JP2012129229A - Organic electronics panel manufacturing method - Google Patents
Organic electronics panel manufacturing method Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012129229A JP2012129229A JP2010276712A JP2010276712A JP2012129229A JP 2012129229 A JP2012129229 A JP 2012129229A JP 2010276712 A JP2010276712 A JP 2010276712A JP 2010276712 A JP2010276712 A JP 2010276712A JP 2012129229 A JP2012129229 A JP 2012129229A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- organic
- functional layer
- organic functional
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 88
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 190
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 182
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 144
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 144
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 129
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 120
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 25
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 70
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 48
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 45
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 43
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 15
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 11
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 8
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims description 2
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 abstract description 11
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 abstract description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 157
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 114
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 81
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 38
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 38
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 26
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 25
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 23
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 22
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 21
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 20
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 20
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 14
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 14
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 13
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 11
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 11
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 11
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 10
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 10
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 10
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 9
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 9
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 7
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 5
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 5
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 5
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 4
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 4
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 4
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 4
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 4
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 4
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 4
- 229920006290 polyethylene naphthalate film Polymers 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 4
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 3
- QGJOPFRUJISHPQ-UHFFFAOYSA-N Carbon disulfide Chemical compound S=C=S QGJOPFRUJISHPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N benzyl N-[2-hydroxy-4-(3-oxomorpholin-4-yl)phenyl]carbamate Chemical compound OC1=C(NC(=O)OCC2=CC=CC=C2)C=CC(=C1)N1CCOCC1=O FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 description 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 3
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- QPFMBZIOSGYJDE-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2-tetrachloroethane Chemical compound ClC(Cl)C(Cl)Cl QPFMBZIOSGYJDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N Ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1 YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 2
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 2
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 2
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N Quinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003849 aromatic solvent Substances 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- HJOVHMDZYOCNQW-UHFFFAOYSA-N isophorone Chemical compound CC1=CC(=O)CC(C)(C)C1 HJOVHMDZYOCNQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 2
- AZVQGIPHTOBHAF-UHFFFAOYSA-N perfluoropentacene Chemical compound FC1=C(F)C(F)=C(F)C2=C(F)C3=C(F)C4=C(F)C5=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C5C(F)=C4C(F)=C3C(F)=C21 AZVQGIPHTOBHAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FVDOBFPYBSDRKH-UHFFFAOYSA-N perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic acid Chemical compound C=12C3=CC=C(C(O)=O)C2=C(C(O)=O)C=CC=1C1=CC=C(C(O)=O)C2=C1C3=CC=C2C(=O)O FVDOBFPYBSDRKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 2
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920006289 polycarbonate film Polymers 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 2
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 2
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 2
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloroethane Chemical compound CC(Cl)(Cl)Cl UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FKASFBLJDCHBNZ-UHFFFAOYSA-N 1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=NN=CO1 FKASFBLJDCHBNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HDMYKJVSQIHZLM-UHFFFAOYSA-N 1-[3,5-di(pyren-1-yl)phenyl]pyrene Chemical compound C1=CC(C=2C=C(C=C(C=2)C=2C3=CC=C4C=CC=C5C=CC(C3=C54)=CC=2)C=2C3=CC=C4C=CC=C5C=CC(C3=C54)=CC=2)=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 HDMYKJVSQIHZLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZHFLRRPGAVPNMB-UHFFFAOYSA-N 1-[3-(9h-carbazol-1-yl)phenyl]-9h-carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2NC2=C1C=CC=C2C1=CC(C2=C3NC=4C(C3=CC=C2)=CC=CC=4)=CC=C1 ZHFLRRPGAVPNMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IERDDDBDINUYCD-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[4-(9h-carbazol-1-yl)phenyl]phenyl]-9h-carbazole Chemical group C12=CC=CC=C2NC2=C1C=CC=C2C(C=C1)=CC=C1C(C=C1)=CC=C1C1=C2NC3=CC=CC=C3C2=CC=C1 IERDDDBDINUYCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTQQIHUQLOZOJI-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydro-1,2-thiazole Chemical compound C1NSC=C1 YTQQIHUQLOZOJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MUNFOTHAFHGRIM-UHFFFAOYSA-N 2,5-dinaphthalen-1-yl-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC=C2C(C3=NN=C(O3)C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)=CC=CC2=C1 MUNFOTHAFHGRIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQYIVUDIIIJJDM-UHFFFAOYSA-N 2,5-dinaphthalen-1-yl-1,3,4-thiadiazole Chemical compound C1=CC=C2C(C3=NN=C(S3)C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)=CC=CC2=C1 PQYIVUDIIIJJDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SSABEFIRGJISFH-UHFFFAOYSA-N 2-(2,4-difluorophenyl)pyridine Chemical compound FC1=CC(F)=CC=C1C1=CC=CC=N1 SSABEFIRGJISFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-hydroxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CC(O)COC(C)COC(C)CO LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 2-[[3-hydroxy-2,2-bis(hydroxymethyl)propoxy]methyl]-2-(hydroxymethyl)propane-1,3-diol Chemical compound OCC(CO)(CO)COCC(CO)(CO)CO TXBCBTDQIULDIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSOFREOFMHUMMZ-UHFFFAOYSA-N 3,4-dicarbamoylnaphthalene-1,2-dicarboxylic acid Chemical compound C1=CC=CC2=C(C(O)=N)C(C(=N)O)=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C21 GSOFREOFMHUMMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MWKLOMOIKCPLOY-UHFFFAOYSA-N 3,5-dinaphthalen-1-yl-1h-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC=C2C(C3=NN=C(N3)C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)=CC=CC2=C1 MWKLOMOIKCPLOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UAPNUNDZDVNTDQ-UHFFFAOYSA-N 4,5-diphenyl-1,2,3-triazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=C1C1=CC=CC=C1 UAPNUNDZDVNTDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YOPJQOLALJLPBS-UHFFFAOYSA-N 4,5-diphenyloxadiazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=C(C=2C=CC=CC=2)ON=N1 YOPJQOLALJLPBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHCVCNZIJZMRN-UHFFFAOYSA-N 9h-pyridazino[3,4-b]indole Chemical compound N1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=N1 BZHCVCNZIJZMRN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910000799 K alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RFFFKMOABOFIDF-UHFFFAOYSA-N Pentanenitrile Chemical compound CCCCC#N RFFFKMOABOFIDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000702210 Plectrovirus Species 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008062 acetophenones Chemical class 0.000 description 1
- 229920006243 acrylic copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 229940072049 amyl acetate Drugs 0.000 description 1
- PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N anhydrous amyl acetate Natural products CCCCCOC(C)=O PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 125000006615 aromatic heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 1
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 150000008366 benzophenones Chemical class 0.000 description 1
- KCXMKQUNVWSEMD-UHFFFAOYSA-N benzyl chloride Chemical compound ClCC1=CC=CC=C1 KCXMKQUNVWSEMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N butan-1-amine Chemical compound CCCCN HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DLIJPAHLBJIQHE-UHFFFAOYSA-N butylphosphane Chemical compound CCCCP DLIJPAHLBJIQHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006757 chemical reactions by type Methods 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N cyclohexanol Chemical compound OC1CCCCC1 HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N diazene Chemical class N=N RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000071 diazene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000028659 discharge Diseases 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 1
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007765 extrusion coating Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 150000008282 halocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-M heptanoate Chemical compound CCCCCCC([O-])=O MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ACCCMOQWYVYDOT-UHFFFAOYSA-N hexane-1,1-diol Chemical compound CCCCCC(O)O ACCCMOQWYVYDOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diol Chemical compound OCCCCCCO XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M hexanoate Chemical compound CCCCCC([O-])=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000013532 laser treatment Methods 0.000 description 1
- COLNWNFTWHPORY-UHFFFAOYSA-M lithium;8-hydroxyquinoline-2-carboxylate Chemical compound [Li+].C1=C(C([O-])=O)N=C2C(O)=CC=CC2=C1 COLNWNFTWHPORY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- MZYHMUONCNKCHE-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2,3,4-tetracarboxylic acid Chemical compound C1=CC=CC2=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C21 MZYHMUONCNKCHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N neopentyl glycol Chemical compound OCC(C)(C)CO SLCVBVWXLSEKPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002921 oxetanes Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000412 polyarylene Polymers 0.000 description 1
- 125000003367 polycyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229920000015 polydiacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 1
- 238000004917 polyol method Methods 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 1
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 150000004032 porphyrins Chemical class 0.000 description 1
- BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N potassiosodium Chemical compound [Na].[K] BITYAPCSNKJESK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 235000003270 potassium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007348 radical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229940100890 silver compound Drugs 0.000 description 1
- 150000003379 silver compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N thiadiazole Chemical compound C1=CSN=N1.C1=CSN=N1 VLLMWSRANPNYQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 1
- 239000006097 ultraviolet radiation absorber Substances 0.000 description 1
- 229920006163 vinyl copolymer Polymers 0.000 description 1
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N vinyl-ethylene Natural products C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- NVCBVYYESHBQKS-UHFFFAOYSA-L zinc;2-carboxyquinolin-8-olate Chemical compound [Zn+2].C1=C(C([O-])=O)N=C2C(O)=CC=CC2=C1.C1=C(C([O-])=O)N=C2C(O)=CC=CC2=C1 NVCBVYYESHBQKS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Description
本発明は、有機エレクトロニクスパネルの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing an organic electronics panel.
近年、有機エレクトロルミネッセンスパネル(以下、有機ELパネルとも言う)、有機薄膜トランジスターパネル(以下、有機TFTパネルとも言う)、有機太陽電池パネル(以下、有機PVパネルとも言う)、有機光電変換パネル、有機電子写真用感光体をはじめとした様々な有機エレクトロニクスパネルの開発が検討されている。有機エレクトロニクスパネルは、有機物を用いて電気的な動作を行う素子であり、省エネルギー、低価格、柔軟性といった特長を発揮出来ると期待され、従来のシリコーンを主体とした無機半導体に替わる技術として注目されている。これらの有機エレクトロニクスパネルは、有機物の非常に薄い膜に電極を介して電流を流すことで、発光したり、発電したり、帯電したり、電流や電圧を制御したりする素子である。 In recent years, organic electroluminescence panels (hereinafter also referred to as organic EL panels), organic thin film transistor panels (hereinafter also referred to as organic TFT panels), organic solar cell panels (hereinafter also referred to as organic PV panels), organic photoelectric conversion panels, organic Development of various organic electronics panels including electrophotographic photoreceptors is under consideration. Organic electronics panels are elements that perform electrical operations using organic materials, and are expected to exhibit features such as energy saving, low cost, and flexibility, and are attracting attention as a technology that replaces conventional inorganic semiconductors based on silicone. ing. These organic electronics panels are elements that emit light, generate power, charge, or control current and voltage by passing a current through an electrode through a very thin film of organic matter.
有機ELパネルは、有機化合物の薄膜からなる発光層を電極で挟持した構成で、電極間に電流を供給すると発光する素子である。従って、薄膜の有機ELパネルを光源として利用すると、小型化、軽量化が容易である上、蛍光灯に比べ発光の応答速度が速く、点灯直後の光量も比較的安定した照明装置となる。 An organic EL panel is a device in which a light emitting layer made of an organic compound thin film is sandwiched between electrodes and emits light when a current is supplied between the electrodes. Therefore, when a thin-film organic EL panel is used as a light source, it is easy to reduce the size and weight, and the response speed of light emission is faster than that of a fluorescent lamp, and the amount of light immediately after lighting is relatively stable.
有機PVパネルや有機光電変換パネルは、有機化合物の薄膜からなる発電層を電極で挟持した構成で、光を照射すると発電する素子である。従って、薄膜の有機光電変換パネルを太陽電池として利用すると、小型化、軽量化が容易である上、既存の無機半導体系の太陽電池に比べ、低照度環境や高温環境下でも比較的安定した出力を得られる太陽電池となる。 An organic PV panel or an organic photoelectric conversion panel is an element that generates electricity when irradiated with light in a configuration in which a power generation layer made of a thin film of an organic compound is sandwiched between electrodes. Therefore, if a thin-film organic photoelectric conversion panel is used as a solar cell, it can be easily reduced in size and weight, and has a relatively stable output even in a low-light or high-temperature environment as compared with existing inorganic semiconductor solar cells. The solar cell can be obtained.
これらの有機エレクトロニクスパネルは、基本的には陽極と陰極との間に有機機能層を有し、封止部材で封止された構造を有している。又、製造方法としては、基材の上にパターン化した陽極又は陰極を形成し、陽極又は陰極の上に有機機能層を積層した後、有機機能層の上に陰極又は陽極を形成し封止部材で封止することで製造されている。 These organic electronics panels basically have an organic functional layer between an anode and a cathode and have a structure sealed with a sealing member. As a manufacturing method, a patterned anode or cathode is formed on a substrate, an organic functional layer is laminated on the anode or cathode, and then a cathode or anode is formed on the organic functional layer and sealed. It is manufactured by sealing with a member.
陰極又は陽極膜は、乾式又は湿式の何れかの方法によって基板上に形成されるのが一般的である。 The cathode or anode film is generally formed on the substrate by either a dry method or a wet method.
乾式法は、PVD(Physical Vapor Deposition:物理的蒸着法;スパッタリング、イオンプレーティング、および真空蒸着を含む。)、CVD(Chemical Vapor Deposition:化学的蒸着法)が挙げられる。これらPVD法、CVD法は酸化インジウムスズ(ITO)、酸化アンチモンスズ(ATO)、フッ素ドープ酸化スズ(FTO)、アルミニウムドープ酸化亜鉛(FZO)などの金属酸化物型の透明導電フィルムの形成に使用されている。 Examples of the dry method include PVD (Physical Vapor Deposition: including physical vapor deposition; sputtering, ion plating, and vacuum deposition), and CVD (Chemical Vapor Deposition). These PVD and CVD methods are used to form metal oxide type transparent conductive films such as indium tin oxide (ITO), antimony tin oxide (ATO), fluorine-doped tin oxide (FTO), and aluminum-doped zinc oxide (FZO). Has been.
湿式法は、押出し方式であるエクストルージョン型の塗布コーターを使用した塗布方式、カーテン型の塗布ヘッドを使用した塗布方式、スライド型の塗布コーターを使用した塗布方式、コンマ型コーターを使用したコンマ塗布方法、インクジェットヘッドを使用したインクジェット法等が挙げられる。これらの塗布方式は、上記混合酸化物などの導電性粉末、金属ナノワイヤー等とバインダーとを使用して、導電性コーティング組成物を塗布することで透明導電フィルムの形成に使用されている。 The wet method is an extrusion method using an extrusion type coating coater, a coating method using a curtain type coating head, a coating method using a slide type coating coater, and a comma coating using a comma type coater. Examples thereof include an ink jet method using an ink jet head. These coating methods are used for forming a transparent conductive film by applying a conductive coating composition using conductive powder such as the above mixed oxide, metal nanowires and the like and a binder.
これらの電極の乾式法を使用した有機エレクトロニクスパネルの具体的な製造方法として、例えば、基材の上に陽極として酸化インジウムスズ(Indium−Tin−Oxide、以下、略して「ITO」とも言う。)を、透明基材上に、スパッタリング蒸着法、電子ビーム蒸着法、直接塗布して加熱により融着させる方法などの様々な手法を用いて所定の厚さに形成されるが、何れの手法を用いても形成されるITOの表面は粗く、その値は日本工業規格(JIS)で定められた表面粗さの定義と表示(B0601)において定義される表面粗さの平均粗さ(Ra)が数十Å程度である。 As a specific method for manufacturing an organic electronics panel using a dry method of these electrodes, for example, indium tin oxide (hereinafter referred to as “ITO” for short) as an anode on a base material. Can be formed to a predetermined thickness on a transparent substrate using various methods such as sputtering deposition, electron beam deposition, and direct application and fusion by heating. However, the surface of the ITO formed is rough, and the value is the average roughness (Ra) of the surface roughness defined in the definition and indication (B0601) of the surface roughness defined by the Japanese Industrial Standard (JIS). About ten kilometers.
例えば、有機ELパネルの場合、陽極上に積層される有機機能層の厚さは、500Åから2000Å程度であるので、ITO表面に凸部が存在すると、そこだけ陽極と陰極との間の距離が短くなり、素子に正方向(素子を発光させる方向)の電圧を印加した場合に、その部分に集中的に電流が流れる現象(リーク電流)が起こる。素子の発光中にリーク電流が発生すると、流れた電流に対する輝度(電流−輝度特性)が低下するばかりでなく、その部分の陽極と陰極とがショートして、そこだけにしか電流が流れなくなって素子が発光しなくなる場合がある。又、ある場合には、電流が集中して流れた部分の素子が急速に劣化して電流を通さなくなり、非発光部(ダークスポット)として現れることもある。 For example, in the case of an organic EL panel, the thickness of the organic functional layer laminated on the anode is about 500 mm to 2000 mm. Therefore, if there is a convex portion on the ITO surface, the distance between the anode and the cathode is that much. When a voltage in the positive direction (direction in which the element emits light) is applied to the element, a phenomenon in which current flows intensively (leakage current) occurs in that portion. If a leak current is generated during light emission of the device, not only the brightness (current-luminance characteristics) with respect to the flowed current is reduced, but also the anode and cathode of that portion are short-circuited, and current flows only there. The element may not emit light. In some cases, the element where the current has flowed in a concentrated manner rapidly deteriorates and does not pass the current, and may appear as a non-light emitting portion (dark spot).
有機PVパネルにおいてもITO表面に凸部が存在すると、有機ELパネル同様ショートやリーク電流を引き起こす原因となる。リーク電流により並列抵抗が下がることで、電圧−電流特性において開放電圧の低下を招き、高い最大出力点が得られない等、太陽電池の出力特性の劣化を引き起こすといった問題点が発生する。 Even in the organic PV panel, when a convex portion exists on the ITO surface, it causes a short circuit and a leakage current like the organic EL panel. The reduction of the parallel resistance due to the leakage current causes a problem that the open-circuit voltage is lowered in the voltage-current characteristic and the output characteristic of the solar cell is deteriorated such that a high maximum output point cannot be obtained.
これらの対応として、特開平9−245965号公報にはガラス基板上のITOをポリシング、ラッピング又はテープラッピングなどの手法で平滑にし、その上に有機層以降を形成させる方法が開示されている。これらの方法では煩雑な工程を含むため、更に検討が進められてきた。 In response to these problems, Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-245965 discloses a method of smoothing ITO on a glass substrate by a technique such as polishing, wrapping or tape wrapping, and forming an organic layer and subsequent layers thereon. Since these methods involve complicated steps, further studies have been made.
例えば、水と、水に分散させた平均粒径が5nmから50nmのコロイダルシリカと、保護膜形成剤とを含み、pHが2から3の範囲の研磨液でITOの表面を研磨する方法が知られている(例えば、特許文献1参照。)。 For example, a method for polishing the surface of ITO with a polishing liquid containing water, colloidal silica having an average particle diameter of 5 nm to 50 nm dispersed in water, and a protective film forming agent and having a pH in the range of 2 to 3 is known. (For example, refer to Patent Document 1).
しかしながら、特許文献1に記載の方法は次の問題点を有していることが判った。
1)ガラス基板の様な枚葉基材に対して研磨は容易であるが、帯状の樹脂フィルムの場合は不向きである。
2)研磨終了後の基板は流水中で良く洗浄後、乾燥させる必要があるため、長尺シートフィルムに浸透した水分を除去するために長大な乾燥工程を必要とする。
However, it has been found that the method described in Patent Document 1 has the following problems.
1) Polishing is easy for a single-wafer substrate such as a glass substrate, but is not suitable for a belt-shaped resin film.
2) Since the substrate after polishing needs to be thoroughly washed in running water and then dried, a long drying process is required to remove moisture that has permeated the long sheet film.
又、乾式法に比べ比較的単純な装置が利用出来、生産性も高く、連続的又は大型の基板への適用も容易であるが、乾式法で形成した電極と同様に電極の表面粗さが光電素子に応用する上で潜在的な大きな課題であることが知られている。乾式法で形成した電極の表面粗さの対応として検討が進められて来た。例えば、線径が0.1nmから200nmである金属ナノワイヤーをバインダーに分散した分散液を基板上に塗布後、溶媒を除去しネットワーク構造を形成する方法が知られている(例えば、特許文献2参照。)。 In addition, a relatively simple apparatus can be used compared to the dry method, the productivity is high, and it can be easily applied to a continuous or large substrate, but the surface roughness of the electrode is the same as that of the electrode formed by the dry method. It is known that this is a potentially big problem when applied to photoelectric devices. Studies have been undertaken as a countermeasure for the surface roughness of electrodes formed by the dry method. For example, there is known a method of forming a network structure by applying a dispersion liquid in which metal nanowires having a wire diameter of 0.1 nm to 200 nm are dispersed in a binder, and then removing the solvent (for example, Patent Document 2). reference.).
しかしながら、特許文献2に記載の方法で作製した電極を使用して有機PVパネルを作製した場合、リーク電流、ショートに伴う出力低下が見られ、充分な対応となっていないことが判った。 However, it was found that when an organic PV panel was produced using an electrode produced by the method described in Patent Document 2, a decrease in output due to leakage current and short-circuit was observed, and this was not sufficient.
これらの状況から、枚葉状の基材、帯状の基材を使用して、乾式法又は湿式法で形成した電極を使用し有機エレクトロニクスパネルを作製しても、シヨートやリーク電流による機能低下の発生がない有機エレクトロニクスパネルの製造方法の開発が望まれている。 Under these circumstances, even when an organic electronics panel is produced using a dry-type or wet-type electrode using a sheet-like base material or a belt-like base material, functional deterioration due to short-circuit or leakage current occurs. It is desired to develop a method for manufacturing an organic electronics panel that does not have any.
本発明は、上記状況を鑑みなされたものであり、その目的は枚葉状の基材、帯状の基材を使用して、乾式法又は湿式法で形成した電極を使用し有機エレクトロニクスパネルを作製しても、シヨートやリーク電流による機能低下の発生が少ない有機エレクトロニクスパネルの製造方法を提供することである。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and the object thereof is to produce an organic electronics panel using a sheet-like substrate or a strip-like substrate, using an electrode formed by a dry method or a wet method. However, it is to provide a method for manufacturing an organic electronics panel that is less likely to cause functional degradation due to short or leakage current.
本発明の上記目的は、下記の構成により達成された。 The above object of the present invention has been achieved by the following constitution.
1.基材の上に、第1電極と、第2電極と、封止層と、前記第1電極と前記第2電極との間に有機物層を含む少なくとも1層の有機機能層とを有する有機エレクトロニクスパネルの製造方法において、
前記有機機能層は第1有機機能層を有し、
前記第1有機機能層を帯状の樹脂フィルムの上に形成する第1有機機能層形成工程と、
前記帯状の樹脂フィルムの上に形成された前記第1有機機能層の上に、前記第1電極を形成する第1電極形成工程を有することを特徴とする有機エレクトロニクスパネルの製造方法。
1. Organic electronics having a first electrode, a second electrode, a sealing layer, and at least one organic functional layer including an organic material layer between the first electrode and the second electrode on a substrate. In the panel manufacturing method,
The organic functional layer has a first organic functional layer,
A first organic functional layer forming step of forming the first organic functional layer on a belt-shaped resin film;
An organic electronics panel manufacturing method comprising: a first electrode forming step of forming the first electrode on the first organic functional layer formed on the belt-shaped resin film.
2.前記帯状の樹脂フィルムの前記第1有機機能層を形成する面は微細構造を有することを特徴とする前記1に記載の有機エレクトロニクスパネルの製造方法。 2. 2. The method of manufacturing an organic electronics panel according to 1 above, wherein a surface of the belt-shaped resin film on which the first organic functional layer is formed has a fine structure.
3.前記基材はガスバリア層を有していることを特徴とする前記1又は2に記載の有機エレクトロニクスパネルの製造方法。 3. 3. The method for producing an organic electronic panel according to 1 or 2, wherein the base material has a gas barrier layer.
4.前記1から3の何れか1項に記載の有機エレクトロニクスパネルの製造方法において
前記有機機能層は前記第1有機機能層と第2有機機能層とを有し、
且つ、次の各工程を順次有することを特徴とする有機エレクトロニクスパネルの製造方法。
4). In the manufacturing method of the organic electronics panel of any one of said 1-3, the said organic functional layer has a said 1st organic functional layer and a 2nd organic functional layer,
And the manufacturing method of the organic electronics panel characterized by having each next process sequentially.
A)前記第1有機機能層形成工程
B)第1電極形成工程
C)前記第1電極にパターンを形成するパターン形成工程
D)前記第1電極の上に前記基材を貼合する基材貼合工程
E)前記帯状の樹脂フィルムを剥離する剥離工程
F)前記第1有機機能層の、前記帯状の樹脂フィルムが剥離された面の上に、前記第2有機機能層を形成する第2有機機能層形成工程
G)前記第2有機機能層の上に前記第2電極を形成する第2電極形成工程
H)前記第2電極の上に前記封止層を形成する封止層形成工程
5.前記1から3の何れか1項に記載の有機エレクトロニクスパネルの製造方法において、前記有機機能層は前記第1有機機能層と第2有機機能層とを有し、前記第1電極形成工程はマスクを用いた蒸着方式で形成され、
且つ、次の各工程を順次有することを特徴とする有機エレクトロニクスパネルの製造方法。
A) Said 1st organic functional layer formation process B) 1st electrode formation process C) Pattern formation process which forms a pattern in said 1st electrode D) Base material sticking which bonds the said base material on said 1st electrode Combined Step E) Peeling Step of Peeling the Strip-shaped Resin Film F) Second Organic Forming the Second Organic Functional Layer on the Surface of the First Organic Functional Layer from which the Strip-shaped Resin Film has been Stripped 4. Functional layer forming step G) Second electrode forming step of forming the second electrode on the second organic functional layer H) Sealing layer forming step of forming the sealing layer on the second electrode 4. The method of manufacturing an organic electronics panel according to any one of 1 to 3, wherein the organic functional layer includes the first organic functional layer and a second organic functional layer, and the first electrode forming step is a mask. Formed by vapor deposition using
And the manufacturing method of the organic electronics panel characterized by having each next process sequentially.
A)前記第1有機機能層形成工程
B)前記第1電極形成工程
C)前記第1電極の上に前記基材を貼合する基材貼合工程
D)前記帯状の樹脂フィルムを剥離する剥離工程
E)前記第1有機機能層の、前記帯状の樹脂フィルムが剥離された面の上に、前記第2有機機能層を形成する第2有機機能層形成工程
F)前記第2有機機能層の上に前記第2電極を形成する第2電極形成工程
G)前記第2電極の上に前記封止層を形成する封止層貼合工程
6.前記有機エレクトロニクスパネルが有機光電変換素子であることを特徴とする前記1から5の何れか1項に記載の有機エレクトロニクスパネルの製造方法。
A) Said 1st organic functional layer formation process B) Said 1st electrode formation process C) Base material bonding process which bonds the said base material on the said 1st electrode D) Peeling which peels the said strip | belt-shaped resin film Step E) Second organic functional layer forming step of forming the second organic functional layer on the surface of the first organic functional layer from which the band-shaped resin film has been peeled. F) of the second organic functional layer 5. Second electrode forming step for forming the second electrode on top G) Sealing layer laminating step for forming the sealing layer on the second electrode 6. The method of manufacturing an organic electronics panel according to any one of 1 to 5, wherein the organic electronics panel is an organic photoelectric conversion element.
7.前記有機エレクトロニクスパネルが有機エレクトロルミネッセンスパネルであることを特徴とする前記1から5の何れか1項に記載の有機エレクトロニクスパネルの製造方法。 7). 6. The method of manufacturing an organic electronics panel according to any one of 1 to 5, wherein the organic electronics panel is an organic electroluminescence panel.
枚葉状の基材、帯状の基材を使用して、乾式法又は湿式法で形成した電極を使用し有機エレクトロニクスパネルを作製しても、シヨートやリーク電流による機能低下の発生がない有機エレクトロニクスパネルの製造方法を提供することが出来た。 Organic electronics panels that do not cause functional degradation due to short-circuiting or leakage current, even when an organic electronics panel is manufactured using a dry-type or wet-type electrode using a sheet-like substrate or a strip-like substrate We were able to provide a manufacturing method.
以下、本発明を実施する形態を図1から図6を参照しながら説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 6, but the present invention is not limited thereto.
図1は本発明の有機エレクトロニクスパネルの製造方法により製造された有機エレクトロニクスパネルの構成の一例を示す模式図である。図1(a)は本発明の有機エレクトロニクスパネルの製造方法により製造された複数の有機エレクトロニクスパネルを有する有機エレクトロニクスパネル連続体の概略平面図である。図1(b)は図1(a)のA−A′に沿った概略断面図である。 FIG. 1 is a schematic view showing an example of the configuration of an organic electronics panel manufactured by the method for manufacturing an organic electronics panel of the present invention. FIG. 1A is a schematic plan view of an organic electronics panel continuum having a plurality of organic electronics panels manufactured by the method for manufacturing an organic electronics panel of the present invention. FIG.1 (b) is a schematic sectional drawing in alignment with AA 'of Fig.1 (a).
図中、1′は複数の個別の有機エレクトロニクスパネル1′aが連続的に繋がった有機エレクトロニクスパネル連続体を示す。有機エレクトロニクスパネル連続体1′は複数の個別の有機エレクトロニクスパネル1′aが基材101′の上に連続的に形成された状態となっており、最終的には断裁されて個別の有機エレクトロニクスパネル1′aが作製される。本図は、基材101′の上に2列で個別の有機エレクトロニクスパネル1′aが間隔を空けて作製されている状態を示しているが、個別の有機エレクトロニクスパネル1′aの列数は基材の幅、有機エレクトロニクスパネルの大きさにより変更することが可能である。 In the figure, 1 'represents an organic electronics panel continuum in which a plurality of individual organic electronics panels 1'a are continuously connected. The organic electronics panel continuous body 1 'is in a state in which a plurality of individual organic electronics panels 1'a are continuously formed on the substrate 101', and finally cut into individual organic electronics panels. 1'a is produced. This figure shows a state in which individual organic electronics panels 1'a are produced in two rows on the base material 101 'with an interval, but the number of rows of individual organic electronics panels 1'a is as follows. It can be changed according to the width of the substrate and the size of the organic electronics panel.
101′は基材を示す。102′は第1電極(陽極)を示し、102′aは第1電極(陽極)102′の外部接続用の取出し電極を示す。103′は第1電極102′の上に形成された有機物層を含む有機機能層を示す。有機機能層103′は第1有機機能層103′aと第2有機機能層103′bとを有している。104′は第2有機機能層103′bの上に形成された第2電極(陰極)を示し、104′aは第2電極(陰極)104′の外部接続用の取出し電極を示す。105′は第2電極(陰極)104′の上に接着剤層106′を介して設けられた封止層を示す。
101 'shows a base material. Reference numeral 102 'denotes a first electrode (anode), and 102'a denotes an extraction electrode for external connection of the first electrode (anode) 102'.
本図では有機機能層が2層の場合を示しているが、必要に応じて単層であってもよく、又多層であってもよく必要に応じて設定することが可能である。 Although this figure shows a case where the organic functional layer is two layers, it may be a single layer or a multilayer as necessary, and can be set as necessary.
有機機能層とは、有機ELパネルの場合、例えば正孔注入・輸送層/発光層/電子注入・輸送層等を指す。又、有機PVパネルの場合、例えば正孔輸送・電子ブロック層/光電変換層/電子輸送・正孔ブロック層等を指す。有機ELパネル及び有機PVパネルの構成に関しては後述する。 In the case of an organic EL panel, the organic functional layer refers to, for example, a hole injection / transport layer / light emitting layer / electron injection / transport layer. In the case of an organic PV panel, for example, it refers to a hole transport / electron block layer / photoelectric conversion layer / electron transport / hole block layer. The configuration of the organic EL panel and the organic PV panel will be described later.
本発明で有機エレクトロニクスパネルとは、有機ELパネル、有機TFTパネル、有機PVパネル、有機光電変換パネル、有機電子写真用感光体を含めて言う。 In the present invention, the organic electronics panel includes an organic EL panel, an organic TFT panel, an organic PV panel, an organic photoelectric conversion panel, and an organic electrophotographic photoreceptor.
図2は図1に示す構成の有機エレクトロニクスパネルを製造する製造工程の概略図である。 FIG. 2 is a schematic view of a manufacturing process for manufacturing the organic electronics panel having the configuration shown in FIG.
図中、1は有機エレクトロニクスパネルを製造する製造工程を示す。製造工程1は第1有機機能層形成工程1aと、第1電極形成工程1bと、パターン形成工程1cと、基材貼合工程1dと、剥離工程1eと、第2有機機能層形成工程1fと、第2電極形成工程1gと、封止材貼合工程1hとを有している。本図では、各工程が独立して配設されている場合を示しているが、必要に応じて各工程を繋げても構わない。例えば、第1有機機能層形成工程1aと、第1電極形成工程1bと、パターン形成工程1cとを、基材貼合工程1dと、剥離工程1eと、第2有機機能層形成工程1fとを繋げて行うことも可能である。又、第1有機機能層形成工程1aから第2有機機能層形成工程1f迄を連続に行うことも可能である。各工程の機能に付き説明する。
In the figure, reference numeral 1 denotes a manufacturing process for manufacturing an organic electronics panel. The manufacturing process 1 includes a first organic functional
第1有機機能層形成工程1aは、帯状の樹脂フィルム供給工程1a1と、塗布工程1a2と、乾燥工程1a3と、回収工程1a4とを有している。
The 1st organic functional
帯状の樹脂フィルム供給工程1a1からは帯状の樹脂フィルム1a11が繰り出され塗布工程1a2に供給される。 From the strip-shaped resin film supply step 1a1, the strip-shaped resin film 1a11 is fed out and supplied to the coating step 1a2.
塗布工程1a2では、コーター1a21と、バックアップロール1a22とを使用しており、バックアップロール1a22に保持された帯状の樹脂フィルム1a11の上にコーター1a21により第1有機機能層形成用塗布液が塗布される。 In the coating process 1a2, the coater 1a21 and the backup roll 1a22 are used, and the coating liquid for forming the first organic functional layer is coated on the belt-shaped resin film 1a11 held by the backup roll 1a22 by the coater 1a21. .
第1有機機能層形成用塗布液の塗布方法としては特に限定はなく、例えば後計量型塗布方式、前計量型塗布方式が挙げられる。後計量型塗布方式としては、ブレード型塗布方式、エアーナイフ型塗布方式、ワイヤーバー型塗布方式等の後計量型塗布方式等が挙げられる。前計量型塗布方式としては、押出し方式であるエクストルージョン型の塗布コーターを使用した塗布方式、カーテン型の塗布ヘッドを使用した塗布方式、スライド型の塗布コーターを使用した塗布方式、コンマ型コーターを使用したコンマ塗布方法、インクジェットヘッドを使用したインクジェット法等が挙げられる。本図は、コーター1a21に押出し方式であるエクストルージョン型の塗布コーターを使用した塗布方式の場合を示している。 The application method of the first organic functional layer forming coating solution is not particularly limited, and examples thereof include a post-metering type coating method and a pre-metering type coating method. Examples of the post-measuring type coating method include a post-metering type coating method such as a blade type coating method, an air knife type coating method, and a wire bar type coating method. The pre-weighing type coating method includes: an extrusion type coating method using an extrusion type coating coater, a coating type method using a curtain type coating head, a coating type method using a slide type coating coater, and a comma type coater. Examples thereof include a comma coating method used and an ink jet method using an ink jet head. This figure has shown the case of the application | coating system which uses the extrusion-type application | coating coater which is an extrusion system for the coater 1a21.
乾燥工程1a3では、乾燥装置1a31を使用し塗布工程1a2で帯状の樹脂フィルム1a11の上に塗布された塗膜を乾燥し、第1有機機能層103′a(図3参照)を形成する。
In the drying step 1a3, the coating device applied on the belt-shaped resin film 1a11 in the coating step 1a2 is dried using the drying device 1a31 to form the first organic
回収工程1a4では、第1有機機能層103′a(図3参照)が形成された帯状の樹脂フィルム1a11が巻き取り装置(不図示)により巻き芯にロール状に巻き取られる。
In the collecting step 1a4, the belt-shaped resin film 1a11 on which the first organic
第1電極形成工程1bは、第1有機機能層103′a(図3参照)が形成された帯状の樹脂フィルム1a11を供給する供給工程1b1と、塗布工程1b2と、乾燥工程1b3と、回収工程1b4とを有している。
The first
供給工程1b1からは第1有機機能層103′a(図3参照)が形成された帯状の樹脂フィルム1a11が繰り出され塗布工程1b2に供給される。
From the supply step 1b1, the strip-shaped resin film 1a11 on which the first organic
塗布工程1b2では、コーター1b21と、バックアップロール1b22とを使用しており、バックアップロール1b22に保持された第1有機機能層103′a(図3参照)が形成された帯状の樹脂フィルム1a11の第1有機機能層103′a(図3参照)の上、全面にコーター1b21により第1電極形成用塗布液が塗布される。第1電極形成用塗布液の塗布方法としては特に限定はなく、第1有機機能層形成用塗布液の塗布方法と同じ塗布方法の使用が可能である。本図は、コーター1b21に押出し方式であるエクストルージョン型の塗布コーターを使用した塗布方式の場合を示している。
In the coating process 1b2, a coater 1b21 and a backup roll 1b22 are used, and the first resin layer 1a11 in the shape of a strip in which the first organic
乾燥工程1b3では、乾燥装置1b31を使用し塗布工程1b2で帯状の樹脂フィルム1a11の上に塗布された塗膜を乾燥し第1電極102′(図3参照)が形成される。
In the drying step 1b3, the coating device applied on the belt-shaped resin film 1a11 in the coating step 1b2 is dried using the drying device 1b31 to form the
回収工程1b4では、第1電極が形成された帯状の樹脂フィルム1a11が巻き取り装置(不図示)により巻き芯にロール状に巻き取り保管する。 In the collection step 1b4, the belt-shaped resin film 1a11 on which the first electrode is formed is wound and stored in a roll shape around a winding core by a winding device (not shown).
パターン形成工程1cでは、パターン形成装置1c1を使用し、供給工程1c2から送られて来る帯状の樹脂フィルム1a11の上、全面に形成された第1電極102′(図3参照)を必要とするパターンの第1電極102′b、102′c(図3参照)に成形(例えば図1に示す連続体1を形成する様に幅方向に2列)する。
In the
パターン形成装置1c1としては特に限定はなく、例えば反応性ガスエッチング装置、大気圧プラズマ反応性イオンエッチング装置、減圧プラズマ反応性イオンエッチング装置、反応性イオンビームエッチング装置、イオンビームエッチング装置、反応性レーザービームエッチング装置、レーザービームエッチング装置等が挙げられる。これらのドライエッチング装置は上市されているドライエッチング装置の使用が可能である。 The pattern forming apparatus 1c1 is not particularly limited. For example, a reactive gas etching apparatus, an atmospheric pressure plasma reactive ion etching apparatus, a low pressure plasma reactive ion etching apparatus, a reactive ion beam etching apparatus, an ion beam etching apparatus, and a reactive laser are used. Examples thereof include a beam etching apparatus and a laser beam etching apparatus. These dry etching apparatuses can use commercially available dry etching apparatuses.
回収工程1c3では、パターン化された引出し電極を含む第1電極102′(図3参照)が形成された帯状の樹脂フィルム1a11を巻き取り装置(不図示)により巻き芯にロール状に巻き取られる。 In the collection step 1c3, the belt-shaped resin film 1a11 on which the first electrode 102 '(see FIG. 3) including the patterned extraction electrode is formed is wound around the winding core in a roll shape by a winding device (not shown). .
基材貼合工程1dは、パターン化された第1電極102′が形成された帯状の樹脂フィルム1a11の供給工程1d1と、接着剤塗工工程1d2と、基材供給工程1d3と、貼合工程1d4と、回収工程1d5とを有している。
The base
接着剤塗工工程1d2は、接着剤塗工装置でパターン形成された第1電極102′(102′b、102′c)(図3参照)の上全面に接着剤が塗工され接着剤層107′(図3参照)が形成される。 In the adhesive coating step 1d2, an adhesive is applied to the entire upper surface of the first electrode 102 '(102'b, 102'c) (see FIG. 3) patterned by the adhesive coating apparatus. 107 '(see FIG. 3) is formed.
基材供給工程1d3からは繰り出し装置(不図示)により有機エレクトロニクスパネルの基板となる帯状の基材101′が供給される。 From the base material supply step 1d3, a belt-like base material 101 'serving as a substrate of the organic electronics panel is supplied by a feeding device (not shown).
貼合工程1d4では貼合装置1d41を使用し、供給工程1d1から送られてくるパターン形成された第1電極102′(102′b、102′c)(図3参照)が形成された帯状の樹脂フィルム1a11の上に接着剤層107′(図3参照)を介して基材101′を積重し貼合する。貼合は減圧環境下、大気圧環境下の両方に分けて行っても良いし、何れか一方でもよいし、両方を配設しても構わなく、必要に応じて選択することが可能である。
In the laminating step 1d4, the laminating device 1d41 is used, and the
この段階で、帯状の樹脂フィルム1a11の上に、第1有機機能層/第1電極/接着剤層/基材の順番で構成された構成を有する帯状の樹脂フィルム1a11が出来上がる。 At this stage, a strip-shaped resin film 1a11 having a configuration configured in the order of the first organic functional layer / first electrode / adhesive layer / base material is completed on the strip-shaped resin film 1a11.
剥離工程1eでは、剥離装置1e1を使用し、帯状の樹脂フィルム1a11の供給工程1e2から送られてくる帯状の樹脂フィルム1a11の上に、第1有機機能層/第1電極/接着剤層/基材をこの順番で積層した帯状の樹脂フィルム1a11の第1有機機能層103′a(図3参照)から帯状の樹脂フィルム1a11を剥離し、回収工程1e4で巻き取り回収する。1e3は剥離され巻き取られた帯状の樹脂フィルム1a11を示す。
In the
尚、帯状の樹脂フィルム1a11を剥離した後、第1電極の引出し電極となる部分の第1有機機能層103′a(図3参照)及び第1有機機能層103′a(図3参照)不要領域部分は払拭方式で除去される。不要領域部分は例えば有機PVパネルの場合非発電領域、有機ELパネルの場合は非発光領域となる。 In addition, after the strip-shaped resin film 1a11 is peeled off, the first organic functional layer 103'a (see FIG. 3) and the first organic functional layer 103'a (see FIG. 3) in the portion that becomes the lead electrode of the first electrode are unnecessary. The area portion is removed by a wiping method. The unnecessary region portion is, for example, a non-power generation region in the case of an organic PV panel, and a non-light emission region in the case of an organic EL panel.
第2有機機能層形成工程1fは、供給工程1f1と、塗布工程1f2と、乾燥工程1f3と、回収工程1f4とを有している。
The second organic functional
供給工程1f1からは、基材101′の上に第1電極102′(図3参照)と第1有機機能層103′a(図3参照)とがこの順番で積層された帯状の基材101′が繰り出され塗布工程1f2に供給される。
From the supply step 1f1, a strip-shaped
塗布工程1f2では、コーター1f21と、バックアップロール1f22とを使用しており、バックアップロール1f22に保持された基材/接着剤層/第1電極/第1有機機能層を有する帯状の基材101′の第1有機機能層103′a(図3参照)の上にコーター1f21により第2有機機能層形成用塗布液が塗布される。塗布後、第1電極の引出し電極102′a(図3参照)となる部分及び不要領域部分の第2有機機能層形成用塗膜は払拭方式で除去される。
In the coating step 1f2, a coater 1f21 and a backup roll 1f22 are used, and a strip-
第2有機機能層形成用塗布液の塗布方法としては特に限定はなく、第1有機機能層形成用塗布液の塗布方法と同じ塗布方法を使用することが可能である。本図は、コーター1f21に押出し方式であるエクストルージョン型の塗布コーターを使用した塗布方式の場合を示している。 The coating method for the second organic functional layer forming coating solution is not particularly limited, and the same coating method as that for the first organic functional layer forming coating solution can be used. This figure shows the case of a coating method using an extrusion type coating coater which is an extrusion method for the coater 1f21.
乾燥工程1f3では、乾燥装置1f31を使用し塗布工程1f2で第1有機機能層103′a(図3参照)の上に塗布された第2有機機能層形成用塗膜を乾燥し第2有機機能層103′b(図3参照)が形成される。
In the drying step 1f3, the coating device for forming the second organic functional layer applied on the first organic
回収工程1f4では、第2有機機能層103′b(図3参照)が形成された帯状の基材101′が巻き取り装置(不図示)により巻き芯にロール状に巻き取られる。 In the collection step 1f4, the belt-like base material 101 'on which the second organic functional layer 103'b (see FIG. 3) is formed is wound up in a roll shape around a winding core by a winding device (not shown).
尚、本図は有機機能層103′(図3参照)が第1有機機能層103′a(図3参照)と第2有機機能層103′b(図3参照)との2層の場合を示しているが、多層の場合は第2有機機能層形成工程1fを、必要とする有機機能層の層数に合わせ設置することが可能となっている。
This figure shows the case where the organic
第2電極形成工程1gは、第2電極形成装置1g2を使用し、供給工程1g1から送られてくる第2有機機能層103′b(図3参照)までが積層された帯状の基材101′の第2有機機能層の上に第1電極102′(図3参照)の大きさに合わせ第2電極104′(図3参照)が形成され、同時に第2電極の引出し電極104′a(図3参照)も第2有機機能層103′b(図3参照)が除去された接着剤層107′の上に形成される。この後、回収工程1g3で巻き取り装置(不図示)で巻き芯にロール状に巻き取られる。第2電極形成装置1g2は特に限定はなく、例えば蒸着装置、スパッタリング装置等が挙げられる。
The second
封止材貼合工程1hは、第2電極までが形成された帯状の基材101′の供給工程1h1と、接着剤塗工工程1h2と、封止材供給工程1h3と、貼合工程1h4と、回収工程1h5とを有している。
The encapsulating
接着剤塗工工程1h2では、接着剤塗工装置で形成された第2電極104′(図3参照)、第2電極の引出し電極104′a(図3参照)及び第1電極の引出し電極102′a(図3参照)の上を含めた全面に接着剤が塗工され接着剤層107′が形成される。
In the adhesive coating process 1h2, the
封止材供給工程1h3からは繰り出し装置(不図示)により有機エレクトロニクスパネルを封止する帯状の封止材105′が供給される。
From the sealing material supply step 1h3, a strip-shaped
貼合工程1h4では貼合装置1h41を使用し、供給工程1h1から送られてくる第2電極104′(図3参照)までが形成された帯状の基材101′の第2電極104′(図3参照)の上に接着剤層107′を介して封止材105′を積重し貼合する。貼合は減圧環境下、大気圧環境下の両方に分けて行っても良いし、何れか一方でもよいし、両方を配設しても構わなく、必要に応じて選択することが可能である。
In the bonding process 1h4, the bonding apparatus 1h41 is used, and the
この段階で、基材/接着剤層/第1電極/第1有機機能層/第2有機機能層/接着剤層/封止層の構成を有する個別の有機エレクトロニクスパネルが連続的に基材の上に形成された図1に示す様な有機エレクトロニクスパネル連続体が出来上がる。この後、断裁することで個別の有機エレクトロニクスパネルが製造される。 At this stage, individual organic electronic panels having the structure of substrate / adhesive layer / first electrode / first organic functional layer / second organic functional layer / adhesive layer / sealing layer are continuously formed on the substrate. The continuum of organic electronics panel formed as shown in FIG. 1 is completed. Thereafter, individual organic electronics panels are manufactured by cutting.
図3は図2に示す製造工程で図1に示す構成の有機エレクトロニクスパネルが出来上がる迄の模式フロー図である。 FIG. 3 is a schematic flow chart until the organic electronics panel having the configuration shown in FIG. 1 is completed in the manufacturing process shown in FIG.
第1有機機能層形成工程1aでは、帯状の樹脂フィルム1a11の上に第1有機機能層103′aが形成される。
In the first organic functional
第1電極形成工程1bでは、第1有機機能層形成工程1aで形成された第1有機機能層103′aの上に第1電極102′が形成される。
In the first
パターン形成工程1cでは、第1電極形成工程1bで形成された第1電極102′を必要とするパターンに成形する。本図は図1に示す様に第1電極102′b、第1電極102′cの2列にパターン化した場合を示している。
In the
基材貼合工程1dでは、パターン形成工程1cでパターンが形成された第1電極102′(第1電極102′b、第1電極102′c)、第1有機機能層103′aの上に接着剤を塗工し接着剤層107′を形成し、基材101′が接着剤層107′を介して貼合される。第1電極層102′の上に基材101′を貼合することで第1電極102′を形成する時に第1電極102′表面に発生する凸部が基材101′側になるため、第2電極104′と第1電極102′との距離が一定になる。このため、例えば有機ELパネルの場合、電圧を印加した場合に、第2電極104′と第1電極102′との距離が短くなった時に発生する輝度の低下、部分的な発光不良、ダークスポット等の故障が抑制される。
In the
有機PVパネルの場合、リーク電流による出力低下を抑えられ、安定して効率の高い製品を得ることが出来る。 In the case of an organic PV panel, a decrease in output due to leakage current can be suppressed, and a stable and highly efficient product can be obtained.
剥離工程1eでは、帯状の樹脂フィルム1a11が第1有機機能層103′aから剥離される。この後、第1電極102′の引出し電極102′aの形成部分、及び不要領域部分の第1有機機能層103′aが払拭法で除去される。
In the
第2有機機能層形成工程1fでは、剥離工程1eで帯状の樹脂フィルム1a11が剥離された第1有機機能層103′aの面及び第1有機機能層103′aが除去された領域に第2有機機能層103′b(図中斜線で示される部分)が形成される。この後、第1電極102′の引出し電極102′aの形成部分と不要領域の第2有機機能層103′bが払拭法で除去される。
In the second organic functional
第2電極形成工程1gでは第2有機機能層形成工程1fで形成された第2有機機能層103′bの上に第2電極104′が形成される。又、第2有機機能層103′bが除去された基材101′の上に第2電極の引出し電極104′aが形成される。
In the second
封止材貼合工程1hでは第2電極形成工程1gで形成された第2電極104′の上に接着剤106′を介して封止材105′が貼合される。この段階で、個別の有機エレクトロニクスパネルが連続的に基材の上に連続的に形成された図1に示す様な有機エレクトロニクスパネル連続体が出来上がる。この後、断裁することで個別の有機エレクトロニクスパネルが製造される。
In the sealing
図4は図1に示す構成の有機エレクトロニクスパネルをマスクパターン成形により第1電極をパターン化して製造する製造工程の概略図である。 FIG. 4 is a schematic view of a manufacturing process for manufacturing the organic electronics panel having the configuration shown in FIG. 1 by patterning the first electrode by forming a mask pattern.
図中、3は有機エレクトロニクスパネルを製造する製造工程を示す。製造工程3は第1有機機能層形成工程3aと、第1電極形成工程3bと、基材貼合工程3cと、剥離工程3dと、第2有機機能層形成工程3eと、第2電極形成工程3fと、封止材貼合工程3gとを有している。尚、本図に示す製造工程3と図2に示す製造工程1との違いは、第1電極をパターン化する方法が異なるだけでその他は同じである。
In the figure,
本図では、各工程が独立して配設されている場合を示しているが、必要に応じて各工程を繋げても構わない。例えば、基材貼合工程3cと、剥離工程3dと、第2有機機能層形成工程3fとを繋げて行うことも可能である。又、第1有機機能層形成工程3bから第2有機機能層形成工程3e迄を連続に行うことも可能である。
Although this figure shows the case where each process is independently arranged, each process may be connected as necessary. For example, the base
図4に示す製造工程3と図2に示す製造工程1との違いは、第1電極をパターン化する方法が異なるだけでその他は同じである。各工程の機能に付き説明する。
The difference between the
第1有機機能層形成工程3aは、帯状の樹脂フィルム3a11の供給工程3a1と、塗布工程3a2と、乾燥工程3a3と、回収工程3a4とを有している。塗布工程3a2はコーター3a21と、バックアップロール3a22とを使用している。乾燥工程3a3は乾燥装置3a31を使用している。第1有機機能層形成工程3aでは、帯状の樹脂フィルム3a11の上に第1有機機能層103′a(図5参照)が形成される。各工程の機能は図2に示す第1有機機能層形成工程1aと同じであるので省略する。
The 1st organic functional
第1電極形成工程3bは、第1電極形成装置3b2を使用し供給工程3b1から送られてくる第1有機機能層形成工程3aで形成した第1有機機能層103′a(図5参照)を有する帯状の樹脂フィルム3a11の第1有機機能層103′a(図5参照)の上にマスクを使用してパターン成膜が行われパターン化した第1電極102′(図5参照)が形成される。この後、回収工程3b3の巻き取り装置(不図示)で巻き芯にロール状に巻き取られる。第1電極形成装置3b2は特に限定はなく、例えば蒸着装置、スパッタリング装置等が挙げられる。
In the first
基材貼合工程3cは、パターン形成された第1電極102′(図5参照)が形成された帯状の樹脂フィルム3a11の供給工程3c1と、接着剤塗工工程3c2と、基材供給工程3c3と、貼合工程3c4と、回収工程3c5とを有している。
The base
基材貼合工程3cでは、第1電極102′(図5参照)の上に接着層107′(図5参照)を介して帯状の基材101′(図5参照)が貼合される。各工程の機能は図2に示される基材貼合工程1dと同じであるため省略する。
In the base
この段階で、帯状の樹脂フィルム3a11の上に第1有機機能層/第1電極/接着剤層/基材の順番の構成を有する帯状の樹脂フィルム3a11が出来上がる。 At this stage, a belt-like resin film 3a11 having a structure in the order of the first organic functional layer / first electrode / adhesive layer / base material is formed on the belt-like resin film 3a11.
剥離工程3dでは、剥離装置3d1を使用し、帯状の樹脂フィルム3a11の供給工程3d2から送られてくる基材101′(図5参照)までを積層した帯状の樹脂フィルム3a11の第1有機機能層103′a(図5参照)から帯状の樹脂フィルム3a11を剥離し、回収工程3d4で巻き取り回収する。3d3は剥離され巻き取られた帯状の樹脂フィルム3a11を示す。尚、帯状の樹脂フィルム3a11を剥離した後、第1電極102′(図5参照)の引出し電極102′a(図5参照)となる部分の第1有機機能層103′a(図5参照)及び不要領域部分は払拭方式で除去される。不要領域部分は例えば有機PVパネルの場合非発電領域、有機ELパネルの場合は非発光領域となる。
In the
第2有機機能層形成工程3eは、供給工程3e1と、塗布工程3e2と、乾燥工程3e3と、回収工程3e4とを有しており、剥離工程3dで帯状の樹脂フィルム3a11が剥離された第1有機機能層103′a(図5参照)の面に第2有機機能層103′b(図5参照)が形成される。塗布工程3e2はコーター3e21とバックアップロール3e22とを使用している。塗布工程3e2で第2有機機能層形成用塗布液を塗布した後、第1電極102′(図5参照)の引出し電極102′a(図5参照)となる部分及び不要領域部分の第2有機機能層103′bは払拭方式で除去される。
The second organic functional
乾燥工程3e3は乾燥装置3e31を使用している。各工程の機能は図2に示す第2有機機能層形成工程1fと同じであるため省略する。
The drying process 3e3 uses a drying device 3e31. Since the function of each step is the same as the second organic functional
尚、本図は有機機能層103′(図5参照)が第1有機機能層103′a(図5参照)と第2有機機能層103′b(図5参照)との2層の場合を示しているが、多層の場合は第2有機機能層形成工程3eを、必要とする有機機能層の層数に合わせ設置することが可能となっている。
This figure shows the case where the organic
第2電極形成工程3fは、第2電極形成装置3f2を使用し、供給工程3f1から送られてくる第2有機機能層103′b(図5参照)までが積層された帯状の基材101′の第2有機機能層103′b(図5参照)の上に第1電極の大きさに合わせ第2電極104′(図5参照)が形成され、同時に第2電極の引出し電極104′a(図5参照)も第2有機機能層が除去された接着剤層107′(図5参照)の上に形成される。この後、回収工程3f3で巻き取り装置(不図示)で巻き芯にロール状に巻き取られる。第2電極形成装置3f2は特に限定はなく、例えば蒸着装置、スパッタリング装置等が挙げられる。
The second
封止材貼合工程3gは、第2電極104′迄が形成された帯状の基材101′(図5参照)の供給工程3g1と、接着剤塗工工程3g2と、封止材供給工程3g3と、貼合工程3g4と、回収工程3g5とを有している。接着剤塗工工程3g2では、接着剤塗工装置により形成された第2電極104′(図5参照)、第2電極の引出し電極104′a(図5参照)及び第1電極102′(図5参照)の引出し電極102′a(図5参照)の上を含めた全面に接着剤が塗工され接着剤層106′が形成される。貼合工程3g4は貼合装置3g41を使用している。各工程の機能は図2に示す封止材貼合工程1hと同じであるため省略する。
The sealing
この段階で、基材/接着剤層/第1電極層/第1樹脂層/第2樹脂層/接着剤層/封止層の構成を有する個別の有機エレクトロニクスパネルが連続的に基材の上に形成された図1に示す有機エレクトロニクスパネル連続体が出来上がる。この後、断裁することで個別の有機エレクトロニクスパネルが製造される。 At this stage, individual organic electronics panels having the structure of substrate / adhesive layer / first electrode layer / first resin layer / second resin layer / adhesive layer / sealing layer are continuously formed on the substrate. The organic electronics panel continuum shown in FIG. Thereafter, individual organic electronics panels are manufactured by cutting.
図5は図4に示す製造工程で図1に示す有機エレクトロニクスパネル連続体が出来上がる迄の概略フロー図である。 FIG. 5 is a schematic flow chart until the organic electronics panel continuous body shown in FIG. 1 is completed in the manufacturing process shown in FIG.
第1有機機能層形成工程3aでは、帯状の樹脂フィルム3a11の上に第1有機機能層103aが形成される。
In the first organic functional
第1電極形成工程3bでは、第1有機機能層103′aの上に第1電極102′b、第1電極102′cの2列にパターン化した第1電極102′が形成される。
In the first
基材貼合工程3cでは、パターン化して形成された第1電極層102′の上に基材101′が接着剤層107′(図中、斜線で示される部分)を介して貼合される。第1電極層102′の上に基材101′を貼合することで、図3に示した基材貼合工程1dで得られた効果と同じ効果が得られる。
In the base
剥離工程3dでは、帯状の樹脂フィルム3a11が第1有機機能層103′aから剥離される。この後、第1電極102′の引出し電極102′aの形成部分と不要領域の第1有機機能層103′aが払拭法で除去される。
In the
第2有機機能層形成工程3eでは、剥離工程3dで帯状の樹脂フィルム3a11が剥離された第1有機機能層103′aの面及び第1有機機能層103′aが除去された領域に第2有機機能層103′b(図中、クロス斜線で示される部分)が形成される。この後、第1電極102′の引出し電極102′aの形成部分、及び不要領域部分の第2有機機能層103′bが払拭法で除去される。
In the second organic functional
第2電極形成工程3fでは、第2有機機能層形成工程3eで形成された第2有機機能層103′bの上に第2電極104′及び第2有機機能層103′bが除去された接着剤層107′の上に第2電極の引出し電極104′aが形成される。
In the second
封止材貼合工程3gでは第2電極形成工程3fで形成された第2電極104′及び第2電極104′の引き出し電極104′aの上に接着剤層106′を介して封止材105′が貼合される。この段階で、個別の有機エレクトロニクスパネルが連続的に基材の上に連続的に形成された図1に示す様な有機エレクトロニクスパネル連続体が出来上がる。この後、断裁することで個別の有機エレクトロニクスパネルが製造される。
In the sealing
図2、図4に示す製造工程の各基材貼合工程で使用する基材は、少なくとも片面に、酸素及び水蒸気の透過を抑制し有機エレクトロニクスパネルの保存性を向上させるため、バリアコート層(例えば、ガスバリア性の高い無機薄膜(酸化ケイ素、酸化アルミニウム等))を有していることが好ましい。 The base material used in each base material bonding step of the manufacturing process shown in FIG. 2 and FIG. 4 is a barrier coat layer (in order to suppress the permeation of oxygen and water vapor and improve the storage stability of the organic electronics panel on at least one side. For example, it is preferable to have an inorganic thin film (such as silicon oxide or aluminum oxide) having a high gas barrier property.
本発明の特徴は図2、図4に示す製造工程の各基材貼合工程で、第1電極の表面に接着剤層を介して基材が貼合されることである。第1電極を形成する時に第1電極の表面には凸部が発生しているが、基材を貼合することでこの凸部が基材側になる。このため、第2電極と第1電極との距離が一定になる。このため、例えば有機ELパネルの場合、電圧を印加した場合に、第2電極と第1電極との距離が短くなったときに発生する輝度の低下、部分的な発光不良、ダークスポット等の故障がなくなる。有機PVパネルの場合、リーク電流による出力低下を抑えられ、安定して効率の高い製品を得ることが出来る。 The characteristic of this invention is that a base material is bonded to the surface of a 1st electrode through an adhesive bond layer in each base material bonding process of the manufacturing process shown in FIG. 2, FIG. Although the convex part has generate | occur | produced on the surface of the 1st electrode when forming a 1st electrode, this convex part turns into a base material side by bonding a base material. For this reason, the distance between the second electrode and the first electrode is constant. For this reason, for example, in the case of an organic EL panel, when a voltage is applied, the brightness decreases when the distance between the second electrode and the first electrode is shortened, a partial light emission failure, a failure such as a dark spot, etc. Disappears. In the case of an organic PV panel, a decrease in output due to leakage current can be suppressed, and a stable and highly efficient product can be obtained.
図6は表面に微細構造を有する帯状の樹脂フィルムを製造する製造工程の概略図である。図6(a)は図2、図4に示す製造工程で使用する表面に微細構造を有する帯状の樹脂フィルムを製造する製造工程の概略図である。図6(b)は表面に微細構造を有する帯状の樹脂フィルムの概略断面図である。 FIG. 6 is a schematic view of a production process for producing a strip-shaped resin film having a fine structure on the surface. FIG. 6A is a schematic view of a manufacturing process for manufacturing a strip-shaped resin film having a fine structure on the surface used in the manufacturing process shown in FIGS. FIG. 6B is a schematic cross-sectional view of a strip-shaped resin film having a fine structure on the surface.
図中、4は製造工程を示す。製造工程4は、供給工程4a1と、塗布工程4a2と、乾燥工程4a3と、表面加工工程4a4と、回収工程4a5とを有している。 In the figure, 4 indicates a manufacturing process. The manufacturing process 4 includes a supply process 4a1, a coating process 4a2, a drying process 4a3, a surface processing process 4a4, and a recovery process 4a5.
供給工程4a1からは帯状のフィルムの基材となる帯状の基材フィルム401が供給される。塗布工程4a2は、コーター4a21と、バックアップロール4a22とを使用しており、供給工程4a1から供給される帯状の基材フィルム401の表面に表面層形成用塗布液が塗布される。
From the supply step 4a1, a band-shaped
乾燥工程4a3は、乾燥装置4a31を使用し、塗布工程4a2で塗布され形成された表面層形成用塗膜から溶媒を除去し表面層402を形成する。
In the drying step 4a3, the drying device 4a31 is used to remove the solvent from the surface layer forming coating film formed by coating in the coating step 4a2, thereby forming the
表面加工工程4a4はロールインプリント装置4a41を使用しており、ロール金型4a42により、表面層402の表面全面に凹部402aと凸部402bとを有する微細構造が型押しされた後、使用する樹脂の種類に合わせ微細構造が固定され表面に微細構造を有する帯状の樹脂フィルム403が作製される。例えば、使用する樹脂が紫外線硬化型樹脂の場合は紫外線を照射することで樹脂層を硬化し微細構造を固定化する。Tは凹部の中心から次の凹部の中心迄の距離を示す。本発明では距離Tをピッチと言う。
The surface processing step 4a4 uses a roll imprint apparatus 4a41, and a resin to be used after a microstructure having a
微細構造とは、ピッチが1nmから1000nm、アスペクト比が1以上の凹凸構造を言う。凸部の断面形状としては特に限定はなく、例えば、矩形、三角形、半円形、台形等が挙げられる。本図は矩形の場合を示している。 The fine structure means an uneven structure having a pitch of 1 nm to 1000 nm and an aspect ratio of 1 or more. There is no limitation in particular as a cross-sectional shape of a convex part, For example, a rectangle, a triangle, a semicircle, a trapezoid, etc. are mentioned. This figure shows a rectangular case.
表面層に使用する樹脂としては、活性エネルギー線硬化型の樹脂が挙げられる。活性エネルギー線硬化型の樹脂に関しては後述する。 Examples of the resin used for the surface layer include an active energy ray curable resin. The active energy ray curable resin will be described later.
作製された表面に微細構造を有する帯状の樹脂フィルム403は、図2に示される製造工程の第1有機機能層形成工程1a、図4に示される製造工程の第1有機機能層形成工程3aで使用することが可能である。
The band-shaped
本図に示す様な表面に微細構造を有する帯状の樹脂フィルムを図2、図4に示される製造工程の第1有機機能層形成工程で使用し、この上に第1有機機能層、第1電極、基材を順次積層した後に帯状の樹脂フィルム403を剥離することで、第1有機機能層の表面には帯状の樹脂フィルム403の表面の微細構造が転写した状態となる。この上に第2有機機能層を形成することで、第1有機機能層と第2有機機能層との接触面積が増加する。このため、例えば有機PVパネルの場合は、電荷、電荷分離量が大きくなると共に、構造が規則的なため電荷の再結合が抑制される。その結果、直列抵抗が低くなり、高いエルルギー変換効率を得ることが可能となる。更に接触界面での急激な屈折率変化を抑え内部反射を抑える等、光学的な特性改善によるエルルギー変換効率への寄与も期待出来る。
A band-shaped resin film having a fine structure on the surface as shown in this figure is used in the first organic functional layer forming step of the manufacturing step shown in FIGS. By peeling the strip-shaped
図1から図6に示す本発明の有機エレクトロニクスパネルの製造方法による効果として次の効果が挙げられる。
1.第1電極の表面に基材を貼合することで、第1電極形成時に第1電極の表面に発生する凸部が基材側になるため、第2電極と第1電極との距離が一定になり、電圧を印加した場合に第2電極と第1電極との距離が不安定なことに伴う故障がなくなり安定した有機エレクトロニクスパネルの製造が可能となった。
2.第1有機機能層と第2有機機能層との間に微細構造を有するため、第1有機機能層と第2有機機能層との接触面積が増加し、高いエルルギー変換効率の有機エレクトロニクスパネルの製造が可能となった。
The following effects can be given as the effects of the method for manufacturing the organic electronics panel of the present invention shown in FIGS.
1. By sticking the base material to the surface of the first electrode, the convex portion generated on the surface of the first electrode at the time of forming the first electrode becomes the base material side, so the distance between the second electrode and the first electrode is constant. Thus, when a voltage is applied, a failure due to an unstable distance between the second electrode and the first electrode is eliminated, and a stable organic electronics panel can be manufactured.
2. Since there is a fine structure between the first organic functional layer and the second organic functional layer, the contact area between the first organic functional layer and the second organic functional layer is increased, and an organic electronics panel with high energy conversion efficiency is manufactured. Became possible.
次に本発明の有機エレクトロニクスパネルの製造方法に係わる有機エレクトロニクスパネルの内、有機ELパネル及び有機PVパネルの構成及び材料に付き説明する。 Next, the configuration and materials of the organic EL panel and the organic PV panel in the organic electronics panel according to the method for producing the organic electronics panel of the present invention will be described.
(帯状の樹脂フィルム)
帯状の樹脂フィルムとしては特に制限がなく、公知の熱可塑性樹枝フィルムの中から適宜選択することが出来る。例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)変性ポリエステル等のポリエステル系樹脂フィルム、ポリエチレン(PE)樹脂フィルム、ポリプロピレン(PP)樹脂フィルム、ポリスチレン樹脂フィルム、環状オレフィン系樹脂等のポリオレフィン類樹脂フィルム、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂フィルム、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)樹脂フィルム、ポリサルホン(PSF)樹脂フィルム、ポリエーテルサルホン(PES)樹脂フィルム、ポリカーボネート(PC)樹脂フィルム、ポリアミド樹脂フィルム、ポリイミド樹脂フィルム、アクリル樹脂フィルム、トリアセチルセルロース(TAC)樹脂フィルム等を挙げることが出来るが、可視域の波長(380nmから800nm)における透過率が80%以上である樹脂フィルムであれば、本発明に係る透明樹脂フィルムに好ましく適用することが出来る。中でも透明性、耐熱性、取り扱いやすさ、強度及びコストの点から、二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム、二軸延伸ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリエーテルサルホンフィルム、ポリカーボネートフィルムであることが好ましく、二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム、二軸延伸ポリエチレンナフタレートフィルムであることがより好ましい。
(Strip-shaped resin film)
There is no restriction | limiting in particular as a strip | belt-shaped resin film, It can select suitably from well-known thermoplastic dendritic films. For example, polyester resins such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN) modified polyester, polyethylene (PE) resin film, polypropylene (PP) resin film, polystyrene resin film, polyolefin resins such as cyclic olefin resin Film, vinyl resin film such as polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyether ether ketone (PEEK) resin film, polysulfone (PSF) resin film, polyether sulfone (PES) resin film, polycarbonate (PC) resin film, A polyamide resin film, a polyimide resin film, an acrylic resin film, a triacetyl cellulose (TAC) resin film, and the like can be given. If the resin film transmittance of 80% or more at 800 nm) from nm, can be preferably applied to a transparent resin film according to the present invention. Among these, from the viewpoint of transparency, heat resistance, ease of handling, strength and cost, it is preferably a biaxially stretched polyethylene terephthalate film, a biaxially stretched polyethylene naphthalate film, a polyethersulfone film, or a polycarbonate film, and biaxially stretched. More preferred are polyethylene terephthalate films and biaxially stretched polyethylene naphthalate films.
(活性エネルギー線硬化樹脂)
本発明に使用する活性エネルギー線硬化樹脂とは、紫外線や電子線のような活性光線照射により架橋反応等を経て硬化する樹脂である。活性エネルギー線硬化型樹脂としては、紫外線硬化性樹脂や電子線硬化性樹脂等が代表的なものとして挙げられるが、紫外線や電子線以外の活性光線照射によって硬化する樹脂でもよい。活性エネルギー線硬化樹脂と合わせ酸化防止剤や紫外線吸収剤を使用することも可能である。
(Active energy ray curable resin)
The active energy ray-curable resin used in the present invention is a resin that is cured through a crosslinking reaction or the like by irradiation with actinic rays such as ultraviolet rays and electron beams. Typical examples of the active energy ray curable resin include an ultraviolet curable resin and an electron beam curable resin, but a resin curable by irradiation with actinic rays other than ultraviolet rays and electron beams may be used. It is also possible to use an antioxidant or an ultraviolet absorber in combination with the active energy ray curable resin.
活性エネルギー線硬化型樹脂としては、分子中に重合性不飽和結合又はエポキシ基を有するプレポリマー、オリゴマー及び/又はモノマーが、エネルギー線の照射により硬化してなる樹脂である。 The active energy ray-curable resin is a resin obtained by curing a prepolymer, an oligomer and / or a monomer having a polymerizable unsaturated bond or an epoxy group in a molecule upon irradiation with energy rays.
紫外線及び電子線硬化型樹脂としては特に制限はなく、従来から使用されているものの中から、適宜選択して用いることが出来る。この紫外線硬化型樹脂は、光重合性プレポリマー、又は光重合性モノマー、光重合開始剤や光増感剤を含有するものである。又、電子線硬化型樹脂は、光重合性プレポリマー又は光重合性モノマーを含有するものである。 There is no restriction | limiting in particular as an ultraviolet-ray and an electron beam curable resin, It can use suitably selecting from what is used conventionally. This ultraviolet curable resin contains a photopolymerizable prepolymer, a photopolymerizable monomer, a photopolymerization initiator or a photosensitizer. The electron beam curable resin contains a photopolymerizable prepolymer or a photopolymerizable monomer.
前記光重合性プレポリマーとしては、例えばポリエステルアクリレート系、エポキシアクリレート系、ウレタンアクリレート系、ポリオールアクリレート系等が挙げられる。これらの光重合性プレポリマーは1種用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。又,光重合性モノマーとしては、例えばポリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ヘキサンジオール(メタ)アクリレート、トリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート等が挙げられる。 Examples of the photopolymerizable prepolymer include polyester acrylate, epoxy acrylate, urethane acrylate, and polyol acrylate. These photopolymerizable prepolymers may be used alone or in combination of two or more. Examples of the photopolymerizable monomer include polymethylolpropane tri (meth) acrylate, hexanediol (meth) acrylate, tripropylene glycol di (meth) acrylate, diethylene glycol di (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, Examples include dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, and neopentyl glycol di (meth) acrylate.
紫外線硬化性樹脂の具体例としては、例えば、アクリル系樹脂PAK02(東洋合成工業(株)製)、アデカオプトマーKR、BYシリーズのKR−400、KR−410、KR−550、KR−566、KR−567、BY−320B(以上、旭電化工業(株)製)、コーエイハードのA−101−KK、A−101−WS、C−302、C−401−N、C−501、M−101、M−102、T−102、D−102、NS−101、FT−102Q8、MAG−1−P20、AG−106、M−101−C(以上、広栄化学工業(株)製)、セイカビームのPHC2210(S)、PHCX−9(K−3)、PHC2213、DP−10、DP−20、DP−30、P1000、P1100、P1200、P1300、P1400、P1500、P1600、SCR900(以上、大日精化工業(株)製)、KRM7033、KRM7039、KRM7130、KRM7131、UVECRYL29201、UVECRYL29202(以上、ダイセル・ユーシービー(株))、RC−5015、RC−5016、RC−5020、RC−5031、RC−5100、RC−5102、RC−5120、RC−5122、RC−5152、RC−5171、RC−5180、RC−5181(以上、大日本インク化学工業(株)製)、オーレックスNo.340クリヤ(中国塗料(株)製)、サンラッドH−601、RC−750、RC−700、RC−600、RC−500、RC−611、RC−612(以上、三洋化成工業(株)製)、SP−1509、SP−1507(以上、昭和高分子(株)製)、RCC−15C(グレース・ジャパン(株)製)、アロニックスM−6100、M−8030、M−8060(以上、東亞合成(株)製)、又はその他の市販のものから適宜選択して利用することが出来る。 Specific examples of the ultraviolet curable resin include, for example, acrylic resin PAK02 (manufactured by Toyo Gosei Co., Ltd.), Adekaoptomer KR, BY series KR-400, KR-410, KR-550, KR-566, KR-567, BY-320B (manufactured by Asahi Denka Kogyo Co., Ltd.), Koeihard A-101-KK, A-101-WS, C-302, C-401-N, C-501, M- 101, M-102, T-102, D-102, NS-101, FT-102Q8, MAG-1-P20, AG-106, M-101-C (manufactured by Guangei Chemical Industry Co., Ltd.), Seika Beam PHC2210 (S), PHCX-9 (K-3), PHC2213, DP-10, DP-20, DP-30, P1000, P1100, P1200, P1300, P1400, 1500, P1600, SCR900 (above, manufactured by Dainichi Seika Kogyo Co., Ltd.), KRM7033, KRM7039, KRM7130, KRM7131, UVECRYL29201, UVECRYL29202 (above, Daicel UCB Ltd.), RC-5015, RC-5016, RC -5020, RC-5031, RC-5100, RC-5102, RC-5120, RC-5122, RC-5152, RC-5171, RC-5180, RC-5181 (above, manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.) ), Aulex No. 340 clear (manufactured by China Paint Co., Ltd.), Sun Rad H-601, RC-750, RC-700, RC-600, RC-500, RC-611, RC-612 (above, Sanyo Chemical Industries, Ltd.) , SP-1509, SP-1507 (above, manufactured by Showa Polymer Co., Ltd.), RCC-15C (produced by Grace Japan Co., Ltd.), Aronix M-6100, M-8030, M-8060 (above, Toagosei Co., Ltd.) (Made by Co., Ltd.), or other commercially available products.
(重合開始剤)
重合開始剤としては、ラジカル反応型でもイオン反応型でもよく、アセトフェノン類、ブチルフェノン類、ベンゾフェノン類、α−アミロキシムエステル、テトラメチルチュウラムモノサルファイド、チオキサントン類、オキセタン化合物等が挙げられる。又、光増感剤としてn−ブチルアミン、トリエチルアミン、ポリ−n−ブチルホスフィン等を混合して用いることが出来る。
(Polymerization initiator)
The polymerization initiator may be a radical reaction type or an ion reaction type, and examples thereof include acetophenones, butylphenones, benzophenones, α-amyloxime esters, tetramethylchuram monosulfide, thioxanthones, and oxetane compounds. Moreover, n-butylamine, triethylamine, poly-n-butylphosphine, etc. can be mixed and used as a photosensitizer.
(有機ELパネルの構成)
有機ELパネルは、電極間に、単数又は複数の有機機能層を積層した構成であり、一般的には、第1電極(陽極)上に、有機物層として、正孔注入・輸送層/発光層/電子注入・輸送層を積層し、その上から第2電極(陰極)が積層された構成をとる。第1電極(陽極)と第2電極(陰極)との間の他の代表的な層構成としては次の構成が挙げられる。
(Organic EL panel configuration)
An organic EL panel has a structure in which one or a plurality of organic functional layers are laminated between electrodes. In general, a hole injection / transport layer / light emitting layer is formed as an organic layer on the first electrode (anode). / An electron injecting / transporting layer is laminated, and a second electrode (cathode) is laminated thereon. Other typical layer configurations between the first electrode (anode) and the second electrode (cathode) include the following configurations.
(1)第1電極(陽極)/発光層/第2電極(陰極)
(2)第1電極(陽極)/発光層/電子輸送層/第2電極(陰極)
(3)第1電極(陽極)/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/第2電極(陰極)
(4)第1電極(陽極)/陽極バッファ層(正孔注入層)/正孔輸送層/発光層//電子輸送層/陰極バッファ層(電子注入層)/第2電極(陰極)
(5)第1電極(陽極)/陽極バッファ層(正孔注入層)/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファ層(電子注入層)/第2電極(陰極)
有機ELパネルを構成する主たる有機材料層について以下述べる。
(1) First electrode (anode) / light emitting layer / second electrode (cathode)
(2) First electrode (anode) / light emitting layer / electron transport layer / second electrode (cathode)
(3) First electrode (anode) / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / second electrode (cathode)
(4) First electrode (anode) / anode buffer layer (hole injection layer) / hole transport layer / light emitting layer // electron transport layer / cathode buffer layer (electron injection layer) / second electrode (cathode)
(5) First electrode (anode) / anode buffer layer (hole injection layer) / hole transport layer / light emitting layer / hole blocking layer / electron transport layer / cathode buffer layer (electron injection layer) / second electrode ( cathode)
The main organic material layer constituting the organic EL panel will be described below.
(発光層)
発光層中に含有される有機発光材料としては、カルバゾール、カルボリン、ジアザカルバゾール等の芳香族複素環化合物、トリアリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリーレン、芳香族縮合多環化合物、芳香族複素縮合環化合物、金属錯体化合物等及びこれらの単独オリゴ体或いは複合オリゴ体等が挙げられるが、本発明においてはこれに限られるものではなく、広く公知の材料を用いることが出来る。
(Light emitting layer)
Organic light-emitting materials contained in the light-emitting layer include aromatic heterocyclic compounds such as carbazole, carboline, diazacarbazole, triarylamine derivatives, stilbene derivatives, polyarylenes, aromatic condensed polycyclic compounds, aromatic heterocondensed compounds. Examples thereof include a ring compound, a metal complex compound, and the like, and a single oligo body or a composite oligo body thereof. However, the present invention is not limited to this, and widely known materials can be used.
又、発光層中(成膜材料)には、好ましくは0.1質量%から20質量%程度のドーパントが発光材料中に含まれてもよい。ドーパントとしては、ペリレン誘導体、ピレン誘導体等公知の蛍光色素等、又、リン光発光タイプの発光層の場合、例えば、トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム、ビス(2−フェニルピリジン)(アセチルアセトナート)イリジウム、ビス(2,4−ジフルオロフェニルピリジン)(ピコリナート)イリジウム、等に代表されるオルトメタル化イリジウム錯体等の錯体化合物が同様に0.1質量%から20質量%程度含有される。 In the light emitting layer (film forming material), a dopant of preferably about 0.1% by mass to 20% by mass may be included in the light emitting material. Examples of the dopant include known fluorescent dyes such as perylene derivatives and pyrene derivatives, and in the case of phosphorescent light emitting layers, for example, tris (2-phenylpyridine) iridium, bis (2-phenylpyridine) (acetylacetonate). A complex compound such as an orthometalated iridium complex represented by iridium, bis (2,4-difluorophenylpyridine) (picolinato) iridium, and the like is similarly contained in an amount of about 0.1 to 20% by mass.
リン光発光方式は、発光層内部に発光領域を持つためか、比較的発光ムラが起こりづらく本発明において好ましい態様である。発光層の膜厚は、1nmから数百nmの範囲が好ましい。 The phosphorescent light emitting method is a preferable embodiment in the present invention in which uneven light emission hardly occurs due to the fact that the light emitting layer has a light emitting region. The thickness of the light emitting layer is preferably in the range of 1 nm to several hundred nm.
(有機PVパネルの構成)
本発明の有機PVパネルは、第1電極と第2電極との間に、両者に挟まれた光電変換層として、p型半導体材料とn型半導体材料を含む層を有し、光照射によって励起子がp/n界面に移動しキャリアに電荷分離することで起電力を発生するパネルである。
(Configuration of organic PV panel)
The organic PV panel of the present invention has a layer containing a p-type semiconductor material and an n-type semiconductor material as a photoelectric conversion layer sandwiched between the first electrode and the second electrode, and is excited by light irradiation. In this panel, an electromotive force is generated when a child moves to a p / n interface and charges are separated into carriers.
上記光電変換層は、p型半導体材料とn型半導体材料のp/n界面を増やすため、両半導体材料を混合した所謂、バルクヘテロジャンクション構造を形成させることが好ましい(以後、バルクヘテロジャンクション層、又はBHJ層、i層とも言う)。 In order to increase the p / n interface between the p-type semiconductor material and the n-type semiconductor material, the photoelectric conversion layer preferably forms a so-called bulk heterojunction structure in which both semiconductor materials are mixed (hereinafter referred to as a bulk heterojunction layer or BHJ). Layer and i layer).
一般的な有機PVパネルの構造は、第1電極(陽極)上に、有機物層として、正孔輸送・電子ブロック層/光電変換層/電子輸送・正孔ブロック層を積層し、その上から第2電極(陰極)が積層された構成だが、本発明においてはこれに限定されず、光電変換層がp型半導体材料とn型半導体材料からなる層で、上述したバルクヘテロジャンクション層が挟み込まれたような構成、所謂p−i−n構成を適用してもよい。これによって、発生したキャリアとして正孔及び電子の整流性がより高くなり、電荷分離した正孔・電子の再結合等によるロスが低減され、一層高い光電変換効率を得ることが出来る。 A general organic PV panel has a structure in which a hole transport / electron blocking layer / photoelectric conversion layer / electron transport / hole blocking layer is laminated as an organic material layer on a first electrode (anode), However, the present invention is not limited to this, and the photoelectric conversion layer is a layer made of a p-type semiconductor material and an n-type semiconductor material, and the above-described bulk heterojunction layer is sandwiched between them. A so-called p-i-n configuration may be applied. As a result, the rectification of holes and electrons as generated carriers becomes higher, loss due to recombination of charge-separated holes and electrons is reduced, and higher photoelectric conversion efficiency can be obtained.
(p型半導体材料)
光電変換層(バルクヘテロジャンクション層)に用いられるp型半導体材料としては、種々の縮合多環芳香族低分子化合物や共役系ポリマー・オリゴマーが挙げられる。
(P-type semiconductor material)
Examples of the p-type semiconductor material used for the photoelectric conversion layer (bulk heterojunction layer) include various condensed polycyclic aromatic low molecular compounds and conjugated polymers / oligomers.
縮合多環芳香族低分子化合物としては、例えば、ペンタセンやその誘導体、ポルフィリンやフタロシアニン、銅フタロシアニンやこれらの誘導体などが挙げられる。 Examples of the condensed polycyclic aromatic low-molecular compound include pentacene and derivatives thereof, porphyrin and phthalocyanine, copper phthalocyanine and derivatives thereof.
共役系ポリマーとしては、例えば、ポリ3−ヘキシルチオフェン(P3HT)等のポリチオフェン及びそのオリゴマー、ポリチオフェン−チエノチオフェン共重合体、ポリチオフェン−ジケトピロロピロール共重合体、ポリチオフェン−チアゾロチアゾール共重合体,Nature Mat.vol.6(2007),p497に記載のPCPDTBT等のようなポリチオフェン共重合体、ポリピロール及びそのオリゴマー、ポリアニリン、ポリフェニレン及びそのオリゴマー、ポリフェニレンビニレン及びそのオリゴマー、ポリチエニレンビニレン及びそのオリゴマー、ポリアセチレン、ポリジアセチレン、ポリシラン、ポリゲルマン等のσ共役系ポリマー、等のポリマー材料が挙げられる。 Examples of the conjugated polymer include polythiophene such as poly-3-hexylthiophene (P3HT) and oligomers thereof, polythiophene-thienothiophene copolymer, polythiophene-diketopyrrolopyrrole copolymer, polythiophene-thiazolothiazole copolymer, Nature Mat. vol. 6 (2007), p497 described in PCPDTBT, polypyrrole and its oligomer, polyaniline, polyphenylene and its oligomer, polyphenylene vinylene and its oligomer, polythienylene vinylene and its oligomer, polyacetylene, polydiacetylene, Examples thereof include polymer materials such as σ-conjugated polymers such as polysilane and polygermane.
(n型半導体材料)
光電変換層(バルクヘテロジャンクション層)に用いられるn型半導体材料としては、特に限定されないが、例えば、フラーレン、オクタアザポルフィリン等、p型半導体のパーフルオロ体(パーフルオロペンタセンやパーフルオロフタロシアニン等)、ナフタレンテトラカルボン酸無水物、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド、ペリレンテトラカルボン酸無水物、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド等の芳香族カルボン酸無水物やそのイミド化物を骨格として含む高分子化合物等を挙げることが出来る。
(N-type semiconductor material)
The n-type semiconductor material used for the photoelectric conversion layer (bulk heterojunction layer) is not particularly limited. For example, fullerene, octaazaporphyrin, and other p-type semiconductor perfluoro compounds (perfluoropentacene, perfluorophthalocyanine, etc.), Examples thereof include aromatic carboxylic acid anhydrides such as naphthalenetetracarboxylic acid anhydride, naphthalenetetracarboxylic acid diimide, perylenetetracarboxylic acid anhydride, and perylenetetracarboxylic acid diimide, and polymer compounds containing an imidized product thereof as a skeleton. .
有機ELパネル及び有機PVパネルの構成に使用する共通材料に付き説明する。 A common material used for the configuration of the organic EL panel and the organic PV panel will be described.
(正孔注入・輸送層、電子ブロック層)
正孔注入・輸送層、電子ブロック層に用いられる材料としては、フタロシアニン誘導体、ヘテロ環アゾール類、芳香族三級アミン類、ポリビニルカルバゾール、ポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸(PEDOT:PSS)などに代表される導電性高分子等の高分子材料が、又、発光層に用いられる、例えば、4,4′−ジカルバゾリルビフェニル、1,3−ジカルバゾリルベンゼン等のカルバゾール系発光材料、(ジ)アザカルバゾール類、1,3,5−トリピレニルベンゼンなどのピレン系発光材料に代表される低分子発光材料、ポリフェニレンビニレン類、ポリフルオレン類、ポリビニルカルバゾール類などに代表される高分子発光材料などが挙げられる。
(Hole injection / transport layer, electron block layer)
Materials used for the hole injection / transport layer and the electron blocking layer include phthalocyanine derivatives, heterocyclic azoles, aromatic tertiary amines, polyvinylcarbazole, polyethylenedioxythiophene / polystyrene sulfonic acid (PEDOT: PSS), etc. Represented polymer materials such as conductive polymers are also used in the light-emitting layer. For example, carbazole-based light-emitting materials such as 4,4′-dicarbazolylbiphenyl and 1,3-dicarbazolylbenzene , (Di) azacarbazoles, low molecular light emitting materials typified by pyrene-based luminescent materials such as 1,3,5-tripyrenylbenzene, polyphenylene vinylenes, polyfluorenes, polyvinyl carbazoles Examples thereof include molecular light emitting materials.
本発明においては、目的に応じて、正孔注入層と正孔輸送層を積層形成してもよく、正孔の輸送性と電極との接合において最適な材料を選択すればよい。 In the present invention, a hole injection layer and a hole transport layer may be laminated according to the purpose, and an optimum material may be selected for the hole transport property and the bonding between the electrodes.
又、本発明においては、逆のキャリアである電子をブロックする機能を有し、電荷の選択性を向上させる様な材料を選択してもよい。 In the present invention, a material that has a function of blocking electrons as reverse carriers and improves the selectivity of charges may be selected.
正孔注入・輸送層、電子ブロック層の各層の好ましい膜厚範囲としては、0.1nmから100nmが好ましく、5nmから70nmがより好ましく、10nmから50nmが最も好ましい。 A preferable film thickness range of each of the hole injection / transport layer and the electron blocking layer is preferably 0.1 nm to 100 nm, more preferably 5 nm to 70 nm, and most preferably 10 nm to 50 nm.
(電子注入・輸送層、正孔ブロック層)
電子注入・輸送層材料としては、種々のn型材料を用いることが出来る。本発明の有機エレクトロニクスパネルに好ましく用いることが出来る材料の例としては、8−ヒドロキシキノリナートリチウム、ビス(8−ヒドロキシキノリナート)亜鉛等の金属錯体化合物若しくは以下に挙げられる含窒素五員環誘導体がある。即ち、オキサゾール、チアゾール、オキサジアゾール、チアジアゾール若しくはトリアゾール誘導体が好ましい。具体的には、2,5−ビス(1−フェニル)−1,3,4−オキサゾール、2,5−ビス(1−フェニル)−1,3,4−チアゾール、2,5−ビス(1−フェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、2−(4′−tert−ブチルフェニル)−5−(4″−ビフェニル)1,3,4−オキサジアゾール、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾール、1,4−ビス[2−(5−フェニルオキサジアゾリル)]ベンゼン、1,4−ビス[2−(5−フェニルオキサジアゾリル)−4−tert−ブチルベンゼン]、2−(4′−tert−ブチルフェニル)−5−(4″−ビフェニル)−1,3,4−チアジアゾール、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−チアジアゾール、1,4−ビス[2−(5−フェニルチアジアゾリル)]ベンゼン、2−(4′−tert−ブチルフェニル)−5−(4″−ビフェニル)−1,3,4−トリアゾール、2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−トリアゾール、1,4−ビス[2−(5−フェニルトリアゾリル)]ベンゼン等が挙げられる。
(Electron injection / transport layer, hole blocking layer)
Various n-type materials can be used as the electron injection / transport layer material. Examples of materials that can be preferably used in the organic electronics panel of the present invention include metal complex compounds such as 8-hydroxyquinolinate lithium and bis (8-hydroxyquinolinate) zinc, or nitrogen-containing five-membered rings listed below. There are derivatives. That is, oxazole, thiazole, oxadiazole, thiadiazole or triazole derivatives are preferred. Specifically, 2,5-bis (1-phenyl) -1,3,4-oxazole, 2,5-bis (1-phenyl) -1,3,4-thiazole, 2,5-bis (1 -Phenyl) -1,3,4-oxadiazole, 2- (4′-tert-butylphenyl) -5- (4 ″ -biphenyl) 1,3,4-oxadiazole, 2,5-bis ( 1-naphthyl) -1,3,4-oxadiazole, 1,4-bis [2- (5-phenyloxadiazolyl)] benzene, 1,4-bis [2- (5-phenyloxadiazolyl) -4-tert-butylbenzene], 2- (4'-tert-butylphenyl) -5- (4 "-biphenyl) -1,3,4-thiadiazole, 2,5-bis (1-naphthyl) -1 , 3,4-thiadiazole, 1,4-bis [2- (5-phenyl) Asiazolyl)] benzene, 2- (4′-tert-butylphenyl) -5- (4 ″ -biphenyl) -1,3,4-triazole, 2,5-bis (1-naphthyl) -1,3,4 -Triazole, 1,4-bis [2- (5-phenyltriazolyl)] benzene and the like.
更に上述の化合物以外にも、フラーレン類、カーボンナノチューブ類、p型半導体のパーフルオロ体(パーフルオロペンタセンやパーフルオロフタロシアニン等)、及び酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ガリウム等のn型無機酸化物などを用いることも本発明において好ましい。 In addition to the above-mentioned compounds, fullerenes, carbon nanotubes, p-type semiconductor perfluoro compounds (perfluoropentacene, perfluorophthalocyanine, etc.), and n-type inorganic oxides such as titanium oxide, zinc oxide, gallium oxide, etc. It is also preferable in the present invention to use.
本発明においては、目的に応じて、電子注入層と電子輸送層を積層形成してもよく、電子の輸送性と電極との接合において最適な材料を選択すればよい。 In the present invention, an electron injection layer and an electron transport layer may be laminated according to the purpose, and an optimal material may be selected in connection with electron transport properties and electrodes.
又、本発明においては、逆のキャリアである電子をブロックする機能を有し、電荷の選択性を向上させる様な材料を選択してもよい。 In the present invention, a material that has a function of blocking electrons as reverse carriers and improves the selectivity of charges may be selected.
電子注入・輸送層、正孔ブロック層の各層の好ましい膜厚範囲としては、0.1nmから100nmが好ましく、5nmから80nmがより好ましく、10nmから60nmが最も好ましい。 A preferable film thickness range of each of the electron injection / transport layer and the hole blocking layer is preferably 0.1 nm to 100 nm, more preferably 5 nm to 80 nm, and most preferably 10 nm to 60 nm.
電子注入層(バッファ層)においては、リチウム、カリウム、ナトリウム、セシウム等のイオンを含むハロゲン化物、例えば、フッ化リチウムや、フッ化カリウム等を積層させ、電極との接合を向上させる構成が本発明において特に好ましい。 The electron injection layer (buffer layer) has a structure in which halides containing ions such as lithium, potassium, sodium, and cesium, for example, lithium fluoride, potassium fluoride, and the like are stacked to improve the bonding with the electrode. Particularly preferred in the invention.
これら無機材料からなる電子注入材料を用いる場合は、主にシャドウマスクを通した蒸着法によりパターニング製膜することが好ましいが、溶液として製膜出来る場合は、生産性の点で塗布製膜することがより好ましい。 When using these electron-injecting materials made of inorganic materials, it is preferable to form a film by patterning mainly by vapor deposition through a shadow mask, but if it can be formed as a solution, it should be formed by coating from the viewpoint of productivity. Is more preferable.
蒸着法の場合は、前述した拭き取りパターニングを行った後に蒸着製膜する製法が本発明において特に好ましい。 In the case of a vapor deposition method, the manufacturing method which forms a vapor deposition film after performing the wiping patterning mentioned above is especially preferable in this invention.
(有機機能層の形成方法)
各有機機能層の形成方法としては、蒸着等により形成出来るが、製膜速度の点から塗布及び印刷等が好ましい。使用する塗布方法に制限はないが、例えば、ダイコート法、スピン塗布、転写塗布、エクストリュージョン塗布、ブレードコート法、ワイヤーバーコート法、グラビアコート法、スプレーコート法等が挙げられる。又、印刷は、スクリーン印刷、オフセット印刷、インクジェット印刷等が使用出来る。塗布後は残留溶媒及び水分、ガスの除去、及び半導体材料の移動度向上のために加熱乾燥アニールを行うことが好ましい。
(Formation method of organic functional layer)
As a method for forming each organic functional layer, it can be formed by vapor deposition or the like, but coating and printing are preferable from the viewpoint of film forming speed. Although there is no restriction | limiting in the coating method to be used, For example, die coating method, spin coating, transfer coating, extrusion coating, blade coating method, wire bar coating method, gravure coating method, spray coating method etc. are mentioned. Moreover, screen printing, offset printing, inkjet printing, etc. can be used for printing. After coating, it is preferable to perform heat drying annealing in order to remove residual solvent and moisture, gas, and improve the mobility of the semiconductor material.
(有機機能層形成用塗布液に使用する溶媒)
各有機材料には溶解特性(溶解パラメータやイオン化ポテンシャル、極性)がそれぞれにあり、溶解出来る溶媒には限定がある。又その際には溶解度もそれぞれ違うため、一概に濃度も決めることが出来ないが、本発明において用いられる溶媒の種類は、成膜しようとする有機材料に応じて、前記の条件に適ったものを、公知の溶媒から選択すればよく、例えば、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素、テトラクロロエタン、トリクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエン等のハロゲン系炭化水素系溶媒や、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソールなどのエーテル系溶媒、メタノールや、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、シクロヘキサノール,2−メトキシエタノール、エチレングリコール、グリセリン等のアルコール系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ヘキサン、オクタン、デカン、テトラリン等のパラフィン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミルなどのエステル系溶媒、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン等のアミド系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、イソホロン等のケトン系溶媒、ピリジン、キノリン、アニリン等のアミン系溶媒、アセトニトリル、バレロニトリル等のニトリル系溶媒、チオフェン、二硫化炭素などの硫黄系溶媒が挙げられる。尚、使用可能な溶媒は、これらに限るものではなく、これらを二種以上混合して溶媒として用いてもよい。
(Solvent used for coating liquid for organic functional layer formation)
Each organic material has solubility characteristics (solubility parameters, ionization potential, polarity), and there are limitations on the solvents that can be dissolved. In this case, since the solubility is different, the concentration cannot be generally determined. However, the type of the solvent used in the present invention is suitable for the above conditions depending on the organic material to be deposited. May be selected from known solvents, for example, halogenated hydrocarbon solvents such as dichloromethane, dichloroethane, chloroform, carbon tetrachloride, tetrachloroethane, trichloroethane, chlorobenzene, dichlorobenzene, chlorotoluene, dibutyl ether, tetrahydrofuran, Ether solvents such as dioxane and anisole, methanol, alcohol solvents such as ethanol, isopropanol, butanol, cyclohexanol, 2-methoxyethanol, ethylene glycol, glycerin, benzene, toluene, xylene, ethylbenzene, etc. Aromatic hydrocarbon solvents, paraffin solvents such as hexane, octane, decane and tetralin, ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate and amyl acetate, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N- Amide solvents such as methylpyrrolidone, ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone and isophorone, amine solvents such as pyridine, quinoline and aniline, nitrile solvents such as acetonitrile and valeronitrile, sulfur such as thiophene and carbon disulfide And system solvents. In addition, the solvent which can be used is not restricted to these, You may mix and use 2 or more types of these as a solvent.
これらの内、好ましい例としては、有機エレクトロニクスパネルに用いられる材料の良溶媒としては、例えば芳香族系溶媒、ハロゲン系溶媒、エーテル系溶媒などであり、好ましくは、芳香族系溶媒、エーテル系溶媒である。又、貧溶媒としては、アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、パラフィン系溶媒などが挙げられ、中でもアルコール系溶媒、パラフィン系溶媒である。 Of these, preferable examples of the good solvent for the material used in the organic electronics panel include, for example, aromatic solvents, halogen solvents, ether solvents, and preferably aromatic solvents, ether solvents. It is. Examples of the poor solvent include alcohol solvents, ketone solvents, paraffin solvents, and the like. Among them, alcohol solvents and paraffin solvents are used.
尚、これらの有機物層を塗布等によって積層する場合、下層にあたる層を溶解しないよう、材料や、溶媒を選択することが必要である。 In addition, when laminating | stacking these organic substance layers by application | coating etc., it is necessary to select a material and a solvent so that the lower layer may not be dissolved.
又、その為、これら有機物層の材料を積極的に架橋させるなどして不溶化させる構成も好ましく用いることが出来る。例えばビニル基のような重合性基或いは架橋基を持ち、加熱或いは光照射等によって、前記の構造単位をそれぞれ有する重合体・若しくは架橋構造を形成するものを用いることが出来る。これにより重層による膜の溶解、界面の乱れ等を抑えることが出来る。 For this reason, a structure in which the material of the organic layer is insolubilized by positively crosslinking it can be preferably used. For example, a polymer having a polymerizable group such as a vinyl group or a cross-linking group and forming a polymer or a cross-linked structure having the above-described structural units by heating or light irradiation can be used. As a result, dissolution of the film due to the multilayer, disturbance of the interface, and the like can be suppressed.
(第1電極)
第1電極は、陰極、陽極は特に限定せず、素子構成により選択することが出来るが、好ましくは透明電極を陽極として用いることである。例えば、陽極として用いる場合、好ましくは380nmから800nmの光を透過する電極である。材料としては、4eVより大きな(深い)仕事関数を持つものが適しており、例えば、インジウムチンオキシド(ITO)、SnO2、ZnO等の透明導電性金属酸化物、金、銀、白金等の金属薄膜、金属ナノワイヤー、カーボンナノチューブ等を用いることが出来る。
(First electrode)
The first electrode is not particularly limited to a cathode and an anode, and can be selected depending on the element structure, but preferably a transparent electrode is used as the anode. For example, when used as an anode, it is preferably an electrode that transmits light from 380 nm to 800 nm. A material having a work function larger (deep) than 4 eV is suitable as a material, for example, a transparent conductive metal oxide such as indium tin oxide (ITO), SnO 2 , or ZnO, or a metal such as gold, silver, or platinum. Thin films, metal nanowires, carbon nanotubes, and the like can be used.
(第2電極)
第2電極は陰極、陽極は特に限定せず、素子構成により選択することが出来るが、好ましくは透明電極を陽極として用いることである。例えば、陰極として用いる場合、好ましくは仕事関数が4eV以下(浅い)の金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。この様な電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、有機機能層との電気的な接合、及び酸化等に対する耐久性の点から、これら金属とこれより仕事関数の値が大きく(深く)安定な金属である第二の金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム単独等が好適である。
(Second electrode)
The second electrode is not particularly limited to a cathode and an anode, and can be selected depending on the element configuration, but preferably a transparent electrode is used as the anode. For example, when used as a cathode, it is preferable to use a metal, an alloy, an electrically conductive compound having a work function of 4 eV or less (shallow), and a mixture thereof as an electrode material. Specific examples of such electrode materials include sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium / copper mixture, magnesium / silver mixture, magnesium / aluminum mixture, magnesium / indium mixture, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) Mixtures, indium, lithium / aluminum mixtures, rare earth metals and the like. Among these, from the viewpoint of electrical bonding with the organic functional layer and durability against oxidation, etc., these metals and the second metal, which is a stable metal having a larger (deep) work function value than this, Mixtures such as magnesium / silver mixtures, magnesium / aluminum mixtures, magnesium / indium mixtures, aluminum / aluminum oxide (Al 2 O 3 ) mixtures, lithium / aluminum mixtures, aluminum alone and the like are suitable.
第2電極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することが出来る。又、膜厚は通常10nmから5μm、好ましくは50nmから200nmの範囲で選ばれる。 The second electrode can be produced by forming a thin film of these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering. The film thickness is usually selected in the range of 10 nm to 5 μm, preferably 50 nm to 200 nm.
第2電極として反射率の高い金属材料を用いれば、例えば有機EL素子において、発光した光の一部を反射して外部に取り出すことが出来、又、有機PV素子においては、光電変換層を通過した光を反射し、再度、光電変換層に戻すことで光路長を稼ぐ効果が得られ、何れにおいても外部量子効率の向上が期待出来る。 If a highly reflective metal material is used as the second electrode, for example, in an organic EL element, a part of the emitted light can be reflected and taken out to the outside, and the organic PV element passes through a photoelectric conversion layer. The effect of increasing the optical path length can be obtained by reflecting the reflected light and returning it to the photoelectric conversion layer again, and in any case, improvement of the external quantum efficiency can be expected.
更に、金属(例えば金、銀、銅、白金、ロジウム、ルテニウム、アルミニウム、マグネシウム、インジウム等)、又は炭素からなるナノ粒子、ナノワイヤー、ナノ構造体であってもよく、ナノ粒子やナノワイヤーの高分散性なペーストであれば、透明で導電性の高い対電極を塗布法や印刷法により形成出来好ましい。 Furthermore, it may be a metal (for example, gold, silver, copper, platinum, rhodium, ruthenium, aluminum, magnesium, indium, etc.) or a nanoparticle, nanowire, or nanostructure made of carbon. A highly dispersible paste is preferable because a transparent and highly conductive counter electrode can be formed by a coating method or a printing method.
又、対電極側を光透過性とする場合は、例えば、アルミニウム及びアルミニウム合金、銀及び銀化合物等の対電極に適した導電性材料を薄く1nmから20nm程度の膜厚で作製した後、上記透明電極の説明で挙げた導電性光透過性材料の膜を設けることで、光透過性の電極とすることも出来る。 Further, when the counter electrode side is made light transmissive, for example, a conductive material suitable for the counter electrode such as aluminum and aluminum alloy, silver and silver compound is formed with a thin film thickness of about 1 nm to 20 nm, and then By providing a film of the conductive light-transmitting material mentioned in the description of the transparent electrode, a light-transmitting electrode can be obtained.
(基材)
基材としては、発光した光、若しくは起電力を発生させるための光を透過させることが可能な、即ちこれら光の波長に対して透明な部材であることが好ましい。本発明で用いることが出来る基材の例としては、ガラス基板や樹脂基材等が好適に挙げられるが、軽量性と柔軟性の観点から透明樹脂フィルムを用いることが望ましい。
(Base material)
The base material is preferably a member capable of transmitting emitted light or light for generating electromotive force, that is, a member transparent to the wavelength of these lights. Preferred examples of the substrate that can be used in the present invention include a glass substrate and a resin substrate, but it is desirable to use a transparent resin film from the viewpoint of lightness and flexibility.
透明樹脂フィルムには特に制限がなく、その材料、形状、構造、厚み等については公知のものの中から適宜選択することが出来る。例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)変性ポリエステル等のポリエステル系樹脂フィルム、ポリエチレン(PE)樹脂フィルム、ポリプロピレン(PP)樹脂フィルム、ポリスチレン樹脂フィルム、環状オレフィン系樹脂等のポリオレフィン類樹脂フィルム、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂フィルム、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)樹脂フィルム、ポリサルホン(PSF)樹脂フィルム、ポリエーテルサルホン(PES)樹脂フィルム、ポリカーボネート(PC)樹脂フィルム、ポリアミド樹脂フィルム、ポリイミド樹脂フィルム、アクリル樹脂フィルム、トリアセチルセルロース(TAC)樹脂フィルム等を挙げることが出来るが、可視域の波長(380〜800nm)における透過率が80%以上である樹脂フィルムであれば、本発明に係る透明樹脂フィルムに好ましく適用することが出来る。中でも透明性、耐熱性、取り扱いやすさ、強度及びコストの点から、二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム、二軸延伸ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリエーテルサルホンフィルム、ポリカーボネートフィルムであることが好ましく、二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム、二軸延伸ポリエチレンナフタレートフィルムであることがより好ましい。 There is no restriction | limiting in particular in a transparent resin film, About the material, a shape, a structure, thickness, etc., it can select suitably from well-known things. For example, polyester resins such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN) modified polyester, polyethylene (PE) resin film, polypropylene (PP) resin film, polystyrene resin film, polyolefin resins such as cyclic olefin resin Film, vinyl resin film such as polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, polyether ether ketone (PEEK) resin film, polysulfone (PSF) resin film, polyether sulfone (PES) resin film, polycarbonate (PC) resin film, A polyamide resin film, a polyimide resin film, an acrylic resin film, a triacetyl cellulose (TAC) resin film, and the like can be given. If the resin film transmittance of 80% or more at ~800nm), can be preferably applied to a transparent resin film according to the present invention. Among these, from the viewpoint of transparency, heat resistance, ease of handling, strength and cost, it is preferably a biaxially stretched polyethylene terephthalate film, a biaxially stretched polyethylene naphthalate film, a polyethersulfone film, or a polycarbonate film, and biaxially stretched. More preferred are polyethylene terephthalate films and biaxially stretched polyethylene naphthalate films.
本発明に用いられる透明基材には、塗布液の濡れ性や接着性を確保するために、表面処理を施すことや易接着層を設けることが出来る。表面処理や易接着層については従来公知の技術を使用出来る。例えば、表面処理としては、コロナ放電処理、火炎処理、紫外線処理、高周波処理、グロー放電処理、活性プラズマ処理、レーザー処理等の表面活性化処理を挙げることが出来る。又、易接着層としては、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ビニル系共重合体、ブタジエン系共重合体、アクリル系共重合体、ビニリデン系共重合体、エポキシ系共重合体等を挙げることが出来る。 The transparent substrate used in the present invention can be subjected to a surface treatment or an easy adhesion layer in order to ensure the wettability and adhesiveness of the coating solution. A conventionally well-known technique can be used about a surface treatment or an easily bonding layer. For example, the surface treatment includes surface activation treatment such as corona discharge treatment, flame treatment, ultraviolet treatment, high frequency treatment, glow discharge treatment, active plasma treatment, and laser treatment. Examples of the easy-adhesion layer include polyester, polyamide, polyurethane, vinyl copolymer, butadiene copolymer, acrylic copolymer, vinylidene copolymer, and epoxy copolymer.
又、酸素及び水蒸気の透過を抑制する目的で、透明基材にはバリアコート層(例えば、ガスバリア性の高い無機薄膜(酸化ケイ素、酸化アルミニウム等))が予め形成されていてもよいし、透明導電層を製膜する側、又は反対側にハードコート層が予め形成されていてもよい。 Further, for the purpose of suppressing the permeation of oxygen and water vapor, a barrier coat layer (for example, an inorganic thin film having high gas barrier properties (silicon oxide, aluminum oxide, etc.)) may be formed on the transparent substrate in advance, or transparent A hard coat layer may be formed in advance on the side on which the conductive layer is formed or on the opposite side.
(封止)
作製した有機光電変換素子が大気中の酸素、水分等で劣化しないように、有機EL素子や有機PV素子では、公知の手法によって封止することが好ましい。例えば、薄膜のアルミニウム、酸化ケイ素、酸化アルミニウム等のガスバリア層が形成されたプラスチックフィルムと有機エレクトロニクスパネルの上を接着剤やUV硬化・熱硬化樹脂等で封止接着し貼合する手法、ガスバリア性の高い有機高分子材料(ポリビニルアルコール等)をスピンコートする方法、ガスバリア性の高い無機薄膜(酸化ケイ素、酸化アルミニウム等)又は有機膜(パリレン等)を真空下や大気下でスパッタ法やCVD法などで堆積する方法、及びこれらを複合的に積層する方法等を挙げることが出来る。
(Sealing)
In order to prevent the produced organic photoelectric conversion element from being deteriorated by oxygen, moisture, etc. in the atmosphere, it is preferable to seal the organic EL element and the organic PV element by a known method. For example, a method of sealing and bonding a plastic film on which a gas barrier layer such as a thin film of aluminum, silicon oxide, or aluminum oxide is formed and an organic electronics panel with an adhesive, UV curable / thermosetting resin, etc., gas barrier properties Spin coating of organic polymer materials (polyvinyl alcohol, etc.) with high viscosity, sputtering methods and CVD methods for inorganic thin films (silicon oxide, aluminum oxide, etc.) or organic films (parylene, etc.) with high gas barrier properties under vacuum or air The method of depositing by these, the method of laminating | stacking these compositely, etc. can be mentioned.
更に本発明においては、素子寿命向上の観点から、基材を含む有機エレクトロニクスパネル全体を2枚のバリア付き基材でラミネート封止した構成でもよく、好ましくは、水分ゲッター等を同封した構成であっても構わない。 Furthermore, in the present invention, from the viewpoint of improving the lifetime of the element, the entire organic electronics panel including the base material may be laminated and sealed with two base materials with a barrier, and preferably a configuration in which a moisture getter or the like is enclosed. It doesn't matter.
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples, but the present invention is not limited thereto.
実施例1
図2に示す有機エレクトロニクスパネルを製造する製造工程を使用して、図1に示される構成の有機エレクトロニクスパネルとして有機PVパネルを以下に示す方法で作製する時、表1に示す様に樹脂フィルム、基材の種類を変えて有機PVパネルを作製した。
Example 1
When manufacturing the organic PV panel as the organic electronics panel having the structure shown in FIG. 1 using the manufacturing process for manufacturing the organic electronics panel shown in FIG. 2, the resin film as shown in Table 1, Organic PV panels were produced by changing the type of substrate.
有機PVパネルの層構成は、基材/第1電極(陽極)/有機機能層(正孔注入層/正孔輸送層/光電変換層/電子注入層)/第2電極(陰極)/封止層とした。 The layer structure of the organic PV panel is: base material / first electrode (anode) / organic functional layer (hole injection layer / hole transport layer / photoelectric conversion layer / electron injection layer) / second electrode (cathode) / sealing. Layered.
〈樹脂フィルムAの準備〉
厚さ100μm、幅180mm、長さ10mのポリエチレンテレフタレートフィルム(帝人・デュポン社製フィルム、以下、PETフィルムと略記する)を樹脂フィルムAとして準備した。
<Preparation of resin film A>
A polyethylene terephthalate film (Teijin-DuPont film, hereinafter abbreviated as PET film) having a thickness of 100 μm, a width of 180 mm, and a length of 10 m was prepared as a resin film A.
〈樹脂フィルムBの準備〉
図6(a)に示す製造工程を使用し表面に図6(b)に示す様な微細構造を有する樹脂層と基材フィルムとから構成される帯状の樹脂フィルムを製造し樹脂フィルムBとして準備した。
<Preparation of resin film B>
A belt-shaped resin film composed of a resin layer having a fine structure as shown in FIG. 6B on the surface and a base film is manufactured using the manufacturing process shown in FIG. did.
(基材フィルムの準備)
樹脂フィルムBの基材フィルムとして、厚さ100μm、幅180mm、長さ10mのPETフィルムを基材フィルムとして準備した。
(Preparation of base film)
As a base film of the resin film B, a PET film having a thickness of 100 μm, a width of 180 mm, and a length of 10 m was prepared as a base film.
(樹脂層形成用の活性エネルギー線硬化型樹脂の準備)
活性エネルギー線硬化型樹脂として、紫外線硬化型樹脂であるアクリル系樹脂PAK02(東洋合成工業(株)製)を準備した。
(Preparation of active energy ray-curable resin for resin layer formation)
As an active energy ray curable resin, an acrylic resin PAK02 (manufactured by Toyo Gosei Co., Ltd.), which is an ultraviolet curable resin, was prepared.
(微細構造の形成)
押出しコーターを使用し、厚さ50μmの樹脂層を形成した後、ロールナノインプリント法にて樹脂層の表面全面に、下記の微細構造を形成した。
(Formation of fine structure)
After forming a 50 μm thick resin layer using an extrusion coater, the following microstructure was formed on the entire surface of the resin layer by the roll nanoimprint method.
微細構造
ピッチ:70nm
アスペクト比:1
凸部の断面形状:円柱形状
〈基材1の準備〉
厚さ100μm、幅180mmのポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム(帝人・デュポン社製)を基材1として準備した。
Microstructure Pitch: 70nm
Aspect ratio: 1
Cross-sectional shape of convex portion: cylindrical shape <Preparation of base material 1>
A polyethylene terephthalate (PET) film (manufactured by Teijin / DuPont) having a thickness of 100 μm and a width of 180 mm was prepared as the substrate 1.
〈基材2の準備〉
準備した基材1と同じ基材を使用し、5×10−2Paまで減圧させた真空環境条件でスパッタリング法により、厚さ60nmのバリア層(主にSiO2からなる層)を両面に形成させ基材2として準備した。
<Preparation of base material 2>
Using the same base material as the prepared base material 1, a barrier layer (mainly SiO 2 layer) having a thickness of 60 nm is formed on both surfaces by a sputtering method under vacuum environment conditions reduced to 5 × 10 −2 Pa. The base material 2 was prepared.
〈試料No.101の作製〉
(正孔注入層の形成(第1有機機能層の形成))
(正孔注入層形成用塗布液の調製)
ポリエチレンジオキシチオフェン・ポリスチレンスルホネート(PEDOT/PSS、Bayer社製 Bytron P AI 4083)を40質量%に対し、純水30質量%、イソプロパノール30質量%で希釈し正孔注入層形成用塗布液を調製した。
<Sample No. 101 Production>
(Formation of hole injection layer (formation of first organic functional layer))
(Preparation of hole injection layer forming coating solution)
Polyethylenedioxythiophene / polystyrenesulfonate (PEDOT / PSS, Baytron P AI 4083 manufactured by Bayer) is diluted with 40% by mass with 30% by mass of pure water and 30% by mass of isopropanol to prepare a coating solution for forming a hole injection layer. did.
(正孔注入層形成用塗布液の塗布)
準備した樹脂フィルムAの上に調製した正孔注入層形成用塗布液をスリットコーターを使用して塗布し、続けて150℃で15分間乾燥・加熱処理し膜厚が30nmの正孔注入層を形成した後、ロール状に巻き取り保管した。尚、塗布速度は、5m/分とした。膜厚は、ジョバンイボン社製分光エリプソメータを使用し測定した値を示す。
(Application of hole injection layer forming coating solution)
The hole injection layer forming coating solution prepared on the prepared resin film A is applied using a slit coater, followed by drying and heat treatment at 150 ° C. for 15 minutes to form a hole injection layer having a thickness of 30 nm. After forming, it was wound up and stored in a roll. The coating speed was 5 m / min. The film thickness is a value measured using a spectroscopic ellipsometer manufactured by Joban Yvon.
(第1電極(陽極)の形成)
(第1電極(陽極)形成用塗布液の調製)
Y.Sun,B.Gates,B.Mayers,Y.Xia,Nanoletters誌2巻,p.165などに記載されたポリオール法にもとづいて、PVP存在下のエチレングリコールに溶解した硝酸銀を還元し、Agナノワイヤー(線径35nm、長さ2μm)を作製した。エチレングリコールとPVPの添加により分散質濃度を調整し、Agナノワイヤーを0.2質量%、PVPを1質量%として、第1電極(陽極)形成用塗布液とした。
(Formation of the first electrode (anode))
(Preparation of coating solution for forming the first electrode (anode))
Y. Sun, B.D. Gates, B.B. Mayers, Y.M. Xia, Nanoletters, Vol. 2, p. Based on the polyol method described in 165 and the like, silver nitrate dissolved in ethylene glycol in the presence of PVP was reduced to produce Ag nanowires (wire diameter: 35 nm, length: 2 μm). Dispersoid concentration was adjusted by adding ethylene glycol and PVP, and Ag nanowire was 0.2% by mass and PVP was 1% by mass to obtain a coating solution for forming the first electrode (anode).
(第1電極(陽極)形成用塗布液の塗布)
準備した正孔注入層を形成した樹脂フィルムAの正孔注入層の上に、押出しコーターを使用して全面に塗布し、続けて150℃で15分間乾燥・加熱処理し膜厚が30nmの第1電極(陽極)を形成しロール状に巻き取り保管した。尚、塗布速度は、5m/分とした。膜厚は、ジョバンイボン社製分光エリプソメータを使用し測定した値を示す。
(Application of coating solution for forming the first electrode (anode))
On the hole injection layer of the resin film A on which the prepared hole injection layer was formed, the whole surface was coated using an extrusion coater, followed by drying and heat treatment at 150 ° C. for 15 minutes, and a film thickness of 30 nm. One electrode (anode) was formed and wound into a roll and stored. The coating speed was 5 m / min. The film thickness is a value measured using a spectroscopic ellipsometer manufactured by Joban Yvon.
(第1電極(陽極)のパターニング)
スクリーン印刷法にて、電極の幅が10mm、間隔が1mmの75mm×150mmの大きさの第1電極(陽極)を正孔注入層の上に間隔を15mmで幅方向に2列、長さ方向に連続して形成した。
(Patterning of the first electrode (anode))
In the screen printing method, the first electrode (anode) having a size of 75 mm × 150 mm with an electrode width of 10 mm and an interval of 1 mm is arranged on the hole injection layer with an interval of 15 mm and two rows in the width direction. Formed continuously.
(基材1の貼合)
準備した第1電極(陽極)までを形成した樹脂フィルムAの第1電極(陽極)の上に厚さ15μmで、紫外線硬化型の液状シール剤(ThreeBond3124C(株)スリーボンド製)をスクリーン印刷法にて塗設し、引き続き準備した基材1を積重し、1×10−2Paの減圧環境下で押圧力0.1MPaで圧着し、基材1側より主波長365nmの紫外線を照射(100mW/cm2で90sec)により硬化処理し貼合した後、ロール状に巻き取り保管した。
(Lamination of substrate 1)
On the first electrode (anode) of the resin film A formed up to the prepared first electrode (anode), a 15 μm thick UV curable liquid sealant (ThreeBond 3124C, manufactured by ThreeBond Co., Ltd.) is used for screen printing Subsequently, the prepared base materials 1 are stacked, pressed under pressure of 0.1 MPa in a reduced pressure environment of 1 × 10 −2 Pa, and irradiated with ultraviolet light having a main wavelength of 365 nm from the base material 1 side (100 mW After being cured and pasted at 90 cm / cm 2, it was wound up and stored in a roll shape.
(樹脂フィルムAの剥離)
準備した基材1までを貼合した樹脂フィルムAから、樹脂フィルムAを剥離した。樹脂フィルムを剥離することで、接着剤/第1電極/正孔注入層がこの順番で積層された状態の基材1(PETフィルム)となる。
(Removal of resin film A)
The resin film A was peeled from the resin film A bonded to the prepared base material 1. By peeling the resin film, the base material 1 (PET film) in a state in which the adhesive / first electrode / hole injection layer is laminated in this order is obtained.
(正孔輸送層(第2有機機能層1)の形成)
(正孔輸送層形成用塗布液の調製)
正孔輸送材料1を0.5質量%含むトルエン溶液を正孔輸送層形成用塗布液として調製した。
(Formation of hole transport layer (second organic functional layer 1))
(Preparation of coating solution for hole transport layer formation)
A toluene solution containing 0.5% by mass of hole transport material 1 was prepared as a coating solution for forming a hole transport layer.
(正孔輸送層形成用塗布液の塗布)
引き続き、樹脂フィルムAを剥離した基材1の上に積層された正孔注入層の上全面に、窒素チャンバー内(25℃、露点温度−20℃以下のN2ガス環境、大気圧下で、且つ清浄度クラス5以下(JIS B 9920))で、調製した正孔輸送層形成用塗布液をスリットコーターを用いて塗布した。乾燥後、更に、窒素雰囲気下で180秒間、100Wの高圧水銀ランプでUV照射し、光重合・架橋を行い、膜厚約20nmの正孔輸送層を形成し、ロール状に巻き取り保管した。尚、塗布速度は、5m/分とした。膜厚は、正孔注入層の膜厚の測定と同じ方法で測定した値を示す。
(Application of coating liquid for hole transport layer formation)
Subsequently, on the entire upper surface of the hole injection layer laminated on the substrate 1 from which the resin film A was peeled off, in a nitrogen chamber (N 2 gas environment at 25 ° C., dew point temperature −20 ° C. or lower, under atmospheric pressure, and With the cleanliness class 5 or less (JIS B 9920), the prepared coating liquid for forming a hole transport layer was applied using a slit coater. After drying, UV irradiation was performed with a 100 W high-pressure mercury lamp for 180 seconds under a nitrogen atmosphere, photopolymerization / crosslinking was performed, a hole transport layer having a thickness of about 20 nm was formed, and the film was wound up and stored in a roll shape. The coating speed was 5 m / min. A film thickness shows the value measured by the same method as the measurement of the film thickness of a positive hole injection layer.
(光電変換層(第2有機機能層2)の形成)
(光電変換層形成用塗布液の調製)
クロロベンゼンにP3HT(プレクトロニクス社製:レジオレギュラーポリ−3−ヘキシルチオフェン)とPCBM(フロンティアカーボン社製:6,6−フェニル−C61−ブチリックアシッドメチルエステル)を3.0質量%になるように1:0.8で混合し光電変換層形成用塗布液を調製した。
(Formation of photoelectric conversion layer (second organic functional layer 2))
(Preparation of coating liquid for photoelectric conversion layer formation)
Chlorobenzene P3HT (plectrovirus Toro Nix Co., Ltd. regioregular poly-3-hexylthiophene) and PCBM (manufactured by Frontier Carbon Corporation: 6,6-phenyl -C 61 - butyric acid methyl ester) to a of 3.0 wt% Was mixed at 1: 0.8 to prepare a coating solution for forming a photoelectric conversion layer.
(光電変換層形成用塗布液の塗布)
引き続き、正孔輸送層までを形成した基材1を、窒素雰囲気下で150℃で10分間加熱処理した後、調製した光電変換層形成用塗布液を正孔輸送層上にスリットコーターを用いてフィルターでろ過しながら塗布を行い、室温で放置して乾燥させ続けて、150℃で15分間加熱処理を行い、膜厚が100nmの光電変換層を形成しロール状に巻き取り保管した。
(Coating of coating liquid for photoelectric conversion layer formation)
Subsequently, after the base material 1 having been formed up to the hole transport layer was heat-treated at 150 ° C. for 10 minutes in a nitrogen atmosphere, the prepared coating liquid for forming a photoelectric conversion layer was formed on the hole transport layer using a slit coater. The coating was applied while filtering through a filter, and the coating was left to dry at room temperature, followed by heat treatment at 150 ° C. for 15 minutes to form a photoelectric conversion layer having a film thickness of 100 nm, and wound and stored in a roll.
(電子注入層の形成)
引き続き光電変換層までを形成した基材1を、真空蒸着チャンバーに搬送し、蒸着原料としてフッ化リチウム(LiF)を使用し、5×10−4Paまで減圧させた真空条件にて、光電変換層の上にパターニングされた発電領域に重なる形で蒸着製膜し、厚さ0.6nmの電子注入層を形成した。
(Formation of electron injection layer)
Subsequently, the base material 1 formed up to the photoelectric conversion layer is transported to a vacuum deposition chamber, lithium fluoride (LiF) is used as a deposition raw material, and the photoelectric conversion is performed under a vacuum condition reduced to 5 × 10 −4 Pa. The electron-injection layer having a thickness of 0.6 nm was formed by depositing a film on the layer so as to overlap the power generation region patterned.
(第2電極の形成)
引き続き、電子注入層までを形成した基材1を、5×10−4Paまで減圧させた真空条件にて、第1電極の外部接続用電極部を除き電子注入層(第1電極の上部(発電領域))及びリード部に至る領域まで、アルミニウムを使用し蒸着法にてマスクパターン製膜し、厚さ100nmのアルミニウムからなる第2電極(陰極)を形成し図1に示される構成の有機PV素子を作製した。
(Formation of second electrode)
Subsequently, the base material 1 formed up to the electron injection layer was vacuumed under reduced pressure to 5 × 10 −4 Pa, except for the external connection electrode part of the first electrode (the upper part of the first electrode ( The power generation region)) and the region leading to the lead portion are formed by mask deposition by vapor deposition using aluminum to form a second electrode (cathode) made of aluminum having a thickness of 100 nm, and the organic structure shown in FIG. A PV element was produced.
〔封止部材の貼合〕
(接着剤層の形成)
準備した有機PV素子の第2電極の上に紫外線硬化型の液状接着剤(エポキシ系樹脂)をスクリーン印刷法にて厚さ10μmになるように塗設した。封止フィルム(凸版印刷 GXフィルム:厚み100μm)を、接着剤塗設面にロールラミネータ法により貼合し、大気圧環境化にて押圧0.1MPaでロール圧着した後、100Wの高圧水銀ランプを、照射強度15mW/cm2、距離10mmで1分間照射し固着させることで封止し有機PVパネルを作製し試料No.101とした。
[Pasting of sealing member]
(Formation of adhesive layer)
An ultraviolet curable liquid adhesive (epoxy resin) was applied on the second electrode of the prepared organic PV element to a thickness of 10 μm by screen printing. A sealing film (letter printing GX film: thickness 100 μm) was bonded to the adhesive coating surface by a roll laminator method, and after pressure-bonding at a pressure of 0.1 MPa in an atmospheric pressure environment, a 100 W high-pressure mercury lamp was attached. An organic PV panel was produced by sealing by irradiation and fixing for 15 minutes at an irradiation intensity of 15 mW / cm 2 and a distance of 10 mm. 101.
〈試料No.102の作製〉
貼合する基材を基材2に変えた他は全て試料No.101と同じ条件で有機PVパネルを作製し試料No.102とした。
<Sample No. Production of 102>
Sample No. was changed except that the base material to be bonded was changed to the base material 2. An organic PV panel was prepared under the same conditions as in
〈試料No.103の作製〉
樹脂フィルムAを樹脂フィルムBに変えた他は全て試料No.101と同じ条件で有機PVパネルを作製し試料No.103とした。
<Sample No. 103 production>
Sample No. was changed except that resin film A was changed to resin film B. An organic PV panel was prepared under the same conditions as in
〈試料No.104の作製〉
樹脂フィルムAを樹脂フィルムBに、基材1を基材2に変えた他は全て試料No.101と同じ条件で有機PVパネルを作製し試料No.104とした。
<Sample No. Production of 104>
Sample Nos. Were changed except that the resin film A was changed to the resin film B and the substrate 1 was changed to the substrate 2. An organic PV panel was prepared under the same conditions as in
〈比較試料No.105の作製〉
(基材の準備)
試料No.101の作製に使用した基材1同じ基材を使用した。
<Comparative Sample No. Production of 105>
(Preparation of base material)
Sample No. Substrate 1 used to make 101 The same substrate was used.
(第1電極(陽極)の形成)
準備した基材の上に、試料No.102の第1電極(陽極)の作製に使用した第1電極(陽極)形成塗布液と同じ第1電極(陽極)形成塗布液準備し、試料No.102と同じ塗布方法で塗布した後、同じ方法でパターニングし第1電極(陽極)を形成した。
(Formation of the first electrode (anode))
On the prepared base material, the sample No. The same first electrode (anode) forming coating solution as the first electrode (anode) forming coating solution used for the production of the first electrode (anode) of No. 102 was prepared. After coating by the same coating method as that of No. 102, patterning was performed by the same method to form a first electrode (anode).
(正孔注入層の形成)
第1電極(陽極)の上に試料No.102の作製に使用したと同じ正孔注入層形成用塗布液を試料No.102の作製と同じ方法で塗布し正孔注入層を形成した。
(Formation of hole injection layer)
Sample No. 1 was placed on the first electrode (anode). The same coating solution for forming a hole injection layer as that used for the preparation of Sample No. The hole injection layer was formed by applying in the same manner as in the preparation of 102.
(有機PVパネルの形成)
以降、正孔注入層の上に、正孔輸送層、光電変換層、電子注入層、第2電極を試料No.102と同じ条件で形成した後、試料No.102と同じ条件で封止部材を貼合し有機PVパネルを作製し比較試料No.105とした。
(Formation of organic PV panels)
Thereafter, a hole transport layer, a photoelectric conversion layer, an electron injection layer, and a second electrode are provided on the hole injection layer with sample No. After forming under the same conditions as in
(評価)
作製した試料No.101から105に付き、リーク発生の有無、リーク電流による機能低下の代用特性として直列抵抗Rs(Ωcm2)、並列抵抗Rsh(Ωcm2)、エネルギー変換効率η(%)の作製直後性能、及び保存性能(エネルギー変換効率η(%))を以下に示す方法で測定した結果を表1に示す。
(Evaluation)
The prepared sample No. Nos. 101 to 105, whether or not leaks occur, performance characteristics immediately after fabrication of series resistance Rs (Ωcm 2 ), parallel resistance Rsh (Ωcm 2 ), energy conversion efficiency η (%) as a substitute characteristic for function degradation due to leak current, and storage Table 1 shows the results of measuring performance (energy conversion efficiency η (%)) by the method shown below.
尚、作製直後とは、25℃、50%RHの環境に12時間保存した状態を言う。 The term “immediately after production” refers to a state of storage for 12 hours in an environment of 25 ° C. and 50% RH.
(作製直後性能)
直列抵抗Rs(Ωcm2)、並列抵抗Rsh(Ωcm2)の測定
予めソーラーシミュレーターは二次基準太陽電池(PV Measurements社製 RC2−G5)で校正したソーラーシミュレーター(英弘精機社製 ESS−500XIL)を使用し、AM1.5Gフィルタを用いて100mW/cm2の強度の光を照射し、有効面積を1cm2にしたマスクを受光部に重ね、ソースメーター(Keithley社製2400)で直列抵抗Rs(Ωcm2)、並列抵抗Rsh(Ωcm2)を測定した。
(Performance immediately after fabrication)
Measurement of series resistance Rs (Ωcm 2 ) and parallel resistance Rsh (Ωcm 2 ) The solar simulator is a solar simulator (ES-500XIL manufactured by Eihiro Seiki Co., Ltd.) calibrated in advance with a secondary reference solar cell (RC2-G5 manufactured by PV Measurements). Use a AM1.5G filter to irradiate light with an intensity of 100 mW / cm 2 , and overlay a mask with an effective area of 1 cm 2 on the light receiving part, and use a source meter (2400 made by Keithley) for series resistance Rs (Ωcm 2 ), parallel resistance Rsh (Ωcm 2 ) was measured.
エネルギー変換効率η(%)の測定
直列抵抗Rs(Ωcm2)、並列抵抗Rsh(Ωcm2)を測定するときに、同時に測定した、短絡電流密度Jsc(mA/cm2)及び開放電圧Voc(V)、曲線因子(フィルファクター)FFの測定結果から式1に従ってエネルギー変換効率η(%)を求めた。
Measurement of energy conversion efficiency η (%) When measuring series resistance Rs (Ωcm 2 ) and parallel resistance Rsh (Ωcm 2 ), short-circuit current density Jsc (mA / cm 2 ) and open circuit voltage Voc (V ), The energy conversion efficiency η (%) was obtained from the measurement result of the fill factor FF according to Equation 1.
(式1) η(%)=Jsc(mA/cm2)×Voc(V)×FF
(保存性)
常温大気(25℃50%RH)中で168時間放置した後にエネルギー変換効率η(%)に付き、同様の測定を行い、以下に示す評価ランクに従って評価した。
(Formula 1) η (%) = Jsc (mA / cm 2 ) × Voc (V) × FF
(Storability)
After standing for 168 hours in room temperature air (25 ° C., 50% RH), the same measurement was performed on the energy conversion efficiency η (%), and evaluation was performed according to the following evaluation rank.
評価ランク
◎:エネルギー変換効率が作製直後のエネルギー効率測定値に対して90%以上
○:エネルギー変換効率が作製直後のエネルギー効率測定値に対して70%以上90%未満
△:エネルギー変換効率が作製直後のエネルギー効率測定値に対して50%以上70%未満
×:エネルギー変換効率が作製直後のエネルギー効率測定値に対して50%未満
リーク発生の有無
850nmの赤外光を周波数3Hzで発光さて試料に照射し、試料撮影に赤外線カメラ(FLIR ATR社製SC5200)を用い、ロックイン・サーモブラフィを使ってリークによる発熱点の有無を目視で観察した。
Evaluation rank ◎: Energy conversion efficiency is 90% or more with respect to the measured energy efficiency immediately after the production ○: Energy conversion efficiency is 70% or more and less than 90% with respect to the energy efficiency measured immediately after the production △: Energy conversion efficiency is produced 50% or more and less than 70% with respect to the immediately measured energy efficiency value X: Energy conversion efficiency is less than 50% with respect to the immediately measured energy efficiency measured value Presence or absence of leakage occurrence Sample of 850 nm infrared light emitted at a frequency of 3 Hz Then, an infrared camera (SC5200 manufactured by FLIR ATR) was used to photograph the sample, and the presence or absence of a heat generation point due to leak was visually observed using a lock-in thermobluff.
本発明の製造方法で作製した試料No.101からNo.104はリーク発生もなく、作製直後の機能はシヨートやリーク電流による機能低下の発生もなく、直列抵抗Rs(Ωcm2)、並列抵抗Rsh(Ωcm2)、エネルギー変換効率η(%)は、比較試料No.105に比べ何れも優れた性能を示すことを確認した。何れも優れた性能を示すことを確認した。尚、並列抵抗Rsh[Ωcm2]が比較試料No.105よりも高い値を示すが、これはリーク電流による機能低下の発生がないためと判断される。 Sample No. produced by the production method of the present invention. 101 to No. No leakage occurs, the function immediately after fabrication is not deteriorated due to short or leakage current, the series resistance Rs (Ωcm 2 ), the parallel resistance Rsh (Ωcm 2 ), and the energy conversion efficiency η (%) are compared. Sample No. It was confirmed that all of them showed superior performance as compared with 105. It was confirmed that all showed excellent performance. Note that the parallel resistance Rsh [Ωcm 2 ] is the comparative sample No. Although the value is higher than 105, it is determined that there is no occurrence of functional degradation due to leakage current.
又、微細構造を有する樹脂フィルムBを使用して作製した試料No.103及び試料No.104は、微細構造のない樹脂フィルムAを使用して作製した試料No.101及び試料No.102と比較し直列抵抗が低い値を示した。これは、第1有機機能層(正孔輸送層)の表面に形成された微細構造によりと第2有機機能層(光電変換層)との接触面積が増加したためと判断される。結果として、高いエネルギー変換効率が得られることが確認された。 Further, Sample No. produced using the resin film B having a fine structure was used. 103 and sample no. Sample No. 104 produced using resin film A having no fine structure. 101 and sample no. Compared to 102, the series resistance was low. This is considered to be because the contact area between the second organic functional layer (photoelectric conversion layer) and the fine structure formed on the surface of the first organic functional layer (hole transport layer) is increased. As a result, it was confirmed that high energy conversion efficiency was obtained.
更に、バリア層を有する基材2を使用して作製した試料102及び試料No.104は、バリア層を有さない基材1を使用して作製した試料No.101及び試料No.103に比べ作製直後のエネルギー変換効率に差は見られないが、保存性で大きな差が得られることが確認された。
Further,
バリア層を有さない基材1を使用して作製した比較試料No.105は保存性ではバリア層を有さない基材1を使用して作製した試料No.101、103と同じ性能を示したが、リーク発生による発熱点が確認され、作製直後の直列抵抗Rs(Ωcm2)、並列抵抗Rsh(Ωcm2)、エネルギー変換効率η(%)の何れも試料No.101、103に比べ劣ることを確認した。本発明の有効性が確認された。 Comparative sample No. 1 produced using the substrate 1 having no barrier layer. Sample No. 105 was prepared using the base material 1 having no barrier layer in terms of storage stability. Although the same performance as 101 and 103 was shown, a heat generation point due to leakage was confirmed, and all of the series resistance Rs (Ωcm 2 ), the parallel resistance Rsh (Ωcm 2 ), and the energy conversion efficiency η (%) immediately after fabrication were samples. No. It was confirmed that it was inferior to 101 and 103. The effectiveness of the present invention was confirmed.
1′ 有機エレクトロニクスパネル連続体
1′a 有機エレクトロニクスパネル
101′ 基材
102′ 第1電極(陽極)
103′ 有機機能層
104′ 第2電極(陰極)
105′ 封止層
106′、107′ 接着剤層
1から4 製造工程
1aから3a 第1有機機能層形成工程
1b、3b 第1電極形成工程
1c パターン形成工程
1d、3c 基材貼合工程
1e、3d 剥離工程
1f、3e、3f 第2有機機能層形成工程
1g、3f 第2電極形成工程
1h、3g 封止材貼合工程
401 帯状基材フィルム
402 樹脂層
1a11、3a11、403 帯状の樹脂フィルム
1 'organic electronics panel continuum 1'a organic electronics panel 101' base material 102 'first electrode (anode)
103 'organic functional layer 104' second electrode (cathode)
105 '
Claims (7)
前記有機機能層は第1有機機能層を有し、
前記第1有機機能層を帯状の樹脂フィルムの上に形成する第1有機機能層形成工程と、
前記帯状の樹脂フィルムの上に形成された前記第1有機機能層の上に、前記第1電極を形成する第1電極形成工程を有することを特徴とする有機エレクトロニクスパネルの製造方法。 Organic electronics having a first electrode, a second electrode, a sealing layer, and at least one organic functional layer including an organic material layer between the first electrode and the second electrode on a substrate. In the panel manufacturing method,
The organic functional layer has a first organic functional layer,
A first organic functional layer forming step of forming the first organic functional layer on a belt-shaped resin film;
An organic electronics panel manufacturing method comprising: a first electrode forming step of forming the first electrode on the first organic functional layer formed on the belt-shaped resin film.
前記有機機能層は前記第1有機機能層と第2有機機能層とを有し、
且つ、次の各工程を順次有することを特徴とする有機エレクトロニクスパネルの製造方法。
A)前記第1有機機能層形成工程
B)第1電極形成工程
C)前記第1電極にパターンを形成するパターン形成工程
D)前記第1電極の上に前記基材を貼合する基材貼合工程
E)前記帯状の樹脂フィルムを剥離する剥離工程
F)前記第1有機機能層の、前記帯状の樹脂フィルムが剥離された面の上に、前記第2有機機能層を形成する第2有機機能層形成工程
G)前記第2有機機能層の上に前記第2電極を形成する第2電極形成工程
H)前記第2電極の上に前記封止層を形成する封止層形成工程 In the manufacturing method of the organic electronics panel of any one of Claim 1 to 3, The said organic functional layer has a said 1st organic functional layer and a 2nd organic functional layer,
And the manufacturing method of the organic electronics panel characterized by having each next process sequentially.
A) Said 1st organic functional layer formation process B) 1st electrode formation process C) Pattern formation process which forms a pattern in said 1st electrode D) Base material sticking which bonds the said base material on said 1st electrode Combined Step E) Peeling Step of Peeling the Strip-shaped Resin Film F) Second Organic Forming the Second Organic Functional Layer on the Surface of the First Organic Functional Layer from which the Strip-shaped Resin Film has been Stripped Functional layer forming step G) Second electrode forming step of forming the second electrode on the second organic functional layer H) Sealing layer forming step of forming the sealing layer on the second electrode
且つ、次の各工程を順次有することを特徴とする有機エレクトロニクスパネルの製造方法。
A)前記第1有機機能層形成工程
B)前記第1電極形成工程
C)前記第1電極の上に前記基材を貼合する基材貼合工程
D)前記帯状の樹脂フィルムを剥離する剥離工程
E)前記第1有機機能層の、前記帯状の樹脂フィルムが剥離された面の上に、前記第2有機機能層を形成する第2有機機能層形成工程
F)前記第2有機機能層の上に前記第2電極を形成する第2電極形成工程
G)前記第2電極の上に前記封止層を形成する封止層貼合工程 4. The method of manufacturing an organic electronics panel according to claim 1, wherein the organic functional layer includes the first organic functional layer and a second organic functional layer, and the first electrode forming step includes: It is formed by vapor deposition using a mask,
And the manufacturing method of the organic electronics panel characterized by having each next process sequentially.
A) Said 1st organic functional layer formation process B) Said 1st electrode formation process C) Base material bonding process which bonds the said base material on the said 1st electrode D) Peeling which peels the said strip | belt-shaped resin film Step E) Second organic functional layer forming step of forming the second organic functional layer on the surface of the first organic functional layer from which the band-shaped resin film has been peeled. F) of the second organic functional layer Second electrode forming step for forming the second electrode on top G) Sealing layer bonding step for forming the sealing layer on the second electrode
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010276712A JP2012129229A (en) | 2010-12-13 | 2010-12-13 | Organic electronics panel manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010276712A JP2012129229A (en) | 2010-12-13 | 2010-12-13 | Organic electronics panel manufacturing method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012129229A true JP2012129229A (en) | 2012-07-05 |
Family
ID=46645993
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010276712A Pending JP2012129229A (en) | 2010-12-13 | 2010-12-13 | Organic electronics panel manufacturing method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2012129229A (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014061493A1 (en) * | 2012-10-15 | 2014-04-24 | 住友化学株式会社 | Method for manufacturing electronic device |
WO2015129892A1 (en) * | 2014-02-28 | 2015-09-03 | コニカミノルタ株式会社 | Organic electroluminescent element manufacturing method and manufacturing device |
CN105393334A (en) * | 2013-03-29 | 2016-03-09 | 应用材料公司 | Substrate imprinted with a pattern for forming isolated device regions |
WO2024085106A1 (en) * | 2022-10-17 | 2024-04-25 | 東洋紡株式会社 | Electronic device |
-
2010
- 2010-12-13 JP JP2010276712A patent/JP2012129229A/en active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014061493A1 (en) * | 2012-10-15 | 2014-04-24 | 住友化学株式会社 | Method for manufacturing electronic device |
JP2014099392A (en) * | 2012-10-15 | 2014-05-29 | Sumitomo Chemical Co Ltd | Method for manufacturing electronic device |
US9437821B2 (en) | 2012-10-15 | 2016-09-06 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Method for manufacturing electronic device |
CN105393334A (en) * | 2013-03-29 | 2016-03-09 | 应用材料公司 | Substrate imprinted with a pattern for forming isolated device regions |
JP2016518001A (en) * | 2013-03-29 | 2016-06-20 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | A substrate imprinted with a pattern to form isolated device regions |
WO2015129892A1 (en) * | 2014-02-28 | 2015-09-03 | コニカミノルタ株式会社 | Organic electroluminescent element manufacturing method and manufacturing device |
WO2024085106A1 (en) * | 2022-10-17 | 2024-04-25 | 東洋紡株式会社 | Electronic device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7638807B2 (en) | Transparent conductive multi-layer structure, process for its manufacture and device making use of transparent conductive multi-layer structure | |
US20210366662A1 (en) | Solar cell module | |
WO2010150648A1 (en) | Organic electronics panel and method for producing the same | |
JP5748350B2 (en) | Transparent conductive film, method for producing the same, flexible organic electronic device, and organic thin film solar cell | |
JP2009123690A (en) | Organic electronics element winding to past drying agent film after forming coated layer or after forming coupled electrode layer and its manufacturing method | |
JP6138968B2 (en) | Solar cell | |
WO2011070951A1 (en) | Organic electronics panel and method of manufacturing same | |
JP2011040336A (en) | Method for manufacturing organic electronics panel | |
JP2012000828A (en) | Gas barrier member, method for manufacturing gas barrier member and organic photoelectric conversion element with gas barrier member | |
JP2011031610A (en) | Barrier film, method for producing barrier film, and element | |
JP7230524B2 (en) | Photoelectric conversion element, photoelectric conversion element module, electronic device, and power supply module | |
JP2012076385A (en) | Gas barrier film, method of manufacturing gas barrier film, and organic electronic device having the gas barrier film | |
JP5648691B2 (en) | Coating method, method for producing organic electronics element | |
JP5673343B2 (en) | Organic photoelectric conversion element and manufacturing method thereof | |
JP5862189B2 (en) | Organic photoelectric conversion device and solar cell using the same | |
JP2012129229A (en) | Organic electronics panel manufacturing method | |
KR102636393B1 (en) | Solar modules, electronics, and power modules | |
JP5532887B2 (en) | Organic electronics panel | |
JP5585066B2 (en) | Organic thin film solar cell and method for manufacturing the same | |
JP5870862B2 (en) | Photoelectric conversion element, method for producing the same, and solar cell using the same | |
JP2010147276A (en) | Organic photoelectric conversion element | |
JP5482435B2 (en) | Method for transporting strip-shaped flexible support and method for manufacturing organic electronics element | |
JP5310230B2 (en) | Organic photoelectric conversion element | |
JP5505054B2 (en) | Method for manufacturing organic electroluminescence element | |
US20210167287A1 (en) | Photoelectric conversion element, photoelectric conversion module, electronic device, and power supply module |