JP2014199992A - 受信モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】受信感度が低下するのを抑制することが可能な受信モジュールを提供する。【解決手段】信号電極の第二方向の寸法が、第一素子の第一電極２３ａに接続される第一接続部分から第二素子の第二電極２３ｂに接続される第二接続部分にかけて徐々に大きくなっているため、第一電極と第二方向とでの第二方向の寸法が異なる場合であっても、伝送損失を抑制しつつ一の基板（第一誘電体基板）２０に搭載して用いることができる。【選択図】図１

Description

本発明は、受信モジュールに関する。

光信号を受信する受信モジュールが知られている（例えば、特許文献１、２参照）。このような受信モジュールは、例えば２０ＧＨｚ以上の周波数帯域の高周波の電気信号に変換して出力する光受信器と、当該光受信器から出力される電気信号を伝送する伝送路を備える構成が知られている。

このような伝送路としては、誘電体基板の表面（一主面）に高周波の電気信号を伝送するための信号電極が設けられ、裏面（他の主面）にＧＮＤ電極（接地電極）が形成されたマイクロストリップラインと称されるマイクロストリップ（ＭＳＷ）型伝送路、あるいは誘電体基板の表面（一主面）に高周波の電気信号を伝送するための信号電極及びＧＮＤ電極（接地電極）が形成されたコプレーナラインと称されるコプレーナ（ＣＰＷ）型伝送路、またはＣＰＷ型伝送路が形成された基板の裏面にＣＰＷの接地電極とビアを介して接続された接地電極が更に形成されたグランデッドコプレーナ（ＧＣＰＷ）型伝送路が一般的である（特許文献１、２等参照）。

受信モジュールの伝送路としては、その目的や伝送路上に設けられる素子に応じて、適宜選択される。例えば、フォトダイオードなどの光電変換素子で受光した信号を、増幅器を介し、さらに直流成分を除去する目的で、コンデンサ素子に接続する場合、素子の電極形状とインピーダンス整合をそれぞれの回路で最適化する為に、ＭＳＷとＣＰＷ、もしくはＧＣＰＷの伝送路を適宜選択し、組み合わせた構成となっていた。

特開２０１０−０８７９００号公報 特開２０１０−２８３７２７号公報

しかしながら、上記のように素子毎に基板を跨ぐように接続された構成では、接続部における伝送損失が大きくなり、信号品質が劣化するという問題があった。特に基板間で信号電極の幅が大きく異なる場合はその問題が顕著であった。

以上のような事情に鑑み、本発明は、受信感度が低下するのを抑制することが可能な受信モジュールを提供することを目的とする。

本発明に係る光モジュールは、光信号を受信し高周波の電気信号に変換して出力する光受信器と、一の主面を有すると共に、前記電気信号が入力される第一素子と、前記主面の第一方向に沿って形成され前記第一素子に接続された信号電極と、前記信号電極に接続された第二素子と、前記第二素子に接続され前記電気信号を出力する出力電極とを有する電気回路が前記主面に形成された第一誘電体基板と、前記出力電極に接続され前記電気信号を伝送する伝送電極を有する第二誘電体基板とを備え、前記第一素子は、前記第一方向に直交する第二方向ついて第一の寸法を有し前記信号電極に接続された第一電極を有し、前記第二素子は、前記第二方向について前記第一の寸法よりも大きい第二の寸法を有し前記信号電極に接続された第二電極を有し、前記信号電極は、前記第一電極との第一接続部分では前記第二方向について前記第一の寸法を有し、かつ、前記第二電極との第二接続部分では前記第二方向について前記第二の寸法を有し、前記信号電極の前記第二方向の寸法は、前記第一接続部分から前記第二接続部分にかけて徐々に大きくなっている。

また、前記電気回路は、前記主面に複数形成されている構成であってもよい。

また、前記第二素子として、前記電気信号のうち直流成分を除去するフィルタが用いられている構成であってもよい。

また、前記信号電極と前記第二素子との間は、導電性を有する接合材によって接合されており、前記接合材は、前記第二素子にかけて徐々に厚くなっている構成であってもよい。

本発明によれば、信号電極の第二方向の寸法が、第一素子の第一電極に接続される第一接続部分から第二素子の第二電極に接続される第二接続部分にかけて徐々に大きくなっているため、第一電極と第二方向とでの第二方向の寸法が異なる場合であっても、伝送損失を抑制しつつ一の基板（第一誘電体基板）に搭載して用いることができる。これにより、受信感度が低下するのを抑制することが可能な受信モジュールを提供することができる。

本発明の実施の形態に係る受信モジュールの全体構成を模式的に示す平面図。 本実施形態に係る受信モジュールの一部の構成を拡大して示す平面図。 本実施形態に係る受信モジュールの一部の構成を拡大して示す平面図。 図１におけるＡ−Ａ断面に沿った構成を示す図。 本実施形態に係る受信モジュールと比較例に係る受信モジュールとを示す図。 本実施形態に係る受信モジュールと比較例に係る受信モジュールとを示す図。 受信モジュールの周波数特性を示すグラフ。

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。
図１は、本実施形態に係る受信モジュール１００の構成を示す図である。
図１に示すように、受信モジュール１００は、光受信器１０と、第一誘電体基板２０と、第二誘電体基板３０とを備えている。図１では、光受信器１０、第一誘電体基板２０及び第二誘電体基板３０が一方向に並んで配置されている。

光受信器１０は、光信号を受信し、高周波の電気信号に変換して出力する。変換された電気信号は信号出力部１０ａ、１０ｂより出力される。

第一誘電体基板２０は、誘電体を用いて形成されている。第一誘電体基板２０は、平面視で矩形に形成されている。第一誘電体基板２０としては、例えば高い熱伝導率、優れた電気的絶縁性を有するセラミック基板が好ましい。また、第一誘電体基板２０として、例えば、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）基板、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板、窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）基板等を目的や用途に合わせて選択使用することができる。特に、高周波電気信号用伝送路の基板としては、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）基板が好適である。

第一誘電体基板２０は、主面２０ａと、４つの側面２０ｂ〜２０ｅを有している。主面２０ａには、増幅器（第一素子）２２と、信号電極部２３と、グランド電極部２４と、抵抗部２５と、フィルタ部（第二素子）２６と、出力電極部２７とが形成されている。

増幅器２２は、トランスインピーダンスアンプ等の信号増幅回路で形成され、堀り込み部２１を有する第一誘電体基板２０に実装される。掘り込み部２１は、さらに複数（本実施形態では、４つ）のサーマルビア２１ａによって構成され、第一誘電体基板２０に実装されている。この構成により、増幅器２２において生じた熱がサーマルビア２１ａを介して第一誘電体基板２０に移動する（逃がされる）ようになっている。増幅器２２は、光受信器１０の信号出力部１０ａ、１０ｂに接続されている。本構成では、掘り込み部２１及びサーマルビア２１ａを利用しているが、サーマルビア２１ａがない構成としてもよい。

増幅器２２は、回路基板２１上に形成された複数の接続端子２２ａ〜２２ｅを有している。接続端子（第一電極）２２ａ及び接続端子（第一電極）２２ｂは、信号電極部２３に接続されている。接続端子２２ａは、信号出力部１０ａから回路基板２１を介した第一電気信号を出力する。接続端子２２ｂは、信号出力部１０ｂから回路基板２１を介した第二電気信号を出力する。接続端子２２ｃ〜２２ｅは、グランド電極部２４（グランド電極２４ａ、２４ｂ、２４ｃ）に接続されている。

信号電極部２３は、第一信号電極（信号電極）２３ａ及び第二信号電極（信号電極）２３ｂを有する。
第一信号電極２３ａは、第一方向（図１の左右方向）に長手となるように形成されている。第一信号電極２３ａは、第一方向の一端部（接続部２３ｃ：第一接続部分）が接続端子２２ａに接続されている。第一信号電極２３ａは、接続端子２２ａから出力される第一電気信号を伝送する。第一信号電極２３ａは、接続部２３ｃから電気信号の伝送方向（図中右側）へ向けて第一誘電体基板２０の側面２０ｄに徐々に近づくように延びている。

第二信号電極２３ｂは、第一方向に長手となるように形成されている。第二信号電極２３ｂは、第一方向の一端部（接続部２３ｄ：第一接続部分）が接続端子２２ｂに接続されている。第二信号電極２３ｂは、接続端子２２ｂから出力される第二電気信号を伝送する。第二信号電極２３ｂは、第一信号電極２３ａと上下対称に形成されている。すなわち、第二信号電極２３ｂは、接続部２３ｄから電気信号の伝送方向の下流側（図中右側）へ向けて第一誘電体基板２０の側面２０ｅに徐々に近づくように延びている。

第一信号電極２３ａ及び第二信号電極２３ｂを構成する導体材料としては、例えば金（Ａｕ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）等から選択される１種からなる金属または２種以上を含む合金が挙げられる。合金としては、金−クロム（Ａｕ−Ｃｒ）、金−ニクロム（Ａｕ−ＮｉＣｒ）、金−ニクロム−パラジウム（Ａｕ−ＮｉＣｒ−Ｐｄ）、金−パラジウム−チタン（Ａｕ−Ｐｄ−Ｔｉ）等の合金が挙げられる。

グランド電極部２４は、グランド電極２４ａ〜２４ｄを有している。グランド電極２４ａは、接続端子２２ｃに接続されている。グランド電極２４ｂ、２４ｃは、回路基板２１側の端部において連結されている。グランド電極２４ｂ、２４ｃの連結部は、接続端子２２ｄに接続されている。グランド電極２４ｄは、接続端子２２ｅに接続されている。

グランド電極２４ａ〜２４ｄは、第一信号電極２３ａ及び第二信号電極２３ｂを挟む位置に配置されている。
具体的には、グランド電極２４ａ、２４ｂは、第一信号電極２３ａを第二方向に挟む位置に配置されている。グランド電極２４ａ、２４ｂは、第一信号電極２３ａとの間で第二方向に間隔を空けて配置されている。グランド電極２４ａ、２４ｂは、第一信号電極２３ａとの間隔が一定の比率となるように配置され、第一信号電極２３ａにおけるインピーダンスが所望の大きさとなるよう配置されている。インピーダンスは通常５０Ωに設定されるが、信号の伝送特性に問題がなければそれ以外の大きさでもよい。グランド電極２４ａ、２４ｂは、第一信号電極２３ａに沿うように配置されている。

また、グランド電極２４ｃ、２４ｄは、第二信号電極２３ｂを第二方向に挟む位置に配置されている。グランド電極２４ｃ、２４ｄは、第二信号電極２３ｂとの間で第二方向に間隔を空けて配置されている。グランド電極２４ｃ、２４ｄは、第二信号電極２３ｂとの間隔が一定の比率となるように配置され、第二信号電極２３ｂにおけるインピーダンスが所望の大きさとなるよう配置されている。インピーダンスは通常５０Ωに設定されるが、信号の伝送特性に問題がなければそれ以外の大きさでもよい。グランド電極２４ｃ、２４ｄは、第二信号電極２３ｂに沿うように配置されている。

なお、グランド電極２４ａ〜２４ｃは、インピーダンスの不連続性が小さくなる形状であれば、放物線状のテーパー状、多段階の階段状などの形状であってもよい。グランド電極部２４を構成する導体材料としては、第一信号電極２３ａ及び第二信号電極２３ｂと同様の金属または合金が挙げられる。

抵抗部２５は、信号電極部２３及びグランド電極部２４を第二方向に挟む位置に配置されている。抵抗部２５は、グランド電極部２４による電気信号の伝送方向に沿って帯状に形成されている。これにより、第一誘電体基板２０の主面２０ａに発生する定在波の電流を効率的に吸収することが可能となっている。

抵抗部２５は、抵抗層２５ａ〜２５ｃを有している。抵抗層２５ａは、グランド電極２４ａに沿って形成されている。抵抗層２５ｂは、グランド電極２４ｂとグランド電極２４ｃとの間にＶ字状に形成されている。抵抗層２５ｃは、グランド電極２４ｃに沿って形成されている。抵抗層２５ａ、２５ｃは、回路基板２１の角部近傍から第一誘電体基板２０の側面２０ｃにかけて、第一方向に途切れることなく形成されている。また、抵抗層２５ｂは、グランド電極２４ｂとグランド電極２４ｃとの分岐部から側面２０ｃにかけて、第一方向に途切れることなく形成されている。

抵抗層２５ａ〜抵抗層２５ｃを構成する材料としては、窒化タンタル（Ｔａ_２Ｎ）、タンタル−ケイ素（Ｔａ−Ｓｉ）、タンタル−炭化ケイ素（Ｔａ−ＳｉＣ）、タンタル−アルミニウム−窒素（Ｔａ−Ａｌ−Ｎ）等のタンタル系材料、ニクロム（ＮｉＣｒ）、ニクロム−ケイ素（ＮｉＣｒ−Ｓｉ）等のニクロム系材料、酸化ルテニウム−ルテニウム（Ｒｕ−ＲｕＯ）等のルテニウム系材料等が挙げられる。

フィルタ部２６は、信号電極部２３を介して伝送される電気信号のうち直流成分を除去する。フィルタ部２６は、コンデンサ２６ａ及びコンデンサ２６ｂを有している。コンデンサ２６ａは、接続電極２６ｃ、２６ｅを有している。接続電極２６ｃは、コンデンサ２６ａのうち第一方向の一端面（電気信号の伝送方向の上流側端面）に配置されている。接続電極２６ｃは、第一信号電極２３ａの端部（接続部４１ａ：第二接続部分）に接続されている。接続電極２６ｅは、コンデンサ２６ａのうち第一方向の他端面（電気信号の伝送方向の下流側端面）に配置されている。

一方、コンデンサ２６ｂは、接続電極２６ｄ、２６ｆを有している。接続電極２６ｄは、コンデンサ２６ｂのうち第一方向の一端面（電気信号の伝送方向の上流側端面）に配置されている。接続電極２６ｄは、第二信号電極２３ｂの端部（接続部４１ｂ：第二接続部分）に接続されている。接続電極２６ｆは、コンデンサ２６ｂのうち第一方向の他端面（電気信号の伝送方向の下流側端面）に配置されている。

出力電極部２７は、フィルタ部２６の出力側（電気信号の伝送方向の下流側）に配置されている。出力電極部２７は、出力電極２７ａ、２７ｂを有している。出力電極２７ａは、コンデンサ２６ａの接続電極２６ｅに接続されている。出力電極２７ｂは、コンデンサ２６ｂの接続電極２６ｆに接続されている。

第二誘電体基板３０は、第一誘電体基板２０と同様、誘電体を用いて形成されている。第二誘電体基板３０は、平面視で矩形に形成されている。第二誘電体基板３０としては、例えば高い熱伝導率、優れた電気的絶縁性を有するセラミック基板が好ましい。また、第二誘電体基板３０として、例えば、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）基板、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）基板、窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）基板等を目的や用途に合わせて選択使用することができる。特に、高周波電気信号用伝送路の基板としては、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）基板が好適である。

第二誘電体基板３０は、ＧＣＰＷ型高周波電気信号用伝送路であり、２０ＧＨｚ以上の周波数の高周波電気信号に対応可能な伝送路である。第二誘電体基板３０は、主面３０ａと、４つの側面３０ｂ〜３０ｅを有している。主面３０ａには、伝送電極部３１と、グランド電極部３２とが形成されている。

伝送電極部３１は、伝送電極３１ａ、３１ｂを有している。伝送電極３１ａは、第一方向に平行となるように帯状に形成されている。伝送電極３１ａは、ワイヤーボンディングなどによって出力電極２７ａに接続されている。伝送電極３１ａは、出力電極２７ａから出力された第一電気信号を第一方向に伝送する。

一方、伝送電極３１ｂは、伝送電極３１ａと同様に、第一方向に平行となるように帯状に形成されている。伝送電極３１ｂは、ワイヤーボンディングなどによって出力電極２７ｂに接続されている。伝送電極３１ｂは、出力電極２７ｂから出力された第二電気信号を第一方向に伝送する。

グランド電極部３２は、グランド電極３２ａ〜３２ｅを有している。グランド電極３２ａ、３２ｂは、平面視で帯状に形成されている。グランド電極３２ａ、３２ｂは、伝送電極３１ａを第二方向に挟むように配置されている。グランド電極３２ａ、３２ｂは、伝送電極３１ａに対して隙間を空けて配置されている。

グランド電極３２ｃは、第二方向において第二誘電体基板３０の中央部に配置されている。グランド電極３２ｃは、平面視で帯状に形成されている。グランド電極３２ｃは、第一方向に沿って形成されている。グランド電極３２ｄ、３２ｅは、平面視で帯状に形成されている。グランド電極３２ｄ、３２ｅは、伝送電極３１ｂを第二方向に挟むように配置されている。グランド電極３２ｄ、３２ｅは、伝送電極３１ｂに対して隙間を空けて配置されている。

また、第二誘電体基板３０の裏面（他の主面）全体には、ビア３２ｆを介してグランド電極３２ａ〜３２ｅと電気的に接続された不図示のグランド電極が形成されている。
図２は、回路基板２１及びその周辺を拡大して示す図である。
図２に示すように、回路基板２１の接続端子２２ａの第二方向における寸法（以下、「幅」と表記する）Ｗ１１は、接続部２３ｃの幅Ｗ３１と等しくなっている。同様に、接続端子２２ｂの幅Ｗ１２は、接続部２３ｄの幅Ｗ４１と等しくなっている。このように、接続端子２２ａ及び接続部２３ｃは等しい幅（第一の寸法）を有しており、接続端子２２ｂ及び接続部２３ｄは等しい幅（第一の寸法）を有している。幅を互いに等しくすることで、その部分における信号損失を低減している。

図３は、フィルタ部２６としてコンデンサ２６ａ及びその周辺を拡大して示す図である。なお、図３において、括弧内の符号は、コンデンサ２６ｂに対応した符号である。以下の説明は、コンデンサ２６ａについてのものであるが、コンデンサ２６ｂについても同様の説明が可能である。

図３に示すように、コンデンサ２６ａに設けられる接続電極２６ｃの第二方向における寸法（幅）Ｗ１２は、接続部４１ａの幅Ｗ３２と等しくなっている。このように、接続電極２６ｃ及び接続部４１ａは、等しい幅（第二の寸法）を有している。同様に、接続電極２６ｄ及び接続部４１ｂは、等しい幅（第二の寸法）を有している。幅を互いに等しくすることで、その部分における信号損失を低減している。

なお、図１〜図３に示すように、第一信号電極２３ａの接続部４１ａの幅Ｗ３２は、接続部２３ｃの幅Ｗ３１よりも大きくなっている（Ｗ３２＞Ｗ３１）。同様に、第二信号電極２３ｂの接続部４１ｂの幅Ｗ４２は、接続部２３ｄの幅Ｗ４１よりも大きくなっている（Ｗ４２＞Ｗ４１）。

また、図１〜図３に示すように、接続部４１ａの幅Ｗ３２よりも第一信号電極２３ａは、接続部２３ｃから接続部４１ａにかけて幅が徐々に大きくなるように形成されている。また、第二信号電極２３ｂは、接続部２３ｄから接続部４１ｂにかけて幅が徐々に大きくなるように形成されている。

このように第一信号電極２３ａ、２３ｂの第二方向の寸法が、接続部２３ｃ、２３ｄから接続部４１ａ、４１ｂにかけて徐々に大きくなっているため、回路基板２１の接続端子２２ａ、２２ｂと、コンデンサ２６ａ、２６ｂの接続電極２６ｃ、２６ｅとの第二方向の寸法が異なる場合であっても、第一誘電体基板２０に搭載することが可能となる。この場合、回路基板２１とコンデンサ２６ａ、２６ｂとの間を接続する際に基板を跨がないため、伝送損失が抑制されることになる。なお、コンデンサ２６ａ、２６ｂは、マイクロストリップ（ＭＳＷ）型伝送路に設けられてもよい。

図４は、図１におけるＡ−Ａ断面に沿った構成を示す図である。
図４に示すように、第一信号電極２３ａは、接続部４１ａにおいてコンデンサ２６ａへ向けて徐々に厚さ方向の寸法が大きくなっている。なお、第二信号電極２３ｂについても同様に、接続部４１ｂにおいてコンデンサ２６ｂへ向けて徐々に厚さ方向の寸法が大きくなっている。この接続部４１ａ、４１ｂは、例えば導電性接着剤を塗布し、加熱して硬化させることで形成されている。

また、出力電極２７ａは、接続部４２ａにおいてコンデンサ２６ａに向けて徐々に厚さ方向の寸法が大きくなっている。なお、出力電極２７ｂについても同様に、接続部４２ｂにおいてコンデンサ２６ｂに向けて徐々に厚さ方向の寸法が大きくなっている。この接続部４２ａ、４２ｂは、接続部４１ａ、４１ｂと同様に、例えば導電性接着剤を塗布し、加熱して硬化させることで形成されている。なお、この構成においては、コンデンサ２６ａ、２６ｂと、出力電極２７ａ、２７ｂとを接続する接続部４２ａ、４２ｂがコンデンサ２６ａ、２６から第二誘電体基板３０側へ向けて徐々に薄くなっている構成であるため、信号損失が低減される。

接続部４１ａ、４１ｂ及び接続部４２ａ、４２ｂの形状は、導電性接着剤の塗布量と加熱条件（加熱温度、加熱時間など）を調整することにより、コンデンサ２６ａ、２６ｂに向けて徐々に厚さ方向の寸法が大きくなるように形成することができる。

このように構成された受信モジュール１００は、光受信器１０において受信した光を電気信号に変換し、第一誘電体基板２０及び第二誘電体基板３０へと伝送させる。
図５は、第一誘電体基板２０から抵抗部２５及び接続部４１ａ、４１ｂ、４２ａ、４２ｂを取り除いた構成に相当する誘電体基板１２０の構成と、本実施形態に係る受信モジュール１００に設けられた第一誘電体基板２０の構成とを比較して示す図である。

図５の上側に示すように抵抗部２５が設けられない場合、第一誘電体基板２０の主面２０ａに発生する定在波が第一誘電体基板２０の側面２０ｂ〜２０ｅで反射されて戻り、共振を生じさせる場合がある。

これに対して、図５の下側に示すように抵抗部２５が設けられる場合、第一誘電体基板２０の主面２０ａに発生する定在波が抵抗部２５で吸収されるため、第一誘電体基板２０の側面２０ｂ〜２０ｅからの反射が低減され、共振の発生が抑制される。

また、図６（ａ）は、図５におけるＢ−Ｂ断面に沿った構成を示す図である。図６（ｂ）は、図５におけるＣ−Ｃ断面に沿った構成を示す図である。
図６（ａ）に示すように、接続部４１ａ、４１ｂ、４２ａ、４２ｂに相当する構成が設けられない場合、信号電極１２３ａ（又は出力電極１２７ａ）からコンデンサ１２６ａの側面に位置する電極が急激に立ち上がった状態となるため、信号電極１２３ａ（又は出力電極１２７ａ）を伝わる高周波がコンデンサ１２６ａの側面で反射され、当該反射された高周波によって共振が引き起こされる可能性がある。

これに対して、図６（ｂ）に示すように、接続部４１ａ、４１ｂ、４２ａ、４２ｂが設けられる場合、第二信号電極２３ｂ（及び出力電極２７ｂ）からコンデンサ２６ｂの側面が徐々に厚くなった状態となるため、コンデンサ２６ｂの側面における高周波の反射が抑制される。このため、共振の発生が回避される。

図７（ａ）は、図６（ａ）の構成とした場合の誘電体基板１２０を有する受信モジュールの周波数特性を示すグラフである。また、図７（ｂ）は、図６（ｂ）の構成とした場合の受信モジュール１００の周波数特性を示すグラフである。図７（ａ）、図７（ｂ）において、グラフの横軸は周波数であり、グラフの縦軸は相対値である。

図５の上側及び図６（ａ）に示すように定在波によって共振が生じる場合には、図７（ａ）に示すように、それぞれの共振周波数ｆ_０又はｆ_１において周波数特性の応答値が著しく減少し、伝送損失となる。一方、図５の下側及び図６（ｂ）に示すように共振が生じない場合には、図７（ｂ）に示すように、周波数特性の応答値の著しい減少は見られず、伝送損失が抑制される。

以上のように、本実施形態によれば、第一信号電極２３ａ、２３ｂの第二方向の寸法が、接続部２３ｃ、２３ｄから接続部４１ａ、４１ｂにかけて徐々に大きくなっているため、回路基板２１の接続端子２２ａ、２２ｂと、コンデンサ２６ａ、２６ｂの接続電極２６ｃ、２６ｅとの第二方向の寸法が異なる場合であっても、伝送損失を抑制しつつ一の第一誘電体基板２０に搭載して用いることができる。これにより、受信感度が低下するのを抑制することが可能な受信モジュール１００を提供することができる。

１０…光受信器 ２０…第一誘電体基板 ２０ａ…主面 ２０ｂ〜２０ｅ…側面 ２１…回路基板 ２２…増幅器 ２２ａ、２２ｂ、２２ｃ〜２２ｅ…接続端子２３…信号電極部 ２３ａ…第一信号電極 ２３ｂ…第二信号電極 ２３ｃ、２３ｄ…接続部 ２４…グランド電極部 ２４ａ〜２４ｄ…グランド電極 ２５…抵抗部 ２５ａ〜２５ｃ…抵抗層 ２６…フィルタ部 ２６ａ、２６ｂ…コンデンサ ２６ｃ、２６ｄ、２６ｅ、２６ｆ…接続電極 ２７…出力電極部 ２７ａ、２７ｂ…出力電極 ３０…第二誘電体基板 ３０ａ…主面 ３０ｂ〜３０ｅ…側面 ３１…伝送電極部 ３１ａ、３１ｂ…伝送電極 ３２…グランド電極部 ３２ａ〜３２ｅ…グランド電極 ４１ａ、４１ｂ、４２ａ、４２ｂ…接続部 １００…受信モジュール

Claims (4)

1. 光信号を受信し高周波の電気信号に変換して出力する光受信器と、
   一の主面を有すると共に、前記電気信号が入力される第一素子と、前記主面の第一方向に沿って形成され前記第一素子に接続された信号電極と、前記信号電極に接続された第二素子と、前記第二素子に接続され前記電気信号を出力する出力電極とを有する電気回路が前記主面に形成された第一誘電体基板と、
   前記出力電極に接続され前記電気信号を伝送する伝送電極を有する第二誘電体基板と
   を備え、
   前記第一素子は、前記第一方向に直交する第二方向ついて第一の寸法を有し前記信号電極に接続された第一電極を有し、
   前記第二素子は、前記第二方向について前記第一の寸法よりも大きい第二の寸法を有し前記信号電極に接続された第二電極を有し、
   前記信号電極は、前記第一電極との第一接続部分では前記第二方向について前記第一の寸法を有し、かつ、前記第二電極との第二接続部分では前記第二方向について前記第二の寸法を有し、
   前記信号電極の前記第二方向の寸法は、前記第一接続部分から前記第二接続部分にかけて徐々に大きくなっている
   受信モジュール。
2. 前記電気回路は、前記主面に複数形成されている
   請求項１に記載の受信モジュール。
3. 前記第二素子として、前記電気信号のうち直流成分を除去するフィルタが用いられている
   請求項１又は請求項２に記載の受信モジュール。
4. 前記信号電極と前記第二素子との間は、導電性を有する接合材によって接合されており、
   前記接合材は、前記第二素子にかけて徐々に厚くなっている
   請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載の受信モジュール。

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