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JP2012204261A - Organic el display device - Google Patents

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JP2012204261A
JP2012204261A JP2011069661A JP2011069661A JP2012204261A JP 2012204261 A JP2012204261 A JP 2012204261A JP 2011069661 A JP2011069661 A JP 2011069661A JP 2011069661 A JP2011069661 A JP 2011069661A JP 2012204261 A JP2012204261 A JP 2012204261A
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JP
Japan
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layer
organic
electrode
display device
drive circuit
Prior art date
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Withdrawn
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JP2011069661A
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Japanese (ja)
Inventor
Takashi Moriyama
孝志 森山
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL display device capable of improving a light extraction efficiency from the organic EL element and a contrast.SOLUTION: An organic EL display device comprises on a substrate: a drive circuit; a planarization layer having a connection hole; a connection relay layer electrically connected to the drive circuit and formed from the drive circuit to the planarization layer through the connection hole; a convex resin layer formed on the planarization layer and the connection relay layer and covering the connection hole and having a planarized upper surface and a taper in an edge; a first electrode covering the resin layer so as to have a flat part along the upper surface of the resin layer and an inclined surface along the taper, and electrically connected to the connection relay layer on the planarization layer; a barrier wall defining a light emitting region; an organic EL layer provided on the first electrode; and a second electrode provided on the organic EL layer.

Description

本発明は、有機EL(エレクトロルミネッセンス)素子を配置した有機EL表示装置に関し、特に光取り出し効率の向上、及びコントラストの向上を可能とする有機EL表示装置に関する。   The present invention relates to an organic EL display device in which an organic EL (electroluminescence) element is arranged, and more particularly to an organic EL display device that can improve light extraction efficiency and contrast.

有機EL素子の課題として、光取り出し効率が悪いことが知られている。これは、有機EL素子では発光層から様々な方向へ出射された光の一部が、有機EL層と電極構造や封止構造等の界面において各層の屈折率の違いにより全反射され、素子外部に取り出されないまま隔壁等に吸収され減衰するためである。この課題を解決する技術として、特許文献1では、有機EL素子を取り囲むように光反射層を形成することで、有機EL素子中を全反射しながら平面方向に導波した光を基板上面方向(光取り出し側)へ反射させて取り出す技術が開示されている。   As a problem of the organic EL element, it is known that the light extraction efficiency is poor. This is because part of the light emitted from the light emitting layer in various directions in the organic EL element is totally reflected at the interface between the organic EL layer and the electrode structure, sealing structure, etc. due to the difference in the refractive index of each layer. This is because it is absorbed and attenuated by the partition wall and the like without being taken out. As a technique for solving this problem, in Patent Document 1, a light reflection layer is formed so as to surround an organic EL element, whereby light guided in a planar direction while totally reflecting in the organic EL element is directed toward the upper surface of the substrate ( A technique of reflecting the light toward the light extraction side) is disclosed.

また、基板上面へ光が出射される上面取り出し型の有機EL素子をTFT(薄膜トランジスタ)回路と接続して駆動する有機EL表示装置では、TFT回路と電極を接続する必要がある。特許文献2では、TFT回路上から絶縁膜に設けられた接続孔の内壁に沿って電極を設けTFT回路と電極を電気的に接続する技術が開示されている。   In addition, in an organic EL display device that is driven by connecting an upper surface extraction type organic EL element that emits light to the upper surface of a substrate with a TFT (thin film transistor) circuit, it is necessary to connect the TFT circuit and an electrode. Patent Document 2 discloses a technique in which an electrode is provided along the inner wall of a connection hole provided in an insulating film from above the TFT circuit to electrically connect the TFT circuit and the electrode.

特開2004−119197号公報JP 2004-119197 A 特開2001−312223号公報JP 2001-31223 A

特許文献1では、反射性金属からなり基板上面方向への反射斜面を有する光反射層をエッチング法により形成することが示されているが、金属層をエッチングすることにより面内で均一なテーパー形状を得るのは難しい。また、エッチングによって得られた金属反射斜面は表面が荒れているため、基板上面への光反射率が低くなるという問題がある。   In Patent Document 1, it is shown that a light reflecting layer made of a reflective metal and having a reflective slope toward the upper surface of the substrate is formed by an etching method. However, by etching the metal layer, a uniform tapered shape is obtained in the surface. Hard to get. In addition, since the metal reflecting slope obtained by etching has a rough surface, there is a problem that the light reflectance to the upper surface of the substrate is lowered.

特許文献2では、絶縁膜の接続孔の内壁が傾斜領域を有するため、この接続孔の内壁に沿って設けられる電極は斜面を有することになる。このため、この斜面で外光反射が起こり、コントラストが悪化するという問題がある。   In Patent Document 2, since the inner wall of the connection hole of the insulating film has an inclined region, the electrode provided along the inner wall of the connection hole has an inclined surface. For this reason, there is a problem that external light reflection occurs on this slope and the contrast deteriorates.

そこで、本発明は、有機EL素子からの光取り出し効率を向上させることができると共に、コントラストを向上させることができる有機EL表示装置の提供を目的とする。   Accordingly, an object of the present invention is to provide an organic EL display device capable of improving the light extraction efficiency from the organic EL element and improving the contrast.

上記課題を解決するために、本発明は、基板上に、
駆動回路と、
前記駆動回路上に設けられ接続孔を有する平坦化層と、
前記駆動回路と電気的に接続され、前記駆動回路上から前記接続孔を通して前記平坦化層上まで設けられた接続中継層と、
前記平坦化層上と前記接続中継層上に前記接続孔を覆って設けられ、上面が平坦化され端部がテーパーを有する凸形状の樹脂層と、
前記樹脂層の上面に沿った平坦部を有し前記テーパーに沿った斜面を有するように前記樹脂層を覆い、かつ前記平坦化層上で前記接続中継層と電気的に接続された第1電極と、
発光領域を規定する隔壁と、
前記第1電極上に設けられた有機EL層と、
前記有機EL層上に設けられた第2電極と、
を有することを特徴とする有機EL表示装置を提供するものである。
In order to solve the above problems, the present invention provides a substrate on which
A drive circuit;
A planarization layer provided on the drive circuit and having a connection hole;
A connection relay layer electrically connected to the drive circuit and provided from the drive circuit to the planarization layer through the connection hole;
A convex resin layer provided on the planarizing layer and the connection relay layer so as to cover the connection hole, and having an upper surface planarized and an end tapered.
A first electrode having a flat portion along the upper surface of the resin layer, covering the resin layer so as to have an inclined surface along the taper, and electrically connected to the connection relay layer on the flattening layer When,
A partition wall defining a light emitting area;
An organic EL layer provided on the first electrode;
A second electrode provided on the organic EL layer;
The present invention provides an organic EL display device characterized by comprising:

本発明によれば、有機EL素子からの光取り出し効率を向上させることができ、コントラストを向上させることができる。   According to the present invention, the light extraction efficiency from the organic EL element can be improved, and the contrast can be improved.

本発明の有機EL表示装置の画素の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the pixel of the organic electroluminescent display apparatus of this invention. 本発明の有機EL表示装置の画素の他の例を示す図である。It is a figure which shows the other example of the pixel of the organic electroluminescent display apparatus of this invention. 本発明の有機EL表示装置の画素の他の例を示す図である。It is a figure which shows the other example of the pixel of the organic electroluminescent display apparatus of this invention. 従来の有機EL表示装置の画素の概要断面図である。It is a schematic sectional drawing of the pixel of the conventional organic electroluminescence display. 本発明の有機EL表示装置の平面模式図である。It is a plane schematic diagram of the organic EL display device of the present invention.

以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しながら具体的に説明する。本明細書で特に図示又は記載されない部分に関しては、当該技術分野の周知又は公知技術を適用できる。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be specifically described with reference to the drawings. For parts not specifically shown or described in the present specification, well-known or publicly known techniques in the art can be applied.

図5は本実施形態の有機EL表示装置の平面模式図である。基板51上に形成された表示装置周辺には、走査信号ドライバー52、情報信号ドライバー53及び電流供給源54からなる周辺回路が配置され、それぞれゲート線と呼ばれるX方向配線、データ線と呼ばれるY方向配線、及び電源線に接続される。走査信号ドライバー52はゲート線を順次選択し、これに同期して情報信号ドライバー53から画像信号が印加される。ゲート線とデータ線の交点にはマトリクス状に画素55が配置されている。   FIG. 5 is a schematic plan view of the organic EL display device of the present embodiment. Peripheral circuits including a scanning signal driver 52, an information signal driver 53, and a current supply source 54 are arranged around the display device formed on the substrate 51, and an X direction wiring called a gate line and a Y direction called a data line, respectively. Connected to wiring and power line. The scanning signal driver 52 sequentially selects gate lines, and an image signal is applied from the information signal driver 53 in synchronization therewith. Pixels 55 are arranged in a matrix at the intersections of the gate lines and the data lines.

図1は本実施形態に係る有機EL表示装置の画素の一例を示しており、(a)は上面拡大図、(b)は概要断面図である。図1は図5の画素55の中の一つに対応する。   FIG. 1 shows an example of a pixel of an organic EL display device according to the present embodiment, in which (a) is an enlarged top view and (b) is a schematic sectional view. FIG. 1 corresponds to one of the pixels 55 of FIG.

1は基板であり、Siやガラスやプラスティック基板等が好適に用いられる。基板1上には半導体層2が設けられ、この上にゲート絶縁膜3を介してゲート電極4が設けられている。半導体層2は一般にアモルファスシリコン薄膜やポリシリコン薄膜が用いられる。ゲート絶縁膜3はSiO2等の無機材料、ゲート電極4はMoやMo合金等が好適に用いられる。半導体層2にはソース領域・ドレイン領域(不図示)が設けられ、ゲート絶縁膜3、層間絶縁膜5に設けたコンタクトホールによりソース電極6、ドレイン電極7が形成されている。層間絶縁膜5はSiOやSiN等、ソース電極6・ドレイン電極7の配線材料としてはアルミニウムやアルミニウム合金等が好ましく用いられる。このように、基板上には、半導体層2、ゲート絶縁膜3、ゲート電極4、層間絶縁膜5、ソース電極6、ドレイン電極7からなり、有機EL素子をアクティブに駆動する駆動回路が形成されている。駆動回路としては、TFT(薄膜トランジスタ)が好適に用いられる。駆動回路上に設けられた保護膜8は駆動回路を水分等の劣化要因から保護するためのものであり、SiN等が好適に用いられる。 Reference numeral 1 denotes a substrate, and Si, glass, a plastic substrate or the like is preferably used. A semiconductor layer 2 is provided on the substrate 1, and a gate electrode 4 is provided thereon via a gate insulating film 3. As the semiconductor layer 2, an amorphous silicon thin film or a polysilicon thin film is generally used. The gate insulating film 3 is an inorganic material such as SiO 2, the gate electrode 4 such as Mo and Mo alloy is preferably used. A source / drain region (not shown) is provided in the semiconductor layer 2, and a source electrode 6 and a drain electrode 7 are formed by contact holes provided in the gate insulating film 3 and the interlayer insulating film 5. The interlayer insulating film 5 is preferably made of SiO, SiN, or the like, and aluminum, aluminum alloy, or the like is preferably used as the wiring material for the source electrode 6 and the drain electrode 7. Thus, on the substrate, a drive circuit is formed which includes the semiconductor layer 2, the gate insulating film 3, the gate electrode 4, the interlayer insulating film 5, the source electrode 6 and the drain electrode 7, and actively drives the organic EL element. ing. A TFT (thin film transistor) is preferably used as the drive circuit. The protective film 8 provided on the drive circuit is for protecting the drive circuit from deterioration factors such as moisture, and SiN or the like is preferably used.

駆動回路上、正確には駆動回路上の保護膜8上には平坦化層9が設けられている。駆動回路、特に配線層をなすソース電極6・ドレイン電極7は、一般には膜厚が数百nm程度であり凹凸を生じる。この凹凸は有機EL素子の発光特性に影響を与えるため、これを平坦化するために平坦化層9が設けられている。保護膜8と平坦化層9には、ドレイン電極7と第1電極12を電気的に接続するための接続孔(コンタクトホール)が設けられている。平坦化層9は感光性樹脂等の有機材料が好ましく用いられ、平坦化の効果を出すために、膜厚は0.5μm以上5.0μm以下が好ましく用いられる。   A planarizing layer 9 is provided on the drive circuit, more precisely on the protective film 8 on the drive circuit. The drive circuit, particularly the source electrode 6 and the drain electrode 7 constituting the wiring layer, generally have a film thickness of about several hundreds nm and have irregularities. Since the unevenness affects the light emission characteristics of the organic EL element, a flattening layer 9 is provided to flatten the unevenness. The protective film 8 and the planarization layer 9 are provided with a connection hole (contact hole) for electrically connecting the drain electrode 7 and the first electrode 12. The planarizing layer 9 is preferably made of an organic material such as a photosensitive resin, and preferably has a film thickness of 0.5 μm or more and 5.0 μm or less in order to exert a planarization effect.

10は接続中継層であり、保護膜8と平坦化層9の接続孔を介してドレイン電極7と接続中継層10が接続されている。接続中継層10はドレイン電極7と電気的に接続され、ドレイン電極7上から保護膜8と平坦化層9の接続孔を通して平坦化層上まで設けられている。本発明では、樹脂層11で平坦化層9の接続孔を覆う構成をとるため、ドレイン電極7と第1電極12の電気的接続を確実に行うために接続中継層10が設けられている。接続中継層10は導電性を有する材料であれば公知の材料を用いることができる。   Reference numeral 10 denotes a connection relay layer, and the drain electrode 7 and the connection relay layer 10 are connected via a connection hole of the protective film 8 and the planarization layer 9. The connection relay layer 10 is electrically connected to the drain electrode 7, and is provided from the drain electrode 7 through the connection hole of the protective film 8 and the planarization layer 9 to the planarization layer. In the present invention, since the resin layer 11 covers the connection hole of the planarizing layer 9, the connection relay layer 10 is provided to ensure electrical connection between the drain electrode 7 and the first electrode 12. A known material can be used for the connection relay layer 10 as long as it is a conductive material.

11は樹脂層であり、平坦化層9上と接続中継層10上には平坦化層9の接続孔を覆い、かつ上面が平坦化され端部がテーパー(順テーパー構造)を有するように凸形状の樹脂層11が形成されている。樹脂層11は感光性樹脂を塗布し、フォトリソプロセスにて露光、現像することで形成され、端部のテーパーを容易に均一な形状にすることができる。   Reference numeral 11 denotes a resin layer, which covers the connection hole of the flattening layer 9 on the flattening layer 9 and the connection relay layer 10 and is convex so that the upper surface is flattened and the end has a taper (forward taper structure). A resin layer 11 having a shape is formed. The resin layer 11 is formed by applying a photosensitive resin, exposing and developing by a photolithography process, and can easily make the end taper uniform.

12は第1電極であり、樹脂層11のテーパーに沿った斜面を有するように樹脂層11を覆って第1電極12が形成されている。これにより、第1電極12の斜面が平坦化され、有機EL素子中の平面方向に導波した光が第1電極の斜面で散乱されずに反射されるため基板上面への光反射率を高めることができる。また、樹脂層11の上面に沿った平坦部を有するように樹脂層11を覆って第1電極12が形成されている。これにより、外光が第1電極12の上面で反射されるため平坦化層9の接続孔で反射されない。更に、第1電極12は平坦化層上で接続中継層10の露出した領域と接することにより、確実に駆動回路と第1電極12の電気的接続が実現される。第1電極12は、基板上面への光取り出しのため、AgやAl等の反射性金属やその合金等が好ましく用いられる。有機EL層14へのキャリア注入性を高めるため、金属層にITO等の酸化膜を積層した形態も好ましく用いられる。第1電極12の形成方法としては、スパッタリング法が好ましく用いられ、平滑で高い光反射率の膜を得ることができる。なお、第1電極12と第2電極15は、一方を陽極とし他方を陰極とする。   Reference numeral 12 denotes a first electrode, and the first electrode 12 is formed so as to cover the resin layer 11 so as to have a slope along the taper of the resin layer 11. Thereby, the slope of the first electrode 12 is flattened, and the light guided in the plane direction in the organic EL element is reflected without being scattered by the slope of the first electrode, so that the light reflectance to the upper surface of the substrate is increased. be able to. Further, the first electrode 12 is formed so as to cover the resin layer 11 so as to have a flat portion along the upper surface of the resin layer 11. Thereby, since external light is reflected on the upper surface of the first electrode 12, it is not reflected by the connection hole of the planarizing layer 9. Furthermore, the first electrode 12 is in contact with the exposed region of the connection relay layer 10 on the planarization layer, so that the electrical connection between the drive circuit and the first electrode 12 is reliably realized. The first electrode 12 is preferably made of a reflective metal such as Ag or Al, an alloy thereof, or the like for extracting light to the upper surface of the substrate. In order to improve the carrier injection property to the organic EL layer 14, a form in which an oxide film such as ITO is laminated on the metal layer is also preferably used. As a method of forming the first electrode 12, a sputtering method is preferably used, and a smooth and high light reflectance film can be obtained. One of the first electrode 12 and the second electrode 15 is an anode and the other is a cathode.

13は隔壁であり、隔壁開口部13aによって発光領域を規定するように隔壁13が形成されている。隔壁13は例えば少なくとも第1電極12の平坦部と第1電極12の斜面を覆うように形成される。このように形成すると、樹脂層11のテーパー部が発光するのを防止でき、かつ樹脂層11のテーパー部において有機EL層14への電流集中が回避できる点でより好ましい。   Reference numeral 13 denotes a partition, and the partition 13 is formed so as to define a light emitting region by the partition opening 13a. For example, the partition wall 13 is formed so as to cover at least the flat portion of the first electrode 12 and the slope of the first electrode 12. When formed in this way, it is more preferable in that the tapered portion of the resin layer 11 can be prevented from emitting light and current concentration on the organic EL layer 14 can be avoided in the tapered portion of the resin layer 11.

第1電極上には、有機EL層14が形成されている。有機EL層14は発光層を含む単層又は複数の層からなる積層体である。例えば正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層からなる4層構成や、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層からなる3層構成等が挙げられる。有機EL層14を構成する材料(有機発光材料、正孔輸送材料、電子輸送材料、電子注入材料等)は、公知の材料を使用することができる。また、発光層に赤色発光材料、緑色発光材料、青色発光材料を形成することでカラー表示が可能となる。   An organic EL layer 14 is formed on the first electrode. The organic EL layer 14 is a single layer or a laminated body including a plurality of layers including a light emitting layer. For example, a four-layer structure including a hole transport layer, a light-emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer, and a three-layer structure including a hole transport layer, a light-emitting layer, and an electron transport layer can be given. As a material constituting the organic EL layer 14 (organic light emitting material, hole transport material, electron transport material, electron injection material, etc.), a known material can be used. In addition, color display is possible by forming a red light emitting material, a green light emitting material, and a blue light emitting material in the light emitting layer.

有機EL層上には、第2電極15が形成されている。第2電極15は基板上面への光取り出しのため、光透過性又は半透過性の特性を有する電極材料が好ましく選択される。   A second electrode 15 is formed on the organic EL layer. For the second electrode 15, an electrode material having a light-transmitting property or a semi-transmitting property is preferably selected for extracting light to the upper surface of the substrate.

また、図1には図示していないが、有機EL表示装置が水分や酸素に影響されて劣化しないように、封止構造を設けても良い。封止構造としては、封止膜を形成した構造や別体の封止筐体を張り合わせた中空封止構造を用いることもできる。   Although not shown in FIG. 1, a sealing structure may be provided so that the organic EL display device is not deteriorated by being affected by moisture or oxygen. As the sealing structure, a structure in which a sealing film is formed or a hollow sealing structure in which a separate sealing housing is bonded can be used.

図1に示す構造により本発明の二つの効果が発現する。一つ目の効果は光取り出し効率の向上である。この効果は、発光領域を取り囲むように形成された樹脂層11の画素開口側のテーパー構造上に第1電極12が形成されることで反射斜面となり、画素開口内で発生した有機EL発光の一部が吸収、減衰することなく基板上面方向へ取り出されることにより発現する。本実施形態の第1電極12がなす反射斜面は、樹脂層11による均一なテーパー形状に制御され、第1電極12の斜面が平坦化されるため良好な光反射率が得られ、光取り出し効率が向上する。また、樹脂層11のテーパーは容易に均一な形状にできるため、樹脂層11を覆う第1電極12の斜面も容易に平坦化できる。よって、生産性の高いプロセスで平坦化された第1電極12の斜面を形成できる。なお、樹脂層11は、図1に示す形態に限定されず、有機EL素子を取り囲む配置としても良いし、テーパーの角度、形状等を変えても良い。   The structure shown in FIG. 1 exhibits two effects of the present invention. The first effect is an improvement in light extraction efficiency. This effect is that the first electrode 12 is formed on the tapered structure on the pixel opening side of the resin layer 11 formed so as to surround the light emitting region, thereby forming a reflective slope, and one of the organic EL light emission generated in the pixel opening. It appears when the part is taken out toward the upper surface of the substrate without being absorbed and attenuated. The reflective slope formed by the first electrode 12 of the present embodiment is controlled to have a uniform taper shape by the resin layer 11, and since the slope of the first electrode 12 is flattened, a good light reflectance is obtained, and light extraction efficiency is obtained. Will improve. Further, since the taper of the resin layer 11 can be easily made uniform, the slope of the first electrode 12 covering the resin layer 11 can be easily flattened. Therefore, the slope of the first electrode 12 flattened by a highly productive process can be formed. In addition, the resin layer 11 is not limited to the form shown in FIG. 1, It is good also as the arrangement | positioning surrounding an organic EL element, and may change the angle of taper, a shape, etc. FIG.

二つ目の効果はコントラストの向上である。有機EL表示装置のコントラスト、特に明環境でのコントラストは、黒表示のレベルを下げることで向上する。一般に、黒レベルを下げるために円偏光板を用い、表示装置表面からの反射による位相変化を利用して外光が再び外部に出ないように遮断する技術が用いられている。黒レベルを上昇させる要因の一つが平坦化層9の接続孔の傾斜領域からの外光反射である。傾斜領域で生じた外光反射は偶数回反射であり、好適な位相変化から外れてしまうため、外部に取り出され黒レベルの上昇につながる。また、円偏光板を用いない場合でも、傾斜領域に斜め方向から入射した光が反射されて正面方向に向かい、正面方向のコントラストの低下の要因になってしまう。図4は従来の有機EL表示装置の概要断面図である。図4の有機EL表示装置では平坦化層9の接続孔の傾斜領域に反射性の第1電極12が形成されているため、この傾斜領域で起こる偶数回反射あるいは正面方向への反射を遮断できず、コントラストが悪化してしまう。一方、本発明の有機EL表示装置では平坦化層9の接続孔の表面を樹脂層11で埋めており、接続孔の上部は平坦化されている。この平坦化された表面に第1電極12が形成されている。このため、外光は第1電極で反射され、第1電極12で反射された外光は円偏光板によって遮断される。よって、黒レベルが向上し、コントラストの向上が図られる。また、円偏光板を用いない場合でも、第1電極12の平坦面で反射されるため、斜め方向に入射した光は正反射によって斜め方向に向かい、正面方向に出てくることが抑制されるので、正面方向におけるコントラストが向上する。   The second effect is an improvement in contrast. The contrast of the organic EL display device, particularly in a bright environment, is improved by lowering the level of black display. In general, a technique is used in which a circularly polarizing plate is used to lower the black level, and external light is prevented from coming out again by using a phase change caused by reflection from the display device surface. One factor that increases the black level is reflection of external light from the inclined region of the connection hole of the planarizing layer 9. The reflection of external light generated in the inclined region is an even number of reflections and deviates from a suitable phase change, so that it is extracted outside and leads to an increase in black level. Even when a circularly polarizing plate is not used, light incident on the inclined region from an oblique direction is reflected and travels in the front direction, which causes a reduction in contrast in the front direction. FIG. 4 is a schematic sectional view of a conventional organic EL display device. In the organic EL display device of FIG. 4, since the reflective first electrode 12 is formed in the inclined region of the connection hole of the planarizing layer 9, even-numbered reflection or reflection in the front direction that occurs in this inclined region can be blocked. Therefore, the contrast deteriorates. On the other hand, in the organic EL display device of the present invention, the surface of the connection hole of the flattening layer 9 is filled with the resin layer 11, and the upper part of the connection hole is flattened. A first electrode 12 is formed on the flattened surface. For this reason, the external light is reflected by the first electrode, and the external light reflected by the first electrode 12 is blocked by the circularly polarizing plate. Therefore, the black level is improved and the contrast is improved. Even when a circularly polarizing plate is not used, since the light is reflected by the flat surface of the first electrode 12, light incident in an oblique direction is prevented from being directed obliquely by the regular reflection and coming out in the front direction. Therefore, the contrast in the front direction is improved.

図2及び図3は、本発明の有機EL表示装置の画素の他の例であり、それぞれ(a)は上面拡大図、(b)は概要断面図である。図2は接続中継層10上の樹脂層11の端部が接続中継層10の内側にある構成である。図3は接続中継層10が画素開口とその周辺の樹脂層11と重なる領域まで延伸されている構成、即ち樹脂層11全体が、平坦化層上に形成された接続中継層上に形成されている構成である。効率良く第1電極12の斜面に光を導波させ反射させて素子外部に取り出す観点からすると、発光領域と樹脂層11の間に接続中継層10の段差が生じない図3の構成にするのがより好ましい。   2 and 3 are other examples of the pixel of the organic EL display device of the present invention, wherein (a) is an enlarged top view and (b) is a schematic cross-sectional view, respectively. FIG. 2 shows a configuration in which the end portion of the resin layer 11 on the connection relay layer 10 is inside the connection relay layer 10. FIG. 3 shows a configuration in which the connection relay layer 10 extends to a region where the pixel opening overlaps with the resin layer 11 around the pixel opening, that is, the entire resin layer 11 is formed on the connection relay layer formed on the planarization layer. It is a configuration. From the viewpoint of efficiently guiding light to the slope of the first electrode 12 and reflecting it to the outside of the element, the configuration of FIG. 3 in which the step of the connection relay layer 10 does not occur between the light emitting region and the resin layer 11 is adopted. Is more preferable.

[実施例]
本実施例では、図1の有機EL表示装置を製造した。
[Example]
In this example, the organic EL display device of FIG. 1 was manufactured.

基板1としてガラス基板上に低温ポリシリコン形成技術を用いてTFT駆動回路を作製した。駆動回路を備え、保護膜の接続孔8aが設けられた基板を平坦化するために感光性ポリイミドからなる平坦化層9を形成した。平坦化層9にはフォトリソプロセスにより接続孔9aを形成した。平坦化層9の厚さは2μmとした。   A TFT drive circuit was fabricated on a glass substrate as the substrate 1 using a low-temperature polysilicon forming technique. A planarizing layer 9 made of photosensitive polyimide was formed to planarize a substrate provided with a drive circuit and provided with a protective film connection hole 8a. A connection hole 9a was formed in the planarizing layer 9 by a photolithography process. The thickness of the planarizing layer 9 was 2 μm.

次に、接続中継層10としてITOをパターン形成した。接続中継層10はドレイン電極7と電気的に接続され、ドレイン電極7上から保護膜8と平坦化層9の接続孔を通して平坦化層上まで形成した。ITOの膜厚は100nmとした。   Next, ITO was patterned as the connection relay layer 10. The connection relay layer 10 was electrically connected to the drain electrode 7, and was formed from the drain electrode 7 through the connection hole of the protective film 8 and the planarization layer 9 to the planarization layer. The film thickness of ITO was 100 nm.

続いて、感光性ポリイミドからなる樹脂層11を形成し、フォトリソプロセスにより、平坦化層9の接続孔を覆う位置と画素開口を取り囲む配置にパターニングした。このようにして、平坦化層上と接続中継層上に平坦化層9の接続孔を覆って設けられ、上面が平坦化され端部がテーパーを有する凸形状の樹脂層11を形成した。樹脂層11は平坦化層9の上面からの厚さが0.8μmであった。   Subsequently, a resin layer 11 made of photosensitive polyimide was formed, and patterned by a photolithographic process so as to surround the connection hole of the planarization layer 9 and the pixel opening. In this manner, the convex resin layer 11 provided on the planarizing layer and the connection relay layer so as to cover the connection hole of the planarizing layer 9 and having a flat upper surface and a tapered end is formed. The resin layer 11 had a thickness from the upper surface of the planarizing layer 9 of 0.8 μm.

次に、第1電極12として、Ag合金(膜厚100nm)とITO(膜厚10nm)を連続スパッタした後、フォトリソプロセスにてパターニングした。このようにして、樹脂層11の上面に沿った平坦部を有し樹脂層11のテーパーに沿った斜面を有するように樹脂層11を覆い、かつ平坦化層上で接続中継層10と電気的に接続された第1電極12を形成した。   Next, an Ag alloy (film thickness 100 nm) and ITO (film thickness 10 nm) were continuously sputtered as the first electrode 12 and then patterned by a photolithography process. In this way, the resin layer 11 is covered so as to have a flat portion along the upper surface of the resin layer 11 and an inclined surface along the taper of the resin layer 11, and electrically connected to the connection relay layer 10 on the flattened layer. The 1st electrode 12 connected to was formed.

続いて、第1電極12の平坦部と第1電極12の斜面を覆うように感光性ポリイミドからなる隔壁13をパターン形成した。   Subsequently, a partition wall 13 made of photosensitive polyimide was formed in a pattern so as to cover the flat portion of the first electrode 12 and the slope of the first electrode 12.

次に、第1電極上と隔壁上に、有機EL層14として正孔輸送層/赤色発光層/電子輸送層からなる赤色EL層、正孔輸送層/緑色発光層/電子輸送層からなる緑色EL層、正孔輸送層/青色発光層/電子輸送層からなる青色EL層を真空蒸着法にて形成した。赤色EL層、緑色EL層、青色EL層はシャドウマスクを用いて画素毎に塗り分け形成した。   Next, a red EL layer composed of a hole transport layer / red light emitting layer / electron transport layer, and a green composed of hole transport layer / green light emitting layer / electron transport layer as the organic EL layer 14 on the first electrode and the partition. A blue EL layer composed of an EL layer and a hole transport layer / blue light emitting layer / electron transport layer was formed by a vacuum deposition method. The red EL layer, the green EL layer, and the blue EL layer were separately formed for each pixel using a shadow mask.

続いて、有機EL層上に、第2電極15としてAg合金をスパッタリング法にて形成した。膜厚は透光性を得るため15nmとした。   Subsequently, an Ag alloy was formed as the second electrode 15 on the organic EL layer by a sputtering method. The film thickness was 15 nm in order to obtain translucency.

最後に、ガラスキャップを接着して中空封止構造の有機EL表示装置を得た。   Finally, a glass cap was bonded to obtain an organic EL display device having a hollow sealing structure.

[比較例]
本比較例では、図4の有機EL表示装置を製造した。実施例1と同様のプロセスで接続孔を設けた平坦化層9まで形成した。
[Comparative example]
In this comparative example, the organic EL display device of FIG. 4 was manufactured. The planarizing layer 9 provided with the connection holes was formed by the same process as in Example 1.

次に、第1電極12として、Ag合金(膜厚100nm)とITO(膜厚10nm)を連続スパッタした後、フォトリソプロセスにてパターニングした。続いて、感光性ポリイミドからなる隔壁13をパターン形成した。その後、この基板上に、実施例1と同様に有機EL層14と第2電極15を形成し、ガラスキャップを接着して中空封止構造の有機EL表示装置を得た。   Next, an Ag alloy (film thickness 100 nm) and ITO (film thickness 10 nm) were continuously sputtered as the first electrode 12 and then patterned by a photolithography process. Subsequently, the barrier ribs 13 made of photosensitive polyimide were patterned. Thereafter, the organic EL layer 14 and the second electrode 15 were formed on the substrate in the same manner as in Example 1, and a glass cap was adhered to obtain an organic EL display device having a hollow sealing structure.

上記実施例及び比較例の有機EL表示装置の表示面側にディスプレイ用の円偏光板を取り付けた状態で、駆動手段を用いて駆動した。実施例の正面輝度は比較例よりも向上しており、実施例では樹脂層11と第1電極12によって構成された反射斜面によって光取り出し効率が向上していることが確認できた。また、実施例の明環境でのコントラストは比較例よりも向上していた。比較例では平坦化層9の接続孔の傾斜領域からの外光反射があり、実施例では樹脂層11によって接続孔が平坦化された効果が確認できた。   The organic EL display devices of the above Examples and Comparative Examples were driven using a driving means with a display circularly polarizing plate attached to the display surface side. The front luminance of the example was higher than that of the comparative example, and in the example, it was confirmed that the light extraction efficiency was improved by the reflective slope formed by the resin layer 11 and the first electrode 12. Further, the contrast in the bright environment of the example was improved as compared with the comparative example. In the comparative example, there was external light reflection from the inclined region of the connection hole of the flattening layer 9, and in the example, the effect of flattening the connection hole by the resin layer 11 was confirmed.

以上、本発明によれば、有機EL表示装置において、光取り出し効率の向上とコントラストの向上が同時に達成される。   As described above, according to the present invention, in the organic EL display device, an improvement in light extraction efficiency and an improvement in contrast are achieved at the same time.

1:基板、2:半導体層、3:ゲート絶縁膜、4:ゲート電極、5:層間絶縁膜、6:ソース電極、7:ドレイン電極、8:保護膜、8a:保護膜の接続孔、9:平坦化層、9a:平坦化層の接続孔、10:接続中継層、11:樹脂層、12:第1電極、13:隔壁、13a:隔壁開口部、14:有機EL層、15:第2電極、51:基板、52:走査信号ドライバー、53:情報信号ドライバー、54:電流供給源、55:画素   1: substrate, 2: semiconductor layer, 3: gate insulating film, 4: gate electrode, 5: interlayer insulating film, 6: source electrode, 7: drain electrode, 8: protective film, 8a: connection hole of protective film, 9 : Planarization layer, 9a: connection hole of flattening layer, 10: connection relay layer, 11: resin layer, 12: first electrode, 13: partition, 13a: partition opening, 14: organic EL layer, 15: first 2 electrodes, 51: substrate, 52: scanning signal driver, 53: information signal driver, 54: current supply source, 55: pixel

Claims (3)

基板上に、
駆動回路と、
前記駆動回路上に設けられ接続孔を有する平坦化層と、
前記駆動回路と電気的に接続され、前記駆動回路上から前記接続孔を通して前記平坦化層上まで設けられた接続中継層と、
前記平坦化層上と前記接続中継層上に前記接続孔を覆って設けられ、上面が平坦化され端部がテーパーを有する凸形状の樹脂層と、
前記樹脂層の上面に沿った平坦部を有し前記テーパーに沿った斜面を有するように前記樹脂層を覆い、かつ前記平坦化層上で前記接続中継層と電気的に接続された第1電極と、
発光領域を規定する隔壁と、
前記第1電極上に設けられた有機EL層と、
前記有機EL層上に設けられた第2電極と、
を有することを特徴とする有機EL表示装置。
On the board
A drive circuit;
A planarization layer provided on the drive circuit and having a connection hole;
A connection relay layer electrically connected to the drive circuit and provided from the drive circuit to the planarization layer through the connection hole;
A convex resin layer provided on the planarizing layer and the connection relay layer so as to cover the connection hole, and having an upper surface planarized and an end tapered.
A first electrode having a flat portion along the upper surface of the resin layer, covering the resin layer so as to have an inclined surface along the taper, and electrically connected to the connection relay layer on the flattening layer When,
A partition wall defining a light emitting area;
An organic EL layer provided on the first electrode;
A second electrode provided on the organic EL layer;
An organic EL display device comprising:
前記樹脂層全体が、前記平坦化層上に形成された前記接続中継層上に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置。   The organic EL display device according to claim 1, wherein the entire resin layer is formed on the connection relay layer formed on the planarization layer. 前記隔壁が、少なくとも前記平坦部と前記斜面を覆っていることを特徴とする請求項1又は2に記載の有機EL表示装置。   The organic EL display device according to claim 1, wherein the partition wall covers at least the flat portion and the slope.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2014220235A (en) * 2013-04-12 2014-11-20 株式会社半導体エネルギー研究所 Light emitting module, light emitting panel, and light emitting device

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