JP2013251482A - 露光装置、露光装置の調整方法、それを用いたデバイスの製造方法 - Google Patents
露光装置、露光装置の調整方法、それを用いたデバイスの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013251482A JP2013251482A JP2012126959A JP2012126959A JP2013251482A JP 2013251482 A JP2013251482 A JP 2013251482A JP 2012126959 A JP2012126959 A JP 2012126959A JP 2012126959 A JP2012126959 A JP 2012126959A JP 2013251482 A JP2013251482 A JP 2013251482A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical system
- illumination
- exposure apparatus
- projection optical
- projection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【課題】照明光学系と投影光学系との相対的な位置ズレに起因した結像性能の低下を抑えるのに有利な露光装置を提供する。
【解決手段】露光装置1は、投影光学系の非点収差を計測する収差計測系6と、投影光学系4から基板2上に投影される投影領域の照度分布を計測する照度計測系7と、収差計測系6による計測結果に基づいて投影領域の特定の方向にて投影光学系4の非点収差が所定の値である位置を特定する制御部とを有し、照度計測系による計測結果に基づいて、この位置を基準として定義された像域に照明光学系5による照明領域が位置するように照明光学系5と投影光学系4との相対位置が調整される。
【選択図】図1
【解決手段】露光装置1は、投影光学系の非点収差を計測する収差計測系6と、投影光学系4から基板2上に投影される投影領域の照度分布を計測する照度計測系7と、収差計測系6による計測結果に基づいて投影領域の特定の方向にて投影光学系4の非点収差が所定の値である位置を特定する制御部とを有し、照度計測系による計測結果に基づいて、この位置を基準として定義された像域に照明光学系5による照明領域が位置するように照明光学系5と投影光学系4との相対位置が調整される。
【選択図】図1
Description
本発明は、露光装置、露光装置の調整方法、およびそれを用いたデバイスの製造方法に関する。
露光装置は、半導体デバイスや液晶表示装置などの製造工程に含まれるリソグラフィー工程において、原版(マスクなど)のパターンを、投影光学系を介して感光性の基板(表面にレジスト層が形成されたウエハやガラスプレートなど)に転写する装置である。例えば液晶表示装置製造用の露光装置では、従来、原版に形成されている比較的大きな面積パターンを高解像度で基板上に一括露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型投影露光装置が提案されている。この走査型投影露光装置は、照明光学系により照明された原版上のパターンを、投影光学系(反射光学系)を介してスキャン動作により基板上に露光転写する。特許文献1は、反射光学系内で発生し得る各収差を抑えるための一つとして、その特性に合わせて露光光の形状を円弧とする旨を記載した反射光学系を開示している。
ここで、特許文献1に示すような反射光学系を含む露光装置の組み立てに際し、構成要素となる照明光学系と投影光学系とは、別々の製造工程を経由し、所望の性能に到達するように個別に光学素子や機械的部分の調整が行われている。そして、個別調整された照明光学系と投影光学系とが露光装置に組み込まれるのであるが、この組み込みの際に、両者間で相対的な位置ズレが発生する可能性がある。この位置ズレに起因した露光装置の性能への影響は、近年の転写パターンの微細化による結像性能に対する要求の高まりから、可能な限り抑えることが望ましい。
本発明は、このような状況を鑑みてなされたものであり、例えば、照明光学系と投影光学系との相対的な位置ズレに起因した結像性能の低下を抑えるのに有利な露光装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明は、照明光学系からの光を原版に形成されたパターンに照射し、投影光学系を介してパターンの像を基板上に露光する露光装置であって、投影光学系の非点収差を計測する収差計測系と、投影光学系から基板上に投影される投影領域の照度分布を計測する照度計測系と、収差計測系による計測結果に基づいて投影領域の特定の方向にて投影光学系の非点収差が所定の値である位置を特定する制御部と、を有し、照度計測系による計測結果に基づいて、位置を基準として定義された像域に照明光学系による照明領域が位置するように照明光学系と投影光学系との相対位置が調整されることを特徴とする。
本発明によれば、例えば、照明光学系と投影光学系との相対的な位置ズレに起因した結像性能の低下を抑えるのに有利な露光装置を提供することができる。
以下、本発明を実施するための形態について図面などを参照して説明する。
(第1実施形態)
まず、本発明の第1実施形態に係る露光装置について説明する。図1は、本実施形態に係る露光装置1の構成を示す概略図である。この露光装置1は、一例として液晶表示装置の製造に用いられ、ステップ・アンド・スキャン方式にて、マスク(原版)2に形成されているパターンをガラスプレート(基板)3に転写露光する走査型投影露光装置とする。なお、図1では、投影光学系4の光軸に平行にZ軸を取り、該Z軸に垂直な平面内で露光時のマスクおよびガラスプレートの走査方向にY軸を取り、該Y軸に直交する非走査方向にX軸を取っている。露光装置1は、照明光学系5と、アライメント計測系6と、マスク2を移動可能に保持する不図示のマスクステージと、投影光学系4と、感光剤が塗布されたガラスプレート3を移動可能に保持する不図示の基板ステージと、照度計測系7と、制御部8とを備える。照明光学系5は、例えばHgランプなどの光源を有し、マスク2に対してスリット状に成形された照明光を照射し、パターン像を回折光として、投影光学系4を介してガラスプレート3へ投影させる。
まず、本発明の第1実施形態に係る露光装置について説明する。図1は、本実施形態に係る露光装置1の構成を示す概略図である。この露光装置1は、一例として液晶表示装置の製造に用いられ、ステップ・アンド・スキャン方式にて、マスク(原版)2に形成されているパターンをガラスプレート(基板)3に転写露光する走査型投影露光装置とする。なお、図1では、投影光学系4の光軸に平行にZ軸を取り、該Z軸に垂直な平面内で露光時のマスクおよびガラスプレートの走査方向にY軸を取り、該Y軸に直交する非走査方向にX軸を取っている。露光装置1は、照明光学系5と、アライメント計測系6と、マスク2を移動可能に保持する不図示のマスクステージと、投影光学系4と、感光剤が塗布されたガラスプレート3を移動可能に保持する不図示の基板ステージと、照度計測系7と、制御部8とを備える。照明光学系5は、例えばHgランプなどの光源を有し、マスク2に対してスリット状に成形された照明光を照射し、パターン像を回折光として、投影光学系4を介してガラスプレート3へ投影させる。
アライメント計測系6は、マスク2の上面側(光入射側)に配置され、TTM(Through the Mirror)方式にてマスク2とガラスプレート3とのそれぞれの表面に形成されている位置決め用のアライメントマークを検出する。特に本実施形態のアライメント計測系6は、投影光学系4の非点収差を計測する収差計測系となる。アライメント計測系6は、マスク2のアライメントマークを照明するアライメント用照明光学系10と、マスク2のアライメントマークおよびガラスプレート3のアライメントマークを検出する検出光学系11とを含む。このうち、検出光学系11は、複数の光学素子からなるリレー光学系とCCD検出器とをさらに含む。さらに、アライメント計測系6は、不図示であるが、マスク2の表面に対して平行に移動可能とする駆動機構を備える。この移動には、アライメントマーク検出時の移動以外にも、照明光学系5がマスク2に向けて照明光を照射する際に照明光を遮ることがないように、照明光束外に退避する移動も含まれる。
投影光学系4は、不図示の鏡筒内に設置され、基板ステージに保持されたガラスプレート3にパターン像を投影する。この投影光学系4は、光入射側の平面鏡12と、凹面鏡13と、凸面鏡14と、光出射側の平面鏡15との各種ミラーで構成されるオフナー光学系である。照明光学系5から照射された照明光(回折光)は、投影光学系4内にて、平面鏡12、凹面鏡13、凸面鏡14、再び凹面鏡13、そして平面鏡15の順に通過し、基板ステージ上に保持されたガラスプレート3の表面上に結像する。なお、図1において、点線で示す光線は、回折光のうちの0次光を表している。
ここで、投影光学系4にて発生し得る非点収差、および、良像域と投影光学系4の有効領域との関係について説明する。図2は、投影光学系4のフォーカス特性を示す非点収差に関する縦収差図であり、縦軸には、ある特定のY´軸を取り、そのY´軸上の各点におけるベストフォーカス位置(Z軸方向)を表している。特に本実施形態では、投影光学系4を構成する光学素子がすべてミラーであるので、露光波長またはアライメント計測波長のいずれにおいてもベストフォーカス位置は同じである。ここで、露光装置1での良像域(像域)は、図2におけるΔYで示される領域であり、この良像域ΔY内に非点収差がゼロ(サジタル方向(sagi)とメリジオナル方向(meri)とのベストフォーカス位置が一致する)のY´座標が存在する。なお、本実施形態では、良像域ΔYを、転写するパターンの線幅において光学像コントラスト(光強度のコントラスト)が50%以上を確保することができる幅と想定している。
図3は、良像域ΔYと投影光学系4の有効領域16との関係を示す、マスク2の上部側から投影光学系4側を見たときのXY座標平面図である。なお、この図3では、投影光学系4の光軸17(図1参照)とY軸との交点を、XY座標系の原点Oに設定している。ここで、投影光学系4の有効領域16の形状は、円弧の曲率R、露光幅L、およびスリット幅LSで規定される円弧である。ただし、スリット幅LSは、X座標に関わらず一定である。これに対して、照明光学系5による照明領域の形状も、有効領域16の全面を効率良く照明するために、有効領域16と同様に円弧である。このとき、Y軸と有効領域16の円弧端との2つの交点のうち、原点Oに近い方を点Pとし、原点Oから遠い方を点Qとすると、距離PQの長さは、スリット幅LSと同一である。次に、XY座標平面において、原点Oを中心点とし、距離OPを半径とする円S1と、距離OQを半径とする円S2とが存在すると想定する。このとき、X座標のうちの任意の座標Xa(X=Xa)における、円S1と円S2との2つの交点P1、Q1間の距離P1Q1は、スリット幅LSがX座標に関わらず一定であるので、距離PQよりも大きい。したがって、円S2の領域から円S1の領域を除いた部分にて投影光学系4の光学性能を保証することが、有効領域16での光学性能の保証の十分条件となる。すなわち、この部分が良像域ΔYであり、この良像域ΔYは、図3に示すXY座標平面上にて、原点Oから任意の方向に向かう半直線と円S1および円S2との交点の距離である。この場合、良像域ΔYの長さは、距離PQの長さと等しい。本実施形態では、上記のとおり投影光学系4を構成する光学素子がすべてミラーであるので、アライメント計測波長と露光波長との良像域が一致している。そのため、良像域ΔYに非点収差がゼロの点が存在しており、図2の縦収差図を参照すれば、アライメント計測波長の非点収差がゼロとなる点から良像域ΔYの両端までの2つの幅は、Y´軸方向の小さい方からに順に、dl、dhとなる。
照度計測系7は、ガラスプレート面(露光処理時に基板ステージに保持されている状態にあるガラスプレート3の表面位置)の裏側に移動可能に配置され、投影光学系4から投影された露光光の照度を計測する。特に本実施形態では、照度計測系7は、スリット18と、コンデンサー光学系19と、光量検出器20とを含み、露光光の光量を検出するものとし得る。さらに、照度計測系7は、不図示であるが、ガラスプレート面に対して平行に移動可能とする駆動機構を備える。図4は、スリット18の開口形状と、ガラスプレート面に投影される投影領域21に対するスリット18の移動動作とを示す平面図である。照度計測系7は、露光光の照度計測時には、基板ステージに代わりガラスプレート面の裏側に移動し、投影領域21を横切るようにY´軸方向に走査する。このとき、スリット18を透過した露光光は、コンデンサー光学系19を通過し、光量検出器20に到達する。照度計測系7は、投影領域21を横切る前から横切った後までの任意の微少間隔で露光光の光量を検出し、後述の制御部8へ検出結果を出力する。そして、制御部8は、照度計測系7により得られた検出結果に基づいて露光光の照度を算出し、図5に示すような投影領域21におけるY´軸方向の照度分布を求める。なお、スリット18の開口形状は、図4では矩形としているが、本実施形態では投影光学系4の性質から投影領域21の形状が円弧となるので、それに合わせて円弧としてもよい。ただし、この開口形状は、大きさが小さくなればなるほど照度結果への形状依存度も小さくなるので、例えば投影領域21の幅の1/10程度以下ならば矩形でよい。
制御部8は、露光装置1の各構成要素の動作および調整などを制御し得る。この制御部8は、例えばコンピュータなどで構成され、露光装置1の各構成要素に回線を介して接続され、プログラムなどにしたがって各構成要素の制御を実行し得る。本実施形態の制御部8は、少なくとも、露光装置1内に照明光学系5と投影光学系4とを組み込む際の調整時に、アライメント計測系6および照度計測系7の動作制御や、得られた計測結果の処理などを実行する。なお、制御部8は、露光装置1の他の部分と一体で(共通の筐体内に)構成してもよいし、露光装置1の他の部分とは別体で(別の筐体内に)構成してもよい。
このような構成のもと、露光装置1は、投影光学系4の投影倍率を等倍とすると、マスク2とガラスプレート3とを同期させて走査露光を行うことで、マスク2からのパターンの像をガラスプレート3上(基板上)に転写させることができる。ここで、通常、露光装置を組み立てるに際し、内部に照明光学系と投影光学系とが組み込まれるのであるが、これらの照明光学系と投影光学系とは、組み込み前に個別に各種調整が行われている。そして、組み込み後の照明光学系と投影光学系とでは、両者間で相対的な位置ズレが発生し得る。なお、ここでの位置ズレには、単に位置のシフトによるズレだけではなく、相対的な傾きのズレをも含む。このような位置ズレは、転写パターンの微細化によっても露光装置の結像性能を維持する上で、可能な限り抑えられることが望ましい。そこで、露光装置1では、装置内への照明光学系5と投影光学系4との組み込み後、以下のような調整方法を実施することで、照明光学系5と投影光学系4との相対的な位置ズレの発生を抑える。
図6は、本実施形態における照明光学系5と投影光学系4との相対的な位置を調整するための調整シーケンスを示すフローチャートである。まず、制御部8は、アライメント計測系6が持つ非点収差を取得する(ステップS100)。このとき、制御部8は、アライメント計測系6に対してアライメント用照明光学系10によりマスク2に形成されているアライメントマークを照明させ、そのアライメントマークからの反射光を、検出光学系11内のCCD検出器により画像として検出させる。図7は、マスク2およびガラスプレート3のそれぞれに形成されているアライメントマークの形状の一例を示す平面図である。1つのアライメントマークは、互いに直交するHパターン(水平方向パターン)とVパターン(垂直方向パターン)との組み合わせで構成される。次に、制御部8は、検出された画像を取得し、その画像からHパターンおよびVパターンごとに光学像のコントラストを算出する。次に、制御部8は、アライメント計測系6に対して検出光学系11内のリレー光学系の一部または全体を駆動させてフォーカス位置を変化させながら、HパターンおよびVパターンごとにフォーカス位置のコントラストを算出してプロットする。そして、制御部8は、算出したコントラストのピークをHパターンまたはVパターンでのそれぞれのベストフォーカス位置と定義し、HパターンとVパターンとのベストフォーカスの差分を取ることで、アライメント計測系6が持つ非点収差を取得する。
次に、制御部8は、投影光学系4が持つ非点収差を取得する(ステップS101)。このとき、制御部8は、まず、例えばダミーのガラスプレートを保持した基板ステージを、投影光学系4の下部、すなわち露光光の投影位置にガラスプレートの表面が位置するように予め移動させておく。次に、制御部8は、ステップS100と同様に、アライメント計測系6に対してアライメント用照明光学系10によりマスク2に形成されているアライメントマークを照明させる。ただし、このステップS101では、制御部8は、アライメントマークを透過した透過光のうち、投影光学系4を通過し、ダミーのガラスプレートの表面で反射して再びマスク2に到達した光を、検出光学系11内のCCD検出器により画像として検出させる。次に、制御部8は、検出された画像を取得し、その画像からHパターンおよびVパターンごとに光学像のコントラストを算出する。次に、制御部8は、アライメント計測系6に対して検出光学系11内のリレー光学系の一部または全体を駆動させてフォーカス位置を変化させながら、HパターンおよびVパターンごとにフォーカス位置のコントラストを算出してプロットする。ここでも、制御部8は、算出したコントラストのピークをHパターンまたはVパターンでのそれぞれのベストフォーカス位置と定義する。そして、制御部8は、ここで得られたプロットからステップS100で得られたHパターンとVパターンとのフォーカスプロットを差し引くことで、投影光学系4が持つ非点収差を取得する。さらに、制御部8は、このステップS101での非点収差の取得を、Y´軸方向にアライメント計測系6の位置を変えさせながら複数回実行することで、図8に示すようなY´軸方向に対する非点収差の縦収差図を作成する。
次に、制御部8は、投影光学系4が持つ良像域(良像幅)を定義する(ステップS102)。このとき、制御部8は、まず、ステップS101にて得られた縦収差図から非点収差がゼロとなる点(位置)を特定し、そのゼロの点のY´軸座標を求める。次に、制御部8は、図8に示すように、得られたゼロ点を基準として、Y´軸座標からdlを引いた点をY´軸上の点P2とし、dhを足した点をY´軸上の点Q2とする。そして、制御部8は、この点P2から点Q2までの距離ΔY´を、投影光学系4が持つ良像域と定義する。なお、非点収差がゼロとなる点(位置)を特定したがこれに限らない。例えば、投影領域のY´軸方向における非点収差の最小値の点を特定してもよいし、非点収差が所定の値である点を特定してもよい。
次に、制御部8は、ステップS102にて得られた良像域ΔY´付近の、X=0における照度分布を取得する(ステップS103)。このとき、制御部8は、まず、基板ステージに換えて、投影光学系4の下部、すなわちガラスプレート面の裏側に照度計測系7を予め移動させておく。そして、制御部8は、照度計測系7に対して上述したように投影光学系4から投影された露光光の照度を計測させ、その計測結果に基づいて照度分布を求める。なお、図8には、非点収差を示す縦収差図に合わせて、このステップS103にて得られた良像域ΔY´付近の照度分布の計測結果を示すグラフも表記している。
次に、制御部8は、ステップS103にて得られた照度分布を参照し、照度(強度)に基づいて、照明光学系5がマスク2を照明する照明領域(照射範囲)を決定する(ステップS104)。このとき、制御部8は、図8中の照度分布のグラフに示すように、例えば、全光量が含まれる幅LS´を照明領域と決定する。なお、この照明領域LS´は、良像域ΔY´よりも短いほうが望ましい。また、照明領域LS´が良像域ΔY´よりも長い場合には投影光学系4で迷光が発生する可能性があるため、例えば、照明光学系5内に視野絞りを設け、照明領域LS´を小さくしてもよい。
次に、制御部8は、ステップS104にて決定した照明領域LS´が良像域ΔY´内に位置するように調整させる(ステップS105)。このとき、制御部8は、照明光学系5内で照明領域の大きさや形状を調整させてもよいし、または、照明光学系5の照明領域に対して投影光学系4の位置を調整させてもよい。調整は、照明領域の位置や照明光学系と投影光学系との相対位置を調整するための調整機構やアクチュエータを用いて行うことができる。そして、制御部8は、再度、ステップS103と同様の照度分布の取得を実行し、照明領域LS´が良像域ΔY´内に含まれているかどうかを確認する(ステップS106)。図9は、図8に対応した、ステップS105での位置調整後の非点収差の縦収差図と照度分布のグラフとを示す図である。ここで、照明領域LS´が良像域ΔY´内に含まれていれば、制御部8は、図9に示すような照度分布の結果を得る。
このように、露光装置1は、例えば、照明光学系5と投影光学系4との組み込み時に相対的な位置ズレが発生した場合でも、上記のように照明光学系5と投影光学系4との相対位置を調整し、位置ズレを可能な限り補正することができる。さらに、この相対位置の調整は、照明光学系5と投影光学系4との露光装置1への組み込み時に限らず、露光装置1の利用時において、経時変化などにより位置ズレが発生した場合でも適用可能である。これによれば、露光装置1の結像性能を高精度で維持させることができる。
以上のように、本実施形態によれば、照明光学系と投影光学系との相対的な位置ズレに起因した結像性能の低下を抑えるのに有利な露光装置を提供することができる。
(第2実施形態)
次に、本発明の第2実施形態に係る露光装置について説明する。本実施形態の露光装置の特徴は、第1実施形態で示した投影光学系4内に、さらに非球面光学素子を設置することで、良像域ΔYを第1実施形態の場合よりも増加させる点にある。図10は、本実施形態に係る露光装置30の構成を示す概略図である。なお、図10では、図1に示す露光装置1と同一構成のものには同一の符号を付し、説明を省略する。露光装置30は、露光光の入射部に設置される第1非球面光学素子31と、露光光の出射部に設置される第2非球面光学素子32とを含む投影光学系33を備える。なお、投影光学系33の構成は、非球面光学素子31、32を含む以外は、第1実施形態の投影光学系4と同一である。非球面光学素子31、32を含む投影光学系33は、第1実施形態の投影光学系4が図2に示すようなフォーカス特性を持つのに対して、図11に示すようなフォーカス特性を持つ。なお、図11では、アライメント計測波長λが365nmと633nmとの場合でのサジタル方向(sagi)およびメリジオナル方向(meri)の計測値を示している。この図11からわかるとおり、投影光学系33における良像域ΔY´は、第1実施形態の投影光学系4におけるものよりも広い。したがって、露光装置30には、照明光学系34と投影光学系33とを組み込む際に互いに相対的な位置ズレが発生している場合、照明光学系34と投影光学系33との位置調整を実施し易いという利点がある。
次に、本発明の第2実施形態に係る露光装置について説明する。本実施形態の露光装置の特徴は、第1実施形態で示した投影光学系4内に、さらに非球面光学素子を設置することで、良像域ΔYを第1実施形態の場合よりも増加させる点にある。図10は、本実施形態に係る露光装置30の構成を示す概略図である。なお、図10では、図1に示す露光装置1と同一構成のものには同一の符号を付し、説明を省略する。露光装置30は、露光光の入射部に設置される第1非球面光学素子31と、露光光の出射部に設置される第2非球面光学素子32とを含む投影光学系33を備える。なお、投影光学系33の構成は、非球面光学素子31、32を含む以外は、第1実施形態の投影光学系4と同一である。非球面光学素子31、32を含む投影光学系33は、第1実施形態の投影光学系4が図2に示すようなフォーカス特性を持つのに対して、図11に示すようなフォーカス特性を持つ。なお、図11では、アライメント計測波長λが365nmと633nmとの場合でのサジタル方向(sagi)およびメリジオナル方向(meri)の計測値を示している。この図11からわかるとおり、投影光学系33における良像域ΔY´は、第1実施形態の投影光学系4におけるものよりも広い。したがって、露光装置30には、照明光学系34と投影光学系33とを組み込む際に互いに相対的な位置ズレが発生している場合、照明光学系34と投影光学系33との位置調整を実施し易いという利点がある。
ここで、本実施形態における照明光学系34でも、アライメント計測波長(露光波長と一致)による非点収差がゼロとなる点は、良像域ΔY内に存在するように予め設計される必要がある。図12は、照明光学系34の構成を示す概略図である。この照明光学系34は、光源(または外部の光源から光を導く導光光学系)35と、この光源35からの光をマスク2の表面上に結像させる結像光学系36と、光源35と結像光学系36との間に配置されるスリット(照明スリット)37とを含む。図13は、スリット37の形状を示す斜視図である。このスリット37は、平板部材の中央部に円弧形状の透過部37aを有する。光源35から照射された照度が均一な光は、透過部37aを透過するもの以外、スリット37にて遮光される。そして、透過した円弧形状の照明領域は、結像光学系36によりマスク2の表面に均一に結像される。ここで、特に本実施形態では、光源35は、スリット37に向けて光を照射する際、透過部37aよりも大きい領域を照明する。これにより、制御部8は、マスク2の表面上における照射領域の形状を変えず、結像光学系36またはスリット37の位置を調整させることで、相対的な位置ズレに対する照明光学系34と投影光学系33との位置調整を行うことができる。この場合、結像光学系36またはスリット37は、その位置を可変とする駆動機構をそれぞれ有する構成とし得る。なお、制御部8が結像光学系36またはスリット37を駆動させることで位置を変化させた場合、マスク2の表面上のテレセントリシティが変化することも考えられる。その場合には、制御部8は、結像光学系36内に含まれる不図示の光学素子の一部をシフトまたはチルトさせることにより、テレセントリシティの変化分を補正することとしてもよい。
(第3実施形態)
次に、本発明の第3実施形態に係る露光装置について説明する。第1実施形態では、投影光学系4のY軸方向に関するフォーカス特性と、照明光学系5の照明領域とを計測および参照して、照明光学系5と投影光学系4との位置調整を実施した。しかしながら、照明光学系5と投影光学系4との位置ズレは、Y軸方向のみならず、X軸方向やθ方向にも発生する可能性がある。一方、第2実施形態で述べたように、照明光学系34内で照明領域の調整を行うことで照明光学系34と投影光学系33との位置調整を実施すると、テレセントリシティの変化が生じる可能性がある。そこで、本実施形態の露光装置は、照明光学系と投影光学系との位置調整として、照明領域に関する調整と、テレセントリシティに関する調整とを組み合わせて実施する。
次に、本発明の第3実施形態に係る露光装置について説明する。第1実施形態では、投影光学系4のY軸方向に関するフォーカス特性と、照明光学系5の照明領域とを計測および参照して、照明光学系5と投影光学系4との位置調整を実施した。しかしながら、照明光学系5と投影光学系4との位置ズレは、Y軸方向のみならず、X軸方向やθ方向にも発生する可能性がある。一方、第2実施形態で述べたように、照明光学系34内で照明領域の調整を行うことで照明光学系34と投影光学系33との位置調整を実施すると、テレセントリシティの変化が生じる可能性がある。そこで、本実施形態の露光装置は、照明光学系と投影光学系との位置調整として、照明領域に関する調整と、テレセントリシティに関する調整とを組み合わせて実施する。
図14は、本実施形態に係る露光装置40の構成を示す概略図である。なお、図14では、図1に示す露光装置1と同一構成のものには同一の符号を付し、説明を省略する。露光装置40は、第1実施形態の露光装置1の構成に加え、照度計測系7と同様の位置に存在し、かつ、同様に不図示の駆動機構を有し、ガラスプレート面に対して平行に移動可能とする光源分布計測系41を備える。図15は、光源分布計測系41の構成を示す概略図である。この光源分布計測系41は、ガラスプレート面に入射する光の角度分布(有効光源分布)を計測するものであり、絞り42と、結像光学系43と、CCD検出系44とを含む。さらに、この場合、マスク2は、第1実施形態と同様にY軸方向に沿って配置されるアライメントマークに加えて、サジタル方向およびメリジオナル方向の各方向に対応した複数のアライメントマークをも有する。
図16は、本実施形態における照明光学系5と投影光学系4との相対的な位置を調整するための調整シーケンスを示すフローチャートである。まず、制御部8は、投影光学系4の非点収差計測と照度分布計測とを実施するX軸方向の位置(計測位置)を決定する(ステップS200)。このとき、制御部8は、X軸方向の位置を、互いが可能な限り離れた位置関係となる複数の点、例えば3点以上決定することが望ましい。
次に、制御部8は、アライメント計測系6が持つ非点収差を取得する(ステップS201)。このとき、制御部8は、図6に示す第1実施形態の調整シーケンスにおけるステップS100と同様に非点収差を取得する。ただし、制御部8は、マスク2に形成されているアライメントマークからの反射光を検出する際、Y軸方向に沿って配置されているアライメントマークだけでなく、ステップS200で決定された計測位置にあるアライメントマークからも同様に検出する。ここで、決定された計測位置にある複数のアライメントマークのうち、少なくとも1つは、計測位置の円弧形状である照明領域の径方向(サジタル方向に対応)のマーク(以下「Sagiマーク」という)である。さらに、計測位置にある複数のアライメントマークのうち、残りの少なくとも1つは、照明領域の円弧方向(メリジオナル方向に対応)のマーク(以下「Meriマーク」という)である。これらのSagiマークとMeriマークとは、例えば、マスク2にY軸方向に沿って配置されている複数のアライメントマークのうちのいずれかのマークを、マスク2自体をXY軸平面内で任意の方向に回転させ、対応させるものとしてもよい。または、Y軸方向に沿って配置されているアライメントマークとは別に、そのマークとは任意の角度で傾いたSagiマークとMeriマークとを、予めマスク2に形成しておくものとしてもよい。次に、制御部8は、投影光学系4が持つ非点収差を取得する(ステップS202)。このとき、制御部8は、図6に示す第1実施形態の調整シーケンスにおけるステップS101と同様に非点収差を取得する。ただし、制御部8は、ここでも上記ステップS201と同様に、Y軸方向に沿って配置されているアライメントマークだけでなく、ステップS200で決定された計測位置にあるアライメントマークをも利用する。
次に、制御部8は、投影光学系4が持つ良像域(良像領域)を定義する(ステップS203)。このとき、制御部8は、まず、ステップS202にて得られた非点収差の値から、XY軸平面上において、サジタル方向とメリジオナル方向とでの非点収差がゼロになる位置の曲線を得る。図17は、本実施形態における、サジタル方向とメリジオナル方向とでの非点収差がゼロとなる曲線45と、2次元照度分布46の調整とを説明する図である。特に、図17(a)に示す2次元照度分布46は、位置調整前のものである。次に、制御部8は、図17に示すように、得られた曲線45から、径方向にdlを引いた曲線を曲線Pcとし、dhを足した曲線を曲線Qcとする。そして、制御部8は、この曲線Pcと曲線Qcとで挟まれた領域Sを、投影光学系4が持つ良像域と定義する。
次に、制御部8は、ステップS203にて得られた良像域S付近の、ステップS200で決定したX軸位置における照度分布を取得する(ステップS204)。このとき、制御部8は、図6に示す第1実施形態の調整シーケンスにおけるステップS103と同様に照度分布を取得する。なお、図17(a)に示す2次元照度分布46が、このステップS204にて得られた良像域S付近の照度分布である。次に、制御部8は、ステップS204にて得られた2次元照度分布46が良像域S内に入るように、照明光学系5がマスク2を照明する照明領域を決定する(ステップS205)。このとき、制御部8は、例えば図12に示した照明光学系34を参照すれば、X軸方向とY軸方向との調整を結像光学系36で、またθ方向の調整をスリット37で実施させ得る。
次に、制御部8は、X=0とX軸方向における最外部位置2点での有効光源分布の重心位置のズレからテレセントリシティを認識する(ステップS206)。このとき、制御部8は、まず、照度計測系7に換えて、ガラスプレート面の裏側に光源分布計測系41を予め移動させておく。そして、制御部8は、光源分布計測系41に対して、上記位置からデフォーカスした状態で有効光源分布を計測させ、この有効光源分布からテレセントリシティを認識する。次に、制御部8は、ステップS206にて得られた結果からテレセントリシティの変化量が許容範囲にない場合には、テレセントリシティを補正する(ステップS207)。このとき、制御部8は、例えば図12に示した照明光学系34を参照すれば、テレセントリシティの補正を結像光学系36で実施させ得る。そして、制御部8は、再度、ステップS204と同様の照度分布の取得を実行し、照明領域が良像域S内に含まれているかどうかを確認する(ステップS208)。
このように、本実施形態によれば、照明光学系5と投影光学系4との相対位置の調整とともに、この調整時に変化し得るテレセントリシティの調整をも可能となり、第1実施形態と同様の効果をさらに好適に奏する。
(デバイスの製造方法)
次に、本発明の一実施形態のデバイス(半導体デバイス、液晶表示デバイス等)の製造方法について説明する。半導体デバイスは、ウエハに集積回路を作る前工程と、前工程で作られたウエハ上の集積回路チップを製品として完成させる後工程を経ることにより製造される。前工程は、前述の露光装置を使用して感光剤が塗布されたウエハを露光する工程と、ウエハを現像する工程を含む。後工程は、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)と、パッケージング工程(封入)を含む。液晶表示デバイスは、透明電極を形成する工程を経ることにより製造される。透明電極を形成する工程は、透明導電膜が蒸着されたガラス基板に感光剤を塗布する工程と、前述の露光装置を使用して感光剤が塗布されたガラス基板を露光する工程と、ガラス基板を現像する工程を含む。本実施形態のデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。
次に、本発明の一実施形態のデバイス(半導体デバイス、液晶表示デバイス等)の製造方法について説明する。半導体デバイスは、ウエハに集積回路を作る前工程と、前工程で作られたウエハ上の集積回路チップを製品として完成させる後工程を経ることにより製造される。前工程は、前述の露光装置を使用して感光剤が塗布されたウエハを露光する工程と、ウエハを現像する工程を含む。後工程は、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)と、パッケージング工程(封入)を含む。液晶表示デバイスは、透明電極を形成する工程を経ることにより製造される。透明電極を形成する工程は、透明導電膜が蒸着されたガラス基板に感光剤を塗布する工程と、前述の露光装置を使用して感光剤が塗布されたガラス基板を露光する工程と、ガラス基板を現像する工程を含む。本実施形態のデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
1 露光装置
2 マスク
3 ガラスプレート
4 投影光学系
5 照明光学系
6 アライメント計測系
7 照度計測系
8 制御部
21 投影領域
ΔY 良像域
2 マスク
3 ガラスプレート
4 投影光学系
5 照明光学系
6 アライメント計測系
7 照度計測系
8 制御部
21 投影領域
ΔY 良像域
Claims (11)
- 照明光学系からの光を原版に形成されたパターンに照射し、投影光学系を介して前記パターンの像を基板上に露光する露光装置であって、
前記投影光学系の非点収差を計測する収差計測系と、
前記投影光学系から前記基板上に投影される投影領域の照度分布を計測する照度計測系と、
前記収差計測系による計測結果に基づいて前記投影領域の特定の方向にて前記投影光学系の非点収差が所定の値である位置を特定する制御部と、を有し、
前記照度計測系による計測結果に基づいて、前記位置を基準として定義された像域に前記照明光学系による照明領域が位置するように前記照明光学系と前記投影光学系との相対位置が調整されることを特徴とする露光装置。 - 前記照度計測系は、少なくとも、前記投影領域の表面を横切るスリットと、該スリットを透過する透過光の光量を検出する検出器とを含み、
前記制御部は、前記光量の値から算出された前記照度に基づいて前記投影領域における照度分布を取得し、該照度分布を参照して前記照明領域を決定する、
ことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。 - 前記投影光学系は、前記像域を広げるための非球面光学素子を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の露光装置。
- 前記照明光学系は、前記照明領域を特定の形状とする照明スリットと、該照明スリットを透過した光を前記原版の表面上に結像させる結像光学系とを含み、
前記制御部は、少なくとも、前記照明スリットまたは前記結像光学系を移動させることで、前記相対位置の調整の際に変化したテレセントリシティを補正する、
ことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の露光装置。 - 前記基板上に投影され得る光に関する有効光源分布を計測する光源分布計測系を有し、
前記制御部は、前記有効光源分布に基づいて前記相対位置の調整の際に変化したテレセントリシティを認識する、
ことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の露光装置。 - 前記所定の値は、前記投影領域の特定の方向における前記投影光学系の非点収差の最小値であることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1項に記載の露光装置。
- 前記所定の値は、ゼロであることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1項に記載の露光装置。
- 前記収差計測系は、前記投影光学系を介して前記原版と前記基板とにそれぞれ形成されているマークからの光を検出して得られた非点収差から、前記原版のマークからの光を検出して得られた前記収差計測系の非点収差を差し引くことにより、前記投影光学系の非点収差を求めることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか1項に記載の露光装置。
- 前記位置を基準として定義された像域に前記照明光学系による照明領域が位置するように前記照明領域の大きさまたは形状が調整されることを特徴とする請求項1ないし8のいずれか1項に記載の露光装置。
- 照明光学系からの光を原版に形成されたパターンに照射し、投影光学系を介して前記パターンの像を基板上に露光する露光装置の調整方法であって、
前記投影光学系の非点収差を取得する工程と、
前記投影光学系から前記基板上に投影される投影領域の特定の方向にて前記非点収差が所定の値である位置を特定し、該位置を基準として像域を定義する工程と、
前記投影領域における照度分布を取得する工程と、
前記照度分布を参照して前記照明光学系による照明領域を決定する工程と、
前記像域に前記照明領域が位置するように前記照明光学系と前記投影光学系との相対位置を調整する工程と、
を含むことを特徴とする調整方法。 - 請求項1ないし9のいずれか1項に記載の露光装置、または請求項10に記載の調整方法により調整された露光装置を用いて基板を露光する工程と、
その露光した基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012126959A JP2013251482A (ja) | 2012-06-04 | 2012-06-04 | 露光装置、露光装置の調整方法、それを用いたデバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012126959A JP2013251482A (ja) | 2012-06-04 | 2012-06-04 | 露光装置、露光装置の調整方法、それを用いたデバイスの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013251482A true JP2013251482A (ja) | 2013-12-12 |
Family
ID=49849864
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012126959A Pending JP2013251482A (ja) | 2012-06-04 | 2012-06-04 | 露光装置、露光装置の調整方法、それを用いたデバイスの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2013251482A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108121170A (zh) * | 2016-11-30 | 2018-06-05 | 佳能株式会社 | 曝光装置以及物品的制造方法 |
-
2012
- 2012-06-04 JP JP2012126959A patent/JP2013251482A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108121170A (zh) * | 2016-11-30 | 2018-06-05 | 佳能株式会社 | 曝光装置以及物品的制造方法 |
CN108121170B (zh) * | 2016-11-30 | 2020-06-26 | 佳能株式会社 | 曝光装置以及物品的制造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101247898B1 (ko) | 위치 검출 장치, 노광 장치, 디바이스 제조 방법, 위치 검출 방법 및 노광 방법 | |
US7528966B2 (en) | Position detection apparatus and exposure apparatus | |
JP5036429B2 (ja) | 位置検出装置、露光装置、デバイス製造方法及び調整方法 | |
WO2011061928A1 (ja) | 光学特性計測方法、露光方法及びデバイス製造方法 | |
US8625074B2 (en) | Exposure apparatus and device fabrication method | |
KR20080056094A (ko) | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 | |
JP4692862B2 (ja) | 検査装置、該検査装置を備えた露光装置、およびマイクロデバイスの製造方法 | |
US8345221B2 (en) | Aberration measurement method, exposure apparatus, and device manufacturing method | |
KR101530747B1 (ko) | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 | |
JP2009032747A (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP2010114266A (ja) | 露光装置およびその制御方法、ならびにデバイス製造方法 | |
KR100992302B1 (ko) | 광학계, 노광장치 및 디바이스 제조방법 | |
JP2013251482A (ja) | 露光装置、露光装置の調整方法、それを用いたデバイスの製造方法 | |
JP2006080444A (ja) | 測定装置、テストレチクル、露光装置及びデバイス製造方法 | |
JP4764161B2 (ja) | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 | |
JP5089137B2 (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
KR20080009629A (ko) | 투영 노광 장치 | |
JP2005175383A (ja) | 露光装置、アライメント方法、及び、デバイスの製造方法 | |
JP2004281904A (ja) | 位置計測装置、露光装置、及びデバイス製造方法 | |
JP2000082654A (ja) | 面位置検出装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 | |
JP2004273860A (ja) | 露光方法 | |
JP2000091219A (ja) | 位置検出装置及びそれを用いた露光装置 | |
JP2012114279A (ja) | 合焦装置、露光装置、及びデバイス製造方法 | |
JP4137087B2 (ja) | 露光装置、及びデバイス製造方法 | |
US10222293B2 (en) | Optical characteristic measuring method, optical characteristic adjusting method, exposure apparatus, exposing method, and exposure apparatus manufacturing method by detecting a light amount of measuring light |