JP2014197597A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、半導体装置の基本構成を示す模式図であり、上から順に、半導体装置10の上面図、側面図(X−X’縦断面図)、及び、下面図が描写されている。本構成例の半導体装置10は、半導体チップ11と、半導体チップ11を内蔵するリードレス(BGA型)のパッケージ12と、パッケージ12の下面(半導体装置10が実装されるプリント配線基板(不図示)と対向する面)に設けられた複数の下面パッド(BGAパッド)13と、パッケージ12の上面に設けられた複数の上面パッド14と、複数の下面パッド13に各々接合された複数の半田バンプ15と、を有する。
図2は、半導体装置10の縦断面図である。本図に示すように、半導体装置10のパッケージ12は、半導体チップ11を内蔵するほか、第1基板16と、第2基板17と、接合部材18と、導電部材19と、を含む。
図3は、半導体装置10の第1実施形態を示す模式図である。第1実施形態では、パッケージ12の上面に、複数の下面パッド13と一対一に接続された複数のモニタパッド14aのみが設けられている。また、第1実施形態では、パッケージ12の最上面に、複数のモニタパッド14aを被覆する絶縁層172(図2の第3絶縁層172に相当)が設けられている。このような構成とすることにより、モニタパッド14aの意図しない短絡などを予防することができる。なお、端子モニタを行う際には、絶縁層172を適宜剥離することにより、プローブを当接すべきモニタパッド14aを露出させればよい。
図4は、半導体装置10の第2実施形態を示す模式図である。第2実施形態は、第1実施形態(図3)の変形例であり、絶縁層172を省略して複数のモニタパッド14aを元から露出させた構成である。このような構成とすることにより、端子モニタ時における絶縁層172の剥離作業が不要となるので、より簡便に端子モニタを行うことができる。また、第2実施形態であれば、半導体装置10(特に第2基板17)の製造プロセスを簡略化することも可能となる。
図5は、半導体装置10の第3実施形態を示す模式図である。第3実施形態では、パッケージ12の上面に、モニタパッド14aだけでなく、外付け部品30(抵抗やコンデンサなど)を搭載するための部品搭載パッド14bが設けられている。外付け部品30は、その端子部分が半田31を用いて部品搭載パッド14bに固定される。このような構成とすることにより、半導体装置10の実装面積分だけで、半導体装置10と外付け部品30の両方を実装することができるので、プリント配線基板20(図2を参照)の小型化を実現することが可能となる。なお、部品搭載パッド14bは、半導体チップ11と外付け部品30とを電気的に接続するものであり、下面パッド13とは必ずしも接続されない。
図6は、半導体装置10の第4実施形態を示す模式図である。第4実施形態では、複数のモニタパッド14aのうち、少なくとも一つが部品搭載パッド14bとして共用されている。図6では、兼用パッド14cがそれに当たり、下面パッド13と電気的に接続されている一方、外付け部品30の搭載用としても用いられている。このような構成とすることにより、上面パッド14の個数を不要に増大することなく、端子モニタ機能と部品実装機能の双方を実現することが可能となる。
図7は、半導体装置10のスタック実装例を示す縦断面図である。本図に示すように、複数の半導体装置10x及び10yを用意し、これらをプリント配線基板20上にスタック実装することも可能である。このような構成とすることにより、半導体装置1つ分の実装面積だけで、複数の半導体装置10x及び10yを実装することができるので、プリント配線基板20の小型化を実現することが可能となる。なお、半導体装置10x及び10yとして、それぞれ、先出の半導体装置10(図1〜図6を適宜参照)を用いれば、半導体装置10yのモニタパッド14aを用いて半導体装置10x及び10y双方の端子モニタを行うことが可能となる。
図8は、半導体チップ11の第1レイアウトを示す模式図(平面図)である。第1レイアウトにおいて、矩形状の半導体チップ11は、これを平面視したときに、同じく矩形状のパッケージ12に対して各辺が平行となるように配置されている。この第1レイアウトを採用した場合、半導体チップ11とこれに接続される複数の周辺部品40を一つのパッケージ12に内蔵する際の面積効率を高めるためには、半導体チップ11をパッケージ12の一角に寄せた上で、半導体チップ11の2辺に対向するように複数の周辺部品40を並べて配置することになる。
図10は、スマートフォンの外観図である。スマートフォンXは、半導体装置10が搭載される電子機器の一例である。スマートフォンXは、その小型化や軽薄化だけでなく、その高い信頼性が要求される製品の一つである。そのため、端子モニタを行うことが可能なリードレスパッケージの半導体装置10は、スマートフォンXへの搭載に非常に適していると言える。
なお、上記実施形態では、BGAパッケージの半導体装置を例示して説明を行ったが、本発明の適用対象はこれに限定されるものではなく、その他の構造を採用したリードレスパッケージ(LGAパッケージやPGAパッケージなど)の半導体装置も本発明の適用対象となり得る。
11 半導体チップ
111 半田バンプ
12 パッケージ
13 下面パッド
14 上面パッド
14a モニタパッド
14b 部品搭載パッド
14c 兼用パッド
15 半田バンプ
16 第1基板
161 第1配線層
162 第1絶縁層(ソルダレジスト層)
163 第2配線層
164 第2絶縁層(ソルダレジスト層)
165 ビア
17 第2基板
171 第3配線層
172 第3絶縁層(ソルダレジスト層)
173 第4配線層
174 第4絶縁層(ソルダレジスト層)
175 ビア
18 接合部材
19 導電部材(貫通ビア)
20 プリント配線基板
21 配線層
30 外付け部品
31 半田
40 周辺部品
X スマートフォン
Claims (10)
- 半導体チップと、
前記半導体チップを内蔵するパッケージと、
前記パッケージの下面に設けられた複数の下面パッドと、
前記パッケージの上面に設けられた複数の上面パッドと、
を有し、
前記複数の上面パッドは、全ての下面パッド毎に各々接続された複数のモニタパッドを含むことを特徴とする半導体装置。 - 前記複数のモニタパッドを被覆する絶縁層をさらに有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記複数の上面パッドは、外付け部品を搭載するための部品搭載パッドを含むことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置。
- 前記複数のモニタパッドのうち、少なくとも一つは、前記部品搭載パッドとして共用されることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記パッケージは、
その下面に前記複数の下面パッドが形成される第1基板と、
その上面に前記複数の上面パッドが形成される第2基板と、
前記第1基板の上面と前記第2基板の下面とを対向させて接合する接合部材と、
前記第1基板と前記第2基板との間を電気的に接続する導電部材と、
を含むことを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記半導体チップは、前記第2基板の下面、または、前記第1基板の上面に搭載されていることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置。
- 前記半導体チップは、前記パッケージに対して平面的に回転された状態で内蔵されていることを特徴とする請求項1〜請求項6のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記パッケージは、BGA[ball grid array]型、LGA[land grid array]型、または、PGA[pin grid array]型であることを特徴とする請求項1〜請求項7のいずれか一項に記載の半導体装置。
- プリント配線基板と、
前記プリント配線板上に実装された請求項1〜請求項8のいずれか一項に記載の半導体装置と、
を有することを特徴とする電子機器。 - 前記半導体装置は、スタック実装されることを特徴とする請求項9に記載の電子機器。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013072290A JP6320681B2 (ja) | 2013-03-29 | 2013-03-29 | 半導体装置 |
US14/226,945 US20140291679A1 (en) | 2013-03-29 | 2014-03-27 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013072290A JP6320681B2 (ja) | 2013-03-29 | 2013-03-29 | 半導体装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018072665A Division JP6511181B2 (ja) | 2018-04-04 | 2018-04-04 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014197597A true JP2014197597A (ja) | 2014-10-16 |
JP6320681B2 JP6320681B2 (ja) | 2018-05-09 |
Family
ID=51619935
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013072290A Active JP6320681B2 (ja) | 2013-03-29 | 2013-03-29 | 半導体装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20140291679A1 (ja) |
JP (1) | JP6320681B2 (ja) |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08279570A (ja) * | 1995-04-04 | 1996-10-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
JPH11297882A (ja) * | 1998-04-13 | 1999-10-29 | Hitachi Ltd | 半導体装置,その製造方法,電子装置およびその製造方法 |
JP2000294720A (ja) * | 1999-04-07 | 2000-10-20 | Sharp Corp | 半導体集積回路パッケージ |
JP2004056127A (ja) * | 2002-07-17 | 2004-02-19 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 電子パッケージおよびその形成方法 |
JP2005064470A (ja) * | 2003-07-30 | 2005-03-10 | Tdk Corp | 半導体ic内蔵モジュール及びその製造方法 |
JP2006165466A (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-22 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
WO2010010910A1 (ja) * | 2008-07-23 | 2010-01-28 | 日本電気株式会社 | コアレス配線基板、半導体装置及びそれらの製造方法 |
JP2010251395A (ja) * | 2009-04-13 | 2010-11-04 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 電子装置及びその製造方法 |
JP2012039090A (ja) * | 2010-07-15 | 2012-02-23 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2012204557A (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-22 | Teramikros Inc | 半導体装置及びその製造方法並びに半導体装置の実装構造 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7547975B2 (en) * | 2003-07-30 | 2009-06-16 | Tdk Corporation | Module with embedded semiconductor IC and method of fabricating the module |
JP2006059992A (ja) * | 2004-08-19 | 2006-03-02 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 電子部品内蔵基板の製造方法 |
JPWO2007126090A1 (ja) * | 2006-04-27 | 2009-09-17 | 日本電気株式会社 | 回路基板、電子デバイス装置及び回路基板の製造方法 |
WO2008120755A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-09 | Nec Corporation | 機能素子内蔵回路基板及びその製造方法、並びに電子機器 |
US8350377B2 (en) * | 2008-09-25 | 2013-01-08 | Wen-Kun Yang | Semiconductor device package structure and method for the same |
US20130186676A1 (en) * | 2012-01-20 | 2013-07-25 | Futurewei Technologies, Inc. | Methods and Apparatus for a Substrate Core Layer |
-
2013
- 2013-03-29 JP JP2013072290A patent/JP6320681B2/ja active Active
-
2014
- 2014-03-27 US US14/226,945 patent/US20140291679A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08279570A (ja) * | 1995-04-04 | 1996-10-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
JPH11297882A (ja) * | 1998-04-13 | 1999-10-29 | Hitachi Ltd | 半導体装置,その製造方法,電子装置およびその製造方法 |
JP2000294720A (ja) * | 1999-04-07 | 2000-10-20 | Sharp Corp | 半導体集積回路パッケージ |
JP2004056127A (ja) * | 2002-07-17 | 2004-02-19 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 電子パッケージおよびその形成方法 |
JP2005064470A (ja) * | 2003-07-30 | 2005-03-10 | Tdk Corp | 半導体ic内蔵モジュール及びその製造方法 |
JP2006165466A (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-22 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
WO2010010910A1 (ja) * | 2008-07-23 | 2010-01-28 | 日本電気株式会社 | コアレス配線基板、半導体装置及びそれらの製造方法 |
JP2010251395A (ja) * | 2009-04-13 | 2010-11-04 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 電子装置及びその製造方法 |
JP2012039090A (ja) * | 2010-07-15 | 2012-02-23 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2012204557A (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-22 | Teramikros Inc | 半導体装置及びその製造方法並びに半導体装置の実装構造 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6320681B2 (ja) | 2018-05-09 |
US20140291679A1 (en) | 2014-10-02 |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20161129 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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