JP2014077903A - Display device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、画像などを表示する装置に関する。特に、画素に対応する画素素子毎に光の透過量をシャッターにより調整して画像などを表示する装置に関する。 The present invention relates to an apparatus for displaying an image or the like. In particular, the present invention relates to an apparatus that displays an image or the like by adjusting a light transmission amount for each pixel element corresponding to a pixel with a shutter.
画像などを表示する装置として、液晶を用いる表示装置が知られている。このような装置では、電極間に挟持された液晶を透過する光の偏光の向きを制御して、偏光板を透過する光の透過量を画素毎に制御している。 A display device using liquid crystal is known as a device for displaying an image or the like. In such an apparatus, the direction of polarization of light transmitted through the liquid crystal sandwiched between the electrodes is controlled, and the amount of light transmitted through the polarizing plate is controlled for each pixel.
しかしながら、液晶を用いる表示装置は、液晶を透過する偏光の向きの変更に時間を要し、高速に変化する画像などを表示する際には残像が認識されるという問題点がある。また、光を、偏光板、液晶層、カラーフィルタ、電極などの多数の層を透過させる必要があり、光の利用効率が減少し、明るい表示を得ることが困難であるという問題もある。 However, a display device using liquid crystal has a problem that it takes time to change the direction of polarized light that passes through the liquid crystal, and an afterimage is recognized when an image that changes at high speed is displayed. In addition, it is necessary to transmit light through a large number of layers such as a polarizing plate, a liquid crystal layer, a color filter, and an electrode, and there is a problem in that it is difficult to obtain a bright display because the light use efficiency is reduced.
近年、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)技術を応用したメカニカルシャッター(以下「MEMSシャッター」という。)を用いた表示装置が注目されている。MEMSシャッターを用いた表示装置(以下「MEMS表示装置」という。)とは、画素ごとに設けたMEMSシャッターを高速で開閉することによってシャッターを通過する光の量を制御し、画像の明暗の調整を行う表示装置である。 In recent years, a display device using a mechanical shutter (hereinafter referred to as “MEMS shutter”) to which MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) technology is applied has attracted attention. A display device using a MEMS shutter (hereinafter referred to as a “MEMS display device”) controls the amount of light passing through the shutter by opening and closing the MEMS shutter provided for each pixel at high speed, thereby adjusting the brightness of the image. It is the display device which performs.
MEMS表示装置においては時間階調方式が採用されており、赤色、緑色及び青色のLEDなどのバックライトからの光を順次切り替えて画像の表示を行う。MEMS表示装置は、液晶ディスプレイに用いられる偏光フィルムやカラーフィルタなどを必要とせず、液晶と比較してバックライトの光の利用効率は約10倍以上、消費電力は1/2以下になり、また、色再現性が優れている点に特徴があると考えられる。また、高速に画像などの表示を変化させることができる。 The MEMS display device employs a time gray scale method, and displays images by sequentially switching light from backlights such as red, green, and blue LEDs. The MEMS display device does not require a polarizing film or a color filter used for a liquid crystal display, and the light use efficiency of the backlight is about 10 times or more, and the power consumption is 1/2 or less, compared to the liquid crystal. The color reproducibility is considered to be characteristic. In addition, display of images and the like can be changed at high speed.
例えば、MEMS表示装置の一例として、画素毎に基板と平行な方向に移動するシャッターを開口上に設け、シャッターを移動させて開口の光を通過させるための第1の駆動ビームに対向する第1のコンプライアントロードビームと、開口の光をシャッターにより遮断させるために配置された第2の駆動ビームに対向する第2のコンプライアントロードビームとをシャッターに接続し、シャッターを移動させて通過する光の量を制御する表示装置が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。 For example, as an example of the MEMS display device, a shutter that moves in a direction parallel to the substrate for each pixel is provided on the opening, and a first driving beam that moves the shutter to pass light from the opening is opposed to the first. A compliant load beam and a second compliant load beam opposed to the second drive beam arranged to block light from the aperture by the shutter, and the light passing through the shutter by moving the shutter There has been proposed a display device that controls the amount of light (for example, see Patent Document 1).
しかしながら、特許文献1などに開示されている従来のMEMS表示装置においては、対向基板とシャッターとの間に電位差が発生すると、シャッターが対向基板に引き寄せられ、シャッターが対向基板に張り付いてしまう場合がある。 However, in the conventional MEMS display device disclosed in Patent Document 1 or the like, when a potential difference is generated between the counter substrate and the shutter, the shutter is attracted to the counter substrate and the shutter sticks to the counter substrate. There is.
本発明の一実施形態として、複数の光透過部と前記複数の光透過部のそれぞれに対応して画素素子が複数配置された基板と、前記複数の光透過部それぞれに対向する開口を複数有する対向基板とを有する表示部を備える表示装置であって、前記画素素子は、前記基板に形成された基板接続部と、前記基板と離隔して形成され、前記開口と前記光透過部とを通過する光の量を制御するシャッターと、前記基板接続部と前記シャッターとを電気的に接続し前記シャッターを移動させるバネと、有し、前記基板には、前記基板接続部に所定の電位を供給する基板配線が配置され、前記対向基板は、前記基板の側の面に導電膜を配置し、前記基板と前記対向基板との間において、前記導電膜と前記基板配線とが複数箇所により電気的に接続されていることを特徴とする表示装置を提供する。 As an embodiment of the present invention, a plurality of light transmission portions, a substrate on which a plurality of pixel elements are arranged corresponding to each of the plurality of light transmission portions, and a plurality of openings facing each of the plurality of light transmission portions. The display device includes a display unit having a counter substrate, wherein the pixel element is formed apart from the substrate connection unit formed on the substrate and the substrate, and passes through the opening and the light transmission unit. A shutter that controls the amount of light to be transmitted, and a spring that electrically connects the substrate connecting portion and the shutter to move the shutter, and supplies a predetermined potential to the substrate connecting portion to the substrate And a conductive film is disposed on the surface of the counter substrate, and the conductive film and the substrate wiring are electrically connected at a plurality of locations between the substrate and the counter substrate. It is connected to the Providing a display device comprising and.
本発明によれば、対向基板とシャッターとの間に電位差が発生するのを抑制することができる。 According to the present invention, it is possible to suppress the generation of a potential difference between the counter substrate and the shutter.
以下、本発明を実施するための形態についていくつかの実施形態として説明する。なお、本発明は以下に説明する実施形態に限定されることなく、種々の変形を加えて実施することも可能である。 Hereinafter, modes for carrying out the present invention will be described as some embodiments. The present invention is not limited to the embodiments described below, and can be implemented with various modifications.
(実施形態1)
図1の(A)に本発明の一実施形態に係る表示装置100の斜視図を示し、図1の(B)に表示装置100の平面図を示す。表示装置100は、基板102および対向基板106を有している。基板102は、表示部102a、駆動回路102b、102cおよび102d、ならびに端子部102eを有している。基板102と対向基板106とは、シール材等を用いて接合される。なお、対向基板106の図1の(A)の上面側にバックライトが配置される場合がある。図1においては、バックライトは図示されていない。
(Embodiment 1)
FIG. 1A shows a perspective view of a
図2に表示装置100の回路ブロック図を示す。表示装置100には、コントローラ120から画像信号および制御信号が供給される。また、表示装置100には、コントローラ120によって制御されるバックライト122から光が供給される。なお、コントローラ120およびバックライト122を表示装置100に含ませることもできる。
FIG. 2 shows a circuit block diagram of the
図2に示すとおり、表示部102aは、MEMSシャッター(画素素子)202、画素回路299および保持容量206を有する画素200を有している。画素回路は保持容量,スイッチング素子により構成される。画素200は、ゲート線G1、G2、…、Gnとデータ線D1、D2、…、Dmとの交点に対応する位置に配置されるので、複数の画素200は、ゲート線およびデータ線のそれぞれに沿って配置される。したがって、複数個の画素200が、マトリクス状に配置される。駆動回路102bは、データドライバであり、スイッチング素子204へデータ線D1、D2、…、Dmを介してデータ信号(バイアス電位)を供給する。駆動回路102c,102dは、ゲートドライバであり、画素回路299へゲート線G1、G2、…、Gnを介してゲート信号を供給する。画素回路299は、データ線D1、D2、…、Dmから供給されるデータ信号に基づき、MEMSシャッター202を駆動する。
As illustrated in FIG. 2, the
また、図2においては、ゲート線に沿って基板配線207が配置されている。基板配線207は、MEMSシャッター(画素素子)202に所定の電位を供給するための配線である。基板配線207は、後に説明するアンカー部(基板接続部)と第1バネとを介してシャッターに所定の電位を供給する。また、対向基板106の基板102側の面には導電性の材料を含む導電膜が形成されている。基板102と対向基板106との間において、導電膜と基板配線とが複数の箇所により電気的に接続される。したがって、基板配線207は、導電膜に所定の電位を供給することも行う。
In FIG. 2, the
なお、基板配線207は、データ線に沿って配置することもできる。また,基板配線207は、表示部102aの周囲に配置することもできる。
The
なお、図2においては、駆動回路102b、102cが表示部102aを挟むように配置されているが、この構成に限定されるものではない。
In FIG. 2, the
次に図3を参照し、MEMSシャッター202の構成について説明する。図3は、MEMSシャッター202の斜視図である。説明の便宜のために、図3においては、一つのMEMSシャッター202を示すが、表示装置100には、上述のように、基板102に図3に示す複数個のMEMSシャッター202がマトリクス状に配置される。
Next, the configuration of the
MEMSシャッター202は、シャッター210、第1バネ(コンプライアントロードビーム)216、218、第2バネ(駆動ビーム)224、226、及びアンカー部232、234、236を有している。第1バネ216、218それぞれは、第2バネ224、226それぞれと対向し、組を形成している。シャッター210は開口部213を有しており、開口部213を除くシャッター210本体は遮光部となる。また、基板102には、複数の光透過部が形成され、対向基板106には、光を通過させる複数の開口が形成されている。対向基板106の一つの開口と基板102のいずれかの光透過部とが対向するように、対向基板106と基板102とが平面方向に重なり合って配置される。このとき、シール材等を介して基板102に対向基板106が接合される。ここに開口と光透過部が対向するとは、開口と光透過部との間に障害物がなければ、対向基板106に対して垂直に開口に入射して対向する光透過部を通過しようとする光が、対向する光透過部を通過可能であることをいう。
The
なお、本実施形態に示すMEMSシャッター202は、本発明の表示装置100に用いることのできるMEMSシャッターの一例に過ぎず、画素回路で駆動することのできるMEMSシャッターであれば図示した構成に限らず、如何なる態様のものでも用いることができる。
Note that the
シャッター210の一方の側は、第1バネ216、218を介してアンカー部232、234に接続されている。アンカー部232、234は、第1バネ216、218とともに、シャッター210を基板102の表面から離隔した状態に支持する機能を有する。また、第1バネ216、218は導電性の材料により構成され、可撓性を有している。これにより、アンカー部232、242に供給される電位が、第1バネ216、218に供給される。アンカー部232は第1バネ216と電気的に接続されており、且つ、アンカー部234は第1バネ218と電気的に接続されている。アンカー部232、234に、基板配線207により例えばグランド電位が供給されると、第1バネ216、218にもグランド電位が供給される。
One side of the
また、アンカー部236は、第2バネ224、226を基板102の表面から離隔した状態に支持する機能を有する。また、第2バネ224、226も導電性の材料により構成される。第2バネ224、226は、アンカー部236に電気的に接続されている。これにより、アンカー部236に供給された電位が第2バネ224、226に供給される。アンカー部236には、画素回路299を介してバイアス電位を供給することができ、したがって第2バネ224、226にバイアス電位を供給することができる。
The
なお、アンカー部232および234には、上記グランド電位の代わりに、所定の電位を供給する構成でもよい(以下にグランド電位が供給されると説明されるときのアンカー部238、240についても同様である。)。
The
また、シャッター210の他方の側は、第1バネ220、222を介してアンカー部238、240に接続されている。アンカー部238、240は、第1バネ220、222とともに、シャッター210を基板102の表面から離隔した状態に支持する機能を有する。また、第1バネ220、222も導電性の材料により構成され、可撓性を有する。したがって、アンカー部238および240それぞれを第1バネ220および222と電気的に接続することにより、基板配線207によりアンカー部238および240にグランド電位を供給すると、第1バネ220および222にグランド電位が供給される。
The other side of the
また、第1バネ220、222により取り囲まれるように、第2バネ228、230が配置され、第1バネ220、222それぞれが第2バネ228、230それぞれと対向し、組を形成していてもよい。この場合、第2バネ228、230も導電性の材料により構成することができる。この場合、第2バネ228、230は、アンカー部242に電気的に接続される。アンカー部242は、第2バネ228、230を基板102の表面から離隔した状態に支持する機能を有する。アンカー部242は第2バネ228、230と電気的に接続することができる。この場合、アンカー部242には、画素回路,または,電位供給配線を介してバイアス電位が供給され、第2バネ228、230にバイアス電位が供給される。なお,電位供給配線は図中には示していない。
Further, the
また、シャッター210は、第1バネ216、218、220、222と機械的に接続される。この場合、シャッター210も導電性の材料で構成され、第1バネ216、218と電気的に接続され、アンカー部232および234に供給される電位がシャッター210に供給される。また、シャッター210は、第1バネ220、222とも機械的におよび電気的に接続され、さらに、アンカー部238および240に供給される電位が供給されるようになっていてもよい。
The
MEMSシャッター202の形成方法は次の通りである。まず、基板102上に第1の犠牲膜を形成し、アンカー部232,234,236,238,240,242の一部を形成する。次に、第1バネ216、218、220、222と第2バネ224、226、228、230との上面までと同じ高さの第2の犠牲膜を第1の犠牲膜上に形成し、アンカー部232,234,236,238,240,242の一部を形成する。その上にシャッター210とアンカー部232、234、236、238、240、242の一部とを形成する。その後、第1の犠牲膜と第2の犠牲膜とを除去する。
The method for forming the
本実施形態においては、上述したように、画素回路299を介してアンカー部236にバイアス電位を供給することができる。これにより、第2バネ224および226にバイアス電位が供給される。また、アンカー部232および234には基板配線207により例えばグランド電位が供給され、第1バネ216および218にグランド電位が供給される。したがって、アンカー部236にグランド電位と異なるバイアス電位を供給し、第1バネ216、218と第2バネ224、226との間に電位差を発生させると、第1バネ216と第2バネ224とが静電駆動され、第1バネ216が第2バネ224に引き寄せられ、且つ、第1バネ218と第2バネ226とが静電駆動され、第1バネ218が第2バネ226に引き寄せられる。これにより、シャッター210をアンカー部236に向かって移動させることができる。
In the present embodiment, as described above, a bias potential can be supplied to the
また、同様に、画素回路299または電位供給配線を介してアンカー部242にバイアス電位を供給することができる。これにより、第2バネ228、230にバイアス電位が供給される。また、アンカー部238および240には、基板配線207によりグランド電位が供給され、第1バネ220、222にグランド電位が供給される。第1バネ220、222と第2バネ228、230との間に電位差を発生させると、第1バネ220と第2バネ228とが静電駆動され、第1バネ220が第2バネ228に引き寄せられ、且つ、第1バネ222と第2バネ230とが静電駆動され、第1バネ222が第2バネ230に引き寄せられる。これにより、シャッター210をアンカー部242に向かって移動させることができる。
Similarly, a bias potential can be supplied to the
なお、第1バネ216、218、220、222の側面と第2バネ224、226、228、230の側面とには絶縁性の材料が配置される。このため、第1バネ216と第2バネ224、第1バネ218と第2バネ226、第1バネ220と第2バネ228、第1バネ222と第2バネ230が接触しても、第1バネと第2バネとの間の絶縁性が保たれる。
An insulating material is disposed on the side surfaces of the
表示装置100は、上述した静電駆動により基板102の面に平行にシャッター210が移動してアンカー部236またはアンカー部242に近寄り、開口部213を基板102の光透過部と対向基板106の開口との間に位置させることができる。これにより、対向基板106の背面から供給されて基板106の開口を通過する光が、シャッター210の開口部213を通過する。これにより、対向基板106の背面から供給されて対向基板106の開口を透過する光が基板102の光透過部を透過し、表示装置100の外部に放出される。
In the
図4は、本実施形態に係る表示部102aを基板配線207に沿って切断した際の断面図である。基板102の上にシャッター210、アンカー部234および240ならびに第1バネ218および222により構成されるMEMSシャッターが配置されている。また、基板102の上には基板配線401が配置されている。基板配線401は導電性の材料を含む配線である。基板配線401には、例えばグランド電位が供給される。したがって、基板配線401とアンカー部234および240とが電気的に接続され、基板配線401に供給されたグランド電位等の所定の電位が、第1バネ218および222を経由してシャッター210に供給される。
FIG. 4 is a cross-sectional view of the
また、対向基板106の基板102の側の面には、導電膜403が配置されている。導電膜403は導電性の材料を含み、導電性を有する材料で構成される複数の導電部405、406の配置されている箇所において、基板配線401と電気的に接続される。これにより、導電膜403にシャッター210に供給される電位と同じ電位を供給し、導電膜403とシャッター210とを同電位にする。これにより、シャッター210を対向基板106との間の静電力による引力や斥力が発生しないようにすることができる。なお、導電部は、図4において、基板102に対して垂直の方向に伸び、基板配線401と導電膜403とを電気的に接続しているが、形状は図示した形状に限らず、如何なる態様のものでも用いることができる。
A
図5は、対向基板106を基板102の側から観察した場合の平面図である。導電膜403が開口501を除く部分に対向基板106の面に一様に拡がって形成されている。あるいは、導電膜403が光透過性を有している場合には、導電膜403が対向基板106の全面に一様に拡がって形成され、導電膜403を通して開口501が観察できるようになっていてもよい。
FIG. 5 is a plan view when the
図6は、図5におけるA−A断面線における対向基板の断面図である。すなわち、対向基板106に層601が形成され、さらに層602が形成されている。層601および層602により、導電膜403が形成される。図6において、層601と層602とは同じ形状となっている。すなわち、層601と層602を順に対向基板106に形成し、エッチングにより開口501を形成する。
6 is a cross-sectional view of the counter substrate taken along the line AA in FIG. That is, the
導電膜403を形成するために、層601と層602との少なくとも一方は導電性を有する材料を含み導電性を有する。導電性を有する層601と層602のいずれかまたは両方が導電部405、406と電気的に接続される。層602が絶縁性であれば、導電部が配置される位置において、層602が除去され、導電部と接続される。
In order to form the
また、層601の材料は層602の材料よりも反射率が大きいことが好ましい。言い換えると、層602の材料は、層601の材料より反射率が小さいことが好ましい。このように反射率を設定することにより、バックライトから生成された光が開口501を通過しない場合には、層601により反射され、別の開口501から出射させることができ、明るい画像を表示することができる。また、表示に不要な漏れ光が層602により吸収され、より鮮明な画像を表示することができる。
In addition, the material of the
導電膜403は膜状に形成されているために、一般に電気抵抗が低く、導電膜403の一箇所に電位を供給すると、導電膜403の全体にその電位が直ちに拡がる。一方、シャッター210へは、基板配線401からアンカー部234、240および第1バネ218および222を介して電位が供給されるので、シャッター210と基板配線401との間の電気抵抗は、導電膜403に比べて大きくなる。このため、基板配線401の端部から電位を供給しても、その電位が、基板配線401に接続される全てのMEMSシャッターのシャッターに伝達されるには、導電膜403の全体に電位が拡がるよりも時間を要することになる。また,表示部102aが大きい場合は,基板配線401の端部から電位を供給しても、対向基板106上の導電膜403にも瞬間的に電位分布が発生する。
Since the
この遅延により、複数の導電部がなければ、シャッター210と導電膜403との間に電位差が発生し、シャッター210に、対向基板106からの引力や斥力が加わることになる。一方、複数の導電部を設けることにより、すくなくとも、導電部により基板配線と導電膜とが接続されている箇所およびその近傍においては、シャッター210と導電膜403との電位の差の発生を抑制することができる。
Due to this delay, if there are no plurality of conductive portions, a potential difference is generated between the
複数の導電部のうちの少なくとも一つは、基板配線の略中央の位置に配置することが好ましく、したがって、表示部102aの略中央に配置するのが好ましい。また、導電部406はシャッター210と一対一に配置してもよい。あるいは、一般にN個のシャッター210に対して一つの導電部406を配置してもよい。このように、導電部406を配置することにより、基板配線401から導電部406を経由して導電膜403に電位が供給されるので、シャッター210と導電膜403とに電位差が発生することを抑制することができる。
At least one of the plurality of conductive portions is preferably disposed at a substantially central position of the substrate wiring, and therefore is preferably disposed at a substantially central position of the
上述した遅延は、表示部102aが大きくなるほど大きくなる。したがって、本実施形態は表示装置の大型化に有効である。
The delay described above increases as the
また、上述したように、シャッター210と導電膜403とにグランド電位が供給される場合には、グランド電位を供給する電源供給回路の容量を大きくすれば、グランド電位を一定に保つことができるが、電源供給回路の容量を大きくすると、電源供給回路の規模が大きくなる。
In addition, as described above, when the ground potential is supplied to the
したがって、導電部406を配置することにより、電源供給回路の規模を小さくすることができ、表示装置の小型化、軽量化にも寄与することができる。
Therefore, by providing the
なお、基板配線401は、断面積を大きくするために膜状に形成されていてもよい。これにより、基板配線401の電気抵抗を小さくすることができる。基板配線401の電気抵抗を小さくすることにより、シャッター210と導電膜403とに電位差が発生することをさらに抑制することができる。
The
(実施形態2)
本発明の実施形態2として、シャッターに対向する導電膜が、複数の領域に分割されている形態について説明する。
(Embodiment 2)
As Embodiment 2 of the present invention, a mode in which the conductive film facing the shutter is divided into a plurality of regions will be described.
図7は、本実施形態に係る表示装置の表示部102aの断面図を示す。図7に示すように、導電膜701が複数の領域に分割されている。また、それぞれの分割された領域に導電部702が配置され、基板配線401と電気的に接続されている。これにより、基板配線401から電位がそれぞれの分割された領域に供給される。導電膜701が分割され、それぞれの分割された領域に電位が供給されることにより、シャッター210とそれに対向する導電膜の分割された領域の電位差を、より小さくすることができる。
FIG. 7 is a cross-sectional view of the
図8の(a)は、本実施形態に係る表示装置において、対向基板106を基板102の配置されている側の方向から観察した場合の平面図である。図8の(a)においては、導電膜701が、対向基板の開口801を含む領域に分割されている。図8においては、導電膜701の分割されている各領域は一つの開口801を取り囲み、開口801と導電膜701の分割されている領域とが一対一に対応している。しかし、本実施形態はこれに限られることはなく、複数の開口801が導電膜701の分割されている領域の一つにより取り囲まれていてもよい。
FIG. 8A is a plan view of the display device according to this embodiment when the
図8の(b)は、図8の(a)のB−B断面線における対向基板の断面図をより詳細に示す。図8の(b)において、層802は、開口801を除く部分に形成されている。層802が除去されている部分が開口801に対応している。層802は、絶縁性の材料により形成される。
FIG. 8B shows in more detail the cross-sectional view of the counter substrate along the BB cross-sectional line in FIG. In FIG. 8B, the
層803は、複数の領域に分割された導電膜に対応する。層803は、層802が除去されている部分において除去され、開口801を形成している。また、層802が除去されていないが、層803が除去されている部分は、複数の領域に分割された導電膜の区切り804に対応している。この区切り804により、それぞれの領域が電気的に絶縁される。
The
また、層802の材料と層803の材料との反射率を比較した場合、層802の材料の反射率の方が層803の材料の反射率よりも大きいことが好ましい。言い換えると、層803の材料の反射率の方が層802の材料の反射率のよりも小さいことが好ましい。
In addition, when the reflectances of the material of the
図9は、本実施形態のさらに別の形態を示す。図9においては、対向基板106に近い層である層901が導電性を有する。すなわち、層901は、開口801の位置において除去され、また、導電膜701の区切り804に応じて第2の開口903において除去されている。層902は絶縁性の材料を用いて形成されている。層902は、層901に第2の開口903が形成された後に、層901の上に形成され、その後、層902と層901に開口801が形成される。
FIG. 9 shows still another form of the present embodiment. In FIG. 9, a
このように層901を導電性の材料で形成し、層902を絶縁性の材料で形成することにより、図7の場合とは異なる材料の選択を行うことができる。
By forming the
図10は、本実施形態のさらに別の形態を示す。図10においては、層1001と層1002とが、図8に示すように、開口701により、層1001と層1002とを同じ区分とする。また、図10においては、層1001と層1002とは絶縁性の材料とする。また、層1001の反射率は、層1002の反射率よりも大きくすることが好ましい。
FIG. 10 shows still another form of the present embodiment. In FIG. 10, the
層1001と層1002とに開口801を設けた後に、導電性を有し、透過性を有する材料の透明導電膜を層1001と層1002との上に形成し、開口801と層1001と層1002とを覆う。例えば、ITO膜を形成する。そして、透明導電膜を複数の領域に分割する。このように、透明導電膜を用いることにより、開口801を光が通過することを維持しつつ、層1001と層1002とに絶縁性の材料を用いることができ、適切な材料の選択ができる。
After the
102 基板、106 対向基板、401 基板配線、403 導電膜、405 導電部、406 導電部、218 第1バネ、 222 第一バネ、234 アンカー部、240 アンカー部、210 シャッター 102 substrate, 106 counter substrate, 401 substrate wiring, 403 conductive film, 405 conductive portion, 406 conductive portion, 218 first spring, 222 first spring, 234 anchor portion, 240 anchor portion, 210 shutter
Claims (10)
前記画素素子は、
前記基板に形成された基板接続部と、
前記基板と離隔して形成され、前記開口と前記光透過部とを通過する光の量を制御するシャッターと、
前記基板接続部と前記シャッターとを電気的に接続し前記シャッターを移動させるバネと、
を有し、
前記基板には、前記基板接続部に所定の電位を供給する基板配線が配置され、
前記対向基板は、前記基板の側の面に導電膜を配置し、
前記基板と前記対向基板との間において、前記導電膜と前記基板配線とが複数箇所により電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。 A display unit comprising: a plurality of light transmission parts; a substrate on which a plurality of pixel elements are arranged corresponding to each of the plurality of light transmission parts; and a counter substrate having a plurality of openings facing each of the plurality of light transmission parts. A display device comprising:
The pixel element is
A substrate connecting portion formed on the substrate;
A shutter that is formed apart from the substrate and controls the amount of light passing through the opening and the light transmission part;
A spring for electrically connecting the substrate connecting portion and the shutter and moving the shutter;
Have
A substrate wiring for supplying a predetermined potential to the substrate connecting portion is disposed on the substrate,
The counter substrate has a conductive film disposed on a surface on the substrate side,
The display device, wherein the conductive film and the substrate wiring are electrically connected at a plurality of locations between the substrate and the counter substrate.
前記基板配線は、前記ゲート線に沿って配置されていることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。 The pixel element is disposed along a gate line to which a potential is supplied by a gate driver,
The display device according to claim 1, wherein the substrate wiring is disposed along the gate line.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012225895A JP2014077903A (en) | 2012-10-11 | 2012-10-11 | Display device |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2012225895A JP2014077903A (en) | 2012-10-11 | 2012-10-11 | Display device |
Publications (1)
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ID=50783247
Family Applications (1)
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JP2012225895A Pending JP2014077903A (en) | 2012-10-11 | 2012-10-11 | Display device |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2014077903A (en) |
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2012
- 2012-10-11 JP JP2012225895A patent/JP2014077903A/en active Pending
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