JP2012026009A - Thin film deposition device - Google Patents
Thin film deposition device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012026009A JP2012026009A JP2010167149A JP2010167149A JP2012026009A JP 2012026009 A JP2012026009 A JP 2012026009A JP 2010167149 A JP2010167149 A JP 2010167149A JP 2010167149 A JP2010167149 A JP 2010167149A JP 2012026009 A JP2012026009 A JP 2012026009A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- discharge device
- material gas
- device main
- main body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 title 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 95
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 68
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 39
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 36
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 17
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 abstract 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 abstract 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 11
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 210000005239 tubule Anatomy 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
本発明は、薄膜形成装置に関する。 The present invention relates to a thin film forming apparatus.
従来より、真空槽内に、表面にマスクが固定された基板が配置され、真空雰囲気中で基板表面に向けて材料ガス放出装置から有機又は無機の薄膜材料蒸気が放出され、マスクの開口のパターン通りに成形された薄膜が基板表面に形成される薄膜形成工程が行われている。 Conventionally, a substrate with a mask fixed on the surface is placed in a vacuum chamber, and organic or inorganic thin film material vapor is released from the material gas discharge device toward the substrate surface in a vacuum atmosphere, and the pattern of the mask openings A thin film forming process is performed in which a thin film formed as described above is formed on the substrate surface.
しかし、薄膜材料を加熱・蒸発させて材料ガスを生成するために、材料ガス放出装置は高温に昇温しており、材料ガスの到達量が減らないように、基板と材料ガス放出装置とが近接して配置されると、マスクが材料ガス放出装置によって加熱され、膨張してパターンが拡大したり、ずれてしまうという問題がある。このようなパターンは、直線状であり、ＲＧＢの各有機薄膜を平行で等間隔な直線状に形成する場合が多い。 However, in order to generate the material gas by heating and evaporating the thin film material, the material gas discharge device is heated to a high temperature, and the substrate and the material gas discharge device are not connected so that the arrival amount of the material gas does not decrease. If they are arranged close to each other, the mask is heated by the material gas releasing device, and there is a problem that the pattern expands and shifts. Such a pattern is linear, and the RGB organic thin films are often formed in parallel and equally spaced linear shapes.
また、材料ガス放出装置から放出された材料ガスはマスクに付着すると、マスクの開口部分にも薄膜が形成され、開口形状が歪んでしまう場合がある。また、マスクに付着した薄膜は使用できないので、無駄が多いと言える。 In addition, when the material gas released from the material gas discharge device adheres to the mask, a thin film is also formed in the opening portion of the mask, and the opening shape may be distorted. Moreover, since the thin film adhering to the mask cannot be used, it can be said that it is wasteful.
本発明は、上記従来技術の不都合な点を解決することを目的としており、薄膜材料の使用効率が高く、大型基板に所望形状の薄膜を形成できる技術を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a technique capable of forming a thin film having a desired shape on a large-sized substrate with high use efficiency of a thin film material.
上記課題を解決するために本発明は、真空槽と、前記真空槽内に配置され、成膜対象物が載置面上に配置される処理台と、材料ガスを前記真空槽内に放出させて前記載置面上の前記成膜対象物に到達させ、薄膜を形成する材料ガス放出装置とを有する薄膜形成装置であって、前記材料ガス放出装置は、前記載置面と対面する位置に配置された防熱板と、前記防熱板よりも、前記載置面から遠い位置に配置された放出装置本体と、前記放出装置本体に接続された細管と、前記防熱板に形成され、前記細管が挿通された孔とを有し、前記細管の先端は前記載置面に向けられ、前記放出装置本体内の材料ガスが前記孔から放出され、放出された前記材料ガスが、前記処理台に配置された成膜対象物の表面に到達して薄膜が形成される薄膜形成装置である。
本発明は薄膜形成装置であって、前記細管の下端は前記防熱板よりも前記処理台に近い位置に配置された薄膜形成装置である。
本発明は薄膜形成装置であって、前記細管と前記孔の内周とは離間された薄膜形成装置である。
本発明は薄膜形成装置であって、前記細管と前記孔の内周との間には断熱材が配置された薄膜形成装置である。
本発明は薄膜形成装置であって、前記材料ガス放出装置には、前記放出装置本体とは離間した位置に、内部に薄膜材料が配置されたガス発生装置が設けられ、前記ガス発生装置は前記放出装置本体に接続され、前記ガス発生装置内で前記薄膜材料が加熱されて蒸発して前記材料ガスが生成され、前記放出装置本体に供給されるように構成された薄膜形成装置である。
本発明は薄膜形成装置であって、前記材料ガス放出装置には、前記放出装置本体の内部に、薄膜材料が配置されたガス発生装置が設けられ、前記ガス発生装置で前記薄膜材料が加熱されて蒸発して前記材料ガスが生成され、前記放出装置本体に供給される薄膜形成装置である。
本発明は薄膜形成装置であって、前記材料ガス放出装置を複数有する薄膜形成装置である。
In order to solve the above-described problems, the present invention provides a vacuum chamber, a processing table disposed in the vacuum chamber, and an object to be deposited on the mounting surface, and a material gas discharged into the vacuum chamber. A thin film forming apparatus having a material gas releasing device that reaches the film formation target on the mounting surface and forms a thin film, wherein the material gas discharging device is at a position facing the mounting surface. The heat insulating plate disposed, the discharge device main body disposed at a position farther from the placement surface than the heat insulating plate, a thin tube connected to the discharge device main body, and the heat insulating plate, the thin tube being formed And a tip of the thin tube is directed to the mounting surface, the material gas in the discharge device body is discharged from the hole, and the discharged material gas is disposed on the processing table. A thin film forming device that reaches the surface of the film formation target and forms a thin film. That.
This invention is a thin film forming apparatus, Comprising: The lower end of the said thin tube is a thin film forming apparatus arrange | positioned in the position near the said process stand rather than the said heat insulation board.
The present invention is a thin film forming apparatus, wherein the thin tube and the inner periphery of the hole are separated from each other.
The present invention is a thin film forming apparatus, in which a heat insulating material is disposed between the narrow tube and the inner periphery of the hole.
The present invention is a thin film forming apparatus, wherein the material gas discharge device is provided with a gas generation device having a thin film material disposed therein at a position separated from the discharge device main body. The thin film forming apparatus is connected to a discharge apparatus main body, and is configured such that the thin film material is heated and evaporated in the gas generation apparatus to generate the material gas and is supplied to the discharge apparatus main body.
The present invention is a thin film forming apparatus, wherein the material gas discharge device is provided with a gas generating device in which a thin film material is disposed inside the discharge device main body, and the thin film material is heated by the gas generating device. The material gas is generated by evaporation and supplied to the main body of the discharge device.
The present invention is a thin film forming apparatus, which is a thin film forming apparatus having a plurality of the material gas releasing devices.
マスクを使用せずに、所望形状の薄膜を形成できる。
また、放出した材料ガスが無駄にならない。
また、大型基板に所望形状の薄膜を形成することができる。
A thin film having a desired shape can be formed without using a mask.
Also, the released material gas is not wasted.
In addition, a thin film having a desired shape can be formed on a large substrate.
図１を参照し、符号１０は、本発明の薄膜形成装置を示している。
この薄膜形成装置１０は、真空槽１１と処理台１２とを有している。
この処理台１２は、成膜対象物を配置する載置面１３を有しており、ここでは処理台１２は、載置面１３を鉛直上方に向け、真空槽１１の内部に配置されている。図２は、載置面１３上に板状の成膜対象物２０が配置された状態である。
With reference to FIG. 1, the code |
The thin
The processing table 12 has a
真空槽１１には真空ポンプ１４が接続されており、内部は真空排気されて真空雰囲気にされている。
また、薄膜形成装置１０は、１乃至複数個の材料ガス放出装置３０1、３０2、３０3を有している。
A
Further, the thin
材料ガス放出装置３０1、３０2、３０3の構造は同じであり、図３に、一台の材料ガス放出装置３０1を例にして説明すると、材料ガス放出装置３０1は、放出装置本体３１1と、ガス発生装置３２1とを有している。
放出装置本体３１1は、載置面１３と対面する位置に配置されており、ここでは、載置面１３の上方に配置されている。
Material structure of the gas discharge device 30 1, 30 2, 30 3 are the same, in Figure 3, will be described with the single material gas discharge device 30 1 in Example, the material gas discharge device 30 1, the release device body 31 1 and a gas generator 32 1 are provided.
Emitting device main body 31 1 is disposed at the position facing the
放出装置本体３１1の載置面１３と対面する部分には、細管３３1が鉛直に設けられており、細管３３1の先端は、載置面１３に向けられている。細管３３1の中空部分は、放出装置本体３１1の内部の空間に接続されている。
ガス発生装置３２1は、放出装置本体３１1と離間した位置に配置されている。ここではガス発生装置３２1は真空槽１１の内部に配置されているが、真空槽１１の外部に配置されていてもよい。
A narrow tube 33 1 is provided vertically at a portion facing the
The gas generator 32 1 is arranged at a position separated from the discharge device main body 31 1 . Here, the gas generator 32 1 is disposed inside the
ガス発生装置３２1には、薄膜材料用の蒸発容器３４ａ、３４ｂを一又は複数台設けられており、この例では、蒸発容器３４ａ、３４ｂが二台設けられ、一方の蒸発容器３４ａにはホストとなる有機材料である薄膜材料３５ａが配置され、他方の蒸発容器３４ｂには、ドーパントとなる有機材料である薄膜材料３５ｂが配置されている。
The gas generator 32 1 is provided with one or a plurality of
各蒸発容器３４ａ、３４ｂには、線状のヒータ３６ａ、３６ｂが巻き回されており、ヒータ３６ａ、３６ｂが発熱して、各蒸発容器３４ａ、３４ｂ内の薄膜材料３５ａ、３５ｂが加熱され、蒸発温度以上の温度に昇温して、薄膜材料３５ａ、３５ｂの蒸気から成る材料ガスが生成されるようになっている。
ガス発生装置３２1と放出装置本体３１1とは、供給管３７ａ、３７ｂによって接続され、ガス発生装置３２1内で生成された材料ガスは供給管３７ａ、３７ｂを通り、放出装置本体３１1に供給される。ここでは二本の供給管３７ａ、３７ｂによって、二個の蒸発容器３４ａ、３４ｂと放出装置本体３１1とが、それぞれ別々に接続され、ホスト用の有機材料ガスとドーパント用の有機材料ガスとは別々に放出装置本体３１1に供給され、放出装置本体３１1内で混合され、細管３３1を通って細管３３1の先端から真空槽１１の内部に放出される。
The gas generator 32 1 and the discharge device main body 31 1 are connected by
図４は、板状の成膜対象物２０が載置面１３上に配置された状態であり、処理台１２上の成膜対象物２０と放出装置本体３１1とは一の薄膜形成直線に沿った方向に相対的に移動できるように構成されており、細管３３1先端から放出された材料ガスによって、成膜対象物２０表面には、薄膜が線状に形成される。
Figure 4 is a state where the plate-shaped object to be
本例の薄膜形成装置１０は、ＲＧＢ各色のドーパントがそれぞれガス発生装置３２1、３２2、３２3に配置された三台の材料ガス放出装置３０1、３０2、３０3を有しており、三台の放出装置本体３１1、３１2、３１3は、相対的に静止した状態で、放出装置本体３１1、３１2、３１3と成膜対象物２０とが、上述した一の薄膜形成直線に沿った方向に相対的に直線移動して、成膜対象物２０表面に、マスクを設けなくても、Ｒ色と、Ｇ色と、Ｂ色の三本の直線状の有機薄膜が形成される。
The thin
そして、材料ガスが成膜対象物２０に到達しない状態で、薄膜形成直線と交差する方向に相対的に移動し、細管３３1、３３2、３３3先端が、成膜対象物２０上の有機薄膜の未成膜な部分と対面するようにし、薄膜形成直線に沿って相対移動させると、図５に示すように、Ｒ色と、Ｇ色と、Ｂ色の三本一組の直線状の有機薄膜２１R、２１G、２１Bが複数組平行に形成される。
Then, in a state where the material gas does not reach the
各放出装置本体３１1、３１2、３１3は、加熱装置を有しており、加熱装置から供給される熱で、放出装置本体３１1、３１2、３１3内部に供給された材料ガスが、放出装置本体３１1、３１2、３１3の内壁面に析出しないようにされている。ここでは、加熱装置は線状ヒータ３８1、３８2、３８3で構成され、線状ヒータ３８1、３８2、３８3が放出装置本体３１1、３１2、３１3の外周に巻き回され、放出装置本体３１1、３１2、３１3と、細管３３1、３３2、３３3とが加熱されて供給された薄膜材料蒸気の蒸発温度以上の温度に昇温するようにされている。
Each discharge device main body 31 1 , 31 2 , 31 3 has a heating device, and the material gas supplied to the inside of the discharge device main bodies 31 1 , 31 2 , 31 3 is generated by heat supplied from the heating device. The discharge device main bodies 31 1 , 31 2 , 31 3 are not deposited on the inner wall surfaces. Here, the heating device is composed of
放出装置本体３１1、３１2、３１3と載置面１３との間には、防熱板４２1、４２2、４２3が配置されている。
ここでは、各放出装置本体３１1、３１2、３１3は、それぞれ別々の冷却容器４１1、４１2、４１3内に配置されている。
Between the discharge device main bodies 31 1 , 31 2 , 31 3 and the
Here, each discharge device main body 31 1 , 31 2 , 31 3 is arranged in a separate cooling vessel 41 1 , 41 2 , 41 3 , respectively.
各冷却容器４１1、４１2、４１3は、底面部分が放出装置本体３１1、３１2、３１3と載置面１３の間に配置されており、各冷却容器４１1、４１2、４１3の底面部分が、加熱された放出装置本体３１1、３１2、３１3や、放出装置本体３１1、３１2、３１3に巻き回された線状ヒータ３８1、３８2、３８3から放出される輻射熱を遮蔽して、輻射熱が載置面１３上に配置された成膜対象物２０に到達しないようにする防熱板４２1、４２2、４２3にされている。
Each cooling container 41 1 , 41 2 , 41 3 has a bottom portion disposed between the discharge device main bodies 31 1 , 31 2 , 31 3 and the
各防熱板４２1、４２2、４２3は、載置面１３と対面し、載置面１３とは離間して配置されている。各防熱板４２1、４２2、４２3には、それぞれ孔４３1、４３2、４３3が設けられ、各冷却容器４１1、４１2、４１3内に配置された放出装置本体３１1、３１2、３１3に接続された細管３３1、３３2、３３3は、防熱板４２1、４２2、４２3の孔４３1、４３2、４３3に挿通され、各細管３３1、３３2、３３3の先端は、防熱板４２1、４２2、４２3よりも載置面１３に近い位置まで伸ばされ、細管３３1、３３2、３３3から放出される材料ガスが防熱板４２1、４２2、４２3に接触しないようにされている。
Each of the heat insulating plates 42 1 , 42 2 , and 42 3 faces the
ここでは、冷却容器４１1、４１2、４１3の側壁の外周には、液状の冷却媒体が流れる冷却管４４1、４４2、４４3が巻き回されており、輻射熱は冷却容器４１1、４１2、４１3で遮蔽され、真空槽１１の槽壁が加熱されないようになっている。
Here, cooling pipes 44 1 , 44 2 , and 44 3 through which a liquid cooling medium flows are wound around the outer periphery of the side walls of the cooling containers 41 1 , 41 2 , and 41 3 , and radiant heat is supplied to the cooling containers 41 1 , It is shielded by 41 2 and 41 3 so that the tank wall of the
防熱板４２1、４２2、４２3の載置面１３に向く面とは反対の面には輻射熱が到達するが、防熱板４２1、４２2、４２3は冷却容器４１1、４１2、４１3と接触しており、冷却管４４1、４４2、４４3によって冷却容器４１1、４１2、４１3が冷却されると、防熱板４２1、４２2、４２3は間接的に冷却され、高温にはならないようになっている。
Heat insulating board 42 1, 42 2, 42 and 3 surface facing the mounting
防熱板４２1、４２2、４２3の孔４３1、４３2、４３3の内周面の直径は、細管３３1、３３2、３３3の外径よりも大きく、放出装置本体３１1、３１2、３１3の幅よりも小さくされており、細管３３1、３３2、３３3の外周面と孔４３1、４３2、４３3の内周面が離間しているか、又は、細管３３1、３３2、３３3の外周面と内周面の間の部分に断熱材が充填されている。 Heat insulating board 42 1, 42 2, 42 3 of holes 43 1, 43 2, 43 the diameter of the inner peripheral surface of 3, thin tube 33 1, 33 2, 33 3 larger than the outer diameter, releasing apparatus main body 31 1, 31 2, 31 are smaller than the third width, or thin tube 33 1, 33 2, 33 3 the outer peripheral surface and the hole 43 1, 43 2, 43 the inner circumferential surface of the 3 are spaced apart, or, capillary 33 A portion between the outer peripheral surface and the inner peripheral surface of 1 , 33 2 , 33 3 is filled with a heat insulating material.
どちらの場合でも、昇温された細管３３1、３３2、３３3の熱は防熱板４２1、４２2、４２3には伝導されず、細管３３1、３３2、３３3先端が蒸発温度未満の温度に冷却されないようになっている。
このように、細管３３1、３３2、３３3先端は蒸発温度以上にされており、細管３３1、３３2、３３3先端で材料ガスが凝縮して閉塞されないようになっており、また、載置面１３上に配置された成膜対象物２０が、輻射熱によって加熱されないようになっている。
In either case, the heated heat of the thin tubes 33 1 , 33 2 , 33 3 is not conducted to the heat insulating plates 42 1 , 42 2 , 42 3, and the tips of the thin tubes 33 1 , 33 2 , 33 3 are at the evaporation temperature. It is not cooled down to a temperature below.
In this way, the tips of the thin tubes 33 1 , 33 2 , 33 3 are set to the evaporating temperature or higher, and the material gas is not condensed and blocked at the tips of the thin tubes 33 1 , 33 2 , 33 3 , The
処理台１２の内部には冷却装置１６が配置されており、成膜対象物２０は冷却装置１６によって冷却され、成膜対象物２０の表面に到達した材料ガスは効率的に凝集され、材料ガスが成膜対象物２０表面で反射されて真空槽１１内に拡散しにくいようにされている。
A cooling
なお、図３、４に符号３２1で示すように、真空槽１１内に膜厚センサー４６ａ、４６ｂを設けておき、各蒸発容器３２1、３２2、３２3にサンプル管４７ａ、４７ｂを設けて、各蒸発容器３２1、３２2、３２3内で生成された材料ガスが膜厚センサー４６ａ、４６ｂの検出面に到達して薄膜が形成されるようにしておき、同じ蒸発容器３２1、３２2、３２3内で生成された材料ガスによって形成される薄膜のうち、膜厚センサ４６ａ、４６ｂが検出する薄膜の膜厚と、成膜対象物２０表面に形成される薄膜の膜厚との関係を予め求めておくと、膜厚センサ４６ａ、４６ｂが検出した膜厚の値によって、成膜対象物２０表面の薄膜の膜厚値が分かる。
As indicated by reference numeral 32 1 in FIGS. 3 and 4,
以上は、放出装置本体３１1、３１2、３１3を相対的に静止させていたが、各放出装置本体３１1、３１2、３１3を薄膜形成直線に沿った方向に成膜対象物２０との間で相対的に移動させると共に、成膜対象物２０の表面とは平行に、薄膜形成直線とは垂直な方向に個別に移動させることもできる。
In the above, the discharge device main bodies 31 1 , 31 2 , 31 3 are relatively stationary, but the respective discharge device main bodies 31 1 , 31 2 , 31 3 are placed in the direction along the thin film formation
図１〜４の符号５１1、５１2、５１3は、カメラであり、このカメラ５１1、５１2、５１3が成膜対象物２０表面のパターンを撮影して撮影画像を制御装置５２1、５２2、５２3に伝送し、制御装置５２1、５２2、５２3が電送された撮影画像中からアラインメントマークとなるパターン認識し、アラインメントマーク位置と放出装置本体３１1、３１2、３１3との相対的な位置関係を認識して相対位置の誤差量を求め、移動装置５３1、５３2、５３3を動作させて放出装置本体３１1、３１2、３１3を薄膜形成直線とは垂直な方向に移動させて相対位置の誤差量をゼロに近づけ、各放出装置本体３１1、３１2、３１3が成膜対象物２０表面の正確な位置に薄膜を形成するようにするとよい。
Reference numerals 51 1 , 51 2 , 51 3 in FIGS. 1 to 4 are cameras, and the cameras 51 1 , 51 2 , 51 3 capture the pattern on the surface of the
上記実施例では、放出装置本体３１1とは離間した位置にガス発生装置３２1が設けられていたが、図６に示すように、放出装置本体３１1、３１2、３１3の内部にガス発生装置３２1、３２2、３２3を設けてもよい。
また、この図６に示すように、サンプル管４７1、４７2、４７3は、放出装置本体３１1、３１2、３１3に接続され、膜厚センサ４６1、４６2、４６3によって膜厚を測定するようにしてもよい。
In the above embodiment, the gas generator 32 1 is provided at a position separated from the discharge device main body 31 1. However, as shown in FIG. 6, the gas generation device 31 1 , 31 2 , 31 3 has gas inside the discharge device main body 31 1 . Generators 32 1 , 32 2 , 32 3 may be provided.
Further, as shown in FIG. 6, the sample tubes 47 1 , 47 2 , and 47 3 are connected to the discharge device main bodies 31 1 , 31 2 , and 31 3 , and the film thickness sensors 46 1 , 46 2 , and 46 3 are used for the membranes. The thickness may be measured.
また、放出装置本体３１1、３１2、３１3は成膜対象物２０表面に直線状の薄膜２１R、２１G、２１Bを形成するだけではなく、図７に示すように逐行走査形状の薄膜２２を形成することもでき、すなわち幅を有する線状の薄膜で長方形パターン２３を埋めることもできる。符号２４は細管の逐行走査跡を示している。
In addition, the discharge device main bodies 31 1 , 31 2 , 31 3 not only form the linear thin films 21 R , 21 G , 21 B on the surface of the
有機ＥＬディスプレイを作製する際、ＨＩＬ／ＨＴＬをフレームマスクで成膜した後、本発明でＲ、Ｇ、Ｂ発光ドットを作製し、次いでフレームマスクでＥＴＬ／ＥＩＬ／電極層を作ることが可能である。
薄膜は、一層に限定されず、例えば、成膜対象物２０側から、Ｒ色、Ｇ色又はＢ色の場合、ＴＣＯ基板／ＨＩＬ／ＨＴＬ／ＥＬ(Ｒ)／ＥＴＬ／ＥＩＬの多層の薄膜、ＴＣＯ基板／ＨＩＬ／ＨＴＬ／ＥＬ(Ｇ)／ＥＴＬ／ＥＩＬの多層の薄膜、又はＴＣＯ基板／ＨＩＬ／ＨＴＬ／ＥＬ(Ｂ)／ＥＴＬ／ＥＩＬの多層の薄膜を形成し、これらＲＧＢの薄膜を、成膜対象物２０上に、繰り返しこの順序で配置することができる。
When manufacturing an organic EL display, it is possible to form HIL / HTL with a frame mask, and then produce R, G, B light emitting dots with the present invention, and then make an ETL / EIL / electrode layer with the frame mask.
The thin film is not limited to one layer. For example, in the case of R color, G color, or B color from the
例えば、細管３３1、３３2、３３3の中空部分の幅は２０μｍ程度、成膜する線の幅によって載置面１３上に配置した成膜対象物２０表面と細管３３1、３３2、３３3の先端との間の距離は０．０１ｍｍ以上５ｃｍ以下の範囲で成膜することができる。成膜する線の幅は最小２０μｍ余で形成することができる。
For example, the hollow portions of the thin tubes 33 1 , 33 2 , 33 3 have a width of about 20 μm, and the surface of the
薄膜からなる線の幅は細管３３1、３３2、３３3の中空部分の幅および成膜対象物２０表面と細管３３1、３３2、３３3の先端との間の距離で調整できる。細管３３1、３３2、３３3の中空部分の幅が小さいほど、又成膜対象物２０表面と細管３３1、３３2、３３3の先端との間の距離が短いほど、薄膜からなる線の幅は小さい。
The width of the line formed of a thin film can be adjusted by the distance between the tip of the capillary 33 1, 33 2, 33 width and the film-forming target of 3
なお、複数の細管３３1、３３2、３３3は、薄膜形成直線とは垂直な方向に離間すると共に、放出装置本体３１1、３１2、３１3同士を離間させるために、薄膜形成直線方向にも離間されている。 The plurality of thin tubes 33 1 , 33 2 , 33 3 are separated in a direction perpendicular to the thin film formation straight line, and in order to separate the discharge device main bodies 31 1 , 31 2 , 31 3 from each other, the thin film formation straight direction Is also spaced apart.
また、細管３３1、３３2、３３3の中心間距離は、形成する薄膜の中心間距離に等しく設定しても良いし、一本の細管３３1、３３2、３３3が一回の相対移動で形成する薄膜を複数本側面を接触させて成膜する場合は、細管３３1、３３2、３３3の中心間距離を合成薄膜の中心間距離に設定するとよい。 Further, the distance between the centers of capillaries 33 1, 33 2, 33 3 is equal may be set to the distance between the centers of the thin film to be formed, a single capillary 33 1, 33 2, 33 3 is one of the relative When a thin film formed by movement is formed by bringing a plurality of side surfaces into contact with each other, the distance between the centers of the thin tubes 33 1 , 33 2 , 33 3 may be set to the distance between the centers of the synthetic thin films.
なお、上記例では、各蒸発容器内に異なるドーパントを配置して、各放出装置本体３１1、３１2、３１3から異なる色の有機薄膜を形成するようにしたが、同じドーパントを配置して各放出装置本体３１1、３１2、３１3から同じ色の有機薄膜を形成してもよい。 In the above example, different dopants are arranged in each evaporation container, and organic thin films of different colors are formed from the respective emission device main bodies 31 1 , 31 2 , 31 3. each release apparatus main body 31 1, 31 2, 31 3 may from be formed organic thin film of the same color.
１０……薄膜形成装置
１１……真空槽
１２……処理台
１３……載置面
２０……成膜対象物
３０1、３０2、３０3……材料ガス放出装置
３１1、３１2、３１3……放出装置本体
３２1、３２2、３２3……ガス発生装置
３３1、３３2、３３3……細管
４２1、４２2、４２3……防熱板
４３1、４３2、４３3……孔
10 ...... thin
42 1 , 42 2 , 42 3 ...... Heat shields 43 1 , 43 2 , 43 3 ...... Hole
Claims (7)
前記真空槽内に配置され、成膜対象物が載置面上に配置される処理台と、
材料ガスを前記真空槽内に放出させて前記載置面上の前記成膜対象物に到達させ、薄膜を形成する材料ガス放出装置とを有する薄膜形成装置であって、
前記材料ガス放出装置は、前記載置面と対面する位置に配置された防熱板と、
前記防熱板よりも、前記載置面から遠い位置に配置された放出装置本体と、
前記放出装置本体に接続された細管と、
前記防熱板に形成され、前記細管が挿通された孔とを有し、
前記細管の先端は前記載置面に向けられ、前記放出装置本体内の材料ガスが前記孔から放出され、放出された前記材料ガスが、前記処理台に配置された成膜対象物の表面に到達して薄膜が形成される薄膜形成装置。 A vacuum chamber;
A processing table disposed in the vacuum chamber, and a film formation target is disposed on a mounting surface;
A thin film forming apparatus having a material gas releasing device for discharging a material gas into the vacuum chamber to reach the film formation target on the mounting surface and forming a thin film;
The material gas discharge device includes a heat insulating plate disposed at a position facing the mounting surface,
The discharge device main body arranged at a position farther from the placement surface than the heat insulating plate,
A capillary tube connected to the discharge device body;
A hole formed in the heat insulating plate and through which the thin tube is inserted;
The tip of the narrow tube is directed to the mounting surface, the material gas in the discharge device main body is released from the hole, and the released material gas is applied to the surface of the film formation target disposed on the processing table. A thin film forming device that reaches and forms a thin film.
前記ガス発生装置は前記放出装置本体に接続され、前記ガス発生装置内で前記薄膜材料が加熱されて蒸発して前記材料ガスが生成され、前記放出装置本体に供給されるように構成された請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の薄膜形成装置。 The material gas discharge device is provided with a gas generation device in which a thin film material is disposed inside at a position separated from the discharge device main body,
The gas generator is connected to the discharge device main body, and the thin film material is heated and evaporated in the gas generator to generate the material gas, which is supplied to the discharge device main body. The thin film forming apparatus according to any one of claims 1 to 4.
前記ガス発生装置で前記薄膜材料が加熱されて蒸発して前記材料ガスが生成され、前記放出装置本体に供給される請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の薄膜形成装置。 The material gas release device is provided with a gas generator in which a thin film material is disposed inside the discharge device main body,
5. The thin film forming apparatus according to claim 1, wherein the thin film material is heated and evaporated by the gas generator to generate the material gas, and the thin film material is supplied to the discharge device main body.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010167149A JP2012026009A (en) | 2010-07-26 | 2010-07-26 | Thin film deposition device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010167149A JP2012026009A (en) | 2010-07-26 | 2010-07-26 | Thin film deposition device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012026009A true JP2012026009A (en) | 2012-02-09 |
Family
ID=45779279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010167149A Pending JP2012026009A (en) | 2010-07-26 | 2010-07-26 | Thin film deposition device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2012026009A (en) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000234163A (en) * | 1999-05-19 | 2000-08-29 | Fukushima Prefecture | Evaporating device for organic compound |
| JP2007031828A (en) * | 2005-07-28 | 2007-02-08 | Applied Materials Gmbh & Co Kg | Vapor deposition apparatus |
| JP2008311231A (en) * | 2008-06-26 | 2008-12-25 | Seiko Epson Corp | Film forming device, method of manufacturing electronic device, and method of manufacturing electro-optic device |
| JP2010126753A (en) * | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Canon Inc | Vapor deposition apparatus and method for manufacturing organic light-emission apparatus |
-
2010
- 2010-07-26 JP JP2010167149A patent/JP2012026009A/en active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000234163A (en) * | 1999-05-19 | 2000-08-29 | Fukushima Prefecture | Evaporating device for organic compound |
| JP2007031828A (en) * | 2005-07-28 | 2007-02-08 | Applied Materials Gmbh & Co Kg | Vapor deposition apparatus |
| JP2008311231A (en) * | 2008-06-26 | 2008-12-25 | Seiko Epson Corp | Film forming device, method of manufacturing electronic device, and method of manufacturing electro-optic device |
| JP2010126753A (en) * | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Canon Inc | Vapor deposition apparatus and method for manufacturing organic light-emission apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4996430B2 (en) | Vapor generation apparatus, vapor deposition apparatus, and film formation method | |
| JP5081899B2 (en) | Vapor deposition source, vapor deposition apparatus, film formation method | |
| JPWO2009034915A1 (en) | Vapor deposition equipment | |
| CN109200736B (en) | Condensing plate, vacuum drying equipment and vacuum drying method | |
| KR101406199B1 (en) | Apparatus for deposition | |
| JP2011012309A (en) | Vacuum vapor deposition apparatus | |
| JP5374373B2 (en) | Organic material vapor generating device, film forming source, organic EL film forming device | |
| KR20070056190A (en) | In-line equipment using metal-plate belt source for oled manufacturing | |
| KR101108152B1 (en) | Deposition source | |
| TWI470096B (en) | Method for forming organic film | |
| US20130323868A1 (en) | Deposition Apparatus and Method for Manufacturing Organic Light Emitting Diode Display Using the Same | |
| JP5570939B2 (en) | Thin film forming apparatus and thin film forming method | |
| KR20080013686A (en) | Apparatus for depositing thin films over large-area substrates | |
| JP2010037649A (en) | Organic matter vapor deposition system | |
| CN107002232A (en) | Crucible component for evaporating purpose | |
| US20090050053A1 (en) | Crucible heating apparatus and deposition apparatus including the same | |
| KR102080764B1 (en) | Linear source, and substrate processing apparatus | |
| JP4216522B2 (en) | Evaporation source and thin film forming apparatus using the same | |
| JP6352599B2 (en) | Vapor deposition apparatus and vapor deposition amount measuring method using the same | |
| KR20190070239A (en) | Evaporation source device and vapor deposition apparatus | |
| JP2012026009A (en) | Thin film deposition device | |
| KR101754802B1 (en) | Evaporation Apparatus And Evaporation Deposition Apparatus | |
| JP2019518131A (en) | Mass production equipment for high resolution AMOLED devices using evaporation sources | |
| JP2019039050A (en) | Evaporation source container and evaporation source device | |
| JP5564238B2 (en) | Film forming apparatus and thin film manufacturing method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130514 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131205 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140128 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140617 |