JP2014107372A - Circuit module and manufacturing method of the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、電磁シールド機能を有する回路モジュール及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a circuit module having an electromagnetic shielding function and a manufacturing method thereof.
配線基板と、その表面に実装された複数の電子部品と、上記電子部品を被覆する封止層と、配線基板の裏面に形成された外部接続端子とを有する回路モジュールが知られている。また、この種の回路モジュールとしては、モジュール外部への電磁波の漏洩及び外部からの電磁波の侵入を防止する電磁シールドを有するものが知られている。このような電磁シールドは、例えば、上記封止層を被覆する導電性樹脂膜、金属膜等で構成されている(特許文献1、2参照)。
2. Description of the Related Art A circuit module is known that includes a wiring board, a plurality of electronic components mounted on the surface thereof, a sealing layer that covers the electronic components, and external connection terminals formed on the back surface of the wiring board. As this type of circuit module, one having an electromagnetic shield that prevents leakage of electromagnetic waves to the outside of the module and intrusion of electromagnetic waves from the outside is known. Such an electromagnetic shield is composed of, for example, a conductive resin film, a metal film, or the like that covers the sealing layer (see
特許文献2には、めっき法によって封止層上に金属膜を形成する回路モジュールの製造方法が記載されている。しかしながら当該封止層は、一般に樹脂材料で形成されるため、金属膜と封止層との密着性が低く、金属膜が封止層の界面で剥離することがあった。
一方、樹脂材料上へ金属膜をめっきする際の下地処理として、デスミア処理が知られている(特許文献3参照)。デスミア処理を行うことで、樹脂の表面に凹凸が形成され、アンカー効果により金属膜との密着性を高めることが可能となる。 On the other hand, desmear treatment is known as a base treatment for plating a metal film on a resin material (see Patent Document 3). By performing the desmear treatment, irregularities are formed on the surface of the resin, and the adhesion with the metal film can be enhanced by an anchor effect.
デスミア処理液は、一般に過マンガン酸等の強アルカリ性である。これにより、デスミア処理時には、外部接続端子等をデスミア処理液によるエッチングから保護するため、アルカリ耐性のあるテープ等で配線基板の裏面等をマスキングする必要がある。ところが、当該テープを剥がす際にモジュールに大きな応力がかかり、割れやクラック等が発生することがあった。 The desmear treatment liquid is generally strongly alkaline such as permanganic acid. Thereby, at the time of desmear treatment, in order to protect the external connection terminals and the like from etching by the desmear treatment liquid, it is necessary to mask the back surface of the wiring board with an alkali-resistant tape or the like. However, when the tape is peeled off, a large stress is applied to the module, and cracks and cracks may occur.
したがって、デスミア処理によらずとも、金属膜と封止層との密着性を高めることが可能な回路モジュールが望まれる。 Therefore, a circuit module that can improve the adhesion between the metal film and the sealing layer without desmearing is desired.
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、金属膜の密着性が高い回路モジュール及びその製造方法を提供することにある。 In view of the circumstances as described above, an object of the present invention is to provide a circuit module having high adhesion of a metal film and a method for manufacturing the circuit module.
上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る回路モジュールの製造方法は、電子部品がそれぞれ実装された複数の単位領域を有する配線基板上に、上記電子部品を覆う封止層を形成する工程を含む。
上記封止層の天面に第1の金属膜が接着される。
上記複数の単位領域を区画する切削溝が、上記第1の金属膜上から上記配線基板の内部に達する深さで形成される。
上記複数の単位領域各々の上記封止層の上記切削溝内に露出した側面と上記第1の金属膜とを覆う第2の金属膜が形成される。
In order to achieve the above object, a method of manufacturing a circuit module according to an aspect of the present invention forms a sealing layer that covers the electronic component on a wiring board having a plurality of unit regions each mounted with the electronic component. Process.
A first metal film is bonded to the top surface of the sealing layer.
The cutting grooves that define the plurality of unit regions are formed with a depth that reaches the inside of the wiring substrate from above the first metal film.
A second metal film is formed to cover the side surface exposed in the cutting groove of the sealing layer in each of the plurality of unit regions and the first metal film.
上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る回路モジュールは、配線基板と、封止層と、第1の金属膜と、第2の金属膜とを有する。
上記配線基板は、電子部品が実装された表面を有する。
上記封止層は、上記表面と対向する主面と、上記主面の周囲に連続して形成された側面とを有し、上記配線基板上に形成され、上記電子部品を覆う。
上記第1の金属膜は、上記主面に接着された接着層と、上記接着層上に積層された金属層とを有する。
上記第2の金属膜は、上記封止層の上記側面と上記金属層とを覆う。
In order to achieve the above object, a circuit module according to an embodiment of the present invention includes a wiring board, a sealing layer, a first metal film, and a second metal film.
The wiring board has a surface on which electronic components are mounted.
The sealing layer has a main surface facing the surface and a side surface formed continuously around the main surface, is formed on the wiring board, and covers the electronic component.
The first metal film includes an adhesive layer bonded to the main surface and a metal layer laminated on the adhesive layer.
The second metal film covers the side surface of the sealing layer and the metal layer.
本発明の一実施形態に係る回路モジュールの製造方法は、電子部品がそれぞれ実装された複数の単位領域を有する配線基板上に、上記電子部品を覆う封止層を形成する工程を含む。
上記封止層の天面に第1の金属膜が接着される。
上記複数の単位領域を区画する切削溝が、上記第1の金属膜上から上記配線基板の内部に達する深さで形成される。
上記複数の単位領域各々の上記封止層の上記切削溝内に露出した側面と上記第1の金属膜とを覆う第2の金属膜が形成される。
A method for manufacturing a circuit module according to an embodiment of the present invention includes a step of forming a sealing layer that covers the electronic component on a wiring board having a plurality of unit regions each mounted with the electronic component.
A first metal film is bonded to the top surface of the sealing layer.
The cutting grooves that define the plurality of unit regions are formed with a depth that reaches the inside of the wiring substrate from above the first metal film.
A second metal film is formed to cover the side surface exposed in the cutting groove of the sealing layer in each of the plurality of unit regions and the first metal film.
上記第1の金属膜は、封止層の天面に接着される。ここで、「封止層の天面」とは、封止層の外表面のうち、配線基板と対向する面をいう。これにより、第2の金属膜は第1の金属膜を介して封止層上に形成されるため、密着性を高めることができる。また、切削する工程により、切削溝の側壁面の一部として封止層の側面が形成される。この際、例えば切削工具は、封止層等と接触しつつ、回転、直線移動等することで、切削溝を形成する。これにより、当該工具と封止層との摩擦が生じ、封止層の側面が粗化され、微細な凹凸が形成される。すなわち、第2の金属膜と封止層の側面との間には、粗化された側面によりアンカー効果が生じ、密着性を高めることができる。したがって、第2の金属膜の全体にわたって密着性の高い構成とすることができ、封止層にデスミア処理等の下地処理を行わなくとも、第2の金属膜の剥がれ等の不具合を防止することができる。 The first metal film is bonded to the top surface of the sealing layer. Here, “the top surface of the sealing layer” refers to a surface of the outer surface of the sealing layer that faces the wiring board. Thereby, since the second metal film is formed on the sealing layer via the first metal film, the adhesion can be improved. Moreover, the side surface of the sealing layer is formed as a part of the side wall surface of the cutting groove by the cutting process. At this time, for example, the cutting tool forms a cutting groove by rotating, linearly moving, or the like while being in contact with the sealing layer or the like. As a result, friction between the tool and the sealing layer occurs, the side surface of the sealing layer is roughened, and fine irregularities are formed. That is, between the second metal film and the side surface of the sealing layer, an anchor effect is generated by the roughened side surface, and adhesion can be improved. Accordingly, the second metal film can be configured to have high adhesion over the entire surface, and it is possible to prevent problems such as peeling of the second metal film without performing a base treatment such as desmear treatment on the sealing layer. Can do.
上記第2の金属膜を形成する工程は、めっき法によって上記第2の金属膜を形成してもよい。
これにより、切削溝のアスペクト比が高い場合でも、切削溝の側壁面及び底面に均一に第2の金属膜を形成することが可能となる。さらに、第2の金属膜を低コストでかつ容易に形成することができる。
In the step of forming the second metal film, the second metal film may be formed by a plating method.
Thereby, even when the aspect ratio of the cutting groove is high, the second metal film can be uniformly formed on the side wall surface and the bottom surface of the cutting groove. Furthermore, the second metal film can be easily formed at low cost.
さらに、上記第2の金属膜を形成する工程の後に、上記第2の金属膜を覆う第3の金属膜を形成してもよい。
これにより、電磁シールド構造として、第2及び第3の金属膜の2層の金属膜を採用することができる。これにより、各金属膜の材料の選択性を高めることができ、製造が容易で、かつ耐久性に優れたシールド膜を形成することが可能となる。
Furthermore, a third metal film that covers the second metal film may be formed after the step of forming the second metal film.
As a result, a two-layer metal film of the second and third metal films can be employed as the electromagnetic shield structure. Thereby, the selectivity of the material of each metal film can be increased, and a shield film that is easy to manufacture and excellent in durability can be formed.
上記第3の金属膜を形成する工程は、めっき法によって上記第3の金属膜を形成してもよい。
これにより、第3の金属膜を低コストでかつ容易に形成することができる。さらに、切削溝の側壁面及び底面に形成された第2の金属膜上にも、切削溝に倣った形状で均一に第3の金属膜を形成することができる。
In the step of forming the third metal film, the third metal film may be formed by a plating method.
Thereby, the third metal film can be easily formed at low cost. Furthermore, the third metal film can be uniformly formed on the second metal film formed on the side wall surface and the bottom surface of the cutting groove in a shape following the cutting groove.
具体的には、上記第1の金属膜は、接着層と上記接着層上に形成された金属層とを有し、
上記第1の金属膜を接着する工程は、上記接着層を上記天面に接着してもよい。
Specifically, the first metal film has an adhesive layer and a metal layer formed on the adhesive layer,
The step of bonding the first metal film may bond the adhesive layer to the top surface.
上記切削溝を形成する工程は、上記配線基板内に形成された内部配線層に達する深さで上記切削溝を形成してもよい。
これにより、切削溝内に形成される第2の電極膜と内部配線層とを電気的に接続することができる。したがって、例えば上記内部配線層をグランド電位に接続することで、第2の電極膜の電磁シールド効果をより高めることができる。
In the step of forming the cutting groove, the cutting groove may be formed at a depth reaching an internal wiring layer formed in the wiring board.
Thereby, the second electrode film formed in the cutting groove and the internal wiring layer can be electrically connected. Therefore, for example, the electromagnetic shielding effect of the second electrode film can be further enhanced by connecting the internal wiring layer to the ground potential.
上記切削溝を形成する工程は、第1の幅で上記切削溝を形成し、
上記回路モジュールの製造方法は、さらに
上記第2の金属膜を形成する工程の後に、上記配線基板を上記切削溝に沿って上記第1の幅より狭い第2の幅で切削して、上記複数の単位領域をそれぞれ個片化してもよい。
これにより、切削によって複数の単位領域を容易に個片化することができる。また、切削溝の幅よりも狭い幅で切削することで、切削溝の側壁面に形成された第2の金属膜等を切除することなく、各単位領域を個片化することができる。
The step of forming the cutting groove forms the cutting groove with a first width,
In the method of manufacturing the circuit module, after the step of forming the second metal film, the wiring board is cut along the cutting groove with a second width narrower than the first width, Each unit area may be divided into pieces.
Thereby, a several unit area | region can be separated into pieces easily by cutting. Further, by cutting with a width narrower than the width of the cutting groove, each unit region can be separated into pieces without cutting the second metal film or the like formed on the side wall surface of the cutting groove.
本発明の一実施形態に係る回路モジュールは、配線基板と、封止層と、第1の金属膜と、第2の金属膜とを有する。
上記配線基板は、電子部品が実装された表面を有する。
上記封止層は、上記表面と対向する主面と、上記主面の周囲に連続して形成された側面とを有し、上記配線基板上に形成され、上記電子部品を覆う。
上記第1の金属膜は、上記主面に接着された接着層と、上記接着層上に積層された金属層とを有する。
上記第2の金属膜は、上記封止層の上記側面と上記金属層とを覆う。
A circuit module according to an embodiment of the present invention includes a wiring board, a sealing layer, a first metal film, and a second metal film.
The wiring board has a surface on which electronic components are mounted.
The sealing layer has a main surface facing the surface and a side surface formed continuously around the main surface, is formed on the wiring board, and covers the electronic component.
The first metal film includes an adhesive layer bonded to the main surface and a metal layer laminated on the adhesive layer.
The second metal film covers the side surface of the sealing layer and the metal layer.
上記第1の金属膜は、接着層を封止層の主面に向けて接着される。また上記第2の金属膜は、接着層を介して封止層上に接着された金属層上に形成される。これにより、第2の金属膜の密着性を高め、機械的衝撃や外力等による第2の金属膜の剥がれやクラック等を抑制することができる。さらに、第2の金属膜と第1の金属膜との熱膨張率差を低減し、第2の金属膜における熱応力の発生も抑制することができる。したがって、製品破損等を抑制し、安定したシールド効果を維持することができる。 The first metal film is bonded with the adhesive layer facing the main surface of the sealing layer. The second metal film is formed on a metal layer bonded onto the sealing layer via an adhesive layer. As a result, the adhesion of the second metal film can be improved, and the peeling or cracking of the second metal film due to mechanical impact or external force can be suppressed. Furthermore, the difference in thermal expansion coefficient between the second metal film and the first metal film can be reduced, and the generation of thermal stress in the second metal film can also be suppressed. Therefore, product damage or the like can be suppressed and a stable shielding effect can be maintained.
また、上記側面は、粗化面であってもよい。
これにより上記側面は、第2の金属膜との間にアンカー効果を発揮することができる。したがって、封止層の側面と第2の金属膜との間の密着性を高めることが可能となる。
The side surface may be a roughened surface.
Thereby, the said side can exhibit an anchor effect between the 2nd metal film. Therefore, it becomes possible to improve the adhesion between the side surface of the sealing layer and the second metal film.
上記封止層と上記接着層とは、同一の樹脂材料で形成されてもよい。
これにより、封止層と接着層とをより強固に接着することができる。さらに、封止層と接着層との熱膨張率を略同一とすることができ、熱応力の発生を抑制することができる。
The sealing layer and the adhesive layer may be formed of the same resin material.
Thereby, a sealing layer and an adhesive layer can be adhere | attached more firmly. Furthermore, the thermal expansion coefficients of the sealing layer and the adhesive layer can be made substantially the same, and the generation of thermal stress can be suppressed.
また、上記第1の金属膜と上記第2の金属膜とは、銅で形成されてもよい。
これにより、コストを抑えつつ、めっきにより第2の金属膜を容易に形成することができる。また、第1及び第2の金属膜の密着性を高めることができる。さらに、第1及び第2の金属膜の熱膨張率を略同一とすることで、熱応力の発生をより抑制することができる。
Further, the first metal film and the second metal film may be formed of copper.
Thereby, the second metal film can be easily formed by plating while suppressing the cost. In addition, the adhesion between the first and second metal films can be enhanced. Furthermore, by making the thermal expansion coefficients of the first and second metal films substantially the same, generation of thermal stress can be further suppressed.
さらに、上記第2の金属膜を覆う第3の金属膜を具備してもよい。また、第3の金属膜は、ニッケルで形成されてもよい。
これにより、電磁シールド機能をより高めることができる。また、第3の金属膜をニッケルで形成することで、強度及び耐腐食性の高い構成とすることができる。
Furthermore, you may comprise the 3rd metal film which covers the said 2nd metal film. Further, the third metal film may be formed of nickel.
Thereby, an electromagnetic shielding function can be improved more. Further, by forming the third metal film from nickel, a structure having high strength and high corrosion resistance can be obtained.
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[回路モジュール]
図1は、本発明の一実施形態に係る回路モジュールを示す概略断面図である。なお図において、X,Y及びZの各軸は相互に直交する3軸方向を示しており、このうちZ軸方向は回路モジュールの厚み方向に対応する。また理解容易のため、各部の厚み、大きさ等は誇張して示されている。
[Circuit module]
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a circuit module according to an embodiment of the present invention. In the figure, the X, Y, and Z axes indicate three axial directions orthogonal to each other, and the Z-axis direction corresponds to the thickness direction of the circuit module. For easy understanding, the thickness and size of each part are exaggerated.
本実施形態に係る回路モジュール1は、配線基板2と、封止層4と、第1の金属膜5と、第2の金属膜6と、第3の金属膜7とを有する。第2の金属膜6及び第3の金属膜7とは、本実施形態においてシールド膜8を構成する。
The
回路モジュール1は、全体として略直方体形状で構成される。大きさは特に限定されず、例えば、X軸方向及びY軸方向に沿った長さがそれぞれ2〜40mmで構成される。また、厚みも特に限定されず、例えば0.7〜2.5mmで構成される。
The
回路モジュール1は、配線基板2上に複数の電子部品3が配置され、それらを被覆するように封止層4、第1の金属膜5、第2の金属膜6、及び第3の金属膜7が形成される。以下、回路モジュール1の各部の構成について説明する。
In the
(配線基板)
配線基板2は、例えば回路モジュール1全体の寸法と同一の略矩形に構成された表面21と裏面22とを有し、厚みが例えば約0.3mmの多層配線基板で構成される。表面21と裏面22とは、例えばいずれもZ軸方向に略直交する面であり、Z軸方向に相互に対向して配置される。基板2の絶縁層を構成する材料は、例えばガラスエポキシ系材料が採用されるが、これに限られず、絶縁性セラミック材料等も採用可能である。
(Wiring board)
The
表面21には、複数の電子部品3が実装される。複数の電子部品3としては、具体的には、集積回路(IC)、コンデンサ、インダクタ、抵抗、水晶振動子、デュプレクサ、フィルタ、パワーアンプ等の各種部品が含まれる。複数の電子部品3は、典型的には、半田、接着剤、ボンディングワイヤ等により、表面21上にそれぞれ実装される。
A plurality of
配線基板2の配線層は、典型的には銅箔で構成され、配線基板2の表面21、裏面22及び内層部にそれぞれ配置される。上記配線層は、それぞれ所定形状にパターニングされることで、外部接続端子23、ランド部24、内部配線層25をそれぞれ構成する。外部接続端子23は、裏面22に形成され、例えば回路モジュール1が実装される電子機器の制御基板(図示略)と接続される。ランド部24は、表面21に形成され、電子部品3が実装される。また、表面21のランド部24が形成されていない領域は、ソルダレジスト等の絶縁膜が形成されていてもよい(図示略)。これらの配線層は、それぞれ図示しないビア導体を介して相互に電気的に接続されている。
The wiring layer of the
さらに内部配線層25の一部として、グランド(GND)電位に接続されるGND端子25gが形成される。GND端子25gは、例えば、配線基板2の周縁に形成された段差部26に隣接して配置され、段差部26を覆う第2の電極膜6の内面と接続される。GND端子25gは、外部接続端子23を介して上記制御基板のグランド配線に接続される。
Further, as part of the
(封止層)
封止層4は、配線基板2上に、電子部品3を覆うように形成される。具体的には、封止層4は、全体として略直方体状に形成され、表面21とZ軸方向に対向する主面41と、主面41の周囲に連続して形成された4つの側面42とを有する。各側面42は、例えば、主面41と略垂直に形成される。なお4つの側面42は、以下の説明においてそれぞれ区別せず、同一の符号で示すこととする。また、封止層4のZ軸方向の厚み、すなわち表面21から主面41までの厚みは、Z軸方向に最も厚い電子部品3よりも大きくなるように構成され、例えば、当該電子部品3よりも0.1mm以上大きくなるように構成される。
(Sealing layer)
The sealing layer 4 is formed on the
封止層4は、絶縁体で形成され、本実施形態において、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂が採用される。当該エポキシ樹脂は、強度向上等を目的としてフィラが添加されていてもよく、例えば、フィラ径が100μm以下の無機フィラを70重量%以上含んでいてもよい。 The sealing layer 4 is formed of an insulator, and in this embodiment, an epoxy resin that is a thermosetting resin is employed. The epoxy resin may be added with a filler for the purpose of improving the strength. For example, the epoxy resin may contain 70% by weight or more of an inorganic filler having a filler diameter of 100 μm or less.
また封止層4は、後述するように、大面積の集合基板上に形成された封止樹脂層を、所定の単位領域毎に切削することにより形成される。したがって、封止層4の側面42は、切削時に切削工具等と接触することで、粗化面となる。すなわち、側面42には微細な凹凸が形成される。
As will be described later, the sealing layer 4 is formed by cutting a sealing resin layer formed on a large-area collective substrate for each predetermined unit region. Therefore, the
(第1の金属膜)
第1の金属膜5は、封止層4の主面41上に配置され、金属箔付樹脂フィルムとして構成される。第1の金属膜5は、接着層51と、金属層52とを有し、例えば全体として主面41と同様の大きさを有する略矩形に構成される。
(First metal film)
The
接着層51は、例えば樹脂製の粘着フィルムとして構成され、主面41に接着される。接着層51は、封止層4の材料と同一の樹脂材料で形成されてもよく、本実施形態においてエポキシ樹脂で形成される。接着層51の厚みは特に限られないが、例えば約5〜30μmである。
The
金属層52は、本実施形態において銅で形成される。すなわち金属層52は、接着層51上に積層された銅箔であり、本実施形態において接着層51と一体に構成される。金属層52の厚みは特にかぎられないが、例えば約1〜10μmの厚みで形成される。
The
(シールド膜)
シールド膜8は、回路モジュール1の電磁シールドとして機能し、電子部品3から発生する電磁波の回路モジュール1外部への漏洩及び外部からの電磁波の侵入を防止する。シールド膜8は、本実施形態において、第1の金属膜5及び封止層4を覆う2層の金属膜で構成され、第2の金属膜6と第3の金属膜7とを有する。
(Shield film)
The shield film 8 functions as an electromagnetic shield of the
第2の金属膜6は、第1の金属膜5の金属層52、封止層4の側面42、及び配線基板2の段差部26を覆うように構成される。すなわち第2の金属膜6は、本実施形態において、Z軸方向と直交する主面と、当該主面の周縁から連続的に形成され主面と直交する4つの側面と、4つの側面と連続し主面と略平行で、かつ段差部26に形成されたフランジ部とを有する。
The
第2の金属膜6は、上記構成により、封止層4を介して電子部品3を覆い、電子部品3と回路モジュール1の外部とを電気的に遮蔽することが可能となる。また第2の金属膜6は、段差部26に露出するGND端子25gと電気的に接続されることで、グランド電位に維持される。したがって、より高い電磁シールド機能を発揮することが可能となる。
With the above configuration, the
第2の金属膜6を形成する材料は、導体であれば特に限られないが、本実施形態において金属層52と同様に銅が採用される。第2の金属膜6の厚みは特に限られず、例えば約0.3〜10μmとすることができる。
The material for forming the
第3の金属膜7は、第2の金属膜6を覆うように形成される。第3の金属膜7の形状は特に限られないが、第2の金属膜6に倣って形成され、例えば、Z軸方向と直交する主面と、主面の周辺から連続的に形成され主面と直交する4つの側面とを有し、さらに4つの側面と連続して形成され主面と平行なフランジ部を有してもよい。
The third metal film 7 is formed so as to cover the
第3の金属膜7を形成する材料は、導体であれば特に限定されず、本実施形態においてニッケルが採用される。これにより第3の金属膜7は、耐腐食性に優れた構成とすることができ、シールド膜8全体の安定性を高めることができる。第3の金属膜7の厚みは特に限られず、例えば約1〜10μmとすることができる。 The material for forming the third metal film 7 is not particularly limited as long as it is a conductor, and nickel is employed in this embodiment. Accordingly, the third metal film 7 can be configured to have excellent corrosion resistance, and the stability of the entire shield film 8 can be improved. The thickness of the third metal film 7 is not particularly limited, and can be about 1 to 10 μm, for example.
以上のように構成される回路モジュール1は、接着層51を介して封止層4上に接着される金属層52と、金属層52上に形成された第2の金属膜7とを有する。このように、第2の金属膜7の下地に金属材料を用いることで、第2の金属膜7の密着性を高めることができる。さらに、上述のように、封止層4の側面42は粗化されている。これにより、側面42においては、アンカー効果により、第2の金属膜7との密着性を高めることが可能となる。したがって、第2の金属膜7の剥離等を抑制することができ、回路モジュール1の製品破損をより抑制することができる。さらに、回路モジュール1の電磁シールド機能を安定して維持することができ、外部への電磁波の漏洩や外部からの電磁波の侵入等を効果的に抑制することができる。
The
また本実施形態において、封止層4と接着層51とを同一の樹脂材料で形成することができる。これにより、封止層4と接着層51との熱膨張率を略同一とすることができ、封止層4と接着層51との剥離や割れ等の破損を抑制することができる。また、接着層51の封止層4への接着性をより高めることができる。
In the present embodiment, the sealing layer 4 and the
また、金属層52と第2の金属膜7とを同一の金属材料で形成することで、より密着性を高めることが可能となる。さらに、金属層52と第2の金属膜7との熱膨張率を略同一とすることができ、金属層52と第2の金属膜7との剥離や割れ等の破損をより抑制することができる。また、第2の金属膜7に銅を採用することで、銅箔で形成されるGND端子25gとも同一の材料とすることができる。これにより、第2の金属膜7とGND端子25gとの接触抵抗を低減し、電磁シールド機能の向上に貢献することができる。
Further, by forming the
次に、以上のように構成された回路モジュール1の製造方法について説明する。
Next, a method for manufacturing the
[回路モジュールの製造方法]
図2〜11は、回路モジュール1の製造方法を説明する概略断面図である。本実施形態に係る回路モジュールの製造方法は、配線基板の準備工程と、電子部品の実装工程と、封止層の形成工程と、第1の金属膜の接着工程と、切削溝の形成工程と、第2の金属膜の形成工程と、第3の金属膜の形成工程と、個片化工程とを有する。以下、各工程について説明する。
[Method for manufacturing circuit module]
2 to 11 are schematic cross-sectional views illustrating a method for manufacturing the
(配線基板の準備工程)
図2は、配線基板の構成を示す概略断面図である。
(Wiring board preparation process)
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of the wiring board.
まず、配線基板20を準備する。配線基板20は、複数枚の配線基板2が面付けされた大面積の集合基板として構成される。以下、上述の配線基板2は、配線基板20上の各単位領域10として説明する。配線基板20には、複数の単位領域10がX軸方向及びY軸方向に相互に隣接して配列される。図2には、各単位領域10間を区画する分離ラインL10を示す。この分離ラインL10は仮想的なものであってもよいし、配線基板20上に実際に印刷等により描かれていてもよい。
First, the
配線基板20は、電子部品3の実装面となる表面210と、表面210に対向する裏面220とを有する。また、配線基板20の表面210、裏面220及び内層部には、単位領域10毎に、所定の配線パターンが形成されている。図2には、配線パターンとして、裏面220に形成された外部電極230と、表面210に形成されたランド部240と、内部配線層250とを示す。これらの配線パターンは、それぞれ、個片化された際の外部接続端子23、ランド部24及び内部配線層25に対応する。
The
配線基板20は、後述する各工程を経て第3の金属膜70までが形成され、最後の個片化工程において分離ラインL10に沿って単位領域10毎に裁断(フルカット)される。これにより、1枚の配線基板20から複数の回路モジュール1が作製される。
The
(電子部品の実装工程)
図3は、電子部品3の実装工程を説明する概略断面図であり、配線基板20上に電子部品3が配置された態様を示す。
(Electronic component mounting process)
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view for explaining a mounting process of the
本工程では、ランド部240を介して電子部品3が配線基板20上に実装される。電子部品3の実装方法としては、例えばリフロー方式が採用される。具体的には、まず、ランド部240に対応する箇所を貫通させたメタルマスクを表面210に配置し、スクリーン印刷法等により半田ペーストが表面210に塗布される。次に、印刷された半田ペーストを介して複数の電子部品3が所定のランド部240に搭載される。その後、電子部品3が搭載された配線基板20をリフロー炉へ搬入し、半田の融点よりも高い温度に加熱することで、半田ペーストを溶融(リフロー)させる。このときの加熱温度は、例えば半田の融点よりも20℃以上以上高い温度とすることができる。これにより、各電子部品3が表面210上に電気的・機械的に接合される。
In this step, the
実装工程後に、ランド部240周囲に残った半田ペーストに含まれる有機物(フラックス残渣)を除去する洗浄工程を行ってもよい。有機物がランド部240周囲に残存していると、リーク電流の発生による絶縁不良や接触不良等の原因となり、不具合を生じることがある。したがって、これらの有機物を洗浄することで、上記不具合を防止することができる。具体的には、まずランド部240周囲の有機物を有機系溶剤等の洗浄液により表面210上を洗浄する。洗浄後は、配線基板20を所定温度で乾燥し、洗浄液を十分揮発させる。
You may perform the washing | cleaning process which removes the organic substance (flux residue) contained in the solder paste remaining around the
(封止層の形成工程)
図4は、封止層40の形成工程を説明する概略断面図であり、配線基板20上に電子部品3を覆う封止層40が形成された態様を示す。
(Sealing layer formation process)
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining the formation process of the
封止層40は、配線基板20上に電子部品3を覆うように形成される。封止層40は、複数の電子部品3よりもZ軸方向に厚く形成される。例えば封止層40は、複数の電子部品3のうちZ軸方向に最も厚い電子部品3よりも約0.1mm以上厚く形成することができる。これにより、電子部品3を封止層40で確実に被覆することができ、外気の侵入による電子部品3の劣化や、電子部品3と第1の金属膜5との短絡等の不具合を防止することができる。
The
封止層40の形成方法は特に限定されず、例えば、液状又はペースト状の封止樹脂材料をスクリーン印刷法により表面210上に塗布した後、所定の処理により硬化させてもよい。塗布の方法は、スピンコート法等でもよい。あるいは、封止層5の形成方法として、モールド成形法、ポッティング成形法等も適用可能である。
The formation method of the
封止樹脂の硬化方法としては、封止樹脂の材料に応じて適宜選択することができる。本実施形態において、封止層40は、熱硬化樹脂であるエポキシ樹脂で形成されるため、熱処理を施すことで当該樹脂を硬化させることが可能である。熱処理の方法は特に限られないが、異なる温度で段階的に加熱してもよく、例えば2段階の温度で加熱してもよい。熱処理後は、封止樹脂を室温程度にまで冷却し、封止層40を形成する。この際、例えば、0.5℃/分以下で漸次冷却するようにしてもよい。これにより、封止樹脂の急速な冷却に伴うクラック等の発生を防止することができる。また硬化を促進するため、封止樹脂材料に所定量の硬化剤を混合してもよい。エポキシ樹脂を用いる場合には、例えば酸無水系又はアミン系等の硬化剤を用いることができる。
The curing method of the sealing resin can be appropriately selected according to the material of the sealing resin. In this embodiment, since the
また必要に応じて、封止層5の塗布後、硬化処理の前に、封止樹脂材料のボイド(気泡)を除去する処理を行ってもよい。例えば、封止樹脂材料が粘性を有する場合には、ランド部240と電子部品3との隙間等にボイドが形成されることがある。そこで、樹脂供給後の配線基板20を真空チャンバ等に搬送し、当該真空チャンバ内の圧力を所定の真空度まで低下させる。これによりボイドを除去することが可能であり、その後大気圧程度にまで圧力を上昇(回復)する。また、このような圧力の低下及び上昇を所定サイクル繰り返してもよい。あるいは、封止樹脂材料の塗布自体を真空下で行うことにより、ボイドの発生を抑制ことも可能である。
Moreover, you may perform the process which removes the void (bubble) of sealing resin material after application | coating of the
このようにして形成された封止層40は、表面210とZ軸方向に対向する天面410を有し、配線基板20の表面210全体を被覆するように構成される。天面410は、封止層40の外表面を構成し、表面210とZ軸方向に対向して形成される面である。また天面410は、個片化後、各回路モジュール1の封止層4の主面41を構成する。
The
(第1の金属膜の接着工程)
図5は、第1の金属膜50の接着工程を説明する概略断面図であり、封止層40の天面410に第1の金属膜50が接着された態様を示す。
(Adhesion process of the first metal film)
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view for explaining the bonding process of the
第1の金属膜50は、接着層510と、接着層510上に積層された金属層520とを有し、金属箔付樹脂フィルムとして構成される。第1の金属膜50は、封止層40の天面410に接着される。すなわち、第1の金属膜50は、天面410側に接着層510を向けて接着される。また金属層520は、外方に向けて接着層510上に配置される。
The
接着層510は、本実施形態において熱硬化樹脂であるエポキシ樹脂で形成され、本工程に際し予め半硬化(Bステージ化)されている。このため接着層510は、粘着性を有しており、封止層40上に容易に貼付される。
The
第1の金属膜50の接着方法は特に限られない。例えば、接着層510を封止層40上に載置した後、真空ラミネータ等を用いて、接着層510を真空下で加熱し封止層40上に圧着する。これにより、接着層510と封止層40との間に気泡等を発生させることなく、これらを密着させることが可能となる。接着層510は、圧着後、熱処理等により硬化させることで、封止層40上に固定される。
The bonding method of the
(切削溝の形成工程)
図6は、切削溝の形成工程を説明する概略断面図であり、第1の金属膜50、封止層40及び配線基板20の内部に切削溝L20が形成された態様を示す。本工程は、例えばダイサーにより所定形状の切削溝L20を形成し、配線基板20をハーフカットする。
(Cutting groove forming process)
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view illustrating a process for forming a cutting groove, and shows a mode in which a cutting groove L20 is formed inside the
切削溝L20は、複数の単位領域10を区画するように分離ラインL10に沿って形成される。すなわち切削溝L20は、全体として、X軸方向及びY軸方向に沿って格子状に形成される。ここで、切削溝L20のXY平面内における短手方向を「幅」と定義すると、切削溝L20は、第1の幅W1で形成される。本工程では、第1の幅W1に相当する幅を有するダイシングブレードを用いることで、第1の幅W1の切削溝L20を形成することができる。第1の幅W1は特に限られないが、例えば約0.3mm〜1.0mmとすることができる。
The cutting groove L20 is formed along the separation line L10 so as to partition the plurality of
また切削溝L20は、第1の幅W1と略同一の幅の底面を有する。底面の形状は平坦面でも、曲面でも特に限られない。なお分離ラインL10は、底面に沿って走行する。 The cutting groove L20 has a bottom surface having a width substantially the same as the first width W1. The shape of the bottom surface is not particularly limited to a flat surface or a curved surface. The separation line L10 travels along the bottom surface.
切削溝L20は、本実施形態において、第1の金属膜50上から配線基板20の内部配線層250に達する深さで形成される。より具体的には、切削溝L20は、切削溝L20の側壁面に内部配線層250の側面が露出する深さで形成されるが、例えば切削溝L20の底面等に内部配線層25gが露出される深さであってもよい。この深さは、基板の強度を損なうことがないように設計されるが、一般的には0.05〜0.4mm程度である。これにより、切削溝L20の側壁面には、内部配線層250を含む配線基板20、封止層40、第1の金属膜50が露見されることとなる。
In this embodiment, the cutting groove L20 is formed with a depth reaching the
本工程により、第1の金属膜50(接着層510、金属層520)、封止層40及び配線内部配線層250が配線基板20の単位領域10毎に分割される。その結果、第1の金属膜5(接着層51、金属層52)、封止層4及び内部配線層25が形成される。なお内部配線層25のうち、切削溝L20内に露出する部分は、GND端子25gを構成する。
By this step, the first metal film 50 (
また、封止層4の側面には、切削溝L20の側壁面の一部を構成する側面42が形成される。側面42は、回転及び直線移動するダイシングブレードと接触し、磨耗されることで形成される。したがって側面42は粗化され、微細な凹凸が形成される。
Further, a
(第2の金属膜の形成工程)
図7及び図8は、第2の金属膜60の形成工程を説明する概略断面図であり、図7は、第2の金属膜60を形成するための準備として裏面220がマスキングテープMで被覆された態様を示し、図8は、第2の金属膜60が形成された態様を示す。本工程は、めっき法により、例えば銅で形成された第2の金属膜60を形成する。
(Second metal film forming step)
7 and 8 are schematic cross-sectional views for explaining a process of forming the
本工程は、例えば無電解めっき工程後に電解めっき工程を行う。これにより、導体に限られず絶縁体上へも均一に金属膜を析出させることができ、かつ効率よく金属膜を成長させることができる。なお、これに限られず、無電解めっき工程のみでもよい。 In this step, for example, an electroplating step is performed after the electroless plating step. Thereby, the metal film can be uniformly deposited on the insulator without being limited to the conductor, and the metal film can be efficiently grown. In addition, it is not restricted to this, Only an electroless-plating process may be sufficient.
本工程では、無電解めっき工程を行う前に、裏面220をマスキングテープM等の保護テープで予め被覆する。本工程に係る無電解めっき工程では、配線基板20も含めた全体をめっき液に浸漬するため、樹脂材料を含む外周面全体に金属が析出することとなる。これにより、仮に裏面220の外部電極230以外の領域に金属膜(めっき)が形成された場合には、絶縁不良等の原因となる。したがって、本実施形態では、裏面220をマスキングテープMで被覆することで、裏面220への金属の析出を防止する。マスキングテープMは特に限られず、めっき液の浸漬に対して粘着性を喪失しない程度の、比較的弱い粘着力のものを採用することができる。なお、配線基板20の側面については、典型的には個片化工程の際に切除され、金属膜が形成されても問題が生じないため、マスキングテープMの有無については特に限られない。
In this step, before the electroless plating step is performed, the
そして、マスキングテープMを貼付した配線基板、封止層等を含む全体をめっき液に浸漬し、無電解めっき工程を行う。これにより、絶縁体である封止層40や配線基板20、マスキングテープM上等、モジュール構造の外周面全体に金属膜を析出させることが可能となる。また、切削溝L20の側壁面及び底面にも、金属膜が析出される。
Then, the entire substrate including the wiring board with the masking tape M and the sealing layer is immersed in a plating solution, and an electroless plating process is performed. This makes it possible to deposit a metal film on the entire outer peripheral surface of the module structure, such as on the
次に電解めっき工程により、無電解めっき工程において形成した金属膜をシード層としてさらに金属膜を成長させ、第2の金属膜60を形成する。これにより、切削溝L20内を含む外周面全体に、例えば約0.3μm〜10μmの厚みの第2の金属膜60が形成される。本実施形態においては、無電解めっき法だけでなく、膜厚が制限が少なく、かつ膜形成速度が比較的速い電解めっき法も採用することで、所望の厚みの金属膜を効率的に成長させることが可能となる。
Next, in the electrolytic plating process, the metal film formed in the electroless plating process is used as a seed layer to further grow the metal film, thereby forming the
(第3の金属膜の形成工程)
図9は、第3の金属膜70の形成工程を説明する概略断面図であり、第2の金属膜60を覆う第3の金属膜70が形成された態様を示す。本工程も、めっき法により、例えばニッケルで形成された第3の金属膜70を形成する。第3の金属膜70の形成方法は、例えば電解めっき法が採用されるが、無電解めっき法を採用してもよい。第3の金属膜70は、例えば約1μm〜10μmの厚みで第2の金属膜60に倣って形成される。
(Third metal film forming step)
FIG. 9 is a schematic cross-sectional view for explaining a process of forming the
第3の金属膜70が形成された後、マスキングテープMが除去される。図10は、マスキングテープMが除去された態様を示す概略断面図である。これにより、マスキングテープMの表面に形成された第2及び第3の金属膜60,70もマスキングテープMとともに除去される。上述の通り、マスキングテープMは、本実施形態において、粘着力が比較的弱いものを採用することができる。これにより、マスキングテープMを剥がす際に、回路モジュール1内に発生する応力を低減し、破損を防止することができる。
After the
(個片化工程)
図11は、個片化工程を説明する概略断面図であり、配線基板20が裁断され、個片化された態様を示す。本工程では、配線基板20を切削溝L20に沿って切削して、複数の単位領域10をそれぞれ個片化する。
(Individualization process)
FIG. 11 is a schematic cross-sectional view for explaining the singulation process, and shows an aspect in which the
より具体的には、配線基板20は、例えばダイサー等により、切削溝L20の底面を走行する分離ラインL10に沿って裁断(フルカット)される。また配線基板20は、第1の幅W1より狭い第2の幅W2で切削される。このとき、第2の幅W2に相当する幅を有するダイシングブレードを用いてもよい。第2の幅W2は特に限られないが、例えば0.2〜0.9mmとすることができる。これにより、切削溝L20の側壁面に形成された第2及び第3の金属膜60,70を切除することなく、切削溝L20の底面のみを切削することが可能となる。
More specifically, the
本工程により、第2及び第3の金属膜60,70及び配線基板20が単位領域10毎に分割される。その結果、既に形成された第1の金属膜5、封止層4等に加え、第2及び第3の金属膜6,7及び配線基板2が形成される。また、切削溝L20の底面の一部が切削されることで、配線基板2の段差部26が形成される(図1参照)。これにより、上述の構成を有する回路モジュール1が作製される。
By this step, the second and
以上の各工程により、回路モジュール1が製造される。本実施形態に係る回路モジュールの製造方法では、接着層51の粘着力を利用して、封止層4上に第1の金属膜5を接着させる。これにより、第2の金属膜6の封止層4への密着性を高め、剥がれ等の不具合を防止することができる。したがって、より取り扱い性と耐久性とに優れた構成とすることができる。
The
さらに本実施形態において、金属層52と第2の金属膜6とが同一の金属材料である銅で形成される。これにより、第1の金属膜5をめっきのシード層として機能させ、第2の金属膜6を第1の金属膜5上に析出させることが容易になる。さらに、第2の金属膜6と第1の金属膜5との密着性を高めることができる。
Furthermore, in this embodiment, the
また、第3の金属膜7の材料としてニッケルを採用することで、材料費を比較的低コストに抑えつつ、強度及び耐腐食性の高い構成とすることができる。 Further, by adopting nickel as the material of the third metal film 7, it is possible to obtain a structure having high strength and corrosion resistance while keeping the material cost relatively low.
また、第2及び第3の金属膜6,7がめっき法で形成されることにより、アスペクト比の高い切削溝L20の内部にも、第2及び第3の金属膜6,7を均一に形成することができる。これにより、封止層4の側面42を確実に被覆できる。さらに、図9を参照し、対向する切削溝L20の側壁面にそれぞれ形成された第3の金属膜7間を第2の幅以上に離間させることができる。したがって、ダイサーを用いて容易に裁断することが可能となる。
Further, by forming the second and
ここで、図12及び図13は、本実施形態の比較例に係る回路モジュールの構成を示す概略断面図である。図12、図13に記載の回路モジュール1A、1Bを参照し、本実施形態に係る回路モジュール1の作用効果をより詳細に説明する。
Here, FIG. 12 and FIG. 13 are schematic cross-sectional views illustrating the configuration of a circuit module according to a comparative example of the present embodiment. The operational effects of the
図12に示す回路モジュール1Aは、配線基板2A、封止層4Aとを有する。回路モジュール1Aの回路モジュール1と異なる点は、シールド膜として導電性樹脂膜6Aを有する点である。導電性樹脂膜6Aは、ベースとなる樹脂材料中に導電性粒子が分散した構成を有する。このため導電性樹脂膜6Aは、樹脂材料からなる封止層4Aに対しても、高い密着性を有する。
A
しかしながら、導電性樹脂膜6Aは、導電性材料として銀等を用いることが多く、コスト的に不利であった。
However, the
一方、図13に示す回路モジュール1Bは、配線基板2Bと、封止層4Bとを有し、さらにシールド膜としてめっき法により形成された金属膜6B,7Bを有する。めっき法を採用することで、金属膜6B,7Bの材料の選択性を高め、金属膜6B,7Bを比較的安価に形成することができる。
On the other hand, the
しかしながら、金属膜6Bを封止層4B上に形成する際は、めっき工程の前に予め封止層4Bの表面を粗化し、アンカー効果により密着性を確保する必要があった。樹脂材料の粗化の方法として、例えばデスミア処理が知られている(特許文献3参照)。
However, when forming the
デスミア処理は、過マンガン酸塩等の強アルカリ塩を主成分とする処理液により、樹脂材料表面を酸化分解する処理である。デスミア処理は、一般に、配線基板のビアを機械的に形成する際のスミア(ビア周辺に残存する樹脂)を除去するために用いられるが、めっき処理の際の下地処理として、樹脂材料上に凹凸構造を形成するためにも用いられる。デスミア処理においては、モジュール構造全体を処理液に浸漬するため、外部電極等まで酸化分解してしまう可能性がある。そこで、デスミア処理液から保護するために、実装部分をマスキングテープ等で被覆する必要がある。 The desmear treatment is a treatment in which the surface of the resin material is oxidatively decomposed with a treatment liquid mainly composed of a strong alkali salt such as permanganate. Desmear treatment is generally used to remove smear (resin remaining around the via) when mechanically forming vias on the wiring board, but as a base treatment during plating treatment, unevenness is formed on the resin material. Also used to form structures. In the desmear process, since the entire module structure is immersed in the processing solution, there is a possibility that the external electrode and the like are oxidized and decomposed. Therefore, in order to protect from the desmear treatment liquid, it is necessary to cover the mounting portion with a masking tape or the like.
このようなマスキングテープは、アルカリ耐性を有するものが採用され、粘着力が比較的強いものが多い。したがって、当該テープを剥がす際に、回路モジュール1Bに大きな応力がかかり、割れやクラック等が発生することがあった。また、本実施形態と同様に切削溝を形成する工程を経る場合には、配線基板の厚みが切削溝下の領域で他の領域よりも薄くなるため(図6等参照)、当該切削溝下の領域において特に割れやクラック等が発生しやすかった。
As such a masking tape, one having alkali resistance is adopted, and many of them have relatively strong adhesive force. Therefore, when the tape is peeled off, a large stress is applied to the
そこで、本実施形態に係る回路モジュール1によれば、めっき法によって形成される第2の金属膜6が、第1の金属膜5を介して封止層4の主面41上に形成される。これにより、デスミア処理をせずとも、第2の金属膜6の密着性を高めることができる。したがって、マスキングテープの選択性を高めることができ、より粘着力の低いテープを用いることで、上記割れやクラック等の不具合を抑制することが可能となる。
Therefore, according to the
さらに、切削溝L20の形成には、上述のように、ダイサーが用いられる。これにより、側面42を含む切削溝L20の側壁面が粗化されることとなる。したがって、側面42においても、アンカー効果により、第2の金属膜6との密着性を高めることが可能となる。
Furthermore, a dicer is used for forming the cutting groove L20 as described above. Thereby, the side wall surface of the cutting groove L20 including the
以上、本発明の実施形態について説明したが、これに限定されることはなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。 The embodiment of the present invention has been described above, but the present invention is not limited to this, and various modifications can be made based on the technical idea of the present invention.
以上の実施形態において、第1の金属膜5の金属層52は銅で形成されると説明したが、これに限られず、例えばニッケル等の他の金属を採用してもよい。
In the above embodiment, it has been described that the
第2の金属膜6の材料も銅に限られず、例えばニッケル等の他の金属を採用してもよい。さらに、第3の金属膜7についても、ニッケルに限られない。例えば電解めっき法の場合には、銀、金等、無電解めっき法の場合には、ニッケル、金、パラジウム等の金属を採用することができる。また、第3の金属膜7を覆う金属膜をさらに形成し、シールド膜8を3層以上の構成としてもよい。
The material of the
あるいは、第3の金属膜7を有さない構成とすることも可能である。 Alternatively, a configuration without the third metal film 7 is also possible.
また、封止層4及び第1の金属膜5の接着層51の材料についても、エポキシ樹脂に限られず、他の絶縁体を採用することができる。また勿論、それぞれ異なる材料であってもよい。
Further, the materials of the sealing layer 4 and the
以上の実施形態において、第2及び第3の金属膜6,7をめっき法により形成すると説明したが、これに限られない。例えば、スパッタ、蒸着等の真空プロセスを用いてもよいし、ディッピング、溶射等で形成してもよい。
In the above embodiment, it has been described that the second and
また、切削工程に用いる工具はダイサーに限られず、例えばルータ、フライスを用いてもよい。さらに個片化工程における切削(裁断)には、ダイサー、ルータ等を用いた方法の他、配線基板20がセラミック等の脆性のある材料で形成される場合には、せん断力により配線基板20を分割する方法等を適宜採用することができる。また、切削溝L20に沿ってレーザ等を照射することで、配線基板20を分割してもよい。
Moreover, the tool used for a cutting process is not restricted to a dicer, For example, you may use a router and a milling cutter. Further, in the cutting (cutting) in the singulation process, in addition to a method using a dicer, a router, or the like, when the
1…回路モジュール
2,20…配線基板
3…電子部品
4,40…封止層
5,50…第1の金属膜
6,60…第2の金属膜
7,70…第3の金属膜
10…単位領域
21,210…表面
25,250…内部配線層
41…主面
42…側面
51,510…接着層
52,520…金属層
410…天面
L20…切削溝
DESCRIPTION OF
Claims (14)
前記封止層の天面に第1の金属膜を接着し、
前記複数の単位領域を区画する切削溝を、前記第1の金属膜上から前記配線基板の内部に達する深さで形成し、
前記複数の単位領域各々の前記封止層の前記切削溝内に露出した側面と前記第1の金属膜とを覆う第2の金属膜を形成する
回路モジュールの製造方法。 Forming a sealing layer covering the electronic component on a wiring board having a plurality of unit regions each mounted with the electronic component;
Adhering the first metal film to the top surface of the sealing layer,
A cutting groove that divides the plurality of unit regions is formed at a depth reaching the inside of the wiring board from the first metal film,
A method of manufacturing a circuit module, comprising: forming a second metal film that covers a side surface exposed in the cutting groove of the sealing layer in each of the plurality of unit regions and the first metal film.
前記第2の金属膜を形成する工程は、めっき法によって前記第2の金属膜を形成する
回路モジュールの製造方法。 A method for manufacturing a circuit module according to claim 1,
The step of forming the second metal film includes forming the second metal film by a plating method.
前記第2の金属膜を形成する工程の後に、前記第2の金属膜を覆う第3の金属膜を形成する
回路モジュールの製造方法。 It is a manufacturing method of the circuit module of Claim 1 or 2, Comprising: After the process of forming a said 2nd metal film, the 3rd metal film which covers the said 2nd metal film is formed. Production method.
前記第3の金属膜を形成する工程は、めっき法によって前記第3の金属膜を形成する
回路モジュールの製造方法。 A method of manufacturing a circuit module according to claim 3,
The step of forming the third metal film includes forming the third metal film by a plating method.
前記第1の金属膜は、接着層と前記接着層上に形成された金属層とを有し、
前記第1の金属膜を接着する工程は、前記接着層を前記天面に接着する
回路モジュールの製造方法。 A method for manufacturing a circuit module according to any one of claims 1 to 4,
The first metal film has an adhesive layer and a metal layer formed on the adhesive layer,
The step of adhering the first metal film includes adhering the adhesive layer to the top surface.
前記切削溝を形成する工程は、前記配線基板内に形成された内部配線層に達する深さで前記切削溝を形成する
回路モジュールの製造方法。 A method for manufacturing a circuit module according to any one of claims 1 to 5,
The step of forming the cutting groove forms the cutting groove at a depth reaching an internal wiring layer formed in the wiring board.
前記切削溝を形成する工程は、第1の幅で前記切削溝を形成し、
前記回路モジュールの製造方法は、さらに
前記第2の金属膜を形成する工程の後に、前記配線基板を前記切削溝に沿って前記第1の幅より狭い第2の幅で切削して、前記複数の単位領域をそれぞれ個片化する
回路モジュールの製造方法。 A method for manufacturing a circuit module according to any one of claims 1 to 6,
The step of forming the cutting groove forms the cutting groove with a first width,
The method for manufacturing the circuit module further includes, after the step of forming the second metal film, cutting the wiring board along the cutting groove with a second width narrower than the first width, A method for manufacturing a circuit module, in which each unit area is individually separated.
前記表面と対向する主面と、前記主面の周囲に連続して形成された側面とを有し、前記配線基板上に形成され、前記電子部品を覆う封止層と、
前記主面に接着された接着層と、前記接着層上に積層された金属層とを有する第1の金属膜と、
前記封止層の前記側面と前記金属層とを覆う第2の金属膜と
を具備する回路モジュール。 A wiring board having a surface on which electronic components are mounted;
A sealing layer that has a main surface facing the surface and a side surface continuously formed around the main surface, is formed on the wiring board and covers the electronic component;
A first metal film having an adhesive layer adhered to the main surface, and a metal layer laminated on the adhesive layer;
A circuit module comprising: a second metal film that covers the side surface of the sealing layer and the metal layer.
前記側面は、粗化面である
回路モジュール。 The circuit module according to claim 8, wherein
The side surface is a roughened surface circuit module.
前記封止層と前記接着層とは、同一の樹脂材料で形成される
回路モジュール。 A circuit module according to claim 8 or 9, wherein
The circuit module is formed of the same resin material as the sealing layer and the adhesive layer.
前記樹脂材料は、熱硬化性樹脂である
回路モジュール。 The circuit module according to claim 10, comprising:
The circuit module, wherein the resin material is a thermosetting resin.
前記第1の金属膜と前記第2の金属膜とは、銅で形成される
回路モジュール。 The circuit module according to any one of claims 8 to 11,
The first metal film and the second metal film are formed of copper.
前記第2の金属膜を覆う第3の金属膜をさらに具備する
回路モジュール。 The circuit module according to any one of claims 8 to 12,
A circuit module further comprising a third metal film covering the second metal film.
前記第3の金属膜は、ニッケルで形成される
回路モジュール。 The circuit module according to claim 13,
The third metal film is formed of nickel.
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