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JP2014077903A - Display device - Google Patents

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JP2014077903A
JP2014077903A JP2012225895A JP2012225895A JP2014077903A JP 2014077903 A JP2014077903 A JP 2014077903A JP 2012225895 A JP2012225895 A JP 2012225895A JP 2012225895 A JP2012225895 A JP 2012225895A JP 2014077903 A JP2014077903 A JP 2014077903A
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JP
Japan
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substrate
conductive film
shutter
display device
light
Prior art date
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Pending
Application number
JP2012225895A
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Japanese (ja)
Inventor
Takahide Kuranaga
卓英 倉永
Katsumi Matsumoto
克巳 松本
Mitsuhide Miyamoto
光秀 宮本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Display Inc
Original Assignee
Japan Display Inc
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Publication date
Application filed by Japan Display Inc filed Critical Japan Display Inc
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress generation of a potential difference between a counter substrate and a shutter.SOLUTION: One embodiment presents a display device including: a substrate on which a plurality of light-transmitting portions and a plurality of pixel elements respectively corresponding to the plurality of light-transmitting portions are arranged; and a counter substrate having a plurality of openings respectively opposing to the plurality of light-transmitting portions. The pixel element includes: a substrate connection portion formed on the substrate; a shutter that is formed as separated from the substrate and controls a quantity of light passing through the opening and the light transmitting portion; and a spring that electrically connects the substrate connection portion and the shutter and moves the shutter. A substrate wiring line to supply a predetermined potential to the substrate connection portion is disposed on the substrate. A conductive film is disposed on a surface at the substrate side of the counter substrate. Between the substrate and the counter substrate, the conductive film and the substrate wiring line are electrically connected at a plurality of portions.

Description

本発明は、画像などを表示する装置に関する。特に、画素に対応する画素素子毎に光の透過量をシャッターにより調整して画像などを表示する装置に関する。   The present invention relates to an apparatus for displaying an image or the like. In particular, the present invention relates to an apparatus that displays an image or the like by adjusting a light transmission amount for each pixel element corresponding to a pixel with a shutter.

画像などを表示する装置として、液晶を用いる表示装置が知られている。このような装置では、電極間に挟持された液晶を透過する光の偏光の向きを制御して、偏光板を透過する光の透過量を画素毎に制御している。   A display device using liquid crystal is known as a device for displaying an image or the like. In such an apparatus, the direction of polarization of light transmitted through the liquid crystal sandwiched between the electrodes is controlled, and the amount of light transmitted through the polarizing plate is controlled for each pixel.

しかしながら、液晶を用いる表示装置は、液晶を透過する偏光の向きの変更に時間を要し、高速に変化する画像などを表示する際には残像が認識されるという問題点がある。また、光を、偏光板、液晶層、カラーフィルタ、電極などの多数の層を透過させる必要があり、光の利用効率が減少し、明るい表示を得ることが困難であるという問題もある。   However, a display device using liquid crystal has a problem that it takes time to change the direction of polarized light that passes through the liquid crystal, and an afterimage is recognized when an image that changes at high speed is displayed. In addition, it is necessary to transmit light through a large number of layers such as a polarizing plate, a liquid crystal layer, a color filter, and an electrode, and there is a problem in that it is difficult to obtain a bright display because the light use efficiency is reduced.

近年、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)技術を応用したメカニカルシャッター(以下「MEMSシャッター」という。)を用いた表示装置が注目されている。MEMSシャッターを用いた表示装置(以下「MEMS表示装置」という。)とは、画素ごとに設けたMEMSシャッターを高速で開閉することによってシャッターを通過する光の量を制御し、画像の明暗の調整を行う表示装置である。   In recent years, a display device using a mechanical shutter (hereinafter referred to as “MEMS shutter”) to which MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) technology is applied has attracted attention. A display device using a MEMS shutter (hereinafter referred to as a “MEMS display device”) controls the amount of light passing through the shutter by opening and closing the MEMS shutter provided for each pixel at high speed, thereby adjusting the brightness of the image. It is the display device which performs.

MEMS表示装置においては時間階調方式が採用されており、赤色、緑色及び青色のLEDなどのバックライトからの光を順次切り替えて画像の表示を行う。MEMS表示装置は、液晶ディスプレイに用いられる偏光フィルムやカラーフィルタなどを必要とせず、液晶と比較してバックライトの光の利用効率は約10倍以上、消費電力は1/2以下になり、また、色再現性が優れている点に特徴があると考えられる。また、高速に画像などの表示を変化させることができる。   The MEMS display device employs a time gray scale method, and displays images by sequentially switching light from backlights such as red, green, and blue LEDs. The MEMS display device does not require a polarizing film or a color filter used for a liquid crystal display, and the light use efficiency of the backlight is about 10 times or more, and the power consumption is 1/2 or less, compared to the liquid crystal. The color reproducibility is considered to be characteristic. In addition, display of images and the like can be changed at high speed.

例えば、MEMS表示装置の一例として、画素毎に基板と平行な方向に移動するシャッターを開口上に設け、シャッターを移動させて開口の光を通過させるための第1の駆動ビームに対向する第1のコンプライアントロードビームと、開口の光をシャッターにより遮断させるために配置された第2の駆動ビームに対向する第2のコンプライアントロードビームとをシャッターに接続し、シャッターを移動させて通過する光の量を制御する表示装置が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。   For example, as an example of the MEMS display device, a shutter that moves in a direction parallel to the substrate for each pixel is provided on the opening, and a first driving beam that moves the shutter to pass light from the opening is opposed to the first. A compliant load beam and a second compliant load beam opposed to the second drive beam arranged to block light from the aperture by the shutter, and the light passing through the shutter by moving the shutter There has been proposed a display device that controls the amount of light (for example, see Patent Document 1).

特開2008−197668号公報JP 2008-197668 A

しかしながら、特許文献1などに開示されている従来のMEMS表示装置においては、対向基板とシャッターとの間に電位差が発生すると、シャッターが対向基板に引き寄せられ、シャッターが対向基板に張り付いてしまう場合がある。   However, in the conventional MEMS display device disclosed in Patent Document 1 or the like, when a potential difference is generated between the counter substrate and the shutter, the shutter is attracted to the counter substrate and the shutter sticks to the counter substrate. There is.

本発明の一実施形態として、複数の光透過部と前記複数の光透過部のそれぞれに対応して画素素子が複数配置された基板と、前記複数の光透過部それぞれに対向する開口を複数有する対向基板とを有する表示部を備える表示装置であって、前記画素素子は、前記基板に形成された基板接続部と、前記基板と離隔して形成され、前記開口と前記光透過部とを通過する光の量を制御するシャッターと、前記基板接続部と前記シャッターとを電気的に接続し前記シャッターを移動させるバネと、有し、前記基板には、前記基板接続部に所定の電位を供給する基板配線が配置され、前記対向基板は、前記基板の側の面に導電膜を配置し、前記基板と前記対向基板との間において、前記導電膜と前記基板配線とが複数箇所により電気的に接続されていることを特徴とする表示装置を提供する。   As an embodiment of the present invention, a plurality of light transmission portions, a substrate on which a plurality of pixel elements are arranged corresponding to each of the plurality of light transmission portions, and a plurality of openings facing each of the plurality of light transmission portions. The display device includes a display unit having a counter substrate, wherein the pixel element is formed apart from the substrate connection unit formed on the substrate and the substrate, and passes through the opening and the light transmission unit. A shutter that controls the amount of light to be transmitted, and a spring that electrically connects the substrate connecting portion and the shutter to move the shutter, and supplies a predetermined potential to the substrate connecting portion to the substrate And a conductive film is disposed on the surface of the counter substrate, and the conductive film and the substrate wiring are electrically connected at a plurality of locations between the substrate and the counter substrate. It is connected to the Providing a display device comprising and.

本発明によれば、対向基板とシャッターとの間に電位差が発生するのを抑制することができる。   According to the present invention, it is possible to suppress the generation of a potential difference between the counter substrate and the shutter.

本発明の一実施形態に係る表示装置の斜視図と平面図The perspective view and top view of the display apparatus which concern on one Embodiment of this invention 本発明の一実施形態に係る表示装置の機能ブロック図The functional block diagram of the display apparatus which concerns on one Embodiment of this invention 本発明の一実施形態に係る表示装置のMEMSシャッターの斜視図The perspective view of the MEMS shutter of the display apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る表示装置の基板と対向基板との断面図Sectional drawing of the board | substrate and counter substrate of the display apparatus which concern on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る表示装置の対向基板の平面図The top view of the opposing board | substrate of the display apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る表示装置の対向基板の断面図Sectional drawing of the opposing board | substrate of the display apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る表示装置の基板と対向基板との断面図Sectional drawing of the board | substrate and counter substrate of the display apparatus which concern on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る表示装置の対向基板の平面図と断面図The top view and sectional view of a counter substrate of a display device concerning one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る表示装置の対向基板の断面図Sectional drawing of the opposing board | substrate of the display apparatus which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る表示装置の対向基板の断面図Sectional drawing of the opposing board | substrate of the display apparatus which concerns on one Embodiment of this invention.

以下、本発明を実施するための形態についていくつかの実施形態として説明する。なお、本発明は以下に説明する実施形態に限定されることなく、種々の変形を加えて実施することも可能である。   Hereinafter, modes for carrying out the present invention will be described as some embodiments. The present invention is not limited to the embodiments described below, and can be implemented with various modifications.

(実施形態1)
図1の(A)に本発明の一実施形態に係る表示装置100の斜視図を示し、図1の(B)に表示装置100の平面図を示す。表示装置100は、基板102および対向基板106を有している。基板102は、表示部102a、駆動回路102b、102cおよび102d、ならびに端子部102eを有している。基板102と対向基板106とは、シール材等を用いて接合される。なお、対向基板106の図1の(A)の上面側にバックライトが配置される場合がある。図1においては、バックライトは図示されていない。
(Embodiment 1)
FIG. 1A shows a perspective view of a display device 100 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 1B shows a plan view of the display device 100. The display device 100 includes a substrate 102 and a counter substrate 106. The substrate 102 includes a display portion 102a, drive circuits 102b, 102c and 102d, and a terminal portion 102e. The substrate 102 and the counter substrate 106 are bonded using a sealant or the like. Note that a backlight may be disposed on the upper surface side of the counter substrate 106 in FIG. In FIG. 1, the backlight is not shown.

図2に表示装置100の回路ブロック図を示す。表示装置100には、コントローラ120から画像信号および制御信号が供給される。また、表示装置100には、コントローラ120によって制御されるバックライト122から光が供給される。なお、コントローラ120およびバックライト122を表示装置100に含ませることもできる。   FIG. 2 shows a circuit block diagram of the display device 100. The display device 100 is supplied with an image signal and a control signal from the controller 120. The display device 100 is supplied with light from a backlight 122 controlled by the controller 120. Note that the controller 120 and the backlight 122 may be included in the display device 100.

図2に示すとおり、表示部102aは、MEMSシャッター(画素素子)202、画素回路299および保持容量206を有する画素200を有している。画素回路は保持容量,スイッチング素子により構成される。画素200は、ゲート線G1、G2、…、Gnとデータ線D1、D2、…、Dmとの交点に対応する位置に配置されるので、複数の画素200は、ゲート線およびデータ線のそれぞれに沿って配置される。したがって、複数個の画素200が、マトリクス状に配置される。駆動回路102bは、データドライバであり、スイッチング素子204へデータ線D1、D2、…、Dmを介してデータ信号(バイアス電位)を供給する。駆動回路102c,102dは、ゲートドライバであり、画素回路299へゲート線G1、G2、…、Gnを介してゲート信号を供給する。画素回路299は、データ線D1、D2、…、Dmから供給されるデータ信号に基づき、MEMSシャッター202を駆動する。   As illustrated in FIG. 2, the display unit 102 a includes a pixel 200 having a MEMS shutter (pixel element) 202, a pixel circuit 299, and a storage capacitor 206. The pixel circuit includes a storage capacitor and a switching element. The pixel 200 is disposed at a position corresponding to the intersection of the gate lines G1, G2,..., Gn and the data lines D1, D2,. Arranged along. Therefore, the plurality of pixels 200 are arranged in a matrix. The drive circuit 102b is a data driver and supplies a data signal (bias potential) to the switching element 204 via the data lines D1, D2,. The drive circuits 102c and 102d are gate drivers, and supply gate signals to the pixel circuit 299 via gate lines G1, G2,. The pixel circuit 299 drives the MEMS shutter 202 based on data signals supplied from the data lines D1, D2,.

また、図2においては、ゲート線に沿って基板配線207が配置されている。基板配線207は、MEMSシャッター(画素素子)202に所定の電位を供給するための配線である。基板配線207は、後に説明するアンカー部(基板接続部)と第1バネとを介してシャッターに所定の電位を供給する。また、対向基板106の基板102側の面には導電性の材料を含む導電膜が形成されている。基板102と対向基板106との間において、導電膜と基板配線とが複数の箇所により電気的に接続される。したがって、基板配線207は、導電膜に所定の電位を供給することも行う。   In FIG. 2, the substrate wiring 207 is arranged along the gate line. The substrate wiring 207 is a wiring for supplying a predetermined potential to the MEMS shutter (pixel element) 202. The substrate wiring 207 supplies a predetermined potential to the shutter via an anchor portion (substrate connection portion) described later and a first spring. A conductive film containing a conductive material is formed on the surface of the counter substrate 106 on the substrate 102 side. Between the substrate 102 and the counter substrate 106, the conductive film and the substrate wiring are electrically connected at a plurality of locations. Therefore, the substrate wiring 207 also supplies a predetermined potential to the conductive film.

なお、基板配線207は、データ線に沿って配置することもできる。また,基板配線207は、表示部102aの周囲に配置することもできる。   The substrate wiring 207 can also be disposed along the data line. Further, the substrate wiring 207 can be arranged around the display unit 102a.

なお、図2においては、駆動回路102b、102cが表示部102aを挟むように配置されているが、この構成に限定されるものではない。   In FIG. 2, the drive circuits 102b and 102c are arranged so as to sandwich the display portion 102a. However, the present invention is not limited to this configuration.

次に図3を参照し、MEMSシャッター202の構成について説明する。図3は、MEMSシャッター202の斜視図である。説明の便宜のために、図3においては、一つのMEMSシャッター202を示すが、表示装置100には、上述のように、基板102に図3に示す複数個のMEMSシャッター202がマトリクス状に配置される。   Next, the configuration of the MEMS shutter 202 will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a perspective view of the MEMS shutter 202. For convenience of explanation, FIG. 3 shows one MEMS shutter 202, but the display device 100 has a plurality of MEMS shutters 202 shown in FIG. 3 arranged in a matrix on the substrate 102 as described above. Is done.

MEMSシャッター202は、シャッター210、第1バネ(コンプライアントロードビーム)216、218、第2バネ(駆動ビーム)224、226、及びアンカー部232、234、236を有している。第1バネ216、218それぞれは、第2バネ224、226それぞれと対向し、組を形成している。シャッター210は開口部213を有しており、開口部213を除くシャッター210本体は遮光部となる。また、基板102には、複数の光透過部が形成され、対向基板106には、光を通過させる複数の開口が形成されている。対向基板106の一つの開口と基板102のいずれかの光透過部とが対向するように、対向基板106と基板102とが平面方向に重なり合って配置される。このとき、シール材等を介して基板102に対向基板106が接合される。ここに開口と光透過部が対向するとは、開口と光透過部との間に障害物がなければ、対向基板106に対して垂直に開口に入射して対向する光透過部を通過しようとする光が、対向する光透過部を通過可能であることをいう。   The MEMS shutter 202 includes a shutter 210, first springs (compliant load beams) 216 and 218, second springs (drive beams) 224 and 226, and anchor portions 232, 234, and 236. Each of the first springs 216 and 218 is opposed to each of the second springs 224 and 226 to form a set. The shutter 210 has an opening 213, and the main body of the shutter 210 excluding the opening 213 serves as a light shielding portion. The substrate 102 is formed with a plurality of light transmitting portions, and the counter substrate 106 is formed with a plurality of openings through which light passes. The counter substrate 106 and the substrate 102 are arranged so as to overlap in the planar direction so that one opening of the counter substrate 106 and any one of the light transmitting portions of the substrate 102 face each other. At this time, the counter substrate 106 is bonded to the substrate 102 via a sealant or the like. Here, the opening and the light transmitting portion are opposed to each other, if there is no obstacle between the opening and the light transmitting portion, the light enters the opening perpendicular to the counter substrate 106 and tries to pass through the facing light transmitting portion. It means that light can pass through the opposing light transmission parts.

なお、本実施形態に示すMEMSシャッター202は、本発明の表示装置100に用いることのできるMEMSシャッターの一例に過ぎず、画素回路で駆動することのできるMEMSシャッターであれば図示した構成に限らず、如何なる態様のものでも用いることができる。   Note that the MEMS shutter 202 described in this embodiment is merely an example of a MEMS shutter that can be used in the display device 100 of the present invention, and is not limited to the illustrated configuration as long as the MEMS shutter can be driven by a pixel circuit. Any embodiment can be used.

シャッター210の一方の側は、第1バネ216、218を介してアンカー部232、234に接続されている。アンカー部232、234は、第1バネ216、218とともに、シャッター210を基板102の表面から離隔した状態に支持する機能を有する。また、第1バネ216、218は導電性の材料により構成され、可撓性を有している。これにより、アンカー部232、242に供給される電位が、第1バネ216、218に供給される。アンカー部232は第1バネ216と電気的に接続されており、且つ、アンカー部234は第1バネ218と電気的に接続されている。アンカー部232、234に、基板配線207により例えばグランド電位が供給されると、第1バネ216、218にもグランド電位が供給される。   One side of the shutter 210 is connected to the anchor portions 232 and 234 via the first springs 216 and 218. The anchor portions 232 and 234 have a function of supporting the shutter 210 in a state separated from the surface of the substrate 102 together with the first springs 216 and 218. The first springs 216 and 218 are made of a conductive material and have flexibility. As a result, the potential supplied to the anchor portions 232 and 242 is supplied to the first springs 216 and 218. The anchor part 232 is electrically connected to the first spring 216, and the anchor part 234 is electrically connected to the first spring 218. When, for example, a ground potential is supplied to the anchor portions 232 and 234 by the substrate wiring 207, the ground potential is also supplied to the first springs 216 and 218.

また、アンカー部236は、第2バネ224、226を基板102の表面から離隔した状態に支持する機能を有する。また、第2バネ224、226も導電性の材料により構成される。第2バネ224、226は、アンカー部236に電気的に接続されている。これにより、アンカー部236に供給された電位が第2バネ224、226に供給される。アンカー部236には、画素回路299を介してバイアス電位を供給することができ、したがって第2バネ224、226にバイアス電位を供給することができる。   The anchor portion 236 has a function of supporting the second springs 224 and 226 in a state of being separated from the surface of the substrate 102. The second springs 224 and 226 are also made of a conductive material. The second springs 224 and 226 are electrically connected to the anchor portion 236. As a result, the potential supplied to the anchor portion 236 is supplied to the second springs 224 and 226. A bias potential can be supplied to the anchor portion 236 via the pixel circuit 299, and thus a bias potential can be supplied to the second springs 224 and 226.

なお、アンカー部232および234には、上記グランド電位の代わりに、所定の電位を供給する構成でもよい(以下にグランド電位が供給されると説明されるときのアンカー部238、240についても同様である。)。   The anchor portions 232 and 234 may be configured to supply a predetermined potential instead of the ground potential (the same applies to the anchor portions 238 and 240 when it is described below that the ground potential is supplied). is there.).

また、シャッター210の他方の側は、第1バネ220、222を介してアンカー部238、240に接続されている。アンカー部238、240は、第1バネ220、222とともに、シャッター210を基板102の表面から離隔した状態に支持する機能を有する。また、第1バネ220、222も導電性の材料により構成され、可撓性を有する。したがって、アンカー部238および240それぞれを第1バネ220および222と電気的に接続することにより、基板配線207によりアンカー部238および240にグランド電位を供給すると、第1バネ220および222にグランド電位が供給される。   The other side of the shutter 210 is connected to the anchor portions 238 and 240 via the first springs 220 and 222. The anchor portions 238 and 240 have a function of supporting the shutter 210 in a state separated from the surface of the substrate 102 together with the first springs 220 and 222. The first springs 220 and 222 are also made of a conductive material and have flexibility. Accordingly, by electrically connecting the anchor portions 238 and 240 to the first springs 220 and 222, respectively, when the ground potential is supplied to the anchor portions 238 and 240 by the substrate wiring 207, the ground potential is applied to the first springs 220 and 222. Supplied.

また、第1バネ220、222により取り囲まれるように、第2バネ228、230が配置され、第1バネ220、222それぞれが第2バネ228、230それぞれと対向し、組を形成していてもよい。この場合、第2バネ228、230も導電性の材料により構成することができる。この場合、第2バネ228、230は、アンカー部242に電気的に接続される。アンカー部242は、第2バネ228、230を基板102の表面から離隔した状態に支持する機能を有する。アンカー部242は第2バネ228、230と電気的に接続することができる。この場合、アンカー部242には、画素回路,または,電位供給配線を介してバイアス電位が供給され、第2バネ228、230にバイアス電位が供給される。なお,電位供給配線は図中には示していない。   Further, the second springs 228 and 230 are disposed so as to be surrounded by the first springs 220 and 222, and the first springs 220 and 222 are opposed to the second springs 228 and 230, respectively, to form a set. Good. In this case, the second springs 228 and 230 can also be made of a conductive material. In this case, the second springs 228 and 230 are electrically connected to the anchor portion 242. The anchor portion 242 has a function of supporting the second springs 228 and 230 so as to be separated from the surface of the substrate 102. The anchor part 242 can be electrically connected to the second springs 228 and 230. In this case, a bias potential is supplied to the anchor portion 242 via a pixel circuit or a potential supply wiring, and a bias potential is supplied to the second springs 228 and 230. The potential supply wiring is not shown in the figure.

また、シャッター210は、第1バネ216、218、220、222と機械的に接続される。この場合、シャッター210も導電性の材料で構成され、第1バネ216、218と電気的に接続され、アンカー部232および234に供給される電位がシャッター210に供給される。また、シャッター210は、第1バネ220、222とも機械的におよび電気的に接続され、さらに、アンカー部238および240に供給される電位が供給されるようになっていてもよい。   The shutter 210 is mechanically connected to the first springs 216, 218, 220, and 222. In this case, the shutter 210 is also made of a conductive material, is electrically connected to the first springs 216 and 218, and the potential supplied to the anchor portions 232 and 234 is supplied to the shutter 210. In addition, the shutter 210 may be mechanically and electrically connected to the first springs 220 and 222, and may further be supplied with a potential supplied to the anchor portions 238 and 240.

MEMSシャッター202の形成方法は次の通りである。まず、基板102上に第1の犠牲膜を形成し、アンカー部232,234,236,238,240,242の一部を形成する。次に、第1バネ216、218、220、222と第2バネ224、226、228、230との上面までと同じ高さの第2の犠牲膜を第1の犠牲膜上に形成し、アンカー部232,234,236,238,240,242の一部を形成する。その上にシャッター210とアンカー部232、234、236、238、240、242の一部とを形成する。その後、第1の犠牲膜と第2の犠牲膜とを除去する。   The method for forming the MEMS shutter 202 is as follows. First, a first sacrificial film is formed on the substrate 102, and a part of the anchor portions 232, 234, 236, 238, 240, and 242 is formed. Next, a second sacrificial film having the same height as the top surfaces of the first springs 216, 218, 220, 222 and the second springs 224, 226, 228, 230 is formed on the first sacrificial film, Part of the portions 232, 234, 236, 238, 240, 242 is formed. A shutter 210 and anchor portions 232, 234, 236, 238, 240, and 242 are formed thereon. Thereafter, the first sacrificial film and the second sacrificial film are removed.

本実施形態においては、上述したように、画素回路299を介してアンカー部236にバイアス電位を供給することができる。これにより、第2バネ224および226にバイアス電位が供給される。また、アンカー部232および234には基板配線207により例えばグランド電位が供給され、第1バネ216および218にグランド電位が供給される。したがって、アンカー部236にグランド電位と異なるバイアス電位を供給し、第1バネ216、218と第2バネ224、226との間に電位差を発生させると、第1バネ216と第2バネ224とが静電駆動され、第1バネ216が第2バネ224に引き寄せられ、且つ、第1バネ218と第2バネ226とが静電駆動され、第1バネ218が第2バネ226に引き寄せられる。これにより、シャッター210をアンカー部236に向かって移動させることができる。   In the present embodiment, as described above, a bias potential can be supplied to the anchor unit 236 via the pixel circuit 299. As a result, a bias potential is supplied to the second springs 224 and 226. Further, for example, a ground potential is supplied to the anchor portions 232 and 234 by the substrate wiring 207, and a ground potential is supplied to the first springs 216 and 218. Accordingly, when a bias potential different from the ground potential is supplied to the anchor portion 236 and a potential difference is generated between the first springs 216 and 218 and the second springs 224 and 226, the first spring 216 and the second spring 224 are The first spring 216 is attracted to the second spring 224 by electrostatic driving, and the first spring 218 and the second spring 226 are electrostatically driven to attract the first spring 218 to the second spring 226. Thereby, the shutter 210 can be moved toward the anchor portion 236.

また、同様に、画素回路299または電位供給配線を介してアンカー部242にバイアス電位を供給することができる。これにより、第2バネ228、230にバイアス電位が供給される。また、アンカー部238および240には、基板配線207によりグランド電位が供給され、第1バネ220、222にグランド電位が供給される。第1バネ220、222と第2バネ228、230との間に電位差を発生させると、第1バネ220と第2バネ228とが静電駆動され、第1バネ220が第2バネ228に引き寄せられ、且つ、第1バネ222と第2バネ230とが静電駆動され、第1バネ222が第2バネ230に引き寄せられる。これにより、シャッター210をアンカー部242に向かって移動させることができる。   Similarly, a bias potential can be supplied to the anchor portion 242 via the pixel circuit 299 or the potential supply wiring. As a result, a bias potential is supplied to the second springs 228 and 230. In addition, a ground potential is supplied to the anchor portions 238 and 240 by the substrate wiring 207, and a ground potential is supplied to the first springs 220 and 222. When a potential difference is generated between the first springs 220 and 222 and the second springs 228 and 230, the first spring 220 and the second spring 228 are electrostatically driven, and the first spring 220 is attracted to the second spring 228. In addition, the first spring 222 and the second spring 230 are electrostatically driven, and the first spring 222 is attracted to the second spring 230. Thereby, the shutter 210 can be moved toward the anchor portion 242.

なお、第1バネ216、218、220、222の側面と第2バネ224、226、228、230の側面とには絶縁性の材料が配置される。このため、第1バネ216と第2バネ224、第1バネ218と第2バネ226、第1バネ220と第2バネ228、第1バネ222と第2バネ230が接触しても、第1バネと第2バネとの間の絶縁性が保たれる。   An insulating material is disposed on the side surfaces of the first springs 216, 218, 220, 222 and the side surfaces of the second springs 224, 226, 228, 230. Therefore, even if the first spring 216 and the second spring 224, the first spring 218 and the second spring 226, the first spring 220 and the second spring 228, and the first spring 222 and the second spring 230 contact, Insulation between the spring and the second spring is maintained.

表示装置100は、上述した静電駆動により基板102の面に平行にシャッター210が移動してアンカー部236またはアンカー部242に近寄り、開口部213を基板102の光透過部と対向基板106の開口との間に位置させることができる。これにより、対向基板106の背面から供給されて基板106の開口を通過する光が、シャッター210の開口部213を通過する。これにより、対向基板106の背面から供給されて対向基板106の開口を透過する光が基板102の光透過部を透過し、表示装置100の外部に放出される。   In the display device 100, the shutter 210 moves parallel to the surface of the substrate 102 by the electrostatic driving described above and approaches the anchor portion 236 or the anchor portion 242. Can be positioned between. Accordingly, light supplied from the back surface of the counter substrate 106 and passing through the opening of the substrate 106 passes through the opening 213 of the shutter 210. Accordingly, light supplied from the back surface of the counter substrate 106 and transmitted through the opening of the counter substrate 106 is transmitted through the light transmitting portion of the substrate 102 and is emitted to the outside of the display device 100.

図4は、本実施形態に係る表示部102aを基板配線207に沿って切断した際の断面図である。基板102の上にシャッター210、アンカー部234および240ならびに第1バネ218および222により構成されるMEMSシャッターが配置されている。また、基板102の上には基板配線401が配置されている。基板配線401は導電性の材料を含む配線である。基板配線401には、例えばグランド電位が供給される。したがって、基板配線401とアンカー部234および240とが電気的に接続され、基板配線401に供給されたグランド電位等の所定の電位が、第1バネ218および222を経由してシャッター210に供給される。   FIG. 4 is a cross-sectional view of the display unit 102 a according to the present embodiment when cut along the substrate wiring 207. A MEMS shutter including a shutter 210, anchor portions 234 and 240, and first springs 218 and 222 is disposed on the substrate 102. A substrate wiring 401 is disposed on the substrate 102. The substrate wiring 401 is a wiring containing a conductive material. For example, a ground potential is supplied to the substrate wiring 401. Accordingly, the substrate wiring 401 and the anchor portions 234 and 240 are electrically connected, and a predetermined potential such as a ground potential supplied to the substrate wiring 401 is supplied to the shutter 210 via the first springs 218 and 222. The

また、対向基板106の基板102の側の面には、導電膜403が配置されている。導電膜403は導電性の材料を含み、導電性を有する材料で構成される複数の導電部405、406の配置されている箇所において、基板配線401と電気的に接続される。これにより、導電膜403にシャッター210に供給される電位と同じ電位を供給し、導電膜403とシャッター210とを同電位にする。これにより、シャッター210を対向基板106との間の静電力による引力や斥力が発生しないようにすることができる。なお、導電部は、図4において、基板102に対して垂直の方向に伸び、基板配線401と導電膜403とを電気的に接続しているが、形状は図示した形状に限らず、如何なる態様のものでも用いることができる。   A conductive film 403 is disposed on the surface of the counter substrate 106 on the substrate 102 side. The conductive film 403 includes a conductive material, and is electrically connected to the substrate wiring 401 at a position where the plurality of conductive portions 405 and 406 made of a conductive material are disposed. Accordingly, the same potential as the potential supplied to the shutter 210 is supplied to the conductive film 403 so that the conductive film 403 and the shutter 210 have the same potential. Thereby, it is possible to prevent the attractive force or repulsive force due to the electrostatic force between the shutter 210 and the counter substrate 106 from being generated. Note that the conductive portion extends in a direction perpendicular to the substrate 102 in FIG. 4 and electrically connects the substrate wiring 401 and the conductive film 403. However, the shape is not limited to the illustrated shape, and any mode is possible. Can also be used.

図5は、対向基板106を基板102の側から観察した場合の平面図である。導電膜403が開口501を除く部分に対向基板106の面に一様に拡がって形成されている。あるいは、導電膜403が光透過性を有している場合には、導電膜403が対向基板106の全面に一様に拡がって形成され、導電膜403を通して開口501が観察できるようになっていてもよい。   FIG. 5 is a plan view when the counter substrate 106 is observed from the substrate 102 side. A conductive film 403 is formed so as to uniformly spread on the surface of the counter substrate 106 in a portion excluding the opening 501. Alternatively, in the case where the conductive film 403 has light transmittance, the conductive film 403 is uniformly spread over the entire surface of the counter substrate 106, and the opening 501 can be observed through the conductive film 403. Also good.

図6は、図5におけるA−A断面線における対向基板の断面図である。すなわち、対向基板106に層601が形成され、さらに層602が形成されている。層601および層602により、導電膜403が形成される。図6において、層601と層602とは同じ形状となっている。すなわち、層601と層602を順に対向基板106に形成し、エッチングにより開口501を形成する。   6 is a cross-sectional view of the counter substrate taken along the line AA in FIG. That is, the layer 601 is formed over the counter substrate 106, and the layer 602 is further formed. A conductive film 403 is formed using the layers 601 and 602. In FIG. 6, the layer 601 and the layer 602 have the same shape. That is, the layer 601 and the layer 602 are sequentially formed on the counter substrate 106, and the opening 501 is formed by etching.

導電膜403を形成するために、層601と層602との少なくとも一方は導電性を有する材料を含み導電性を有する。導電性を有する層601と層602のいずれかまたは両方が導電部405、406と電気的に接続される。層602が絶縁性であれば、導電部が配置される位置において、層602が除去され、導電部と接続される。   In order to form the conductive film 403, at least one of the layer 601 and the layer 602 includes a conductive material and has conductivity. Either or both of the conductive layer 601 and the layer 602 are electrically connected to the conductive portions 405 and 406. If the layer 602 is insulative, the layer 602 is removed and connected to the conductive portion at the position where the conductive portion is disposed.

また、層601の材料は層602の材料よりも反射率が大きいことが好ましい。言い換えると、層602の材料は、層601の材料より反射率が小さいことが好ましい。このように反射率を設定することにより、バックライトから生成された光が開口501を通過しない場合には、層601により反射され、別の開口501から出射させることができ、明るい画像を表示することができる。また、表示に不要な漏れ光が層602により吸収され、より鮮明な画像を表示することができる。   In addition, the material of the layer 601 preferably has a higher reflectance than the material of the layer 602. In other words, the material of the layer 602 preferably has a lower reflectance than the material of the layer 601. By setting the reflectance in this way, when the light generated from the backlight does not pass through the opening 501, it is reflected by the layer 601 and can be emitted from another opening 501, thereby displaying a bright image. be able to. Further, leakage light unnecessary for display is absorbed by the layer 602, so that a clearer image can be displayed.

導電膜403は膜状に形成されているために、一般に電気抵抗が低く、導電膜403の一箇所に電位を供給すると、導電膜403の全体にその電位が直ちに拡がる。一方、シャッター210へは、基板配線401からアンカー部234、240および第1バネ218および222を介して電位が供給されるので、シャッター210と基板配線401との間の電気抵抗は、導電膜403に比べて大きくなる。このため、基板配線401の端部から電位を供給しても、その電位が、基板配線401に接続される全てのMEMSシャッターのシャッターに伝達されるには、導電膜403の全体に電位が拡がるよりも時間を要することになる。また,表示部102aが大きい場合は,基板配線401の端部から電位を供給しても、対向基板106上の導電膜403にも瞬間的に電位分布が発生する。   Since the conductive film 403 is formed in a film shape, the electric resistance is generally low, and when a potential is supplied to one portion of the conductive film 403, the potential immediately spreads over the entire conductive film 403. On the other hand, since electric potential is supplied to the shutter 210 from the substrate wiring 401 through the anchor portions 234 and 240 and the first springs 218 and 222, the electrical resistance between the shutter 210 and the substrate wiring 401 is the conductive film 403. Larger than For this reason, even if a potential is supplied from the end of the substrate wiring 401, the potential spreads over the entire conductive film 403 so that the potential is transmitted to the shutters of all the MEMS shutters connected to the substrate wiring 401. Will take more time. In the case where the display portion 102 a is large, even if a potential is supplied from the end portion of the substrate wiring 401, a potential distribution is instantaneously generated in the conductive film 403 on the counter substrate 106.

この遅延により、複数の導電部がなければ、シャッター210と導電膜403との間に電位差が発生し、シャッター210に、対向基板106からの引力や斥力が加わることになる。一方、複数の導電部を設けることにより、すくなくとも、導電部により基板配線と導電膜とが接続されている箇所およびその近傍においては、シャッター210と導電膜403との電位の差の発生を抑制することができる。   Due to this delay, if there are no plurality of conductive portions, a potential difference is generated between the shutter 210 and the conductive film 403, and an attractive force or repulsive force from the counter substrate 106 is applied to the shutter 210. On the other hand, by providing a plurality of conductive portions, at least at the portion where the substrate wiring and the conductive film are connected by the conductive portions and in the vicinity thereof, the occurrence of a potential difference between the shutter 210 and the conductive film 403 is suppressed. be able to.

複数の導電部のうちの少なくとも一つは、基板配線の略中央の位置に配置することが好ましく、したがって、表示部102aの略中央に配置するのが好ましい。また、導電部406はシャッター210と一対一に配置してもよい。あるいは、一般にN個のシャッター210に対して一つの導電部406を配置してもよい。このように、導電部406を配置することにより、基板配線401から導電部406を経由して導電膜403に電位が供給されるので、シャッター210と導電膜403とに電位差が発生することを抑制することができる。   At least one of the plurality of conductive portions is preferably disposed at a substantially central position of the substrate wiring, and therefore is preferably disposed at a substantially central position of the display portion 102a. Further, the conductive portion 406 may be disposed one-on-one with the shutter 210. Alternatively, in general, one conductive portion 406 may be arranged for N shutters 210. In this manner, by arranging the conductive portion 406, a potential is supplied from the substrate wiring 401 to the conductive film 403 via the conductive portion 406, so that a potential difference between the shutter 210 and the conductive film 403 is suppressed. can do.

上述した遅延は、表示部102aが大きくなるほど大きくなる。したがって、本実施形態は表示装置の大型化に有効である。   The delay described above increases as the display unit 102a increases. Therefore, this embodiment is effective for increasing the size of the display device.

また、上述したように、シャッター210と導電膜403とにグランド電位が供給される場合には、グランド電位を供給する電源供給回路の容量を大きくすれば、グランド電位を一定に保つことができるが、電源供給回路の容量を大きくすると、電源供給回路の規模が大きくなる。   In addition, as described above, when the ground potential is supplied to the shutter 210 and the conductive film 403, the ground potential can be kept constant by increasing the capacity of the power supply circuit that supplies the ground potential. Increasing the capacity of the power supply circuit increases the scale of the power supply circuit.

したがって、導電部406を配置することにより、電源供給回路の規模を小さくすることができ、表示装置の小型化、軽量化にも寄与することができる。   Therefore, by providing the conductive portion 406, the scale of the power supply circuit can be reduced, and the display device can be reduced in size and weight.

なお、基板配線401は、断面積を大きくするために膜状に形成されていてもよい。これにより、基板配線401の電気抵抗を小さくすることができる。基板配線401の電気抵抗を小さくすることにより、シャッター210と導電膜403とに電位差が発生することをさらに抑制することができる。   The substrate wiring 401 may be formed in a film shape in order to increase the cross-sectional area. Thereby, the electrical resistance of the substrate wiring 401 can be reduced. By reducing the electrical resistance of the substrate wiring 401, it is possible to further suppress the occurrence of a potential difference between the shutter 210 and the conductive film 403.

(実施形態2)
本発明の実施形態2として、シャッターに対向する導電膜が、複数の領域に分割されている形態について説明する。
(Embodiment 2)
As Embodiment 2 of the present invention, a mode in which the conductive film facing the shutter is divided into a plurality of regions will be described.

図7は、本実施形態に係る表示装置の表示部102aの断面図を示す。図7に示すように、導電膜701が複数の領域に分割されている。また、それぞれの分割された領域に導電部702が配置され、基板配線401と電気的に接続されている。これにより、基板配線401から電位がそれぞれの分割された領域に供給される。導電膜701が分割され、それぞれの分割された領域に電位が供給されることにより、シャッター210とそれに対向する導電膜の分割された領域の電位差を、より小さくすることができる。   FIG. 7 is a cross-sectional view of the display unit 102a of the display device according to the present embodiment. As shown in FIG. 7, the conductive film 701 is divided into a plurality of regions. In addition, a conductive portion 702 is disposed in each divided region and is electrically connected to the substrate wiring 401. As a result, a potential is supplied from the substrate wiring 401 to each divided region. When the conductive film 701 is divided and a potential is supplied to each divided region, the potential difference between the divided region of the shutter 210 and the conductive film facing the shutter 210 can be further reduced.

図8の(a)は、本実施形態に係る表示装置において、対向基板106を基板102の配置されている側の方向から観察した場合の平面図である。図8の(a)においては、導電膜701が、対向基板の開口801を含む領域に分割されている。図8においては、導電膜701の分割されている各領域は一つの開口801を取り囲み、開口801と導電膜701の分割されている領域とが一対一に対応している。しかし、本実施形態はこれに限られることはなく、複数の開口801が導電膜701の分割されている領域の一つにより取り囲まれていてもよい。   FIG. 8A is a plan view of the display device according to this embodiment when the counter substrate 106 is observed from the direction where the substrate 102 is disposed. In FIG. 8A, the conductive film 701 is divided into regions including the opening 801 of the counter substrate. In FIG. 8, each divided region of the conductive film 701 surrounds one opening 801, and the opening 801 and the divided region of the conductive film 701 correspond one-to-one. However, the present embodiment is not limited to this, and the plurality of openings 801 may be surrounded by one of the regions where the conductive film 701 is divided.

図8の(b)は、図8の(a)のB−B断面線における対向基板の断面図をより詳細に示す。図8の(b)において、層802は、開口801を除く部分に形成されている。層802が除去されている部分が開口801に対応している。層802は、絶縁性の材料により形成される。   FIG. 8B shows in more detail the cross-sectional view of the counter substrate along the BB cross-sectional line in FIG. In FIG. 8B, the layer 802 is formed in a portion excluding the opening 801. A portion where the layer 802 is removed corresponds to the opening 801. The layer 802 is formed using an insulating material.

層803は、複数の領域に分割された導電膜に対応する。層803は、層802が除去されている部分において除去され、開口801を形成している。また、層802が除去されていないが、層803が除去されている部分は、複数の領域に分割された導電膜の区切り804に対応している。この区切り804により、それぞれの領域が電気的に絶縁される。   The layer 803 corresponds to the conductive film divided into a plurality of regions. The layer 803 is removed at a portion where the layer 802 is removed to form an opening 801. In addition, although the layer 802 is not removed, the portion from which the layer 803 is removed corresponds to the conductive film partition 804 divided into a plurality of regions. Each region is electrically insulated by the partition 804.

また、層802の材料と層803の材料との反射率を比較した場合、層802の材料の反射率の方が層803の材料の反射率よりも大きいことが好ましい。言い換えると、層803の材料の反射率の方が層802の材料の反射率のよりも小さいことが好ましい。   In addition, when the reflectances of the material of the layer 802 and the layer 803 are compared, the reflectance of the material of the layer 802 is preferably larger than the reflectance of the material of the layer 803. In other words, the reflectance of the material of the layer 803 is preferably smaller than the reflectance of the material of the layer 802.

図9は、本実施形態のさらに別の形態を示す。図9においては、対向基板106に近い層である層901が導電性を有する。すなわち、層901は、開口801の位置において除去され、また、導電膜701の区切り804に応じて第2の開口903において除去されている。層902は絶縁性の材料を用いて形成されている。層902は、層901に第2の開口903が形成された後に、層901の上に形成され、その後、層902と層901に開口801が形成される。   FIG. 9 shows still another form of the present embodiment. In FIG. 9, a layer 901 that is a layer close to the counter substrate 106 has conductivity. That is, the layer 901 is removed at the position of the opening 801, and is removed at the second opening 903 in accordance with the partition 804 of the conductive film 701. The layer 902 is formed using an insulating material. The layer 902 is formed over the layer 901 after the second opening 903 is formed in the layer 901, and then the opening 801 is formed in the layer 902 and the layer 901.

このように層901を導電性の材料で形成し、層902を絶縁性の材料で形成することにより、図7の場合とは異なる材料の選択を行うことができる。   By forming the layer 901 with a conductive material and the layer 902 with an insulating material in this manner, a material different from that in FIG. 7 can be selected.

図10は、本実施形態のさらに別の形態を示す。図10においては、層1001と層1002とが、図8に示すように、開口701により、層1001と層1002とを同じ区分とする。また、図10においては、層1001と層1002とは絶縁性の材料とする。また、層1001の反射率は、層1002の反射率よりも大きくすることが好ましい。   FIG. 10 shows still another form of the present embodiment. In FIG. 10, the layer 1001 and the layer 1002 make the layer 1001 and the layer 1002 the same division by the opening 701 as shown in FIG. In FIG. 10, the layers 1001 and 1002 are made of insulating materials. In addition, the reflectance of the layer 1001 is preferably larger than the reflectance of the layer 1002.

層1001と層1002とに開口801を設けた後に、導電性を有し、透過性を有する材料の透明導電膜を層1001と層1002との上に形成し、開口801と層1001と層1002とを覆う。例えば、ITO膜を形成する。そして、透明導電膜を複数の領域に分割する。このように、透明導電膜を用いることにより、開口801を光が通過することを維持しつつ、層1001と層1002とに絶縁性の材料を用いることができ、適切な材料の選択ができる。   After the opening 801 is provided in the layer 1001 and the layer 1002, a transparent conductive film made of a material having conductivity and transparency is formed over the layer 1001 and the layer 1002, and the opening 801, the layer 1001, and the layer 1002 are formed. And cover. For example, an ITO film is formed. Then, the transparent conductive film is divided into a plurality of regions. In this manner, by using a transparent conductive film, an insulating material can be used for the layers 1001 and 1002 while maintaining light passing through the opening 801, and an appropriate material can be selected.

102 基板、106 対向基板、401 基板配線、403 導電膜、405 導電部、406 導電部、218 第1バネ、 222 第一バネ、234 アンカー部、240 アンカー部、210 シャッター   102 substrate, 106 counter substrate, 401 substrate wiring, 403 conductive film, 405 conductive portion, 406 conductive portion, 218 first spring, 222 first spring, 234 anchor portion, 240 anchor portion, 210 shutter

Claims (10)

複数の光透過部と前記複数の光透過部のそれぞれに対応して画素素子が複数配置された基板と、前記複数の光透過部それぞれに対向する開口を複数有する対向基板とを有する表示部を備える表示装置であって、
前記画素素子は、
前記基板に形成された基板接続部と、
前記基板と離隔して形成され、前記開口と前記光透過部とを通過する光の量を制御するシャッターと、
前記基板接続部と前記シャッターとを電気的に接続し前記シャッターを移動させるバネと、
を有し、
前記基板には、前記基板接続部に所定の電位を供給する基板配線が配置され、
前記対向基板は、前記基板の側の面に導電膜を配置し、
前記基板と前記対向基板との間において、前記導電膜と前記基板配線とが複数箇所により電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
A display unit comprising: a plurality of light transmission parts; a substrate on which a plurality of pixel elements are arranged corresponding to each of the plurality of light transmission parts; and a counter substrate having a plurality of openings facing each of the plurality of light transmission parts. A display device comprising:
The pixel element is
A substrate connecting portion formed on the substrate;
A shutter that is formed apart from the substrate and controls the amount of light passing through the opening and the light transmission part;
A spring for electrically connecting the substrate connecting portion and the shutter and moving the shutter;
Have
A substrate wiring for supplying a predetermined potential to the substrate connecting portion is disposed on the substrate,
The counter substrate has a conductive film disposed on a surface on the substrate side,
The display device, wherein the conductive film and the substrate wiring are electrically connected at a plurality of locations between the substrate and the counter substrate.
前記複数箇所のうち少なくとも一つは、前記表示部の略中央に位置することを特徴とする請求項1に記載の表示装置。   The display device according to claim 1, wherein at least one of the plurality of locations is located at a substantially center of the display unit. 前記画素素子は、ゲートドライバにより電位が供給されるゲート線に沿って配置され、
前記基板配線は、前記ゲート線に沿って配置されていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
The pixel element is disposed along a gate line to which a potential is supplied by a gate driver,
The display device according to claim 1, wherein the substrate wiring is disposed along the gate line.
前記複数箇所は、前記画素素子と一対一に対応して配置されていることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の表示装置。   The display device according to claim 1, wherein the plurality of locations are arranged in one-to-one correspondence with the pixel elements. 前記導電膜は、電気的に分離した複数の領域に分割され、前記複数の領域のそれぞれは前記複数箇所のいずれかにより前記基板配線に接続されていることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の表示装置。   5. The conductive film according to claim 1, wherein the conductive film is divided into a plurality of electrically isolated regions, and each of the plurality of regions is connected to the substrate wiring at any one of the plurality of locations. The display apparatus in any one. 前記複数の領域のそれぞれは、前記複数の開口のいずれかを取り囲む領域であることを特徴とする請求項5に記載の表示装置。   The display device according to claim 5, wherein each of the plurality of regions is a region surrounding any of the plurality of openings. 前記導電膜は、前記導電膜よりも光の反射率が大きい絶縁膜を介して前記対向基板に配置されていることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の表示装置。   The display device according to claim 1, wherein the conductive film is disposed on the counter substrate with an insulating film having a higher light reflectance than the conductive film. 前記導電膜は、前記導電膜よりも光の反射率の小さい絶縁膜により覆われていることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の表示装置。   The display device according to claim 1, wherein the conductive film is covered with an insulating film having a smaller light reflectance than the conductive film. 前記導電膜は、透明な材料であり前記開口を覆うことを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の表示装置。   The display device according to claim 1, wherein the conductive film is made of a transparent material and covers the opening. 前記導電膜は、第1の絶縁膜が対向基板に形成され前記第1の絶縁膜よりも反射率の小さい第2の絶縁膜が形成された後に形成されたことを特徴とする請求項9に記載の表示装置。   10. The conductive film according to claim 9, wherein the conductive film is formed after the first insulating film is formed on the counter substrate and the second insulating film having a reflectance lower than that of the first insulating film is formed. The display device described.
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