素子パッドに接続された第２の接続導体とが設けられており、前記第２の絶縁層には、前記第２の素子基板の外周部に位置する複数の内部貫通導体が設けられており、前記第１の配線パターンは、前記第１の接続導体を介して前記内部貫通導体に接続され、前記第２の配線パターンは、前記第２の接続導体を介して前記内部貫通導体に電気的に接続され、前記内部貫通導体は、前記配線基板の導体層にそれぞれ電気的に接続されていることを特徴とする弾性表面波装置。
2. 前記第１の素子基板、第１の絶縁層、第２の絶縁層および配線基板の外周側面は同一平面に位置していることを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波装置。
3. 前記第１の電子素子は受信フィルタであり、前記第２の電子素子は送信フィルタであることを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波装置。
   

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