JP2012242675A - Display device - Google Patents
Display device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012242675A JP2012242675A JP2011113910A JP2011113910A JP2012242675A JP 2012242675 A JP2012242675 A JP 2012242675A JP 2011113910 A JP2011113910 A JP 2011113910A JP 2011113910 A JP2011113910 A JP 2011113910A JP 2012242675 A JP2012242675 A JP 2012242675A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting element
- electrodes
- short
- switch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Abstract
Description
本発明は、表示装置に係り、特に有機EL素子などの発光素子を用いた表示装置に関する。 The present invention relates to a display device, and more particularly to a display device using a light emitting element such as an organic EL element.
次世代の表示装置として有機エレクトロルミネッセンス素子(以下、有機EL素子という)を用いた有機EL表示装置が知られている。有機EL素子は、陽極と陰極およびその間に挟まれた有機化合物を含む発光層で形成される。陽極と陰極の間に電圧が印加されると、陰極からは電子が、陽極からは正孔(ホール)が発光層に注入され、発光層において電子と正孔が再結合することで発生したエネルギにより発光する。 As a next-generation display device, an organic EL display device using an organic electroluminescence element (hereinafter referred to as an organic EL element) is known. An organic EL element is formed of a light emitting layer containing an anode, a cathode, and an organic compound sandwiched therebetween. When a voltage is applied between the anode and the cathode, electrons are injected from the cathode and holes from the anode are injected into the light emitting layer, and the energy generated by recombination of electrons and holes in the light emitting layer. Emits light.
有機EL表示装置の駆動方式としては、電流駆動方式と電圧駆動方式とがある。電流駆動方式は、有機EL素子に流す電流を制御して発光させる方式である。有機EL素子の輝度は電流にほぼ比例するので、電流のアナログ制御により容易に中間輝度を得ることができる。 As a driving method of the organic EL display device, there are a current driving method and a voltage driving method. The current driving method is a method in which light is emitted by controlling a current flowing through the organic EL element. Since the luminance of the organic EL element is substantially proportional to the current, intermediate luminance can be easily obtained by analog control of the current.
一方、電圧駆動方式は、特許文献1に記載されているように、有機EL素子に印加される電圧を制御して発光または非発光にする方式である。電圧と輝度の関係が非線形であるために中間的な輝度で発光させることが難しいので、発光素子はオンとオフの2状態にして、発光時間または発光面積で階調を表現する。 On the other hand, as described in Patent Document 1, the voltage driving method is a method of controlling the voltage applied to the organic EL element to emit light or not emit light. Since the relationship between voltage and luminance is non-linear, it is difficult to emit light with intermediate luminance. Therefore, the light-emitting element is turned on and off, and gradation is expressed by light emission time or light emission area.
発光時間による階調表示は、1つの画像を表示するための期間、すなわち1フレーム期間、における発光期間の長さと発光回数によって階調を表現する。1フレーム期間を複数のサブフレームに分割し、サブフレームごとに有機EL素子の点灯と消灯を制御し、発光時間の総和で階調を表現する。各サブフレームにはそれぞれ異なる一定の発光時間が割り当てられる。各サブフレームに発光時間の重みづけをすることによって、少ないサブフレーム分割数で高い階調度を得ることができる。 The gradation display by the light emission time expresses the gradation by the length of the light emission period and the number of times of light emission in a period for displaying one image, that is, one frame period. One frame period is divided into a plurality of sub-frames, and the lighting and extinguishing of the organic EL elements are controlled for each sub-frame, and the gradation is expressed by the total light emission time. Each subframe is assigned a different constant light emission time. By assigning the light emission time to each subframe, a high gradation can be obtained with a small number of subframe divisions.
有機EL素子の輝度を調節して中間調を得る方式では、トランジスタの出力電圧または出力電流をアナログ制御する必要がある。閾値ばらつきがあると、有機EL素子に流れる電流が変動して輝度が不均一になり、なめらかな階調が得られない。 In the method of obtaining a halftone by adjusting the luminance of the organic EL element, it is necessary to analog-control the output voltage or output current of the transistor. If there is a variation in threshold value, the current flowing through the organic EL element fluctuates and the luminance becomes non-uniform, and a smooth gradation cannot be obtained.
これに対して、発光時間による中間調表示方式では、有機EL素子はオンまたはオフの2つの状態をとる。有機EL素子に電圧を与えるトランジスタもオンとオフの2値をとるスイッチとして動作する。このため、トランジスタの閾値電圧にばらつきがあってもその影響を受けない。 On the other hand, in the halftone display method based on the light emission time, the organic EL element takes two states of on or off. A transistor that applies a voltage to the organic EL element also operates as a switch that takes on and off values. For this reason, even if there is a variation in the threshold voltage of the transistor, it is not affected.
有機EL表示装置においては、発光層の一部が欠損するなどして陽極と陰極間がショートすると、発光層に電圧が印加されず、したがって発光しない。電流駆動方式では、ショートした電極間に高々白表示における駆動電流が流れるだけであるが、電圧駆動方式では、電圧源の電圧が電極に直接印加されるので、ショートした箇所に多大な貫通電流が流れる。貫通電流が流れ続けると、ショート部周辺の発光層を構成する有機化合物の劣化が進み表示装置の寿命を縮めることになる。 In the organic EL display device, when the anode and the cathode are short-circuited due to a part of the light-emitting layer being lost, for example, no voltage is applied to the light-emitting layer, and thus no light is emitted. In the current drive method, only a drive current in white display flows between the shorted electrodes, but in the voltage drive method, the voltage of the voltage source is directly applied to the electrodes, so that a large through current is generated in the shorted portion. Flowing. If the through current continues to flow, the organic compound constituting the light-emitting layer around the short-circuited portion deteriorates and the life of the display device is shortened.
製造工程におけるショートの発生原因としては、下側の電極のエッジ部で発光層が段切れを起こし、下側の電極が露出することがあげられる。また、下側の電極に異物が付着していると、その部分で発光層が充分な厚さで形成されない。このいずれの場合も、上側の電極を形成したときにショートが発生する。 The cause of the occurrence of a short circuit in the manufacturing process is that the light emitting layer is disconnected at the edge portion of the lower electrode, and the lower electrode is exposed. In addition, if a foreign substance adheres to the lower electrode, the light emitting layer is not formed with a sufficient thickness at that portion. In either case, a short circuit occurs when the upper electrode is formed.
製造工程途中で発生したショートは、何らかの方法で修復(リペア)することができる。レーザ照射によるリペア法は、表示不良を発生した有機EL素子にレーザを照射して、薄膜トランジスタの電極と画素電極とを接続するコンタクト部の近傍の電極を切断し、この画素を暗点化するものである。しかし、レーザ照射によるリペアは、高精細化になるにつれ精度が厳しくなること、レーザ照射の際に照射部が加熱されて発光層中の有機化合物に変性が生じること、などの課題がある。 A short circuit occurring during the manufacturing process can be repaired (repaired) by some method. In the repair method by laser irradiation, an organic EL element that has caused a display defect is irradiated with laser, and the electrode near the contact portion connecting the electrode of the thin film transistor and the pixel electrode is cut to darken this pixel. It is. However, the repair by laser irradiation has problems such as that the precision becomes severe as the definition becomes higher, and that the irradiation part is heated during the laser irradiation and the organic compound in the light emitting layer is denatured.
ショート箇所に大きな電流を流してその部分を溶断し、電流が流れないようにする方法もあるが、その場合でも溶断部の周辺で変性が生じやすい。 There is a method in which a large current is passed through the shorted portion to melt the portion so that no current flows. However, even in this case, the denaturation tends to occur around the fused portion.
表示装置として使用している間にショートが発生すると、貫通電流のためにその部分が劣化または破壊されるばかりでなく、電源が故障する原因にもなる。 If a short circuit occurs during use as a display device, not only will the portion be deteriorated or destroyed due to the through current, but it will also cause the power supply to fail.
このように、電圧駆動方式の表示装置において、電極間のショートにより過大な電流が流れることを防ぎ、周辺材料が劣化したり電気回路に障害が発生することのない表示装置が望まれている。 Thus, in a voltage-driven display device, there is a demand for a display device that prevents an excessive current from flowing due to a short circuit between electrodes, and that does not deteriorate peripheral materials or cause a failure in an electric circuit.
本発明は、1対の電極と前記1対の電極に挟まれた発光層とを有する発光素子と、前記発光素子の一方の電極を電圧源に接続するスイッチとを含む画素回路が複数配置され、前記スイッチは前記画素回路に与えられるビデオ信号に応じてオンまたはオフに設定され、前記スイッチがオンのときに前記電圧源の電圧が前記1対の電極間に印加されることにより前記発光素子が発光する表示装置であって、
前記複数配置された画素回路のうちの、前記1対の電極間がショートした前記発光素子を含む前記画素回路の位置を保存するメモリと、
前記メモリの出力を読み取り、前記ショートした前記発光素子を含む画素回路に、前記ビデオ信号によらず前記スイッチをオフにする信号を与える信号処理部と
を有することを特徴とする。
In the present invention, a plurality of pixel circuits including a light emitting element having a pair of electrodes and a light emitting layer sandwiched between the pair of electrodes and a switch for connecting one electrode of the light emitting element to a voltage source are arranged. The switch is turned on or off according to a video signal applied to the pixel circuit, and the voltage of the voltage source is applied between the pair of electrodes when the switch is turned on. Is a display device that emits light,
A memory for storing a position of the pixel circuit including the light emitting element in which the pair of electrodes are short-circuited among the plurality of arranged pixel circuits;
And a signal processing unit that reads the output of the memory and supplies a signal for turning off the switch to the pixel circuit including the shorted light emitting element regardless of the video signal.
ショートした発光素子を含む画素にビデオ信号によらずオフ信号を与えることにより、スイッチが常にオフになり、発光素子に電源電圧が直接印加されることがなくなるので、貫通電流が流れることが防止できる。 By supplying an off signal to the pixel including the shorted light emitting element regardless of the video signal, the switch is always turned off and the power supply voltage is not directly applied to the light emitting element, so that a through current can be prevented from flowing. .
本発明は有機EL素子を用いた表示装置に限らず、無機EL素子やLEDなど、1対の電極の間に電流が流れることによって発光する素子を用いたすべての表示装置に適用できる。以下、有機EL素子も含めてこれらの素子を発光素子と呼ぶ。 The present invention is not limited to display devices using organic EL elements, but can be applied to all display devices using elements that emit light when a current flows between a pair of electrodes, such as inorganic EL elements and LEDs. Hereinafter, these elements including the organic EL element are referred to as light emitting elements.
電圧駆動方式では、発光素子と電圧源との間にスイッチが配置され、スイッチがオンのとき発光素子の電極間に電圧源の電圧が印加される。スイッチがオフになると発光素子の両電極は開放状態になり、それまで電極間に印加されていた電圧は発光素子の内部を流れる電流によって速やかに減衰する。スイッチのオン・オフは2値の画像データによって制御される。スイッチとしてはトランジスタを用いることが多い。トランジスタのソース端子とドレイン端子が発光素子の一方の電極と電圧源とに接続され、ゲート端子に入る信号によってトランジスタが導通したり非導通になったりする。 In the voltage driving method, a switch is arranged between the light emitting element and the voltage source, and the voltage of the voltage source is applied between the electrodes of the light emitting element when the switch is on. When the switch is turned off, both electrodes of the light emitting element are opened, and the voltage applied between the electrodes until then is quickly attenuated by the current flowing inside the light emitting element. ON / OFF of the switch is controlled by binary image data. Transistors are often used as switches. A source terminal and a drain terminal of the transistor are connected to one electrode of the light emitting element and a voltage source, and the transistor is turned on or off by a signal entering the gate terminal.
両電極がショートしている発光素子は、正常な画素に比べて電極間抵抗が極めて低い。そのため、Lレベルのビデオ信号が入り電圧源電圧が印加されると、大きな貫通電流が流れる。本発明は、発光素子がショートした画素に対して常にHレベルのビデオ信号を与えることにより、その画素のトランジスタを表示画像によらずオフにし、貫通電流が流れないようにするものである。 A light-emitting element in which both electrodes are short-circuited has extremely low interelectrode resistance compared to a normal pixel. Therefore, when an L level video signal is input and a voltage source voltage is applied, a large through current flows. According to the present invention, a video signal of H level is always given to a pixel whose light emitting element is short-circuited, so that the transistor of the pixel is turned off regardless of the display image so that no through current flows.
以下、本発明を実施例によって詳しく説明するが、その前に本発明の表示装置を構成する個々の画素について説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples, but before that, individual pixels constituting the display device of the present invention will be described.
図8は代表的な有機EL表示装置の画素回路である。画素回路801は、トランジスタ802、803、保持容量804、発光素子805、信号線806、走査線807、電圧源808、接地線809から構成される。
FIG. 8 shows a pixel circuit of a typical organic EL display device. The
走査線807の信号によりトランジスタ802がオンになると、信号線806に入力されたビデオ信号がトランジスタ802を経てトランジスタ803のゲートに入力される。
When the
トランジスタ803が、発光素子805のアノードと電圧源808との間にあり、そのオンとオフで発光と非発光がコントロールされるスイッチである。
A
ビデオ信号はH(high)レベルとL(low)レベルからなる2値信号で、Hレベルが入力されるとトランジスタ803はコンダクタンスの小さいオフの状態になり、発光素子は電源電圧が伝達されず発光しない。Lレベルのビデオ信号が入力されると、トランジスタ803はコンダクタンスの大きいオンの状態になり、電圧源808の電圧の大部分が発光素子に印加されるようになり、発光素子に電流が流れて発光が生じる。図8の画素回路ではHレベルが黒信号、Lレベルが白信号になる。
The video signal is a binary signal composed of an H (high) level and an L (low) level. When the H level is input, the
図9は、画素回路の断面を示す図である。発光素子805とトランジスタ803のみを示し、他の回路要素は省略してある。
FIG. 9 is a diagram showing a cross section of the pixel circuit. Only the
基板901に、トランジスタ803の活性層905、ゲート電極906、ドレイン電極907、ソース電極908が、絶縁層902を挟んで形成されている。ドレイン電極907とソース電極908は、絶縁層902に開けたコンタクトホールを介して活性層905に接続されている。図9には示されていないが、ドレイン電極907は延長されて電圧源808になっている。
An
トランジスタ803の全体は平坦化層903で覆われ、平坦化層903の上に発光素子805である有機EL素子のアノード909、発光層910、カソード911がこの順に積層されている。アノード909とトランジスタ803のソース電極は、平坦化層903に開けたコンタクトホールを介して接続されている。発光素子805は、隣の画素の発光素子と隔壁912によって分離されている。
The
図8および図9は1つの画素回路の回路と断面であるが、基板901の上には、図8や図9と同じ画素回路がマトリクス状に行と列を成して多数配置されている。カソード911は全ての画素にわたって連続して形成されている。
8 and 9 are cross-sectional views of a single pixel circuit, but a large number of the same pixel circuits as those in FIGS. 8 and 9 are arranged on the
(実施例1)
図1は第1の実施例の表示装置の構成を示すブロック図である。
Example 1
FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of the display device of the first embodiment.
外部から入力されたビデオ信号Videoは、信号処理部106を経て表示部101に送られる。以下に説明するように、信号処理部106は、外部から送られてきたビデオ信号Videoのうち、ショートしている画素に対応するビデオ信号を常にHレベルにする。
The video signal Video input from the outside is sent to the
表示部101には、図8の画素回路801が複数個マトリクス状に並んでおり、信号処理部106から送られてくるビデオ信号が順次各画素に表示される。パネル制御部105は、外部から来る水平同期信号HSYNCと垂直同期信号VSYNCに従って、表示部101と信号処理部106に、マトリクス配置した画素回路のアドレスを指示する信号を出力する。画素回路のアドレスは、その画素回路がマトリクス配置のどの位置にあるかを示すパラメータであって、行と列の番号などで指定される。
A plurality of
ショート検出部102は、表示部101の各発光素子がショートしているか否かの判定を行う。発光素子がショートしていると判定された画素のアドレスは、メモリコントローラ103を経てメモリ104に送られ保存される。
The
図2は、ショート検出部102の詳細な構造を示す図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating a detailed structure of the
画素回路801の発光素子は、カソードが共通接続されて、ショート検出部102の抵抗202に接続される。全発光素子の電流の和が抵抗202に流れ、それによって生じる電圧はコンパレータ201の一方の入力となる。コンパレータ201のもう一方の入力は、固定電源203の出力電圧Vrが接続される。コンパレータ201の出力はインバータ204を経てメモリコントローラ103、さらにはメモリ104に送られる。
The light emitting elements of the
図3はショートの有無の判定手順を示すフローチャートである。 FIG. 3 is a flowchart showing a procedure for determining whether or not there is a short circuit.
ショートの検出は表示部101の画像表示が行われていない期間に行われる。
The short detection is performed during a period when the image display on the
検出が開始されると、ステップS1で、1つの画素に白データ、その他の全画素に黒データが書き込まれる。このデータは、パネル制御部105で白データを書く画素のアドレスが作られて、それを受けた信号処理部106で生成されて表示部101に送られる。ついでステップ2で全画素のカソード電流が抵抗202に発生する電圧を検出し、ショートしているか否かが判定される。コンパレータ201の出力によって、抵抗202に発生する電圧のレベルがショートを示していると判定されたときは、ステップS3に移り白データが書き込まれた画素のアドレスがメモリ104に保存される。コンパレータ201の出力がLでショートしていないと判定されたときは、ステップS3はスキップされる。ついで、ステップS4で全画素が検出されたか否かが判定される。まだ全画素の判定が終わっていないときは、パネル制御部105が出力する白データの画素のアドレスを1つ進めて、ステップS1に戻る。全画素の判定が完了するとショート検出を終了する。
When the detection is started, white data is written in one pixel and black data is written in all other pixels in step S1. This data is generated by the
図4はショートがあるときとないときの抵抗202の電圧レベルを示す。両電極間がショートしている発光素子に白データを書き込むと、ショートしていない発光素子に流れる電流よりも大きな電流が流れる。黒データを書き込んだ画素の発光素子には微小なリーク電流しか流れないので、それを全画素について総和をとっても白データを書いた画素の電流より小さい。したがって、ショート検出部の抵抗202に流れる総和電流は、白データを書いた画素の発光素子に流れる電流と見做してよく、その電流の大きさによってショートしているか否かが判定できる。
FIG. 4 shows the voltage level of the
総和電流は抵抗202によって電圧に変換される。Vsは白データを書き込んだ画素がショートしているときの電圧、Vaは白データを書き込んだ画素がショートしていないときの電圧、Vcomは抵抗の他端のコモン電圧である。VsはVaよりも高いので、その間に判定基準電圧Vrを設定する。
The total current is converted into a voltage by the
画素がショートしており電圧が基準電圧Vrを超えたときは、コンパレータ201がH(high)レベルを出力する。
When the pixel is short-circuited and the voltage exceeds the reference voltage Vr, the
正常画素は抵抗202の電圧が基準電圧Vr以下なので、コンパレータ201出力はL(low)レベルとなる。コンパレータ201の出力がショートの有無の判定結果となる。コンパレータ201出力がHレベル、したがってインバーと出力がLレベルのとき、メモリコントローラ103は、そのときにパネル制御部が出力している白データが書かれた画素のアドレスをメモリ104に送る。
In a normal pixel, since the voltage of the
ショート検出が完了すると画像表示モードに戻る。信号処理部106は、ビデオ信号Videoをパネル制御部105の発するアドレス信号によって順々に表示部に書き込む。その際に、メモリ104に保存されているショート画素の位置情報を読み取り、ショート画素以外の画素にはそのままビデオ信号を書き込み、ショート画素には、メモリ104に保存されているショート画素の位置情報をもとに黒データを書き込む。これによりショート画素に貫通電流が流れることが防止される。
When the short detection is completed, the image display mode is restored. The
(実施例2)
製造工程で生じたショートを実施例1と同じショート検出部で出荷前に検査し、ショートしている画素のアドレスをメモリ104に保持する。その後ショート検出部102は取り外して製品として出荷する。取り外したショート検出部102は、別の製品のショート検出に用いることができる。出荷される表示装置は図1からショート検出部102を取り除いた構成になり、実施例1に比べて簡略化される。製造工程中に生じたショート画素にはすべて黒データが書き込まれるので、劣化が広がることが防止される。メモリ104は出荷検査で書き込まれたのちは読み出しのみが行われるので、読み出し専用メモリを用いることができ、コストを下げることができる。
(Example 2)
A short circuit occurring in the manufacturing process is inspected by the same short detection unit as in the first embodiment before shipment, and the address of the shorted pixel is held in the
(実施例3)
図4のVlは全画素に黒データを書き込んだときの電圧である。発光素子は黒状態にあるときでもわずかにリーク電流が流れるのでそれによって電圧Vlが発生する。通常この電圧は非常に小さく、白データを書いた画素の電流の検出に影響を与えない。しかし、発光素子のリーク電流が大きいと、図4のVlのレベルが高くなるために相対的にVsとVaの差が小さくなって、コンパレータ201の判定誤差が大きくなりショートの検出精度が下がる。本実施例では、全画素リーク電流を除去することでショート画素の検出精度を上げる。
(Example 3)
Vl in FIG. 4 is a voltage when black data is written in all pixels. Even when the light emitting element is in a black state, a slight leak current flows, and thereby a voltage Vl is generated. Usually, this voltage is very small and does not affect the detection of the current of the pixel to which the white data is written. However, if the leakage current of the light emitting element is large, the level of Vl in FIG. 4 becomes high, so that the difference between Vs and Va becomes relatively small, the determination error of the
図5は本実施例のショート検出部とリーク電流除去部の構成を示すブロック図である。表示部101は、ショート検出部102に接続されるのに先立ってリーク電流除去部300に接続され、全画素リーク電流が検出される。
FIG. 5 is a block diagram showing the configuration of the short detection unit and the leakage current removal unit of this embodiment. Prior to being connected to the
図6は、リーク電流除去部300の詳細構成を示す図である。図7に本実施例のリーク電流除去とショート検出のフローチャートを示す。
FIG. 6 is a diagram illustrating a detailed configuration of the leakage
ステップS5とステップS6では、スイッチSW1がオフ、SW2がオンになり、表示部101はショート検出部102から切り離され、リーク電流除去部300に接続される。
In step S5 and step S6, the switch SW1 is turned off and the switch SW2 is turned on, and the
ステップS5で全画素に黒データをセットする。全画素のリーク電流が抵抗201に流れ、電圧Vlに変換されてコンパレータ302に入力される。コンパレータ302では、リーク電流による電圧Vlが抵抗201のもう一方の端子電圧Vcomと比較される。VlよりVcomが大きい場合はコンパレータ出力がHになり、V1よりVcomが小さい場合はコンパレータ出力がLになる。D/A(ディジタル/アナログ)変換器303コントローラ及びD/A変換器304によって、コンパレータ302のディジタル出力がアナログ電圧Vdaに変換される。演算増幅器305は、正入力端子にD/A変換器304の出力が接続され、トランジスタ306のソース電圧が負入力端子に接続されている。演算増幅器305の出力はトランジスタ306のゲート電圧となり、抵抗307に電流I‘=Vda/R2が流れるようにトランジスタ306のゲート電圧が調整される。VdaがV0より高いときはI’によって抵抗201に流れる電流が減少する。VdaがV0より低くなると元の全画素リーク電流を増やす方向に制御される。V0はVcomより低い電圧に設定されている。上記の動作を繰り返すことにより、リーク電流を除去する。
In step S5, black data is set for all pixels. Leakage currents of all the pixels flow through the
リーク電流除去終了後、スイッチSW1がオン、SW2がオフになる。表示部101はリーク電流除去部300から切り離され、ショート検出部102に接続される。
After the leakage current removal is completed, the switch SW1 is turned on and the SW2 is turned off. The
以下、ステップS1−S4によって画素ごとのショートの有無が判定される。その手順は実施例1と同じである。 Hereinafter, whether or not there is a short circuit for each pixel is determined in steps S1 to S4. The procedure is the same as in Example 1.
ショート画素の検出が完了すると、画像表示モードに戻る。 When the detection of the short pixel is completed, the image display mode is restored.
本発明のリーク電流除去、ショート画素の検出及びその後のビデオ信号の書き込みは、上記実施例1ないし実施例3の方法に限定されない。 The leakage current removal, short pixel detection, and subsequent video signal writing of the present invention are not limited to the methods of the first to third embodiments.
101 表示部
102 ショート検出部
103 メモリコントローラ
104 メモリ
105 パネル制御部
106 信号処理部
801 画素回路
803 スイッチ
805 発光素子
808 電圧源
DESCRIPTION OF
Claims (6)
前記複数配置された画素回路のうちの、前記1対の電極間がショートした前記発光素子を含む画素回路の位置を保存するメモリと、
前記メモリの出力を読み取り、前記ショートした前記発光素子を含む画素回路に、前記ビデオ信号によらず前記スイッチをオフにする信号を与える信号処理部と
を有することを特徴とする表示装置。 A plurality of pixel circuits including a light-emitting element having a pair of electrodes and a light-emitting layer sandwiched between the pair of electrodes and a switch for connecting one electrode of the light-emitting element to a voltage source are disposed. Display that is set to ON or OFF according to a video signal applied to the pixel circuit, and that the light emitting element emits light when a voltage of the voltage source is applied between the pair of electrodes when the switch is ON A device,
A memory for storing a position of the pixel circuit including the light emitting element in which the pair of electrodes are short-circuited among the plurality of arranged pixel circuits;
A display device comprising: a signal processing unit that reads an output of the memory and applies a signal for turning off the switch to a pixel circuit including the shorted light emitting element regardless of the video signal.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011113910A JP2012242675A (en) | 2011-05-20 | 2011-05-20 | Display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011113910A JP2012242675A (en) | 2011-05-20 | 2011-05-20 | Display device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012242675A true JP2012242675A (en) | 2012-12-10 |
Family
ID=47464435
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011113910A Withdrawn JP2012242675A (en) | 2011-05-20 | 2011-05-20 | Display device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2012242675A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140140960A (en) * | 2013-05-30 | 2014-12-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting diode display |
JP2020515894A (en) * | 2017-03-31 | 2020-05-28 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Boe Technology Group Co.,Ltd. | Invalid pixel detection circuit, method and display device |
JP2023537438A (en) * | 2021-07-15 | 2023-09-01 | 集創北方(珠海)科技有限公司 | Detection method and detection device |
-
2011
- 2011-05-20 JP JP2011113910A patent/JP2012242675A/en not_active Withdrawn
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140140960A (en) * | 2013-05-30 | 2014-12-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting diode display |
KR102054369B1 (en) * | 2013-05-30 | 2019-12-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | Organic light emitting diode display |
JP2020515894A (en) * | 2017-03-31 | 2020-05-28 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司Boe Technology Group Co.,Ltd. | Invalid pixel detection circuit, method and display device |
JP7272729B2 (en) | 2017-03-31 | 2023-05-12 | 京東方科技集團股▲ふん▼有限公司 | Invalid pixel detection circuit, method and display device |
JP2023537438A (en) * | 2021-07-15 | 2023-09-01 | 集創北方(珠海)科技有限公司 | Detection method and detection device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6034033B2 (en) | Wiring and demultiplexing unit failure detection method, failure detection device, and display panel including failure detection device | |
KR102664308B1 (en) | Organic Light Emitting Display Device and Driving Method thereof | |
JP4836718B2 (en) | Defect inspection method and defect inspection apparatus for electroluminescence display device, and method for manufacturing electroluminescence display device using them | |
US10269275B2 (en) | Display panel inspecting method and display panel fabricating method | |
US9666112B2 (en) | Display panel with repair lines and display device including the same | |
JP5364209B2 (en) | Defective emitter detection for electroluminescent displays | |
US10217408B2 (en) | Display device, display device correction method, display device manufacturing method, and display device display method | |
US20090096770A1 (en) | Detecting defects in display panel pixels | |
JP2008216874A (en) | Organic el display device | |
KR101991099B1 (en) | Pixel and array test method for the same | |
US20150145851A1 (en) | Display device | |
JP2019530027A (en) | Method and apparatus for updating data in a memory used for electrical compensation | |
JP4103957B2 (en) | Active drive pixel structure and inspection method thereof | |
JPWO2015136589A1 (en) | Manufacturing method of display panel | |
CN114038428A (en) | Compensation method and compensation device of display panel | |
JP2010134169A (en) | Active matrix type display apparatus, inspecting method and method for manufacturing such display apparatus | |
US20170084229A1 (en) | High resolution oled display operation circuit | |
JP6721328B2 (en) | Display device | |
JP5353066B2 (en) | Image display device and method of manufacturing image display device | |
JP2012242675A (en) | Display device | |
JP2007233109A (en) | Display device and its driving method | |
JP2010107630A (en) | Image display device and method for driving image display device | |
KR102613410B1 (en) | Organic Light Emitting Diode display apparatus, timing controller and method for correcting real time sensing data thereof | |
JP2010139833A (en) | Image display device, method for driving image display device and method for manufacturing image display device | |
JP2017116576A (en) | Display device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20140805 |