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JP2013223384A - Power conversion apparatus and vehicle - Google Patents

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JP2013223384A
JP2013223384A JP2012095050A JP2012095050A JP2013223384A JP 2013223384 A JP2013223384 A JP 2013223384A JP 2012095050 A JP2012095050 A JP 2012095050A JP 2012095050 A JP2012095050 A JP 2012095050A JP 2013223384 A JP2013223384 A JP 2013223384A
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power semiconductor
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浩二 山口
Masaya Taniguchi
雅哉 谷口
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To achieve high speed switching, low loss and reliability improvement of a power conversion apparatus.SOLUTION: A power conversion apparatus converts a DC power outputted from a DC power source to an AC power and supplies the AC power to a load. The power conversion apparatus includes an insulating substrate on which a positive electrode terminal pattern connected to a positive electrode terminal of the DC power source, a negative electrode terminal pattern connected to a negative electrode terminal of the DC power source, and an output terminal pattern connected to the load are formed; and semiconductor elements for an upper arm and a lower arm are mounted. One or more smoothing capacitors, whose one end is connected to the positive electrode terminal pattern and the other end is connected to the negative electrode terminal pattern, are mounted on the insulating substrate.

Description

本発明は、電力変換装置及び車両に関する。  The present invention relates to a power conversion device and a vehicle.

近年、低炭素社会を実現すべく、動力源としてエンジンとモータを併用するハイブリッド自動車や動力源としてモータのみを用いる電気自動車の研究開発が盛んに行われている。これらハイブリッド自動車や電気自動車は、ニッケル水素電池やリチウムイオン電池等の車載バッテリから出力される直流電力を交流電力に変換してモータに供給するインバータを備えている。   In recent years, in order to realize a low-carbon society, research and development of hybrid vehicles using both an engine and a motor as a power source and electric vehicles using only a motor as a power source have been actively conducted. These hybrid vehicles and electric vehicles include an inverter that converts DC power output from an in-vehicle battery such as a nickel metal hydride battery or a lithium ion battery into AC power and supplies the AC power to the motor.

このインバータは、下記特許文献1に記載されているように、平滑コンデンサを有するコンデンサモジュールと、上アーム用及び下アーム用のパワー半導体素子(例えば絶縁ゲートバイポーラトランジスタ:IGBTなど)の直列回路を有するパワー半導体モジュールとが電気的且つ機械的に接合された構成となっている。  As described in Patent Document 1 below, this inverter has a series circuit of a capacitor module having a smoothing capacitor and power semiconductor elements for upper and lower arms (for example, insulated gate bipolar transistors: IGBT). The power semiconductor module is electrically and mechanically joined.

特開2010−63355号公報JP 2010-63355 A

上記構成のインバータにおいて、コンデンサモジュールとパワー半導体モジュールとの間の配線インダクタンス(詳細にはパワー半導体素子が実装された絶縁基板と平滑コンデンサとの間の配線インダクタンス)は、サージ電圧の発生要因として従来から注目されており、この配線インダクタンスを如何にして小さくするかが、インバータの高速スイッチング化、低損失化及び信頼性向上を実現するに当たっての大きな課題となっていた。   In the inverter configured as described above, the wiring inductance between the capacitor module and the power semiconductor module (specifically, the wiring inductance between the insulating substrate on which the power semiconductor element is mounted and the smoothing capacitor) has conventionally been a cause of surge voltage. Therefore, how to reduce the wiring inductance has been a major issue in realizing high-speed switching, low loss, and improved reliability of the inverter.

本発明は上述した事情に鑑みてなされたものであり、高速スイッチング化、低損失化及び信頼性向上を実現可能な電力変換装置及びその電力変換装置を備えた車両を提供することを目的とする。  This invention is made | formed in view of the situation mentioned above, and aims at providing the vehicle provided with the power converter device which can implement | achieve high-speed switching, low loss, and a reliability improvement, and the power converter device. .

上記目的を達成するために、本発明では、電力変換装置に係る第1の解決手段として、直流電源から出力される直流電力を交流電力に変換して負荷に供給する電力変換装置において、前記直流電源の正極端子に接続される正極端子パターン、前記直流電源の負極端子に接続される負極端子パターン及び前記負荷に接続される出力端子パターンが形成され、上アーム用及び下アーム用の半導体素子が実装された絶縁基板を備え、一端が前記正極端子パターンに接続され、他端が前記負極端子パターンに接続された平滑コンデンサが前記絶縁基板上に1つ以上実装されている、という手段を採用する。  In order to achieve the above object, in the present invention, as a first solving means related to a power converter, in a power converter that converts DC power output from a DC power source into AC power and supplies the AC power to a load, the DC converter A positive electrode terminal pattern connected to the positive electrode terminal of the power supply, a negative electrode terminal pattern connected to the negative electrode terminal of the DC power supply, and an output terminal pattern connected to the load are formed, and the semiconductor elements for the upper arm and the lower arm are formed. A means is adopted in which one or more smoothing capacitors, each having a mounted insulating substrate, one end connected to the positive terminal pattern and the other end connected to the negative terminal pattern, are mounted on the insulating substrate. .

また、本発明では、電力変換装置に係る第2の解決手段として、上記第1の解決手段において、一端が前記正極端子パターンに接続され、他端が前記負極端子パターンに接続された外付けコンデンサが前記絶縁基板に1つ以上外付けされている、という手段を採用する。  Further, in the present invention, as a second solving means relating to the power converter, in the first solving means, an external capacitor having one end connected to the positive terminal pattern and the other end connected to the negative terminal pattern Adopts a means in which one or more are attached to the insulating substrate.

一方、本発明では、車両に係る第1の解決手段として、充電可能な直流電源と、動力源として使用されるモータと、前記直流電源から出力される直流電力を交流電力に変換して前記モータに供給する電力変換装置と、を備え、前記電力変換装置は、前記直流電源の正極端子に接続される正極端子パターン、前記直流電源の負極端子に接続される負極端子パターン及び前記モータに接続される出力端子パターンが形成され、上アーム用及び下アーム用の半導体素子が実装された絶縁基板を備え、一端が前記正極端子パターンに接続され、他端が前記負極端子パターンに接続された平滑コンデンサが前記絶縁基板上に1つ以上実装されている、という手段を採用する。  On the other hand, in the present invention, as a first solving means relating to a vehicle, a rechargeable DC power source, a motor used as a power source, and a DC power output from the DC power source are converted into AC power to convert the motor And the power converter is connected to the positive terminal pattern connected to the positive terminal of the DC power source, the negative terminal pattern connected to the negative terminal of the DC power source, and the motor. And a smoothing capacitor having an insulating substrate on which semiconductor elements for upper and lower arms are mounted, one end connected to the positive terminal pattern and the other end connected to the negative terminal pattern Adopts a means that at least one is mounted on the insulating substrate.

また、本発明では、車両に係る第2の解決手段として、上記第1の解決手段において、前記電力変換装置では、一端が前記正極端子パターンに接続され、他端が前記負極端子パターンに接続された外付けコンデンサが前記絶縁基板に1つ以上外付けされている、という手段を採用する。  According to the present invention, as the second solving means relating to the vehicle, in the first solving means, in the power conversion device, one end is connected to the positive terminal pattern and the other end is connected to the negative terminal pattern. Further, one or more external capacitors are externally attached to the insulating substrate.

本発明によれば、半導体素子が実装された絶縁基板と平滑コンデンサとの間の配線インダクタンスが大幅に低減されるので、電力変換装置の高速スイッチング化、低損失化及び信頼性向上を実現できる。  According to the present invention, since the wiring inductance between the insulating substrate on which the semiconductor element is mounted and the smoothing capacitor is greatly reduced, it is possible to realize high-speed switching, low loss, and improved reliability of the power converter.

第1実施形態に係る電力変換装置であるインバータ1の回路構成図(a)と、パワー半導体モジュール30’が備えているパワー半導体素子実装用の絶縁基板40’の平面図(b)である。FIG. 4 is a circuit configuration diagram (a) of an inverter 1 that is a power conversion device according to the first embodiment, and a plan view (b) of an insulating substrate 40 ′ for mounting a power semiconductor element included in the power semiconductor module 30 ′. 第2実施形態に係る電力変換装置であるインバータ2の回路構成図である。It is a circuit block diagram of the inverter 2 which is the power converter device which concerns on 2nd Embodiment. 電気自動車に対するインバータ1或いは2の適用例を示す図である。It is a figure which shows the example of application of the inverter 1 or 2 with respect to an electric vehicle. 一般的なインバータ10の回路構成図(a)と、パワー半導体モジュール30が備えているパワー半導体素子実装用の絶縁基板40の平面図(b)である。FIG. 2 is a circuit configuration diagram (a) of a general inverter 10 and a plan view (b) of an insulating substrate 40 for mounting a power semiconductor element included in the power semiconductor module 30.

以下、本発明の一実施形態について、図面を参照しながら説明する。
最初に、本実施形態に係る電力変換装置の理解を容易とするために、従来の電力変換装置(インバータ)の一般的な構成とその課題について図4を用いて説明する。
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
First, in order to facilitate understanding of the power conversion device according to the present embodiment, a general configuration and problems of a conventional power conversion device (inverter) will be described with reference to FIG.

図4(a)は、従来のインバータ10の回路構成図である。このインバータ10は、直流電源100から出力される直流電力を例えば三相交流電力(U相、V相、W相)に変換して負荷200に供給するものであり、コンデンサモジュール20及びパワー半導体モジュール30から構成されている。   FIG. 4A is a circuit configuration diagram of the conventional inverter 10. The inverter 10 converts DC power output from the DC power supply 100 into, for example, three-phase AC power (U-phase, V-phase, W-phase) and supplies it to the load 200. The capacitor module 20 and the power semiconductor module 30.

コンデンサモジュール20は、正極側入力端子21と、負極側入力端子22と、正極側出力端子23と、負極側出力端子24と、平滑コンデンサ25とを備えている。正極側入力端子21は、直流電源100の正極端子に接続され、負極側入力端子22は、直流電源100の負極端子に接続されている。正極側出力端子23は、コンデンサモジュール20の内部で正極側入力端子21に接続され、負極側出力端子24は、コンデンサモジュール20の内部で負極側入力端子22に接続されている。   The capacitor module 20 includes a positive electrode side input terminal 21, a negative electrode side input terminal 22, a positive electrode side output terminal 23, a negative electrode side output terminal 24, and a smoothing capacitor 25. The positive input terminal 21 is connected to the positive terminal of the DC power supply 100, and the negative input terminal 22 is connected to the negative terminal of the DC power supply 100. The positive output terminal 23 is connected to the positive input terminal 21 inside the capacitor module 20, and the negative output terminal 24 is connected to the negative input terminal 22 inside the capacitor module 20.

平滑コンデンサ25は、コンデンサモジュール20の内部で、一端が正極側入力端子21及び正極側出力端子23に接続され、他端が負極側入力端子22及び負極側出力端子24に接続されている。つまり、平滑コンデンサ25は、直流電源100に対して並列接続されている。   The smoothing capacitor 25 has one end connected to the positive input terminal 21 and the positive output terminal 23 and the other end connected to the negative input terminal 22 and the negative output terminal 24 inside the capacitor module 20. That is, the smoothing capacitor 25 is connected to the DC power supply 100 in parallel.

パワー半導体モジュール30は、正極側入力端子31と、負極側入力端子32と、U相出力端子33と、V相出力端子34と、W相出力端子35と、上アーム用のパワー半導体素子36a、36b、36cと、下アーム用のパワー半導体素子36d、36e、36fと、上アーム用の還流ダイオード37a、37b、37cと、下アーム用の還流ダイオード37d、37e、37fとを備えている。   The power semiconductor module 30 includes a positive side input terminal 31, a negative side input terminal 32, a U phase output terminal 33, a V phase output terminal 34, a W phase output terminal 35, a power semiconductor element 36a for the upper arm, 36b, 36c, lower arm power semiconductor elements 36d, 36e, 36f, upper arm free-wheeling diodes 37a, 37b, 37c, and lower arm free-wheeling diodes 37d, 37e, 37f.

正極側入力端子31は、コンデンサモジュール20の正極側出力端子23に接続され、負極側入力端子32は、コンデンサモジュール20の負極側出力端子24に接続されている。U相出力端子33、V相出力端子34及びW相出力端子35は、それぞれ負荷200に接続されている。   The positive input terminal 31 is connected to the positive output terminal 23 of the capacitor module 20, and the negative input terminal 32 is connected to the negative output terminal 24 of the capacitor module 20. The U-phase output terminal 33, the V-phase output terminal 34, and the W-phase output terminal 35 are each connected to the load 200.

上アーム用のパワー半導体素子36a、36b、36cと、下アーム用のパワー半導体素子36d、36e、36fとは、例えばIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)であり、ペアとなる上アーム用と下アーム用のパワー半導体素子が直列接続されて三つの直列回路を構成している。つまり、パワー半導体素子36aと36dの直列回路と、パワー半導体素子36bと36eの直列回路と、パワー半導体素子36cと36fの直列回路との三つである。   The power semiconductor elements 36a, 36b, 36c for the upper arm and the power semiconductor elements 36d, 36e, 36f for the lower arm are, for example, IGBTs (insulated gate bipolar transistors), and are used for the upper arm and the lower arm that form a pair. The power semiconductor elements are connected in series to form three series circuits. That is, there are three series: a series circuit of power semiconductor elements 36a and 36d, a series circuit of power semiconductor elements 36b and 36e, and a series circuit of power semiconductor elements 36c and 36f.

詳細には、例えばパワー半導体素子36aと36dの直列回路に着目すると、パワー半導体素子36aのエミッタ端子とパワー半導体素子36dのコレクタ端子とが接続されている。パワー半導体素子36bと36eの直列回路と、パワー半導体素子36cと36fの直列回路についても同様な接続形態である。   Specifically, for example, focusing on the series circuit of the power semiconductor elements 36a and 36d, the emitter terminal of the power semiconductor element 36a and the collector terminal of the power semiconductor element 36d are connected. The series circuit of the power semiconductor elements 36b and 36e and the series circuit of the power semiconductor elements 36c and 36f have the same connection form.

これら上アーム用と下アーム用のパワー半導体素子からなる三つの直列回路は、パワー半導体モジュール30の内部で、それぞれ正極側入力端子31と負極側入力端子32との間に並列接続されている。詳細には、例えばパワー半導体素子36aと36dの直列回路に着目すると、パワー半導体素子36aのコレクタ端子が正極側入力端子31に接続され、パワー半導体素子36dのエミッタ端子が負極側入力端子32に接続されている。   The three series circuits including the power semiconductor elements for the upper arm and the lower arm are connected in parallel between the positive input terminal 31 and the negative input terminal 32 in the power semiconductor module 30. Specifically, for example, focusing on the series circuit of the power semiconductor elements 36a and 36d, the collector terminal of the power semiconductor element 36a is connected to the positive input terminal 31 and the emitter terminal of the power semiconductor element 36d is connected to the negative input terminal 32. Has been.

パワー半導体素子36bと36eの直列回路と、パワー半導体素子36cと36fの直列回路についても同様な接続形態である。つまり、これら上アーム用と下アーム用のパワー半導体素子からなる三つの直列回路は、直流電源100及び平滑コンデンサ25に対して並列接続されている。   The series circuit of the power semiconductor elements 36b and 36e and the series circuit of the power semiconductor elements 36c and 36f have the same connection form. That is, the three series circuits composed of the power semiconductor elements for the upper arm and the lower arm are connected in parallel to the DC power supply 100 and the smoothing capacitor 25.

また、パワー半導体素子36aと36dの直列回路の中点部分は、U相出力端子33に接続され、パワー半導体素子36bと36eの直列回路の中点部分は、V相出力端子34に接続され、パワー半導体素子36cと36fの直列回路の中点部分は、W相出力端子35に接続されている。   The midpoint portion of the series circuit of the power semiconductor elements 36a and 36d is connected to the U-phase output terminal 33, and the midpoint portion of the series circuit of the power semiconductor elements 36b and 36e is connected to the V-phase output terminal 34. A midpoint portion of the series circuit of the power semiconductor elements 36 c and 36 f is connected to the W-phase output terminal 35.

上アーム用の還流ダイオード37a、37b、37cは、それぞれ上アーム用のパワー半導体素子36a、36b、36cに並列接続され、下アーム用の還流ダイオード37d、37e、37fは、それぞれ下アーム用のパワー半導体素子36d、36e、36fに並列接続されている。詳細には、例えば還流ダイオード37aに着目すると、アノード端子がパワー半導体素子36aのエミッタ端子に接続され、カソード端子がパワー半導体素子36aのコレクタ端子に接続されている。他の還流ダイオード37b〜37fについても同様である。   The upper arm free-wheeling diodes 37a, 37b, and 37c are connected in parallel to the upper-arm power semiconductor elements 36a, 36b, and 36c, respectively, and the lower-arm free-wheeling diodes 37d, 37e, and 37f are respectively connected to the lower arm power semiconductor devices The semiconductor elements 36d, 36e, and 36f are connected in parallel. Specifically, for example, focusing on the freewheeling diode 37a, the anode terminal is connected to the emitter terminal of the power semiconductor element 36a, and the cathode terminal is connected to the collector terminal of the power semiconductor element 36a. The same applies to the other free-wheeling diodes 37b to 37f.

なお、本来ならば、パワー半導体モジュール30には、各パワー半導体素子36a〜36fのゲート端子にスイッチング制御信号(例えばPWM信号)を入力するための外部信号入力端子が設けられているが、説明の便宜上、図4(a)では図示を省略している。   Originally, the power semiconductor module 30 is provided with an external signal input terminal for inputting a switching control signal (for example, a PWM signal) to the gate terminals of the power semiconductor elements 36a to 36f. For convenience, illustration is omitted in FIG.

図4(b)は、パワー半導体モジュール30が備えているパワー半導体素子実装用の絶縁基板40の平面図である。この図に示すように、絶縁基板40(例えば窒化アルミ板)の表層には、例えば銅またはアルミ等からなる各種の導体パターン、すなわち、正極側入力端子31を介して直流電源100の正極端子に接続される正極端子パターン41と、負極側入力端子32を介して直流電源100の負極端子に接続される負極端子パターン42と、U相出力端子33を介して負荷200に接続される出力端子パターン43と、第1の導体パターン44と、第2の導体パターン45とが形成されている。   FIG. 4B is a plan view of an insulating substrate 40 for mounting a power semiconductor element included in the power semiconductor module 30. As shown in this figure, on the surface layer of the insulating substrate 40 (for example, aluminum nitride plate), various conductor patterns made of, for example, copper or aluminum, for example, the positive electrode terminal of the DC power source 100 through the positive electrode side input terminal 31 are used. A positive terminal pattern 41 connected, a negative terminal pattern 42 connected to the negative terminal of the DC power source 100 via the negative input terminal 32, and an output terminal pattern connected to the load 200 via the U-phase output terminal 33 43, a first conductor pattern 44, and a second conductor pattern 45 are formed.

この絶縁基板40上において、第1の導体パターン44の上面に半田を介して上アーム用のパワー半導体素子36aが実装され、第2の導体パターン45の上面に半田を介して下アーム用のパワー半導体素子36dが実装されている。また、正極端子パターン41と第1の導体パターン44は、アルミワイヤ46よって接続され、パワー半導体素子36aと第2の導体パターン45は、アルミワイヤ47によって接続され、パワー半導体素子36dと負極端子パターン42は、アルミワイヤ48によって接続され、第2の導体パターン45と出力端子パターン43は、アルミワイヤ49によって接続されている。   On the insulating substrate 40, the upper arm power semiconductor element 36 a is mounted on the upper surface of the first conductor pattern 44 via solder, and the lower arm power is mounted on the upper surface of the second conductor pattern 45 via solder. A semiconductor element 36d is mounted. The positive electrode terminal pattern 41 and the first conductor pattern 44 are connected by an aluminum wire 46, and the power semiconductor element 36a and the second conductor pattern 45 are connected by an aluminum wire 47, and the power semiconductor element 36d and the negative electrode terminal pattern are connected. 42 is connected by an aluminum wire 48, and the second conductor pattern 45 and the output terminal pattern 43 are connected by an aluminum wire 49.

このように、絶縁基板40上には、図4(a)で示した、パワー半導体素子36aと36dの直列回路が形成されている。なお、正極側入力端子31と絶縁基板40の正極端子パターン41は、パワー半導体モジュール30の内部で、不図示のアルミワイヤによって接続されている。同様に、負極側入力端子32と絶縁基板40の負極端子パターン42も、パワー半導体モジュール30の内部で、不図示のアルミワイヤによって接続されており、U相出力端子33と絶縁基板40の出力端子パターン43も、不図示のアルミワイヤによって接続されている。   Thus, on the insulating substrate 40, the series circuit of the power semiconductor elements 36a and 36d shown in FIG. 4A is formed. The positive electrode side input terminal 31 and the positive electrode terminal pattern 41 of the insulating substrate 40 are connected to each other by an aluminum wire (not shown) inside the power semiconductor module 30. Similarly, the negative electrode side input terminal 32 and the negative electrode terminal pattern 42 of the insulating substrate 40 are also connected within the power semiconductor module 30 by an aluminum wire (not shown), and the U phase output terminal 33 and the output terminal of the insulating substrate 40 are connected. The pattern 43 is also connected by an aluminum wire (not shown).

また、図4(b)では、1つの絶縁基板40上に、パワー半導体素子36aと36dの直列回路のみが形成されている場合を例示したが、パワー半導体モジュール30は、同様な構成でパワー半導体素子36bと36eの直列回路が形成された絶縁基板と、パワー半導体素子36cと36fの直列回路が形成された絶縁基板も備えている。また、1つの絶縁基板40上に、パワー半導体素子36aと36dの直列回路と、パワー半導体素子36bと36eの直列回路と、パワー半導体素子36cと36fの直列回路との三つが形成されていても良い。また、図4(b)では、パワー半導体素子36a、36dのそれぞれに並列接続される還流ダイオード37a、37dを省略している。   4B illustrates the case where only the series circuit of the power semiconductor elements 36a and 36d is formed on one insulating substrate 40, the power semiconductor module 30 has the same configuration as the power semiconductor. An insulating substrate on which a series circuit of elements 36b and 36e is formed and an insulating substrate on which a series circuit of power semiconductor elements 36c and 36f is formed are also provided. Even if three series of power semiconductor elements 36a and 36d, a series circuit of power semiconductor elements 36b and 36e, and a series circuit of power semiconductor elements 36c and 36f are formed on one insulating substrate 40. good. In FIG. 4B, the free-wheeling diodes 37a and 37d connected in parallel to the power semiconductor elements 36a and 36d are omitted.

上記構成のインバータ10において、コンデンサモジュール20とパワー半導体モジュール30との間の配線インダクタンス(詳細には平滑コンデンサ25と絶縁基板40との間の配線インダクタンス)は、サージ電圧の発生要因として従来から注目されており、この配線インダクタンスを如何にして小さくするかが、インバータ10の高速スイッチング化、低損失化及び信頼性向上を実現するに当たっての大きな課題となっていた。   In the inverter 10 having the above-described configuration, the wiring inductance between the capacitor module 20 and the power semiconductor module 30 (specifically, the wiring inductance between the smoothing capacitor 25 and the insulating substrate 40) has hitherto been noted as a cause of surge voltage generation. Thus, how to reduce the wiring inductance has been a major issue in realizing high-speed switching, low loss, and improved reliability of the inverter 10.

本実施形態に係る電力変換装置は、上記のような従来のインバータ10の課題を解決して、高速スイッチング化、低損失化及び信頼性向上を実現するものである。以下では、本発明の第1及び第2実施形態に係る電力変換装置について図面を参照しながら説明するが、説明の便宜上、図4に示す従来のインバータ10と同一の構成要素には同一符号を付して説明を省略するものとする。   The power conversion device according to the present embodiment solves the problems of the conventional inverter 10 as described above, and realizes high-speed switching, low loss, and improved reliability. Hereinafter, the power converters according to the first and second embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. For convenience of explanation, the same components as those of the conventional inverter 10 shown in FIG. A description thereof will be omitted.

〔第1実施形態〕
図1(a)は、本発明の第1実施形態に係る電力変換装置であるインバータ1の回路構成図である。この図に示すように、第1実施形態に係るインバータ1は、従来のインバータ10(図4(a)参照)と比較して、コンデンサモジュール20が削除されて、パワー半導体モジュール30(以下、従来と区別するために符号を30’とする)の正極側入力端子31が、直接、直流電源100の正極端子に接続され、パワー半導体モジュール30’の負極側入力端子32が、直接、直流電源100の負極端子に接続され、さらに、平滑コンデンサ38がパワー半導体モジュール30’の内部に設けられている点で異なっている。
[First Embodiment]
Fig.1 (a) is a circuit block diagram of the inverter 1 which is the power converter device which concerns on 1st Embodiment of this invention. As shown in this figure, in the inverter 1 according to the first embodiment, compared to the conventional inverter 10 (see FIG. 4A), the capacitor module 20 is deleted, and a power semiconductor module 30 (hereinafter, conventional) The positive side input terminal 31 of the power semiconductor module 30 'is directly connected to the DC power source 100. The positive side input terminal 31 of the power source module 30' is directly connected to the positive terminal of the DC power source 100. The smoothing capacitor 38 is further provided inside the power semiconductor module 30 ′.

詳細には、図1(b)に示すように、一端が絶縁基板40(以下、従来と区別するために符号を40’とする)の正極端子パターン41に接続され、他端が絶縁基板40’の負極端子パターン42に接続された平滑コンデンサ38(例えばチップコンデンサ)が絶縁基板40’上に1つ以上実装されている。   Specifically, as shown in FIG. 1B, one end is connected to a positive electrode terminal pattern 41 of an insulating substrate 40 (hereinafter, the reference numeral 40 ′ is used to distinguish it from the conventional one), and the other end is insulated substrate 40. One or more smoothing capacitors 38 (for example, chip capacitors) connected to the negative electrode terminal pattern 42 are mounted on the insulating substrate 40 ′.

また、図1(b)では、正極端子パターン41に凸部が形成されていると共に、負極端子パターン42に凹部が形成されており、正極端子パターン41の凸部が、負極端子パターン42の凹部に挿入された形でパターン形成されている。このようなパターン形状とすることで、平滑コンデンサ38の実装個数(並列接続個数)を増やすことができる。なお、必要な平滑コンデンサ38の実装個数を確保できさえすれば、正極端子パターン41及び負極端子パターン42の形状は自由に設定できる。   Further, in FIG. 1B, the positive electrode terminal pattern 41 has a convex portion, and the negative electrode terminal pattern 42 has a concave portion. The positive electrode terminal pattern 41 has a convex portion that is a concave portion of the negative electrode terminal pattern 42. The pattern is formed in the form inserted into the. By adopting such a pattern shape, the number of smoothing capacitors 38 to be mounted (the number of parallel connections) can be increased. The shape of the positive terminal pattern 41 and the negative terminal pattern 42 can be freely set as long as the required number of smoothing capacitors 38 can be secured.

このような構成のインバータ1によれば、平滑コンデンサ38と絶縁基板40’との間の配線インダクタンスが大幅に低減されるので、インバータ1の高速スイッチング化、低損失化及び信頼性向上を実現できる。また、コンデンサモジュール20が不要となるので、インバータ1の小型化を実現できる。   According to the inverter 1 having such a configuration, the wiring inductance between the smoothing capacitor 38 and the insulating substrate 40 ′ is greatly reduced, so that high-speed switching, low loss and improved reliability of the inverter 1 can be realized. . Further, since the capacitor module 20 is not necessary, the inverter 1 can be downsized.

〔第2実施形態〕
図2は、本発明の第2実施形態に係る電力変換装置であるインバータ2の回路構成図である。この図に示すように、第2実施形態に係るインバータ2は、第1実施形態に係るインバータ1と比較して、直流電源100とパワー半導体モジュール30’との間に、コンデンサモジュール20を接続した点で異なっている。つまり、第2実施形態に係るインバータ2では、一端が絶縁基板40’の正極端子パターン31に接続され、他端が絶縁基板40’の負極端子パターン32に接続された外付けコンデンサ(平滑コンデンサ25)が絶縁基板40’に1つ以上外付けされている。
[Second Embodiment]
FIG. 2 is a circuit configuration diagram of an inverter 2 that is a power conversion device according to the second embodiment of the present invention. As shown in this figure, in the inverter 2 according to the second embodiment, the capacitor module 20 is connected between the DC power supply 100 and the power semiconductor module 30 ′ as compared with the inverter 1 according to the first embodiment. It is different in point. That is, in the inverter 2 according to the second embodiment, an external capacitor (smoothing capacitor 25) having one end connected to the positive terminal pattern 31 of the insulating substrate 40 ′ and the other end connected to the negative terminal pattern 32 of the insulating substrate 40 ′. ) Are externally attached to the insulating substrate 40 '.

第1実施形態に係るインバータ1では、パワー半導体モジュール30’への直流入力電圧が高圧になってくると、チップコンデンサの容量が小さくなってしまい、平滑コンデンサ38の実装個数を増やしても必要十分な容量を得られなくなる。この場合には、第2実施形態に係るインバータ2のように、パワー半導体モジュール30’の内部にチップコンデンサである平滑コンデンサ38を実装し、且つ容量不足分を外付けコンデンサ(平滑コンデンサ25)で補う構成とする。  In the inverter 1 according to the first embodiment, when the DC input voltage to the power semiconductor module 30 ′ becomes high, the capacity of the chip capacitor is reduced, and it is necessary and sufficient even if the number of mounted smoothing capacitors 38 is increased. A large capacity cannot be obtained. In this case, like the inverter 2 according to the second embodiment, the smoothing capacitor 38 that is a chip capacitor is mounted inside the power semiconductor module 30 ′, and the insufficient capacity is provided by an external capacitor (smoothing capacitor 25). Complementary configuration.

これにより、還流ダイオード37a〜37fのリカバリによる電荷Qrrを、パワー半導体モジュール30’内の平滑コンデンサ38により供給できるようになり、インバータ2においてサージ電圧及びノイズ発生源となるリカバリサージの発生を大幅に抑えることができる。  As a result, the charge Qrr due to the recovery of the free-wheeling diodes 37a to 37f can be supplied by the smoothing capacitor 38 in the power semiconductor module 30 ′, and the occurrence of recovery surge that becomes a surge voltage and noise generation source in the inverter 2 is greatly increased. Can be suppressed.

〔適用例〕
図3は、上述したインバータ1或いは2を車両(ここでは電気自動車)に適用した例を示す図である。この図に示すように、本実施形態に係る電気自動車300は、上述したインバータ1(或いは2)、車載バッテリ301、バッテリチャージャ302、接続先切替器303、モータ304、モータECU(Electric Control Unit)305及びバッテリECU306から構成されている。
[Application example]
FIG. 3 is a diagram illustrating an example in which the above-described inverter 1 or 2 is applied to a vehicle (in this case, an electric vehicle). As shown in this figure, the electric vehicle 300 according to this embodiment includes the above-described inverter 1 (or 2), in-vehicle battery 301, battery charger 302, connection destination switch 303, motor 304, and motor ECU (Electric Control Unit). 305 and a battery ECU 306.

車載バッテリ301は、直列接続された複数の電池セル(例えば、リチウムイオン電池セルやニッケル水素電池セル等)で構成され、例えば数百ボルトの高圧の直流電力を出力する充電可能な直流電源である。この車載バッテリ301の両端子(正極端子及び負極端子)は、接続先切替器303に接続されている。   The in-vehicle battery 301 is composed of a plurality of battery cells connected in series (for example, lithium ion battery cells, nickel metal hydride battery cells, etc.), and is a rechargeable DC power source that outputs DC power of several hundred volts, for example. . Both terminals (a positive terminal and a negative terminal) of the in-vehicle battery 301 are connected to a connection destination switch 303.

バッテリチャージャ302は、車載バッテリ301の充電時に、電気自動車300の外部に設置された交流電源400に接続される充電回路であり、バッテリECU306による制御の下、交流電源400から供給される交流電力を所定電圧値の直流電力に変換して接続先切替器303に出力する。   The battery charger 302 is a charging circuit that is connected to an AC power source 400 installed outside the electric vehicle 300 when the in-vehicle battery 301 is charged, and receives AC power supplied from the AC power source 400 under the control of the battery ECU 306. It is converted into DC power having a predetermined voltage value and output to the connection destination switch 303.

接続先切替器303は、バッテリECU306による制御の下、車載バッテリ301の両端子の接続先を、充電時にはバッテリチャージャ302の両出力端子に切替え、放電時(モータ304の駆動時)にはインバータ1(或いは2)の両入力端子(インバータ1の場合には、パワー半導体モジュール30’の正極側入力端子31及び負極側入力端子32、インバータ2の場合には、コンデンサモジュール20の正極側入力端子21及び負極側入力端子22)に切替える。   Under the control of the battery ECU 306, the connection destination switch 303 switches the connection destination of both terminals of the in-vehicle battery 301 to both output terminals of the battery charger 302 during charging, and the inverter 1 during discharging (when driving the motor 304). (Or 2) both input terminals (in the case of the inverter 1, the positive input terminal 31 and the negative input terminal 32 of the power semiconductor module 30 ′, and in the case of the inverter 2, the positive input terminal 21 of the capacitor module 20. And the negative input terminal 22).

インバータ1(或いは2)は、モータECU305から各パワー半導体素子36a〜36fのゲート端子に入力されるPWM信号に応じてスイッチング動作を行うことにより、車載バッテリ301から接続先切替器303を介して入力される高圧の直流電力を、三相交流電力に変換してモータ304に出力する。モータ304は、電気自動車300の動力源として用いられる例えば三相交流モータであり、インバータ1(或いは2)から供給される三相交流電力に応じて回転する。なお、モータ304は、不図示のトランスミッションや車軸などを介して車輪を回転駆動する。   The inverter 1 (or 2) is input from the in-vehicle battery 301 via the connection destination switch 303 by performing a switching operation in accordance with the PWM signal input from the motor ECU 305 to the gate terminals of the power semiconductor elements 36a to 36f. The high-voltage DC power that is generated is converted into three-phase AC power and output to the motor 304. The motor 304 is, for example, a three-phase AC motor used as a power source of the electric vehicle 300, and rotates according to the three-phase AC power supplied from the inverter 1 (or 2). The motor 304 rotationally drives the wheels via a transmission, an axle, etc. (not shown).

モータECU305は、バッテリECU306と通信可能に接続されており、バッテリECU306からモータ304の駆動要求を受けた時(車載バッテリ301の接続先がインバータ1(或いは2)に切替わった時)に、インバータ1(或いは2)に供給すべきPWM信号を生成する。なお、このモータECU305は、上位ECU(図示省略)とも通信可能に接続されており、上位ECUから送信される運転情報(例えばアクセルの踏込み量等)に応じてPWM信号のデューティ比及び周波数を変化させることにより、モータ304の回転状態を制御する。   The motor ECU 305 is communicably connected to the battery ECU 306, and when receiving a drive request for the motor 304 from the battery ECU 306 (when the connection destination of the vehicle-mounted battery 301 is switched to the inverter 1 (or 2)), the inverter A PWM signal to be supplied to 1 (or 2) is generated. The motor ECU 305 is also communicably connected to a host ECU (not shown), and changes the duty ratio and frequency of the PWM signal in accordance with driving information (for example, accelerator depression amount) transmitted from the host ECU. Thus, the rotation state of the motor 304 is controlled.

バッテリECU306は、車載バッテリ301の充放電制御を行う電子制御装置であり、接続先切替器303を制御して、車載バッテリ301の接続先を、充電時にはバッテリチャージャ302に、放電時にはインバータ1(或いは2)に切替える。このバッテリECU306は、車載バッテリ301の充電時には、車載バッテリ301の電圧状態を監視しながらバッテリチャージャ302を制御することで、車載バッテリ301が適正な電圧値まで充電されるようにする。   The battery ECU 306 is an electronic control device that performs charge / discharge control of the in-vehicle battery 301. The battery ECU 306 controls the connection destination switch 303 to connect the connection destination of the in-vehicle battery 301 to the battery charger 302 during charging and to the inverter 1 (or alternatively) during discharging. Switch to 2). When charging the in-vehicle battery 301, the battery ECU 306 controls the battery charger 302 while monitoring the voltage state of the in-vehicle battery 301 so that the in-vehicle battery 301 is charged to an appropriate voltage value.

以上、本発明の第1及び第2実施形態に係るインバータ1、2とそれの適用例について説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。例えば、上記適用例では、インバータ1或いは2を電気自動車300に適用する例を説明したが、本発明はハイブリッド車やプラグインハイブリッド車などのように、充電可能な直流電源と、動力源として使用されるモータとを備える車両に広く適用することができる(勿論、車両以外の用途にも適用できる)。  The inverters 1 and 2 and the application examples thereof according to the first and second embodiments of the present invention have been described above, but the present invention is not limited to this, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. Of course there is. For example, in the above application example, the example in which the inverter 1 or 2 is applied to the electric vehicle 300 has been described. However, the present invention is used as a rechargeable DC power source and a power source, such as a hybrid vehicle or a plug-in hybrid vehicle. The present invention can be widely applied to vehicles including a motor to be used (of course, it can be applied to uses other than vehicles).

1、2、10…インバータ(電力変換装置)、20…コンデンサモジュール、30、30’…パワー半導体モジュール、25、38…平滑コンデンサ、40、40’…絶縁基板、100…直流電源、200…負荷、300…電気自動車   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 2, 10 ... Inverter (power converter), 20 ... Capacitor module, 30, 30 '... Power semiconductor module, 25, 38 ... Smoothing capacitor, 40, 40' ... Insulating substrate, 100 ... DC power supply, 200 ... Load , 300 ... Electric car

Claims (4)

直流電源から出力される直流電力を交流電力に変換して負荷に供給する電力変換装置において、
前記直流電源の正極端子に接続される正極端子パターン、前記直流電源の負極端子に接続される負極端子パターン及び前記負荷に接続される出力端子パターンが形成され、上アーム用及び下アーム用の半導体素子が実装された絶縁基板を備え、
一端が前記正極端子パターンに接続され、他端が前記負極端子パターンに接続された平滑コンデンサが前記絶縁基板上に1つ以上実装されていることを特徴とする電力変換装置。
In a power conversion device that converts DC power output from a DC power source into AC power and supplies it to a load,
A positive terminal pattern connected to the positive terminal of the DC power source, a negative terminal pattern connected to the negative terminal of the DC power source, and an output terminal pattern connected to the load are formed. It has an insulating substrate on which the element is mounted,
One or more smoothing capacitors having one end connected to the positive terminal pattern and the other end connected to the negative terminal pattern are mounted on the insulating substrate.
一端が前記正極端子パターンに接続され、他端が前記負極端子パターンに接続された外付けコンデンサが前記絶縁基板に1つ以上外付けされていることを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置。   2. The power conversion according to claim 1, wherein at least one external capacitor having one end connected to the positive terminal pattern and the other end connected to the negative terminal pattern is externally attached to the insulating substrate. apparatus. 充電可能な直流電源と、
動力源として使用されるモータと、
前記直流電源から出力される直流電力を交流電力に変換して前記モータに供給する電力変換装置と、を備え、
前記電力変換装置は、
前記直流電源の正極端子に接続される正極端子パターン、前記直流電源の負極端子に接続される負極端子パターン及び前記モータに接続される出力端子パターンが形成され、上アーム用及び下アーム用の半導体素子が実装された絶縁基板を備え、
一端が前記正極端子パターンに接続され、他端が前記負極端子パターンに接続された平滑コンデンサが前記絶縁基板上に1つ以上実装されていることを特徴とする車両。
Rechargeable DC power supply,
A motor used as a power source;
A power conversion device that converts DC power output from the DC power source into AC power and supplies the motor to the motor, and
The power converter is
A positive terminal pattern connected to the positive terminal of the DC power source, a negative terminal pattern connected to the negative terminal of the DC power source, and an output terminal pattern connected to the motor are formed, and semiconductors for the upper arm and the lower arm It has an insulating substrate on which the element is mounted,
One or more smoothing capacitors having one end connected to the positive terminal pattern and the other end connected to the negative terminal pattern are mounted on the insulating substrate.
前記電力変換装置では、一端が前記正極端子パターンに接続され、他端が前記負極端子パターンに接続された外付けコンデンサが前記絶縁基板に1つ以上外付けされていることを特徴とする請求項3に記載の車両。   2. The power converter according to claim 1, wherein at least one external capacitor having one end connected to the positive terminal pattern and the other end connected to the negative terminal pattern is externally attached to the insulating substrate. 3. The vehicle according to 3.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017159029A1 (en) * 2016-03-15 2017-09-21 住友電気工業株式会社 Semiconductor module
JP2018125943A (en) * 2017-01-31 2018-08-09 パナソニックIpマネジメント株式会社 Switching power supply
WO2021176934A1 (en) * 2020-03-05 2021-09-10 富士電機株式会社 Power conversion device

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007082359A (en) * 2005-09-16 2007-03-29 Hitachi Ltd Inverter device and control unit
JP2008206363A (en) * 2007-02-22 2008-09-04 Toyota Motor Corp Semiconductor power converter and manufacturing method of same
JP2008295227A (en) * 2007-05-25 2008-12-04 Toyota Motor Corp Manufacturing method of capacitor integrated bus bar, and power conversion apparatus
JP2009165278A (en) * 2008-01-08 2009-07-23 Meidensha Corp Semiconductor circuit
JP2010011605A (en) * 2008-06-25 2010-01-14 Hitachi Ltd Power conversion device
JP2010074935A (en) * 2008-09-18 2010-04-02 Mitsubishi Heavy Ind Ltd Inverter apparatus

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007082359A (en) * 2005-09-16 2007-03-29 Hitachi Ltd Inverter device and control unit
JP2008206363A (en) * 2007-02-22 2008-09-04 Toyota Motor Corp Semiconductor power converter and manufacturing method of same
JP2008295227A (en) * 2007-05-25 2008-12-04 Toyota Motor Corp Manufacturing method of capacitor integrated bus bar, and power conversion apparatus
JP2009165278A (en) * 2008-01-08 2009-07-23 Meidensha Corp Semiconductor circuit
JP2010011605A (en) * 2008-06-25 2010-01-14 Hitachi Ltd Power conversion device
JP2010074935A (en) * 2008-09-18 2010-04-02 Mitsubishi Heavy Ind Ltd Inverter apparatus

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017159029A1 (en) * 2016-03-15 2017-09-21 住友電気工業株式会社 Semiconductor module
JPWO2017159029A1 (en) * 2016-03-15 2019-01-17 住友電気工業株式会社 Semiconductor module
JP2018125943A (en) * 2017-01-31 2018-08-09 パナソニックIpマネジメント株式会社 Switching power supply
WO2021176934A1 (en) * 2020-03-05 2021-09-10 富士電機株式会社 Power conversion device
JPWO2021176934A1 (en) * 2020-03-05 2021-09-10
US11894774B2 (en) 2020-03-05 2024-02-06 Fuji Electric Co., Ltd. Power converter

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