JP2011530822A - 電子ビーム誘起エッチング方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図1
Description
Claims (25)
- 物体(100,200)の電子ビーム誘起エッチング方法であって、
a.少なくとも1種類のエッチングガスを、前記物体(100,200)上の、該物体(100,200)に電子ビームが衝突する位置に供給するステップ、および
b.同時に、前記少なくとも1種類のエッチングガスによる自発的エッチングを減速または抑制するようにした少なくとも1種類のパッシベーションガスを供給するステップ、
を含む電子ビーム誘起エッチング方法。 - 請求項1に記載の電子ビーム誘起エッチング方法であって、前記エッチングガスは二フッ化キセノン(XeF2)を含むことを特徴とする、電子ビーム誘起エッチング方法。
- 請求項1または2に記載の電子ビーム誘起エッチング方法であって、前記パッシベーションガスはアンモニアを含むことを特徴とする、電子ビーム誘起エッチング方法。
- 請求項1〜3のいずれか一項に記載の電子ビーム誘起エッチング方法であって、前記パッシベーションガスを供給するステップは、前記物質(100,200)のエッチング中に、連続的に行われる、および/または経時変化させて行われることを特徴とする、電子ビーム誘起エッチング方法。
- 請求項1〜4のいずれか一項に記載の電子ビーム誘起エッチング方法であって、前記物質(100,200)はシリコン層(100)を含むことを特徴とする、電子ビーム誘起エッチング方法。
- 請求項1〜5のいずれか一項に記載の電子ビーム誘起エッチング方法であって、前記電子ビームが前記物質(100,200)に衝突する位置における、前記パッシベーションガスと前記エッチングガスの分圧比は1以下であることを特徴とする、電子ビーム誘起エッチング方法。
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載の電子ビーム誘起エッチング方法であって、前記パッシベーションガスの供給量は、0.25標準立方センチメートル/分であることを特徴とする、電子ビーム誘起エッチング方法。
- 請求項1〜7のいずれか一項に記載の電子ビーム誘起エッチング方法であって、前記物質(100,200)は複数の層(200)を含み、該方法は、さらに、
a.少なくとも1つの第1層(210)と少なくとも1つの第2層(220)との間の層境界に到達したかを判定するステップ、および
b.前記少なくとも第2層(220)における横方向エッチングを減速または抑制するようにパッシベーションガスの供給を行うステップ、
を含む、電子ビーム誘起エッチング方法。 - 請求項8に記載の電子ビーム誘起エッチング方法であって、分析信号を測定することにより層境界に到達したかどうかを判定することを特徴とする、電子ビーム誘起エッチング方法。
- 請求項9に記載の電子ビーム誘起エッチング方法であって、前記分析信号を測定することは、後方散乱電子および/または二次電子を検出することを含む、電子ビーム誘起エッチング方法。
- 請求項8に記載の電子ビーム誘起エッチング方法であって、エッチング時間を測定することにより層境界部に到達したかどうかを判定することを特徴とする、電子ビーム誘起エッチング方法。
- 請求項8〜11のいずれか一項に記載の電子ビーム誘起エッチング方法であって、前記エッチングガスの分圧を層境界において調整することを特徴とする、電子ビーム誘起エッチング方法。
- 請求項8〜12のいずれか一項に記載の電子ビーム誘起エッチング方法であって、該方法を用いて、埋設導電接続(270)にクリアランスホールをエッチングすることを特徴とする、電子ビーム誘起エッチング方法。
- 請求項8〜13のいずれか一項に記載の電子ビーム誘起エッチング方法であって、前記層(200)は、少なくとも1つの誘電層(210,260)、少なくとも1つの半導体層(220,230,240,250,280)、および少なくとも1つの導電層(270)を含むことを特徴とする、電子ビーム誘起エッチング方法。
- 請求項14に記載の電子ビーム誘起エッチング方法であって、前記半導体層(220,230,240,250,280)をエッチングする間の、前記パッシベーションガスの供給量は0.1標準立方センチメートル/分であることを特徴とする、電子ビーム誘起エッチング方法。
- 請求項8〜14のいずれか一項に記載の電子ビーム誘起エッチング方法であって、前記パッシベーションガスの供給は、銅含有層(270)に到達する前に遮断され、パッシベーション物質は前記真空チャンバ(10)内から除去されることを特徴とする、電子ビーム誘起エッチング方法。
- 物質(100,200)の電子ビーム誘起エッチング装置であって、
a.少なくとも1種類のエッチングガスを、前記物質(100,200)に電子ビームが衝突する位置に供給するための注入口(40)、および
b.電子ビーム誘起エッチングを行う間、前記少なくとも1種類のエッチングガスによる自発的エッチングを減速または抑制するようにした少なくとも1種類のパッシベーションガスを注入するための注入口(50)、
を備える電子ビーム誘起エッチング装置。 - 請求項17に記載の電子ビーム誘起エッチング装置であって、前記エッチングガスとして二フッ化キセノンを使用することができることを特徴とする、電子ビーム誘起エッチング装置。
- 請求項17または18に記載の電子ビーム誘起エッチング装置であって、前記パッシベーションガスとしてアンモニアを使用することができることを特徴とする、電子ビーム誘起エッチング装置。
- 請求項17〜19のいずれか一項に記載の電子ビーム誘起エッチング装置であって、前記パッシベーションガスの前記注入口(50)および/または前記エッチングガスの注入口(40)は、前記パッシベーションガスおよび/または前記エッチングガスを連続的および/または経時変化させて供給するように動作可能であることを特徴とする、電子ビーム誘起エッチング装置。
- 請求項17に記載の電子ビーム誘起エッチング装置であって、さらに、
a.第1層(210)と第2層(220)との間の層境界に到達したかどうかを判定する測定デバイス、および
b.パッシベーションガスの分圧を調整して前記第2層(220)における横方向エッチングを抑制する調整デバイス、
を備える電子ビーム誘起エッチング装置。 - 請求項21に記載の電子ビーム誘起エッチング装置であって、層境界に到達したかどうかを判定する前記測定デバイスは分析信号を含むことを特徴とする、電子ビーム誘起エッチング装置。
- 請求項22に記載の電子ビーム誘起エッチング装置であって、前記分析信号は、後方散乱電子および/または二次電子を検出する検出器(60)を含むことを特徴とする、電子ビーム誘起エッチング装置。
- 請求項21に記載の電子ビーム誘起エッチング装置であって、1つの第1層(210)と1つの第2層(220)との間の層境界に到達したかどうかを判定する前記測定デバイスはエッチング時間測定デバイスを含むことを特徴とする、電子ビーム誘起エッチング装置。
- 請求項1〜16のいずれか一項に記載の電子ビーム誘起エッチング方法を用いてエッチングした構造を有する半導体デバイス。
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