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JP2013109126A - ペリクルの製造方法、フォトマスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

ペリクルの製造方法、フォトマスクの製造方法及び半導体装置の製造方法 Download PDF

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JP2013109126A JP2011253638A JP2011253638A JP2013109126A JP 2013109126 A JP2013109126 A JP 2013109126A JP 2011253638 A JP2011253638 A JP 2011253638A JP 2011253638 A JP2011253638 A JP 2011253638A JP 2013109126 A JP2013109126 A JP 2013109126A
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pellicle
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thickness distribution
adhesive
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Masato Suzuki
理人 鈴木
Tetsuo Nakasugi
哲郎 中杉
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Toshiba Corp
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Toshiba Corp
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Abstract

【課題】正確なパターン転写を行うことが可能なペリクルの製造方法等を提供する。
【解決手段】実施形態に係るペリクルの製造方法は、ペリクルフレームの形状を取得する工程S11と、取得された形状に基づいて、ペリクルフレームに塗布すべき粘着剤の厚さ分布を決定する工程S12〜S16と、決定された厚さ分布に基づいてペリクルフレームに粘着剤を塗布する工程S17とを備える。
【選択図】図1

Description

本発明の実施形態は、ペリクルの製造方法、フォトマスクの製造方法及び半導体装置の製造方法に関する。
半導体装置の製造プロセスにおいて、フォトリソグラフィは重要な工程の1つである。フォトリソグラフィの際にフォトマスク上に異物が付着していると、正確なパターン転写ができなくなる。そのため、フォトマスクにはペリクルが貼り付けられ、このペリクルによってフォトマスクのパターン面が保護されている。ペリクルとフォトマスクのパターン面とは一定の距離が隔てられているため、ペリクルの表面に異物が付着していても、露光の際に異物の像が転写されることはない。
しかしながら、半導体装置が微細化されると、ペリクルを貼り付けた後のフォトマスクの歪みが問題となってくる。例えば、ペリクルフレームの歪みによってフォトマスクに歪みが生じる場合がある。また、フォトマスク自体が歪みを有している場合もある。さらに、フォトマスクを露光装置のフォトマスクチャックにチャックした後に、フォトマスクに歪みが生じる場合もある。
このように、フォトマスクに歪みが生じた状態で露光を行うと、正確なパターンを転写することが困難となる。したがって、正確なパターン転写を行うことが可能な方法が望まれている。
特開2011−17833号公報
正確なパターン転写を行うことが可能なペリクルの製造方法等を提供する。
実施形態に係るペリクルの製造方法は、ペリクルフレームの形状を取得する工程と、前記取得された形状に基づいて、前記ペリクルフレームに塗布すべき粘着剤の厚さ分布を決定する工程と、前記決定された厚さ分布に基づいて前記ペリクルフレームに粘着剤を塗布する工程と、を備える。
実施形態に係るペリクルの製造方法を示したフローチャートである。 実施形態の効果を説明するための図である。 実施形態の効果を説明するための図である。 実施形態に係るフォトマスクの製造方法及び半導体装置の製造方法を示したフローチャートである。
以下、実施形態を図面を参照して説明する。
図1は、実施形態に係るペリクルの製造方法を示したフローチャートである。
まず、ペリクルフレームの形状を測定して、ペリクルフレームの形状を取得する(S11)。具体的には、ペリクルフレームの形状からペリクルフレーム面内の歪み分布等を測定する。
次に、S11のステップで取得されたペリクルフレームの形状に基づいて、ペリクルフレームに塗布すべき粘着剤の厚さ分布を想定する(S12)。このとき、フォトマスク自体の形状(フォトマスク自体の形状の個体差)、及びフォトマスクを露光装置のフォトマスクチャックにチャックしたときのフォトマスクの形状(露光装置の個体差に起因するフォトマスクの歪み等)の少なくとも一方にさらに基づいて、粘着剤の厚さ分布を想定する。具体的には、ペリクルが貼り付けられたフォトマスクの形状ができるだけ最適化されるように(例えば、フォトマスクの歪みができるだけ最小化されるように)、粘着剤の厚さ分布を想定する。より具体的には、ペリクルが貼り付けられたフォトマスクを露光装置のフォトマスクチャックにチャックしたときのフォトマスクの形状ができるだけ最適化されるように、粘着剤の厚さ分布を想定する。
次に、S12のステップで想定された厚さ分布を有する粘着剤によってペリクルフレームをフォトマスクに貼り付けた場合の、フォトマスクの形状を予測する(S13)。具体的には、ペリクルフレームの形状、及びペリクルフレームを貼り付ける前のフォトマスクの形状等に基づき、ペリクルフレームを貼り付けた後のフォトマスクの形状をシミュレーションによって予測する。
次に、S12のステップで想定された厚さ分布を有する粘着剤によってペリクルフレームが貼り付けられたフォトマスクを、露光装置のフォトマスクチャックにチャックした場合の、フォトマスクの形状を予測する(S14)。具体的には、S13のステップで予測されたペリクルフレームを貼り付けた後のフォトマスクの形状、及びフォトマスクチャックの特性等に基づき、フォトマスクチャックにチャックされた状態でのフォトマスクの形状をシミュレーションによって予測する。
次に、S14のステップで予測されたフォトマスクチャックにチャックされたフォトマスクの形状が、所定の条件を満たしているか否かを判断する(S15)。例えば、フォトマスクの歪みが所定の範囲内に収まっているか否かを判断する。
フォトマスクの形状が所定の条件を満たしていない場合には、S12のステップに戻り、再度、ペリクルフレームに塗布すべき粘着剤の厚さ分布を想定する。
フォトマスクの形状が所定の条件を満たしている場合には、S12のステップで想定された粘着剤の厚さ分布を最終的な厚さ分布として決定する(S16)。
以上のようにして、ペリクルが貼り付けられたフォトマスクの形状が最適化されるように、粘着剤の厚さ分布が決定される。より具体的には、ペリクルが貼り付けられたフォトマスクを露光装置のフォトマスクチャックにチャックしたときのフォトマスクの形状が最適化されるように、粘着剤の厚さ分布が決定される。
次に、S16のステップで決定された厚さ分布に基づいて、ペリクルフレームに粘着剤を塗布する(S17)。すなわち、決定された厚さ分布にできるだけ忠実に粘着剤を塗布する。なお、ペリクルフレームに塗布された粘着剤の厚さ分布は、例えば干渉計等の光学的手段によって測定することが可能である。
このようにして、ペリクルフレームに粘着剤を塗布した後、粘着剤が塗布された領域に保護テープを貼り付け、ペリクルを出荷する。
図2及び図3は、本実施形態の効果を説明するための図である。
図2は、フォトマスク10にペリクルフレーム21及びペリクル膜22からなるペリクル20を貼り付ける前の状態を示している。図2に示すように、フォトマスク10の形状及びペリクルフレーム21の形状に応じて、粘着剤30の厚さ分布(ペリクルフレーム11の面内における厚さ分布)を決定している。
図3は、粘着剤30によってフォトマスク10にペリクル20を貼り付け、さらにフォトマスク10をフォトマスクチャック40にチャックしたときの状態を示している。図3に示すように、粘着剤30の厚さ分布を最適化することで、フォトマスク10をフォトマスクチャック40にチャックしたときの、フォトマスク10の形状が最適化されている。すなわち、フォトマスク10の歪みが最小化されている。
以上のように、本実施形態によれば、ペリクルフレームの形状に基づいてペリクルフレームに塗布すべき粘着剤の厚さ分布を決定し、決定された厚さ分布に基づいてペリクルフレームに粘着剤を塗布する。これにより、ペリクルフレームやフォトマスクに歪みがあっても、ペリクルを貼り付けた後のフォトマスクの形状、さらにはペリクルが貼り付けられたフォトマスクを露光装置のフォトマスクチャックにチャックした後のフォトマスクの形状を最適化することができる。その結果、パターンが微細化されても正確にパターンを転写することが可能となる。また、ペリクル貼り付け前のフォトマスク自体の形状やフォトマスクチャックの特性を考慮することで、より最適なフォトマスク形状で露光プロセスを行うことが可能となる。
図4は、上述した方法によって製造されたペリクルを用いたフォトマスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法を示したフローチャートである。
まず、上述した方法によって粘着剤が塗布されたペリクルを製造する(S21)。次に、S21のステップで製造されたペリクルをフォトマスクに貼り付けて、ペリクル付きのフォトマスクを製造する(S22)。さらに、S22のステップで製造されたフォトマスクを用いて露光プロセスを行うことで、半導体装置(半導体集積回路装置)が製造される(S23)。
以上のように、上述した方法によって製造されたペリクルを用いることで、最適化されたフォトマスクを製造することができ、さらに高精度の半導体装置を製造することが可能となる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
10…フォトマスク
20…ペリクル
21…ペリクルフレーム
22…ペリクル膜
30…粘着剤
40…フォトマスクチャック

Claims (8)

  1. ペリクルフレームの形状を取得する工程と、
    前記取得された形状に基づいて、前記ペリクルフレームに塗布すべき粘着剤の厚さ分布を決定する工程と、
    前記決定された厚さ分布に基づいて前記ペリクルフレームに粘着剤を塗布する工程と、
    を備え、
    前記粘着剤の厚さ分布は、前記ペリクルが貼り付けられたフォトマスクを露光装置のフォトマスクチャックにチャックしたときの形状が最適化されるように決定され、
    前記粘着剤の厚さ分布を決定する工程は、
    前記ペリクルフレームに塗布すべき粘着剤の厚さ分布を想定する工程と、
    前記想定された厚さ分布を有する粘着剤によって前記ペリクルフレームが貼り付けられたフォトマスクを露光装置のフォトマスクチャックにチャックした場合のフォトマスクの形状を予測する工程と、
    前記予測されたフォトマスクの形状が所定の条件を満たしているか否かを判断する工程と、
    前記予測されたフォトマスクの形状が所定の条件を満たしていると判断された場合に、前記想定された粘着剤の厚さ分布を最終的な厚さ分布として決定する工程と、
    を備えることを特徴とするペリクルの製造方法。
  2. ペリクルフレームの形状を取得する工程と、
    前記取得された形状に基づいて、前記ペリクルフレームに塗布すべき粘着剤の厚さ分布を決定する工程と、
    前記決定された厚さ分布に基づいて前記ペリクルフレームに粘着剤を塗布する工程と、
    を備えたことを特徴とするペリクルの製造方法。
  3. 前記粘着剤の厚さ分布は、前記ペリクルが貼り付けられたフォトマスクの形状が最適化されるように決定される
    ことを特徴とする請求項2に記載のペリクルの製造方法。
  4. 前記ペリクルが貼り付けられたフォトマスクの形状は、前記ペリクルが貼り付けられたフォトマスクを露光装置のフォトマスクチャックにチャックしたときの形状である
    ことを特徴とする請求項3に記載のペリクルの製造方法。
  5. 前記粘着剤の厚さ分布を決定する工程は、
    前記ペリクルフレームに塗布すべき粘着剤の厚さ分布を想定する工程と、
    前記想定された厚さ分布を有する粘着剤によって前記ペリクルフレームをフォトマスクに貼り付けた場合のフォトマスクの形状を予測する工程と、
    前記予測されたフォトマスクの形状が所定の条件を満たしているか否かを判断する工程と、
    前記予測されたフォトマスクの形状が所定の条件を満たしていると判断された場合に、前記想定された粘着剤の厚さ分布を最終的な厚さ分布として決定する工程と、
    を備えることを特徴とする請求項2に記載のペリクルの製造方法。
  6. 前記フォトマスクの形状を予測する工程は、
    前記想定された厚さ分布を有する粘着剤によって前記ペリクルフレームが貼り付けられたフォトマスクを露光装置のフォトマスクチャックにチャックした場合のフォトマスクの形状を予測する工程を含む
    ことを特徴とする請求項5に記載のペリクルの製造方法。
  7. 請求項2の方法で製造されたペリクルをフォトマスクに貼り付ける
    ことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
  8. 請求項7の方法で製造されたフォトマスクを用いて露光プロセスを行う工程を含む
    ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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